ガラスフリット、シーリング材形成用の組成物及び発光装置
【課題】ガラスフリット、シーリング材形成用の組成物及び発光装置を提供する。
【解決手段】第１基板と、第２基板と、第１基板と第２基板との間に備わった発光素子と、及び第１基板と第２基板とを接着させ、発光素子を密封させるシーリング材を具備した発光装置であって、シーリング材はＶ＋４イオンを含む発光装置、該発光装置を得るためのガラスフリット、シーリング材形成用の組成物、及び該シーリング材形成用の組成物を利用した発光装置の製造方法である。これにより、該発光装置のシーリング材は、塗布法及び電磁波照射によって簡単に形成でき、製造コストが安く、シーリング材の形成時に発光素子の劣化も実質的に防止され、また、シーリング材のシーリング特性にもすぐれ、高寿命性を有する発光装置を得ることができる。
【解決手段】第１基板と、第２基板と、第１基板と第２基板との間に備わった発光素子と、及び第１基板と第２基板とを接着させ、発光素子を密封させるシーリング材を具備した発光装置であって、シーリング材はＶ＋４イオンを含む発光装置、該発光装置を得るためのガラスフリット、シーリング材形成用の組成物、及び該シーリング材形成用の組成物を利用した発光装置の製造方法である。これにより、該発光装置のシーリング材は、塗布法及び電磁波照射によって簡単に形成でき、製造コストが安く、シーリング材の形成時に発光素子の劣化も実質的に防止され、また、シーリング材のシーリング特性にもすぐれ、高寿命性を有する発光装置を得ることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスフリット、シーリング材形成用の組成物、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。さらに詳細には、Ｖ＋４イオンを含むガラスフリット、Ｖ＋５イオン及びフィラを含むガラスフリット、該ガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物、該シーリング材形成用の組成物を利用して形成したシーリング材を具備した発光装置及び該発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子、電子放出素子、ディスプレイパネルのような電子素子は、水分及び／または酸素の浸透によって劣化してしまうという特性を有している。したがって、電子素子の安定した駆動と寿命との確保のために、封止構造が要求される。
【０００３】
電子素子を封止するために、従来は、金属カンやガラスを溝を有するようにキャップ状に加工しかかる溝に水分吸収のための乾湿剤をパウダー状に搭載したり、または水分吸収のための乾湿剤をフィルム形態に製造しかかるフィルムを両面テープを利用して接着する方法が用いられていた。
【０００４】
特許文献１は、有機化合物からなる有機発光層が互いに対向する一対の電極間に置かれた構造を有する積層体と、積層体を外気と遮断する気密性容器、及び気密性容器内に配置されたアルカリ金属またはアルカリ金属酸化物のような乾燥手段と、を有する有機電界発光表示素子を開示している。しかし、有機電界発光素子は、その気密性容器の形状により、表示装置全体が厚くなる。また、乾燥手段が水分を吸着した後、固体状態を維持するとしても、不透明であって前面発光に適用不可能である。
【０００５】
特許文献２は、０．１ないし２００μｍの粒子サイズを有する固体粒子を含む吸収剤及びバインダを利用して形成された吸収層を採用した有機電界発光素子を開示している。
【０００６】
しかし、従来の封止方法では、満足すべきレベルの寿命特性を有する有機発光装置を得られず、この改善が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平０９−１４８０６６号公報
【特許文献２】米国特許第６，２２６，８９０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、密封特性にすぐれるシーリング材を具備し、高寿命性を有する発光装置を提供することを目的とする。さらに、本発明は、発光装置を提供できるガラスフリット、シーリング材形成用の組成物及び発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明はＶ＋４イオンを含むガラスフリットを提供する。
【００１０】
本発明はＶ＋４イオンを含むガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物を提供する。シーリング材形成用の組成物は、リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラをさらに含んでもよい。
【００１１】
本発明はＶ＋５イオンを含むガラスフリット及びリン酸ジルコニウム・タングステン系フィラを含むシーリング材形成用の組成物を提供する。
【００１２】
本発明は、第１基板と、第２基板と、第１基板と第２基板との間に備わった発光素子と、第１基板と第２基板とを接着させ、発光素子を密封させるシーリング材とを具備した発光装置であって、シーリング材がＶ＋４イオンを含む発光装置を提供する。発光装置のシーリング材としては２００ｎｍないし１０，０００ｎｍ範囲の電磁波を放出できる電磁波ソースを照射して形成されたものを用いることができる。
【００１３】
本発明は、発光素子の備わった第１基板を用意する段階、前述のようなシーリング材形成用の組成物を用意する段階、シーリング材形成用の組成物を第２基板のシーリング材形成領域に提供する段階、シーリング材形成用の組成物が塗布された第２基板を熱処理する段階、熱処理されたシーリング材形成用の組成物及び発光素子が第１基板と第２基板との間に備わるように、第１基板と第２基板とを合着させる段階、及び熱処理されたシーリング材形成用の組成物に電磁波ソースを照射してシーリング材を形成する段階を含む発光装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、レーザ、光ランプのように、局部的に電磁波を供給できるソースを利用してシーリング材を形成できるので、シーリング材の形成時に発光素子の劣化が防止できるだけではなく、シーリング材の密封特性にすぐれ、高寿命性を有する発光装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態にかかる発光装置の具体例を概略的に図示した断面図である。
【図２】実施形態にかかる発光装置に備わった発光素子の具体例を概略的に図示した断面図である。
【図３】実施形態にかかる発光装置の製造方法の具体例を説明した図面である。
【図４】実施形態にかかる発光装置の製造方法の具体例を説明した図面である。
【図５】実施形態にかかる発光装置の製造方法の具体例を説明した図面である。
【図６】実施形態にかかる発光装置の製造方法の具体例を説明した図面である。
【図７】実施形態にかかる発光装置の製造方法の具体例を説明した図面である。
【図８】実施形態にかかる発光装置の製造方法の具体例を説明した図面である。
【図９】実施形態にかかる発光装置の製造方法の具体例を説明した図面である。
【図１０】実施例１から得たＮ２雰囲気下で熱処理されたシーリング材形成用の組成物、及び比較例１から得た大気雰囲気下で熱処理されたシーリング材形成用の組成物の透光率グラフである。
【図１１】実施例２から得たシーリング材のシール幅（seal width）を表した図面である。
【図１２】実施例２の有機発光装置の寿命特性を表したイメージである。
【図１３】比較例２の有機発光装置の寿命特性を表したイメージである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に実施形態を挙げて本発明を説明するが、本発明が以下の実施形態に限定されないことはいうまでもない。図中、同一の機能及び用途を有するものについては同様の符号を付して説明を省略する。
【００１７】
本発明の実施形態にかかるガラスフリット、シーリング材形成用の組成物及び発光装置の製造方法を利用すれば、製造コストが安く、シーリング特性にすぐれ、シーリング材の形成時に発光素子の劣化が防止され、長寿命を有する発光装置を得ることができる。
【００１８】
（ガラスフリット）
実施形態にかかるガラスフリットは、１種以上のイオンを含む酸化物であって、Ｖ＋４イオンを含む。Ｖ＋４イオンは、多様な波長の電磁波を吸収でき、Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットは、電磁波の照射によって軟化しうる。例えば、Ｖ＋４イオンは、８１０ｎｍのレーザ光を吸収できる。
【００１９】
ガラスフリットは、Ｖ＋４イオン以外にも、各種イオンをさらに含んでもよい。例えば、Ｖ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン、Ｔｅ＋４イオン、Ｆｅ＋３イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｎｄ＋２イオン、Ｋ＋１イオン、Ｓｂ＋３イオン、Ｐ＋５イオン、Ｔｉ＋２イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｂ＋３イオン、Ｗ＋６イオン、Ｓｎ＋２イオン、Ｂｉ＋３イオン、Ｃａ＋２イオン、Ｓｉ＋４イオン、Ｚｒ＋４イオン及びＭｇ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上のイオンをさらに含んでもよいが、これらに限定されない。
【００２０】
さらに具体的に、ガラスフリットは、Ｖ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン及びＴｅ＋４イオンをさらに含んでもよい。または、ガラスフリットは、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン及びＴｅ＋４イオンをさらに含んでもよい。
【００２１】
ガラスフリットに含まれたイオンのうち一部は、ガラスフリットのうち、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させるための還元剤から由来したイオンでありうる。例えば、Ａｌ＋３イオン、Ｓｎ２＋イオン、Ｍｇ＋２イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオンとしては、実施形態にかかるガラスフリットのうち、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させるために、ガラスフリット製造時に添加された還元剤であるＡｌ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎから由来したものを用いることができる。また、実施形態にかかるガラスフリットのうち、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤として、炭素（Ｃ）を利用できる。還元剤としてＣを利用する場合、これは、ガラスフリットに少量の有機物として残留しうる。
【００２２】
ガラスフリットは、電磁波を効果的に吸収できるように、０．１μｍないし３０μｍ、望ましくは、０．５μｍないし１５μｍの平均粒径（Ｄ50）を有することができる。一方、ガラスフリットの平均粒径（DMAX）は、１μｍないし１５０μｍ、望ましくは、３μｍないし３０μｍの平均粒径（DMAX）を有することができる。
【００２３】
ガラスフリットの「平均粒径Ｄ５０」及び「最大粒径Ｄmax」は、公知の測定機器及び測定原理を利用できる。例えば、前記ガラスフリットの平均粒径Ｄ５０及び最大粒径Ｄmaxは、Microtrac S3500（Microtrac社のParticle Analyzerである）で測定でき、これは、Tri-Laser System技術を利用するが、レーザをガラスフリットサンプルに０ないし１８０°の範囲で照射し、散乱した広範囲の粒径分布データを取った後、前記データを統計的に処理して平均粒径Ｄ５０及び最大粒径Ｄmaxを得ることができる。Ｄmaxは、粒径累積分布データのうち最大値を示すものであり、Ｄ５０は、粒径累積分布データのうち最大値対比で５０％に該当する値を示すものであり、Ｄ５０及びＤmaxの定義は、当業者に周知である。後述するようなフィラの平均粒径Ｄ５０及び最大粒径Ｄmax測定もまたこれと同一である。
【００２４】
（ガラスフリットの製造方法）
前述のようなＶ＋４イオンを含むガラスフリットの製造方法の具体例は、次の通りである。
【００２５】
（ア）まず、Ｖ２Ｏ５を含む各種酸化物と、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤とを混合する。Ｖ２Ｏ５以外の使用可能な各種酸化物としては、ＢａＯ、ＺｎＯ、ＴｅＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＮｄＯ、Ｋ２Ｏ、Ｓｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、ＴｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＷＯ６、ＳｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＣａＯ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２などがあるが、これらに限定されない。還元剤としては、Ａｌ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、炭素などがあるが、これらに限定されない。
【００２６】
（イ）その後、これをルツボに入れて熱処理する。熱処理温度及び熱処理温度は、溶融させようとする酸化物及び還元剤の種類及並びに量により異なるが、約６００℃ないし１，２００℃の温度範囲及び１０分ないし２４０分の時間範囲から選択されうる。これから得た融解物を冷却させてガラスを得た後、これを粉砕してＶ＋４イオンを含むガラスフリットを得ることができる。
【００２７】
前述のようなＶ＋４イオンを含むガラスフリットは、発光装置のシーリング材形成用の組成物に含まれうる。Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットについての詳細な説明は、前述参照。
【００２８】
シーリング材形成用の組成物は、Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットを含むが、２００ｎｍないし１０，０００ｎｍ波長範囲の電磁波を吸収できる。したがって、シーリング材形成用の組成物は、前述のような波長範囲を有する電磁波照射により、効果的に軟化しうる。
【００２９】
シーリング材形成用の組成物は、電磁波照射によって軟化しつつ、その体積が膨脹しうる。その場合、優秀な密封特性を有するシーリング材を得にくくなることがある。したがって、シーリング材形成用の組成物は、熱膨張係数を下げることができるフィラをさらに含んでもよい。
【００３０】
フィラの具体例としては、リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラ、リン酸ジルコニウム系フィラ（例えば、リン酸ジルコニウム）、ジルコニウム系フィラ（例えば、ジルコニウム）、ユークリプタイト系フィラ（例えば、β−ユークリプタイト）、コージエライト系フィラ、アルミナ、シリカ、ケイ酸亜鉛、チタン酸アルミニウムなどを挙げることができるが、これらに限定されない。このうち、２以上の組み合わせを使用できる。
【００３１】
さらに具体的に、リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラは、例えば、Ｚｒ２（ＷＯ４）（ＰＯ４）２であるが、これに限定されない。
【００３２】
前述のようなシーリング材形成用の組成物に含まれうるフィラは、電磁波照射によって効果的に軟化することが望ましい。これを考慮し、フィラの平均粒径（Ｄ50）は、０．１μｍないし３０μｍ、望ましくは、０．５μｍないし１５μｍである。一方、フィラの平均粒径（DMAX）は、１μｍないし１５０μｍ、望ましくは、３μｍないし３０μｍである。
【００３３】
前述のようなシーリング材形成用の組成物の熱膨張係数は、２５ｘ１０−７／℃ないし９５ｘ１０−７／℃、望ましくは、３５ｘ１０−７／℃ないし６５ｘ１０−７／℃になりうる。これにより、実施形態にかかる発光装置のシーリング材の形成時、電磁波照射による体積変化による基板間の不整合を防止できる。
【００３４】
前述のようなフィラの含有量は、前述のような熱膨張係数範囲を得つつも、ガラスフリットの含有量が過度に減少しない範囲内で選択されうる。例えば、フィラの含有量は、ガラスフリットの含有量及びフィラの含有量の総量１００重量部当たり５重量部ないし８０重量部、望ましくは、２０重量部ないし６０重量部の範囲から選択されうる。
【００３５】
一方、シーリング材形成用の組成物は、適切な印刷性、粘度、フロー性などを得るために、ビヒクルをさらに含んでもよい。ビヒクルとしては、シーリング材形成用の組成物を基板に提供した後、熱処理時に分解されうるような有機物を用いることができる。
【００３６】
例えば、ビヒクルは、樹脂及び溶媒を含んでもよい。樹脂は、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ビニル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂及びセルロース系樹脂からなる群から選択された一つ以上の樹脂であるが、これらに限定されない。溶媒は、テルピノール、ジヒドロテルピノール、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール及び２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオールモノブチレートからなる群から選択された一つ以上であるが、これらに限定されない。
【００３７】
より具体的には、アクリル系樹脂の例として、ブチルアクリレート、エチルヘキシルアクリレートなどがあり、メタクリル系樹脂の例として、プロピレングリコールメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなどがあり、ビニル系樹脂の例として、酢酸ビニル、Ｎ−ビニルピロリドンなどがあり、エポキシ系樹脂の例として、環状脂肪族エポキシド、エポキシアクリレートなどがあり、ウレタン系樹脂の例として、ウレタンアクリレートなどがあり、セルロース系樹脂の例として、エチルセルロース、硝酸セルロースなどがあるが、これらに限定されない。
【００３８】
