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国際特許分類[H03H9/25]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器 (15,336) | 電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器 (8,923) | 弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴 (1,188)

国際特許分類[H03H9/25]に分類される特許

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【課題】カバーの端子付近における強度向上を図ることが可能な弾性波装置を提供する。
【解決手段】SAW装置1は、基板3と、基板3の第1主面3aに設けられたSAW素子11と、第1主面3aに被せられてSAW素子11上に振動空間10を形成するカバー5と、第1主面3aに立てて設けられ、内壁面5aと外壁面5bとの間においてカバー5を貫通する端子7とを有する。第1主面3aの平面視において、内壁面5aの一部である面取り面5cと、端子7の側面のうち面取り面5c側に位置する内側近接面7aaとの幾何学的関係は、前記所定壁面と、端子7の断面形状に収まる最大の仮想円C1の円周との幾何学的関係よりも、平行に近い。 (もっと読む)


【課題】ベース部とキャップとの接着箇所からの異物の混入を抑制することが可能な弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】弾性波素子10と、弾性波素子10を囲むキャビティ5を有し、樹脂からなるベース部2と、ベース部2上に接着され、弾性波素子10上に中空部が形成されるように弾性波素子10を封止する、樹脂からなるキャップ4と、ベース部2と一体成形され、かつ弾性波素子10と電気的に接続され、ベース部2とキャップ4との接着箇所8からベース部2の下面2c側に離間して、ベース部2の1つの側面2bからベース部2の外部へと突出するリードピン14と、を具備し、
ベース部2の下面2cの延在方向と、リードピン14の突出方向とは、リードピン14からキャップ4に向かう方向において、接着箇所8がリードピン14から遠ざかるように鋭角をなすことを特徴とする弾性波デバイス。 (もっと読む)


【課題】気密性を高くすることが可能な弾性波デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板2と、圧電基板2上に形成された弾性波素子4と、弾性波素子4と電気的に接続され、上面10aが圧電基板2の上面2aと平坦になるように、圧電基板2に埋め込まれた配線10と、弾性波素子4上に中空部20が形成され、かつ下面16aが圧電基板2の上面2a及び配線10の上面10aに接触するように、弾性波素子4を封止するキャップ16と、を具備する弾性波デバイス、及びその製造方法である。 (もっと読む)


【課題】複合圧電基板において異種の材料の熱膨張率の違いに起因する熱応力による反りを抑制し、クラックやハガレの発生を抑制することができる複合圧電基板、及び該複合圧電基板から作製される弾性表面波素子の提供。
【解決手段】圧電基板2と剛体板3が、直接又は接着層4を介して接合された複合圧電基板1であって、前記圧電基板2の外周部の厚さは中央部よりも薄く、前記剛体板3の外周部の厚さは中央部よりも厚いものである複合圧電基板1。 (もっと読む)


【課題】小型化,薄型化及び高機能化を実現することが可能な半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体基板10と、半導体基板10の第1の面10aに設けられた外部接続端子37と、半導体基板10の第1の面10aに設けられるとともに、外部接続端子37と電気的に接続された第1電極22と、半導体基板10の第1の面10aと対向する第2の面10bに設けられる電子素子と電気的に接続される第2電極23と、半導体基板10の第2の面10bに設けられるとともに、第2電極23に至る溝11と、該溝11の内部に設けられるとともに、第2電極23の裏面23aと電気的に接続された導電部12とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】温度変動によるSAWチップ表面の弾性表面波の伝搬方向の伸縮を大巾に抑制した弾性表面波デバイスを得る。
【解決手段】本発明は、凹状断面をもつ容器2の両内側壁2aの所定位置に中空部Cに向って平行に突出して一体に形成した所定巾をもつ一対の支持部3と、前記支持部3の下面3bに形成した金属メッキ部3aと、前記金属メッキ部3aに対向するSAWチップ4の両端に形成した所定巾の金属部4aと、からなり、前記金属メッキ部3aと前記金属部4aとを、導電性接着剤を介し、あるいは介さずに、互に強固に接合したことを特徴とする弾性表面波デバイス1に関する。 (もっと読む)


【課題】送信側フィルタチップと受信側フィルタチップとを有する弾性波分波器において、アイソレーション特性の改善を図る。
【解決手段】弾性波分波器1は、送信側フィルタチップ30及び受信側フィルタチップ20を備えている。受信側フィルタチップ20は、受信側圧電基板21と、受信側圧電基板21上に形成されている受信側弾性波フィルタ部23とを有する。送信側フィルタチップ30は、送信側圧電基板31と、送信側圧電基板31上に形成されている送信側弾性波フィルタ部33とを有する。受信側圧電基板21の厚みTRxが、送信側圧電基板31の厚みTTxよりも小さい。 (もっと読む)


【課題】結晶球の周回経路の結晶方位に対応した膜厚の膜を正確に真空成膜する。
【解決手段】真空容器21内で蒸着材料22を加熱気化させる蒸着材料放射ステップ(22,31)と、弾性表面波4を周回させる圧電性結晶球2の周回経路5が前記気化された蒸着材料22の放射ビームの照射方向と対面するように、圧電性結晶球2を回転可能に支持する支持ステップ(32,35)と、周回経路の結晶方位に従って前記回転支持ステップによる圧電性結晶球2の回転速度を変更し、周回経路上に結晶方位に依存した膜厚分布で真空成膜する成膜制御ステップ(1,5,32,34,35)とを有する球状弾性表面波素子の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 通過帯域外の減衰量を大きくすることができるWLP型のSAW装置を提供する。
【解決手段】 圧電基板3に、複数の並列共振子21に共通に接続された第1領域24aおよび第1領域24aから延出された第2領域24bを有する基準電位配線24が形成された弾性表面波装置1である。基準電位配線24の第1領域24aには、枠部15および蓋部17を貫通する第1基準電位端子8が配置され、基準電位配線24の第2領域24bには、枠部15および蓋部17を貫通する第2基準電位端子9が配置されている。蓋部17の主面に、第2基準電位端子9に接続され、かつ第1基準電位端子8には接続されない金属層14を設ける。 (もっと読む)


【課題】送信側フィルタチップと受信側フィルタチップとを有する弾性波分波器において、アイソレーション特性の改善を図る。
【解決手段】弾性波分波器1は、送信側フィルタチップ30及び受信側フィルタチップ20を備えている。受信側フィルタチップ20は、受信側圧電基板21と、受信側圧電基板21上に形成されている受信側弾性波フィルタ部23とを有する。送信側フィルタチップ30は、送信側圧電基板31と、送信側圧電基板31上に形成されている送信側弾性波フィルタ部33とを有する。送信側圧電基板31の厚みTTxが、受信側圧電基板21の厚みTRxよりも小さい。 (もっと読む)


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