インダクタ部品
【課題】信号の反射成分を抑制することのできるインダクタ部品を提供する。
【解決手段】信号系の回路に挿入されるインダクタ部品であって、インダクタを構成する導体である巻線３０は、回路における導体よりも高い抵抗値を有する導体材料を含む。インダクタを構成する導体である巻線３０が、回路における導体よりも高い抵抗値を有する導体材料を含んでいるため、インダクタには抵抗成分が分布定数的に配置されることとなり、信号の反射成分を抑制することが可能となる。また、導体幅や長さなどを調整しなくとも特性インピーダンスを調整することができ、あるいは最小限の導体幅や長さなどの調整で特性インピーダンスの調整を行うことができる。
【解決手段】信号系の回路に挿入されるインダクタ部品であって、インダクタを構成する導体である巻線３０は、回路における導体よりも高い抵抗値を有する導体材料を含む。インダクタを構成する導体である巻線３０が、回路における導体よりも高い抵抗値を有する導体材料を含んでいるため、インダクタには抵抗成分が分布定数的に配置されることとなり、信号の反射成分を抑制することが可能となる。また、導体幅や長さなどを調整しなくとも特性インピーダンスを調整することができ、あるいは最小限の導体幅や長さなどの調整で特性インピーダンスの調整を行うことができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、インダクタ部品として、信号系の回路に挿入されるインダクタ部品であって、巻芯を有するドラム型フェライトコアと、当該ドラム型フェライトコアの巻芯に巻回されることによってインダクタを構成する巻線とを備え、巻線の端部をドラム型フェライトコアの角鍔の電極に熱圧着接合したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された巻線は、インダクタ部品の前後の回路パターンにおける導体と同材料によって構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２５３３９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のようなインダクタ部品を信号系の回路に組み込む場合、インダクタ部品の前後に抵抗器を接続して配置される。このとき、抵抗器及びインダクタ部品に信号を流すと、導体を伝わる信号が反射し、信号の減衰が生じるおそれがある。また、反射によって不要な輻射が生じ、ノイズの原因となってしまうおそれもある。従って、信号の反射成分を抑制することが求められていた。
【０００５】
本発明は、信号の反射成分を抑制することのできるインダクタ部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、抵抗器とインダクタ部品とを接続することに変えて、インダクタ部品のインダクタを構成する導体自体に高い抵抗値を持たせることによって、信号の反射成分を抑制することができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
すなわち、本発明に係るインダクタ部品は、信号系の回路に挿入されるインダクタ部品であって、インダクタを構成する導体は、回路における導体よりも高い抵抗値を有する導体材料を含むことを特徴とする。
【０００８】
本発明に係るインダクタ部品によれば、インダクタを構成する導体が、信号系の回路における導体よりも高い抵抗値を有する導体材料を含んでいるため、インダクタには抵抗成分が分布定数的に配置されることとなり、信号の反射成分を抑制することが可能となる。また、導体材料を選択して導体の抵抗値を調整することにより、導体幅や導体長さなどの構造的な調整をしなくとも特性インピーダンスを調整することができる。また、導体の長さを短くし、導体材料を選択して導体の抵抗値を高くして特性インピーダンスの調整を行うことにより、所望の特性インピーダンスを得ると同時に部品の小型化を図ることができる。
【０００９】
また、本発明に係るインダクタ部品において、インダクタを構成する導体は、互いに磁気結合した二つの巻線から構成されていることが好ましい。これによって、インダクタ部品はコモンモードフィルタとして機能することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、信号の反射成分を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。
【図２】第２実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。
【図３】第３実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。
【図４】第３実施形態に係るインダクタ部品に含まれる素子を示す分解斜視図である。
【図５】ＴＤＲ法による測定環境を説明するための図である。
【図６】ＴＤＲ法による測定方法を説明するための図である。
【図７】測定対象となるインダクタンス部品の等価回路を示す図である。
【図８】ＴＤＲ法による測定結果を示す線図である。
【図９】本実施形態に係るインダクタ部品の実装構造を説明するための回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１３】
（第１実施形態）
図１を参照して、第１実施形態に係るインダクタ部品１の構成を説明する。図１は、第１実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。
【００１４】
インダクタ部品１は、図１に示されるように、コア１０と、電極部２０，２１と、巻線（インダクタを構成する導体）３０と、を備えている。本発明のインダクタ部品は、信号系の回路に挿入されるものであり、例えば電源系の回路に適用される大型のインダクタ部品とは異っている。
【００１５】
コア１０は、磁性体（例えば、フェライト等）又は非磁性体（例えば、セラミック等）からなる。コア１０は、いわゆるドラムコアであって、巻芯部１２と、当該巻芯部１２の軸方向の両端に形成された一対の鍔部１３，１４とを有している。巻芯部１２は、四角柱形状を呈している。各鍔部１３，１４は、直方体形状を呈している。巻芯部１２と鍔部１３，１４とは、一体的に形成されている。コア１０は、その巻芯部１２の軸心方向に平行な断面での形状がＨ字状を呈している。
【００１６】
