【課題】小型のレーザ照射装置で光干渉がなく、連続した結晶成長を実現することである。
【解決手段】メガヘルツレーザビームを用い、分割したレーザビームを半導体膜に照射して、半導体膜を結晶化する。その際に分割ビームに光路差を設けて光干渉を抑える。光路差はメガヘルツレーザビームのパルス幅に相当する長さ以上、パルス発振間隔に相当する長さ未満に設定され、非常に短い光路差で光干渉を抑えることができる。そのためレーザのエネルギー劣化がなく効率的に且つ連続的にレーザビームを照射することができる。 （もっと読む）

【課題】画素アレイ部の周辺回路の回路規模の縮小化を可能にする、シフトレジスタを用いて成る走査回路、当該走査回路を用いる表示装置、当該表示装置の駆動方法、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】書込み走査回路４０を有する有機ＥＬ表示装置において、書込み走査回路４０を構成するシフトレジスタ４１の１つのシフト段から出力されるシフト信号を基に複数の走査信号を生成する。そして、当該複数の走査信号によって複数の画素行を単位として同時に走査を行う構成を採ることで、シフトレジスタ４１のシフト段の段数を削減する。 （もっと読む）

【課題】２値駆動方式において定電流源を用いることなく発光電流のばらつきを抑制しかつ低損失な表示装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】複数の発光画素が配列された画素部１０を備える表示装置１であって、画素１０Ａは、薄膜トランジスタスイッチ１１Ａと、コンデンサ１２Ａと、有機ＥＬ素子１０１とを備え、表示装置１は、さらに、有機ＥＬ素子１０１の閾値電圧より大きい電圧振幅を有する電圧パルスを薄膜トランジスタスイッチ１１Ａのドレインに印加することにより、コンデンサ１２Ａを充電させる電源線制御回路３と、コンデンサ１２Ａを、有機ＥＬ素子１０１のカソードに接地電圧パルスを印加することにより放電させる走査線制御回路４とを備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの作製及び表示装置の作製に用いるフォトマスクの枚数を従来よりも少なくすることを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極を形成する工程と、島状半導体層を形成するための工程を、１回のフォトリソグラフィ工程で行い、平坦化絶縁層を形成した後、コンタクトホールを形成する工程を１回のフォトリソグラフィ工程で行い、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と画素電極を形成する工程を１回のフォトリソグラフィ工程で行い、合計３回のフォトリソグラフィ工程で表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一と
する。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置に
おいて、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電
極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二
種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けら
れた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構
成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続する
パッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】電源パッドから電流出力用ＭＯＳトランジスタまでの距離に関わらず、各電流出力用ＭＯＳトランジスタから定電流が出力できるようにすること。
【解決手段】電流駆動部３において、電源パッドＰ１（電源電位ＶＤＤ）から各駆動セルまでの距離にかかわらず、駆動セル内のＰ型ＭＯＳトランジスタの基板電位が共通となるように、電源電位ＶＤＤの配線（Ｌ１）とは別に基板電位を設定するための配線（Ｌ２）を設ける。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の酸化絶縁膜を形成し、該第１の酸化絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行い、第１の酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させつつ、第１の酸化絶縁膜に含まれる酸素の一部を第１の酸化物半導体膜に拡散させ、水素濃度及び酸素欠陥を低減させた第２の酸化物半導体膜を形成する。次に、第２の酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、第３の酸化物半導体膜を形成した後、第２の酸化絶縁膜を形成して、当該第２の酸化絶縁膜を選択的にエッチングして、第３の酸化物半導体膜の端部を覆う保護膜を形成する。この後、第３の酸化物半導体膜及び保護膜上に一対の電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の有機ＴＦＴを狭い領域に形成することができる有機ＴＦＴ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
有機ＴＦＴ装置は、基板と、該基板上のトランジスタ領域に配置された複数の有機ＴＦＴと、を含む。ここで、該有機ＴＦＴ装置は、該トランジスタ領域を取り囲む単一の開口を有するバンクと、該バンクによって画定されかつ該有機ＴＦＴのチャネルを形成する単一の有機半導体層と、を含む。バンクはソース電極およびドレイン電極の一部の上に接するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】一定の大きさの領域内に形成するコンタクト部の数をより少なくできるようにした半導体装置、当該半導体装置を用いる表示装置、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３の少なくとも２つのトランジスタを有する画素２０が２次元配置されて成る有機ＥＬ表示装置において、中間層である書込みトランジスタ２３の半導体層２３２を、コンタクト部８１，８７の側壁部に対して電気的に接続する、所謂、サイドコンタクトの技術を用いることで、コンタクト部の数の削減を図る。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）