バッテリパックのためのゲートドライバ
バッテリ管理のための装置、方法、およびコンピュータプログラム製品が提供される。一実装では、方法が提供される。該方法は、充電器がバッテリシステムに結合されているかどうかの判断をイネーブルすることを含む。バッテリシステムは、１つ以上のセルと、充電可能トランジスタとを含む。また、該方法は、セルの電位よりも実質的に大きい電位で充電可能トランジスタゲート端子を駆動することを含む、充電可能トランジスタを実質的に完全にイネーブルすることを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの現代のポータブルデバイス（例えば、ラップトップコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラ、メディアプレーヤ、パーソナルデジタルアシスタンツ（ＰＤＡ）、ゲーム機等）は、バッテリパックを含む。一つの特定種類の従来のバッテリパックは、１つ以上の集積回路（ＩＣ）チップに結合された１つ以上のバッテリセルを含む。チップは、典型的には、コントローラ（例えば、マイクロコントローラ）と、回路とを含み、特に、バッテリセルの管理および保護を提供する。
【０００３】
いくつかの従来のバッテリパックは、本質的に、シリンダ内に封装される揮発性化学反応であるＬｉ−ｉｏｎ（リチウムイオン）バッテリセルを含む。電位エネルギは、各セル内に格納され、バッテリセルがその仕様外の状態に暴露される場合、セルは、過熱、発火、または爆発する可能性がある。これらの揮発性セルで構成される従来のバッテリパックは、典型的には、危険な状態（例えば、過電流の充電または放電、短絡等）を検出し、バッテリセルおよび／またはデバイスへの損傷を防止し、エンドユーザを保護する是正措置を講じるためのフェイルセーフ回路を含む。
【０００４】
いくつかの従来のバッテリパックでは、２つの外部トランジスタ（例えば、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ））は、バッテリセルと直列に接続され、セルの充電および放電を可能にするようにイネーブルおよびディスエーブルされる。トランジスタは、不適切または危険動作を回避するための１つ以上の監視状態に基づいて、充電器またはデバイスのいずれかからセルを切断させる。ＦＥＴのディスエーブルは、短絡、著しい放電、または長時間の著しい高電流の検出の結果として誤ったバッテリ充電、著しく高いかまたは低いバッテリセル電圧、あるいは著しい高温等の特定のイベントによって誘発され得る。また、ＦＥＴのイネーブルは、潜在的に危険状態が存在しない、または解消されたとみなされる場合に、特定の他のイベントによって誘発される。
【０００５】
ハイサイドソリューション（ｈｉｇｈ−ｓｉｄｅ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）と称される一構成では、２つのトランジスタは、セルの正の端子と正のバッテリパック端子（例えば、デバイスとの外部の正の端子インターフェース）との間に直列に結合される。ローサイドソリューションでは、２つのトランジスタは、セルの負の端子と負のバッテリパック端子（例えば、デバイスとの外部の負の端子インターフェース）との間に直列に結合される。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実装では、バッテリ管理のための装置、方法、およびコンピュータプログラム製品が提供される。概して、一側面では、方法が提供される。本方法は、充電器がバッテリシステムに結合されているかどうかの判断をイネーブルすることを含む。バッテリシステムは、１つ以上のセルと、充電可能トランジスタとを含む。また、本方法は、セルの電位よりも実質的に大きい電位で充電可能トランジスタゲート端子を駆動することを含む、充電可能トランジスタを実質的に完全にイネーブルすることを含む。
【０００７】
本方法の側面は、以下の特性のうちの１つ以上を含むことが可能である。駆動することは、一定レベルのセル電位で提供される駆動信号をブーストすることを含むことが可能である。駆動することは、ブーストされた信号レベルに駆動信号をポンプアップし、充電可能トランジスタゲート端子を駆動することをさらに含むことが可能である。駆動信号をポンプアップすることは、セルの電位でブースト信号を駆動信号に容量結合することを含むことが可能である。
【０００８】
駆動信号をブーストすることは、セルの電位＋定数に実質的に等しいレベルに駆動信号をブーストすることを含むことが可能である。定数は、調整電圧の実質的に２倍以上であることが可能であって、調整電圧は、セルによって供給される。定数は、ブロッキングダイオードに関連付けられた、低電圧降下の調整電圧の実質的に２倍以上であることが可能である。駆動することは、ブースタ回路によって駆動信号をブーストすることを含むことが可能であって、本方法は、ブースタ回路と充電トランジスタとを集積回路内にさらに統合する。ブースタ回路と充電トランジスタとを統合することは、高電圧ＣＭＯＳプロセスを使用して統合することを含むことが可能である。統合することは、マイクロコントローラとメモリとを集積回路内に統合し、セル充電機能を補助することをさらに含むことが可能である。
【０００９】
駆動することは、ブースタ回路によって駆動信号をブーストすることを含むことが可能であって、本方法は、ブースタ回路と充電トランジスタとを集積回路内にさらに統合する。統合することは、高電圧ＣＭＯＳプロセスを使用して統合することを含むことが可能である。統合することは、ブースタ回路によって駆動信号をブーストすることを含むことが可能であって、本方法は、ブースタ回路と、マイクロコントローラと、メモリと、充電トランジスタとを集積回路内にさらに統合する。統合することは、高電圧ＣＭＯＳプロセスを使用して統合することを含むことが可能である。
【００１０】
概して、一側面では、方法が提供される。本方法は、デバイスがバッテリシステムに結合されているかどうかの判断をイネーブルすることを含み、バッテリシステムは、１つ以上のセルと、放電可能トランジスタとを含む。また、本方法は、セルの電位よりも大きい電位に放電可能トランジスタを駆動し、デバイスによる通常放電を可能にすることを含む、放電可能トランジスタを実質的に完全にイネーブルすることを含む。
【００１１】
概して、一側面では、バッテリシステムを充電および放電するための方法が提供される。本方法は、バッテリシステムの１つ以上のセルを充電するためのイネーブルトリガが存在するかどうかの判断をイネーブルすることを含む。充電するためのイネーブルトリガが存在する場合、本方法は、バッテリシステムに関連付けられた充電トランジスタを完全イネーブル状態に実質的に完全にイネーブルすることを含み、充電トランジスタをセルの電位よりも大きい電位に駆動することを含む。本方法は、バッテリシステムのセルを放電するためのイネーブルトリガが存在するかどうかの判断をイネーブルすることを含む。放電するためのイネーブルトリガが存在する場合、本方法は、放電トランジスタをセルの電位よりも大きい電位に駆動することを含む、バッテリシステムに関連付けられた放電トランジスタを完全イネーブル状態に実質的に完全にイネーブルすることを含む。
【００１２】
概して、別の側面では、装置が提供される。本装置は、バッテリパックの１つ以上のセルを充電することをイネーブルするように作動する充電トランジスタと、充電トランジスタを駆動するように作動する駆動回路とを含む。駆動回路は、駆動信号を提供する駆動信号源と、駆動信号をバッテリパックのセルの電位よりも大きいブーストされたレベルに駆動するための信号ブースタとを含む。
【００１３】
概して、一側面では、装置が提供される。本装置は、ハイサイドＮＦＥＴ充電または放電トランジスタと、ハイサイドＮＦＥＴ充電または放電トランジスタを駆動するための駆動回路とを含む。駆動回路は、駆動信号を提供する駆動信号源と、駆動信号をバッテリパックのセルの電位よりも大きいブーストされたレベルに駆動するための信号ブースタとを含む。
【００１４】
概して、一側面では、装置が提供される。本装置は、バッテリパックの充電または放電トランジスタを駆動するための駆動信号源と、駆動信号をバッテリパックに関連付けられたセルの電位よりも大きいブーストされたレベルに駆動するための信号ブースタとを含む。
【００１５】
本発明の側面は、以下の特性のうちの１つ以上を含むことが可能である。バッテリセルの状態あるいは任意の結合された付随充電器またはデバイスに関係なく、充電および放電トランジスタの完全イネーブルおよびディスエーブルを可能にする、バッテリ管理システムが提案される。必要に応じて、完全ディスエーブルまたはイネーブル機能を保証可能なように、バッテリ管理システムへの入力電圧レベルを超え、ゆえにバッテリセル電位も超える、ゲートブースト信号が提供される。一実装では、提案されたバッテリ管理システムは、より費用効率の良く、費用効率の良い高電圧ＣＭＯＳプロセスにおいて生成可能なように、ハイサイドＮＦＥＴトランジスタの完全イネーブルおよびディスエーブルを可能にする。さらに、ＮＦＥＴは、同様サイズのＰＦＥＴよりも小さいオン抵抗を有する。ゆえに、ハイサイドＮＦＥＴトランジスタを含む提案されたシステムは、より安価および／または少数トランジスタで実装可能である。
【００１６】
提案されたソリューションは、バッテリ管理システム内に一体型高電圧出力ドライバを含む。一ソリューションでは、適切なオン状態を達成するための十分な高レベルと、適切なオフ状態を達成するための十分な低レベルとに、外部ｎチャネルＦＥＴトランジスタのゲートを駆動可能なＮＦＥＴドライバが提供される。一ソリューションでは、ＮＦＥＴのオフ状態は、バッテリ管理システムの接地レベルに実質的に等しい出力電圧によって実現され、オン状態は、バッテリ管理システムへの供給電圧よりも著しく高い出力電圧によって実現される。
【００１７】
提案されたソリューションは、ゲートドライバ、マイクロコントローラ、および不揮発性メモリが、１つの集積チップ（「ＩＣ」、つまりチップ）内に統合される、ワンチップバッテリ管理ソリューションの一部として実装可能である。チップは、費用効率の良い高電圧ＣＭＯＳプロセスにおいて実装可能である。
【００１８】
提案されたハイサイドＮＦＥＴソリューションでは、充電および放電トランジスタに対するドライバの出力レベルは、バッテリ管理システムのための実質的に接地と、バッテリ管理システム供給電圧＋定数に実質的に等しい電位レベルとの間を変動可能である。ゲート駆動信号への追加ブーストによって、ＮＦＥＴのゲート−ソース間電圧が安定し、異なる供給電圧（すなわち、異なるバッテリセルおよび充電器状態）用のレベルを補正するために自動的に調整されるため、ＮＦＥＴに対しより安定かつ柔軟な駆動状態が提供される。ゲート−ソース間レベルの自動調整によって、動作帯域全体にわたってＮＦＥＴの正確かつ完全な制御が提供される。
【００１９】
また、提案されたハイサイドソリューションは、従来のローサイドソリューションよりも優れている。ＦＥＴをディスエーブルするために、接地よりも著しく低い出力電圧が必要とされるため、ローサイドＦＥＴソリューションのための従来のドライバは、ＣＭＯＳへの実装は容易ではない。ローサイドＦＥＴを有する従来のバッテリパックは、バイポーラまたはＢｉＣＭＯＳ技術を必要とする。完全一体型ＣＭＯＳソリューションと比較して、バイポーラソリューションは、マイクロコントローラユニットおよび不揮発性メモリの費用効率的統合をイネーブルにしない。ＢｉＣＭＯＳ技術の実行は、著しく費用が高くなる。
【００２０】
通信ポートを含む提案されたバッテリ管理システムは、バッテリ管理システムの通信信号レベルおよび接地に関連付けられたローサイドソリューションによってもたらされる問題点を生させることなく、ハイサイドソリューション内に容易に実装可能である。しかしながら、ローサイドソリューションが依然として望ましい場合、充電および放電トランジスタのゲート駆動信号をブーストすることに関して本明細書に記載される教示は、依然として、開示される利点を提供し得る。さらに、ＮＦＥＴソリューションが記載されているが、ブースト駆動信号は、ＰＦＥＴソリューションにおいても使用可能である。
【００２１】
本発明の１つ以上の実施形態の詳細は、付随の図面および後述の説明に記載される。本発明の他の特性、目的、および利点は、説明および図面、ならびに請求項から明白となるであろう。
【００２２】
種々の図面における同様の参照記号は、同様の要素を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
（詳細な説明）
ゲートドライバと、マイクロコントローラと、不揮発性メモリと、他の回路構成要素とが単一集積回路内に統合されたワンチップバッテリ管理システムを参照する。別様に、提案された方法およびシステムは、マルチチップソリューションにおいて実現可能である。開示される本方法およびシステムは、当業者によって理解されるように、これらおよび他のアーキテクチャにおいて実装可能である。方法、装置、およびシステムは、バッテリ管理システムモニタ回路に応じて、構成要素の完全イネーブルまたはディスエーブルを保証するように、バッテリパック内の充電および放電トランジスタをイネーブルおよびディスエーブルするために記載される。
【００２４】
（バッテリ管理システムを含むバッテリパック）
