パターン形成装置、パターン形成方法及びパターン形成用プログラム
【課題】より多くの良好なパターンを形成することができるパターン形成装置、パターン形成方法及びパターン形成用プログラムを提供する。
【解決手段】実施形態に係るパターン形成装置は、複数の小領域を含む転写領域を単位として、テンプレートに形成されたパターンを、基板上の複数の転写領域に順次転写するパターン形成装置であって、取得部と、分類部と、集計部と、転写部と、を備える。取得部は、基板に存在する欠陥部の検出情報を取得する。分類部は、取得部で取得した検出情報から、複数の転写領域を、欠陥部が存在しない第１転写領域と、欠陥部が存在する第２転写領域と、に分類する。集計部は、第２転写領域について、転写領域内での小領域の位置ごとに欠陥部の出現頻度を集計する。転写部は、集計部で集計した結果に基づき、欠陥部の出現頻度の高い位置の小領域に欠陥部が存在している第２転写領域から先にテンプレートによる転写を行う。
【解決手段】実施形態に係るパターン形成装置は、複数の小領域を含む転写領域を単位として、テンプレートに形成されたパターンを、基板上の複数の転写領域に順次転写するパターン形成装置であって、取得部と、分類部と、集計部と、転写部と、を備える。取得部は、基板に存在する欠陥部の検出情報を取得する。分類部は、取得部で取得した検出情報から、複数の転写領域を、欠陥部が存在しない第１転写領域と、欠陥部が存在する第２転写領域と、に分類する。集計部は、第２転写領域について、転写領域内での小領域の位置ごとに欠陥部の出現頻度を集計する。転写部は、集計部で集計した結果に基づき、欠陥部の出現頻度の高い位置の小領域に欠陥部が存在している第２転写領域から先にテンプレートによる転写を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターン形成装置、パターン形成方法及びパターン形成用プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
凹凸パターンが形成されたテンプレートを用いてパターンを転写する、いわゆるインプリント法では、基板上に滴下した樹脂にテンプレートを接触させ、この状態で樹脂に紫外線光等を照射して硬化させる。その後、テンプレートを離型することによって、テンプレートの凹凸パターンの形状を樹脂に転写している。
【０００３】
このようなテンプレートを用いたパターンの形成においては、テンプレートを繰り返し利用することによって、製造工程の簡素化及び製造コストの低減を図ることができる。一方、基板上に異物や欠陥が存在すると、テンプレートを接触させた際にテンプレートに破損等の影響を与える可能性がある。破損したテンプレートを使用すると、その破損部分がパターンに転写されてしまう。
【０００４】
そこで、予め基板表面の欠陥検査を行い、欠陥のない部分について先にテンプレートによるパターン転写を行う。一方、欠陥のある部分には、別なテンプレートを用いてパターン転写を行う。これらのテンプレートには同じデザインの凹凸パターンが設けられている。これにより、基板全体でのパターンの被覆率の均一化を図る。
このようなテンプレートを用いたパターンの形成においては、さらなる歩留まりの向上が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−０６９７６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、より多くの良好なパターンを形成することができるパターン形成装置、パターン形成方法及びパターン形成用プログラムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係るパターン形成装置は、複数の小領域を含む転写領域を単位として、テンプレートに形成されたパターンを、基板上の複数の転写領域に順次転写するパターン形成装置であって、取得部と、分類部と、集計部と、転写部と、を備える。取得部は、基板に存在する欠陥部の検出情報を取得する。分類部は、取得部で取得した検出情報から、複数の転写領域を、欠陥部が存在しない第１転写領域と、欠陥部が存在する第２転写領域と、に分類する。集計部は、第２転写領域について、転写領域内での小領域の位置ごとに欠陥部の出現頻度を集計する。転写部は、集計部で集計した結果に基づき、欠陥部の出現頻度の高い位置の小領域に欠陥部が存在している第２転写領域から先に、テンプレートによる転写を行う。
【０００８】
また、他の実施形態に係るパターン形成方法は、複数の小領域を含む転写領域を単位として、テンプレートに形成されたパターンを、基板上の複数の前記転写領域に順次転写するパターン形成方法である。
このパターン形成方法は、前記基板に存在する欠陥部の検出情報を取得する工程と、前記取得した前記検出情報から、前記複数の転写領域を、前記欠陥部が存在しない第１転写領域と、前記欠陥部が存在する第２転写領域と、に分類する工程と、複数の前記第２転写領域について、前記転写領域内での前記小領域の位置ごとに前記欠陥部の出現頻度を集計する工程と、前記集計した結果に基づき、前記欠陥部の出現頻度の高い位置の前記小領域に前記欠陥部が存在している前記第２転写領域から先に、前記テンプレートによる転写を行う工程と、を備える。
【０００９】
また、他の実施形態に係るパターン形成用プログラムは、複数の小領域を含む転写領域を単位として、テンプレートに形成されたパターンを、基板上の複数の前記転写領域に順次転写するためのパターン形成用プログラムである。このパターン形成用プログラムは、コンピュータを、前記基板に存在する欠陥部の検出情報を取得する取得手段、前記取得手段で取得した前記検出情報から、前記複数の転写領域を、前記欠陥部が存在しない第１転写領域と、前記欠陥部が存在する第２転写領域と、に分類する分類手段、前記分類手段で分類された複数の前記第２転写領域について、前記転写領域内での前記小領域の位置ごとに前記欠陥部の出現頻度を集計する集計手段、前記集計手段で集計した結果に基づき、前記欠陥部の出現頻度の高い前記小領域に前記欠陥部が存在している前記第２転写領域から先に、前記テンプレートによる転写を行う転写順を決定する決定手段、として機能させる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態に係るパターン形成装置の構成を例示する図である。
