めっき方法及びめっき装置
【課題】基板とアノードとの間に抵抗体を設置したFace Down方式のめっき装置であっても、基板の被めっき面に気泡が入り込むことなく被めっき面全体を確実にめっき液に接触させて均一なめっきが行えるめっき方法及びめっき装置を提供すること。
【解決手段】下向きにした基板Ｗの被めっき面Ｗ１と、基板Ｗの下方に設置したアノード２０との間にめっき液Ｑを介在した状態で基板Ｗとアノード２０間に電圧を印加することで、被めっき面Ｗ１にめっきを行う。アノード２０の上部に抵抗体３０を設置して抵抗体３０の上までめっき液Ｑを満たし、抵抗体３０の上面に沿って抵抗体３０の外周から中心の方向へ向かってめっき液Ｑを流すことにより抵抗体３０上面の中央にめっき液Ｑの盛り上がりを作り、この状態で下向きにした基板Ｗを降下させることによりめっき液Ｑに浸漬させて、被めっき面Ｗ１と抵抗体３０上面の間の隙間をめっき液で満たす。
【解決手段】下向きにした基板Ｗの被めっき面Ｗ１と、基板Ｗの下方に設置したアノード２０との間にめっき液Ｑを介在した状態で基板Ｗとアノード２０間に電圧を印加することで、被めっき面Ｗ１にめっきを行う。アノード２０の上部に抵抗体３０を設置して抵抗体３０の上までめっき液Ｑを満たし、抵抗体３０の上面に沿って抵抗体３０の外周から中心の方向へ向かってめっき液Ｑを流すことにより抵抗体３０上面の中央にめっき液Ｑの盛り上がりを作り、この状態で下向きにした基板Ｗを降下させることによりめっき液Ｑに浸漬させて、被めっき面Ｗ１と抵抗体３０上面の間の隙間をめっき液で満たす。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板等の基板の被めっき面にめっき液を供給し、この基板の被めっき面に回路パターン配線等を形成するのに用いて好適なめっき方法及びめっき装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特許文献１に示すように、基板の被めっき面を下向き（Face Down）にしてこの被めっき面を処理するめっき装置がある。また特許文献１に記載のめっき装置では、基板の被めっき面に均一なめっきを施すために基板とアノードとの間に抵抗体（含浸材）を設置している。
【０００３】
被めっき面が下向きの基板にめっき処理を施す場合、めっきセル内に保持しためっき液に対して基板をその上から降下させることによってめっき液と基板の被めっき面とを接触させている。そして基板の被めっき面とめっき液面とが平行になるように基板を降下させると、基板とめっき液との接触面に気泡が入り込む恐れがあり、この気泡によって基板とめっき液が接触しない部分が生じ、基板の被めっき面に均一なめっきができないという問題があった。また抵抗体の設置により、めっき処理時の通電の際に抵抗体が発熱し、めっき液温度が上昇するという問題もあった。
【０００４】
このため従来なされている気泡除去方法は、めっきセル内のめっき液を上向きの（めっきセル下部から液面に向かう）噴流によってめっき液中央面を盛り上げることにより、接液時に基板下面に溜まる気泡を基板の外側に押し流して除去していた。しかしながら上述のように、アノードと基板との間に抵抗体を配置した場合、抵抗体によってめっきセル下部からめっき液面に向かう噴流が遮断され、めっき液の盛り上がりを形成することができない。従って従来、Face Down方式のめっき装置では、抵抗体を設置する方法でめっきを行うことは困難であった。また抵抗体を使用してめっき膜厚の面内均一性を向上するためには、抵抗体を通過する電流経路以外の電流経路を遮断した上で、抵抗体と基板の間隔を５ｍｍ以下の狭い隙間にする必要があるが、その狭い隙間に抵抗体発熱に対する温度調整のためのめっき液を満遍なくよどむことなく流すことは困難であった。
【特許文献１】特開２００５−２４５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上述の点に鑑みてなされたものでありその目的は、基板とアノードとの間に抵抗体を設置したFace Down方式のめっき装置であっても、基板の被めっき面に気泡が入り込むことなく被めっき面全体を確実にめっき液に接触させて均一なめっきが行え、また容易にめっき液温度の調整が行なえるめっき方法及びめっき装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願請求項１に記載の発明は、下向きにした基板の被めっき面と、前記基板の下方に設置したアノードとの間にめっき液を介在した状態で前記基板の被めっき面とアノード間に電圧を印加することで、前記基板の被めっき面にめっきを行うめっき方法において、前記アノードの上部に抵抗体を設置して抵抗体の上までめっき液を満たし、前記抵抗体の上面に沿って抵抗体の外周から中心の方向へ向かってめっき液を流すことにより抵抗体上面の中央にめっき液の盛り上がりを作り、この状態で下向きにした前記基板を降下させることによりめっき液に浸漬させて、前記基板の被めっき面と前記抵抗体上面の間の隙間をめっき液で満たすことを特徴とするめっき方法にある。即ち本発明では、めっき液を流す方向を、めっきセルの下部から上部ではなく、抵抗体上面に沿って横向きで、抵抗体中心に向かって噴射することにより、めっき液が抵抗体中央でぶつかり合って液面を盛り上げるようにした。
【０００７】
本願請求項２に記載の発明は、下向きにした基板の被めっき面と、前記基板の下方に設置したアノードとの間にめっき液を介在した状態で前記基板の被めっき面とアノード間に電圧を印加することで、前記基板の被めっき面にめっきを行うめっき方法において、アノードの上部に上面が平面または凸型の形状を有する抵抗体を設置して抵抗体の上までめっき液を満たし、前記抵抗体の上昇によって凸形状となるめっき液面に前記基板を降下させることによりめっき液に浸漬させて、前記基板の被めっき面と前記抵抗体上面からなる隙間をめっき液で満たすことを特徴とするめっき方法にある。
【０００８】
本願請求項３に記載の発明は、下向きにした基板の被めっき面と、前記基板の下方に設置したアノードとの間にめっき液を介在した状態で前記基板の被めっき面とアノード間に電圧を印加することで、前記基板の被めっき面にめっきを行うめっき方法において、アノードの上部に上面が平面または凸型の形状を有する抵抗体を設置するとともにアノードと抵抗体とを収納しためっきセルの上までめっき液を満たし、前記めっきセルの上昇によって凸形状となるめっき液面に前記基板を降下させることによりめっき液に浸漬させて、前記基板の被めっき面と前記抵抗体上面からなる隙間をめっき液で満たすことを特徴とするめっき方法にある。
【０００９】
本願請求項４に記載の発明は、めっきセルと、めっきセル内に配置されるアノードと、アノードの上部に配置される抵抗体と、アノードと抵抗体の間にめっき液を供給する第一のめっき液供給手段及びアノードと抵抗体の間に供給されためっき液を排出する第一のめっき液排出手段と、抵抗体の上面にめっき液を供給する第二のめっき液供給手段及び抵抗体の上面に供給されためっき液を排出する第二のめっき液排出手段と、めっき液を循環するめっき液循環機構と、めっき液を冷却するめっき液冷却機構と、基板をその被めっき面を下向きにした状態で保持する基板保持ホルダと、アノードと基板の間の電気経路のうち抵抗体を経由しない電気経路を遮断するシールとを具備し、基板保持ホルダに保持した基板の被めっき面を抵抗体上面のめっき液に接液し、基板の被めっき面のめっきを行うことを特徴とするめっき装置にある。
【００１０】
本願請求項５に記載の発明は、前記抵抗体の上面にめっき液を供給する第二のめっき液供給手段を、前記抵抗体の上面に沿って前記抵抗体の外周から中心の方向へ向かってめっき液を流す構成とすることにより、前記抵抗体上面の中央にめっき液の盛り上がりを作ることを特徴とする請求項４記載のめっき装置にある。
【００１１】
本願請求項６に記載の発明は、前記抵抗体の上面の形状が平面または凸型であって、前記抵抗体を上下方向に移動する機構を具備することを特徴とする請求項４記載のめっき装置にある。
【００１２】
本願請求項７に記載の発明は、前記めっきセルに設置された抵抗体の上面の形状が平面または凸型であって、前記めっきセルがめっき槽内に配置され、前記めっきセルを上下方向に移動する機構を具備することを特徴とする請求項４記載のめっき装置にある。
【００１３】
本願請求項８に記載の発明は、前記アノードの上部に複数の前記抵抗体を具備することを特徴とする請求項５又は６又は７記載のめっき装置にある。
【発明の効果】
【００１４】
本願請求項１に記載の発明によれば、Face Down方式のめっき装置に抵抗体を設置しても、基板を降下させてめっき液と接触させる際に、基板の中央部直下のめっき液面を盛り上がらせることができ、最初に基板中央部とめっき液を接触させ、次いで基板外周に向かって接触面を広げることで、基板とめっき液との間に気泡が入り込むことなく、基板とめっき液を接触させて均一なめっきを行うことができる。さらに抵抗体の設置によって、今まで以上にめっき膜厚の面内均一性の向上を図ることができる。
また抵抗体の外周から中心の方向へ向かってめっき液を流す構成としたので、例え基板と抵抗体の隙間の寸法が小さく（例えば５ｍｍ以下）て流路抵抗によりめっき液の流れ易い場所と流れにくい場所が生じてめっき液がよどみ易い状態でも、前記狭い隙間に確実にめっき液を流し込むことができ、基板全面にわたってよどむことなくめっき液を流通させることができる。なおめっき液をよどみなく流通することによってめっき液温度の調整が可能となる。
【００１５】
本願請求項２，３に記載の発明によれば、抵抗体を上昇させることによって、本願請求項１に記載の発明のような噴流によらずに、めっき液の盛り上がりを作ることが可能となる。これによって本願請求項１に記載の発明と同様に、Face Down方式のめっき装置に抵抗体を設置しても、基板とめっき液との間に気泡が入り込むことなく、基板とめっき液を確実に接触させて均一なめっきを行うことができる。さらに抵抗体の設置によって、今まで以上にめっき膜厚の面内均一性の向上を図ることができる。
なお本願請求項２に記載の発明のように抵抗体のみを上下動させた場合、電流リーク防止のために抵抗体とめっきセルの間に設置したシールが擦れて劣化する可能性があるが、本願請求項３に記載の発明によれば、抵抗体とめっきセルを一体として上下動させるので、前記シールの劣化を防止できる。
【００１６】
本願請求項４に記載の発明によれば、Face Down方式のめっき装置に抵抗体を設置することによって、今まで以上のめっき膜厚の面内均一性の向上を図ることができる。まためっき液供給手段とめっき液排出手段とめっき液循環機構とめっき液冷却機構とによってめっき液を循環・冷却するので、めっき液温度の調整が容易に行える。またシールを設けたので、シールとめっきセルの間からの電流のリークが防止できる。また抵抗体を境としてアノード側のめっき液と基板側のめっき液とを分離することができるので、抵抗体以外の電流の経路を遮断することができる。
【００１７】
本願請求項５に記載の発明によれば、基板を降下させてめっき液と接触させる際に、最初に基板中央部とめっき液を接触させ、次いで基板外周に向かって接触面を広げることができ、Face方式のめっき装置に抵抗体を設置しても、基板とめっき液との間に気泡が入り込むことなく、基板とめっき液を確実に接触させて均一なめっきを行うことができる。
また抵抗体の外周から中心の方向へ向かってめっき液を流す構成としたので、例え基板と抵抗体の隙間の寸法が小さく（例えば５ｍｍ以下）て流路抵抗によりめっき液の流れ易い場所と流れにくい場所が生じてめっき液がよどみ易い状態でも、前記狭い隙間に確実にめっき液を流し込むことができ、基板全面にわたってよどむことなくめっき液を流通させることができる。
【００１８】