次に図１Ａを参照すると、用途５０において使用するためのバッテリパック１００が示される。バッテリパック１００は、デバイス１０２または充電器１０４のいずれかに統合可能である。充電器１０４に結合される場合、バッテリパック１００の端子（すなわち、正の端子、負の端子、および随意に通信端子）は、媒体１０６によって、充電器１０４の対応する端子（すなわち、正の端子、負の端子、および通信端子）に結合され、バッテリパック１００に関連付けられたセルの充電を可能にする。媒体１０６は、ワイヤ、リード、ピン、または他の電気接続手段の形態であることが可能である。充電することは、以下に詳述される。
【００２５】
同様に、デバイス１０２に結合される場合、バッテリパック１００の端子（すなわち、正の端子、負の端子、および通信端子）は、媒体１０８によって、デバイス１０２の対応する端子（すなわち、正の端子および負の端子）に結合され、デバイス１０２の動作を可能にする。媒体１０８は、ワイヤ、リード、ピン、または他の電気接続手段の形態であることが可能である。いくつかの実装では、バッテリパック１００もまた、それぞれの通信ポートでデバイス１０２または充電器１０４に結合される。通信ポートは、デバイス１０２／充電器１０４とバッテリパック１００との間の情報（例えば、コマンドおよび制御）の伝達を可能にする。交換可能な情報の一実施例は、バッテリ充電レベル（すなわち、容量）を含む。
【００２６】
次に図１Ｂを参照すると、バッテリパック１００のより詳細な概略図が提供される。バッテリパック１００は、１つ以上のバッテリセル１２０と、個別トランジスタ１１０、１１２と、分流器１１４と、バッテリ管理システム１３０とを含む。バッテリ管理システム１３０は、単一パッケージ内に統合可能である（例えば、単一集積回路内に統合される）、後述のような複数の構成要素を含む。別様に、バッテリ管理システム１３０構成要素は、別個に封装可能である。個別トランジスタ１１０、１１２は、バッテリ管理システム１３０から離間し、別個のパッケージ（例えば、２チップ、または３チップソリューション）内に含める、またはバッテリ管理システム１３０構成要素と共に封装可能である。
【００２７】
個別トランジスタ１１０、１１２は、外部バッテリパック端子（外部バッテリパック正の端子１５０および負の端子１４０）からバッテリセル１２０を切断するために使用される。示される実装では、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の形態であることが可能な２つの個別トランジスタが示される。他のトランジスタ技術も使用可能であるが、ＦＥＴは、プロセス、性能（例えば、オン抵抗）、費用、サイズ等の点において利点がある。示される実装では、２つのトランジスタが提供され、別個の充電１１０および放電１１２トランジスタを表す。充電トランジスタ１１０は、バッテリセル１２０の安全な充電をイネーブルするために使用される。放電トランジスタ１１２は、バッテリセル１２０の安全な放電をイネーブルするために使用される。充電および放電トランジスタ１１０、１１２は、直列に結合される。一実装では、２つのＮＦＥＴトランジスタが使用され、直列構成でドレイン間結合される。別様に、２つのＰＦＥＴトランジスタが使用され、ソース間結合されることも可能である。ＰＦＥＴソリューションでは、図示されない追加ダイオードは、バッテリ管理システム１３０に電力を提供（すなわち、Ｖｆｅｔを供給）することが必要とされ得る。
【００２８】
示される実装では、充電および放電トランジスタ１１０、１１２は、ハイサイド構成（すなわち、直列トランジスタは、ローサイド構成と反対のバッテリセルのハイサイドに結合される）で結合される。示されるハイサイド構成では、充電トランジスタ１１０の一方の端子（ＮＦＥＴ実装内のソース）は、バッテリセル１２０−１の正の端子に結合される。放電トランジスタ１１２の一方の端子（同様に、ＮＦＥＴ実装内のソース）は、外部バッテリパックの正の端子１５０に結合される。充電および放電トランジスタ１１０、１１２のそれぞれの第２の端子は、互いに結合される（ＮＦＥＴ実装内でドレイン間接点を形成する）。充電トランジスタ１１０および放電トランジスタ１１２のゲートは、それぞれ入力ＯＣおよびＯＤにおいてバッテリ管理システム１３０に結合される。同様に、トランジスタ１１０、１１２間の接点は、バッテリ管理システム入力（または、本明細書ではＶｆｅｔとして称される場合があり、図１ｂにおいてそのように標識化される）においてバッテリ管理システム１３０に結合される。バッテリ管理システム入力は、バッテリ管理システム１３０に動作電力を提供する。
【００２９】
示される実装では、２つのトランジスタは、両方向における電流の流動を阻止可能であることが必要とされる。より具体的には、ＦＥＴは、寄生ダイオード（それぞれ１１０−１および１１２−１として標識化）を含み、ゆえに、両方向における電流の流動をディスエーブルすることが不可能な単一ＦＥＴを有する。２つのＦＥＴが直列に使用される場合（ソース間、またはドレイン間のいずれか）、バッテリセル内外への電流の流動は、ディスエーブル可能である。同様に、２つのトランジスタが使用される場合、選択的制御を行い、所定の時間で（すなわち、充電は可能であるが、バッテリセル内で十分な充電が行われるまで、放電は不可能である）、単一方向のみの電流の流動を可能にすることができる。
【００３０】
バッテリセル１２０は、再充電可能バッテリであり、リチウムイオン（Ｌｉ−ｉｏｎ）またはリチウムポリマ（Ｌｉ−ｐｏｌｙｍｅｒ）の形態であることが可能である。他のバッテリ技術の種類も可能である。複数のセルが提供される場合、バッテリセル１２０は、直列に結合される。示される２つのセル実装では、バッテリセル１２０−１の最上の正の端子は、バッテリ管理システム１３０（例えば、バッテリ電圧レベルの検出を可能にするため）と、個別トランジスタ（すなわち、充電トランジスタ１１０）のうちの１つとに結合される。最上バッテリセル１２０−１の負の端子と、最下バッテリセル１２０−２の正の端子とは、入力１７０においてバッテリ管理システム１２０に共に結合される。直列の最下バッテリセル１２０−２の負の端子は、バッテリ管理システム１３０（例えば、バッテリ電圧レベルの検出を可能にするため）と、分流器１１４の１つの端子とに結合される。２つのバッテリセル実装が示されるが、単一バッテリセルおよび他の多重セル構成を含む、他の数のバッテリセルをバッテリパック１００内に含めることが可能である。分流器の第２の端子は、局所接地（バッテリパック局所接地）と、バッテリ管理システム１３０（分流器１１４を流れる電流量の測定を可能にするため）と、バッテリパック１００の外部バッテリパックの負の端子１４０とに結合される。
【００３１】
バッテリ管理システム１３０は、誤った動作の場合にバッテリパックを保護するための監視機器と、バッテリ残量を推定するためのモニタリング機器と、システム制御や、バッテリパックおよびメモリ（例えば、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＲＡＭ等）に結合されたデバイスおよび／または充電器との通信のためのコントローラ（例えば、マイクロコントローラ）とを含む。上述のように、特定のバッテリ技術は、不適切に使用される場合、危険状態を生成し得る。例えば、Ｌｉ−ｉｏｎおよびＬｉ−ｐｏｌｙｍｅｒバッテリは、著しく急速に過充電または放電される場合、過熱、爆発、または自然発火する可能性がある。さらに、Ｌｉ−ｉｏｎおよびＬｉ−ｐｏｌｙｍｅｒバッテリは、著しく放電される場合、その充電容量を大幅に失う可能性がある。バッテリ管理システム１３０は、正常動作を保証するための監視機器を含み、そのうちの少なくとも１つは、不適切な充電が生じないように、充電トランジスタ（例えば、充電トランジスタ１１０）を完全イネーブルおよびディスエーブルする。さらに、充電トランジスタの完全イネーブルは、バッテリセルの急速充電をイネーブルするために提供される。同様に、バッテリ管理システム１３０は、デバイスに結合される場合に、適切な放電特徴を保証するように、放電トランジスタ（例えば、放電トランジスタ１１２）の完全イネーブルおよびディスエーブルを提供するための監視機器を含む。充電および放電トランジスタのイネーブルおよびディスエーブルすることは、以下に詳述される。
【００３２】
バッテリ管理システム１３０の一部であるモニタリング機器は、バッテリ残量を推定するために使用可能である。バッテリ容量情報は、バッテリ管理システム１３０と、通信ポート端子１６０を通して接続されたデバイス／充電器との間で通信可能である。以下に詳述されるように、マイクロコントローラ（および関連付けられたメモリ）は、バッテリ管理システム１３０内に含めることが可能であり、システム制御および接続されたデバイスとの通信を提供可能である。
【００３３】
（バッテリ管理システム）
図２は、バッテリパック１００内で使用される例示的バッテリ管理システム１３０のブロック図を示す。バッテリ管理システム１３０は、概して、プロセッサ２０２（例えば、ＲＩＳＣアーキテクチャに基づく低電力ＣＭＯＳ８ビットマイクロコントローラ）と、バッテリ保護回路２０４と、電流量コントローラ２０６と、電圧調整器２０８と、電力監視装置２１０と、電荷検出器２１２と、クロック発振器２１４と、ポート２１６と、メモリ２１８と、電圧基準２２０と、ウオッチドッグタイマ２２２とを含む。プロセッサ２０２、ポート２１６、バッテリ保護回路２０４、および電圧基準２２０は、データバス２２４にそれぞれ結合される。
【００３４】
バッテリ管理システム１３０の実践的実装は、明確にする目的のために図２から排除されている他の構成要素およびサブシステムを含むことが可能である。例えば、バッテリ管理システム１３０は、バッテリをモニタリングするための回路（例えば、アナログ・デジタル変換器）と、セル電圧を平衡化するためのセル平衡回路（例えば、セル平衡ＦＥＴ）と、外部デバイスと通信するための通信デバイスと、雑音抑制回路と、ウェイクアップタイマと、他のモニタまたは制御回路とを含むことが可能である。
【００３５】
メモリ２１８は、セル平衡、バッテリ保護、および充電レベルを判断するための電流測定等の種々のタスクを行うために、プロセッサ２０２によって実行可能な命令によってプログラム可能である。
【００３６】
いくつかの実装では、電流量コントローラ２０６は、バッテリセルとデバイスまたは充電器との間の電流量を制御するために、電流量コントローラ２０６によって構成可能な外部デバイスに結合されたいくつかの出力（例えば、ＯＣ、ＯＤ）を有する。電流量コントローラ２０６は、出力（例えば、ＯＣおよびＯＤ）において電圧を生成するための種々の回路および論理（例えば、演算増幅器、制御および状態レジスタ、トランジスタ、蓄電器、ダイオード、変換器、ゲート等）を含む。いくつかの実装では、ＯＣ出力は、充電ＦＥＴを完全または部分的にイネーブルまたはディスエーブルし、充電イベントの間の電流量を制御するために、充電ＦＥＴ（例えば、充電トランジスタ１１０）のゲートに結合された高電圧出力である。ＯＤ出力は、放電ＦＥＴを完全または部分的にイネーブルまたはディスエーブルし、放電イベントの間の電流量を制御するために、放電ＦＥＴ（例えば、放電トランジスタ１１２）のゲートに結合された高電圧出力である。図１Ｂは、電流量コントローラ２０６からの制御電圧に応じて電流量を制御するための、ハイサイド実装におけるＦＥＴデバイスの例示的構成を示す。
【００３７】
電流量コントローラ２０６は、インターフェース２４０を通してバッテリ保護回路２０４に結合される。バッテリ保護回路２０４は、故障状態を検出し、バッテリパック１００を損傷から保護するための作用（例えば、充電および放電ＦＥＴをディスエーブルする、または部分的にディスエーブルする）を始動するために、バッテリセル電圧および充電／放電電流をモニタリングするための回路（例えば、差動増幅器）を含む。故障状態の実施例は、放電の際の著しい低電圧、放電の際の短絡、充電および放電の際の過電流を含むが、それらに限定されない。いくつかの実装では、電流センス抵抗器（Ｒｓｅｎｓｅ、すなわち、分流器１１４）は、バッテリ保護回路２０４のＰＰＩおよびＮＮＩ入力全体に結合可能であり、ＰＰＩは、電流センス抵抗器からの非濾過正の入力であり、ＮＮＩは、電流センス抵抗器からの非濾過負の入力である。電流センス抵抗器は、図１Ｂに関して記載されたように、バッテリセルとバッテリ管理システム１３０とに結合可能である。
【００３８】
（ゲートドライバ）
次に図３を参照すると、バッテリパック１００の高電圧フロントエンドにおける充電トランジスタ（ＯＣ ＦＥＴ）に関連付けられた駆動回路３００が示される。駆動回路３００は、図２の電流量コントローラ２０６の一部を形成し、ゲートドライバ３０２を含む。ゲートドライバ３０２は、充電トランジスタ（すなわち、充電トランジスタ１１０）の入力ゲートに駆動信号を提供するように作動する。ゲートドライバ３０２の別のインスタンスは、放電トランジスタ（すなわち、トランジスタ１１２）の入力ゲートに駆動信号を提供するように作動する。一実装では、ゲートドライバ３０２によって提供される駆動信号は、ディスエーブルされるものとして特徴付けられ、バッテリ管理システム１３０の実質的に接地レベルであるレベルにおける低状態を表す。一実装では、ゲートドライバ３０２によって提供される駆動信号は、イネーブルされるものとして特徴付けられ、実質的にバッテリ管理システム動作供給量＋定数（「ブースト」）であるレベルにおける高状態を表す。一実装では、定数は、充電トランジスタの完全イネーブルを保証するようにサイズ化される電位である。追加ブーストを提供することによって、ゲートドライバ３０２は、充電トランジスタを完全にイネーブルし、バッテリセルの急速充電を可能にすることが保証される。
