弾性波素子
【課題】携帯電話や無線ＬＡＮ端末等に用いられる弾性波素子において、ＩＤＴ電極とインダクタンスを得るための導体パターンとの干渉を抑制する弾性波素子の提供。
【解決手段】弾性波素子１２は、圧電基板１３と、圧電基板１３の上に配置されたＩＤＴ電極１４と、ＩＤＴ電極１４に接続された内部電極１５と、ＩＤＴ電極１４の周囲に設けられた支柱体１６と、支柱体１６の上にＩＤＴ電極１４の上の空間１７を覆うように設けられた天板１８と、支柱体１６と天板１８とを覆う絶縁保護体１９と、絶縁保護体１９の上に配置される外部電極２０と、絶縁保護体１９の上に配置されるインダクタンスを得るための導体パターン２１と、絶縁保護体１９を貫通するように設けられ、外部電極２０と内部電極１５とを電気的に接続する接続電極２２と、を備えた構成とする。
【解決手段】弾性波素子１２は、圧電基板１３と、圧電基板１３の上に配置されたＩＤＴ電極１４と、ＩＤＴ電極１４に接続された内部電極１５と、ＩＤＴ電極１４の周囲に設けられた支柱体１６と、支柱体１６の上にＩＤＴ電極１４の上の空間１７を覆うように設けられた天板１８と、支柱体１６と天板１８とを覆う絶縁保護体１９と、絶縁保護体１９の上に配置される外部電極２０と、絶縁保護体１９の上に配置されるインダクタンスを得るための導体パターン２１と、絶縁保護体１９を貫通するように設けられ、外部電極２０と内部電極１５とを電気的に接続する接続電極２２と、を備えた構成とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話や無線ＬＡＮ端末等に用いられる弾性波素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、弾性波素子をモジュール化し、種々の製品に搭載する傾向が高まってきている。種々の製品に搭載するモジュールにおいては、小型・低背だけでなく高い信頼性が要望される。しかし、弾性波素子は表面を伝搬する波を利用するため、空間構造を必要とすることが小型化・高信頼性の要となっている。
【０００３】
図１３は、従来の弾性波素子１の断面模式図である。図１３において、弾性波素子１は、圧電基板２と、圧電基板２の上に配置されるＩＤＴ電極３と、圧電基板２の上に配置され、ＩＤＴ電極３に接続される内部電極４と、圧電基板２の上に配置され、ＩＤＴ電極３の周囲に設けられた支柱体５と、支柱体５の上にＩＤＴ電極３の上の空間６を覆うように設けられた天板７と、天板７の上に形成された導体パターン８と、支柱体５と天板７とを覆う絶縁保護体９と、絶縁保護体９の上に配置される外部電極１０と、絶縁保護体９を貫通するように設けられ、外部電極９と内部電極４とを電気的に接続する接続電極１１とを備えていた。
【０００４】
この構成において、従来の弾性波素子１は、天板７の上にインダクタンスを得るための導体パターン８を形成することにより、減衰特性の改善を図っていた。
【０００５】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００６／１３４９２８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の弾性波素子１は、天板７の上にインダクタンスを得るための導体パターン８を形成していたので、ＩＤＴ電極３と導体パターン８によるインダクタンス成分とが干渉し、弾性波素子１の特性を劣化させていた。
【０００８】
本発明は、かかる実情に鑑み、ＩＤＴ電極とインダクタンスを得るための導体パターンとの干渉を抑制した弾性波素子を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の弾性波素子は、圧電基板と、圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、圧電基板上に配置され、ＩＤＴ電極に接続された内部電極と、圧電基板上に配置され、ＩＤＴ電極の周囲に設けられた支柱体と、この支柱体の上にＩＤＴ電極の上の空間を覆うように設けられた天板と、支柱体と天板とを覆う絶縁保護体９と、絶縁保護体上に配置される外部電極と、絶縁保護体上に配置されるインダクタンスを得るための導体パターンと、絶縁保護体９を貫通するように設けられ、外部電極と内部電極とを電気的に接続する接続電極とを備える。
【００１０】
この構成により、ＩＤＴ電極とインダクタンスを得るための導体パターンとの間に絶縁保護体が介在するので、ＩＤＴ電極とインダクタンスを得るための導体パターンとの干渉を抑制した弾性波素子とすることができる。
【００１１】
好ましくは、接続電極はグランド電極を有し、天板の一部を金属として、このグランド電極と接続する。この構成により、天板がＩＤＴ電極へのノイズのシールド層としての役割を果たす。
【００１２】
好ましくは、導体パターンと前記天板とを１５μｍ以上離す。この構成により、導体パターンのインダクタンス成分と金属からなる天板のカップリング効果を抑制することができる。
【００１３】
好ましくは、導体パターンは、複数のグランド電位を有する接続電極と接続された構成とする。この構成により、他のグランド端子とパッケージ内で共有化することができ、回路基板に実装後の弾性波素子の特性変化を抑制できる。
【００１４】
好ましくは、接続電極は、第１〜第３のグランド電極を有し、第１のグランド電極はグランド電位となる内部電極及び導体パターンと接続され、第２のグランド電極はグランド電位となる導体パターン及び天板と接続され、第３のグランド電極は天板と外部電極と接続される。これにより、他のグランド端子とパッケージ内で共有化することができ、回路基板に実装後の弾性波素子の特性変化を抑制できる。
【００１５】
好ましくは、インダクタンスを得るための導体パターンを絶縁体からなる保護体で保護する。この構成により、インダクタンスの劣化を防止できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の弾性波素子は、ＩＤＴ電極とインダクタンスを得るための導体パターンとの干渉を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施の形態１における弾性波素子の断面模式図
【図２】実施の形態１における天板の説明図
【図３】（Ａ）（Ｂ）実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す図
