チップ抵抗器の製造方法
【課題】本発明は、製品の側面部にめっきが形成されるのを抑制できるチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器の製造方法は、抵抗体１３の縦方向における側面１３ａ、１３ｂをチップ領域２２の縦方向における側面１１ａから隙間部１１ｂを介して離れて形成し、前記抵抗体１３の形成後抵抗値の調整前に、縦方向に隣り合う前記抵抗体１３間に前記隙間部１１ｂおよび前記抵抗体１３の少なくとも前記側面１３ａ、１３ｂを覆うレジスト膜２３を設けるとともに、前記レジスト膜２３の縦方向の両端部の厚みを他の部分より薄くし、さらに、前記隙間部１１ｂを始点１７ａに前記トリミング溝１７を形成するようにしているものである。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器の製造方法は、抵抗体１３の縦方向における側面１３ａ、１３ｂをチップ領域２２の縦方向における側面１１ａから隙間部１１ｂを介して離れて形成し、前記抵抗体１３の形成後抵抗値の調整前に、縦方向に隣り合う前記抵抗体１３間に前記隙間部１１ｂおよび前記抵抗体１３の少なくとも前記側面１３ａ、１３ｂを覆うレジスト膜２３を設けるとともに、前記レジスト膜２３の縦方向の両端部の厚みを他の部分より薄くし、さらに、前記隙間部１１ｂを始点１７ａに前記トリミング溝１７を形成するようにしているものである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に使用される低い抵抗値の厚膜抵抗体で形成された微小チップ抵抗器の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種のチップ抵抗器の製造法は、図７において、絶縁基板１の上面の両端部に一対の上面電極２を形成する工程と、絶縁基板１の上面において一対の上面電極２間に抵抗体３を形成する工程と、抵抗体３にその一方の側面から抵抗体３の他の側面に向かってレーザで切削することによりＬ字状のトリミング溝４を形成して抵抗値を調整する工程と、抵抗体３を覆うように保護膜５を形成する工程と、絶縁基板１の両端面に一対の上面電極２と接続される端面電極６を形成する工程と、端面電極６の表面にめっきすることによりめっき層７を形成する工程とを備えるようにしていた。
【０００３】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３４７１０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した従来のチップ抵抗器の製造方法においては、レーザ照射によりトリミング溝４を形成する際、図８に示すように、トリミング溝４周辺およびトリミング溝４の始点４ａ近傍にレーザで切削された抵抗体３の飛散物８が発生するため、その飛散物８が絶縁基板１の側面１ａ付近に付着し絶縁基板１の側面１ａから露出する場合があり、これにより、めっき層７を形成するとき、絶縁基板１の側面１ａに露出した飛散物８をめっきの核としてめっきが成長する可能性があるため、図９に示すように、製品の側面部９に露出した飛散物８にめっき部７ａが形成され、めっきが露出する場合があるという課題を有していた。この結果、抵抗値が変化したり側面部９に露出しためっき部７ａが他の製品と接触したりするという不具合が発生する可能性があった。
【０００６】
さらに、分割用のスリットを有する絶縁基板１に、抵抗体３、トリミング溝４を形成する場合、抵抗体３の飛散物８は、スリット最深部に付着し除去しにくいため、スリット内部に飛散物８が残り、これにより、スリットで個片に分割した後、図１０に示すように、製品の側面部９のうちスリット内部に対応する箇所にめっき部７ａが形成される可能性があった。
【０００７】
また、特に、微小化されると、抵抗体３の側面３ａと絶縁基板１の側面１ａとの距離が小さくなるため、絶縁基板１の側面１ａ付近まで抵抗体３の飛散物８が飛散する可能性が大きくなり、さらに、低い抵抗値の場合は、抵抗体３の厚みが厚いため、飛散物８の量が多くなって、抵抗体３の飛散物８が絶縁基板１の側面１ａに露出し易くなり、また、導電率が高い材料を抵抗体３に使用するため、めっき層７を形成する際に飛散物８にめっきが形成され易くなる。
【０００８】
また、飛散物８の除去方法としては、トリミング溝４形成時にエアーを吹き付けたり、トリミング溝４形成後に洗浄したりする方法も考えられるが、抵抗値が低い場合は抵抗体３の厚みが厚く、飛散物８の量が多いため、完全に除去することは困難であった。
【０００９】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、側面部にめっきが形成されるのを抑制するチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【００１１】
