データ記憶装置及びその方法
【課題】不揮発性メモリに記憶されているデータに対して確実にアクセスし得るようにすると共に、使い勝手を格段と向上させ得るようにする。
【解決手段】制御部２は、フラッシュメモリ６に記憶させる複数種類のデータに対してデータ種別を示すための種別ヘッダＨＤ１、ＨＤ２及びＨＤ３を付加するようにしたことにより、ＰＳＲＡＭ５におけるデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が破損又は消滅してしまった場合であっても、フラッシュメモリ６のデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ１、ＢＫ２、……に記憶され続けている複数種類のデータのそれぞれのデータ種別を把握することができ、かくしてデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を再構築することができる。
【解決手段】制御部２は、フラッシュメモリ６に記憶させる複数種類のデータに対してデータ種別を示すための種別ヘッダＨＤ１、ＨＤ２及びＨＤ３を付加するようにしたことにより、ＰＳＲＡＭ５におけるデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が破損又は消滅してしまった場合であっても、フラッシュメモリ６のデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ１、ＢＫ２、……に記憶され続けている複数種類のデータのそれぞれのデータ種別を把握することができ、かくしてデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を再構築することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はデータ記憶装置及びその方法に関し、例えば、フラッシュメモリ（Flash Memory）を有しており、当該フラッシュメモリに対してデータを記憶するようになされた携帯電話機に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機においては、不揮発性のメモリ（以下、これを不揮発性メモリと呼ぶ）であるフラッシュメモリを有し、当該フラッシュメモリに対して例えば発信履歴データや着信履歴データ等の複数種類のデータを記憶するようになされたものがある。（例えば、特許文献１）
【特許文献１】特開2000-47932公報（第２頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、かかるフラッシュメモリには、例えば図９に示すように、その記憶領域が区分けされることによってデータを記憶するための複数のブロック（以下、これをデータ記憶ブロックと呼ぶ）ＢＫＸ０、ＢＫＸ１、ＢＫＸ２、……が設定されており、これらデータ記憶ブロックＢＫＸ０、ＢＫＸ１、ＢＫＸ２、……のそれぞれに対しては、その先頭から固有のアドレスＡＤＸ０００、ＡＤＸ００１、ＡＤＸ００２、……が順次割り当てられている。
【０００４】
そして、このようなフラッシュメモリを有する従来の携帯電話機の制御部は、例えば、フラッシュメモリに対して発信履歴データを記憶させるべきとき、発信履歴データのみを記憶するように予め定義されているデータ記憶ブロック（例えば、データ記憶ブロックＢＫＸ０）に対して発信履歴データを書き込み、また、フラッシュメモリから発信履歴データを読み出すべきときには、常にかかるデータ記憶ブロックＢＫＸ０から発信履歴データを読み出すようになされていた。
【０００５】
ところが、一般的にフラッシュメモリのデータ記憶ブロックＢＫＸ０、ＢＫＸ１、ＢＫＸ２、……のそれぞれには、データの書き込み／読み出し回数に制限が存在することにより、上述のようにデータ記憶ブロックＢＫＸ０のみに対して発信履歴データを書き込み／読み出しし続けると、当該データ記憶ブロックＢＫＸ０のみが早期に使用不可能となってしまう問題があった。
【０００６】
このような問題を回避するために、例えば発信履歴データを書き込むデータ記憶ブロックを適宜変更させ、これによりフラッシュメモリにおける複数のデータ記憶ブロックのそれぞれを均等に使用する手法が考えられている。
【０００７】
しかし、このような手法によって発信履歴データや着信履歴データ等の複数種類のデータをフラッシュメモリに記憶させた場合、当該フラッシュメモリに記憶されている複数種類のデータに個別にアクセスしてこれを読み出す処理等を実行しなければならない携帯電話機の制御部は、これら複数種類のデータのそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロックを把握しておく必要がある。
【０００８】
従って、この手法を採用した携帯電話機においては、制御部の作業領域として機能するＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）等の揮発性のメモリ（以下、これを揮発性メモリと呼ぶ）に対して、例えば、複数種類のデータのそれぞれのデータ種別名「発信履歴」、「着信履歴」、……と、これら複数種類のデータのそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロックのアドレスとを対応付けて記したテーブル（以下、これをデータ種別／アドレス対応テーブルと呼ぶ）を記憶保持させ、制御部に対してこのデータ種別／アドレス対応テーブルを参照させることにより、複数種類のデータのそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロックを把握させ得るようになされている。
【０００９】
しかしながら、このような構成では、揮発性メモリに何らかの不具合（例えば、電力供給の停止等）が生じることにより、当該揮発性メモリによって記憶保持していたデータ種別／アドレス対応テーブルが破損又は消滅してしまうと、制御部は、複数種類のデータのそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロックを把握することができず、フラッシュメモリに記憶されている複数種類のデータの何れにもアクセスし得なくなってしまう問題があった。
【００１０】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、不揮発性メモリに記憶されているデータに対して確実にアクセスし得るようにすると共に、使い勝手を格段と向上させ得るデータ記憶装置及びその方法を提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
かかる課題を解決するために本発明は、データを記憶するデータ記憶装置であって、固有のアドレスを割り当てたデータ記憶ブロックが複数設定されている不揮発性メモリと、データ記憶ブロックに対してデータ種別を示すための種別情報を付加したデータを記憶させる記憶手段と、データ記憶ブロックのアドレスと当該データ記憶ブロックに記憶されているデータのデータ種別とを対応付けた対応情報を記憶保持する揮発性メモリと、対応情報に基づいて、所望のデータ種別のデータが記憶されているデータ記憶ブロックのアドレスを認識することにより、当該データにアクセスするアクセス手段と、揮発性メモリによって記憶保持している対応情報が破損又は消滅したとき、データ記憶ブロックのアドレス及び当該データ記憶ブロックに記憶されているデータの種別情報に基づいて、対応情報を再構築する再構築手段と、所定の要件どおりに作動すべき作動部と、データ記憶装置における主電源の放電停止後に放電を開始する予備バッテリと、予備バッテリが放電を開始したとき以降、当該予備バッテリのバッテリ残量が作動部の要件を満たすために必須である必須バッテリ残量に降下するまでのバッテリ残量余裕期間には、予備バッテリの放電を作動部及び揮発性メモリへ導くことにより、作動部を作動させつつ揮発性メモリに対応情報を記憶保持し続けさせ、バッテリ残量余裕期間の経過後には、予備バッテリの放電を作動部のみへ導くことにより、作動部を要件どおりに作動させる放電制御手段とを有する。
【００１２】
また本発明は、所定の要件どおりに作動すべき作動部を有するデータ記憶装置にデータを記憶させるデータ記憶方法であって、固有のアドレスを割り当てたデータ記憶ブロックが複数設定されている不揮発性メモリのデータ記憶ブロックに対してデータ種別を示すための種別情報を付加したデータを記憶させる記憶ステップと、データ記憶ブロックのアドレスと当該データ記憶ブロックに記憶されているデータのデータ種別とを対応付けた対応情報を揮発性メモリに記憶保持させる記憶保持ステップと、対応情報に基づいて、所望のデータ種別のデータが記憶されているデータ記憶ブロックのアドレスを認識することにより、当該データにアクセスするアクセスステップと、記憶保持ステップによって揮発性メモリに記憶保持させている対応情報が破損又は消滅したとき、データ記憶ブロックのアドレス及び当該データ記憶ブロックに記憶されているデータの種別情報に基づいて対応情報を再構築する再構築ステップと、データ記憶装置における主電源の放電停止後、当該データ記憶装置に配設されている予備バッテリに放電を開始させる放電開始ステップと、予備バッテリに放電を開始させたとき以降、当該予備バッテリのバッテリ残量が作動部の要件を満たすために必須である必須バッテリ残量に降下するまでのバッテリ残量余裕期間には、予備バッテリの放電を作動部及び揮発性メモリへ導くことにより、作動部を作動させつつ揮発性メモリに対応情報を記憶保持し続けさせ、バッテリ残量余裕期間の経過後には、予備バッテリの放電を作動部のみへ導くことにより、作動部を要件どおりに作動させる放電制御ステップとを有する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、揮発性メモリによって記憶保持している対応情報が破損又は消滅した場合であっても、当該対応情報を再構築することができる。また、主電源の放電が停止した場合であっても、作動部を所定の要件どおりに作動させることができると共に、予備バッテリのバッテリ残量余裕期間中に対応情報が消滅してしまうことを防止することができ、この結果、バッテリ残量余裕期間の範囲内で主電源の放電が停止していた場合には、主電源の放電回復後速やか且つ確実に不揮発性メモリに記憶されているデータに対してアクセスすることができる。一方、バッテリ残量余裕期間を経過して主電源の放電が停止していた場合であっても、対応情報を再構築し得ることにより、不揮発性メモリに記憶されているデータに対して確実にアクセスすることができる。かくして、不揮発性メモリに記憶されているデータに対して確実にアクセスし得ると共に、使い勝手を格段と向上させ得るデータ記憶装置及びその方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【００１５】
（１）携帯電話機の回路構成
図１において、１は全体として携帯電話機１の回路構成を示し、当該携帯電話機１全体を統括的に制御する制御部２に対して、数字や文字等からなる各種情報を入力するための入力部３、液晶ディスプレイ等でなる表示部４、揮発性メモリとしてのＰＳＲＡＭ（Pseudo Static Random Access Memory）５、不揮発性メモリとしてのフラッシュメモリ６及び現在日時を計時するためのＲＴＣ（Real Time Clock）回路７が接続されて構成されている。
【００１６】
制御部２に対しては、発呼処理や着呼処理等の基本的な処理を実行するための基本プログラムや、データ更新処理（後述する）を実行するためのデータ更新プログラム等の各種プログラムが予め格納されている。制御部２はこれら各種プログラムに従って携帯電話機１における各回路部を制御することにより、各種処理を実行するようになされている。