【図４】（Ｃ）（Ｄ）実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す図
【図５】（Ｅ）（Ｆ）実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す図
【図６】（Ｇ）（Ｈ）実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す図
【図７】（Ｉ）（Ｊ）実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す図
【図８】実施の形態１における弾性波素子の他の構成の断面模式図
【図９】実施の形態１における弾性波素子におけるインダクタンス成分の特性を示す図
【図１０】実施の形態１における弾性波素子の他の構成の上面図と断面模式図
【図１１】実施の形態１における弾性波素子の他の構成の上面図と断面模式図
【図１２】実施の形態１における弾性波素子の他の構成の断面模式図
【図１３】従来の弾性波素子の断面模式図
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
【００１９】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における弾性波素子について図面を参照しながら説明する。
【００２０】
図１は本発明の実施の形態１における弾性波素子１２の断面模式図である。
【００２１】
図１において、弾性波素子１２は、圧電基板１３と、この圧電基板１３の上面（圧電基板の主面）に配置されたＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１４と、を備え、このＩＤＴ電極１４を外部から保護すべく、ＩＤＴ電極１４を覆うように絶縁保護体１９を圧電基板１３上に形成するチップサイズパッケージである。
【００２２】
この弾性波素子１２は、圧電基板１３の上に設けられると共にＩＤＴ電極１４と電気的に接続された内部電極１５と、内部電極１５の上であってＩＤＴ電極１４の周囲に設けられた支柱体１６と、この支柱体１６の上にＩＤＴ電極１４の上の空間１７を覆うように設けられた天板１８とを備える。
【００２３】
さらに、弾性波素子１２は、絶縁保護体１９の上部に設けられた外部電極２０と、この外部電極２０と内部電極１５とを電気的に接続する接続電極２２と、絶縁保護体１９の上にインダクタンス成分を得るための導体パターン２１とを備える。
【００２４】
以下、弾性波素子１２の各構成について詳述する。
【００２５】
圧電基板１３は、板厚１００〜４５０μｍ程度の単結晶圧電体からなり、例えば、水晶、タンタル酸リチウム系、ニオブ酸リチウム系、又はニオブ酸カリウム系の基板である。
【００２６】
ＩＤＴ電極１４は、膜厚０．１〜０．５μｍ程度の櫛形電極であり、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、モリブデンの少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成である。
【００２７】
内部電極１５は、ＩＤＴ電極１４と外部電極２０とを電気的に接続する導体であり、例えば、アルミニウム、銅、銀、チタンからなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成である。
【００２８】
支柱体１６は、ＩＤＴ電極１４の周囲の少なくとも一部を囲む高さが５〜２５μｍの支柱体で、例えば、絶縁保護体１９からなり、所定の形状に加工することが容易なことから樹脂を用いることが好ましい、さらに、感光性樹脂を用いることで圧電基板１３の上に複数個の弾性波素子１２を作るための支柱体１６を精度良く所望の形状に形成することが可能である。感光性樹脂としては、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、感光性アクリレート樹脂等、感光性を有する樹脂材料であれば様々な材料を用いることが可能である。感光性ポリイミド樹脂はガラス転移点が高く、高温環境下で信頼性が高いため、支柱体１６の材料として特に好ましい。
【００２９】
天板１８は、図２に示す如く、支柱体１６の上に接着層２３を形成し、この接着層２３の上に蓋体１８ａを設けている。好ましくは、この蓋体１８ａの上部に蓋体補強層１８ｂを施す。この構成により、弾性波素子１２の耐モールド性の向上を図ることができる。
【００３０】
接着層２３は、厚みが１〜２０μｍ程度の接着剤からなり、例えば、エポキシ系、ポリフェニレン系、若しくはブタジエン系の樹脂、またはこれらの混合樹脂からなる。この接着層２３は、単位面積当たりの絶縁保護体１９に対する接着力が側壁より大きい材料で構成される。
【００３１】
蓋体１８ａは、接着層２３を介して支柱体１６の上部に接着されることにより保持される。この蓋体１８ａは１〜３０μｍ程度の板状である。この蓋体１８ａと圧電基板１３および支柱体１６で形成される空間１７にＩＤＴ電極１４を収容している。この蓋体１８ａは、金属を用いることにより機械的強度に優れた天板１８とすることができる。また、蓋体１８ａは、導電性を有することにより蓋体１８ａの電位を制御することが可能となる。さらに、蓋体１８ａに銅を用いると単結晶の圧電基板１３と線膨張係数を略等しくすることができ、製造時における弾性波素子１２の反りを抑制することができる。蓋体１８ａは箔状のものを用いることができ、さらにあらかじめ接着層２３を形成していて、その後に支柱体の上部に貼り付ける構成にすると、薄くても強度が高いので、製造上の取り扱いが便利である。
【００３２】
蓋体補強層１８ｂは、蓋体１８ａの上面に電解めっき処理により厚みが２０〜４０μｍ程度となるように形成された層であり、その材質としては、銅を用いると機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を圧電基板と整合することができるため望ましい。
【００３３】
空間１７は、圧電基板１３、支柱体１６および天板１８によって囲まれた領域である。この空間１７は気密性を有するものであり、その内部にＩＤＴ電極１４が収容されている。この空間１７の内部は通常気圧の空気であっても構わないが、減圧密封されているとＩＤＴ電極１４の腐食を防止することができる。
【００３４】