電極部２０は鍔部１３に位置し、電極部２１は鍔部１４に位置している。電極部２０，２１は、鍔部１３，１４の側面に金属材料（例えば、銀等）を主成分とする導電ペーストを転写した後に所定温度（例えば、７００℃程度）にて焼き付け、更に金属めっきを施すことにより、形成される。金属めっきには、ＮｉとＳｎ、ＣｕとＮｉとＳｎ、ＮｉとＡｕ、ＮｉとＰｄとＡｕ、ＮｉとＰｄとＡｇ、又は、ＮｉとＡｇ等を用いることができる。電極部２０，２１は、金属製の板材を鍔部１３，１４の対応する位置に装着することにより構成してもよい。金属製の板材には、例えば金属めっき（ＮｉとＳｎ）を施した燐青銅等を用いることができる。また、電極部２０，２１は、鍔部１３，１４にめっき法により直接形成してもよい。
【００１７】
巻線３０は、高い抵抗値を有する導体線からなり、巻芯部１２に３ターン以上巻回された巻回部３２と、巻回部３２の両端３２ａ，３２ｂに位置する引き出し部３４，３５と、を含んでいる。図１では、巻線３０の絶縁被膜の図示は省略しており、導体としての芯線を図示している。巻線３０が高い抵抗値を有する導体線からなることによって、インダクタにおいて、抵抗成分が分布定数的に配置される構成となる。
【００１８】
高い抵抗値とは、インダクタ部品１が組み込まれる信号系の回路における導体よりも高い抵抗値である。信号系の回路における導体には、例えば、Ｃｕが用いられ、抵抗値は１７ｎΩ・ｍ程度である。高い抵抗値を有する巻線３０の導体材料は、具体的には、銅ニッケル合金、鉄、銅マンガン合金、銅マンガンニッケル合金、ニクロム合金、鉄・クロム・アルミニウム合金、鉄ニッケル合金、ステンレス、パラジウム系材料、亜鉛系材料、ケイ素系材料、ルテニウム系材料等の一般的な抵抗器に使用される材料である。これらの材料の抵抗値は、具体的には２８ｎΩ・ｍ〜６７００ｎΩ・ｍ程度である。
【００１９】
巻回部３２と引き出し部３４，３５とは連続しており、引き出し部３４は巻回部３２の端３２ａ，３２ｂに接続されることとなる。引き出し部３４は、その端が電極部２０に継線されることにより、電極部２０に物理的且つ電気的に接続されている。引き出し部３５は、その端が電極部２１に継線されることにより、電極部２１に物理的且つ電気的に接続されている。これらにより、引き出し部３４，３５は、巻回部３２と電極部２０，２１とを接続する。引き出し部３４と電極部２０，２１との接続（継線）は、熱圧着、溶接、あるいは、半田付け等により行われる。
【００２０】
以上のように、本実施形態においては、インダクタを構成する導体である巻線３０が、信号系の回路における導体よりも高い抵抗値を有する導体材料を含んでいるため、インダクタには抵抗成分が分布定数的に配置されることとなり、信号の反射成分を抑制することが可能となる。また、導体材料を選択して巻線３０の抵抗値を調整することにより、導体幅や導体長さなどの構造的な調整をしなくとも特性インピーダンスを調整することができる。また、巻線３０の長さを短くし、導体材料を選択して巻線３０の抵抗値を高くして特性インピーダンスの調整を行うことにより、所望の特性インピーダンスを得ると同時に部品の小型化を図ることができる。
【００２１】
（第２実施形態）
図２を参照して、第２実施形態に係るインダクタ部品２の構成を説明する。図２は、第２実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。
【００２２】
インダクタ部品２は、図２に示されるように、コア１０と、電極部２３〜２６と、２本の巻線４０，４５と、を備えている。インダクタ部品２は、いわゆるコモンモードチョークコイルを構成している。
【００２３】
電極部２３，２４は鍔部１３に位置し、電極部２５，２６は鍔部１４に位置している。電極部２３〜２６は、第１実施形態における電極部２０，２１と同様に形成される。
【００２４】
巻線４０，４５は、第１実施形態における巻線３０と同じく高い抵抗値を有する導体線からなる。図２では、巻線４０，４５の絶縁被膜の図示は省略しており、導体としての芯線を図示している。インダクタ部品２が組み込まれる回路における導体には、例えば、Ｃｕが用いられ、抵抗値は１７ｎΩ・ｍ程度である。高い抵抗値を有する巻線４０，４５の導体材料は、具体的には、銅ニッケル合金、鉄、銅マンガン合金、銅マンガンニッケル合金、ニクロム合金、鉄・クロム・アルミニウム合金、鉄ニッケル合金、ステンレス、パラジウム系材料、亜鉛系材料、ケイ素系材料、ルテニウム系材料等の一般的な抵抗器に使用される材料である。これらの材料の抵抗値は、具体的には２８ｎΩ・ｍ〜６７００ｎΩ・ｍ程度である。
【００２５】
巻線４０，４５は、巻芯部１２に３ターン以上巻回された巻回部４２，４７と、巻回部４２，４７の両端４２ａ，４２ｂ，４７ａ，４７ｂに位置する引き出し部４４ａ，４４ｂ，４９ａ，４９ｂと、を含んでいる。巻回部４２，４７と引き出し部４４ａ，４４ｂ，４９ａ，４９ｂとは連続しており、引き出し部４４ａ，４４ｂ，４９ａ，４９ｂは巻回部４２，４７の端４２ａ，４２ｂ，４７ａ，４７ｂに接続されることとなる。
【００２６】
引き出し部４４ａ，４４ｂ，４９ａ，４９ｂは、電極部２３〜２６にも接続されている。引き出し部４４ａは、その端が電極部２３に継線されることにより、電極部２３に物理的且つ電気的に接続されている。引き出し部４４ｂは、その端が電極部２５に継線されることにより、電極部２５に物理的且つ電気的に接続されている。これらにより、引き出し部４４ａ，４４ｂは、巻回部４２と電極部２３，２５とを接続する。引き出し部４９ａは、その端が電極部２４に継線されることにより、電極部２４に物理的且つ電気的に接続されている。引き出し部４９ｂは、その端が電極部２６に継線されることにより、電極部２６に物理的且つ電気的に接続されている。これらにより、引き出し部４９ａ，４９ｂは、巻回部４７と電極部２４，２６とを接続する。引き出し部４４ａ，４４ｂ，４９ａ，４９ｂと電極部２３〜２６との接続（継線）は、熱圧着、溶接、あるいは、半田付け等により行われる。
【００２７】
以上のように、本実施形態においては、インダクタを構成する導体である巻線４０，４５が、回路における導体よりも高い抵抗値を有する導体材料を含んでいるため、インダクタには抵抗成分が分布定数的に配置されることとなり、信号の反射成分を抑制することが可能となる。また、導体材料を選択して巻線４０，４５の抵抗値を調整することにより、導体幅や導体長さなどの構造的な調整をしなくとも特性インピーダンスを調整することができる。また、巻線４０，４５の長さを短くし、導体材料を選択して巻線４０，４５の抵抗値を高くして特性インピーダンスの調整を行うことにより、所望の特性インピーダンスを得ると同時に部品の小型化を図ることができる。
【００２８】
（第３実施形態）
図３及び図４を参照して、第３実施形態に係るインダクタ部品３の構成を説明する。図３は、第３実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。図４は、第３実施形態に係るインダクタ部品に含まれる素子を示す分解斜視図である。