本願請求項６に記載の発明によれば、抵抗体を上昇させることによって、めっき液Ｑの盛り上がりを作ることが可能となる。これによって本願請求項５に記載の発明と同様に、Face Down方式のめっき装置に抵抗体を設置しても、基板とめっき液との間に気泡が入り込むことなく、基板とめっき液を確実に接触させて均一なめっきを行うことができる。
【００１９】
本願請求項７に記載の発明によれば、めっきセルと共に抵抗体を上昇させることによって、めっき液Ｑの盛り上がりを作ることが可能となる。これによって本願請求項５に記載の発明と同様に、Face Down方式のめっき装置に抵抗体を設置しても、基板とめっき液との間に気泡が入り込むことなく、基板とめっき液を確実に接触させて均一なめっきを行うことができる。
なお本願請求項６に記載の発明のように抵抗体のみを上下動させた場合、電流リーク防止のために抵抗体とめっきセルの間に設置したシールが擦れて劣化する可能性があるが、本願請求項７に記載の発明によれば、抵抗体とめっきセルを一体として上下動させるので、前記シールの劣化を防止できる。
【００２０】
請求項８に記載の発明によれば、抵抗体の数を増やすことによってアノードと基板間の抵抗が増加し、シート抵抗の高い基板に対しても良好なめっき膜厚の面内均一性を確保することができる。また抵抗体を複数に分割することによって抵抗体を冷却する効率を上げることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。
〔第１実施形態〕
図１は本発明の第１実施形態にかかるめっき装置１−１の概略構成図である。同図に示すめっき装置１−１は、めっき液Ｑを保持するめっきセル１０と、めっきセル１０内に設置されるアノード２０と、アノード２０の上部に配置される抵抗体３０と、めっきセル１０内にめっき液Ｑを供給して抵抗体３０の上までめっき液Ｑを充填するめっき液供給手段（めっき液供給管４０とめっき液噴出供給機構４１からなる第一、第二のめっき液供給手段）と、抵抗体３０の下部および上部のめっき液Ｑをそれぞれ排出するめっき液排出手段（第一、第二のめっき液排出手段、以下「めっき液排出管」という）８０と、めっき液Ｑを循環するめっき液循環機構１２０と、めっき液を冷却するめっき液冷却機構１４０と、基板Ｗをその被めっき面Ｗ１を下向きにした状態で保持する基板保持ホルダ６０と、アノード２０と基板Ｗの間の電気経路のうち前記抵抗体３０を経由しない電気経路を遮断するシール９０とを具備して構成されている。以下各構成部品について説明する。
【００２２】
めっきセル１０は箱型の容器であり、その内部にめっき液Ｑを充填保持する構造に構成されている。アノード２０は前記めっきセル１０内の下部にその面が水平になるように設置されている。この実施形態ではアノード２０として不溶解アノードを用いている。
【００２３】
抵抗体３０は板状であり、その外周が前記めっきセル１０の内周に沿う形状に形成されている。この実施形態では板状のセラミック製の多孔質体を用いており、具体的には気孔率３０％以下の多孔質構造体であり、炭化ケイ素、表面を酸化処理した炭化ケイ素、アルミナ又はプラスチックの１つ、又はそれらの組み合わせ等によって構成されている。多孔質セラミック自体は絶縁体であるが、その内部にめっき液を複雑に入り込ませ、厚さ方向にかなり長い経路を辿らせることでめっき液Ｑの電気伝導率より小さい電気伝導率を有する抵抗体を構成している。
【００２４】
抵抗体３０の外周には、アノード２０と基板Ｗの間の電気経路のうち抵抗体３０を経由しない電気経路を遮断するリング状のシール９０が取り付けられている。シール９０は抵抗体３０に密着し、抵抗体３０とめっきセル１０の間に配置される。シール９０とめっきセル１０は互いに相対的に動くことができるが、シール９０とめっきセル１０の間からは電流のリークがない。シール９０の１例としては、抵抗体３０の周囲に樹脂をコーティングすることが挙げられる。樹脂が多孔質体の抵抗体３０表面の気孔に入り込むことにより抵抗体３０に密着し、抵抗体３０とシール９０の間からリークする電流を遮断することができる。
【００２５】
めっき液供給管４０は、めっきセル１０の抵抗体３０を設置したその下側に複数本接続され、めっき液Ｑをめっきセル１０内に供給するものである。めっき液噴出供給機構４１は、めっきセル１０の側壁の抵抗体３０を設置したその上側に複数本（この実施形態では８本）、略等間隔に抵抗体３０を囲むように設置され、めっき液Ｑを抵抗体３０の上面に沿って（ほぼ水平に）、且つ抵抗体３０（めっきセル１０）の外周から中心の方向へ向けて噴出して流すように設置されている。めっき液噴出供給機構４１から噴射されるめっき液Ｑの流速は、前記めっき液供給管４０から吐出されるめっき液Ｑの流速よりも早くなるようにする。めっき液排出管８０は、めっきセル１０の底面と、めっきセル１０の抵抗体３０より上側の側面とにそれぞれ接続され、前記めっきセル１０内の抵抗体３０の下部と上部のめっき液Ｑをそれぞれ排出するものである。
【００２６】
めっき液循環機構１２０はめっきセル１０内のめっき液Ｑを循環するものであり、めっき液を保持しておくめっき液槽１２１と、めっき液槽１２１のめっき液を前記めっきセル１０の抵抗体３０の上部側と下部側にそれぞれ供給・循環するように接続される配管１２３ａ，１２３ｂと、これら配管１２３ａ，１２３ｂ中にそれぞれ設置されるポンプＰ１，Ｐ２及びフィルタＦ１，Ｆ２及び流量計１２４ａ，１２４ｂとを具備して構成されている。配管１２３ａの両端部は、それぞれめっき液噴出供給機構４１とめっきセル１０側面のめっき液排出管８０に接続され、配管１２３ｂの両端部はそれぞれめっき液供給管４０とめっきセル１０底面のめっき液排出管８０に接続されている。そしてめっき液槽１２１において、めっきセル１０の抵抗体３０の上部側と下部側にそれぞれ供給・循環されるめっき液は分離されており、従って抵抗体３０上面と基板Ｗとの間のめっき液Ｑと、抵抗体３０下面とめっきセル１０との間のめっき液Ｑとはそれぞれ独立に循環するように構成されている。
【００２７】
めっき液冷却機構１４０はめっき液Ｑを冷却するものであり、前記めっき液槽１２１とめっき液の冷却装置１４５との間を配管１４１によってめっき液が循環するように接続し、配管１４１に設けたポンプ１４７によってめっき液槽１２１内のめっき液を所定温度に冷却制御するように構成されている。この実施形態ではめっきセル１０の抵抗体３０の上部側と下部側にそれぞれ供給・循環されるめっき液Ｑの温度が同一になるように冷却制御しているが、場合に応じてそれぞれ独立に異なる温度になるように制御しても良い。また基板Ｗとアノード２０間にはめっき電源１６０が接続されている。
【００２８】
次にめっき装置１−１の動作を説明する。図２はめっき装置１−１の動作説明図（図２では説明に必要な部材のみ示している）である。まず図１において、めっき液循環機構１２０のポンプＰ１，Ｐ２を駆動することで、めっき液供給管４０とめっき液噴出供給機構４１からめっきセル１０内にめっき液Ｑを供給し、循環させる。その際めっき液冷却機構１４０を駆動することで、抵抗体３０の上部のめっき液Ｑの温度が所定の管理温度範囲（管理値範囲）内に入るようにめっき液温を制御する。この実施形態の前記管理値範囲は２０〜２８℃とした。
【００２９】
このとき抵抗体３０の周囲に設置した複数（８本）のめっき液噴出供給機構４１から抵抗体３０の上面に沿って抵抗体３０の中心に向かって噴出されるめっき液Ｑ（図１１参照）により、抵抗体３０の中央にめっき液Ｑの盛り上がりが生じる。この状態で図２（ａ）に示すように、基板保持ホルダ６０に被めっき面Ｗ１を下向きにして取り付けた基板Ｗを降下することにより、図２（ｂ）に示すように、めっき液Ｑを最初に基板Ｗの中央部に接触させ、さらに基板Ｗを降下することによりめっき液Ｑとの接触面を基板Ｗの外周へと広げる。そして図２（ｃ）に示すように、基板Ｗの被めっき面Ｗ１全体と抵抗体３０の上面との間をめっき液Ｑで満たした状態とすることにより、基板Ｗの被めっき面Ｗ１全体にめっき液Ｑを供給する。このように基板Ｗを降下させてめっき液Ｑと接触させる際に、基板Ｗの中央部直下のめっき液面を盛り上がらせることにより、最初に基板Ｗ中央部とめっき液が接触し、次いで基板外周に向かって接触面が広がるようにしたので、基板Ｗの被めっき面Ｗ１とめっき液Ｑとの接液面に気泡が入り込むことがなくなり、被めっき面Ｗ１の全面に確実にめっき液Ｑを接液させることができる。
【００３０】
また基板Ｗの被めっき面Ｗ１の抵抗（シート抵抗）が大きいような場合、その影響を受けてめっき膜が基板Ｗ中央部よりも外周部の方が厚くなるが、本実施形態の場合、基板中央からめっき液Ｑを接液するので、例えば接液にかかる時間をコントロールし、液面を盛り上げている間、基板Ｗの中央のみに接液させめっきを行うことによって基板中央へめっきを行うことができ、めっき膜厚の面内均一性をより向上させることができる。
【００３１】
またこの実施形態においては、めっき液循環機構１２０によってめっき液Ｑを循環することとしたので、めっき液冷却機構１４０によるめっき液温度の調整が可能になった。そしてめっき液冷却機構１４０によって抵抗体３０上部のめっき液温度が所定の管理温度範囲内に入るようにめっき液温度を制御したので、良好なめっきを行うことが可能となった。即ち、配線の微細化に伴なって基板Ｗ（シード層等）の抵抗は今後ますます大きくなる。シード層等の抵抗の高い基板Ｗに均一にめっきするには抵抗体３０の抵抗を大きくすれば良い。しかしながら抵抗体３０の抵抗を増大させると、通電時の抵抗体３０の発熱量が大きくなる。また抵抗体３０は基板Ｗの近傍（めっき液Ｑを介して５ｍｍ以下の距離）に配置されるため、抵抗体３０の発熱による液温上昇がめっき膜質へ与える影響が大きい（めっき液Ｑの温度が高くなるとめっき液Ｑに含まれる添加剤が失活し、めっきの良好な光沢性および膜厚均一性が得られなくなる）。そこで、基板Ｗと抵抗体３０間に供給されるめっき液Ｑの液温や、抵抗体３０の下面とめっきセル１０との間に供給されるめっき液Ｑの液温を調整することにより、基板Ｗと抵抗体３０間の隙間Ｓ１のめっき液Ｑの液温が管理温度範囲内になるようにし、良好なめっきが行えるようにしたのである。
【００３２】
なお図２（ｃ）に示す基板Ｗ下降時の基板Ｗと抵抗体３０との隙間Ｓ１は、５ｍｍ以下の狭い寸法とした。この寸法としたのは、下記する図１９で説明するように、めっき膜厚の均一性には、ばらつき（相対標準偏差）２％以下が要求されているが、図１９より、ばらつきを２％以内に抑えるためには、抵抗体３０と基板Ｗの離間距離を５ｍｍ以下にする必要があるからである。一方抵抗体３０と基板Ｗの離間距離を５ｍｍ以下の狭い寸法にすると、例えば直径３００ｍｍの円形で幅５ｍｍ以下の狭い隙間Ｓ１にめっき液Ｑを流すこととなるが、流路抵抗によりめっき液Ｑの流れ易い場所と流れにくい場所が生じるため、めっき液Ｑをよどむことなく満遍に流通させることは困難である。そこでこの実施形態においては、基板Ｗの外周から中心に向かう方向にめっき液を供給することにより、基板Ｗと抵抗体３０の狭い隙間Ｓ１に確実にめっき液Ｑを流し込むこととし、基板Ｗの被めっき面Ｗ１全面にわたってよどむことなくめっき液Ｑを流通させることとした。
【００３３】
ところでアノード２０と基板Ｗの間に抵抗体３０を設置してめっきを行う場合、抵抗体３０以外の電流経路を遮断する必要がある。これは基板Ｗの被めっき面Ｗ１上の電流密度を均一化してめっき膜厚の均一化を図るためである。しかしながら抵抗体３０上面と基板Ｗの間に形成される隙間Ｓ１と抵抗体３０下面とめっきセル１０から形成される領域Ｓ２（図２（ｃ）参照）に同一のめっき液Ｑを循環した場合、電流がめっき液Ｑを介して抵抗体３０を通さずにアノード２０から基板Ｗに流れる場合がある。そこで本実施形態では、めっき液循環機構１２０によってめっき液Ｑを隙間Ｓ１と領域Ｓ２にそれぞれ独立に循環させ、またシール９０を取り付けることによって、抵抗体３０を境としてアノード２０側のメッキ液Ｑと基板Ｗ側のめっき液Ｑとを分離し、抵抗体３０以外の電流の経路を遮断している。
