【課題】設計段階で所望の微小な差周波を得られるようにすることと、２つの弾性表面波素子の共振周波数を同程度に近づけることとの両立を図る。
【解決手段】第１、第２ＳＡＷ共振子２、４の両者における櫛歯電極１２、１３および反射器１４、１５を構成する各電極のピッチｐ１、ｐ２を同一としつつ、両者における各電極の交差指幅Ｌ１、Ｌ２を異ならせる。第１、第２ＳＡＷ共振子２、４をこのような構造とすることで、第１ＳＡＷ共振子２を有する第１発振回路の発振周波数と、第２ＳＡＷ共振子４を有する第２発振回路の発振周波数とを異ならせることができ、両方の発振周波数の差である差周波を微小な周波数に設定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】圧電デバイスの製造を容易なものとしつつ、小型化を図ることができる圧電デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】内部端子対５５が設けられたベース基板５１と、ベース基板５１に対して固定された圧電体基板２１と、圧電体基板２１上に設けられたＩＤＴ２２と、圧電体基板２１上に設けられ、ＩＤＴ２２に電気的に接続された引出電極対２４とを備える弾性表面波素子片２と、内部端子対５５の一方の端子と引出電極対２４の一方の端子とに跨るように接合された第１の受動部品３１と、内部端子対５５の他方の端子と引出電極対２４の他方の端子とに跨るように接合された第２の受動部品３２とを有する。 （もっと読む）

【課題】実装面積やコストを抑え、起動時間を短縮し、周波数精度の高いクロックも出力できるＭＥＭＳデバイス等を提供する。
【解決手段】 第１のクロック信号４００と第２のクロック信号４０２の少なくとも一方を出力するＭＥＭＳデバイス１００であって、同一の基板上に設けられた第１のＭＥＭＳ共振子３０２を有する第１のＭＥＭＳ発振器３００と第２のＭＥＭＳ共振子３２２を有する第２のＭＥＭＳ発振器３２０とを含み、第１のＭＥＭＳ発振器の共振周波数である第１の共振周波数と、第２のＭＥＭＳ発振器の共振周波数である第２の共振周波数とは略一致し、第１のＭＥＭＳ共振子のＱ値と第２のＭＥＭＳ共振子のＱ値とは異なり、第１のＭＥＭＳ発振器は、第１の共振周波数を周波数とする第１のクロック信号を出力し、第２のＭＥＭＳ発振器は、第２の共振周波数を周波数とする第２のクロック信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】出力特性の変化を抑制でき、構成を簡略化できる発振回路、アクティブタグ及び発振出力制御方法を提供すること。
【解決手段】交流電流を出力する発振回路３であって、電源部と、エミッタＱ３、ベースＱ２及びコレクタＱ１を有し、コレクタＱ１に電源部からの直流電圧が印加されるトランジスターＱと、コレクタＱ１に接続され、前記交流電流が出力される出力端子Ｔと、エミッタＱ３から出力されるエミッタ電圧を測定する電圧測定手段（Ａ／Ｄコンバーター）５３と、電圧測定手段５３によるエミッタ電圧の測定結果に基づいて、エミッタ電圧が一定となるように、ベースＱ２に印加されるベース電圧を制御する電圧制御手段（ＣＰＵ）６とを有する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能なＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ素子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された空洞部３２と、空洞部３２に収容された第１振動子２０ａと、空洞部３２に収容された第２振動子２０ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】特性が良く、信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部３２を有する層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、空洞部３２に収容された機能素子２０と、空洞部３２の上方に形成された第１被覆層４０と、空洞部３２の上方を避けて層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方に形成された樹脂層５０と、第１被覆層４０の上方に形成された第２被覆層６０と、第２被覆層６０の上方に形成された金属層７０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】小型化，薄型化及び高機能化を実現することが可能な半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられた外部接続端子３７と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられるとともに、外部接続端子３７と電気的に接続された第１電極２２と、半導体基板１０の第１の面１０ａと対向する第２の面１０ｂに設けられる電子素子と電気的に接続される第２電極２３と、半導体基板１０の第２の面１０ｂに設けられるとともに、第２電極２３に至る溝１１と、該溝１１の内部に設けられるとともに、第２電極２３の裏面２３ａと電気的に接続された導電部１２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３で表される範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６９１．６６６７（Ｈ／λ）³＋１．３９２９（Ｈ／λ）²＋１．５３３１（Ｈ／λ）＋０．２０８１ （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３であらわされる範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６０４１６．６６６７（Ｈ／λ）⁴＋８２０８．３３３３（Ｈ／λ）³−４１３．９５８３（Ｈ／λ）²＋９．７２９２（Ｈ／λ）＋０．４９００ （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に接するように形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有する。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数、高い音速を有する弾性表面波デバイス１を実現する。 （もっと読む）