【図２】転写領域を例示する模式的平面図である。
【図３】実施形態に係るパターン形成方法の流れを例示するフローチャートである。
【図４】参考例を説明する図である。
【図５】実施形態に係るパターン転写順の例を説明する図である。
【図６】複数枚の基板にパターンを形成する具体例を説明する模式図である。
【図７】小領域の配置ごとに欠陥部の数を集計した例を示す図である。
【図８】区分けの具体例を示す模式図である。
【図９】区分けの具体例を示す模式図である。
【図１０】区分けの具体例を示す模式図である。
【図１１】区分けの具体例を示す模式図である。
【図１２】区分けの具体例を示す模式図である。
【図１３】実施形態に係るプログラムが実行されるコンピュータを説明する図である。
【図１４】実施形態に係るプログラムの処理の流れを例示するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００１２】
（第１の実施形態）
先ず、実施形態に係るパターン形成装置の一例について説明する。
図１は、実施形態に係るパターン形成装置の構成を例示する図である。
図１（ａ）は、パターン形成装置の構成を例示するブロック図である。図１（ｂ）は、転写部でのパターン転写の状態を例示する模式図である。
【００１３】
図１（ａ）及び（ｂ）に表したように、実施形態に係るパターン形成装置１１０は、テンプレート２００に形成された凹凸パターン２１０を、ウェーハ等の基板Ｗ上に転写する装置である。パターン形成装置１１０は、第１テンプレート２００Ａ及び第２テンプレート２００Ｂを用いてパターン転写を行う。実施形態では、第１テンプレート２００Ａ及び第２テンプレート２００Ｂを総称して、テンプレート２００ということにする。
実施形態に係るパターン形成装置１１０は、取得部１０と、分類部２０と、集計部３０と、転写部４０と、を備えている。
【００１４】
ここで、転写部４０によるパターン転写方法の一例を説明する。
図１（ｂ）に表したように、転写部４０は、テンプレート２００に設けられた凹凸パターン２１０の形状を基板Ｗ上に転写する。先ず、基板Ｗ上に樹脂３２０を塗布する。
【００１５】
その後、テンプレート２００の凹凸パターン２１０を樹脂３２０に接触させ、この状態で樹脂３２０を紫外線光の照射等によって硬化させる。樹脂３２０が硬化したのち、テンプレート２００を離型する。
【００１６】
これにより、基板Ｗ上に、テンプレート２００の凹凸パターン２１０の形状を反転した転写パターン３１０が形成される。なお、樹脂３２０には、光照射によって硬化する光硬化型樹脂のほか、加熱によって硬化する熱硬化型樹脂を利用してもよい。
【００１７】
テンプレート２００を用いたパターン転写では、基板Ｗを複数の転写領域に区分けして、転写領域ごとにテンプレート２００を用いて順番にパターン転写を行う。
図２は、転写領域を例示する模式的平面図である。
図２（ａ）では、基板Ｗの全体における転写領域Ｒを例示している。図２（ｂ）では、一つの転写領域Ｒを例示している。
【００１８】
図２（ａ）に表したように、基板Ｗには複数の転写領域Ｒが設定される。転写領域Ｒは、基板Ｗに対してマトリクス状に設けられている。ここで、一つの転写領域Ｒには複数の小領域ＳＲが含まれている。小領域ＳＲは、例えば一つのチップに対応している。パターン形成後、小領域ＳＲの単位で基板Ｗを切り出すことで、チップ型の製品が完成する。
【００１９】
図２（ｂ）に表した例では、一つの転写領域Ｒに、第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６の６つの小領域が含まれている。複数の転写領域Ｒにおいて、それぞれ第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６の配置は同じ（一定の並び順）である。
【００２０】
なお、小領域ＳＲの数や配置は図２（ｂ）に示すものに限定されない。実施形態では、説明の便宜上、図２（ｂ）に表した６つの第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６が同図に示す配置で設けられた場合を例とする。また、実施形態では、第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６を総称して、小領域ＳＲということにする。
【００２１】
第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６には、それぞれ同じパターンが転写される。すなわち、テンプレート２００による１回の転写によって、第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６にそれぞれ同じパターンが転写される。これにより、テンプレート２００を用いた１回の転写によって、複数チップに対応した領域にパターンを形成することができる。
【００２２】
次に、実施形態に係るパターン形成装置１１０の各部について説明する。
図１（ａ）に表した取得部１０は、基板Ｗに存在する欠陥部Ｄｆの検出情報を取得する。取得部１０には、測定部１５が含まれていてもよい。測定部１５を含む場合には、測定部１５において基板Ｗに存在する欠陥部Ｄｆを検出し、その検出情報を取得する。測定部１５を含まない場合には、外部の測定装置（例えば、表面検査装置）によって検出した欠陥部Ｄｆの検出情報を取得部１０によって取得する。
【００２３】
ここで、欠陥部Ｄｆとは、テンプレート２００によるパターン転写において、テンプレート２００を樹脂３２０に接触させた際に、テンプレート２００に影響を与える程度の凸部や凹部などのことをいう。欠陥部Ｄｆには、基板Ｗに付着したダストや、下地パターンの欠陥が含まれる。検出情報には、基板Ｗ上の欠陥部Ｄｆの位置（座標）及び大きさ（幅、高さ）の情報が含まれる。
【００２４】
分類部２０は、取得部１０で取得した検出情報から、複数の転写領域Ｒを、第１転写領域Ｒ１と、第２転写領域Ｒ２と、に分類する処理を行う。第１転写領域Ｒ１は、欠陥部Ｄｆが存在しない転写領域Ｒである。第２転写領域Ｒ２は、欠陥部Ｄｆが存在する転写領域Ｒである。
【００２５】
一例として、図２（ａ）に表した基板Ｗでは、複数の転写領域Ｒのうち、４つの転写領域Ｒ２に欠陥部Ｄｆが存在する。分類部２０は、検出情報に含まれる基板Ｗ上の欠陥部Ｄｆの位置（座標）から、どの転写領域Ｒに欠陥部Ｄｆが含まれているかを判断する。そして、欠陥部Ｄｆが存在しない転写領域Ｒを第１転写領域Ｒ１、欠陥部Ｄｆが存在する転写領域Ｒを第２転写領域Ｒ２として分類する。