本発明の請求項１に記載の発明は、１個のチップ抵抗器に相当するチップ領域が複数の縦分割部と横分割部によって複数区画され、前記チップ領域が縦方向および横方向に複数並んでいるシート状絶縁基板に、前記複数の縦分割部を跨ぐように複数の上面電極を形成するとともに、前記チップ領域内において上面電極間を電気的に接続しかつ横方向と平行な抵抗体を形成する工程と、前記抵抗体にレーザを照射することにより、少なくとも前記抵抗体を縦方向における一方の側面から抵抗体の他の側面に向かうトリミング溝を形成して抵抗値を調整する工程とを備え、前記抵抗体の縦方向における側面を前記チップ領域の縦方向における側面から隙間部を介して離れて形成し、前記抵抗体の形成後抵抗値の調整前に、縦方向に隣り合う前記抵抗体間に前記隙間部および前記抵抗体の少なくとも前記側面を覆うレジスト膜を設けるとともに、前記レジスト膜の縦方向の両端部の厚みを他の部分より薄くし、さらに、前記隙間部を始点に前記トリミング溝を形成するようにしたもので、この製造方法によれば、トリミング溝形成時に抵抗体の飛散物が発生しても、抵抗体の側面とチップ領域の側面との間においては、この飛散物はレジスト膜の上に付着するだけであるため、レジスト膜を除去すれば飛散物は絶縁基板の側面に露出しにくくなり、これにより、側面部にめっきが形成されるのを抑制できるという作用効果を有するものである。
【００１２】
本発明の請求項２に記載の発明は、特に、抵抗値の調整後に洗浄するようにしたもので、この製造方法によれば、トリミング溝内部に飛散物が残留しても、この残留物を除去できるため、飛散物は絶縁基板の側面に露出しにくくなり、これにより、側面部にめっきが形成されるのをより確実に抑制できるという作用効果を有するものである。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように本発明のチップ抵抗器の製造方法は、抵抗体の縦方向における側面をチップ領域の縦方向における側面から隙間部を介して離れて形成し、前記抵抗体の形成後抵抗値の調整前に、縦方向に隣り合う前記抵抗体間に前記隙間部および前記抵抗体の少なくとも前記側面を覆うレジスト膜を設けるとともに、前記レジスト膜の縦方向の両端部の厚みを他の部分より薄くし、さらに、前記隙間部を始点に前記トリミング溝を形成するようにしているため、トリミング溝形成時に抵抗体の飛散物が発生しても、抵抗体の一方の側面とチップ領域の側面との間においては、この飛散物はレジスト膜の上に付着するだけであり、これにより、レジスト膜を除去すれば飛散物は絶縁基板の側面に露出しにくくなるため、側面部にめっきが形成されるのを抑制できるという優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図
【図２】同チップ抵抗器の主要部の上面図
【図３】同チップ抵抗器の製造方法の一部を示す図
【図４】同チップ抵抗器の製造方法の一部を示す図
【図５】同チップ抵抗器の製造方法の一部を示す図
【図６】同チップ抵抗器の製造方法の一部を示す図
【図７】従来のチップ抵抗器の断面図
【図８】同チップ抵抗器の主要部の上面図
【図９】同チップ抵抗器の斜視図
【図１０】同チップ抵抗器の斜視図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
図１は本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図、図２は同チップ抵抗器の主要部の上面図である。
【００１７】
本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器は、図１、図２に示すように、絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の上面の両端部に設けられた一対の上面電極１２と、前記絶縁基板１１の上面に設けられ、かつ前記一対の上面電極１２間に形成された抵抗体１３と、少なくとも前記抵抗体１３を覆うように設けられた保護膜１４と、前記一対の上面電極１２と電気的に接続されるように前記絶縁基板１１の両端面に設けられた一対の端面電極１５と、前記上面電極１２の一部と前記一対の端面電極１５の表面に形成されためっき層１６とを備えた構成としている。そして、抵抗体１３には、その一方の側面１３ａを始点１７ａとし、そこから抵抗体１３の他の側面１３ｂに向かってレーザで切削して、Ｌ字状のトリミング溝１７が形成されている。なお、図２では、保護膜１４、一対の端面電極１５、めっき層１６を省略している。
【００１８】
次に、本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の製造方法について、図３〜図６を参照しながら説明する。なお、説明を簡単にするために、図３〜図６ではチップ抵抗器が縦３列、横３列のシート状に形成されたものを示す。
【００１９】
