インタポーザ、回路基板モジュール、及びインタポーザの製造方法
【課題】電子部品やプリント回路基板に特殊構造を付加すること無く、柔軟性を有する多数の電極構造を一括して形成できるインタポーザの構造およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】インタポーザは、シート状の基材１４と、所定の配列で基材に固定された複数のバネ電極１２とを有する。バネ電極の各々は、基材の第１の面側に設けられ、第１の方向に沿って延在する第１のパッド１２ａと、基材の第１の面側とは反対の第２の面側に設けられ、第１の方向に沿って延在する第２のパッド１２ｂと、基材を貫通して第１の面側及び第２の面側に延在し、第１のパッドの一端と第２のパッドの一端を接続するポスト１２ｃとを有する。
【解決手段】インタポーザは、シート状の基材１４と、所定の配列で基材に固定された複数のバネ電極１２とを有する。バネ電極の各々は、基材の第１の面側に設けられ、第１の方向に沿って延在する第１のパッド１２ａと、基材の第１の面側とは反対の第２の面側に設けられ、第１の方向に沿って延在する第２のパッド１２ｂと、基材を貫通して第１の面側及び第２の面側に延在し、第１のパッドの一端と第２のパッドの一端を接続するポスト１２ｃとを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、電子部品を回路基板に実装する実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置等の電子部品をプリント回路基板に実装して形成される回路基板モジュールにおいて、実装構造に発生する熱応力や衝撃により発生する歪みに対して接続信頼性を確保した実装構造が提案されている。例えば、電子部品をプリント回路基板にはんだ付けした後に、電子部品とプリント回路基板と間（電子部品の下側）に接着材等のフィル材を充填し、電子部品とプリント回路基板との接合を補強することが広く行なわれている。あるいは、電子部品をプリント回路基板にはんだ付けした後に、電子部品全体を封止樹脂で覆い固める樹脂封止構造も用いられている。
【０００３】
フィル材の充填や樹脂封止を用いれば、電子部品をプリント回路基板に強固に接着することができるため、外部応力に対して、接合部にかかる変位、ひずみが抑制され、はんだ接続の信頼性が保たれる。しかしながら、強固に固められているために温度変化による金属部分、樹脂部分の線膨張係数の違いにより発生する内部応力に対してひずみの逃げ場が無く、内部応力により接合部に損傷が発生するおそれがある。また、修理の際には、加熱や機械的な力を組合せて取り外す必要があり、周囲部品破損のリスクが高い。
【０００４】
近年、電子部品とプリント回路基板と間にインタポーザ（中間基板）を組み込むことで接合部の応力を緩和することが提案されている。インタポーザ中にバネを形成してバネを介して電子部品とプリント回路基板とを接合することで、接合部の歪みを吸収して応力を抑制することができる。例えば、基板を貫通して延在するバイアの一端に下部コンタクトパッドを設け、バイヤの周囲の基板をコの字状に細長く切り出す。そして、反対端で、切り出した基板に沿って細いパターンを引き出され、パターンの先端に上部コンタクトパッドが接続されたインタポーザの構造が提案されている。また、メッシュを用いて複数の電極を保持した電極構造体の構造が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−７４７９号公報
【特許文献２】特開２００５−５０７８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
バイヤの周囲の基板をコの字状に切り出したインタポーザの構造では、基板の平面方向（ＸＹ方向）に沿って、下部コンタクトと上部コンタクトとの位置ずれを調整することが可能となる。しかしながら、このような構造では、下部コンタクトと上部コンタクトとの縦方向（Ｚ方向）の位置ずれについては、調節が難しいと考えられる。Ｚ方向の位置ずれが生じた場合、バイヤが倒れ込んでしまい、上部コンタクトのＸＹ方向の位置がずれてしまう。
【０００７】
そこで、上部コンタクトのＸＹ方向の位置ずれが少なく、電子部品やプリント回路基板から受ける応力を緩和することが可能な多数の電極構造を一括して保持するインタポーザの構造およびその製造方法の開発が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態によれば、シート状の基材と、所定の配列で前記基材に固定された複数のバネ電極とを有し、前記バネ電極の各々は、前記基材の第１の面側に設けられ、第１の方向に沿って延在する第１のパッドと、前記基材の第１の面側とは反対の第２の面側に設けられ、前記第１の方向に沿って延在する第２のパッドと、前記基材を貫通して前記第１の面側及び前記第２の面側に延在し、前記第１のパッドの一端と前記第２のパッドの一端を接続するポストとを有することを特徴とするインタポーザが提供される。
【０００９】
また上述のインタポーザを介して電子部品が回路基板に搭載された回路基板モジュールが提供される。
【００１０】
さらに、メッシュ材の所定の部位を残してＣｕめっき層を形成し、前記所定の部位において、前記メッシュ材の網目を貫通して前記メッシュ材の第１の面側と第１の面側の反対側の第２の面側に延在する金属ポストをＮｉめっきにより形成するとともに、前記金属ポストから前記メッシュ材の第１の面側において前記Ｃｕめっき層に沿って延在する第１のパッドと、前記金属ポストから前記メッシュ材の第２の面側において前記Ｃｕめっき層に沿って延在するＮｉめっき層をＮｉめっきにより形成するインタポーザの製造方法が提供される。
【００１１】
また、メッシュ材に、所定の部位を残して第１のレジストを形成し、前記所定の部位において、前記メッシュ材の網目を貫通して前記メッシュ材の第１の面側と第１の面側の反対側の第２の面側に延在する金属ポストを金属めっきにより形成するとともに、前記金属ポストから前記メッシュ材の第１の面側において前記第１のレジストに沿って延在し、且つ前記金属ポストから前記メッシュ材の第２の面側において前記第１のレジストに沿って延在する金属層を金属めっきにより形成するインタポーザの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
実施形態によれば、電子部品やプリント回路基板に特殊構造を付加すること無く、柔軟性を有する多数の電極構造を一括して形成できるインタポーザの構造およびその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】一実施形態によるインタポーザの電極構造を模式的に描いた図である。
【図２】電極バネの変位を説明するための図である。
【図３】第１実施形態によるインタポーザの平面図である。
【図４】インタポーザの斜視図である。
【図５】図４のＡ部の拡大図である。
【図６】インタポーザの製造工程を示す図である。
【図７】インタポーザの他の製造工程を示す図である。
【図８】インタポーザのバネ電極の中にシリコン樹脂を充填する工程を説明するための図である。
【図９】第２実施形態によるインタポーザの製造工程を説明するための図である。
【図１０】インタポーザ要因効果の分解結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
次に、実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１５】
図１は一実施形態によるインタポーザの電極構造を模式的に描いた図である。インタポーザ１０は回路基板２０と複数の電極を有する電子部品である半導体装置３０との間に配置される中間基板である。インタポーザ１０は複数のバネ電極１２が基材１４により保持された構造を有し、各バネ電極１２は、回路基板２０の電極パッド２２と、半導体装置３０の電極３２とにはんだ接合される。すなわち、半導体装置３０の電極３２は、回路基板２０の電極パッド２２に、バネ電極１２を介して接続される。これにより、半導体装置３０は回路基板２０に実装されて固定された状態になる。
【００１６】
バネ電極１２はコの字型の電極であり、上部パッド１２ａと下部パッド１２ｂとそれらの間に延在するポスト１２ｃとを有する。すなわち、ポスト１２ｃの上端から上部パッド１２ａが延在し、ポスト１２ｃの下端から下部パッド１２ｂが、上部パッド１２ａと同じ方向に延在して、コの字を形成している。上部パッド１２ａには半導体装置３０の電極３２がはんだ接合され、下部パッド１２ｂには回路基板２０の電極パッド２２がはんだ接合される。
【００１７】
バネ電極１２は半導体装置３０の電極３２と同じ配列となるように基材１４により保持される。インタポーザ１０を半導体装置３０と回路基板２０との間に配置して位置決めすることで、インタポーザ１０のバネ電極１２を介して、半導体装置３０の電極３２を対応する回路基板２０の電極パッド２２に接続し、はんだ付けすることができる。
【００１８】
以上のような構造のバネ電極１２において、上部パッド１２ａは基材１４から離間しており、図２（ａ）に示すように、ポスト１２ｃの上端部を支点として傾斜することができる。同様に、下部パッド１２ｂは基材１４から離間しており、図２（ａ）に示すように、ポスト１２ｃの下端部を支点として傾斜することができる。このように、上部パッド１２ａと下部パッド１２ｂはポスト１２ｃに支持された状態で、上下方向（Ｚ方向）に変位することができる。したがって、上部パッド１２ａと半導体装置３０の電極３２との間のはんだ接合部はＺ方向に変位することができる。同様に、下部パッド１２ｂと回路基板２０の電極パッド２２との間のはんだ接合部はＺ方向に変位することができる。これにより、はんだ接合部に外力が加わったり、熱応力が発生したとしても、バネ電極１２が弾性変形することで応力は緩和され、接合信頼性を維持することができる。
【００１９】
