エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
【課題】補助電極の形成時などに付着する異物による悪影響を防止した、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２０上の補助電極１１５を覆って基板２０上に熱発泡性樹脂を介して感光性ドライフィルムを貼設する工程と、感光性ドライフィルムを補助電極１１５のパターンに対応させて露光し現像することによりパターニングする工程と、感光性ドライフィルムからなるパターン６１ａをマスクにして熱発泡性樹脂をパターニングする工程と、パターン６１ａを覆って基板２０上に発光機能層１１０の形成材料を気相成膜法で成膜し、画素領域Ｘに発光機能層１１０を形成する工程と、熱発泡性樹脂のパターン６０ａを加熱してこれを発泡させ、このパターン６０ａ及び感光性ドライフィルムからなるパターン６１ａを剥離して補助電極１１５を露出させる工程と、を備えている。
【解決手段】基板２０上の補助電極１１５を覆って基板２０上に熱発泡性樹脂を介して感光性ドライフィルムを貼設する工程と、感光性ドライフィルムを補助電極１１５のパターンに対応させて露光し現像することによりパターニングする工程と、感光性ドライフィルムからなるパターン６１ａをマスクにして熱発泡性樹脂をパターニングする工程と、パターン６１ａを覆って基板２０上に発光機能層１１０の形成材料を気相成膜法で成膜し、画素領域Ｘに発光機能層１１０を形成する工程と、熱発泡性樹脂のパターン６０ａを加熱してこれを発泡させ、このパターン６０ａ及び感光性ドライフィルムからなるパターン６１ａを剥離して補助電極１１５を露出させる工程と、を備えている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、エレクトロルミネッセンス装置として、例えば有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと記す）装置が知られている。この有機ＥＬ装置は、基板上に複数の回路素子、陽極、正孔注入層や有機ＥＬ層（発光層）を含む発光機能層、陰極等を積層し、これらを封止基板などによって封止した構成となっている。また、このような有機ＥＬ装置としては、発光機能層で発光した光を回路素子が形成された基板側から取り出すボトムエミッション型と、発光機能層を封止する封止基板側から取り出すトップエミッション型とが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、前記の有機ＥＬ装置では、絶縁材料によって形成された隔壁（バンク）により、画素領域間が区画され電気的に分離されている。すなわち、一般に有機ＥＬ装置では、回路素子等を形成する基板側に陽極としての画素電極（第１電極）が形成されており、これら画素電極間を前記隔壁によって絶縁するようにしている。そして、画素電極の上に発光機能層を介して陰極として機能する共通電極（第２電極）を形成することにより、各画素領域毎に独立して発光駆動を行えるようにしている。
【０００４】
また、特にトップエミッション型では、陰極（第２電極）が透明電極である必要上、Ａｌ等の低抵抗な金属を直接使用できないことから、その抵抗を下げる目的で、隔壁上にＡｌ等からなる補助電極を形成することがある。
このような補助電極を形成する場合、通常は、蒸着法等によって全面に発光機能層を形成した後、マスクを用いて、隔壁上に選択的にＡｌ等を蒸着し、所望パターンの補助電極を形成している。
【特許文献１】特開２００５−２８５９７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述したようにマスクを用いて蒸着法で補助電極を形成すると、蒸着装置内には異物（パーティクル）が多く存在することなどから、マスクを基板（基体）上に配置し密着させた際、これらの間に異物を噛み込んでしまうことがある。そして、このように異物を噛み込んでしまうと、その後の工程でも除去されずに残ってしまうことにより、この異物に起因して、得られる有機ＥＬ装置にパネル点灯時のショートや輝線の発生などが生じてしまうことがある。
すなわち、発光機能層の形成後では、この発光機能層への悪影響を避けるため洗浄などを行うことができず、したがって異物が発光機能層上などに噛み込まれてそのまま残留してしまっても、後の工程でこれを除去できず、前述したショートや輝線などの欠陥が引き起こされてしまうのである。
【０００６】
本発明は前記課題に鑑みてなされたもので、補助電極の形成時などに付着する異物による悪影響を防止した、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板上に設けられた第１電極と、該第１電極上に設けられた発光機能層と、該発光機能層上に設けられた第２電極とを備え、前記基板上に設けられた隔壁によって区画された複数の画素領域にそれぞれ前記発光機能層を有し、前記隔壁上に前記第２電極と接合する補助電極を有してなるエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記基板上に第１電極と隔壁とを形成する工程と、
前記隔壁上に前記補助電極を形成する工程と、
前記補助電極を覆って前記基板上に熱発泡性樹脂を介して感光性ドライフィルムを貼設する工程と、
前記感光性ドライフィルムを前記補助電極のパターンに対応させて露光し現像することによりパターニングする工程と、
前記感光性ドライフィルムからなるパターンをマスクにして前記熱発泡性樹脂をパターニングする工程と、
前記感光性ドライフィルムからなるパターンを覆って前記基板上に前記発光機能層の形成材料を気相成膜法で成膜し、前記画素領域に発光機能層を形成する工程と、
前記熱発泡性樹脂からなるパターンを加熱してこれを発泡させ、これにより該熱発泡性樹脂を含む感光性ドライフィルムパターンを剥離して前記補助電極を露出させる工程と、
前記補助電極及び前記発光機能層を覆って前記第２電極を形成する工程と、を備えたことを特徴としている。
【０００８】
このエレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、発光機能層の形成に先立って感光性ドライフィルム及び熱発泡性樹脂を補助電極のパターンに対応させてパターンニングしておくので、発光機能層の形成材料を蒸着法等の気相成膜法で成膜した後、熱発泡性樹脂を含む感光性ドライフィルムパターンを剥離して補助電極を露出させると、発光機能層の形成材料の成膜時などに付着した異物（パーティクル）が感光性ドライフィルムパターンの剥離に伴われて基板上から除去される。したがって、異物の付着・残留に起因するショートや輝線などの欠陥を防止することができる。
【０００９】
また、前記のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法においては、前記熱発泡性樹脂は、前記感光性ドライフィルムの裏面に予め一体に設けられているのが好ましい。
このようにすれば、補助電極を覆って基板上に熱発泡性樹脂を介して感光性ドライフィルムを貼設する工程を、熱発泡性樹脂が一体化された感光性ドライフィルムをそのまま貼設すればよいことから、工程が容易になる。
【００１０】
また、前記のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法においては、前記基板上に熱発泡性樹脂を介して感光性ドライフィルムを貼設する工程では、基板上に形成された駆動回路部も覆って前記感光性ドライフィルムを貼設し、
前記感光性ドライフィルムをパターニングする工程では、得られるパターンを、前記駆動回路部を覆ったパターンにするのが好ましい。
このようにすれば、発光機能層の形成材料の成膜時などに駆動回路部上に異物が付着してしまっても、感光性ドライフィルムパターンを剥離することによってこの異物も基板上から容易に除去することができ、したがって駆動回路部での異物に起因するショートなどを防止することもできる。
【００１１】
また、前記のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法においては、前記発光機能層の発光する光が白色光であり、
前記第２電極上に封止部を介して着色部を有する封止基板を貼着する工程を備えているのが好ましい。
このようにすれば、発光機能層からの白色光が着色部を透過することによって着色部の色に着色されることにより、カラー表示が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を詳しく説明する。
なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに適宜縮尺を異ならせてある。
まず、本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法の説明に先立ち、本発明に係るエレクトロルミネッセンス装置の構造について説明する。なお、ここで説明するエレクトロルミネッセンス装置は、トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置と記す）とする。
【００１３】
図１は、本発明に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図であり、図１において符号１は有機ＥＬ装置である。
この有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと称する。）を用いたアクティブマトリクス方式のもので、複数の走査線１０１…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３…とからなる配線構成を有し、走査線１０１…と信号線１０２…との各交点付近に画素領域Ｘ…を形成したものである。