【００３４】
〔第２実施形態〕
図３は本発明の第２実施形態にかかるめっき装置１−２の概略構成図である。同図に示すめっき装置１−２において、前記図１に示すめっき装置１−１と同一又は相当部分には同一符号を付す。なお以下で説明する事項以外の事項については、前記図１に示すめっき装置１−１と同じである。このめっき装置１−２において前記めっき装置１−１と相違する点は、抵抗体３０を複数個、上下方向に所定間隔毎に設置し、各抵抗体３０の間の隙間にもめっき液Ｑを供給するためのめっき液供給手段（めっき液供給管）４０とめっき液Ｑを排出するためのめっき液排出手段（めっき液排出管）８０を設置した点である。また図示は省略しているが、最も上部の抵抗体３０の上面側のめっき液Ｑを排出するためのめっき液排出管も第１実施形態と同様に取り付けられている。各抵抗体３０の外周にはそれぞれシール９０が取り付けられている。なお図３では、図１に示しためっき液循環機構１２０とめっき液冷却機構１４０の記載を省略している。
【００３５】
このように抵抗体３０の数を増やせば、アノード２０と基板Ｗ間の抵抗が増加し、シート抵抗の高い基板Ｗに対しても良好なめっき膜厚の面内均一性を確保することができる。また抵抗体３０を複数に分割しているので、抵抗体３０を冷却する効率を上げることができる。なおこのめっき装置１−２の動作は、前記第１実施形態のめっき装置１−１の動作と同じである。
【００３６】
〔第３実施形態〕
図４は本発明の第３実施形態にかかるめっき装置１−３の概略構成図である。同図に示すめっき装置１−３において、前記図１に示すめっき装置１−１と同一又は相当部分には同一符号を付す。なお以下で説明する事項以外の事項については、前記図１に示すめっき装置１−１と同じである。このめっき装置１−３において前記めっき装置１−１と相違する点は、アノード２０の上部に上面が凸型の形状（略球面形状）を有する抵抗体（凸型抵抗体）３５を設置してこの抵抗体３５を上下動自在にした点と、この抵抗体３５を上下動自在とするためにその中央下面にロッド３７を設けてこのロッド３７をアノード２０とめっきセル１０の底面とに貫通させて外部の図示しない上下駆動機構に接続した点と、前記抵抗体３５の上部にめっき液Ｑを供給するめっき液噴出供給機構４１の代りに抵抗体３５の下部にめっき液Ｑを供給するめっき液供給管４０と同じめっき液供給管４０を取り付けた点とである。なおこの図には、抵抗体３５の上部にめっき液Ｑを排出するめっき液排出管８０が図示されている。またこの実施形態の抵抗体３５の下面の形状は凹型となっている。また抵抗体３５の上下動と基板Ｗの上下動は、それぞれが独立して制御される機構となっている。
【００３７】
次にめっき装置１−３の動作を説明する。図５はめっき装置１−３の動作説明図である。まず図４において、各めっき液供給管４０からめっきセル１０内の抵抗体３５の上下にそれぞれ所定温度に制御されためっき液Ｑを供給して抵抗体３５の上下にめっき液Ｑを満たしそれぞれ独立に循環させる。
【００３８】
そして図４，図５（ａ）に示すように抵抗体３５を上昇させるとめっき液面は凸型となる。この状態を維持したまま図５（ｂ）に示すように抵抗体３５を上昇させ、同時に基板保持ホルダ６０に取り付けた基板Ｗを降下することにより、めっき液Ｑを最初に被めっき面Ｗ１の中央部に接触させる。さらに抵抗体３５の上昇と基板Ｗの降下をそれぞれ独立に制御することにより、めっき液Ｑと被めっき面Ｗ１との接触面を被めっき面Ｗ１の外周へと広げ、図５（ｃ）に示すように被めっき面Ｗ１全体と抵抗体３５の上面との間をめっき液Ｑで満たした状態とすることにより、基板Ｗの被めっき面Ｗ１にめっき液Ｑを供給する。このように構成しても、前記第１実施形態と同様に、基板Ｗの被めっき面Ｗ１全体とめっき液Ｑとの接液面に気泡が入り込むことがなくなり、被めっき面Ｗ１の全面に確実にメッキ液Ｑを接液させることができる。特にこの実施形態のように、抵抗体３５の上昇と基板Ｗの降下とを独立に制御すれば、基板Ｗの被めっき面Ｗ１とめっき液Ｑの接液するタイミングや接液の状態を調整することができ、より確実に接液時の気泡の除去を行うことができ、好適である。また第１実施形態と同様に、基板Ｗの被めっき面Ｗ１の抵抗（シート抵抗）が大きいような場合でも、例えば接液にかかる時間をコントロールし、液面を盛り上げている間、基板Ｗの中央のみに接液させめっきを行うことによって基板中央へめっきを行うことで、めっき膜厚の面内均一性をより向上させることができる。また第１実施形態と同様に、めっき液Ｑを循環することとしたので、めっき液冷却機構１４０（図１参照）によるめっき液温度の調整が容易になり、良好なめっきを行うことができる。
【００３９】
なおこの実施形態に用いた抵抗体３５は、その上面が凸型、下面が凹型であるが、抵抗体３５の上面形状を平面、また下面形状を平面としても良い。
【００４０】
〔第４実施形態〕
図６は本発明の第４実施形態にかかるめっき装置１−４の概略構成図である。同図に示すめっき装置１−４において、前記図４に示すめっき装置１−３と同一又は相当部分には同一符号を付す。なお以下で説明する事項以外の事項については、前記図４に示すめっき装置１−３と同じである。このめっき装置１−４において前記めっき装置１−３と相違する点は、上面が凸型の形状（略球面形状）を有する抵抗体３５を複数個、上下方向に所定間隔毎に設置し、各抵抗体３５の間の隙間にもめっき液Ｑを供給するためのめっき液供給手段（めっき液供給管）４０とめっき液Ｑを排出するためのめっき液排出手段（めっき液排出管）８０を設置した点である。各抵抗体３５の外周にはそれぞれシール９０が取り付けられている。また図６では、図１に示しためっき液循環機構１２０とめっき液冷却機構１４０の記載を省略している。
【００４１】
このように抵抗体３５の数を増やせば、アノード２０と基板Ｗ間の抵抗が増加し、シート抵抗の高い基板Ｗに対しても良好なめっき膜厚の面内均一性を確保することができる。また抵抗体３５を複数に分割しているので、抵抗体３５を冷却する効率を上げることができる。なおこのめっき装置１−４の動作は、前記第３実施形態のめっき装置１−３の動作と同じである。
【００４２】
〔第５実施形態〕
図７は本発明の第５実施形態にかかるめっき装置１−５の概略構成図である。同図に示すめっき装置１−５において、前記図４に示すめっき装置１−３と同一又は相当部分には同一符号を付す。なお以下で説明する事項以外の事項については、前記図４に示すめっき装置１−３と同じである。このめっき装置１−５において前記めっき装置１−３と相違する点は、アノード２０の上部に上面が凸型の形状（略球面形状）を有する抵抗体３５を設置しためっきセル１０をめっき槽１５の中に配置した点と、このめっきセル１０を上下動自在にした点と、このめっきセル１０を上下動自在とするためにその中央下面にロッド３９を設けてこのロッド３９をめっき槽１５の底面に貫通させて外部の図示しない上下駆動機構に接続した点と、前記めっきセル１０内部とめっき槽１５内部にそれぞれめっき液Ｑを供給・排出するめっき液供給管４０及びめっき液排出管８０を取り付けた点とである。
【００４３】
次にめっき装置１−５の動作を説明する。図８はめっき装置１−５の動作説明図である。即ち図７において、各めっき液供給管４０からめっきセル１０及びめっき槽１５内に所定温度に制御されためっき液Ｑを供給してめっきセル１０の上までめっき液Ｑを満たしそれぞれ独立に循環させる。
【００４４】
そして図７，図８（ａ）に示すように抵抗体３５と一体のめっきセル１０を上昇させるとめっき液面は凸型となる。この状態を維持したまま図８（ｂ）に示すようにめっきセル１０及び抵抗体３５を上昇させ、同時に基板保持ホルダ６０に取り付けた基板Ｗを降下することにより、めっき液Ｑを最初に被めっき面Ｗ１の中央部に接触させる。さらにめっきセル１０及び抵抗体３５の上昇と基板Ｗの降下をそれぞれ独立に制御することにより、めっき液Ｑと被めっき面Ｗ１との接触面を被めっき面Ｗ１の外周へと広げ、図８（ｃ）に示すように被めっき面Ｗ１全体と抵抗体３５の上面との間をめっき液Ｑで満たした状態とすることにより、基板Ｗの被めっき面Ｗ１にめっき液Ｑを供給する。このように構成しても、前記第３実施形態と同様に、基板Ｗの被めっき面Ｗ１全体とめっき液Ｑとの接液面に気泡が入り込むことがなくなり、被めっき面Ｗ１の全面に確実にメッキ液Ｑを接液させることができる。特にこの実施形態のように、めっきセル１０の上昇と基板Ｗの降下とを独立に制御すれば、基板Ｗの被めっき面Ｗ１とめっき液Ｑの接液するタイミングや接液の状態を調整することができ、より確実に接液時の気泡の除去を行うことができ、好適である。また第３実施形態と同様に、基板Ｗの被めっき面Ｗ１の抵抗（シート抵抗）が大きいような場合でも、例えば接液にかかる時間をコントロールし、液面を盛り上げている間、基板Ｗの中央のみに接液させめっきを行うことによって基板中央へめっきを行うことで、めっき膜厚の面内均一性をより向上させることができる。また第３実施形態と同様に、めっき液Ｑを循環することとしたので、めっき液冷却機構１４０（図１参照）によるめっき液温度の調整が容易になり、良好なめっきを行うことができる。
【００４５】
なお前記第３実施形態のように抵抗体３５のみを上下動させた場合、電流リーク防止のために抵抗体３５とめっきセル１０の間に設置したシール９０が擦れて劣化する可能性があるが、本実施形態によれば、抵抗体３５とめっきセル１０を一体として上下動させるので、前記シール９０の劣化が防止できる。
【００４６】
〔第６実施形態〕
図９は本発明の第６実施形態にかかるめっき装置１−６の概略構成図である。同図に示すめっき装置１−６において、前記図７に示すめっき装置１−５と同一又は相当部分には同一符号を付す。なお以下で説明する事項以外の事項については、前記図７に示すめっき装置１−５と同じである。このめっき装置１−６において前記めっき装置１−５と相違する点は、上面が凸型の形状（略球面形状）を有する抵抗体３５を複数個、上下方向に所定間隔毎にめっきセル１０内に設置し、各抵抗体３５の間の隙間にもめっき液Ｑを供給するための図示しないめっき液供給手段（めっき液供給管）とめっき液Ｑを排出するための図示しないめっき液排出手段（めっき液排出管）を設置した点である。各抵抗体３５の外周とめっきセル１０の内周面の間にはそれぞれシール９０が取り付けられている。また図９では、図１に示しためっき液循環機構１２０とめっき液冷却機構１４０の記載を省略している。
【００４７】
このように抵抗体３５の数を増やせば、アノード２０と基板Ｗ間の抵抗が増加し、シート抵抗の高い基板Ｗに対しても良好なめっき膜厚の面内均一性を確保することができる。また抵抗体３５を複数に分割しているので、抵抗体３５を冷却する効率を上げることができる。なおこのめっき装置１−６の動作は、前記第５実施形態のめっき装置１−５の動作と同じである。
【００４８】
〔第７実施形態〕
図１０は本発明の第７実施形態にかかるめっき装置１−７の概略構成図である。同図に示すめっき装置１−７において、前記図１に示すめっき装置１−１と同一又は相当部分には同一符号を付す。なお以下で説明する事項以外の事項については、前記図１に示すめっき装置１−１と同じである。このめっき装置１−７において前記めっき装置１−１と相違する点は、めっき液噴出供給機構４１を、めっき装置１−１のようにめっきセル１０の外周側壁に設置する代わりに、めっきセル１０の外周側壁上部（抵抗体３０を設置したその上側）に複数本（この実施形態では８本）、略等間隔に抵抗体３０を囲むように設置し、めっき液Ｑを抵抗体３０の上面に沿って、且つ抵抗体３０（めっきセル１０）の外周から中心の方向へ向けて図１１に示すようにめっき液を噴出して流すように設置している点である。また図１０では、図１に示しためっき液循環機構１２０とめっき液冷却機構１４０の記載を省略している。このめっき装置１−７の動作は、前記第１実施形態のめっき装置１−１の動作と同じである。
