成膜用マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法
【課題】基板の外周部の配線回路の損傷・破壊を抑えることが可能な成膜用マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】枠体４０は、開口４１の周囲に、基板１１との対向面４０Ａから厚み方向の一部に段差４２を有している。この段差４２の端４２Ａは、基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の端１１０Ｄよりも外側に位置している。基板１１と枠体４０とを密着させる際に、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂと枠体４０との間に、段差４２によるすきまＧが生じる。よって、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂと枠体４０との間に異物が挟みこまれてしまうことが回避される。また、重力で基板１１がたわんでいても、基板１１が開口４１のエッジ４１Ａに最初に接触してしまうことが回避される。よって、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂの損傷・破壊が抑えられる。
【解決手段】枠体４０は、開口４１の周囲に、基板１１との対向面４０Ａから厚み方向の一部に段差４２を有している。この段差４２の端４２Ａは、基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の端１１０Ｄよりも外側に位置している。基板１１と枠体４０とを密着させる際に、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂと枠体４０との間に、段差４２によるすきまＧが生じる。よって、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂと枠体４０との間に異物が挟みこまれてしまうことが回避される。また、重力で基板１１がたわんでいても、基板１１が開口４１のエッジ４１Ａに最初に接触してしまうことが回避される。よって、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂの損傷・破壊が抑えられる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）などの表示装置の製造に用いられる成膜用マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬなどの表示装置の製造には、ＲＧＢ各色の画素に合わせた微細な開口をもつマスクを用いた塗り分け方式と、成膜範囲とほぼ同じサイズの大きな開口をもつ、いわゆるエリアマスクを用いたエリア成膜方式とがある。そのうち、エリア成膜方式では、成膜対象である基板をマスクと密着させて成膜を行う（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１０６９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来では、基板の外周部とマスクとを密着させる際に、それらの間に異物を挟みこんでしまい、基板の外周部に設けられた配線回路が損傷を受けたり破壊されたりしてしまうという問題点があった。また、基板とマスクとを密着させる際に、重力で基板がたわんでいることにより、基板がマスクの開口のエッジ（端面またはその角）に最初に接触してしまい、これも外周部の配線回路の損傷・破壊の原因となってしまっていた。
【０００５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、基板の外周部の配線回路の損傷・破壊を抑えることが可能な成膜用マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による成膜用マスクは、少なくとも一つの表示領域が設けられると共に表示領域内および表示領域以外の外周部に配線回路が設けられた基板に対して、表示領域の全体に膜を形成するためのものであって、表示領域に対向して成膜材料通過用の開口を有する枠体を備え、枠体は、開口の周囲に、基板との対向面から厚み方向の一部に段差を有し、段差の端は、基板の外周部の配線回路の端よりも外側に位置しているものである。
【０００７】
本発明による表示装置の製造方法は、少なくとも一つの表示領域が設けられた基板に対して、表示領域内および表示領域以外の外周部に配線回路を形成すると共に、表示領域に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する複数の有機発光素子を形成するものであって、有機層および第２電極のうち少なくとも一方を、上記本発明の成膜用マスクを用いて形成するようにしたものである。
【０００８】
本発明の成膜用マスク、または本発明による表示装置の製造方法では、成膜用マスクの枠体は、開口の周囲に、基板との対向面から厚み方向の一部に段差を有しており、この段差の端は、基板の外周部の配線回路の端よりも外側に位置しているので、基板の外周部と枠体とを密着させる際に、外周部の配線回路と枠体との間に、段差によるすきまが生じる。よって、配線回路と枠体との間に異物が挟みこまれてしまうことが回避され、基板の外周部の配線回路の損傷・破壊が抑えられる。また、基板の外周部と枠体とを密着させる際に、重力で基板がたわんでいても、基板と枠体との間に、段差によるすきまが確保される。よって、基板が開口のエッジに最初に接触してしまうことが回避され、基板の外周部の配線回路の損傷・破壊が抑えられる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の成膜用マスク、または本発明による表示装置の製造方法によれば、成膜用マスクの枠体の開口の周囲に、基板との対向面から厚み方向の一部に段差を設け、この段差の端を、基板の外周部の配線回路の端よりも外側に位置させるようにしたので、基板の外周部の配線回路の損傷・破壊を抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る成膜用マスクを用いて製造される表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す等価回路図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図４】図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。
【図５】図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図６】図５に続く工程を表す断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る成膜用マスクの構成を表す斜視図である。
【図９】図８に示した成膜用マスクの断面図である。
【図１０】図９に示した基板のたわみ量の計算結果を表す図である。
【図１１】従来の成膜用マスクの構成を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に示した成膜用マスクの問題点を説明するための断面図である。
【図１３】図７に続く工程を表す断面図である。
【図１４】表示装置の他の例を表す断面図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係る成膜用マスクの構成を表す平面図である。
【図１６】図１５に示した成膜用マスクの断面図である。
【図１７】段差による成膜材料の回り込みを説明するための図である。
【図１８】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１９】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２０】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２１】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２２】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２３】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【図２４】図１に示した基板の変形例を表す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（枠体に段差を設けた例）
２．第２の実施の形態（段差に凸部を設けた例）
３．適用例
【００１２】
（第１の実施の形態）
まず、本発明の第１の実施の形態に係る成膜用マスクの説明に先立ち、このマスクにより製造される表示装置の一例を具体的に説明する。
【００１３】