まず、分割用のスリットである縦溝（縦分割部）２１ａと横溝（横分割部）２１ｂを複数有し１個のチップ抵抗器に相当するチップ領域２２が複数区画されているシート状絶縁基板２１を用意する。また、このチップ領域２２は縦方向、横方向に複数並んでいる。そして、このシート状絶縁基板２１は、Ａｌ2Ｏ3を９６％含有するアルミナで構成されている。さらに、１個のチップ抵抗器に相当する絶縁基板１１の形状は矩形状（上面視にて長方形）となっている。なお、縦分割部、横分割部は分割用のスリットでなくてダイシングやスクライブの形成部分でもよく、この場合は、縦分割部２１ａと横分割部２１ｂは分割される箇所、すなわちダイシングやスクライブの中心部に相当する。
【００２０】
次に、図３（ａ）に示すように、シート状の絶縁基板２１の上面において、縦溝２１ａを跨ぐようにＡｇ系厚膜材料を印刷、焼成して上面電極１２を複数設ける。
【００２１】
次に、図３（ｂ）に示すように、それぞれのチップ領域２２内において上面電極１２間を電気的に接続するように、ＡｇＰｄ等にガラスフリットを含有させたペーストを印刷、焼成することにより厚み５μｍ〜４０μｍの抵抗体１３を横方向と平行に形成する。このとき、図３（ｃ）に示すように、抵抗体１３の縦方向における一方の側面１３ａ、他の側面１３ｂをチップ領域２２の縦方向における側面１１ａから隙間部１１ｂを介して離れて形成する。すなわち、図２のように、１個の製品において、絶縁基板１１の側面１１ａと抵抗体１３の一方の側面１３ａ、他の側面１３ｂとが離れるようにする。なお、図３（ｃ）は図３（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。そして、各々のチップ領域２２の縦方向における側面１１ａ（１個の製品における絶縁基板１１の側面１１ａ）は、縦分割部、横分割部が分割用のスリットである場合はスリットの溝の縁、ダイシングやスクライブの場合は切断面となる。ここで、チップ領域２２の縦方向と、抵抗体１３の一方の側面１３ａ、他の側面１３ｂの並ぶ方向は同じである。
【００２２】
なお、抵抗体１３として、ＣｕＮｉを用いてもよく、この場合は、上面電極１２としてＣｕ系厚膜材料を使用する。また、抵抗体１３にＡｇＰｄを用いた場合は、この後、抵抗体１３の上面をプリコートガラス（図示せず）で覆うようにしてもよい。さらに、上面電極１２と抵抗体１３の形成順序は逆でもよい。
【００２３】
次に、図４（ａ）、図４（ｂ）に示すように、縦方向に隣り合う抵抗体１３間に、少なくとも抵抗体１３の一方の側面１３ａ、他の側面１３ｂの一部を覆うエポキシ樹脂等からなるレジスト膜２３を形成する。すなわち、抵抗体１３の側面１３ａ、１３ｂと絶縁基板１１（チップ領域２２）の側面１１ａとの間の隙間部１１ｂ、スリットの溝がレジスト膜２３で覆われるようにする。したがって、レジスト膜２３の幅は、スリットの溝幅やダイシング、スクライブの切断幅より広くする。なお、図４（ａ）は図４（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【００２４】
このとき、レジスト膜２３を液状で形成し、表面張力によってレジスト膜２３の縦方向の両端部の厚みを他の部分より薄くする。さらに、隙間部１１ｂの一部を覆うレジスト膜２３の厚みを他の部分より薄くなるようにする。
【００２５】
次に、図４（ｃ）に示すように、抵抗体１３にレーザを照射することにより、抵抗体１３の一方の側面１３ａから抵抗体１３の他の側面１３ｂに向かい、さらに電流の流れと平行になるように折り曲がるＬ字状のトリミング溝１７を形成し、抵抗体１３の抵抗値を調整する。このとき、抵抗体１３を貫通するように切削する。なお、図４（ｃ）では、レジスト２３を省略している。
【００２６】
このとき、トリミング溝１７の始点１７ａを隙間部１１ｂが形成された箇所とし、隙間部１１ｂからトリミング溝１７を形成する。このようにすれば、隙間部１１ｂを覆うレジスト膜２３のみが最初に飛散し、このレジスト膜２３の飛散物が、トリミング溝１７の始点１７ａ近傍に付着するため、その後のトリミング溝１７形成時に発生する金属からなる抵抗体１３の飛散物が、絶縁物であるレジスト膜２３の飛散物でせき止められ、これにより、後述するようにレジスト膜２３を除去する際に除去しきれなかったり、隙間部１１ｂの幅が狭かったりしても、製品の側面部にめっきが形成されるのを抑制できる。なお、絶縁物であるレジスト膜２３が製品の側面部に露出しても、めっきの核とならないため、製品の側面部にめっきが形成されることはない。
【００２７】
また、その厚みが他の部分より薄くなっているレジスト膜２３で覆われた隙間部１１ｂをトリミング溝１７の始点１７ａとすれば、より少ないパワーでトリミング溝１７の形成を開始できる。
【００２８】
なお、トリミング溝１７の形状はＬ字状ではなく、直線状、Ｕ字状等の他の形状であってもよく、さらに、１本だけでなく複数本形成してもよい。
【００２９】
そして、上記のようにトリミング溝１７を形状した後、レジスト膜２３を除去する。これにより、レジスト膜２３上に飛散した抵抗体１３の飛散物も除去される。