【００２９】
インダクタ部品３は、図３に示されるように、直方体形状の素子５０と、一対の電極部６０，６２とを備えている。インダクタ部品３は、いわゆる積層型インダクタを構成している。
【００３０】
素子５０は、図４に示されるように、コイル部７０と、外装部８０とを有している。コイル部７０は、コイル状導体７１と、当該コイル状導体７１の両端に位置する引き出し導体７３，７４を含んでいる。外装部８０は、積層される複数の絶縁体層８１〜８６を含んでいる。各絶縁体層８１〜８６は、例えば、磁性体（例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト等）を含むセラミックグリーンシートの焼結体、又は、非磁性体（例えば、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト）等の非磁性体を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。なお、実際のインダクタ部品３では、各絶縁体層８１〜８６は、互いの間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００３１】
各電極部６０，６２は、素子５０の外側面に配置されている。各電極部６０，６２は、例えば導電性金属粉末及びガラスフリットを含む導電性ペーストを素子５０の外表面の付与し、焼き付けることによって形成される。必要に応じて、焼き付けにより形成された電極部分上にめっき層が形成されることもある。
【００３２】
コイル状導体７１は、絶縁体層８１〜８５に形成された導体パターン７１ａ〜７１ｅにより構成される。また、引き出し導体７３は、絶縁体層８１，８５に形成された導体パターン７３ａにより構成される。本実施形態においては、導体パターン７１ａと導体パターン７３ａとが一体に連続して形成され、導体パターン７１ｅと導体パターン７３ａとが一体に連続して形成されている。
【００３３】
導体パターン７１ａ〜７１ｅ，７３ａは、第１実施形態における巻線３０と同じく高い抵抗値を有する導体材料からなる。インダクタ部品３が組み込まれる回路における導体には、例えば、Ｃｕが用いられ、抵抗値は１７ｎΩ・ｍ程度である。高い抵抗値を有する導体パターン７１ａ〜７１ｅ，７３ａの導体材料は、具体的には、銅ニッケル合金、鉄、銅マンガン合金、銅マンガンニッケル合金、ニクロム合金、鉄・クロム・アルミニウム合金、鉄ニッケル合金、ステンレス、パラジウム系材料、亜鉛系材料、ケイ素系材料、ルテニウム系材料等の一般的な抵抗器に使用される材料である。これらの材料の抵抗値は、具体的には２８ｎΩ・ｍ〜６７００ｎΩ・ｍ程度である。導体パターン７１ａ〜７１ｅ，７３ａは、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。
【００３４】
導体パターン７１ａは、コイル状導体７１の略１／２ターン分に相当し、絶縁体層８１上で略Ｌ字状に伸びている。導体パターン７１ｂは、コイル状導体７１の略３／４ターン分に相当し、絶縁体層８２上で略Ｕ字状に伸びている。導体パターン７１ｃは、コイル状導体７１の略３／４ターン分に相当し、絶縁体層８３上で略Ｃ字状に伸びている。導体パターン７１ｄは、コイル状導体７１の略３／４ターン分に相当し、絶縁体層８４上で略Ｕ字状に伸びている。導体パターン７１ｅは、コイル状導体７１の略１／２ターン分に相当し、絶縁体層８５上で略Ｌ字状に伸びている。導体パターン７１ａ〜７１ｅは、絶縁体層８１〜８６の積層方向に併置されることとなる。
【００３５】
導体パターン７１ａ〜７１ｅは、その端部同士が絶縁体層８１〜８４，８６にそれぞれ形成された貫通電極７５ａ〜７５ｄにより電気的に接続される。導体パターン７１ａ〜７１ｅは、絶縁体層８１〜８６の積層方向に隣り合う導体パターン７１ａ〜７１ｅ同士が相互に電気的に接続されることで、コイル状導体７１を構成することとなり、コイル状導体７１では、導体が３ターン以上巻回されることとなる。
【００３６】
引き出し導体７３ａは、絶縁体層８１上で、導体パターン７１ａの一端から連続して略Ｉ字状に伸びている。導体パターン７３ａの一端は、素子５０の外表面に露出している。導体パターン７３ａは、電極部６０に物理的且つ電気的に接続される。また、導体パターン７３ａは、絶縁体層８５上で、導体パターン７１ｅの他端から連続して略Ｉ字状に伸びている。導体パターン７３ａの他端は、素子５０の外表面に露出している。導体パターン７３ａは、電極部６２に物理的且つ電気的に接続される。
【００３７】
以上のように、本実施形態においては、インダクタを構成する導体である導体パターン７１ａ〜７１ｅ，７３ａが、回路における導体よりも高い抵抗値を有する導体材料を含んでいるため、インダクタには抵抗成分が分布定数的に配置されることとなり、信号の反射成分を抑制することが可能となる。また、導体材料を選択して導体パターン７１ａ〜７１ｅ，７３ａの抵抗値を調整することにより、導体幅や導体長さなどの構造的な調整をしなくとも特性インピーダンスを調整することができる。また、導体パターン７１ａ〜７１ｅ，７３ａの長さを短くし、導体材料を選択して導体パターン７１ａ〜７１ｅ，７３ａの抵抗値を高くして特性インピーダンスの調整を行うことにより、所望の特性インピーダンスを得ると同時に部品の小型化を図ることができる。
【００３８】
続いて、本実施形態によって、信号の反射成分を抑制できることを、具体的に示す。ここでは、インダクタ部品のインピーダンスをＴＤＲ（Time Domain Reflectometry）法により測定する。ＴＤＲ法とは、伝送線路にステップパルスを送出し、その特性インピーダンスの不連続箇所にて反射されたパルスを測定することにより、伝送線路の特性インピーダンスを計測する測定法である。
【００３９】
まず、図５に基づいて、ＴＤＲ法による測定環境を説明する。図５に示される各測定環境では、高速オシロスコープ９０とレシーバＩＣ９２とが、伝送路９４を介して接続されている。伝送路９４は、ケーブル９６とインダクタ部品９８とを有している。高速オシロスコープ９０は、ＴＤＲモジュール９１を有している。高速オシロスコープ９０は、ＴＤＲモジュール９１を通してケーブル９６と接続され、ケーブル９６の他端はインダクタ部品９８と接続される。インダクタ部品９８の他端にはレシーバＩＣ９２が接続される。
【００４０】
高速オシロスコープ９０としては、アジレント・テクノロジー社（Agilent Technologies, Inc.）製のＡｇｉｌｅｎｔ８６１００広帯域オシロスコープを用いる。ＴＤＲモジュール９１としては、アジレント・テクノロジー社製の５４７５４差動ＴＤＲプラグイン・モジュールを用いる。レシーバＩＣ９２は、電源がオフのときに無限大の入力インピーダンスを有し、高速オシロスコープ９０からの信号を１００％反射させる。伝送路９４は、５０Ωの特性インピーダンスを有する。