【００３９】
ゲートドライバ３０２は、それぞれ高低イネーブル信号３０４、３０６と、クロック信号３０８とを含む入力を含む。ゲートドライバ３０２のインスタンスは、充電ＦＥＴ（ＯＣ ＦＥＴ、すなわち、充電トランジスタ１１０）および放電トランジスタ（すなわち、トランジスタ１１２）を駆動する出力信号３１０を提供する。ゲートドライバ３０２は、電荷ポンプ３０３と、ディスエーブルスイッチ３５０とを含む。電荷ポンプ３０３は、駆動信号（イネーブル信号）を充電トランジスタ１１０に提供するように作動する。電荷ポンプ３０３は、クロック信号３０８と、高イネーブル信号３０４とによって制御される。電荷ポンプ３０３の制御は、以下に詳述される。ディスエーブルスイッチ３５０は、第２の種類の駆動信号（ディスエーブル信号）を充電トランジスタ１１０に提供するように作動する。ディスエーブルスイッチ３５０は、低イネーブル信号３０６によって制御され、以下に詳述される。
【００４０】
（電荷ポンプ）
一実装では、電荷ポンプ３０３は、駆動信号源３２０と、ブースト論理３３０と、信号ブースタ３４０−１および３４０−２と、複数のブロッキングダイオード３４２、３４４、３４６とを含む。
【００４１】
駆動信号源３２０は、電荷ポンプ３０３の動作によってポンプアップされる初期レベル駆動信号を提供する。示される実装では、駆動信号源３２０は、相補的トランジスタ３２４、３２６を含むレベルシフタの形態である。示されるように、相補的トランジスタ３２４および３２６は、相補的に、つまり、所定の時間に１つのみイネーブルされるゲートを有する。相補的トランジスタ３２４、３２６へのゲート入力は、変換器３２２によって提供される。変換器３２２への入力は、高イネーブル信号３０４によって提供される。ゆえに、高イネーブル信号３０４が高速駆動されるため、変換器３２２への入力が高速駆動される。その後、変換器３２２への出力が低速駆動され、相補的トランジスタ３２４、３２６のゲート入力にもたらされる。低入力イネーブルを伴うハイサイドトランジスタ３２４は、変換器３２２によってもたらされる低信号によってイネーブルされ、駆動信号源３２０の出力にもたらされるバッテリ管理システム供給電位（すなわち、Ｖｆｅｔ）を生じる。別様に、高イネーブル信号３０４が低速駆動される場合（すなわち、変換器３２２への入力が低い）、変換器３２２の出力は高速駆動され、相補的トランジスタ３２４、３２６のゲート入力にもたらされる。この状態では、高入力イネーブルを伴うローサイドトランジスタ３２６は、変換器３２２によってもたらされる高信号によってイネーブルされ、駆動信号源３２０の出力にもたらされるバッテリ管理システム接地電位（すなわち、ＧＮＤ）を生じる。このように、駆動信号源３２０は、以下に詳述されるように、高イネーブル信号３０４に応じて、電荷ポンプ回路の残りに実質的に接地または実質的に動作電位信号のいずれかを提供するように構成される。
【００４２】
駆動信号源３２０の出力は、ブロッキングダイオード３４２の入力に提供される。ブロッキングダイオード３４２は、駆動信号源３２０の出力信号を電荷ポンプ３０３の出力へ伝播させる一方、任意の帰還信号を阻止する。ブロッキングダイオード３４２の出力は、以下に詳述されるように、第２のブロッキングダイオード３４４の入力に結合される。
【００４３】
ブースト論理３３０は、駆動信号源３２０によって提供される駆動信号に対するブースト信号の追加を選択的に制御するために提供される。示される実装では、ブースト論理３３０は、ＡＮＤゲート３３２と、変換器３３４、３３６とを含む。ＡＮＤゲート３３２への１つの入力は、高イネーブル信号３０４である。ＡＮＤゲート３３２への第２の入力は、クロック信号３０８である。一実装では、クロック信号３０８は、電荷ポンプに正確な電位レベル（例えば、３．６ＭＨｚ）を迅速に達成させる高速クロック信号である。別様に、電力消費の少ない低速クロック信号も使用可能である（例えば、１３１ｋＨｚ）。一実装では、電荷ポンプ３０３は、バッテリ管理システム１３０の動作モードに応じて、クロック信号入力３０８において高速または低速クロック信号のうちの１つを与えられる。例えば、バッテリ管理システム１３０が低電力またはスリープモードにある場合、低速クロック信号を電荷ポンプ３０３に提供可能である。別様に、バッテリ管理システム１３０が低電力モードにない場合、高速クロック信号をクロック信号入力３０８に提供可能である。別の実装では、低電力モードにある場合でも、所定の期間（すなわち、初めは）、高速クロック信号を電荷ポンプ３０３に提供可能である。そうすることによって、ＦＥＴドライバ（すなわち、ゲートドライバ３０２）が、低電力モードにある場合でも、正確な充電レベルに迅速に達することが保証される。
【００４４】
ＡＮＤゲート３３２の出力は、変換器３３４の入力に提供される。変換器３３４の出力は、変換器３３６の入力と、信号ブースタ３４０−１の入力とに提供される。変換器３３６の出力は、信号ブースタ３４０−２の入力に提供される。一実装では、ブースト論理ゲートのそれぞれは、バッテリ管理システム１３０によって提供される調整電圧によって励起される。調整電圧（ＶＲＥＧ）は、バッテリ管理システム１３０の電圧調整器２０８（ステップアップまたは線形調整器のいずれか、あるいは両方）によって提供される。
【００４５】
信号ブースタ３４０は、容量性素子の形態であることが可能である。一実装では、各信号ブースタ３４０は、実質的に１０ピコファラッドにサイズ化された蓄電器である。信号ブースタ３４０−１の出力は、第２のブロッキングダイオード３４４の入力に結合される。第２のブロッキングダイオード３４４の出力は、第３のブロッキングダイオード３４６の入力に結合される。第１のブロッキングダイオード３４２は、第１の信号ブースタ３４０−１の出力が駆動信号源３２０に帰還されるのを防止する。信号ブースタ３４０−２の出力は、第３のブロッキングダイオード３４６の入力に結合される。第２のブロッキングダイオード３４４は、信号ブースタ３４０−２の出力が駆動信号源３２０（または、さらに信号ブースタ３４０−１）に帰還されるのを防止する。第３のブロッキングダイオード３４６は、信号ブースタ３４０−２が高速駆動される場合、出力信号のブーストを可能にし、信号ブースタ３４０−２が低速駆動される場合、その結果生じる容量性負荷上の高信号レベルが信号ブースタ３４０−２に帰還されるのを防止する。第３のブロッキングダイオード３４６の出力は、ゲートドライバ３０２の出力に結合され、出力信号３１０を生成する。典型的には、出力信号３１０は、大容量性負荷に結合される。電荷ポンプ３０３およびその種々の構成要素の動作は、以下に詳述される。
【００４６】
一実装では、電荷ポンプ３０３は、クランプ３６０を含む。クランプ３６０は、バッテリ管理システム１３０の内部回路を保護し、高充電器電圧の存在下、充電することをディスエーブル可能なことを保証するためのクランプを提供可能である。示される実装では、クランプ３６０は、電荷ポンプ３０３の出力と、電荷ポンプによって提供されるイネーブルされた駆動信号が、充電トランジスタの入力ゲートをイネーブルするために十分であることを保証するための適切なサイズおよび定格のバッテリ管理システム接地（ＧＮＤ）との間に結合された、ツェナーダイオードの形態である。
【００４７】
（ディスエーブルスイッチ）
また、ディスエーブルスイッチ３５０は、ディスエーブルされた出力信号３１０を生成するためのゲートドライバの出力に結合される。ディスエーブルスイッチ３５０は、低イネーブル信号３０６によってイネーブルされる。示される実装では、ディスエーブルスイッチは、電荷ポンプ３０３の出力と、バッテリ管理システム接地（ＧＮＤ）との間に結合されるトランジスタの形態である。低イネーブル信号３０６は、ディスエーブルスイッチ３５０のイネーブルおよびディスエーブルを制御するためのトランジスタのゲートへの入力として提供される。イネーブルされる場合（すなわち、低イネーブル信号３０６が設定される）、ディスエーブルスイッチ３５０は、直接信号経路をチップ接地に提供し、ゆえに、接地信号を充電トランジスタのゲートに提供する（例えば、ＮＦＥＴ充電トランジスタのゲートを完全にディスエーブルする）。高イネーブル信号３０４および低イネーブル信号３０６は相補的であり、ゆえに、任意の所定時間で１つのみイネーブルされる。いずれがイネーブルされるかに応じて、ディスエーブルスイッチ３５０または電荷ポンプ３０３のうちの１つが出力信号３１０を提供し、それによって、充電トランジスタのイネーブルおよびディスエーブルを制御する。
【００４８】
（動作）
ゲートドライバ３０２は、少なくとも２つのモード（高（イネーブル）または低（ディスエーブル））のうちの１つで動作する。高（イネーブル）モードでは、電荷ポンプ３０３は、実質的にバッテリ管理システム供給量＋定数に等しいレベルの出力信号３１０を提供する。一実装では、定数は、ダイオード電圧降下分未満の調整電圧入力の２倍に等しい（Ｖｏｃ＝ＶＦＥＴ＋２ＶＲＥＧ−ダイオード）。
【００４９】
図３に示される実装では、定数は、以下のように生成される。ゲートドライバ３０２がイネーブルされると、高イネーブル信号３０４は、上述のように設定される。ＡＮＤゲート３３２への入力に提供されるクロック信号３０８は、クロック周波数の高低間を切り替える。初めは、ゲートドライバがイネーブルされ、クロック信号が存在しない場合、以下の観察が行われ得る。図３上の地点Ａは、実質的にＶｆｅｔ−ダイオード電圧降下分の電位にあり、地点Ｂは、実質的にＶｆｅｔ−２ダイオード電圧降下分の電位にあり、地点Ｃは、Ｖｆｅｔ−３ダイオード電圧降下分の電位にある。クロック信号３０８が高に移行すると（高イネーブル信号３０４が設定されていると仮定）、ＡＮＤゲート３３２の出力は高い。ＡＮＤゲート３３２の高出力は、出力が低くなる変換器３３４に提供される。変換器３３４の低出力は、出力が高い変換器３３６に結合される。変換器３３６の高出力は、信号ブースタ３４０−２の入力に電位（ＶＲＥＧ）を提供する（例えば、容量性素子３４０−２の下側プレートは、ＶＲＥＧを参照）。変換器３３６によって提供される入力電位に応じて、信号ブースタ３４０−２の出力（例えば、容量性素子３４０−２の反対プレート）は、ＶＲＥＧ電位によって上昇する。示される実装では、容量性素子は、変換器３３６によって提供される電位に等しい量だけ充電され、ノードＢ（電荷ポンプ３０３の出力上）においてポンプアップ信号を生成する。より具体的には、クロック信号が高くなると、以下の観察が行われ得る。最初は、図３上の地点Ａは降下するが（変換器３３４の出力によって生成される低信号レベルのため）、次いで、駆動信号源３２０の出力からＶｆｅｔ−ダイオード電圧降下分のレベルに戻り、地点Ｂは、実質的にＶｆｅｔ＋ＶＲＥＧの電位にあり、地点Ｃは、Ｖｆｅｔ＋ＶＲＥＧ−ダイオード電圧降下分の電位にある。クロック信号が状態変化し、再び降下すると、それによって、変換器３３６をディスエーブルし、同様のブーストが生じる。
【００５０】
より具体的には、クロック信号３０８が低い場合（再び、高イネーブル信号３０４が設定されていると仮定）、ＡＮＤゲート３３２の出力は低い。ＡＮＤゲート３３２の低出力は、出力が高くなる変換器３３４に提供される。変換器３３４の高出力は、信号ブースタ３４０−１の入力に電位（ＶＲＥＧ）を提供する（例えば、容量性素子３４０の下側プレートは、ＶＲＥＧを参照）。変換器３３４によって提供される入力電位に応じて、信号ブースタ３４０−１の出力（例えば、容量性素子３４０−１の反対プレート）は、ＶＲＥＧ電位によって上昇する。示される実装では、変換器３３４によって提供される電位に等しい量だけ充電され、ノードＡ（電荷ポンプ３０３の出力上）においてポンプアップ信号を生成する。より具体的には、クロック信号が降下すると、以下の観察が行われ得る。図３上の地点Ａは、Ｖｆｅｔ−ダイオード電圧降下分＋ＶＲＥＧ（変換器３３４の出力によって生成される高信号レベルのため）まで上昇し、地点Ｂは、実質的にＶｆｅｔ＋ＶＲＥＧの２倍−ダイオードの電位にあり、地点Ｃは、Ｖｆｅｔ＋ＶＲＥＧの２倍−２ダイオード電圧降下分の電位にある。
【００５１】
ゆえに、高から低のクロック信号の振幅を提供することによって、信号ブースタ３４０−１および３４０−２は、電荷ポンプ３０３によって提供される出力信号３１０をポンプアップするように、交互にイネーブルされる（例えば、充電される）。ノードＡでは、イネーブルされる場合（すなわち、高イネーブル信号３０４が設定されている場合）の信号レベルは、１ダイオード（例えば、ブロッキングダイオード３４２）未満のバッテリ管理システム供給量（すなわち、Ｖｆｅｔ）＋ＶＲＥＧ（信号ブースタ３４０−１からのブースト）に実質的に等しい。ノードＢでは、イネーブルされる場合の信号レベルは、２ダイオード（ブロッキングダイオード３４２および３４４）未満のバッテリ管理システム供給量（すなわち、ＶＦＥＴ）＋ＶＲＥＧの２倍（信号ブースタ３４０−１からの１ブーストおよび信号ブースタ３４０−２からの１ブースト）に実質的に等しい。電荷ポンプ３０３への出力（ノードＣ）では、イネーブルされる場合の信号レベルは、３ダイオード（ブロッキングダイオード３４２、３４４、３４６）未満のバッテリ管理システム供給量（すなわち、ＶＦＥＴ）＋ＶＲＥＧの２倍に実質的に等しい。上述のように、いくつかの実装では、ノードＣにおいて提供される出力信号３１０は、例えば、クランプ３６０によって固定可能である。
