セラミックヒータの製造方法
【課題】アクリル系バインダを用いることで接合力の向上を図りつつ、アクリル系バインダを用いることに伴う残炭量の増大をより確実に防止する。
【解決手段】セラミックヒータ４は、基体２１と基体２１中に埋設される発熱素子２２とを備える。セラミックヒータ４の製造工程は、発熱素子２２となるべき素子成形体３１を得る素子成形工程と、絶縁性セラミック粉末及びバインダを含む基体材料の中に、素子成形体３１を埋設した上でプレスすることにより、素子成形体３１及び基体２２となるべき絶縁成形体４３が一体化された保持体５１を得る保持体成形工程と、不活性ガス雰囲気下で保持体５１を仮焼する不活性ガス仮焼工程と、不活性ガス仮焼工程の後、酸素雰囲気下で保持体５１を仮焼する酸化仮焼工程とを含む。前記バインダはアクリル系バインダであり、不活性ガス仮焼工程においてバインダの重量減少が９２％以上９５％以下とされる。
【解決手段】セラミックヒータ４は、基体２１と基体２１中に埋設される発熱素子２２とを備える。セラミックヒータ４の製造工程は、発熱素子２２となるべき素子成形体３１を得る素子成形工程と、絶縁性セラミック粉末及びバインダを含む基体材料の中に、素子成形体３１を埋設した上でプレスすることにより、素子成形体３１及び基体２２となるべき絶縁成形体４３が一体化された保持体５１を得る保持体成形工程と、不活性ガス雰囲気下で保持体５１を仮焼する不活性ガス仮焼工程と、不活性ガス仮焼工程の後、酸素雰囲気下で保持体５１を仮焼する酸化仮焼工程とを含む。前記バインダはアクリル系バインダであり、不活性ガス仮焼工程においてバインダの重量減少が９２％以上９５％以下とされる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性セラミックからなる発熱素子が絶縁性セラミックからなる基体にて保持されてなるセラミックヒータの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ディーゼルエンジンの始動補助等に用いられるグロープラグは、筒状の主体金具や通電により発熱する発熱体を内蔵するヒータ等を備える。また、前記ヒータとしては、セラミックヒータが採用される場合がある。セラミックヒータは、導電性を有するセラミック製の発熱素子が、絶縁性を有するセラミック製の基体によって保持されることで構成される（例えば、特許文献１等参照）。
【０００３】
このようなセラミックヒータは、例えば、次のようにして製造される。すなわち、導電性セラミック粉末等を含む素子材料を射出成形し、素子成形体を作製する。一方で、絶縁性セラミック粉末を主成分とし、所定のバインダ（例えば、ワックス系バインダ）を含む基体材料をプレス成形することで、前記基体の半分を構成する半割絶縁成形体を形成する。そして、半割絶縁成形体上に前記素子成形体を配置するとともに、前記基体材料により素子成形体を覆った上で、プレス加工を施す。これにより、素子成形体を覆う前記基体材料と半割絶縁成形体とが一体化され、前記基体となるべき絶縁成形体が形成されるとともに、絶縁成形体内に素子成形体が埋設された保持体が作製される。次いで、基体中におけるバインダの炭素を除去するために、不活性ガス雰囲気下において前記保持体が高温（例えば、８００℃程度）で仮焼され、その後、酸素雰囲気下にて保持体が仮焼される。そして、保持体を焼成してなる焼成体を得た後、当該焼成体に研磨加工を施すことでセラミックヒータが得られる。
【０００４】
ところで、材料コストを低減させるという点では、研磨加工におけるセラミックの削り代をより少なくすることが好ましい。そこで、削り代の減少を図るべく、絶縁成形体を薄肉に形成し、焼成体の外形形状を最終的なセラミックヒータの外形形状に極力近づける（いわゆるニアシェイプとする）ことが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３５１４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、絶縁成形体を薄肉に形成すると、半割絶縁成形体の合わせ面などにおいて接合力の低下を招いてしまい、不活性ガス雰囲気下で仮焼した仮焼体に割れ等の破損が生じてしまうおそれがある。
【０００７】
これに対して、仮焼体の破損を防止すべく、接合力に優れるアクリル系バインダを用いることが考えられるが、この場合には、仮焼による炭素の除去が不十分となってしまうおそれがある。基体中に残存する炭素の量（残炭量）が多くなると、基体内部にメリライト相やＪ相等の窒素を含んだ粒界相が生成されやすくなってしまい、セラミックヒータ使用時の高温下において粒界相の酸化が生じやすくなってしまう。その結果、セラミックヒータの耐久性が低下してしまうおそれがある。
【０００８】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、その目的は、基体材料のバインダとしてアクリル系バインダを用いることで接合力の向上を図りつつ、アクリル系バインダを用いることに伴う残炭量の増大をより確実に防止することができるセラミックヒータの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以下、上記目的を解決するのに適した各構成につき、項分けして説明する。なお、必要に応じて対応する構成に特有の作用効果を付記する。
【００１０】
構成１．本構成のセラミックヒータの製造方法は、絶縁性セラミックからなる基体と、
タングステン（Ｗ）の珪化物、炭化物、及び、窒化物の少なくともいずれか一種を含む導電性セラミックから形成され、前記基体中に埋設される発熱素子とを備えたセラミックヒータの製造方法であって、
少なくとも導電性セラミック粉末を含む素子材料を成形して、前記発熱素子となるべき素子成形体を得る素子成形工程と、
少なくとも絶縁性セラミック粉末及びバインダを含む基体材料の中に、前記素子成形体を埋設した上で、プレスすることにより、前記素子成形体と、前記基体となるべき絶縁成形体とが一体化された保持体を得る保持体成形工程と、
不活性ガス雰囲気下において前記保持体を仮焼する不活性ガス仮焼工程と、
前記不活性ガス仮焼工程の後、酸素雰囲気下において前記保持体を仮焼する酸化仮焼工程とを含み、
前記バインダは、アクリル系バインダであり、
前記不活性ガス仮焼工程において、前記バインダの重量を９２％以上９５％以下減少させることを特徴とする。
【００１１】
上記構成１によれば、バインダとして接合力に優れるアクリル系バインダが用いられるため、焼成体の割れを抑制しつつ、絶縁成形体をより薄肉に形成することができる。その結果、焼成体の外形形状を最終的なセラミックヒータの外形形状に極力近づけることができ、材料コストの低減を図ることができる。
【００１２】
一方で、アクリル系バインダを用いることで、仮焼時において炭素を十分に除去できないことが懸念されるが、上記構成１によれば、不活性ガス仮焼工程におけるバインダの重量減少が９５％以下とされており、バインダを完全に炭化させることなく、有機物の状態である程度残存させるように構成されている。そのため、不活性ガス仮焼工程後の酸化仮焼工程において、バインダの燃焼が促進されることとなり、バインダを効果的に除去することができる。その結果、最終的な残炭量を十分に小さなものとすることができ、耐久性の低下をより確実に防止することができる。
【００１３】
尚、不活性ガス仮焼工程においてバインダを多量に残存させてしまうと、酸化仮焼の際にバインダが激しく燃焼してしまい、素子成形体の膨張ひいては絶縁成形体の破損を招いてしまうおそれがある。従って、絶縁成形体の破損をより確実に防止するという点から、不活性ガス仮焼行程におけるバインダの重量減少を９２％以上とすることが好ましい。
【００１４】
構成２．本構成のセラミックヒータの製造方法は、上記構成１において、前記酸化仮焼工程において、前記保持体の加熱温度を２２０℃以上３２０℃以下としたことを特徴とする。
【００１５】
一般的な酸化仮焼においては、炭素をより確実に燃焼除去するために、加熱温度が５００℃以上とされる。しかしながら、上記構成１のようにＷの炭化物等により発熱素子を形成する場合に、加熱温度を５００℃以上としてしまうと、Ｗの炭化物等が急激に酸化することとなってしまい、その結果、絶縁成形体が破損してしまうおそれがある。
【００１６】
この点、上記構成２によれば、酸化仮焼工程における加熱温度が３２０℃以下と比較的低温とされているため、Ｗの炭化物等の急激な酸化を抑制することができ、絶縁成形体の破損をより確実に防止することができる。また、バインダが有機物の状態である程度残存しているため、加熱温度が比較的低温であっても、炭素の燃焼・除去を促進することができる。すなわち、酸化仮焼における加熱温度を比較的低温とすることで、Ｗの炭化物等の酸化抑制を図りつつ、加熱温度を低温とすることに伴い懸念される残炭量の増大という事態が、上記構成１を採用することでより確実に防止されるようになっている。
【００１７】