【００１７】
一方、フラッシュメモリ６においては、例えば図２に示すように、その記憶領域が等分に区分けされることによってそれぞれ６４[Kbyte]の大きさでなる複数のデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ１、ＢＫ２、……が設定されており、これらデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ１、ＢＫ２、……のそれぞれに対しては、その先頭から固有のアドレスＡＤ０００、ＡＤ００１、ＡＤ００２、……が順次割り当てられている。
【００１８】
そしてこれらデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ１、ＢＫ２、……のうち例えばデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５のそれぞれに対しては、電話番号登録操作（後述する）が行われることによって登録された複数の電話先の電話番号が電話番号情報として記されている電話帳データＤ１、携帯電話機１における着信履歴情報及び発信履歴情報が記されてなる着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３が記憶されている。
【００１９】
実際上、この電話帳データＤ１は、電話番号情報が記されている実データ部ＲＤ１に対して、当該電話帳データＤ１のデータ種別が「電話帳」であることを示すための種別ヘッダＨＤ１「０００００００１（２進数）」が付加されて構成されている。
【００２０】
同様に、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３についても、携帯電話機１における着信履歴情報及び発信履歴情報が記されている実データ部ＲＤ２及び実データ部ＲＤ３に対して、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３のデータ種別がそれぞれ「着信履歴」及び「発信履歴」であることを示すための種別ヘッダＨＤ２「００００００１０（２進数）」及び種別ヘッダＨＤ３「００００００１１（２進数）」が付加されて構成されている。
【００２１】
（２）データ更新処理
次に、一例として、フラッシュメモリ６に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３のうち電話帳データＤ１を更新する際のデータ更新処理手順ＲＴ１について、図３に示すフローチャートを用いて説明する。
【００２２】
ステップＳＰ１において制御部２は、例えばユーザによって入力部３を介して新たな電話先の電話番号を登録するための電話番号登録操作が行われることにより当該新たな電話先の電話番号が電話番号情報ＩＮＦ１として入力されると、フラッシュメモリ６に記憶されている複数種類のデータ（この場合、電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３）のうちデータ種別が「電話帳」であるデータ（つまり、電話帳データＤ１）に対して当該電話番号情報ＩＮＦ１を追記すべきと判断し、次のステップＳＰ２へ移る。
【００２３】
ステップＳＰ２において制御部２は、ＰＳＲＡＭ５に予め記憶保持されているデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１（図４（Ａ））が参照可能か否かを判断する。
【００２４】
ここで、図４（Ａ）に示すようにデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１には、電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３のそれぞれのデータ種別名「電話帳」、「着信履歴」及び「発信履歴」と、当該電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３のそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５のアドレス「ＡＤ０００」、「ＡＤ００３」及び「ＡＤ００５」とが対応付けて記されている。
【００２５】
従って、制御部２はこのデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を参照することにより、フラッシュメモリ６に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３のそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロック（この場合、データ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５）を把握し得るようになされている。
【００２６】
このステップＳＰ２において肯定結果が得られると、このことはＰＳＲＡＭ５によってデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を正常に記憶保持していることを表しており、このとき制御部２は、次のステップＳＰ３へ移る。
【００２７】
ステップＳＰ３において制御部２は、データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を参照することにより、データ種別名「電話帳」に対応するアドレス番号「ＡＤ０００」を認識し、次のステップＳＰ４へ移る。
【００２８】
ステップＳＰ４において制御部２は、ステップＳＰ３において認識したアドレス「ＡＤ０００」に基づくことにより、フラッシュメモリ６のデータ記憶ブロックＢＫ０に記憶されている電話帳データＤ１にアクセスした後これを作業領域として機能するＰＳＲＡＭ５に読み出し、次のステップＳＰ５へ移る。
【００２９】
因みに、制御部２はこのようにデータ記憶ブロックＢＫ０から電話帳データＤ１を読み出した後も、当該データ記憶ブロックＢＫ０に記憶されている電話帳データＤ１を消去しないようになされている。
【００３０】
ステップＳＰ５において制御部２は、ＰＳＲＡＭ５に読み出した電話帳データＤ１の実データ部ＲＤ１に対して電話番号情報ＩＮＦ１を追記する処理を行うことにより、新たな実データ部（以下、これを追記後実データ部と呼ぶ）を得て、次のステップＳＰ６へ移る。
【００３１】
ステップＳＰ６において制御部２は、かかる追記後実データ部に対してデータ種別が「電話帳」であることを示すための種別ヘッダＨＤ１「０００００００１」を付加し直すことにより、新たな電話帳データ（以下、これを追記後電話帳データと呼ぶ）を得て、次のステップＳＰ７へ移る。
【００３２】
ステップＳＰ７において制御部２は、データ記憶ブロックＢＫ０に未だ記憶され続けている電話帳データＤ１と追記後電話帳データとを比較することにより、電話帳データＤ１と追記後電話帳データとの差分データを生成した後、当該差分データの内容が電話番号情報ＩＮＦ１を示しているか否かを判断するようになされており、ここで否定結果が得られると、このことは電話帳データＤ１に対して電話番号情報ＩＮＦ１を正確に追記し得なかったことを表しており、このときステップＳＰ１へ戻りユーザに対して電話番号登録操作を再度行わせる。
【００３３】
これに対してステップＳＰ７において肯定結果が得られると、このことは電話帳データＤ１に対して電話番号情報ＩＮＦ１を正確に追記し得たことを表しており、このとき制御部２は、次のステップＳＰ８へ移る。
【００３４】
ステップＳＰ８において制御部２は、例えば図５に示すように、データ記憶ブロックＢＫ０に記憶されていた電話帳データＤ１を消去すると共に、当該データ記憶ブロックＢＫ０とは異なるデータ記憶ブロックＢＫ１に対して追記後電話帳データＤ１Ｘを書き込むことにより、当該データ記憶ブロックＢＫ１に追記後電話帳データＤ１Ｘを記憶させ、次のステップＳＰ９に移る。
【００３５】
ステップＳＰ９において制御部２は、データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１（図４（Ａ））において、データ種別名「電話帳」に対応して記されているアドレス「ＡＤ０００」を消去した後、例えば図４（Ｂ）に示すように、当該データ種別名「電話帳」と、追記後電話帳データＤ１Ｘが記憶されているデータ記憶ブロックＢＫ１のアドレス「ＡＤ００１」とを対応付けて記し、次のステップＳＰ１０に移ってデータ更新処理を終了する。
【００３６】
ところで、上述のステップＳＰ２において否定結果が得られると、このことはＰＳＲＡＭ５において何らかの不具合が生じたことにより当該ＰＳＲＡＭ５に記憶保持されていたデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が破損又は消滅してしまったことを表しており、このとき制御部２は、破損したデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１がＰＳＲＡＭ５に残存している場合にはこれを消去する処理を行った後に、また、データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が消滅してしまった場合には如何なる処理も実行せず、次のステップＳＰ１１へ移りテーブル再構築処理ＳＲＴ１を実行開始する。
【００３７】
すなわち、ステップＳＰ１１において制御部２は、例えば、フラッシュメモリ６のデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ１、ＢＫ２、……（図２）をその先頭から順次スキャンすることにより、何らかのデータ（この場合、電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３）が記憶されているデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５を特定し、次のステップＳＰ１２へ移る。
【００３８】
ステップＳＰ１２において制御部２は、上述のステップＳＰ１１において特定したデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５のそれぞれに記憶されているデータの種別ヘッダＨＤ１、ＨＤ２及びＨＤ３を判読することにより、当該種別ヘッダＨＤ１、ＨＤ２及びＨＤ３のそれぞれがデータ種別「電話帳」、「着信履歴」及び「発信履歴」を表していることを把握し、これによりデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５のそれぞれに記憶されているデータが電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３であることを認識して、次のステップＳＰ１３へ移る。
【００３９】
ステップＳＰ１３において制御部２は、上述のステップＳＰ１２における認識結果に基づいて所定のテーブル生成処理を実行することにより、データ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３のデータ種別名「電話帳」、「着信履歴」及び「発信履歴」と、データ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５のアドレス「ＡＤ０００」、「ＡＤ００１」及び「ＡＤ００２」とを対応付けて記したデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を再構築した後、テーブル再構築処理ＳＲＴ１を終了して上述のステップＳＰ２へ戻るようになされている。
【００４０】