ビヒクルの含有量は、シーリング材形成用の組成物の印刷性、粘度、フロー性などを考慮して選択されうるが、例えば、シーリング材形成用の組成物１００重量部当たり１０重量部ないし６０重量部、望ましくは、２０重量部ないし５０重量部の範囲内で選択されうる。
【００３９】
実施形態にかかるシーリング材形成用の組成物は、Ｖ＋５イオンを含むガラスフリット及びフィラを含むが、フィラとしては、リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラを用いることができる。
【００４０】
本明細書において、「Ｖ＋５イオンを含むガラスフリット」とは、Ｖ＋４イオンを含んでいないガラスフリットを意味する。後述のように、実施形態にかかる発光装置のシーリング材は、必ずＶ＋４イオンを含むが、Ｖ＋４イオンは、多様な方法でシーリング材に含まれうる。例えば、前述のように、ガラスフリット自体がＶ＋４イオンを含んでもよいが、Ｖ＋４イオンを含んでいないガラスフリットを利用しても、還元剤を利用するか、または還元雰囲気下で熱処理し、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させることができる。すなわち、Ｖ＋５イオンを含むガラスフリット及びフィラを含むシーリング材形成用の組成物は、ガラスフリット自体がＶ＋４イオンを含んでいないにしても、還元剤を利用したり、または還元雰囲気下で熱処理されることにより、Ｖ＋４イオンを含んでもよい。
【００４１】
シーリング材形成用の組成物のうち、Ｖ＋５イオンを含むガラスフリットは、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン、Ｔｅ＋４イオン、Ｆｅ＋３イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｎｄ＋２イオン、Ｋ＋１イオン、Ｓｂ＋３イオン、Ｐ＋５イオン、Ｔｉ＋２イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｂ＋３イオン、Ｗ＋６イオン、Ｓｎ＋２イオン及びＢｉ＋３イオン、Ｃａ＋２イオン、Ｓｉ＋４イオン、Ｚｒ＋４イオン及びＭｇ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上のイオンをさらに含んでもよいが、これらに限定されない。
【００４２】
さらに具体的に、Ｖ＋５イオンを含むガラスフリットは、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン及びＴｅ＋４イオンをさらに含んでもよい。
【００４３】
ガラスフリットは、電磁波を効果的に吸収できるように、０．１μｍないし３０μｍ、望ましくは、０．５μｍないし１５μｍの平均粒径（Ｄ50）を有することができる。一方、ガラスフリットの平均粒径（DMAX）は、１μｍないし１５０μｍ、望ましくは、３μｍないし３０μｍである。
【００４４】
シーリング材形成用の組成物に含まれたリン酸ジルコニウム・タングステン系フィラは、Ｚｒ２（ＷＯ４）（ＰＯ４）２であるが、これに限定されない。
【００４５】
シーリング材形成用の組成物は、リン酸ジルコニウム系フィラ（例えば、リン酸ジルコニウム）、ジルコニウム系フィラ（例えば、ジルコニウム）、ユークリプタイト系フィラ（例えば、β−ユークリプタイト）、コージエライト系フィラ、アルミナ、シリカ、ケイ酸亜鉛及びチタン酸アルミニウムからなる群から選択されたフィラをさらに含んでもよいが、これらに限定されない。
【００４６】
前述のようなシーリング材形成用の組成物に含まれうるフィラは、電磁波照射によって効果的に軟化することが望ましい。これを考慮し、フィラの平均粒径（Ｄ50）は、０．１μｍないし３０μｍ、望ましくは、０．５μｍないし１５μｍである。一方、フィラの平均粒径（DMAX）は、１μｍないし１５０μｍ、望ましくは、３μｍないし６０μｍである。
【００４７】
前述のようなシーリング材形成用の組成物の熱膨張係数は、２５ｘ１０−７／℃ないし９５ｘ１０−７／℃、望ましくは、３５ｘ１０−７／℃ないし６５ｘ１０−７／℃になりうる。これにより、実施形態にかかる発光装置のシーリング材の形成時、電磁波照射による体積変化による基板間の不整合を防止できる。
【００４８】
前述のようなフィラの含有量は、前述のような熱膨張係数範囲を得つつも、ガラスフリットの含有量が過度に減少しない範囲内で選択されうる。例えば、フィラの含有量は、ガラスフリットの含有量及びフィラの含有量総量１００重量部当たり５重量部ないし８０重量部、望ましくは、２０重量部ないし６０重量部の範囲から選択されうる。
【００４９】
Ｖ＋５イオンを含むガラスフリット及びフィラを含むシーリング材形成用に組成物は、還元剤をさらに含んでもよい。還元剤は、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる役割を行う。例えば、実施形態にかかるシーリング材形成用の組成物は、基板に塗布された後、電磁波ソースにより照射される前に熱処理過程を経るが、このとき、シーリング材形成用の組成物に含まれた還元剤により、ガラスフリットのうちＶ＋５イオンは、Ｖ＋４イオンに還元されうる。
【００５０】
還元剤の例としては、アルミニウム（Ａｌ）、錫（Ｓｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、炭素（Ｃ）などがあるが、これらに限定されない。
【００５１】
還元剤の含有量は、ガラスフリットの含有量、シーリング材形成用の組成物の熱処理温度及び時間によって異なりうるが、ほぼガラスフリット１００重量部当たり０．０１重量部ないし２０重量部、望ましくは、０．１重量部ないし２重量部の範囲内で選択されうる。
【００５２】
シーリング材形成用の組成物は、適切な印刷性、粘度、フロー性などを得るために、ビヒクルをさらに含んでもよい。ビヒクルとしては、シーリング材形成用の組成物を基板に提供した後、熱処理時に分解されうるような有機物を用いることが出来る。
【００５３】
例えば、ビヒクルは、樹脂及び溶媒を含んでもよい。樹脂は、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ビニル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂及びセルロース系樹脂からなる群から選択された一つ以上であるが、これらに限定されない。溶媒は、テルピノール、ジヒドロテルピノール、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール及び２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオールモノブチレートからなる群から選択された一つ以上であるが、これらに限定されない。
【００５４】
ビヒクルにうち一部以上は、前述のようなＶ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤としての役割を行うこともできる。
【００５５】
さらに具体的に、アクリル系樹脂の例として、ブチルアクリレート、エチルヘキシルアクリレートなどがあり、メタクリル系樹脂の例として、プロピレングリコールメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなどがあり、ビニル系樹脂の例として酢酸ビニル、Ｎ−ビニルピロリドンなどがあり、エポキシ系樹脂の例として、環状脂肪族エポキシド、エポキシアクリレートなどがあり、ウレタン系樹脂の例として、ウレタンアクリレートなどがあり、セルロース系樹脂の例として、エチルセルロース、硝酸セルロースなどがあるが、これらに限定されない。
【００５６】
ビヒクルの含有量は、シーリング材形成用の組成物の印刷性、粘度、フロー性などを考慮して選択されうるが、例えば、シーリング材形成用の組成物１００重量部当たり１０重量部ないし６０重量部、望ましくは、２０重量部ないし５０重量部の範囲内で選択されうる。
【００５７】
以上、述べた通り、ｉ）Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物、及びｉｉ）Ｖ＋５イオンを含むガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物は、各種電子装置、例えば、有機発光表示装置、電子放出表示装置、プラズマディスプレイパネルなどにおいて、発光素子を酸素及び／または水分から遮断して密封するシーリング材を形成するのに使われうる。
【００５８】
ｉ）Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物のうち、Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットは、Ｖ＋４イオン以外にも、Ｖ＋５イオンをさらに含んでもよいので、必要により、ｉｉ）Ｖ＋５イオンを含むガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物に追加されうる還元剤をさらに含み、残存するＶ＋５イオンを追加で還元させることもできる。
【００５９】
実施形態にかかる発光装置は、第１基板、第２基板、第１基板と第２基板との間に備わった発光素子、及び第１基板と第２基板とを接着させ、発光素子を密封させるシーリング材を有する。実施形態にかかる発光装置の具体例を図示した図１を参照し、実施形態にかかる発光装置をさらに詳細に説明する。
【００６０】
図１は、実施形態にかかる発光装置の一具体例であって、発光素子が有機発光素子である有機発光装置の断面図を概略的に図示したものである。
【００６１】
図１の発光装置１０は、第１基板１１及び第２基板１５を具備し、第１基板１１の上部には、発光素子１３が備わっている。図１の発光装置１０のうち第２基板１５は、封止基板の役割を行う。そして、第１基板１１と第２基板１５との間には、第１基板１１と第２基板１５とを互いに接着させ、発光素子を密封させるシーリング材１８が備わっている。シーリング材１８は、Ｖ＋４イオンを含む。
【００６２】
第１基板１１は、各種発光装置で一般的に使用できる基板ならば、特別に限定されない。例えば、ガラス基板、金属基板、プラスチック材基板などを使用できるが、これらに限定されない。
【００６３】
（有機発光素子）
図２は、有機発光素子１３の一具体例の断面図を概略的に図示する。さらに具体的に、図２は、能動（ＡＭ：Active Matrix type）駆動型有機発光素子１３の一具体例の断面図を概略的に図示する。
【００６４】
基板１１の上面には、基板１１の平滑性と不純元素の浸透遮断とのために、バッファ層４１が備わっている。バッファ層４１は、ＳｉＯ２及び／またはＳｉＮｘなどで形成できるが、これらに限定されない。
【００６５】
基板１１の上面に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が備わっている。ＴＦＴは、各画素別に一つ以上備わりうる。
【００６６】
具体的に、バッファ層４１上に、所定パターンの半導体層４２が形成されている。半導体層４２は、非晶質シリコンまたはポリシリコンのような無機半導体物質、またはペンタセンのような有機半導体物質を含むことができ、ソース領域、ドレイン領域及びチャンネル領域を備える。
【００６７】
半導体層４２の上部には、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘなどから形成されるゲート絶縁膜４３が備わっており、ゲート絶縁膜４３の上部には、ゲート電極４４が備わっている。ゲート電極４４は、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕのような物質を含むが、これに限定されるものではなく、隣接層との密着性、積層される層の平坦性、電気抵抗及び加工性などを考慮し、多様な材料からなりうる。
【００６８】
ゲート電極４４は、ＴＦＴオン／オフ信号を印加するゲートライン（図示せず）と連結されている。
【００６９】
ゲート電極４４の上部には、層間絶縁膜４５が備わっており、層間絶縁膜４５の上部には、ソース電極４６及びドレイン電極４７が備わっている。ソース電極４６及びドレイン電極４７は、例えば、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ａｌ、Ｍｏ、またはこれら以外にも、Ａｌ：Ｎｄ合金、ＭｏＷ合金のような二種以上の金属からなる合金を使用でき、金属の酸化物としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＮｉＯ、Ａｇ２Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３・Ａｇ２Ｏ、ＣｕＡｌＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、及びＺｒでドーピングされたＺｎＯなどを使用できるが、これらに限定されない。前述のような金属または金属酸化物のうち、２以上を組み合わせて使用できる。
【００７０】
ソース電極４６及びドレイン電極４７は、コンタクトホールを介してそれぞれ半導体層４２のソース及びドレインの領域に電気的に連結されうる。かようなＴＦＴの上部には、パッシベーション膜４８が備わっている。
【００７１】
パッシベーション膜４８は、無機物及び／または有機物を含んでもよい。無機物の例には、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ、ＰＺＴなどを含むことができ、有機物の例としては、一般汎用高分子（ＰＭＭＡ、ＰＳ）、フェノール基を有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びそれらの混合物などを含んでもよいが、これらに限定されない。パッシベーション膜４８は、無機絶縁膜と有機絶縁膜との複合積層体でもっても形成可能である。
【００７２】
パッシベーション膜４８の上部には、有機発光素子５０のアノード電極になりうる第１電極５１が備わっている。第１電極５１は、例えば、仕事関数の大きいＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などを利用して透明電極として備わりうる。または、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びそれらの組み合わせを含む反射膜を形成した後、その上に、仕事関数の大きいＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などを形成することにより、反射電極として備わりうるなど、多様な変形例が可能である。第１電極５１は、ＴＦＴのドレイン電極４７と電気的に連結されている。
【００７３】
第１電極５１の上部には、画素定義膜４９が備わっているが、画素定義膜４９は、第１電極５１の一部以上を露出させ、有機層５２の備わりうる開口部を有する。画素定義膜４９の開口部には、有機層５２が備わっており、その上部には、カソード電極になる第２電極５３が備わっている。
【００７４】
第１電極５１と第２電極５３との間に介在された有機層５２は、第１電極５１と第２電極５３との電気的駆動により発光する。有機層５２は、低分子または高分子の有機物を使用できる。一方、有機層５２は、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から選択された一つ以上の層を、必要によって含んでもよい。使用可能な低分子有機材料としては、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを挙げることができ、高分子有機材料としては、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）やポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを利用できるが、これらに限定されない。有機層５２は、蒸着法、レーザを利用した熱転写方式、インクジェットプリンティング、スピンコーティング法のような多様な方法を利用して形成できる。
【００７５】
第２電極５３としては、仕事関数の小さな金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａなどを利用した透明電極または反射電極を用いることができる。または、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３のような透明導電物質で、補助電極層やバス電極ラインを追加で形成できるなど、多様な変形例が可能である。
【００７６】
たとえ図示されていないにしても、第２電極５３の上部には、保護層を追加で形成できるが、保護層は、耐熱性、耐化学性、耐透湿性を提供し、有機層５２に水分及び／または酸素が浸透することを追加で防止する役割を行う。保護層は、無機層や、無機層と有機層とが交互に積層された構造を有することができるなど、多様な変形例が可能である。
【００７７】
保護層に含まれうる無機層は、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、スズ酸化物、セリウム酸化物及びシリコン酸化窒化物（ＳｉＯＮ）からなる群から選択された一つ以上の金属酸化物を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００７８】
保護層に含まれうる有機層は、ベンゾシクロブテン環含有化合物の架橋体、またはヒドロシルセスキオキサンなどからなりうるが、これらに限定されない。
【００７９】
尚、保護層に含まれうる無機層及び有機層についてのより詳細な説明は、大韓民国特許公開第２００５−００７７９１９号公報に記載されている。
【００８０】
実施形態にかかる発光装置の発光素子の例として、図２に図示された有機発光素子について説明したが、本発明の発光装置は、その他多様な形態の発光素子を含んでもよい。
【００８１】
図１の発光装置１０のうち第２基板１５としては、封止基板を用いることができる。第２基板１５としては、絶縁体であるガラス基板または透明なプラスチック基板を使用し、プラスチック基板でもって形成する場合、プラスチック基板の内面は、水分から保護するための保護膜が形成され、保護膜は、耐熱性、耐化学性、耐透湿性を有するようにする。このように、封止基板が透明性材質からなる場合には、前面発光型に利用されうる。
【００８２】
第１基板１１と第２基板１５との間には、第１基板１１と第２基板１５を接着させ、発光素子１３を密封（特に、酸素及び水分から）させるシーリング材１８が備わっている。
【００８３】
