説明

国際特許分類[H03H3/007]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器 (15,336) | インピーダンス回路網,共振回路,共振器の製造に特有な装置または工程 (2,839) | 電気機械的共振器または回路網の製造のためのもの (2,835)

国際特許分類[H03H3/007]の下位に属する分類

国際特許分類[H03H3/007]に分類される特許

101 - 110 / 116


【課題】 CMOS製造プロセス工程で高精度な上部電極と下部電極の電極間距離を形成し、安定した振動モードと振動周波数を得られるMEMSレゾネ−タ及び工程を短縮できる製造方法を提供すること。
【解決手段】 MEMSレゾネ−タ10は、半導体基板20の表面に半導体製造プロセスによって形成される上部電極部31を有する振動体30と、振動体30と半導体基板20との間にゲート酸化により形成される犠牲層25によって設けられる第1の空隙35,第2の空隙36と、上部電極部31に対向して半導体基板20に拡散層を設けることによって形成される下部電極50と、が備えられている。 (もっと読む)


【課題】 ポリシリコン構造体が、MEMSレゾネ−タの製造工程中における電荷の蓄積による破壊されることを防止する。
【解決手段】 MEMSレゾネ−タは、ポリシリコン構造体50と、p型のSi基板20と、がアンカー部51で直接接続されるMEMSレゾネ−タ10であって、前記アンカー部51において、前記Si基板20の前記ポリシリコン構造体50との接続面に熱拡散工程によって形成されるn+層から成る拡散層25と、拡散層25とSi基板20との界面に形成されるダイオード60と、を備える。 (もっと読む)


【課題】所望の特性を有する振動子を簡易な製造工程で製造することができる振動子の製造方法、この製造方法を用いて製造された振動子、および、かかる振動子を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】樹脂を主材料として構成され、凹部21を有する第1の基板2を形成する第1の工程と、第1の基板2の凹部21以外の部位に第2の基板3を接合するとともに、第2の基板3にエッチングを施して、凹部21に対応する領域内に所定のパターンをなす可動部322を形成する第2の工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】所望の特性を有する振動子を簡易な製造工程でかつ安価に製造することができる振動子の製造方法、この製造方法を用いて製造された振動子、および、かかる振動子を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】所定のパターンをなす可動部322と、可動部322を振動可能に支持するための支持部23とを有し、可動部322を駆動することにより振動する振動子の製造方法であって、加工用基板5の表面に、光硬化性樹脂を主材料として構成された樹脂層6を形成する工程と、加工用基板5にエッチングを施して、可動部322を形成する工程と、選択的な光照射により未硬化状態となった樹脂層6の部分を除去して、支持部23を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】 リード端子とリードフレームとを簡易かつ正確に位置決めするとともに、適正に密着させた状態で溶接され、接触不良の発生等を抑制する。
【解決手段】 一端面2aから突出する間隔をあけた2本のリード端子3を備え、水晶振動子片を封入した円柱状の振動子本体2と、2本のリード端子3の間に挿入状態に配置され、リード端子3に溶接された、絶縁された2つのリードフレーム部4と、該リードフレーム部4の一部を露出させた状態で、振動子本体2およびリードフレーム部4を絶縁性の樹脂材料により包み込んだ樹脂封止部5とを備え、2つのリードフレーム部4と2本のリード端子3との2箇所の接触位置の距離が、2本のリード端子3の接触子本体2の一端面2aにおける間隔寸法よりも大きい水晶振動子1を提供する。 (もっと読む)


【課題】 半導体プロセスを使用して形成された微小な共振器素子を高周波フィルタに適用する場合、インピーダンスを適正に小さくするために複数の共振器を2次元的に配列させることにより集合構造体を構築する必要があり、各共振器素子間に生じる相互干渉の影響を抑制することにより周波数特性を確保する。
【解決手段】 入力電極、出力電極及び所定の方向に延在する振動板を有し、所定の周波数の信号を通過させる複数の共振器素子が基体上に複数列に渡って配列されている。複数の共振器素子Fのうち、列N1に配列された複数の共振器素子が位相P1を有する一方で、列N2に配列された複数の共振器素子が位相P1に対して逆位相となる位相P2を有している。これにより各共振器素子F間に生じる相互干渉の影響が抑制されるため、周波数特性が劣化しにくくなる。 (もっと読む)


【課題】 複雑な工程管理を必要とせず、容易に固着防止の突起を可動部に形成できるMEMS素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板1にn型領域3を形成する工程と、半導体基板1にn型領域3に隣接してp型領域5を形成する工程と、n型領域3およびp型領域5上に熱酸化によりSiOからなる犠牲層6を形成する工程と、犠牲層6の上に薄膜よりなる可動部形成膜8を形成する工程と、可動部形成膜8の下の犠牲層6の一部を除去して支持部9および可動部10をリリースする工程を備える。 (もっと読む)


微小電気機械システム(MEMS)フィルタを用いるVHF受信機のプレフィルタ(28)のためのシステム及び方法を提供する。システムは、アンテナ(24)と、第1及び第2MEMSフィルタ(28)とを含む。第1MEMSフィルタは、アンテナで受信した信号を、事前定義された第1帯域幅に基づいてフィルタリングし、第2MEMSフィルタは、そのフィルタリングされた信号を、第2帯域幅に基づいてフィルタリングする。システムは、第2MEMSフィルタでフィルタリングされた信号をデジタル信号に変換するアナログ/デジタル(A/D)変換器(32)と、A/D変換器で生成された信号をダウンコンバートするダウンコンバータ(34)と、ダウンコンバータで生成された信号を処理するデジタル信号プロセッサ(40)とを含む。第1及び第2MEMSフィルタ又はダウン・コンバータは、受信した同調信号に基づいて調整可能である。
(もっと読む)


【課題】 簡単な設備で短時間で精度よく、しかも低コストで実現できるレゾネータの振動周波数調整方法と、この調整方法で製造されるレゾネータを提供する。
【解決手段】 レゾネータ10の振動周波数調整方法は、半導体製造プロセスによって成形される可動部30にバイアス電圧を印加して振動させるレゾネータ10の振動周波数調整方法であって、可動部30の基部50から放射状に延出されるの複数の支持梁31〜42を備え、支持梁31〜42の一部に電気抵抗が大きい部位としての切欠き部31A〜34Aを設け、複数の支持梁31〜42のうちの選択された支持梁に電流を印加し、前記切欠き部を溶断することによって、可動部30の少なくとも質量またはばね定数を変えて、レゾネータ10の振動周波数を調整する。 (もっと読む)


【課題】 簡単な設備で短時間で精度よく、しかも低コストで実現できるレゾネータの振動周波数調整方法と、レゾネータを提供する。
【解決手段】 半導体製造プロセスによって成形される可動部30にバイアス電圧が印加され振動するレゾネータ10の振動周波数調整方法であって、可動部30の基部50から放射状に延出される複数の支持梁31〜42を備え、複数の支持梁31〜42の幅がそれぞれ異なって形成されると共に、複数の支持梁31〜42の基部50との境界部に電気抵抗が大きい部位としての切欠き部31A〜34A等を設け、複数の支持梁31〜42のうちの選択された支持梁に電流を印加し、前記切欠き部を溶断することによって、可動部30の質量m及びばね定数kを変えて、レゾネータ10の振動周波数を調整する。また、このように調整されたレゾネータ10は、精度よく安定した振動周波数が得られ、しかも低コストで実現できる。 (もっと読む)


101 - 110 / 116