以上の構成において、制御部２は、フラッシュメモリ６に記憶させるべきデータ、すなわち電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３に対してデータ種別を示すための種別ヘッダＨＤ１、ＨＤ２及びＨＤ３をそれぞれ付加するようにした。
【００４１】
これにより制御部２は、ＰＳＲＡＭ５におけるデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が破損又は消滅してしまった場合であっても、フラッシュメモリ６のデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ１、ＢＫ２、……の何れか又はそれぞれに記憶され続けているデータ（つまり、電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３）のデータ種別を把握することができ、かくしてデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を再構築することができる。
【００４２】
この結果、制御部２はデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を確実に参照することができ、かくしてフラッシュメモリ６に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３に対して確実且つ的確にアクセスすることができる。
【００４３】
また、本実施の形態においては、データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を記憶保持するための揮発性メモリとしてＳＲＡＭよりも廉価なＰＳＲＡＭ５を適用するようにした。これにより、携帯電話機１の製造コストを格段と低減させることができる。
【００４４】
以上の構成によれば、ＰＳＲＡＭ５におけるデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が破損又は消滅してしまった場合であっても、当該データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を再構築し得ることにより、フラッシュメモリ６に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３に対して確実にアクセスすることができる。
【００４５】
（３）セカンダリバッテリによる電力供給
実際上、携帯電話機１においては、当該携帯電話機１の筐体に対してメインバッテリ（図示せず）が着脱自在に装着されており、当該メインバッテリから携帯電話機１における各回路部に対して電力供給が行われることにより、発信処理や着信処理等の基本的な処理を実行するようになされている。
【００４６】
また携帯電話機１の筐体内部には、例えば図６に示すように、携帯電話機１の筐体からメインバッテリが取り外された後に放電を開始するセカンダリバッテリ１０が設けられており、当該セカンダリバッテリ１０からＲＴＣ側スイッチ１１及びＰＳＲＡＭ側スイッチ１２を介してＲＴＣ回路７及びＰＳＲＡＭ５へ放電し得るように構成されている。
【００４７】
ＲＴＣ側スイッチ１１及びＰＳＲＡＭ側スイッチ１２は、ＲＴＣ側スイッチ制御部１３及びＰＳＲＡＭ側スイッチ制御部１４によってそれぞれ制御される。ＲＴＣ側スイッチ制御部１３及びＰＳＲＡＭ側スイッチ制御部１４は、後述する電力供給手順に従って、ＲＴＣ側スイッチ１１及びＰＳＲＡＭ側スイッチ１２のＯＮ／ＯＦＦを切り換えるようになされている。
【００４８】
ところで、携帯電話機１を製造する上での一般的な要件として、当該携帯電話機１の筐体からメインバッテリが取り外された場合であっても、現在日時を計時するＲＴＣ回路７を所定の規定期間（例えば、３０日間）作動させなければならない旨が定められている。
【００４９】
ここでは、かかる要件を踏まえた上で、セカンダリバッテリ１０からＲＴＣ回路７及びＰＳＲＡＭ５に対して適切に電力供給するための電力供給手順ＲＴ２を、図７に示すフローチャートを用いて説明する。
【００５０】
すなわち、ステップＳＰ２１において、携帯電話機１の筐体からメインバッテリが取り外されると、ＲＴＣ側スイッチ制御部１３及びＰＳＲＡＭ側スイッチ制御部１４によってＲＴＣ側スイッチ１１及びＰＳＲＡＭ側スイッチ１２をＯＮとすることにより、セカンダリバッテリ１０からＲＴＣ回路７及びＰＳＲＡＭ５への放電を開始し、次のステップＳＰ２２へ移る。
【００５１】
かくするにつき、ＲＴＣ回路７及びＰＳＲＡＭ５に対して電力供給が行われ、これによりＲＴＣ回路７を作動させながら、ＰＳＲＡＭ５にデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を記憶保持し続けさせ得るようになされている。
【００５２】
因みに、ＲＴＣ側スイッチ制御部１３及びＰＳＲＡＭ側スイッチ制御部１４は、セカンダリバッテリ１０からＲＴＣ回路７及びＰＳＲＡＭ５への放電が開始された瞬間から、セカンダリバッテリ１０の放電電圧を検出し始めるようになされており、当該検出結果を検出電圧値として認識するようになされている。
【００５３】
ステップＳＰ２２においてＰＳＲＡＭ側スイッチ制御部１４は、セカンダリバッテリ１０の放電電圧が降下することによって検出電圧値が所定の閾値（本実施の形態の場合、2.5[Ｖ]）に至るのを待ち受けており、ここで検出電圧値がかかる所定の閾値に至ると、このことは、ＲＴＣ回路７に課せられた要件（ＲＴＣ回路７を規定期間作動させること）を満たすために最低限必要なバッテリ残量のみがセカンダリバッテリ１０に確保されている状態であって、当該セカンダリバッテリ１０のバッテリ残量に余裕がないことを表しており、次のステップＳＰ２３へ移る。
【００５４】
ここで一例として、本実施の形態におけるセカンダリバッテリ１０の放電特性を図８に示す。このセカンダリバッテリ１０において、過放電電圧値は例えば2.0[Ｖ]であり、これにより当該過放電電圧値に至るまでの放電容量Ｃ１は2.9[ｍＡｈ]である。そして、ＲＴＣ回路７を規定期間作動させるために必須となるセカンダリバッテリ１０の放電容量Ｃ２は例えば1.5[ｍＡｈ]である。これにより、セカンダリバッテリ１０の放電電圧値が2.5[Ｖ]（上述した所定の閾値に相当する）まで降下したとき、ＲＴＣ回路７に課せられた要件を満たすために最低限必要なバッテリ残量のみがセカンダリバッテリ１０に確保されている状態であると考えることができる。
【００５５】
ステップＳＰ２３においてＰＳＲＡＭ側スイッチ制御部１４は、ＰＳＲＡＭ側スイッチ１２をＯＦＦとすることにより、セカンダリバッテリ１０からＰＳＲＡＭ５への放電を停止させ、次のステップＳＰ２４へ移る。
【００５６】
このようにして携帯電話機１においては、当該携帯電話機１の筐体からメインバッテリが取り外された後ＰＳＲＡＭ側スイッチ制御部１４による検出電圧値が上述の閾値に至るまでの期間、すなわちセカンダリバッテリ１０のバッテリ残量に余裕がある期間（例えば、半日程度を想定）、当該セカンダリバッテリ１０からＰＳＲＡＭ５への放電を継続して行わせることにより、当該ＰＳＲＡＭ５におけるデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が消滅してしまうことを防止し得るようになされている。
【００５７】
ステップＳＰ２４においてＲＴＣ側スイッチ制御部１３は、セカンダリバッテリ１０の放電電圧が更に降下することによって検出電圧値が過放電電圧値（本実施の形態においては、2.0[Ｖ]）に至るのを待ち受けており、ここで当該検出電圧値が過放電電圧値に至ると、このことは、セカンダリバッテリ１０が過放電状態となる可能性が高いことを表しており、次のステップＳＰ２５へ移る。
【００５８】
ステップＳＰ２５においてＲＴＣ側スイッチ制御部１３は、ＲＴＣ側スイッチ１１をＯＦＦとすることにより、セカンダリバッテリ１０からＲＴＣ回路７への放電を停止させ、次のステップＳＰ２６へ移ってセカンダリバッテリ１０による電力供給手順ＲＴ２を終了する。
【００５９】
以上の構成において、携帯電話機１の筐体からメインバッテリが取り外された後、セカンダリバッテリ１０のバッテリ残量に余裕がある期間（以下、これをバッテリ残量余裕期間と呼ぶ）においては、当該セカンダリバッテリ１０からＰＳＲＡＭ５への放電を継続して行わせる。これにより、バッテリ残量余裕期間中にデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が消滅してしまうことを防止することができる。
【００６０】
そしてバッテリ残量余裕期間の経過後には、セカンダリバッテリ１０からＲＴＣ回路７への放電を継続させつつ、セカンダリバッテリ１０からＰＳＲＡＭ５への放電を停止するようにした。これにより、ＲＴＣ回路７に課せられた要件を満たすことができる。
【００６１】
かくして、携帯電話機１の筐体からメインバッテリが取り外されていた場合であっても、かかるバッテリ残量余裕期間中にメインバッテリが再度装着されれば、制御部２は、上述のテーブル再構築処理ＳＲＴ１を実行することなく、データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を即時に参照することができる。この結果、メインバッテリが再度装着されたとき、速やか且つ確実にフラッシュメモリ６に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３に対してアクセスすることができる。
【００６２】
以上の構成によれば、メインバッテリが取り外された場合であっても、ＲＴＣ回路７を要件どおりに作動させることができると共に、セカンダリバッテリ１０のバッテリ残量余裕期間中にデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が消滅してしまうことを防止することができる。かくして、バッテリ残量余裕期間の範囲内でメインバッテリが取り外される場合には、当該メインバッテリが再度装着されたとき、速やか且つ確実にフラッシュメモリ６に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３に対してアクセスすることができる。
【００６３】
これにより携帯電話機１においては、バッテリ残量余裕期間の範囲内で終了するメインバッテリの取り外し作業（例えば、メインバッテリを交換する作業等）が行われたとしても、当該筐体に対してメインバッテリが再度装着されたとき、電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３を対象とした携帯電話機１の機能（例えば、着信履歴の参照機能等）をユーザに対して速やかに利用させることができ、この結果、携帯電話機１の使い勝手を格段と向上させることができる。
【００６４】
また、メインバッテリが取り外されたまま放置される等の通常発生し難い事象が起こって携帯電話機１の筐体からメインバッテリが長期間（すなわち、バッテリ残量余裕期間を経過した場合）取り外されることにより、ＰＳＲＡＭ５におけるデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が消滅してしまった場合であっても、制御部２は、テーブル再構築処理ＳＲＴ１を実行することによってデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を再構築することができ、かくしてフラッシュメモリ６に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３に対して確実にアクセスすることができる。この結果、フラッシュメモリ６に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３に対して確実にアクセスし得ると共に、使い勝手を格段と向上させ得る携帯電話機１を実現することができる。