尚、酸化仮焼工程における加熱温度が過度に低いと、バインダの除去効率が低下してしまい、製造コストの増大を招いてしまうおそれがある。従って、バインダを比較的短時間で効率よく除去可能とし、製造コストの増大抑制を図るという観点から、酸化仮焼工程における加熱温度を２２０℃以上とすることが好ましい。
【００１８】
構成３．本構成のセラミックヒータの製造方法は、上記構成１又は２において、前記不活性ガス仮焼工程において、前記保持体の加熱温度を４５０℃以上６５０℃以下としたことを特徴とする。
【００１９】
上記構成３によれば、不活性ガス仮焼工程におけるバインダの重量減少を比較的容易に９２％以上９５％以下とすることができ、上記構成１をより確実に、かつ、より容易に実現することができる。
【００２０】
構成４．本構成のセラミックヒータの製造方法は、上記構成１乃至３のいずれかにおいて、前記絶縁成形体の肉厚が０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下とされることを特徴とする。
【００２１】
上記構成４によれば、絶縁成形体表面から素子成形体表面までの絶縁成形体の肉厚（幅）が１．５ｍｍ以下とされているため、研磨加工における焼成体の削り代を減少させることができるとともに、研磨加工に要する工数を少なくすることができる。その結果、製造コストを低減させることができる。
【００２２】
一方で、絶縁成形体の肉厚が０．２ｍｍ以上とされているため、絶縁成形体の接合力を十分に確保することができる。従って、仮焼後における保持体（仮焼体）の破損を効果的に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施形態におけるグロープラグの構成を示すものであり、（ａ）は、グロープラグの断面図であり、（ｂ）は、グロープラグの正面図である。
【図２】グロープラグの先端部の構成を示す部分拡大断面図である。
【図３】セラミックヒータの製造工程を示すフローチャートである。
【図４】第１半割絶縁成形体の収容凹部に素子成形体を設置する過程を説明する斜視図である。
【図５】保持体を示す斜視図である。
【図６】（ａ）は、保持体の焼成時におけるプレス方向を示す断面図であり、（ｂ）は、得られた焼成体を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に、一実施形態について図面を参照して説明する。まず、セラミックヒータ４を備えるセラミックグロープラグ１（以下、「グロープラグ１と称す」）について、図１(ａ)，（ｂ）及び図２を参照しつつ説明する。図１（ａ）は、グロープラグ１の縦断面図であり、図１（ｂ）は、グロープラグ１の正面図である。また、図２は、セラミックヒータ４を中心に示す部分拡大断面図である。尚、図１，２においては、図の下側をグロープラグ１（セラミックヒータ４）の先端側、上側を後端側として説明する。
【００２５】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、グロープラグ１は、ハウジング２、中軸３、セラミックヒータ４、外筒５、端子ピン６等を備えている。
【００２６】
ハウジング２は、所定の金属材料（例えば、Ｓ４５Ｃ等の鉄系素材）によって形成されるとともに、軸線ＣＬ１方向に沿って延びる軸孔７を有している。さらに、ハウジング２の長手方向中央部外周には、グロープラグ１をエンジンのシリンダヘッド等に取付けるための雄ねじ部８が形成されている。併せて、ハウジング２の後端部外周には断面六角形状をなす鍔状の工具係合部９が形成されており、前記シリンダヘッド等にグロープラグ１（雄ねじ部８）を取付ける際には、当該工具係合部９に使用される工具が係合されるようになっている。
【００２７】
また、ハウジング２の軸孔７には、金属製で丸棒状をなす前記中軸３が収容されている。さらに、当該中軸３の先端部は、導電性の金属材料（例えば、ＳＵＳ等の鉄系素材）によって形成された円筒状の接続部材１０の後端部に圧入されており、接続部材１０の先端部に、前記セラミックヒータ４の後端部が圧入されている。つまり、中軸３とセラミックヒータ４とが接続部材１０を介して機械的かつ電気的に接続された状態となっている。加えて、中軸３の先端側には、その外径が先端側に向けて細径化されてなる括れ部１３が形成されており、当該括れ部１３によって、中軸３に伝わる応力の緩和等が図られている。尚、接続部材１０に代えて、所定のリード線などにより前記中軸３とセラミックヒータ４とを電気的に接続することとしてもよい。
【００２８】
さらに、前記中軸３の後端部には、金属製の前記端子ピン６が加締め固定されている。また、端子ピン６の先端部及びハウジング２の後端部の間には、両者間における直接的な電気的導通を防止すべく、絶縁性素材からなる絶縁ブッシュ１１が設けられている。加えて、軸孔７内の気密性の向上等を図るべく、ハウジング２及び中軸３の間には、絶縁ブッシュ１１の先端部に接触するようにして絶縁性素材からなるＯリング１２が設けられている。
【００２９】
併せて、前記外筒５は、所定の金属材料により筒状に形成されており、自身の先端からセラミックヒータ４の先端部を露出させた状態で、セラミックヒータ４の軸線ＣＬ１方向に沿った中間部分を保持している。さらに、外筒５は、自身の後端部が軸孔７に挿入された状態で、ハウジング２及び外筒５の接触面外縁に沿ってレーザー溶接を施すことで、ハウジング２に接合されている。
【００３０】
次に、セラミックヒータ４の詳細について説明する。図２に示すように、セラミックヒータ４は、絶縁性セラミックによって構成されるとともに、軸線ＣＬ１方向に延びる筒状の基体２１と、その内部に埋設された、導電性セラミックよりなる長細いＵ字状の発熱素子２２とを備えている。基体２１は、自身の先端部を除いて略同一の外径を有するように形成されている。また、発熱素子２２は、一対の棒状のリード部２３，２４と、前記リード部２３，２４の先端部同士を連結する連結部２５とを備え、当該連結部２５のうち特に先端側の部分が発熱部２６となっている。発熱部２６は、いわゆる発熱抵抗体として機能する部位であり、曲面状に形成されたセラミックヒータ４の先端部分において、その曲面に沿うようにして断面略Ｕ字状をなしている。また、本実施形態においては、発熱部２６の断面積がリード部２３，２４の断面積よりも小さくなるようにして構成されており、通電時には、前記発熱部２６において積極的に発熱が行われるようになっている。
【００３１】
さらに、前記リード部２３，２４は、それぞれセラミックヒータ４の後端側に向けて互いに略平行に延設されている。加えて、一方のリード部２３の後端側には、電極取出部２７が外周方向に突設されており、当該電極取出部２７は、セラミックヒータ４の外周面に露出している。また、他方のリード部２４の後端側にも、電極取出部２８が外周方向に突設されており、当該電極取出部２８は、セラミックヒータ４の外周面に露出している。尚、前記一方のリード部２３の電極取出部２７は、軸線ＣＬ１方向に沿って、前記他方のリード部２４の電極取出部２８よりも後端側に位置している。
【００３２】
加えて、電極取出部２７の露出部分は、接続部材１０の内周面に接触しており、接続部材１０に接続された中軸３と前記リード部２３との電気的導通が図られている。また、電極取出部２８の露出部分は、外筒５の内周面に対して接触しており、外筒５に接合されたハウジング２とリード部２４との電気的導通が図られている。すなわち、本実施形態では、中軸３とハウジング２とが、グロープラグ１において、セラミックヒータ４の発熱部２６に通電するための陽極・陰極として機能するようになっている。
【００３３】
加えて、本実施形態において、発熱素子２２は、導電性材料、及び、セラミック材料（例えば、窒化珪素やアルミナ等）からなる導電性セラミック粉末と、バインダー（ワックス、可塑剤）とを含む素子材料が仮焼後、焼成されることで形成されている。また、導電性材料として、タングステン（Ｗ）の珪化物、炭化物、及び、窒化物の少なくともいずれか一種が含有されている。尚、素子材料は、バインダやその他の各種焼結助剤等を含んで構成されることとしてもよい。
【００３４】
一方で、前記基体２１は、少なくとも絶縁性セラミック粉末（例えば、窒化珪素やアルミナ等）、及び、バインダを含む基体材料が焼成されることで形成されている。本実施形態においては、前記バインダとしてアクリル系バインダが用いられる。尚、当該アクリル系バインダとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体、具体的には、アクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸エステル共重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。
【００３５】
次いで、上述したセラミックヒータ４の製造方法について、図３を参照しつつ説明する。尚、特に明記しない部位については、従来公知の方法により製造されるものとする。
【００３６】