また、バネ電極１２のポスト１２ｃを細くすることで、図２（ｂ）に示すように、ポスト１２ｃを傾斜させることができる。これにより、上部パッド１２ａと下部パッド１２ｂを相対的に平行な状態で水平（Ｘ，Ｙ方向）に変位させることができる。したがって、半導体装置３０と回路基板２０との間にＸ，Ｙ方向の力が加わっても、バネ電極１２の上部パッド１２ａと下部パッド１２ｂとが相対的に水平方向に変位可能であるので、はんだ接合部に発生する応力は抑制され、接合信頼性を維持することができる。
【００２０】
上述のように、複数のバネ電極１２は、所定の配列で基材１４により接続されている。基材１４はバネ電極１２のポスト１２ｃの中央部分を固定するシート状の部材であればよく、例えば、絶縁性の樹脂シートで形成することができる。ただし、コの字型のバネ電極１２が基材１４を貫通するように形成するために、後述のように基材１４として繊維を編んで形成したメッシュ材を用いることで、複数のバネ電極１２を接続した基材１４を容易に形成することができる。
【００２１】
次に、第１実施形態によるインタポーザについて説明する。
【００２２】
図３は第１実施形態によるインタポーザ５０の平面図である。図４はインタポーザ５０の斜視図であり、図５は図４のＡ部の拡大図である。
【００２３】
インタポーザ５０は、多数のバネ電極５２と、バネ電極５２を保持するメッシュ材５４とを有する。バネ電極５２は所定の配列でメッシュ材５４により接続されて保持されている。所定の配列とは、回路基板２０に実装する半導体装置３０の電極３２の配列と同じ配列である。本実施形態では、半導体装置３０は全面に電極３２が配列されたタイプであり、したがって、インタポーザ５０は全面にバネ電極５２が設けられる。
【００２４】
インタポーザ５０の基材であるメッシュ材５４は、ポリエチレンナフタレート等の耐熱樹脂コーティングを施した液晶ポリマー繊維を編んで形成した布状のシート材である。メッシュ材５４は、半導体装置３０に合わせて四辺形の形状であり、外周の４辺にフレーム５６が形成されている。フレーム５６はメッシュ材５４を平坦な状態に保つために設けられる。フレーム５６は、例えばバネ電極５２と同じ材質の銅又はニッケルで形成してもよく、他の剛性を有する材料で形成してもよい。例えば、フレーム５６をエポキシ樹脂又はビスマレイミド樹脂などの樹脂材で形成することもできる。メッシュ材５４の外周に比較的剛性の大きいフレーム５６を形成することで、柔軟性を有するメッシュ材を平坦な形状に維持する。あるいは、フレーム５６をバネ電極５２と同じ材質とすることで、バネ電極５２を形成する工程で、同時にフレーム５６を形成することができる。
【００２５】
フレーム５６の内側の四隅には、実装認識マーク５８が設けられる。実装認識マーク５８は、バネ電極５２と同じ材質の銅又はニッケルで形成することが好ましい。実装認識マーク５８をバネ電極５２と同じ材質とすることで、バネ電極５２を形成する工程で、同時に実装認識マーク５８を形成することができる。
【００２６】
例えば銅やニッケル等の金属で形成したフレーム５６及び実装認識マーク５８を、回路基板に形成されたダミー電極パッドに接合することにより、インタポーザ５０と回路基板との接合を強化することができる。あるいは、バネ電極５２が形成された領域の外側に、フレーム５６や実装認識マーク５８の他に金属パターンを形成し、これを回路基板に形成されたダミー電極パッドに接合することとしてもよい。
【００２７】
バネ電極５２は、メッシュ材５４を貫通するポスト５２ｃの両端に上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂが形成されたコの字状の電極であり、実装認識マーク５８の内側の領域全体にわたって設けられている。図３乃至図５においては、インタポーザ５０の上面が示されており、上部パッド５２ａが示されている。下部パッド５２ｂはインタポーザ５０の裏側に設けられているため図３乃至図５には現れていない。
【００２８】
バネ電極５２は、図１に示すバネ電極１２と同様のコの字形状である。上部パッド５２ａ及び下部パッド５２ｂは、やや細長い楕円形状になっており、楕円形状の一端側（小径部）にポスト５２ｃが接続され、反対端側（大径部）にパッド部が形成されている。半導体装置３０の電極３２又は回路基板２０の電極パッド２２がパッド部に接合されことで、接合部に外力が加わった場合、ポスト５２ｃが容易に撓むことができると共に、上部パッド５２ａ及び下部パッド５２ｂ自体もポスト５２ｃに支えられながら容易に撓むことができる。
【００２９】
断面がコの字形状のバネ電極５２は、上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂのポスト５２ｃからの延在方向が同じ方向であり、その延在方向は、メッシュ部材５４の中央側（内側）から外側に向く方向となっている。インタポーザ５０が熱膨張する際には中央から周囲に向かって膨張し、その膨張方向において変位が大きくなる。このため、熱応力はインタポーザ５０の膨張方向が大きくなる。一方、バネ電極５２の上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂが変位し易い方向は、上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂの延在方向である。したがって、上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂの延在方向を膨張方向に合わせることで、熱膨張による熱応力を効果的に緩和することができる。
【００３０】
また、バネ電極５２の上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂとは、ポスト５２ｃとの接続部から延在した部分がパッドになっており、実際にはんだ接合される接合部の中心は、ポスト５２ｃとの接続部から所定の距離だけ離れた位置となっている。例えば、上部パッド５２ａのはんだ接合部において、上部パッド５２ａの接合部の中心からポスト５２ｃが上部パッドに接続部されている部分まで間の距離が、接合されるはんだボールの径より小さいと、上部パッド５２ａ全体がはんだ接合されてしまう。この場合、上部パッド５２ａの柔軟性がなくなり、容易に変形できなくなってしまう。そこで、実際にはんだ接合される接合部の中心を、ポスト５２ｃとの接続部から所定の距離（すなわち、接合するはんだボールの半径に等しい距離）だけ離れた位置としておくことで、接合部からポスト５２ａまでの上部パッド５２ａ部分全体にはんだが付着することを防止することができる。これにより、上部パッドの撓みやすさを維持して、容易に変位できる状態に維持することができる。
【００３１】
次に、インタポーザ５０の製造方法について説明する。図６はインタポーザ５０の製造工程を示す図である。
【００３２】
まず、図６（ａ）に示すように、メッシュ材５４としてメッシュクロスを準備する。メッシュクロスは、上述のように、ポリエチレンナフタレート等の耐熱樹脂コーティングを施した液晶ポリマー繊維を編んで形成した布状のシート材である。図６（ａ）において、メッシュクロスの断面が示されており、波をうった線材が横糸を表し、縦糸が楕円形の断面が縦糸を表している。メッシュクロスは、例えば２３５℃でアニールすることで、繊維の内部応力を除去して平坦化することが好ましい。
【００３３】
次に、図６（ｂ）に示すように、メッシュクロス全体にニッケル等の無電解めっきを施す。そして、図６（ｃ）に示すように、ポスト５２ｃが形成される位置を覆うようにレジストを形成する。続いて、図６（ｄ）に示すように、メッシュクロスに電解Ｃｕめっきを施してレジストが設けられた部分以外にＣｕめっき層を形成する。続いて、レジストを除去して、図６（ｅ）に示すように、Ｃｕメッキ層のみを残す。
【００３４】
次に、図６（ｆ）に示すように、メッシュクロスの表面と裏面とに、上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂの形状を残してレジストを形成する。すなわち、上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂ以外の部分にレジストを施す。
【００３５】
そして、メッシュクロス全体に電解Ｎｉめっきを施すことにより、図６（ｇ）に示すように、メッシュクロスに接続されたバネ電極５２を形成する。最初にレジストを形成してから除去した部分（図６（ｅ）参照）にＮｉめっきが充填されることで、バネ電極５２のポスト５２ｃが形成される。ポスト５２ｃは、メッシュクロスの編み目（繊維間の隙間）を貫通してメッシュクロスの表側と裏側とに延在する。すなわち、ポスト５２ｃは、その中央部分にメッシュクロスが埋め込まれた状態でメッシュクロスに固定された状態となる。
【００３６】
また、メッシュクロスの表面と裏面に形成したレジストが施されていない部分（図６（ｆ）参照）にＮｉめっきが充填されることで、バネ電極５２の上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂとが形成される。上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂとは、メッシュクロスを挟んで表側と裏側にそれぞれ形成され、メッシュクロスを貫通するポスト５２ｃにより接続されている。
【００３７】
電解Ｎｉめっきを施すことによりバネ電極５２を形成したら、メッシュクロスの表面及び裏面のレジストを除去する。これにより、図６（ｈ）に示すように、バネ電極５２を形成するＮｉめっき層と、メッシュクロスを覆うように形成されたＣｕめっき層とが、メッシュクロスに付着して残された状態となる。
【００３８】
最後に、Ｃｕめっき層をエッチングにより除去して、図６（ｉ）に示すように、インタポーザ５０が完成する。Ｃｕめっき層を除去することで、上部パッド５２ａとメッシュクロスとの間、及び下部パッド５２ｂとメッシュクロスとの間は空間となる。これにより、上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂとが容易に撓むことができるようになり、Ｚ方向に変位可能となる。また、ポスト５２ｃもその中央部分のみがメッシュクロスに固定されているだけなので、中央部分以外の部分は撓むことができるようになる。これにより、上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂは、Ｚ方向及びＸ，Ｙ方向にも変位可能となる。