【００６５】
（４）他の実施の形態
なお上述の実施の形態においては、電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３を記憶するデータ記憶装置として携帯電話機１を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、パーソナルコンピュータやＰＤＡ（Personal Digital Assistance）等をデータ記憶装置として適用するようにしても良い。
【００６６】
また上述の実施の形態においては、固有のアドレス（すなわち、ＡＤ０００、ＡＤ００１、ＡＤ００２、……）を割り当てたデータ記憶ブロック（すなわち、ＢＫ０、ＢＫ１、ＢＫ２、……）が複数設定されている不揮発性メモリとして、フラッシュメモリ６を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、不揮発性のメモリであれば、ＲＯＭ（Read Only Memory）等を適用するようにしても良い。
【００６７】
さらに上述の実施の形態においては、データ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ１、ＢＫ２、……に対してデータ種別を示すための種別情報としての種別ヘッダＨＤ１、ＨＤ２及びＨＤ３を付加した電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３を記憶させる記憶手段として、制御部２を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、マイクロコンピュータ等を適用するようにしても良い。
【００６８】
さらに上述の実施の形態においては、データ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５のアドレス「ＡＤ０００」、「ＡＤ００３」及び「ＡＤ００５」と当該データ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３のデータ種別とを対応付けたデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を記憶保持する揮発性メモリとして、ＰＳＲＡＭ５を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、揮発性のメモリであれば、例えば、ＳＲＡＭ等を適用するようにしても良い。
【００６９】
さらに上述の実施の形態においては、対応情報としてのデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１においてデータ種別名「電話帳」、「着信履歴」及び「発信履歴」とアドレス「ＡＤ０００」、「ＡＤ００３」及び「ＡＤ００５」とを対応付けて記した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、電話帳データＤ１（又は電話帳データＤ１Ｘ）、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３の記憶されているデータ記憶ブロックのアドレスを把握することが可能であれば、例えば、データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１において、種別ヘッダの内容（つまり、２進数で表された数字）とアドレスとを対応付けて記しても良い。
【００７０】
さらに上述の実施の形態においては、データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１に基づいて、例えば、所望のデータ種別「電話帳」のデータ（つまり、電話帳データＤ１）が記憶されているデータ記憶ブロックＢＫ０のアドレス「ＡＤ０００」を認識することにより、当該データにアクセスするアクセス手段として、制御部２を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、マイクロコンピュータ等を適用するようにしても良い。
【００７１】
さらに上述の実施の形態においては、データ記憶ブロックのアドレス「ＡＤ０００」、「ＡＤ００３」及び「ＡＤ００５」と当該データ記憶ブロックに記憶されているデータの種別情報としての種別ヘッダＨＤ１、ＨＤ２及びＨＤ３とに基づいて、データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を再構築する再構築手段として、制御部２を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、テーブル再構築処理ＳＲＴ１を実行することができれば、マイクロコンピュータ等を適用するようにしても良い。
【００７２】
さらに上述の実施の形態においては、所定の要件どおりに作動すべき作動部として、携帯電話機１の筐体からメインバッテリが取り外された後、所定の規定期間（例えば、３０日間）作動しなければならないという要件が課せられたＲＴＣ回路７を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば、携帯電話機１の筐体からメインバッテリが取り外された後も、他の無線通信機器からの送信信号を待ち受けるために作動し続けなければならないという要件が課せられた無線通信部等を適用するようにしても良い。
【００７３】
さらに上述の実施の形態においては、携帯電話機１における主電源としてのメインバッテリからの放電停止後に放電を開始する予備バッテリとして、セカンダリバッテリ１０を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば、リチウム蓄電池やリチウムイオン蓄電池等を適用するようにしても良い。
【００７４】
さらに上述の実施の形態においては、セカンダリバッテリ１０が放電を開始したとき以降、当該セカンダリバッテリ１０のバッテリ残量がＲＴＣ回路７の要件を満たすために必須である必須バッテリ残量に降下するまでのバッテリ残量余裕期間には、セカンダリバッテリ１０の放電をＲＴＣ回路７及びＰＳＲＡＭ５へ導くことにより、ＲＴＣ回路７を作動させつつＰＳＲＡＭ５にデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を記憶保持し続けさせ、バッテリ残量余裕期間の経過後には、セカンダリバッテリ１０の放電をＲＴＣ回路７のみへ導くことにより、ＲＴＣ回路７を要件どおりに作動させる放電制御手段として、ＲＴＣ側スイッチ１１、ＰＳＲＡＭ側スイッチ１２、ＲＴＣ側スイッチ制御部１３及びＰＳＲＡＭ側スイッチ制御部１４を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、種々のスイッチ及び当該スイッチを制御するための装置等を適用するようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は、揮発性メモリに対するデータ記憶に関する電子産業上において利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本実施の形態における携帯電話機の回路構成を示す略線図である。
【図２】フラッシュメモリの様子（１）を示す略線図である。
【図３】データ更新処理手順を示すフローチャートである。
【図４】データ種別／アドレス対応テーブルの様子を示す略線図である。
【図５】フラッシュメモリの様子（２）を示す略線図である。
【図６】セカンダリバッテリによる電力供給の様子を示す略線図である。
【図７】セカンダリバッテリによる電力供給手順を示すフローチャートである。
【図８】セカンダリバッテリの放電特性を示す略線図である。
【図９】セカンダリバッテリの構成を示す略線図である。
【符号の説明】
【００７７】
１……携帯電話機、２……制御部、５……ＰＳＲＡＭ、６……フラッシュメモリ、７……ＲＴＣ回路、ＳＲＴ１……テーブル再構築処理手順。
【技術分野】
【０００１】
本発明はデータ記憶装置及びその方法に関し、例えば、フラッシュメモリ（Flash Memory）を有しており、当該フラッシュメモリに対してデータを記憶するようになされた携帯電話機に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機においては、不揮発性のメモリ（以下、これを不揮発性メモリと呼ぶ）であるフラッシュメモリを有し、当該フラッシュメモリに対して例えば発信履歴データや着信履歴データ等の複数種類のデータを記憶するようになされたものがある。（例えば、特許文献１）
【特許文献１】特開2000-47932公報（第２頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、かかるフラッシュメモリには、例えば図９に示すように、その記憶領域が区分けされることによってデータを記憶するための複数のブロック（以下、これをデータ記憶ブロックと呼ぶ）ＢＫＸ０、ＢＫＸ１、ＢＫＸ２、……が設定されており、これらデータ記憶ブロックＢＫＸ０、ＢＫＸ１、ＢＫＸ２、……のそれぞれに対しては、その先頭から固有のアドレスＡＤＸ０００、ＡＤＸ００１、ＡＤＸ００２、……が順次割り当てられている。
【０００４】
そして、このようなフラッシュメモリを有する従来の携帯電話機の制御部は、例えば、フラッシュメモリに対して発信履歴データを記憶させるべきとき、発信履歴データのみを記憶するように予め定義されているデータ記憶ブロック（例えば、データ記憶ブロックＢＫＸ０）に対して発信履歴データを書き込み、また、フラッシュメモリから発信履歴データを読み出すべきときには、常にかかるデータ記憶ブロックＢＫＸ０から発信履歴データを読み出すようになされていた。
【０００５】
ところが、一般的にフラッシュメモリのデータ記憶ブロックＢＫＸ０、ＢＫＸ１、ＢＫＸ２、……のそれぞれには、データの書き込み／読み出し回数に制限が存在することにより、上述のようにデータ記憶ブロックＢＫＸ０のみに対して発信履歴データを書き込み／読み出しし続けると、当該データ記憶ブロックＢＫＸ０のみが早期に使用不可能となってしまう問題があった。
【０００６】
このような問題を回避するために、例えば発信履歴データを書き込むデータ記憶ブロックを適宜変更させ、これによりフラッシュメモリにおける複数のデータ記憶ブロックのそれぞれを均等に使用する手法が考えられている。
【０００７】
しかし、このような手法によって発信履歴データや着信履歴データ等の複数種類のデータをフラッシュメモリに記憶させた場合、当該フラッシュメモリに記憶されている複数種類のデータに個別にアクセスしてこれを読み出す処理等を実行しなければならない携帯電話機の制御部は、これら複数種類のデータのそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロックを把握しておく必要がある。
【０００８】
従って、この手法を採用した携帯電話機においては、制御部の作業領域として機能するＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）等の揮発性のメモリ（以下、これを揮発性メモリと呼ぶ）に対して、例えば、複数種類のデータのそれぞれのデータ種別名「発信履歴」、「着信履歴」、……と、これら複数種類のデータのそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロックのアドレスとを対応付けて記したテーブル（以下、これをデータ種別／アドレス対応テーブルと呼ぶ）を記憶保持させ、制御部に対してこのデータ種別／アドレス対応テーブルを参照させることにより、複数種類のデータのそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロックを把握させ得るようになされている。