まず、素子成形工程（Ｓ１）において、上述した発熱素子２２の前駆体である素子成形体３１（図４参照）を成形する。詳述すると、まず、原料調整工程（Ｓ１１）において、導電性材料にセラミック材料を加えたものを水の中でスラリー状にするとともに、スプレードライを施し、乾燥させることで粉末状の素子材料を得る。
【００３７】
次いで、成形工程（Ｓ１２）において、素子材料にバインダを混入したものを混錬するとともに、当該素子材料を射出成形することで、素子成形体３１を作製する。素子成形体３１は、図４に示すように、未焼成のリード部３２，３３と、リード部３２，３３の先端側（図の左側）を連結するＵ字形状の未焼成の連結部３４とを備えている。
【００３８】
次いで、素子成形工程（Ｓ１）とは別に、半割絶縁成形体成形工程（Ｓ２）において、基体２１の半分を構成する第１半割絶縁成形体４１（図４参照）を形成する。すなわち、絶縁性セラミック粉末及びアクリル系バインダ等を窒化珪素製の球石を使用して水の中で４０時間湿式混合する。次いで、スプレードライを施し、粉末状とすることで基体材料を得る。
【００３９】
そして、得られた基体材料を所定の金型装置（図示せず）によりプレス成形することで、第１半割絶縁成形体４１が形成される。尚、金型装置としては、例えば、平面視長方形状の開口を有する枠形状の外枠と、当該外枠に対して上下動可能な下型及び上型とを備えたものが用いられる。第１半割絶縁成形体４１の成形にあたっては、まず、前記外枠の開口に下型の凸部を挿通させた上で、外枠の開口内に、前記基体材料を所定量充填する。そして、前記外枠内にて前記上型を下動させ、所定圧力で基体材料をプレスする。これにより、収容凹部４１Ｓの形成された第１半割絶縁成形体４１が得られる。尚、素子成形体３１の成形と、第１半割絶縁成形体４１の成形とは、どちらを先に行うこととしてもよい。
【００４０】
次いで、保持体成形工程（Ｓ３）において、素子成形体３１と、半割絶縁成形体４１及び前記基体材料とを用いて保持体５１（図５参照）の成形が行われる。この保持体５１の成形に際しても所定の金型装置（図示せず）が使用される。尚、金型装置は、例えば上記同様の枠形状をなす外枠と、当該外枠に対して上下動可能な下型及び上型とを備えている。
【００４１】
保持体成形工程（Ｓ３）においては、まず、前記外枠の開口に下型の凸部を挿通させた上で、当該凸部の上に第１半割絶縁成形体４１をセットする。次いで、セットされた第１半割絶縁成形体４１の収容凹部４１Ｓに、素子成形体３１を設置する。次に、前記外枠の開口内に、前記基体材料を充填し、上型の凸部を開口に挿通した上で、上型を下動させ、所定圧力でプレスする。これにより、図５に示すように、外枠の開口内に充填された基体材料が成形され、第２半割絶縁成形体４２が成形される。また、両半割絶縁成形体４１，４２が一体化されてなる絶縁成形体４３が形成されるとともに、素子成形体３１と絶縁成形体４３とが一体化されてなる保持体５１が得られる。
【００４２】
尚、本実施形態では、後述する研磨工程（Ｓ８）における研削量を低減すべく、絶縁成形体４３が比較的薄肉に形成されており、絶縁成形体４３の肉厚（幅）が非常に小さなもの（本実施形態では、１．５ｍｍ以下）とされている。一方で、絶縁成形体４３（特に、両半割絶縁成形体４１，４２間）の接合力を十分に確保すべく、絶縁成形体４３の肉厚は所定値（本実施形態では、０．２ｍｍ）以上とされている。
【００４３】
次いで、不活性ガス仮焼工程（Ｓ４）において、前記保持体５１を、不活性ガス雰囲気（例えば、窒素ガスやアルゴンガスの雰囲気）下で、炉内の温度を４５０℃〜６５０℃（例えば、約５５０℃）とした電気炉に投入して加熱する。加熱により、素子成形体３１中の可塑剤や絶縁成形体４３中のバインダが除去されるが、この工程（Ｓ４）においては、絶縁成形体４３中のバインダの重量を９２％以上９５％以下減少させるように（換言すれば、バインダを完全に炭化させることなく、有機物の状態である程度残存させるように）加熱温度や加熱時間が設定される。
【００４４】
続いて、保持体が酸化仮焼工程（Ｓ５）に供される。すなわち、酸素雰囲気で、炉内の温度を２２０℃以上３２０℃以下とした電気炉内に、保持体５１を投入して仮焼する。
【００４５】
その後、離型剤塗布工程（Ｓ６）において、保持体５１の外表面全体に離型剤が塗布される。続いて、保持体５１が焼成工程（Ｓ７）に供される。この工程では、いわゆるホットプレス法による焼成が行われる。すなわち、図示しないホットプレス焼成炉を用いて、非酸素雰囲気下で保持体５１を加圧・加熱することにより、図６（ｂ）に示す焼成体６１を得る。尚、焼成工程においては、焼成後の焼成体６１が略円柱状となるように、上述したセラミックヒータ４の外形に準じた形状の凹部を有するカーボン治具が用いられる。また、保持体５１は、図６（ａ）において矢印で示すように一軸加圧条件下で加圧される。
【００４６】
その後、研磨工程（Ｓ８）において、焼成体６１に各種研磨加工を施すことで、上述したセラミックヒータ４が得られる。尚、研磨加工としては、公知のセンタレス研磨機を用いて焼成体６１の外周を研磨し、電極取出部２７，２８を外周面から露出させるセンタレス研磨や、基体２１の先端部に曲面加工を施し、外周面と発熱部２６との距離の均一化を図るためのＲ研磨などがある。
【００４７】
続いて、得られたセラミックヒータ４と、従来公知の手法により製造したハウジング２等とを組付ける。これにより、上述したグロープラグ１を得ることができる。
【００４８】
以上詳述したように、本実施形態によれば、バインダとして接合力に優れるアクリル系バインダが用いられるため、焼成体６１の割れを抑制しつつ、上述のように絶縁成形体４３を薄肉に形成することができる。その結果、焼成体６１の外形形状を最終的なセラミックヒータ４の外形形状に極力近づけることができ、材料コストの低減を図ることができる。
【００４９】
また、本実施形態においては、不活性ガス仮焼工程（Ｓ４）におけるバインダの重量減少が９５％以下とされており、バインダを完全に炭化させることなく、有機物の状態である程度残存させるように構成されている。そのため、酸化仮焼工程（Ｓ５）において、バインダの燃焼が促進されることとなり、バインダを効果的に除去することができる。その結果、最終的な残炭量を十分に小さなものとすることができ、耐久性の低下をより確実に防止することができる。
【００５０】
加えて、不活性ガス仮焼行程（Ｓ４）におけるバインダの重量減少が９２％以上とされているため、酸化仮焼時におけるバインダの燃焼を比較的穏やかなものとすることができる。その結果、酸化仮焼工程（Ｓ５）における絶縁成形体４３の破損をより確実に防止することができる。
【００５１】
さらに、酸化仮焼工程（Ｓ５）における加熱温度が３２０℃以下と比較的低温とされているため、素子成形体３１を構成するＷの炭化物等の急激な酸化を抑制することができる。また、バインダが有機物の状態としてある程度残存しているため、加熱温度が比較的低温であっても、炭素の燃焼・除去を促進することができる。すなわち、酸化仮焼における加熱温度を比較的低温とすることで、Ｗの炭化物等の酸化抑制を図りつつ、加熱温度を低温とすることに伴い懸念される残炭量の増大という事態を、バインダの重量減少を９５％以下とすることでより確実に防止できるようになっている。
【００５２】
併せて、酸化仮焼工程（Ｓ５）における加熱温度が２２０℃以上とされているため、バインダを比較的短時間で効率よく除去することができ、製造コストの増大抑制を図ることができる。
【００５３】
また、不活性ガス仮焼工程（Ｓ４）における加熱温度が４５０℃以上６５０℃以下とされているため、当該工程（Ｓ５）におけるバインダの重量減少を比較的容易に９２％以上９５％以下とすることができる。
【００５４】
さらに、絶縁成形体４３の幅（肉厚）が１．５ｍｍ以下とされているため、研磨加工における焼成体６１の削り代や研磨工程の工数を減少させることができ、製造コストを低減させることができる。一方で、絶縁成形体４３の幅は０．２ｍｍ以上とされているため、絶縁成形体４３の接合力を十分に確保することができ、仮焼後における保持体５１の破損を効果的に防止することができる。
【００５５】
次いで、上記実施形態によって奏される作用効果を確認すべく、基体材料のバインダとしてワックス系バインダを用いた保持体のサンプルと、基体材料のバインダとしてアクリル系バインダを用いた保持体のサンプルとを作製するとともに、各サンプルについて不活性ガス仮焼工程後の仮焼体と、焼成工程後の焼成体との評価を行った。すなわち、不活性ガス（窒素ガス）仮焼工程における加熱温度を変更することで、不活性ガス仮焼前におけるバインダの重量に対する不活性ガス仮焼後のバインダの重量の減少割合（バインダ重量減少割合）を種々変更させるとともに、仮焼体における破損の有無を確認した。その上で、各サンプルに対して酸化仮焼を行い、基体に残存する炭素量〔酸化仮焼後炭素量（質量％）〕を測定した。その後、焼成を行った上で、Ｘ線回折を用いて焼成体の結晶相を観察し、結晶相におけるメリライト相の有無を確認した。表１に、ワックス系バインダを用いるとともに、絶縁成形体の肉厚を１．５ｍｍとしたサンプルの試験結果を示し、表２に、アクリル系バインダを用いるとともに、絶縁成形体の肉厚を１．５ｍｍとしたサンプルの試験結果を示し、表３に、アクリル系バインダを用いるとともに、絶縁成形体の肉厚を０．１ｍｍ〜１．５ｍｍの範囲で変更したサンプルの試験結果を示す。