【００５２】
図３は、ゲートドライバ３０２のための一実装を示すが、他の構成も可能である。例えば、３つ以上の信号ブースタ３４０をゲートドライバ３０２内に含めることが可能である。一実装では、複数の信号ブースタ（３４０−１…３４０−ｎ）と、関連付けられたブロッキングダイオードと、変換器論理とを使用して、所定のレベル（例えば、出力信号の生成は、実質的にＶｆｅｔ＋ｎ＊ＶＲＥＧ−ｎダイオード電圧降下分に等しい）にあるブーストされたイネーブル信号を生成する。
【００５３】
いくつかの実装では、他の回路をゲートドライバ３０２と関連付けることが可能である。例えば、制御回路は、バッテリの著しい低電圧状態からの回復を管理するために必要とされ得る場合等、充電トランジスタのゲートを部分的にイネーブルするために提供されることが可能である。明確にする目的のため、これらの他の回路要素は、示される駆動回路３００から省かれている。さらに、高低イネーブル信号３０４および３０６をイネーブルおよびディスエーブルすることを示す詳細は省略されている。バッテリ管理システム１３０の一部を形成する監視回路は、高低イネーブル信号３０４、３０６の一方または両方を提供可能である。例えば、バッテリ管理システム１３０は、適切または異常充電器の接続を検出するために使用される別個の入力を含むことが可能である。異常（すなわち、有害な）充電器が検出される場合、低イネーブル信号３０６を設定可能である。高低イネーブル信号３０４、３０６の設定は、マイクロコントローラ（すなわち、プロセッサ２０２）、バッテリ保護モジュール２０４、またはバッテリ管理システム１３０内の他の要素の監視によって、またはその監視下、行うことが可能である。
【００５４】
図３は、バッテリパックに関連付けられた充電トランジスタのためのゲートドライバの構成を示す。同様のゲートドライバを放電トランジスタ用に含めることが可能である。つまり、一実装では、それぞれの充電および放電トランジスタの個々および完全制御を可能にするために、別個のゲートドライバがバッテリパックの放電トランジスタ用に提供される。当業者は、充電トランジスタに関連付けられたゲートドライバ（例えば、ゲートドライバ３０２）に関して上述されたすべての変形例は、放電トランジスタを完全にイネーブルするためにイネーブル信号をブーストすることを含む、放電トランジスタ用に提供されるゲートドライバに適用可能であることを理解されるであろう。
【００５５】
イネーブル信号をブーストすること（すなわち、充電または放電トランジスタのいずれか一方を完全にイネーブルするために、適用される信号レベルをブーストする）を参照してきたが、上述の教示は、必要に応じて、ディスエーブル信号の信号レベルをブーストすることに適用可能である（例えば、ＰＦＥＴを使用する場合や、ＰＦＥＴをディスエーブルするためのブーストを伴うゲートドライバを使用する場合）。
【００５６】
（ゲートドライバ方法）
次に図４を参照すると、充電または放電トランジスタのいずれか一方のゲートを駆動するための方法４００のフロー図が提供される。駆動方法４００は、３つの個別部分（ブースト段階４０２、イネーブル段階４０４、ディスエーブル段階４０６）を含む。
【００５７】
ブースト段階４０２は、イネーブル段階の前またはそれと同時に生じることが可能である。つまり、駆動信号のブーストは、充電／放電トランジスタのイネーブルに先立って、またはそれと同時に生じることが可能である。ブースト段階は、変動し得る駆動信号（４１０）を提供すること（例えば、駆動信号は、バッテリセルの電位に伴って、または充電器の存在下変動可能なバッテリ管理システム供給量Ｖｆｅｔである）と、駆動信号（４１２）をブーストすることとを含む。
【００５８】
イネーブル段階４０４は、イネーブルトリガ（４２０）を検出することを含む。イネーブルトリガは、適切な充電器の検出を含むことが可能である。加えて、イネーブルトリガは、セルが安全に充電可能であることを示す、適切な状態信号の検出を含むことが可能である。イネーブルトリガ検出後、充電可能信号が提供され（４２２）、ブーストされた駆動イネーブル信号が充電トランジスタに提供され（４２４）、急速かつ完全充電をイネーブルすることが可能である。
【００５９】
ディスエーブル段階４０６は、ディスエーブルトリガ（４３０）の検出を含む。ディスエーブルトリガは、セルが安全に充電可能ではないことを示す、適切な状態信号の検出を含むことが可能である。別様に、任意の危険な状態を示す、ディスエーブルトリガは、適切な状態信号の検出を含むことが可能である。一実装では、充電および放電トランジスタの両方が、短絡等の潜在的に危険状態の検出に基づいてディスエーブルされる。別様に、ディスエーブルトリガは、イネーブルトリガが不在の場合に維持されるデフォルト設定であることが可能である。ディスエーブルトリガ検出後、充電ディスエーブル信号が提供され（４３２）、ディスエーブル信号が充電トランジスタに提供され（４３４）、充電を完全にディスエーブルすることが可能である。放電トランジスタをイネーブルおよびディスエーブルするために帰結法が使用可能である（すなわち、適切な駆動イネーブルを提供するためのブーストという点で類似するが、放電トランジスタが明確に異なるトリガによってイネーブルおよびディスエーブルされるという点で帰結される）。上述のように、ディスエーブル信号のブーストは、充電または放電トランジスタの完全ディスエーブルを保証するために必要とされる場合に可能である。
【００６０】
本発明の多くの実施形態が記載された。それでもなお、種々の修正が、本主題の精神および範囲から逸脱することなくなされ得ることを理解されるであろう。ゆえに、他の実施形態も、添付の特許請求の範囲の範囲内である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１Ａ】図１Ａは、バッテリパックを含む用途の概略図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、バッテリパックの概略図である。
【図２】図２は、バッテリ管理システムのブロック図である。
【図３】図３は、充電トランジスタを駆動するための駆動回路のブロック図である。
【図４】図４は、ブースト駆動法のためのフロー図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの現代のポータブルデバイス（例えば、ラップトップコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラ、メディアプレーヤ、パーソナルデジタルアシスタンツ（ＰＤＡ）、ゲーム機等）は、バッテリパックを含む。一つの特定種類の従来のバッテリパックは、１つ以上の集積回路（ＩＣ）チップに結合された１つ以上のバッテリセルを含む。チップは、典型的には、コントローラ（例えば、マイクロコントローラ）と、回路とを含み、特に、バッテリセルの管理および保護を提供する。
【０００３】
いくつかの従来のバッテリパックは、本質的に、シリンダ内に封装される揮発性化学反応であるＬｉ−ｉｏｎ（リチウムイオン）バッテリセルを含む。電位エネルギは、各セル内に格納され、バッテリセルがその仕様外の状態に暴露される場合、セルは、過熱、発火、または爆発する可能性がある。これらの揮発性セルで構成される従来のバッテリパックは、典型的には、危険な状態（例えば、過電流の充電または放電、短絡等）を検出し、バッテリセルおよび／またはデバイスへの損傷を防止し、エンドユーザを保護する是正措置を講じるためのフェイルセーフ回路を含む。
【０００４】
いくつかの従来のバッテリパックでは、２つの外部トランジスタ（例えば、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ））は、バッテリセルと直列に接続され、セルの充電および放電を可能にするようにイネーブルおよびディスエーブルされる。トランジスタは、不適切または危険動作を回避するための１つ以上の監視状態に基づいて、充電器またはデバイスのいずれかからセルを切断させる。ＦＥＴのディスエーブルは、短絡、著しい放電、または長時間の著しい高電流の検出の結果として誤ったバッテリ充電、著しく高いかまたは低いバッテリセル電圧、あるいは著しい高温等の特定のイベントによって誘発され得る。また、ＦＥＴのイネーブルは、潜在的に危険状態が存在しない、または解消されたとみなされる場合に、特定の他のイベントによって誘発される。
【０００５】
ハイサイドソリューション（ｈｉｇｈ−ｓｉｄｅ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）と称される一構成では、２つのトランジスタは、セルの正の端子と正のバッテリパック端子（例えば、デバイスとの外部の正の端子インターフェース）との間に直列に結合される。ローサイドソリューションでは、２つのトランジスタは、セルの負の端子と負のバッテリパック端子（例えば、デバイスとの外部の負の端子インターフェース）との間に直列に結合される。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実装では、バッテリ管理のための装置、方法、およびコンピュータプログラム製品が提供される。概して、一側面では、方法が提供される。本方法は、充電器がバッテリシステムに結合されているかどうかの判断をイネーブルすることを含む。バッテリシステムは、１つ以上のセルと、充電可能トランジスタとを含む。また、本方法は、セルの電位よりも実質的に大きい電位で充電可能トランジスタゲート端子を駆動することを含む、充電可能トランジスタを実質的に完全にイネーブルすることを含む。
【０００７】
本方法の側面は、以下の特性のうちの１つ以上を含むことが可能である。駆動することは、一定レベルのセル電位で提供される駆動信号をブーストすることを含むことが可能である。駆動することは、ブーストされた信号レベルに駆動信号をポンプアップし、充電可能トランジスタゲート端子を駆動することをさらに含むことが可能である。駆動信号をポンプアップすることは、セルの電位でブースト信号を駆動信号に容量結合することを含むことが可能である。
【０００８】
駆動信号をブーストすることは、セルの電位＋定数に実質的に等しいレベルに駆動信号をブーストすることを含むことが可能である。定数は、調整電圧の実質的に２倍以上であることが可能であって、調整電圧は、セルによって供給される。定数は、ブロッキングダイオードに関連付けられた、低電圧降下の調整電圧の実質的に２倍以上であることが可能である。駆動することは、ブースタ回路によって駆動信号をブーストすることを含むことが可能であって、本方法は、ブースタ回路と充電トランジスタとを集積回路内にさらに統合する。ブースタ回路と充電トランジスタとを統合することは、高電圧ＣＭＯＳプロセスを使用して統合することを含むことが可能である。統合することは、マイクロコントローラとメモリとを集積回路内に統合し、セル充電機能を補助することをさらに含むことが可能である。
【０００９】
駆動することは、ブースタ回路によって駆動信号をブーストすることを含むことが可能であって、本方法は、ブースタ回路と充電トランジスタとを集積回路内にさらに統合する。統合することは、高電圧ＣＭＯＳプロセスを使用して統合することを含むことが可能である。統合することは、ブースタ回路によって駆動信号をブーストすることを含むことが可能であって、本方法は、ブースタ回路と、マイクロコントローラと、メモリと、充電トランジスタとを集積回路内にさらに統合する。統合することは、高電圧ＣＭＯＳプロセスを使用して統合することを含むことが可能である。
【００１０】
概して、一側面では、方法が提供される。本方法は、デバイスがバッテリシステムに結合されているかどうかの判断をイネーブルすることを含み、バッテリシステムは、１つ以上のセルと、放電可能トランジスタとを含む。また、本方法は、セルの電位よりも大きい電位に放電可能トランジスタを駆動し、デバイスによる通常放電を可能にすることを含む、放電可能トランジスタを実質的に完全にイネーブルすることを含む。
【００１１】
概して、一側面では、バッテリシステムを充電および放電するための方法が提供される。本方法は、バッテリシステムの１つ以上のセルを充電するためのイネーブルトリガが存在するかどうかの判断をイネーブルすることを含む。充電するためのイネーブルトリガが存在する場合、本方法は、バッテリシステムに関連付けられた充電トランジスタを完全イネーブル状態に実質的に完全にイネーブルすることを含み、充電トランジスタをセルの電位よりも大きい電位に駆動することを含む。本方法は、バッテリシステムのセルを放電するためのイネーブルトリガが存在するかどうかの判断をイネーブルすることを含む。放電するためのイネーブルトリガが存在する場合、本方法は、放電トランジスタをセルの電位よりも大きい電位に駆動することを含む、バッテリシステムに関連付けられた放電トランジスタを完全イネーブル状態に実質的に完全にイネーブルすることを含む。
【００１２】
概して、別の側面では、装置が提供される。本装置は、バッテリパックの１つ以上のセルを充電することをイネーブルするように作動する充電トランジスタと、充電トランジスタを駆動するように作動する駆動回路とを含む。駆動回路は、駆動信号を提供する駆動信号源と、駆動信号をバッテリパックのセルの電位よりも大きいブーストされたレベルに駆動するための信号ブースタとを含む。