【０００９】
しかしながら、このような構成では、揮発性メモリに何らかの不具合（例えば、電力供給の停止等）が生じることにより、当該揮発性メモリによって記憶保持していたデータ種別／アドレス対応テーブルが破損又は消滅してしまうと、制御部は、複数種類のデータのそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロックを把握することができず、フラッシュメモリに記憶されている複数種類のデータの何れにもアクセスし得なくなってしまう問題があった。
【００１０】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、不揮発性メモリに記憶されているデータに対して確実にアクセスし得るようにすると共に、使い勝手を格段と向上させ得るデータ記憶装置及びその方法を提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
かかる課題を解決するために本発明は、データを記憶するデータ記憶装置であって、固有のアドレスを割り当てたデータ記憶ブロックが複数設定されている不揮発性メモリと、データ記憶ブロックに対してデータ種別を示すための種別情報を付加したデータを記憶させる記憶手段と、データ記憶ブロックのアドレスと当該データ記憶ブロックに記憶されているデータのデータ種別とを対応付けた対応情報を記憶保持する揮発性メモリと、対応情報に基づいて、所望のデータ種別のデータが記憶されているデータ記憶ブロックのアドレスを認識することにより、当該データにアクセスするアクセス手段と、揮発性メモリによって記憶保持している対応情報が破損又は消滅したとき、データ記憶ブロックのアドレス及び当該データ記憶ブロックに記憶されているデータの種別情報に基づいて、対応情報を再構築する再構築手段と、所定の要件どおりに作動すべき作動部と、データ記憶装置における主電源の放電停止後に放電を開始する予備バッテリと、予備バッテリが放電を開始したとき以降、当該予備バッテリのバッテリ残量が作動部の要件を満たすために必須である必須バッテリ残量に降下するまでのバッテリ残量余裕期間には、予備バッテリの放電を作動部及び揮発性メモリへ導くことにより、作動部を作動させつつ揮発性メモリに対応情報を記憶保持し続けさせ、バッテリ残量余裕期間の経過後には、予備バッテリの放電を作動部のみへ導くことにより、作動部を要件どおりに作動させる放電制御手段とを有する。
【００１２】
また本発明は、所定の要件どおりに作動すべき作動部を有するデータ記憶装置にデータを記憶させるデータ記憶方法であって、固有のアドレスを割り当てたデータ記憶ブロックが複数設定されている不揮発性メモリのデータ記憶ブロックに対してデータ種別を示すための種別情報を付加したデータを記憶させる記憶ステップと、データ記憶ブロックのアドレスと当該データ記憶ブロックに記憶されているデータのデータ種別とを対応付けた対応情報を揮発性メモリに記憶保持させる記憶保持ステップと、対応情報に基づいて、所望のデータ種別のデータが記憶されているデータ記憶ブロックのアドレスを認識することにより、当該データにアクセスするアクセスステップと、記憶保持ステップによって揮発性メモリに記憶保持させている対応情報が破損又は消滅したとき、データ記憶ブロックのアドレス及び当該データ記憶ブロックに記憶されているデータの種別情報に基づいて対応情報を再構築する再構築ステップと、データ記憶装置における主電源の放電停止後、当該データ記憶装置に配設されている予備バッテリに放電を開始させる放電開始ステップと、予備バッテリに放電を開始させたとき以降、当該予備バッテリのバッテリ残量が作動部の要件を満たすために必須である必須バッテリ残量に降下するまでのバッテリ残量余裕期間には、予備バッテリの放電を作動部及び揮発性メモリへ導くことにより、作動部を作動させつつ揮発性メモリに対応情報を記憶保持し続けさせ、バッテリ残量余裕期間の経過後には、予備バッテリの放電を作動部のみへ導くことにより、作動部を要件どおりに作動させる放電制御ステップとを有する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、揮発性メモリによって記憶保持している対応情報が破損又は消滅した場合であっても、当該対応情報を再構築することができる。また、主電源の放電が停止した場合であっても、作動部を所定の要件どおりに作動させることができると共に、予備バッテリのバッテリ残量余裕期間中に対応情報が消滅してしまうことを防止することができ、この結果、バッテリ残量余裕期間の範囲内で主電源の放電が停止していた場合には、主電源の放電回復後速やか且つ確実に不揮発性メモリに記憶されているデータに対してアクセスすることができる。一方、バッテリ残量余裕期間を経過して主電源の放電が停止していた場合であっても、対応情報を再構築し得ることにより、不揮発性メモリに記憶されているデータに対して確実にアクセスすることができる。かくして、不揮発性メモリに記憶されているデータに対して確実にアクセスし得ると共に、使い勝手を格段と向上させ得るデータ記憶装置及びその方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【００１５】
（１）携帯電話機の回路構成
図１において、１は全体として携帯電話機１の回路構成を示し、当該携帯電話機１全体を統括的に制御する制御部２に対して、数字や文字等からなる各種情報を入力するための入力部３、液晶ディスプレイ等でなる表示部４、揮発性メモリとしてのＰＳＲＡＭ（Pseudo Static Random Access Memory）５、不揮発性メモリとしてのフラッシュメモリ６及び現在日時を計時するためのＲＴＣ（Real Time Clock）回路７が接続されて構成されている。
【００１６】
制御部２に対しては、発呼処理や着呼処理等の基本的な処理を実行するための基本プログラムや、データ更新処理（後述する）を実行するためのデータ更新プログラム等の各種プログラムが予め格納されている。制御部２はこれら各種プログラムに従って携帯電話機１における各回路部を制御することにより、各種処理を実行するようになされている。
【００１７】
一方、フラッシュメモリ６においては、例えば図２に示すように、その記憶領域が等分に区分けされることによってそれぞれ６４[Kbyte]の大きさでなる複数のデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ１、ＢＫ２、……が設定されており、これらデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ１、ＢＫ２、……のそれぞれに対しては、その先頭から固有のアドレスＡＤ０００、ＡＤ００１、ＡＤ００２、……が順次割り当てられている。
【００１８】
そしてこれらデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ１、ＢＫ２、……のうち例えばデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５のそれぞれに対しては、電話番号登録操作（後述する）が行われることによって登録された複数の電話先の電話番号が電話番号情報として記されている電話帳データＤ１、携帯電話機１における着信履歴情報及び発信履歴情報が記されてなる着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３が記憶されている。
【００１９】
実際上、この電話帳データＤ１は、電話番号情報が記されている実データ部ＲＤ１に対して、当該電話帳データＤ１のデータ種別が「電話帳」であることを示すための種別ヘッダＨＤ１「０００００００１（２進数）」が付加されて構成されている。
【００２０】
同様に、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３についても、携帯電話機１における着信履歴情報及び発信履歴情報が記されている実データ部ＲＤ２及び実データ部ＲＤ３に対して、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３のデータ種別がそれぞれ「着信履歴」及び「発信履歴」であることを示すための種別ヘッダＨＤ２「００００００１０（２進数）」及び種別ヘッダＨＤ３「００００００１１（２進数）」が付加されて構成されている。
【００２１】
（２）データ更新処理
次に、一例として、フラッシュメモリ６に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３のうち電話帳データＤ１を更新する際のデータ更新処理手順ＲＴ１について、図３に示すフローチャートを用いて説明する。
【００２２】
ステップＳＰ１において制御部２は、例えばユーザによって入力部３を介して新たな電話先の電話番号を登録するための電話番号登録操作が行われることにより当該新たな電話先の電話番号が電話番号情報ＩＮＦ１として入力されると、フラッシュメモリ６に記憶されている複数種類のデータ（この場合、電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３）のうちデータ種別が「電話帳」であるデータ（つまり、電話帳データＤ１）に対して当該電話番号情報ＩＮＦ１を追記すべきと判断し、次のステップＳＰ２へ移る。
【００２３】
ステップＳＰ２において制御部２は、ＰＳＲＡＭ５に予め記憶保持されているデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１（図４（Ａ））が参照可能か否かを判断する。
【００２４】
ここで、図４（Ａ）に示すようにデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１には、電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３のそれぞれのデータ種別名「電話帳」、「着信履歴」及び「発信履歴」と、当該電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３のそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５のアドレス「ＡＤ０００」、「ＡＤ００３」及び「ＡＤ００５」とが対応付けて記されている。
【００２５】
従って、制御部２はこのデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を参照することにより、フラッシュメモリ６に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３のそれぞれが記憶されているデータ記憶ブロック（この場合、データ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５）を把握し得るようになされている。
【００２６】
このステップＳＰ２において肯定結果が得られると、このことはＰＳＲＡＭ５によってデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を正常に記憶保持していることを表しており、このとき制御部２は、次のステップＳＰ３へ移る。
【００２７】
ステップＳＰ３において制御部２は、データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を参照することにより、データ種別名「電話帳」に対応するアドレス番号「ＡＤ０００」を認識し、次のステップＳＰ４へ移る。