この表示装置は、有機ＥＬテレビジョン装置などとして用いられるものであり、例えば図１に示したように、ガラス等よりなる基板１１の上に、表示領域１１０として、後述する複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されたものである。表示領域１１０以外の外周部には、配線回路として、例えば、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。なお、本実施の形態では、基板１１の中央部に一つの表示領域１１０が設けられている場合について説明する。
【００１４】
表示領域１１０内には、配線回路として、画素駆動回路１４０が設けられている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する下部電極１３の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。すなわち、この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００１５】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００１６】
図３は、表示領域１１０の断面構成を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機ＥＬ素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機ＥＬ素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機ＥＬ素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば図４に示したように、短冊状（長方形）の平面形状を有し、発光色ごとに長手方向に列をなすように配置されている。なお、隣り合う有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。
【００１７】
有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１、平坦化層１２、陽極としての第１電極１３、絶縁膜１４、後述する発光層を含む有機層１５、および陰極としての第２電極１６がこの順に積層された構成を有している。このうち、第２電極１６は、本実施の形態の成膜用マスクを用いて形成されたものである。
【００１８】
このような有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、窒化ケイ素（ＳｉＮ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ）などの保護膜１７により被覆され、更にこの保護膜１７
上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層２０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板３１が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。封止用基板３１には、必要に応じてカラーフィルタ３２およびブラックマトリクスとしての光遮蔽膜（図示せず）が設けられていてもよい。
【００１９】
駆動トランジスタＴｒ１は、平坦化層１２に設けられた接続孔１２Ａを介して第１電極１３に電気的に接続されている。平坦化層１２は、画素駆動回路１４０が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔１２Ａが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化層１２の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）などの無機材料が挙げられる。
【００２０】
第１電極１３は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。また、第１電極１３は、反射層としての機能も兼ねており、例えば、白金（Ｐｔ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），クロム（Ｃｒ）あるいはタングステン（Ｗ）などの金属または合金により構成されている。絶縁膜１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保すると共に、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける発光領域の形状を正確に所望の形状とするためのものであり、例えば、ポリイミドにより構成されている。
【００２１】
有機層１５は、例えば、正孔輸送層，発光層および電子輸送層が第１電極１３の側からこの順に積層された構造を有している。正孔輸送層は発光層への正孔注入効率を高めるためのものである。発光層は電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子注入効率を高めるためのものである。有機ＥＬ素子１０Ｒの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）が挙げられ、有機ＥＬ素子１０Ｒの発光層の構成材料としては、例えば、２，５−ビス−［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］］スチリルベンゼン−１，４−ジカーボニトリル（ＢＳＢ）が挙げられ、有機ＥＬ素子１０Ｒの電子輸送層の構成材料としては、例えば、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３ ）が挙げられる。有機ＥＬ素子１０Ｂの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられ、有機ＥＬ素子１０Ｂの発光層の構成材料としては、例えば、４，４´−ビス（２，２´−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）が挙げられ、有機ＥＬ素子１０Ｂの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ３ が挙げられる。有機ＥＬ素子１０Ｇの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられ、有機ＥＬ素子１０Ｇの発光層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ３ にクマリン６（Ｃ６；Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を１体積％混合したものが挙げられ、有機ＥＬ素子１０Ｇの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ３ が挙げられる。
【００２２】
第２電極１６は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの共通電極として、基板１１の表示領域１１０の全体に設けられている。また、第２電極１６は、半透過性電極により構成されており、発光層で発生した光は第２電極１６の側から取り出されるようになっている。第２電極１６は、例えば、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属または合金により構成されている。
【００２３】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００２４】
まず、上述した材料よりなる基板１１を用意し、この基板１１の表示領域１１０内に、図５（Ａ）に示したように、配線回路として、画素駆動回路１４０を形成する。また、表示領域１１０以外の外周部には、配線回路として、図１に示したように信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０を設ける。
【００２５】
次いで、図５（Ｂ）に示したように、基板１１の全面に、例えばスピンコート法により、例えば感光性ポリイミドよりなる平坦化層１２を塗布形成し、露光、現像処理により所定の形状にパターニングすると共に接続孔１２Ａを形成したのち、焼成する。
【００２６】
続いて、図６（Ａ）に示したように、平坦化層１２の上に、例えばスパッタ法により、例えば上述した材料よりなる第１電極１３を形成したのち、例えばリソグラフィー技術およびエッチングにより、第１電極１３を所定の形状にパターニングする。これにより、平坦化層１２の上に、複数の第１電極１３が形成される。
【００２７】
そののち、図６（Ｂ）に示したように、基板１１の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、露光および現像処理により開口部を設けたのち、焼成して、絶縁膜１４を形成する。
【００２８】