【００３０】
また、トリミング溝１７を形成した後、またはレジスト膜２３を除去した後に、さらに水などでシート状絶縁基板２１のトリミング溝１７内部を洗浄してもよい。これにより、トリミング溝１７内部に飛散物が残留した場合でも、このトリミング溝１７内部の飛散物を除去できるため、絶縁基板の側面に露出した飛散物によってめっきが形成されるのをより確実に抑制できる。このとき、トリミング溝１７の内部に露出した絶縁基板１１は、レーザ照射によりその表面が平滑になっているため、洗浄によっても容易に飛散物を除去できる。
【００３１】
次に、図５（ａ）に示すように、少なくとも上面電極１２の一部が露出し、かつ抵抗体１３およびトリミング溝１７を覆うようにガラスまたはエポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷する。その後、エポキシ樹脂ペーストを用いるときは２００℃で硬化させ、ガラスを使用するときは６００℃で焼成することにより保護膜１４を形成する。このとき、保護膜１４は横溝２１ｂを跨ぐように帯状に形成してもよい。
【００３２】
次に、図５（ｂ）に示すように、シート状絶縁基板２１を縦分割部（縦溝２１ａ）で分割し、短冊状の基板２４を形成する。その後、図５（ｃ）に示すように、この短冊状の基板２４の両端部に露出した一対の上面電極１２と電気的に接続されるようにＡｇを印刷、塗布、またはスパッタして一対の端面電極１５を形成する。
【００３３】
次に、図６（ａ）に示すように、前記短冊状の基板２４を横分割部（横溝２１ｂ）で分割し、複数の個片状の抵抗器２５を得る。
【００３４】
最後に、図６（ｂ）に示すように、上面電極１２の一部と一対の端面電極１５の表面に、Ｎｉめっき層を形成し、さらにこのＮｉめっき層を覆うようにＳｎめっき層を形成することによりめっき層１６を構成する。
【００３５】
上記したように本発明の一実施の形態においては、抵抗体１３の縦方向における側面１３ａ、１３ｂをチップ領域２２の縦方向における側面から隙間部１１ｂを介して離れて形成し、抵抗体１３の形成後抵抗値の調整前に、縦方向に隣り合う抵抗体１３間に隙間部１１ｂおよび抵抗体１３の少なくとも側面１３ａ、１３ｂの一部を覆うレジスト膜２３を設け、さらに、隙間部１１ｂを始点１７ａにトリミング溝１７を形成するようにしているため、トリミング溝１７形成時に抵抗体１３の飛散物が発生しても、抵抗体１３の側面１３ａ、１３ｂとチップ領域２２の側面１１ａとの間においては、この飛散物はレジスト膜２３の上に付着するだけであり、これにより、レジスト膜２３を除去すれば飛散物は絶縁基板１１の側面１１ａに露出しにくくなるため、製品の側面部にめっきが形成されるのを抑制できるという効果が得られるものである。
【００３６】
特に、上記のようにシート状の絶縁基板２１として分割用のスリットを有するものを用いた場合、抵抗体１３の飛散物は、スリット最深部に付着し除去しにくいが、本発明のように、レジスト膜２３を形成すれば、飛散物はスリットには入らずレジスト膜２３の上に付着するため、レジスト膜２３を除去することで、抵抗体１３の飛散物は、スリット内部に付着することはなく、有効である。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明に係るチップ抵抗器の製造方法は、側面部にめっきが形成されるのを抑制できるという効果を有するものであり、特に、各種電子機器に使用される低い抵抗値の厚膜抵抗体で形成された微小チップ抵抗器等において有用となるものである。
【符号の説明】
【００３８】
１１ 絶縁基板
１１ａ 絶縁基板の側面
１１ｂ 隙間部
１２ 上面電極
１３ 抵抗体
１３ａ 抵抗体の一方の側面
１３ｂ 抵抗体の他の側面
１７ トリミング溝
１７ａ トリミング溝の始点
２１ シート状の絶縁基板
２１ａ 縦溝（縦分割部）
２１ｂ 横溝（横分割部）
２２ チップ領域
２３ レジスト膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に使用される低い抵抗値の厚膜抵抗体で形成された微小チップ抵抗器の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種のチップ抵抗器の製造法は、図７において、絶縁基板１の上面の両端部に一対の上面電極２を形成する工程と、絶縁基板１の上面において一対の上面電極２間に抵抗体３を形成する工程と、抵抗体３にその一方の側面から抵抗体３の他の側面に向かってレーザで切削することによりＬ字状のトリミング溝４を形成して抵抗値を調整する工程と、抵抗体３を覆うように保護膜５を形成する工程と、絶縁基板１の両端面に一対の上面電極２と接続される端面電極６を形成する工程と、端面電極６の表面にめっきすることによりめっき層７を形成する工程とを備えるようにしていた。