【００２８】
ステップＳＰ４において制御部２は、ステップＳＰ３において認識したアドレス「ＡＤ０００」に基づくことにより、フラッシュメモリ６のデータ記憶ブロックＢＫ０に記憶されている電話帳データＤ１にアクセスした後これを作業領域として機能するＰＳＲＡＭ５に読み出し、次のステップＳＰ５へ移る。
【００２９】
因みに、制御部２はこのようにデータ記憶ブロックＢＫ０から電話帳データＤ１を読み出した後も、当該データ記憶ブロックＢＫ０に記憶されている電話帳データＤ１を消去しないようになされている。
【００３０】
ステップＳＰ５において制御部２は、ＰＳＲＡＭ５に読み出した電話帳データＤ１の実データ部ＲＤ１に対して電話番号情報ＩＮＦ１を追記する処理を行うことにより、新たな実データ部（以下、これを追記後実データ部と呼ぶ）を得て、次のステップＳＰ６へ移る。
【００３１】
ステップＳＰ６において制御部２は、かかる追記後実データ部に対してデータ種別が「電話帳」であることを示すための種別ヘッダＨＤ１「０００００００１」を付加し直すことにより、新たな電話帳データ（以下、これを追記後電話帳データと呼ぶ）を得て、次のステップＳＰ７へ移る。
【００３２】
ステップＳＰ７において制御部２は、データ記憶ブロックＢＫ０に未だ記憶され続けている電話帳データＤ１と追記後電話帳データとを比較することにより、電話帳データＤ１と追記後電話帳データとの差分データを生成した後、当該差分データの内容が電話番号情報ＩＮＦ１を示しているか否かを判断するようになされており、ここで否定結果が得られると、このことは電話帳データＤ１に対して電話番号情報ＩＮＦ１を正確に追記し得なかったことを表しており、このときステップＳＰ１へ戻りユーザに対して電話番号登録操作を再度行わせる。
【００３３】
これに対してステップＳＰ７において肯定結果が得られると、このことは電話帳データＤ１に対して電話番号情報ＩＮＦ１を正確に追記し得たことを表しており、このとき制御部２は、次のステップＳＰ８へ移る。
【００３４】
ステップＳＰ８において制御部２は、例えば図５に示すように、データ記憶ブロックＢＫ０に記憶されていた電話帳データＤ１を消去すると共に、当該データ記憶ブロックＢＫ０とは異なるデータ記憶ブロックＢＫ１に対して追記後電話帳データＤ１Ｘを書き込むことにより、当該データ記憶ブロックＢＫ１に追記後電話帳データＤ１Ｘを記憶させ、次のステップＳＰ９に移る。
【００３５】
ステップＳＰ９において制御部２は、データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１（図４（Ａ））において、データ種別名「電話帳」に対応して記されているアドレス「ＡＤ０００」を消去した後、例えば図４（Ｂ）に示すように、当該データ種別名「電話帳」と、追記後電話帳データＤ１Ｘが記憶されているデータ記憶ブロックＢＫ１のアドレス「ＡＤ００１」とを対応付けて記し、次のステップＳＰ１０に移ってデータ更新処理を終了する。
【００３６】
ところで、上述のステップＳＰ２において否定結果が得られると、このことはＰＳＲＡＭ５において何らかの不具合が生じたことにより当該ＰＳＲＡＭ５に記憶保持されていたデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が破損又は消滅してしまったことを表しており、このとき制御部２は、破損したデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１がＰＳＲＡＭ５に残存している場合にはこれを消去する処理を行った後に、また、データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が消滅してしまった場合には如何なる処理も実行せず、次のステップＳＰ１１へ移りテーブル再構築処理ＳＲＴ１を実行開始する。
【００３７】
すなわち、ステップＳＰ１１において制御部２は、例えば、フラッシュメモリ６のデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ１、ＢＫ２、……（図２）をその先頭から順次スキャンすることにより、何らかのデータ（この場合、電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３）が記憶されているデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５を特定し、次のステップＳＰ１２へ移る。
【００３８】
ステップＳＰ１２において制御部２は、上述のステップＳＰ１１において特定したデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５のそれぞれに記憶されているデータの種別ヘッダＨＤ１、ＨＤ２及びＨＤ３を判読することにより、当該種別ヘッダＨＤ１、ＨＤ２及びＨＤ３のそれぞれがデータ種別「電話帳」、「着信履歴」及び「発信履歴」を表していることを把握し、これによりデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５のそれぞれに記憶されているデータが電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３であることを認識して、次のステップＳＰ１３へ移る。
【００３９】
ステップＳＰ１３において制御部２は、上述のステップＳＰ１２における認識結果に基づいて所定のテーブル生成処理を実行することにより、データ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３のデータ種別名「電話帳」、「着信履歴」及び「発信履歴」と、データ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５のアドレス「ＡＤ０００」、「ＡＤ００１」及び「ＡＤ００２」とを対応付けて記したデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を再構築した後、テーブル再構築処理ＳＲＴ１を終了して上述のステップＳＰ２へ戻るようになされている。
【００４０】
以上の構成において、制御部２は、フラッシュメモリ６に記憶させるべきデータ、すなわち電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３に対してデータ種別を示すための種別ヘッダＨＤ１、ＨＤ２及びＨＤ３をそれぞれ付加するようにした。
【００４１】
これにより制御部２は、ＰＳＲＡＭ５におけるデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が破損又は消滅してしまった場合であっても、フラッシュメモリ６のデータ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ１、ＢＫ２、……の何れか又はそれぞれに記憶され続けているデータ（つまり、電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３）のデータ種別を把握することができ、かくしてデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を再構築することができる。
【００４２】
この結果、制御部２はデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を確実に参照することができ、かくしてフラッシュメモリ６に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３に対して確実且つ的確にアクセスすることができる。
【００４３】
また、本実施の形態においては、データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を記憶保持するための揮発性メモリとしてＳＲＡＭよりも廉価なＰＳＲＡＭ５を適用するようにした。これにより、携帯電話機１の製造コストを格段と低減させることができる。
【００４４】
以上の構成によれば、ＰＳＲＡＭ５におけるデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が破損又は消滅してしまった場合であっても、当該データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を再構築し得ることにより、フラッシュメモリ６に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３に対して確実にアクセスすることができる。
【００４５】
（３）セカンダリバッテリによる電力供給
実際上、携帯電話機１においては、当該携帯電話機１の筐体に対してメインバッテリ（図示せず）が着脱自在に装着されており、当該メインバッテリから携帯電話機１における各回路部に対して電力供給が行われることにより、発信処理や着信処理等の基本的な処理を実行するようになされている。
【００４６】
また携帯電話機１の筐体内部には、例えば図６に示すように、携帯電話機１の筐体からメインバッテリが取り外された後に放電を開始するセカンダリバッテリ１０が設けられており、当該セカンダリバッテリ１０からＲＴＣ側スイッチ１１及びＰＳＲＡＭ側スイッチ１２を介してＲＴＣ回路７及びＰＳＲＡＭ５へ放電し得るように構成されている。
【００４７】
ＲＴＣ側スイッチ１１及びＰＳＲＡＭ側スイッチ１２は、ＲＴＣ側スイッチ制御部１３及びＰＳＲＡＭ側スイッチ制御部１４によってそれぞれ制御される。ＲＴＣ側スイッチ制御部１３及びＰＳＲＡＭ側スイッチ制御部１４は、後述する電力供給手順に従って、ＲＴＣ側スイッチ１１及びＰＳＲＡＭ側スイッチ１２のＯＮ／ＯＦＦを切り換えるようになされている。
【００４８】
ところで、携帯電話機１を製造する上での一般的な要件として、当該携帯電話機１の筐体からメインバッテリが取り外された場合であっても、現在日時を計時するＲＴＣ回路７を所定の規定期間（例えば、３０日間）作動させなければならない旨が定められている。
【００４９】
ここでは、かかる要件を踏まえた上で、セカンダリバッテリ１０からＲＴＣ回路７及びＰＳＲＡＭ５に対して適切に電力供給するための電力供給手順ＲＴ２を、図７に示すフローチャートを用いて説明する。
【００５０】
すなわち、ステップＳＰ２１において、携帯電話機１の筐体からメインバッテリが取り外されると、ＲＴＣ側スイッチ制御部１３及びＰＳＲＡＭ側スイッチ制御部１４によってＲＴＣ側スイッチ１１及びＰＳＲＡＭ側スイッチ１２をＯＮとすることにより、セカンダリバッテリ１０からＲＴＣ回路７及びＰＳＲＡＭ５への放電を開始し、次のステップＳＰ２２へ移る。
【００５１】
かくするにつき、ＲＴＣ回路７及びＰＳＲＡＭ５に対して電力供給が行われ、これによりＲＴＣ回路７を作動させながら、ＰＳＲＡＭ５にデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を記憶保持し続けさせ得るようになされている。
【００５２】
因みに、ＲＴＣ側スイッチ制御部１３及びＰＳＲＡＭ側スイッチ制御部１４は、セカンダリバッテリ１０からＲＴＣ回路７及びＰＳＲＡＭ５への放電が開始された瞬間から、セカンダリバッテリ１０の放電電圧を検出し始めるようになされており、当該検出結果を検出電圧値として認識するようになされている。
【００５３】
ステップＳＰ２２においてＰＳＲＡＭ側スイッチ制御部１４は、セカンダリバッテリ１０の放電電圧が降下することによって検出電圧値が所定の閾値（本実施の形態の場合、2.5[Ｖ]）に至るのを待ち受けており、ここで検出電圧値がかかる所定の閾値に至ると、このことは、ＲＴＣ回路７に課せられた要件（ＲＴＣ回路７を規定期間作動させること）を満たすために最低限必要なバッテリ残量のみがセカンダリバッテリ１０に確保されている状態であって、当該セカンダリバッテリ１０のバッテリ残量に余裕がないことを表しており、次のステップＳＰ２３へ移る。
