テンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、テンプレート処理装置及びインプリントシステム、
【課題】テンプレートの表面に成膜された離型膜を効率よく除去して、当該テンプレートの表面を効率よく洗浄する。
【解決手段】テンプレート処理装置は、テンプレートＴの裏面Ｔ２を保持する保持部１５１と、テンプレートＴの表面Ｔ１の離型膜Ｓに対して、当該テンプレートＴの表面Ｔ１側から洗浄液Ｆと純水Ｄを供給するノズル１９２と、テンプレートＴの表面Ｔ１の離型膜Ｓに対して、当該テンプレートＴの裏面Ｔ２側から紫外線を照射する紫外線照射部１６０と、を有する。テンプレートＴの表面Ｔ１を洗浄する際には、紫外線照射部１６０から離型膜Ｓに紫外線を照射しながら、ノズル１９２から離型膜Ｓに洗浄液Ｆと純水Ｄを供給する。純水Ｄは、洗浄液Ｆと比べて比重が小さく、且つ当該洗浄液Ｆと親和性を有しない。
【解決手段】テンプレート処理装置は、テンプレートＴの裏面Ｔ２を保持する保持部１５１と、テンプレートＴの表面Ｔ１の離型膜Ｓに対して、当該テンプレートＴの表面Ｔ１側から洗浄液Ｆと純水Ｄを供給するノズル１９２と、テンプレートＴの表面Ｔ１の離型膜Ｓに対して、当該テンプレートＴの裏面Ｔ２側から紫外線を照射する紫外線照射部１６０と、を有する。テンプレートＴの表面Ｔ１を洗浄する際には、紫外線照射部１６０から離型膜Ｓに紫外線を照射しながら、ノズル１９２から離型膜Ｓに洗浄液Ｆと純水Ｄを供給する。純水Ｄは、洗浄液Ｆと比べて比重が小さく、且つ当該洗浄液Ｆと親和性を有しない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テンプレートの表面の転写パターン上に成膜された離型膜を除去して当該テンプレートの表面を洗浄するテンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、テンプレート処理装置及びインプリントシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成することが行われている。
【０００３】
上述したレジストパターンを形成する際には、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、当該レジストパターンの微細化が求められている。一般にフォトリソグラフィー処理における微細化の限界は、露光処理に用いる光の波長程度である。このため、従来より露光処理の光を短波長化することが進められている。しかしながら、露光光源の短波長化には技術的、コスト的な限界があり、光の短波長化を進める方法のみでは、例えば数ナノメートルオーダーの微細なレジストパターンを形成するのが困難な状況にある。
【０００４】
そこで、近年、ウェハにフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いてウェハ上に微細なレジストパターンを形成することが提案されている。この方法は、表面に微細なパターンを有するテンプレート（モールドや型と呼ばれることもある。）をウェハ上に形成したレジスト表面に圧着させ、その後剥離し、当該レジスト表面に直接パターンの転写を行うものである（特許文献１）。
【０００５】
上述のインプリント方法で用いられるテンプレートの表面には、テンプレートをレジストから剥離し易くするため、通常、レジストに対して撥液性を有する離型膜が成膜されている。そして、このインプリント方法を繰り返し行うと、すなわち一のテンプレートを用いて複数のウェハ上にレジストパターンを複数形成すると、テンプレート上の離型膜が劣化する。このため、使用済みのテンプレートを回収して交換する必要がある。
【０００６】
また、使用済みのテンプレートに対しては、当該テンプレートを再利用するため、テンプレート上の離型膜を除去して当該テンプレートの表面を洗浄することが提案されている。このテンプレートの表面の洗浄の際には、テンプレートの表面側から離型膜に紫外線を照射しながら、当該テンプレートの表面の離型膜に洗浄液を供給することが提案されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−４３９９８号公報
【特許文献２】特開２０１１−８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献２に記載された方法でテンプレートの表面を洗浄した場合、テンプレート上の離型膜には紫外線と洗浄液がテンプレートの表面側から供給される。すなわち、紫外線と洗浄液は同じ方向から供給される。そうすると、紫外線がテンプレート上に供給された洗浄液を透過する際に、当該紫外線は減衰する。このため、テンプレート上の離型膜に紫外線が適切に照射されず、テンプレートの表面を効率よく洗浄するには至らなかった。
【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、テンプレートの表面に成膜された離型膜を効率よく除去して、当該テンプレートの表面を効率よく洗浄することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するため、本発明は、テンプレートの表面の転写パターン上に成膜された離型膜を除去して当該テンプレートの表面を洗浄するテンプレート処理方法であって、前記テンプレートの表面の離型膜に対して前記テンプレートの裏面側から紫外線を照射しながら、当該離型膜に対して前記テンプレートの表面側から洗浄液を供給して、前記テンプレートの表面を洗浄することを特徴としている。
【００１１】
本発明によれば、テンプレートの表面を洗浄する際に、テンプレートの裏面側から離型膜に紫外線を照射しながら、テンプレートの表面側から離型膜に洗浄液を供給しており、すなわち紫外線と洗浄液が異なる方向から供給される。このため、紫外線が洗浄液中を透過することがなく、当該紫外線が減衰することがない。そうすると、紫外線のエネルギを最大限に生かすことができ、テンプレート上の離型膜に紫外線を適切に照射することができる。したがって、テンプレートの表面の離型膜を効率よく除去して、当該テンプレートの表面を効率よく洗浄することができる。
【００１２】
前記テンプレートの表面の離型膜に対して、前記洗浄液と比べて比重が小さく、且つ当該洗浄液と親和性を有しない純水を前記洗浄液と共に供給してもよい。
【００１３】
前記洗浄液と純水は同一のノズルから供給され、前記ノズルには、前記洗浄液を供給する洗浄液供給口と、前記洗浄液供給口の周囲に環状に形成され、純水を供給する純水供給口とが形成されていてもよい。
【００１４】
前記テンプレートの表面を洗浄した後、洗浄後の前記洗浄液と純水を回収し、その後、前記回収された洗浄液と純水を分離し、その後、前記分離された洗浄液を蒸留して当該洗浄液をテンプレートの表面の洗浄に再利用してもよい。
【００１５】
前記洗浄液は、フッ素系溶剤であってもよい。
【００１６】
前記テンプレートの裏面側から紫外線を照射する際、紫外線を照射する紫外線照射部と前記テンプレートとに間の空間に不活性ガスを供給してもよい。
【００１７】
別な観点による本発明によれば、前記テンプレート処理方法をテンプレート処理装置によって実行させるために、当該テンプレート処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００１８】
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【００１９】
また別な観点による本発明は、テンプレートの表面の転写パターン上に成膜された離型膜を除去して当該テンプレートの表面を洗浄するテンプレート処理装置であって、前記テンプレートを保持する保持部と、前記テンプレートの表面の離型膜に対して、当該テンプレートの表面側から洗浄液を供給する液供給部と、前記テンプレートの表面の離型膜に対して、当該テンプレートの裏面側から紫外線を照射する紫外線照射部と、を有することを特徴としている。
【００２０】
前記液供給部は、前記テンプレートの表面の離型膜に対して、前記洗浄液と比べて比重が小さく、且つ当該洗浄液と親和性を有しない純水を供給してもよい。
【００２１】
前記液供給部は、前記洗浄液と純水を供給するノズルを有し、前記ノズルには、前記洗浄液を供給する洗浄液供給口と、前記洗浄液供給口の周囲に環状に形成され、純水を供給する純水供給口とが形成されていてもよい。
【００２２】
前記テンプレート処理装置は、洗浄後の前記洗浄液と純水を回収する回収部と、前記回収された洗浄液と純水を分離する分離部と、前記分離された洗浄液を蒸留する蒸留部と、を有していてもよい。
【００２３】
前記洗浄液は、フッ素系溶剤であってもよい。
【００２４】
前記紫外線照射部は前記保持部の内部に配置され、前記テンプレート処理装置は、前記保持部に保持されたテンプレートと前記紫外線照射部との間の空間に、不活性ガスを供給するガス供給部を有していてもよい。
【００２５】
さらに別な観点による本発明は、前記テンプレート処理装置を備えたインプリントシステムであって、表面に離型膜が成膜された前記テンプレートを用いて、前記転写パターンを基板上に形成される塗布膜に転写し、当該塗布膜に所定のパターンを形成するインプリント装置を有することを特徴としている。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、テンプレートの表面に成膜された離型膜を効率よく除去して、当該テンプレートの表面を効率よく洗浄することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す側面図である。
【図３】本実施の形態にかかるインプリントシステムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図４】本実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す側面図である。
【図５】テンプレートの斜視図である。
【図６】インプリントユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図７】インプリントユニットの構成の概略を示す横断面図である。
【図８】後洗浄ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図９】後洗浄ユニットの構成の概略を示す横断面図である。
【図１０】保持部の構成の概略を示す平面図である。
【図１１】紫外線照射部の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１２】ノズルの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１３】ノズルの構成の概略を示す横断面図である。
【図１４】分離部の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１５】蒸留部の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１６】インプリント処理の各工程を示したフローチャートである。
【図１７】インプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートの表面が洗浄された様子を示し、（ｂ）はテンプレートの表面に離型剤が塗布された様子を示し、（ｃ）はテンプレート上の離型剤が焼成された様子を示し、（ｄ）はテンプレート上に離型膜が成膜された様子を示し、（ｅ）はウェハ上にレジスト液が塗布された様子を示し、（ｆ）はウェハ上のレジスト膜を光重合させた様子を示し、（ｇ）はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示し、（ｈ）はウェハ上の残存膜が除去された様子を示す。
【図１８】テンプレートの表面を洗浄する様子を示す説明図である。
【図１９】他の実施の形態にかかる保持部の構成の概略を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかるインプリントシステム１の構成の概略を示す平面図である。図２〜図４は、それぞれインプリントシステム１の構成の概略を示す側面図である。
【００２９】
本実施の形態のインプリントシステム１では、図５に示すように直方体形状を有し、表面に所定の転写パターンＣが形成されたテンプレートＴが用いられる。以下、転写パターンＣが形成されているテンプレートＴの面を表面Ｔ１といい、当該表面Ｔ１と反対側の面を裏面Ｔ２という。なお、テンプレートＴには、可視光、近紫外光、紫外線などの光を透過可能な透明材料、例えばガラスが用いられる。
【００３０】
インプリントシステム１は、図１に示すようにテンプレート搬入出ステーション２と、処理ステーション３と、インターフェイスステーション４と、インプリント装置としてのインプリントユニット５と、ウェハ搬入出ステーション６とを、Ｙ方向（図１中の左右方向）にこの順で一体に接続した構成を有している。テンプレート搬入出ステーション２は、複数、例えば５枚のテンプレートＴをカセット単位で外部とインプリントシステム１との間で搬入出したり、テンプレートカセットＣＴに対してテンプレートＴを搬入出したりする。処理ステーション３は、テンプレートＴに所定の処理を施す複数の処理ユニットを備える。インターフェイスステーション４は、処理ステーション３とインプリントユニット５との間でテンプレートＴの受け渡しを行う。インプリントユニット５は、テンプレートＴを用いて基板としてのウェハＷ上にレジストパターンを形成する。ウェハ搬入出ステーション６は、複数、例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部とインプリントシステム１との間で搬入出したり、ウェハカセットＣＷに対してウェハＷを搬入出したりする。
【００３１】
テンプレート搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０は、複数のテンプレートカセットＣＴをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。すなわち、テンプレート搬入出ステーション２は、複数のテンプレートＴを保有可能に構成されている。