続いて、図７（Ａ）に示したように、例えば真空蒸着法により、上述した材料よりなる有機ＥＬ素子１０Ｒの正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層を順次成膜し、有機ＥＬ素子１０Ｒの有機層１５を形成する。そののち、同じく図７（Ａ）に示したように、有機ＥＬ素子１０Ｇの正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層を順次成膜し、有機ＥＬ素子１０Ｇの有機層１５を形成する。続いて、同じく図７（Ａ）に示したように、有機ＥＬ素子１０Ｒの有機層１５と同様にして、上述した材料よりなる有機ＥＬ素子１０Ｂの正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層を順次成膜し、有機ＥＬ素子１０Ｂの有機層１５を形成する。
【００２９】
有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機層１５を形成したのち、図７（Ｂ）に示したように、基板１１の全面にわたり、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる第２電極１６を形成する。以上により、図１および図３に示した有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００３０】
本実施の形態では、以上の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１６を、成膜用マスクを用いた真空蒸着法により形成する。この成膜用マスク１は、表示領域１１０の全体に膜を形成するためのものであって、図８に示したように、基板１１よりもやや大きな矩形状の枠体４０を備えている。枠体４０は、表示領域１１０に対向して成膜材料通過用の開口４１を有しており、基板１１は、成膜面を下に向けて枠体４０の上に載置されるようになっている。
【００３１】
枠体４０は、第２電極１６が形成される基板１１と同等の線熱膨張係数を有する材料により構成されていることが好ましい。蒸着時の温度変化に伴い、枠体４０と基板１１とを同期して膨張収縮させると共に、膨張収縮による寸法変化量を等しくすることができるからである。更に、枠体４０は、高い剛性および十分な厚みを有し、線熱膨張係数のほか、熱容量、表面の輻射射出率、周囲の支持体（図示せず）との熱伝導により流入流出する伝熱量、および蒸着源（図示せず）からの輻射熱を遮る断熱板（図示せず）により制限される流入熱量などを最適に調節して設計されていることが望ましい。
【００３２】
図９は、成膜用マスク１の断面構造を表したものであり、枠体４０上に基板１１を載せた状態を表している。基板１１は、表示領域１１０と、表示領域１１０以外の外周部１１０Ａとを有している。表示領域１１０内には、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各層と、配線回路１１０Ｂ（すなわち、画素駆動回路１４０）とが形成されている。外周部１１０Ａには、配線回路１１０Ｂ（すなわち、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０）が設けられている。外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂは、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各層により覆われず露出している配線回路露出領域１１０Ｃとなっている。また、基板１１は枠体４０上に置かれており、開口４１が表示領域１１０に対向し、枠体４０が外周部１１０Ａに対向している。なお、図９では、重力により基板１１にたわみが生じている状態を表している。
【００３３】
枠体４０は、開口４１の周囲に、基板１１との対向面４０Ａから厚み方向の一部に段差４２を有している。この段差４２の端４２Ａは、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の端１１０Ｄよりも外側（基板１１の端１１Ａの側）に位置している。すなわち、段差４２の幅Ｗ４２は、枠体４０が外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）に接触しない程度に十分に大きく設定されている。これにより、この成膜用マスク１では、基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊を抑えることが可能となっている。
【００３４】
段差４２の高さＨ４２は、枠体４０の上に載置された基板１１のたわみ量よりも大きいことが好ましい。これにより、重力で基板１１がたわんでいても、基板１１が開口４１のエッジ４１Ａに最初に接触してしまうことが回避され、基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊が抑えられる。
【００３５】
基板１１のたわみ量（たわみ角度θ）は、基板１１の板厚や受け方により変わるが、有限要素法シミュレーションまたは実測により事前に知ることが可能である。図１０は、板厚０．５ｍｍ、７３０ｍｍ×９２０ｍｍサイズの基板１１を２０点受けにした場合において、基板１１の短辺（７３０ｍｍの辺）方向のたわみ量のシミュレーション結果を表したものである。図１０から、基板１１のたわみ角度θは、基板１１の端１１Ａから６０ｍｍ以内では１．９°、基板１１の端１１Ａから１８０ｍｍの位置では０．６°となり、基板１１の端１１Ａ近傍のたわみ角度θがきつくなることが分かる。この場合には、例えば段差４２の幅Ｗ４２を２ｍｍとした場合、段差４２の高さＨ４２は６７μｍ以上であることが好ましい。
【００３６】
この成膜用マスク１は、例えば、上述した枠体４０の材料よりなる板を用意し、この板に例えばエッチングにより開口４１および段差４２を設けることにより製造することができる。その際、基板１１との対向面４０Ａには、開口４１および段差４２以外の領域にマスクを形成し、反対側の面には、開口４１以外の領域にマスクを形成する。なお、開口４１および段差４２は、機械加工あるいはレーザ加工などの他の方法により形成することも可能である。
【００３７】
この成膜用マスク１では、図示しない蒸着源からの蒸着材料が開口４１を通過し、基板１１上に第２電極１６が形成される。ここでは、枠体４０の開口４１の周囲に段差４２が設けられており、この段差４２の端４２Ａが、基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の端１１０Ｄよりも外側に位置しているので、基板１１と枠体４０とを密着させる際に、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）と枠体４０との間に、段差４２によるすきまＧが生じる。よって、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）と枠体４０との間に異物が挟みこまれてしまうことが回避され、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊が抑えられる。また、基板１１と枠体４０とを密着させる際に、重力で基板１１がたわんでいても、基板１１と枠体４０との間に、段差４２によるすきまＧが確保される。よって、基板１１が開口４１のエッジ４１Ａに最初に接触してしまうことが回避され、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊が抑えられる。従って、歩留まりが向上する。
【００３８】
これに対して、従来の成膜用マスクでは、図１１に示したように、段差が設けられていなかったので、図１２に示したように、基板８１１とマスク８４０とを密着させる際に、それらの間に異物８５０を挟みこんでしまい、外周部８１０Ａの配線回路８１０Ｂ（配線回路露出領域８１０Ｃ）が損傷を受けたり破壊されたりしてしまっていた。また、基板８１１とマスク８４０とを密着させる際に、重力で基板８１０がたわんでいることにより、基板８１１がマスク８４０の開口８４１のエッジ８４１Ａに最初に接触してしまい、これも外周部８１０Ａの配線回路８１０Ｂ（配線回路露出領域８１０Ｃ）の損傷・破壊の原因となってしまっていた。なお、図１１および図１２では、図９に対応する構成要素には図９と同一の８００番台の符号を付して表している。
【００３９】
このようにして成膜用マスク１を用いて第２電極１６を形成したのち、図１３に示したように、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法により、第２電極１６の上に、上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。
【００４０】
また、例えば、上述した材料よりなる封止用基板３１の上に、赤色フィルタの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタを形成する。続いて、赤色フィルタと同様にして、青色フィルタおよび緑色フィルタを順次形成する。
【００４１】
そののち、保護膜１７の上に、接着層２０を形成し、この接着層２０を間にして封止用基板３１を貼り合わせる。以上により、図１ないし図３に示した表示装置が完成する。
【００４２】