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００１４】
さらに、画素領域Ｘの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（スイッチング素子）１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極；第１電極）２３と、該画素電極２３と共通電極（陰極；第２電極）５０との間に挟み込まれた発光機能層１１０とが設けられている。
【００１５】
次に、本発明に係る有機ＥＬ装置１の具体的な態様を、図２〜図４を参照して説明する。ここで、図２は有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示す平面図であり、図３は有機ＥＬ装置１を模式的に示す断面図、図４は、図３の要部を示す図であって、表示単位画素内の画素領域の構成及び作用を説明するための断面図である。
【００１６】
図２に示すように本実施形態の有機ＥＬ装置１では、基板２０上に各種配線、ＴＦＴ、画素電極、各種回路を形成したことにより、発光機能層１１０を発光させる基体２０Ａを構成している。この基体２０Ａは、電気絶縁性を備える基板２０と、スイッチング用ＴＦＴ１１２に接続された画素電極２３が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる画素領域Ｘ（図１参照）と、画素領域Ｘの周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線１０３…と、少なくとも画素領域Ｘ上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図２中一点鎖線枠内）とを備えて構成されている。
なお、本実施形態において画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００１７】
実表示領域４においては、画素領域Ｘに対応して設けられた表示領域ＲＧＢが紙面左右方向に規則的に配置されている。また、表示領域ＲＧＢの各々は、紙面縦方向において同一色で配列しており、いわゆるストライプ配置を構成している。なお、この表示領域ＲＧＢについては、本例では後述するカラーフィルタ（着色部）によって規定されるようになっている。すなわち、表示領域ＲＧＢの各々に対応する各画素領域Ｘには、発光機能層１１０が設けられており、この発光機能層１１０は、ＴＦＴ１１２、１２３の動作によって白色光を発光するようになっている。そして、発光機能層１１０で発光した白色光がカラーフィルタを透過することによってこのカラーフィルタの色に着色され、カラー表示をなすようになっているのである。また、表示領域ＲＧＢは一つの基本単位となって表示単位画素を構成しており、これによって該表示単位画素は、ＲＧＢの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。
また、実表示領域４の図２中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。
【００１８】
また、実表示領域４の図２中上方側には検査回路９０が配置されている。この検査回路９０は、有機ＥＬ装置１の作動状況を検査するための回路であり、例えば、検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時における有機ＥＬ装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されたものである。
【００１９】
走査線駆動回路８０および検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部（不図示）及び駆動電圧導通部（不図示）を介して印加されている。また、これら走査線駆動回路８０及び検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、この有機ＥＬ装置１の作動制御を司る所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部（不図示）及び駆動電圧導通部（不図示）を介して送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００２０】
次に、図３を参照して、有機ＥＬ装置１の断面構造を説明する。
有機ＥＬ装置１は、大きく分けると、前記の基体２０Ａと、封止基板３０と、これら基板２０Ａと封止基板３０との間を封止する封止部３１とから構成されている。
ここで、基体２０Ａは、基板２０上に設けられた層間絶縁膜２１と、層間絶縁膜２１上に設けられた隔壁２２と、この隔壁２２内に設けられた発光機能層１１０などを備えて構成されている。
【００２１】
基板２０は、透明性材料あるいは非透明性材料からなる基板である。透明性基板としては、ガラス基板や透明性の樹脂基板等が採用され、非透明性基板としては、金属基板や非透明性の樹脂基板が採用される。なお、本例では、前述したようにトップエミッション構造であることから、基板２０としては、透明性基板、非透明性基板のいずれも採用可能である。
【００２２】
層間絶縁膜２１は、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）等によって形成されたもので、基板２０上に設けられた走査線１０１…、信号線１０２…、電源線１０３…、スイッチング用ＴＦＴ１１２、及び駆動用ＴＦＴ１２３（以上図１記載）を覆って形成されたものである。この層間絶縁膜２１は、その材料自身によってＴＦＴ１１２、１２３や各種配線１０１、１０２、１０３を埋設して平坦化させていることから、平坦化膜としても機能する層膜となっている。なお、本実施形態においては、層間絶縁膜２１として酸化シリコン膜を採用したが、これに限定することなく、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）などの絶縁材料を採用してもよい。
【００２３】
また、層間絶縁膜２１上には、前記駆動用ＴＦＴ１２３にそれぞれ対応して画素電極（第１電極）２３が形成されている。画素電極２３は、Ａｌ等の光反射性金属からなる反射膜２３ａと、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等からなる透明導電膜２３ｂとが積層された構造となっている。ただし、この画素電極２３としては、光反射性金属のみの単層構造としてもよい。また、この画素電極２３は、前記層間絶縁膜２１に形成されたコンタクトホール内のプラグ（図示せず）を介して、前記の駆動用ＴＦＴ１２３と電気的に接続されている。
【００２４】
また、層間絶縁膜２１上には、隣り合う前記画素電極２３、２３間の間隙を覆い、さらに画素電極２３の周辺部に乗り上げた状態で、これら画素電極２３、２３間を絶縁し、画素領域Ｘを区画する隔壁２２が形成されている。この隔壁２２は、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機絶縁材料によって形成されたもので、非感光性樹脂あるいは感光性樹脂からなっている。また、この隔壁２２には、前記画素電極２３を露出させ、画素領域Ｘを形成する開口部２２ａが形成されている。
【００２５】
このような開口部２２ａ内に露出した画素電極２３上、及び隔壁２２の上面上には、これらを覆って発光機能層１１０が設けられている。この発光機能層１１０は、図示しないものの、画素電極２３側から順に、正孔輸送層、正孔注入層、有機ＥＬ層、電子注入層、電子輸送層が積層され、形成されたものである。これら各層は、本例では蒸着法等の気相成膜法によって成膜され形成されたものである。なお、この発光機能層１１０の層構成については、必要に応じて適宜に変えることができ、例えば有機ＥＬ層を、複数の層からなる積層構造としてもよい。
【００２６】
ここで、正孔輸送層や正孔注入層は、例えば、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の材料によって形成される。具体的には、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が形成材料として例示されるが、トリフェニルジアミン誘導体が好ましく、中でも４，４’−ビス（Ｎ（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルが好適とされる。
【００２７】
有機ＥＬ層は、低分子の有機発光色素や高分子発光体、すなわち各種の蛍光物質や燐光物質などの発光物質、Ａｌｑ３（アルミキレート錯体）などの有機エレクトロルミネッセンス材料によって形成される。発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン又はポリフルオレン構造を含むものなどが特に好ましい。低分子発光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、または特開昭５７−５１７８１、同５９−１９４３９３号公報等に記載されている公知のものが使用可能である。
【００２８】
ただし、本例では、前述したようにこの有機ＥＬ層を含む発光機能層１１０は白色光を発光するようになっているため、前記材料としては、発光光が白色になるように適宜選択され用いられる。すなわち、白色光は、複数のピーク波長の色波長が合成された光であることから、このような複数のピーク波長の色波長が合成されるよう、前記材料が選択される。
【００２９】
