【課題】充電対象素子へ充電電流を効率的に供給することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】充電対象素子Ｃに充電電流を供給する半導体装置１は、第１導電型の半導体層１と、充電対象素子Ｃの第１電極に結合される第１ノードＮ１を有し、半導体層１の主表面上に形成される第２導電型の第１の半導体領域２と、電源電圧が供給される電源電位ノードＮＬ１に結合される第２ノードＮ３および第３ノードＮ４を有し、第１の半導体領域２の表面において半導体層１と間隔をあけて形成される第１導電型の第２の半導体領域３と、第２ノードＮ３および第３ノードＮ４から半導体層１への電荷キャリアの移動を制限する電荷キャリア移動制限部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 複数のツェナーダイオードを用いることによって、簡易な構成で、所望の波形に変換できる波形整形回路を提供する。
【解決手段】 オルタネータＧからの出力信号に基づいて、矩形状に信号変換された矩形波信号を制御手段２へ出力する波形整形回路において、アノード側に接続されたオルタネータＧからの前記出力信号が所定レベル以上の電圧である場合に、カソード側からの電源出力によってハイレベルに設定し、前記矩形波信号として制御手段２が検出可能に接続される第１のツェナーダイオード３と、アノード側に接続されたオルタネータＧからの前記出力信号が所定レベルよりも低い電圧である場合に、アノード側の電源出力を、カソード側の接地によってローレベルに設定し、前記矩形波信号として制御手段２が検出可能に接続される第２のツェナーダイオード４と、を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】応答性を損なうことなく能動クランプ素子の損失電力を低減できる能動クランプ回路を用いたゲート駆動回路及び半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチ素子Ｔｒ７のゲートを駆動するゲート駆動回路であって、制御信号に基づいてスイッチ素子Ｔｒ７を駆動する駆動部（トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ４，Ｔｒ５）と、スイッチ素子Ｔｒ７の第１主端子（ドレイン）と第２主端子（ソース）との間に印加される電圧が所定電圧以上の場合に、駆動部によるスイッチ素子Ｔｒ７に対する駆動動作を強制的に遮断して、スイッチ素子Ｔｒ７の第１主端子と第２主端子との間の電圧がクランプされるようにスイッチ素子Ｔｒ７を駆動するアクティブクランプ回路（ダイオードＤ１、ツェナーダイオードＺＤ１、抵抗Ｒ１、トランジスタＴｒ３，Ｔｒ６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】電圧クランプ回路構成を用いてスイッチ両端の電圧を制限するためのシステム、方法、および装置を提供する。
【解決手段】電圧クランプ回路構成１２５は、入力２２７および出力２２９を備えた整流器回路２２５であって、入力２２７は動作回路構成に渡って並列に連絡する整流器回路２２５と、整流器回路２２５の出力２２９と並列に連絡する電子能動スイッチング素子２０５と、電子能動スイッチング素子２０５と並列に連絡する少なくとも１つのツェナー・ダイオード２１０と、を備えていても良い。電子能動スイッチング素子２０５およびツェナー・ダイオード２１０に渡る電圧が所定の値を満たすかまたは超えた場合には、電流が電子能動スイッチング素子２０５を通って流れて、動作回路構成に渡る電圧を電圧クランプ回路構成１２５の電圧制限内に制限する。 （もっと読む）

【課題】消費電流および回路規模をほとんど増大させることなく、容易に容量の充電時間を短くすることの出来る比較回路を提供する。
【解決手段】差動増幅回路１０の出力が入力される単相増幅回路２０の出力をＮチャネルＭＯＳトランジスタＭＮ５からなるソースフォロワによるクランプ回路４１に入力し、当該クランプ回路４１により単相増幅回路２０の入力を制限することにより、新たに定電圧源を設けることなく必要な充電電圧幅を狭めて容量Ｃｐの充電時間を短くすることができる。また、単相増幅回路１０の出力に応じて単相増幅回路１０の入力を制限するので、単相増幅回路１０の閾値電圧のばらつきや電源電圧の影響が問題にならない。 （もっと読む）