【００３２】
テンプレート搬入出ステーション２には、Ｘ方向に延伸する搬送路１１上を移動可能なテンプレート搬送体１２が設けられている。テンプレート搬送体１２は、鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在であり、テンプレートカセットＣＴとインプリントユニット５との間でテンプレートＴを搬送できる。
【００３３】
処理ステーション３には、その中心部に搬送ユニット２０が設けられている。この搬送ユニット２０の周辺には、各種処理ユニットが多段に配置された、例えば６つの処理ブロックＧ１〜Ｇ６が配置されている。処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、テンプレート搬入出ステーション２側から第１の処理ブロックＧ１、第２の処理ブロックＧ２が順に配置されている。処理ステーション３のテンプレート搬入出ステーション２側には、第３の処理ブロックＧ３が配置され、処理ステーション３のインプリントユニット５側には、第４の処理ブロックＧ４が配置されている。処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、テンプレート搬入出ステーション２側から第５の処理ブロックＧ５、第６の処理ブロックＧ６が順に配置されている。搬送ユニット２０は、これらの処理ブロックＧ１〜Ｇ６内に配置された後述する各種処理ユニットに対してテンプレートＴを搬送できる。
【００３４】
第１の処理ブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理ユニット、例えばテンプレートＴに液体状の離型剤を塗布する塗布ユニット２１、テンプレートＴ上の離型剤をリンスするリンスユニット２２が下から順に２段に重ねられている。第２の処理ブロックＧ２も同様に、塗布ユニット２３、リンスユニット２４が下から順に２段に重ねられている。また、第１の処理ブロックＧ１及び第２の処理ブロックＧ２の最下段には、前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室２５、２６がそれぞれ設けられている。なお、離型剤の材料には、後述するウェハ上のレジスト膜に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素炭素系化合物等が用いられる。また、本実施の形態では液体状の離型剤を用いているが、気体状の離型剤を用いてもよい。
【００３５】
第３の処理ブロックＧ３には、図３に示すようにテンプレートＴに対して紫外線を照射し、テンプレートＴ上に離型膜が成膜される前の表面Ｔ１を洗浄する前洗浄ユニット３０、テンプレートＴの温度を調節する温度調節ユニット３１、３２、テンプレートＴの受け渡しを行うためのトランジションユニット３３、テンプレートＴを加熱処理する加熱ユニット３４、３５が下から順に６段に重ねられている。
【００３６】
第４の処理ブロックＧ４にも、第３の処理ブロックＧ３と同様に、前洗浄ユニット４０、温度調節ユニット４１、４２、トランジションユニット４３、加熱ユニット４４、４５が下から順に６段に重ねられている。
【００３７】
第５の処理ブロックＧ５には、図４に示すように使用後のテンプレートＴの表面Ｔ１を洗浄する、本実施の形態にかかるテンプレート処理装置としての後洗浄ユニット５０、５１、洗浄後のテンプレートＴの表面Ｔ１を検査する検査ユニット５２が下から順に３段に重ねられている。
【００３８】
第６の処理ブロックＧ６にも、第５の処理ブロックＧ５と同様に、後洗浄ユニット６０、６１、検査ユニット６２が下から順に３段に重ねられている。
【００３９】
インターフェイスステーション４には、図１に示すようにＸ方向に延伸する搬送路７０上を移動するテンプレート搬送体７１が設けられている。また、搬送路７０のＸ方向正方向側には、テンプレートＴの表裏面を反転させる反転ユニット７２が配置されている。さらに、搬送路７０のＸ方向負方向側には、複数のテンプレートＴを一時的に保管するバッファカセット７３が配置されている。テンプレート搬送体７１は、鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在であり、処理ステーション３、反転ユニット７２、バッファカセット７３、インプリントユニット５との間でテンプレートＴを搬送できる。
【００４０】
ウェハ搬入出ステーション６には、カセット載置台８０が設けられている。カセット載置台８０は、複数のウェハカセットＣＷをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。すなわち、ウェハ搬入出ステーション６は、複数のウェハＷを保有可能に構成されている。
【００４１】
ウェハ搬入出ステーション６には、Ｘ方向に延伸する搬送路８１上を移動可能なウェハ搬送体８２が設けられている。ウェハ搬送体８２は、鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在であり、ウェハカセットＣＷとインプリントユニット５との間でウェハＷを搬送できる。
【００４２】
ウェハ搬入出ステーション６には、ウェハＷの向きを調整するアライメントユニット８３がさらに設けられている。アライメントユニット８３では、例えばウェハＷのノッチ部の位置に基づいて、ウェハＷの向きが調整される。
【００４３】
次に、上述したインプリントユニット５の構成について説明する。インプリントユニット５は、図６に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）とウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成された処理容器１００を有している。
【００４４】
処理容器１００内の底面には、ウェハＷが載置されて保持されるウェハ保持部１０１が設けられている。ウェハＷは、その被処理面が上方を向くようにウェハ保持部１０１の上面に載置される。ウェハ保持部１０１内には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン１０２が設けられている。昇降ピン１０２は、昇降駆動部１０３により上下動できる。ウェハ保持部１０１の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔１０４が形成されおり、昇降ピン１０２は、貫通孔１０４を挿通するようになっている。また、ウェハ保持部１０１は、当該ウェハ保持部１０１の下方に設けられた移動機構１０５により、水平方向に移動可能で、且つ鉛直周りに回転自在である。
【００４５】
図７に示すようにウェハ保持部１０１のＸ方向負方向（図７の下方向）側には、Ｙ方向（図７の左右方向）に沿って延伸するレール１１０が設けられている。レール１１０は、例えばウェハ保持部１０１のＹ方向負方向（図７の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図７の右方向）側の外方まで形成されている。レール１１０には、アーム１１１が取り付けられている。
【００４６】
アーム１１１には、ウェハＷ上にレジスト液を供給するレジスト液ノズル１１２が支持されている。レジスト液ノズル１１２は、例えばウェハＷの直径寸法と同じかそれよりも長い、Ｘ方向に沿った細長形状を有している。レジスト液ノズル１１２には、例えばインクジェット方式のノズルが用いられ、レジスト液ノズル１１２の下部には、長手方向に沿って一列に形成された複数の供給口（図示せず）が形成されている。そして、レジスト液ノズル１１２は、レジスト液の供給タイミング、レジスト液の供給量等を厳密に制御できる。
【００４７】
アーム１１１は、ノズル駆動部１１３により、レール１１０上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル１１２は、ウェハ保持部１０１のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１１４からウェハ保持部１０１上のウェハＷの上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム１１１は、ノズル駆動部１１３によって昇降自在であり、レジスト液ノズル１１２の高さを調整できる。
【００４８】
処理容器１００内の天井面であって、ウェハ保持部１０１の上方には、図６に示すようにテンプレートＴを保持するテンプレート保持部１２０が設けられている。すなわち、ウェハ保持部１０１とテンプレート保持部１２０は、ウェハ保持部１０１に載置されたウェハＷと、テンプレート保持部１２０に保持されたテンプレートＴが対向するように配置されている。また、テンプレート保持部１２０は、テンプレートＴの裏面Ｔ２の外周部を吸着保持するチャック１２１を有している。チャック１２１は、当該チャック１２１の上方に設けられた移動機構１２２により、鉛直方向に移動自在で、且つ鉛直周りに回転自在になっている。これにより、テンプレートＴは、ウェハ保持部１０１上のウェハＷに対して所定の向きに回転し昇降できる。
【００４９】
テンプレート保持部１２０は、チャック１２１に保持されたテンプレートＴの上方に設けられた光源１２３を有している。光源１２３からは、例えば可視光、近紫外光、紫外線などの光が発せられ、この光源１２３からの光は、テンプレートＴを透過して下方に照射される。
【００５０】
次に、上述した後洗浄ユニット５０、５１、６０、６１の構成について説明する。後洗浄ユニット５０は、図８及び図９に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）が形成された処理容器１５０を有している。
【００５１】
処理容器１５０内の中央部には、テンプレートＴの裏面Ｔ２を保持する保持部１５１が設けられている。保持部１５１の中央部分は下方に窪み、テンプレートＴを収容する収容部１５２が形成されている。収容部１５２の下部には、図８に示すようにテンプレートＴの外形より僅かに小さい溝部１５３が形成されている。したがって、収容部１５２内では、溝部１５３によってテンプレートＴの下面内周部は保持部１５１と接しておらず、テンプレートＴの裏面Ｔ２の外周部のみが保持部１５１に支持されている。収容部１５２は、図１０に示すようにテンプレートＴの外形に適合した略四角形の平面形状を有している。収容部１５２には、側面から内側に突出した突出部１５４が複数形成され、この突出部１５４により、収容部１５２に収容されるテンプレートＴの位置決めがされる。また搬送ユニット２０の搬送アームから収容部１５２にテンプレートＴを受け渡す際に、当該搬送アームが収容部１５２と干渉するのを避けるため、収容部１５２の外周には、切欠き部１５５が４箇所に形成されている。
【００５２】
溝部１５３には、図８に示すように紫外線を照射する紫外線照射部１６０が設けられている。紫外線照射部１６０は、図１１に示すように紫外線を照射するランプ１６１と、ランプ１６１を収容するランプハウス１６２とを有している。ランプ１６１は、例えば１７２ｎｍの波長の紫外線を照射する。また、ランプハウス１６２には、紫外線を透過する材料、例えば石英が用いられる。かかる構成により、紫外線照射部１６０は、テンプレートＴの表面Ｔ１に形成された離型膜Ｓに対して、当該テンプレートＴの裏面Ｔ２側から紫外線を照射することができる。
【００５３】
保持部１５１は、図８に示すようにカバー体１７０に取り付けられ、保持部１５１の下方には、シャフト１７１を介して回転駆動部１７２が設けられている。この回転駆動部１７２により、保持部１５１は鉛直周りに所定の速度で回転でき、且つ昇降できる。
【００５４】
保持部１５１の周囲には、テンプレートＴから飛散又は落下する洗浄液と純水を受け止め、回収する回収部としてのカップ１８０が設けられている。カップ１８０の下面には、回収した洗浄液と純水を排出する排出管１８１と、カップ１８０内の雰囲気を排気する排気管１８２が接続されている。
【００５５】
図９に示すようにカップ１８０のＸ方向負方向（図９の下方向）側には、Ｙ方向（図９の左右方向）に沿って延伸するレール１９０が形成されている。レール１９０は、例えばカップ１８０のＹ方向負方向（図９の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図９の右方向）側の外方まで形成されている。レール１９０には、アーム１９１が取り付けられている。
【００５６】
アーム１９１には、テンプレートＴ上に洗浄液と純水を供給するノズル１９２が支持されている。アーム１９１は、ノズル駆動部１９３により、レール１９０上を移動自在である。これにより、ノズル１９２は、カップ１８０のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１９４からカップ１８０内のテンプレートＴの中心部上方まで移動できる。また、アーム１９１は、ノズル駆動部１９３によって昇降自在であり、ノズル１９２の高さを調整できる。
【００５７】
ノズル１９２は、図１２及び図１３に示すように内管２００と、当該内管２００の周囲を囲う外管２０１とを備えた二重管構造を有している。内管２００の端部は開口し、洗浄液を供給する洗浄液供給口２０２を形成している。また、外管２０１の端部も開口している。そして、内管２００と外管２０１との間の端部は、純水を供給する純水供給口２０３を形成している。すなわち、純水供給口２０３は、洗浄液供給口２０２の周囲に環状に形成されている。
【００５８】
内管２００は、洗浄液を供給する洗浄液供給源２０４に連通している。洗浄液供給源２０４の内部には、洗浄液、例えばフッ素系溶剤が貯留されている。このフッ素系溶剤は、離型剤の溶剤であって、例えばハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ：Ｈｙｄｒｏ Ｆｌｕｏｒｏ Ｅｔｈｅｒ）である。そして、洗浄液供給源２０４から供給された洗浄液は、内管２００の内部を流れて、洗浄液供給口２０２から供給される。
【００５９】
外管２０１は、純水を貯留して供給する純水供給源２０５に連通している。純水は、上記洗浄液と比べて比重が小さく、且つ当該洗浄液と親和性を有しない。そして、純水供給源２０５から供給された純水は、内管２００と外管２０１との間を流れて、純水供給口２０３から供給される。