電子注入層や電子輸送層は、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等の材料によって形成される。具体的には、先の正孔輸送層や正孔注入層の場合と同様に、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が形成材料として例示され、特に２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウムが好適とされる。
【００３０】
このような構成からなる発光機能層１１０上には、特に前記隔壁２２の上面上に、Ａｌ等の金属からなる補助電極１１５が形成されている。そして、この補助電極１１５を覆って前記発光機能層１１０上には、共通電極としての陰極（第２電極）５０が形成されている。この陰極５０は、蒸着法等によって形成されたＭｇＡｇ等の薄膜からなるもので、発光機能層１１０で発光した光が良好に透過するよう、十分な透明度を有して形成されている。
【００３１】
さらに、陰極５０上には、これを覆ってＳｉＯＮ等からなる透明なパッシベーション膜５５が形成されている。このパッシベーション膜５５は、水分や酸素が外部から発光機能層１１０内に侵入するのを抑制するとともに、発光機能層１１０で発光した光を封止基板３０側に透過させるよう、機能するものである。したがって、不透明な金属製のものは使用できず、前記の透明で緻密な酸化窒化膜が好適に用いられる。
【００３２】
また、このパッシベーション膜５５上には、透明接着層５７を介して前記封止基板３０が貼着されている。透明接着層５７は、熱硬化型樹脂、または紫外線照射硬化型樹脂によって形成されたもので、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂からなるものである。そして、これらパッシベーション膜５５及び透明接着層５７により、基板２０Ａと封止基板３０との間を封止する封止部３１が形成されている。
【００３３】
封止基板３０は、光透過性と電気絶縁性とを備えた材質のもので、例えばガラス基板からなるものである。また、この封止基板３０には、その内面、すなわち前記透明接着層５７側の面にブラックマトリクス３５とカラーフィルタ（着色部）３７（３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ）とが形成されている。
ブラックマトリクス３５は、実表示領域４における画素領域Ｘの相互間、すなわち、前記隔壁２２の直上に形成配置されたもので、Ｃｒ等の遮光性金属や樹脂ブラック等によって格子状に形成されたものである。このような構成によってブラックマトリクス３５に囲まれた領域は、前記の画素領域Ｘとそれぞれ対応するようになっている。そして、このブラックマトリクス３５に囲まれた領域に、カラーフィルタ３７が形成配置されている。
【００３４】
カラーフィルタ３７は、画素領域Ｘとそれぞれ対応した位置、すなわち画素領域Ｘのほぼ直上に形成配置されたことにより、前述したように表示領域ＲＧＢを規定したものとなっている。つまり、本実施形態では、前述したように発光機能層１１０は白色光を発光するため、発光した白色光はカラーフィルタ３７（３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ）を透過することで着色され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの波長域にピークをもつ光として出射する。したがって、前述したように発光機能層１１０で発光した白色光は、表示領域ＲＧＢが一つの基本単位となって表示単位画素を構成していることから、前記のＲＧＢの発光が混色されることにより、この表示単位画素毎にフルカラー表示をなすようになっているのである。
【００３５】
次に、このような構成からなる有機ＥＬ装置１の製造方法を基に、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法の一実施形態を説明する。
まず、従来と同様にして、基板２０上に走査線１０１、信号線１０２、電源線１０３、スイッチング用ＴＦＴ１１２、及び駆動用ＴＦＴ１２３（以上図１に記載）を形成する。このようなＴＦＴや各種配線の形成方法は、ＣＶＤ法やスパッタ法等によって各種層膜を形成した後に、公知のフォトリソグラフィ法及びエッチング法等を用いてパターニングを行う。また、半導体層におけるソース領域及びドレイン領域を形成するには、イオンドーピング法等が採用される。
【００３６】
次に、これらを覆って層間絶縁膜２１を形成し、さらに、この層間絶縁膜２１にコンタクトホールを形成し、その後、このコンタクトホール内に導電材料を埋め込んでプラグ（図示せず）を形成する。
次いで、層間絶縁膜２１上に反射膜２３ａと透明導電膜２３ｂとからなる画素電極（第１電極）２３を形成し、前記プラグを介して該画素電極２３と駆動用ＴＦＴ１２３とを導通させる。この画素電極２３の形成についても、スパッタ法、蒸着法等の気相成膜法による成膜法と、フォトリソグラフィ法及びエッチング法等を用いたパターニング法が採用される。
【００３７】
次いで、画素電極２３の側方に隔壁２２を形成する。この隔壁２２の形成方法としては、スピンコート法、ディップ法、スリットコート法等の湿式成膜法が好適に採用される。また、成膜後には、熱処理等を施して樹脂の硬化を行い、公知のフォトリソグラフィ法及びエッチング法によってパターニングすることで、開口部２２ａを形成する。また、液滴吐出法を用いて隔壁２２を形成してもよい。
このような工程を経ることにより、図４（ａ）に示すように前記基板２０上に画素電極２３と隔壁２２とを形成する。なお、図４（ａ）では、駆動用ＴＦＴ１２３等の図示を省略している（以下、同様）。
【００３８】
次いで、本実施形態では、スパッタ法等により補助電極材料としてのＡｌを全面に成膜する。そして、公知のレジスト法、及びフォトリソグラフィ法によってレジストマスクを作製し、さらにこのレジストマスクを用いてエッチングを行うことにより、図４（ｂ）に示すように隔壁２２上に補助電極１１５を形成する。
【００３９】
次いで、図４（ｃ）に示すように、前記補助電極１１５を覆って前記基板２０上の全面に熱発泡性樹脂６０を介して感光性ドライフィルム６１を貼設する。すなわち、図２に示した走査線駆動回路（駆動回路部）８０や検査回路９０、さらにはその外側に位置する各種配線等をも覆って感光性ドライフィルム６１を貼設する。この感光性ドライフィルム６１は、レジスト材料と同じ機能を有するもので、露光処理によって露光部あるいは非露光部が選択的に現像され、除去されるものである。このような感光性ドライフィルム６１としては、東京応化工業株式会社製の「ＯＲＤＹＬ Ｅ４０２５（商品名）」（２５μｍ膜厚用）や「ＯＲＤＹＬ Ｅ４０４０（商品名）」（４０μｍ膜厚用）が好適に用いられる。また、熱発泡性樹脂６０は、加熱により発泡する発泡剤を含有したもので、例えば日東電工株式会社製の「リバアルファ」（商品名）が好適に用いられる。
【００４０】
ここで、これら感光性ドライフィルム６１及び熱発泡性樹脂６０としては、感光性ドライフィルム６１の裏面に熱発泡性樹脂６０が予め一体に付着させられたもの、すなわちラミネートされたものが好適に用いられる。このようにラミネートされたものを用いることにより、感光性ドライフィルム６１の貼設工程を容易にすることができる。
【００４１】
次いで、前記感光性ドライフィルム６１を前記補助電極１１５のパターンに対応させ、露光し現像することによってパターニングする。すなわち、図２に示した実表示領域４においては、前記補助電極１１５と同じ平面形状となるように感光性ドライフィルム６１をパターニングする。また、図２に示した実表示領域４以外の箇所については、現像によって除去することなく、前記走査線駆動回路８０（駆動回路部）等を覆ったままにしておく。感光性ドライフィルム６１の露光・現像処理については、例えば２００ｍＪ／ｃｍ２の強度で露光し、その後現像液（例えばＡＤＳ−２０００Ｕ［商品名］）に９０秒浸漬し、さらに流水で５分洗浄することで行う。
【００４２】
次いで、図５（ａ）に示すように、このようにして得られた感光性ドライフィルム６１からなるパターン６１ａをマスクにして熱発泡性樹脂６０をパターニングし、前記パターン６１ａと同じ平面形状のパターン６０ａを形成する。この熱発泡性樹脂６０のパターニングについては、例えばＲＩＥ処理装置によるＯ２プラズマ処理によって行うことができる。具体的には、処理雰囲気の圧力を０．２Ｔｏｒｒとし、Ｏ２の流量を３０ｓｃｃｍとし、２００Ｗで２０分アッシング処理することで行う。
【００４３】
次いで、図５（ｂ）に示すように、感光性ドライフィルム６１からなるパターン６１ａを覆って基板２０上の全面に、発光機能層１１０の形成材料を蒸着法（気相成膜法）で成膜する。すなわち、正孔輸送層、正孔注入層、有機ＥＬ層、電子注入層、電子輸送層の各形成材料を、蒸着法によってこの順に成膜する。これにより、前記パターン６１ａに覆われることなく露出した隔壁２２の開口部２２ａ内に、発光機能層１１０が形成される。すなわち、図２に示した実表示領域４の各画素領域Ｘに、それぞれ発光機能層１１０が形成される。なお、この成膜により、感光性ドライフィルム６１からなるパターン６１ａ上にも、発光機能層１１０の形成材料が成膜される。
【００４４】
このとき、このように蒸着法で成膜を行うと、蒸着装置内には異物（パーティクル）などが多く存在することなどから、図５（ｂ）に示したように、発光機能層１１０上に異物（パーティクル）Ｐが付着してしまうことがある。また、これに先立って搬送した際に、異物Ｐが付着してしまうこともある。
そこで、この成膜工程の後、基板２０を適宜な温度に加熱することで、前記熱発泡性樹脂６０からなるパターン６０ａを加熱し、これを発泡させる。すると、このパターン６０ａを形成している熱発泡性樹脂６０は、発泡によってその接着力が大幅に低下する。これにより、このパターン６０ａを介すことで補助電極１１５等の上に貼着されていた感光性ドライフィルム６１からなるパターン６１ａは、補助電極１１５等から容易に剥離可能となる。
