【課題】物質分析用微小物体として使用可能な弾性表面波又は弾性波素子を使用し、多種類のこれらの素子の相互の容易な識別を可能にし安価に準備可能なこれらの素子の識別装置を提供することである。
【解決手段】基体１２の球形状外表面に設けられ弾性表面波が伝搬可能な伝搬路と、伝搬路に弾性表面波を発生伝搬させ伝搬された弾性表面波を検出する弾性表面波・発生／検出手段１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃと、を備える弾性表面波素子１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを識別する弾性表面波素子識別装置は：基体の外表面に設けられ伝搬路に沿い伝搬する弾性表面波の伝搬特性を所望の値にする伝搬特性変更手段１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃと、弾性表面波・発生／検出手段から検出された弾性表面波の所望の値の伝搬特性により弾性表面波素子を識別する弾性表面波素子識別手段２３，２３ａと、を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 電極膜の剥離を防ぎ、ＳＨ型弾性表面波デバイスの振動損失を低減するＳｉＯ_２膜の膜厚を得る。
【解決手段】 オイラー角（０°，１１０°〜１５０°，９０°±２°）の水晶基板上に少なくともの１つのＩＤＴ電極と複数のグレーティング反射器とを配置すると共に、該ＩＤＴ電極、グレーティング反射器を覆うようにＳｉＯ_２膜を付着して構成したＳＨ型弾性表面波デバイスであり、ＳｉＯ_２膜の膜厚Ｈが８％λ＜Ｈ＜１０％λ（λは波長）に設定してＳＨ型弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜による電極保護効果及び温度特性改善効果を有するだけでなく、挿入損失の劣化を抑制し得る弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３からなる圧電基板１２上に、ＡｌまたはＡｌを主成分とする金属からなる少なくとも１つのＩＤＴ１３ａ，１３ｂが形成されており、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂを覆うようにＳｉＯ_２膜１５が形成されており、ＳｉＯ_２膜の規格化膜厚Ｈｓ及びＬｉＴａＯ_３からなる圧電基板のカット角θとの組合せを所定の範囲となる様選択することにより、温度特性改善の効果を維持しつつ弾性表面波の減衰定数を小さくでき、それによって挿入損失を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 放熱性に優れた電子部品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 電子素子１０の基板１０Ａの裏面１０ｂ上に金属突起２０を設け、金属突起２０の上に金属膜２２を設けて、金属膜２２で金属突起２０を覆う。そして、金属膜２２を筐体１１の側壁部１１ｂ１，１１ｂ２の端面に設けられた半円筒形状の導通部と接せさせ、前記半円筒形状の導通部、導通部１６，１７を介して接続部１８と電気的に接続する。
このようにすると、電子素子１０から発生するジュール熱が、金属膜２２に伝えられ、接続部１８を通って配線基板２３に伝えられ、配線基板２３によっても放熱させることができる。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な弾性表面波素子、かかる弾性表面波素子を備える半導体複合装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】弾性表面波素子１は、少なくとも表面付近の一部に圧電性を有する回路基板２と、この回路基板２の圧電性が存在する領域に設けられ、所定間隔で併設された複数の電極指５１、６１を備える一対の櫛歯電極で構成されるＩＤＴ５、６と、回路基板２の圧電性が存在する領域に、ＩＤＴ５、６の両側に隣接して設けられ、所定間隔で併設された複数の反射体７１、８１を備える反射器７、８と、回路基板２上に設けられ、ＩＤＴ５、６を構成する櫛歯電極にプラグ２５とを有する。この弾性表面波素子１では、ＩＤＴ５、６を構成する一対の櫛歯電極のうち、一方のものが反射器７、８の少なくとも一部を介して、プラグ２５に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板のＩＣ形成層に積層して弾性表面波素子を備えた弾性表面波装置において、ＩＣと弾性表面波素子の間の素子分離をし、ノイズの発生を防止する弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０と、半導体基板１０に形成されたＩＣ形成層１１と、ＩＣ形成層１１に積層された反射層２０と、反射層２０上に形成された圧電薄膜層３０と、圧電薄膜層３０上に形成された弾性表面波素子３１とを備え、反射層２０で弾性表面波素子３１から励振される弾性波を反射させるために、反射層２０の厚さｄ１を、弾性波が反射層２０を伝搬するときの波長の１／４の厚さに形成する。 （もっと読む）

