ダミー領域を含む半導体パッケージ基板
【課題】半導体パッケージ基板にダミー領域を形成し、ダミー領域の両面に第１金属パターンおよび第２金属パターンを形成して半導体パッケージ基板の反りを防止する、ダミー領域を含む半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ基板は、半導体素子が実装された後に除去される部分で、一面に多角形状の第１金属パターン１１、他面には多角形状の第２金属パターン１２がお互い交互に形成されるダミー領域１０を含む。
【解決手段】半導体パッケージ基板は、半導体素子が実装された後に除去される部分で、一面に多角形状の第１金属パターン１１、他面には多角形状の第２金属パターン１２がお互い交互に形成されるダミー領域１０を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダミー領域を含む半導体パッケージ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、半導体パッケージ基板の軽薄短小化に伴い、基板の組立および製造会社では超精密実装技術に大なる関心を傾けている。
【０００３】
特に、半導体パッケージ基板とメインボードとを電気的に接合させる半田付け(soldering)工程で基板が益々薄くなるにつれて、半導体パッケージ基板の反り改善の重要性も日増しに増大しつつある。
このような半田付け工程における半導体パッケージ基板の反りは、工程率および生産性に多くの影響を与えている。
【０００４】
しかも、半導体パッケージ基板の反りは、その度合いによって、半田付け工程で半田ボールが半導体パッケージ基板の半田ボールパッド(solder ball pad)に形成されない問題や、半導体素子実装の際に半導体素子と半導体パッケージ基板に形成された半田ボールが接合されない問題などが発生し、半導体素子と半導体パッケージ基板との電気的導通が取れない不良をも招く可能性のある重要な因子である。
図１は従来の半導体パッケージ基板の斜視図である。
【０００５】
図１に示すように、従来の半導体パッケージ基板１００は、通常、半導体素子実装部１１０ａおよび外層回路パターン１１０ｂを含むパッケージ領域１１０と、パッケージ領域１１０を取り囲んでいるダミー領域１２０とから構成されている。
【０００６】
このような従来の半導体パッケージ基板１００は、パッケージ領域１１０の外層回路パターン１１０ｂの厚さ又はパッケージ領域１１０とダミー領域１２０の半田レジスト層の厚さを調節することにより、半導体パッケージ基板１００全体のバランスを維持して反りを改善しようとした。
【０００７】
ところが、従来の半導体パッケージ基板１００のパッケージ実装のための表面と、半田ボールをのせる裏面との銅残存率が異なることにより、表面と裏面の熱膨張係数の差による基板の反りが発生するという問題点があった。
【０００８】
また、従来の半導体パッケージ基板１００は、半田レジストのスクリーン印刷工程のバラツキが大きいため、半導体パッケージ基板１００の高密度化、高集積化および小型化に伴って反りの発生度合いも大きくなるという問題点があった。
【０００９】
これにより、従来の半導体パッケージ基板１００は、反りが発生した状態で半田レジストなどが硬化する場合、その状態を引続き維持しようとする性向がさらに強くなり、平らな状態の半導体パッケージ基板１００としてリサイクルすることも難しかった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、本発明は、かかる問題点を解決するためのもので、その目的は、半導体パッケージ基板にダミー領域を形成し、ダミー領域の両面に第１金属パターンおよび第２金属パターンを形成して半導体パッケージ基板の反りを防止するための、ダミー領域を含む半導体パッケージ基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を解決するために、本発明は、一面に多角形状の第１金属パターン、他面には多角形状の第２金属パターンがお互い交互に形成されるダミー領域を含む、半導体パッケージ基板を提供する。
【００１２】
ここで、前記第１金属パターンおよび前記第２金属パターンは格子状をすることを特徴とする。
また、前記第１金属パターンと前記第２金属パターンは、三角形、六角形、ドット形またはブロック形に形成されることを特徴とする。
【００１３】
また、前記第１金属パターンと前記第２金属パターンが形成される以外の領域に正方形の空間が設けられ、前記正方形の一辺の長さと前記第１金属パターンまたは第２金属パターンの形成厚さは１：１．５〜２の比率であることを特徴とする。
また、前記第１金属パターンと前記第２金属パターンは銅で形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、半導体パッケージ基板のダミー領域の両面に第１金属パターンと第２金属パターンとを交互に形成することにより、半導体パッケージ基板の反りを防止するとともに生産性を向上させるという効果がある。