絶縁保護体１９は、圧電基板１３の上であって支柱体１６の外側面、支柱体１６の上面及び天板１８の上面に形成される。さらに、この絶縁保護体１９は、圧電基板１３の主面１３ａの全体を覆うことにより機械的衝撃や湿気からＩＤＴ電極１４を保護する機能を有している。この絶縁保護体１９の材質としては、熱硬化性樹脂を用いると取り扱い性に優れる点で好ましい。また、エポキシ樹脂を用いると耐熱性及び気密性の点で特に好ましい。さらにエポキシ樹脂中に無機フィラーを含有させることで線膨張係数を低減することができる。無機フィラーとしては、アルミナ粉末、二酸化珪素粉末、酸化マグネシウム粉末等を用いることができる。なお、これらの粉末に限らず様々な無機系材料の使用が可能である。
【００３５】
接続電極２２の材料としては、銅を用いると機械的強度に優れたものとすることができる。また、接続電極２２の線膨張係数を圧電基板１３の線膨張係数と整合することができるため好ましい。
【００３６】
以上のように構成された実施の形態１における弾性波素子１２の製造方法について、以下に説明する。
【００３７】
図３は、実施の形態１における弾性波素子１２の製造工程を示す図である。
【００３８】
まず、図３の（Ａ）に示すように、圧電基板１３の表面に、レジストを用いたフォトリソグラフィ技術にて、複数のＩＤＴ電極１４をスパッタ形成すると共に、内部電極１５を蒸着形成する。
【００３９】
次に、感光性のポリイミド系樹脂をスポンコート法、ディスペンス法、又はスクリーン印刷法等の膜形成方法によりＩＤＴ電極１４および内部電極１５を覆って圧電基板１３の主面の全面に形成する。特にスピンコート法は均一な膜厚を形成する方法として好ましい。
【００４０】
そして、この感光性のポリイミド系樹脂からなる膜の上面から露光、現像を行い、そして熱硬化させることにより、図３の（Ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極１４を囲む支柱体１６を形成する。尚、支柱体１６を、所定の形状に加工した後、必要に応じて加熱処理を行うことにより材料の硬化を促進させる。
【００４１】
さらに、図４の（Ｃ）に示す様に、蓋体１８ａとなる金属箔（好ましくは、銅箔）を、接着層２３を介して支柱体１６の上面に貼り合せ、その上からレジスト（図示せず）を用いてフォトリソグラフィにより金属箔を所定のパターン形状にエッチングし、レジストを除去すると、図４の（Ｄ）に示す様に、隙間２４が形成される。その後、接着層２３の不要部分と蓋体１８ａを共にメカニカルピーリングすることで、図５の（Ｅ）に示す様に、蓋体１８ａと接着層２３によってＩＤＴ電極１４の上の空間１７を覆う構成を得る。尚、支柱体１６の上面の全面に蓋体１８ａと接着層２３を残さないことが望ましい。即ち、上方からみて蓋体１８ａと接着層２３が支柱体１６の上面の外縁部より内側に形成されていることが好ましい。これは、上方からみて蓋体１８ａと接着層２３が支柱体１６の上面より外側に突出していると、この後の下地層（図示せず）のスパッタ形成の際、支柱体１６の外側面に下地層が付着しにくくなるという問題が生じるからである。
【００４２】
その次に、圧電基板１３の主面上の全面に下地層をスパッタにより形成する。この下地層の内、この支柱体１６の外側面に形成された部分と内部電極１５の上面に形成された部分が電極下地層となり、蓋体１８ａの上面に形成された部分が蓋体下地層となる。
【００４３】
そして、フォトリソグラフィ技術にてレジスト（図示せず）を電解めっき成長させる部分を残して形成する。具体的には、レジストは、電極下地層となる下地層の上部と、蓋体下地層となる下地層の上部は露出させ、その他の部分を覆うように形成される。そして、１度目の電解めっき処理を施すことにより、電極下地層上に接続電極２２の一部を形成し、同時に蓋体補強層１８ｂを形成する。このように、蓋体補強層１８ｂを形成することにより蓋体１８ａを補強することができ、さらにこの蓋体補強層１８ｂの形成を接続電極２２の形成と同時に行うことにより、効率よく蓋体補強層１８ｂを形成することができる。
【００４４】
さらに、レジスト（図示せず）を接続電極２２の上部に電解めっき成長させる部分を除いて圧電基板１３の主面側の全面に形成する。その後、２度目の電解めっき処理を施すことにより、接続電極２２を形成したレジストを更に上まで成長させ、レジストを除去する。尚、蓋体１８ａの強度が十分である場合などで蓋体補強層１８ｂを形成しないときには、１回の電解めっき処理工程のみで接続電極２２を形成する。
【００４５】
さらに、図５の（Ｆ）に示す様に、下地層を介して導通している蓋体補強層１８ｂと接続電極２２とを下地層を除去することにより電気的に絶縁状態にする。
【００４６】
さらにまた、図６の（Ｇ）に示す様に、接続電極２２の上面を露出させながら、その他の圧電基板１３の主面および主面上の構造物を覆う絶縁保護体１９を形成する。この絶縁保護体１９の形成方法としては、印刷工法を用いる。尚、絶縁保護体１９を接続電極２２と全く同じ高さに形成するためには、一度、接続電極２２の上面より高く絶縁保護体１９を形成し、その後に絶縁保護体１９を機械的に削る方法を用いることもできる。この場合において、圧電基板１３の主面および接続電極２２も含めた主面上の全ての構造物を覆うように絶縁保護体１９を形成した後に、機械的に絶縁保護体１９を削ってもよい。
【００４７】
次に、図６の（Ｈ）に示す様に、接続電極２２の上面と電気的に接続される外部電極２０とインダクタンスの役割を成す導体パターン２１を形成する。
【００４８】
なお、インダクタンスの役割を成す導体パターン２１の保護膜を形成しても良い。これにより、インダクタンスの劣化を防止できる。
【００４９】
最後に、図７（Ｊ）に示すように、半田印刷を行い、ダイシングにより圧電体および絶縁保護体１９を同時に切断することにより、集合基板から個片の弾性波素子を得る。
【００５０】
以上のように、図１に示す弾性波素子１２を製造することにより、ＩＤＴ電極１４とインダクタンスを得るための導体パターン２１との間に絶縁保護膜１９を介在させることができる。この構成により、ＩＤＴ電極１４とインダクタンスを得るための導体パターン２１との干渉を抑制した弾性波素子とすることができる。
【００５１】
