共振周波数や中心周波数の調整が容易であり、周波数温度特性が良好であり、比帯域幅が広くかつ反共振抵抗が高い弾性表面波装置を得る。
電気機械結合係数が１５％以上であるＬｉＴａＯ₃またはＬｉＮｂＯ₃からなる圧電性基板１と、圧電性基板１に形成されており、Ａｌよりも密度の大きい金属もしくは合金からなる金属層を主たる金属層とし、該主たる金属層に他の金属からなる金属層が積層されている積層膜により構成されている少なくとも１つの電極と、前記少なくとも１つの電極が形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と略等しい膜厚とされている第１のＳｉＯ_２層２とを備え、前記電極の密度が、第１のＳｉＯ_２層２の密度の１．５倍以上であり、前記電極及び第１のＳｉＯ_２層２を被覆するように形成された第２のＳｉＯ_２層６と、前記第２のＳｉＯ_２層６上に形成された窒化ケイ素化合物層２２とをさらに備える弾性表面波装置。 （もっと読む）

通常、ＣＳＳＰ（チップサイズ表面弾性波パッケージ）と呼ばれているような封入された電子パッケージ内における熱放散を改善する方法が開示されている。電子パッケージは、ダイ上に製造された一つまたは複数の音響波コンポーネントを有しており、このダイは、導電性バンプにより分離された非導電性のキャリア上に配設されている。電子パッケージの上部は、ラミネートおよびハーメチックシールレイヤによって覆われている。ラミネートの一部を除去した後に電子パッケージ上に熱伝導性材料のレイヤを形成し、かつ、キャリアを貫通して一つまたは複数の熱伝導性経路を形成することにより、熱放散を改善することが可能である。
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本発明は、モジュール様式に構成された電気的構成素子に関する。ここでこれは有利にはＳｉから成るモジュール基板と、このモジュール基板上に配置され、電気的にこのモジュール基板と接続された、１つまたは複数の、有利にはハウジングされていないチップを有する。ここでこのチップはそれぞれモジュール基板と、例えばダイレクトウェハボンディングよって接続されている。モジュール基板内には凹部が設けられており、従ってモジュール基板とチップの接続時には閉鎖された中空空間が形成される。この中空空間はここで、チップを取り囲み全面でモジュール基板と接続している保護キャップによって生じるのではなく、相互に対向しているチップ下面のコンタクト領域とモジュール基板の上面の接続によって生じる。本発明の構成素子では中空空間を実現するために保護キャップは必要ないので、廉価に製造可能である。本発明はこの利点の他に、機能ユニットのモノリシック集積に対して、より高い歩留まりに関して利点を有している。
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電気的コンポーネントが提案され、この電気的コンポーネントは電気的に絶縁された又は半導体基板上に設けられた導電性構造体及び電圧又は電気的フラッシュオーバに対してセンシティブな電気的に互いに分離されたコンポーネント構造体を有する。電気的に分離されたコンポーネント構造体の間のフラッシュオーバの回避のためにこれらはシャント線路によって短絡され、このシャント線路は他の電気的導体路に比べて低減された断面積を有する。任意の時点で、とりわけコンポーネントの完全な完成の後で、シャント線路は電流の印加によって溶断されうる。この場合、コンポーネント構造体の電気的な分離はこれがコンポーネントの機能にとって必要である限りにおいてもたらされる。
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樹脂封止部分におけるボイドの発生及び経時的な特性劣化が生じ難く、低コスト化され得る電子部品の製造方法を提供する。
実装集合基板１１上に実装された各ＳＡＷ素子２と樹脂フィルム１２とを、ガスバリア性を備えた袋１３の中に入れ、密封する減圧パック工程を設ける。減圧パックされた実装集合基板１１上に実装された各ＳＡＷ素子２間に樹脂フィルム１２を袋１３の内外の圧力差に基づき浸入させることにより、ＳＡＷ素子２を樹脂フィルム１２由来の封止樹脂部４によって封止する封止工程を設ける。 （もっと読む）

所望でないスプリアスを効果的に抑圧することができ、良好な共振特性やフィルタ特性を得ることを可能とするＳＨタイプの弾性境界波を利用した弾性境界波装置を提供する。 第１の媒質層２と、第１の媒質層２に積層された第２の媒質層６との境界に、インターデジタル電極３、反射器４，５を含む電極が形成されており、第１の媒質層２及び／または第２の媒質層６の境界面とは反対側の面に吸音層７が設けられている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

電気機械結合係数が大きく、伝搬損失及びパワーフロー角が小さく、周波数温度係数ＴＣＦが適度な範囲にあり、簡略な構造により簡単な工法で製造され得るストンリー波を利用した弾性境界波装置を提供する。
圧電体２の一面に誘電体３が積層されており、圧電体２と誘電体３との間の境界に電極としてＩＤＴ４及び反射器５，６が配置されており、誘電体３を伝搬する遅い横波の音速及び圧電体２を伝搬する遅い横波の音速よりもストンリー波の音速を低くするように、上記電極の厚みが決定されている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

表面弾性波センサを通過する伝播速度を推定する技術について記述する。特に、表面弾性波センサの位相周波数応答の適当なセグメントを測定して利用する技術について、センサによる細菌検出の基礎として利用すべく記述する。上述のように、位相周波数応答の適当なセグメントに基づく速度評価を利用することは、検出の根拠として位相シフトを用いる従来の技術より優れている。
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フィルタ帯域の急峻化や、比帯域幅の異なる複数帯域のフィルタ、共振子を単一基板上に得ることで、小型で高性能な弾性境界波を用いた弾性境界波装置を提供する。
単結晶基板４上に固体層５が積層されており、単結晶基板４と固体層５との境界に電極が配置されている弾性境界波装置であって、カット角が同じ単結晶基板４を用いて構成された複数の弾性境界波素子２，３が備えられており、弾性境界波素子２の伝搬方位は、弾性境界波素子３の伝搬方位と異なっている、弾性境界波装置１。
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十分な減衰量を得ることができ、加えて、低損失かつ広帯域であるフィルタ装置を提供する。 通過帯域の相対的に低い第１のバンドパスフィルタまたは通過帯域が相対的に高い第２のバンドパスフィル
タとを含む通信システムの第１のバンドパスフィルタとして用いられるフィルタ装置であって、入力端子２と出力端子３とを結ぶ直列腕に直列腕共振子Ｓ２１〜Ｓ２３が挿入されており、直列腕と基準電位とを結ぶ並列腕にそれぞれ、並列腕共振子Ｐ２１，Ｐ２２が接続されており、少なくとも１つの並列腕共振子Ｐ２１，Ｐ２２に直列にインダクタンスＬ１，Ｌ２が接続されており、インダクタンスＬ１，Ｌ２の挿入により生じた副共振の共振周波数が、該ラダー型フィルタに対して相手側のフィルタである受信側または送信側帯域フィルタの通過帯域内またはその近傍に位置されている、フィルタ装置１。 （もっと読む）