【００１３】
概して、一側面では、装置が提供される。本装置は、ハイサイドＮＦＥＴ充電または放電トランジスタと、ハイサイドＮＦＥＴ充電または放電トランジスタを駆動するための駆動回路とを含む。駆動回路は、駆動信号を提供する駆動信号源と、駆動信号をバッテリパックのセルの電位よりも大きいブーストされたレベルに駆動するための信号ブースタとを含む。
【００１４】
概して、一側面では、装置が提供される。本装置は、バッテリパックの充電または放電トランジスタを駆動するための駆動信号源と、駆動信号をバッテリパックに関連付けられたセルの電位よりも大きいブーストされたレベルに駆動するための信号ブースタとを含む。
【００１５】
本発明の側面は、以下の特性のうちの１つ以上を含むことが可能である。バッテリセルの状態あるいは任意の結合された付随充電器またはデバイスに関係なく、充電および放電トランジスタの完全イネーブルおよびディスエーブルを可能にする、バッテリ管理システムが提案される。必要に応じて、完全ディスエーブルまたはイネーブル機能を保証可能なように、バッテリ管理システムへの入力電圧レベルを超え、ゆえにバッテリセル電位も超える、ゲートブースト信号が提供される。一実装では、提案されたバッテリ管理システムは、より費用効率の良く、費用効率の良い高電圧ＣＭＯＳプロセスにおいて生成可能なように、ハイサイドＮＦＥＴトランジスタの完全イネーブルおよびディスエーブルを可能にする。さらに、ＮＦＥＴは、同様サイズのＰＦＥＴよりも小さいオン抵抗を有する。ゆえに、ハイサイドＮＦＥＴトランジスタを含む提案されたシステムは、より安価および／または少数トランジスタで実装可能である。
【００１６】
提案されたソリューションは、バッテリ管理システム内に一体型高電圧出力ドライバを含む。一ソリューションでは、適切なオン状態を達成するための十分な高レベルと、適切なオフ状態を達成するための十分な低レベルとに、外部ｎチャネルＦＥＴトランジスタのゲートを駆動可能なＮＦＥＴドライバが提供される。一ソリューションでは、ＮＦＥＴのオフ状態は、バッテリ管理システムの接地レベルに実質的に等しい出力電圧によって実現され、オン状態は、バッテリ管理システムへの供給電圧よりも著しく高い出力電圧によって実現される。
【００１７】
提案されたソリューションは、ゲートドライバ、マイクロコントローラ、および不揮発性メモリが、１つの集積チップ（「ＩＣ」、つまりチップ）内に統合される、ワンチップバッテリ管理ソリューションの一部として実装可能である。チップは、費用効率の良い高電圧ＣＭＯＳプロセスにおいて実装可能である。
【００１８】
提案されたハイサイドＮＦＥＴソリューションでは、充電および放電トランジスタに対するドライバの出力レベルは、バッテリ管理システムのための実質的に接地と、バッテリ管理システム供給電圧＋定数に実質的に等しい電位レベルとの間を変動可能である。ゲート駆動信号への追加ブーストによって、ＮＦＥＴのゲート−ソース間電圧が安定し、異なる供給電圧（すなわち、異なるバッテリセルおよび充電器状態）用のレベルを補正するために自動的に調整されるため、ＮＦＥＴに対しより安定かつ柔軟な駆動状態が提供される。ゲート−ソース間レベルの自動調整によって、動作帯域全体にわたってＮＦＥＴの正確かつ完全な制御が提供される。
【００１９】
また、提案されたハイサイドソリューションは、従来のローサイドソリューションよりも優れている。ＦＥＴをディスエーブルするために、接地よりも著しく低い出力電圧が必要とされるため、ローサイドＦＥＴソリューションのための従来のドライバは、ＣＭＯＳへの実装は容易ではない。ローサイドＦＥＴを有する従来のバッテリパックは、バイポーラまたはＢｉＣＭＯＳ技術を必要とする。完全一体型ＣＭＯＳソリューションと比較して、バイポーラソリューションは、マイクロコントローラユニットおよび不揮発性メモリの費用効率的統合をイネーブルにしない。ＢｉＣＭＯＳ技術の実行は、著しく費用が高くなる。
【００２０】
通信ポートを含む提案されたバッテリ管理システムは、バッテリ管理システムの通信信号レベルおよび接地に関連付けられたローサイドソリューションによってもたらされる問題点を生させることなく、ハイサイドソリューション内に容易に実装可能である。しかしながら、ローサイドソリューションが依然として望ましい場合、充電および放電トランジスタのゲート駆動信号をブーストすることに関して本明細書に記載される教示は、依然として、開示される利点を提供し得る。さらに、ＮＦＥＴソリューションが記載されているが、ブースト駆動信号は、ＰＦＥＴソリューションにおいても使用可能である。
【００２１】
本発明の１つ以上の実施形態の詳細は、付随の図面および後述の説明に記載される。本発明の他の特性、目的、および利点は、説明および図面、ならびに請求項から明白となるであろう。
【００２２】
種々の図面における同様の参照記号は、同様の要素を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
（詳細な説明）
ゲートドライバと、マイクロコントローラと、不揮発性メモリと、他の回路構成要素とが単一集積回路内に統合されたワンチップバッテリ管理システムを参照する。別様に、提案された方法およびシステムは、マルチチップソリューションにおいて実現可能である。開示される本方法およびシステムは、当業者によって理解されるように、これらおよび他のアーキテクチャにおいて実装可能である。方法、装置、およびシステムは、バッテリ管理システムモニタ回路に応じて、構成要素の完全イネーブルまたはディスエーブルを保証するように、バッテリパック内の充電および放電トランジスタをイネーブルおよびディスエーブルするために記載される。
【００２４】
（バッテリ管理システムを含むバッテリパック）
次に図１Ａを参照すると、用途５０において使用するためのバッテリパック１００が示される。バッテリパック１００は、デバイス１０２または充電器１０４のいずれかに統合可能である。充電器１０４に結合される場合、バッテリパック１００の端子（すなわち、正の端子、負の端子、および随意に通信端子）は、媒体１０６によって、充電器１０４の対応する端子（すなわち、正の端子、負の端子、および通信端子）に結合され、バッテリパック１００に関連付けられたセルの充電を可能にする。媒体１０６は、ワイヤ、リード、ピン、または他の電気接続手段の形態であることが可能である。充電することは、以下に詳述される。
【００２５】
同様に、デバイス１０２に結合される場合、バッテリパック１００の端子（すなわち、正の端子、負の端子、および通信端子）は、媒体１０８によって、デバイス１０２の対応する端子（すなわち、正の端子および負の端子）に結合され、デバイス１０２の動作を可能にする。媒体１０８は、ワイヤ、リード、ピン、または他の電気接続手段の形態であることが可能である。いくつかの実装では、バッテリパック１００もまた、それぞれの通信ポートでデバイス１０２または充電器１０４に結合される。通信ポートは、デバイス１０２／充電器１０４とバッテリパック１００との間の情報（例えば、コマンドおよび制御）の伝達を可能にする。交換可能な情報の一実施例は、バッテリ充電レベル（すなわち、容量）を含む。
【００２６】
次に図１Ｂを参照すると、バッテリパック１００のより詳細な概略図が提供される。バッテリパック１００は、１つ以上のバッテリセル１２０と、個別トランジスタ１１０、１１２と、分流器１１４と、バッテリ管理システム１３０とを含む。バッテリ管理システム１３０は、単一パッケージ内に統合可能である（例えば、単一集積回路内に統合される）、後述のような複数の構成要素を含む。別様に、バッテリ管理システム１３０構成要素は、別個に封装可能である。個別トランジスタ１１０、１１２は、バッテリ管理システム１３０から離間し、別個のパッケージ（例えば、２チップ、または３チップソリューション）内に含める、またはバッテリ管理システム１３０構成要素と共に封装可能である。
【００２７】
個別トランジスタ１１０、１１２は、外部バッテリパック端子（外部バッテリパック正の端子１５０および負の端子１４０）からバッテリセル１２０を切断するために使用される。示される実装では、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の形態であることが可能な２つの個別トランジスタが示される。他のトランジスタ技術も使用可能であるが、ＦＥＴは、プロセス、性能（例えば、オン抵抗）、費用、サイズ等の点において利点がある。示される実装では、２つのトランジスタが提供され、別個の充電１１０および放電１１２トランジスタを表す。充電トランジスタ１１０は、バッテリセル１２０の安全な充電をイネーブルするために使用される。放電トランジスタ１１２は、バッテリセル１２０の安全な放電をイネーブルするために使用される。充電および放電トランジスタ１１０、１１２は、直列に結合される。一実装では、２つのＮＦＥＴトランジスタが使用され、直列構成でドレイン間結合される。別様に、２つのＰＦＥＴトランジスタが使用され、ソース間結合されることも可能である。ＰＦＥＴソリューションでは、図示されない追加ダイオードは、バッテリ管理システム１３０に電力を提供（すなわち、Ｖｆｅｔを供給）することが必要とされ得る。
【００２８】
示される実装では、充電および放電トランジスタ１１０、１１２は、ハイサイド構成（すなわち、直列トランジスタは、ローサイド構成と反対のバッテリセルのハイサイドに結合される）で結合される。示されるハイサイド構成では、充電トランジスタ１１０の一方の端子（ＮＦＥＴ実装内のソース）は、バッテリセル１２０−１の正の端子に結合される。放電トランジスタ１１２の一方の端子（同様に、ＮＦＥＴ実装内のソース）は、外部バッテリパックの正の端子１５０に結合される。充電および放電トランジスタ１１０、１１２のそれぞれの第２の端子は、互いに結合される（ＮＦＥＴ実装内でドレイン間接点を形成する）。充電トランジスタ１１０および放電トランジスタ１１２のゲートは、それぞれ入力ＯＣおよびＯＤにおいてバッテリ管理システム１３０に結合される。同様に、トランジスタ１１０、１１２間の接点は、バッテリ管理システム入力（または、本明細書ではＶｆｅｔとして称される場合があり、図１ｂにおいてそのように標識化される）においてバッテリ管理システム１３０に結合される。バッテリ管理システム入力は、バッテリ管理システム１３０に動作電力を提供する。
【００２９】
示される実装では、２つのトランジスタは、両方向における電流の流動を阻止可能であることが必要とされる。より具体的には、ＦＥＴは、寄生ダイオード（それぞれ１１０−１および１１２−１として標識化）を含み、ゆえに、両方向における電流の流動をディスエーブルすることが不可能な単一ＦＥＴを有する。２つのＦＥＴが直列に使用される場合（ソース間、またはドレイン間のいずれか）、バッテリセル内外への電流の流動は、ディスエーブル可能である。同様に、２つのトランジスタが使用される場合、選択的制御を行い、所定の時間で（すなわち、充電は可能であるが、バッテリセル内で十分な充電が行われるまで、放電は不可能である）、単一方向のみの電流の流動を可能にすることができる。
【００３０】
バッテリセル１２０は、再充電可能バッテリであり、リチウムイオン（Ｌｉ−ｉｏｎ）またはリチウムポリマ（Ｌｉ−ｐｏｌｙｍｅｒ）の形態であることが可能である。他のバッテリ技術の種類も可能である。複数のセルが提供される場合、バッテリセル１２０は、直列に結合される。示される２つのセル実装では、バッテリセル１２０−１の最上の正の端子は、バッテリ管理システム１３０（例えば、バッテリ電圧レベルの検出を可能にするため）と、個別トランジスタ（すなわち、充電トランジスタ１１０）のうちの１つとに結合される。最上バッテリセル１２０−１の負の端子と、最下バッテリセル１２０−２の正の端子とは、入力１７０においてバッテリ管理システム１２０に共に結合される。直列の最下バッテリセル１２０−２の負の端子は、バッテリ管理システム１３０（例えば、バッテリ電圧レベルの検出を可能にするため）と、分流器１１４の１つの端子とに結合される。２つのバッテリセル実装が示されるが、単一バッテリセルおよび他の多重セル構成を含む、他の数のバッテリセルをバッテリパック１００内に含めることが可能である。分流器の第２の端子は、局所接地（バッテリパック局所接地）と、バッテリ管理システム１３０（分流器１１４を流れる電流量の測定を可能にするため）と、バッテリパック１００の外部バッテリパックの負の端子１４０とに結合される。
【００３１】