図８は、本実施の形態における弾性波素子の他の構成の断面模式図を示している。図８において、天板１８における蓋体１８ａ又は蓋体補強層１８ｂとグランド電位を有する接続電極２２の少なくとも１つとを接続することでグランド電位を持たせている。この構成により、天板１８がＩＤＴ電極１４へのノイズのシールド層としての役割を果たす。
【００５２】
図９のグラフは天板１８と導体パターン２１との距離によるインダクタンス成分の変化を示している。図９の（Ａ）において、横軸は周波数（ＧＨｚ）を表し、縦軸はＬ（ｎＨ）を表している。図９の（Ｂ）において、横軸は周波数（ＧＨｚ）を表し、縦軸はＱを表している。
【００５３】
図９の（Ａ）において、特性２５、２６、２７、２８、２９、３０はそれぞれ、天板１８と導体パターン２１との距離が５μｍ、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍ、３０μｍの場合における周波数とＬとの関係を示している。例えば、周波数が１ＧＨｚの場合におけるＬ値は、特性２５（５μｍ）は０．３７ｎＨ、特性２６（１０μｍ）は０．４７ｎＨ、特性２７（１５μｍ）は０．５３ｎＨ、特性２８（２０μｍ）は０．５６ｎＨ、特性２９（２５μｍ）は０．５７ｎＨ、特性３０（３０μｍ）は０．５７ｎＨであった。このように、天板１８と導体パターン２１との距離を１０μｍ以下とすると、Ｌ値の劣化が著しくなることが分かった。
【００５４】
図９の（Ｂ）において、特性３１、３２、３３、３４、３５、３６はそれぞれ、天板１８と導体パターン２１との距離が５μｍ、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍ、３０μｍの場合における周波数とＱとの関係を示している。例えば、周波数が１ＧＨｚの場合におけるＱ値は、特性３１（５μｍ）は５．５、特性３２（１０μｍ）は７．８、特性３３（１５μｍ）は１０．２、特性３４（２０μｍ）は１１．２、特性３５（２５μｍ）は１１．６、特性３６（３０μｍ）は１１．３であった。このように、天板１８と導体パターン２１との距離を１０μｍ以下とすると、Ｌ値の劣化が著しくなることが分かった。
【００５５】
以上より、天板１８と導体パターン２１との距離を１５μｍ以上とすることにより、インダクタンス成分のＬ及びＱの劣化度合いを抑えることができることが分かった。
【００５６】
なお、図９の（Ａ）、（Ｂ）において、天板１８が３０μｍ（蓋体１８ａが３．５μｍ、蓋体補強層１８ｂが２６．５μｍ）であり、接着層２３が５μｍ程度としているが、天板１８及び接着層２３の厚さを変えても、天板１８と導体パターン２１との距離を１５μｍ以上とすることにより、Ｌ及びＱの劣化度合いを抑制できる。
【００５７】
図１０は、本実施の形態における弾性波素子の他の構成の模式図を示している。図１０の（Ａ）は、弾性波素子１２の上面図であり、（Ｂ）は、弾性波素子１２の断面図である。図１０の（Ａ）及び（Ｂ）示すように、導体パターン２１は、複数のグランド電位を有する接続電極２２と接続されている。これにより、他のグランド端子とパッケージ内で共有化することができ、回路基板（図示せず）に実装後の弾性波素子１２の特性変化を抑制できる。
【００５８】
図１１は、本実施の形態における弾性波素子の他の構成の模式図を示している。図１１の（Ａ）は、弾性波素子１２の上面図であり、（Ｂ）は、弾性波素子１２の断面図である。図１１の（Ａ）及び（Ｂ）示すように、接続電極２２は、第１〜第３のグランド電極２２ａ〜２２ｃを有したときに、第１のグランド電極２２ａはグランド電位となる内部電極１５及び導体パターン２１と接続され、第２のグランド電極２２ｂはインダクタンス成分となる導体パターン２１及び天板１８と接続され、第３のグランド電極２２ｃは天板１８と外部電極２０と接続されている。これにより、他のグランド端子とパッケージ内で共有化することができ、回路基板に実装後の弾性波素子１２の特性変化を抑制できる。
【００５９】
図１２は、本実施の形態における弾性波素子の他の構成の断面模式図を示している。図１２に示すように、導体パターン２１を覆うように、保護体３７を形成することにより、インダクタンスの劣化を防止できる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明の弾性波素子は、ＩＤＴ電極とインダクタンスを得るための導体パターンとの干渉を抑制するし、弾性波共振器のＱ値を改善することができるので、携帯電話や無線ＬＡＮ端末等において有用である。
【符号の説明】
【００６１】
１ 弾性波素子
２ 圧電基板
３ ＩＤＴ電極
４ 内部電極
５ 支柱体
６ 空間
７ 天板
８ 導体パターン
９ 絶縁保護体
１０ 外部電極
１１ 接続電極
１２ 弾性波素子
１３ 圧電基板
１４ ＩＤＴ電極
１５ 内部電極
１６ 支柱体
１７ 空間
１８ 天板
１９ 絶縁保護体
２０ 外部電極
２１ 導体パターン
２２ 接続電極
２３ 接着層
２４ 隙間
２５〜３６ 特性
３７ 保護体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話や無線ＬＡＮ端末等に用いられる弾性波素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、弾性波素子をモジュール化し、種々の製品に搭載する傾向が高まってきている。種々の製品に搭載するモジュールにおいては、小型・低背だけでなく高い信頼性が要望される。しかし、弾性波素子は表面を伝搬する波を利用するため、空間構造を必要とすることが小型化・高信頼性の要となっている。
【０００３】
図１３は、従来の弾性波素子１の断面模式図である。図１３において、弾性波素子１は、圧電基板２と、圧電基板２の上に配置されるＩＤＴ電極３と、圧電基板２の上に配置され、ＩＤＴ電極３に接続される内部電極４と、圧電基板２の上に配置され、ＩＤＴ電極３の周囲に設けられた支柱体５と、支柱体５の上にＩＤＴ電極３の上の空間６を覆うように設けられた天板７と、天板７の上に形成された導体パターン８と、支柱体５と天板７とを覆う絶縁保護体９と、絶縁保護体９の上に配置される外部電極１０と、絶縁保護体９を貫通するように設けられ、外部電極９と内部電極４とを電気的に接続する接続電極１１とを備えていた。
【０００４】
この構成において、従来の弾性波素子１は、天板７の上にインダクタンスを得るための導体パターン８を形成することにより、減衰特性の改善を図っていた。