【００４５】
そして、このようにして加熱によりパターン６１ａを剥離可能にしたら、このパターン６１ａを剥離する。これにより、図５（ｃ）に示すようにこのパターン６１ａを、熱発泡性樹脂６０からなるパターン６０ａとともに、補助電極１１５上（基板２０上）から除去し、補助電極１１５を露出させる。このとき、感光性ドライフィルム６１からなるパターン６１ａの剥離に伴われて、発光機能層１１０上などに付着した異物（パーティクル）Ｐも基板２０上から除去される。すなわち、補助電極１１５上においてパターン６１ａ上に直接載っている異物Ｐはもちろん、発光機能層１１０上にあっても一部がパターン６１ａ上に載っている比較的大きな異物Ｐなども、パターン６１ａの剥離に伴われ、基板２０上から除去されるのである。また、このパターン６１ａの剥離により、図２に示した実表示領域４以外の箇所についても、ここに載った異物Ｐが除去される。
【００４６】
次いで、前記補助電極１１５及び前記発光機能層１１０を覆って陰極材料としてのＭｇＡｇを蒸着法によって成膜し、補助電極１１５に導通する陰極（共通電極；第２電極）５０を形成する。
次いで、この陰極５０上にパッシベーション膜５５をＣＶＤ法等によって形成する（図３参照）。その後、ブラックマトリクス３５及びカラーフィルタ３７を形成した状態で別に用意した封止基板３０を、透明接着層５７を介して前記基板２０のパッシベーション膜５５上に貼着し、図３に示した有機ＥＬ装置１を得る。
【００４７】
このような有機ＥＬ装置１の製造方法にあっては、熱発泡性樹脂６０のパターン６０ａを加熱により発泡させた後、このパターン６０ａとともに感光性ドライフィルム６１のパターン６１ａを剥離して補助電極１１５を露出させるようにしたので、発光機能層１１０の形成材料の成膜時などに付着した異物（パーティクル）Ｐをパターン６１ａの剥離によって基板２０上から除去することができ、したがって、異物Ｐの付着・残留に起因するショートや輝点・輝線などの欠陥を防止することができる。
【００４８】
また、感光性ドライフィルム６１のパターン６１ａを、走査線駆動回路（駆動回路部）８０等を覆ったパターンに形成しているので、発光機能層１１０の形成材料の成膜時などに走査線駆動回路（駆動回路部）８０等の上に異物Ｐが付着してしまっても、パターン６１ａを剥離することによってこの異物Ｐも基板２０上から容易に除去することができる。したがって、走査線駆動回路（駆動回路部）８０等での異物に起因するショートなどを防止することもできる。
【００４９】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない限り種々の変更が可能である。例えば前記実施形態では、発光機能層１１０として特にその有機ＥＬ層を、発光した光が白色光となるように形成したが、この有機ＥＬ層（発光機能層１１０）を、各画素領域Ｘ毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの波長域にピークをもつ光、すなわち着色光として発光させるようにしてもよい。その場合に、カラーフィルタ３７（３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ）の色については、対応する位置の画素領域Ｘの発光機能層１１０での発光光（着色光）と同じ色とする。このように構成することにより、発光機能層１１０での発光光（着色光）の色とこれが透過するカラーフィルタ３７（３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ）の色とが同じ色であることから、カラーフィルタ３７（３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ）を透過した光はその色純度がさらに高いものとなり、表示性能がより一層向上する。
【００５０】
また、このように有機ＥＬ層（発光機能層１１０）で着色された光が発光するように構成した場合には、カラーフィルタ３７（３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ）を設けることなく、必要に応じてブラックマトリクス３５のみを設けることで、封止基板を形成してもよい。このようにしても、着色された光が直接封止基板から出射することにより、フルカラー表示が可能となる。
また、カラーフィルタ３７についても、前記実施形態ではＲＧＢの３色系のものを用いるようにしたが、多色系、すなわちＲＧＢにＷ（白）を加えた４色系のものや、さらには６色系のものなどを用いるようにしてもよい。
さらに、前記実施形態では、本発明のＥＬ装置をトップエミッション型の有機ＥＬ装置に適用したが、本発明は無機ＥＬ装置にも適用可能であり、さらにボトムエミッション型にも適用可能である。
【００５１】
次に、本発明に係る電子機器について説明する。
本発明によって得られた有機ＥＬ装置１は、特に電子機器における表示部として用いることができる。このような電子機器としては、例えば以下のようなものが挙げられる。
図６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図６（ａ）において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図６（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図６（ｂ）において、符号６００は情報処理装置、符号６０１はキーボードなどの入力部、符号６０３は情報処理本体、符号６０２は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図６（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図６（ｃ）において、符号７００は時計本体を示し、符号７０１は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図６（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、先の実施形態に示したように、ショートや輝点・輝線などの欠陥が防止された有機ＥＬ装置１が備えられたものであるので、高い表示特性を有する良好な電子機器となる。
【００５２】
なお、電子機器としては、前記電子機器に限られることなく、種々の電子機器に本発明を適用することができる。例えば、ディスクトップ型コンピュータ、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。
【図２】本発明に係る有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明に係る有機ＥＬ装置を模式的に示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の製造方法を説明するための要部断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は本発明の製造方法を説明するための要部断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る有機ＥＬ装置を備える電子機器を示す図。
【符号の説明】
【００５４】
１…有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）、２０…基板、２０Ａ…基体、２２…隔壁、２３…画素電極（陽極；第１電極）、３７、３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ…カラーフィルタ（着色部）、３０…封止基板、５０…共通電極（陰極；第２電極）、６０…熱発泡性樹脂、６０ａ…パターン、６１…感光性ドライフィルム、６１ａ…パターン、１１０…発光機能層、１１５…補助電極、Ｘ…画素領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、エレクトロルミネッセンス装置として、例えば有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと記す）装置が知られている。この有機ＥＬ装置は、基板上に複数の回路素子、陽極、正孔注入層や有機ＥＬ層（発光層）を含む発光機能層、陰極等を積層し、これらを封止基板などによって封止した構成となっている。また、このような有機ＥＬ装置としては、発光機能層で発光した光を回路素子が形成された基板側から取り出すボトムエミッション型と、発光機能層を封止する封止基板側から取り出すトップエミッション型とが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、前記の有機ＥＬ装置では、絶縁材料によって形成された隔壁（バンク）により、画素領域間が区画され電気的に分離されている。すなわち、一般に有機ＥＬ装置では、回路素子等を形成する基板側に陽極としての画素電極（第１電極）が形成されており、これら画素電極間を前記隔壁によって絶縁するようにしている。そして、画素電極の上に発光機能層を介して陰極として機能する共通電極（第２電極）を形成することにより、各画素領域毎に独立して発光駆動を行えるようにしている。
【０００４】
また、特にトップエミッション型では、陰極（第２電極）が透明電極である必要上、Ａｌ等の低抵抗な金属を直接使用できないことから、その抵抗を下げる目的で、隔壁上にＡｌ等からなる補助電極を形成することがある。
このような補助電極を形成する場合、通常は、蒸着法等によって全面に発光機能層を形成した後、マスクを用いて、隔壁上に選択的にＡｌ等を蒸着し、所望パターンの補助電極を形成している。