この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６，カラーフィルタ３２および封止用基板３１を透過して取り出される。
【００４３】
ここでは、第２電極１６を上記の成膜用マスク１を使用して形成しているので、基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊が抑えられている。配線回路１１０Ｂの損傷・破壊による不良は進行性があることが多く、後になって信頼性不良を発現するが、検査で見つけることが難しい。よって、第２電極１６を成膜用マスク１を使用して形成することにより、そのような進行性のある不良の発生を未然に抑え、信頼性を向上させることが可能となる。
【００４４】
このように本実施の形態では、成膜用マスク１の枠体４０の開口４１の周囲に、基板１１との対向面４０Ａから厚み方向の一部に段差４２を設け、この段差４２の端４２Ａを、基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の端１１０Ｄよりも外側に位置させるようにしたので、基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊を抑えることが可能となる。
【００４５】
なお、上記実施の形態では、第２電極１６のみを上記の成膜用マスク１を使用して形成する場合について説明したが、この成膜用マスク１は、図１４に示したように、白色発光の有機層１５を表示領域１１０の全体に形成する場合にも適用可能である。その場合には、白色発光の有機層１５および第２電極１６の両方を成膜用マスク１を用いて形成することが可能である。
【００４６】
（第２の実施の形態）
図１５および図１６は、本発明の第２の実施の形態に係る成膜用マスク１Ａの構成を表すものである。この成膜用マスク１Ａは、段差４２内に凸部４３を設けることにより、段差４２の高さＨ４２を小さくするようにしたことを除いては、第１の実施の形態の成膜用マスク１と同一の構成を有し、その作用および効果も同一である。
【００４７】
第１の実施の形態の成膜用マスク１では、段差４２の高さＨ４２を大きくしていくと、基板１１と枠体４０との間のすきまＧが大きくなる。その結果、図１７に示したように、成膜時に成膜材料の回り込み４４が大きくなるので、外周部１１０Ａの幅を広くする必要が生じ、額縁サイズが大きくなる。従って、狭額縁化のためには、段差４２の高さＨ４２はできるだけ低くすることが望ましい。
【００４８】
そこで、本実施の形態では、基板１１の外周部１１０Ａには、段差４２に対向する領域内に、配線回路１１０Ｂの設けられていないすきま部分１１０Ｅを設ける一方、枠体４０には、段差４２のすきま部分１１０Ｅに対向する位置に、段差４２と同じ高さの凸部４３を設けるようにしている。これにより、基板１１と枠体４０とを密着させる際に、凸部４３は、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）ではなく、基板１１のすきま部分１１０Ｅのガラス面に接触する。よって、凸部４３との接触による基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊が抑えられる。
【００４９】
また、基板１１の外周部１１０Ａは凸部４３によって支持されるので、段差４２の高さＨ４２を基板１１のたわみ量よりも小さくしても、基板１１が開口４１のエッジ４１Ａに最初に接触してしまうことが回避される。よって、エッジ４１Ａとの接触による基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊が抑えられる。
【００５０】
図１０の例で説明すると、段差４２の幅Ｗ４２を２ｍｍとした場合、凸部４３を設けたときには、段差４２の高さＨ４２を６７μｍ未満とすることが可能となる。凸部４３の形状は特に限定されず、ダボ（円柱）でもよいし、角柱でもよい。
【００５１】
この成膜用マスク１Ａは、基板１１との対向面４０Ａに形成するマスクを、開口４１および段差４２以外の領域と、段差４２内の凸部４３の形成予定位置とに設けることを除いては、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。
【００５２】
このように本実施の形態では、基板１１の外周部１１０Ａには、段差４２に対向する領域内に、配線回路１１０Ｂの設けられていないすきま部分１１０Ｅを設ける一方、枠体４０には、段差４２のすきま部分１１０Ｅに対向する位置に、段差４２と同じ高さの凸部４３を設けるようにしたので、この凸部４３により基板１１の外周部１１０Ａが支持されると共に凸部４３が外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）に接触することがない。よって、段差４２の高さＨ４２を基板１１のたわみ量よりも小さくしても、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊を抑えることが可能となる。よって、成膜材料の回り込みを低減することが可能となり、狭額縁な表示装置の実現に有利である。
【００５３】
（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００５４】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図１８に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板３１から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００５５】
（適用例１）
図１９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００５６】
（適用例２）
図２０は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００５７】
（適用例３）
図２１は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００５８】
（適用例４）
図２２は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００５９】
（適用例５）
図２３は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００６０】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、基板１１の中央部に一つの表示領域１１０が設けられている場合について説明したが、一枚の基板１１に二つ以上の表示領域１１０が設けられていてもよい。例えば、図２４に示したように、大型の基板１１に二つの表示領域１１０が設けられていてもよい。
【００６１】
また、上記実施の形態では、成膜用マスク１，１Ａを蒸着法に用いた場合について説明したが、本発明の成膜用マスク１，１Ａは、スパッタ法などの他の成膜法にも用いることが可能である。
【００６２】
更に、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、基板１１はガラス基板に限らず、ステンレス鋼などの金属基板、プラスチックフィルムをガラス等の支持体に貼りつけたものでもよい。
【００６３】
加えて、上記実施の形態では、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【００６４】
更にまた、上記実施の形態では、本発明の成膜用マスクを有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを備えた表示装置の第２電極１６または有機層１５の形成に適用した場合について説明したが、本発明は、半導体製造プロセスなどにも適用可能である。
【符号の説明】
【００６５】
１，１Ａ…成膜用マスク、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１１…基板、１３…第１電極（陽極）、１４…絶縁膜、１５…有機層、１６…第２電極（陰極）、２０…接着層、３１…封止用基板、４０…枠体、４１…開口、４２…段差、４３…凸部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）などの表示装置の製造に用いられる成膜用マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬなどの表示装置の製造には、ＲＧＢ各色の画素に合わせた微細な開口をもつマスクを用いた塗り分け方式と、成膜範囲とほぼ同じサイズの大きな開口をもつ、いわゆるエリアマスクを用いたエリア成膜方式とがある。そのうち、エリア成膜方式では、成膜対象である基板をマスクと密着させて成膜を行う（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１０６９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来では、基板の外周部とマスクとを密着させる際に、それらの間に異物を挟みこんでしまい、基板の外周部に設けられた配線回路が損傷を受けたり破壊されたりしてしまうという問題点があった。また、基板とマスクとを密着させる際に、重力で基板がたわんでいることにより、基板がマスクの開口のエッジ（端面またはその角）に最初に接触してしまい、これも外周部の配線回路の損傷・破壊の原因となってしまっていた。