【００４９】
＜実施例１＞
図１に示すめっき装置１−１を用い、抵抗体３０として上述した多孔質体を、アノード２０として不溶解アノードを使用した。めっき液Ｑは、硫酸銅、硫酸、塩素および添加剤を用いて調製した。基板Ｗはシード層が厚さ５０ｎｍのＣｕである直径３００ｍｍシリコンウェーハを用いた。そして図１の様に基板Ｗを基板保持ホルダ６０に被めっき面Ｗ１が下になるように取り付けた。このとき基板Ｗはめっき液Ｑの外部にある。めっき液Ｑを図１１に示すように８方向の周囲から抵抗体３０の上面に沿って中央に向かって噴出供給した。このとき抵抗体３０の中央部において、めっき液Ｑの液面は泉が湧くように盛り上がっている。次に、基板保持ホルダ６０に取り付けた基板Ｗをめっき液Ｑに降下し、基板Ｗをめっき液Ｑに浸漬させた（前記図２（ａ）〜（ｃ）参照）。この状態で、めっき膜の厚さが５００ｎｍとなるようにめっき電源１６０によりめっき電流を供給し、めっきを行ったところ、図１２に示すように均一なめっき膜が得られた。
【００５０】
なお本願発明者は、さらに前記めっき装置１−１において、基板Ｗと抵抗体３０の離間距離を１ｍｍ程度から９ｍｍ程度まで変更して上記方法でめっきを行い、めっき膜のばらつき（相対標準偏差）について測定した。その結果を図１９に示す。めっき膜厚の均一性には、ばらつき（相対標準偏差）２％以下が要求されているが、図１９より、ばらつきを２％以内に抑えるためには、抵抗体３０と基板Ｗの離間距離を５ｍｍ以下にするのが好適であることがわかった。
【００５１】
＜実施例２＞
図１０に示すめっき装置１−７を用い、抵抗体３０として上述した多孔質体を、アノード２０として不溶解アノードを使用した。めっき液Ｑは、硫酸銅、硫酸、塩素および添加剤を用いて調製した。基板Ｗはシード層が厚さ５０ｎｍのＣｕである直径３００ｍｍシリコンウェーハを用いた。そして図１０の様に基板Ｗを基板保持ホルダ６０に被めっき面Ｗ１が下になるように取り付けた。このとき基板Ｗはめっき液Ｑの外部にある。めっき液Ｑを図１１に示すようにめっきセル１０上端の８方向から抵抗体３０の上面に沿って中央に向かって噴出供給した。このとき抵抗体３０の中央部において、めっき液Ｑの液面は泉が湧くように盛り上がっている。次に、基板保持ホルダ６０に取り付けた基板Ｗをめっき液Ｑに降下し、前記実施例１と同様にして基板Ｗをめっき液Ｑに浸漬させた。この状態で、めっき膜の厚さが５００ｎｍとなるようにめっき電源１６０によりめっき電流を供給し、めっきを行ったところ、図１３に示すように均一なめっき膜が得られた。
【００５２】
＜比較例１＞
図１４は比較例１に用いるめっき装置３００の概略構成図である。同図に示すめっき装置３００は、めっき液Ｑを保持するめっきセル３１０と、めっきセル３１０内に設置されるアノード３２０と、アノード３２０の上部に配置される抵抗体３３０と、基板Ｗをその被めっき面Ｗ１を下向きにした状態で保持する基板保持ホルダ３６０と、前記アノード３２０と前記基板Ｗの間の電気経路のうち前記抵抗体３３０を経由しない電気経路を遮断するシール３９０とを具備し、さらに図示はしないがめっきセル３１０内にめっき液Ｑを供給して抵抗体３３０の上部と下部とにめっき液Ｑを充填するめっき液供給手段と、抵抗体３３０の上部および下部のめっき液Ｑを排出するめっき液排出手段と、めっき液Ｑを循環するめっき液循環機構と、めっき液を冷却するめっき液冷却機構とを具備している。そして抵抗体３３０として多孔質体を用い、アノード３２０として不溶解アノードを使用し、めっき液Ｑとして硫酸銅、硫酸、塩素および添加剤を調製したものを用い、基板Ｗとしてシード層が厚さ５０ｎｍのＣｕである直径３００ｍｍシリコンウェーハを用いた。図１４の様に基板Ｗを基板保持ホルダ３６０に被めっき面Ｗ１が下になるように取り付けた。このとき基板Ｗはめっき液Ｑの外部にある。次に、基板保持ホルダ３６０に取り付けた基板Ｗを液面が水平状態となっているめっき液Ｑに降下し、基板Ｗをめっき液Ｑに浸漬させた。基板Ｗをめっき液Ｑに浸漬させた状態で、めっき膜の厚さが５００ｎｍとなるようにめっき電源３７０によりめっき電流を供給してめっきを行ったところ、図１５に示すように、基板Ｗとめっき液Ｑの接触面に気泡が入り込むことによる不均一なめっき膜となった。
【００５３】
＜比較例２＞
図１６は比較例２に用いるめっき装置３５０の概略構成図である。同図に示すめっき装置３５０は、めっき液Ｑを保持するめっきセル１０と、めっきセル１０内に設置されるアノード２０と、アノード２０の上部に配置される抵抗体３０と、めっきセル１０内にめっき液Ｑを供給して抵抗体３０の下部と上部にそれぞれめっき液Ｑを充填するめっき液供給手段（めっき液供給管）４０と、抵抗体３０の上部および下部のめっき液Ｑを排出するめっき液排出手段（めっき液排出管）８０と、基板Ｗをその被めっき面Ｗ１を下向きにした状態で保持する基板保持ホルダ６０と、前記アノード２０と前記基板Ｗの間の電気経路のうち前記抵抗体３０を経由しない電気経路を遮断するシール９０とを具備し、さらに図示しないめっき液Ｑを循環するめっき液循環機構と、めっき液を冷却するめっき液冷却機構と、を具備して構成されている。
【００５４】
そして抵抗体３０に多孔質体を、アノード２０に不溶解アノードを使用し、めっき液Ｑは、硫酸銅、硫酸、塩素および添加剤を用いて調製したものを使用した。また基板Ｗはシード層が厚さ５０ｎｍのＣｕである直径３００ｍｍシリコンウェーハを用いた。基板Ｗを基板保持ホルダ６０に被めっき面Ｗ１が下になるように取り付けてめっき液Ｑに浸漬させた。めっき液供給管４０，４０より２０℃に調整しためっき液Ｑをそれぞれ抵抗体３０の上下に供給し、めっき液排出管８０，８０よりめっき液Ｑをそれぞれ回収することによりめっき液Ｑをそれぞれ独立に循環させてめっき処理した。このときの抵抗体３０の上部におけるめっき液循環時のめっき液Ｑの流し方として、図１７に示すように、抵抗体３０上面に沿って一方向に流す方法（図１７（ａ））と、抵抗体３０の中心方向に流す方法（図１７（ｂ））と、めっき液循環をしない方法（即ち抵抗体３０上面のめっき液Ｑを静止した状態）とでめっきを行った。そしてそれぞれの場合について、基板Ｗと抵抗体３０の間の隙間部分のめっき液温度の経時変化を測定した。その結果を図１８に示す。同図に示すように、めっき液Ｑを循環しない場合はめっき液温が時間と共に上昇したのに対して、循環した場合は何れのめっき液Ｑの流し方の場合でもめっき液温を常に一定に保つことができた。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】めっき装置１−１の概略構成図である。
【図２】めっき装置１−１の動作説明図である。
【図３】めっき装置１−２の概略構成図である。
【図４】めっき装置１−３の概略構成図である。
【図５】めっき装置１−３の動作説明図である。
【図６】めっき装置１−４の概略構成図である。
【図７】めっき装置１−５の概略構成図である。
【図８】めっき装置１−５の動作説明図である。
【図９】めっき装置１−６の概略構成図である。
【図１０】めっき装置１−７の概略構成図である。
【図１１】めっき装置１−１，１−７におけるめっき液の噴出方向を示す図である。
【図１２】めっき膜厚の均一性の測定結果を示す図である。
【図１３】めっき膜厚の均一性の測定結果を示す図である。
【図１４】めっき装置３００の概略構成図である。
【図１５】めっき膜厚の均一性の測定結果を示す図である。
【図１６】めっき装置３５０の概略構成図である。
【図１７】抵抗体３０上部のめっき液Ｑの流し方を示す図である。
【図１８】めっき液循環の有無によるめっき液温の経時変化を示す図である。
【図１９】基板Ｗと抵抗体３０の離間距離とめっき膜のばらつきの関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１−１ めっき装置
Ｗ 基板
Ｗ１ 被めっき面
Ｑ めっき液
１０ めっきセル
２０ アノード
３０ 抵抗体
４０ めっき液供給管（めっき液供給手段）
４１ めっき液噴出供給機構（めっき液供給手段）
８０ めっき液排出管（めっき液排出手段）
１２０ めっき液循環機構
１４０ めっき液冷却機構
６０ 基板保持ホルダ
９０ シール
１−２ めっき装置
１−３ めっき装置
３５ 抵抗体（凸型抵抗体）
３７ ロッド
１−４ めっき装置
１−５ めっき装置
１５ めっき槽
３９ ロッド
１−６ めっき装置
１−７ めっき装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板等の基板の被めっき面にめっき液を供給し、この基板の被めっき面に回路パターン配線等を形成するのに用いて好適なめっき方法及びめっき装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特許文献１に示すように、基板の被めっき面を下向き（Face Down）にしてこの被めっき面を処理するめっき装置がある。また特許文献１に記載のめっき装置では、基板の被めっき面に均一なめっきを施すために基板とアノードとの間に抵抗体（含浸材）を設置している。
【０００３】
被めっき面が下向きの基板にめっき処理を施す場合、めっきセル内に保持しためっき液に対して基板をその上から降下させることによってめっき液と基板の被めっき面とを接触させている。そして基板の被めっき面とめっき液面とが平行になるように基板を降下させると、基板とめっき液との接触面に気泡が入り込む恐れがあり、この気泡によって基板とめっき液が接触しない部分が生じ、基板の被めっき面に均一なめっきができないという問題があった。また抵抗体の設置により、めっき処理時の通電の際に抵抗体が発熱し、めっき液温度が上昇するという問題もあった。
【０００４】
このため従来なされている気泡除去方法は、めっきセル内のめっき液を上向きの（めっきセル下部から液面に向かう）噴流によってめっき液中央面を盛り上げることにより、接液時に基板下面に溜まる気泡を基板の外側に押し流して除去していた。しかしながら上述のように、アノードと基板との間に抵抗体を配置した場合、抵抗体によってめっきセル下部からめっき液面に向かう噴流が遮断され、めっき液の盛り上がりを形成することができない。従って従来、Face Down方式のめっき装置では、抵抗体を設置する方法でめっきを行うことは困難であった。また抵抗体を使用してめっき膜厚の面内均一性を向上するためには、抵抗体を通過する電流経路以外の電流経路を遮断した上で、抵抗体と基板の間隔を５ｍｍ以下の狭い隙間にする必要があるが、その狭い隙間に抵抗体発熱に対する温度調整のためのめっき液を満遍なくよどむことなく流すことは困難であった。
【特許文献１】特開２００５−２４５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上述の点に鑑みてなされたものでありその目的は、基板とアノードとの間に抵抗体を設置したFace Down方式のめっき装置であっても、基板の被めっき面に気泡が入り込むことなく被めっき面全体を確実にめっき液に接触させて均一なめっきが行え、また容易にめっき液温度の調整が行なえるめっき方法及びめっき装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願請求項１に記載の発明は、下向きにした基板の被めっき面と、前記基板の下方に設置したアノードとの間にめっき液を介在した状態で前記基板の被めっき面とアノード間に電圧を印加することで、前記基板の被めっき面にめっきを行うめっき方法において、前記アノードの上部に抵抗体を設置して抵抗体の上までめっき液を満たし、前記抵抗体の上面に沿って抵抗体の外周から中心の方向へ向かってめっき液を流すことにより抵抗体上面の中央にめっき液の盛り上がりを作り、この状態で下向きにした前記基板を降下させることによりめっき液に浸漬させて、前記基板の被めっき面と前記抵抗体上面の間の隙間をめっき液で満たすことを特徴とするめっき方法にある。即ち本発明では、めっき液を流す方向を、めっきセルの下部から上部ではなく、抵抗体上面に沿って横向きで、抵抗体中心に向かって噴射することにより、めっき液が抵抗体中央でぶつかり合って液面を盛り上げるようにした。
