【課題】新規のＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を提供する。
【解決手段】本願は、Ｚｎ−（ＩＩ）−ＩＩＩ−Ｎにて示される新規の化合物半導体の形態の新たな組成物を提供する。このとき、上記ＩＩＩは、周期表のＩＩＩ族に属する１つ以上の元素であり、上記（ＩＩ）は、任意の元素であって、周期表のＩＩ族に属する１つ以上の元素である。上記化合物半導体の例としては、ＺｎＧａＮ、ＺｎＩｎＮ、ＺｎＩｎＧａＮ、ＺｎＡｌＮ、ＺｎＡｌＧａＮ、ＺｎＡｌＩｎＮ、および、ＺｎＡｌＧａＩｎＮを挙げることができる。このタイプの化合物半導体は、従来、知られていないものである。 （もっと読む）

【課題】出光側の電極が抵抗値の高い透明電極である場合に、その透明電極上に補助電極を容易且つ安定して形成することができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に第１電極２を形成する工程と、第１電極２から有機ＥＬ層６（６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ）に電荷を供給する領域Ｂを画定するための絶縁層３を所定のパターンで形成する工程と、絶縁層３上に、逆テーパー部５を両壁面又は片壁面に有する隔壁４を形成する工程と、第１電極２上に有機ＥＬ層６を形成する工程と、有機ＥＬ層６の上方向から全面に第２電極材料を乾式成膜して画素領域毎に透明な第２電極７を形成する工程と、隔壁４上の領域Ｃとその隔壁４を平面視で挟む両側又は片側に設けられた絶縁層３及び第２電極７の平面視重複領域（Ａ１及び／又はＡ２）とからなる領域Ｄに補助電極８を形成する工程と、を有する方法で有機ＥＬ素子１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明では、高画質で信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、画素領域における画素電極層上、及び画素電極層周辺を覆う隔壁として機能する絶縁層上に、スペーサを有する。このスペーサによって、発光材料を画素電極層上に形成する際、選択的に形成するためのマスクは支持され、マスクのよじれやたわみなどによって画素電極層に接することを防止する。よって、画素電極層にはマスクによる傷などの損傷が生じず、画素電極層は形状不良とならないので、高繊細な表示を行う、高信頼性な表示装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】表示素子パネルの周縁部の面積を極力低減できる配線構造を備えた、パッシブマトリクス駆動型の表示素子パネル、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上にストライプ状の第一電極２を形成する工程と、第一電極２を覆うとともに、第一電極２上の画素となる位置に表示層用開口部２１を有する絶縁層３を形成する工程と、絶縁層３が有する表示層用開口部２１内に表示層４を形成する工程と、表示層４上に、第一電極２に交差するようにストライプ状の第二電極５を形成する工程と、各第一電極２に接続するとともに、第二電極５と交互に並ぶストライプ状の接続配線２３を形成する工程と、を有する製造方法により、表示素子パネルを製造する。このとき、絶縁層３は第一電極２上に位置する接続配線用開口部２２を有し、接続配線２３は接続配線用開口部２２で第一電極２と接続している。 （もっと読む）

【課題】上層の塗布の際の下層の溶解を抑制した有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子用溶液を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、陽極層と、陰極層と、陽極層と陰極層との間に設けられ有機材料を含む発光層と、発光層と陰極層との間に設けられた中間層と、を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法が提供される。製造方法は、陽極層の上に、第１有機材料と第１溶媒とを含む第１溶液を塗布して発光層を形成する工程と、発光層の上に、低分子の第２有機材料と、アセチレンアルコール系界面活性剤を含み第１溶媒の溶解度パラメータよりも小さい溶解度パラメータを有する第２溶媒と、を含む第２溶液を塗布して中間層を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の外周部の配線回路の損傷・破壊を抑えることが可能な成膜用マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】枠体４０は、開口４１の周囲に、基板１１との対向面４０Ａから厚み方向の一部に段差４２を有している。この段差４２の端４２Ａは、基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の端１１０Ｄよりも外側に位置している。基板１１と枠体４０とを密着させる際に、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂと枠体４０との間に、段差４２によるすきまＧが生じる。よって、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂと枠体４０との間に異物が挟みこまれてしまうことが回避される。また、重力で基板１１がたわんでいても、基板１１が開口４１のエッジ４１Ａに最初に接触してしまうことが回避される。よって、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂの損傷・破壊が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】陰極の劣化の度合いが低く、且つ小型で軽量な表示装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置１は、薄膜状の有機ＥＬ素子２０と、有機ＥＬ素子２０の一方の面側に設けられる二次電池層１０とを備える。二次電池層１０は、電解質層１３と陰極活物質層１１とを備える。陰極活物質層１１は、電解質層１３における有機ＥＬ素子２０側の反対面側に設けられ、電解質層１３に電子を放出する。有機ＥＬ素子２０は、発光層２１と透明陰極層２２とを備える。さらに、表示装置１は、電解質層１３における陰極活物質層１１側の反対面側と、発光層２１における透明陰極層２２側の反対面側との間に、共通陽極層３０を備える。共通陽極層３０は、電解質層１３から電子を取り込み、且つ発光層２１に電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】レーザ封着に代表される光加熱封着に適用する際に、広い波長域で十分な光吸収率を有すると共に、封着温度を低温化することを可能にした封着用ガラスを提供する。
【解決手段】封着用ガラスは、酸化物基準のモル％表示で、２７〜３３％のＰ₂Ｏ₅、５０〜７０％のＳｎＯ、０．５〜３％のＴｅＯ₂、０〜１０％のＺｎＯ、０〜５％のＣａＯ、０〜５％のＳｒＯ、０〜５％のＢ₂Ｏ₃、０〜５％のＧａ₂Ｏ₃、０〜３％のＧｅＯ₂、０〜３％のＩｎ₂Ｏ₃、０〜３％のＬａ₂Ｏ₃、及び０〜３％のＷＯ₃を含むガラス組成物からなる。封着用ガラスはレーザ光等の光ビームで加熱する封着工程に適用され、電子デバイス１の封着層６の形成に使用される。 （もっと読む）

【課題】基板裏面からの二次ビームを原因とする干渉の影響を抑え、被照射物を均一にレーザアニールすることができ、且つスループットが良好である半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された半導体膜に、少なくとも１つのガルバノミラーとｆθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、前記基板の屈折率をｎ、前記基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、前記レーザビームのパルス幅であるｔ（秒）を、ｔ＜２ｎｄ／ｃという式により算出し、前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して、前記レーザビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造でき、且つ撓みを有したマスクを用いる場合であっても、非塗布領域にインクが染み込むのを防止できる有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】塗布領域１８と非塗布領域１９を有し且つ非塗布領域１９に貫通孔１２が設けられている基板１を準備する工程と、その塗布領域１８に塗布液を塗布するための開口部２８と非塗布領域１９に塗布液を塗布しないための非開口部２９とを有するマスク板２を準備する工程と、基板１をステージ３に減圧吸引する工程と、基板１上にマスク板２を載せ、その基板１が有する貫通孔１２を介してマスク板２を基板１上に減圧吸引する工程と、マスク板２が有する開口部２８内にノズル塗布法で有機ＥＬ層用塗布液を塗布する工程とを有する方法によって、有機ＥＬ素子を製造する。 （もっと読む）