アクティブマトリックス表示装置は複数の画素を有している。各画素は光学的フィードバック機能のための光検出デバイス（８４）を有している。各画素は、光検出デバイス（８４）の近くであって光検出デバイスの実質的に入力面の高さに、ディスプレイ基板の薄膜層から形成された光ブロック構造（１００）を有している。この構造により、ほぼ横方向から光検出デバイスへの光（ｇ）の経路が防止される。

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アクティブマトリックス型表示装置は共通基板（60）上に設けられた表示画素の配列を有する。各画素は、下部電極（74）及び実質的に透明な上部電極（80a）を有する上面放出型の電流駆動型発光表示素子（2）を有する。表示素子（2）の光出力を検出する光検出デバイス（27）が基板（60）と表示素子（2）との間に配置され、駆動トランジスタ（22）が光検出デバイス（27）の出力に応じて制御される。表示素子の下部電極（27）は、下部電極への入射光の最大で20％を透過させるために部分的に透過性であり、透過された光の少なくとも一部が下方の光検出デバイス（27）に導かれる。
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アクティブマトリックス型表示装置は表示画素の配列を有し、各画素はＥＬ表示素子、表示素子の輝度を検出する光依存性デバイス、及び表示素子を流れる電流を駆動する駆動トランジスタ回路を有する。駆動トランジスタは光依存性デバイスの出力に応じて制御され、それにより、経時変化補償が実行可能にされる。光依存性デバイスはＥＬ表示素子の発光材料の領域に対して横方向に配置されている。故に、光依存性デバイスはステップ・カバレッジ問題を引き起こさないとともに、画素開口率に影響を及ぼすことなく画素配置に集積化される。さらに、光依存性デバイスは、表示素子領域の大きい部分からの光入力を受光するように、発光材料の領域の全長に沿って延在することが可能である。
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本発明は、第１主表面に直径２５〜１，０００ｎｍの複数の連続した半球状凸部が形成された透明基材と、 基板、第１電極、有機物層および第２電極を順次含む有機発光素子において、前記第１電極と接しない基板の下面および／または前記有機物層と接しない第２電極の上面に直径２５〜１，０００ｎｍの複数の連続した半球状凸部を有する有機発光素子、および多孔性アルミニウム酸化膜形成工程を用いたこれらの製造方法を提供する。
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積層構成で少なくとも一つの透明ＯＬＥＤと組み合わされ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などの半透過型ディスプレイ装置（１８０）におけるバックライトとして機能する、一つの反射電極を有する従来型有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）（１５６）が開示されている。少なくとも二つの透明ＯＬＥＤ（１５４，１５２）が一つの従来型ＯＬＥＤ（１５６）と積層構成で配置され、三つのＯＬＥＤのそれぞれが異なる帯域幅の光（１６１Ｎ，１６１Ｇ，１６１Ｂ）を発するのが好ましい。バックライトの後ろに置かれた反射電極（１１７）は、ディスプレイのための反射板としての役目もする。この配置は、反射率を高め、透過モードにおけるカラー順次配列を可能にし、フルカラー表示のすべての構成要素（即ち、赤、緑、青）が、カラーフィルタを必要とすることなく、同じピクセルを通って発するのを可能にする。
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エレクトロルミネセンスパネルは、剥離層（21）、この剥離層の上の第一の絶縁層（22）、この第一の絶縁層の上の複数のランプ層（23、25、26、27）、およびランプ層の上にある第二の絶縁層（28）を含む。本発明の一つの面によれば、第一の絶縁層と第二の絶縁層は低分子量のPVDF/HFP樹脂を含む。本発明の別の面によれば、ランプ層のうちの少なくとも一つはUV硬化樹脂を含み、残りのランプ層は熱硬化樹脂を含む。 （もっと読む）

基板（22）と；その基板上に形成された第1の電極と、第1の電極（30）の上に位置する1つ以上のOLED発光層（32）と、そのOLED発光層の上に位置する第2の電極（34）とを備える1つ以上のOLED発光素子；第2の電極の上方に位置する封止用カバー（12）；及び上記封止用カバーまたは上記基板の外面上に延在しそこに熱伝導性接着剤（26）で接着された実質的に平坦な熱伝導性背面プレート（20）を含んでなり、この背面プレートの熱伝導率が上記基板（22）または上記カバー（12）の熱伝導率よりも大きく、かつ、上記熱伝導性接着剤（26）の熱伝導率が、0.2W/mKよりも大きいか、この熱伝導性接着剤が付着する上記カバーまたは上記基板の熱伝導率以上である、OLEDディスプレイ。
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不透明なフレキシブル基板上に形成される有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を開示する。前記不透明なフレキシブル基板は、（i）金属層に積層または金属層で被覆されたプラスチック層、（ii）２層のプラスチック層に挟まれた金属層、（iii）金属箔、のいずれか１つで構成される。ＯＬＥＤが前記フレキシブル基板の金属表面に形成される場合、前記金属表面を絶縁層で被覆してもよい。前記絶縁層は、スピンコートにより形成されたポリマー層、または誘電体層であってもよい。前記フレキシブル基板の金属は、ＯＬＥＤへの酸素および水分の透過を最小限に抑えるバリアとして働く。さらに、ＯＬＥＤは、透明または半透明な上部電極を備え、前記上部電極を通して光が発せられる構成とされている。 （もっと読む）

大気圧または大気圧近傍の圧力下、対向する電極間にフッ素化合物と有機マグネシウム化合物を含有する反応性ガスを供給し、高周波電圧をかけて、前記反応性ガスを励起状態とし、励起状態の反応性ガスに基材を晒すフッ化マグネシウム薄膜の製造方法。および、前記フッ化マグネシウム薄膜が第１のフッ化マグネシウム薄膜上に、第２のフッ化マグネシウム薄膜を有し、前記第１のフッ化マグネシウム薄膜は炭素と酸素の混入比の少なくともいずれかが１０原子％以上であり、前記第２のフッ化マグネシウム薄膜の炭素と酸素の混入比の少なくともいずれかが１０原子％以下であることを特徴とするフッ化マグネシウム積層膜。 （もっと読む）

次の工程：（ａ）基板上に第１の導電性部材および導電性リードを形成する工程であって、第１の導電性部材および導電性リードが互いに離間されている工程と、（ｂ）基板上に有機層、第１の導電性部材、および導電性リードを形成する工程と、（ｃ）該有機層の上にパターン化した導電層を形成する工程であって、パターン化した導電層が第２の導電性部材を含み、およびパターン化した導電層が、有機層の露出部分および有機層の非露出部分を作り出す工程と、（ｄ）少なくとも１種の酸素含有ガスを使用して、少なくとも有機層の露出部分をドライエッチングして、導電性リードの一部を露出させる工程であって、ドライエッチングが約０．０１〜７．５ミリトールの範囲の圧力で行われる工程とを含む有機電子デバイスの形成方法。

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