【００６０】
かかる構成により、ノズル１９２は、テンプレートＴの表面Ｔ１上の離型膜Ｓに対して、当該テンプレートＴの表面Ｔ１側から洗浄液と純水を供給することができる。なお、本実施の形態では、これらノズル１９２、洗浄液供給源２０４及び純水供給源２０５が液供給部を構成している。
【００６１】
処理容器１５０の外部には、図８に示すようにカップ１８０で回収された洗浄後の洗浄液と純水を分離する分離部２１０が設けられている。分離部２１０は、排液管１８１に接続されている。
【００６２】
分離部２１０は、図１４に示すように排液管１８１から排出された洗浄液Ｆと純水Ｄを貯留して分離する貯留容器２１１を有している。貯留容器２１１の側面には、純水Ｄを排出するための純水排出管２１２と、洗浄液Ｆを排出するための洗浄液排出管２１３が設けられている。純水排出管２１２は、洗浄液排出管２１３の上方に配置されている。そして、貯留容器２１１の内部では、洗浄液Ｆと純水Ｄの比重の違いを利用して、当該洗浄液Ｆと純水Ｄを分離する。すなわち、純水Ｄの比重は洗浄液Ｆの比重よりも小さいため、純水Ｄが洗浄液Ｆの上方に分離される。しかも、純水Ｄは洗浄液Ｆと親和性を有しないため、洗浄液Ｆと適切に分離される。分離された純水Ｄと洗浄液Ｆは、それぞれ上述した純水排出管２１２と洗浄液排出管２１３から排出される。
【００６３】
また、処理容器１５０の外部には、図８に示すように分離部２１０で分離された洗浄液Ｆを蒸留する蒸留部２２０が設けられている。蒸留部２２０は、分離部２１０の洗浄液排出管２１３に接続されている。
【００６４】
蒸留部２２０は、図１５に示すように洗浄液排出管２１３から排出され、不純物である離型膜Ｓが混在した洗浄液Ｆを蒸留するものである。蒸留部２２０は、洗浄液排出管２１３から排出された洗浄液Ｆを加熱して気化する気化容器２２１と、気化容器２２１で気化した蒸気を冷却して液化する冷却管２２２と、冷却管２２２で液化した洗浄液Ｆを回収する回収容器２２３とを有している。冷却管２２２の一端部は気化容器２２１の上面に接続され、冷却管２２２の他端部は回収容器２２３の上面に接続されている。
【００６５】
気化容器２２１の底面には、洗浄液Ｆを加熱するヒータ２２４が設けられている。ヒータ２２４は、洗浄液Ｆをその沸点以上の温度で加熱し、洗浄液Ｆを蒸発させて気化させる。例えば洗浄液Ｆとしてハイドロフルオロエーテルを用いた場合、その沸点は６０℃〜１３０℃である。このとき、洗浄液Ｆ中に混在する離型膜Ｓは気化しない。したがって、洗浄液Ｆのみが気化される。なお、本実施の形態では、洗浄液Ｆを加熱して気化させていたが、気化容器２２１の内部を減圧して洗浄液Ｆを気化させてもよい。
【００６６】
冷却管２２２の外周には、冷却媒体、例えば冷却水が流通する冷媒流通管２２５が設けられている。冷媒流通管２２５には、当該冷媒流通管２２５に対して、洗浄液Ｆの沸点以下の冷却媒体を供給する冷媒供給源（図示せず）が接続されている。そして、冷媒流通管２２５を流通する冷却媒体によって、冷却管２２２の内部の蒸気が冷却されて液化される。
【００６７】
冷却管２２２で液化した洗浄液Ｆは、回収容器２２３に流入する。回収容器２２３の側面には、この蒸留されて不純物を含まない洗浄液Ｆが回収される回収管２２６が接続されている。回収管２２６から回収された洗浄液Ｆは、例えば洗浄液供給源２０４に貯留される。そして、当該洗浄液Ｆは、後洗浄ユニット５０においてテンプレートＴの表面Ｔ１を洗浄するのに再利用される。
【００６８】
なお、後洗浄ユニット５１、６０、６１の構成は、上述した後洗浄ユニット５０の構成と同様であるので説明を省略する。
【００６９】
以上のインプリントシステム１には、図１に示すように制御部３００が設けられている。制御部３００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、インプリントシステム１における後述するインプリント処理を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部３００にインストールされたものであってもよい。
【００７０】
本実施の形態にかかるインプリントシステム１は以上のように構成されている。次に、そのインプリントシステム１で行われるインプリント処理について説明する。図１６は、このインプリント処理の主な処理フローを示し、図１７は、各工程におけるテンプレートＴとウェハＷの状態を示している。
【００７１】
先ず、テンプレート搬送体１２によって、カセット載置台１０上のテンプレートカセットＣＴからテンプレートＴが取り出され、処理ステーション３の第３の処理ブロックＧ３内のトランジションユニット３３に搬送される（図１６の工程Ａ１）。このとき、テンプレートカセットＣＴ内には、テンプレートＴは、転写パターンＣが形成された表面Ｔ１が上方を向くように収容されており、この状態でテンプレートＴはトランジションユニット３３に搬送される。
【００７２】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは、前洗浄ユニット３０に搬送される。前洗浄ユニット３０では、例えばテンプレートＴの表面Ｔ１全面に紫外線が照射される。そして、図１７（ａ）に示すようにテンプレートＴの表面Ｔ１の有機汚染物やパーティクル等の不純物が除去され、当該表面Ｔ１が洗浄される（図１６の工程Ａ２）。
【００７３】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは塗布ユニット２１に搬送される。塗布ユニット２１では、例えば回転中のテンプレートＴの中心部にノズルから離型剤を供給し、遠心力によりテンプレートＴ上で離型剤を拡散させる、いわゆるスピン塗布法が行われる。そして、図１７（ｂ）に示すようにテンプレートＴの表面Ｔ１全面に離型剤Ｓ０が塗布される（図１６の工程Ａ３）。なお、離型剤Ｓ０の塗布方法は、上述したスピン塗布法に限定されず、種々の方法を取り得る。例えばテンプレートＴの幅方向に延伸し、下面にスリット状の供給口が形成されたノズルを用いてテンプレートＴ上に離型剤Ｓ０を塗布してもよいし、例えば離型剤Ｓ０が貯留された浸漬槽にテンプレートＴを浸漬させて、テンプレートＴ上に離型剤Ｓ０を塗布してもよい。
【００７４】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは加熱ユニット３４に搬送される。加熱ユニット３４では、テンプレートＴが例えば２００℃に加熱される。所定時間経過後、図１７（ｃ）に示すようにテンプレートＴ上の離型剤Ｓ０が焼成される（図１６の工程Ａ４）。
【００７５】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは温度調節ユニット２１１に搬送され、テンプレートＴが所定の温度に調節される。
【００７６】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴはリンスユニット２２に搬送される。リンスユニット２２では、例えばテンプレートＴの表面Ｔ１に有機溶剤が供給される。所定時間経過すると、離型剤Ｓ０の未反応部のみが剥離し、図１７（ｄ）に示すようにテンプレートＴ上に転写パターンＣに沿った離型膜Ｓが成膜される（図１６の工程Ａ５）。なお、離型剤Ｓ０の未反応部とは、離型剤Ｓ０がテンプレートＴの表面Ｔ１と化学反応して当該表面Ｔ１と吸着する部分以外をいう。また、テンプレートＴの表面Ｔ１への有機溶剤の供給方法には種々の方法を取り得る。例えば有機溶剤を貯留した浸漬槽にテンプレートＴを浸漬させてもよいし、いわゆるスピン塗布法を用いて有機溶剤を供給してもよい。
【００７７】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは第４の処理ブロックＧ４のトランジションユニット４３に搬送される。続いて、テンプレートＴは、インターフェイスステーション４のテンプレート搬送体７１によって、反転ユニット７２に搬送されて、テンプレートＴの表裏面が反転される。すなわち、テンプレートＴの裏面Ｔ２が上方に向けられる。その後、テンプレートＴは、テンプレート搬送体７１によってインプリントユニット５に搬送され、テンプレート保持部１２０のチャック１２１に吸着保持される。
【００７８】
このように処理ステーション３においてテンプレートＴに所定の処理を行い、インプリントユニット５へテンプレートＴを搬送中に、ウェハ搬入出ステーション６では、ウェハ搬送体８２により、カセット載置台８０上のウェハカセットＣＷからウェハＷが取り出され、アライメントユニット８３に搬送される。そして、アライメントユニット８３において、ウェハＷのノッチ部の位置に基づいて、ウェハＷの向きが調整される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送体８２によってインプリントユニット５に搬送される（図１６の工程Ａ６）。なお、ウェハ搬入出ステーション６において、ウェハカセットＣＷ内のウェハＷは、その被処理面が上方を向くように収容されており、この状態でウェハＷはインプリントユニット５に搬送される。
【００７９】
インプリントユニット５に搬入されたウェハＷは、昇降ピン１０２に受け渡され、ウェハ保持部１０１上に載置され保持される。続いて、ウェハ保持部１０１に保持されたウェハＷを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせをした後、レジスト液ノズル１１２をウェハＷの径方向に移動させ、図１７（ｅ）に示すようにウェハＷ上にレジスト液を塗布し、塗布膜としてのレジスト膜Ｒを形成する（図１６の工程Ａ７）。このとき、制御部３００により、レジスト液ノズル１１２から供給されるレジスト液の供給タイミングや供給量等が制御される。すなわち、ウェハＷ上に形成されるレジストパターンにおいて、凸部に対応する部分（テンプレートＴの転写パターンＣにおける凹部に対応する部分）に塗布されるレジスト液の量は多く、凹部に対応する部分（転写パターンＣにおける凸部に対応する部分）に塗布されるレジスト液の量は少なくなるように制御される。このように転写パターンＣの開口率に応じてウェハＷ上にレジスト液が塗布される。
【００８０】
ウェハＷ上にレジスト膜Ｒが形成されると、ウェハ保持部１０１に保持されたウェハＷを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行うと共に、テンプレート保持部１２０に保持されたテンプレートＴを所定の向きに回転させる。そして、図１７（ｅ）の矢印に示すようにテンプレートＴをウェハＷ側に下降させる。テンプレートＴは所定の位置まで下降し、テンプレートＴの表面Ｔ１がウェハＷ上のレジスト膜Ｒに押し付けられる。なお、この所定の位置は、ウェハＷ上に形成されるレジストパターンの高さに基づいて設定される。続いて、光源１２３から光が照射される。光源１２３からの光は、図１７（ｆ）に示すようにテンプレートＴを透過してウェハＷ上のレジスト膜Ｒに照射され、これによりレジスト膜Ｒは光重合する。このようにしてウェハＷ上のレジスト膜ＲにテンプレートＴの転写パターンＣが転写され、レジストパターンＰが形成される（図１６の工程Ａ８）。
【００８１】
その後、図１７（ｇ）に示すようにテンプレートＴを上昇させて、ウェハＷ上にレジストパターンＰを形成する。このとき、テンプレートＴの表面Ｔ１には離型膜Ｓが成膜されているので、ウェハＷ上のレジストがテンプレートＴの表面Ｔ１に付着することはない。その後、ウェハＷは、昇降ピン１０２によりウェハ搬送体８２に受け渡され、インプリントユニット５からウェハ搬入出ステーション６に搬送され、ウェハカセットＣＷに戻される（図１６の工程Ａ９）。なお、ウェハＷ上に形成されたレジストパターンＰの凹部には、薄いレジストの残存膜Ｌが残る場合があるが、例えばインプリントシステム１の外部において、図１７（ｈ）に示すように当該残存膜Ｌを除去してもよい。
【００８２】
以上の工程Ａ６〜Ａ９（図１６中の点線で囲った部分）を繰り返し行い、一のテンプレートＴを用いて、複数のウェハＷ上にレジストパターンＰをそれぞれ形成する。この間、上述した工程Ａ１〜Ａ５を繰り返し行い、複数のテンプレートＴの表面Ｔ１上に離型膜Ｓを成膜する。離型膜Ｓが成膜されたテンプレートＴは、インターフェイスステーション４のバッファカセット７３に保管される。
【００８３】
そして、所定枚数のウェハＷに対して工程Ａ６〜Ａ９が行われると、ウェハ搬送体２６１によって、使用済みのテンプレートＴがインプリントユニット５から搬出され、反転ユニット７２に搬送される（図１６の工程Ａ１０）。続いて、ウェハ搬送体２６１によって、バッファカセット７３内のテンプレートＴがインプリントユニット５に搬送される。こうして、インプリントユニット５内のテンプレートＴが交換される。なお、テンプレートＴを交換するタイミングは、テンプレートＴの劣化等を考慮して設定される。また、ウェハＷに異なるパターンＰを形成する場合にも、テンプレートＴが交換される。例えばテンプレートＴを１回使用する度に当該テンプレートＴを交換してもよい。また、例えば１枚のウェハＷ毎にテンプレートＴを交換してもよいし、例えば１ロット毎にテンプレートＴを交換してもよい。
【００８４】
反転ユニット７２に搬送された使用済みのテンプレートＴは、その表裏面が反転される。すなわちテンプレートＴの表面Ｔ１が上方に向けられる。その後、ウェハ搬送体２６１によって、テンプレートＴは第４の処理ブロックＧ４のトランジションユニット４３に搬送される。
【００８５】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは後洗浄ユニット５０に搬送され、保持部１５１に受け渡される。続いて、アーム１９１によってノズル１９２をテンプレートＴの中心部上方まで移動させると共に、テンプレートＴを回転させる。そして、図１８に示すように回転中のテンプレートＴの表面Ｔ１上離型膜Ｓに対して、ノズル１９２によりテンプレートＴの表面Ｔ１側から洗浄液Ｆと純水Ｄを供給する。テンプレートＴ上に供給された洗浄液Ｆと純水Ｄは、遠心力によってテンプレートＴ上を拡散する。このとき、純水Ｄの比重は洗浄液Ｆの比重よりも小さいため、洗浄液Ｆは純水Ｄの下方に位置する。しかも、純水Ｄは洗浄液Ｆと親和性を有しないため、洗浄液Ｆと純水Ｄは完全に分離され、テンプレートＴ上において二層構造を構成できる。また、ノズル１９２の純水供給口２０３は洗浄液供給口２０２の周囲に形成されているため、洗浄液Ｆは純水Ｄに囲われてノズル１９２から供給される。したがって、テンプレートＴ上において、洗浄液Ｆは確実に純水Ｄの下方に位置する。そして、洗浄液Ｆがノズル１９２から供給されてからテンプレートＴ上で拡散する間、当該洗浄液Ｆは処理容器１５０内の雰囲気に触れることがない。