【００１５】
また、半導体パッケージ基板のダミー領域の両面に第１金属パターンと第２金属パターンとを交互に形成して基板の反りを防止することにより、半導体パッケージ基板の信頼性を向上させるという効果がある。
【００１６】
また、半導体パッケージ基板のダミー領域の両面に第１金属パターンと第２金属パターンを形成して両面の熱膨張係数のバランスを取ることにより、半導体パッケージ基板の反り現象を防止するとともに半導体パッケージ基板の信頼性を向上させるという効果がある。
【００１７】
また、半導体パッケージ基板のダミー領域に第１金属パターンと第２金属パターンを形成することにより、半導体パッケージ基板の自体形態を変更することなく生産の信頼性を向上させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】従来の半導体パッケージ基板とダミー領域を示す図である。
【図２】本発明に係る半導体パッケージ基板のダミー領域の両面に第１金属パターンと第２金属パターンが形成されたことを示す図である。
【図３】本発明の実施例に係る半導体パッケージ基板の反り改善の度合いを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の目的、特定の利点および新規の特徴は添付図面に連関する以下の詳細な説明と好適な実施例からさらに明白になるであろう。
【００２０】
これに先立ち、本明細書および請求の範囲に使用された用語または単語は、通常的で辞典的な意味で解釈されてはならず、発明者が自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に基づき、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されなければならない。
【００２１】
本発明において、各図面の構成要素に参照番号を付加するにおいて、同一の構成要素については、他の図面上に表示されても、出来る限り同一の番号を付することに留意すべきであろう。本明細書において、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために使用されるもので、構成要素を限定するものではない。なお、本発明を説明するにおいて、関連した公知の技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を無駄に乱すおそれがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施例に係るプリント基板の製造方法を詳細に説明する。
【００２２】
図２は本発明に係る半導体パッケージ基板のダミー領域１０の両面に第１金属パターン１１と第２金属パターン１２が形成されたことを示す図である。本発明に係る半導体パッケージ基板は、一面に多角形の第１金属パターン１１、他面には多角形の第２金属パターン１２がお互い交互に形成されるダミー領域１０を含む。
【００２３】
ダミー領域１０は、半導体素子実装領域に半導体素子が実装された後、マザーボードなどにパッケージ領域が実装される前に除去される部分であって、パッケージ基板を取り囲むように形成されている。基板のダミー領域１０の両面には第１金属パターン１１と第２金属パターン１２が形成できる。ダミー領域１０の一面に第１金属パターン１１、ダミー領域１０の他面には第２金属パターン１２がお互い交互に形成できる。よって、第１金属パターン１１と第２金属パターン１２は、相互一致せず、各パターンが交差するように形成される。図２に示すように、第１金属パターン１１と第２金属パターン１２の横、縦の直線が同一間隔で「障子の桟」のように直角に交差していく格子模様を形成することができる。第１金属パターン１１と第２金属パターン１２はお互い交互に形成されるので、ダミー領域１０の一面の第１金属パターン１１とダミー領域１０の他面の第２金属パターン１２とがお互い直角に交差されて形成できる。
【００２４】
図２に示すように第１金属パターン１１と第２金属パターン１２が格子模様に形成される場合には、第１金属パターン１１と第２金属パターン１２とが交差されることにより発生する、第１金属パターン１１と第２金属パターン１２が通り過ぎない四角形の空間が形成されることもある。
【００２５】
第１金属パターン１１と第２金属パターン１２が通り過ぎない四角形は、正方形に形成されることが好ましく、図２に示すようにその辺の長さａとｂが同一であってもよい。ところが、このような四角形は、必ず正方形に限定されるのではなく、長方形またはその他の四角形を取ってもよい。
【００２６】