なお、説明の便宜上、第１転写領域Ｒ１及び第２転写領域Ｒ２を区別しない場合には、これらを総称して、転写領域Ｒということにする。
【００２６】
集計部３０は、分類部２０で分類された複数の第２転写領域Ｒ２について、転写領域Ｒ内での小領域ＳＲの位置ごとに欠陥部Ｄｆの出現頻度を集計する処理を行う。すなわち、欠陥部Ｄｆが存在するとして分類された複数の第２転写領域Ｒ２について、第２転写領域Ｒ２に含まれる複数の小領域ＳＲごとに欠陥部Ｄｆが存在するか否かを調べる。あるいは、複数の小領域ＳＲのそれぞれに含まれる欠陥部Ｄｆの数を調べる。あるいは、第２転写領域Ｒ２に存在する欠陥部Ｄｆのそれぞれが、複数の小領域ＳＲのうちのいずれに属するかを調べてもよい。
【００２７】
例えば、図２（ａ）及び（ｂ）に表したように、欠陥部Ｄｆが存在する複数の第２領域Ｒ２のそれぞれについて、欠陥部Ｄｆが第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６のどの小領域ＳＲに存在するかを調べ、これを全ての第２領域Ｒ２について集計する。これにより、第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６のそれぞれの配置ごとに、欠陥部Ｄｆの存在の有無あるいは数が求められる。
【００２８】
転写部４０は、集計部３０で集計した結果に基づいて、複数の第２転写領域Ｒ２を区分けして、この区分けの順にテンプレート２００による転写を行う。すなわち、転写部４０は、まず、集計部３０で集計した結果に基づき、第２転写領域Ｒ２の小領域ＳＲのそれぞれの位置における欠陥部Ｄｆの出現頻度を調べる。そして、欠陥部Ｄｆの出現頻度が高い位置の小領域ＳＲに欠陥部Ｄｆが存在している第２転写領域Ｒ２の順に第２転写領域Ｒ２を区分けする。
具体的には、例えば、複数の第２転写領域Ｒ２の共通する第１の特定の位置の小領域ＳＲにおいて欠陥部Ｄｆの出現頻度が最も高い場合に、この特定の位置の小領域ＳＲに欠陥部Ｄｆが存在している第２転写領域Ｒ２を第１グループとする。
その次に、複数の第２転写領域Ｒ２の共通する第２の特定の位置の小領域ＳＲにおいて欠陥部Ｄｆの出現頻度が２番目に高い場合に、この第２の特定の位置の小領域ＳＲに欠陥部Ｄｆが存在している第２転写領域Ｒ２を第２グループとする。なお、既に第１グループに割り振られた第２転写領域は、第２グループには区分けされない。
以下、このように、複数の第２転写領域Ｒ２の共通する特定の位置の小領域ＳＲにおける欠陥部Ｄｆの出現頻度が高い順に、その特定の位置の小領域ＳＲに欠陥部Ｄｆが存在している第２転写領域Ｒ２をグループ分けする。
【００２９】
例えば、第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６の各配置について、欠陥部Ｄｆの多い順に並べ替え（データ上の並べ替え）を行う。そして、並べ替えた順（欠陥部Ｄｆの多い順）に、その小領域ＳＲに欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を区分けする。
そして、転写部４０は、第２転写領域Ｒ２の区分け順に、テンプレート２００を用いた凹凸パターン２１０の転写を行う。
【００３０】
実施形態に係るパターン形成装置１１０では、このように複数の第２転写領域Ｒ２への転写順を設定しているため、欠陥部Ｄｆによってテンプレート２００が破損等の影響を受けた場合でも、第２転写領域Ｒ２への転写の影響を最小限に抑制することができるようになる。
【００３１】
次に、実施形態に係るパターン形成方法の一例について説明する。
図３は、実施形態に係るパターン形成方法の流れを例示するフローチャートである。
実施形態に係るパターン形成方法は、例えば上記説明した実施形態に係るパターン形成装置１１０で行われる。
【００３２】
図３に表したように、実施形態に係るパターン形成方法は、検出情報を取得する工程（ステップＳ１０１）、第１転写領域または第２転写領域への分類を行う工程（ステップＳ１０２）、小領域ごとに欠陥部の数を集計する工程（ステップＳ１０３）及びパターンの転写を行う工程（ステップＳ１０４）を備える。
【００３３】
先ず、ステップＳ１０１では、基板Ｗに存在する欠陥部Ｄｆの検出情報を取得する。検出情報は、測定装置（例えば、表面検査装置）によって得た検出情報である。また、図１（ａ）に表したパターン形成装置１１０において、取得部１０に測定部１５が含まれる場合には、検出情報は、測定部１５で測定した情報である。
【００３４】
次に、ステップＳ１０２では、ステップＳ１０１で取得した検出情報から、複数の転写領域Ｒを、第１転写領域Ｒ１と、第２転写領域Ｒ２と、に分類する処理を行う。図１（ａ）に表したパターン形成装置１１０では、分類部２０によってステップＳ１０２の工程を実行する。
【００３５】
次に、ステップＳ１０３では、ステップＳ１０２で分類された複数の第２転写領域Ｒ２について、転写領域Ｒ内での小領域ＳＲの位置ごとに欠陥部Ｄｆの出現頻度を集計する処理を行う。図１（ａ）に表したパターン形成装置１１０では、集計部３０によってステップＳ１０３の工程を実行する。
【００３６】
次に、ステップＳ１０４では、ステップＳ１０３で集計した結果に基づいて第２転写領域Ｒ２にパターン転写を行う。すなわち、欠陥部Ｄｆの出現頻度の高い位置小領域ＳＲに欠陥部Ｄｆが存在している第２転写領域Ｒ２から先に、テンプレートによるパターン転写を行う。図１（ａ）に表したパターン形成装置１１０では、転写部４０によってステップＳ１０４の工程を実行する。
【００３７】
次に、実施形態に係るパターン形成装置１１０及びパターン形成方法によるパターン形成の具体例について、参考例と併せて説明する。
【００３８】
図４は、参考例を説明する図である。
図４（ａ）では、第２転写領域Ｒ２への転写順を例示している。図４（ｂ）では、図４（ａ）に例示した順に転写した場合の第２転写領域Ｒ２への影響の状態を例示している。
ここで、第２転写領域Ｒ２は、図２（ａ）に例示した基板Ｗの第２転写領域Ｒ２と同じ場合を例とする。
【００３９】