シーリング材１８は、Ｖ＋４イオンを含む。Ｖ＋４イオンは、２００ｎｍないし１０，０００ｎｍ波長の範囲を有する電磁波（例えば、紫外線、可視光線、赤外線など）を効果的に吸収できる。かような電磁波の吸収程度を考慮し、シーリング材１８のうち、Ｖ＋４イオンの含有量は、０．００１モル％ないし５０モル％、望ましくは、０．０１モル％ないし３０モル％である。一方、シーリング材１８としては、レーザまたは光ランプを利用して形成されたものを用いることができる。レーザまたは光ランプなどは、シーリング材形成領域に対して局部的に電磁波を照射することができるものであるので、発光装置１０の発光素子１３は、シーリング材１８の形成時に実質的に劣化されない。
【００８４】
シーリング材１８は、フィラをさらに含んでもよい。
【００８５】
フィラは、シーリング材形成用の組成物の熱膨張係数を下げる役割を行うものである。
【００８６】
フィラの具体例としては、リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラ、リン酸ジルコニウム系フィラ（例えば、リン酸ジルコニウム）、ジルコニウム系フィラ（例えば、ジルコニウム）、ユークリプタイト系フィラ（例えば、β−ユークリプタイト）、コージエライト系フィラ、アルミナ、シリカ、ケイ酸亜鉛、チタン酸アルミニウムなどを挙げることができるが、これらに限定されない。このうち、２以上の組み合わせを使用できる。
【００８７】
さらに具体的に、リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラは、例えば、Ｚｒ２（ＷＯ４）（ＰＯ４）２であるが、これに限定されない。
【００８８】
フィラは、電磁波照射によって効果的に軟化することが望ましい。これを考慮し、フィラの平均粒径（Ｄ50）は、０．１μｍないし３０μｍ、望ましくは、０．５μｍないし１５０μｍである。一方、フィラの平均粒径（DMAX）は、１μｍないし１５０μｍ、望ましくは、３μｍないし３０μｍである。
【００８９】
前述のようなフィラの含有量は、前述のような熱膨張係数範囲を得つつも、ガラスフリットの含有量が過度に減少しない範囲内で選択されうる。例えば、フィラの含有量は、ガラスフリットの含有量及びフィラ含有量の総量１００重量部当たり５重量部ないし８０重量部、望ましくは、２０重量部ないし６０重量部の範囲から選択されうる。
【００９０】
シーリング材１８は、Ｖ＋４イオン以外にも、各種イオンをさらに含んでもよい。例えば、Ｖ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン、Ｔｅ＋４イオン、Ｆｅ＋３イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｎｄ＋２イオン、Ｋ＋１イオン、Ｓｂ＋３イオン、Ｐ＋５イオン、Ｔｉ＋２イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｂ＋３イオン、Ｗ＋６イオン、Ｓｎ＋２イオン、Ｂｉ＋３イオン、Ｃａ＋２イオン、Ｓｉ＋４イオン、Ｚｒ＋４イオン及びＭｇ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上のイオンをさらに含んでもよいが、これらに限定されない。
【００９１】
さらに具体的に、シーリング材１８は、Ｖ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン及びＴｅ＋４イオンをさらに含んでもよい。または、シーリング材１８は、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン及びＴｅ＋４イオンをさらに含んでもよい。
【００９２】
シーリング材１８に含まれたイオンのうち一部は、ガラスフリットに含まれたＶ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させるための還元剤から由来したイオンでありうる。例えば、Ａｌ＋３イオン、Ｓｎ２＋イオン、Ｍｇ＋２イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオンなどは、実施形態にかかるガラスフリットのうち、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させるために、ガラスフリット製造時に添加された還元剤であるＡｌ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎなどから由来したものを用いることができる。一方、シーリング材１８は、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤として利用された炭素（Ｃ）から由来した少量の有機物を含むこともできる。
【００９３】
（発光装置の製造方法）
実施形態にかかる発光装置の製造方法の具体例を、図３ないし図９を用いて以下に説明する。
【００９４】
図９に示すように、実施形態にかかる発光装置２０は、第１基板２１と、第１基板２１上に等間隔に離間して配置された発光素子２３ａ、２３ｂ、２３ｃと、発光素子２３ａ〜２３ｃを密封するように発光素子２３ａ〜２３ｃの周囲を取り囲むように配置されたシーリング材２８ａ、２８ｂ、２８ｃと、シーリング材２８ａ、２８ｂ、２８ｃを挟んで発光素子２３ａ〜２３ｃを密封するように第１基板２１に対向して配置された第２基板２５と、を有する。
【００９５】
（ア）まず、図３に示すように、発光素子２３を備える第１基板２１を用意する。第１基板２１は、前述のように、各種電子装置で使われうる基板であり、発光素子２３は、有機発光素子であるが、これらに限定されない。発光素子２３の製造方法は、種々の方法を利用できる。
【００９６】
（イ）次に第２基板２５を用意する。そして、図４（断面図）及び図５（上面図）に示すように第２基板２５の上部に、シーリング材形成領域に沿ってシーリング材形成用の組成物２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄ，２７ｅ，２７ｆを設ける。シーリング材の形成領域は、例えば、図５に示すように、第１基板２１と第２基板２５との合着後、有機発光素子２３を取り囲む形状であるが、これに限定されない。第２基板２５は封止基板であって、ガラス基板またはプラスチック基板を利用できる。
【００９７】
シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆは、前述のような、ｉ）Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物、またはｉｉ）Ｖ＋５イオンを含むガラスフリット及びフィラを含むシーリング材形成用の組成物を用いることができる。尚、これについての詳細な説明については前述参照。
【００９８】
シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆを第２基板２５に提供する方法は、インクジェットプリンティング法、スクリーンプリンティング法など、公知の多様な方法を利用できる。
【００９９】
シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆには、Ｖ＋４イオンが含まれることもあり、含まれないこともある。例えば、Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットを含む場合には、シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆには、Ｖ＋４イオンが存在し、そうではない場合には、シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆには、Ｖ＋４イオンが存在しないこともある。このとき、後述する熱処理段階により、Ｖ＋４イオンが生成されうる。
【０１００】
（ウ）次に、シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆが設けられた第２基板２５を熱処理し、図６に示すように、熱処理されたシーリング材形成用の組成物２７ａｘ，２７ｂｘ，２７ｃｘが塗布された第２基板２５を得る。
【０１０１】
熱処理を介し、シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆは、一定の形状を有する膜の形態を備えることができ、シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆのうち一部以上のＶ＋５イオンは、Ｖ＋４イオンに還元されうる。したがって、図７に示すような合着段階を効果的に行うことができ、図８に示すように、電磁波を照射する場合、これを効果的に吸収できる。熱処理の結果、シーリング材形成用の組成物のうち、ビヒクルは分解されうる。
【０１０２】
熱処理雰囲気は、還元雰囲気または大気雰囲気でありうる。還元雰囲気は、例えば、Ｎ２雰囲気、水素雰囲気などでありうる。これにより、シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆのうち、Ｖ＋５イオンがＶ＋４イオンに還元されうる。特に、ガラスフリットがＶ＋４イオンを含有せず、シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆがＶ＋４イオンをＶ＋５イオンに還元させる還元剤を含んでいない場合、熱処理雰囲気は、還元雰囲気であることが望ましい。
【０１０３】
シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆが還元剤を含む場合、熱処理雰囲気は、必ずしも還元雰囲気である必要はない。Ａｌ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、炭素のような還元剤を含む場合、それらは、熱処理段階で酸化されつつ、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させることができる。
【０１０４】
熱処理温度及び時間は、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させることができる温度及び時間、シーリング材形成用の組成物のうち、ビヒクルを分解させることができるほどの温度及び時間のうちから選択されたことが望ましい。これを考慮し、熱処理温度及び時間は、２５０℃ないし７５０℃、望ましくは、３５０℃ないし５５０℃の範囲、及び５分ないし２４０分、望ましくは、１０分ないし１２０分の範囲から選択されうる。
【０１０５】
図６に示すような熱処理されたシーリング材形成用の組成物２７ａｘ〜２７ｃｘには、必ずＶ＋４イオンが含まれている。Ｖ＋４イオンは、ａ）ガラスフリット自体に含まれたＶ＋４イオン、ｂ）熱処理段階で、ガラスフリットに存在しうるＶ＋５イオンがシーリング材形成用の組成物に存在しうる還元剤によって還元されることによって生成されたＶ＋４イオン、またはｃ）ガラスフリットに存在しうるＶ＋５イオンが還元雰囲気下で熱処理されることによって生成されたＶ＋４イオンでありうる。
【０１０６】
（エ）次に、図７に示すように、熱処理されたシーリング材形成用の組成物２７ａｘ〜２７ｃｘ及び発光素子２３が第１基板２１及び第２基板２５間に位置するように、第１基板２１及び第２基板２５を合着させる。このとき、熱処理されたシーリング材形成用の組成物２７ａｘ〜２７ｃｘは、例えば、発光素子２３を取り囲む形態になりうる。
【０１０７】
（オ）その後、図８に示すように、熱処理されたシーリング材形成用の組成物２７ａｘ〜２７ｃｘに電磁波２９を照射し、図９に示すように、第１基板２１と第２基板２５とを接着させ、発光素子２３ａ〜２３ｃを密封させるシーリング材２８ａ〜２８ｃを形成する。
【０１０８】
電磁波２９は、第１基板２１または第２基板２５を介して熱処理されたシーリング材形成用の組成物２７ａｘ〜２７ｃｘに照射されうる。このとき、熱処理されたシーリング材形成用の組成物２７ａｘ〜２７ｃｘに存在するＶ＋４イオンは、電磁波２９を吸収し、そのエネルギーによって軟化及び／または溶融されつつ、シーリング材２８になりうる。
【０１０９】
電磁波２９は、Ｖ＋４イオンが吸収できる波長領域である２００ｎｍないし１０，０００ｎｍの波長範囲を有することができる。したがって、電磁波２９としては、紫外線、可視光線、赤外線などを用いることができる。電磁波２９のソースとしては、前述のような波長領域を有する電磁波を放出できるレーザ、光ランプなどであるが、これらに限定されない。例えば、電磁波２９は、８１０ｎｍのレーザ光を用いることができる。
【０１１０】
図８に示すように、本発明の実施形態にかかる製造方法によれば、シーリング材の形成領域にだけ電磁波を選択的に照射することにより、シーリング材を形成できる。これにより、シーリング材２８の形成時に、発光素子２３の劣化が防止されうる。
【０１１１】
実施形態にかかる発光装置の製造方法は、図３ないし図９を参照して説明したが、これらに限定されるものではなく、多様な変形例が可能である。
【０１１２】
実施形態にかかる発光装置のシーリング材は、電磁波照射によって形成されうる。このために、図８に示された電磁波照射の段階中で、熱処理されたシーリング材形成用の組成物２７ａｘ〜２７ｃｘには、必ずＶ＋４イオンが存在せねばならない。このために、次のような方法を利用できる：
ａ）Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物を利用する方法；
ｂ）シーリング材形成用の組成物に、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤を添加し、熱処理時にＶ＋５イオンをＶ＋４イオンを還元させる方法；
ｃ）還元雰囲気下で熱処理し、シーリング材形成用の組成物のうちＶ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる方法。
【０１１３】
ａ）、ｂ）及びｃ）のうち、一つ以上の方法を使用できる。例えば、Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物を還元雰囲気下で熱処理し、ガラスフリットのうち、Ｖ＋５イオンを追加的にＶ＋４イオンに還元させることができるなど、多様な変形例が可能である。
【０１１４】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
【実施例】
【０１１５】
実施例１
Ａ．ガラスフリットの製造
Ｖ２Ｏ５ ２９．２ｇ、ＺｎＯ ５．２ｇ、ＢａＯ １４．７ｇ及びＴｅＯ ２５０．８ｇを混合して白金ルツボに入れ、電気炉で約１時間８００℃で熱処理した。熱処理の結果として得た溶融物を冷却させた後、ボールミル（Ball-mill）を利用し、平均粒径（Ｄ50）が２μｍであり、平均粒径（DMAX）が１０μｍであるガラスフリットを得た。ガラスフリットは、Ｖ＋５イオン、Ｚｎ＋２イオン、Ｂａ＋２イオン及びＴｅ＋４イオンを含む。
【０１１６】
ガラスフリット５０ｇをＺｒ２（ＷＯ４）（ＰＯ４）２ ５０ｇ（平均粒径（Ｄ50）は３μｍ、平均粒径（DMAX）は１５μｍ、商品名はＺＷＰである、ＫＣＭ社製である）と混合した後、かかる混合物の熱膨張係数を熱機械分析装置（ＴＭＡ（thermal mechanical analysis）装置）を利用して測定した。その結果、ガラスフリットとＺｒ２（ＷＯ４）（ＰＯ４）２との混合物の熱膨張係数は、約５０ｘ１０−７／℃であることが確認された。
【０１１７】
混合物に、エチルセルロース系樹脂を含むビヒクルを５０ｇ混合した後で撹拌し、シーリング材形成用の組成物を得た。
【０１１８】
Ｂ．シーリング材形成用組成物の熱処理
Ａから得たシーリング材形成用の組成物を、スクリーンプリンティング法を利用してガラス基板上部に、幅６００μｍ、厚さ３０μｍに塗布した後、これを４２０℃の温度のＮ２雰囲気で４時間熱処理した。
【０１１９】
比較例１
実施例１のＡに記載されたような方法で、シーリング材形成用の組成物を製造した。その後、実施例１のＢのうち、Ｎ２雰囲気の代わりに大気（エアー）雰囲気下で熱処理した点を除いて、実施例１のＢに記載されたような方法で、シーリング材形成用の組成物を熱処理した。
【０１２０】
評価例１−透光率
実施例１によってＮ２雰囲気下で熱処理されたシーリング材形成用の組成物、及び比較例１によって大気雰囲気下で熱処理されたシーリング材形成用の組成物に対し、透光率を評価した。透光率は、４００ｎｍから１，１００ｎｍまでの波長の光を、それぞれ熱処理されたシーリング材形成用の組成物の塗布されたガラス基板を介して照射した後、その透過率を、紫外可視近赤外分光光度計（ＵＶ−ＶＩＳ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ装置）を利用して測定することによって評価した。その結果を図１０に示す。図１０によれば、実施例１から得た熱処理されたシーリング材形成用の組成物（Ｎ２雰囲気下で熱処理）に対する透光率は、８１０ｎｍ波長で１７．５％であったが、比較例１から得た熱処理されたシーリング材形成用の組成物（大気雰囲気下で熱処理）に対する透光率は、８１０ｎｍ波長で６０．５％であることを確認できる。すなわち、実施例１から得たＮ２雰囲気下で熱処理されたシーリング材形成用の組成物は、可視光線ないし近赤外線領域の光を効果的に吸収することが分かる。これはＮ２雰囲気下の熱処理結果、Ｖ＋５イオンがＶ＋４イオンに還元されたためであると分析される。
【０１２１】
実施例２
有機発光素子（本願出願人であるＳＤＩ社製作）を具備した第１ガラス基板を用意した。次に、実施例１のＡに示すようなシーリング材形成用の組成物を用意した後、実施例１のＢに記載されたと同一の方法を利用し、これを封止基板である第２ガラス基板に塗布した。シーリング材形成用の組成物が塗布された第２ガラス基板を４２０℃、Ｎ２雰囲気下で４時間熱処理した。
【０１２２】
その後、有機発光素子を熱処理されたシーリング材形成用の組成物を取り囲むように、第１ガラス基板と第２ガラス基板とを合着した後、８１０ｎｍ波長のレーザを、熱処理されたシーリング材形成用の組成物に照射し、シーリング材を形成した。
【０１２３】
シーリング材のシール幅を観察した写真を図１１に示す。図１１によれば、シール幅は約５００μｍと観察された。このことから、シーリング材は、レーザ光を吸収し、これによって溶融されたものであることが確認できる。
【０１２４】
比較例２
実施例２のうち、シーリング材形成用の組成物をＮ２雰囲気の代わりに、大気雰囲気下で熱処理した点を除いて、実施例２に記載された方法と同じ過程を行った。その結果、８１０ｎｍのレーザ照射によるシーリング材形成が不可能であり、第１ガラス基板及び第２ガラス基板が密封されなかった。特定理論に限定されないが、大気雰囲気下の熱処理によっては、十分な量のＶ＋４イオンが生成されず、レーザ光吸収が効果的に起こらなかったためであると分析される。