バッテリ管理システム１３０は、誤った動作の場合にバッテリパックを保護するための監視機器と、バッテリ残量を推定するためのモニタリング機器と、システム制御や、バッテリパックおよびメモリ（例えば、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＲＡＭ等）に結合されたデバイスおよび／または充電器との通信のためのコントローラ（例えば、マイクロコントローラ）とを含む。上述のように、特定のバッテリ技術は、不適切に使用される場合、危険状態を生成し得る。例えば、Ｌｉ−ｉｏｎおよびＬｉ−ｐｏｌｙｍｅｒバッテリは、著しく急速に過充電または放電される場合、過熱、爆発、または自然発火する可能性がある。さらに、Ｌｉ−ｉｏｎおよびＬｉ−ｐｏｌｙｍｅｒバッテリは、著しく放電される場合、その充電容量を大幅に失う可能性がある。バッテリ管理システム１３０は、正常動作を保証するための監視機器を含み、そのうちの少なくとも１つは、不適切な充電が生じないように、充電トランジスタ（例えば、充電トランジスタ１１０）を完全イネーブルおよびディスエーブルする。さらに、充電トランジスタの完全イネーブルは、バッテリセルの急速充電をイネーブルするために提供される。同様に、バッテリ管理システム１３０は、デバイスに結合される場合に、適切な放電特徴を保証するように、放電トランジスタ（例えば、放電トランジスタ１１２）の完全イネーブルおよびディスエーブルを提供するための監視機器を含む。充電および放電トランジスタのイネーブルおよびディスエーブルすることは、以下に詳述される。
【００３２】
バッテリ管理システム１３０の一部であるモニタリング機器は、バッテリ残量を推定するために使用可能である。バッテリ容量情報は、バッテリ管理システム１３０と、通信ポート端子１６０を通して接続されたデバイス／充電器との間で通信可能である。以下に詳述されるように、マイクロコントローラ（および関連付けられたメモリ）は、バッテリ管理システム１３０内に含めることが可能であり、システム制御および接続されたデバイスとの通信を提供可能である。
【００３３】
（バッテリ管理システム）
図２は、バッテリパック１００内で使用される例示的バッテリ管理システム１３０のブロック図を示す。バッテリ管理システム１３０は、概して、プロセッサ２０２（例えば、ＲＩＳＣアーキテクチャに基づく低電力ＣＭＯＳ８ビットマイクロコントローラ）と、バッテリ保護回路２０４と、電流量コントローラ２０６と、電圧調整器２０８と、電力監視装置２１０と、電荷検出器２１２と、クロック発振器２１４と、ポート２１６と、メモリ２１８と、電圧基準２２０と、ウオッチドッグタイマ２２２とを含む。プロセッサ２０２、ポート２１６、バッテリ保護回路２０４、および電圧基準２２０は、データバス２２４にそれぞれ結合される。
【００３４】
バッテリ管理システム１３０の実践的実装は、明確にする目的のために図２から排除されている他の構成要素およびサブシステムを含むことが可能である。例えば、バッテリ管理システム１３０は、バッテリをモニタリングするための回路（例えば、アナログ・デジタル変換器）と、セル電圧を平衡化するためのセル平衡回路（例えば、セル平衡ＦＥＴ）と、外部デバイスと通信するための通信デバイスと、雑音抑制回路と、ウェイクアップタイマと、他のモニタまたは制御回路とを含むことが可能である。
【００３５】
メモリ２１８は、セル平衡、バッテリ保護、および充電レベルを判断するための電流測定等の種々のタスクを行うために、プロセッサ２０２によって実行可能な命令によってプログラム可能である。
【００３６】
いくつかの実装では、電流量コントローラ２０６は、バッテリセルとデバイスまたは充電器との間の電流量を制御するために、電流量コントローラ２０６によって構成可能な外部デバイスに結合されたいくつかの出力（例えば、ＯＣ、ＯＤ）を有する。電流量コントローラ２０６は、出力（例えば、ＯＣおよびＯＤ）において電圧を生成するための種々の回路および論理（例えば、演算増幅器、制御および状態レジスタ、トランジスタ、蓄電器、ダイオード、変換器、ゲート等）を含む。いくつかの実装では、ＯＣ出力は、充電ＦＥＴを完全または部分的にイネーブルまたはディスエーブルし、充電イベントの間の電流量を制御するために、充電ＦＥＴ（例えば、充電トランジスタ１１０）のゲートに結合された高電圧出力である。ＯＤ出力は、放電ＦＥＴを完全または部分的にイネーブルまたはディスエーブルし、放電イベントの間の電流量を制御するために、放電ＦＥＴ（例えば、放電トランジスタ１１２）のゲートに結合された高電圧出力である。図１Ｂは、電流量コントローラ２０６からの制御電圧に応じて電流量を制御するための、ハイサイド実装におけるＦＥＴデバイスの例示的構成を示す。
【００３７】
電流量コントローラ２０６は、インターフェース２４０を通してバッテリ保護回路２０４に結合される。バッテリ保護回路２０４は、故障状態を検出し、バッテリパック１００を損傷から保護するための作用（例えば、充電および放電ＦＥＴをディスエーブルする、または部分的にディスエーブルする）を始動するために、バッテリセル電圧および充電／放電電流をモニタリングするための回路（例えば、差動増幅器）を含む。故障状態の実施例は、放電の際の著しい低電圧、放電の際の短絡、充電および放電の際の過電流を含むが、それらに限定されない。いくつかの実装では、電流センス抵抗器（Ｒｓｅｎｓｅ、すなわち、分流器１１４）は、バッテリ保護回路２０４のＰＰＩおよびＮＮＩ入力全体に結合可能であり、ＰＰＩは、電流センス抵抗器からの非濾過正の入力であり、ＮＮＩは、電流センス抵抗器からの非濾過負の入力である。電流センス抵抗器は、図１Ｂに関して記載されたように、バッテリセルとバッテリ管理システム１３０とに結合可能である。
【００３８】
（ゲートドライバ）
次に図３を参照すると、バッテリパック１００の高電圧フロントエンドにおける充電トランジスタ（ＯＣ ＦＥＴ）に関連付けられた駆動回路３００が示される。駆動回路３００は、図２の電流量コントローラ２０６の一部を形成し、ゲートドライバ３０２を含む。ゲートドライバ３０２は、充電トランジスタ（すなわち、充電トランジスタ１１０）の入力ゲートに駆動信号を提供するように作動する。ゲートドライバ３０２の別のインスタンスは、放電トランジスタ（すなわち、トランジスタ１１２）の入力ゲートに駆動信号を提供するように作動する。一実装では、ゲートドライバ３０２によって提供される駆動信号は、ディスエーブルされるものとして特徴付けられ、バッテリ管理システム１３０の実質的に接地レベルであるレベルにおける低状態を表す。一実装では、ゲートドライバ３０２によって提供される駆動信号は、イネーブルされるものとして特徴付けられ、実質的にバッテリ管理システム動作供給量＋定数（「ブースト」）であるレベルにおける高状態を表す。一実装では、定数は、充電トランジスタの完全イネーブルを保証するようにサイズ化される電位である。追加ブーストを提供することによって、ゲートドライバ３０２は、充電トランジスタを完全にイネーブルし、バッテリセルの急速充電を可能にすることが保証される。
【００３９】
ゲートドライバ３０２は、それぞれ高低イネーブル信号３０４、３０６と、クロック信号３０８とを含む入力を含む。ゲートドライバ３０２のインスタンスは、充電ＦＥＴ（ＯＣ ＦＥＴ、すなわち、充電トランジスタ１１０）および放電トランジスタ（すなわち、トランジスタ１１２）を駆動する出力信号３１０を提供する。ゲートドライバ３０２は、電荷ポンプ３０３と、ディスエーブルスイッチ３５０とを含む。電荷ポンプ３０３は、駆動信号（イネーブル信号）を充電トランジスタ１１０に提供するように作動する。電荷ポンプ３０３は、クロック信号３０８と、高イネーブル信号３０４とによって制御される。電荷ポンプ３０３の制御は、以下に詳述される。ディスエーブルスイッチ３５０は、第２の種類の駆動信号（ディスエーブル信号）を充電トランジスタ１１０に提供するように作動する。ディスエーブルスイッチ３５０は、低イネーブル信号３０６によって制御され、以下に詳述される。
【００４０】
（電荷ポンプ）
一実装では、電荷ポンプ３０３は、駆動信号源３２０と、ブースト論理３３０と、信号ブースタ３４０−１および３４０−２と、複数のブロッキングダイオード３４２、３４４、３４６とを含む。
【００４１】
駆動信号源３２０は、電荷ポンプ３０３の動作によってポンプアップされる初期レベル駆動信号を提供する。示される実装では、駆動信号源３２０は、相補的トランジスタ３２４、３２６を含むレベルシフタの形態である。示されるように、相補的トランジスタ３２４および３２６は、相補的に、つまり、所定の時間に１つのみイネーブルされるゲートを有する。相補的トランジスタ３２４、３２６へのゲート入力は、変換器３２２によって提供される。変換器３２２への入力は、高イネーブル信号３０４によって提供される。ゆえに、高イネーブル信号３０４が高速駆動されるため、変換器３２２への入力が高速駆動される。その後、変換器３２２への出力が低速駆動され、相補的トランジスタ３２４、３２６のゲート入力にもたらされる。低入力イネーブルを伴うハイサイドトランジスタ３２４は、変換器３２２によってもたらされる低信号によってイネーブルされ、駆動信号源３２０の出力にもたらされるバッテリ管理システム供給電位（すなわち、Ｖｆｅｔ）を生じる。別様に、高イネーブル信号３０４が低速駆動される場合（すなわち、変換器３２２への入力が低い）、変換器３２２の出力は高速駆動され、相補的トランジスタ３２４、３２６のゲート入力にもたらされる。この状態では、高入力イネーブルを伴うローサイドトランジスタ３２６は、変換器３２２によってもたらされる高信号によってイネーブルされ、駆動信号源３２０の出力にもたらされるバッテリ管理システム接地電位（すなわち、ＧＮＤ）を生じる。このように、駆動信号源３２０は、以下に詳述されるように、高イネーブル信号３０４に応じて、電荷ポンプ回路の残りに実質的に接地または実質的に動作電位信号のいずれかを提供するように構成される。
【００４２】
駆動信号源３２０の出力は、ブロッキングダイオード３４２の入力に提供される。ブロッキングダイオード３４２は、駆動信号源３２０の出力信号を電荷ポンプ３０３の出力へ伝播させる一方、任意の帰還信号を阻止する。ブロッキングダイオード３４２の出力は、以下に詳述されるように、第２のブロッキングダイオード３４４の入力に結合される。
【００４３】
ブースト論理３３０は、駆動信号源３２０によって提供される駆動信号に対するブースト信号の追加を選択的に制御するために提供される。示される実装では、ブースト論理３３０は、ＡＮＤゲート３３２と、変換器３３４、３３６とを含む。ＡＮＤゲート３３２への１つの入力は、高イネーブル信号３０４である。ＡＮＤゲート３３２への第２の入力は、クロック信号３０８である。一実装では、クロック信号３０８は、電荷ポンプに正確な電位レベル（例えば、３．６ＭＨｚ）を迅速に達成させる高速クロック信号である。別様に、電力消費の少ない低速クロック信号も使用可能である（例えば、１３１ｋＨｚ）。一実装では、電荷ポンプ３０３は、バッテリ管理システム１３０の動作モードに応じて、クロック信号入力３０８において高速または低速クロック信号のうちの１つを与えられる。例えば、バッテリ管理システム１３０が低電力またはスリープモードにある場合、低速クロック信号を電荷ポンプ３０３に提供可能である。別様に、バッテリ管理システム１３０が低電力モードにない場合、高速クロック信号をクロック信号入力３０８に提供可能である。別の実装では、低電力モードにある場合でも、所定の期間（すなわち、初めは）、高速クロック信号を電荷ポンプ３０３に提供可能である。そうすることによって、ＦＥＴドライバ（すなわち、ゲートドライバ３０２）が、低電力モードにある場合でも、正確な充電レベルに迅速に達することが保証される。
【００４４】
ＡＮＤゲート３３２の出力は、変換器３３４の入力に提供される。変換器３３４の出力は、変換器３３６の入力と、信号ブースタ３４０−１の入力とに提供される。変換器３３６の出力は、信号ブースタ３４０−２の入力に提供される。一実装では、ブースト論理ゲートのそれぞれは、バッテリ管理システム１３０によって提供される調整電圧によって励起される。調整電圧（ＶＲＥＧ）は、バッテリ管理システム１３０の電圧調整器２０８（ステップアップまたは線形調整器のいずれか、あるいは両方）によって提供される。
【００４５】
信号ブースタ３４０は、容量性素子の形態であることが可能である。一実装では、各信号ブースタ３４０は、実質的に１０ピコファラッドにサイズ化された蓄電器である。信号ブースタ３４０−１の出力は、第２のブロッキングダイオード３４４の入力に結合される。第２のブロッキングダイオード３４４の出力は、第３のブロッキングダイオード３４６の入力に結合される。第１のブロッキングダイオード３４２は、第１の信号ブースタ３４０−１の出力が駆動信号源３２０に帰還されるのを防止する。信号ブースタ３４０−２の出力は、第３のブロッキングダイオード３４６の入力に結合される。第２のブロッキングダイオード３４４は、信号ブースタ３４０−２の出力が駆動信号源３２０（または、さらに信号ブースタ３４０−１）に帰還されるのを防止する。第３のブロッキングダイオード３４６は、信号ブースタ３４０−２が高速駆動される場合、出力信号のブーストを可能にし、信号ブースタ３４０−２が低速駆動される場合、その結果生じる容量性負荷上の高信号レベルが信号ブースタ３４０−２に帰還されるのを防止する。第３のブロッキングダイオード３４６の出力は、ゲートドライバ３０２の出力に結合され、出力信号３１０を生成する。典型的には、出力信号３１０は、大容量性負荷に結合される。電荷ポンプ３０３およびその種々の構成要素の動作は、以下に詳述される。
【００４６】
一実装では、電荷ポンプ３０３は、クランプ３６０を含む。クランプ３６０は、バッテリ管理システム１３０の内部回路を保護し、高充電器電圧の存在下、充電することをディスエーブル可能なことを保証するためのクランプを提供可能である。示される実装では、クランプ３６０は、電荷ポンプ３０３の出力と、電荷ポンプによって提供されるイネーブルされた駆動信号が、充電トランジスタの入力ゲートをイネーブルするために十分であることを保証するための適切なサイズおよび定格のバッテリ管理システム接地（ＧＮＤ）との間に結合された、ツェナーダイオードの形態である。