【０００３】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３４７１０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した従来のチップ抵抗器の製造方法においては、レーザ照射によりトリミング溝４を形成する際、図８に示すように、トリミング溝４周辺およびトリミング溝４の始点４ａ近傍にレーザで切削された抵抗体３の飛散物８が発生するため、その飛散物８が絶縁基板１の側面１ａ付近に付着し絶縁基板１の側面１ａから露出する場合があり、これにより、めっき層７を形成するとき、絶縁基板１の側面１ａに露出した飛散物８をめっきの核としてめっきが成長する可能性があるため、図９に示すように、製品の側面部９に露出した飛散物８にめっき部７ａが形成され、めっきが露出する場合があるという課題を有していた。この結果、抵抗値が変化したり側面部９に露出しためっき部７ａが他の製品と接触したりするという不具合が発生する可能性があった。
【０００６】
さらに、分割用のスリットを有する絶縁基板１に、抵抗体３、トリミング溝４を形成する場合、抵抗体３の飛散物８は、スリット最深部に付着し除去しにくいため、スリット内部に飛散物８が残り、これにより、スリットで個片に分割した後、図１０に示すように、製品の側面部９のうちスリット内部に対応する箇所にめっき部７ａが形成される可能性があった。
【０００７】
また、特に、微小化されると、抵抗体３の側面３ａと絶縁基板１の側面１ａとの距離が小さくなるため、絶縁基板１の側面１ａ付近まで抵抗体３の飛散物８が飛散する可能性が大きくなり、さらに、低い抵抗値の場合は、抵抗体３の厚みが厚いため、飛散物８の量が多くなって、抵抗体３の飛散物８が絶縁基板１の側面１ａに露出し易くなり、また、導電率が高い材料を抵抗体３に使用するため、めっき層７を形成する際に飛散物８にめっきが形成され易くなる。
【０００８】
また、飛散物８の除去方法としては、トリミング溝４形成時にエアーを吹き付けたり、トリミング溝４形成後に洗浄したりする方法も考えられるが、抵抗値が低い場合は抵抗体３の厚みが厚く、飛散物８の量が多いため、完全に除去することは困難であった。
【０００９】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、側面部にめっきが形成されるのを抑制するチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【００１１】
本発明の請求項１に記載の発明は、１個のチップ抵抗器に相当するチップ領域が複数の縦分割部と横分割部によって複数区画され、前記チップ領域が縦方向および横方向に複数並んでいるシート状絶縁基板に、前記複数の縦分割部を跨ぐように複数の上面電極を形成するとともに、前記チップ領域内において上面電極間を電気的に接続しかつ横方向と平行な抵抗体を形成する工程と、前記抵抗体にレーザを照射することにより、少なくとも前記抵抗体を縦方向における一方の側面から抵抗体の他の側面に向かうトリミング溝を形成して抵抗値を調整する工程とを備え、前記抵抗体の縦方向における側面を前記チップ領域の縦方向における側面から隙間部を介して離れて形成し、前記抵抗体の形成後抵抗値の調整前に、縦方向に隣り合う前記抵抗体間に前記隙間部および前記抵抗体の少なくとも前記側面を覆うレジスト膜を設けるとともに、前記レジスト膜の縦方向の両端部の厚みを他の部分より薄くし、さらに、前記隙間部を始点に前記トリミング溝を形成するようにしたもので、この製造方法によれば、トリミング溝形成時に抵抗体の飛散物が発生しても、抵抗体の側面とチップ領域の側面との間においては、この飛散物はレジスト膜の上に付着するだけであるため、レジスト膜を除去すれば飛散物は絶縁基板の側面に露出しにくくなり、これにより、側面部にめっきが形成されるのを抑制できるという作用効果を有するものである。
【００１２】
本発明の請求項２に記載の発明は、特に、抵抗値の調整後に洗浄するようにしたもので、この製造方法によれば、トリミング溝内部に飛散物が残留しても、この残留物を除去できるため、飛散物は絶縁基板の側面に露出しにくくなり、これにより、側面部にめっきが形成されるのをより確実に抑制できるという作用効果を有するものである。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように本発明のチップ抵抗器の製造方法は、抵抗体の縦方向における側面をチップ領域の縦方向における側面から隙間部を介して離れて形成し、前記抵抗体の形成後抵抗値の調整前に、縦方向に隣り合う前記抵抗体間に前記隙間部および前記抵抗体の少なくとも前記側面を覆うレジスト膜を設けるとともに、前記レジスト膜の縦方向の両端部の厚みを他の部分より薄くし、さらに、前記隙間部を始点に前記トリミング溝を形成するようにしているため、トリミング溝形成時に抵抗体の飛散物が発生しても、抵抗体の一方の側面とチップ領域の側面との間においては、この飛散物はレジスト膜の上に付着するだけであり、これにより、レジスト膜を除去すれば飛散物は絶縁基板の側面に露出しにくくなるため、側面部にめっきが形成されるのを抑制できるという優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図