【０００７】
本願請求項２に記載の発明は、下向きにした基板の被めっき面と、前記基板の下方に設置したアノードとの間にめっき液を介在した状態で前記基板の被めっき面とアノード間に電圧を印加することで、前記基板の被めっき面にめっきを行うめっき方法において、アノードの上部に上面が平面または凸型の形状を有する抵抗体を設置して抵抗体の上までめっき液を満たし、前記抵抗体の上昇によって凸形状となるめっき液面に前記基板を降下させることによりめっき液に浸漬させて、前記基板の被めっき面と前記抵抗体上面からなる隙間をめっき液で満たすことを特徴とするめっき方法にある。
【０００８】
本願請求項３に記載の発明は、下向きにした基板の被めっき面と、前記基板の下方に設置したアノードとの間にめっき液を介在した状態で前記基板の被めっき面とアノード間に電圧を印加することで、前記基板の被めっき面にめっきを行うめっき方法において、アノードの上部に上面が平面または凸型の形状を有する抵抗体を設置するとともにアノードと抵抗体とを収納しためっきセルの上までめっき液を満たし、前記めっきセルの上昇によって凸形状となるめっき液面に前記基板を降下させることによりめっき液に浸漬させて、前記基板の被めっき面と前記抵抗体上面からなる隙間をめっき液で満たすことを特徴とするめっき方法にある。
【０００９】
本願請求項４に記載の発明は、めっきセルと、めっきセル内に配置されるアノードと、アノードの上部に配置される抵抗体と、アノードと抵抗体の間にめっき液を供給する第一のめっき液供給手段及びアノードと抵抗体の間に供給されためっき液を排出する第一のめっき液排出手段と、抵抗体の上面にめっき液を供給する第二のめっき液供給手段及び抵抗体の上面に供給されためっき液を排出する第二のめっき液排出手段と、めっき液を循環するめっき液循環機構と、めっき液を冷却するめっき液冷却機構と、基板をその被めっき面を下向きにした状態で保持する基板保持ホルダと、アノードと基板の間の電気経路のうち抵抗体を経由しない電気経路を遮断するシールとを具備し、基板保持ホルダに保持した基板の被めっき面を抵抗体上面のめっき液に接液し、基板の被めっき面のめっきを行うことを特徴とするめっき装置にある。
【００１０】
本願請求項５に記載の発明は、前記抵抗体の上面にめっき液を供給する第二のめっき液供給手段を、前記抵抗体の上面に沿って前記抵抗体の外周から中心の方向へ向かってめっき液を流す構成とすることにより、前記抵抗体上面の中央にめっき液の盛り上がりを作ることを特徴とする請求項４記載のめっき装置にある。
【００１１】
本願請求項６に記載の発明は、前記抵抗体の上面の形状が平面または凸型であって、前記抵抗体を上下方向に移動する機構を具備することを特徴とする請求項４記載のめっき装置にある。
【００１２】
本願請求項７に記載の発明は、前記めっきセルに設置された抵抗体の上面の形状が平面または凸型であって、前記めっきセルがめっき槽内に配置され、前記めっきセルを上下方向に移動する機構を具備することを特徴とする請求項４記載のめっき装置にある。
【００１３】
本願請求項８に記載の発明は、前記アノードの上部に複数の前記抵抗体を具備することを特徴とする請求項５又は６又は７記載のめっき装置にある。
【発明の効果】
【００１４】
本願請求項１に記載の発明によれば、Face Down方式のめっき装置に抵抗体を設置しても、基板を降下させてめっき液と接触させる際に、基板の中央部直下のめっき液面を盛り上がらせることができ、最初に基板中央部とめっき液を接触させ、次いで基板外周に向かって接触面を広げることで、基板とめっき液との間に気泡が入り込むことなく、基板とめっき液を接触させて均一なめっきを行うことができる。さらに抵抗体の設置によって、今まで以上にめっき膜厚の面内均一性の向上を図ることができる。
また抵抗体の外周から中心の方向へ向かってめっき液を流す構成としたので、例え基板と抵抗体の隙間の寸法が小さく（例えば５ｍｍ以下）て流路抵抗によりめっき液の流れ易い場所と流れにくい場所が生じてめっき液がよどみ易い状態でも、前記狭い隙間に確実にめっき液を流し込むことができ、基板全面にわたってよどむことなくめっき液を流通させることができる。なおめっき液をよどみなく流通することによってめっき液温度の調整が可能となる。
【００１５】
本願請求項２，３に記載の発明によれば、抵抗体を上昇させることによって、本願請求項１に記載の発明のような噴流によらずに、めっき液の盛り上がりを作ることが可能となる。これによって本願請求項１に記載の発明と同様に、Face Down方式のめっき装置に抵抗体を設置しても、基板とめっき液との間に気泡が入り込むことなく、基板とめっき液を確実に接触させて均一なめっきを行うことができる。さらに抵抗体の設置によって、今まで以上にめっき膜厚の面内均一性の向上を図ることができる。
なお本願請求項２に記載の発明のように抵抗体のみを上下動させた場合、電流リーク防止のために抵抗体とめっきセルの間に設置したシールが擦れて劣化する可能性があるが、本願請求項３に記載の発明によれば、抵抗体とめっきセルを一体として上下動させるので、前記シールの劣化を防止できる。
【００１６】
本願請求項４に記載の発明によれば、Face Down方式のめっき装置に抵抗体を設置することによって、今まで以上のめっき膜厚の面内均一性の向上を図ることができる。まためっき液供給手段とめっき液排出手段とめっき液循環機構とめっき液冷却機構とによってめっき液を循環・冷却するので、めっき液温度の調整が容易に行える。またシールを設けたので、シールとめっきセルの間からの電流のリークが防止できる。また抵抗体を境としてアノード側のめっき液と基板側のめっき液とを分離することができるので、抵抗体以外の電流の経路を遮断することができる。
【００１７】
本願請求項５に記載の発明によれば、基板を降下させてめっき液と接触させる際に、最初に基板中央部とめっき液を接触させ、次いで基板外周に向かって接触面を広げることができ、Face方式のめっき装置に抵抗体を設置しても、基板とめっき液との間に気泡が入り込むことなく、基板とめっき液を確実に接触させて均一なめっきを行うことができる。
また抵抗体の外周から中心の方向へ向かってめっき液を流す構成としたので、例え基板と抵抗体の隙間の寸法が小さく（例えば５ｍｍ以下）て流路抵抗によりめっき液の流れ易い場所と流れにくい場所が生じてめっき液がよどみ易い状態でも、前記狭い隙間に確実にめっき液を流し込むことができ、基板全面にわたってよどむことなくめっき液を流通させることができる。
【００１８】
本願請求項６に記載の発明によれば、抵抗体を上昇させることによって、めっき液Ｑの盛り上がりを作ることが可能となる。これによって本願請求項５に記載の発明と同様に、Face Down方式のめっき装置に抵抗体を設置しても、基板とめっき液との間に気泡が入り込むことなく、基板とめっき液を確実に接触させて均一なめっきを行うことができる。
【００１９】
本願請求項７に記載の発明によれば、めっきセルと共に抵抗体を上昇させることによって、めっき液Ｑの盛り上がりを作ることが可能となる。これによって本願請求項５に記載の発明と同様に、Face Down方式のめっき装置に抵抗体を設置しても、基板とめっき液との間に気泡が入り込むことなく、基板とめっき液を確実に接触させて均一なめっきを行うことができる。
なお本願請求項６に記載の発明のように抵抗体のみを上下動させた場合、電流リーク防止のために抵抗体とめっきセルの間に設置したシールが擦れて劣化する可能性があるが、本願請求項７に記載の発明によれば、抵抗体とめっきセルを一体として上下動させるので、前記シールの劣化を防止できる。
【００２０】
請求項８に記載の発明によれば、抵抗体の数を増やすことによってアノードと基板間の抵抗が増加し、シート抵抗の高い基板に対しても良好なめっき膜厚の面内均一性を確保することができる。また抵抗体を複数に分割することによって抵抗体を冷却する効率を上げることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。
〔第１実施形態〕
図１は本発明の第１実施形態にかかるめっき装置１−１の概略構成図である。同図に示すめっき装置１−１は、めっき液Ｑを保持するめっきセル１０と、めっきセル１０内に設置されるアノード２０と、アノード２０の上部に配置される抵抗体３０と、めっきセル１０内にめっき液Ｑを供給して抵抗体３０の上までめっき液Ｑを充填するめっき液供給手段（めっき液供給管４０とめっき液噴出供給機構４１からなる第一、第二のめっき液供給手段）と、抵抗体３０の下部および上部のめっき液Ｑをそれぞれ排出するめっき液排出手段（第一、第二のめっき液排出手段、以下「めっき液排出管」という）８０と、めっき液Ｑを循環するめっき液循環機構１２０と、めっき液を冷却するめっき液冷却機構１４０と、基板Ｗをその被めっき面Ｗ１を下向きにした状態で保持する基板保持ホルダ６０と、アノード２０と基板Ｗの間の電気経路のうち前記抵抗体３０を経由しない電気経路を遮断するシール９０とを具備して構成されている。以下各構成部品について説明する。
【００２２】
めっきセル１０は箱型の容器であり、その内部にめっき液Ｑを充填保持する構造に構成されている。アノード２０は前記めっきセル１０内の下部にその面が水平になるように設置されている。この実施形態ではアノード２０として不溶解アノードを用いている。
【００２３】
抵抗体３０は板状であり、その外周が前記めっきセル１０の内周に沿う形状に形成されている。この実施形態では板状のセラミック製の多孔質体を用いており、具体的には気孔率３０％以下の多孔質構造体であり、炭化ケイ素、表面を酸化処理した炭化ケイ素、アルミナ又はプラスチックの１つ、又はそれらの組み合わせ等によって構成されている。多孔質セラミック自体は絶縁体であるが、その内部にめっき液を複雑に入り込ませ、厚さ方向にかなり長い経路を辿らせることでめっき液Ｑの電気伝導率より小さい電気伝導率を有する抵抗体を構成している。
【００２４】
抵抗体３０の外周には、アノード２０と基板Ｗの間の電気経路のうち抵抗体３０を経由しない電気経路を遮断するリング状のシール９０が取り付けられている。シール９０は抵抗体３０に密着し、抵抗体３０とめっきセル１０の間に配置される。シール９０とめっきセル１０は互いに相対的に動くことができるが、シール９０とめっきセル１０の間からは電流のリークがない。シール９０の１例としては、抵抗体３０の周囲に樹脂をコーティングすることが挙げられる。樹脂が多孔質体の抵抗体３０表面の気孔に入り込むことにより抵抗体３０に密着し、抵抗体３０とシール９０の間からリークする電流を遮断することができる。
【００２５】
めっき液供給管４０は、めっきセル１０の抵抗体３０を設置したその下側に複数本接続され、めっき液Ｑをめっきセル１０内に供給するものである。めっき液噴出供給機構４１は、めっきセル１０の側壁の抵抗体３０を設置したその上側に複数本（この実施形態では８本）、略等間隔に抵抗体３０を囲むように設置され、めっき液Ｑを抵抗体３０の上面に沿って（ほぼ水平に）、且つ抵抗体３０（めっきセル１０）の外周から中心の方向へ向けて噴出して流すように設置されている。めっき液噴出供給機構４１から噴射されるめっき液Ｑの流速は、前記めっき液供給管４０から吐出されるめっき液Ｑの流速よりも早くなるようにする。めっき液排出管８０は、めっきセル１０の底面と、めっきセル１０の抵抗体３０より上側の側面とにそれぞれ接続され、前記めっきセル１０内の抵抗体３０の下部と上部のめっき液Ｑをそれぞれ排出するものである。
【００２６】