ダミー領域１０に形成される第１金属パターン１１と第２金属パターン１２の形成厚さはそれぞれＡとＢであってもよい（図２参照）。第１金属パターン１１と第２金属パターン１２の形成厚さＡとＢは互いに同一であることが好ましい。但し、第１金属パターン１１と第２金属パターン１２は、必ずしも横、縦の直線が同一の厚さに形成されることに限定されず、様々な厚さにお互い対応するように形成されてもよい。第１金属パターン１１と第２金属パターン１２の形成厚さＡとＢが同一であり、第１金属パターン１１と第２金属パターン１２が通り過ぎない空間に形成される四角形のａとｂが同一であるとき、ａまたはｂの長さとＡまたはＢの厚さとの比は１：１〜１．５であることが好ましく、必ずこれに限定されるのではない。
【００２７】
ダミー領域１０に形成される第１金属パターン１１と第２金属パターン１２は、前述したような格子模様に形成できるが、これに限定されず、例えば、三角形、六角形、ドット形またはブロック形に形成されてもよい。このような形状に第１金属パターン１１と第２金属パターン１２が形成される場合にも、お互い交互に形成されて半導体パッケージの反りを防止することができる。
【００２８】
第１金属パターン１１と第２金属パターン１２は銅で形成できるが、必ずしもこれに限定されるのではなく、半導体パッケージ基板の製作によるメッキ引き込み線の役割を果たせる金属材質であればいずれの金属材質で形成されてもよい。
【００２９】
図３は本発明の実施例に係る半導体パッケージ基板の反り改善の度合いを示すグラフである。図３の２つのグラフは、基板のダミー領域に従来のような銅パターンを形成する場合（グラフ（ａ））と、本発明の実施例によってダミーパターンを形成した場合（グラフ（ｂ））に半導体パッケージ基板の反りの度合いを示すグラフである。特に、本発明の実施例のうち、Ａ値とＢ値が同一であり且つａ値とｂ値が同一である場合（図２参照）にＡまたはＢとａまたはｂとの長さ比を２：１にして実験したグラフを示す。図３のＸ軸に示した値は反りの度合いを示す値であって、その値が「０」のとき、反りが発生しなくなる。Ｘ軸値が０より大きい場合にはＵ状に反り、Ｘ軸値が０より小さい場合には逆「Ｕ」字状に反る。すなわち、Ｘ軸の負数方向のＬＳＬ（管理下限値）は逆「Ｕ」字状に基板の反りが発生する値を意味し、Ｘ軸の正数方向のＵＳＬ（管理上限値）はＵ状に基板の反りが発生する値を意味する。図３の（ａ）において棒状グラフで表示されたデータは、Ｘ軸値の−０．５〜−０．１の間に密集しており、（ｂ）において棒状グラフで表示されたデータはＸ軸値の−０．３〜−０．１の間に密集している。よって、グラフ（ｂ）では、グラフ（ａ）のそれよりＸ軸値の密集度が「０」にさらに近接しており、基板の反りが減ることが分かる。このような基板の反りの比較を示すために、データの中央値の密集性を示すＣＰＫ値を用いる。グラフ（ａ）ではＣＰＫ値が１．８６であるが、グラフ（ｂ）ではＣＰＫ値が２．２１である。これは本発明のダミーパターンの形成により既存に比べて約１９％の半導体パッケージ基板の反り発生が改善されることを示唆する。
【００３０】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのもの過ぎず、本発明によるダミー領域１０を含む半導体パッケージ基板はこれに限定されないのは言うまでもない。本発明の技術的思想内において、当該分野における通常の知識を有する者によって多様な変形及び改良が可能であることは明白であろう。本発明の単純な変形ないし変更はいずれも本発明の範疇内に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求範囲によって明らかになるであろう。
【符号の説明】
【００３１】
１０ ダミー領域
１１ 第１金属パターン
１２ 第２金属パターン
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダミー領域を含む半導体パッケージ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、半導体パッケージ基板の軽薄短小化に伴い、基板の組立および製造会社では超精密実装技術に大なる関心を傾けている。
【０００３】
特に、半導体パッケージ基板とメインボードとを電気的に接合させる半田付け(soldering)工程で基板が益々薄くなるにつれて、半導体パッケージ基板の反り改善の重要性も日増しに増大しつつある。
このような半田付け工程における半導体パッケージ基板の反りは、工程率および生産性に多くの影響を与えている。
【０００４】
しかも、半導体パッケージ基板の反りは、その度合いによって、半田付け工程で半田ボールが半導体パッケージ基板の半田ボールパッド(solder ball pad)に形成されない問題や、半導体素子実装の際に半導体素子と半導体パッケージ基板に形成された半田ボールが接合されない問題などが発生し、半導体素子と半導体パッケージ基板との電気的導通が取れない不良をも招く可能性のある重要な因子である。
図１は従来の半導体パッケージ基板の斜視図である。
【０００５】