【００４１】
次に、図５及び図６に基づいて、ＴＤＲ法による測定方法について説明する。まず、高速オシロスコープ９０が入射電圧ステップＥｉを発生させ、この入射電圧ステップＥｉを伝送路９４に出力する。伝送路９４上で特性インピーダンスの不連続点が存在しない場合には、入射電圧ステップＥｉがレシーバＩＣ９２でそのまま反射され、高速オシロスコープ９０には、図６（ａ）に示すように、入射電圧ステップＥｉのみが表示される。
【００４２】
一方、伝送路９４の特性インピーダンスに不連続箇所が存在する場合には、その不連続箇所で入射電圧ステップの一部が反射される。この場合、高速オシロスコープ９０には、図６（ｂ）に示すように、反射波Ｅｒが入射電圧ステップＥｉに代数的に追加されて表示される。この結果より、インピーダンスの不連続箇所の位置と特性インピーダンスの値を求めることができる。すなわち、反射波Ｅｒが測定されるまでの時間Ｔによりインピーダンスの不連続箇所の位置を求めることができると共に、反射波Ｅｒの値により不連続箇所でのインピーダンスを求めることができる。
【００４３】
測定においては、インダクタ部品９８として、等価回路が図７（ａ）に示されるように、従来の技術のインダクタ部品、すなわち構成が第１実施形態に係るインダクタ部品であって巻線の導体材料がＣｕであるインダクタ部品を用い、等価回路が図７（ｂ）に示されるように、従来のインダクタ部品の後方に２Ωの抵抗器を接続したものを用い、等価回路が図７（ｃ）に示されるように、従来のインダクタ部品の前方に２Ωの抵抗器を接続したものを用い、等価回路が図７（ｄ）に示されるように、上述した第１実施形態に係るインダクタ部品１とを用いた。従来の技術のインダクタ部品の構成と、インダクタ部品１との構成とは、巻線の導体材料を除いて、同じ構成とした。
【００４４】
図８に測定結果を示す。図８（ａ）は図７（ａ）の等価回路における測定結果、図８（ｂ）は図７（ｂ）の等価回路における測定結果、図８（ｃ）は図７（ｃ）の等価回路における測定結果、図８（ｄ）は図７（ｄ）の等価回路における測定結果を示している。図８（ａ）から分かるように、インダクタ部品９８が従来のインダクタ部品のみの場合、図中Ａ１で示される位置と図中Ａ２で示される位置においてインピーダンスが大きく変化しており、位置Ａ１と位置Ａ２との間においても、図中Ａ３で示す位置においてインピーダンスが大きく変化している。これらのインピーダンスが急激に変化する位置Ａ１，Ａ２，Ａ３において反射が生じる可能性がある。
【００４５】
図８（ｂ）から分かるように、インダクタ部品９８として従来のインダクタ部品の後方に抵抗器を接続したものを用いた場合、図中Ｂ１で示される位置においてインピーダンスが大きく変化しており、特に、図中Ｂ２で示される位置においては、更に急激にインピーダンスが変化している。また、位置Ｂ１と位置Ｂ２との間においても、図中Ｂ３で示す位置においてインピーダンスが大きく変化している。これらのインピーダンスが急激に変化する位置Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３において反射が生じる可能性がある。
【００４６】
図８（ｃ）から分かるように、インダクタ部品９８として従来のインダクタ部品の前方に抵抗器を接続したものを用いた場合、図中Ｃ１及び図中Ｃ３で示される位置においてインピーダンスが大きく変化しており、特に、図中Ｃ２で示される位置においては、更に急激にインピーダンスが変化している。また、位置Ｃ１と位置Ｃ２との間においても、図中Ｃ４で示す位置においてインピーダンスが大きく変化している。これらのインピーダンスが急激に変化する位置Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４において反射が生じる可能性がある。
【００４７】
一方、図８（ｄ）から分かるように、インダクタ部品９８として本発明の第１実施形態に係るインダクタ部品１を用いた場合、図中Ｄ１及び図Ｄ２に示される位置におけるインピーダンスの変化が観察されるが、位置Ｄ１における変化は位置Ａ１，Ｂ１，Ｃ１における変化に比べて緩やかであり、位置Ｄ２における変化は位置Ａ２，Ｂ２，Ｃ２における変化に比べて緩やかである。更に、位置Ｄ１と位置Ｄ２との間には、インピーダンスが大きく変化することなく滑らかに変化している。従って、第１実施形態に係るインダクタ部品１は、従来のインダクタ部品に比して、反射成分を抑制できることが理解される。
【００４８】
次に、図９を参照して、本実施形態に係るインダクタ部品の実装構造について、説明する。図９は、本実施形態に係るインダクタ部品の実装構造を説明するための回路図である。図９（ａ）は従来のインダクタ部品の実装構造を説明するための回路図であり、図９（ｂ）は本実施形態に係るインダクタ部品の実装構造を説明するための回路図である。ここでは、実装するインダクタ部品として第１実施形態に係るインダクタ部品１を用いて説明するが、他の実施形態に係るインダクタ部品２，３も、同様に実装することができる。
【００４９】
図９（ａ）に示されるように、従来のインダクタ部品１２０は、プロセッサ１００とメモリ１０１との間の入力ライン・出力ラインとの間に挿入されている。また、入力ライン・出力ラインにはインダクタ部品１２０とともに抵抗器１１０が直列に接続されている。一方、図９（ｂ）に示すように、本実施形態に係るインダクタ部品１は、抵抗器と接続されることなく、単体でプロセッサ１００とメモリ１０１との間の入力ライン・出力ラインとの間に挿入される。これによって、インダクタ部品１は、信号系の回路におけるインダクタとして機能する。なお、入力ライン・出力ラインにおいて、インダクタ部品１に接続される導線１４０が、回路における導体に該当する。
【００５０】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、上述の実施形態よりも巻線の巻数を増加、あるいは減少させてもよく、巻線のピッチも適宜変化させてよい。
【符号の説明】
【００５１】