【０００５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、基板の外周部の配線回路の損傷・破壊を抑えることが可能な成膜用マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による成膜用マスクは、少なくとも一つの表示領域が設けられると共に表示領域内および表示領域以外の外周部に配線回路が設けられた基板に対して、表示領域の全体に膜を形成するためのものであって、表示領域に対向して成膜材料通過用の開口を有する枠体を備え、枠体は、開口の周囲に、基板との対向面から厚み方向の一部に段差を有し、段差の端は、基板の外周部の配線回路の端よりも外側に位置しているものである。
【０００７】
本発明による表示装置の製造方法は、少なくとも一つの表示領域が設けられた基板に対して、表示領域内および表示領域以外の外周部に配線回路を形成すると共に、表示領域に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する複数の有機発光素子を形成するものであって、有機層および第２電極のうち少なくとも一方を、上記本発明の成膜用マスクを用いて形成するようにしたものである。
【０００８】
本発明の成膜用マスク、または本発明による表示装置の製造方法では、成膜用マスクの枠体は、開口の周囲に、基板との対向面から厚み方向の一部に段差を有しており、この段差の端は、基板の外周部の配線回路の端よりも外側に位置しているので、基板の外周部と枠体とを密着させる際に、外周部の配線回路と枠体との間に、段差によるすきまが生じる。よって、配線回路と枠体との間に異物が挟みこまれてしまうことが回避され、基板の外周部の配線回路の損傷・破壊が抑えられる。また、基板の外周部と枠体とを密着させる際に、重力で基板がたわんでいても、基板と枠体との間に、段差によるすきまが確保される。よって、基板が開口のエッジに最初に接触してしまうことが回避され、基板の外周部の配線回路の損傷・破壊が抑えられる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の成膜用マスク、または本発明による表示装置の製造方法によれば、成膜用マスクの枠体の開口の周囲に、基板との対向面から厚み方向の一部に段差を設け、この段差の端を、基板の外周部の配線回路の端よりも外側に位置させるようにしたので、基板の外周部の配線回路の損傷・破壊を抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る成膜用マスクを用いて製造される表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す等価回路図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図４】図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。
【図５】図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図６】図５に続く工程を表す断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る成膜用マスクの構成を表す斜視図である。
【図９】図８に示した成膜用マスクの断面図である。
【図１０】図９に示した基板のたわみ量の計算結果を表す図である。
【図１１】従来の成膜用マスクの構成を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に示した成膜用マスクの問題点を説明するための断面図である。
【図１３】図７に続く工程を表す断面図である。
【図１４】表示装置の他の例を表す断面図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係る成膜用マスクの構成を表す平面図である。
【図１６】図１５に示した成膜用マスクの断面図である。
【図１７】段差による成膜材料の回り込みを説明するための図である。
【図１８】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１９】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２０】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２１】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２２】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２３】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【図２４】図１に示した基板の変形例を表す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（枠体に段差を設けた例）
２．第２の実施の形態（段差に凸部を設けた例）
３．適用例
【００１２】
（第１の実施の形態）
まず、本発明の第１の実施の形態に係る成膜用マスクの説明に先立ち、このマスクにより製造される表示装置の一例を具体的に説明する。
【００１３】
この表示装置は、有機ＥＬテレビジョン装置などとして用いられるものであり、例えば図１に示したように、ガラス等よりなる基板１１の上に、表示領域１１０として、後述する複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されたものである。表示領域１１０以外の外周部には、配線回路として、例えば、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。なお、本実施の形態では、基板１１の中央部に一つの表示領域１１０が設けられている場合について説明する。
【００１４】
表示領域１１０内には、配線回路として、画素駆動回路１４０が設けられている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する下部電極１３の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。すなわち、この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００１５】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００１６】
図３は、表示領域１１０の断面構成を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機ＥＬ素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機ＥＬ素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機ＥＬ素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば図４に示したように、短冊状（長方形）の平面形状を有し、発光色ごとに長手方向に列をなすように配置されている。なお、隣り合う有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。
【００１７】
有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１、平坦化層１２、陽極としての第１電極１３、絶縁膜１４、後述する発光層を含む有機層１５、および陰極としての第２電極１６がこの順に積層された構成を有している。このうち、第２電極１６は、本実施の形態の成膜用マスクを用いて形成されたものである。
【００１８】
このような有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、窒化ケイ素（ＳｉＮ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ）などの保護膜１７により被覆され、更にこの保護膜１７
上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層２０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板３１が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。封止用基板３１には、必要に応じてカラーフィルタ３２およびブラックマトリクスとしての光遮蔽膜（図示せず）が設けられていてもよい。
【００１９】