この例では、図４（ａ）に表した位置に欠陥部Ｄｆが存在している。すなわち、第２転写領域Ｒ２（Ａ）には、第１小領域ＳＲ１に欠陥部Ｄｆが存在する。第２転写領域Ｒ２（Ｂ）には、第６小領域ＳＲ６に欠陥部Ｄｆが存在する。第２転写領域Ｒ２（Ｃ）には、第４小領域ＳＲ４に欠陥部Ｄｆが存在する。第２転写領域Ｒ２（Ｄ）には、第１小領域ＳＲ１に欠陥部Ｄｆが存在する。
【００４０】
参考例では、先ず、図４（ｂ）に表した欠陥部Ｄｆの存在しない第１転写領域Ｒ１に、テンプレートを用いたパターンの転写を行う。パターン転写は、１つの第１転写領域Ｒ１ごとに、順番に行われる。すなわち、１つの第１転写領域Ｒ１について、図１（ｂ）に表した樹脂３２０の塗布、テンプレート２００の接触、樹脂３２０の硬化、及びテンプレート２００の離型、を１サイクルとして転写パターン３１０を形成する。１サイクルの処理が終了すると、隣りの第１転写領域Ｒ１について、同様な１サイクロの処理を繰り返す。
【００４１】
ここで、第１転写領域Ｒ１へのパターン転写を行うテンプレート２００として、第１テンプレート２００Ａを使用する。第１テンプレート２００Ａを用いたパターン転写は、第１転写領域Ｒ１についてのみ行われる。すなわち、転写領域Ｒごと順番にパターン転写を行う途中で第２転写領域Ｒ２に差し掛かった場合には、第２転写領域Ｒ２を抜かして第１転写領域Ｒ１にパターン転写を行う。第１転写領域Ｒ１には欠陥部Ｄｆが存在しないため、同じ第１テンプレート２００Ａを繰り返し用いて、良好なパターン転写を行うことができる。
【００４２】
全ての第１転写領域Ｒ１に対してパターン転写を行ったのちは、第１テンプレート２００Ａとは別な第２テンプレート２００Ｂを用意して、第２転写領域Ｒ２へのパターン転写を行う。第２テンプレート２００Ｂには、第１テンプレート２００Ａと同じ凹凸パターンが設けられている。図４に表した参考例では、第１転写領域Ｒ１へのパターン転写の際に抜かした順、すなわち、第２転写領域Ｒ２（Ａ）、Ｒ２（Ｂ）、Ｒ２（Ｃ）、Ｒ２（Ｄ）の順にパターン転写を行う。
【００４３】
図４（ｂ）には、上記の順にパターンを転写を行った場合の欠陥の発生状況が例示されている。先ず、第２転写領域Ｒ２（Ａ）について第２テンプレート２００Ｂを用いたパターン転写を行う。このパターン転写では、第２転写領域Ｒ２（Ａ）の第１小領域ＳＲ１に存在する欠陥部Ｄｆの影響によって、第１小領域ＳＲ１には良好なパターンが転写されない。すなわち、この第２転写領域Ｒ２（Ａ）では、第１小領域ＳＲ１に対応したチップが不良チップになる。図４（ｂ）において、不良チップは、ハッチングで示されている。このパターン転写によって第２転写領域Ｒ２（Ａ）内に発生する不良チップの数は１つである。
【００４４】
第２転写領域Ｒ２（Ａ）へのパターン転写によって、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１の位置に対応した凹凸パターン２１０に損傷等の影響が発生する。例えば、欠陥部Ｄｆの接触によって第２テンプレート２００Ｂの凹凸パターン２１０に欠損が発生する。
【００４５】
次に、第２転写領域Ｒ２（Ｂ）について第２テンプレート２００Ｂを用いたパターン転写を行う。このパターン転写では、第２転写領域Ｒ２（Ｂ）の第６小領域ＳＲ６に存在する欠陥部Ｄｆの影響によって、第６小領域ＳＲ６には良好なパターンが転写されない。
【００４６】
さらに、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１に対応した凹凸パターン２１０には、先のパターン転写の際に損傷等の影響が発生している。したがって、この影響が第２転写領域Ｒ２（Ｂ）の第１小領域ＳＲ１にも及ぶことになる。
【００４７】
これにより、第２転写領域Ｒ２（Ｂ）では、第１小領域ＳＲ１及び第６小領域ＳＲ６に対応したチップが不良チップになる。このパターン転写によって第２転写領域Ｒ２（Ｂ）内に発生する不良チップの数は２つである。
【００４８】
第２転写領域Ｒ２（Ｂ）へのパターン転写によって、第２テンプレート２００Ｂの第６小領域ＳＲ６に対応した凹凸パターン２１０に、新たな損傷等の影響が発生することになる。
【００４９】
次に、第２転写領域Ｒ２（Ｃ）について第２テンプレート２００Ｂを用いたパターン転写を行う。このパターン転写では、第２転写領域Ｒ２（Ｃ）の第４小領域ＳＲ４に存在する欠陥部Ｄｆの影響によって、第４小領域ＳＲ４には良好なパターンが転写されない。
【００５０】
さらに、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１及び第６小領域ＳＲ６に対応した凹凸パターン２１０には、先のパターン転写の際に損傷等の影響が発生している。したがって、この影響が第２転写領域Ｒ２（Ｃ）の第１小領域ＳＲ１及び第６小領域ＳＲ６にも及ぶことになる。
【００５１】
これにより、第２転写領域Ｒ２（Ｃ）では、第１小領域ＳＲ１、第４小領域ＳＲ４及び第６小領域ＳＲ６に対応したチップが不良チップになる。このパターン転写によって第２転写領域Ｒ２（Ｃ）内に発生する不良チップの数は３つである。
【００５２】
第２転写領域Ｒ２（Ｃ）へのパターン転写によって、第２テンプレート２００Ｂの第４小領域ＳＲ４に対応した凹凸パターン２１０に、新たな損傷等の影響が発生することになる。
【００５３】
次に、第２転写領域Ｒ２（Ｄ）について第２テンプレート２００Ｂを用いたパターン転写を行う。このパターン転写では、第２転写領域Ｒ２（Ｄ）の第１小領域ＳＲ１に存在する欠陥部Ｄｆの影響によって、第１小領域ＳＲ１には良好なパターンが転写されない。
【００５４】
さらに、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１、第４小領域ＳＲ４及び第６小領域ＳＲ６に対応した凹凸パターン２１０には、先のパターン転写の際に損傷等の影響が発生している。したがって、この影響が第２転写領域Ｒ２（Ｄ）の第１小領域ＳＲ１、第４小領域ＳＲ４及び第６小領域ＳＲ６にも及ぶことになる。
【００５５】
これにより、第２転写領域Ｒ２（Ｄ）では、第１小領域ＳＲ１、第４小領域ＳＲ４及び第６小領域ＳＲ６に対応したチップが不良チップになる。
【００５６】
なお、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１に対応した位置の凹凸パターン２１０は既に損傷等の影響を受けている。したがって、このパターン転写によって第２転写領域Ｒ２（Ｄ）内に発生する不良チップの数は３つである。
【００５７】