１，２，３…インダクタ部品、３０，４０，４５…巻線（インダクタを構成する導体）、７１ａ〜７１ｅ，７３ａ…導体パターン（インダクタを構成する導体）、１４０…導線（回路における導体）。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、インダクタ部品として、信号系の回路に挿入されるインダクタ部品であって、巻芯を有するドラム型フェライトコアと、当該ドラム型フェライトコアの巻芯に巻回されることによってインダクタを構成する巻線とを備え、巻線の端部をドラム型フェライトコアの角鍔の電極に熱圧着接合したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された巻線は、インダクタ部品の前後の回路パターンにおける導体と同材料によって構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２５３３９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のようなインダクタ部品を信号系の回路に組み込む場合、インダクタ部品の前後に抵抗器を接続して配置される。このとき、抵抗器及びインダクタ部品に信号を流すと、導体を伝わる信号が反射し、信号の減衰が生じるおそれがある。また、反射によって不要な輻射が生じ、ノイズの原因となってしまうおそれもある。従って、信号の反射成分を抑制することが求められていた。
【０００５】
本発明は、信号の反射成分を抑制することのできるインダクタ部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、抵抗器とインダクタ部品とを接続することに変えて、インダクタ部品のインダクタを構成する導体自体に高い抵抗値を持たせることによって、信号の反射成分を抑制することができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
すなわち、本発明に係るインダクタ部品は、信号系の回路に挿入されるインダクタ部品であって、インダクタを構成する導体は、回路における導体よりも高い抵抗値を有する導体材料を含むことを特徴とする。
【０００８】
本発明に係るインダクタ部品によれば、インダクタを構成する導体が、信号系の回路における導体よりも高い抵抗値を有する導体材料を含んでいるため、インダクタには抵抗成分が分布定数的に配置されることとなり、信号の反射成分を抑制することが可能となる。また、導体材料を選択して導体の抵抗値を調整することにより、導体幅や導体長さなどの構造的な調整をしなくとも特性インピーダンスを調整することができる。また、導体の長さを短くし、導体材料を選択して導体の抵抗値を高くして特性インピーダンスの調整を行うことにより、所望の特性インピーダンスを得ると同時に部品の小型化を図ることができる。
【０００９】
また、本発明に係るインダクタ部品において、インダクタを構成する導体は、互いに磁気結合した二つの巻線から構成されていることが好ましい。これによって、インダクタ部品はコモンモードフィルタとして機能することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、信号の反射成分を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。
【図２】第２実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。
【図３】第３実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。
【図４】第３実施形態に係るインダクタ部品に含まれる素子を示す分解斜視図である。
【図５】ＴＤＲ法による測定環境を説明するための図である。
【図６】ＴＤＲ法による測定方法を説明するための図である。
【図７】測定対象となるインダクタンス部品の等価回路を示す図である。
【図８】ＴＤＲ法による測定結果を示す線図である。
【図９】本実施形態に係るインダクタ部品の実装構造を説明するための回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１３】
（第１実施形態）
図１を参照して、第１実施形態に係るインダクタ部品１の構成を説明する。図１は、第１実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。
【００１４】
インダクタ部品１は、図１に示されるように、コア１０と、電極部２０，２１と、巻線（インダクタを構成する導体）３０と、を備えている。本発明のインダクタ部品は、信号系の回路に挿入されるものであり、例えば電源系の回路に適用される大型のインダクタ部品とは異っている。
【００１５】
コア１０は、磁性体（例えば、フェライト等）又は非磁性体（例えば、セラミック等）からなる。コア１０は、いわゆるドラムコアであって、巻芯部１２と、当該巻芯部１２の軸方向の両端に形成された一対の鍔部１３，１４とを有している。巻芯部１２は、四角柱形状を呈している。各鍔部１３，１４は、直方体形状を呈している。巻芯部１２と鍔部１３，１４とは、一体的に形成されている。コア１０は、その巻芯部１２の軸心方向に平行な断面での形状がＨ字状を呈している。
【００１６】
電極部２０は鍔部１３に位置し、電極部２１は鍔部１４に位置している。電極部２０，２１は、鍔部１３，１４の側面に金属材料（例えば、銀等）を主成分とする導電ペーストを転写した後に所定温度（例えば、７００℃程度）にて焼き付け、更に金属めっきを施すことにより、形成される。金属めっきには、ＮｉとＳｎ、ＣｕとＮｉとＳｎ、ＮｉとＡｕ、ＮｉとＰｄとＡｕ、ＮｉとＰｄとＡｇ、又は、ＮｉとＡｇ等を用いることができる。電極部２０，２１は、金属製の板材を鍔部１３，１４の対応する位置に装着することにより構成してもよい。金属製の板材には、例えば金属めっき（ＮｉとＳｎ）を施した燐青銅等を用いることができる。また、電極部２０，２１は、鍔部１３，１４にめっき法により直接形成してもよい。
【００１７】
巻線３０は、高い抵抗値を有する導体線からなり、巻芯部１２に３ターン以上巻回された巻回部３２と、巻回部３２の両端３２ａ，３２ｂに位置する引き出し部３４，３５と、を含んでいる。図１では、巻線３０の絶縁被膜の図示は省略しており、導体としての芯線を図示している。巻線３０が高い抵抗値を有する導体線からなることによって、インダクタにおいて、抵抗成分が分布定数的に配置される構成となる。
【００１８】
高い抵抗値とは、インダクタ部品１が組み込まれる信号系の回路における導体よりも高い抵抗値である。信号系の回路における導体には、例えば、Ｃｕが用いられ、抵抗値は１７ｎΩ・ｍ程度である。高い抵抗値を有する巻線３０の導体材料は、具体的には、銅ニッケル合金、鉄、銅マンガン合金、銅マンガンニッケル合金、ニクロム合金、鉄・クロム・アルミニウム合金、鉄ニッケル合金、ステンレス、パラジウム系材料、亜鉛系材料、ケイ素系材料、ルテニウム系材料等の一般的な抵抗器に使用される材料である。これらの材料の抵抗値は、具体的には２８ｎΩ・ｍ〜６７００ｎΩ・ｍ程度である。
【００１９】