【００４７】
（ディスエーブルスイッチ）
また、ディスエーブルスイッチ３５０は、ディスエーブルされた出力信号３１０を生成するためのゲートドライバの出力に結合される。ディスエーブルスイッチ３５０は、低イネーブル信号３０６によってイネーブルされる。示される実装では、ディスエーブルスイッチは、電荷ポンプ３０３の出力と、バッテリ管理システム接地（ＧＮＤ）との間に結合されるトランジスタの形態である。低イネーブル信号３０６は、ディスエーブルスイッチ３５０のイネーブルおよびディスエーブルを制御するためのトランジスタのゲートへの入力として提供される。イネーブルされる場合（すなわち、低イネーブル信号３０６が設定される）、ディスエーブルスイッチ３５０は、直接信号経路をチップ接地に提供し、ゆえに、接地信号を充電トランジスタのゲートに提供する（例えば、ＮＦＥＴ充電トランジスタのゲートを完全にディスエーブルする）。高イネーブル信号３０４および低イネーブル信号３０６は相補的であり、ゆえに、任意の所定時間で１つのみイネーブルされる。いずれがイネーブルされるかに応じて、ディスエーブルスイッチ３５０または電荷ポンプ３０３のうちの１つが出力信号３１０を提供し、それによって、充電トランジスタのイネーブルおよびディスエーブルを制御する。
【００４８】
（動作）
ゲートドライバ３０２は、少なくとも２つのモード（高（イネーブル）または低（ディスエーブル））のうちの１つで動作する。高（イネーブル）モードでは、電荷ポンプ３０３は、実質的にバッテリ管理システム供給量＋定数に等しいレベルの出力信号３１０を提供する。一実装では、定数は、ダイオード電圧降下分未満の調整電圧入力の２倍に等しい（Ｖｏｃ＝ＶＦＥＴ＋２ＶＲＥＧ−ダイオード）。
【００４９】
図３に示される実装では、定数は、以下のように生成される。ゲートドライバ３０２がイネーブルされると、高イネーブル信号３０４は、上述のように設定される。ＡＮＤゲート３３２への入力に提供されるクロック信号３０８は、クロック周波数の高低間を切り替える。初めは、ゲートドライバがイネーブルされ、クロック信号が存在しない場合、以下の観察が行われ得る。図３上の地点Ａは、実質的にＶｆｅｔ−ダイオード電圧降下分の電位にあり、地点Ｂは、実質的にＶｆｅｔ−２ダイオード電圧降下分の電位にあり、地点Ｃは、Ｖｆｅｔ−３ダイオード電圧降下分の電位にある。クロック信号３０８が高に移行すると（高イネーブル信号３０４が設定されていると仮定）、ＡＮＤゲート３３２の出力は高い。ＡＮＤゲート３３２の高出力は、出力が低くなる変換器３３４に提供される。変換器３３４の低出力は、出力が高い変換器３３６に結合される。変換器３３６の高出力は、信号ブースタ３４０−２の入力に電位（ＶＲＥＧ）を提供する（例えば、容量性素子３４０−２の下側プレートは、ＶＲＥＧを参照）。変換器３３６によって提供される入力電位に応じて、信号ブースタ３４０−２の出力（例えば、容量性素子３４０−２の反対プレート）は、ＶＲＥＧ電位によって上昇する。示される実装では、容量性素子は、変換器３３６によって提供される電位に等しい量だけ充電され、ノードＢ（電荷ポンプ３０３の出力上）においてポンプアップ信号を生成する。より具体的には、クロック信号が高くなると、以下の観察が行われ得る。最初は、図３上の地点Ａは降下するが（変換器３３４の出力によって生成される低信号レベルのため）、次いで、駆動信号源３２０の出力からＶｆｅｔ−ダイオード電圧降下分のレベルに戻り、地点Ｂは、実質的にＶｆｅｔ＋ＶＲＥＧの電位にあり、地点Ｃは、Ｖｆｅｔ＋ＶＲＥＧ−ダイオード電圧降下分の電位にある。クロック信号が状態変化し、再び降下すると、それによって、変換器３３６をディスエーブルし、同様のブーストが生じる。
【００５０】
より具体的には、クロック信号３０８が低い場合（再び、高イネーブル信号３０４が設定されていると仮定）、ＡＮＤゲート３３２の出力は低い。ＡＮＤゲート３３２の低出力は、出力が高くなる変換器３３４に提供される。変換器３３４の高出力は、信号ブースタ３４０−１の入力に電位（ＶＲＥＧ）を提供する（例えば、容量性素子３４０の下側プレートは、ＶＲＥＧを参照）。変換器３３４によって提供される入力電位に応じて、信号ブースタ３４０−１の出力（例えば、容量性素子３４０−１の反対プレート）は、ＶＲＥＧ電位によって上昇する。示される実装では、変換器３３４によって提供される電位に等しい量だけ充電され、ノードＡ（電荷ポンプ３０３の出力上）においてポンプアップ信号を生成する。より具体的には、クロック信号が降下すると、以下の観察が行われ得る。図３上の地点Ａは、Ｖｆｅｔ−ダイオード電圧降下分＋ＶＲＥＧ（変換器３３４の出力によって生成される高信号レベルのため）まで上昇し、地点Ｂは、実質的にＶｆｅｔ＋ＶＲＥＧの２倍−ダイオードの電位にあり、地点Ｃは、Ｖｆｅｔ＋ＶＲＥＧの２倍−２ダイオード電圧降下分の電位にある。
【００５１】
ゆえに、高から低のクロック信号の振幅を提供することによって、信号ブースタ３４０−１および３４０−２は、電荷ポンプ３０３によって提供される出力信号３１０をポンプアップするように、交互にイネーブルされる（例えば、充電される）。ノードＡでは、イネーブルされる場合（すなわち、高イネーブル信号３０４が設定されている場合）の信号レベルは、１ダイオード（例えば、ブロッキングダイオード３４２）未満のバッテリ管理システム供給量（すなわち、Ｖｆｅｔ）＋ＶＲＥＧ（信号ブースタ３４０−１からのブースト）に実質的に等しい。ノードＢでは、イネーブルされる場合の信号レベルは、２ダイオード（ブロッキングダイオード３４２および３４４）未満のバッテリ管理システム供給量（すなわち、ＶＦＥＴ）＋ＶＲＥＧの２倍（信号ブースタ３４０−１からの１ブーストおよび信号ブースタ３４０−２からの１ブースト）に実質的に等しい。電荷ポンプ３０３への出力（ノードＣ）では、イネーブルされる場合の信号レベルは、３ダイオード（ブロッキングダイオード３４２、３４４、３４６）未満のバッテリ管理システム供給量（すなわち、ＶＦＥＴ）＋ＶＲＥＧの２倍に実質的に等しい。上述のように、いくつかの実装では、ノードＣにおいて提供される出力信号３１０は、例えば、クランプ３６０によって固定可能である。
【００５２】
図３は、ゲートドライバ３０２のための一実装を示すが、他の構成も可能である。例えば、３つ以上の信号ブースタ３４０をゲートドライバ３０２内に含めることが可能である。一実装では、複数の信号ブースタ（３４０−１…３４０−ｎ）と、関連付けられたブロッキングダイオードと、変換器論理とを使用して、所定のレベル（例えば、出力信号の生成は、実質的にＶｆｅｔ＋ｎ＊ＶＲＥＧ−ｎダイオード電圧降下分に等しい）にあるブーストされたイネーブル信号を生成する。
【００５３】
いくつかの実装では、他の回路をゲートドライバ３０２と関連付けることが可能である。例えば、制御回路は、バッテリの著しい低電圧状態からの回復を管理するために必要とされ得る場合等、充電トランジスタのゲートを部分的にイネーブルするために提供されることが可能である。明確にする目的のため、これらの他の回路要素は、示される駆動回路３００から省かれている。さらに、高低イネーブル信号３０４および３０６をイネーブルおよびディスエーブルすることを示す詳細は省略されている。バッテリ管理システム１３０の一部を形成する監視回路は、高低イネーブル信号３０４、３０６の一方または両方を提供可能である。例えば、バッテリ管理システム１３０は、適切または異常充電器の接続を検出するために使用される別個の入力を含むことが可能である。異常（すなわち、有害な）充電器が検出される場合、低イネーブル信号３０６を設定可能である。高低イネーブル信号３０４、３０６の設定は、マイクロコントローラ（すなわち、プロセッサ２０２）、バッテリ保護モジュール２０４、またはバッテリ管理システム１３０内の他の要素の監視によって、またはその監視下、行うことが可能である。
【００５４】
図３は、バッテリパックに関連付けられた充電トランジスタのためのゲートドライバの構成を示す。同様のゲートドライバを放電トランジスタ用に含めることが可能である。つまり、一実装では、それぞれの充電および放電トランジスタの個々および完全制御を可能にするために、別個のゲートドライバがバッテリパックの放電トランジスタ用に提供される。当業者は、充電トランジスタに関連付けられたゲートドライバ（例えば、ゲートドライバ３０２）に関して上述されたすべての変形例は、放電トランジスタを完全にイネーブルするためにイネーブル信号をブーストすることを含む、放電トランジスタ用に提供されるゲートドライバに適用可能であることを理解されるであろう。
【００５５】
イネーブル信号をブーストすること（すなわち、充電または放電トランジスタのいずれか一方を完全にイネーブルするために、適用される信号レベルをブーストする）を参照してきたが、上述の教示は、必要に応じて、ディスエーブル信号の信号レベルをブーストすることに適用可能である（例えば、ＰＦＥＴを使用する場合や、ＰＦＥＴをディスエーブルするためのブーストを伴うゲートドライバを使用する場合）。
【００５６】
（ゲートドライバ方法）
次に図４を参照すると、充電または放電トランジスタのいずれか一方のゲートを駆動するための方法４００のフロー図が提供される。駆動方法４００は、３つの個別部分（ブースト段階４０２、イネーブル段階４０４、ディスエーブル段階４０６）を含む。
【００５７】
ブースト段階４０２は、イネーブル段階の前またはそれと同時に生じることが可能である。つまり、駆動信号のブーストは、充電／放電トランジスタのイネーブルに先立って、またはそれと同時に生じることが可能である。ブースト段階は、変動し得る駆動信号（４１０）を提供すること（例えば、駆動信号は、バッテリセルの電位に伴って、または充電器の存在下変動可能なバッテリ管理システム供給量Ｖｆｅｔである）と、駆動信号（４１２）をブーストすることとを含む。
【００５８】
イネーブル段階４０４は、イネーブルトリガ（４２０）を検出することを含む。イネーブルトリガは、適切な充電器の検出を含むことが可能である。加えて、イネーブルトリガは、セルが安全に充電可能であることを示す、適切な状態信号の検出を含むことが可能である。イネーブルトリガ検出後、充電可能信号が提供され（４２２）、ブーストされた駆動イネーブル信号が充電トランジスタに提供され（４２４）、急速かつ完全充電をイネーブルすることが可能である。
【００５９】
ディスエーブル段階４０６は、ディスエーブルトリガ（４３０）の検出を含む。ディスエーブルトリガは、セルが安全に充電可能ではないことを示す、適切な状態信号の検出を含むことが可能である。別様に、任意の危険な状態を示す、ディスエーブルトリガは、適切な状態信号の検出を含むことが可能である。一実装では、充電および放電トランジスタの両方が、短絡等の潜在的に危険状態の検出に基づいてディスエーブルされる。別様に、ディスエーブルトリガは、イネーブルトリガが不在の場合に維持されるデフォルト設定であることが可能である。ディスエーブルトリガ検出後、充電ディスエーブル信号が提供され（４３２）、ディスエーブル信号が充電トランジスタに提供され（４３４）、充電を完全にディスエーブルすることが可能である。放電トランジスタをイネーブルおよびディスエーブルするために帰結法が使用可能である（すなわち、適切な駆動イネーブルを提供するためのブーストという点で類似するが、放電トランジスタが明確に異なるトリガによってイネーブルおよびディスエーブルされるという点で帰結される）。上述のように、ディスエーブル信号のブーストは、充電または放電トランジスタの完全ディスエーブルを保証するために必要とされる場合に可能である。
【００６０】
本発明の多くの実施形態が記載された。それでもなお、種々の修正が、本主題の精神および範囲から逸脱することなくなされ得ることを理解されるであろう。ゆえに、他の実施形態も、添付の特許請求の範囲の範囲内である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１Ａ】図１Ａは、バッテリパックを含む用途の概略図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、バッテリパックの概略図である。
【図２】図２は、バッテリ管理システムのブロック図である。
【図３】図３は、充電トランジスタを駆動するための駆動回路のブロック図である。
【図４】図４は、ブースト駆動法のためのフロー図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
充電器がバッテリシステムに結合されているかどうかの判断をイネーブルすることであって、該バッテリシステムは、１つ以上のセルおよび充電可能トランジスタを含む、ことと、
該セルの電位よりも実質的に大きい電位で、充電可能トランジスタゲート端子を駆動することを含む、該充電可能トランジスタを実質的に完全にイネーブルすることと
を含む、方法。
【請求項２】