めっき液循環機構１２０はめっきセル１０内のめっき液Ｑを循環するものであり、めっき液を保持しておくめっき液槽１２１と、めっき液槽１２１のめっき液を前記めっきセル１０の抵抗体３０の上部側と下部側にそれぞれ供給・循環するように接続される配管１２３ａ，１２３ｂと、これら配管１２３ａ，１２３ｂ中にそれぞれ設置されるポンプＰ１，Ｐ２及びフィルタＦ１，Ｆ２及び流量計１２４ａ，１２４ｂとを具備して構成されている。配管１２３ａの両端部は、それぞれめっき液噴出供給機構４１とめっきセル１０側面のめっき液排出管８０に接続され、配管１２３ｂの両端部はそれぞれめっき液供給管４０とめっきセル１０底面のめっき液排出管８０に接続されている。そしてめっき液槽１２１において、めっきセル１０の抵抗体３０の上部側と下部側にそれぞれ供給・循環されるめっき液は分離されており、従って抵抗体３０上面と基板Ｗとの間のめっき液Ｑと、抵抗体３０下面とめっきセル１０との間のめっき液Ｑとはそれぞれ独立に循環するように構成されている。
【００２７】
めっき液冷却機構１４０はめっき液Ｑを冷却するものであり、前記めっき液槽１２１とめっき液の冷却装置１４５との間を配管１４１によってめっき液が循環するように接続し、配管１４１に設けたポンプ１４７によってめっき液槽１２１内のめっき液を所定温度に冷却制御するように構成されている。この実施形態ではめっきセル１０の抵抗体３０の上部側と下部側にそれぞれ供給・循環されるめっき液Ｑの温度が同一になるように冷却制御しているが、場合に応じてそれぞれ独立に異なる温度になるように制御しても良い。また基板Ｗとアノード２０間にはめっき電源１６０が接続されている。
【００２８】
次にめっき装置１−１の動作を説明する。図２はめっき装置１−１の動作説明図（図２では説明に必要な部材のみ示している）である。まず図１において、めっき液循環機構１２０のポンプＰ１，Ｐ２を駆動することで、めっき液供給管４０とめっき液噴出供給機構４１からめっきセル１０内にめっき液Ｑを供給し、循環させる。その際めっき液冷却機構１４０を駆動することで、抵抗体３０の上部のめっき液Ｑの温度が所定の管理温度範囲（管理値範囲）内に入るようにめっき液温を制御する。この実施形態の前記管理値範囲は２０〜２８℃とした。
【００２９】
このとき抵抗体３０の周囲に設置した複数（８本）のめっき液噴出供給機構４１から抵抗体３０の上面に沿って抵抗体３０の中心に向かって噴出されるめっき液Ｑ（図１１参照）により、抵抗体３０の中央にめっき液Ｑの盛り上がりが生じる。この状態で図２（ａ）に示すように、基板保持ホルダ６０に被めっき面Ｗ１を下向きにして取り付けた基板Ｗを降下することにより、図２（ｂ）に示すように、めっき液Ｑを最初に基板Ｗの中央部に接触させ、さらに基板Ｗを降下することによりめっき液Ｑとの接触面を基板Ｗの外周へと広げる。そして図２（ｃ）に示すように、基板Ｗの被めっき面Ｗ１全体と抵抗体３０の上面との間をめっき液Ｑで満たした状態とすることにより、基板Ｗの被めっき面Ｗ１全体にめっき液Ｑを供給する。このように基板Ｗを降下させてめっき液Ｑと接触させる際に、基板Ｗの中央部直下のめっき液面を盛り上がらせることにより、最初に基板Ｗ中央部とめっき液が接触し、次いで基板外周に向かって接触面が広がるようにしたので、基板Ｗの被めっき面Ｗ１とめっき液Ｑとの接液面に気泡が入り込むことがなくなり、被めっき面Ｗ１の全面に確実にめっき液Ｑを接液させることができる。
【００３０】
また基板Ｗの被めっき面Ｗ１の抵抗（シート抵抗）が大きいような場合、その影響を受けてめっき膜が基板Ｗ中央部よりも外周部の方が厚くなるが、本実施形態の場合、基板中央からめっき液Ｑを接液するので、例えば接液にかかる時間をコントロールし、液面を盛り上げている間、基板Ｗの中央のみに接液させめっきを行うことによって基板中央へめっきを行うことができ、めっき膜厚の面内均一性をより向上させることができる。
【００３１】
またこの実施形態においては、めっき液循環機構１２０によってめっき液Ｑを循環することとしたので、めっき液冷却機構１４０によるめっき液温度の調整が可能になった。そしてめっき液冷却機構１４０によって抵抗体３０上部のめっき液温度が所定の管理温度範囲内に入るようにめっき液温度を制御したので、良好なめっきを行うことが可能となった。即ち、配線の微細化に伴なって基板Ｗ（シード層等）の抵抗は今後ますます大きくなる。シード層等の抵抗の高い基板Ｗに均一にめっきするには抵抗体３０の抵抗を大きくすれば良い。しかしながら抵抗体３０の抵抗を増大させると、通電時の抵抗体３０の発熱量が大きくなる。また抵抗体３０は基板Ｗの近傍（めっき液Ｑを介して５ｍｍ以下の距離）に配置されるため、抵抗体３０の発熱による液温上昇がめっき膜質へ与える影響が大きい（めっき液Ｑの温度が高くなるとめっき液Ｑに含まれる添加剤が失活し、めっきの良好な光沢性および膜厚均一性が得られなくなる）。そこで、基板Ｗと抵抗体３０間に供給されるめっき液Ｑの液温や、抵抗体３０の下面とめっきセル１０との間に供給されるめっき液Ｑの液温を調整することにより、基板Ｗと抵抗体３０間の隙間Ｓ１のめっき液Ｑの液温が管理温度範囲内になるようにし、良好なめっきが行えるようにしたのである。
【００３２】
なお図２（ｃ）に示す基板Ｗ下降時の基板Ｗと抵抗体３０との隙間Ｓ１は、５ｍｍ以下の狭い寸法とした。この寸法としたのは、下記する図１９で説明するように、めっき膜厚の均一性には、ばらつき（相対標準偏差）２％以下が要求されているが、図１９より、ばらつきを２％以内に抑えるためには、抵抗体３０と基板Ｗの離間距離を５ｍｍ以下にする必要があるからである。一方抵抗体３０と基板Ｗの離間距離を５ｍｍ以下の狭い寸法にすると、例えば直径３００ｍｍの円形で幅５ｍｍ以下の狭い隙間Ｓ１にめっき液Ｑを流すこととなるが、流路抵抗によりめっき液Ｑの流れ易い場所と流れにくい場所が生じるため、めっき液Ｑをよどむことなく満遍に流通させることは困難である。そこでこの実施形態においては、基板Ｗの外周から中心に向かう方向にめっき液を供給することにより、基板Ｗと抵抗体３０の狭い隙間Ｓ１に確実にめっき液Ｑを流し込むこととし、基板Ｗの被めっき面Ｗ１全面にわたってよどむことなくめっき液Ｑを流通させることとした。
【００３３】
ところでアノード２０と基板Ｗの間に抵抗体３０を設置してめっきを行う場合、抵抗体３０以外の電流経路を遮断する必要がある。これは基板Ｗの被めっき面Ｗ１上の電流密度を均一化してめっき膜厚の均一化を図るためである。しかしながら抵抗体３０上面と基板Ｗの間に形成される隙間Ｓ１と抵抗体３０下面とめっきセル１０から形成される領域Ｓ２（図２（ｃ）参照）に同一のめっき液Ｑを循環した場合、電流がめっき液Ｑを介して抵抗体３０を通さずにアノード２０から基板Ｗに流れる場合がある。そこで本実施形態では、めっき液循環機構１２０によってめっき液Ｑを隙間Ｓ１と領域Ｓ２にそれぞれ独立に循環させ、またシール９０を取り付けることによって、抵抗体３０を境としてアノード２０側のメッキ液Ｑと基板Ｗ側のめっき液Ｑとを分離し、抵抗体３０以外の電流の経路を遮断している。
【００３４】
〔第２実施形態〕
図３は本発明の第２実施形態にかかるめっき装置１−２の概略構成図である。同図に示すめっき装置１−２において、前記図１に示すめっき装置１−１と同一又は相当部分には同一符号を付す。なお以下で説明する事項以外の事項については、前記図１に示すめっき装置１−１と同じである。このめっき装置１−２において前記めっき装置１−１と相違する点は、抵抗体３０を複数個、上下方向に所定間隔毎に設置し、各抵抗体３０の間の隙間にもめっき液Ｑを供給するためのめっき液供給手段（めっき液供給管）４０とめっき液Ｑを排出するためのめっき液排出手段（めっき液排出管）８０を設置した点である。また図示は省略しているが、最も上部の抵抗体３０の上面側のめっき液Ｑを排出するためのめっき液排出管も第１実施形態と同様に取り付けられている。各抵抗体３０の外周にはそれぞれシール９０が取り付けられている。なお図３では、図１に示しためっき液循環機構１２０とめっき液冷却機構１４０の記載を省略している。
【００３５】
このように抵抗体３０の数を増やせば、アノード２０と基板Ｗ間の抵抗が増加し、シート抵抗の高い基板Ｗに対しても良好なめっき膜厚の面内均一性を確保することができる。また抵抗体３０を複数に分割しているので、抵抗体３０を冷却する効率を上げることができる。なおこのめっき装置１−２の動作は、前記第１実施形態のめっき装置１−１の動作と同じである。
【００３６】
〔第３実施形態〕
図４は本発明の第３実施形態にかかるめっき装置１−３の概略構成図である。同図に示すめっき装置１−３において、前記図１に示すめっき装置１−１と同一又は相当部分には同一符号を付す。なお以下で説明する事項以外の事項については、前記図１に示すめっき装置１−１と同じである。このめっき装置１−３において前記めっき装置１−１と相違する点は、アノード２０の上部に上面が凸型の形状（略球面形状）を有する抵抗体（凸型抵抗体）３５を設置してこの抵抗体３５を上下動自在にした点と、この抵抗体３５を上下動自在とするためにその中央下面にロッド３７を設けてこのロッド３７をアノード２０とめっきセル１０の底面とに貫通させて外部の図示しない上下駆動機構に接続した点と、前記抵抗体３５の上部にめっき液Ｑを供給するめっき液噴出供給機構４１の代りに抵抗体３５の下部にめっき液Ｑを供給するめっき液供給管４０と同じめっき液供給管４０を取り付けた点とである。なおこの図には、抵抗体３５の上部にめっき液Ｑを排出するめっき液排出管８０が図示されている。またこの実施形態の抵抗体３５の下面の形状は凹型となっている。また抵抗体３５の上下動と基板Ｗの上下動は、それぞれが独立して制御される機構となっている。
【００３７】
次にめっき装置１−３の動作を説明する。図５はめっき装置１−３の動作説明図である。まず図４において、各めっき液供給管４０からめっきセル１０内の抵抗体３５の上下にそれぞれ所定温度に制御されためっき液Ｑを供給して抵抗体３５の上下にめっき液Ｑを満たしそれぞれ独立に循環させる。
【００３８】
そして図４，図５（ａ）に示すように抵抗体３５を上昇させるとめっき液面は凸型となる。この状態を維持したまま図５（ｂ）に示すように抵抗体３５を上昇させ、同時に基板保持ホルダ６０に取り付けた基板Ｗを降下することにより、めっき液Ｑを最初に被めっき面Ｗ１の中央部に接触させる。さらに抵抗体３５の上昇と基板Ｗの降下をそれぞれ独立に制御することにより、めっき液Ｑと被めっき面Ｗ１との接触面を被めっき面Ｗ１の外周へと広げ、図５（ｃ）に示すように被めっき面Ｗ１全体と抵抗体３５の上面との間をめっき液Ｑで満たした状態とすることにより、基板Ｗの被めっき面Ｗ１にめっき液Ｑを供給する。このように構成しても、前記第１実施形態と同様に、基板Ｗの被めっき面Ｗ１全体とめっき液Ｑとの接液面に気泡が入り込むことがなくなり、被めっき面Ｗ１の全面に確実にメッキ液Ｑを接液させることができる。特にこの実施形態のように、抵抗体３５の上昇と基板Ｗの降下とを独立に制御すれば、基板Ｗの被めっき面Ｗ１とめっき液Ｑの接液するタイミングや接液の状態を調整することができ、より確実に接液時の気泡の除去を行うことができ、好適である。また第１実施形態と同様に、基板Ｗの被めっき面Ｗ１の抵抗（シート抵抗）が大きいような場合でも、例えば接液にかかる時間をコントロールし、液面を盛り上げている間、基板Ｗの中央のみに接液させめっきを行うことによって基板中央へめっきを行うことで、めっき膜厚の面内均一性をより向上させることができる。また第１実施形態と同様に、めっき液Ｑを循環することとしたので、めっき液冷却機構１４０（図１参照）によるめっき液温度の調整が容易になり、良好なめっきを行うことができる。
【００３９】
なおこの実施形態に用いた抵抗体３５は、その上面が凸型、下面が凹型であるが、抵抗体３５の上面形状を平面、また下面形状を平面としても良い。
【００４０】
〔第４実施形態〕