巻回部３２と引き出し部３４，３５とは連続しており、引き出し部３４は巻回部３２の端３２ａ，３２ｂに接続されることとなる。引き出し部３４は、その端が電極部２０に継線されることにより、電極部２０に物理的且つ電気的に接続されている。引き出し部３５は、その端が電極部２１に継線されることにより、電極部２１に物理的且つ電気的に接続されている。これらにより、引き出し部３４，３５は、巻回部３２と電極部２０，２１とを接続する。引き出し部３４と電極部２０，２１との接続（継線）は、熱圧着、溶接、あるいは、半田付け等により行われる。
【００２０】
以上のように、本実施形態においては、インダクタを構成する導体である巻線３０が、信号系の回路における導体よりも高い抵抗値を有する導体材料を含んでいるため、インダクタには抵抗成分が分布定数的に配置されることとなり、信号の反射成分を抑制することが可能となる。また、導体材料を選択して巻線３０の抵抗値を調整することにより、導体幅や導体長さなどの構造的な調整をしなくとも特性インピーダンスを調整することができる。また、巻線３０の長さを短くし、導体材料を選択して巻線３０の抵抗値を高くして特性インピーダンスの調整を行うことにより、所望の特性インピーダンスを得ると同時に部品の小型化を図ることができる。
【００２１】
（第２実施形態）
図２を参照して、第２実施形態に係るインダクタ部品２の構成を説明する。図２は、第２実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。
【００２２】
インダクタ部品２は、図２に示されるように、コア１０と、電極部２３〜２６と、２本の巻線４０，４５と、を備えている。インダクタ部品２は、いわゆるコモンモードチョークコイルを構成している。
【００２３】
電極部２３，２４は鍔部１３に位置し、電極部２５，２６は鍔部１４に位置している。電極部２３〜２６は、第１実施形態における電極部２０，２１と同様に形成される。
【００２４】
巻線４０，４５は、第１実施形態における巻線３０と同じく高い抵抗値を有する導体線からなる。図２では、巻線４０，４５の絶縁被膜の図示は省略しており、導体としての芯線を図示している。インダクタ部品２が組み込まれる回路における導体には、例えば、Ｃｕが用いられ、抵抗値は１７ｎΩ・ｍ程度である。高い抵抗値を有する巻線４０，４５の導体材料は、具体的には、銅ニッケル合金、鉄、銅マンガン合金、銅マンガンニッケル合金、ニクロム合金、鉄・クロム・アルミニウム合金、鉄ニッケル合金、ステンレス、パラジウム系材料、亜鉛系材料、ケイ素系材料、ルテニウム系材料等の一般的な抵抗器に使用される材料である。これらの材料の抵抗値は、具体的には２８ｎΩ・ｍ〜６７００ｎΩ・ｍ程度である。
【００２５】
巻線４０，４５は、巻芯部１２に３ターン以上巻回された巻回部４２，４７と、巻回部４２，４７の両端４２ａ，４２ｂ，４７ａ，４７ｂに位置する引き出し部４４ａ，４４ｂ，４９ａ，４９ｂと、を含んでいる。巻回部４２，４７と引き出し部４４ａ，４４ｂ，４９ａ，４９ｂとは連続しており、引き出し部４４ａ，４４ｂ，４９ａ，４９ｂは巻回部４２，４７の端４２ａ，４２ｂ，４７ａ，４７ｂに接続されることとなる。
【００２６】
引き出し部４４ａ，４４ｂ，４９ａ，４９ｂは、電極部２３〜２６にも接続されている。引き出し部４４ａは、その端が電極部２３に継線されることにより、電極部２３に物理的且つ電気的に接続されている。引き出し部４４ｂは、その端が電極部２５に継線されることにより、電極部２５に物理的且つ電気的に接続されている。これらにより、引き出し部４４ａ，４４ｂは、巻回部４２と電極部２３，２５とを接続する。引き出し部４９ａは、その端が電極部２４に継線されることにより、電極部２４に物理的且つ電気的に接続されている。引き出し部４９ｂは、その端が電極部２６に継線されることにより、電極部２６に物理的且つ電気的に接続されている。これらにより、引き出し部４９ａ，４９ｂは、巻回部４７と電極部２４，２６とを接続する。引き出し部４４ａ，４４ｂ，４９ａ，４９ｂと電極部２３〜２６との接続（継線）は、熱圧着、溶接、あるいは、半田付け等により行われる。
【００２７】
以上のように、本実施形態においては、インダクタを構成する導体である巻線４０，４５が、回路における導体よりも高い抵抗値を有する導体材料を含んでいるため、インダクタには抵抗成分が分布定数的に配置されることとなり、信号の反射成分を抑制することが可能となる。また、導体材料を選択して巻線４０，４５の抵抗値を調整することにより、導体幅や導体長さなどの構造的な調整をしなくとも特性インピーダンスを調整することができる。また、巻線４０，４５の長さを短くし、導体材料を選択して巻線４０，４５の抵抗値を高くして特性インピーダンスの調整を行うことにより、所望の特性インピーダンスを得ると同時に部品の小型化を図ることができる。
【００２８】
（第３実施形態）
図３及び図４を参照して、第３実施形態に係るインダクタ部品３の構成を説明する。図３は、第３実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。図４は、第３実施形態に係るインダクタ部品に含まれる素子を示す分解斜視図である。
【００２９】
インダクタ部品３は、図３に示されるように、直方体形状の素子５０と、一対の電極部６０，６２とを備えている。インダクタ部品３は、いわゆる積層型インダクタを構成している。
【００３０】
素子５０は、図４に示されるように、コイル部７０と、外装部８０とを有している。コイル部７０は、コイル状導体７１と、当該コイル状導体７１の両端に位置する引き出し導体７３，７４を含んでいる。外装部８０は、積層される複数の絶縁体層８１〜８６を含んでいる。各絶縁体層８１〜８６は、例えば、磁性体（例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト等）を含むセラミックグリーンシートの焼結体、又は、非磁性体（例えば、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト）等の非磁性体を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。なお、実際のインダクタ部品３では、各絶縁体層８１〜８６は、互いの間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００３１】
各電極部６０，６２は、素子５０の外側面に配置されている。各電極部６０，６２は、例えば導電性金属粉末及びガラスフリットを含む導電性ペーストを素子５０の外表面の付与し、焼き付けることによって形成される。必要に応じて、焼き付けにより形成された電極部分上にめっき層が形成されることもある。