【図２】同チップ抵抗器の主要部の上面図
【図３】同チップ抵抗器の製造方法の一部を示す図
【図４】同チップ抵抗器の製造方法の一部を示す図
【図５】同チップ抵抗器の製造方法の一部を示す図
【図６】同チップ抵抗器の製造方法の一部を示す図
【図７】従来のチップ抵抗器の断面図
【図８】同チップ抵抗器の主要部の上面図
【図９】同チップ抵抗器の斜視図
【図１０】同チップ抵抗器の斜視図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
図１は本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図、図２は同チップ抵抗器の主要部の上面図である。
【００１７】
本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器は、図１、図２に示すように、絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の上面の両端部に設けられた一対の上面電極１２と、前記絶縁基板１１の上面に設けられ、かつ前記一対の上面電極１２間に形成された抵抗体１３と、少なくとも前記抵抗体１３を覆うように設けられた保護膜１４と、前記一対の上面電極１２と電気的に接続されるように前記絶縁基板１１の両端面に設けられた一対の端面電極１５と、前記上面電極１２の一部と前記一対の端面電極１５の表面に形成されためっき層１６とを備えた構成としている。そして、抵抗体１３には、その一方の側面１３ａを始点１７ａとし、そこから抵抗体１３の他の側面１３ｂに向かってレーザで切削して、Ｌ字状のトリミング溝１７が形成されている。なお、図２では、保護膜１４、一対の端面電極１５、めっき層１６を省略している。
【００１８】
次に、本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の製造方法について、図３〜図６を参照しながら説明する。なお、説明を簡単にするために、図３〜図６ではチップ抵抗器が縦３列、横３列のシート状に形成されたものを示す。
【００１９】
まず、分割用のスリットである縦溝（縦分割部）２１ａと横溝（横分割部）２１ｂを複数有し１個のチップ抵抗器に相当するチップ領域２２が複数区画されているシート状絶縁基板２１を用意する。また、このチップ領域２２は縦方向、横方向に複数並んでいる。そして、このシート状絶縁基板２１は、Ａｌ2Ｏ3を９６％含有するアルミナで構成されている。さらに、１個のチップ抵抗器に相当する絶縁基板１１の形状は矩形状（上面視にて長方形）となっている。なお、縦分割部、横分割部は分割用のスリットでなくてダイシングやスクライブの形成部分でもよく、この場合は、縦分割部２１ａと横分割部２１ｂは分割される箇所、すなわちダイシングやスクライブの中心部に相当する。
【００２０】
次に、図３（ａ）に示すように、シート状の絶縁基板２１の上面において、縦溝２１ａを跨ぐようにＡｇ系厚膜材料を印刷、焼成して上面電極１２を複数設ける。
【００２１】
次に、図３（ｂ）に示すように、それぞれのチップ領域２２内において上面電極１２間を電気的に接続するように、ＡｇＰｄ等にガラスフリットを含有させたペーストを印刷、焼成することにより厚み５μｍ〜４０μｍの抵抗体１３を横方向と平行に形成する。このとき、図３（ｃ）に示すように、抵抗体１３の縦方向における一方の側面１３ａ、他の側面１３ｂをチップ領域２２の縦方向における側面１１ａから隙間部１１ｂを介して離れて形成する。すなわち、図２のように、１個の製品において、絶縁基板１１の側面１１ａと抵抗体１３の一方の側面１３ａ、他の側面１３ｂとが離れるようにする。なお、図３（ｃ）は図３（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。そして、各々のチップ領域２２の縦方向における側面１１ａ（１個の製品における絶縁基板１１の側面１１ａ）は、縦分割部、横分割部が分割用のスリットである場合はスリットの溝の縁、ダイシングやスクライブの場合は切断面となる。ここで、チップ領域２２の縦方向と、抵抗体１３の一方の側面１３ａ、他の側面１３ｂの並ぶ方向は同じである。
【００２２】
なお、抵抗体１３として、ＣｕＮｉを用いてもよく、この場合は、上面電極１２としてＣｕ系厚膜材料を使用する。また、抵抗体１３にＡｇＰｄを用いた場合は、この後、抵抗体１３の上面をプリコートガラス（図示せず）で覆うようにしてもよい。さらに、上面電極１２と抵抗体１３の形成順序は逆でもよい。
【００２３】