【００５４】
ここで一例として、本実施の形態におけるセカンダリバッテリ１０の放電特性を図８に示す。このセカンダリバッテリ１０において、過放電電圧値は例えば2.0[Ｖ]であり、これにより当該過放電電圧値に至るまでの放電容量Ｃ１は2.9[ｍＡｈ]である。そして、ＲＴＣ回路７を規定期間作動させるために必須となるセカンダリバッテリ１０の放電容量Ｃ２は例えば1.5[ｍＡｈ]である。これにより、セカンダリバッテリ１０の放電電圧値が2.5[Ｖ]（上述した所定の閾値に相当する）まで降下したとき、ＲＴＣ回路７に課せられた要件を満たすために最低限必要なバッテリ残量のみがセカンダリバッテリ１０に確保されている状態であると考えることができる。
【００５５】
ステップＳＰ２３においてＰＳＲＡＭ側スイッチ制御部１４は、ＰＳＲＡＭ側スイッチ１２をＯＦＦとすることにより、セカンダリバッテリ１０からＰＳＲＡＭ５への放電を停止させ、次のステップＳＰ２４へ移る。
【００５６】
このようにして携帯電話機１においては、当該携帯電話機１の筐体からメインバッテリが取り外された後ＰＳＲＡＭ側スイッチ制御部１４による検出電圧値が上述の閾値に至るまでの期間、すなわちセカンダリバッテリ１０のバッテリ残量に余裕がある期間（例えば、半日程度を想定）、当該セカンダリバッテリ１０からＰＳＲＡＭ５への放電を継続して行わせることにより、当該ＰＳＲＡＭ５におけるデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が消滅してしまうことを防止し得るようになされている。
【００５７】
ステップＳＰ２４においてＲＴＣ側スイッチ制御部１３は、セカンダリバッテリ１０の放電電圧が更に降下することによって検出電圧値が過放電電圧値（本実施の形態においては、2.0[Ｖ]）に至るのを待ち受けており、ここで当該検出電圧値が過放電電圧値に至ると、このことは、セカンダリバッテリ１０が過放電状態となる可能性が高いことを表しており、次のステップＳＰ２５へ移る。
【００５８】
ステップＳＰ２５においてＲＴＣ側スイッチ制御部１３は、ＲＴＣ側スイッチ１１をＯＦＦとすることにより、セカンダリバッテリ１０からＲＴＣ回路７への放電を停止させ、次のステップＳＰ２６へ移ってセカンダリバッテリ１０による電力供給手順ＲＴ２を終了する。
【００５９】
以上の構成において、携帯電話機１の筐体からメインバッテリが取り外された後、セカンダリバッテリ１０のバッテリ残量に余裕がある期間（以下、これをバッテリ残量余裕期間と呼ぶ）においては、当該セカンダリバッテリ１０からＰＳＲＡＭ５への放電を継続して行わせる。これにより、バッテリ残量余裕期間中にデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が消滅してしまうことを防止することができる。
【００６０】
そしてバッテリ残量余裕期間の経過後には、セカンダリバッテリ１０からＲＴＣ回路７への放電を継続させつつ、セカンダリバッテリ１０からＰＳＲＡＭ５への放電を停止するようにした。これにより、ＲＴＣ回路７に課せられた要件を満たすことができる。
【００６１】
かくして、携帯電話機１の筐体からメインバッテリが取り外されていた場合であっても、かかるバッテリ残量余裕期間中にメインバッテリが再度装着されれば、制御部２は、上述のテーブル再構築処理ＳＲＴ１を実行することなく、データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を即時に参照することができる。この結果、メインバッテリが再度装着されたとき、速やか且つ確実にフラッシュメモリ６に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３に対してアクセスすることができる。
【００６２】
以上の構成によれば、メインバッテリが取り外された場合であっても、ＲＴＣ回路７を要件どおりに作動させることができると共に、セカンダリバッテリ１０のバッテリ残量余裕期間中にデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が消滅してしまうことを防止することができる。かくして、バッテリ残量余裕期間の範囲内でメインバッテリが取り外される場合には、当該メインバッテリが再度装着されたとき、速やか且つ確実にフラッシュメモリ６に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３に対してアクセスすることができる。
【００６３】
これにより携帯電話機１においては、バッテリ残量余裕期間の範囲内で終了するメインバッテリの取り外し作業（例えば、メインバッテリを交換する作業等）が行われたとしても、当該筐体に対してメインバッテリが再度装着されたとき、電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３を対象とした携帯電話機１の機能（例えば、着信履歴の参照機能等）をユーザに対して速やかに利用させることができ、この結果、携帯電話機１の使い勝手を格段と向上させることができる。
【００６４】
また、メインバッテリが取り外されたまま放置される等の通常発生し難い事象が起こって携帯電話機１の筐体からメインバッテリが長期間（すなわち、バッテリ残量余裕期間を経過した場合）取り外されることにより、ＰＳＲＡＭ５におけるデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１が消滅してしまった場合であっても、制御部２は、テーブル再構築処理ＳＲＴ１を実行することによってデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を再構築することができ、かくしてフラッシュメモリ６に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３に対して確実にアクセスすることができる。この結果、フラッシュメモリ６に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３に対して確実にアクセスし得ると共に、使い勝手を格段と向上させ得る携帯電話機１を実現することができる。
【００６５】
（４）他の実施の形態
なお上述の実施の形態においては、電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３を記憶するデータ記憶装置として携帯電話機１を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、パーソナルコンピュータやＰＤＡ（Personal Digital Assistance）等をデータ記憶装置として適用するようにしても良い。
【００６６】
また上述の実施の形態においては、固有のアドレス（すなわち、ＡＤ０００、ＡＤ００１、ＡＤ００２、……）を割り当てたデータ記憶ブロック（すなわち、ＢＫ０、ＢＫ１、ＢＫ２、……）が複数設定されている不揮発性メモリとして、フラッシュメモリ６を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、不揮発性のメモリであれば、ＲＯＭ（Read Only Memory）等を適用するようにしても良い。
【００６７】
さらに上述の実施の形態においては、データ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ１、ＢＫ２、……に対してデータ種別を示すための種別情報としての種別ヘッダＨＤ１、ＨＤ２及びＨＤ３を付加した電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３を記憶させる記憶手段として、制御部２を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、マイクロコンピュータ等を適用するようにしても良い。
【００６８】
さらに上述の実施の形態においては、データ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５のアドレス「ＡＤ０００」、「ＡＤ００３」及び「ＡＤ００５」と当該データ記憶ブロックＢＫ０、ＢＫ３及びＢＫ５に記憶されている電話帳データＤ１、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３のデータ種別とを対応付けたデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を記憶保持する揮発性メモリとして、ＰＳＲＡＭ５を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、揮発性のメモリであれば、例えば、ＳＲＡＭ等を適用するようにしても良い。
【００６９】
さらに上述の実施の形態においては、対応情報としてのデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１においてデータ種別名「電話帳」、「着信履歴」及び「発信履歴」とアドレス「ＡＤ０００」、「ＡＤ００３」及び「ＡＤ００５」とを対応付けて記した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、電話帳データＤ１（又は電話帳データＤ１Ｘ）、着信履歴データＤ２及び発信履歴データＤ３の記憶されているデータ記憶ブロックのアドレスを把握することが可能であれば、例えば、データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１において、種別ヘッダの内容（つまり、２進数で表された数字）とアドレスとを対応付けて記しても良い。
【００７０】
さらに上述の実施の形態においては、データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１に基づいて、例えば、所望のデータ種別「電話帳」のデータ（つまり、電話帳データＤ１）が記憶されているデータ記憶ブロックＢＫ０のアドレス「ＡＤ０００」を認識することにより、当該データにアクセスするアクセス手段として、制御部２を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、マイクロコンピュータ等を適用するようにしても良い。
【００７１】
さらに上述の実施の形態においては、データ記憶ブロックのアドレス「ＡＤ０００」、「ＡＤ００３」及び「ＡＤ００５」と当該データ記憶ブロックに記憶されているデータの種別情報としての種別ヘッダＨＤ１、ＨＤ２及びＨＤ３とに基づいて、データ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を再構築する再構築手段として、制御部２を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、テーブル再構築処理ＳＲＴ１を実行することができれば、マイクロコンピュータ等を適用するようにしても良い。
【００７２】
さらに上述の実施の形態においては、所定の要件どおりに作動すべき作動部として、携帯電話機１の筐体からメインバッテリが取り外された後、所定の規定期間（例えば、３０日間）作動しなければならないという要件が課せられたＲＴＣ回路７を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば、携帯電話機１の筐体からメインバッテリが取り外された後も、他の無線通信機器からの送信信号を待ち受けるために作動し続けなければならないという要件が課せられた無線通信部等を適用するようにしても良い。