駆動トランジスタＴｒ１は、平坦化層１２に設けられた接続孔１２Ａを介して第１電極１３に電気的に接続されている。平坦化層１２は、画素駆動回路１４０が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔１２Ａが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化層１２の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）などの無機材料が挙げられる。
【００２０】
第１電極１３は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。また、第１電極１３は、反射層としての機能も兼ねており、例えば、白金（Ｐｔ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），クロム（Ｃｒ）あるいはタングステン（Ｗ）などの金属または合金により構成されている。絶縁膜１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保すると共に、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける発光領域の形状を正確に所望の形状とするためのものであり、例えば、ポリイミドにより構成されている。
【００２１】
有機層１５は、例えば、正孔輸送層，発光層および電子輸送層が第１電極１３の側からこの順に積層された構造を有している。正孔輸送層は発光層への正孔注入効率を高めるためのものである。発光層は電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子注入効率を高めるためのものである。有機ＥＬ素子１０Ｒの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）が挙げられ、有機ＥＬ素子１０Ｒの発光層の構成材料としては、例えば、２，５−ビス−［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］］スチリルベンゼン−１，４−ジカーボニトリル（ＢＳＢ）が挙げられ、有機ＥＬ素子１０Ｒの電子輸送層の構成材料としては、例えば、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３ ）が挙げられる。有機ＥＬ素子１０Ｂの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられ、有機ＥＬ素子１０Ｂの発光層の構成材料としては、例えば、４，４´−ビス（２，２´−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）が挙げられ、有機ＥＬ素子１０Ｂの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ３ が挙げられる。有機ＥＬ素子１０Ｇの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられ、有機ＥＬ素子１０Ｇの発光層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ３ にクマリン６（Ｃ６；Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を１体積％混合したものが挙げられ、有機ＥＬ素子１０Ｇの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ３ が挙げられる。
【００２２】
第２電極１６は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの共通電極として、基板１１の表示領域１１０の全体に設けられている。また、第２電極１６は、半透過性電極により構成されており、発光層で発生した光は第２電極１６の側から取り出されるようになっている。第２電極１６は、例えば、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属または合金により構成されている。
【００２３】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００２４】
まず、上述した材料よりなる基板１１を用意し、この基板１１の表示領域１１０内に、図５（Ａ）に示したように、配線回路として、画素駆動回路１４０を形成する。また、表示領域１１０以外の外周部には、配線回路として、図１に示したように信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０を設ける。
【００２５】
次いで、図５（Ｂ）に示したように、基板１１の全面に、例えばスピンコート法により、例えば感光性ポリイミドよりなる平坦化層１２を塗布形成し、露光、現像処理により所定の形状にパターニングすると共に接続孔１２Ａを形成したのち、焼成する。
【００２６】
続いて、図６（Ａ）に示したように、平坦化層１２の上に、例えばスパッタ法により、例えば上述した材料よりなる第１電極１３を形成したのち、例えばリソグラフィー技術およびエッチングにより、第１電極１３を所定の形状にパターニングする。これにより、平坦化層１２の上に、複数の第１電極１３が形成される。
【００２７】
そののち、図６（Ｂ）に示したように、基板１１の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、露光および現像処理により開口部を設けたのち、焼成して、絶縁膜１４を形成する。
【００２８】
続いて、図７（Ａ）に示したように、例えば真空蒸着法により、上述した材料よりなる有機ＥＬ素子１０Ｒの正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層を順次成膜し、有機ＥＬ素子１０Ｒの有機層１５を形成する。そののち、同じく図７（Ａ）に示したように、有機ＥＬ素子１０Ｇの正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層を順次成膜し、有機ＥＬ素子１０Ｇの有機層１５を形成する。続いて、同じく図７（Ａ）に示したように、有機ＥＬ素子１０Ｒの有機層１５と同様にして、上述した材料よりなる有機ＥＬ素子１０Ｂの正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層を順次成膜し、有機ＥＬ素子１０Ｂの有機層１５を形成する。
【００２９】
有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機層１５を形成したのち、図７（Ｂ）に示したように、基板１１の全面にわたり、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる第２電極１６を形成する。以上により、図１および図３に示した有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００３０】
本実施の形態では、以上の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１６を、成膜用マスクを用いた真空蒸着法により形成する。この成膜用マスク１は、表示領域１１０の全体に膜を形成するためのものであって、図８に示したように、基板１１よりもやや大きな矩形状の枠体４０を備えている。枠体４０は、表示領域１１０に対向して成膜材料通過用の開口４１を有しており、基板１１は、成膜面を下に向けて枠体４０の上に載置されるようになっている。
【００３１】
枠体４０は、第２電極１６が形成される基板１１と同等の線熱膨張係数を有する材料により構成されていることが好ましい。蒸着時の温度変化に伴い、枠体４０と基板１１とを同期して膨張収縮させると共に、膨張収縮による寸法変化量を等しくすることができるからである。更に、枠体４０は、高い剛性および十分な厚みを有し、線熱膨張係数のほか、熱容量、表面の輻射射出率、周囲の支持体（図示せず）との熱伝導により流入流出する伝熱量、および蒸着源（図示せず）からの輻射熱を遮る断熱板（図示せず）により制限される流入熱量などを最適に調節して設計されていることが望ましい。
【００３２】
図９は、成膜用マスク１の断面構造を表したものであり、枠体４０上に基板１１を載せた状態を表している。基板１１は、表示領域１１０と、表示領域１１０以外の外周部１１０Ａとを有している。表示領域１１０内には、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各層と、配線回路１１０Ｂ（すなわち、画素駆動回路１４０）とが形成されている。外周部１１０Ａには、配線回路１１０Ｂ（すなわち、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０）が設けられている。外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂは、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各層により覆われず露出している配線回路露出領域１１０Ｃとなっている。また、基板１１は枠体４０上に置かれており、開口４１が表示領域１１０に対向し、枠体４０が外周部１１０Ａに対向している。なお、図９では、重力により基板１１にたわみが生じている状態を表している。