図６は本発明の第４実施形態にかかるめっき装置１−４の概略構成図である。同図に示すめっき装置１−４において、前記図４に示すめっき装置１−３と同一又は相当部分には同一符号を付す。なお以下で説明する事項以外の事項については、前記図４に示すめっき装置１−３と同じである。このめっき装置１−４において前記めっき装置１−３と相違する点は、上面が凸型の形状（略球面形状）を有する抵抗体３５を複数個、上下方向に所定間隔毎に設置し、各抵抗体３５の間の隙間にもめっき液Ｑを供給するためのめっき液供給手段（めっき液供給管）４０とめっき液Ｑを排出するためのめっき液排出手段（めっき液排出管）８０を設置した点である。各抵抗体３５の外周にはそれぞれシール９０が取り付けられている。また図６では、図１に示しためっき液循環機構１２０とめっき液冷却機構１４０の記載を省略している。
【００４１】
このように抵抗体３５の数を増やせば、アノード２０と基板Ｗ間の抵抗が増加し、シート抵抗の高い基板Ｗに対しても良好なめっき膜厚の面内均一性を確保することができる。また抵抗体３５を複数に分割しているので、抵抗体３５を冷却する効率を上げることができる。なおこのめっき装置１−４の動作は、前記第３実施形態のめっき装置１−３の動作と同じである。
【００４２】
〔第５実施形態〕
図７は本発明の第５実施形態にかかるめっき装置１−５の概略構成図である。同図に示すめっき装置１−５において、前記図４に示すめっき装置１−３と同一又は相当部分には同一符号を付す。なお以下で説明する事項以外の事項については、前記図４に示すめっき装置１−３と同じである。このめっき装置１−５において前記めっき装置１−３と相違する点は、アノード２０の上部に上面が凸型の形状（略球面形状）を有する抵抗体３５を設置しためっきセル１０をめっき槽１５の中に配置した点と、このめっきセル１０を上下動自在にした点と、このめっきセル１０を上下動自在とするためにその中央下面にロッド３９を設けてこのロッド３９をめっき槽１５の底面に貫通させて外部の図示しない上下駆動機構に接続した点と、前記めっきセル１０内部とめっき槽１５内部にそれぞれめっき液Ｑを供給・排出するめっき液供給管４０及びめっき液排出管８０を取り付けた点とである。
【００４３】
次にめっき装置１−５の動作を説明する。図８はめっき装置１−５の動作説明図である。即ち図７において、各めっき液供給管４０からめっきセル１０及びめっき槽１５内に所定温度に制御されためっき液Ｑを供給してめっきセル１０の上までめっき液Ｑを満たしそれぞれ独立に循環させる。
【００４４】
そして図７，図８（ａ）に示すように抵抗体３５と一体のめっきセル１０を上昇させるとめっき液面は凸型となる。この状態を維持したまま図８（ｂ）に示すようにめっきセル１０及び抵抗体３５を上昇させ、同時に基板保持ホルダ６０に取り付けた基板Ｗを降下することにより、めっき液Ｑを最初に被めっき面Ｗ１の中央部に接触させる。さらにめっきセル１０及び抵抗体３５の上昇と基板Ｗの降下をそれぞれ独立に制御することにより、めっき液Ｑと被めっき面Ｗ１との接触面を被めっき面Ｗ１の外周へと広げ、図８（ｃ）に示すように被めっき面Ｗ１全体と抵抗体３５の上面との間をめっき液Ｑで満たした状態とすることにより、基板Ｗの被めっき面Ｗ１にめっき液Ｑを供給する。このように構成しても、前記第３実施形態と同様に、基板Ｗの被めっき面Ｗ１全体とめっき液Ｑとの接液面に気泡が入り込むことがなくなり、被めっき面Ｗ１の全面に確実にメッキ液Ｑを接液させることができる。特にこの実施形態のように、めっきセル１０の上昇と基板Ｗの降下とを独立に制御すれば、基板Ｗの被めっき面Ｗ１とめっき液Ｑの接液するタイミングや接液の状態を調整することができ、より確実に接液時の気泡の除去を行うことができ、好適である。また第３実施形態と同様に、基板Ｗの被めっき面Ｗ１の抵抗（シート抵抗）が大きいような場合でも、例えば接液にかかる時間をコントロールし、液面を盛り上げている間、基板Ｗの中央のみに接液させめっきを行うことによって基板中央へめっきを行うことで、めっき膜厚の面内均一性をより向上させることができる。また第３実施形態と同様に、めっき液Ｑを循環することとしたので、めっき液冷却機構１４０（図１参照）によるめっき液温度の調整が容易になり、良好なめっきを行うことができる。
【００４５】
なお前記第３実施形態のように抵抗体３５のみを上下動させた場合、電流リーク防止のために抵抗体３５とめっきセル１０の間に設置したシール９０が擦れて劣化する可能性があるが、本実施形態によれば、抵抗体３５とめっきセル１０を一体として上下動させるので、前記シール９０の劣化が防止できる。
【００４６】
〔第６実施形態〕
図９は本発明の第６実施形態にかかるめっき装置１−６の概略構成図である。同図に示すめっき装置１−６において、前記図７に示すめっき装置１−５と同一又は相当部分には同一符号を付す。なお以下で説明する事項以外の事項については、前記図７に示すめっき装置１−５と同じである。このめっき装置１−６において前記めっき装置１−５と相違する点は、上面が凸型の形状（略球面形状）を有する抵抗体３５を複数個、上下方向に所定間隔毎にめっきセル１０内に設置し、各抵抗体３５の間の隙間にもめっき液Ｑを供給するための図示しないめっき液供給手段（めっき液供給管）とめっき液Ｑを排出するための図示しないめっき液排出手段（めっき液排出管）を設置した点である。各抵抗体３５の外周とめっきセル１０の内周面の間にはそれぞれシール９０が取り付けられている。また図９では、図１に示しためっき液循環機構１２０とめっき液冷却機構１４０の記載を省略している。
【００４７】
このように抵抗体３５の数を増やせば、アノード２０と基板Ｗ間の抵抗が増加し、シート抵抗の高い基板Ｗに対しても良好なめっき膜厚の面内均一性を確保することができる。また抵抗体３５を複数に分割しているので、抵抗体３５を冷却する効率を上げることができる。なおこのめっき装置１−６の動作は、前記第５実施形態のめっき装置１−５の動作と同じである。
【００４８】
〔第７実施形態〕
図１０は本発明の第７実施形態にかかるめっき装置１−７の概略構成図である。同図に示すめっき装置１−７において、前記図１に示すめっき装置１−１と同一又は相当部分には同一符号を付す。なお以下で説明する事項以外の事項については、前記図１に示すめっき装置１−１と同じである。このめっき装置１−７において前記めっき装置１−１と相違する点は、めっき液噴出供給機構４１を、めっき装置１−１のようにめっきセル１０の外周側壁に設置する代わりに、めっきセル１０の外周側壁上部（抵抗体３０を設置したその上側）に複数本（この実施形態では８本）、略等間隔に抵抗体３０を囲むように設置し、めっき液Ｑを抵抗体３０の上面に沿って、且つ抵抗体３０（めっきセル１０）の外周から中心の方向へ向けて図１１に示すようにめっき液を噴出して流すように設置している点である。また図１０では、図１に示しためっき液循環機構１２０とめっき液冷却機構１４０の記載を省略している。このめっき装置１−７の動作は、前記第１実施形態のめっき装置１−１の動作と同じである。
【００４９】
＜実施例１＞
図１に示すめっき装置１−１を用い、抵抗体３０として上述した多孔質体を、アノード２０として不溶解アノードを使用した。めっき液Ｑは、硫酸銅、硫酸、塩素および添加剤を用いて調製した。基板Ｗはシード層が厚さ５０ｎｍのＣｕである直径３００ｍｍシリコンウェーハを用いた。そして図１の様に基板Ｗを基板保持ホルダ６０に被めっき面Ｗ１が下になるように取り付けた。このとき基板Ｗはめっき液Ｑの外部にある。めっき液Ｑを図１１に示すように８方向の周囲から抵抗体３０の上面に沿って中央に向かって噴出供給した。このとき抵抗体３０の中央部において、めっき液Ｑの液面は泉が湧くように盛り上がっている。次に、基板保持ホルダ６０に取り付けた基板Ｗをめっき液Ｑに降下し、基板Ｗをめっき液Ｑに浸漬させた（前記図２（ａ）〜（ｃ）参照）。この状態で、めっき膜の厚さが５００ｎｍとなるようにめっき電源１６０によりめっき電流を供給し、めっきを行ったところ、図１２に示すように均一なめっき膜が得られた。
【００５０】
なお本願発明者は、さらに前記めっき装置１−１において、基板Ｗと抵抗体３０の離間距離を１ｍｍ程度から９ｍｍ程度まで変更して上記方法でめっきを行い、めっき膜のばらつき（相対標準偏差）について測定した。その結果を図１９に示す。めっき膜厚の均一性には、ばらつき（相対標準偏差）２％以下が要求されているが、図１９より、ばらつきを２％以内に抑えるためには、抵抗体３０と基板Ｗの離間距離を５ｍｍ以下にするのが好適であることがわかった。
【００５１】
＜実施例２＞
図１０に示すめっき装置１−７を用い、抵抗体３０として上述した多孔質体を、アノード２０として不溶解アノードを使用した。めっき液Ｑは、硫酸銅、硫酸、塩素および添加剤を用いて調製した。基板Ｗはシード層が厚さ５０ｎｍのＣｕである直径３００ｍｍシリコンウェーハを用いた。そして図１０の様に基板Ｗを基板保持ホルダ６０に被めっき面Ｗ１が下になるように取り付けた。このとき基板Ｗはめっき液Ｑの外部にある。めっき液Ｑを図１１に示すようにめっきセル１０上端の８方向から抵抗体３０の上面に沿って中央に向かって噴出供給した。このとき抵抗体３０の中央部において、めっき液Ｑの液面は泉が湧くように盛り上がっている。次に、基板保持ホルダ６０に取り付けた基板Ｗをめっき液Ｑに降下し、前記実施例１と同様にして基板Ｗをめっき液Ｑに浸漬させた。この状態で、めっき膜の厚さが５００ｎｍとなるようにめっき電源１６０によりめっき電流を供給し、めっきを行ったところ、図１３に示すように均一なめっき膜が得られた。
【００５２】
＜比較例１＞
図１４は比較例１に用いるめっき装置３００の概略構成図である。同図に示すめっき装置３００は、めっき液Ｑを保持するめっきセル３１０と、めっきセル３１０内に設置されるアノード３２０と、アノード３２０の上部に配置される抵抗体３３０と、基板Ｗをその被めっき面Ｗ１を下向きにした状態で保持する基板保持ホルダ３６０と、前記アノード３２０と前記基板Ｗの間の電気経路のうち前記抵抗体３３０を経由しない電気経路を遮断するシール３９０とを具備し、さらに図示はしないがめっきセル３１０内にめっき液Ｑを供給して抵抗体３３０の上部と下部とにめっき液Ｑを充填するめっき液供給手段と、抵抗体３３０の上部および下部のめっき液Ｑを排出するめっき液排出手段と、めっき液Ｑを循環するめっき液循環機構と、めっき液を冷却するめっき液冷却機構とを具備している。そして抵抗体３３０として多孔質体を用い、アノード３２０として不溶解アノードを使用し、めっき液Ｑとして硫酸銅、硫酸、塩素および添加剤を調製したものを用い、基板Ｗとしてシード層が厚さ５０ｎｍのＣｕである直径３００ｍｍシリコンウェーハを用いた。図１４の様に基板Ｗを基板保持ホルダ３６０に被めっき面Ｗ１が下になるように取り付けた。このとき基板Ｗはめっき液Ｑの外部にある。次に、基板保持ホルダ３６０に取り付けた基板Ｗを液面が水平状態となっているめっき液Ｑに降下し、基板Ｗをめっき液Ｑに浸漬させた。基板Ｗをめっき液Ｑに浸漬させた状態で、めっき膜の厚さが５００ｎｍとなるようにめっき電源３７０によりめっき電流を供給してめっきを行ったところ、図１５に示すように、基板Ｗとめっき液Ｑの接触面に気泡が入り込むことによる不均一なめっき膜となった。
【００５３】
＜比較例２＞
図１６は比較例２に用いるめっき装置３５０の概略構成図である。同図に示すめっき装置３５０は、めっき液Ｑを保持するめっきセル１０と、めっきセル１０内に設置されるアノード２０と、アノード２０の上部に配置される抵抗体３０と、めっきセル１０内にめっき液Ｑを供給して抵抗体３０の下部と上部にそれぞれめっき液Ｑを充填するめっき液供給手段（めっき液供給管）４０と、抵抗体３０の上部および下部のめっき液Ｑを排出するめっき液排出手段（めっき液排出管）８０と、基板Ｗをその被めっき面Ｗ１を下向きにした状態で保持する基板保持ホルダ６０と、前記アノード２０と前記基板Ｗの間の電気経路のうち前記抵抗体３０を経由しない電気経路を遮断するシール９０とを具備し、さらに図示しないめっき液Ｑを循環するめっき液循環機構と、めっき液を冷却するめっき液冷却機構と、を具備して構成されている。