【００８６】
このようにテンプレートＴ上に洗浄液Ｆと純水Ｄを供給すると同時に、テンプレートＴの表面Ｔ１上の離型膜Ｓに対して、紫外線照射部１６０によりテンプレートＴの裏面Ｔ２側から紫外線を照射する。紫外線照射部１６０からの紫外線は、テンプレートＴを透過して離型膜Ｓに照射される。このように紫外線照射部１６０からの紫外線の照射とノズル１９２からの洗浄液Ｆ及び純水Ｄの供給とは、同時に異なる方向から行われる。
【００８７】
かかる場合、紫外線照射部１６０から照射された紫外線によって、離型膜ＳとテンプレートＴの表面Ｔ１との結合が切断される。そして、離型膜Ｓが表面Ｔ１から剥離される。剥離された離型膜Ｓは、テンプレートＴ上の洗浄液Ｆに溶解される。このとき、洗浄液Ｆは例えば離型膜Ｓ（離型剤Ｓ０）の溶剤であるため、上記表面Ｔ１から剥離された離型膜Ｓは洗浄液Ｆに適切に溶解される。こうして、離型膜ＳはテンプレートＴの表面Ｔ１から剥離除去される。
【００８８】
所定時間経過後、離型膜ＳがテンプレートＴの表面Ｔ１から完全に剥離除去されると、紫外線照射部１６０からの紫外線の照射を停止すると共に、ノズル１９２からの洗浄液Ｆと純水Ｄの供給を停止する。その後、引き続きテンプレートＴを回転させ、当該テンプレートＴの表面Ｔ１を乾燥させる。こうして、テンプレートＴの表面Ｔ１が洗浄される（図１６の工程Ａ１１）。
【００８９】
なお、工程Ａ１１において、洗浄後にテンプレートＴから飛散又は落下する洗浄液Ｆと純水Ｄは、カップ１８０で回収される。回収された洗浄液Ｆと純水Ｄは、分離部２１０において洗浄液Ｆと純水Ｄに分離される。その後、分離された洗浄液Ｆは、蒸留部２２０において蒸留され回収される。このとき、分離部２１０で分離された洗浄液Ｆ中には離型膜Ｓが混在しているが、当該洗浄液Ｆを蒸留部２２０で蒸留することによって、不純物を含まない洗浄液Ｆが回収される。そして、回収された洗浄液Ｆは、例えば洗浄液供給源２０４に貯留され、後洗浄ユニット５０においてテンプレートＴの表面Ｔ１を洗浄するのに再利用される。
【００９０】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは、検査ユニット５２に搬送される。検査ユニット５２では、例えば干渉縞の観察等により、テンプレートＴの表面Ｔ１が検査される（図１６の工程Ａ１２）。
【００９１】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴはトランジションユニット３３に搬送され、テンプレート搬送体１２によってテンプレートカセットＣＴに戻される。なお、検査ユニット５２の検査結果が良好な場合、例えばテンプレートＴの表面Ｔ１が適切に洗浄され、且つその表面Ｔ１が劣化していない場合には、テンプレートカセットＣＴに戻されたテンプレートＴは、インプリントユニット１内で再度使用される。一方、検査ユニット５２の検査結果が悪い場合、例えばテンプレートＴの表面Ｔ１が劣化している場合には、テンプレートＴはインプリントユニット１の外部に搬出される。
【００９２】
こうしてインプリントシステム１における一連のインプリント処理が終了し、テンプレートＴを連続的に交換しつつ、複数のウェハＷに対して所定のレジストパターンＰが連続的に形成される。
【００９３】
以上の実施の形態によれば、工程Ａ１１において、紫外線の照射と洗浄液Ｆ及び純水Ｄの供給の両方によってテンプレートＴの表面Ｔ１が洗浄される。すなわち、テンプレートＴに対していわゆるドライ洗浄とウェット洗浄の両方が行われるので、テンプレートＴの表面Ｔ１を短時間で確実に洗浄することができる。
【００９４】
また、工程Ａ１１において、テンプレートＴの裏面Ｔ２側から離型膜Ｓに紫外線を照射しながら、テンプレートＴの表面Ｔ１側から離型膜Ｓに洗浄液Ｆと純水Ｄを供給している。すなわち、紫外線の照射と洗浄液Ｆ及び純水Ｄの供給は、同時に異なる方向から行われている。このため、従来のように紫外線が洗浄液中を透過することがなく、当該紫外線が減衰することがない。そうすると、紫外線のエネルギを最大限に生かすことができ、テンプレートＴ上の離型膜Ｓに紫外線を適切に照射することができる。したがって、テンプレートＴの表面Ｔ１の離型膜Ｓを効率よく除去して、当該テンプレートＴの表面Ｔ１を効率よく洗浄することができる。
【００９５】
また、工程Ａ１１においてテンプレートＴ上に洗浄液Ｆと純水Ｄを供給する際、純水Ｄの比重は洗浄液Ｆの比重よりも小さいため、洗浄液Ｆは純水Ｄの下方に位置する。しかも、純水Ｄは洗浄液Ｆと親和性を有しないため、洗浄液Ｆと純水Ｄは完全に分離され、テンプレートＴ上において二層構造を構成できる。また、ノズル１９２の純水供給口２０３は洗浄液供給口２０２の周囲に形成されているため、洗浄液Ｆは純水Ｄに囲われてノズル１９２から供給される。したがって、テンプレートＴ上において、洗浄液Ｆは確実に純水Ｄの下方に位置する。そして、洗浄液Ｆがノズル１９２から供給されてからテンプレートＴ上で拡散する間、当該洗浄液Ｆは処理容器１５０内の雰囲気に触れることがない。ここで洗浄液Ｆは例えばフッ素系溶剤であるため、大気に触れて気化すると周囲の環境を汚染するおそれがある。この点、本実施の形態では、洗浄液Ｆは処理容器１５０内の雰囲気に触れることがないため、当該雰囲気は汚染されない。したがって、本実施の形態は環境対策にも十分に配慮している。
【００９６】
また、工程Ａ１１において、洗浄後の洗浄液Ｆと純水Ｄが分離部２１０で分離された後、分離された洗浄液Ｆが蒸留部２２０で蒸留される。このように蒸留された洗浄液Ｆは、後洗浄ユニット５０においてテンプレートＴの表面Ｔ１を洗浄するのに再利用される。したがって、洗浄液Ｆの使用量を低減することができ、テンプレートＴの表面Ｔ１を効率よく洗浄することができる。
【００９７】
以上の実施の形態のインプリントシステム１は処理ステーション３を有しているので、インプリントシステム１において、テンプレートＴ上に離型膜Ｓを成膜しつつ、当該テンプレートＴをインプリントユニット５に連続的に供給できる。これによって、例えばテンプレートＴが劣化する前、あるいは複数のウェハＷ上に異なるレジストパターンＰを形成する場合でも、インプリントユニット５内のテンプレートＴを連続して効率よく交換することができる。したがって、複数のウェハＷに対して所定のレジストパターンＰを連続的に形成することができる。また、これによって、半導体デバイスの量産化を実現することも可能となる。
【００９８】
また、処理ステーション３内には、後洗浄ユニット５０、５１、６０、６１が設けられているので、インプリントシステム１内で使用済みのテンプレートＴの表面Ｔ１を洗浄することができる。これによって、インプリントユニット１内でテンプレートＴを再度使用することができる。
【００９９】
以上の実施の形態の後洗浄ユニット５０は、図１９に示すように保持部１５１に保持されたテンプレートＴと紫外線照射部１６０との間の空間、すなわち溝部１５３（以下、単に「溝部１５３」という。）に不活性ガスを供給するガス供給部４００を有していてもよい。ガス供給部４００は、溝部１５３に不活性ガスを供給するためのガス供給管４０１と、ガス供給管４０１に接続されたガス供給源４０２とを有している。ガス供給管４０１は、溝部１５３において開口し、保持部１５１の内部を通ってガス供給源４０２に連通している。また、ガス供給源４０２の内部には、不活性ガス、例えば窒素ガスが貯留されている。
【０１００】
かかる場合、工程Ａ１１において、テンプレートＴの表面Ｔ１上の離型膜Ｓに対して、紫外線照射部１６０から紫外線を照射する際、溝部１５３内に不活性ガスが供給される。ここで、紫外線は大気中でも減衰する。本実施の形態によれば、紫外線が通過する溝部１５３内が不活性ガスで充填されているので、大気による紫外線の減衰を抑制することができる。したがって、紫外線のエネルギをさらに生かすことができ、テンプレートＴの表面Ｔ１をより効率よく洗浄することができる。また、溝部１５３内が不活性ガスで充填されるので、当該溝部１５３内に洗浄液Ｆが流入するのを抑制することができる。したがって、テンプレートＴの表面Ｔ１をさらに効率よく洗浄することができる。
【０１０１】
以上の実施の形態の後洗浄ユニット５０、５１、６０、６１では、保持部１５１は回転自在に構成されていたが、当該保持部１５１を回転させないようにしてもよい。かかる場合、ノズル１９２として、テンプレートＴの幅方向に延伸し、下面にスリット状の供給口が形成されたノズルを用いてもよい。そして、工程Ａ１１において、このノズルをテンプレートＴの辺方向に移動させながら、供給口からテンプレートＴの表面Ｔ１に洗浄液Ｆと純水Ｄが供給される。また、後洗浄ユニット５０には、例えば窒素等の不活性ガスや乾燥空気などのガスをテンプレートＴの表面Ｔ１に吹き付けるガスノズルが別途設けられてもよい。そして、工程Ａ１１において、前記ガスをテンプレートＴの表面Ｔ１に吹き付けて、当該表面Ｔ１が乾燥される。
【０１０２】
また、以上の実施の形態の後洗浄ユニット５０、５１、６０、６１では、ノズル１９２は二重管構造を有し、当該ノズル１９２から洗浄液Ｆと純水Ｄを共に供給していたが、ノズル１９２に代えて、洗浄液Ｆを供給するノズルと純水Ｄを供給するノズルを別々に設けてもよい。
【０１０３】
さらに、以上の実施の形態の後洗浄ユニット５０、５１、６０、６１は、テンプレートＴの表面Ｔ１だけでなく裏面Ｔ２もさらに洗浄してもよい。また、検査ユニット５２、６２も、テンプレートＴの表面Ｔ１だけでなく裏面Ｔ２もさらに検査してもよい。
【０１０４】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【０１０５】
１ インプリントシステム
５ インプリントユニット
５０、５１、６０、６１ 後洗浄ユニット
１５１ 保持部
１５３ 溝部
１６０ 紫外線照射部
１８０ カップ
１９２ ノズル
２０２ 洗浄液供給口
２０３ 純水供給口
２０４ 洗浄液供給源
２０５ 純水供給源
２１０ 分離部
２２０ 蒸留部
３００ 制御部
４００ ガス供給部
Ｃ 転写パターン
Ｄ 純水
Ｆ 洗浄液
Ｐ レジストパターン
Ｒ レジスト膜
Ｓ 離型膜
Ｔ テンプレート
Ｔ１ 表面
Ｔ２ 裏面
Ｗ ウェハ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テンプレートの表面の転写パターン上に成膜された離型膜を除去して当該テンプレートの表面を洗浄するテンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、テンプレート処理装置及びインプリントシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成することが行われている。
【０００３】
上述したレジストパターンを形成する際には、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、当該レジストパターンの微細化が求められている。一般にフォトリソグラフィー処理における微細化の限界は、露光処理に用いる光の波長程度である。このため、従来より露光処理の光を短波長化することが進められている。しかしながら、露光光源の短波長化には技術的、コスト的な限界があり、光の短波長化を進める方法のみでは、例えば数ナノメートルオーダーの微細なレジストパターンを形成するのが困難な状況にある。
【０００４】
そこで、近年、ウェハにフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いてウェハ上に微細なレジストパターンを形成することが提案されている。この方法は、表面に微細なパターンを有するテンプレート（モールドや型と呼ばれることもある。）をウェハ上に形成したレジスト表面に圧着させ、その後剥離し、当該レジスト表面に直接パターンの転写を行うものである（特許文献１）。
【０００５】
上述のインプリント方法で用いられるテンプレートの表面には、テンプレートをレジストから剥離し易くするため、通常、レジストに対して撥液性を有する離型膜が成膜されている。そして、このインプリント方法を繰り返し行うと、すなわち一のテンプレートを用いて複数のウェハ上にレジストパターンを複数形成すると、テンプレート上の離型膜が劣化する。このため、使用済みのテンプレートを回収して交換する必要がある。
【０００６】
また、使用済みのテンプレートに対しては、当該テンプレートを再利用するため、テンプレート上の離型膜を除去して当該テンプレートの表面を洗浄することが提案されている。このテンプレートの表面の洗浄の際には、テンプレートの表面側から離型膜に紫外線を照射しながら、当該テンプレートの表面の離型膜に洗浄液を供給することが提案されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−４３９９８号公報
【特許文献２】特開２０１１−８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献２に記載された方法でテンプレートの表面を洗浄した場合、テンプレート上の離型膜には紫外線と洗浄液がテンプレートの表面側から供給される。すなわち、紫外線と洗浄液は同じ方向から供給される。そうすると、紫外線がテンプレート上に供給された洗浄液を透過する際に、当該紫外線は減衰する。このため、テンプレート上の離型膜に紫外線が適切に照射されず、テンプレートの表面を効率よく洗浄するには至らなかった。
【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、テンプレートの表面に成膜された離型膜を効率よく除去して、当該テンプレートの表面を効率よく洗浄することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するため、本発明は、テンプレートの表面の転写パターン上に成膜された離型膜を除去して当該テンプレートの表面を洗浄するテンプレート処理方法であって、前記テンプレートの表面の離型膜に対して前記テンプレートの裏面側から紫外線を照射しながら、当該離型膜に対して前記テンプレートの表面側から洗浄液を供給して、前記テンプレートの表面を洗浄することを特徴としている。