【特許文献１】特開２００５−２８５９７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述したようにマスクを用いて蒸着法で補助電極を形成すると、蒸着装置内には異物（パーティクル）が多く存在することなどから、マスクを基板（基体）上に配置し密着させた際、これらの間に異物を噛み込んでしまうことがある。そして、このように異物を噛み込んでしまうと、その後の工程でも除去されずに残ってしまうことにより、この異物に起因して、得られる有機ＥＬ装置にパネル点灯時のショートや輝線の発生などが生じてしまうことがある。
すなわち、発光機能層の形成後では、この発光機能層への悪影響を避けるため洗浄などを行うことができず、したがって異物が発光機能層上などに噛み込まれてそのまま残留してしまっても、後の工程でこれを除去できず、前述したショートや輝線などの欠陥が引き起こされてしまうのである。
【０００６】
本発明は前記課題に鑑みてなされたもので、補助電極の形成時などに付着する異物による悪影響を防止した、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板上に設けられた第１電極と、該第１電極上に設けられた発光機能層と、該発光機能層上に設けられた第２電極とを備え、前記基板上に設けられた隔壁によって区画された複数の画素領域にそれぞれ前記発光機能層を有し、前記隔壁上に前記第２電極と接合する補助電極を有してなるエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記基板上に第１電極と隔壁とを形成する工程と、
前記隔壁上に前記補助電極を形成する工程と、
前記補助電極を覆って前記基板上に熱発泡性樹脂を介して感光性ドライフィルムを貼設する工程と、
前記感光性ドライフィルムを前記補助電極のパターンに対応させて露光し現像することによりパターニングする工程と、
前記感光性ドライフィルムからなるパターンをマスクにして前記熱発泡性樹脂をパターニングする工程と、
前記感光性ドライフィルムからなるパターンを覆って前記基板上に前記発光機能層の形成材料を気相成膜法で成膜し、前記画素領域に発光機能層を形成する工程と、
前記熱発泡性樹脂からなるパターンを加熱してこれを発泡させ、これにより該熱発泡性樹脂を含む感光性ドライフィルムパターンを剥離して前記補助電極を露出させる工程と、
前記補助電極及び前記発光機能層を覆って前記第２電極を形成する工程と、を備えたことを特徴としている。
【０００８】
このエレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、発光機能層の形成に先立って感光性ドライフィルム及び熱発泡性樹脂を補助電極のパターンに対応させてパターンニングしておくので、発光機能層の形成材料を蒸着法等の気相成膜法で成膜した後、熱発泡性樹脂を含む感光性ドライフィルムパターンを剥離して補助電極を露出させると、発光機能層の形成材料の成膜時などに付着した異物（パーティクル）が感光性ドライフィルムパターンの剥離に伴われて基板上から除去される。したがって、異物の付着・残留に起因するショートや輝線などの欠陥を防止することができる。
【０００９】
また、前記のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法においては、前記熱発泡性樹脂は、前記感光性ドライフィルムの裏面に予め一体に設けられているのが好ましい。
このようにすれば、補助電極を覆って基板上に熱発泡性樹脂を介して感光性ドライフィルムを貼設する工程を、熱発泡性樹脂が一体化された感光性ドライフィルムをそのまま貼設すればよいことから、工程が容易になる。
【００１０】
また、前記のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法においては、前記基板上に熱発泡性樹脂を介して感光性ドライフィルムを貼設する工程では、基板上に形成された駆動回路部も覆って前記感光性ドライフィルムを貼設し、
前記感光性ドライフィルムをパターニングする工程では、得られるパターンを、前記駆動回路部を覆ったパターンにするのが好ましい。
このようにすれば、発光機能層の形成材料の成膜時などに駆動回路部上に異物が付着してしまっても、感光性ドライフィルムパターンを剥離することによってこの異物も基板上から容易に除去することができ、したがって駆動回路部での異物に起因するショートなどを防止することもできる。
【００１１】
また、前記のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法においては、前記発光機能層の発光する光が白色光であり、
前記第２電極上に封止部を介して着色部を有する封止基板を貼着する工程を備えているのが好ましい。
このようにすれば、発光機能層からの白色光が着色部を透過することによって着色部の色に着色されることにより、カラー表示が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を詳しく説明する。
なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに適宜縮尺を異ならせてある。
まず、本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法の説明に先立ち、本発明に係るエレクトロルミネッセンス装置の構造について説明する。なお、ここで説明するエレクトロルミネッセンス装置は、トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置と記す）とする。
【００１３】
図１は、本発明に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図であり、図１において符号１は有機ＥＬ装置である。
この有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと称する。）を用いたアクティブマトリクス方式のもので、複数の走査線１０１…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３…とからなる配線構成を有し、走査線１０１…と信号線１０２…との各交点付近に画素領域Ｘ…を形成したものである。
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００１４】
さらに、画素領域Ｘの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（スイッチング素子）１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極；第１電極）２３と、該画素電極２３と共通電極（陰極；第２電極）５０との間に挟み込まれた発光機能層１１０とが設けられている。
【００１５】
次に、本発明に係る有機ＥＬ装置１の具体的な態様を、図２〜図４を参照して説明する。ここで、図２は有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示す平面図であり、図３は有機ＥＬ装置１を模式的に示す断面図、図４は、図３の要部を示す図であって、表示単位画素内の画素領域の構成及び作用を説明するための断面図である。
【００１６】
図２に示すように本実施形態の有機ＥＬ装置１では、基板２０上に各種配線、ＴＦＴ、画素電極、各種回路を形成したことにより、発光機能層１１０を発光させる基体２０Ａを構成している。この基体２０Ａは、電気絶縁性を備える基板２０と、スイッチング用ＴＦＴ１１２に接続された画素電極２３が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる画素領域Ｘ（図１参照）と、画素領域Ｘの周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線１０３…と、少なくとも画素領域Ｘ上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図２中一点鎖線枠内）とを備えて構成されている。
なお、本実施形態において画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００１７】
実表示領域４においては、画素領域Ｘに対応して設けられた表示領域ＲＧＢが紙面左右方向に規則的に配置されている。また、表示領域ＲＧＢの各々は、紙面縦方向において同一色で配列しており、いわゆるストライプ配置を構成している。なお、この表示領域ＲＧＢについては、本例では後述するカラーフィルタ（着色部）によって規定されるようになっている。すなわち、表示領域ＲＧＢの各々に対応する各画素領域Ｘには、発光機能層１１０が設けられており、この発光機能層１１０は、ＴＦＴ１１２、１２３の動作によって白色光を発光するようになっている。そして、発光機能層１１０で発光した白色光がカラーフィルタを透過することによってこのカラーフィルタの色に着色され、カラー表示をなすようになっているのである。また、表示領域ＲＧＢは一つの基本単位となって表示単位画素を構成しており、これによって該表示単位画素は、ＲＧＢの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。
また、実表示領域４の図２中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。
【００１８】
また、実表示領域４の図２中上方側には検査回路９０が配置されている。この検査回路９０は、有機ＥＬ装置１の作動状況を検査するための回路であり、例えば、検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時における有機ＥＬ装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されたものである。
【００１９】