図１に示すように、従来の半導体パッケージ基板１００は、通常、半導体素子実装部１１０ａおよび外層回路パターン１１０ｂを含むパッケージ領域１１０と、パッケージ領域１１０を取り囲んでいるダミー領域１２０とから構成されている。
【０００６】
このような従来の半導体パッケージ基板１００は、パッケージ領域１１０の外層回路パターン１１０ｂの厚さ又はパッケージ領域１１０とダミー領域１２０の半田レジスト層の厚さを調節することにより、半導体パッケージ基板１００全体のバランスを維持して反りを改善しようとした。
【０００７】
ところが、従来の半導体パッケージ基板１００のパッケージ実装のための表面と、半田ボールをのせる裏面との銅残存率が異なることにより、表面と裏面の熱膨張係数の差による基板の反りが発生するという問題点があった。
【０００８】
また、従来の半導体パッケージ基板１００は、半田レジストのスクリーン印刷工程のバラツキが大きいため、半導体パッケージ基板１００の高密度化、高集積化および小型化に伴って反りの発生度合いも大きくなるという問題点があった。
【０００９】
これにより、従来の半導体パッケージ基板１００は、反りが発生した状態で半田レジストなどが硬化する場合、その状態を引続き維持しようとする性向がさらに強くなり、平らな状態の半導体パッケージ基板１００としてリサイクルすることも難しかった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、本発明は、かかる問題点を解決するためのもので、その目的は、半導体パッケージ基板にダミー領域を形成し、ダミー領域の両面に第１金属パターンおよび第２金属パターンを形成して半導体パッケージ基板の反りを防止するための、ダミー領域を含む半導体パッケージ基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を解決するために、本発明は、一面に多角形状の第１金属パターン、他面には多角形状の第２金属パターンがお互い交互に形成されるダミー領域を含む、半導体パッケージ基板を提供する。
【００１２】
ここで、前記第１金属パターンおよび前記第２金属パターンは格子状をすることを特徴とする。
また、前記第１金属パターンと前記第２金属パターンは、三角形、六角形、ドット形またはブロック形に形成されることを特徴とする。
【００１３】
また、前記第１金属パターンと前記第２金属パターンが形成される以外の領域に正方形の空間が設けられ、前記正方形の一辺の長さと前記第１金属パターンまたは第２金属パターンの形成厚さは１：１．５〜２の比率であることを特徴とする。
また、前記第１金属パターンと前記第２金属パターンは銅で形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、半導体パッケージ基板のダミー領域の両面に第１金属パターンと第２金属パターンとを交互に形成することにより、半導体パッケージ基板の反りを防止するとともに生産性を向上させるという効果がある。
【００１５】
また、半導体パッケージ基板のダミー領域の両面に第１金属パターンと第２金属パターンとを交互に形成して基板の反りを防止することにより、半導体パッケージ基板の信頼性を向上させるという効果がある。
【００１６】
また、半導体パッケージ基板のダミー領域の両面に第１金属パターンと第２金属パターンを形成して両面の熱膨張係数のバランスを取ることにより、半導体パッケージ基板の反り現象を防止するとともに半導体パッケージ基板の信頼性を向上させるという効果がある。
【００１７】
また、半導体パッケージ基板のダミー領域に第１金属パターンと第２金属パターンを形成することにより、半導体パッケージ基板の自体形態を変更することなく生産の信頼性を向上させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】従来の半導体パッケージ基板とダミー領域を示す図である。
【図２】本発明に係る半導体パッケージ基板のダミー領域の両面に第１金属パターンと第２金属パターンが形成されたことを示す図である。
【図３】本発明の実施例に係る半導体パッケージ基板の反り改善の度合いを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の目的、特定の利点および新規の特徴は添付図面に連関する以下の詳細な説明と好適な実施例からさらに明白になるであろう。
【００２０】
これに先立ち、本明細書および請求の範囲に使用された用語または単語は、通常的で辞典的な意味で解釈されてはならず、発明者が自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に基づき、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されなければならない。
【００２１】