【００１１】
本発明によれば、テンプレートの表面を洗浄する際に、テンプレートの裏面側から離型膜に紫外線を照射しながら、テンプレートの表面側から離型膜に洗浄液を供給しており、すなわち紫外線と洗浄液が異なる方向から供給される。このため、紫外線が洗浄液中を透過することがなく、当該紫外線が減衰することがない。そうすると、紫外線のエネルギを最大限に生かすことができ、テンプレート上の離型膜に紫外線を適切に照射することができる。したがって、テンプレートの表面の離型膜を効率よく除去して、当該テンプレートの表面を効率よく洗浄することができる。
【００１２】
前記テンプレートの表面の離型膜に対して、前記洗浄液と比べて比重が小さく、且つ当該洗浄液と親和性を有しない純水を前記洗浄液と共に供給してもよい。
【００１３】
前記洗浄液と純水は同一のノズルから供給され、前記ノズルには、前記洗浄液を供給する洗浄液供給口と、前記洗浄液供給口の周囲に環状に形成され、純水を供給する純水供給口とが形成されていてもよい。
【００１４】
前記テンプレートの表面を洗浄した後、洗浄後の前記洗浄液と純水を回収し、その後、前記回収された洗浄液と純水を分離し、その後、前記分離された洗浄液を蒸留して当該洗浄液をテンプレートの表面の洗浄に再利用してもよい。
【００１５】
前記洗浄液は、フッ素系溶剤であってもよい。
【００１６】
前記テンプレートの裏面側から紫外線を照射する際、紫外線を照射する紫外線照射部と前記テンプレートとに間の空間に不活性ガスを供給してもよい。
【００１７】
別な観点による本発明によれば、前記テンプレート処理方法をテンプレート処理装置によって実行させるために、当該テンプレート処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００１８】
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【００１９】
また別な観点による本発明は、テンプレートの表面の転写パターン上に成膜された離型膜を除去して当該テンプレートの表面を洗浄するテンプレート処理装置であって、前記テンプレートを保持する保持部と、前記テンプレートの表面の離型膜に対して、当該テンプレートの表面側から洗浄液を供給する液供給部と、前記テンプレートの表面の離型膜に対して、当該テンプレートの裏面側から紫外線を照射する紫外線照射部と、を有することを特徴としている。
【００２０】
前記液供給部は、前記テンプレートの表面の離型膜に対して、前記洗浄液と比べて比重が小さく、且つ当該洗浄液と親和性を有しない純水を供給してもよい。
【００２１】
前記液供給部は、前記洗浄液と純水を供給するノズルを有し、前記ノズルには、前記洗浄液を供給する洗浄液供給口と、前記洗浄液供給口の周囲に環状に形成され、純水を供給する純水供給口とが形成されていてもよい。
【００２２】
前記テンプレート処理装置は、洗浄後の前記洗浄液と純水を回収する回収部と、前記回収された洗浄液と純水を分離する分離部と、前記分離された洗浄液を蒸留する蒸留部と、を有していてもよい。
【００２３】
前記洗浄液は、フッ素系溶剤であってもよい。
【００２４】
前記紫外線照射部は前記保持部の内部に配置され、前記テンプレート処理装置は、前記保持部に保持されたテンプレートと前記紫外線照射部との間の空間に、不活性ガスを供給するガス供給部を有していてもよい。
【００２５】
さらに別な観点による本発明は、前記テンプレート処理装置を備えたインプリントシステムであって、表面に離型膜が成膜された前記テンプレートを用いて、前記転写パターンを基板上に形成される塗布膜に転写し、当該塗布膜に所定のパターンを形成するインプリント装置を有することを特徴としている。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、テンプレートの表面に成膜された離型膜を効率よく除去して、当該テンプレートの表面を効率よく洗浄することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す側面図である。
【図３】本実施の形態にかかるインプリントシステムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図４】本実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す側面図である。
【図５】テンプレートの斜視図である。
【図６】インプリントユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図７】インプリントユニットの構成の概略を示す横断面図である。
【図８】後洗浄ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図９】後洗浄ユニットの構成の概略を示す横断面図である。
【図１０】保持部の構成の概略を示す平面図である。
【図１１】紫外線照射部の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１２】ノズルの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１３】ノズルの構成の概略を示す横断面図である。
【図１４】分離部の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１５】蒸留部の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１６】インプリント処理の各工程を示したフローチャートである。
【図１７】インプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートの表面が洗浄された様子を示し、（ｂ）はテンプレートの表面に離型剤が塗布された様子を示し、（ｃ）はテンプレート上の離型剤が焼成された様子を示し、（ｄ）はテンプレート上に離型膜が成膜された様子を示し、（ｅ）はウェハ上にレジスト液が塗布された様子を示し、（ｆ）はウェハ上のレジスト膜を光重合させた様子を示し、（ｇ）はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示し、（ｈ）はウェハ上の残存膜が除去された様子を示す。
【図１８】テンプレートの表面を洗浄する様子を示す説明図である。
【図１９】他の実施の形態にかかる保持部の構成の概略を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかるインプリントシステム１の構成の概略を示す平面図である。図２〜図４は、それぞれインプリントシステム１の構成の概略を示す側面図である。
【００２９】
本実施の形態のインプリントシステム１では、図５に示すように直方体形状を有し、表面に所定の転写パターンＣが形成されたテンプレートＴが用いられる。以下、転写パターンＣが形成されているテンプレートＴの面を表面Ｔ１といい、当該表面Ｔ１と反対側の面を裏面Ｔ２という。なお、テンプレートＴには、可視光、近紫外光、紫外線などの光を透過可能な透明材料、例えばガラスが用いられる。
【００３０】
インプリントシステム１は、図１に示すようにテンプレート搬入出ステーション２と、処理ステーション３と、インターフェイスステーション４と、インプリント装置としてのインプリントユニット５と、ウェハ搬入出ステーション６とを、Ｙ方向（図１中の左右方向）にこの順で一体に接続した構成を有している。テンプレート搬入出ステーション２は、複数、例えば５枚のテンプレートＴをカセット単位で外部とインプリントシステム１との間で搬入出したり、テンプレートカセットＣＴに対してテンプレートＴを搬入出したりする。処理ステーション３は、テンプレートＴに所定の処理を施す複数の処理ユニットを備える。インターフェイスステーション４は、処理ステーション３とインプリントユニット５との間でテンプレートＴの受け渡しを行う。インプリントユニット５は、テンプレートＴを用いて基板としてのウェハＷ上にレジストパターンを形成する。ウェハ搬入出ステーション６は、複数、例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部とインプリントシステム１との間で搬入出したり、ウェハカセットＣＷに対してウェハＷを搬入出したりする。
【００３１】
テンプレート搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０は、複数のテンプレートカセットＣＴをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。すなわち、テンプレート搬入出ステーション２は、複数のテンプレートＴを保有可能に構成されている。
【００３２】
テンプレート搬入出ステーション２には、Ｘ方向に延伸する搬送路１１上を移動可能なテンプレート搬送体１２が設けられている。テンプレート搬送体１２は、鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在であり、テンプレートカセットＣＴとインプリントユニット５との間でテンプレートＴを搬送できる。
【００３３】
処理ステーション３には、その中心部に搬送ユニット２０が設けられている。この搬送ユニット２０の周辺には、各種処理ユニットが多段に配置された、例えば６つの処理ブロックＧ１〜Ｇ６が配置されている。処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、テンプレート搬入出ステーション２側から第１の処理ブロックＧ１、第２の処理ブロックＧ２が順に配置されている。処理ステーション３のテンプレート搬入出ステーション２側には、第３の処理ブロックＧ３が配置され、処理ステーション３のインプリントユニット５側には、第４の処理ブロックＧ４が配置されている。処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、テンプレート搬入出ステーション２側から第５の処理ブロックＧ５、第６の処理ブロックＧ６が順に配置されている。搬送ユニット２０は、これらの処理ブロックＧ１〜Ｇ６内に配置された後述する各種処理ユニットに対してテンプレートＴを搬送できる。
【００３４】
第１の処理ブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理ユニット、例えばテンプレートＴに液体状の離型剤を塗布する塗布ユニット２１、テンプレートＴ上の離型剤をリンスするリンスユニット２２が下から順に２段に重ねられている。第２の処理ブロックＧ２も同様に、塗布ユニット２３、リンスユニット２４が下から順に２段に重ねられている。また、第１の処理ブロックＧ１及び第２の処理ブロックＧ２の最下段には、前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室２５、２６がそれぞれ設けられている。なお、離型剤の材料には、後述するウェハ上のレジスト膜に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素炭素系化合物等が用いられる。また、本実施の形態では液体状の離型剤を用いているが、気体状の離型剤を用いてもよい。
【００３５】
第３の処理ブロックＧ３には、図３に示すようにテンプレートＴに対して紫外線を照射し、テンプレートＴ上に離型膜が成膜される前の表面Ｔ１を洗浄する前洗浄ユニット３０、テンプレートＴの温度を調節する温度調節ユニット３１、３２、テンプレートＴの受け渡しを行うためのトランジションユニット３３、テンプレートＴを加熱処理する加熱ユニット３４、３５が下から順に６段に重ねられている。
【００３６】
第４の処理ブロックＧ４にも、第３の処理ブロックＧ３と同様に、前洗浄ユニット４０、温度調節ユニット４１、４２、トランジションユニット４３、加熱ユニット４４、４５が下から順に６段に重ねられている。
【００３７】
第５の処理ブロックＧ５には、図４に示すように使用後のテンプレートＴの表面Ｔ１を洗浄する、本実施の形態にかかるテンプレート処理装置としての後洗浄ユニット５０、５１、洗浄後のテンプレートＴの表面Ｔ１を検査する検査ユニット５２が下から順に３段に重ねられている。
【００３８】
第６の処理ブロックＧ６にも、第５の処理ブロックＧ５と同様に、後洗浄ユニット６０、６１、検査ユニット６２が下から順に３段に重ねられている。
【００３９】
インターフェイスステーション４には、図１に示すようにＸ方向に延伸する搬送路７０上を移動するテンプレート搬送体７１が設けられている。また、搬送路７０のＸ方向正方向側には、テンプレートＴの表裏面を反転させる反転ユニット７２が配置されている。さらに、搬送路７０のＸ方向負方向側には、複数のテンプレートＴを一時的に保管するバッファカセット７３が配置されている。テンプレート搬送体７１は、鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在であり、処理ステーション３、反転ユニット７２、バッファカセット７３、インプリントユニット５との間でテンプレートＴを搬送できる。
【００４０】
ウェハ搬入出ステーション６には、カセット載置台８０が設けられている。カセット載置台８０は、複数のウェハカセットＣＷをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。すなわち、ウェハ搬入出ステーション６は、複数のウェハＷを保有可能に構成されている。
【００４１】
ウェハ搬入出ステーション６には、Ｘ方向に延伸する搬送路８１上を移動可能なウェハ搬送体８２が設けられている。ウェハ搬送体８２は、鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在であり、ウェハカセットＣＷとインプリントユニット５との間でウェハＷを搬送できる。
【００４２】
ウェハ搬入出ステーション６には、ウェハＷの向きを調整するアライメントユニット８３がさらに設けられている。アライメントユニット８３では、例えばウェハＷのノッチ部の位置に基づいて、ウェハＷの向きが調整される。