【００５６】
尚、表１〜３中の「仮焼体の破損」においては、仮焼体に破損が生じていた場合に「×」とし、仮焼体に破損が生じていなかった場合に「○」とした。さらに、表１〜３中の「焼成体の結晶相」においては、焼成体の結晶相にメリライト相が生成されていた場合に「×」とし、焼成体の結晶相にメリライト相が生成されていなかった場合に「○」とした。また、各サンプルともに、Ｗの炭化物等を含む材料により素子成形体を形成した。加えて、バインダの重量減少は、電子天秤を用いて測定した。尚、酸化仮焼後炭素量は、基体に残存する全炭素量のうち、バインダによる炭素量を示す。
【００５７】
【表１】
【００５８】
【表２】
【００５９】
【表３】
【００６０】
表１に示すように、ワックス系バインダを用いたサンプル（サンプルＡ）は、炭素を十分に除去することができていたものの、仮焼体（特に半割絶縁成形体の合わせ面）に破損が生じてしまうことが明らかとなった。これは、ワックス系バインダは接合力が比較的弱いため、絶縁成形体を薄肉としたことで前記合わせ面における接合力が不足してしまったことによると考えられる。
【００６１】
また、表２に示すように、アクリル系バインダを用いた一方で、サンプルＡと同様に、不活性ガス仮焼後におけるバインダ重量減少割合を９５％超としたサンプル（サンプル１〜３）は、炭素の除去が不十分（０．３４％以上）となってしまい、焼成体の結晶相に耐久性低下を招くメリライト相が生成されてしまった。これは、アクリル系バインダは接合力に優れる反面、不活性ガス仮焼により炭素が除去されにくいこと、及び、不活性ガス仮焼において多くのバインダを蒸発させたことで、不活性ガス仮焼後に少量だけ残存したバインダが完全に炭化したものとなり、その後の酸化仮焼において、炭化したバインダがほとんど燃焼しなかったことに起因すると考えられる。
【００６２】
一方で、不活性ガス仮焼時における加熱温度を低めに設定して、不活性ガス仮焼後におけるバインダ重量減少割合を９２％未満とし、多くのバインダを残存させたサンプル（サンプル４）は、酸化仮焼により炭素が十分に除去されたものの、仮焼体に破損が生じてしまうことが確認された。これは、多くのバインダを残存させた状態で酸化仮焼を行ったことで、バインダが激しく燃焼してしまったためであると考えられる。
【００６３】
これに対して、不活性ガス仮焼後におけるバインダの割合を９２％以上９５％以下としたサンプル（サンプル５〜１３）は、仮焼体の破損が生じることなく、炭素を十分に除去できることが明らかとなった。これは、不活性ガス仮焼の際にバインダが有機物の状態である程度残存することとなり、酸化仮焼時にバインダの燃焼が促進されたこと、また、バインダの残存量を比較的少なめにしたことで、燃焼を促進しつつも、その燃焼が比較的穏やかなものとなったことに起因すると考えられる。
【００６４】
また、表３に示すように、絶縁成形体の肉厚を０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下としたサンプル（サンプル１４〜１６）においても仮焼体に破損は生じず、焼成体の結晶相にメリライト相の生成はなかったが、肉厚を０．１ｍｍとしたサンプル（サンプル１７）においては、仮焼体に破損が生じた。
【００６５】
以上の試験結果より、接合力の向上を図るためにアクリル系バインダを用いた場合において、アクリル系バインダを用いることに伴う残炭量の増大というデメリットを解消しつつ、仮焼体の破損をより確実に防止するためには、不活性ガス仮焼工程において、バインダの重量を９２％以上９５％以下減少させることが好ましいといえる。また、仮焼体の破損をより一層確実に防止するためには、絶縁成形体の肉厚を０．２ｍｍ以上とすることがより好ましいといえる。
【００６６】
尚、基本的に絶縁成形体の肉厚が１．５ｍｍを超えた場合でも、不活性ガス仮焼工程において、バインダの重量を９２％以上９５％以下減少させることで、仮焼後の炭素量が減少するとともに、仮焼体の破損や焼成体における結晶相の異常は生じないが、研磨工程における工数や焼成体の研削量が増大してしまうおそれがある。従って、製造コストの低減を図るという観点から、絶縁成形体の肉厚を１．５ｍｍ以下とすることが好ましい。
【００６７】
尚、サンプル２，３の試験結果を比べてみると、両サンプルともに炭素の除去が不十分であったが、サンプル３においては仮焼体の破損も生じていた。これは、酸化仮焼時における加熱温度を３５０℃と高くしたことで、酸化仮焼の際にＷの炭化物等が急激に酸化してしまったためであると考えられる。従って、仮焼体の破損をより一層確実に防止するという点から、酸化仮焼工程において、保持体の加熱温度を３２０℃以下とすることがより好ましいといえる。
【００６８】
また、上記試験結果の示す通り、不活性ガス仮焼工程における加熱温度を４５０℃以上６５０℃以下とすることで、バインダの重量減少を比較的容易に９２％以上９５％以下とすることができるといえる。
【００６９】
尚、上記試験では、アクリル系バインダとしてアクリル酸エチルの共重合体を用いたが、電子天秤により、他のアクリル系バインダにおいても上記試験と同様の傾向となること（すなわち、不活性ガス仮焼工程におけるバインダの重量減少を９２％〜９５％とすることで、最終的な残炭量を低減できること）が確認された。
【００７０】
尚、上記実施形態の記載内容に限定されず、例えば次のように実施してもよい。勿論、以下において例示しない他の応用例、変更例も当然可能である。
【００７１】
（ａ）上記実施形態では、絶縁成形体４３を成形するにあたって、粉末プレス成形法が用いられているが、他の成形方法（例えば、射出成形法やシート成形法等）により絶縁成形体を成形することとしてもよい。
【００７２】
（ｂ）上記実施形態において、素子成形体３１は、射出成形法により形成されているが、他の成形手法により素子成形体を得ることとしてもよい。従って、例えば、所定のバインダを配合した素子材料をシート成形することで導電性のシートを作製するとともに、当該導電性のシートを所定の金型により打抜くことで素子成形体を得ることとしてもよい。また、素子材料に所定のバインダ及び溶媒を混合したスラリーを作製するとともに、当該スラリーを第１半割絶縁成形体の収容凹部に流し込み、乾燥（溶媒揮発）させることで素子成形体を得ることとしてもよい。
【００７３】
（ｃ）上記実施形態のセラミックヒータ４は、丸棒状、すなわち、断面円形状である場合に具体化されているが、必ずしも断面円形状である必要はなく、例えば、断面楕円形状や断面長円形状、断面多角形状であってもよい。また、絶縁性の基体を板状に複数形成して、その間に発熱体を挟み込んだいわゆる板状ヒータに、本発明の技術思想を適用することとしてもよい。
【００７４】
（ｄ）上記実施形態では、素子成形体３１のリード部３２，３３は連結部３４により連結されているが、リード部３２，３３の後端側に、両者を接続するサポート部を一体的に形成することとしてもよい。この場合には、比較的細く、また、焼成前であり強度の低い連結部３４への応力の集中を防止でき、連結部３４の割れや折れ等をより確実に防止することができる。尚、前記サポート部を設けた場合、当該サポート部は焼成工程後に切断されることとなる。
【符号の説明】
【００７５】
４…セラミックヒータ、２１…基体、２２…発熱素子、３１…素子成形体、４３…絶縁成形体、５１…保持体。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性セラミックからなる発熱素子が絶縁性セラミックからなる基体にて保持されてなるセラミックヒータの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ディーゼルエンジンの始動補助等に用いられるグロープラグは、筒状の主体金具や通電により発熱する発熱体を内蔵するヒータ等を備える。また、前記ヒータとしては、セラミックヒータが採用される場合がある。セラミックヒータは、導電性を有するセラミック製の発熱素子が、絶縁性を有するセラミック製の基体によって保持されることで構成される（例えば、特許文献１等参照）。
【０００３】
このようなセラミックヒータは、例えば、次のようにして製造される。すなわち、導電性セラミック粉末等を含む素子材料を射出成形し、素子成形体を作製する。一方で、絶縁性セラミック粉末を主成分とし、所定のバインダ（例えば、ワックス系バインダ）を含む基体材料をプレス成形することで、前記基体の半分を構成する半割絶縁成形体を形成する。そして、半割絶縁成形体上に前記素子成形体を配置するとともに、前記基体材料により素子成形体を覆った上で、プレス加工を施す。これにより、素子成形体を覆う前記基体材料と半割絶縁成形体とが一体化され、前記基体となるべき絶縁成形体が形成されるとともに、絶縁成形体内に素子成形体が埋設された保持体が作製される。次いで、基体中におけるバインダの炭素を除去するために、不活性ガス雰囲気下において前記保持体が高温（例えば、８００℃程度）で仮焼され、その後、酸素雰囲気下にて保持体が仮焼される。そして、保持体を焼成してなる焼成体を得た後、当該焼成体に研磨加工を施すことでセラミックヒータが得られる。