図４（ｂ）に表したように、第２転写領域Ｒ２（Ａ）、Ｒ２（Ｂ）、Ｒ２（Ｃ）、Ｒ２（Ｄ）の順にパターン転写を行うと、第２テンプレート２００Ｂに生じた損傷等の影響が、その後のパターン転写に累積され、基板Ｗの全体では、合計９つの小領域ＳＲに対応したチップが不良チップになる。
【００５８】
図５は、実施形態に係るパターン転写順の例を説明する図である。
図５（ａ）では、実施形態に係る第２転写領域Ｒ２への転写順を例示している。図５（ｂ）では、図５（ａ）に例示した順に転写した場合の第２転写領域Ｒ２への影響の状態を例示している。
先に説明した参考例と同様に、第２転写領域Ｒ２は、図２（ａ）に例示した基板Ｗの第２転写領域Ｒ２と同じ場合を例とする。
【００５９】
実施形態では、先ず、複数の第２転写領域Ｒ２（Ａ）〜Ｒ２（Ｄ）について、集計部３０は、小領域ＳＲの配置ごとに欠陥部Ｄｆの数を集計する。図５に表した例では、４つの第２転写領域Ｒ２（Ａ）〜Ｒ２（Ｄ）について、第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６のそれぞれの配置ごとに欠陥部Ｄｆの有無や数を調べる。図５に表した例では、第１小領域ＳＲ１に２つの欠陥部Ｄｆが存在し、第４小領域ＳＲ４に１つの欠陥部Ｄｆが存在し、第６小領域ＳＲ６に１つの欠陥部Ｄｆが存在する。ここで、特定の一つの第２転写領域Ｒ２において、一つの小領域ＳＲ内に複数の欠陥部Ｄｆが存在する場合であっても、その小領域ＳＲの配置については、１つの欠陥部Ｄｆが存在するものとして集計する。
【００６０】
次に、集計した結果に基づいて、転写部４０は、第２転写領域Ｒ２（Ａ）〜Ｒ２（Ｄ）を区分けする。すなわち、転写部４０は、第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６の配置について、存在する欠陥部Ｄｆの数の多い順にデータ上の並べ替えを行う。図５に表した例では、第１小領域ＳＲ１に存在する欠陥部Ｄｆの数が最も多く、次に、第４小領域ＳＲ４及び第６小領域ＳＲ６に存在する欠陥部Ｄｆの数が多い。
【００６１】
次に、転写部４０は、欠陥部Ｄｆの数の多い小領域ＳＲの配置の順に、第２転写領域Ｒ２を区分けする。例えば、転写部４０は、欠陥部Ｄｆが存在する小領域ＳＲの数に応じた複数のグループを設定し、第２転写領域Ｒ２をいずれかのグループに区分けする。
【００６２】
図５に表した例では、欠陥部Ｄｆが存在する小領域ＳＲの数は３つである（第１小領域ＳＲ１、第４小領域ＳＲ４及び第６小領域ＳＲ６）。したがって、３つのグループ（第１〜第３グループ）を設定する。
【００６３】
転写部４０は、先ず、欠陥部Ｄｆの数が最も多い第１小領域ＳＲ１に関して区分けを行う。すなわち、第１小領域ＳＲ１に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２（Ａ）及びＲ２（Ｄ）を第１グループに区分けにする。転写部４０は、欠陥部Ｄｆが数が第１小領域ＳＲ１の次に多い第４小領域ＳＲ４及び第６小領域ＳＲ６に関して区分けを行う。すなわち、第４小領域ＳＲ４に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２（Ｃ）を第２グループに区分けし、第６小領域ＳＲ６に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２（Ｂ）を第３グループに区分けする。
【００６４】
第２転写領域Ｒ２を区分けしたのち、転写部４０は、先ず、図５（ｂ）に表した欠陥部Ｄｆの存在しない第１転写領域Ｒ１に、第１テンプレート２００Ａを用いたパターンの転写を行う。全ての第１転写領域Ｒ１に対してパターン転写を行ったのちは、第１テンプレート２００Ａと同じ凹凸パターン２１０を有する別な第２テンプレート２００Ｂを用意する。
【００６５】
そして、転写部４０は、第１グループ〜第３グループの順に区分けした第２転写領域Ｒ２について第２テンプレート２００Ｂを用いたパターン転写を行う。転写部４０は、先ず、第１グループに区分けした第２転写領域Ｒ２のうち、第２転写領域Ｒ２（Ａ）及びＲ２（Ｄ）について順番にパターン転写を行う。
【００６６】
第２転写領域Ｒ２（Ａ）へのパターン転写では、第２転写領域Ｒ２（Ａ）の第１小領域ＳＲ１に存在する欠陥部Ｄｆの影響によって、第１小領域ＳＲ１には良好なパターンが転写されない。すなわち、この第２転写領域Ｒ２（Ａ）では、第１小領域ＳＲ１に対応したチップが不良チップになる。図５（ｂ）において、不良チップは、ハッチングで示されている。このパターン転写によって第２転写領域Ｒ２（Ａ）内に発生する不良チップの数は１つである。
【００６７】
第２転写領域Ｒ２（Ａ）へのパターン転写によって、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１に対応した凹凸パターン２１０に損傷等の影響が発生する。
【００６８】
次に、第２転写領域Ｒ２（Ｄ）について第２テンプレート２００Ｂを用いたパターン転写を行う。このパターン転写では、第２転写領域Ｒ２（Ｄ）の第１小領域ＳＲ１に存在する欠陥部Ｄｆの影響によって、第１小領域ＳＲ１には良好なパターンが転写されない。
【００６９】
ここで、第１グループに区分けされた第２転写領域Ｒ２（Ａ）及びＲ２（Ｄ）では、欠陥部Ｄｆの存在する小領域ＳＲが共通する。したがって、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１に対応した位置の凹凸パターン２１０は重畳的に損傷等の影響を受けるものの、他の小領域ＳＲに対応した位置の凹凸パターン２１０は影響を受けない。これにより、第２転写領域Ｒ２（Ｄ）についてのパターン転写では、第１小領域ＳＲ１以外に不良チップは発生しない。
【００７０】
次に、転写部４０は、第２グループに区分けした第２転写領域Ｒ２（Ｃ）についてパターン転写を行う。第２転写領域Ｒ２（Ｃ）へのパターン転写では、第２転写領域Ｒ２（Ｃ）の第４小領域ＳＲ４に存在する欠陥部Ｄｆの影響によって、第４小領域ＳＲ４には良好なパターンが転写されない。
【００７１】
さらに、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１に対応した凹凸パターン２１０には、先のパターン転写の際に損傷等の影響が発生している。したがって、この影響が第２転写領域Ｒ２（Ｃ）の第１小領域ＳＲ１にも及ぶことになる。これにより、第２転写領域Ｒ２（Ｃ）では、第１小領域ＳＲ１及び第４小領域ＳＲ４に対応したチップが不良チップになる。このパターン転写によって第２転写領域Ｒ２（Ｃ）内に発生する不良チップの数は２つである。