【００３９】
以上のように、メッシュクロスよりなるメッシュ材５４を用いることで、基材により接続された複数のバネ電極を容易に形成することができる。なお、上述の電解Ｎｉめっきを施す工程において、図３及び図４に示すフレーム５６と実装認識マーク５８とを同時に形成することとしてもよい。
【００４０】
次に、インタポーザ５０の他の製造方法について説明する。図７はインタポーザ５０の他の製造工程を示す図である。
【００４１】
まず、図７（ａ）に示すように、メッシュ材５４としてメッシュクロスを準備する。この工程は、図６（ａ）に示す工程と同様である。メッシュクロスは、例えば２３５℃でアニールすることで、繊維の内部応力を除去して平坦化することが好ましい。
【００４２】
次に、図７（ｂ）に示すように、バネ電極５２のポスト５２ｃに相当する部分を除いて、メッシュクロスにレジストを形成する。そして、図７（ｃ）に示すように、メッシュクロス全体に無電解Ｃｕめっきを施すことにより、図７（ｃ）に示すように、レジストの表面とレジストから露出したメッシュクロスにＣｕめっきシード層を形成する。
【００４３】
続いて、Ｃｕめっきシード層を用いて電解Ｃｕめっきを施し、図７（ｄ）に示すように、メッシュクロスの表面と裏面とにＣｕめっき層を形成する。レジストの無い部分では、Ｃｕメッキ層はメッシュクロスの編み目（繊維間の隙間）にも充填されてポスト５２ｃが形成される。また、レジストの表面に形成されたＣｕメッキ層は、上部パッド５２ａ及び下部パッド５２ｂが形成される部分となる。
【００４４】
次に、図７（ｅ）に示すように、表側のＣｕめっき層の上に上部パッド５２ａの形状のレジストを形成し、且つ裏側のＣｕめっき層の上に下部パッド５２ｂの形状のレジストを形成する。そして、図７（ｆ）に示すように、レジストをマスクとしてエッチングを施し、レジストで覆われていない部分のＣｕめっき層を除去する。続いて、Ｃｕめっき層上のレジスト及び最初に形成したメッシュクロス上のレジストを除去し、図７（ｇ）に示すようにインタポーザ５０が完成する。
【００４５】
なお、上述のインタポーザ５０では、上部パッド５２ａとメッシュ材５４との間及び下部パッド５２ｂとメッシュ材５４との間に空間が形成され、上部パッド５２ａと下部パッドが変位しやすくなっているが、この空間に柔軟性を有する材料が充填されていてもよい。そのような柔軟性を有する材料として、例えばシリコン樹脂がある。
【００４６】
図８は、インタポーザ５０のバネ電極５２の中にシリコン樹脂を充填する工程を説明するための図である。まず図６又は図７に示すような工程により、図８（ａ）に示すようにインタポーザ５０を形成する。次に、図８（ｂ）に示すように、マスキングシートをバネ電極５２の上部パッド５２ａを覆うように貼り付け、且つ、バネ電極５２の上部パッド５２ｂを覆うように貼り付ける。
【００４７】
続いて、図８（ｃ）に示すようにマスキングシートが貼り付けられたインタポーザ５０を型に入れ、図８（ｄ）に示すように型にシリコン樹脂を注入・充填する。これにより、シリコン樹脂はバネ電極５２の上部パッド５２ａとメッシュ材５４との間に充填され、且つ、バネ電極５２の下部パッド５２ｂとメッシュ材５４との間に充填される。そして、シリコン樹脂を注入した型を加熱することで、図８（ｅ）に示すように、シリコン樹脂を硬化させる。
【００４８】
シリコン樹脂が硬化したら、型を開いてインタポーザ５０を取り出すと、図８（ｆ）に示すように、上部パッド５２ａとメッシュ材５４との間及び下部パッド５２ｂとメッシュ材５４との間にシリコン樹脂が充填されたインタポーザ５０Ａを得ることができる。
【００４９】
シリコン樹脂は大きな柔軟性を有しているので、シリコン樹脂が充填されていても、上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂの撓みやすさ（変位しやすさ）への影響は少なく、図６（ｉ）や図７（ｇ）に示すインタポーザ５０と同様なバネ電極の効果を得ることができる。
【００５０】
次に、第２実施形態によるインタポーザについて説明する。第２実施形態によるインタポーザ６０は、上述のインタポーザ５０において、メッシュ材５４の代わりにポリイミドフィルムを用いたものであり、その製造方法についてのみ説明する。図９はインタポーザ６０の製造工程を説明するための図である。
【００５１】
まず、図９（ａ）に示すように、感光性ポリイミドフィルムを準備する。そして、図９（ｂ）に示すように、感光性ポリイミドフィルムの両面にＰＰドライフィルムを貼り付ける。ＰＰドライフィルムには、バネ電極５２のポスト５２ｃが形成される位置にポストの断面形状と同じ形状の開口が形成されている。
【００５２】
続いて、図９（ｃ）に示すように、ＰＰドライフィルムの開口から露出している感光性ポリイミドフィルムを露光、現像することにより、貫通孔を形成する。そして、ＰＰドライフィルムの表面全体にスパッタでＣｕシード層を形成してから、Ｎｉ電解めっきを施して、図９（ｄ）に示すように、Ｎｉめっき層を形成する。ＰＰドライフィルムはＮｉめっき層で覆われた状態となる。
【００５３】
次に、図９（ｅ）に示すように、Ｎｉめっき層の表面に上部パッド５２ａと同じ形状でレジストを形成し、且つＮｉめっき層の裏面に下部パッド５２ｂと同じ形状でレジストを形成する。続いて、図９（ｆ）に示すように、レジストをマスクとしてＮｉめっき層をエッチングで除去する。これにより、レジストの下に上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂが形成される。
【００５４】
そして、最後にレジストとＰＰドライフィルムを除去することで、図９（ｇ）に示すようにインタポーザ６０が完成する。感光性ポリイミドフィルムと上部パッド５２ａとの間のＰＰドライフィルム、及び感光性ポリイミドフィルムと下部パッド５２ｂとの間のＰＰドライフィルムが除去されるので、感光性ポリイミドフィルムと上部パッド５２ａとの間及び感光性ポリイミドフィルムと下部パッド５２ｂとの間に空間が形成される。これにより、上部パッド５２ａ及び下部パッド５２ｂは外力により容易に撓むことができることとなり、接合部に発生する応力を緩和することができる。
【００５５】
上述のインタポーザ５０を用いることによる効果をシミュレーションにより確認した。シミュレーションでは、部品、基板設計仕様範囲を水準とした構造モデルを８とおり作成し、所定の圧迫試験条件下、及び所定の温度サイクル試験下での接合部の変位、応力、ひずみを計算した。この計算結果を分散分析することで本実施形態によるインターポーザによる寄与率を算出し、変位、応力、ひずみに対する寄与率（すなわち、効果の大きさ）を求めた。シミュレーションにより得られたインターポーザ要因効果の分析結果を図１０に示す。
【００５６】
図１０において、部品要因Ａは基板に搭載するチップのサイズであり、大きなチップサイズを水準１に設定し、小さなチップサイズを水準２に設定した。基板要因Ｂは基板の厚さであり、厚い基板を水準１に設定し、薄い基板を水準２に設定した。基板要因Ｃは基板のパッドのピッチであり、広いピッチを水準１に設定し、狭いピッチを水準２に設定した。インタポーザ効果要因はインタポーザを組み込むか組み込まないかであり、インタポーザ無しを水準１に設定し、インタポーザ有りを水準２に設定した。
【００５７】
以上の要因の８つの水準をＬ８直交表配列に準じて組み合わせ、８とおりの構造モデルを作成し、各構造モデルについて、圧縮試験と温度サイクル試験を行なったときの、接合部の変位、応力、ひずみを計算した。
【００５８】
Ｌ８直交表配列に準じた組み合わせによる構造モデルは以下のような組み合わせのモデルであった。
【００５９】
モデル１：チップサイズ小（水準１）
基板厚さ厚い（水準１）
パッドピッチ広い（水準１）
インタポーザ無し（水準１）
モデル２：チップサイズ小（水準１）
基板厚さ厚い（水準１）
パッドピッチ広い（水準１）
インタ歩ザ有り（水準２）
モデル３：チップサイズ小（水準１）
基板厚さ薄い（水準２）
パッドピッチ狭い（水準２）
インタポーザ無し（水準１）
モデル４：チップサイズ小（水準１）
基板厚さ薄い（水準２）
パッドピッチ狭い（水準２）
インタ歩ザ有り（水準２）
モデル５：チップサイズ大（水準２）
基板厚さ厚い（水準１）
パッドピッチ狭い（水準２）
インタポーザ無し（水準１）
モデル６：チップサイズ大（水準２）
基板厚さ厚い（水準１）
パッドピッチ狭い（水準２）
インタポーザ有り（水準２）
モデル７：チップサイズ大（水準２）
基板厚さ薄い（水準２）
パッドピッチ広い（水準１）
インタポーザ無し（水準１）
モデル８：チップサイズ大（水準２）
基板厚さ薄い（水準２）
パッドピッチ広い（水準１）
インタポーザ有り（水準２）
【００６０】
圧縮試験としては、基板の両端側を拘束して、基板の裏側から直径６ｍｍの棒を基板の裏面の中央部分に押し付けて基板に荷重を印加し、接合部の応力、変位、ひずみを計算した。また、温度サイクル試験としては、構造モデルを２５℃から加熱して１２５℃とし、その後−４０℃まで冷却してから２５℃に戻すという温度サイクルを３０分間で行ない、３サイクル毎に、接合部の応力、変位、ひずみを計算した。
【００６１】
圧縮試験及び温度サイクル試験で得られた各構造モデルにおける接合部の応力、変位、ひずみを分散分析し、各要因のひずみ、応力、変位に対する寄与率を算出した結果が図１０に示されている。寄与率の算出には解析誤差が含まれるので、図１０には解析誤差も示されている。
【００６２】
本実施形態によるインタポーザを設ける目的は、はんだ接合部への局所的に集中する負荷を緩和することであり、インタポーザ要因による接合部への負荷の変動抑制効果（すなわち、安定性）は上述の寄与率で表される。
【００６３】