【００４３】
次に、上述したインプリントユニット５の構成について説明する。インプリントユニット５は、図６に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）とウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成された処理容器１００を有している。
【００４４】
処理容器１００内の底面には、ウェハＷが載置されて保持されるウェハ保持部１０１が設けられている。ウェハＷは、その被処理面が上方を向くようにウェハ保持部１０１の上面に載置される。ウェハ保持部１０１内には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン１０２が設けられている。昇降ピン１０２は、昇降駆動部１０３により上下動できる。ウェハ保持部１０１の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔１０４が形成されおり、昇降ピン１０２は、貫通孔１０４を挿通するようになっている。また、ウェハ保持部１０１は、当該ウェハ保持部１０１の下方に設けられた移動機構１０５により、水平方向に移動可能で、且つ鉛直周りに回転自在である。
【００４５】
図７に示すようにウェハ保持部１０１のＸ方向負方向（図７の下方向）側には、Ｙ方向（図７の左右方向）に沿って延伸するレール１１０が設けられている。レール１１０は、例えばウェハ保持部１０１のＹ方向負方向（図７の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図７の右方向）側の外方まで形成されている。レール１１０には、アーム１１１が取り付けられている。
【００４６】
アーム１１１には、ウェハＷ上にレジスト液を供給するレジスト液ノズル１１２が支持されている。レジスト液ノズル１１２は、例えばウェハＷの直径寸法と同じかそれよりも長い、Ｘ方向に沿った細長形状を有している。レジスト液ノズル１１２には、例えばインクジェット方式のノズルが用いられ、レジスト液ノズル１１２の下部には、長手方向に沿って一列に形成された複数の供給口（図示せず）が形成されている。そして、レジスト液ノズル１１２は、レジスト液の供給タイミング、レジスト液の供給量等を厳密に制御できる。
【００４７】
アーム１１１は、ノズル駆動部１１３により、レール１１０上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル１１２は、ウェハ保持部１０１のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１１４からウェハ保持部１０１上のウェハＷの上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム１１１は、ノズル駆動部１１３によって昇降自在であり、レジスト液ノズル１１２の高さを調整できる。
【００４８】
処理容器１００内の天井面であって、ウェハ保持部１０１の上方には、図６に示すようにテンプレートＴを保持するテンプレート保持部１２０が設けられている。すなわち、ウェハ保持部１０１とテンプレート保持部１２０は、ウェハ保持部１０１に載置されたウェハＷと、テンプレート保持部１２０に保持されたテンプレートＴが対向するように配置されている。また、テンプレート保持部１２０は、テンプレートＴの裏面Ｔ２の外周部を吸着保持するチャック１２１を有している。チャック１２１は、当該チャック１２１の上方に設けられた移動機構１２２により、鉛直方向に移動自在で、且つ鉛直周りに回転自在になっている。これにより、テンプレートＴは、ウェハ保持部１０１上のウェハＷに対して所定の向きに回転し昇降できる。
【００４９】
テンプレート保持部１２０は、チャック１２１に保持されたテンプレートＴの上方に設けられた光源１２３を有している。光源１２３からは、例えば可視光、近紫外光、紫外線などの光が発せられ、この光源１２３からの光は、テンプレートＴを透過して下方に照射される。
【００５０】
次に、上述した後洗浄ユニット５０、５１、６０、６１の構成について説明する。後洗浄ユニット５０は、図８及び図９に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）が形成された処理容器１５０を有している。
【００５１】
処理容器１５０内の中央部には、テンプレートＴの裏面Ｔ２を保持する保持部１５１が設けられている。保持部１５１の中央部分は下方に窪み、テンプレートＴを収容する収容部１５２が形成されている。収容部１５２の下部には、図８に示すようにテンプレートＴの外形より僅かに小さい溝部１５３が形成されている。したがって、収容部１５２内では、溝部１５３によってテンプレートＴの下面内周部は保持部１５１と接しておらず、テンプレートＴの裏面Ｔ２の外周部のみが保持部１５１に支持されている。収容部１５２は、図１０に示すようにテンプレートＴの外形に適合した略四角形の平面形状を有している。収容部１５２には、側面から内側に突出した突出部１５４が複数形成され、この突出部１５４により、収容部１５２に収容されるテンプレートＴの位置決めがされる。また搬送ユニット２０の搬送アームから収容部１５２にテンプレートＴを受け渡す際に、当該搬送アームが収容部１５２と干渉するのを避けるため、収容部１５２の外周には、切欠き部１５５が４箇所に形成されている。
【００５２】
溝部１５３には、図８に示すように紫外線を照射する紫外線照射部１６０が設けられている。紫外線照射部１６０は、図１１に示すように紫外線を照射するランプ１６１と、ランプ１６１を収容するランプハウス１６２とを有している。ランプ１６１は、例えば１７２ｎｍの波長の紫外線を照射する。また、ランプハウス１６２には、紫外線を透過する材料、例えば石英が用いられる。かかる構成により、紫外線照射部１６０は、テンプレートＴの表面Ｔ１に形成された離型膜Ｓに対して、当該テンプレートＴの裏面Ｔ２側から紫外線を照射することができる。
【００５３】
保持部１５１は、図８に示すようにカバー体１７０に取り付けられ、保持部１５１の下方には、シャフト１７１を介して回転駆動部１７２が設けられている。この回転駆動部１７２により、保持部１５１は鉛直周りに所定の速度で回転でき、且つ昇降できる。
【００５４】
保持部１５１の周囲には、テンプレートＴから飛散又は落下する洗浄液と純水を受け止め、回収する回収部としてのカップ１８０が設けられている。カップ１８０の下面には、回収した洗浄液と純水を排出する排出管１８１と、カップ１８０内の雰囲気を排気する排気管１８２が接続されている。
【００５５】
図９に示すようにカップ１８０のＸ方向負方向（図９の下方向）側には、Ｙ方向（図９の左右方向）に沿って延伸するレール１９０が形成されている。レール１９０は、例えばカップ１８０のＹ方向負方向（図９の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図９の右方向）側の外方まで形成されている。レール１９０には、アーム１９１が取り付けられている。
【００５６】
アーム１９１には、テンプレートＴ上に洗浄液と純水を供給するノズル１９２が支持されている。アーム１９１は、ノズル駆動部１９３により、レール１９０上を移動自在である。これにより、ノズル１９２は、カップ１８０のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１９４からカップ１８０内のテンプレートＴの中心部上方まで移動できる。また、アーム１９１は、ノズル駆動部１９３によって昇降自在であり、ノズル１９２の高さを調整できる。
【００５７】
ノズル１９２は、図１２及び図１３に示すように内管２００と、当該内管２００の周囲を囲う外管２０１とを備えた二重管構造を有している。内管２００の端部は開口し、洗浄液を供給する洗浄液供給口２０２を形成している。また、外管２０１の端部も開口している。そして、内管２００と外管２０１との間の端部は、純水を供給する純水供給口２０３を形成している。すなわち、純水供給口２０３は、洗浄液供給口２０２の周囲に環状に形成されている。
【００５８】
内管２００は、洗浄液を供給する洗浄液供給源２０４に連通している。洗浄液供給源２０４の内部には、洗浄液、例えばフッ素系溶剤が貯留されている。このフッ素系溶剤は、離型剤の溶剤であって、例えばハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ：Ｈｙｄｒｏ Ｆｌｕｏｒｏ Ｅｔｈｅｒ）である。そして、洗浄液供給源２０４から供給された洗浄液は、内管２００の内部を流れて、洗浄液供給口２０２から供給される。
【００５９】
外管２０１は、純水を貯留して供給する純水供給源２０５に連通している。純水は、上記洗浄液と比べて比重が小さく、且つ当該洗浄液と親和性を有しない。そして、純水供給源２０５から供給された純水は、内管２００と外管２０１との間を流れて、純水供給口２０３から供給される。
【００６０】
かかる構成により、ノズル１９２は、テンプレートＴの表面Ｔ１上の離型膜Ｓに対して、当該テンプレートＴの表面Ｔ１側から洗浄液と純水を供給することができる。なお、本実施の形態では、これらノズル１９２、洗浄液供給源２０４及び純水供給源２０５が液供給部を構成している。
【００６１】
処理容器１５０の外部には、図８に示すようにカップ１８０で回収された洗浄後の洗浄液と純水を分離する分離部２１０が設けられている。分離部２１０は、排液管１８１に接続されている。
【００６２】
分離部２１０は、図１４に示すように排液管１８１から排出された洗浄液Ｆと純水Ｄを貯留して分離する貯留容器２１１を有している。貯留容器２１１の側面には、純水Ｄを排出するための純水排出管２１２と、洗浄液Ｆを排出するための洗浄液排出管２１３が設けられている。純水排出管２１２は、洗浄液排出管２１３の上方に配置されている。そして、貯留容器２１１の内部では、洗浄液Ｆと純水Ｄの比重の違いを利用して、当該洗浄液Ｆと純水Ｄを分離する。すなわち、純水Ｄの比重は洗浄液Ｆの比重よりも小さいため、純水Ｄが洗浄液Ｆの上方に分離される。しかも、純水Ｄは洗浄液Ｆと親和性を有しないため、洗浄液Ｆと適切に分離される。分離された純水Ｄと洗浄液Ｆは、それぞれ上述した純水排出管２１２と洗浄液排出管２１３から排出される。
【００６３】
また、処理容器１５０の外部には、図８に示すように分離部２１０で分離された洗浄液Ｆを蒸留する蒸留部２２０が設けられている。蒸留部２２０は、分離部２１０の洗浄液排出管２１３に接続されている。
【００６４】
蒸留部２２０は、図１５に示すように洗浄液排出管２１３から排出され、不純物である離型膜Ｓが混在した洗浄液Ｆを蒸留するものである。蒸留部２２０は、洗浄液排出管２１３から排出された洗浄液Ｆを加熱して気化する気化容器２２１と、気化容器２２１で気化した蒸気を冷却して液化する冷却管２２２と、冷却管２２２で液化した洗浄液Ｆを回収する回収容器２２３とを有している。冷却管２２２の一端部は気化容器２２１の上面に接続され、冷却管２２２の他端部は回収容器２２３の上面に接続されている。
【００６５】
気化容器２２１の底面には、洗浄液Ｆを加熱するヒータ２２４が設けられている。ヒータ２２４は、洗浄液Ｆをその沸点以上の温度で加熱し、洗浄液Ｆを蒸発させて気化させる。例えば洗浄液Ｆとしてハイドロフルオロエーテルを用いた場合、その沸点は６０℃〜１３０℃である。このとき、洗浄液Ｆ中に混在する離型膜Ｓは気化しない。したがって、洗浄液Ｆのみが気化される。なお、本実施の形態では、洗浄液Ｆを加熱して気化させていたが、気化容器２２１の内部を減圧して洗浄液Ｆを気化させてもよい。
【００６６】
冷却管２２２の外周には、冷却媒体、例えば冷却水が流通する冷媒流通管２２５が設けられている。冷媒流通管２２５には、当該冷媒流通管２２５に対して、洗浄液Ｆの沸点以下の冷却媒体を供給する冷媒供給源（図示せず）が接続されている。そして、冷媒流通管２２５を流通する冷却媒体によって、冷却管２２２の内部の蒸気が冷却されて液化される。
【００６７】
冷却管２２２で液化した洗浄液Ｆは、回収容器２２３に流入する。回収容器２２３の側面には、この蒸留されて不純物を含まない洗浄液Ｆが回収される回収管２２６が接続されている。回収管２２６から回収された洗浄液Ｆは、例えば洗浄液供給源２０４に貯留される。そして、当該洗浄液Ｆは、後洗浄ユニット５０においてテンプレートＴの表面Ｔ１を洗浄するのに再利用される。
【００６８】
なお、後洗浄ユニット５１、６０、６１の構成は、上述した後洗浄ユニット５０の構成と同様であるので説明を省略する。
【００６９】
以上のインプリントシステム１には、図１に示すように制御部３００が設けられている。制御部３００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、インプリントシステム１における後述するインプリント処理を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部３００にインストールされたものであってもよい。
【００７０】
本実施の形態にかかるインプリントシステム１は以上のように構成されている。次に、そのインプリントシステム１で行われるインプリント処理について説明する。図１６は、このインプリント処理の主な処理フローを示し、図１７は、各工程におけるテンプレートＴとウェハＷの状態を示している。
【００７１】
先ず、テンプレート搬送体１２によって、カセット載置台１０上のテンプレートカセットＣＴからテンプレートＴが取り出され、処理ステーション３の第３の処理ブロックＧ３内のトランジションユニット３３に搬送される（図１６の工程Ａ１）。このとき、テンプレートカセットＣＴ内には、テンプレートＴは、転写パターンＣが形成された表面Ｔ１が上方を向くように収容されており、この状態でテンプレートＴはトランジションユニット３３に搬送される。
【００７２】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは、前洗浄ユニット３０に搬送される。前洗浄ユニット３０では、例えばテンプレートＴの表面Ｔ１全面に紫外線が照射される。そして、図１７（ａ）に示すようにテンプレートＴの表面Ｔ１の有機汚染物やパーティクル等の不純物が除去され、当該表面Ｔ１が洗浄される（図１６の工程Ａ２）。