【００７２】
第２転写領域Ｒ２（Ｃ）へのパターン転写によって、第２テンプレート２００Ｂの第４小領域ＳＲ４に対応した凹凸パターン２１０に損傷等の影響が発生する。
【００７３】
次に、転写部４０は、第３グループに区分けした第２転写領域Ｒ２（Ｂ）についてパターン転写を行う。第２転写領域Ｒ２（Ｂ）へのパターン転写では、第２転写領域Ｒ２（Ｂ）の第６小領域ＳＲ６に存在する欠陥部Ｄｆの影響によって、第６小領域ＳＲ６には良好なパターンが転写されない。
【００７４】
さらに、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１及び第４小領域ＳＲ４に対応した凹凸パターン２１０には、先のパターン転写の際に損傷等の影響が発生している。したがって、この影響が第２転写領域Ｒ２（Ｂ）の第１小領域ＳＲ１及び第４小領域ＳＲ４にも及ぶことになる。
【００７５】
これにより、第２転写領域Ｒ２（Ｂ）では、第１小領域ＳＲ１、第４小領域ＳＲ４及び第６小領域ＳＲ６に対応したチップが不良チップになる。このパターン転写によって第２転写領域Ｒ２（Ｂ）内に発生する不良チップの数は３つである。
【００７６】
図５（ｂ）に表したように、第１グループ〜第３グループの順に第２転写領域Ｒ２へパターン転写を行うと、基板Ｗの全体では、合計７つの小領域ＳＲに対応したチップが不良チップになる。
【００７７】
先に説明した参考例では、基板Ｗの全体で合計９つの小領域ＳＲに対応したチップが不良になっている。これに対し、実施形態では、参考例よりも不良チップ数を２チップ分減らすことができる。つまり、第２転写領域Ｒ２への転写順を入れ替えることによって、良品チップの歩留まりを向上できることになる。
【００７８】
次に、複数枚の基板に対してテンプレート２００によるパターン転写を行う場合の例を説明する。
図６〜図１２は、複数枚の基板にパターンを形成する具体例を説明する模式図である。
図６には、本具体例においてパターンの転写対象になっている基板Ｗ１〜Ｗ２５が示されている。本具体例では、１ロットに含まれる２５枚の基板Ｗ１〜Ｗ２５を転写対象にしている。各基板Ｗ１〜Ｗ２５のそれぞれには、図２に表した基板Ｗと同様な転写領域Ｒ及び小領域ＳＲが設定されているものとする。基板Ｗ１〜Ｗ２５には、それぞれ欠陥部Ｄｆが発生している。
【００７９】
取得部１０は、各基板Ｗ１〜Ｗ２５における欠陥部Ｄｆの検出情報を取得する。検出情報には、基板Ｗ１〜Ｗ２５ごとの欠陥部Ｄｆの位置（座標）の情報が含まれる。
分類部２０は、取得部１０で取得した検出情報から、各基板Ｗ１〜Ｗ２５の各転写領域Ｒを、第１転写領域Ｒ１と、第２転写領域Ｒ２と、に分類する。
集計部３０は、分類部２０で分類された複数の第２転写領域Ｒ２について、小領域ＳＲの位置ごとに欠陥部Ｄｆの出現頻度を集計する。
【００８０】
図７は、小領域の配置ごとに欠陥部の数を集計した例を示す図である。
本具体例において、集計部３０は、図６に表した複数の基板Ｗ１〜Ｗ２５における複数の第２転写領域Ｒ２について、第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６の配置ごとに欠陥部Ｄｆの出現頻度を集計する。
【００８１】
図７に表した一例では、第１小領域ＳＲ１には１０個の欠陥部Ｄｆが存在し、第２小領域ＳＲ２には４個の欠陥部Ｄｆが存在し、第３小領域ＳＲ３には５個の欠陥部Ｄｆが存在し、第４小領域ＳＲ４には３個の欠陥部Ｄｆが存在し、第５小領域ＳＲ５には２個の欠陥部Ｄｆが存在し、第６小領域ＳＲ６には欠陥部Ｄｆが存在しない。
【００８２】
転写部４０は、図７に表したように、集計部３０で集計した結果に基づいて、欠陥部Ｄｆの出現頻度の高い小領域ＳＲの位置の順に、第２転写領域Ｒ２を区分けする。先ず、転写部４０は、欠陥部Ｄｆが存在する小領域ＳＲの数に応じたグループを設定する。図７に表した例では、欠陥部Ｄｆの存在する小領域ＳＲの数が５つであるため、５つのグループ（第１〜第５グループ）を設定する。転写部４０は、欠陥部Ｄｆの存在する数が多い小領域ＳＲの位置の順に、第２転写領域Ｒ２をいずれかのグループに区分けする。
【００８３】
本具体例では、欠陥部Ｄｆの存在する数の多い順は、第１小領域ＳＲ１、第３小領域ＳＲ３、第２小領域ＳＲ２、第４小領域ＳＲ４、第５小領域ＳＲ５の順である。転写部４０は、この順に対応した小領域ＳＲに欠陥部Ｄｆが存在している第２転写領域Ｒ２を第１グループ〜第５グループに区分けする。
【００８４】
図８〜図１２は、区分けの具体例を示す模式図である。
図８は、第１グループへの区分けを例示している。図９は、第２グループへの区分けを例示している。図１０は、第３グループへの区分けを例示している。図１１は、第４グループへの区分けを例示している。図１２は、第５グループへの区分けを例示している。
【００８５】
転写部４０は、先ず、図８に表したように、欠陥部Ｄｆの存在する数の最も多い第１小領域ＳＲ１に関して、第１グループへの区分けを行う。すなわち、転写部４０は、第１小領域ＳＲ１に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を、第１グループに区分けする。転写部４０は、図８（ａ）に表したように、第１小領域ＳＲ１にのみ欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を第１グループに区分けする。
【００８６】
ここで、図８（ｂ）に表したように、第１小領域ＳＲ１以外に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２、及び第１小領域ＳＲ１に欠陥部Ｄｆが存在するが、他の小領域ＳＲにも欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２は、第１グループには区分けしない。
【００８７】
次に、転写部４０は、図９に表したように、第１小領域ＳＲ１の次に欠陥部Ｄｆの存在する数の多い第３小領域ＳＲ３に関して、第２グループへの区分けを行う。すなわち、転写部４０は、第３小領域ＳＲ３に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を、第２グループに区分けする。