【課題】回路に設けた容量をソフトスタート機能と共用可能でき、タイマ時間の設定の自由度が高くて精度の良いタイマ機能を実現可能な信号生成回路を提供する。
【解決手段】電流供給回路11から供給する電流Issを、回路に設けた共用する容量(Css)12に供給するとともに、差動増幅器21の比較入力としてクランプ回路20に加える。クランプ回路20は、容量(Css)12の電流供給回路11側端子電圧Vssとソフトスタート完了指示電圧Vc10を比較することにより、端子電圧Vssがソフトスタート完了電圧Vc1を上回った場合に、容量(Css)12に供給される電流Issを全て引き込むようしてクランプ機能を働かせる。クランプ回路20がクランプ作動状態に入る少し前に、差動増幅器21の出力Vo1が単相増幅器31のしきい値電圧Vtaを過ぎると、電流Issの切り替え(電流値Iss1から電流値Iss2への切り替え)が行われる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レベルシフタ誤動作防止回路に係り、レベルシフタの誤動作を、信号伝達の過大な遅延と消費電流の増大とを招くことなく防止することにある。
【解決手段】伝達すべき信号に応じて駆動されるＮ型トランジスタ３０と、Ｎ型トランジスタ３０の出力に応じて駆動されるＰ型トランジスタ３２と、Ｐ型トランジスタ３２を駆動するために設けられるプルアップ抵抗３４と、を有する、基準電圧が互いに異なる２つの回路系の間で信号伝達を行うレベルシフタ１６の誤動作を防止する回路において、２つの回路系の基準電圧が相対変位した際、Ｎ型トランジスタ３０に存在する寄生容量３６へプルアップ抵抗３４を介して充電電流が供給される前に、その寄生容量３６へ充電電流を供給する急速充電手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】低電圧の制御信号を高電圧の制御信号に変換して出力する高圧用のドライブ回路において、待機時の消費電力を削減することができるようにする。
【解決手段】低圧部１からの制御信号ａ１〜ｄ１及びａ２〜ｄ２により高圧部２のトランジスタＭＮ１〜ＭＮ８を駆動し、操作対象３に駆動信号を出力する。その際、低圧部１からの制御信号ａ１〜ｄ１をそれぞれ論理積ゲートＱ１〜Ｑ４の一方の入力端子を介して高圧部２のトランジスタＭＮ１，ＭＮ３，ＭＮ５，ＭＮ７のゲートに入力し、論理積ゲートＱ１〜Ｑ４の他方の入力端子には高圧部２のオン／オフ信号を入力する。 （もっと読む）

【課題】出力回路における各トランジスタのゲート・ソース間に印加される電圧を制限するための構成や単位回路へ入力される制御信号の振幅を小さくするための構成を簡素化する。
【解決手段】単位回路Ｊは、電源線１０１と接地線１０３との間に直列に接続された第１のＰチャネルトランジスタ、第２のＰチャネルトランジスタ、第１のＮチャネルトランジスタ、および第２のＮチャネルトランジスタとを備える。そして、第１のＰチャネルトランジスタがオン状態のときにその電位がＶＤＤとなり、第１のＰチャネルトランジスタがオフ状態のときにその電位がＶＲＥＦ＋Ｖtp2となる第１出力信号Ｖ１を第１出力端子から出力し、第２のＮチャネルトランジスタがオン状態のときにその電位がＧＮＤとなり、第２のＮチャネルトランジスタがオフ状態のときにその電位がＶＲＥＦ−Ｖtn1となる第２出力信号Ｖ２を第２出力端子から出力する。 （もっと読む）

【課題】信号レベル変換回路の上限動作周波数を向上させる。
【解決手段】クロック信号をゲート（Ｇ）電極に受ける第１ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳ−Ｔｒ）と，ドレイン（Ｄ）電極を第１ＭＯＳ−ＴｒのＤ電極に接続される第２ＭＯＳ−Ｔｒと，逆相のクロック信号をＧ電極に受ける第３ＭＯＳ−Ｔｒと，Ｇ電極およびＤ電極を第２ＭＯＳ−ＴｒのＧ電極と第３ＭＯＳ−ＴｒのＤ電極に接続された第４ＭＯＳ−Ｔｒと，第１および第２ＭＯＳ−ＴｒのＤ電極から取り出した信号を受けるインバータ回路により構成されたレベル変換回路において，第２ＭＯＳ−Ｔｒのソース電極と電源の間，または，第４ＭＯＳ−Ｔｒのソース電極と電源の間の少なくとも一方に，並列に接続した複数の第５ＭＯＳ−Ｔｒを設け，インバータ回路の出力の平均電圧が低電位側の電源と高電位側の電源の中間の電圧になるように第５ＭＯＳ−Ｔｒの導通及び遮断を制御する制御回路を設ける。 （もっと読む）