走査線駆動回路８０および検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部（不図示）及び駆動電圧導通部（不図示）を介して印加されている。また、これら走査線駆動回路８０及び検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、この有機ＥＬ装置１の作動制御を司る所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部（不図示）及び駆動電圧導通部（不図示）を介して送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００２０】
次に、図３を参照して、有機ＥＬ装置１の断面構造を説明する。
有機ＥＬ装置１は、大きく分けると、前記の基体２０Ａと、封止基板３０と、これら基板２０Ａと封止基板３０との間を封止する封止部３１とから構成されている。
ここで、基体２０Ａは、基板２０上に設けられた層間絶縁膜２１と、層間絶縁膜２１上に設けられた隔壁２２と、この隔壁２２内に設けられた発光機能層１１０などを備えて構成されている。
【００２１】
基板２０は、透明性材料あるいは非透明性材料からなる基板である。透明性基板としては、ガラス基板や透明性の樹脂基板等が採用され、非透明性基板としては、金属基板や非透明性の樹脂基板が採用される。なお、本例では、前述したようにトップエミッション構造であることから、基板２０としては、透明性基板、非透明性基板のいずれも採用可能である。
【００２２】
層間絶縁膜２１は、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）等によって形成されたもので、基板２０上に設けられた走査線１０１…、信号線１０２…、電源線１０３…、スイッチング用ＴＦＴ１１２、及び駆動用ＴＦＴ１２３（以上図１記載）を覆って形成されたものである。この層間絶縁膜２１は、その材料自身によってＴＦＴ１１２、１２３や各種配線１０１、１０２、１０３を埋設して平坦化させていることから、平坦化膜としても機能する層膜となっている。なお、本実施形態においては、層間絶縁膜２１として酸化シリコン膜を採用したが、これに限定することなく、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）などの絶縁材料を採用してもよい。
【００２３】
また、層間絶縁膜２１上には、前記駆動用ＴＦＴ１２３にそれぞれ対応して画素電極（第１電極）２３が形成されている。画素電極２３は、Ａｌ等の光反射性金属からなる反射膜２３ａと、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等からなる透明導電膜２３ｂとが積層された構造となっている。ただし、この画素電極２３としては、光反射性金属のみの単層構造としてもよい。また、この画素電極２３は、前記層間絶縁膜２１に形成されたコンタクトホール内のプラグ（図示せず）を介して、前記の駆動用ＴＦＴ１２３と電気的に接続されている。
【００２４】
また、層間絶縁膜２１上には、隣り合う前記画素電極２３、２３間の間隙を覆い、さらに画素電極２３の周辺部に乗り上げた状態で、これら画素電極２３、２３間を絶縁し、画素領域Ｘを区画する隔壁２２が形成されている。この隔壁２２は、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機絶縁材料によって形成されたもので、非感光性樹脂あるいは感光性樹脂からなっている。また、この隔壁２２には、前記画素電極２３を露出させ、画素領域Ｘを形成する開口部２２ａが形成されている。
【００２５】
このような開口部２２ａ内に露出した画素電極２３上、及び隔壁２２の上面上には、これらを覆って発光機能層１１０が設けられている。この発光機能層１１０は、図示しないものの、画素電極２３側から順に、正孔輸送層、正孔注入層、有機ＥＬ層、電子注入層、電子輸送層が積層され、形成されたものである。これら各層は、本例では蒸着法等の気相成膜法によって成膜され形成されたものである。なお、この発光機能層１１０の層構成については、必要に応じて適宜に変えることができ、例えば有機ＥＬ層を、複数の層からなる積層構造としてもよい。
【００２６】
ここで、正孔輸送層や正孔注入層は、例えば、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の材料によって形成される。具体的には、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が形成材料として例示されるが、トリフェニルジアミン誘導体が好ましく、中でも４，４’−ビス（Ｎ（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルが好適とされる。
【００２７】
有機ＥＬ層は、低分子の有機発光色素や高分子発光体、すなわち各種の蛍光物質や燐光物質などの発光物質、Ａｌｑ３（アルミキレート錯体）などの有機エレクトロルミネッセンス材料によって形成される。発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン又はポリフルオレン構造を含むものなどが特に好ましい。低分子発光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、または特開昭５７−５１７８１、同５９−１９４３９３号公報等に記載されている公知のものが使用可能である。
【００２８】
ただし、本例では、前述したようにこの有機ＥＬ層を含む発光機能層１１０は白色光を発光するようになっているため、前記材料としては、発光光が白色になるように適宜選択され用いられる。すなわち、白色光は、複数のピーク波長の色波長が合成された光であることから、このような複数のピーク波長の色波長が合成されるよう、前記材料が選択される。
【００２９】
電子注入層や電子輸送層は、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等の材料によって形成される。具体的には、先の正孔輸送層や正孔注入層の場合と同様に、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が形成材料として例示され、特に２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウムが好適とされる。
【００３０】
このような構成からなる発光機能層１１０上には、特に前記隔壁２２の上面上に、Ａｌ等の金属からなる補助電極１１５が形成されている。そして、この補助電極１１５を覆って前記発光機能層１１０上には、共通電極としての陰極（第２電極）５０が形成されている。この陰極５０は、蒸着法等によって形成されたＭｇＡｇ等の薄膜からなるもので、発光機能層１１０で発光した光が良好に透過するよう、十分な透明度を有して形成されている。
【００３１】
さらに、陰極５０上には、これを覆ってＳｉＯＮ等からなる透明なパッシベーション膜５５が形成されている。このパッシベーション膜５５は、水分や酸素が外部から発光機能層１１０内に侵入するのを抑制するとともに、発光機能層１１０で発光した光を封止基板３０側に透過させるよう、機能するものである。したがって、不透明な金属製のものは使用できず、前記の透明で緻密な酸化窒化膜が好適に用いられる。
【００３２】
また、このパッシベーション膜５５上には、透明接着層５７を介して前記封止基板３０が貼着されている。透明接着層５７は、熱硬化型樹脂、または紫外線照射硬化型樹脂によって形成されたもので、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂からなるものである。そして、これらパッシベーション膜５５及び透明接着層５７により、基板２０Ａと封止基板３０との間を封止する封止部３１が形成されている。
【００３３】
封止基板３０は、光透過性と電気絶縁性とを備えた材質のもので、例えばガラス基板からなるものである。また、この封止基板３０には、その内面、すなわち前記透明接着層５７側の面にブラックマトリクス３５とカラーフィルタ（着色部）３７（３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ）とが形成されている。
ブラックマトリクス３５は、実表示領域４における画素領域Ｘの相互間、すなわち、前記隔壁２２の直上に形成配置されたもので、Ｃｒ等の遮光性金属や樹脂ブラック等によって格子状に形成されたものである。このような構成によってブラックマトリクス３５に囲まれた領域は、前記の画素領域Ｘとそれぞれ対応するようになっている。そして、このブラックマトリクス３５に囲まれた領域に、カラーフィルタ３７が形成配置されている。
【００３４】
カラーフィルタ３７は、画素領域Ｘとそれぞれ対応した位置、すなわち画素領域Ｘのほぼ直上に形成配置されたことにより、前述したように表示領域ＲＧＢを規定したものとなっている。つまり、本実施形態では、前述したように発光機能層１１０は白色光を発光するため、発光した白色光はカラーフィルタ３７（３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ）を透過することで着色され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの波長域にピークをもつ光として出射する。したがって、前述したように発光機能層１１０で発光した白色光は、表示領域ＲＧＢが一つの基本単位となって表示単位画素を構成していることから、前記のＲＧＢの発光が混色されることにより、この表示単位画素毎にフルカラー表示をなすようになっているのである。
【００３５】