【０１２５】
比較例３
実施例２のうち、第２基板にシーリング材形成用の組成物の代わりに、有機シーラント（Sealant）であるエポキシ樹脂を塗布した後、これを硬化させシーリング材を形成したという点を除いて、実施例２に記載された方法と同じ方法で有機発光装置を製作した。
【０１２６】
評価例２−寿命特性評価
実施例２及び比較例３から得た有機発光装置の寿命を評価し、図１２及び図１３にそれぞれの結果を示した。具体的に、８５％の相対湿度及び８５℃の温度条件下で、３００時間放置した後で駆動評価を行うことにより、有機発光装置の寿命を評価した。図１２は、実施例２の有機発光装置を表したものであり、図１３に表した比較例３の有機発光装置とは異なり、実質的に暗点が発生していないことを確認できる。これは、実施例２の有機発光装置のシーリング材により、水分による劣化がほとんど起こっていないためであると分析される。これから、実施形態にかかる発光装置は、高寿命性を有することを確認できる。
【０１２７】
本発明の望ましい実施例を参照しつつ説明したが、当該技術分野の当業者は、本発明の思想及び領域から外れない範囲内で、本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解することが可能であろう。
【産業上の利用可能性】
【０１２８】
本発明のガラスフリット、シーリング材形成用の組成物及び発光装置は、例えば、ディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【符号の説明】
【０１２９】
１０，２０…発光装置
１１，２１…第１基板
１３…有機発光素子
２３ａ〜２３ｆ…有機発光素子
１５，２５…第２基板
１８…シーリング材
２８ａ〜２８ｆ…シーリング材
２７…シーリング材形成用の組成物
２７ａｘ，２７ｂｘ，２７ｃｘ…熱処理されたシーリング材形成用の組成物
２９…電磁波
４１…バッファ層
４２…半導体層
４３…ゲート絶縁膜
４４…ゲート電極
４５…層間絶縁膜
４６…ソース電極
４７…ドレイン電極
４８…パッシベーション膜
４９…画素定義膜
５０…有機発光素子
５１…第１電極
５２…有機層
５３…第２電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスフリット、シーリング材形成用の組成物、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。さらに詳細には、Ｖ＋４イオンを含むガラスフリット、Ｖ＋５イオン及びフィラを含むガラスフリット、該ガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物、該シーリング材形成用の組成物を利用して形成したシーリング材を具備した発光装置及び該発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子、電子放出素子、ディスプレイパネルのような電子素子は、水分及び／または酸素の浸透によって劣化してしまうという特性を有している。したがって、電子素子の安定した駆動と寿命との確保のために、封止構造が要求される。
【０００３】
電子素子を封止するために、従来は、金属カンやガラスを溝を有するようにキャップ状に加工しかかる溝に水分吸収のための乾湿剤をパウダー状に搭載したり、または水分吸収のための乾湿剤をフィルム形態に製造しかかるフィルムを両面テープを利用して接着する方法が用いられていた。
【０００４】
特許文献１は、有機化合物からなる有機発光層が互いに対向する一対の電極間に置かれた構造を有する積層体と、積層体を外気と遮断する気密性容器、及び気密性容器内に配置されたアルカリ金属またはアルカリ金属酸化物のような乾燥手段と、を有する有機電界発光表示素子を開示している。しかし、有機電界発光素子は、その気密性容器の形状により、表示装置全体が厚くなる。また、乾燥手段が水分を吸着した後、固体状態を維持するとしても、不透明であって前面発光に適用不可能である。
【０００５】
特許文献２は、０．１ないし２００μｍの粒子サイズを有する固体粒子を含む吸収剤及びバインダを利用して形成された吸収層を採用した有機電界発光素子を開示している。
【０００６】
しかし、従来の封止方法では、満足すべきレベルの寿命特性を有する有機発光装置を得られず、この改善が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平０９−１４８０６６号公報
【特許文献２】米国特許第６，２２６，８９０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、密封特性にすぐれるシーリング材を具備し、高寿命性を有する発光装置を提供することを目的とする。さらに、本発明は、発光装置を提供できるガラスフリット、シーリング材形成用の組成物及び発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明はＶ＋４イオンを含むガラスフリットを提供する。
【００１０】
本発明はＶ＋４イオンを含むガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物を提供する。シーリング材形成用の組成物は、リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラをさらに含んでもよい。
【００１１】
本発明はＶ＋５イオンを含むガラスフリット及びリン酸ジルコニウム・タングステン系フィラを含むシーリング材形成用の組成物を提供する。
【００１２】
本発明は、第１基板と、第２基板と、第１基板と第２基板との間に備わった発光素子と、第１基板と第２基板とを接着させ、発光素子を密封させるシーリング材とを具備した発光装置であって、シーリング材がＶ＋４イオンを含む発光装置を提供する。発光装置のシーリング材としては２００ｎｍないし１０，０００ｎｍ範囲の電磁波を放出できる電磁波ソースを照射して形成されたものを用いることができる。
【００１３】
本発明は、発光素子の備わった第１基板を用意する段階、前述のようなシーリング材形成用の組成物を用意する段階、シーリング材形成用の組成物を第２基板のシーリング材形成領域に提供する段階、シーリング材形成用の組成物が塗布された第２基板を熱処理する段階、熱処理されたシーリング材形成用の組成物及び発光素子が第１基板と第２基板との間に備わるように、第１基板と第２基板とを合着させる段階、及び熱処理されたシーリング材形成用の組成物に電磁波ソースを照射してシーリング材を形成する段階を含む発光装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、レーザ、光ランプのように、局部的に電磁波を供給できるソースを利用してシーリング材を形成できるので、シーリング材の形成時に発光素子の劣化が防止できるだけではなく、シーリング材の密封特性にすぐれ、高寿命性を有する発光装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態にかかる発光装置の具体例を概略的に図示した断面図である。
【図２】実施形態にかかる発光装置に備わった発光素子の具体例を概略的に図示した断面図である。
【図３】実施形態にかかる発光装置の製造方法の具体例を説明した図面である。
【図４】実施形態にかかる発光装置の製造方法の具体例を説明した図面である。
【図５】実施形態にかかる発光装置の製造方法の具体例を説明した図面である。
【図６】実施形態にかかる発光装置の製造方法の具体例を説明した図面である。
【図７】実施形態にかかる発光装置の製造方法の具体例を説明した図面である。
【図８】実施形態にかかる発光装置の製造方法の具体例を説明した図面である。
【図９】実施形態にかかる発光装置の製造方法の具体例を説明した図面である。
【図１０】実施例１から得たＮ２雰囲気下で熱処理されたシーリング材形成用の組成物、及び比較例１から得た大気雰囲気下で熱処理されたシーリング材形成用の組成物の透光率グラフである。
【図１１】実施例２から得たシーリング材のシール幅（seal width）を表した図面である。
【図１２】実施例２の有機発光装置の寿命特性を表したイメージである。
【図１３】比較例２の有機発光装置の寿命特性を表したイメージである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に実施形態を挙げて本発明を説明するが、本発明が以下の実施形態に限定されないことはいうまでもない。図中、同一の機能及び用途を有するものについては同様の符号を付して説明を省略する。
【００１７】
本発明の実施形態にかかるガラスフリット、シーリング材形成用の組成物及び発光装置の製造方法を利用すれば、製造コストが安く、シーリング特性にすぐれ、シーリング材の形成時に発光素子の劣化が防止され、長寿命を有する発光装置を得ることができる。
【００１８】
（ガラスフリット）
実施形態にかかるガラスフリットは、１種以上のイオンを含む酸化物であって、Ｖ＋４イオンを含む。Ｖ＋４イオンは、多様な波長の電磁波を吸収でき、Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットは、電磁波の照射によって軟化しうる。例えば、Ｖ＋４イオンは、８１０ｎｍのレーザ光を吸収できる。
【００１９】
ガラスフリットは、Ｖ＋４イオン以外にも、各種イオンをさらに含んでもよい。例えば、Ｖ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン、Ｔｅ＋４イオン、Ｆｅ＋３イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｎｄ＋２イオン、Ｋ＋１イオン、Ｓｂ＋３イオン、Ｐ＋５イオン、Ｔｉ＋２イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｂ＋３イオン、Ｗ＋６イオン、Ｓｎ＋２イオン、Ｂｉ＋３イオン、Ｃａ＋２イオン、Ｓｉ＋４イオン、Ｚｒ＋４イオン及びＭｇ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上のイオンをさらに含んでもよいが、これらに限定されない。
【００２０】
さらに具体的に、ガラスフリットは、Ｖ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン及びＴｅ＋４イオンをさらに含んでもよい。または、ガラスフリットは、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン及びＴｅ＋４イオンをさらに含んでもよい。
【００２１】
ガラスフリットに含まれたイオンのうち一部は、ガラスフリットのうち、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させるための還元剤から由来したイオンでありうる。例えば、Ａｌ＋３イオン、Ｓｎ２＋イオン、Ｍｇ＋２イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオンとしては、実施形態にかかるガラスフリットのうち、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させるために、ガラスフリット製造時に添加された還元剤であるＡｌ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎから由来したものを用いることができる。また、実施形態にかかるガラスフリットのうち、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤として、炭素（Ｃ）を利用できる。還元剤としてＣを利用する場合、これは、ガラスフリットに少量の有機物として残留しうる。
【００２２】
ガラスフリットは、電磁波を効果的に吸収できるように、０．１μｍないし３０μｍ、望ましくは、０．５μｍないし１５μｍの平均粒径（Ｄ50）を有することができる。一方、ガラスフリットの平均粒径（DMAX）は、１μｍないし１５０μｍ、望ましくは、３μｍないし３０μｍの平均粒径（DMAX）を有することができる。
【００２３】
ガラスフリットの「平均粒径Ｄ５０」及び「最大粒径Ｄmax」は、公知の測定機器及び測定原理を利用できる。例えば、前記ガラスフリットの平均粒径Ｄ５０及び最大粒径Ｄmaxは、Microtrac S3500（Microtrac社のParticle Analyzerである）で測定でき、これは、Tri-Laser System技術を利用するが、レーザをガラスフリットサンプルに０ないし１８０°の範囲で照射し、散乱した広範囲の粒径分布データを取った後、前記データを統計的に処理して平均粒径Ｄ５０及び最大粒径Ｄmaxを得ることができる。Ｄmaxは、粒径累積分布データのうち最大値を示すものであり、Ｄ５０は、粒径累積分布データのうち最大値対比で５０％に該当する値を示すものであり、Ｄ５０及びＤmaxの定義は、当業者に周知である。後述するようなフィラの平均粒径Ｄ５０及び最大粒径Ｄmax測定もまたこれと同一である。
【００２４】
（ガラスフリットの製造方法）
前述のようなＶ＋４イオンを含むガラスフリットの製造方法の具体例は、次の通りである。
【００２５】
（ア）まず、Ｖ２Ｏ５を含む各種酸化物と、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤とを混合する。Ｖ２Ｏ５以外の使用可能な各種酸化物としては、ＢａＯ、ＺｎＯ、ＴｅＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＮｄＯ、Ｋ２Ｏ、Ｓｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、ＴｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＷＯ６、ＳｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＣａＯ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２などがあるが、これらに限定されない。還元剤としては、Ａｌ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、炭素などがあるが、これらに限定されない。
【００２６】
（イ）その後、これをルツボに入れて熱処理する。熱処理温度及び熱処理温度は、溶融させようとする酸化物及び還元剤の種類及並びに量により異なるが、約６００℃ないし１，２００℃の温度範囲及び１０分ないし２４０分の時間範囲から選択されうる。これから得た融解物を冷却させてガラスを得た後、これを粉砕してＶ＋４イオンを含むガラスフリットを得ることができる。
【００２７】
前述のようなＶ＋４イオンを含むガラスフリットは、発光装置のシーリング材形成用の組成物に含まれうる。Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットについての詳細な説明は、前述参照。
【００２８】
シーリング材形成用の組成物は、Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットを含むが、２００ｎｍないし１０，０００ｎｍ波長範囲の電磁波を吸収できる。したがって、シーリング材形成用の組成物は、前述のような波長範囲を有する電磁波照射により、効果的に軟化しうる。
【００２９】
シーリング材形成用の組成物は、電磁波照射によって軟化しつつ、その体積が膨脹しうる。その場合、優秀な密封特性を有するシーリング材を得にくくなることがある。したがって、シーリング材形成用の組成物は、熱膨張係数を下げることができるフィラをさらに含んでもよい。
【００３０】
フィラの具体例としては、リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラ、リン酸ジルコニウム系フィラ（例えば、リン酸ジルコニウム）、ジルコニウム系フィラ（例えば、ジルコニウム）、ユークリプタイト系フィラ（例えば、β−ユークリプタイト）、コージエライト系フィラ、アルミナ、シリカ、ケイ酸亜鉛、チタン酸アルミニウムなどを挙げることができるが、これらに限定されない。このうち、２以上の組み合わせを使用できる。
【００３１】
さらに具体的に、リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラは、例えば、Ｚｒ２（ＷＯ４）（ＰＯ４）２であるが、これに限定されない。
【００３２】
前述のようなシーリング材形成用の組成物に含まれうるフィラは、電磁波照射によって効果的に軟化することが望ましい。これを考慮し、フィラの平均粒径（Ｄ50）は、０．１μｍないし３０μｍ、望ましくは、０．５μｍないし１５μｍである。一方、フィラの平均粒径（DMAX）は、１μｍないし１５０μｍ、望ましくは、３μｍないし３０μｍである。
【００３３】
前述のようなシーリング材形成用の組成物の熱膨張係数は、２５ｘ１０−７／℃ないし９５ｘ１０−７／℃、望ましくは、３５ｘ１０−７／℃ないし６５ｘ１０−７／℃になりうる。これにより、実施形態にかかる発光装置のシーリング材の形成時、電磁波照射による体積変化による基板間の不整合を防止できる。
【００３４】
前述のようなフィラの含有量は、前述のような熱膨張係数範囲を得つつも、ガラスフリットの含有量が過度に減少しない範囲内で選択されうる。例えば、フィラの含有量は、ガラスフリットの含有量及びフィラの含有量の総量１００重量部当たり５重量部ないし８０重量部、望ましくは、２０重量部ないし６０重量部の範囲から選択されうる。
【００３５】
一方、シーリング材形成用の組成物は、適切な印刷性、粘度、フロー性などを得るために、ビヒクルをさらに含んでもよい。ビヒクルとしては、シーリング材形成用の組成物を基板に提供した後、熱処理時に分解されうるような有機物を用いることができる。
【００３６】
例えば、ビヒクルは、樹脂及び溶媒を含んでもよい。樹脂は、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ビニル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂及びセルロース系樹脂からなる群から選択された一つ以上の樹脂であるが、これらに限定されない。溶媒は、テルピノール、ジヒドロテルピノール、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール及び２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオールモノブチレートからなる群から選択された一つ以上であるが、これらに限定されない。
