【課題】携帯電話や無線ＬＡＮ端末等に用いられる弾性波素子において、ＩＤＴ電極とインダクタンスを得るための導体パターンとの干渉を抑制する弾性波素子の提供。
【解決手段】弾性波素子１２は、圧電基板１３と、圧電基板１３の上に配置されたＩＤＴ電極１４と、ＩＤＴ電極１４に接続された内部電極１５と、ＩＤＴ電極１４の周囲に設けられた支柱体１６と、支柱体１６の上にＩＤＴ電極１４の上の空間１７を覆うように設けられた天板１８と、支柱体１６と天板１８とを覆う絶縁保護体１９と、絶縁保護体１９の上に配置される外部電極２０と、絶縁保護体１９の上に配置されるインダクタンスを得るための導体パターン２１と、絶縁保護体１９を貫通するように設けられ、外部電極２０と内部電極１５とを電気的に接続する接続電極２２と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】小型化，薄型化及び高機能化を実現することが可能な半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられた外部接続端子３７と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられるとともに、外部接続端子３７と電気的に接続された第１電極２２と、半導体基板１０の第１の面１０ａと対向する第２の面１０ｂに設けられる電子素子と電気的に接続される第２電極２３と、半導体基板１０の第２の面１０ｂに設けられるとともに、第２電極２３に至る溝１１と、該溝１１の内部に設けられるとともに、第２電極２３の裏面２３ａと電気的に接続された導電部１２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線の剥離、クラック等を抑制することが可能な弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】圧電基板２と、圧電基板２上に形成された弾性波素子４と、弾性波素子４と電気的に接続され、少なくとも一部の領域がＩＤＴ５を形成する形成する金属からなるＡｌ層１３上に別の金属層１４を積層した複数の金属層により形成される配線６と、弾性波素子４と配線６とにおける、ＩＤＴ５を形成するＡｌ層１３により形成され、かつ金属層１４を含まない領域と、複数の金属層からなる領域との境界１５に接触しないように、弾性波素子４及び配線６を覆う絶縁層と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】携帯電話や無線ＬＡＮ端末等に用いられる弾性波共振器において、横モードに起因するスプリアスを抑制する弾性波共振器の提供。
【解決手段】弾性波共振器８は、圧電基板９と、バスバー１０と、バスバー１０と平行となるように設けられたバスバー１１と、一端がバスバー１０と非直交となるように接続されるとともに、バスバー１１に向かって延伸した複数の電極指１２と、一端がバスバー１１と非直交となるように接続されるとともに、バスバー１０に向かって延伸し、複数の電極指１２と交差する複数の電極指１３と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な弾性境界波フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波フィルタ装置１は、第１〜第３の媒質１１〜１３と、第１の媒質１１と第２の媒質１２との間に形成されている第１のＩＤＴ電極１４と、第２の媒質１２と第３の媒質１３との間に形成されている第２のＩＤＴ電極１５とを備えている。第１及び第２の媒質１１，１２のうちの少なくとも一方が圧電体により構成されていると共に、第２及び第３の媒質１２，１３のうちの少なくとも一方が圧電体により構成されている。第２の媒質１２の音速は、第１及び第３の媒質１１，１３のそれぞれの音速よりも遅い。第１のＩＤＴ電極１４により励振された弾性境界波が第２のＩＤＴ電極１５により電気信号に変換される。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極が露出していない状態でも弾性波装置の周波数を高精度に調整することができる、弾性波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板１上に、積層金属膜からなるＩＤＴ電極２を形成する工程と、ＩＤＴ電極を加熱することによりまたは高周波信号を印加することにより、ＩＤＴ電極２において複数の金属膜のうちの少なくとも１つの金属膜を構成している金属を拡散させることにより周波数調整を行う工程とを備える、弾性波素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】振動空間の密閉性を向上できる弾性波装置を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１と、カバー５とを有する。カバー５は、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠部３５と、枠部３５の開口を塞ぐ蓋部３７とを有する。また、ＳＡＷ装置１は、枠部３５の内壁面３５ａから枠部３５の枠内の第１主面３ａ上にかけて形成された絶縁膜４３を有する。 （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３で表される範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６９１．６６６７（Ｈ／λ）³＋１．３９２９（Ｈ／λ）²＋１．５３３１（Ｈ／λ）＋０．２０８１ （もっと読む）

【課題】弾性波素子の劣化を抑制し、かつ圧力に耐える空洞構造を形成すること。
【解決手段】樹脂層２４と、前記樹脂層下に形成された金属層２６と、を備えるシート３０を形成する工程と、基板１０上に形成された弾性波素子の機能領域１２上に前記金属層が配置され、前記金属層と前記基板との間に前記機能領域を囲むフレーム部２８が形成され、前記金属層と前記フレーム部とで、前記機能領域上に空洞１３が形成され、前記金属層と前記フレーム部とを前記樹脂層が覆うように、前記シートを前記基板に張り合わせる工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器と、を備えるラム波型共振子であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３であらわされる範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。
η０＝−７０．００００（Ｈ／λ）²＋４．６０００（Ｈ／λ）＋０．３２５４ （もっと読む）