【００３３】
枠体４０は、開口４１の周囲に、基板１１との対向面４０Ａから厚み方向の一部に段差４２を有している。この段差４２の端４２Ａは、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の端１１０Ｄよりも外側（基板１１の端１１Ａの側）に位置している。すなわち、段差４２の幅Ｗ４２は、枠体４０が外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）に接触しない程度に十分に大きく設定されている。これにより、この成膜用マスク１では、基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊を抑えることが可能となっている。
【００３４】
段差４２の高さＨ４２は、枠体４０の上に載置された基板１１のたわみ量よりも大きいことが好ましい。これにより、重力で基板１１がたわんでいても、基板１１が開口４１のエッジ４１Ａに最初に接触してしまうことが回避され、基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊が抑えられる。
【００３５】
基板１１のたわみ量（たわみ角度θ）は、基板１１の板厚や受け方により変わるが、有限要素法シミュレーションまたは実測により事前に知ることが可能である。図１０は、板厚０．５ｍｍ、７３０ｍｍ×９２０ｍｍサイズの基板１１を２０点受けにした場合において、基板１１の短辺（７３０ｍｍの辺）方向のたわみ量のシミュレーション結果を表したものである。図１０から、基板１１のたわみ角度θは、基板１１の端１１Ａから６０ｍｍ以内では１．９°、基板１１の端１１Ａから１８０ｍｍの位置では０．６°となり、基板１１の端１１Ａ近傍のたわみ角度θがきつくなることが分かる。この場合には、例えば段差４２の幅Ｗ４２を２ｍｍとした場合、段差４２の高さＨ４２は６７μｍ以上であることが好ましい。
【００３６】
この成膜用マスク１は、例えば、上述した枠体４０の材料よりなる板を用意し、この板に例えばエッチングにより開口４１および段差４２を設けることにより製造することができる。その際、基板１１との対向面４０Ａには、開口４１および段差４２以外の領域にマスクを形成し、反対側の面には、開口４１以外の領域にマスクを形成する。なお、開口４１および段差４２は、機械加工あるいはレーザ加工などの他の方法により形成することも可能である。
【００３７】
この成膜用マスク１では、図示しない蒸着源からの蒸着材料が開口４１を通過し、基板１１上に第２電極１６が形成される。ここでは、枠体４０の開口４１の周囲に段差４２が設けられており、この段差４２の端４２Ａが、基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の端１１０Ｄよりも外側に位置しているので、基板１１と枠体４０とを密着させる際に、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）と枠体４０との間に、段差４２によるすきまＧが生じる。よって、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）と枠体４０との間に異物が挟みこまれてしまうことが回避され、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊が抑えられる。また、基板１１と枠体４０とを密着させる際に、重力で基板１１がたわんでいても、基板１１と枠体４０との間に、段差４２によるすきまＧが確保される。よって、基板１１が開口４１のエッジ４１Ａに最初に接触してしまうことが回避され、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊が抑えられる。従って、歩留まりが向上する。
【００３８】
これに対して、従来の成膜用マスクでは、図１１に示したように、段差が設けられていなかったので、図１２に示したように、基板８１１とマスク８４０とを密着させる際に、それらの間に異物８５０を挟みこんでしまい、外周部８１０Ａの配線回路８１０Ｂ（配線回路露出領域８１０Ｃ）が損傷を受けたり破壊されたりしてしまっていた。また、基板８１１とマスク８４０とを密着させる際に、重力で基板８１０がたわんでいることにより、基板８１１がマスク８４０の開口８４１のエッジ８４１Ａに最初に接触してしまい、これも外周部８１０Ａの配線回路８１０Ｂ（配線回路露出領域８１０Ｃ）の損傷・破壊の原因となってしまっていた。なお、図１１および図１２では、図９に対応する構成要素には図９と同一の８００番台の符号を付して表している。
【００３９】
このようにして成膜用マスク１を用いて第２電極１６を形成したのち、図１３に示したように、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法により、第２電極１６の上に、上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。
【００４０】
また、例えば、上述した材料よりなる封止用基板３１の上に、赤色フィルタの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタを形成する。続いて、赤色フィルタと同様にして、青色フィルタおよび緑色フィルタを順次形成する。
【００４１】
そののち、保護膜１７の上に、接着層２０を形成し、この接着層２０を間にして封止用基板３１を貼り合わせる。以上により、図１ないし図３に示した表示装置が完成する。
【００４２】
この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６，カラーフィルタ３２および封止用基板３１を透過して取り出される。
【００４３】
ここでは、第２電極１６を上記の成膜用マスク１を使用して形成しているので、基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊が抑えられている。配線回路１１０Ｂの損傷・破壊による不良は進行性があることが多く、後になって信頼性不良を発現するが、検査で見つけることが難しい。よって、第２電極１６を成膜用マスク１を使用して形成することにより、そのような進行性のある不良の発生を未然に抑え、信頼性を向上させることが可能となる。
【００４４】
このように本実施の形態では、成膜用マスク１の枠体４０の開口４１の周囲に、基板１１との対向面４０Ａから厚み方向の一部に段差４２を設け、この段差４２の端４２Ａを、基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の端１１０Ｄよりも外側に位置させるようにしたので、基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊を抑えることが可能となる。
【００４５】
なお、上記実施の形態では、第２電極１６のみを上記の成膜用マスク１を使用して形成する場合について説明したが、この成膜用マスク１は、図１４に示したように、白色発光の有機層１５を表示領域１１０の全体に形成する場合にも適用可能である。その場合には、白色発光の有機層１５および第２電極１６の両方を成膜用マスク１を用いて形成することが可能である。
【００４６】
（第２の実施の形態）
図１５および図１６は、本発明の第２の実施の形態に係る成膜用マスク１Ａの構成を表すものである。この成膜用マスク１Ａは、段差４２内に凸部４３を設けることにより、段差４２の高さＨ４２を小さくするようにしたことを除いては、第１の実施の形態の成膜用マスク１と同一の構成を有し、その作用および効果も同一である。
【００４７】
第１の実施の形態の成膜用マスク１では、段差４２の高さＨ４２を大きくしていくと、基板１１と枠体４０との間のすきまＧが大きくなる。その結果、図１７に示したように、成膜時に成膜材料の回り込み４４が大きくなるので、外周部１１０Ａの幅を広くする必要が生じ、額縁サイズが大きくなる。従って、狭額縁化のためには、段差４２の高さＨ４２はできるだけ低くすることが望ましい。
【００４８】
そこで、本実施の形態では、基板１１の外周部１１０Ａには、段差４２に対向する領域内に、配線回路１１０Ｂの設けられていないすきま部分１１０Ｅを設ける一方、枠体４０には、段差４２のすきま部分１１０Ｅに対向する位置に、段差４２と同じ高さの凸部４３を設けるようにしている。これにより、基板１１と枠体４０とを密着させる際に、凸部４３は、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）ではなく、基板１１のすきま部分１１０Ｅのガラス面に接触する。よって、凸部４３との接触による基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊が抑えられる。
【００４９】