【００３７】
より具体的には、アクリル系樹脂の例として、ブチルアクリレート、エチルヘキシルアクリレートなどがあり、メタクリル系樹脂の例として、プロピレングリコールメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなどがあり、ビニル系樹脂の例として、酢酸ビニル、Ｎ−ビニルピロリドンなどがあり、エポキシ系樹脂の例として、環状脂肪族エポキシド、エポキシアクリレートなどがあり、ウレタン系樹脂の例として、ウレタンアクリレートなどがあり、セルロース系樹脂の例として、エチルセルロース、硝酸セルロースなどがあるが、これらに限定されない。
【００３８】
ビヒクルの含有量は、シーリング材形成用の組成物の印刷性、粘度、フロー性などを考慮して選択されうるが、例えば、シーリング材形成用の組成物１００重量部当たり１０重量部ないし６０重量部、望ましくは、２０重量部ないし５０重量部の範囲内で選択されうる。
【００３９】
実施形態にかかるシーリング材形成用の組成物は、Ｖ＋５イオンを含むガラスフリット及びフィラを含むが、フィラとしては、リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラを用いることができる。
【００４０】
本明細書において、「Ｖ＋５イオンを含むガラスフリット」とは、Ｖ＋４イオンを含んでいないガラスフリットを意味する。後述のように、実施形態にかかる発光装置のシーリング材は、必ずＶ＋４イオンを含むが、Ｖ＋４イオンは、多様な方法でシーリング材に含まれうる。例えば、前述のように、ガラスフリット自体がＶ＋４イオンを含んでもよいが、Ｖ＋４イオンを含んでいないガラスフリットを利用しても、還元剤を利用するか、または還元雰囲気下で熱処理し、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させることができる。すなわち、Ｖ＋５イオンを含むガラスフリット及びフィラを含むシーリング材形成用の組成物は、ガラスフリット自体がＶ＋４イオンを含んでいないにしても、還元剤を利用したり、または還元雰囲気下で熱処理されることにより、Ｖ＋４イオンを含んでもよい。
【００４１】
シーリング材形成用の組成物のうち、Ｖ＋５イオンを含むガラスフリットは、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン、Ｔｅ＋４イオン、Ｆｅ＋３イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｎｄ＋２イオン、Ｋ＋１イオン、Ｓｂ＋３イオン、Ｐ＋５イオン、Ｔｉ＋２イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｂ＋３イオン、Ｗ＋６イオン、Ｓｎ＋２イオン及びＢｉ＋３イオン、Ｃａ＋２イオン、Ｓｉ＋４イオン、Ｚｒ＋４イオン及びＭｇ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上のイオンをさらに含んでもよいが、これらに限定されない。
【００４２】
さらに具体的に、Ｖ＋５イオンを含むガラスフリットは、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン及びＴｅ＋４イオンをさらに含んでもよい。
【００４３】
ガラスフリットは、電磁波を効果的に吸収できるように、０．１μｍないし３０μｍ、望ましくは、０．５μｍないし１５μｍの平均粒径（Ｄ50）を有することができる。一方、ガラスフリットの平均粒径（DMAX）は、１μｍないし１５０μｍ、望ましくは、３μｍないし３０μｍである。
【００４４】
シーリング材形成用の組成物に含まれたリン酸ジルコニウム・タングステン系フィラは、Ｚｒ２（ＷＯ４）（ＰＯ４）２であるが、これに限定されない。
【００４５】
シーリング材形成用の組成物は、リン酸ジルコニウム系フィラ（例えば、リン酸ジルコニウム）、ジルコニウム系フィラ（例えば、ジルコニウム）、ユークリプタイト系フィラ（例えば、β−ユークリプタイト）、コージエライト系フィラ、アルミナ、シリカ、ケイ酸亜鉛及びチタン酸アルミニウムからなる群から選択されたフィラをさらに含んでもよいが、これらに限定されない。
【００４６】
前述のようなシーリング材形成用の組成物に含まれうるフィラは、電磁波照射によって効果的に軟化することが望ましい。これを考慮し、フィラの平均粒径（Ｄ50）は、０．１μｍないし３０μｍ、望ましくは、０．５μｍないし１５μｍである。一方、フィラの平均粒径（DMAX）は、１μｍないし１５０μｍ、望ましくは、３μｍないし６０μｍである。
【００４７】
前述のようなシーリング材形成用の組成物の熱膨張係数は、２５ｘ１０−７／℃ないし９５ｘ１０−７／℃、望ましくは、３５ｘ１０−７／℃ないし６５ｘ１０−７／℃になりうる。これにより、実施形態にかかる発光装置のシーリング材の形成時、電磁波照射による体積変化による基板間の不整合を防止できる。
【００４８】
前述のようなフィラの含有量は、前述のような熱膨張係数範囲を得つつも、ガラスフリットの含有量が過度に減少しない範囲内で選択されうる。例えば、フィラの含有量は、ガラスフリットの含有量及びフィラの含有量総量１００重量部当たり５重量部ないし８０重量部、望ましくは、２０重量部ないし６０重量部の範囲から選択されうる。
【００４９】
Ｖ＋５イオンを含むガラスフリット及びフィラを含むシーリング材形成用に組成物は、還元剤をさらに含んでもよい。還元剤は、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる役割を行う。例えば、実施形態にかかるシーリング材形成用の組成物は、基板に塗布された後、電磁波ソースにより照射される前に熱処理過程を経るが、このとき、シーリング材形成用の組成物に含まれた還元剤により、ガラスフリットのうちＶ＋５イオンは、Ｖ＋４イオンに還元されうる。
【００５０】
還元剤の例としては、アルミニウム（Ａｌ）、錫（Ｓｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、炭素（Ｃ）などがあるが、これらに限定されない。
【００５１】
還元剤の含有量は、ガラスフリットの含有量、シーリング材形成用の組成物の熱処理温度及び時間によって異なりうるが、ほぼガラスフリット１００重量部当たり０．０１重量部ないし２０重量部、望ましくは、０．１重量部ないし２重量部の範囲内で選択されうる。
【００５２】
シーリング材形成用の組成物は、適切な印刷性、粘度、フロー性などを得るために、ビヒクルをさらに含んでもよい。ビヒクルとしては、シーリング材形成用の組成物を基板に提供した後、熱処理時に分解されうるような有機物を用いることが出来る。
【００５３】
例えば、ビヒクルは、樹脂及び溶媒を含んでもよい。樹脂は、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ビニル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂及びセルロース系樹脂からなる群から選択された一つ以上であるが、これらに限定されない。溶媒は、テルピノール、ジヒドロテルピノール、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール及び２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオールモノブチレートからなる群から選択された一つ以上であるが、これらに限定されない。
【００５４】
ビヒクルにうち一部以上は、前述のようなＶ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤としての役割を行うこともできる。
【００５５】
さらに具体的に、アクリル系樹脂の例として、ブチルアクリレート、エチルヘキシルアクリレートなどがあり、メタクリル系樹脂の例として、プロピレングリコールメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなどがあり、ビニル系樹脂の例として酢酸ビニル、Ｎ−ビニルピロリドンなどがあり、エポキシ系樹脂の例として、環状脂肪族エポキシド、エポキシアクリレートなどがあり、ウレタン系樹脂の例として、ウレタンアクリレートなどがあり、セルロース系樹脂の例として、エチルセルロース、硝酸セルロースなどがあるが、これらに限定されない。
【００５６】
ビヒクルの含有量は、シーリング材形成用の組成物の印刷性、粘度、フロー性などを考慮して選択されうるが、例えば、シーリング材形成用の組成物１００重量部当たり１０重量部ないし６０重量部、望ましくは、２０重量部ないし５０重量部の範囲内で選択されうる。
【００５７】
以上、述べた通り、ｉ）Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物、及びｉｉ）Ｖ＋５イオンを含むガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物は、各種電子装置、例えば、有機発光表示装置、電子放出表示装置、プラズマディスプレイパネルなどにおいて、発光素子を酸素及び／または水分から遮断して密封するシーリング材を形成するのに使われうる。
【００５８】
ｉ）Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物のうち、Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットは、Ｖ＋４イオン以外にも、Ｖ＋５イオンをさらに含んでもよいので、必要により、ｉｉ）Ｖ＋５イオンを含むガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物に追加されうる還元剤をさらに含み、残存するＶ＋５イオンを追加で還元させることもできる。
【００５９】
実施形態にかかる発光装置は、第１基板、第２基板、第１基板と第２基板との間に備わった発光素子、及び第１基板と第２基板とを接着させ、発光素子を密封させるシーリング材を有する。実施形態にかかる発光装置の具体例を図示した図１を参照し、実施形態にかかる発光装置をさらに詳細に説明する。
【００６０】
図１は、実施形態にかかる発光装置の一具体例であって、発光素子が有機発光素子である有機発光装置の断面図を概略的に図示したものである。
【００６１】
図１の発光装置１０は、第１基板１１及び第２基板１５を具備し、第１基板１１の上部には、発光素子１３が備わっている。図１の発光装置１０のうち第２基板１５は、封止基板の役割を行う。そして、第１基板１１と第２基板１５との間には、第１基板１１と第２基板１５とを互いに接着させ、発光素子を密封させるシーリング材１８が備わっている。シーリング材１８は、Ｖ＋４イオンを含む。
【００６２】
第１基板１１は、各種発光装置で一般的に使用できる基板ならば、特別に限定されない。例えば、ガラス基板、金属基板、プラスチック材基板などを使用できるが、これらに限定されない。
【００６３】
（有機発光素子）
図２は、有機発光素子１３の一具体例の断面図を概略的に図示する。さらに具体的に、図２は、能動（ＡＭ：Active Matrix type）駆動型有機発光素子１３の一具体例の断面図を概略的に図示する。
【００６４】
基板１１の上面には、基板１１の平滑性と不純元素の浸透遮断とのために、バッファ層４１が備わっている。バッファ層４１は、ＳｉＯ２及び／またはＳｉＮｘなどで形成できるが、これらに限定されない。
【００６５】
基板１１の上面に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が備わっている。ＴＦＴは、各画素別に一つ以上備わりうる。
【００６６】
具体的に、バッファ層４１上に、所定パターンの半導体層４２が形成されている。半導体層４２は、非晶質シリコンまたはポリシリコンのような無機半導体物質、またはペンタセンのような有機半導体物質を含むことができ、ソース領域、ドレイン領域及びチャンネル領域を備える。
【００６７】
半導体層４２の上部には、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘなどから形成されるゲート絶縁膜４３が備わっており、ゲート絶縁膜４３の上部には、ゲート電極４４が備わっている。ゲート電極４４は、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕのような物質を含むが、これに限定されるものではなく、隣接層との密着性、積層される層の平坦性、電気抵抗及び加工性などを考慮し、多様な材料からなりうる。
【００６８】
ゲート電極４４は、ＴＦＴオン／オフ信号を印加するゲートライン（図示せず）と連結されている。
【００６９】
ゲート電極４４の上部には、層間絶縁膜４５が備わっており、層間絶縁膜４５の上部には、ソース電極４６及びドレイン電極４７が備わっている。ソース電極４６及びドレイン電極４７は、例えば、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ａｌ、Ｍｏ、またはこれら以外にも、Ａｌ：Ｎｄ合金、ＭｏＷ合金のような二種以上の金属からなる合金を使用でき、金属の酸化物としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＮｉＯ、Ａｇ２Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３・Ａｇ２Ｏ、ＣｕＡｌＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、及びＺｒでドーピングされたＺｎＯなどを使用できるが、これらに限定されない。前述のような金属または金属酸化物のうち、２以上を組み合わせて使用できる。
【００７０】
ソース電極４６及びドレイン電極４７は、コンタクトホールを介してそれぞれ半導体層４２のソース及びドレインの領域に電気的に連結されうる。かようなＴＦＴの上部には、パッシベーション膜４８が備わっている。
【００７１】
パッシベーション膜４８は、無機物及び／または有機物を含んでもよい。無機物の例には、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ、ＰＺＴなどを含むことができ、有機物の例としては、一般汎用高分子（ＰＭＭＡ、ＰＳ）、フェノール基を有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びそれらの混合物などを含んでもよいが、これらに限定されない。パッシベーション膜４８は、無機絶縁膜と有機絶縁膜との複合積層体でもっても形成可能である。
【００７２】
パッシベーション膜４８の上部には、有機発光素子５０のアノード電極になりうる第１電極５１が備わっている。第１電極５１は、例えば、仕事関数の大きいＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などを利用して透明電極として備わりうる。または、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びそれらの組み合わせを含む反射膜を形成した後、その上に、仕事関数の大きいＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などを形成することにより、反射電極として備わりうるなど、多様な変形例が可能である。第１電極５１は、ＴＦＴのドレイン電極４７と電気的に連結されている。
【００７３】
第１電極５１の上部には、画素定義膜４９が備わっているが、画素定義膜４９は、第１電極５１の一部以上を露出させ、有機層５２の備わりうる開口部を有する。画素定義膜４９の開口部には、有機層５２が備わっており、その上部には、カソード電極になる第２電極５３が備わっている。
【００７４】
第１電極５１と第２電極５３との間に介在された有機層５２は、第１電極５１と第２電極５３との電気的駆動により発光する。有機層５２は、低分子または高分子の有機物を使用できる。一方、有機層５２は、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から選択された一つ以上の層を、必要によって含んでもよい。使用可能な低分子有機材料としては、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを挙げることができ、高分子有機材料としては、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）やポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを利用できるが、これらに限定されない。有機層５２は、蒸着法、レーザを利用した熱転写方式、インクジェットプリンティング、スピンコーティング法のような多様な方法を利用して形成できる。
【００７５】
第２電極５３としては、仕事関数の小さな金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａなどを利用した透明電極または反射電極を用いることができる。または、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３のような透明導電物質で、補助電極層やバス電極ラインを追加で形成できるなど、多様な変形例が可能である。
【００７６】
たとえ図示されていないにしても、第２電極５３の上部には、保護層を追加で形成できるが、保護層は、耐熱性、耐化学性、耐透湿性を提供し、有機層５２に水分及び／または酸素が浸透することを追加で防止する役割を行う。保護層は、無機層や、無機層と有機層とが交互に積層された構造を有することができるなど、多様な変形例が可能である。
【００７７】
保護層に含まれうる無機層は、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、スズ酸化物、セリウム酸化物及びシリコン酸化窒化物（ＳｉＯＮ）からなる群から選択された一つ以上の金属酸化物を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００７８】
保護層に含まれうる有機層は、ベンゾシクロブテン環含有化合物の架橋体、またはヒドロシルセスキオキサンなどからなりうるが、これらに限定されない。
【００７９】
尚、保護層に含まれうる無機層及び有機層についてのより詳細な説明は、大韓民国特許公開第２００５−００７７９１９号公報に記載されている。
【００８０】
実施形態にかかる発光装置の発光素子の例として、図２に図示された有機発光素子について説明したが、本発明の発光装置は、その他多様な形態の発光素子を含んでもよい。