次に、図４（ａ）、図４（ｂ）に示すように、縦方向に隣り合う抵抗体１３間に、少なくとも抵抗体１３の一方の側面１３ａ、他の側面１３ｂの一部を覆うエポキシ樹脂等からなるレジスト膜２３を形成する。すなわち、抵抗体１３の側面１３ａ、１３ｂと絶縁基板１１（チップ領域２２）の側面１１ａとの間の隙間部１１ｂ、スリットの溝がレジスト膜２３で覆われるようにする。したがって、レジスト膜２３の幅は、スリットの溝幅やダイシング、スクライブの切断幅より広くする。なお、図４（ａ）は図４（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【００２４】
このとき、レジスト膜２３を液状で形成し、表面張力によってレジスト膜２３の縦方向の両端部の厚みを他の部分より薄くする。さらに、隙間部１１ｂの一部を覆うレジスト膜２３の厚みを他の部分より薄くなるようにする。
【００２５】
次に、図４（ｃ）に示すように、抵抗体１３にレーザを照射することにより、抵抗体１３の一方の側面１３ａから抵抗体１３の他の側面１３ｂに向かい、さらに電流の流れと平行になるように折り曲がるＬ字状のトリミング溝１７を形成し、抵抗体１３の抵抗値を調整する。このとき、抵抗体１３を貫通するように切削する。なお、図４（ｃ）では、レジスト２３を省略している。
【００２６】
このとき、トリミング溝１７の始点１７ａを隙間部１１ｂが形成された箇所とし、隙間部１１ｂからトリミング溝１７を形成する。このようにすれば、隙間部１１ｂを覆うレジスト膜２３のみが最初に飛散し、このレジスト膜２３の飛散物が、トリミング溝１７の始点１７ａ近傍に付着するため、その後のトリミング溝１７形成時に発生する金属からなる抵抗体１３の飛散物が、絶縁物であるレジスト膜２３の飛散物でせき止められ、これにより、後述するようにレジスト膜２３を除去する際に除去しきれなかったり、隙間部１１ｂの幅が狭かったりしても、製品の側面部にめっきが形成されるのを抑制できる。なお、絶縁物であるレジスト膜２３が製品の側面部に露出しても、めっきの核とならないため、製品の側面部にめっきが形成されることはない。
【００２７】
また、その厚みが他の部分より薄くなっているレジスト膜２３で覆われた隙間部１１ｂをトリミング溝１７の始点１７ａとすれば、より少ないパワーでトリミング溝１７の形成を開始できる。
【００２８】
なお、トリミング溝１７の形状はＬ字状ではなく、直線状、Ｕ字状等の他の形状であってもよく、さらに、１本だけでなく複数本形成してもよい。
【００２９】
そして、上記のようにトリミング溝１７を形状した後、レジスト膜２３を除去する。これにより、レジスト膜２３上に飛散した抵抗体１３の飛散物も除去される。
【００３０】
また、トリミング溝１７を形成した後、またはレジスト膜２３を除去した後に、さらに水などでシート状絶縁基板２１のトリミング溝１７内部を洗浄してもよい。これにより、トリミング溝１７内部に飛散物が残留した場合でも、このトリミング溝１７内部の飛散物を除去できるため、絶縁基板の側面に露出した飛散物によってめっきが形成されるのをより確実に抑制できる。このとき、トリミング溝１７の内部に露出した絶縁基板１１は、レーザ照射によりその表面が平滑になっているため、洗浄によっても容易に飛散物を除去できる。
【００３１】
次に、図５（ａ）に示すように、少なくとも上面電極１２の一部が露出し、かつ抵抗体１３およびトリミング溝１７を覆うようにガラスまたはエポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷する。その後、エポキシ樹脂ペーストを用いるときは２００℃で硬化させ、ガラスを使用するときは６００℃で焼成することにより保護膜１４を形成する。このとき、保護膜１４は横溝２１ｂを跨ぐように帯状に形成してもよい。
【００３２】
次に、図５（ｂ）に示すように、シート状絶縁基板２１を縦分割部（縦溝２１ａ）で分割し、短冊状の基板２４を形成する。その後、図５（ｃ）に示すように、この短冊状の基板２４の両端部に露出した一対の上面電極１２と電気的に接続されるようにＡｇを印刷、塗布、またはスパッタして一対の端面電極１５を形成する。
【００３３】
次に、図６（ａ）に示すように、前記短冊状の基板２４を横分割部（横溝２１ｂ）で分割し、複数の個片状の抵抗器２５を得る。
【００３４】
最後に、図６（ｂ）に示すように、上面電極１２の一部と一対の端面電極１５の表面に、Ｎｉめっき層を形成し、さらにこのＮｉめっき層を覆うようにＳｎめっき層を形成することによりめっき層１６を構成する。
【００３５】
上記したように本発明の一実施の形態においては、抵抗体１３の縦方向における側面１３ａ、１３ｂをチップ領域２２の縦方向における側面から隙間部１１ｂを介して離れて形成し、抵抗体１３の形成後抵抗値の調整前に、縦方向に隣り合う抵抗体１３間に隙間部１１ｂおよび抵抗体１３の少なくとも側面１３ａ、１３ｂの一部を覆うレジスト膜２３を設け、さらに、隙間部１１ｂを始点１７ａにトリミング溝１７を形成するようにしているため、トリミング溝１７形成時に抵抗体１３の飛散物が発生しても、抵抗体１３の側面１３ａ、１３ｂとチップ領域２２の側面１１ａとの間においては、この飛散物はレジスト膜２３の上に付着するだけであり、これにより、レジスト膜２３を除去すれば飛散物は絶縁基板１１の側面１１ａに露出しにくくなるため、製品の側面部にめっきが形成されるのを抑制できるという効果が得られるものである。
