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国際特許分類[H03K5/13]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | パルス技術 (16,231) | このサブクラス中の他のメイングループの1によっては包括されないパルス操作 (3,125) | 単一の出力をもち,かつ入力信号を変換して所望の時間間隔を有するパルスを与える配置 (668)

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【課題】トランジスタの特性ばらつきによる遅延回路の遅延時間の変動を抑制することが可能で、更に、製造工程における加工ばらつきに強く、レイアウト拡張性に優れた半導体集積回路を小面積に提供する。
【解決手段】第1の電源VDDと第2の電源(接地電源)との間に直列に接続されたP型MOSトランジスタMP11と2以上のN型MOSトランジスタMN11、MN12とが備えられる。入力端子INは前記P型MOSトランジスタMP11のゲート端子と前記N型MOSトランジスタMN11、MN12のゲート端子とに接続される。更に、P型MOSトランジスタMP11とN型MOSトランジスタMN11の接点である出力端子OUTに接続した1以上の容量素子C1を有し、P型MOSトランジスタMP11の駆動能力を、2以上に直列接続したN型MOSトランジスタMN11、MN12の総駆動能力よりも大きく構成する。 (もっと読む)


【課題】装置の使用中にタイミングマージンを最適化可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】入力クロック信号の位相の遅延角度と遅延素子の段数との関係を示す遅延素子段数信号を出力するマスタDLL回路101と、遅延素子段数信号に基づいて、位相制御信号を生成する位相制御回路102と、位相制御信号に基づいて、クロック信号の位相を所定角度分シフトさせたクロック信号を出力するスレーブDLL回路103と、スレーブDLL回路から出力されたクロック信号に同期したデータ信号を生成するデータ信号生成回路111と、遅延素子段数信号、又はマスタDLL回路のロックアップ時間を示すロックアップ時間信号に基づいて、データ信号のスルーレートを制御するための制御信号を生成するスルーレート制御回路121と、スルーレート制御信号に基づいて、データ信号のスルーレートを制御するデータ信号出力回路112とを備える。 (もっと読む)


【課題】
積分回路や発振回路の出力の相対的な遅延時間の分解能を高くする。
【解決手段】
信号発生装置(1)は、複数のアナログ信号を入力し当該アナログ信号をそれぞれ積分した積分信号をそれぞれ出力する複数の積分回路(111,112)と、前記複数の積分信号をそれぞれ入力し、積分信号の大きさを所定のしきい値と比較して比較信号をそれぞれ出力する複数の比較回路と(121,122)、前記各比較信号を入力し、これらの入力信号の全部または一部を、セットされた時間だけ遅延させた遅延信号を出力する少なくとも1つの遅延回路と(131,132)、前記各遅延信号、および前記遅延回路によっては遅延されていない比較信号を入力し、これらの入力信号の入力タイミングを比較し、これらの入力タイミングに応じた信号を出力する信号処理回路(14)とを備える。 (もっと読む)


【課題】 パルス信号をスルーレートが一定の信号に整形し、この整形した信号をコンパレータに入力する構成の遅延回路では、出力信号のパルス幅が入力信号のそれに比べて狭くなり、デューティ比が変化する。コンパレータが作動する限界周波数近辺では、遅延回路の出力信号のパルス幅が狭くなるために後続回路が誤動作し、またエッジ間干渉によってタイミング精度が悪化するという課題を解決する。
【解決手段】 入力パルス信号のスルーレートが一定値になるように整形し、この整形した信号をヒステリシス特性を有するヒステリシスコンパレータに入力するようにした。入力パルス信号と出力信号のパルス幅が変化しないので、後続回路が誤動作し、またタイミング精度が悪化することがなくなる。 (もっと読む)


【課題】遅延ロックループのための起動回路を提供する。
【解決手段】遅延ロックループにおける初期化回路は、電源投入または他のリセットの後、クロック端縁が適切な動作のために適切な順序で位相検出器によって受取られることを確実にし、遅延ロックループのリセット後、初期化回路は、遅延線における遅延を増加(または減少)させるように位相検出器をイネーブルするより先に基準クロックの少なくとも1つの端縁が受取られることを確実にし、フィードバッククロックの少なくとも1つの端縁が受取られた後、初期化回路は位相検出器をイネーブルして、遅延線における遅延を減少(または増加)させる。 (もっと読む)