【０００４】
ところで、材料コストを低減させるという点では、研磨加工におけるセラミックの削り代をより少なくすることが好ましい。そこで、削り代の減少を図るべく、絶縁成形体を薄肉に形成し、焼成体の外形形状を最終的なセラミックヒータの外形形状に極力近づける（いわゆるニアシェイプとする）ことが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３５１４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、絶縁成形体を薄肉に形成すると、半割絶縁成形体の合わせ面などにおいて接合力の低下を招いてしまい、不活性ガス雰囲気下で仮焼した仮焼体に割れ等の破損が生じてしまうおそれがある。
【０００７】
これに対して、仮焼体の破損を防止すべく、接合力に優れるアクリル系バインダを用いることが考えられるが、この場合には、仮焼による炭素の除去が不十分となってしまうおそれがある。基体中に残存する炭素の量（残炭量）が多くなると、基体内部にメリライト相やＪ相等の窒素を含んだ粒界相が生成されやすくなってしまい、セラミックヒータ使用時の高温下において粒界相の酸化が生じやすくなってしまう。その結果、セラミックヒータの耐久性が低下してしまうおそれがある。
【０００８】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、その目的は、基体材料のバインダとしてアクリル系バインダを用いることで接合力の向上を図りつつ、アクリル系バインダを用いることに伴う残炭量の増大をより確実に防止することができるセラミックヒータの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以下、上記目的を解決するのに適した各構成につき、項分けして説明する。なお、必要に応じて対応する構成に特有の作用効果を付記する。
【００１０】
構成１．本構成のセラミックヒータの製造方法は、絶縁性セラミックからなる基体と、
タングステン（Ｗ）の珪化物、炭化物、及び、窒化物の少なくともいずれか一種を含む導電性セラミックから形成され、前記基体中に埋設される発熱素子とを備えたセラミックヒータの製造方法であって、
少なくとも導電性セラミック粉末を含む素子材料を成形して、前記発熱素子となるべき素子成形体を得る素子成形工程と、
少なくとも絶縁性セラミック粉末及びバインダを含む基体材料の中に、前記素子成形体を埋設した上で、プレスすることにより、前記素子成形体と、前記基体となるべき絶縁成形体とが一体化された保持体を得る保持体成形工程と、
不活性ガス雰囲気下において前記保持体を仮焼する不活性ガス仮焼工程と、
前記不活性ガス仮焼工程の後、酸素雰囲気下において前記保持体を仮焼する酸化仮焼工程とを含み、
前記バインダは、アクリル系バインダであり、
前記不活性ガス仮焼工程において、前記バインダの重量を９２％以上９５％以下減少させることを特徴とする。
【００１１】
上記構成１によれば、バインダとして接合力に優れるアクリル系バインダが用いられるため、焼成体の割れを抑制しつつ、絶縁成形体をより薄肉に形成することができる。その結果、焼成体の外形形状を最終的なセラミックヒータの外形形状に極力近づけることができ、材料コストの低減を図ることができる。
【００１２】
一方で、アクリル系バインダを用いることで、仮焼時において炭素を十分に除去できないことが懸念されるが、上記構成１によれば、不活性ガス仮焼工程におけるバインダの重量減少が９５％以下とされており、バインダを完全に炭化させることなく、有機物の状態である程度残存させるように構成されている。そのため、不活性ガス仮焼工程後の酸化仮焼工程において、バインダの燃焼が促進されることとなり、バインダを効果的に除去することができる。その結果、最終的な残炭量を十分に小さなものとすることができ、耐久性の低下をより確実に防止することができる。
【００１３】
尚、不活性ガス仮焼工程においてバインダを多量に残存させてしまうと、酸化仮焼の際にバインダが激しく燃焼してしまい、素子成形体の膨張ひいては絶縁成形体の破損を招いてしまうおそれがある。従って、絶縁成形体の破損をより確実に防止するという点から、不活性ガス仮焼行程におけるバインダの重量減少を９２％以上とすることが好ましい。
【００１４】
構成２．本構成のセラミックヒータの製造方法は、上記構成１において、前記酸化仮焼工程において、前記保持体の加熱温度を２２０℃以上３２０℃以下としたことを特徴とする。
【００１５】
一般的な酸化仮焼においては、炭素をより確実に燃焼除去するために、加熱温度が５００℃以上とされる。しかしながら、上記構成１のようにＷの炭化物等により発熱素子を形成する場合に、加熱温度を５００℃以上としてしまうと、Ｗの炭化物等が急激に酸化することとなってしまい、その結果、絶縁成形体が破損してしまうおそれがある。
【００１６】
この点、上記構成２によれば、酸化仮焼工程における加熱温度が３２０℃以下と比較的低温とされているため、Ｗの炭化物等の急激な酸化を抑制することができ、絶縁成形体の破損をより確実に防止することができる。また、バインダが有機物の状態である程度残存しているため、加熱温度が比較的低温であっても、炭素の燃焼・除去を促進することができる。すなわち、酸化仮焼における加熱温度を比較的低温とすることで、Ｗの炭化物等の酸化抑制を図りつつ、加熱温度を低温とすることに伴い懸念される残炭量の増大という事態が、上記構成１を採用することでより確実に防止されるようになっている。
【００１７】
尚、酸化仮焼工程における加熱温度が過度に低いと、バインダの除去効率が低下してしまい、製造コストの増大を招いてしまうおそれがある。従って、バインダを比較的短時間で効率よく除去可能とし、製造コストの増大抑制を図るという観点から、酸化仮焼工程における加熱温度を２２０℃以上とすることが好ましい。
【００１８】
構成３．本構成のセラミックヒータの製造方法は、上記構成１又は２において、前記不活性ガス仮焼工程において、前記保持体の加熱温度を４５０℃以上６５０℃以下としたことを特徴とする。
【００１９】
上記構成３によれば、不活性ガス仮焼工程におけるバインダの重量減少を比較的容易に９２％以上９５％以下とすることができ、上記構成１をより確実に、かつ、より容易に実現することができる。
【００２０】
構成４．本構成のセラミックヒータの製造方法は、上記構成１乃至３のいずれかにおいて、前記絶縁成形体の肉厚が０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下とされることを特徴とする。
【００２１】
上記構成４によれば、絶縁成形体表面から素子成形体表面までの絶縁成形体の肉厚（幅）が１．５ｍｍ以下とされているため、研磨加工における焼成体の削り代を減少させることができるとともに、研磨加工に要する工数を少なくすることができる。その結果、製造コストを低減させることができる。
【００２２】
一方で、絶縁成形体の肉厚が０．２ｍｍ以上とされているため、絶縁成形体の接合力を十分に確保することができる。従って、仮焼後における保持体（仮焼体）の破損を効果的に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本実施形態におけるグロープラグの構成を示すものであり、（ａ）は、グロープラグの断面図であり、（ｂ）は、グロープラグの正面図である。
【図２】グロープラグの先端部の構成を示す部分拡大断面図である。
【図３】セラミックヒータの製造工程を示すフローチャートである。
【図４】第１半割絶縁成形体の収容凹部に素子成形体を設置する過程を説明する斜視図である。
【図５】保持体を示す斜視図である。
【図６】（ａ）は、保持体の焼成時におけるプレス方向を示す断面図であり、（ｂ）は、得られた焼成体を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に、一実施形態について図面を参照して説明する。まず、セラミックヒータ４を備えるセラミックグロープラグ１（以下、「グロープラグ１と称す」）について、図１(ａ)，（ｂ）及び図２を参照しつつ説明する。図１（ａ）は、グロープラグ１の縦断面図であり、図１（ｂ）は、グロープラグ１の正面図である。また、図２は、セラミックヒータ４を中心に示す部分拡大断面図である。尚、図１，２においては、図の下側をグロープラグ１（セラミックヒータ４）の先端側、上側を後端側として説明する。
【００２５】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、グロープラグ１は、ハウジング２、中軸３、セラミックヒータ４、外筒５、端子ピン６等を備えている。