【００３６】
特に、上記のようにシート状の絶縁基板２１として分割用のスリットを有するものを用いた場合、抵抗体１３の飛散物は、スリット最深部に付着し除去しにくいが、本発明のように、レジスト膜２３を形成すれば、飛散物はスリットには入らずレジスト膜２３の上に付着するため、レジスト膜２３を除去することで、抵抗体１３の飛散物は、スリット内部に付着することはなく、有効である。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明に係るチップ抵抗器の製造方法は、側面部にめっきが形成されるのを抑制できるという効果を有するものであり、特に、各種電子機器に使用される低い抵抗値の厚膜抵抗体で形成された微小チップ抵抗器等において有用となるものである。
【符号の説明】
【００３８】
１１ 絶縁基板
１１ａ 絶縁基板の側面
１１ｂ 隙間部
１２ 上面電極
１３ 抵抗体
１３ａ 抵抗体の一方の側面
１３ｂ 抵抗体の他の側面
１７ トリミング溝
１７ａ トリミング溝の始点
２１ シート状の絶縁基板
２１ａ 縦溝（縦分割部）
２１ｂ 横溝（横分割部）
２２ チップ領域
２３ レジスト膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１個のチップ抵抗器に相当するチップ領域が複数の縦分割部と横分割部によって複数区画され、前記チップ領域が縦方向および横方向に複数並んでいるシート状絶縁基板に、前記複数の縦分割部を跨ぐように複数の上面電極を形成するとともに、前記チップ領域内において上面電極間を電気的に接続しかつ横方向と平行な抵抗体を形成する工程と、前記抵抗体にレーザを照射することにより、少なくとも前記抵抗体を縦方向における一方の側面から抵抗体の他の側面に向かうトリミング溝を形成して抵抗値を調整する工程とを備え、前記抵抗体の縦方向における側面を前記チップ領域の縦方向における側面から隙間部を介して離れて形成し、前記抵抗体の形成後抵抗値の調整前に、縦方向に隣り合う前記抵抗体間に前記隙間部および前記抵抗体の少なくとも前記側面を覆うレジスト膜を設けるとともに、前記レジスト膜の縦方向の両端部の厚みを他の部分より薄くし、さらに、前記隙間部を始点に前記トリミング溝を形成するようにしたチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２】
抵抗値の調整後に洗浄するようにした請求項１記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１】
１個のチップ抵抗器に相当するチップ領域が複数の縦分割部と横分割部によって複数区画され、前記チップ領域が縦方向および横方向に複数並んでいるシート状絶縁基板に、前記複数の縦分割部を跨ぐように複数の上面電極を形成するとともに、前記チップ領域内において上面電極間を電気的に接続しかつ横方向と平行な抵抗体を形成する工程と、前記抵抗体にレーザを照射することにより、少なくとも前記抵抗体を縦方向における一方の側面から抵抗体の他の側面に向かうトリミング溝を形成して抵抗値を調整する工程とを備え、前記抵抗体の縦方向における側面を前記チップ領域の縦方向における側面から隙間部を介して離れて形成し、前記抵抗体の形成後抵抗値の調整前に、縦方向に隣り合う前記抵抗体間に前記隙間部および前記抵抗体の少なくとも前記側面を覆うレジスト膜を設けるとともに、前記レジスト膜の縦方向の両端部の厚みを他の部分より薄くし、さらに、前記隙間部を始点に前記トリミング溝を形成するようにしたチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２】
抵抗値の調整後に洗浄するようにした請求項１記載のチップ抵抗器の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１３−８９７８５（Ｐ２０１３−８９７８５Ａ）
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２９３５９（Ｐ２０１１−２２９３５９）
【出願日】平成２３年１０月１９日（２０１１．１０．１９）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月１９日（２０１１．１０．１９）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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