【００８１】
図１の発光装置１０のうち第２基板１５としては、封止基板を用いることができる。第２基板１５としては、絶縁体であるガラス基板または透明なプラスチック基板を使用し、プラスチック基板でもって形成する場合、プラスチック基板の内面は、水分から保護するための保護膜が形成され、保護膜は、耐熱性、耐化学性、耐透湿性を有するようにする。このように、封止基板が透明性材質からなる場合には、前面発光型に利用されうる。
【００８２】
第１基板１１と第２基板１５との間には、第１基板１１と第２基板１５を接着させ、発光素子１３を密封（特に、酸素及び水分から）させるシーリング材１８が備わっている。
【００８３】
シーリング材１８は、Ｖ＋４イオンを含む。Ｖ＋４イオンは、２００ｎｍないし１０，０００ｎｍ波長の範囲を有する電磁波（例えば、紫外線、可視光線、赤外線など）を効果的に吸収できる。かような電磁波の吸収程度を考慮し、シーリング材１８のうち、Ｖ＋４イオンの含有量は、０．００１モル％ないし５０モル％、望ましくは、０．０１モル％ないし３０モル％である。一方、シーリング材１８としては、レーザまたは光ランプを利用して形成されたものを用いることができる。レーザまたは光ランプなどは、シーリング材形成領域に対して局部的に電磁波を照射することができるものであるので、発光装置１０の発光素子１３は、シーリング材１８の形成時に実質的に劣化されない。
【００８４】
シーリング材１８は、フィラをさらに含んでもよい。
【００８５】
フィラは、シーリング材形成用の組成物の熱膨張係数を下げる役割を行うものである。
【００８６】
フィラの具体例としては、リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラ、リン酸ジルコニウム系フィラ（例えば、リン酸ジルコニウム）、ジルコニウム系フィラ（例えば、ジルコニウム）、ユークリプタイト系フィラ（例えば、β−ユークリプタイト）、コージエライト系フィラ、アルミナ、シリカ、ケイ酸亜鉛、チタン酸アルミニウムなどを挙げることができるが、これらに限定されない。このうち、２以上の組み合わせを使用できる。
【００８７】
さらに具体的に、リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラは、例えば、Ｚｒ２（ＷＯ４）（ＰＯ４）２であるが、これに限定されない。
【００８８】
フィラは、電磁波照射によって効果的に軟化することが望ましい。これを考慮し、フィラの平均粒径（Ｄ50）は、０．１μｍないし３０μｍ、望ましくは、０．５μｍないし１５０μｍである。一方、フィラの平均粒径（DMAX）は、１μｍないし１５０μｍ、望ましくは、３μｍないし３０μｍである。
【００８９】
前述のようなフィラの含有量は、前述のような熱膨張係数範囲を得つつも、ガラスフリットの含有量が過度に減少しない範囲内で選択されうる。例えば、フィラの含有量は、ガラスフリットの含有量及びフィラ含有量の総量１００重量部当たり５重量部ないし８０重量部、望ましくは、２０重量部ないし６０重量部の範囲から選択されうる。
【００９０】
シーリング材１８は、Ｖ＋４イオン以外にも、各種イオンをさらに含んでもよい。例えば、Ｖ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン、Ｔｅ＋４イオン、Ｆｅ＋３イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｎｄ＋２イオン、Ｋ＋１イオン、Ｓｂ＋３イオン、Ｐ＋５イオン、Ｔｉ＋２イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｂ＋３イオン、Ｗ＋６イオン、Ｓｎ＋２イオン、Ｂｉ＋３イオン、Ｃａ＋２イオン、Ｓｉ＋４イオン、Ｚｒ＋４イオン及びＭｇ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上のイオンをさらに含んでもよいが、これらに限定されない。
【００９１】
さらに具体的に、シーリング材１８は、Ｖ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン及びＴｅ＋４イオンをさらに含んでもよい。または、シーリング材１８は、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン及びＴｅ＋４イオンをさらに含んでもよい。
【００９２】
シーリング材１８に含まれたイオンのうち一部は、ガラスフリットに含まれたＶ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させるための還元剤から由来したイオンでありうる。例えば、Ａｌ＋３イオン、Ｓｎ２＋イオン、Ｍｇ＋２イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオンなどは、実施形態にかかるガラスフリットのうち、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させるために、ガラスフリット製造時に添加された還元剤であるＡｌ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎなどから由来したものを用いることができる。一方、シーリング材１８は、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤として利用された炭素（Ｃ）から由来した少量の有機物を含むこともできる。
【００９３】
（発光装置の製造方法）
実施形態にかかる発光装置の製造方法の具体例を、図３ないし図９を用いて以下に説明する。
【００９４】
図９に示すように、実施形態にかかる発光装置２０は、第１基板２１と、第１基板２１上に等間隔に離間して配置された発光素子２３ａ、２３ｂ、２３ｃと、発光素子２３ａ〜２３ｃを密封するように発光素子２３ａ〜２３ｃの周囲を取り囲むように配置されたシーリング材２８ａ、２８ｂ、２８ｃと、シーリング材２８ａ、２８ｂ、２８ｃを挟んで発光素子２３ａ〜２３ｃを密封するように第１基板２１に対向して配置された第２基板２５と、を有する。
【００９５】
（ア）まず、図３に示すように、発光素子２３を備える第１基板２１を用意する。第１基板２１は、前述のように、各種電子装置で使われうる基板であり、発光素子２３は、有機発光素子であるが、これらに限定されない。発光素子２３の製造方法は、種々の方法を利用できる。
【００９６】
（イ）次に第２基板２５を用意する。そして、図４（断面図）及び図５（上面図）に示すように第２基板２５の上部に、シーリング材形成領域に沿ってシーリング材形成用の組成物２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄ，２７ｅ，２７ｆを設ける。シーリング材の形成領域は、例えば、図５に示すように、第１基板２１と第２基板２５との合着後、有機発光素子２３を取り囲む形状であるが、これに限定されない。第２基板２５は封止基板であって、ガラス基板またはプラスチック基板を利用できる。
【００９７】
シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆは、前述のような、ｉ）Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物、またはｉｉ）Ｖ＋５イオンを含むガラスフリット及びフィラを含むシーリング材形成用の組成物を用いることができる。尚、これについての詳細な説明については前述参照。
【００９８】
シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆを第２基板２５に提供する方法は、インクジェットプリンティング法、スクリーンプリンティング法など、公知の多様な方法を利用できる。
【００９９】
シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆには、Ｖ＋４イオンが含まれることもあり、含まれないこともある。例えば、Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットを含む場合には、シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆには、Ｖ＋４イオンが存在し、そうではない場合には、シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆには、Ｖ＋４イオンが存在しないこともある。このとき、後述する熱処理段階により、Ｖ＋４イオンが生成されうる。
【０１００】
（ウ）次に、シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆが設けられた第２基板２５を熱処理し、図６に示すように、熱処理されたシーリング材形成用の組成物２７ａｘ，２７ｂｘ，２７ｃｘが塗布された第２基板２５を得る。
【０１０１】
熱処理を介し、シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆは、一定の形状を有する膜の形態を備えることができ、シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆのうち一部以上のＶ＋５イオンは、Ｖ＋４イオンに還元されうる。したがって、図７に示すような合着段階を効果的に行うことができ、図８に示すように、電磁波を照射する場合、これを効果的に吸収できる。熱処理の結果、シーリング材形成用の組成物のうち、ビヒクルは分解されうる。
【０１０２】
熱処理雰囲気は、還元雰囲気または大気雰囲気でありうる。還元雰囲気は、例えば、Ｎ２雰囲気、水素雰囲気などでありうる。これにより、シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆのうち、Ｖ＋５イオンがＶ＋４イオンに還元されうる。特に、ガラスフリットがＶ＋４イオンを含有せず、シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆがＶ＋４イオンをＶ＋５イオンに還元させる還元剤を含んでいない場合、熱処理雰囲気は、還元雰囲気であることが望ましい。
【０１０３】
シーリング材形成用の組成物２７ａ〜２７ｆが還元剤を含む場合、熱処理雰囲気は、必ずしも還元雰囲気である必要はない。Ａｌ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、炭素のような還元剤を含む場合、それらは、熱処理段階で酸化されつつ、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させることができる。
【０１０４】
熱処理温度及び時間は、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させることができる温度及び時間、シーリング材形成用の組成物のうち、ビヒクルを分解させることができるほどの温度及び時間のうちから選択されたことが望ましい。これを考慮し、熱処理温度及び時間は、２５０℃ないし７５０℃、望ましくは、３５０℃ないし５５０℃の範囲、及び５分ないし２４０分、望ましくは、１０分ないし１２０分の範囲から選択されうる。
【０１０５】
図６に示すような熱処理されたシーリング材形成用の組成物２７ａｘ〜２７ｃｘには、必ずＶ＋４イオンが含まれている。Ｖ＋４イオンは、ａ）ガラスフリット自体に含まれたＶ＋４イオン、ｂ）熱処理段階で、ガラスフリットに存在しうるＶ＋５イオンがシーリング材形成用の組成物に存在しうる還元剤によって還元されることによって生成されたＶ＋４イオン、またはｃ）ガラスフリットに存在しうるＶ＋５イオンが還元雰囲気下で熱処理されることによって生成されたＶ＋４イオンでありうる。
【０１０６】
（エ）次に、図７に示すように、熱処理されたシーリング材形成用の組成物２７ａｘ〜２７ｃｘ及び発光素子２３が第１基板２１及び第２基板２５間に位置するように、第１基板２１及び第２基板２５を合着させる。このとき、熱処理されたシーリング材形成用の組成物２７ａｘ〜２７ｃｘは、例えば、発光素子２３を取り囲む形態になりうる。
【０１０７】
（オ）その後、図８に示すように、熱処理されたシーリング材形成用の組成物２７ａｘ〜２７ｃｘに電磁波２９を照射し、図９に示すように、第１基板２１と第２基板２５とを接着させ、発光素子２３ａ〜２３ｃを密封させるシーリング材２８ａ〜２８ｃを形成する。
【０１０８】
電磁波２９は、第１基板２１または第２基板２５を介して熱処理されたシーリング材形成用の組成物２７ａｘ〜２７ｃｘに照射されうる。このとき、熱処理されたシーリング材形成用の組成物２７ａｘ〜２７ｃｘに存在するＶ＋４イオンは、電磁波２９を吸収し、そのエネルギーによって軟化及び／または溶融されつつ、シーリング材２８になりうる。
【０１０９】
電磁波２９は、Ｖ＋４イオンが吸収できる波長領域である２００ｎｍないし１０，０００ｎｍの波長範囲を有することができる。したがって、電磁波２９としては、紫外線、可視光線、赤外線などを用いることができる。電磁波２９のソースとしては、前述のような波長領域を有する電磁波を放出できるレーザ、光ランプなどであるが、これらに限定されない。例えば、電磁波２９は、８１０ｎｍのレーザ光を用いることができる。
【０１１０】
図８に示すように、本発明の実施形態にかかる製造方法によれば、シーリング材の形成領域にだけ電磁波を選択的に照射することにより、シーリング材を形成できる。これにより、シーリング材２８の形成時に、発光素子２３の劣化が防止されうる。
【０１１１】
実施形態にかかる発光装置の製造方法は、図３ないし図９を参照して説明したが、これらに限定されるものではなく、多様な変形例が可能である。
【０１１２】
実施形態にかかる発光装置のシーリング材は、電磁波照射によって形成されうる。このために、図８に示された電磁波照射の段階中で、熱処理されたシーリング材形成用の組成物２７ａｘ〜２７ｃｘには、必ずＶ＋４イオンが存在せねばならない。このために、次のような方法を利用できる：
ａ）Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物を利用する方法；
ｂ）シーリング材形成用の組成物に、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤を添加し、熱処理時にＶ＋５イオンをＶ＋４イオンを還元させる方法；
ｃ）還元雰囲気下で熱処理し、シーリング材形成用の組成物のうちＶ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる方法。
【０１１３】
ａ）、ｂ）及びｃ）のうち、一つ以上の方法を使用できる。例えば、Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットを含むシーリング材形成用の組成物を還元雰囲気下で熱処理し、ガラスフリットのうち、Ｖ＋５イオンを追加的にＶ＋４イオンに還元させることができるなど、多様な変形例が可能である。
【０１１４】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
【実施例】
【０１１５】
実施例１
Ａ．ガラスフリットの製造
Ｖ２Ｏ５ ２９．２ｇ、ＺｎＯ ５．２ｇ、ＢａＯ １４．７ｇ及びＴｅＯ ２５０．８ｇを混合して白金ルツボに入れ、電気炉で約１時間８００℃で熱処理した。熱処理の結果として得た溶融物を冷却させた後、ボールミル（Ball-mill）を利用し、平均粒径（Ｄ50）が２μｍであり、平均粒径（DMAX）が１０μｍであるガラスフリットを得た。ガラスフリットは、Ｖ＋５イオン、Ｚｎ＋２イオン、Ｂａ＋２イオン及びＴｅ＋４イオンを含む。
【０１１６】
ガラスフリット５０ｇをＺｒ２（ＷＯ４）（ＰＯ４）２ ５０ｇ（平均粒径（Ｄ50）は３μｍ、平均粒径（DMAX）は１５μｍ、商品名はＺＷＰである、ＫＣＭ社製である）と混合した後、かかる混合物の熱膨張係数を熱機械分析装置（ＴＭＡ（thermal mechanical analysis）装置）を利用して測定した。その結果、ガラスフリットとＺｒ２（ＷＯ４）（ＰＯ４）２との混合物の熱膨張係数は、約５０ｘ１０−７／℃であることが確認された。
【０１１７】
混合物に、エチルセルロース系樹脂を含むビヒクルを５０ｇ混合した後で撹拌し、シーリング材形成用の組成物を得た。
【０１１８】
Ｂ．シーリング材形成用組成物の熱処理
Ａから得たシーリング材形成用の組成物を、スクリーンプリンティング法を利用してガラス基板上部に、幅６００μｍ、厚さ３０μｍに塗布した後、これを４２０℃の温度のＮ２雰囲気で４時間熱処理した。
【０１１９】
比較例１
実施例１のＡに記載されたような方法で、シーリング材形成用の組成物を製造した。その後、実施例１のＢのうち、Ｎ２雰囲気の代わりに大気（エアー）雰囲気下で熱処理した点を除いて、実施例１のＢに記載されたような方法で、シーリング材形成用の組成物を熱処理した。
【０１２０】
評価例１−透光率
実施例１によってＮ２雰囲気下で熱処理されたシーリング材形成用の組成物、及び比較例１によって大気雰囲気下で熱処理されたシーリング材形成用の組成物に対し、透光率を評価した。透光率は、４００ｎｍから１，１００ｎｍまでの波長の光を、それぞれ熱処理されたシーリング材形成用の組成物の塗布されたガラス基板を介して照射した後、その透過率を、紫外可視近赤外分光光度計（ＵＶ−ＶＩＳ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ装置）を利用して測定することによって評価した。その結果を図１０に示す。図１０によれば、実施例１から得た熱処理されたシーリング材形成用の組成物（Ｎ２雰囲気下で熱処理）に対する透光率は、８１０ｎｍ波長で１７．５％であったが、比較例１から得た熱処理されたシーリング材形成用の組成物（大気雰囲気下で熱処理）に対する透光率は、８１０ｎｍ波長で６０．５％であることを確認できる。すなわち、実施例１から得たＮ２雰囲気下で熱処理されたシーリング材形成用の組成物は、可視光線ないし近赤外線領域の光を効果的に吸収することが分かる。これはＮ２雰囲気下の熱処理結果、Ｖ＋５イオンがＶ＋４イオンに還元されたためであると分析される。
【０１２１】
実施例２
有機発光素子（本願出願人であるＳＤＩ社製作）を具備した第１ガラス基板を用意した。次に、実施例１のＡに示すようなシーリング材形成用の組成物を用意した後、実施例１のＢに記載されたと同一の方法を利用し、これを封止基板である第２ガラス基板に塗布した。シーリング材形成用の組成物が塗布された第２ガラス基板を４２０℃、Ｎ２雰囲気下で４時間熱処理した。
【０１２２】