【００２６】
ハウジング２は、所定の金属材料（例えば、Ｓ４５Ｃ等の鉄系素材）によって形成されるとともに、軸線ＣＬ１方向に沿って延びる軸孔７を有している。さらに、ハウジング２の長手方向中央部外周には、グロープラグ１をエンジンのシリンダヘッド等に取付けるための雄ねじ部８が形成されている。併せて、ハウジング２の後端部外周には断面六角形状をなす鍔状の工具係合部９が形成されており、前記シリンダヘッド等にグロープラグ１（雄ねじ部８）を取付ける際には、当該工具係合部９に使用される工具が係合されるようになっている。
【００２７】
また、ハウジング２の軸孔７には、金属製で丸棒状をなす前記中軸３が収容されている。さらに、当該中軸３の先端部は、導電性の金属材料（例えば、ＳＵＳ等の鉄系素材）によって形成された円筒状の接続部材１０の後端部に圧入されており、接続部材１０の先端部に、前記セラミックヒータ４の後端部が圧入されている。つまり、中軸３とセラミックヒータ４とが接続部材１０を介して機械的かつ電気的に接続された状態となっている。加えて、中軸３の先端側には、その外径が先端側に向けて細径化されてなる括れ部１３が形成されており、当該括れ部１３によって、中軸３に伝わる応力の緩和等が図られている。尚、接続部材１０に代えて、所定のリード線などにより前記中軸３とセラミックヒータ４とを電気的に接続することとしてもよい。
【００２８】
さらに、前記中軸３の後端部には、金属製の前記端子ピン６が加締め固定されている。また、端子ピン６の先端部及びハウジング２の後端部の間には、両者間における直接的な電気的導通を防止すべく、絶縁性素材からなる絶縁ブッシュ１１が設けられている。加えて、軸孔７内の気密性の向上等を図るべく、ハウジング２及び中軸３の間には、絶縁ブッシュ１１の先端部に接触するようにして絶縁性素材からなるＯリング１２が設けられている。
【００２９】
併せて、前記外筒５は、所定の金属材料により筒状に形成されており、自身の先端からセラミックヒータ４の先端部を露出させた状態で、セラミックヒータ４の軸線ＣＬ１方向に沿った中間部分を保持している。さらに、外筒５は、自身の後端部が軸孔７に挿入された状態で、ハウジング２及び外筒５の接触面外縁に沿ってレーザー溶接を施すことで、ハウジング２に接合されている。
【００３０】
次に、セラミックヒータ４の詳細について説明する。図２に示すように、セラミックヒータ４は、絶縁性セラミックによって構成されるとともに、軸線ＣＬ１方向に延びる筒状の基体２１と、その内部に埋設された、導電性セラミックよりなる長細いＵ字状の発熱素子２２とを備えている。基体２１は、自身の先端部を除いて略同一の外径を有するように形成されている。また、発熱素子２２は、一対の棒状のリード部２３，２４と、前記リード部２３，２４の先端部同士を連結する連結部２５とを備え、当該連結部２５のうち特に先端側の部分が発熱部２６となっている。発熱部２６は、いわゆる発熱抵抗体として機能する部位であり、曲面状に形成されたセラミックヒータ４の先端部分において、その曲面に沿うようにして断面略Ｕ字状をなしている。また、本実施形態においては、発熱部２６の断面積がリード部２３，２４の断面積よりも小さくなるようにして構成されており、通電時には、前記発熱部２６において積極的に発熱が行われるようになっている。
【００３１】
さらに、前記リード部２３，２４は、それぞれセラミックヒータ４の後端側に向けて互いに略平行に延設されている。加えて、一方のリード部２３の後端側には、電極取出部２７が外周方向に突設されており、当該電極取出部２７は、セラミックヒータ４の外周面に露出している。また、他方のリード部２４の後端側にも、電極取出部２８が外周方向に突設されており、当該電極取出部２８は、セラミックヒータ４の外周面に露出している。尚、前記一方のリード部２３の電極取出部２７は、軸線ＣＬ１方向に沿って、前記他方のリード部２４の電極取出部２８よりも後端側に位置している。
【００３２】
加えて、電極取出部２７の露出部分は、接続部材１０の内周面に接触しており、接続部材１０に接続された中軸３と前記リード部２３との電気的導通が図られている。また、電極取出部２８の露出部分は、外筒５の内周面に対して接触しており、外筒５に接合されたハウジング２とリード部２４との電気的導通が図られている。すなわち、本実施形態では、中軸３とハウジング２とが、グロープラグ１において、セラミックヒータ４の発熱部２６に通電するための陽極・陰極として機能するようになっている。
【００３３】
加えて、本実施形態において、発熱素子２２は、導電性材料、及び、セラミック材料（例えば、窒化珪素やアルミナ等）からなる導電性セラミック粉末と、バインダー（ワックス、可塑剤）とを含む素子材料が仮焼後、焼成されることで形成されている。また、導電性材料として、タングステン（Ｗ）の珪化物、炭化物、及び、窒化物の少なくともいずれか一種が含有されている。尚、素子材料は、バインダやその他の各種焼結助剤等を含んで構成されることとしてもよい。
【００３４】
一方で、前記基体２１は、少なくとも絶縁性セラミック粉末（例えば、窒化珪素やアルミナ等）、及び、バインダを含む基体材料が焼成されることで形成されている。本実施形態においては、前記バインダとしてアクリル系バインダが用いられる。尚、当該アクリル系バインダとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体、具体的には、アクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸エステル共重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。
【００３５】
次いで、上述したセラミックヒータ４の製造方法について、図３を参照しつつ説明する。尚、特に明記しない部位については、従来公知の方法により製造されるものとする。
【００３６】
まず、素子成形工程（Ｓ１）において、上述した発熱素子２２の前駆体である素子成形体３１（図４参照）を成形する。詳述すると、まず、原料調整工程（Ｓ１１）において、導電性材料にセラミック材料を加えたものを水の中でスラリー状にするとともに、スプレードライを施し、乾燥させることで粉末状の素子材料を得る。
【００３７】
次いで、成形工程（Ｓ１２）において、素子材料にバインダを混入したものを混錬するとともに、当該素子材料を射出成形することで、素子成形体３１を作製する。素子成形体３１は、図４に示すように、未焼成のリード部３２，３３と、リード部３２，３３の先端側（図の左側）を連結するＵ字形状の未焼成の連結部３４とを備えている。
【００３８】
次いで、素子成形工程（Ｓ１）とは別に、半割絶縁成形体成形工程（Ｓ２）において、基体２１の半分を構成する第１半割絶縁成形体４１（図４参照）を形成する。すなわち、絶縁性セラミック粉末及びアクリル系バインダ等を窒化珪素製の球石を使用して水の中で４０時間湿式混合する。次いで、スプレードライを施し、粉末状とすることで基体材料を得る。
【００３９】
そして、得られた基体材料を所定の金型装置（図示せず）によりプレス成形することで、第１半割絶縁成形体４１が形成される。尚、金型装置としては、例えば、平面視長方形状の開口を有する枠形状の外枠と、当該外枠に対して上下動可能な下型及び上型とを備えたものが用いられる。第１半割絶縁成形体４１の成形にあたっては、まず、前記外枠の開口に下型の凸部を挿通させた上で、外枠の開口内に、前記基体材料を所定量充填する。そして、前記外枠内にて前記上型を下動させ、所定圧力で基体材料をプレスする。これにより、収容凹部４１Ｓの形成された第１半割絶縁成形体４１が得られる。尚、素子成形体３１の成形と、第１半割絶縁成形体４１の成形とは、どちらを先に行うこととしてもよい。
【００４０】
次いで、保持体成形工程（Ｓ３）において、素子成形体３１と、半割絶縁成形体４１及び前記基体材料とを用いて保持体５１（図５参照）の成形が行われる。この保持体５１の成形に際しても所定の金型装置（図示せず）が使用される。尚、金型装置は、例えば上記同様の枠形状をなす外枠と、当該外枠に対して上下動可能な下型及び上型とを備えている。
【００４１】
保持体成形工程（Ｓ３）においては、まず、前記外枠の開口に下型の凸部を挿通させた上で、当該凸部の上に第１半割絶縁成形体４１をセットする。次いで、セットされた第１半割絶縁成形体４１の収容凹部４１Ｓに、素子成形体３１を設置する。次に、前記外枠の開口内に、前記基体材料を充填し、上型の凸部を開口に挿通した上で、上型を下動させ、所定圧力でプレスする。これにより、図５に示すように、外枠の開口内に充填された基体材料が成形され、第２半割絶縁成形体４２が成形される。また、両半割絶縁成形体４１，４２が一体化されてなる絶縁成形体４３が形成されるとともに、素子成形体３１と絶縁成形体４３とが一体化されてなる保持体５１が得られる。
【００４２】