次に、このような構成からなる有機ＥＬ装置１の製造方法を基に、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法の一実施形態を説明する。
まず、従来と同様にして、基板２０上に走査線１０１、信号線１０２、電源線１０３、スイッチング用ＴＦＴ１１２、及び駆動用ＴＦＴ１２３（以上図１に記載）を形成する。このようなＴＦＴや各種配線の形成方法は、ＣＶＤ法やスパッタ法等によって各種層膜を形成した後に、公知のフォトリソグラフィ法及びエッチング法等を用いてパターニングを行う。また、半導体層におけるソース領域及びドレイン領域を形成するには、イオンドーピング法等が採用される。
【００３６】
次に、これらを覆って層間絶縁膜２１を形成し、さらに、この層間絶縁膜２１にコンタクトホールを形成し、その後、このコンタクトホール内に導電材料を埋め込んでプラグ（図示せず）を形成する。
次いで、層間絶縁膜２１上に反射膜２３ａと透明導電膜２３ｂとからなる画素電極（第１電極）２３を形成し、前記プラグを介して該画素電極２３と駆動用ＴＦＴ１２３とを導通させる。この画素電極２３の形成についても、スパッタ法、蒸着法等の気相成膜法による成膜法と、フォトリソグラフィ法及びエッチング法等を用いたパターニング法が採用される。
【００３７】
次いで、画素電極２３の側方に隔壁２２を形成する。この隔壁２２の形成方法としては、スピンコート法、ディップ法、スリットコート法等の湿式成膜法が好適に採用される。また、成膜後には、熱処理等を施して樹脂の硬化を行い、公知のフォトリソグラフィ法及びエッチング法によってパターニングすることで、開口部２２ａを形成する。また、液滴吐出法を用いて隔壁２２を形成してもよい。
このような工程を経ることにより、図４（ａ）に示すように前記基板２０上に画素電極２３と隔壁２２とを形成する。なお、図４（ａ）では、駆動用ＴＦＴ１２３等の図示を省略している（以下、同様）。
【００３８】
次いで、本実施形態では、スパッタ法等により補助電極材料としてのＡｌを全面に成膜する。そして、公知のレジスト法、及びフォトリソグラフィ法によってレジストマスクを作製し、さらにこのレジストマスクを用いてエッチングを行うことにより、図４（ｂ）に示すように隔壁２２上に補助電極１１５を形成する。
【００３９】
次いで、図４（ｃ）に示すように、前記補助電極１１５を覆って前記基板２０上の全面に熱発泡性樹脂６０を介して感光性ドライフィルム６１を貼設する。すなわち、図２に示した走査線駆動回路（駆動回路部）８０や検査回路９０、さらにはその外側に位置する各種配線等をも覆って感光性ドライフィルム６１を貼設する。この感光性ドライフィルム６１は、レジスト材料と同じ機能を有するもので、露光処理によって露光部あるいは非露光部が選択的に現像され、除去されるものである。このような感光性ドライフィルム６１としては、東京応化工業株式会社製の「ＯＲＤＹＬ Ｅ４０２５（商品名）」（２５μｍ膜厚用）や「ＯＲＤＹＬ Ｅ４０４０（商品名）」（４０μｍ膜厚用）が好適に用いられる。また、熱発泡性樹脂６０は、加熱により発泡する発泡剤を含有したもので、例えば日東電工株式会社製の「リバアルファ」（商品名）が好適に用いられる。
【００４０】
ここで、これら感光性ドライフィルム６１及び熱発泡性樹脂６０としては、感光性ドライフィルム６１の裏面に熱発泡性樹脂６０が予め一体に付着させられたもの、すなわちラミネートされたものが好適に用いられる。このようにラミネートされたものを用いることにより、感光性ドライフィルム６１の貼設工程を容易にすることができる。
【００４１】
次いで、前記感光性ドライフィルム６１を前記補助電極１１５のパターンに対応させ、露光し現像することによってパターニングする。すなわち、図２に示した実表示領域４においては、前記補助電極１１５と同じ平面形状となるように感光性ドライフィルム６１をパターニングする。また、図２に示した実表示領域４以外の箇所については、現像によって除去することなく、前記走査線駆動回路８０（駆動回路部）等を覆ったままにしておく。感光性ドライフィルム６１の露光・現像処理については、例えば２００ｍＪ／ｃｍ２の強度で露光し、その後現像液（例えばＡＤＳ−２０００Ｕ［商品名］）に９０秒浸漬し、さらに流水で５分洗浄することで行う。
【００４２】
次いで、図５（ａ）に示すように、このようにして得られた感光性ドライフィルム６１からなるパターン６１ａをマスクにして熱発泡性樹脂６０をパターニングし、前記パターン６１ａと同じ平面形状のパターン６０ａを形成する。この熱発泡性樹脂６０のパターニングについては、例えばＲＩＥ処理装置によるＯ２プラズマ処理によって行うことができる。具体的には、処理雰囲気の圧力を０．２Ｔｏｒｒとし、Ｏ２の流量を３０ｓｃｃｍとし、２００Ｗで２０分アッシング処理することで行う。
【００４３】
次いで、図５（ｂ）に示すように、感光性ドライフィルム６１からなるパターン６１ａを覆って基板２０上の全面に、発光機能層１１０の形成材料を蒸着法（気相成膜法）で成膜する。すなわち、正孔輸送層、正孔注入層、有機ＥＬ層、電子注入層、電子輸送層の各形成材料を、蒸着法によってこの順に成膜する。これにより、前記パターン６１ａに覆われることなく露出した隔壁２２の開口部２２ａ内に、発光機能層１１０が形成される。すなわち、図２に示した実表示領域４の各画素領域Ｘに、それぞれ発光機能層１１０が形成される。なお、この成膜により、感光性ドライフィルム６１からなるパターン６１ａ上にも、発光機能層１１０の形成材料が成膜される。
【００４４】
このとき、このように蒸着法で成膜を行うと、蒸着装置内には異物（パーティクル）などが多く存在することなどから、図５（ｂ）に示したように、発光機能層１１０上に異物（パーティクル）Ｐが付着してしまうことがある。また、これに先立って搬送した際に、異物Ｐが付着してしまうこともある。
そこで、この成膜工程の後、基板２０を適宜な温度に加熱することで、前記熱発泡性樹脂６０からなるパターン６０ａを加熱し、これを発泡させる。すると、このパターン６０ａを形成している熱発泡性樹脂６０は、発泡によってその接着力が大幅に低下する。これにより、このパターン６０ａを介すことで補助電極１１５等の上に貼着されていた感光性ドライフィルム６１からなるパターン６１ａは、補助電極１１５等から容易に剥離可能となる。
【００４５】
そして、このようにして加熱によりパターン６１ａを剥離可能にしたら、このパターン６１ａを剥離する。これにより、図５（ｃ）に示すようにこのパターン６１ａを、熱発泡性樹脂６０からなるパターン６０ａとともに、補助電極１１５上（基板２０上）から除去し、補助電極１１５を露出させる。このとき、感光性ドライフィルム６１からなるパターン６１ａの剥離に伴われて、発光機能層１１０上などに付着した異物（パーティクル）Ｐも基板２０上から除去される。すなわち、補助電極１１５上においてパターン６１ａ上に直接載っている異物Ｐはもちろん、発光機能層１１０上にあっても一部がパターン６１ａ上に載っている比較的大きな異物Ｐなども、パターン６１ａの剥離に伴われ、基板２０上から除去されるのである。また、このパターン６１ａの剥離により、図２に示した実表示領域４以外の箇所についても、ここに載った異物Ｐが除去される。
【００４６】
次いで、前記補助電極１１５及び前記発光機能層１１０を覆って陰極材料としてのＭｇＡｇを蒸着法によって成膜し、補助電極１１５に導通する陰極（共通電極；第２電極）５０を形成する。
次いで、この陰極５０上にパッシベーション膜５５をＣＶＤ法等によって形成する（図３参照）。その後、ブラックマトリクス３５及びカラーフィルタ３７を形成した状態で別に用意した封止基板３０を、透明接着層５７を介して前記基板２０のパッシベーション膜５５上に貼着し、図３に示した有機ＥＬ装置１を得る。
【００４７】
このような有機ＥＬ装置１の製造方法にあっては、熱発泡性樹脂６０のパターン６０ａを加熱により発泡させた後、このパターン６０ａとともに感光性ドライフィルム６１のパターン６１ａを剥離して補助電極１１５を露出させるようにしたので、発光機能層１１０の形成材料の成膜時などに付着した異物（パーティクル）Ｐをパターン６１ａの剥離によって基板２０上から除去することができ、したがって、異物Ｐの付着・残留に起因するショートや輝点・輝線などの欠陥を防止することができる。
【００４８】
また、感光性ドライフィルム６１のパターン６１ａを、走査線駆動回路（駆動回路部）８０等を覆ったパターンに形成しているので、発光機能層１１０の形成材料の成膜時などに走査線駆動回路（駆動回路部）８０等の上に異物Ｐが付着してしまっても、パターン６１ａを剥離することによってこの異物Ｐも基板２０上から容易に除去することができる。したがって、走査線駆動回路（駆動回路部）８０等での異物に起因するショートなどを防止することもできる。
【００４９】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない限り種々の変更が可能である。例えば前記実施形態では、発光機能層１１０として特にその有機ＥＬ層を、発光した光が白色光となるように形成したが、この有機ＥＬ層（発光機能層１１０）を、各画素領域Ｘ毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの波長域にピークをもつ光、すなわち着色光として発光させるようにしてもよい。その場合に、カラーフィルタ３７（３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ）の色については、対応する位置の画素領域Ｘの発光機能層１１０での発光光（着色光）と同じ色とする。このように構成することにより、発光機能層１１０での発光光（着色光）の色とこれが透過するカラーフィルタ３７（３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ）の色とが同じ色であることから、カラーフィルタ３７（３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ）を透過した光はその色純度がさらに高いものとなり、表示性能がより一層向上する。