【０００５】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００６／１３４９２８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の弾性波素子１は、天板７の上にインダクタンスを得るための導体パターン８を形成していたので、ＩＤＴ電極３と導体パターン８によるインダクタンス成分とが干渉し、弾性波素子１の特性を劣化させていた。
【０００８】
本発明は、かかる実情に鑑み、ＩＤＴ電極とインダクタンスを得るための導体パターンとの干渉を抑制した弾性波素子を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の弾性波素子は、圧電基板と、圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、圧電基板上に配置され、ＩＤＴ電極に接続された内部電極と、圧電基板上に配置され、ＩＤＴ電極の周囲に設けられた支柱体と、この支柱体の上にＩＤＴ電極の上の空間を覆うように設けられた天板と、支柱体と天板とを覆う絶縁保護体９と、絶縁保護体上に配置される外部電極と、絶縁保護体上に配置されるインダクタンスを得るための導体パターンと、絶縁保護体９を貫通するように設けられ、外部電極と内部電極とを電気的に接続する接続電極とを備える。
【００１０】
この構成により、ＩＤＴ電極とインダクタンスを得るための導体パターンとの間に絶縁保護体が介在するので、ＩＤＴ電極とインダクタンスを得るための導体パターンとの干渉を抑制した弾性波素子とすることができる。
【００１１】
好ましくは、接続電極はグランド電極を有し、天板の一部を金属として、このグランド電極と接続する。この構成により、天板がＩＤＴ電極へのノイズのシールド層としての役割を果たす。
【００１２】
好ましくは、導体パターンと前記天板とを１５μｍ以上離す。この構成により、導体パターンのインダクタンス成分と金属からなる天板のカップリング効果を抑制することができる。
【００１３】
好ましくは、導体パターンは、複数のグランド電位を有する接続電極と接続された構成とする。この構成により、他のグランド端子とパッケージ内で共有化することができ、回路基板に実装後の弾性波素子の特性変化を抑制できる。
【００１４】
好ましくは、接続電極は、第１〜第３のグランド電極を有し、第１のグランド電極はグランド電位となる内部電極及び導体パターンと接続され、第２のグランド電極はグランド電位となる導体パターン及び天板と接続され、第３のグランド電極は天板と外部電極と接続される。これにより、他のグランド端子とパッケージ内で共有化することができ、回路基板に実装後の弾性波素子の特性変化を抑制できる。
【００１５】
好ましくは、インダクタンスを得るための導体パターンを絶縁体からなる保護体で保護する。この構成により、インダクタンスの劣化を防止できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の弾性波素子は、ＩＤＴ電極とインダクタンスを得るための導体パターンとの干渉を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施の形態１における弾性波素子の断面模式図
【図２】実施の形態１における天板の説明図
【図３】（Ａ）（Ｂ）実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す図
【図４】（Ｃ）（Ｄ）実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す図
【図５】（Ｅ）（Ｆ）実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す図
【図６】（Ｇ）（Ｈ）実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す図
【図７】（Ｉ）（Ｊ）実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す図
【図８】実施の形態１における弾性波素子の他の構成の断面模式図
【図９】実施の形態１における弾性波素子におけるインダクタンス成分の特性を示す図
【図１０】実施の形態１における弾性波素子の他の構成の上面図と断面模式図
【図１１】実施の形態１における弾性波素子の他の構成の上面図と断面模式図
【図１２】実施の形態１における弾性波素子の他の構成の断面模式図
【図１３】従来の弾性波素子の断面模式図
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
【００１９】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における弾性波素子について図面を参照しながら説明する。
【００２０】
図１は本発明の実施の形態１における弾性波素子１２の断面模式図である。
【００２１】
図１において、弾性波素子１２は、圧電基板１３と、この圧電基板１３の上面（圧電基板の主面）に配置されたＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１４と、を備え、このＩＤＴ電極１４を外部から保護すべく、ＩＤＴ電極１４を覆うように絶縁保護体１９を圧電基板１３上に形成するチップサイズパッケージである。
【００２２】
この弾性波素子１２は、圧電基板１３の上に設けられると共にＩＤＴ電極１４と電気的に接続された内部電極１５と、内部電極１５の上であってＩＤＴ電極１４の周囲に設けられた支柱体１６と、この支柱体１６の上にＩＤＴ電極１４の上の空間１７を覆うように設けられた天板１８とを備える。
【００２３】
さらに、弾性波素子１２は、絶縁保護体１９の上部に設けられた外部電極２０と、この外部電極２０と内部電極１５とを電気的に接続する接続電極２２と、絶縁保護体１９の上にインダクタンス成分を得るための導体パターン２１とを備える。
【００２４】
以下、弾性波素子１２の各構成について詳述する。
【００２５】
圧電基板１３は、板厚１００〜４５０μｍ程度の単結晶圧電体からなり、例えば、水晶、タンタル酸リチウム系、ニオブ酸リチウム系、又はニオブ酸カリウム系の基板である。
【００２６】
ＩＤＴ電極１４は、膜厚０．１〜０．５μｍ程度の櫛形電極であり、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、モリブデンの少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成である。