尚、本実施形態では、後述する研磨工程（Ｓ８）における研削量を低減すべく、絶縁成形体４３が比較的薄肉に形成されており、絶縁成形体４３の肉厚（幅）が非常に小さなもの（本実施形態では、１．５ｍｍ以下）とされている。一方で、絶縁成形体４３（特に、両半割絶縁成形体４１，４２間）の接合力を十分に確保すべく、絶縁成形体４３の肉厚は所定値（本実施形態では、０．２ｍｍ）以上とされている。
【００４３】
次いで、不活性ガス仮焼工程（Ｓ４）において、前記保持体５１を、不活性ガス雰囲気（例えば、窒素ガスやアルゴンガスの雰囲気）下で、炉内の温度を４５０℃〜６５０℃（例えば、約５５０℃）とした電気炉に投入して加熱する。加熱により、素子成形体３１中の可塑剤や絶縁成形体４３中のバインダが除去されるが、この工程（Ｓ４）においては、絶縁成形体４３中のバインダの重量を９２％以上９５％以下減少させるように（換言すれば、バインダを完全に炭化させることなく、有機物の状態である程度残存させるように）加熱温度や加熱時間が設定される。
【００４４】
続いて、保持体が酸化仮焼工程（Ｓ５）に供される。すなわち、酸素雰囲気で、炉内の温度を２２０℃以上３２０℃以下とした電気炉内に、保持体５１を投入して仮焼する。
【００４５】
その後、離型剤塗布工程（Ｓ６）において、保持体５１の外表面全体に離型剤が塗布される。続いて、保持体５１が焼成工程（Ｓ７）に供される。この工程では、いわゆるホットプレス法による焼成が行われる。すなわち、図示しないホットプレス焼成炉を用いて、非酸素雰囲気下で保持体５１を加圧・加熱することにより、図６（ｂ）に示す焼成体６１を得る。尚、焼成工程においては、焼成後の焼成体６１が略円柱状となるように、上述したセラミックヒータ４の外形に準じた形状の凹部を有するカーボン治具が用いられる。また、保持体５１は、図６（ａ）において矢印で示すように一軸加圧条件下で加圧される。
【００４６】
その後、研磨工程（Ｓ８）において、焼成体６１に各種研磨加工を施すことで、上述したセラミックヒータ４が得られる。尚、研磨加工としては、公知のセンタレス研磨機を用いて焼成体６１の外周を研磨し、電極取出部２７，２８を外周面から露出させるセンタレス研磨や、基体２１の先端部に曲面加工を施し、外周面と発熱部２６との距離の均一化を図るためのＲ研磨などがある。
【００４７】
続いて、得られたセラミックヒータ４と、従来公知の手法により製造したハウジング２等とを組付ける。これにより、上述したグロープラグ１を得ることができる。
【００４８】
以上詳述したように、本実施形態によれば、バインダとして接合力に優れるアクリル系バインダが用いられるため、焼成体６１の割れを抑制しつつ、上述のように絶縁成形体４３を薄肉に形成することができる。その結果、焼成体６１の外形形状を最終的なセラミックヒータ４の外形形状に極力近づけることができ、材料コストの低減を図ることができる。
【００４９】
また、本実施形態においては、不活性ガス仮焼工程（Ｓ４）におけるバインダの重量減少が９５％以下とされており、バインダを完全に炭化させることなく、有機物の状態である程度残存させるように構成されている。そのため、酸化仮焼工程（Ｓ５）において、バインダの燃焼が促進されることとなり、バインダを効果的に除去することができる。その結果、最終的な残炭量を十分に小さなものとすることができ、耐久性の低下をより確実に防止することができる。
【００５０】
加えて、不活性ガス仮焼行程（Ｓ４）におけるバインダの重量減少が９２％以上とされているため、酸化仮焼時におけるバインダの燃焼を比較的穏やかなものとすることができる。その結果、酸化仮焼工程（Ｓ５）における絶縁成形体４３の破損をより確実に防止することができる。
【００５１】
さらに、酸化仮焼工程（Ｓ５）における加熱温度が３２０℃以下と比較的低温とされているため、素子成形体３１を構成するＷの炭化物等の急激な酸化を抑制することができる。また、バインダが有機物の状態としてある程度残存しているため、加熱温度が比較的低温であっても、炭素の燃焼・除去を促進することができる。すなわち、酸化仮焼における加熱温度を比較的低温とすることで、Ｗの炭化物等の酸化抑制を図りつつ、加熱温度を低温とすることに伴い懸念される残炭量の増大という事態を、バインダの重量減少を９５％以下とすることでより確実に防止できるようになっている。
【００５２】
併せて、酸化仮焼工程（Ｓ５）における加熱温度が２２０℃以上とされているため、バインダを比較的短時間で効率よく除去することができ、製造コストの増大抑制を図ることができる。
【００５３】
また、不活性ガス仮焼工程（Ｓ４）における加熱温度が４５０℃以上６５０℃以下とされているため、当該工程（Ｓ５）におけるバインダの重量減少を比較的容易に９２％以上９５％以下とすることができる。
【００５４】
さらに、絶縁成形体４３の幅（肉厚）が１．５ｍｍ以下とされているため、研磨加工における焼成体６１の削り代や研磨工程の工数を減少させることができ、製造コストを低減させることができる。一方で、絶縁成形体４３の幅は０．２ｍｍ以上とされているため、絶縁成形体４３の接合力を十分に確保することができ、仮焼後における保持体５１の破損を効果的に防止することができる。
【００５５】
次いで、上記実施形態によって奏される作用効果を確認すべく、基体材料のバインダとしてワックス系バインダを用いた保持体のサンプルと、基体材料のバインダとしてアクリル系バインダを用いた保持体のサンプルとを作製するとともに、各サンプルについて不活性ガス仮焼工程後の仮焼体と、焼成工程後の焼成体との評価を行った。すなわち、不活性ガス（窒素ガス）仮焼工程における加熱温度を変更することで、不活性ガス仮焼前におけるバインダの重量に対する不活性ガス仮焼後のバインダの重量の減少割合（バインダ重量減少割合）を種々変更させるとともに、仮焼体における破損の有無を確認した。その上で、各サンプルに対して酸化仮焼を行い、基体に残存する炭素量〔酸化仮焼後炭素量（質量％）〕を測定した。その後、焼成を行った上で、Ｘ線回折を用いて焼成体の結晶相を観察し、結晶相におけるメリライト相の有無を確認した。表１に、ワックス系バインダを用いるとともに、絶縁成形体の肉厚を１．５ｍｍとしたサンプルの試験結果を示し、表２に、アクリル系バインダを用いるとともに、絶縁成形体の肉厚を１．５ｍｍとしたサンプルの試験結果を示し、表３に、アクリル系バインダを用いるとともに、絶縁成形体の肉厚を０．１ｍｍ〜１．５ｍｍの範囲で変更したサンプルの試験結果を示す。
【００５６】
尚、表１〜３中の「仮焼体の破損」においては、仮焼体に破損が生じていた場合に「×」とし、仮焼体に破損が生じていなかった場合に「○」とした。さらに、表１〜３中の「焼成体の結晶相」においては、焼成体の結晶相にメリライト相が生成されていた場合に「×」とし、焼成体の結晶相にメリライト相が生成されていなかった場合に「○」とした。また、各サンプルともに、Ｗの炭化物等を含む材料により素子成形体を形成した。加えて、バインダの重量減少は、電子天秤を用いて測定した。尚、酸化仮焼後炭素量は、基体に残存する全炭素量のうち、バインダによる炭素量を示す。
【００５７】
【表１】
【００５８】
【表２】
【００５９】
【表３】
【００６０】
表１に示すように、ワックス系バインダを用いたサンプル（サンプルＡ）は、炭素を十分に除去することができていたものの、仮焼体（特に半割絶縁成形体の合わせ面）に破損が生じてしまうことが明らかとなった。これは、ワックス系バインダは接合力が比較的弱いため、絶縁成形体を薄肉としたことで前記合わせ面における接合力が不足してしまったことによると考えられる。
【００６１】
また、表２に示すように、アクリル系バインダを用いた一方で、サンプルＡと同様に、不活性ガス仮焼後におけるバインダ重量減少割合を９５％超としたサンプル（サンプル１〜３）は、炭素の除去が不十分（０．３４％以上）となってしまい、焼成体の結晶相に耐久性低下を招くメリライト相が生成されてしまった。これは、アクリル系バインダは接合力に優れる反面、不活性ガス仮焼により炭素が除去されにくいこと、及び、不活性ガス仮焼において多くのバインダを蒸発させたことで、不活性ガス仮焼後に少量だけ残存したバインダが完全に炭化したものとなり、その後の酸化仮焼において、炭化したバインダがほとんど燃焼しなかったことに起因すると考えられる。
【００６２】
一方で、不活性ガス仮焼時における加熱温度を低めに設定して、不活性ガス仮焼後におけるバインダ重量減少割合を９２％未満とし、多くのバインダを残存させたサンプル（サンプル４）は、酸化仮焼により炭素が十分に除去されたものの、仮焼体に破損が生じてしまうことが確認された。これは、多くのバインダを残存させた状態で酸化仮焼を行ったことで、バインダが激しく燃焼してしまったためであると考えられる。
【００６３】
これに対して、不活性ガス仮焼後におけるバインダの割合を９２％以上９５％以下としたサンプル（サンプル５〜１３）は、仮焼体の破損が生じることなく、炭素を十分に除去できることが明らかとなった。これは、不活性ガス仮焼の際にバインダが有機物の状態である程度残存することとなり、酸化仮焼時にバインダの燃焼が促進されたこと、また、バインダの残存量を比較的少なめにしたことで、燃焼を促進しつつも、その燃焼が比較的穏やかなものとなったことに起因すると考えられる。