【００３２】
コイル状導体７１は、絶縁体層８１〜８５に形成された導体パターン７１ａ〜７１ｅにより構成される。また、引き出し導体７３は、絶縁体層８１，８５に形成された導体パターン７３ａにより構成される。本実施形態においては、導体パターン７１ａと導体パターン７３ａとが一体に連続して形成され、導体パターン７１ｅと導体パターン７３ａとが一体に連続して形成されている。
【００３３】
導体パターン７１ａ〜７１ｅ，７３ａは、第１実施形態における巻線３０と同じく高い抵抗値を有する導体材料からなる。インダクタ部品３が組み込まれる回路における導体には、例えば、Ｃｕが用いられ、抵抗値は１７ｎΩ・ｍ程度である。高い抵抗値を有する導体パターン７１ａ〜７１ｅ，７３ａの導体材料は、具体的には、銅ニッケル合金、鉄、銅マンガン合金、銅マンガンニッケル合金、ニクロム合金、鉄・クロム・アルミニウム合金、鉄ニッケル合金、ステンレス、パラジウム系材料、亜鉛系材料、ケイ素系材料、ルテニウム系材料等の一般的な抵抗器に使用される材料である。これらの材料の抵抗値は、具体的には２８ｎΩ・ｍ〜６７００ｎΩ・ｍ程度である。導体パターン７１ａ〜７１ｅ，７３ａは、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。
【００３４】
導体パターン７１ａは、コイル状導体７１の略１／２ターン分に相当し、絶縁体層８１上で略Ｌ字状に伸びている。導体パターン７１ｂは、コイル状導体７１の略３／４ターン分に相当し、絶縁体層８２上で略Ｕ字状に伸びている。導体パターン７１ｃは、コイル状導体７１の略３／４ターン分に相当し、絶縁体層８３上で略Ｃ字状に伸びている。導体パターン７１ｄは、コイル状導体７１の略３／４ターン分に相当し、絶縁体層８４上で略Ｕ字状に伸びている。導体パターン７１ｅは、コイル状導体７１の略１／２ターン分に相当し、絶縁体層８５上で略Ｌ字状に伸びている。導体パターン７１ａ〜７１ｅは、絶縁体層８１〜８６の積層方向に併置されることとなる。
【００３５】
導体パターン７１ａ〜７１ｅは、その端部同士が絶縁体層８１〜８４，８６にそれぞれ形成された貫通電極７５ａ〜７５ｄにより電気的に接続される。導体パターン７１ａ〜７１ｅは、絶縁体層８１〜８６の積層方向に隣り合う導体パターン７１ａ〜７１ｅ同士が相互に電気的に接続されることで、コイル状導体７１を構成することとなり、コイル状導体７１では、導体が３ターン以上巻回されることとなる。
【００３６】
引き出し導体７３ａは、絶縁体層８１上で、導体パターン７１ａの一端から連続して略Ｉ字状に伸びている。導体パターン７３ａの一端は、素子５０の外表面に露出している。導体パターン７３ａは、電極部６０に物理的且つ電気的に接続される。また、導体パターン７３ａは、絶縁体層８５上で、導体パターン７１ｅの他端から連続して略Ｉ字状に伸びている。導体パターン７３ａの他端は、素子５０の外表面に露出している。導体パターン７３ａは、電極部６２に物理的且つ電気的に接続される。
【００３７】
以上のように、本実施形態においては、インダクタを構成する導体である導体パターン７１ａ〜７１ｅ，７３ａが、回路における導体よりも高い抵抗値を有する導体材料を含んでいるため、インダクタには抵抗成分が分布定数的に配置されることとなり、信号の反射成分を抑制することが可能となる。また、導体材料を選択して導体パターン７１ａ〜７１ｅ，７３ａの抵抗値を調整することにより、導体幅や導体長さなどの構造的な調整をしなくとも特性インピーダンスを調整することができる。また、導体パターン７１ａ〜７１ｅ，７３ａの長さを短くし、導体材料を選択して導体パターン７１ａ〜７１ｅ，７３ａの抵抗値を高くして特性インピーダンスの調整を行うことにより、所望の特性インピーダンスを得ると同時に部品の小型化を図ることができる。
【００３８】
続いて、本実施形態によって、信号の反射成分を抑制できることを、具体的に示す。ここでは、インダクタ部品のインピーダンスをＴＤＲ（Time Domain Reflectometry）法により測定する。ＴＤＲ法とは、伝送線路にステップパルスを送出し、その特性インピーダンスの不連続箇所にて反射されたパルスを測定することにより、伝送線路の特性インピーダンスを計測する測定法である。
【００３９】
まず、図５に基づいて、ＴＤＲ法による測定環境を説明する。図５に示される各測定環境では、高速オシロスコープ９０とレシーバＩＣ９２とが、伝送路９４を介して接続されている。伝送路９４は、ケーブル９６とインダクタ部品９８とを有している。高速オシロスコープ９０は、ＴＤＲモジュール９１を有している。高速オシロスコープ９０は、ＴＤＲモジュール９１を通してケーブル９６と接続され、ケーブル９６の他端はインダクタ部品９８と接続される。インダクタ部品９８の他端にはレシーバＩＣ９２が接続される。
【００４０】
高速オシロスコープ９０としては、アジレント・テクノロジー社（Agilent Technologies, Inc.）製のＡｇｉｌｅｎｔ８６１００広帯域オシロスコープを用いる。ＴＤＲモジュール９１としては、アジレント・テクノロジー社製の５４７５４差動ＴＤＲプラグイン・モジュールを用いる。レシーバＩＣ９２は、電源がオフのときに無限大の入力インピーダンスを有し、高速オシロスコープ９０からの信号を１００％反射させる。伝送路９４は、５０Ωの特性インピーダンスを有する。
【００４１】
次に、図５及び図６に基づいて、ＴＤＲ法による測定方法について説明する。まず、高速オシロスコープ９０が入射電圧ステップＥｉを発生させ、この入射電圧ステップＥｉを伝送路９４に出力する。伝送路９４上で特性インピーダンスの不連続点が存在しない場合には、入射電圧ステップＥｉがレシーバＩＣ９２でそのまま反射され、高速オシロスコープ９０には、図６（ａ）に示すように、入射電圧ステップＥｉのみが表示される。
【００４２】
一方、伝送路９４の特性インピーダンスに不連続箇所が存在する場合には、その不連続箇所で入射電圧ステップの一部が反射される。この場合、高速オシロスコープ９０には、図６（ｂ）に示すように、反射波Ｅｒが入射電圧ステップＥｉに代数的に追加されて表示される。この結果より、インピーダンスの不連続箇所の位置と特性インピーダンスの値を求めることができる。すなわち、反射波Ｅｒが測定されるまでの時間Ｔによりインピーダンスの不連続箇所の位置を求めることができると共に、反射波Ｅｒの値により不連続箇所でのインピーダンスを求めることができる。
【００４３】