また、基板１１の外周部１１０Ａは凸部４３によって支持されるので、段差４２の高さＨ４２を基板１１のたわみ量よりも小さくしても、基板１１が開口４１のエッジ４１Ａに最初に接触してしまうことが回避される。よって、エッジ４１Ａとの接触による基板１１の外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊が抑えられる。
【００５０】
図１０の例で説明すると、段差４２の幅Ｗ４２を２ｍｍとした場合、凸部４３を設けたときには、段差４２の高さＨ４２を６７μｍ未満とすることが可能となる。凸部４３の形状は特に限定されず、ダボ（円柱）でもよいし、角柱でもよい。
【００５１】
この成膜用マスク１Ａは、基板１１との対向面４０Ａに形成するマスクを、開口４１および段差４２以外の領域と、段差４２内の凸部４３の形成予定位置とに設けることを除いては、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。
【００５２】
このように本実施の形態では、基板１１の外周部１１０Ａには、段差４２に対向する領域内に、配線回路１１０Ｂの設けられていないすきま部分１１０Ｅを設ける一方、枠体４０には、段差４２のすきま部分１１０Ｅに対向する位置に、段差４２と同じ高さの凸部４３を設けるようにしたので、この凸部４３により基板１１の外周部１１０Ａが支持されると共に凸部４３が外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）に接触することがない。よって、段差４２の高さＨ４２を基板１１のたわみ量よりも小さくしても、外周部１１０Ａの配線回路１１０Ｂ（配線回路露出領域１１０Ｃ）の損傷・破壊を抑えることが可能となる。よって、成膜材料の回り込みを低減することが可能となり、狭額縁な表示装置の実現に有利である。
【００５３】
（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００５４】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図１８に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板３１から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００５５】
（適用例１）
図１９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００５６】
（適用例２）
図２０は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００５７】
（適用例３）
図２１は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００５８】
（適用例４）
図２２は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００５９】
（適用例５）
図２３は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００６０】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、基板１１の中央部に一つの表示領域１１０が設けられている場合について説明したが、一枚の基板１１に二つ以上の表示領域１１０が設けられていてもよい。例えば、図２４に示したように、大型の基板１１に二つの表示領域１１０が設けられていてもよい。
【００６１】
また、上記実施の形態では、成膜用マスク１，１Ａを蒸着法に用いた場合について説明したが、本発明の成膜用マスク１，１Ａは、スパッタ法などの他の成膜法にも用いることが可能である。
【００６２】
更に、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、基板１１はガラス基板に限らず、ステンレス鋼などの金属基板、プラスチックフィルムをガラス等の支持体に貼りつけたものでもよい。
【００６３】
加えて、上記実施の形態では、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【００６４】
更にまた、上記実施の形態では、本発明の成膜用マスクを有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを備えた表示装置の第２電極１６または有機層１５の形成に適用した場合について説明したが、本発明は、半導体製造プロセスなどにも適用可能である。
【符号の説明】
【００６５】
１，１Ａ…成膜用マスク、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１１…基板、１３…第１電極（陽極）、１４…絶縁膜、１５…有機層、１６…第２電極（陰極）、２０…接着層、３１…封止用基板、４０…枠体、４１…開口、４２…段差、４３…凸部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの表示領域が設けられると共に前記表示領域内および前記表示領域以外の外周部に配線回路が設けられた基板に対して、前記表示領域の全体に膜を形成するための成膜用マスクであって、
前記表示領域に対向して成膜材料通過用の開口を有する枠体を備え、
前記枠体は、前記開口の周囲に、前記基板との対向面から厚み方向の一部に段差を有し、前記段差の端は、前記基板の外周部の配線回路の端よりも外側に位置している
成膜用マスク。
【請求項２】
前記基板の外周部は、前記段差に対向する領域内に、前記配線回路の設けられていないすきま部分を有し、
前記枠体は、前記段差のすきま部分に対向する位置に、前記段差と同じ高さの凸部を有する
請求項１記載の成膜用マスク。
【請求項３】
前記段差の高さは、前記枠体の上に載置された前記基板のたわみ量よりも大きい
請求項１記載の成膜用マスク。
【請求項４】
少なくとも一つの表示領域が設けられた基板に対して、前記表示領域内および前記表示領域以外の外周部に配線回路を形成すると共に、前記表示領域に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する複数の有機発光素子を形成する表示装置の製造方法であって、
前記有機層および前記第２電極のうち少なくとも一方を、前記表示領域に対向して成膜材料通過用の開口を有する枠体を備えた成膜用マスクを用いて形成し、
前記枠体は、前記開口の周囲に、前記基板との対向面から厚み方向の一部に段差を有し、前記段差の端は、前記基板の外周部の配線回路の端よりも外側に位置している
表示装置の製造方法。
【請求項１】
少なくとも一つの表示領域が設けられると共に前記表示領域内および前記表示領域以外の外周部に配線回路が設けられた基板に対して、前記表示領域の全体に膜を形成するための成膜用マスクであって、
前記表示領域に対向して成膜材料通過用の開口を有する枠体を備え、
前記枠体は、前記開口の周囲に、前記基板との対向面から厚み方向の一部に段差を有し、前記段差の端は、前記基板の外周部の配線回路の端よりも外側に位置している
成膜用マスク。
【請求項２】
前記基板の外周部は、前記段差に対向する領域内に、前記配線回路の設けられていないすきま部分を有し、
前記枠体は、前記段差のすきま部分に対向する位置に、前記段差と同じ高さの凸部を有する
請求項１記載の成膜用マスク。
【請求項３】
前記段差の高さは、前記枠体の上に載置された前記基板のたわみ量よりも大きい
請求項１記載の成膜用マスク。
【請求項４】
少なくとも一つの表示領域が設けられた基板に対して、前記表示領域内および前記表示領域以外の外周部に配線回路を形成すると共に、前記表示領域に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する複数の有機発光素子を形成する表示装置の製造方法であって、
前記有機層および前記第２電極のうち少なくとも一方を、前記表示領域に対向して成膜材料通過用の開口を有する枠体を備えた成膜用マスクを用いて形成し、
前記枠体は、前記開口の周囲に、前記基板との対向面から厚み方向の一部に段差を有し、前記段差の端は、前記基板の外周部の配線回路の端よりも外側に位置している
表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【公開番号】特開２０１２−３１４７３（Ｐ２０１２−３１４７３Ａ）
【公開日】平成２４年２月１６日（２０１２．２．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７２０８８（Ｐ２０１０−１７２０８８）
【出願日】平成２２年７月３０日（２０１０．７．３０）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月１６日（２０１２．２．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月３０日（２０１０．７．３０）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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