図１０に示すように、圧縮試験におけるひずみに対するインタポーザ要因の寄与率は７３．８２％であり、本実施形態によるインタポーザを設けることで、７３．８％の変動抑制効果があることがわかった。また、応力に対しては６０．３％の変動抑制効果があり、変位に対しては１２．３３％の変動抑制効果があることがわかった。変位に対しては部品要因Ａ（チップサイズ要因）が支配的であった。
【００６４】
また、温度サイクル試験におけるひずみに対するインタポーザ要因の寄与率は７．２２％であり、本実施形態によるインタポーザを設けることで、７．２２％の変動抑制効果があることがわかった。また、応力に対しては３２．３％の変動抑制効果があり、変位に対しては３５．４３％の変動抑制効果があることがわかった。
【００６５】
以上のように、本実施形態によるインタポーザを用いて電子部品を基板に実装することにより、市場における変動要因（使われ方、温度環境変化等）により加わるはんだ接合部へ負荷（ひずみ、応力、変位等）を緩和する効果があることをシミュレーションにより確認できた。
【００６６】
以上のように、本明細書は下記の事項を開示する。
（付記１）
シート状の基材と、
所定の配列で前記基材に固定された複数のバネ電極と
を有し、
前記バネ電極の各々は、
前記基材の第１の面側に設けられ、第１の方向に沿って延在する第１のパッドと、
前記基材の第１の面側とは反対の第２の面側に設けられ、前記第１の方向に沿って延在する第２のパッドと、
前記基材を貫通して前記第１の面側及び前記第２の面側に延在し、前記第１のパッドの一端と前記第２のパッドの一端を接続するポストと
を有することを特徴とするインタポーザ。
（付記２）
付記１記載のインタポーザであって、
前記基材はメッシュ状のシート材であり、前記バネ電極の前記ポストは、前記メッシュの隙間を貫通して前記第１の面側と前記第２の面側に延在しているインタポーザ。
（付記３）
付記２記載のインタポーザであって、
前記メッシュ材は、繊維を編んで形成したメッシュクロスであるインタポーザ。
（付記４）
付記１記載のインタポーザであって、
前記基材は樹脂フィルムであり、前記バネ電極の前記ポストは前記樹脂フィルムを貫通して前記第１の面側と前記第２の面側に延在しているインタポーザ。
（付記５）
付記１乃至４のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記第１のパッドは前記基材から離間して間に空間が形成され、前記第２のパッドも前記基材から離間して間に空間が形成されているインタポーザ。
（付記６）
付記５記載のインタポーザであって、
前記第１のパッドと前記基材との間の空間に柔軟性を有する材料が充填され、前記第２のパッドと前記基材との間の空間にも柔軟性を有する部材が充填されているインタポーザ。
（付記７）
付記６記載のインタポーザであって、
前記柔軟性を有する材料はシリコン樹脂であるインタポーザ。
（付記８）
付記１乃至６のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記上部パッドの接合部の中心は前記ポストとの接続部から所定の距離以上離れており、前記下部パッドの接合部の中心も前記ポストとの接続部から前記所定の距離以上離れているインタポーザ。
（付記９）
付記１乃至８のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記第１のパッドと前記第２のパッドとが前記ポストから延在する方向は、前記基材の中央側から外側に向かう方向であるインタポーザ。
（付記１０）
付記１乃至９のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記基材の外周部分に枠体が形成されたインタポーザ。
（付記１１）
付記１乃至１０のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記基材の前記第１の面側において、前記バネ電極が形成された領域の外側に金属パターンが形成されたインタポーザ。
（付記１２）
付記１乃至１１のうちいずれか一項記載のインタポーザを介して電子部品が回路基板に搭載された回路基板モジュール。
（付記１３）
メッシュ材の所定の部位を残してＣｕめっき層を形成し、
前記所定の部位において、前記メッシュ材の網目を貫通して前記メッシュ材の第１の面側と第１の面側の反対側の第２の面側に延在する金属ポストをＮｉめっきにより形成するとともに、前記金属ポストから前記メッシュ材の第１の面側において前記Ｃｕめっき層に沿って延在する第１のパッドと、前記金属ポストから前記メッシュ材の第２の面側において前記Ｃｕめっき層に沿って延在するＮｉめっき層をＮｉめっきにより形成する
インタポーザの製造方法。
（付記１４）
付記１３記載のインタポーザの製造方法であって、
前記第１のパッド及び前記第２のパッドを形成した後、前記Ｃｕめっき層をエッチングにより除去して、前記第１のパッドと前記メッシュ材との間及び前記第２のパッドと前記メッシュ材との間に空間を形成する
インタポーザの製造方法。
（付記１５）
メッシュ材に、所定の部位を残して第１のレジストを形成し、
前記所定の部位において、前記メッシュ材の網目を貫通して前記メッシュ材の第１の面側と第１の面側の反対側の第２の面側に延在する金属ポストを金属めっきにより形成するとともに、前記金属ポストから前記メッシュ材の第１の面側において前記第１のレジストに沿って延在し、且つ前記金属ポストから前記メッシュ材の第２の面側において前記第１のレジストに沿って延在する金属層を金属めっきにより形成する
インタポーザの製造方法。
（付記１６）
付記１５記載のインタポーザの製造方法であって、
前記金属層の両面に、前記第１のパッド及び前記第２のパッドの形状に相当する第２のレジストを形成し、
前記第２のレジストをマスクとして前記金属層の一部をエッチングにより除去し、
前記第１のレジスト及び前記第２のレジストを除去して、前記第１のパッドと前記メッシュ材の第１の面との間、及び前記第２のパッドと前記メッシュ材の第２の面との間に空間を形成する
インタポーザの製造方法。
（付記１７）
樹脂シート材の第１の面と該第１の面の反対側の第２の面とにレジスト材を貼り付けてから、所定の位置に貫通開口を形成し、
前記貫通開口内及び前記レジスト材の表面全体に金属めっき層を形成し、
前記金属めっき層をエッチングして第１のパッド及び第２のパッドを形成し、
前記レジスト材を除去して、前記第１のパッドと前記樹脂シート材の第１の面との間、及び前記第２のパッドと前記樹脂シート材の第２の面との間に空間を形成する
インタポーザの製造方法。
【符号の説明】
【００６７】
１０，５０，６０ インタポーザ
１２，５２ バネ電極
１２ａ，５２ａ 上部パッド
１２ｂ，５２ｂ 下部パッド
１２ｃ，５２ｃ ポスト
１４ 基材
２０ 回路基板
２２ 電極パッド
３０ 半導体装置
５４ メッシュ材
５６ フレーム
５８ 実装認識マーク
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、電子部品を回路基板に実装する実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置等の電子部品をプリント回路基板に実装して形成される回路基板モジュールにおいて、実装構造に発生する熱応力や衝撃により発生する歪みに対して接続信頼性を確保した実装構造が提案されている。例えば、電子部品をプリント回路基板にはんだ付けした後に、電子部品とプリント回路基板と間（電子部品の下側）に接着材等のフィル材を充填し、電子部品とプリント回路基板との接合を補強することが広く行なわれている。あるいは、電子部品をプリント回路基板にはんだ付けした後に、電子部品全体を封止樹脂で覆い固める樹脂封止構造も用いられている。
【０００３】
フィル材の充填や樹脂封止を用いれば、電子部品をプリント回路基板に強固に接着することができるため、外部応力に対して、接合部にかかる変位、ひずみが抑制され、はんだ接続の信頼性が保たれる。しかしながら、強固に固められているために温度変化による金属部分、樹脂部分の線膨張係数の違いにより発生する内部応力に対してひずみの逃げ場が無く、内部応力により接合部に損傷が発生するおそれがある。また、修理の際には、加熱や機械的な力を組合せて取り外す必要があり、周囲部品破損のリスクが高い。
【０００４】
近年、電子部品とプリント回路基板と間にインタポーザ（中間基板）を組み込むことで接合部の応力を緩和することが提案されている。インタポーザ中にバネを形成してバネを介して電子部品とプリント回路基板とを接合することで、接合部の歪みを吸収して応力を抑制することができる。例えば、基板を貫通して延在するバイアの一端に下部コンタクトパッドを設け、バイヤの周囲の基板をコの字状に細長く切り出す。そして、反対端で、切り出した基板に沿って細いパターンを引き出され、パターンの先端に上部コンタクトパッドが接続されたインタポーザの構造が提案されている。また、メッシュを用いて複数の電極を保持した電極構造体の構造が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−７４７９号公報
【特許文献２】特開２００５−５０７８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
バイヤの周囲の基板をコの字状に切り出したインタポーザの構造では、基板の平面方向（ＸＹ方向）に沿って、下部コンタクトと上部コンタクトとの位置ずれを調整することが可能となる。しかしながら、このような構造では、下部コンタクトと上部コンタクトとの縦方向（Ｚ方向）の位置ずれについては、調節が難しいと考えられる。Ｚ方向の位置ずれが生じた場合、バイヤが倒れ込んでしまい、上部コンタクトのＸＹ方向の位置がずれてしまう。
【０００７】
そこで、上部コンタクトのＸＹ方向の位置ずれが少なく、電子部品やプリント回路基板から受ける応力を緩和することが可能な多数の電極構造を一括して保持するインタポーザの構造およびその製造方法の開発が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態によれば、シート状の基材と、所定の配列で前記基材に固定された複数のバネ電極とを有し、前記バネ電極の各々は、前記基材の第１の面側に設けられ、第１の方向に沿って延在する第１のパッドと、前記基材の第１の面側とは反対の第２の面側に設けられ、前記第１の方向に沿って延在する第２のパッドと、前記基材を貫通して前記第１の面側及び前記第２の面側に延在し、前記第１のパッドの一端と前記第２のパッドの一端を接続するポストとを有することを特徴とするインタポーザが提供される。