【００２７】
内部電極１５は、ＩＤＴ電極１４と外部電極２０とを電気的に接続する導体であり、例えば、アルミニウム、銅、銀、チタンからなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成である。
【００２８】
支柱体１６は、ＩＤＴ電極１４の周囲の少なくとも一部を囲む高さが５〜２５μｍの支柱体で、例えば、絶縁保護体１９からなり、所定の形状に加工することが容易なことから樹脂を用いることが好ましい、さらに、感光性樹脂を用いることで圧電基板１３の上に複数個の弾性波素子１２を作るための支柱体１６を精度良く所望の形状に形成することが可能である。感光性樹脂としては、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、感光性アクリレート樹脂等、感光性を有する樹脂材料であれば様々な材料を用いることが可能である。感光性ポリイミド樹脂はガラス転移点が高く、高温環境下で信頼性が高いため、支柱体１６の材料として特に好ましい。
【００２９】
天板１８は、図２に示す如く、支柱体１６の上に接着層２３を形成し、この接着層２３の上に蓋体１８ａを設けている。好ましくは、この蓋体１８ａの上部に蓋体補強層１８ｂを施す。この構成により、弾性波素子１２の耐モールド性の向上を図ることができる。
【００３０】
接着層２３は、厚みが１〜２０μｍ程度の接着剤からなり、例えば、エポキシ系、ポリフェニレン系、若しくはブタジエン系の樹脂、またはこれらの混合樹脂からなる。この接着層２３は、単位面積当たりの絶縁保護体１９に対する接着力が側壁より大きい材料で構成される。
【００３１】
蓋体１８ａは、接着層２３を介して支柱体１６の上部に接着されることにより保持される。この蓋体１８ａは１〜３０μｍ程度の板状である。この蓋体１８ａと圧電基板１３および支柱体１６で形成される空間１７にＩＤＴ電極１４を収容している。この蓋体１８ａは、金属を用いることにより機械的強度に優れた天板１８とすることができる。また、蓋体１８ａは、導電性を有することにより蓋体１８ａの電位を制御することが可能となる。さらに、蓋体１８ａに銅を用いると単結晶の圧電基板１３と線膨張係数を略等しくすることができ、製造時における弾性波素子１２の反りを抑制することができる。蓋体１８ａは箔状のものを用いることができ、さらにあらかじめ接着層２３を形成していて、その後に支柱体の上部に貼り付ける構成にすると、薄くても強度が高いので、製造上の取り扱いが便利である。
【００３２】
蓋体補強層１８ｂは、蓋体１８ａの上面に電解めっき処理により厚みが２０〜４０μｍ程度となるように形成された層であり、その材質としては、銅を用いると機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を圧電基板と整合することができるため望ましい。
【００３３】
空間１７は、圧電基板１３、支柱体１６および天板１８によって囲まれた領域である。この空間１７は気密性を有するものであり、その内部にＩＤＴ電極１４が収容されている。この空間１７の内部は通常気圧の空気であっても構わないが、減圧密封されているとＩＤＴ電極１４の腐食を防止することができる。
【００３４】
絶縁保護体１９は、圧電基板１３の上であって支柱体１６の外側面、支柱体１６の上面及び天板１８の上面に形成される。さらに、この絶縁保護体１９は、圧電基板１３の主面１３ａの全体を覆うことにより機械的衝撃や湿気からＩＤＴ電極１４を保護する機能を有している。この絶縁保護体１９の材質としては、熱硬化性樹脂を用いると取り扱い性に優れる点で好ましい。また、エポキシ樹脂を用いると耐熱性及び気密性の点で特に好ましい。さらにエポキシ樹脂中に無機フィラーを含有させることで線膨張係数を低減することができる。無機フィラーとしては、アルミナ粉末、二酸化珪素粉末、酸化マグネシウム粉末等を用いることができる。なお、これらの粉末に限らず様々な無機系材料の使用が可能である。
【００３５】
接続電極２２の材料としては、銅を用いると機械的強度に優れたものとすることができる。また、接続電極２２の線膨張係数を圧電基板１３の線膨張係数と整合することができるため好ましい。
【００３６】
以上のように構成された実施の形態１における弾性波素子１２の製造方法について、以下に説明する。
【００３７】
図３は、実施の形態１における弾性波素子１２の製造工程を示す図である。
【００３８】
まず、図３の（Ａ）に示すように、圧電基板１３の表面に、レジストを用いたフォトリソグラフィ技術にて、複数のＩＤＴ電極１４をスパッタ形成すると共に、内部電極１５を蒸着形成する。
【００３９】
次に、感光性のポリイミド系樹脂をスポンコート法、ディスペンス法、又はスクリーン印刷法等の膜形成方法によりＩＤＴ電極１４および内部電極１５を覆って圧電基板１３の主面の全面に形成する。特にスピンコート法は均一な膜厚を形成する方法として好ましい。
【００４０】
そして、この感光性のポリイミド系樹脂からなる膜の上面から露光、現像を行い、そして熱硬化させることにより、図３の（Ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極１４を囲む支柱体１６を形成する。尚、支柱体１６を、所定の形状に加工した後、必要に応じて加熱処理を行うことにより材料の硬化を促進させる。
【００４１】
さらに、図４の（Ｃ）に示す様に、蓋体１８ａとなる金属箔（好ましくは、銅箔）を、接着層２３を介して支柱体１６の上面に貼り合せ、その上からレジスト（図示せず）を用いてフォトリソグラフィにより金属箔を所定のパターン形状にエッチングし、レジストを除去すると、図４の（Ｄ）に示す様に、隙間２４が形成される。その後、接着層２３の不要部分と蓋体１８ａを共にメカニカルピーリングすることで、図５の（Ｅ）に示す様に、蓋体１８ａと接着層２３によってＩＤＴ電極１４の上の空間１７を覆う構成を得る。尚、支柱体１６の上面の全面に蓋体１８ａと接着層２３を残さないことが望ましい。即ち、上方からみて蓋体１８ａと接着層２３が支柱体１６の上面の外縁部より内側に形成されていることが好ましい。これは、上方からみて蓋体１８ａと接着層２３が支柱体１６の上面より外側に突出していると、この後の下地層（図示せず）のスパッタ形成の際、支柱体１６の外側面に下地層が付着しにくくなるという問題が生じるからである。