【００８８】
転写部４０は、図９（ａ）に表したように、第３小領域ＳＲ３にのみ欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を第２グループに区分けする。また、転写部４０は、第３小領域ＳＲ３に欠陥部Ｄｆが存在し、第２グループよりも前のグループへの区分けに関する小領域ＳＲ（本具体例では、第１小領域ＳＲ１）に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２についても、第２グループに区分けする。
【００８９】
ここで、図９（ｂ）に表したように、第３小領域ＳＲ３以外に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２、及び第３小領域ＳＲ３に欠陥部Ｄｆが存在するが、前のグループへの区分けに関する小領域ＳＲ以外の小領域ＳＲにも欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２は、第２グループには区分けしない。
【００９０】
次に、転写部４０は、図１０に表したように、第３小領域ＳＲ３の次に欠陥部Ｄｆの存在する数の多い第２小領域ＳＲ２に関して、第３グループへの区分けを行う。すなわち、転写部４０は、第２小領域ＳＲ２に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を、第３グループに区分けする。
【００９１】
転写部４０は、図１０（ａ）に表したように、第２小領域ＳＲ２にのみ欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を第３グループに区分けする。また、転写部４０は、第２小領域ＳＲ２に欠陥部Ｄｆが存在し、第３グループよりも前のグループへの区分けに関する小領域ＳＲ（本具体例では、第１小領域ＳＲ１及び第３小領域ＳＲ３）に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２についても、第３グループに区分けする。
【００９２】
ここで、図１０（ｂ）に表したように、第２小領域ＳＲ２以外に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２、及び第２小領域ＳＲ２に欠陥部Ｄｆが存在するが、前のグループへの区分けに関する小領域ＳＲ以外の小領域ＳＲにも欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２は、第３グループには区分けしない。
【００９３】
次に、転写部４０は、図１１に表したように、第２小領域ＳＲ２の次に欠陥部Ｄｆの存在する数の多い第４小領域ＳＲ４に関して、第４グループへの区分けを行う。すなわち、転写部４０は、第４小領域ＳＲ４に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を、第４グループに区分けする。
【００９４】
転写部４０は、図１１（ａ）に表したように、第４小領域ＳＲ４にのみ欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を第４グループに区分けする。また、転写部４０は、第４小領域ＳＲ４に欠陥部Ｄｆが存在し、第４グループよりも前のグループへの区分けに関する小領域ＳＲ（本具体例では、第１小領域ＳＲ１、第３小領域ＳＲ３及び第２小領域ＳＲ２）に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２についても、第４グループに区分けする。
【００９５】
ここで、図１１（ｂ）に表したように、第４小領域ＳＲ４以外に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２、及び第４小領域ＳＲ４に欠陥部Ｄｆが存在するが、前のグループへの区分けに関する小領域ＳＲ以外の小領域ＳＲにも欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２は、第４グループには区分けしない。
【００９６】
次に、転写部４０は、図１２に表したように、第４小領域ＳＲ４の次に欠陥部Ｄｆの存在する数の多い第５小領域ＳＲ５に関して、第５グループへの区分けを行う。すなわち、転写部４０は、第５小領域ＳＲ５に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を、第５グループに区分けする。
【００９７】
転写部４０は、第５小領域ＳＲ５にのみ欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を第５グループに区分けする。また、転写部４０は、第５小領域ＳＲ５に欠陥部Ｄｆが存在し、第５グループよりも前のグループへの区分けに関する小領域ＳＲ（本具体例では、第１小領域ＳＲ１、第３小領域ＳＲ３、第２小領域ＳＲ２及び第４小領域ＳＲ４）に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２についても第５グループに区分けする。
【００９８】
第５グループは最後のグループであるため、第１〜第４グループに区分けされなかった第２転写領域Ｒ２が第５グループに区分けされることになる。
【００９９】
上記のような区分けを行ったのち、転写部４０は、図６に表した各基板Ｗ１〜Ｗ２５の欠陥部Ｄｆが存在しない第１転写領域Ｒ１に、第１テンプレート２００Ａを用いたパターンの転写を行う。全ての第１転写領域Ｒ１に対してパターン転写を行ったのちは、第１テンプレート２００Ａと同じ凹凸パターン２１０を有する別な第２テンプレート２００Ｂを用意する。
【０１００】
そして、転写部４０は、第１グループ〜第５グループの順に区分けした第２転写領域Ｒ２について第２テンプレート２００Ｂを用いたパターン転写を行う。ここで、同じグループに区分けされた複数の第２転写領域Ｒ２については、その第２転写領域Ｒ２が属する基板Ｗ１〜Ｗ２５ごとにパターン転写を行う。例えば、第１グループに区分けされた第２転写領域Ｒ２を多く含む基板の順にパターン転写を行う。これにより、異なる基板Ｗ１〜Ｗ２５に対して効率良くパターン転写を行うことができるようになる。
【０１０１】