【００５０】
また、このように有機ＥＬ層（発光機能層１１０）で着色された光が発光するように構成した場合には、カラーフィルタ３７（３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ）を設けることなく、必要に応じてブラックマトリクス３５のみを設けることで、封止基板を形成してもよい。このようにしても、着色された光が直接封止基板から出射することにより、フルカラー表示が可能となる。
また、カラーフィルタ３７についても、前記実施形態ではＲＧＢの３色系のものを用いるようにしたが、多色系、すなわちＲＧＢにＷ（白）を加えた４色系のものや、さらには６色系のものなどを用いるようにしてもよい。
さらに、前記実施形態では、本発明のＥＬ装置をトップエミッション型の有機ＥＬ装置に適用したが、本発明は無機ＥＬ装置にも適用可能であり、さらにボトムエミッション型にも適用可能である。
【００５１】
次に、本発明に係る電子機器について説明する。
本発明によって得られた有機ＥＬ装置１は、特に電子機器における表示部として用いることができる。このような電子機器としては、例えば以下のようなものが挙げられる。
図６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図６（ａ）において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図６（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図６（ｂ）において、符号６００は情報処理装置、符号６０１はキーボードなどの入力部、符号６０３は情報処理本体、符号６０２は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図６（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図６（ｃ）において、符号７００は時計本体を示し、符号７０１は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図６（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、先の実施形態に示したように、ショートや輝点・輝線などの欠陥が防止された有機ＥＬ装置１が備えられたものであるので、高い表示特性を有する良好な電子機器となる。
【００５２】
なお、電子機器としては、前記電子機器に限られることなく、種々の電子機器に本発明を適用することができる。例えば、ディスクトップ型コンピュータ、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。
【図２】本発明に係る有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明に係る有機ＥＬ装置を模式的に示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の製造方法を説明するための要部断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は本発明の製造方法を説明するための要部断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る有機ＥＬ装置を備える電子機器を示す図。
【符号の説明】
【００５４】
１…有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）、２０…基板、２０Ａ…基体、２２…隔壁、２３…画素電極（陽極；第１電極）、３７、３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ…カラーフィルタ（着色部）、３０…封止基板、５０…共通電極（陰極；第２電極）、６０…熱発泡性樹脂、６０ａ…パターン、６１…感光性ドライフィルム、６１ａ…パターン、１１０…発光機能層、１１５…補助電極、Ｘ…画素領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた第１電極と、該第１電極上に設けられた発光機能層と、該発光機能層上に設けられた第２電極とを備え、前記基板上に設けられた隔壁によって区画された複数の画素領域にそれぞれ前記発光機能層を有し、前記隔壁上に前記第２電極と接合する補助電極を有してなるエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記基板上に第１電極と隔壁とを形成する工程と、
前記隔壁上に前記補助電極を形成する工程と、
前記補助電極を覆って前記基板上に熱発泡性樹脂を介して感光性ドライフィルムを貼設する工程と、
前記感光性ドライフィルムを前記補助電極のパターンに対応させて露光し現像することによりパターニングする工程と、
前記感光性ドライフィルムからなるパターンをマスクにして前記熱発泡性樹脂をパターニングする工程と、
前記感光性ドライフィルムからなるパターンを覆って前記基板上に前記発光機能層の形成材料を気相成膜法で成膜し、前記画素領域に発光機能層を形成する工程と、
前記熱発泡性樹脂からなるパターンを加熱してこれを発泡させ、これにより該熱発泡性樹脂を含む感光性ドライフィルムパターンを剥離して前記補助電極を露出させる工程と、
前記補助電極及び前記発光機能層を覆って前記第２電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項２】
前記熱発泡性樹脂は、前記感光性ドライフィルムの裏面に予め一体に設けられていることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板上に熱発泡性樹脂を介して感光性ドライフィルムを貼設する工程では、基板上に形成された駆動回路部も覆って前記感光性ドライフィルムを貼設し、
前記感光性ドライフィルムをパターニングする工程では、得られるパターンを、前記駆動回路部を覆ったパターンにすることを特徴とする請求項１又は２記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項４】
前記発光機能層の発光する光が白色光であり、
前記第２電極上に封止部を介して着色部を有する封止基板を貼着する工程を備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１】
基板上に設けられた第１電極と、該第１電極上に設けられた発光機能層と、該発光機能層上に設けられた第２電極とを備え、前記基板上に設けられた隔壁によって区画された複数の画素領域にそれぞれ前記発光機能層を有し、前記隔壁上に前記第２電極と接合する補助電極を有してなるエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記基板上に第１電極と隔壁とを形成する工程と、
前記隔壁上に前記補助電極を形成する工程と、
前記補助電極を覆って前記基板上に熱発泡性樹脂を介して感光性ドライフィルムを貼設する工程と、
前記感光性ドライフィルムを前記補助電極のパターンに対応させて露光し現像することによりパターニングする工程と、
前記感光性ドライフィルムからなるパターンをマスクにして前記熱発泡性樹脂をパターニングする工程と、
前記感光性ドライフィルムからなるパターンを覆って前記基板上に前記発光機能層の形成材料を気相成膜法で成膜し、前記画素領域に発光機能層を形成する工程と、
前記熱発泡性樹脂からなるパターンを加熱してこれを発泡させ、これにより該熱発泡性樹脂を含む感光性ドライフィルムパターンを剥離して前記補助電極を露出させる工程と、
前記補助電極及び前記発光機能層を覆って前記第２電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項２】
前記熱発泡性樹脂は、前記感光性ドライフィルムの裏面に予め一体に設けられていることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板上に熱発泡性樹脂を介して感光性ドライフィルムを貼設する工程では、基板上に形成された駆動回路部も覆って前記感光性ドライフィルムを貼設し、
前記感光性ドライフィルムをパターニングする工程では、得られるパターンを、前記駆動回路部を覆ったパターンにすることを特徴とする請求項１又は２記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項４】
前記発光機能層の発光する光が白色光であり、
前記第２電極上に封止部を介して着色部を有する封止基板を貼着する工程を備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００７−１６５２１５（Ｐ２００７−１６５２１５Ａ）
【公開日】平成１９年６月２８日（２００７．６．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３６２８５２（Ｐ２００５−３６２８５２）
【出願日】平成１７年１２月１６日（２００５．１２．１６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年６月２８日（２００７．６．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１２月１６日（２００５．１２．１６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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