【００５４】
そして抵抗体３０に多孔質体を、アノード２０に不溶解アノードを使用し、めっき液Ｑは、硫酸銅、硫酸、塩素および添加剤を用いて調製したものを使用した。また基板Ｗはシード層が厚さ５０ｎｍのＣｕである直径３００ｍｍシリコンウェーハを用いた。基板Ｗを基板保持ホルダ６０に被めっき面Ｗ１が下になるように取り付けてめっき液Ｑに浸漬させた。めっき液供給管４０，４０より２０℃に調整しためっき液Ｑをそれぞれ抵抗体３０の上下に供給し、めっき液排出管８０，８０よりめっき液Ｑをそれぞれ回収することによりめっき液Ｑをそれぞれ独立に循環させてめっき処理した。このときの抵抗体３０の上部におけるめっき液循環時のめっき液Ｑの流し方として、図１７に示すように、抵抗体３０上面に沿って一方向に流す方法（図１７（ａ））と、抵抗体３０の中心方向に流す方法（図１７（ｂ））と、めっき液循環をしない方法（即ち抵抗体３０上面のめっき液Ｑを静止した状態）とでめっきを行った。そしてそれぞれの場合について、基板Ｗと抵抗体３０の間の隙間部分のめっき液温度の経時変化を測定した。その結果を図１８に示す。同図に示すように、めっき液Ｑを循環しない場合はめっき液温が時間と共に上昇したのに対して、循環した場合は何れのめっき液Ｑの流し方の場合でもめっき液温を常に一定に保つことができた。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】めっき装置１−１の概略構成図である。
【図２】めっき装置１−１の動作説明図である。
【図３】めっき装置１−２の概略構成図である。
【図４】めっき装置１−３の概略構成図である。
【図５】めっき装置１−３の動作説明図である。
【図６】めっき装置１−４の概略構成図である。
【図７】めっき装置１−５の概略構成図である。
【図８】めっき装置１−５の動作説明図である。
【図９】めっき装置１−６の概略構成図である。
【図１０】めっき装置１−７の概略構成図である。
【図１１】めっき装置１−１，１−７におけるめっき液の噴出方向を示す図である。
【図１２】めっき膜厚の均一性の測定結果を示す図である。
【図１３】めっき膜厚の均一性の測定結果を示す図である。
【図１４】めっき装置３００の概略構成図である。
【図１５】めっき膜厚の均一性の測定結果を示す図である。
【図１６】めっき装置３５０の概略構成図である。
【図１７】抵抗体３０上部のめっき液Ｑの流し方を示す図である。
【図１８】めっき液循環の有無によるめっき液温の経時変化を示す図である。
【図１９】基板Ｗと抵抗体３０の離間距離とめっき膜のばらつきの関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１−１ めっき装置
Ｗ 基板
Ｗ１ 被めっき面
Ｑ めっき液
１０ めっきセル
２０ アノード
３０ 抵抗体
４０ めっき液供給管（めっき液供給手段）
４１ めっき液噴出供給機構（めっき液供給手段）
８０ めっき液排出管（めっき液排出手段）
１２０ めっき液循環機構
１４０ めっき液冷却機構
６０ 基板保持ホルダ
９０ シール
１−２ めっき装置
１−３ めっき装置
３５ 抵抗体（凸型抵抗体）
３７ ロッド
１−４ めっき装置
１−５ めっき装置
１５ めっき槽
３９ ロッド
１−６ めっき装置
１−７ めっき装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下向きにした基板の被めっき面と、前記基板の下方に設置したアノードとの間にめっき液を介在した状態で前記基板の被めっき面とアノード間に電圧を印加することで、前記基板の被めっき面にめっきを行うめっき方法において、
前記アノードの上部に抵抗体を設置して抵抗体の上までめっき液を満たし、前記抵抗体の上面に沿って抵抗体の外周から中心の方向へ向かってめっき液を流すことにより抵抗体上面の中央にめっき液の盛り上がりを作り、この状態で下向きにした前記基板を降下させることによりめっき液に浸漬させて、前記基板の被めっき面と前記抵抗体上面の間の隙間をめっき液で満たすことを特徴とするめっき方法。
【請求項２】
下向きにした基板の被めっき面と、前記基板の下方に設置したアノードとの間にめっき液を介在した状態で前記基板の被めっき面とアノード間に電圧を印加することで、前記基板の被めっき面にめっきを行うめっき方法において、
アノードの上部に上面が平面または凸型の形状を有する抵抗体を設置して抵抗体の上までめっき液を満たし、前記抵抗体の上昇によって凸形状となるめっき液面に前記基板を降下させることによりめっき液に浸漬させて、前記基板の被めっき面と前記抵抗体上面からなる隙間をめっき液で満たすことを特徴とするめっき方法。
【請求項３】
下向きにした基板の被めっき面と、前記基板の下方に設置したアノードとの間にめっき液を介在した状態で前記基板の被めっき面とアノード間に電圧を印加することで、前記基板の被めっき面にめっきを行うめっき方法において、
アノードの上部に上面が平面または凸型の形状を有する抵抗体を設置するとともにアノードと抵抗体とを収納しためっきセルの上までめっき液を満たし、前記めっきセルの上昇によって凸形状となるめっき液面に前記基板を降下させることによりめっき液に浸漬させて、前記基板の被めっき面と前記抵抗体上面からなる隙間をめっき液で満たすことを特徴とするめっき方法。
【請求項４】
めっきセルと、
めっきセル内に配置されるアノードと、
アノードの上部に配置される抵抗体と、
アノードと抵抗体の間にめっき液を供給する第一のめっき液供給手段及びアノードと抵抗体の間に供給されためっき液を排出する第一のめっき液排出手段と、
抵抗体の上面にめっき液を供給する第二のめっき液供給手段及び抵抗体の上面に供給されためっき液を排出する第二のめっき液排出手段と、
めっき液を循環するめっき液循環機構と、
めっき液を冷却するめっき液冷却機構と、
基板をその被めっき面を下向きにした状態で保持する基板保持ホルダと、
アノードと基板の間の電気経路のうち抵抗体を経由しない電気経路を遮断するシールとを具備し、
基板保持ホルダに保持した基板の被めっき面を抵抗体上面のめっき液に接液し、基板の被めっき面のめっきを行うことを特徴とするめっき装置。
【請求項５】
前記抵抗体の上面にめっき液を供給する第二のめっき液供給手段を、前記抵抗体の上面に沿って前記抵抗体の外周から中心の方向へ向かってめっき液を流す構成とすることにより、前記抵抗体上面の中央にめっき液の盛り上がりを作ることを特徴とする請求項４記載のめっき装置。
【請求項６】
前記抵抗体の上面の形状が平面または凸型であって、前記抵抗体を上下方向に移動する機構を具備することを特徴とする請求項４記載のめっき装置。
【請求項７】
前記めっきセルに設置された抵抗体の上面の形状が平面または凸型であって、前記めっきセルがめっき槽内に配置され、前記めっきセルを上下方向に移動する機構を具備することを特徴とする請求項４記載のめっき装置。
【請求項８】
前記アノードの上部に複数の前記抵抗体を具備することを特徴とする請求項５又は６又は７記載のめっき装置。
【請求項１】
下向きにした基板の被めっき面と、前記基板の下方に設置したアノードとの間にめっき液を介在した状態で前記基板の被めっき面とアノード間に電圧を印加することで、前記基板の被めっき面にめっきを行うめっき方法において、
前記アノードの上部に抵抗体を設置して抵抗体の上までめっき液を満たし、前記抵抗体の上面に沿って抵抗体の外周から中心の方向へ向かってめっき液を流すことにより抵抗体上面の中央にめっき液の盛り上がりを作り、この状態で下向きにした前記基板を降下させることによりめっき液に浸漬させて、前記基板の被めっき面と前記抵抗体上面の間の隙間をめっき液で満たすことを特徴とするめっき方法。
【請求項２】
下向きにした基板の被めっき面と、前記基板の下方に設置したアノードとの間にめっき液を介在した状態で前記基板の被めっき面とアノード間に電圧を印加することで、前記基板の被めっき面にめっきを行うめっき方法において、
アノードの上部に上面が平面または凸型の形状を有する抵抗体を設置して抵抗体の上までめっき液を満たし、前記抵抗体の上昇によって凸形状となるめっき液面に前記基板を降下させることによりめっき液に浸漬させて、前記基板の被めっき面と前記抵抗体上面からなる隙間をめっき液で満たすことを特徴とするめっき方法。
【請求項３】
下向きにした基板の被めっき面と、前記基板の下方に設置したアノードとの間にめっき液を介在した状態で前記基板の被めっき面とアノード間に電圧を印加することで、前記基板の被めっき面にめっきを行うめっき方法において、
アノードの上部に上面が平面または凸型の形状を有する抵抗体を設置するとともにアノードと抵抗体とを収納しためっきセルの上までめっき液を満たし、前記めっきセルの上昇によって凸形状となるめっき液面に前記基板を降下させることによりめっき液に浸漬させて、前記基板の被めっき面と前記抵抗体上面からなる隙間をめっき液で満たすことを特徴とするめっき方法。
【請求項４】
めっきセルと、
めっきセル内に配置されるアノードと、
アノードの上部に配置される抵抗体と、
アノードと抵抗体の間にめっき液を供給する第一のめっき液供給手段及びアノードと抵抗体の間に供給されためっき液を排出する第一のめっき液排出手段と、
抵抗体の上面にめっき液を供給する第二のめっき液供給手段及び抵抗体の上面に供給されためっき液を排出する第二のめっき液排出手段と、
めっき液を循環するめっき液循環機構と、
めっき液を冷却するめっき液冷却機構と、
基板をその被めっき面を下向きにした状態で保持する基板保持ホルダと、
アノードと基板の間の電気経路のうち抵抗体を経由しない電気経路を遮断するシールとを具備し、
基板保持ホルダに保持した基板の被めっき面を抵抗体上面のめっき液に接液し、基板の被めっき面のめっきを行うことを特徴とするめっき装置。
【請求項５】
前記抵抗体の上面にめっき液を供給する第二のめっき液供給手段を、前記抵抗体の上面に沿って前記抵抗体の外周から中心の方向へ向かってめっき液を流す構成とすることにより、前記抵抗体上面の中央にめっき液の盛り上がりを作ることを特徴とする請求項４記載のめっき装置。
【請求項６】
前記抵抗体の上面の形状が平面または凸型であって、前記抵抗体を上下方向に移動する機構を具備することを特徴とする請求項４記載のめっき装置。
【請求項７】
前記めっきセルに設置された抵抗体の上面の形状が平面または凸型であって、前記めっきセルがめっき槽内に配置され、前記めっきセルを上下方向に移動する機構を具備することを特徴とする請求項４記載のめっき装置。
【請求項８】
前記アノードの上部に複数の前記抵抗体を具備することを特徴とする請求項５又は６又は７記載のめっき装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２００８−２０８４２１（Ｐ２００８−２０８４２１Ａ）
【公開日】平成２０年９月１１日（２００８．９．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−４６１８７（Ｐ２００７−４６１８７）
【出願日】平成１９年２月２６日（２００７．２．２６）
【出願人】（００００００２３９）株式会社荏原製作所 (1,477)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年９月１１日（２００８．９．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年２月２６日（２００７．２．２６）
【出願人】（００００００２３９）株式会社荏原製作所 (1,477)
【Ｆターム（参考）】
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