【００６４】
また、表３に示すように、絶縁成形体の肉厚を０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下としたサンプル（サンプル１４〜１６）においても仮焼体に破損は生じず、焼成体の結晶相にメリライト相の生成はなかったが、肉厚を０．１ｍｍとしたサンプル（サンプル１７）においては、仮焼体に破損が生じた。
【００６５】
以上の試験結果より、接合力の向上を図るためにアクリル系バインダを用いた場合において、アクリル系バインダを用いることに伴う残炭量の増大というデメリットを解消しつつ、仮焼体の破損をより確実に防止するためには、不活性ガス仮焼工程において、バインダの重量を９２％以上９５％以下減少させることが好ましいといえる。また、仮焼体の破損をより一層確実に防止するためには、絶縁成形体の肉厚を０．２ｍｍ以上とすることがより好ましいといえる。
【００６６】
尚、基本的に絶縁成形体の肉厚が１．５ｍｍを超えた場合でも、不活性ガス仮焼工程において、バインダの重量を９２％以上９５％以下減少させることで、仮焼後の炭素量が減少するとともに、仮焼体の破損や焼成体における結晶相の異常は生じないが、研磨工程における工数や焼成体の研削量が増大してしまうおそれがある。従って、製造コストの低減を図るという観点から、絶縁成形体の肉厚を１．５ｍｍ以下とすることが好ましい。
【００６７】
尚、サンプル２，３の試験結果を比べてみると、両サンプルともに炭素の除去が不十分であったが、サンプル３においては仮焼体の破損も生じていた。これは、酸化仮焼時における加熱温度を３５０℃と高くしたことで、酸化仮焼の際にＷの炭化物等が急激に酸化してしまったためであると考えられる。従って、仮焼体の破損をより一層確実に防止するという点から、酸化仮焼工程において、保持体の加熱温度を３２０℃以下とすることがより好ましいといえる。
【００６８】
また、上記試験結果の示す通り、不活性ガス仮焼工程における加熱温度を４５０℃以上６５０℃以下とすることで、バインダの重量減少を比較的容易に９２％以上９５％以下とすることができるといえる。
【００６９】
尚、上記試験では、アクリル系バインダとしてアクリル酸エチルの共重合体を用いたが、電子天秤により、他のアクリル系バインダにおいても上記試験と同様の傾向となること（すなわち、不活性ガス仮焼工程におけるバインダの重量減少を９２％〜９５％とすることで、最終的な残炭量を低減できること）が確認された。
【００７０】
尚、上記実施形態の記載内容に限定されず、例えば次のように実施してもよい。勿論、以下において例示しない他の応用例、変更例も当然可能である。
【００７１】
（ａ）上記実施形態では、絶縁成形体４３を成形するにあたって、粉末プレス成形法が用いられているが、他の成形方法（例えば、射出成形法やシート成形法等）により絶縁成形体を成形することとしてもよい。
【００７２】
（ｂ）上記実施形態において、素子成形体３１は、射出成形法により形成されているが、他の成形手法により素子成形体を得ることとしてもよい。従って、例えば、所定のバインダを配合した素子材料をシート成形することで導電性のシートを作製するとともに、当該導電性のシートを所定の金型により打抜くことで素子成形体を得ることとしてもよい。また、素子材料に所定のバインダ及び溶媒を混合したスラリーを作製するとともに、当該スラリーを第１半割絶縁成形体の収容凹部に流し込み、乾燥（溶媒揮発）させることで素子成形体を得ることとしてもよい。
【００７３】
（ｃ）上記実施形態のセラミックヒータ４は、丸棒状、すなわち、断面円形状である場合に具体化されているが、必ずしも断面円形状である必要はなく、例えば、断面楕円形状や断面長円形状、断面多角形状であってもよい。また、絶縁性の基体を板状に複数形成して、その間に発熱体を挟み込んだいわゆる板状ヒータに、本発明の技術思想を適用することとしてもよい。
【００７４】
（ｄ）上記実施形態では、素子成形体３１のリード部３２，３３は連結部３４により連結されているが、リード部３２，３３の後端側に、両者を接続するサポート部を一体的に形成することとしてもよい。この場合には、比較的細く、また、焼成前であり強度の低い連結部３４への応力の集中を防止でき、連結部３４の割れや折れ等をより確実に防止することができる。尚、前記サポート部を設けた場合、当該サポート部は焼成工程後に切断されることとなる。
【符号の説明】
【００７５】
４…セラミックヒータ、２１…基体、２２…発熱素子、３１…素子成形体、４３…絶縁成形体、５１…保持体。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性セラミックからなる基体と、
タングステンの珪化物、炭化物、及び、窒化物の少なくともいずれか一種を含む導電性セラミックから形成され、前記基体中に埋設される発熱素子とを備えたセラミックヒータの製造方法であって、
少なくとも導電性セラミック粉末を含む素子材料を成形して、前記発熱素子となるべき素子成形体を得る素子成形工程と、
少なくとも絶縁性セラミック粉末及びバインダを含む基体材料の中に、前記素子成形体を埋設した上で、プレスすることにより、前記素子成形体と、前記基体となるべき絶縁成形体とが一体化された保持体を得る保持体成形工程と、
不活性ガス雰囲気下において前記保持体を仮焼する不活性ガス仮焼工程と、
前記不活性ガス仮焼工程の後、酸素雰囲気下において前記保持体を仮焼する酸化仮焼工程とを含み、
前記バインダは、アクリル系バインダであり、
前記不活性ガス仮焼工程において、前記バインダの重量を９２％以上９５％以下減少させることを特徴とするセラミックヒータの製造方法。
【請求項２】
前記酸化仮焼工程において、前記保持体の加熱温度を２２０℃以上３２０℃以下としたことを特徴とする請求項１に記載のセラミックヒータの製造方法。
【請求項３】
前記不活性ガス仮焼工程において、前記保持体の加熱温度を４５０℃以上６５０℃以下としたことを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミックヒータの製造方法。
【請求項４】
前記絶縁成形体の肉厚が０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下とされることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のセラミックヒータの製造方法。
【請求項１】
絶縁性セラミックからなる基体と、
タングステンの珪化物、炭化物、及び、窒化物の少なくともいずれか一種を含む導電性セラミックから形成され、前記基体中に埋設される発熱素子とを備えたセラミックヒータの製造方法であって、
少なくとも導電性セラミック粉末を含む素子材料を成形して、前記発熱素子となるべき素子成形体を得る素子成形工程と、
少なくとも絶縁性セラミック粉末及びバインダを含む基体材料の中に、前記素子成形体を埋設した上で、プレスすることにより、前記素子成形体と、前記基体となるべき絶縁成形体とが一体化された保持体を得る保持体成形工程と、
不活性ガス雰囲気下において前記保持体を仮焼する不活性ガス仮焼工程と、
前記不活性ガス仮焼工程の後、酸素雰囲気下において前記保持体を仮焼する酸化仮焼工程とを含み、
前記バインダは、アクリル系バインダであり、
前記不活性ガス仮焼工程において、前記バインダの重量を９２％以上９５％以下減少させることを特徴とするセラミックヒータの製造方法。
【請求項２】
前記酸化仮焼工程において、前記保持体の加熱温度を２２０℃以上３２０℃以下としたことを特徴とする請求項１に記載のセラミックヒータの製造方法。
【請求項３】
前記不活性ガス仮焼工程において、前記保持体の加熱温度を４５０℃以上６５０℃以下としたことを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミックヒータの製造方法。
【請求項４】
前記絶縁成形体の肉厚が０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下とされることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のセラミックヒータの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−４４９３（Ｐ２０１３−４４９３Ａ）
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３８０５４（Ｐ２０１１−１３８０５４）
【出願日】平成２３年６月２２日（２０１１．６．２２）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月２２日（２０１１．６．２２）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
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