【００４２】
その次に、圧電基板１３の主面上の全面に下地層をスパッタにより形成する。この下地層の内、この支柱体１６の外側面に形成された部分と内部電極１５の上面に形成された部分が電極下地層となり、蓋体１８ａの上面に形成された部分が蓋体下地層となる。
【００４３】
そして、フォトリソグラフィ技術にてレジスト（図示せず）を電解めっき成長させる部分を残して形成する。具体的には、レジストは、電極下地層となる下地層の上部と、蓋体下地層となる下地層の上部は露出させ、その他の部分を覆うように形成される。そして、１度目の電解めっき処理を施すことにより、電極下地層上に接続電極２２の一部を形成し、同時に蓋体補強層１８ｂを形成する。このように、蓋体補強層１８ｂを形成することにより蓋体１８ａを補強することができ、さらにこの蓋体補強層１８ｂの形成を接続電極２２の形成と同時に行うことにより、効率よく蓋体補強層１８ｂを形成することができる。
【００４４】
さらに、レジスト（図示せず）を接続電極２２の上部に電解めっき成長させる部分を除いて圧電基板１３の主面側の全面に形成する。その後、２度目の電解めっき処理を施すことにより、接続電極２２を形成したレジストを更に上まで成長させ、レジストを除去する。尚、蓋体１８ａの強度が十分である場合などで蓋体補強層１８ｂを形成しないときには、１回の電解めっき処理工程のみで接続電極２２を形成する。
【００４５】
さらに、図５の（Ｆ）に示す様に、下地層を介して導通している蓋体補強層１８ｂと接続電極２２とを下地層を除去することにより電気的に絶縁状態にする。
【００４６】
さらにまた、図６の（Ｇ）に示す様に、接続電極２２の上面を露出させながら、その他の圧電基板１３の主面および主面上の構造物を覆う絶縁保護体１９を形成する。この絶縁保護体１９の形成方法としては、印刷工法を用いる。尚、絶縁保護体１９を接続電極２２と全く同じ高さに形成するためには、一度、接続電極２２の上面より高く絶縁保護体１９を形成し、その後に絶縁保護体１９を機械的に削る方法を用いることもできる。この場合において、圧電基板１３の主面および接続電極２２も含めた主面上の全ての構造物を覆うように絶縁保護体１９を形成した後に、機械的に絶縁保護体１９を削ってもよい。
【００４７】
次に、図６の（Ｈ）に示す様に、接続電極２２の上面と電気的に接続される外部電極２０とインダクタンスの役割を成す導体パターン２１を形成する。
【００４８】
なお、インダクタンスの役割を成す導体パターン２１の保護膜を形成しても良い。これにより、インダクタンスの劣化を防止できる。
【００４９】
最後に、図７（Ｊ）に示すように、半田印刷を行い、ダイシングにより圧電体および絶縁保護体１９を同時に切断することにより、集合基板から個片の弾性波素子を得る。
【００５０】
以上のように、図１に示す弾性波素子１２を製造することにより、ＩＤＴ電極１４とインダクタンスを得るための導体パターン２１との間に絶縁保護膜１９を介在させることができる。この構成により、ＩＤＴ電極１４とインダクタンスを得るための導体パターン２１との干渉を抑制した弾性波素子とすることができる。
【００５１】
図８は、本実施の形態における弾性波素子の他の構成の断面模式図を示している。図８において、天板１８における蓋体１８ａ又は蓋体補強層１８ｂとグランド電位を有する接続電極２２の少なくとも１つとを接続することでグランド電位を持たせている。この構成により、天板１８がＩＤＴ電極１４へのノイズのシールド層としての役割を果たす。
【００５２】
図９のグラフは天板１８と導体パターン２１との距離によるインダクタンス成分の変化を示している。図９の（Ａ）において、横軸は周波数（ＧＨｚ）を表し、縦軸はＬ（ｎＨ）を表している。図９の（Ｂ）において、横軸は周波数（ＧＨｚ）を表し、縦軸はＱを表している。
【００５３】
図９の（Ａ）において、特性２５、２６、２７、２８、２９、３０はそれぞれ、天板１８と導体パターン２１との距離が５μｍ、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍ、３０μｍの場合における周波数とＬとの関係を示している。例えば、周波数が１ＧＨｚの場合におけるＬ値は、特性２５（５μｍ）は０．３７ｎＨ、特性２６（１０μｍ）は０．４７ｎＨ、特性２７（１５μｍ）は０．５３ｎＨ、特性２８（２０μｍ）は０．５６ｎＨ、特性２９（２５μｍ）は０．５７ｎＨ、特性３０（３０μｍ）は０．５７ｎＨであった。このように、天板１８と導体パターン２１との距離を１０μｍ以下とすると、Ｌ値の劣化が著しくなることが分かった。
【００５４】
図９の（Ｂ）において、特性３１、３２、３３、３４、３５、３６はそれぞれ、天板１８と導体パターン２１との距離が５μｍ、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍ、３０μｍの場合における周波数とＱとの関係を示している。例えば、周波数が１ＧＨｚの場合におけるＱ値は、特性３１（５μｍ）は５．５、特性３２（１０μｍ）は７．８、特性３３（１５μｍ）は１０．２、特性３４（２０μｍ）は１１．２、特性３５（２５μｍ）は１１．６、特性３６（３０μｍ）は１１．３であった。このように、天板１８と導体パターン２１との距離を１０μｍ以下とすると、Ｌ値の劣化が著しくなることが分かった。
【００５５】
以上より、天板１８と導体パターン２１との距離を１５μｍ以上とすることにより、インダクタンス成分のＬ及びＱの劣化度合いを抑えることができることが分かった。
【００５６】
なお、図９の（Ａ）、（Ｂ）において、天板１８が３０μｍ（蓋体１８ａが３．５μｍ、蓋体補強層１８ｂが２６．５μｍ）であり、接着層２３が５μｍ程度としているが、天板１８及び接着層２３の厚さを変えても、天板１８と導体パターン２１との距離を１５μｍ以上とすることにより、Ｌ及びＱの劣化度合いを抑制できる。
【００５７】
図１０は、本実施の形態における弾性波素子の他の構成の模式図を示している。図１０の（Ａ）は、弾性波素子１２の上面図であり、（Ｂ）は、弾性波素子１２の断面図である。図１０の（Ａ）及び（Ｂ）示すように、導体パターン２１は、複数のグランド電位を有する接続電極２２と接続されている。これにより、他のグランド端子とパッケージ内で共有化することができ、回路基板（図示せず）に実装後の弾性波素子１２の特性変化を抑制できる。