【００７３】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは塗布ユニット２１に搬送される。塗布ユニット２１では、例えば回転中のテンプレートＴの中心部にノズルから離型剤を供給し、遠心力によりテンプレートＴ上で離型剤を拡散させる、いわゆるスピン塗布法が行われる。そして、図１７（ｂ）に示すようにテンプレートＴの表面Ｔ１全面に離型剤Ｓ０が塗布される（図１６の工程Ａ３）。なお、離型剤Ｓ０の塗布方法は、上述したスピン塗布法に限定されず、種々の方法を取り得る。例えばテンプレートＴの幅方向に延伸し、下面にスリット状の供給口が形成されたノズルを用いてテンプレートＴ上に離型剤Ｓ０を塗布してもよいし、例えば離型剤Ｓ０が貯留された浸漬槽にテンプレートＴを浸漬させて、テンプレートＴ上に離型剤Ｓ０を塗布してもよい。
【００７４】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは加熱ユニット３４に搬送される。加熱ユニット３４では、テンプレートＴが例えば２００℃に加熱される。所定時間経過後、図１７（ｃ）に示すようにテンプレートＴ上の離型剤Ｓ０が焼成される（図１６の工程Ａ４）。
【００７５】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは温度調節ユニット２１１に搬送され、テンプレートＴが所定の温度に調節される。
【００７６】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴはリンスユニット２２に搬送される。リンスユニット２２では、例えばテンプレートＴの表面Ｔ１に有機溶剤が供給される。所定時間経過すると、離型剤Ｓ０の未反応部のみが剥離し、図１７（ｄ）に示すようにテンプレートＴ上に転写パターンＣに沿った離型膜Ｓが成膜される（図１６の工程Ａ５）。なお、離型剤Ｓ０の未反応部とは、離型剤Ｓ０がテンプレートＴの表面Ｔ１と化学反応して当該表面Ｔ１と吸着する部分以外をいう。また、テンプレートＴの表面Ｔ１への有機溶剤の供給方法には種々の方法を取り得る。例えば有機溶剤を貯留した浸漬槽にテンプレートＴを浸漬させてもよいし、いわゆるスピン塗布法を用いて有機溶剤を供給してもよい。
【００７７】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは第４の処理ブロックＧ４のトランジションユニット４３に搬送される。続いて、テンプレートＴは、インターフェイスステーション４のテンプレート搬送体７１によって、反転ユニット７２に搬送されて、テンプレートＴの表裏面が反転される。すなわち、テンプレートＴの裏面Ｔ２が上方に向けられる。その後、テンプレートＴは、テンプレート搬送体７１によってインプリントユニット５に搬送され、テンプレート保持部１２０のチャック１２１に吸着保持される。
【００７８】
このように処理ステーション３においてテンプレートＴに所定の処理を行い、インプリントユニット５へテンプレートＴを搬送中に、ウェハ搬入出ステーション６では、ウェハ搬送体８２により、カセット載置台８０上のウェハカセットＣＷからウェハＷが取り出され、アライメントユニット８３に搬送される。そして、アライメントユニット８３において、ウェハＷのノッチ部の位置に基づいて、ウェハＷの向きが調整される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送体８２によってインプリントユニット５に搬送される（図１６の工程Ａ６）。なお、ウェハ搬入出ステーション６において、ウェハカセットＣＷ内のウェハＷは、その被処理面が上方を向くように収容されており、この状態でウェハＷはインプリントユニット５に搬送される。
【００７９】
インプリントユニット５に搬入されたウェハＷは、昇降ピン１０２に受け渡され、ウェハ保持部１０１上に載置され保持される。続いて、ウェハ保持部１０１に保持されたウェハＷを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせをした後、レジスト液ノズル１１２をウェハＷの径方向に移動させ、図１７（ｅ）に示すようにウェハＷ上にレジスト液を塗布し、塗布膜としてのレジスト膜Ｒを形成する（図１６の工程Ａ７）。このとき、制御部３００により、レジスト液ノズル１１２から供給されるレジスト液の供給タイミングや供給量等が制御される。すなわち、ウェハＷ上に形成されるレジストパターンにおいて、凸部に対応する部分（テンプレートＴの転写パターンＣにおける凹部に対応する部分）に塗布されるレジスト液の量は多く、凹部に対応する部分（転写パターンＣにおける凸部に対応する部分）に塗布されるレジスト液の量は少なくなるように制御される。このように転写パターンＣの開口率に応じてウェハＷ上にレジスト液が塗布される。
【００８０】
ウェハＷ上にレジスト膜Ｒが形成されると、ウェハ保持部１０１に保持されたウェハＷを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行うと共に、テンプレート保持部１２０に保持されたテンプレートＴを所定の向きに回転させる。そして、図１７（ｅ）の矢印に示すようにテンプレートＴをウェハＷ側に下降させる。テンプレートＴは所定の位置まで下降し、テンプレートＴの表面Ｔ１がウェハＷ上のレジスト膜Ｒに押し付けられる。なお、この所定の位置は、ウェハＷ上に形成されるレジストパターンの高さに基づいて設定される。続いて、光源１２３から光が照射される。光源１２３からの光は、図１７（ｆ）に示すようにテンプレートＴを透過してウェハＷ上のレジスト膜Ｒに照射され、これによりレジスト膜Ｒは光重合する。このようにしてウェハＷ上のレジスト膜ＲにテンプレートＴの転写パターンＣが転写され、レジストパターンＰが形成される（図１６の工程Ａ８）。
【００８１】
その後、図１７（ｇ）に示すようにテンプレートＴを上昇させて、ウェハＷ上にレジストパターンＰを形成する。このとき、テンプレートＴの表面Ｔ１には離型膜Ｓが成膜されているので、ウェハＷ上のレジストがテンプレートＴの表面Ｔ１に付着することはない。その後、ウェハＷは、昇降ピン１０２によりウェハ搬送体８２に受け渡され、インプリントユニット５からウェハ搬入出ステーション６に搬送され、ウェハカセットＣＷに戻される（図１６の工程Ａ９）。なお、ウェハＷ上に形成されたレジストパターンＰの凹部には、薄いレジストの残存膜Ｌが残る場合があるが、例えばインプリントシステム１の外部において、図１７（ｈ）に示すように当該残存膜Ｌを除去してもよい。
【００８２】
以上の工程Ａ６〜Ａ９（図１６中の点線で囲った部分）を繰り返し行い、一のテンプレートＴを用いて、複数のウェハＷ上にレジストパターンＰをそれぞれ形成する。この間、上述した工程Ａ１〜Ａ５を繰り返し行い、複数のテンプレートＴの表面Ｔ１上に離型膜Ｓを成膜する。離型膜Ｓが成膜されたテンプレートＴは、インターフェイスステーション４のバッファカセット７３に保管される。
【００８３】
そして、所定枚数のウェハＷに対して工程Ａ６〜Ａ９が行われると、ウェハ搬送体２６１によって、使用済みのテンプレートＴがインプリントユニット５から搬出され、反転ユニット７２に搬送される（図１６の工程Ａ１０）。続いて、ウェハ搬送体２６１によって、バッファカセット７３内のテンプレートＴがインプリントユニット５に搬送される。こうして、インプリントユニット５内のテンプレートＴが交換される。なお、テンプレートＴを交換するタイミングは、テンプレートＴの劣化等を考慮して設定される。また、ウェハＷに異なるパターンＰを形成する場合にも、テンプレートＴが交換される。例えばテンプレートＴを１回使用する度に当該テンプレートＴを交換してもよい。また、例えば１枚のウェハＷ毎にテンプレートＴを交換してもよいし、例えば１ロット毎にテンプレートＴを交換してもよい。
【００８４】
反転ユニット７２に搬送された使用済みのテンプレートＴは、その表裏面が反転される。すなわちテンプレートＴの表面Ｔ１が上方に向けられる。その後、ウェハ搬送体２６１によって、テンプレートＴは第４の処理ブロックＧ４のトランジションユニット４３に搬送される。
【００８５】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは後洗浄ユニット５０に搬送され、保持部１５１に受け渡される。続いて、アーム１９１によってノズル１９２をテンプレートＴの中心部上方まで移動させると共に、テンプレートＴを回転させる。そして、図１８に示すように回転中のテンプレートＴの表面Ｔ１上離型膜Ｓに対して、ノズル１９２によりテンプレートＴの表面Ｔ１側から洗浄液Ｆと純水Ｄを供給する。テンプレートＴ上に供給された洗浄液Ｆと純水Ｄは、遠心力によってテンプレートＴ上を拡散する。このとき、純水Ｄの比重は洗浄液Ｆの比重よりも小さいため、洗浄液Ｆは純水Ｄの下方に位置する。しかも、純水Ｄは洗浄液Ｆと親和性を有しないため、洗浄液Ｆと純水Ｄは完全に分離され、テンプレートＴ上において二層構造を構成できる。また、ノズル１９２の純水供給口２０３は洗浄液供給口２０２の周囲に形成されているため、洗浄液Ｆは純水Ｄに囲われてノズル１９２から供給される。したがって、テンプレートＴ上において、洗浄液Ｆは確実に純水Ｄの下方に位置する。そして、洗浄液Ｆがノズル１９２から供給されてからテンプレートＴ上で拡散する間、当該洗浄液Ｆは処理容器１５０内の雰囲気に触れることがない。
【００８６】
このようにテンプレートＴ上に洗浄液Ｆと純水Ｄを供給すると同時に、テンプレートＴの表面Ｔ１上の離型膜Ｓに対して、紫外線照射部１６０によりテンプレートＴの裏面Ｔ２側から紫外線を照射する。紫外線照射部１６０からの紫外線は、テンプレートＴを透過して離型膜Ｓに照射される。このように紫外線照射部１６０からの紫外線の照射とノズル１９２からの洗浄液Ｆ及び純水Ｄの供給とは、同時に異なる方向から行われる。
【００８７】
かかる場合、紫外線照射部１６０から照射された紫外線によって、離型膜ＳとテンプレートＴの表面Ｔ１との結合が切断される。そして、離型膜Ｓが表面Ｔ１から剥離される。剥離された離型膜Ｓは、テンプレートＴ上の洗浄液Ｆに溶解される。このとき、洗浄液Ｆは例えば離型膜Ｓ（離型剤Ｓ０）の溶剤であるため、上記表面Ｔ１から剥離された離型膜Ｓは洗浄液Ｆに適切に溶解される。こうして、離型膜ＳはテンプレートＴの表面Ｔ１から剥離除去される。
【００８８】
所定時間経過後、離型膜ＳがテンプレートＴの表面Ｔ１から完全に剥離除去されると、紫外線照射部１６０からの紫外線の照射を停止すると共に、ノズル１９２からの洗浄液Ｆと純水Ｄの供給を停止する。その後、引き続きテンプレートＴを回転させ、当該テンプレートＴの表面Ｔ１を乾燥させる。こうして、テンプレートＴの表面Ｔ１が洗浄される（図１６の工程Ａ１１）。
【００８９】
なお、工程Ａ１１において、洗浄後にテンプレートＴから飛散又は落下する洗浄液Ｆと純水Ｄは、カップ１８０で回収される。回収された洗浄液Ｆと純水Ｄは、分離部２１０において洗浄液Ｆと純水Ｄに分離される。その後、分離された洗浄液Ｆは、蒸留部２２０において蒸留され回収される。このとき、分離部２１０で分離された洗浄液Ｆ中には離型膜Ｓが混在しているが、当該洗浄液Ｆを蒸留部２２０で蒸留することによって、不純物を含まない洗浄液Ｆが回収される。そして、回収された洗浄液Ｆは、例えば洗浄液供給源２０４に貯留され、後洗浄ユニット５０においてテンプレートＴの表面Ｔ１を洗浄するのに再利用される。
【００９０】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴは、検査ユニット５２に搬送される。検査ユニット５２では、例えば干渉縞の観察等により、テンプレートＴの表面Ｔ１が検査される（図１６の工程Ａ１２）。
【００９１】
その後、搬送ユニット２０によって、テンプレートＴはトランジションユニット３３に搬送され、テンプレート搬送体１２によってテンプレートカセットＣＴに戻される。なお、検査ユニット５２の検査結果が良好な場合、例えばテンプレートＴの表面Ｔ１が適切に洗浄され、且つその表面Ｔ１が劣化していない場合には、テンプレートカセットＣＴに戻されたテンプレートＴは、インプリントユニット１内で再度使用される。一方、検査ユニット５２の検査結果が悪い場合、例えばテンプレートＴの表面Ｔ１が劣化している場合には、テンプレートＴはインプリントユニット１の外部に搬出される。
【００９２】
こうしてインプリントシステム１における一連のインプリント処理が終了し、テンプレートＴを連続的に交換しつつ、複数のウェハＷに対して所定のレジストパターンＰが連続的に形成される。
【００９３】
以上の実施の形態によれば、工程Ａ１１において、紫外線の照射と洗浄液Ｆ及び純水Ｄの供給の両方によってテンプレートＴの表面Ｔ１が洗浄される。すなわち、テンプレートＴに対していわゆるドライ洗浄とウェット洗浄の両方が行われるので、テンプレートＴの表面Ｔ１を短時間で確実に洗浄することができる。
【００９４】
また、工程Ａ１１において、テンプレートＴの裏面Ｔ２側から離型膜Ｓに紫外線を照射しながら、テンプレートＴの表面Ｔ１側から離型膜Ｓに洗浄液Ｆと純水Ｄを供給している。すなわち、紫外線の照射と洗浄液Ｆ及び純水Ｄの供給は、同時に異なる方向から行われている。このため、従来のように紫外線が洗浄液中を透過することがなく、当該紫外線が減衰することがない。そうすると、紫外線のエネルギを最大限に生かすことができ、テンプレートＴ上の離型膜Ｓに紫外線を適切に照射することができる。したがって、テンプレートＴの表面Ｔ１の離型膜Ｓを効率よく除去して、当該テンプレートＴの表面Ｔ１を効率よく洗浄することができる。
【００９５】
また、工程Ａ１１においてテンプレートＴ上に洗浄液Ｆと純水Ｄを供給する際、純水Ｄの比重は洗浄液Ｆの比重よりも小さいため、洗浄液Ｆは純水Ｄの下方に位置する。しかも、純水Ｄは洗浄液Ｆと親和性を有しないため、洗浄液Ｆと純水Ｄは完全に分離され、テンプレートＴ上において二層構造を構成できる。また、ノズル１９２の純水供給口２０３は洗浄液供給口２０２の周囲に形成されているため、洗浄液Ｆは純水Ｄに囲われてノズル１９２から供給される。したがって、テンプレートＴ上において、洗浄液Ｆは確実に純水Ｄの下方に位置する。そして、洗浄液Ｆがノズル１９２から供給されてからテンプレートＴ上で拡散する間、当該洗浄液Ｆは処理容器１５０内の雰囲気に触れることがない。ここで洗浄液Ｆは例えばフッ素系溶剤であるため、大気に触れて気化すると周囲の環境を汚染するおそれがある。この点、本実施の形態では、洗浄液Ｆは処理容器１５０内の雰囲気に触れることがないため、当該雰囲気は汚染されない。したがって、本実施の形態は環境対策にも十分に配慮している。
