高い周波数における共振子のＱ値を向上し、このような共振子を用いたフィルタの挿入損失、及びフィルタの急峻度を向上する。 圧電基板の上に、インターディジタルトランスデューサとその両側に反射電極とを設けた弾性表面波共振子を複数個並列接続し、並列接続された弾性表面波共振器の共振周波数を、並列接続されたもの同士すべて同じにするものであり、このようにすることにより、共振のＱ値が向上でき、またこの弾性表面波共振子を用いて弾性表面波フィルタを構成することにより、挿入損失、急峻度の改善を図る。 （もっと読む）

固定子が少なくとも第一の端部と第二の端部とを有するようにその中に少なくとも一つの割れ目を有する固定子リングと、回転子リングが少なくとも第一の端部と第二の端部を有するようにその中に少なくとも一つの割れ目を有する回転子リングとを備え、前記回転子リングが前記固定子リングと実質的に同軸方向に向けられ、前記固定子リングから軸に沿って離間されている分割リングカプラー。少なくとも一つのＳＡＷ共振器が、それと直列の該回転子リングの前記第一の端部と第二の端部の間で電気的に結合され、前記固定子の前記端部のどれも直接的に接地に接続されていない。
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弾性波を伝搬させることが可能な基板を有して成るタッチセンサー。かかる基板は、タッチ検知領域を有する第１面を含んでいる。ある態様では、基板は、第１エッジにて第１面と交差している第１側壁を含んでいる。基板の第１側壁にはトランスミッターが設けられている。トランスミッターは、タッチ検知領域の少なくとも一部を通るように第１側壁から直接的に伝搬する弾性波を発生させる。別の態様では、トランスデューサーが基板上に形成されている。トランスデューサーは、基板に形成された後で熱硬化に付された圧電素子を有して成る。トランスデューサーは、弾性波の発生または検出の少なくも一方を行うように構成されている。別法にて、トランスデューサーが、圧電素子を有して成るストリップを含んでいてもよい。
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集積回路は、気密封止された空洞（６４）内の能動面（５８）と、前記空洞を気密封止するカバー（６６）と、を有するオンチップ電子部品（３２）と、追加の電子部品（７４）とを含み、前記追加の電子部品は、前記カバーに固定される。
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素子チップを覆っている樹脂シートを加熱しながら押圧する際に大きなボイドが発生することを防止することができる弾性表面波フィルタ及びその製造方法を提供する。 素子チップ１０は、ＩＤＴ１４及びＩＤＴ１４に電気的に接続されたパッド１６を含む配線パターンが形成された圧電基板１１の一方の主要面１１ａが、実装基板２に対向するように配置され、パッド１６が実装基板２のランド３にバンプ４を介して電気的に接続される。樹脂フィルム６は、圧電基板１１の他方の主要面１１ｂ及び実装基板２の他方の主要面を覆って、素子チップ１０を封止する。圧電基板１１は、一方の主要面１１ａが相対的に大きく、他方の主要面１１ｂが相対的に小さい。 （もっと読む）

センサの感度に関する情報が含まれる表面波成分（２）を備えているセンサ（４）においてその情報は、評価装置（７）とセンサ（４）との間の通常の測定線（６）によって調べることができる。その成分（２）は、少量の情報、例えば、３つの図面のみを備えているので、非常に小さなものであり、小さなセンサ（４）に組み込むことができる。読取りセンサの感度は、評価装置（７）において自動的に調整することができる。その情報は、周波数で選択できる様々な反射器（１１）によって、表面波成分（２）で符号化することができる。
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圧電基板が焦電性を復活しないようにした弾性表面波装置及び該装置の製造方法を提供する。 パッケージ２２内に収納される弾性表面波素子１０の圧電基板１２は、抵抗率が１．０×１０^７Ω・ｃｍ以上１．０×１０^１３Ω・ｃｍ以下である。パッド１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１６ａ，１６ｂ，１６ｃと外部電極との間の電気的接続部分に用いるはんだ材２６とパッケージ２２とキャップ２３との間を封止する封止材２８との少なくとも一方の融点が３００℃以下である。 （もっと読む）

使用温度範囲において、十分な大きさの減衰量及び帯域幅を得ることを可能とする分波器を提供する。 通過帯域が相対的に低く、かつ第１の温度特性改善薄膜が設けられている第１のフィルタ１１と、通過帯域が相対的に高く、第２の温度特性改善薄膜が設けられている第２のフィルタ１２とを備え、第１のフィルタの周波数温度係数が第２のフィルタの周波数温度係数よりも大きくなるように第１，第２の温度特性改善薄膜の膜厚が異ならされている、分波器１。 （もっと読む）

方向性（極性）を生じることなく小型化することができる１ポート弾性表面波共振子装置を提供する。 一方の反射器３６のバスバー５０は、電極指４２，４３及び反射電極５２，５３に関して一方側の反射電極５２の端部５４から離れて反射電極５２間を接続する。他方の反射器３７のバスバー５１は、電極指４２，４３及び反射電極５２，５３に関して他方側の反射電極５３の端部５５から離れて反射電極５３間を接続する。一方のパッド４７は、電極指４２，４３及び反射電極５２，５３に関して一方側に、一方の反射器３６の反射電極５２の端部５４に沿って配置される。他方のパッド４６は、電極指４２，４３及び反射電極５２，５３に関して他方側に、他方の反射器３７の反射電極５３の端部５５に沿って配置される。一対のパッド４６，４７は、圧電基板３２の片面の中心に関して略点対称に配置される。 （もっと読む）

共振周波数や中心周波数の調整が容易であり、周波数温度特性が良好であり、比帯域幅が広くかつ反共振抵抗が高い弾性表面波装置を得る。
電気機械結合係数が１５％以上であるＬｉＴａＯ₃またはＬｉＮｂＯ₃からなる圧電性基板１と、圧電性基板１に形成されており、Ａｌよりも密度の大きい金属もしくは合金からなる金属層を主たる金属層とし、該主たる金属層に他の金属からなる金属層が積層されている積層膜により構成されている少なくとも１つの電極と、前記少なくとも１つの電極が形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と略等しい膜厚とされている第１のＳｉＯ_２層２とを備え、前記電極の密度が、第１のＳｉＯ_２層２の密度の１．５倍以上であり、前記電極及び第１のＳｉＯ_２層２を被覆するように形成された第２のＳｉＯ_２層６と、前記第２のＳｉＯ_２層６上に形成された窒化ケイ素化合物層２２とをさらに備える弾性表面波装置。 （もっと読む）