その後、有機発光素子を熱処理されたシーリング材形成用の組成物を取り囲むように、第１ガラス基板と第２ガラス基板とを合着した後、８１０ｎｍ波長のレーザを、熱処理されたシーリング材形成用の組成物に照射し、シーリング材を形成した。
【０１２３】
シーリング材のシール幅を観察した写真を図１１に示す。図１１によれば、シール幅は約５００μｍと観察された。このことから、シーリング材は、レーザ光を吸収し、これによって溶融されたものであることが確認できる。
【０１２４】
比較例２
実施例２のうち、シーリング材形成用の組成物をＮ２雰囲気の代わりに、大気雰囲気下で熱処理した点を除いて、実施例２に記載された方法と同じ過程を行った。その結果、８１０ｎｍのレーザ照射によるシーリング材形成が不可能であり、第１ガラス基板及び第２ガラス基板が密封されなかった。特定理論に限定されないが、大気雰囲気下の熱処理によっては、十分な量のＶ＋４イオンが生成されず、レーザ光吸収が効果的に起こらなかったためであると分析される。
【０１２５】
比較例３
実施例２のうち、第２基板にシーリング材形成用の組成物の代わりに、有機シーラント（Sealant）であるエポキシ樹脂を塗布した後、これを硬化させシーリング材を形成したという点を除いて、実施例２に記載された方法と同じ方法で有機発光装置を製作した。
【０１２６】
評価例２−寿命特性評価
実施例２及び比較例３から得た有機発光装置の寿命を評価し、図１２及び図１３にそれぞれの結果を示した。具体的に、８５％の相対湿度及び８５℃の温度条件下で、３００時間放置した後で駆動評価を行うことにより、有機発光装置の寿命を評価した。図１２は、実施例２の有機発光装置を表したものであり、図１３に表した比較例３の有機発光装置とは異なり、実質的に暗点が発生していないことを確認できる。これは、実施例２の有機発光装置のシーリング材により、水分による劣化がほとんど起こっていないためであると分析される。これから、実施形態にかかる発光装置は、高寿命性を有することを確認できる。
【０１２７】
本発明の望ましい実施例を参照しつつ説明したが、当該技術分野の当業者は、本発明の思想及び領域から外れない範囲内で、本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解することが可能であろう。
【産業上の利用可能性】
【０１２８】
本発明のガラスフリット、シーリング材形成用の組成物及び発光装置は、例えば、ディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【符号の説明】
【０１２９】
１０，２０…発光装置
１１，２１…第１基板
１３…有機発光素子
２３ａ〜２３ｆ…有機発光素子
１５，２５…第２基板
１８…シーリング材
２８ａ〜２８ｆ…シーリング材
２７…シーリング材形成用の組成物
２７ａｘ，２７ｂｘ，２７ｃｘ…熱処理されたシーリング材形成用の組成物
２９…電磁波
４１…バッファ層
４２…半導体層
４３…ゲート絶縁膜
４４…ゲート電極
４５…層間絶縁膜
４６…ソース電極
４７…ドレイン電極
４８…パッシベーション膜
４９…画素定義膜
５０…有機発光素子
５１…第１電極
５２…有機層
５３…第２電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｖ＋４イオンを含むことを特徴とするガラスフリット。
【請求項２】
Ｖ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン、Ｔｅ＋４イオン、Ｆｅ＋３イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｎｄ＋２イオン、Ｋ＋１イオン、Ｓｂ＋３イオン、Ｓｂ＋３イオン、Ｔｉ＋２イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｂ＋３イオン、Ｗ＋６イオン、Ｓｎ＋２イオン、Ｂｉ＋３イオン、Ｃａ＋２イオン、Ｓｉ＋４イオン、Ｚｒ＋４イオン及びＭｇ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上のイオンをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のガラスフリット。
【請求項３】
Ｖ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン及びＴｅ＋４イオンをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のガラスフリット。
【請求項４】
Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤から由来したイオンをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のガラスフリット。
【請求項５】
前記Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤から由来したイオンが、Ｓｎ＋３イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｍｇ＋２イオン、Ｃｕ＋２イオン及びＺｎ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする請求項４に記載のガラスフリット。
【請求項６】
２００ｎｍないし１０，０００ｎｍ範囲の電磁波を吸収できることを特徴とする請求項１に記載のガラスフリット。
【請求項７】
Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットを含むことを特徴とするシーリング材形成用の組成物。
【請求項８】
前記Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットが、Ｖ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン、Ｔｅ＋４イオン、Ｆｅ＋３イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｎｄ＋２イオン、Ｋ＋１イオン、Ｓｂ＋３イオン、Ｐ＋５イオン、Ｔｉ＋２イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｂ＋３イオン、Ｗ＋６イオン、Ｓｎ＋２イオン、Ｂｉ＋３イオン、Ｃａ＋２イオン、Ｓｉ＋４イオン、Ｚｒ＋４イオン及びＭｇ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上のイオンをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項９】
前記Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットが、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤から由来したイオンをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１０】
前記Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤から由来したイオンが、Ｓｎ＋３イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｍｇ＋２イオン、Ｃｕ＋２イオン及びＺｎ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする請求項９に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１１】
２００ｎｍないし１０，０００ｎｍ範囲の電磁波を吸収できることを特徴とする請求項７に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１２】
リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラ、リン酸ジルコニウム系フィラ、ジルコニウム系フィラ、ユークリプタイト系フィラ、コージエライト系フィラ、アルミナ、シリカ、ケイ酸亜鉛及びチタン酸アルミニウムからなる群から選択された一つ以上のフィラをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１３】
前記リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラがＺｒ２（ＷＯ４）（ＰＯ４）２であることを特徴とする請求項１２に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１４】
前記フィラの平均粒径（Ｄ50）が０．１μｍないし３０μｍであることを特徴とする請求項１２に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１５】
前記フィラの平均粒径（DMAX）が１μｍないし１５０μｍであることを特徴とする請求項１２に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１６】
熱膨張係数が２５ｘ１０−７／℃ないし９５ｘ１０−７／℃であることを特徴とする請求項１２に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１７】
アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ビニル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂及びセルロース系樹脂からなる群から選択された一つ以上の樹脂と、
テルピノール、ジヒドロテルピノール、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール及び２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオールモノブチレートからなる群から選択された一つ以上の溶媒と
を含むビヒクルをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１８】
Ｖ＋５イオンを含むガラスフリット及びフィラを含み、前記フィラがリン酸ジルコニウム・タングステン系フィラを含むことを特徴とするシーリング材形成用の組成物。
【請求項１９】
前記Ｖ＋５イオンを含むガラスフリットが、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン、Ｔｅ＋４イオン、Ｆｅ＋３イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｎｄ＋２イオン、Ｋ＋１イオン、Ｓｂ＋３イオン、Ｐ＋５イオン、Ｔｉ＋２イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｂ＋３イオン、Ｗ＋６イオン、Ｓｎ＋２イオン、Ｂｉ＋３イオン、Ｃａ＋２イオン、Ｓｉ＋４イオン、Ｚｒ＋４イオン及びＭｇ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上のイオンをさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項２０】
前記リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラがＺｒ２（ＷＯ４）（ＰＯ４）２であることを特徴とする請求項１８に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項２１】
前記フィラの平均粒径（Ｄ50）が０．１μｍないし３０μｍであることを特徴とする請求項１８に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項２２】
前記フィラの平均粒径（DMAX）が１μｍないし１５０μｍであることを特徴とする請求項１８に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項２３】
熱膨張係数が２５ｘ１０−７／℃ないし９５ｘ１０−７／℃であることを特徴とする請求項１８に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項２４】
Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤をさらに含み、前記還元剤がＡｌ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、炭素からなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする請求項１８に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項２５】
アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ビニル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂及びセルロース系樹脂からなる群から選択された一つ以上の樹脂と、
テルピノール、ジヒドロテルピノール、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール及び２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオールモノブチレートからなる群から選択された一つ以上の溶媒と
を含むビヒクルをさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項２６】
第１基板と、
第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に備わった発光素子と、
前記第１基板と前記第２基板とを接着させ、前記発光素子を密封させるシーリング材とを具備した発光装置であって、
前記シーリング材がＶ＋４イオンを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項２７】
前記シーリング材が２００ｎｍないし１０，０００ｎｍ範囲の電磁波を吸収することによって形成されたことを特徴とする請求項２６に記載の発光装置。
【請求項２８】
前記シーリング材がレーザまたは光ランプを利用して形成されたことを特徴とする請求項２６に記載の発光装置。
【請求項２９】
前記シーリング材がフィラをさらに含むことを特徴とする請求項２６に記載の発光装置。
【請求項３０】
前記フィラがリン酸ジルコニウム・タングステン系フィラ、リン酸ジルコニウム系フィラ、ジルコニウム系フィラ、ユークリプタイト系フィラ、コージエライト系フィラ、アルミナ、シリカ、ケイ酸亜鉛及びチタン酸アルミニウムからなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする請求項２９に記載の発光装置。
【請求項３１】
前記フィラの平均粒径（Ｄ50）が０．１μｍないし３０μｍであることを特徴とする請求項２９に記載の発光装置。
【請求項３２】
前記フィラの平均粒径（DMAX）が１μｍないし１５０μｍであることを特徴とする請求項２９に記載の発光装置。
【請求項３３】
前記シーリング材がＶ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン、Ｔｅ＋４イオン、Ｆｅ＋３イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｎｄ＋２イオン、Ｋ＋１イオン、Ｓｂ＋３イオン、Ｐ＋５イオン、Ｔｉ＋２イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｂ＋３イオン、Ｗ＋６イオン、Ｓｎ＋２イオン、Ｂｉ＋３イオン、Ｃａ＋２イオン、Ｓｉ＋４イオン、Ｚｒ＋４イオン及びＭｇ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上のイオンをさらに含むことを特徴とする請求項２６に記載の発光装置。
【請求項３４】
前記シーリング材がＶ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン及びＴｅ＋４イオンをさらに含むことを特徴とする請求項２６に記載の発光装置。
【請求項３５】
Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤から由来したイオンをさらに含むことを特徴とする請求項２６に記載の発光装置。
【請求項３６】
前記Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤から由来したイオンが、Ｓｎ＋２イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｍｇ＋２イオン、Ｃｕ＋２イオン及びＺｎ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上のイオンであることを特徴とする請求項３５に記載の発光装置。
【請求項３７】
前記発光素子が有機発光素子であることを特徴とする請求項２６に記載の発光装置。
【請求項３８】
発光素子が備わった第１基板を用意する段階と、
請求項９から請求項２５のうちいずれか１項に記載のシーリング材形成用の組成物を用意する段階と、
前記シーリング材形成用の組成物を第２基板のシーリング材形成領域に提供する段階と、
前記シーリング材形成用の組成物が塗布された第２基板を熱処理する段階と、
前記熱処理されたシーリング材形成用の組成物及び前記発光素子が前記第１基板と前記第２基板との間に備わるように、前記第１基板と前記第２基板とを合着させる段階と、
熱処理されたシーリング材形成用の組成物に電磁波ソースを照射してシーリング材を形成する段階と
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項３９】
前記熱処理段階を還元雰囲気下で行い、シーリング材形成用の組成物のうちＶ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させることを特徴とする請求項３８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４０】
前記シーリング材形成用の組成物がＶ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤を含む場合、前記熱処理段階で前記還元剤により、Ｖ＋５イオンがＶ＋４イオンに還元されることを特徴とする請求項３８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４１】