【００９６】
また、工程Ａ１１において、洗浄後の洗浄液Ｆと純水Ｄが分離部２１０で分離された後、分離された洗浄液Ｆが蒸留部２２０で蒸留される。このように蒸留された洗浄液Ｆは、後洗浄ユニット５０においてテンプレートＴの表面Ｔ１を洗浄するのに再利用される。したがって、洗浄液Ｆの使用量を低減することができ、テンプレートＴの表面Ｔ１を効率よく洗浄することができる。
【００９７】
以上の実施の形態のインプリントシステム１は処理ステーション３を有しているので、インプリントシステム１において、テンプレートＴ上に離型膜Ｓを成膜しつつ、当該テンプレートＴをインプリントユニット５に連続的に供給できる。これによって、例えばテンプレートＴが劣化する前、あるいは複数のウェハＷ上に異なるレジストパターンＰを形成する場合でも、インプリントユニット５内のテンプレートＴを連続して効率よく交換することができる。したがって、複数のウェハＷに対して所定のレジストパターンＰを連続的に形成することができる。また、これによって、半導体デバイスの量産化を実現することも可能となる。
【００９８】
また、処理ステーション３内には、後洗浄ユニット５０、５１、６０、６１が設けられているので、インプリントシステム１内で使用済みのテンプレートＴの表面Ｔ１を洗浄することができる。これによって、インプリントユニット１内でテンプレートＴを再度使用することができる。
【００９９】
以上の実施の形態の後洗浄ユニット５０は、図１９に示すように保持部１５１に保持されたテンプレートＴと紫外線照射部１６０との間の空間、すなわち溝部１５３（以下、単に「溝部１５３」という。）に不活性ガスを供給するガス供給部４００を有していてもよい。ガス供給部４００は、溝部１５３に不活性ガスを供給するためのガス供給管４０１と、ガス供給管４０１に接続されたガス供給源４０２とを有している。ガス供給管４０１は、溝部１５３において開口し、保持部１５１の内部を通ってガス供給源４０２に連通している。また、ガス供給源４０２の内部には、不活性ガス、例えば窒素ガスが貯留されている。
【０１００】
かかる場合、工程Ａ１１において、テンプレートＴの表面Ｔ１上の離型膜Ｓに対して、紫外線照射部１６０から紫外線を照射する際、溝部１５３内に不活性ガスが供給される。ここで、紫外線は大気中でも減衰する。本実施の形態によれば、紫外線が通過する溝部１５３内が不活性ガスで充填されているので、大気による紫外線の減衰を抑制することができる。したがって、紫外線のエネルギをさらに生かすことができ、テンプレートＴの表面Ｔ１をより効率よく洗浄することができる。また、溝部１５３内が不活性ガスで充填されるので、当該溝部１５３内に洗浄液Ｆが流入するのを抑制することができる。したがって、テンプレートＴの表面Ｔ１をさらに効率よく洗浄することができる。
【０１０１】
以上の実施の形態の後洗浄ユニット５０、５１、６０、６１では、保持部１５１は回転自在に構成されていたが、当該保持部１５１を回転させないようにしてもよい。かかる場合、ノズル１９２として、テンプレートＴの幅方向に延伸し、下面にスリット状の供給口が形成されたノズルを用いてもよい。そして、工程Ａ１１において、このノズルをテンプレートＴの辺方向に移動させながら、供給口からテンプレートＴの表面Ｔ１に洗浄液Ｆと純水Ｄが供給される。また、後洗浄ユニット５０には、例えば窒素等の不活性ガスや乾燥空気などのガスをテンプレートＴの表面Ｔ１に吹き付けるガスノズルが別途設けられてもよい。そして、工程Ａ１１において、前記ガスをテンプレートＴの表面Ｔ１に吹き付けて、当該表面Ｔ１が乾燥される。
【０１０２】
また、以上の実施の形態の後洗浄ユニット５０、５１、６０、６１では、ノズル１９２は二重管構造を有し、当該ノズル１９２から洗浄液Ｆと純水Ｄを共に供給していたが、ノズル１９２に代えて、洗浄液Ｆを供給するノズルと純水Ｄを供給するノズルを別々に設けてもよい。
【０１０３】
さらに、以上の実施の形態の後洗浄ユニット５０、５１、６０、６１は、テンプレートＴの表面Ｔ１だけでなく裏面Ｔ２もさらに洗浄してもよい。また、検査ユニット５２、６２も、テンプレートＴの表面Ｔ１だけでなく裏面Ｔ２もさらに検査してもよい。
【０１０４】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【０１０５】
１ インプリントシステム
５ インプリントユニット
５０、５１、６０、６１ 後洗浄ユニット
１５１ 保持部
１５３ 溝部
１６０ 紫外線照射部
１８０ カップ
１９２ ノズル
２０２ 洗浄液供給口
２０３ 純水供給口
２０４ 洗浄液供給源
２０５ 純水供給源
２１０ 分離部
２２０ 蒸留部
３００ 制御部
４００ ガス供給部
Ｃ 転写パターン
Ｄ 純水
Ｆ 洗浄液
Ｐ レジストパターン
Ｒ レジスト膜
Ｓ 離型膜
Ｔ テンプレート
Ｔ１ 表面
Ｔ２ 裏面
Ｗ ウェハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テンプレートの表面の転写パターン上に成膜された離型膜を除去して当該テンプレートの表面を洗浄するテンプレート処理方法であって、
前記テンプレートの表面の離型膜に対して前記テンプレートの裏面側から紫外線を照射しながら、当該離型膜に対して前記テンプレートの表面側から洗浄液を供給して、前記テンプレートの表面を洗浄することを特徴とする、テンプレート処理方法。
【請求項２】
前記テンプレートの表面の離型膜に対して、前記洗浄液と比べて比重が小さく、且つ当該洗浄液と親和性を有しない純水を前記洗浄液と共に供給することを特徴とする、請求項１に記載のテンプレート処理方法。
【請求項３】
前記洗浄液と純水は同一のノズルから供給され、
前記ノズルには、前記洗浄液を供給する洗浄液供給口と、前記洗浄液供給口の周囲に環状に形成され、純水を供給する純水供給口とが形成されていることを特徴とする、請求項２に記載のテンプレート処理方法。
【請求項４】
前記テンプレートの表面を洗浄した後、洗浄後の前記洗浄液と純水を回収し、
その後、前記回収された洗浄液と純水を分離し、
その後、前記分離された洗浄液を蒸留して当該洗浄液をテンプレートの表面の洗浄に再利用することを特徴とする、請求項２又は３に記載のテンプレート処理方法。
【請求項５】
前記洗浄液は、フッ素系溶剤であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のテンプレート処理方法。
【請求項６】
前記テンプレートの裏面側から紫外線を照射する際、紫外線を照射する紫外線照射部と前記テンプレートとに間の空間に不活性ガスを供給することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のテンプレート処理方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のテンプレート処理方法をテンプレート処理装置によって実行させるために、当該テンプレート処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項９】
テンプレートの表面の転写パターン上に成膜された離型膜を除去して当該テンプレートの表面を洗浄するテンプレート処理装置であって、
前記テンプレートを保持する保持部と、
前記テンプレートの表面の離型膜に対して、当該テンプレートの表面側から洗浄液を供給する液供給部と、
前記テンプレートの表面の離型膜に対して、当該テンプレートの裏面側から紫外線を照射する紫外線照射部と、を有することを特徴とする、テンプレート処理装置。
【請求項１０】
前記液供給部は、前記テンプレートの表面の離型膜に対して、前記洗浄液と比べて比重が小さく、且つ当該洗浄液と親和性を有しない純水を供給することを特徴とする、請求項９に記載のテンプレート処理装置。
【請求項１１】
前記液供給部は、前記洗浄液と純水を供給するノズルを有し、
前記ノズルには、前記洗浄液を供給する洗浄液供給口と、前記洗浄液供給口の周囲に環状に形成され、純水を供給する純水供給口とが形成されていることを特徴とする、請求項１０に記載のテンプレート処理装置。
【請求項１２】
洗浄後の前記洗浄液と純水を回収する回収部と、
前記回収された洗浄液と純水を分離する分離部と、
前記分離された洗浄液を蒸留する蒸留部と、を有することを特徴とする、請求項１０又は１１に記載のテンプレート処理装置。
【請求項１３】
前記洗浄液は、フッ素系溶剤であることを特徴とする、請求項９〜１２のいずれかに記載のテンプレート処理装置。
【請求項１４】
前記紫外線照射部は前記保持部の内部に配置され、
前記保持部に保持されたテンプレートと前記紫外線照射部との間の空間に、不活性ガスを供給するガス供給部を有することを特徴とする、請求項９〜１３のいずれかに記載のテンプレート処理装置。
【請求項１５】
請求項９〜１４のいずれかに記載のテンプレート処理装置を備えたインプリントシステムであって、
表面に離型膜が成膜された前記テンプレートを用いて、前記転写パターンを基板上に形成される塗布膜に転写し、当該塗布膜に所定のパターンを形成するインプリント装置を有することを特徴とする、インプリントシステム。
【請求項１】
テンプレートの表面の転写パターン上に成膜された離型膜を除去して当該テンプレートの表面を洗浄するテンプレート処理方法であって、
前記テンプレートの表面の離型膜に対して前記テンプレートの裏面側から紫外線を照射しながら、当該離型膜に対して前記テンプレートの表面側から洗浄液を供給して、前記テンプレートの表面を洗浄することを特徴とする、テンプレート処理方法。
【請求項２】
前記テンプレートの表面の離型膜に対して、前記洗浄液と比べて比重が小さく、且つ当該洗浄液と親和性を有しない純水を前記洗浄液と共に供給することを特徴とする、請求項１に記載のテンプレート処理方法。
【請求項３】
前記洗浄液と純水は同一のノズルから供給され、
前記ノズルには、前記洗浄液を供給する洗浄液供給口と、前記洗浄液供給口の周囲に環状に形成され、純水を供給する純水供給口とが形成されていることを特徴とする、請求項２に記載のテンプレート処理方法。
【請求項４】
前記テンプレートの表面を洗浄した後、洗浄後の前記洗浄液と純水を回収し、
その後、前記回収された洗浄液と純水を分離し、
その後、前記分離された洗浄液を蒸留して当該洗浄液をテンプレートの表面の洗浄に再利用することを特徴とする、請求項２又は３に記載のテンプレート処理方法。
【請求項５】
前記洗浄液は、フッ素系溶剤であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のテンプレート処理方法。
【請求項６】
前記テンプレートの裏面側から紫外線を照射する際、紫外線を照射する紫外線照射部と前記テンプレートとに間の空間に不活性ガスを供給することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のテンプレート処理方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のテンプレート処理方法をテンプレート処理装置によって実行させるために、当該テンプレート処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項９】
テンプレートの表面の転写パターン上に成膜された離型膜を除去して当該テンプレートの表面を洗浄するテンプレート処理装置であって、
前記テンプレートを保持する保持部と、
前記テンプレートの表面の離型膜に対して、当該テンプレートの表面側から洗浄液を供給する液供給部と、
前記テンプレートの表面の離型膜に対して、当該テンプレートの裏面側から紫外線を照射する紫外線照射部と、を有することを特徴とする、テンプレート処理装置。
【請求項１０】
前記液供給部は、前記テンプレートの表面の離型膜に対して、前記洗浄液と比べて比重が小さく、且つ当該洗浄液と親和性を有しない純水を供給することを特徴とする、請求項９に記載のテンプレート処理装置。
【請求項１１】
前記液供給部は、前記洗浄液と純水を供給するノズルを有し、
前記ノズルには、前記洗浄液を供給する洗浄液供給口と、前記洗浄液供給口の周囲に環状に形成され、純水を供給する純水供給口とが形成されていることを特徴とする、請求項１０に記載のテンプレート処理装置。
【請求項１２】
洗浄後の前記洗浄液と純水を回収する回収部と、
前記回収された洗浄液と純水を分離する分離部と、
前記分離された洗浄液を蒸留する蒸留部と、を有することを特徴とする、請求項１０又は１１に記載のテンプレート処理装置。
【請求項１３】
前記洗浄液は、フッ素系溶剤であることを特徴とする、請求項９〜１２のいずれかに記載のテンプレート処理装置。
【請求項１４】
前記紫外線照射部は前記保持部の内部に配置され、
前記保持部に保持されたテンプレートと前記紫外線照射部との間の空間に、不活性ガスを供給するガス供給部を有することを特徴とする、請求項９〜１３のいずれかに記載のテンプレート処理装置。
【請求項１５】
請求項９〜１４のいずれかに記載のテンプレート処理装置を備えたインプリントシステムであって、
表面に離型膜が成膜された前記テンプレートを用いて、前記転写パターンを基板上に形成される塗布膜に転写し、当該塗布膜に所定のパターンを形成するインプリント装置を有することを特徴とする、インプリントシステム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１２−１７４７６８（Ｐ２０１２−１７４７６８Ａ）
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−３３０９９（Ｐ２０１１−３３０９９）
【出願日】平成２３年２月１８日（２０１１．２．１８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月１８日（２０１１．２．１８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]