駆動することは、前記セル電位のレベルで提供される駆動信号をブーストすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記充電可能トランジスタゲート端子を駆動するために、前記駆動信号をブーストされた信号レベルにポンプアップすることをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記駆動信号をポンプアップすることは、前記セルの電位でブースト信号を該駆動信号に容量結合することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記駆動信号をブーストすることは、該駆動信号を前記セルの電位＋定数に実質的に等しいレベルにブーストすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記定数は調整電圧の２倍に実質的に等しく、該調整電圧は前記セルによって供給される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記定数は、前記調整電圧の２倍に実質的に等しく、ブロッキングダイオードと関連付けられた電圧降下未満である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記定数は、調整電圧の２倍を上回り、該調整電圧は前記セルによって供給される、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記定数は、前記調整電圧の２倍を上回り、ブロッキングダイオードと関連付けられた電圧降下未満である、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
駆動することは、ブースタ回路によって駆動信号をブーストすることを含み、前記方法は、該ブースタ回路と、マイクロコントローラと、メモリとを集積回路内にさらに統合する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
統合することは、高電圧ＣＭＯＳプロセスを使用して統合することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
統合することは、マイクロコントローラとメモリとを前記集積回路内に統合し、セル充電機能を補助することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
駆動することは、ブースタ回路によって駆動信号をブーストすることを含み、前記方法は、該ブースタ回路と前記充電トランジスタとを集積回路内にさらに統合する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
統合することは、高電圧ＣＭＯＳプロセスを使用して統合することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
駆動することは、ブースタ回路によって駆動信号をブーストすることを含み、前記方法は、該ブースタ回路と、マイクロコントローラと、メモリと、前記充電トランジスタとを集積回路内にさらに統合する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
統合することは、高電圧ＣＭＯＳプロセスを使用して統合することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
デバイスがバッテリシステムに結合されているかどうかの判断をイネーブルすることであって、該バッテリシステムは、１つ以上のセルと、放電可能トランジスタとを含む、ことと、
該デバイスによる通常放電を可能にするために、該セルの電位よりも大きい電位に該放電可能トランジスタを駆動することを含む、前記放電可能トランジスタを実質的に完全にイネーブルすることと
を含む、方法。
【請求項１８】
バッテリシステムの１つ以上のセルを充電するためのイネーブルトリガが存在するかどうかの判断をイネーブルすることと、
存在する場合には、充電トランジスタを該セルの電位よりも大きい電位に駆動することを含む、該バッテリシステムと関連付けられた充電トランジスタを完全イネーブル状態に実質的に完全にイネーブルすることと、
該バッテリシステムの該セルを放電するためのイネーブルトリガが存在するかどうかの判断をイネーブルすることと、
存在する場合には、該放電トランジスタを該セルの電位よりも大きい電位に駆動することを含む、該バッテリシステムに関連付けられた放電トランジスタを完全イネーブル状態に実質的に完全にイネーブルすることと
を含む、バッテリシステムを充電および放電するための方法。
【請求項１９】
バッテリパックの１つ以上のセルの充電をイネーブルするように作動する充電トランジスタと、
駆動信号を提供する駆動信号源と、
該駆動信号を該バッテリパックの該セルの電位よりも大きいブーストされたレベルに駆動するための信号ブースタと
を含む、該充電トランジスタを駆動するように作動する駆動回路と
を含む、装置。
【請求項２０】
ハイサイドＮＦＥＴ充電または放電トランジスタと、
該ハイサイドＮＦＥＴ充電または放電トランジスタを駆動するための駆動回路であって、
駆動信号を提供する駆動信号源と、
該駆動信号をバッテリパックのセルの電位よりも大きいブーストされたレベルに駆動するための信号ブースタと
を含む、ハイサイドＮＦＥＴ充電または放電トランジスタを駆動するための駆動回路と
を含む、装置。
【請求項２１】
バッテリパックの充電または放電トランジスタを駆動するための駆動信号源と、
駆動信号を該バッテリパックに関連付けられたセルの電位よりも大きいブーストされたレベルに駆動するための信号ブースタと
を含む、装置。
【請求項１】
充電器がバッテリシステムに結合されているかどうかの判断をイネーブルすることであって、該バッテリシステムは、１つ以上のセルおよび充電可能トランジスタを含む、ことと、
該セルの電位よりも実質的に大きい電位で、充電可能トランジスタゲート端子を駆動することを含む、該充電可能トランジスタを実質的に完全にイネーブルすることと
を含む、方法。
【請求項２】
駆動することは、前記セル電位のレベルで提供される駆動信号をブーストすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記充電可能トランジスタゲート端子を駆動するために、前記駆動信号をブーストされた信号レベルにポンプアップすることをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記駆動信号をポンプアップすることは、前記セルの電位でブースト信号を該駆動信号に容量結合することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記駆動信号をブーストすることは、該駆動信号を前記セルの電位＋定数に実質的に等しいレベルにブーストすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記定数は調整電圧の２倍に実質的に等しく、該調整電圧は前記セルによって供給される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記定数は、前記調整電圧の２倍に実質的に等しく、ブロッキングダイオードと関連付けられた電圧降下未満である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記定数は、調整電圧の２倍を上回り、該調整電圧は前記セルによって供給される、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記定数は、前記調整電圧の２倍を上回り、ブロッキングダイオードと関連付けられた電圧降下未満である、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
駆動することは、ブースタ回路によって駆動信号をブーストすることを含み、前記方法は、該ブースタ回路と、マイクロコントローラと、メモリとを集積回路内にさらに統合する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
統合することは、高電圧ＣＭＯＳプロセスを使用して統合することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
統合することは、マイクロコントローラとメモリとを前記集積回路内に統合し、セル充電機能を補助することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
駆動することは、ブースタ回路によって駆動信号をブーストすることを含み、前記方法は、該ブースタ回路と前記充電トランジスタとを集積回路内にさらに統合する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
統合することは、高電圧ＣＭＯＳプロセスを使用して統合することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
駆動することは、ブースタ回路によって駆動信号をブーストすることを含み、前記方法は、該ブースタ回路と、マイクロコントローラと、メモリと、前記充電トランジスタとを集積回路内にさらに統合する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
統合することは、高電圧ＣＭＯＳプロセスを使用して統合することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
デバイスがバッテリシステムに結合されているかどうかの判断をイネーブルすることであって、該バッテリシステムは、１つ以上のセルと、放電可能トランジスタとを含む、ことと、
該デバイスによる通常放電を可能にするために、該セルの電位よりも大きい電位に該放電可能トランジスタを駆動することを含む、前記放電可能トランジスタを実質的に完全にイネーブルすることと
を含む、方法。
【請求項１８】
バッテリシステムの１つ以上のセルを充電するためのイネーブルトリガが存在するかどうかの判断をイネーブルすることと、
存在する場合には、充電トランジスタを該セルの電位よりも大きい電位に駆動することを含む、該バッテリシステムと関連付けられた充電トランジスタを完全イネーブル状態に実質的に完全にイネーブルすることと、
該バッテリシステムの該セルを放電するためのイネーブルトリガが存在するかどうかの判断をイネーブルすることと、
存在する場合には、該放電トランジスタを該セルの電位よりも大きい電位に駆動することを含む、該バッテリシステムに関連付けられた放電トランジスタを完全イネーブル状態に実質的に完全にイネーブルすることと
を含む、バッテリシステムを充電および放電するための方法。
【請求項１９】
バッテリパックの１つ以上のセルの充電をイネーブルするように作動する充電トランジスタと、
駆動信号を提供する駆動信号源と、
該駆動信号を該バッテリパックの該セルの電位よりも大きいブーストされたレベルに駆動するための信号ブースタと
を含む、該充電トランジスタを駆動するように作動する駆動回路と
を含む、装置。
【請求項２０】
ハイサイドＮＦＥＴ充電または放電トランジスタと、
該ハイサイドＮＦＥＴ充電または放電トランジスタを駆動するための駆動回路であって、
駆動信号を提供する駆動信号源と、
該駆動信号をバッテリパックのセルの電位よりも大きいブーストされたレベルに駆動するための信号ブースタと
を含む、ハイサイドＮＦＥＴ充電または放電トランジスタを駆動するための駆動回路と
を含む、装置。
【請求項２１】
バッテリパックの充電または放電トランジスタを駆動するための駆動信号源と、
駆動信号を該バッテリパックに関連付けられたセルの電位よりも大きいブーストされたレベルに駆動するための信号ブースタと
を含む、装置。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図１Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４】
【公表番号】特表２００９−５２９７６６（Ｐ２００９−５２９７６６Ａ）
【公表日】平成２１年８月２０日（２００９．８．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−５５８５３９（Ｐ２００８−５５８５３９）
【出願日】平成１９年３月８日（２００７．３．８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００７／０６３６１７
【国際公開番号】ＷＯ２００７／１０６７１８
【国際公開日】平成１９年９月２０日（２００７．９．２０）
【出願人】（５９１２２５５２３）アトメル・コーポレイション (57)
【氏名又は名称原語表記】ＡＴＭＥＬ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２１年８月２０日（２００９．８．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年３月８日（２００７．３．８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００７／０６３６１７
【国際公開番号】ＷＯ２００７／１０６７１８
【国際公開日】平成１９年９月２０日（２００７．９．２０）
【出願人】（５９１２２５５２３）アトメル・コーポレイション (57)
【氏名又は名称原語表記】ＡＴＭＥＬ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
【Ｆターム（参考）】
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