本発明において、各図面の構成要素に参照番号を付加するにおいて、同一の構成要素については、他の図面上に表示されても、出来る限り同一の番号を付することに留意すべきであろう。本明細書において、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために使用されるもので、構成要素を限定するものではない。なお、本発明を説明するにおいて、関連した公知の技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を無駄に乱すおそれがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施例に係るプリント基板の製造方法を詳細に説明する。
【００２２】
図２は本発明に係る半導体パッケージ基板のダミー領域１０の両面に第１金属パターン１１と第２金属パターン１２が形成されたことを示す図である。本発明に係る半導体パッケージ基板は、一面に多角形の第１金属パターン１１、他面には多角形の第２金属パターン１２がお互い交互に形成されるダミー領域１０を含む。
【００２３】
ダミー領域１０は、半導体素子実装領域に半導体素子が実装された後、マザーボードなどにパッケージ領域が実装される前に除去される部分であって、パッケージ基板を取り囲むように形成されている。基板のダミー領域１０の両面には第１金属パターン１１と第２金属パターン１２が形成できる。ダミー領域１０の一面に第１金属パターン１１、ダミー領域１０の他面には第２金属パターン１２がお互い交互に形成できる。よって、第１金属パターン１１と第２金属パターン１２は、相互一致せず、各パターンが交差するように形成される。図２に示すように、第１金属パターン１１と第２金属パターン１２の横、縦の直線が同一間隔で「障子の桟」のように直角に交差していく格子模様を形成することができる。第１金属パターン１１と第２金属パターン１２はお互い交互に形成されるので、ダミー領域１０の一面の第１金属パターン１１とダミー領域１０の他面の第２金属パターン１２とがお互い直角に交差されて形成できる。
【００２４】
図２に示すように第１金属パターン１１と第２金属パターン１２が格子模様に形成される場合には、第１金属パターン１１と第２金属パターン１２とが交差されることにより発生する、第１金属パターン１１と第２金属パターン１２が通り過ぎない四角形の空間が形成されることもある。
【００２５】
第１金属パターン１１と第２金属パターン１２が通り過ぎない四角形は、正方形に形成されることが好ましく、図２に示すようにその辺の長さａとｂが同一であってもよい。ところが、このような四角形は、必ず正方形に限定されるのではなく、長方形またはその他の四角形を取ってもよい。
【００２６】
ダミー領域１０に形成される第１金属パターン１１と第２金属パターン１２の形成厚さはそれぞれＡとＢであってもよい（図２参照）。第１金属パターン１１と第２金属パターン１２の形成厚さＡとＢは互いに同一であることが好ましい。但し、第１金属パターン１１と第２金属パターン１２は、必ずしも横、縦の直線が同一の厚さに形成されることに限定されず、様々な厚さにお互い対応するように形成されてもよい。第１金属パターン１１と第２金属パターン１２の形成厚さＡとＢが同一であり、第１金属パターン１１と第２金属パターン１２が通り過ぎない空間に形成される四角形のａとｂが同一であるとき、ａまたはｂの長さとＡまたはＢの厚さとの比は１：１〜１．５であることが好ましく、必ずこれに限定されるのではない。
【００２７】
ダミー領域１０に形成される第１金属パターン１１と第２金属パターン１２は、前述したような格子模様に形成できるが、これに限定されず、例えば、三角形、六角形、ドット形またはブロック形に形成されてもよい。このような形状に第１金属パターン１１と第２金属パターン１２が形成される場合にも、お互い交互に形成されて半導体パッケージの反りを防止することができる。
【００２８】
第１金属パターン１１と第２金属パターン１２は銅で形成できるが、必ずしもこれに限定されるのではなく、半導体パッケージ基板の製作によるメッキ引き込み線の役割を果たせる金属材質であればいずれの金属材質で形成されてもよい。
【００２９】
図３は本発明の実施例に係る半導体パッケージ基板の反り改善の度合いを示すグラフである。図３の２つのグラフは、基板のダミー領域に従来のような銅パターンを形成する場合（グラフ（ａ））と、本発明の実施例によってダミーパターンを形成した場合（グラフ（ｂ））に半導体パッケージ基板の反りの度合いを示すグラフである。特に、本発明の実施例のうち、Ａ値とＢ値が同一であり且つａ値とｂ値が同一である場合（図２参照）にＡまたはＢとａまたはｂとの長さ比を２：１にして実験したグラフを示す。図３のＸ軸に示した値は反りの度合いを示す値であって、その値が「０」のとき、反りが発生しなくなる。Ｘ軸値が０より大きい場合にはＵ状に反り、Ｘ軸値が０より小さい場合には逆「Ｕ」字状に反る。すなわち、Ｘ軸の負数方向のＬＳＬ（管理下限値）は逆「Ｕ」字状に基板の反りが発生する値を意味し、Ｘ軸の正数方向のＵＳＬ（管理上限値）はＵ状に基板の反りが発生する値を意味する。