【０００９】
また上述のインタポーザを介して電子部品が回路基板に搭載された回路基板モジュールが提供される。
【００１０】
さらに、メッシュ材の所定の部位を残してＣｕめっき層を形成し、前記所定の部位において、前記メッシュ材の網目を貫通して前記メッシュ材の第１の面側と第１の面側の反対側の第２の面側に延在する金属ポストをＮｉめっきにより形成するとともに、前記金属ポストから前記メッシュ材の第１の面側において前記Ｃｕめっき層に沿って延在する第１のパッドと、前記金属ポストから前記メッシュ材の第２の面側において前記Ｃｕめっき層に沿って延在するＮｉめっき層をＮｉめっきにより形成するインタポーザの製造方法が提供される。
【００１１】
また、メッシュ材に、所定の部位を残して第１のレジストを形成し、前記所定の部位において、前記メッシュ材の網目を貫通して前記メッシュ材の第１の面側と第１の面側の反対側の第２の面側に延在する金属ポストを金属めっきにより形成するとともに、前記金属ポストから前記メッシュ材の第１の面側において前記第１のレジストに沿って延在し、且つ前記金属ポストから前記メッシュ材の第２の面側において前記第１のレジストに沿って延在する金属層を金属めっきにより形成するインタポーザの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
実施形態によれば、電子部品やプリント回路基板に特殊構造を付加すること無く、柔軟性を有する多数の電極構造を一括して形成できるインタポーザの構造およびその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】一実施形態によるインタポーザの電極構造を模式的に描いた図である。
【図２】電極バネの変位を説明するための図である。
【図３】第１実施形態によるインタポーザの平面図である。
【図４】インタポーザの斜視図である。
【図５】図４のＡ部の拡大図である。
【図６】インタポーザの製造工程を示す図である。
【図７】インタポーザの他の製造工程を示す図である。
【図８】インタポーザのバネ電極の中にシリコン樹脂を充填する工程を説明するための図である。
【図９】第２実施形態によるインタポーザの製造工程を説明するための図である。
【図１０】インタポーザ要因効果の分解結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
次に、実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１５】
図１は一実施形態によるインタポーザの電極構造を模式的に描いた図である。インタポーザ１０は回路基板２０と複数の電極を有する電子部品である半導体装置３０との間に配置される中間基板である。インタポーザ１０は複数のバネ電極１２が基材１４により保持された構造を有し、各バネ電極１２は、回路基板２０の電極パッド２２と、半導体装置３０の電極３２とにはんだ接合される。すなわち、半導体装置３０の電極３２は、回路基板２０の電極パッド２２に、バネ電極１２を介して接続される。これにより、半導体装置３０は回路基板２０に実装されて固定された状態になる。
【００１６】
バネ電極１２はコの字型の電極であり、上部パッド１２ａと下部パッド１２ｂとそれらの間に延在するポスト１２ｃとを有する。すなわち、ポスト１２ｃの上端から上部パッド１２ａが延在し、ポスト１２ｃの下端から下部パッド１２ｂが、上部パッド１２ａと同じ方向に延在して、コの字を形成している。上部パッド１２ａには半導体装置３０の電極３２がはんだ接合され、下部パッド１２ｂには回路基板２０の電極パッド２２がはんだ接合される。
【００１７】
バネ電極１２は半導体装置３０の電極３２と同じ配列となるように基材１４により保持される。インタポーザ１０を半導体装置３０と回路基板２０との間に配置して位置決めすることで、インタポーザ１０のバネ電極１２を介して、半導体装置３０の電極３２を対応する回路基板２０の電極パッド２２に接続し、はんだ付けすることができる。
【００１８】
以上のような構造のバネ電極１２において、上部パッド１２ａは基材１４から離間しており、図２（ａ）に示すように、ポスト１２ｃの上端部を支点として傾斜することができる。同様に、下部パッド１２ｂは基材１４から離間しており、図２（ａ）に示すように、ポスト１２ｃの下端部を支点として傾斜することができる。このように、上部パッド１２ａと下部パッド１２ｂはポスト１２ｃに支持された状態で、上下方向（Ｚ方向）に変位することができる。したがって、上部パッド１２ａと半導体装置３０の電極３２との間のはんだ接合部はＺ方向に変位することができる。同様に、下部パッド１２ｂと回路基板２０の電極パッド２２との間のはんだ接合部はＺ方向に変位することができる。これにより、はんだ接合部に外力が加わったり、熱応力が発生したとしても、バネ電極１２が弾性変形することで応力は緩和され、接合信頼性を維持することができる。
【００１９】
また、バネ電極１２のポスト１２ｃを細くすることで、図２（ｂ）に示すように、ポスト１２ｃを傾斜させることができる。これにより、上部パッド１２ａと下部パッド１２ｂを相対的に平行な状態で水平（Ｘ，Ｙ方向）に変位させることができる。したがって、半導体装置３０と回路基板２０との間にＸ，Ｙ方向の力が加わっても、バネ電極１２の上部パッド１２ａと下部パッド１２ｂとが相対的に水平方向に変位可能であるので、はんだ接合部に発生する応力は抑制され、接合信頼性を維持することができる。
【００２０】
上述のように、複数のバネ電極１２は、所定の配列で基材１４により接続されている。基材１４はバネ電極１２のポスト１２ｃの中央部分を固定するシート状の部材であればよく、例えば、絶縁性の樹脂シートで形成することができる。ただし、コの字型のバネ電極１２が基材１４を貫通するように形成するために、後述のように基材１４として繊維を編んで形成したメッシュ材を用いることで、複数のバネ電極１２を接続した基材１４を容易に形成することができる。
【００２１】
次に、第１実施形態によるインタポーザについて説明する。
【００２２】
図３は第１実施形態によるインタポーザ５０の平面図である。図４はインタポーザ５０の斜視図であり、図５は図４のＡ部の拡大図である。
【００２３】
インタポーザ５０は、多数のバネ電極５２と、バネ電極５２を保持するメッシュ材５４とを有する。バネ電極５２は所定の配列でメッシュ材５４により接続されて保持されている。所定の配列とは、回路基板２０に実装する半導体装置３０の電極３２の配列と同じ配列である。本実施形態では、半導体装置３０は全面に電極３２が配列されたタイプであり、したがって、インタポーザ５０は全面にバネ電極５２が設けられる。
【００２４】
インタポーザ５０の基材であるメッシュ材５４は、ポリエチレンナフタレート等の耐熱樹脂コーティングを施した液晶ポリマー繊維を編んで形成した布状のシート材である。メッシュ材５４は、半導体装置３０に合わせて四辺形の形状であり、外周の４辺にフレーム５６が形成されている。フレーム５６はメッシュ材５４を平坦な状態に保つために設けられる。フレーム５６は、例えばバネ電極５２と同じ材質の銅又はニッケルで形成してもよく、他の剛性を有する材料で形成してもよい。例えば、フレーム５６をエポキシ樹脂又はビスマレイミド樹脂などの樹脂材で形成することもできる。メッシュ材５４の外周に比較的剛性の大きいフレーム５６を形成することで、柔軟性を有するメッシュ材を平坦な形状に維持する。あるいは、フレーム５６をバネ電極５２と同じ材質とすることで、バネ電極５２を形成する工程で、同時にフレーム５６を形成することができる。
【００２５】
フレーム５６の内側の四隅には、実装認識マーク５８が設けられる。実装認識マーク５８は、バネ電極５２と同じ材質の銅又はニッケルで形成することが好ましい。実装認識マーク５８をバネ電極５２と同じ材質とすることで、バネ電極５２を形成する工程で、同時に実装認識マーク５８を形成することができる。
【００２６】
例えば銅やニッケル等の金属で形成したフレーム５６及び実装認識マーク５８を、回路基板に形成されたダミー電極パッドに接合することにより、インタポーザ５０と回路基板との接合を強化することができる。あるいは、バネ電極５２が形成された領域の外側に、フレーム５６や実装認識マーク５８の他に金属パターンを形成し、これを回路基板に形成されたダミー電極パッドに接合することとしてもよい。
【００２７】
バネ電極５２は、メッシュ材５４を貫通するポスト５２ｃの両端に上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂが形成されたコの字状の電極であり、実装認識マーク５８の内側の領域全体にわたって設けられている。図３乃至図５においては、インタポーザ５０の上面が示されており、上部パッド５２ａが示されている。下部パッド５２ｂはインタポーザ５０の裏側に設けられているため図３乃至図５には現れていない。
【００２８】
バネ電極５２は、図１に示すバネ電極１２と同様のコの字形状である。上部パッド５２ａ及び下部パッド５２ｂは、やや細長い楕円形状になっており、楕円形状の一端側（小径部）にポスト５２ｃが接続され、反対端側（大径部）にパッド部が形成されている。半導体装置３０の電極３２又は回路基板２０の電極パッド２２がパッド部に接合されことで、接合部に外力が加わった場合、ポスト５２ｃが容易に撓むことができると共に、上部パッド５２ａ及び下部パッド５２ｂ自体もポスト５２ｃに支えられながら容易に撓むことができる。
【００２９】