【００７３】
さらに上述の実施の形態においては、携帯電話機１における主電源としてのメインバッテリからの放電停止後に放電を開始する予備バッテリとして、セカンダリバッテリ１０を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば、リチウム蓄電池やリチウムイオン蓄電池等を適用するようにしても良い。
【００７４】
さらに上述の実施の形態においては、セカンダリバッテリ１０が放電を開始したとき以降、当該セカンダリバッテリ１０のバッテリ残量がＲＴＣ回路７の要件を満たすために必須である必須バッテリ残量に降下するまでのバッテリ残量余裕期間には、セカンダリバッテリ１０の放電をＲＴＣ回路７及びＰＳＲＡＭ５へ導くことにより、ＲＴＣ回路７を作動させつつＰＳＲＡＭ５にデータ種別／アドレス対応テーブルＴＢＬ１を記憶保持し続けさせ、バッテリ残量余裕期間の経過後には、セカンダリバッテリ１０の放電をＲＴＣ回路７のみへ導くことにより、ＲＴＣ回路７を要件どおりに作動させる放電制御手段として、ＲＴＣ側スイッチ１１、ＰＳＲＡＭ側スイッチ１２、ＲＴＣ側スイッチ制御部１３及びＰＳＲＡＭ側スイッチ制御部１４を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、種々のスイッチ及び当該スイッチを制御するための装置等を適用するようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は、揮発性メモリに対するデータ記憶に関する電子産業上において利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本実施の形態における携帯電話機の回路構成を示す略線図である。
【図２】フラッシュメモリの様子（１）を示す略線図である。
【図３】データ更新処理手順を示すフローチャートである。
【図４】データ種別／アドレス対応テーブルの様子を示す略線図である。
【図５】フラッシュメモリの様子（２）を示す略線図である。
【図６】セカンダリバッテリによる電力供給の様子を示す略線図である。
【図７】セカンダリバッテリによる電力供給手順を示すフローチャートである。
【図８】セカンダリバッテリの放電特性を示す略線図である。
【図９】セカンダリバッテリの構成を示す略線図である。
【符号の説明】
【００７７】
１……携帯電話機、２……制御部、５……ＰＳＲＡＭ、６……フラッシュメモリ、７……ＲＴＣ回路、ＳＲＴ１……テーブル再構築処理手順。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記憶するデータ記憶装置において、
固有のアドレスを割り当てたデータ記憶ブロックが複数設定されている不揮発性メモリと、
上記データ記憶ブロックに対してデータ種別を示すための種別情報を付加した上記データを記憶させる記憶手段と、
上記データ記憶ブロックの上記アドレスと当該データ記憶ブロックに記憶されている上記データの上記データ種別とを対応付けた対応情報を記憶保持する揮発性メモリと、
上記対応情報に基づいて、所望の上記データ種別の上記データが記憶されている上記データ記憶ブロックの上記アドレスを認識することにより、当該データにアクセスするアクセス手段と、
上記揮発性メモリによって記憶保持している上記対応情報が破損又は消滅したとき、上記データ記憶ブロックの上記アドレス及び当該データ記憶ブロックに記憶されている上記データの上記種別情報に基づいて、上記対応情報を再構築する再構築手段と、
所定の要件どおりに作動すべき作動部と、
上記データ記憶装置における主電源の放電停止後に放電を開始する予備バッテリと、
上記予備バッテリが上記放電を開始したとき以降、当該予備バッテリのバッテリ残量が上記作動部の上記要件を満たすために必須である必須バッテリ残量に降下するまでのバッテリ残量余裕期間には、上記予備バッテリの上記放電を上記作動部及び上記揮発性メモリへ導くことにより、上記作動部を作動させつつ上記揮発性メモリに上記対応情報を記憶保持し続けさせ、上記バッテリ残量余裕期間の経過後には、上記予備バッテリの上記放電を上記作動部のみへ導くことにより、上記作動部を上記要件どおりに作動させる放電制御手段と
を有するデータ記憶装置。
【請求項２】
上記不揮発性メモリは、フラッシュメモリでなる、請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項３】
上記揮発性メモリは、ＰＳＲＡＭでなる、請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項４】
所定の要件どおりに作動すべき作動部を有するデータ記憶装置にデータを記憶させるデータ記憶方法において、
固有のアドレスを割り当てたデータ記憶ブロックが複数設定されている不揮発性メモリの上記データ記憶ブロックに対してデータ種別を示すための種別情報を付加した上記データを記憶させる記憶ステップと、
上記データ記憶ブロックの上記アドレスと当該データ記憶ブロックに記憶されている上記データの上記データ種別とを対応付けた対応情報を揮発性メモリに記憶保持させる記憶保持ステップと、
上記対応情報に基づいて、所望の上記データ種別の上記データが記憶されている上記データ記憶ブロックの上記アドレスを認識することにより、当該データにアクセスするアクセスステップと、
上記記憶保持ステップによって上記揮発性メモリに記憶保持させている上記対応情報が破損又は消滅したとき、上記データ記憶ブロックの上記アドレス及び当該データ記憶ブロックに記憶されている上記データの上記種別情報に基づいて上記対応情報を再構築する再構築ステップと、
上記データ記憶装置における主電源の放電停止後、当該データ記憶装置に配設されている予備バッテリに放電を開始させる放電開始ステップと、
上記予備バッテリに上記放電を開始させたとき以降、当該予備バッテリのバッテリ残量が上記作動部の上記要件を満たすために必須である必須バッテリ残量に降下するまでのバッテリ残量余裕期間には、上記予備バッテリの上記放電を上記作動部及び上記揮発性メモリへ導くことにより、上記作動部を作動させつつ上記揮発性メモリに上記対応情報を記憶保持し続けさせ、上記バッテリ残量余裕期間の経過後には、上記予備バッテリの上記放電を上記作動部のみへ導くことにより、上記作動部を上記要件どおりに作動させる放電制御ステップと
を有するデータ記憶方法。
【請求項１】
データを記憶するデータ記憶装置において、
固有のアドレスを割り当てたデータ記憶ブロックが複数設定されている不揮発性メモリと、
上記データ記憶ブロックに対してデータ種別を示すための種別情報を付加した上記データを記憶させる記憶手段と、
上記データ記憶ブロックの上記アドレスと当該データ記憶ブロックに記憶されている上記データの上記データ種別とを対応付けた対応情報を記憶保持する揮発性メモリと、
上記対応情報に基づいて、所望の上記データ種別の上記データが記憶されている上記データ記憶ブロックの上記アドレスを認識することにより、当該データにアクセスするアクセス手段と、
上記揮発性メモリによって記憶保持している上記対応情報が破損又は消滅したとき、上記データ記憶ブロックの上記アドレス及び当該データ記憶ブロックに記憶されている上記データの上記種別情報に基づいて、上記対応情報を再構築する再構築手段と、
所定の要件どおりに作動すべき作動部と、
上記データ記憶装置における主電源の放電停止後に放電を開始する予備バッテリと、
上記予備バッテリが上記放電を開始したとき以降、当該予備バッテリのバッテリ残量が上記作動部の上記要件を満たすために必須である必須バッテリ残量に降下するまでのバッテリ残量余裕期間には、上記予備バッテリの上記放電を上記作動部及び上記揮発性メモリへ導くことにより、上記作動部を作動させつつ上記揮発性メモリに上記対応情報を記憶保持し続けさせ、上記バッテリ残量余裕期間の経過後には、上記予備バッテリの上記放電を上記作動部のみへ導くことにより、上記作動部を上記要件どおりに作動させる放電制御手段と
を有するデータ記憶装置。
【請求項２】
上記不揮発性メモリは、フラッシュメモリでなる、請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項３】
上記揮発性メモリは、ＰＳＲＡＭでなる、請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項４】
所定の要件どおりに作動すべき作動部を有するデータ記憶装置にデータを記憶させるデータ記憶方法において、
固有のアドレスを割り当てたデータ記憶ブロックが複数設定されている不揮発性メモリの上記データ記憶ブロックに対してデータ種別を示すための種別情報を付加した上記データを記憶させる記憶ステップと、
上記データ記憶ブロックの上記アドレスと当該データ記憶ブロックに記憶されている上記データの上記データ種別とを対応付けた対応情報を揮発性メモリに記憶保持させる記憶保持ステップと、
上記対応情報に基づいて、所望の上記データ種別の上記データが記憶されている上記データ記憶ブロックの上記アドレスを認識することにより、当該データにアクセスするアクセスステップと、
上記記憶保持ステップによって上記揮発性メモリに記憶保持させている上記対応情報が破損又は消滅したとき、上記データ記憶ブロックの上記アドレス及び当該データ記憶ブロックに記憶されている上記データの上記種別情報に基づいて上記対応情報を再構築する再構築ステップと、
上記データ記憶装置における主電源の放電停止後、当該データ記憶装置に配設されている予備バッテリに放電を開始させる放電開始ステップと、
上記予備バッテリに上記放電を開始させたとき以降、当該予備バッテリのバッテリ残量が上記作動部の上記要件を満たすために必須である必須バッテリ残量に降下するまでのバッテリ残量余裕期間には、上記予備バッテリの上記放電を上記作動部及び上記揮発性メモリへ導くことにより、上記作動部を作動させつつ上記揮発性メモリに上記対応情報を記憶保持し続けさせ、上記バッテリ残量余裕期間の経過後には、上記予備バッテリの上記放電を上記作動部のみへ導くことにより、上記作動部を上記要件どおりに作動させる放電制御ステップと
を有するデータ記憶方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００９−５４１９４（Ｐ２００９−５４１９４Ａ）
【公開日】平成２１年３月１２日（２００９．３．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３１３５２２（Ｐ２００８−３１３５２２）
【出願日】平成２０年１２月９日（２００８．１２．９）
【分割の表示】特願２００２−３２１７１９（Ｐ２００２−３２１７１９）の分割
【原出願日】平成１４年１１月５日（２００２．１１．５）
【出願人】（５０１４３１０７３）ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 (810)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年３月１２日（２００９．３．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１２月９日（２００８．１２．９）
【分割の表示】特願２００２−３２１７１９（Ｐ２００２−３２１７１９）の分割
【原出願日】平成１４年１１月５日（２００２．１１．５）
【出願人】（５０１４３１０７３）ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 (810)
【Ｆターム（参考）】
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