図３の（ａ）において棒状グラフで表示されたデータは、Ｘ軸値の−０．５〜−０．１の間に密集しており、（ｂ）において棒状グラフで表示されたデータはＸ軸値の−０．３〜−０．１の間に密集している。よって、グラフ（ｂ）では、グラフ（ａ）のそれよりＸ軸値の密集度が「０」にさらに近接しており、基板の反りが減ることが分かる。このような基板の反りの比較を示すために、データの中央値の密集性を示すＣＰＫ値を用いる。グラフ（ａ）ではＣＰＫ値が１．８６であるが、グラフ（ｂ）ではＣＰＫ値が２．２１である。これは本発明のダミーパターンの形成により既存に比べて約１９％の半導体パッケージ基板の反り発生が改善されることを示唆する。
【００３０】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのもの過ぎず、本発明によるダミー領域１０を含む半導体パッケージ基板はこれに限定されないのは言うまでもない。本発明の技術的思想内において、当該分野における通常の知識を有する者によって多様な変形及び改良が可能であることは明白であろう。本発明の単純な変形ないし変更はいずれも本発明の範疇内に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求範囲によって明らかになるであろう。
【符号の説明】
【００３１】
１０ ダミー領域
１１ 第１金属パターン
１２ 第２金属パターン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に多角形状の第１金属パターン、他面には多角形状の第２金属パターンがお互い交互に形成されるダミー領域を含む半導体パッケージ基板。
【請求項２】
前記第１金属パターンおよび前記第２金属パターンは格子状をすることを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージ基板。
【請求項３】
前記第１金属パターンと前記第２金属パターンは、三角形、六角形、ドット形またはブロック形に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージ基板。
【請求項４】
前記第１金属パターンと前記第２金属パターンが形成される以外の領域に正方形の空間が形成され、前記正方形の一辺の長さと前記第１金属パターンまたは第２金属パターンの形成厚さは１：１．５〜２の比率であることを特徴とする、請求項２に記載の半導体パッケージ基板。
【請求項５】
前記第１金属パターンと前記第２金属パターンは銅で形成されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージ基板。
【請求項１】
一面に多角形状の第１金属パターン、他面には多角形状の第２金属パターンがお互い交互に形成されるダミー領域を含む半導体パッケージ基板。
【請求項２】
前記第１金属パターンおよび前記第２金属パターンは格子状をすることを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージ基板。
【請求項３】
前記第１金属パターンと前記第２金属パターンは、三角形、六角形、ドット形またはブロック形に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージ基板。
【請求項４】
前記第１金属パターンと前記第２金属パターンが形成される以外の領域に正方形の空間が形成され、前記正方形の一辺の長さと前記第１金属パターンまたは第２金属パターンの形成厚さは１：１．５〜２の比率であることを特徴とする、請求項２に記載の半導体パッケージ基板。
【請求項５】
前記第１金属パターンと前記第２金属パターンは銅で形成されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージ基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１２−１３４４４１（Ｐ２０１２−１３４４４１Ａ）
【公開日】平成２４年７月１２日（２０１２．７．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１１３１０８（Ｐ２０１１−１１３１０８）
【出願日】平成２３年５月２０日（２０１１．５．２０）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月１２日（２０１２．７．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月２０日（２０１１．５．２０）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
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