断面がコの字形状のバネ電極５２は、上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂのポスト５２ｃからの延在方向が同じ方向であり、その延在方向は、メッシュ部材５４の中央側（内側）から外側に向く方向となっている。インタポーザ５０が熱膨張する際には中央から周囲に向かって膨張し、その膨張方向において変位が大きくなる。このため、熱応力はインタポーザ５０の膨張方向が大きくなる。一方、バネ電極５２の上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂが変位し易い方向は、上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂの延在方向である。したがって、上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂの延在方向を膨張方向に合わせることで、熱膨張による熱応力を効果的に緩和することができる。
【００３０】
また、バネ電極５２の上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂとは、ポスト５２ｃとの接続部から延在した部分がパッドになっており、実際にはんだ接合される接合部の中心は、ポスト５２ｃとの接続部から所定の距離だけ離れた位置となっている。例えば、上部パッド５２ａのはんだ接合部において、上部パッド５２ａの接合部の中心からポスト５２ｃが上部パッドに接続部されている部分まで間の距離が、接合されるはんだボールの径より小さいと、上部パッド５２ａ全体がはんだ接合されてしまう。この場合、上部パッド５２ａの柔軟性がなくなり、容易に変形できなくなってしまう。そこで、実際にはんだ接合される接合部の中心を、ポスト５２ｃとの接続部から所定の距離（すなわち、接合するはんだボールの半径に等しい距離）だけ離れた位置としておくことで、接合部からポスト５２ａまでの上部パッド５２ａ部分全体にはんだが付着することを防止することができる。これにより、上部パッドの撓みやすさを維持して、容易に変位できる状態に維持することができる。
【００３１】
次に、インタポーザ５０の製造方法について説明する。図６はインタポーザ５０の製造工程を示す図である。
【００３２】
まず、図６（ａ）に示すように、メッシュ材５４としてメッシュクロスを準備する。メッシュクロスは、上述のように、ポリエチレンナフタレート等の耐熱樹脂コーティングを施した液晶ポリマー繊維を編んで形成した布状のシート材である。図６（ａ）において、メッシュクロスの断面が示されており、波をうった線材が横糸を表し、縦糸が楕円形の断面が縦糸を表している。メッシュクロスは、例えば２３５℃でアニールすることで、繊維の内部応力を除去して平坦化することが好ましい。
【００３３】
次に、図６（ｂ）に示すように、メッシュクロス全体にニッケル等の無電解めっきを施す。そして、図６（ｃ）に示すように、ポスト５２ｃが形成される位置を覆うようにレジストを形成する。続いて、図６（ｄ）に示すように、メッシュクロスに電解Ｃｕめっきを施してレジストが設けられた部分以外にＣｕめっき層を形成する。続いて、レジストを除去して、図６（ｅ）に示すように、Ｃｕメッキ層のみを残す。
【００３４】
次に、図６（ｆ）に示すように、メッシュクロスの表面と裏面とに、上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂの形状を残してレジストを形成する。すなわち、上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂ以外の部分にレジストを施す。
【００３５】
そして、メッシュクロス全体に電解Ｎｉめっきを施すことにより、図６（ｇ）に示すように、メッシュクロスに接続されたバネ電極５２を形成する。最初にレジストを形成してから除去した部分（図６（ｅ）参照）にＮｉめっきが充填されることで、バネ電極５２のポスト５２ｃが形成される。ポスト５２ｃは、メッシュクロスの編み目（繊維間の隙間）を貫通してメッシュクロスの表側と裏側とに延在する。すなわち、ポスト５２ｃは、その中央部分にメッシュクロスが埋め込まれた状態でメッシュクロスに固定された状態となる。
【００３６】
また、メッシュクロスの表面と裏面に形成したレジストが施されていない部分（図６（ｆ）参照）にＮｉめっきが充填されることで、バネ電極５２の上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂとが形成される。上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂとは、メッシュクロスを挟んで表側と裏側にそれぞれ形成され、メッシュクロスを貫通するポスト５２ｃにより接続されている。
【００３７】
電解Ｎｉめっきを施すことによりバネ電極５２を形成したら、メッシュクロスの表面及び裏面のレジストを除去する。これにより、図６（ｈ）に示すように、バネ電極５２を形成するＮｉめっき層と、メッシュクロスを覆うように形成されたＣｕめっき層とが、メッシュクロスに付着して残された状態となる。
【００３８】
最後に、Ｃｕめっき層をエッチングにより除去して、図６（ｉ）に示すように、インタポーザ５０が完成する。Ｃｕめっき層を除去することで、上部パッド５２ａとメッシュクロスとの間、及び下部パッド５２ｂとメッシュクロスとの間は空間となる。これにより、上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂとが容易に撓むことができるようになり、Ｚ方向に変位可能となる。また、ポスト５２ｃもその中央部分のみがメッシュクロスに固定されているだけなので、中央部分以外の部分は撓むことができるようになる。これにより、上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂは、Ｚ方向及びＸ，Ｙ方向にも変位可能となる。
【００３９】
以上のように、メッシュクロスよりなるメッシュ材５４を用いることで、基材により接続された複数のバネ電極を容易に形成することができる。なお、上述の電解Ｎｉめっきを施す工程において、図３及び図４に示すフレーム５６と実装認識マーク５８とを同時に形成することとしてもよい。
【００４０】
次に、インタポーザ５０の他の製造方法について説明する。図７はインタポーザ５０の他の製造工程を示す図である。
【００４１】
まず、図７（ａ）に示すように、メッシュ材５４としてメッシュクロスを準備する。この工程は、図６（ａ）に示す工程と同様である。メッシュクロスは、例えば２３５℃でアニールすることで、繊維の内部応力を除去して平坦化することが好ましい。
【００４２】
次に、図７（ｂ）に示すように、バネ電極５２のポスト５２ｃに相当する部分を除いて、メッシュクロスにレジストを形成する。そして、図７（ｃ）に示すように、メッシュクロス全体に無電解Ｃｕめっきを施すことにより、図７（ｃ）に示すように、レジストの表面とレジストから露出したメッシュクロスにＣｕめっきシード層を形成する。
【００４３】
続いて、Ｃｕめっきシード層を用いて電解Ｃｕめっきを施し、図７（ｄ）に示すように、メッシュクロスの表面と裏面とにＣｕめっき層を形成する。レジストの無い部分では、Ｃｕメッキ層はメッシュクロスの編み目（繊維間の隙間）にも充填されてポスト５２ｃが形成される。また、レジストの表面に形成されたＣｕメッキ層は、上部パッド５２ａ及び下部パッド５２ｂが形成される部分となる。
【００４４】
次に、図７（ｅ）に示すように、表側のＣｕめっき層の上に上部パッド５２ａの形状のレジストを形成し、且つ裏側のＣｕめっき層の上に下部パッド５２ｂの形状のレジストを形成する。そして、図７（ｆ）に示すように、レジストをマスクとしてエッチングを施し、レジストで覆われていない部分のＣｕめっき層を除去する。続いて、Ｃｕめっき層上のレジスト及び最初に形成したメッシュクロス上のレジストを除去し、図７（ｇ）に示すようにインタポーザ５０が完成する。
【００４５】
なお、上述のインタポーザ５０では、上部パッド５２ａとメッシュ材５４との間及び下部パッド５２ｂとメッシュ材５４との間に空間が形成され、上部パッド５２ａと下部パッドが変位しやすくなっているが、この空間に柔軟性を有する材料が充填されていてもよい。そのような柔軟性を有する材料として、例えばシリコン樹脂がある。
【００４６】
図８は、インタポーザ５０のバネ電極５２の中にシリコン樹脂を充填する工程を説明するための図である。まず図６又は図７に示すような工程により、図８（ａ）に示すようにインタポーザ５０を形成する。次に、図８（ｂ）に示すように、マスキングシートをバネ電極５２の上部パッド５２ａを覆うように貼り付け、且つ、バネ電極５２の上部パッド５２ｂを覆うように貼り付ける。
【００４７】
続いて、図８（ｃ）に示すようにマスキングシートが貼り付けられたインタポーザ５０を型に入れ、図８（ｄ）に示すように型にシリコン樹脂を注入・充填する。これにより、シリコン樹脂はバネ電極５２の上部パッド５２ａとメッシュ材５４との間に充填され、且つ、バネ電極５２の下部パッド５２ｂとメッシュ材５４との間に充填される。そして、シリコン樹脂を注入した型を加熱することで、図８（ｅ）に示すように、シリコン樹脂を硬化させる。
【００４８】
シリコン樹脂が硬化したら、型を開いてインタポーザ５０を取り出すと、図８（ｆ）に示すように、上部パッド５２ａとメッシュ材５４との間及び下部パッド５２ｂとメッシュ材５４との間にシリコン樹脂が充填されたインタポーザ５０Ａを得ることができる。
【００４９】
シリコン樹脂は大きな柔軟性を有しているので、シリコン樹脂が充填されていても、上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂの撓みやすさ（変位しやすさ）への影響は少なく、図６（ｉ）や図７（ｇ）に示すインタポーザ５０と同様なバネ電極の効果を得ることができる。
【００５０】
次に、第２実施形態によるインタポーザについて説明する。第２実施形態によるインタポーザ６０は、上述のインタポーザ５０において、メッシュ材５４の代わりにポリイミドフィルムを用いたものであり、その製造方法についてのみ説明する。図９はインタポーザ６０の製造工程を説明するための図である。
【００５１】