測定においては、インダクタ部品９８として、等価回路が図７（ａ）に示されるように、従来の技術のインダクタ部品、すなわち構成が第１実施形態に係るインダクタ部品であって巻線の導体材料がＣｕであるインダクタ部品を用い、等価回路が図７（ｂ）に示されるように、従来のインダクタ部品の後方に２Ωの抵抗器を接続したものを用い、等価回路が図７（ｃ）に示されるように、従来のインダクタ部品の前方に２Ωの抵抗器を接続したものを用い、等価回路が図７（ｄ）に示されるように、上述した第１実施形態に係るインダクタ部品１とを用いた。従来の技術のインダクタ部品の構成と、インダクタ部品１との構成とは、巻線の導体材料を除いて、同じ構成とした。
【００４４】
図８に測定結果を示す。図８（ａ）は図７（ａ）の等価回路における測定結果、図８（ｂ）は図７（ｂ）の等価回路における測定結果、図８（ｃ）は図７（ｃ）の等価回路における測定結果、図８（ｄ）は図７（ｄ）の等価回路における測定結果を示している。図８（ａ）から分かるように、インダクタ部品９８が従来のインダクタ部品のみの場合、図中Ａ１で示される位置と図中Ａ２で示される位置においてインピーダンスが大きく変化しており、位置Ａ１と位置Ａ２との間においても、図中Ａ３で示す位置においてインピーダンスが大きく変化している。これらのインピーダンスが急激に変化する位置Ａ１，Ａ２，Ａ３において反射が生じる可能性がある。
【００４５】
図８（ｂ）から分かるように、インダクタ部品９８として従来のインダクタ部品の後方に抵抗器を接続したものを用いた場合、図中Ｂ１で示される位置においてインピーダンスが大きく変化しており、特に、図中Ｂ２で示される位置においては、更に急激にインピーダンスが変化している。また、位置Ｂ１と位置Ｂ２との間においても、図中Ｂ３で示す位置においてインピーダンスが大きく変化している。これらのインピーダンスが急激に変化する位置Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３において反射が生じる可能性がある。
【００４６】
図８（ｃ）から分かるように、インダクタ部品９８として従来のインダクタ部品の前方に抵抗器を接続したものを用いた場合、図中Ｃ１及び図中Ｃ３で示される位置においてインピーダンスが大きく変化しており、特に、図中Ｃ２で示される位置においては、更に急激にインピーダンスが変化している。また、位置Ｃ１と位置Ｃ２との間においても、図中Ｃ４で示す位置においてインピーダンスが大きく変化している。これらのインピーダンスが急激に変化する位置Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４において反射が生じる可能性がある。
【００４７】
一方、図８（ｄ）から分かるように、インダクタ部品９８として本発明の第１実施形態に係るインダクタ部品１を用いた場合、図中Ｄ１及び図Ｄ２に示される位置におけるインピーダンスの変化が観察されるが、位置Ｄ１における変化は位置Ａ１，Ｂ１，Ｃ１における変化に比べて緩やかであり、位置Ｄ２における変化は位置Ａ２，Ｂ２，Ｃ２における変化に比べて緩やかである。更に、位置Ｄ１と位置Ｄ２との間には、インピーダンスが大きく変化することなく滑らかに変化している。従って、第１実施形態に係るインダクタ部品１は、従来のインダクタ部品に比して、反射成分を抑制できることが理解される。
【００４８】
次に、図９を参照して、本実施形態に係るインダクタ部品の実装構造について、説明する。図９は、本実施形態に係るインダクタ部品の実装構造を説明するための回路図である。図９（ａ）は従来のインダクタ部品の実装構造を説明するための回路図であり、図９（ｂ）は本実施形態に係るインダクタ部品の実装構造を説明するための回路図である。ここでは、実装するインダクタ部品として第１実施形態に係るインダクタ部品１を用いて説明するが、他の実施形態に係るインダクタ部品２，３も、同様に実装することができる。
【００４９】
図９（ａ）に示されるように、従来のインダクタ部品１２０は、プロセッサ１００とメモリ１０１との間の入力ライン・出力ラインとの間に挿入されている。また、入力ライン・出力ラインにはインダクタ部品１２０とともに抵抗器１１０が直列に接続されている。一方、図９（ｂ）に示すように、本実施形態に係るインダクタ部品１は、抵抗器と接続されることなく、単体でプロセッサ１００とメモリ１０１との間の入力ライン・出力ラインとの間に挿入される。これによって、インダクタ部品１は、信号系の回路におけるインダクタとして機能する。なお、入力ライン・出力ラインにおいて、インダクタ部品１に接続される導線１４０が、回路における導体に該当する。
【００５０】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、上述の実施形態よりも巻線の巻数を増加、あるいは減少させてもよく、巻線のピッチも適宜変化させてよい。
【符号の説明】
【００５１】
１，２，３…インダクタ部品、３０，４０，４５…巻線（インダクタを構成する導体）、７１ａ〜７１ｅ，７３ａ…導体パターン（インダクタを構成する導体）、１４０…導線（回路における導体）。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号系の回路に挿入されるインダクタ部品であって、
インダクタを構成する導体は、前記回路における導体よりも高い抵抗値を有する導体材料を含むことを特徴とするインダクタ部品。
【請求項２】
前記インダクタを構成する導体は、互いに磁気結合した二つの巻線から構成されていることを特徴とする請求項１記載のインダクタ部品。
【請求項１】
信号系の回路に挿入されるインダクタ部品であって、
インダクタを構成する導体は、前記回路における導体よりも高い抵抗値を有する導体材料を含むことを特徴とするインダクタ部品。
【請求項２】
前記インダクタを構成する導体は、互いに磁気結合した二つの巻線から構成されていることを特徴とする請求項１記載のインダクタ部品。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１１−３７３３（Ｐ２０１１−３７３３Ａ）
【公開日】平成２３年１月６日（２０１１．１．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１４５５９７（Ｐ２００９−１４５５９７）
【出願日】平成２１年６月１８日（２００９．６．１８）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１月６日（２０１１．１．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年６月１８日（２００９．６．１８）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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