【００５８】
図１１は、本実施の形態における弾性波素子の他の構成の模式図を示している。図１１の（Ａ）は、弾性波素子１２の上面図であり、（Ｂ）は、弾性波素子１２の断面図である。図１１の（Ａ）及び（Ｂ）示すように、接続電極２２は、第１〜第３のグランド電極２２ａ〜２２ｃを有したときに、第１のグランド電極２２ａはグランド電位となる内部電極１５及び導体パターン２１と接続され、第２のグランド電極２２ｂはインダクタンス成分となる導体パターン２１及び天板１８と接続され、第３のグランド電極２２ｃは天板１８と外部電極２０と接続されている。これにより、他のグランド端子とパッケージ内で共有化することができ、回路基板に実装後の弾性波素子１２の特性変化を抑制できる。
【００５９】
図１２は、本実施の形態における弾性波素子の他の構成の断面模式図を示している。図１２に示すように、導体パターン２１を覆うように、保護体３７を形成することにより、インダクタンスの劣化を防止できる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明の弾性波素子は、ＩＤＴ電極とインダクタンスを得るための導体パターンとの干渉を抑制するし、弾性波共振器のＱ値を改善することができるので、携帯電話や無線ＬＡＮ端末等において有用である。
【符号の説明】
【００６１】
１ 弾性波素子
２ 圧電基板
３ ＩＤＴ電極
４ 内部電極
５ 支柱体
６ 空間
７ 天板
８ 導体パターン
９ 絶縁保護体
１０ 外部電極
１１ 接続電極
１２ 弾性波素子
１３ 圧電基板
１４ ＩＤＴ電極
１５ 内部電極
１６ 支柱体
１７ 空間
１８ 天板
１９ 絶縁保護体
２０ 外部電極
２１ 導体パターン
２２ 接続電極
２３ 接着層
２４ 隙間
２５〜３６ 特性
３７ 保護体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に配置されたＩＤＴ電極と、
前記圧電基板上に配置され、前記ＩＤＴ電極に接続された内部電極と、
前記圧電基板上に配置され、前記ＩＤＴ電極の周囲に設けられた支柱体と、
前記支柱体の上に前記ＩＤＴ電極の上の空間を覆うように設けられた天板と、
前記支柱体と前記天板とを覆う絶縁保護体と、
前記絶縁保護体上に配置される外部電極と、
前記絶縁保護体上に配置されるインダクタンスを得るための導体パターンと、
前記絶縁保護体を貫通するように設けられ、前記外部電極と前記内部電極とを電気的に接続する接続電極と、を備えた弾性波素子。
【請求項２】
前記天板の一部を金属からなり、さらに前記接続電極と接続することでグランド電位を持たせた請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項３】
前記導体パターンと前記天板とを１５μｍ以上離した請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記導体パターンは、複数のグランド電位を有する前記接続電極と接続された請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項５】
前記接続電極は、第１〜第３のグランド電極を有し、
前記第１のグランド電極はグランド電位となる前記内部電極及び前記導体パターンと接続され、
前記第２のグランド電極は前記グランド電位となる前記導体パターン及び前記天板と接続され、
前記第３のグランド電極は前記天板と前記外部電極と接続された請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項６】
前記導体パターンを覆う保護体を有する請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に配置されたＩＤＴ電極と、
前記圧電基板上に配置され、前記ＩＤＴ電極に接続された内部電極と、
前記圧電基板上に配置され、前記ＩＤＴ電極の周囲に設けられた支柱体と、
前記支柱体の上に前記ＩＤＴ電極の上の空間を覆うように設けられた天板と、
前記支柱体と前記天板とを覆う絶縁保護体と、
前記絶縁保護体上に配置される外部電極と、
前記絶縁保護体上に配置されるインダクタンスを得るための導体パターンと、
前記絶縁保護体を貫通するように設けられ、前記外部電極と前記内部電極とを電気的に接続する接続電極と、を備えた弾性波素子。
【請求項２】
前記天板の一部を金属からなり、さらに前記接続電極と接続することでグランド電位を持たせた請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項３】
前記導体パターンと前記天板とを１５μｍ以上離した請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記導体パターンは、複数のグランド電位を有する前記接続電極と接続された請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項５】
前記接続電極は、第１〜第３のグランド電極を有し、
前記第１のグランド電極はグランド電位となる前記内部電極及び前記導体パターンと接続され、
前記第２のグランド電極は前記グランド電位となる前記導体パターン及び前記天板と接続され、
前記第３のグランド電極は前記天板と前記外部電極と接続された請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項６】
前記導体パターンを覆う保護体を有する請求項１に記載の弾性波素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１１−１８８２５５（Ｐ２０１１−１８８２５５Ａ）
【公開日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５１６６５（Ｐ２０１０−５１６６５）
【出願日】平成２２年３月９日（２０１０．３．９）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月９日（２０１０．３．９）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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