まず、図９（ａ）に示すように、感光性ポリイミドフィルムを準備する。そして、図９（ｂ）に示すように、感光性ポリイミドフィルムの両面にＰＰドライフィルムを貼り付ける。ＰＰドライフィルムには、バネ電極５２のポスト５２ｃが形成される位置にポストの断面形状と同じ形状の開口が形成されている。
【００５２】
続いて、図９（ｃ）に示すように、ＰＰドライフィルムの開口から露出している感光性ポリイミドフィルムを露光、現像することにより、貫通孔を形成する。そして、ＰＰドライフィルムの表面全体にスパッタでＣｕシード層を形成してから、Ｎｉ電解めっきを施して、図９（ｄ）に示すように、Ｎｉめっき層を形成する。ＰＰドライフィルムはＮｉめっき層で覆われた状態となる。
【００５３】
次に、図９（ｅ）に示すように、Ｎｉめっき層の表面に上部パッド５２ａと同じ形状でレジストを形成し、且つＮｉめっき層の裏面に下部パッド５２ｂと同じ形状でレジストを形成する。続いて、図９（ｆ）に示すように、レジストをマスクとしてＮｉめっき層をエッチングで除去する。これにより、レジストの下に上部パッド５２ａと下部パッド５２ｂが形成される。
【００５４】
そして、最後にレジストとＰＰドライフィルムを除去することで、図９（ｇ）に示すようにインタポーザ６０が完成する。感光性ポリイミドフィルムと上部パッド５２ａとの間のＰＰドライフィルム、及び感光性ポリイミドフィルムと下部パッド５２ｂとの間のＰＰドライフィルムが除去されるので、感光性ポリイミドフィルムと上部パッド５２ａとの間及び感光性ポリイミドフィルムと下部パッド５２ｂとの間に空間が形成される。これにより、上部パッド５２ａ及び下部パッド５２ｂは外力により容易に撓むことができることとなり、接合部に発生する応力を緩和することができる。
【００５５】
上述のインタポーザ５０を用いることによる効果をシミュレーションにより確認した。シミュレーションでは、部品、基板設計仕様範囲を水準とした構造モデルを８とおり作成し、所定の圧迫試験条件下、及び所定の温度サイクル試験下での接合部の変位、応力、ひずみを計算した。この計算結果を分散分析することで本実施形態によるインターポーザによる寄与率を算出し、変位、応力、ひずみに対する寄与率（すなわち、効果の大きさ）を求めた。シミュレーションにより得られたインターポーザ要因効果の分析結果を図１０に示す。
【００５６】
図１０において、部品要因Ａは基板に搭載するチップのサイズであり、大きなチップサイズを水準１に設定し、小さなチップサイズを水準２に設定した。基板要因Ｂは基板の厚さであり、厚い基板を水準１に設定し、薄い基板を水準２に設定した。基板要因Ｃは基板のパッドのピッチであり、広いピッチを水準１に設定し、狭いピッチを水準２に設定した。インタポーザ効果要因はインタポーザを組み込むか組み込まないかであり、インタポーザ無しを水準１に設定し、インタポーザ有りを水準２に設定した。
【００５７】
以上の要因の８つの水準をＬ８直交表配列に準じて組み合わせ、８とおりの構造モデルを作成し、各構造モデルについて、圧縮試験と温度サイクル試験を行なったときの、接合部の変位、応力、ひずみを計算した。
【００５８】
Ｌ８直交表配列に準じた組み合わせによる構造モデルは以下のような組み合わせのモデルであった。
【００５９】
モデル１：チップサイズ小（水準１）
基板厚さ厚い（水準１）
パッドピッチ広い（水準１）
インタポーザ無し（水準１）
モデル２：チップサイズ小（水準１）
基板厚さ厚い（水準１）
パッドピッチ広い（水準１）
インタ歩ザ有り（水準２）
モデル３：チップサイズ小（水準１）
基板厚さ薄い（水準２）
パッドピッチ狭い（水準２）
インタポーザ無し（水準１）
モデル４：チップサイズ小（水準１）
基板厚さ薄い（水準２）
パッドピッチ狭い（水準２）
インタ歩ザ有り（水準２）
モデル５：チップサイズ大（水準２）
基板厚さ厚い（水準１）
パッドピッチ狭い（水準２）
インタポーザ無し（水準１）
モデル６：チップサイズ大（水準２）
基板厚さ厚い（水準１）
パッドピッチ狭い（水準２）
インタポーザ有り（水準２）
モデル７：チップサイズ大（水準２）
基板厚さ薄い（水準２）
パッドピッチ広い（水準１）
インタポーザ無し（水準１）
モデル８：チップサイズ大（水準２）
基板厚さ薄い（水準２）
パッドピッチ広い（水準１）
インタポーザ有り（水準２）
【００６０】
圧縮試験としては、基板の両端側を拘束して、基板の裏側から直径６ｍｍの棒を基板の裏面の中央部分に押し付けて基板に荷重を印加し、接合部の応力、変位、ひずみを計算した。また、温度サイクル試験としては、構造モデルを２５℃から加熱して１２５℃とし、その後−４０℃まで冷却してから２５℃に戻すという温度サイクルを３０分間で行ない、３サイクル毎に、接合部の応力、変位、ひずみを計算した。
【００６１】
圧縮試験及び温度サイクル試験で得られた各構造モデルにおける接合部の応力、変位、ひずみを分散分析し、各要因のひずみ、応力、変位に対する寄与率を算出した結果が図１０に示されている。寄与率の算出には解析誤差が含まれるので、図１０には解析誤差も示されている。
【００６２】
本実施形態によるインタポーザを設ける目的は、はんだ接合部への局所的に集中する負荷を緩和することであり、インタポーザ要因による接合部への負荷の変動抑制効果（すなわち、安定性）は上述の寄与率で表される。
【００６３】
図１０に示すように、圧縮試験におけるひずみに対するインタポーザ要因の寄与率は７３．８２％であり、本実施形態によるインタポーザを設けることで、７３．８％の変動抑制効果があることがわかった。また、応力に対しては６０．３％の変動抑制効果があり、変位に対しては１２．３３％の変動抑制効果があることがわかった。変位に対しては部品要因Ａ（チップサイズ要因）が支配的であった。
【００６４】
また、温度サイクル試験におけるひずみに対するインタポーザ要因の寄与率は７．２２％であり、本実施形態によるインタポーザを設けることで、７．２２％の変動抑制効果があることがわかった。また、応力に対しては３２．３％の変動抑制効果があり、変位に対しては３５．４３％の変動抑制効果があることがわかった。
【００６５】
以上のように、本実施形態によるインタポーザを用いて電子部品を基板に実装することにより、市場における変動要因（使われ方、温度環境変化等）により加わるはんだ接合部へ負荷（ひずみ、応力、変位等）を緩和する効果があることをシミュレーションにより確認できた。
【００６６】
以上のように、本明細書は下記の事項を開示する。
（付記１）
シート状の基材と、
所定の配列で前記基材に固定された複数のバネ電極と
を有し、
前記バネ電極の各々は、
前記基材の第１の面側に設けられ、第１の方向に沿って延在する第１のパッドと、
前記基材の第１の面側とは反対の第２の面側に設けられ、前記第１の方向に沿って延在する第２のパッドと、
前記基材を貫通して前記第１の面側及び前記第２の面側に延在し、前記第１のパッドの一端と前記第２のパッドの一端を接続するポストと
を有することを特徴とするインタポーザ。
（付記２）
付記１記載のインタポーザであって、
前記基材はメッシュ状のシート材であり、前記バネ電極の前記ポストは、前記メッシュの隙間を貫通して前記第１の面側と前記第２の面側に延在しているインタポーザ。
（付記３）
付記２記載のインタポーザであって、
前記メッシュ材は、繊維を編んで形成したメッシュクロスであるインタポーザ。
（付記４）
付記１記載のインタポーザであって、
前記基材は樹脂フィルムであり、前記バネ電極の前記ポストは前記樹脂フィルムを貫通して前記第１の面側と前記第２の面側に延在しているインタポーザ。
（付記５）
付記１乃至４のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記第１のパッドは前記基材から離間して間に空間が形成され、前記第２のパッドも前記基材から離間して間に空間が形成されているインタポーザ。
（付記６）
付記５記載のインタポーザであって、
前記第１のパッドと前記基材との間の空間に柔軟性を有する材料が充填され、前記第２のパッドと前記基材との間の空間にも柔軟性を有する部材が充填されているインタポーザ。
（付記７）
付記６記載のインタポーザであって、
前記柔軟性を有する材料はシリコン樹脂であるインタポーザ。
（付記８）
付記１乃至６のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記上部パッドの接合部の中心は前記ポストとの接続部から所定の距離以上離れており、前記下部パッドの接合部の中心も前記ポストとの接続部から前記所定の距離以上離れているインタポーザ。
（付記９）
付記１乃至８のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記第１のパッドと前記第２のパッドとが前記ポストから延在する方向は、前記基材の中央側から外側に向かう方向であるインタポーザ。
（付記１０）
付記１乃至９のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記基材の外周部分に枠体が形成されたインタポーザ。
（付記１１）
付記１乃至１０のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記基材の前記第１の面側において、前記バネ電極が形成された領域の外側に金属パターンが形成されたインタポーザ。
（付記１２）
付記１乃至１１のうちいずれか一項記載のインタポーザを介して電子部品が回路基板に搭載された回路基板モジュール。
（付記１３）
メッシュ材の所定の部位を残してＣｕめっき層を形成し、
前記所定の部位において、前記メッシュ材の網目を貫通して前記メッシュ材の第１の面側と第１の面側の反対側の第２の面側に延在する金属ポストをＮｉめっきにより形成するとともに、前記金属ポストから前記メッシュ材の第１の面側において前記Ｃｕめっき層に沿って延在する第１のパッドと、前記金属ポストから前記メッシュ材の第２の面側において前記Ｃｕめっき層に沿って延在するＮｉめっき層をＮｉめっきにより形成する
インタポーザの製造方法。
（付記１４）
付記１３記載のインタポーザの製造方法であって、