前記熱処理温度が２５０℃ないし７５０℃であることを特徴とする請求項３９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４２】
前記熱処理されたシーリング材形成用の組成物がＶ＋４イオンを含むことを特徴とする請求項３９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４３】
前記電磁波ソースが２００ｎｍないし１０，０００ｎｍ範囲の電磁波を放出できるレーザまたは光ランプであることを特徴とする請求項３９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１】
Ｖ＋４イオンを含むことを特徴とするガラスフリット。
【請求項２】
Ｖ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン、Ｔｅ＋４イオン、Ｆｅ＋３イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｎｄ＋２イオン、Ｋ＋１イオン、Ｓｂ＋３イオン、Ｓｂ＋３イオン、Ｔｉ＋２イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｂ＋３イオン、Ｗ＋６イオン、Ｓｎ＋２イオン、Ｂｉ＋３イオン、Ｃａ＋２イオン、Ｓｉ＋４イオン、Ｚｒ＋４イオン及びＭｇ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上のイオンをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のガラスフリット。
【請求項３】
Ｖ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン及びＴｅ＋４イオンをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のガラスフリット。
【請求項４】
Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤から由来したイオンをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のガラスフリット。
【請求項５】
前記Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤から由来したイオンが、Ｓｎ＋３イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｍｇ＋２イオン、Ｃｕ＋２イオン及びＺｎ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする請求項４に記載のガラスフリット。
【請求項６】
２００ｎｍないし１０，０００ｎｍ範囲の電磁波を吸収できることを特徴とする請求項１に記載のガラスフリット。
【請求項７】
Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットを含むことを特徴とするシーリング材形成用の組成物。
【請求項８】
前記Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットが、Ｖ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン、Ｔｅ＋４イオン、Ｆｅ＋３イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｎｄ＋２イオン、Ｋ＋１イオン、Ｓｂ＋３イオン、Ｐ＋５イオン、Ｔｉ＋２イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｂ＋３イオン、Ｗ＋６イオン、Ｓｎ＋２イオン、Ｂｉ＋３イオン、Ｃａ＋２イオン、Ｓｉ＋４イオン、Ｚｒ＋４イオン及びＭｇ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上のイオンをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項９】
前記Ｖ＋４イオンを含むガラスフリットが、Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤から由来したイオンをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１０】
前記Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤から由来したイオンが、Ｓｎ＋３イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｍｇ＋２イオン、Ｃｕ＋２イオン及びＺｎ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする請求項９に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１１】
２００ｎｍないし１０，０００ｎｍ範囲の電磁波を吸収できることを特徴とする請求項７に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１２】
リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラ、リン酸ジルコニウム系フィラ、ジルコニウム系フィラ、ユークリプタイト系フィラ、コージエライト系フィラ、アルミナ、シリカ、ケイ酸亜鉛及びチタン酸アルミニウムからなる群から選択された一つ以上のフィラをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１３】
前記リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラがＺｒ２（ＷＯ４）（ＰＯ４）２であることを特徴とする請求項１２に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１４】
前記フィラの平均粒径（Ｄ50）が０．１μｍないし３０μｍであることを特徴とする請求項１２に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１５】
前記フィラの平均粒径（DMAX）が１μｍないし１５０μｍであることを特徴とする請求項１２に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１６】
熱膨張係数が２５ｘ１０−７／℃ないし９５ｘ１０−７／℃であることを特徴とする請求項１２に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１７】
アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ビニル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂及びセルロース系樹脂からなる群から選択された一つ以上の樹脂と、
テルピノール、ジヒドロテルピノール、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール及び２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオールモノブチレートからなる群から選択された一つ以上の溶媒と
を含むビヒクルをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項１８】
Ｖ＋５イオンを含むガラスフリット及びフィラを含み、前記フィラがリン酸ジルコニウム・タングステン系フィラを含むことを特徴とするシーリング材形成用の組成物。
【請求項１９】
前記Ｖ＋５イオンを含むガラスフリットが、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン、Ｔｅ＋４イオン、Ｆｅ＋３イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｎｄ＋２イオン、Ｋ＋１イオン、Ｓｂ＋３イオン、Ｐ＋５イオン、Ｔｉ＋２イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｂ＋３イオン、Ｗ＋６イオン、Ｓｎ＋２イオン、Ｂｉ＋３イオン、Ｃａ＋２イオン、Ｓｉ＋４イオン、Ｚｒ＋４イオン及びＭｇ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上のイオンをさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項２０】
前記リン酸ジルコニウム・タングステン系フィラがＺｒ２（ＷＯ４）（ＰＯ４）２であることを特徴とする請求項１８に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項２１】
前記フィラの平均粒径（Ｄ50）が０．１μｍないし３０μｍであることを特徴とする請求項１８に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項２２】
前記フィラの平均粒径（DMAX）が１μｍないし１５０μｍであることを特徴とする請求項１８に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項２３】
熱膨張係数が２５ｘ１０−７／℃ないし９５ｘ１０−７／℃であることを特徴とする請求項１８に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項２４】
Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤をさらに含み、前記還元剤がＡｌ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、炭素からなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする請求項１８に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項２５】
アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ビニル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂及びセルロース系樹脂からなる群から選択された一つ以上の樹脂と、
テルピノール、ジヒドロテルピノール、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール及び２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオールモノブチレートからなる群から選択された一つ以上の溶媒と
を含むビヒクルをさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載のシーリング材形成用の組成物。
【請求項２６】
第１基板と、
第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に備わった発光素子と、
前記第１基板と前記第２基板とを接着させ、前記発光素子を密封させるシーリング材とを具備した発光装置であって、
前記シーリング材がＶ＋４イオンを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項２７】
前記シーリング材が２００ｎｍないし１０，０００ｎｍ範囲の電磁波を吸収することによって形成されたことを特徴とする請求項２６に記載の発光装置。
【請求項２８】
前記シーリング材がレーザまたは光ランプを利用して形成されたことを特徴とする請求項２６に記載の発光装置。
【請求項２９】
前記シーリング材がフィラをさらに含むことを特徴とする請求項２６に記載の発光装置。
【請求項３０】
前記フィラがリン酸ジルコニウム・タングステン系フィラ、リン酸ジルコニウム系フィラ、ジルコニウム系フィラ、ユークリプタイト系フィラ、コージエライト系フィラ、アルミナ、シリカ、ケイ酸亜鉛及びチタン酸アルミニウムからなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする請求項２９に記載の発光装置。
【請求項３１】
前記フィラの平均粒径（Ｄ50）が０．１μｍないし３０μｍであることを特徴とする請求項２９に記載の発光装置。
【請求項３２】
前記フィラの平均粒径（DMAX）が１μｍないし１５０μｍであることを特徴とする請求項２９に記載の発光装置。
【請求項３３】
前記シーリング材がＶ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン、Ｔｅ＋４イオン、Ｆｅ＋３イオン、Ｃｕ＋２イオン、Ｎｄ＋２イオン、Ｋ＋１イオン、Ｓｂ＋３イオン、Ｐ＋５イオン、Ｔｉ＋２イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｂ＋３イオン、Ｗ＋６イオン、Ｓｎ＋２イオン、Ｂｉ＋３イオン、Ｃａ＋２イオン、Ｓｉ＋４イオン、Ｚｒ＋４イオン及びＭｇ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上のイオンをさらに含むことを特徴とする請求項２６に記載の発光装置。
【請求項３４】
前記シーリング材がＶ＋５イオン、Ｂａ＋２イオン、Ｚｎ＋２イオン及びＴｅ＋４イオンをさらに含むことを特徴とする請求項２６に記載の発光装置。
【請求項３５】
Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤から由来したイオンをさらに含むことを特徴とする請求項２６に記載の発光装置。
【請求項３６】
前記Ｖ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤から由来したイオンが、Ｓｎ＋２イオン、Ａｌ＋３イオン、Ｍｇ＋２イオン、Ｃｕ＋２イオン及びＺｎ＋２イオンからなる群から選択された一つ以上のイオンであることを特徴とする請求項３５に記載の発光装置。
【請求項３７】
前記発光素子が有機発光素子であることを特徴とする請求項２６に記載の発光装置。
【請求項３８】
発光素子が備わった第１基板を用意する段階と、
請求項９から請求項２５のうちいずれか１項に記載のシーリング材形成用の組成物を用意する段階と、
前記シーリング材形成用の組成物を第２基板のシーリング材形成領域に提供する段階と、
前記シーリング材形成用の組成物が塗布された第２基板を熱処理する段階と、
前記熱処理されたシーリング材形成用の組成物及び前記発光素子が前記第１基板と前記第２基板との間に備わるように、前記第１基板と前記第２基板とを合着させる段階と、
熱処理されたシーリング材形成用の組成物に電磁波ソースを照射してシーリング材を形成する段階と
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項３９】
前記熱処理段階を還元雰囲気下で行い、シーリング材形成用の組成物のうちＶ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させることを特徴とする請求項３８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４０】
前記シーリング材形成用の組成物がＶ＋５イオンをＶ＋４イオンに還元させる還元剤を含む場合、前記熱処理段階で前記還元剤により、Ｖ＋５イオンがＶ＋４イオンに還元されることを特徴とする請求項３８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４１】
前記熱処理温度が２５０℃ないし７５０℃であることを特徴とする請求項３９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４２】
前記熱処理されたシーリング材形成用の組成物がＶ＋４イオンを含むことを特徴とする請求項３９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４３】
前記電磁波ソースが２００ｎｍないし１０，０００ｎｍ範囲の電磁波を放出できるレーザまたは光ランプであることを特徴とする請求項３９に記載の発光装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１１−１４８６９９（Ｐ２０１１−１４８６９９Ａ）
【公開日】平成２３年８月４日（２０１１．８．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９５９３４（Ｐ２０１１−９５９３４）
【出願日】平成２３年４月２２日（２０１１．４．２２）
【分割の表示】特願２００７−３３７６３６（Ｐ２００７−３３７６３６）の分割
【原出願日】平成１９年１２月２７日（２００７．１２．２７）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｍｏｂｉｌｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ ＃２４ Ｎｏｎｇｓｅｏ−Ｄｏｎｇ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ ４４６−７１１ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ ＫＯＲＥＡ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年８月４日（２０１１．８．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月２２日（２０１１．４．２２）
【分割の表示】特願２００７−３３７６３６（Ｐ２００７−３３７６３６）の分割
【原出願日】平成１９年１２月２７日（２００７．１２．２７）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｍｏｂｉｌｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ ＃２４ Ｎｏｎｇｓｅｏ−Ｄｏｎｇ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ ４４６−７１１ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ ＫＯＲＥＡ
【Ｆターム（参考）】
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