【課題】コード捕捉およびコード追尾を行うための複数のレプリカコードを適宜出力できる遅延回路を実現する。
【解決手段】コード遅延回路32は、RBシフトレジスタ320,321、RAMシフトレジスタ322A,322B,323A,323Bを備える。RBシフトレジスタ321は、基準クロックに同期して1chipよりも小さい位相差からなるレプリカコードを各段から出力する。RAMシフトレジスタ322A,322Bは、RBシフトレジスタ321のレプリカコード群より位相の進んだもしくは位相の遅れたRBシフトレジスタ321の10段分に相当する位相差からなる複数のレプリカコードを出力する。RAMシフトレジスタ323A,323Bは、RAMシフトレジスタ322A,322Bのレプリカコード群よりさらに位相の進んだもしくは位相の遅れたRBシフトレジスタの40段分に相当する位相差からなる複数のレプリカコードを出力する。 (もっと読む)


【課題】 BER特性等の性能を向上させることが可能なチャネル間遅延補正回路を提供する。
【解決手段】 チャネル間遅延補正回路は、各々異なる第1及び第2の入力信号をアナログ/ディジタル変換する第1及び第2の変換回路(A/D変換器8,9)と、第1及び第2の変換回路各々の出力をそれぞれ遅延する第1及び第2の遅延回路(固定遅延回路10、可変遅延回路11)と、第1及び第2の遅延回路各々の出力を基に第1及び第2の入力信号のチャネル間の遅延時間に相当する遅延時間誤差を出力する演算回路(乗算器13)と、演算回路の演算結果を基に第1及び第2の遅延回路の一方に対して遅延時間差がなくなるように遅延量を制御する制御回路(ループフィルタ12)とを有する。 (もっと読む)


【課題】良好な信号レベルのパルス信号を効率よく発生するのに好適なパルス発生装置を提供する。
【解決手段】パルス発生装置100を、遅延回路10と、バッファー回路20と、パルス発生回路30とを含んだ構成とし、遅延回路10を、M(Mは3以上の整数)個のインバーターI1〜IMを縦続接続した構成とし、バッファー回路20を、遅延回路10の各接続部から出力される遅延信号にそれぞれ対応するM個のバッファーB1〜BMを含み、バッファーB1〜BMによって遅延回路10からの遅延信号をバッファリングする構成とし、パルス発生回路30を、N(Nは1≦N<Mの整数)個の単位パルス発生回路31_1〜31_Nを含んだ構成とし、各単位パルス発生回路において、バッファー回路20を介して入力される複数の遅延信号に基づき、1つのパルス信号を構成する複数の単位パルス信号のうち2以上の単位パルス信号を発生するようにした。 (もっと読む)


【課題】入力信号を遅延させ出力する遅延回路において、動作時の消費電流低減をはかる。
【解決手段】遅延回路100の端子202に、Pチャネル型MOSトランジスタ105を介して容量素子107を接続する。NAND回路104は、入力端子が、遅延回路100の入力端子201とインバータ103へ接続され、出力端子がPチャネル型MOSトランジスタ105のゲート端子へ接続される。インバータ103は、入力端子が遅延回路100の出力端子へ接続される。Pチャネル型MOSトランジスタ105は、遅延回路100の出力信号がLレベルからHレベルに遷移することに応答して、端子202と容量素子107を電気的に非接続とする。 (もっと読む)


【課題】遅延時間が電源電圧に依存せず、入力信号がローからハイになる時とハイからローになる時との遅延時間が等しい遅延回路を提供する。
【解決手段】容量17の電圧(内部電圧Va)が接地電圧VSSから定電流インバータ19の反転閾値電圧(NMOS16の閾値電圧Vtn)よりも高い電圧になるまでの時間が遅延時間になるので、遅延時間は接地電圧VSSを基準にして決まる。また、内部遅延回路20でも同様である。入力信号Vinがハイになると、遅延回路は内部遅延回路10による遅延時間を使用し、入力信号Vinがローになると、遅延回路は内部遅延回路20による遅延時間を使用し、これらの内部遅延回路10及び内部遅延回路20は同一である。 (もっと読む)


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