前記第１のパッド及び前記第２のパッドを形成した後、前記Ｃｕめっき層をエッチングにより除去して、前記第１のパッドと前記メッシュ材との間及び前記第２のパッドと前記メッシュ材との間に空間を形成する
インタポーザの製造方法。
（付記１５）
メッシュ材に、所定の部位を残して第１のレジストを形成し、
前記所定の部位において、前記メッシュ材の網目を貫通して前記メッシュ材の第１の面側と第１の面側の反対側の第２の面側に延在する金属ポストを金属めっきにより形成するとともに、前記金属ポストから前記メッシュ材の第１の面側において前記第１のレジストに沿って延在し、且つ前記金属ポストから前記メッシュ材の第２の面側において前記第１のレジストに沿って延在する金属層を金属めっきにより形成する
インタポーザの製造方法。
（付記１６）
付記１５記載のインタポーザの製造方法であって、
前記金属層の両面に、前記第１のパッド及び前記第２のパッドの形状に相当する第２のレジストを形成し、
前記第２のレジストをマスクとして前記金属層の一部をエッチングにより除去し、
前記第１のレジスト及び前記第２のレジストを除去して、前記第１のパッドと前記メッシュ材の第１の面との間、及び前記第２のパッドと前記メッシュ材の第２の面との間に空間を形成する
インタポーザの製造方法。
（付記１７）
樹脂シート材の第１の面と該第１の面の反対側の第２の面とにレジスト材を貼り付けてから、所定の位置に貫通開口を形成し、
前記貫通開口内及び前記レジスト材の表面全体に金属めっき層を形成し、
前記金属めっき層をエッチングして第１のパッド及び第２のパッドを形成し、
前記レジスト材を除去して、前記第１のパッドと前記樹脂シート材の第１の面との間、及び前記第２のパッドと前記樹脂シート材の第２の面との間に空間を形成する
インタポーザの製造方法。
【符号の説明】
【００６７】
１０，５０，６０ インタポーザ
１２，５２ バネ電極
１２ａ，５２ａ 上部パッド
１２ｂ，５２ｂ 下部パッド
１２ｃ，５２ｃ ポスト
１４ 基材
２０ 回路基板
２２ 電極パッド
３０ 半導体装置
５４ メッシュ材
５６ フレーム
５８ 実装認識マーク
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート状の基材と、
所定の配列で前記基材に固定された複数のバネ電極と
を有し、
前記バネ電極の各々は、
前記基材の第１の面側に設けられ、第１の方向に沿って延在する第１のパッドと、
前記基材の第１の面側とは反対の第２の面側に設けられ、前記第１の方向に沿って延在する第２のパッドと、
前記基材を貫通して前記第１の面側及び前記第２の面側に延在し、前記第１のパッドの一端と前記第２のパッドの一端を接続するポストと
を有することを特徴とするインタポーザ。
【請求項２】
請求項１記載のインタポーザであって、
前記基材はメッシュ状のシート材であり、前記バネ電極の前記ポストは、前記メッシュの隙間を貫通して前記第１の面側と前記第２の面側に延在しているインタポーザ。
【請求項３】
請求項１記載のインタポーザであって、
前記基材は樹脂フィルムであり、前記バネ電極の前記ポストは前記樹脂フィルムを貫通して前記第１の面側と前記第２の面側に延在しているインタポーザ。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記第１のパッドは前記基材から離間して間に空間が形成され、前記第２のパッドも前記基材から離間して間に空間が形成されているインタポーザ。
【請求項５】
請求項１乃至４のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記上部パッドの接合部の中心は前記ポストとの接続部から所定の距離以上離れており、前記下部パッドの接合部の中心も前記ポストとの接続部から前記所定の距離以上離れているインタポーザ。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記第１のパッドと前記第２のパッドとが前記ポストから延在する方向は、前記基材の中央側から外側に向かう方向であるインタポーザ。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記基材の前記第１の面側において、前記バネ電極が形成された領域の外側に金属パターンが形成されたインタポーザ。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちいずれか一項記載のインタポーザを介して電子部品が回路基板に搭載された回路基板モジュール。
【請求項９】
メッシュ材の所定の部位を残してＣｕめっき層を形成し、
前記所定の部位において、前記メッシュ材の網目を貫通して前記メッシュ材の第１の面側と第１の面側の反対側の第２の面側に延在する金属ポストをＮｉめっきにより形成するとともに、前記金属ポストから前記メッシュ材の第１の面側において前記Ｃｕめっき層に沿って延在する第１のパッドと、前記金属ポストから前記メッシュ材の第２の面側において前記Ｃｕめっき層に沿って延在するＮｉめっき層をＮｉめっきにより形成する
インタポーザの製造方法。
【請求項１０】
メッシュ材に、所定の部位を残して第１のレジストを形成し、
前記所定の部位において、前記メッシュ材の網目を貫通して前記メッシュ材の第１の面側と第１の面側の反対側の第２の面側に延在する金属ポストを金属めっきにより形成するとともに、前記金属ポストから前記メッシュ材の第１の面側において前記第１のレジストに沿って延在し、且つ前記金属ポストから前記メッシュ材の第２の面側において前記第１のレジストに沿って延在する金属層を金属めっきにより形成する
インタポーザの製造方法。
【請求項１】
シート状の基材と、
所定の配列で前記基材に固定された複数のバネ電極と
を有し、
前記バネ電極の各々は、
前記基材の第１の面側に設けられ、第１の方向に沿って延在する第１のパッドと、
前記基材の第１の面側とは反対の第２の面側に設けられ、前記第１の方向に沿って延在する第２のパッドと、
前記基材を貫通して前記第１の面側及び前記第２の面側に延在し、前記第１のパッドの一端と前記第２のパッドの一端を接続するポストと
を有することを特徴とするインタポーザ。
【請求項２】
請求項１記載のインタポーザであって、
前記基材はメッシュ状のシート材であり、前記バネ電極の前記ポストは、前記メッシュの隙間を貫通して前記第１の面側と前記第２の面側に延在しているインタポーザ。
【請求項３】
請求項１記載のインタポーザであって、
前記基材は樹脂フィルムであり、前記バネ電極の前記ポストは前記樹脂フィルムを貫通して前記第１の面側と前記第２の面側に延在しているインタポーザ。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記第１のパッドは前記基材から離間して間に空間が形成され、前記第２のパッドも前記基材から離間して間に空間が形成されているインタポーザ。
【請求項５】
請求項１乃至４のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記上部パッドの接合部の中心は前記ポストとの接続部から所定の距離以上離れており、前記下部パッドの接合部の中心も前記ポストとの接続部から前記所定の距離以上離れているインタポーザ。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記第１のパッドと前記第２のパッドとが前記ポストから延在する方向は、前記基材の中央側から外側に向かう方向であるインタポーザ。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちいずれか一項記載のインタポーザであって、
前記基材の前記第１の面側において、前記バネ電極が形成された領域の外側に金属パターンが形成されたインタポーザ。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちいずれか一項記載のインタポーザを介して電子部品が回路基板に搭載された回路基板モジュール。
【請求項９】
メッシュ材の所定の部位を残してＣｕめっき層を形成し、
前記所定の部位において、前記メッシュ材の網目を貫通して前記メッシュ材の第１の面側と第１の面側の反対側の第２の面側に延在する金属ポストをＮｉめっきにより形成するとともに、前記金属ポストから前記メッシュ材の第１の面側において前記Ｃｕめっき層に沿って延在する第１のパッドと、前記金属ポストから前記メッシュ材の第２の面側において前記Ｃｕめっき層に沿って延在するＮｉめっき層をＮｉめっきにより形成する
インタポーザの製造方法。
【請求項１０】
メッシュ材に、所定の部位を残して第１のレジストを形成し、
前記所定の部位において、前記メッシュ材の網目を貫通して前記メッシュ材の第１の面側と第１の面側の反対側の第２の面側に延在する金属ポストを金属めっきにより形成するとともに、前記金属ポストから前記メッシュ材の第１の面側において前記第１のレジストに沿って延在し、且つ前記金属ポストから前記メッシュ材の第２の面側において前記第１のレジストに沿って延在する金属層を金属めっきにより形成する
インタポーザの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１３−８４７０３（Ｐ２０１３−８４７０３Ａ）
【公開日】平成２５年５月９日（２０１３．５．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２２５８０（Ｐ２０１１−２２２５８０）
【出願日】平成２３年１０月７日（２０１１．１０．７）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月９日（２０１３．５．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月７日（２０１１．１０．７）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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