【課題】横モードスプリアスを低減し、電極指の交差幅を大きくできるようにする。
【解決手段】弾性表面波素子片１０は、圧電基板１２がタンタル酸リチウムのＸカット板から形成してある。圧電基板１２の表面には、すだれ状電極からなる一対のＩＤＴ（１４ａ、１４ｂ）と、これらのＩＤＴを挟むように一対の反射器（２０ａ、２０ｂ）とが設けてある。ＩＤＴ（１４ａ、１４ｂ）を形成している電極指部１８（１８ａ、１８ｂ）は、アルミニウム系金属膜からなる電極指本体３０を有する。電極指本体３０の表面には、電極指本体３０を陽極酸化して形成した陽極酸化膜３２が設けてある。陽極酸化膜３２は、二酸化ケイ素膜２６によって覆われている。また、電極指部（１８ａ、１８ｂ）の交差幅は、弾性表面波の波長の２０倍以上にしてある。 （もっと読む）

【課題】 超音波接合によって形成される境界領域の構成に着目して、機械的な接合力を向上させた超音波接合構造を得る。
【解決手段】 圧電基板１上にアルミニウム又はアルミニウム合金により形成されるパッド電極５を含む導体層と、前記パッド電極５に超音波接合される金又は金合金により形成されるバンプ電極１２とを有する電子部品において、前記パッド電極５と前記バンプ電極１２が接合して形成される接合界面領域１５の少なくとも一部に高融点金属化合物からなる分散領域を散在させ、しかも、前記接合界面領域１５の周囲では前記高融点金属化合物からなる保護層が圧電基板１の上面及び前記導体層の上面を覆っている。 （もっと読む）

【課題】従来の信号処理を目的とするＳＡＷデバイスは、周波数特性を変化させる機能が無いため、動作状態で特性を変化させるためには、出力を電気信号に変えた後に重み制御用の電気回路を介する必要があり、デバイスの構成が複雑となる問題があった。この問題を解消し、櫛形電極を有する表面弾性波デバイスにおいて動作中に簡便に伝搬特性を変化させる構造のデバイスを提供する。
【解決手段】基板１−０と、圧電性を有する半導体材料からなる伝搬層１−１と、伝搬層１−１の表面に局所的に形成される一組ないしそれ以上の櫛形電極１−３、１−４と、伝搬層１−１の表面に局所的に形成されるゲート電極１−６からなり、上記ゲート電極１−６が櫛形電極１−３、１−４から放射され伝搬層を伝搬する表面弾性波の伝搬領域１−５の外部に形成される構成とする。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数の低下を防止して、挿入損失の改善を図った弾性表面波素子、かかる弾性表面波素子を備える電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の弾性表面波素子１は、主として圧電材料で構成された圧電体層４と、この圧電体層４上に設けられ、バスバー（基部）５２、６２と、これに接続され、所定間隔で併設された複数の電極指５１、６１とを備える一対の櫛歯電極で構成されたＩＤＴ５、６と、バスバー５２、６２に接続された端子（電気接続部）８１〜８４と、圧電体層４のＩＤＴ５、６と反対側の面に接触して設けられ、主として導電性材料および／または半導体材料で構成された下地層３とを有する。この弾性表面波素子１では、下地層３が、平面視で少なくとも各電極指５１、６１と重なる領域と、端子８１〜８４と重なる領域とに分離して設けられている。 （もっと読む）