このように、第１グループ〜第５グループの順に区分けした第２転写領域Ｒ２について第２テンプレート２００Ｂを用いたパターン転写を行うことにより、複数の基板Ｗ１〜Ｗ２５について、第２テンプレート２００Ｂによる不良パターンがチップ間に累積的に拡散していくことを最小限に抑制して、良品チップの歩留まりを向上できるようになる。
【０１０２】
なお、上記説明したパターン形成方法では、第１転写領域Ｒ１へのパターン転写を行ったのちに、第２転写領域Ｒ２へのパターン転写を行っているが、反対に、第２転写領域Ｒ２へのパターン転写を行ったのちに、第１転写領域Ｒ１へのパターン転写を行うようにしてもよい。
【０１０３】
また、上記説明したパターン形成方法では、第１転写領域Ｒ１に対して第１テンプレート２００Ａを用い、第２転写領域Ｒ２に対して第２テンプレート２００Ｂを用いる例を示したが、第２転写領域Ｒ２に対して第１テンプレート２００Ａを用いるようにしてもよい。この場合、第１テンプレート２００Ａを用いて先に第１転写領域Ｒ１に対するパターン転写を行い、そのあとで、同じ第１テンプレート２００Ａを用いて第２転写領域Ｒ２に対するパターン転写を行うようにすればよい。
【０１０４】
（第２の実施形態）
次に、実施形態に係るパターン形成用プログラムの例を説明する。
図１３は、実施形態に係るプログラムが実行されるコンピュータを説明する図である。
すなわち、図１３（ａ）は、コンピュータの構成例を示すブロック図である。
図１３（ｂ）は、実施形態に係るテンプレートの製造プログラムの機能を説明するブロック図である。
図１４は、実施形態に係るプログラムの処理の流れを例示するフローチャートである。
【０１０５】
図１３（ａ）に表したように、コンピュータ８００は、中央演算部８０１、記憶部８０２、入力部８０３及び出力部８０４を備える。中央演算部８０１は、実施形態に係るパターン形成用プログラムを実行する部分である。記憶部８０２は、実行するパターン形成用プログラム等の情報を一時格納するＲＡＭ（Random Access Memory）のほか、ＲＯＭ（Read Only Memory）や、ＨＤＤ（Hard disk drive）、半導体メモリドライブ等の記憶装置を含む。
【０１０６】
入力部８０３は、キーボード、ポインティングデバイスのほか、ネットワーク等を介した外部の機器から情報を入力するインタフェースを含む。出力部８０４は、ディスプレイのほか、外部の機器へ情報を出力するインタフェースを含む。
【０１０７】
図１３（ｂ）に表したように、実施形態に係るテンプレートの製造プログラム９００は、コンピュータ８００（図１３（ａ）参照）を、取得手段９０１、分類手段９０２、集計手段９０３及び決定手段９０４として機能させるものである。
【０１０８】
取得手段９０１は、基板Ｗに存在する欠陥部Ｄｆの検出情報を取得する処理を行う（図１４のステップＳ２０１）。すなわち、取得手段９０１は、外部の装置から基板Ｗの欠陥部Ｄｆの検出情報ＤＴ１をコンピュータ８００に取り込む処理を行う。
【０１０９】
具体的には、取得手段９０１は、コンピュータ８００の入力部８０３を用いて検出情報ＤＴ１を中央演算部８０１に取り込む。検出情報ＤＴ１は、必要に応じて記憶部８０２に記憶される。
【０１１０】
分類手段９０２は、取得手段９０１で取得した検出情報ＤＴ１から、複数の転写領域Ｒを、第１転写領域Ｒ１と、第２転写領域Ｒ２と、に分類する処理を行う（図１４のステップＳ２０２）。
【０１１１】
具体的には、分類手段９０２は、コンピュータ８００の中央演算部８０１によって、検出情報ＤＴ１に含まれる欠陥部Ｄｆの位置情報（座標情報）から、欠陥部Ｄｆが存在する転写領域Ｒに第２転写領域Ｒ２のフラグを付する。一方、欠陥部Ｄｆが存在しない転写領域Ｒには第１転写領域Ｒ１のフラグを付する。
【０１１２】
集計手段９０３は、分類手段９０２で分類された複数の第２転写領域Ｒ２について、小領域ＳＲの位置ごとに欠陥部Ｄｆの出現頻度を集計する処理を行う（図１４のステップＳ２０３）。
【０１１３】
具体的には、集計手段９０３は、コンピュータ８００の中央演算部８０１によって、複数の第２転写領域Ｒ２について、小領域ＳＲの位置ごとに欠陥部Ｄｆの存在の有無あるいは数を集計する。
【０１１４】
決定手段９０４は、集計手段９０３で集計した結果に基づき、欠陥部Ｄｆの出現頻度の高い位置の小領域ＳＲに欠陥部Ｄｆが存在している第２転写領域Ｒ２から先に、テンプレートによる転写を行う転写順を決定する処理を行う（図１４のステップＳ２０４）。
【０１１５】
具体的には、決定手段９０４は、コンピュータ８００の中央演算部８０１によって、欠陥部Ｄｆの多い小領域ＳＲの配置の順に、この小領域ＳＲを含む第２転写領域Ｒ２に順番を付する。そして、第２転写領域Ｒ２の転写順の情報を、演算結果ＴＰ１として出力する。なお、演算結果ＴＰ１には、第１転写領域Ｒ１の転写順の情報が含まれていてもよい。
【０１１６】
決定手段９０４による演算結果ＴＰ１は、コンピュータ８００の出力部８０４から所定のデータ形式で出力される。そして、演算結果ＴＰ１は、外部の製造装置ＭＣへ送られる。
【０１１７】
製造装置ＭＣは、演算結果ＴＰ１を用いて第２転写領域Ｒ２に順次パターンを転写していく。また、演算結果ＴＰ１に第１転写領域Ｒ１の転写順の情報が含まれている場合には、この転写順に沿って第１転写領域Ｒ１に順次パターンを転写していく。これにより、歩留まり良く基板Ｗにパターンを形成できるようになる。
【０１１８】
実施形態に係るパターン形成用プログラムは、上記のようにコンピュータで実行される態様により実施可能である。その他、実施形態に係るパターン形成用プログラムは、所定の記憶媒体に記憶される態様でも実施可能である。また、実施形態に係るパターン形成用プログラムは、ネットワークを介して配信される態様でも実施可能である。
【０１１９】
以上説明したように、実施形態によれば、より多くの良好なパターンを形成することができるパターン形成装置、パターン形成方法及びパターン形成用プログラムを提供することができる。
【０１２０】
なお、上記に本実施の形態およびその変形例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、前述の各実施の形態またはその変形例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施の形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。
【０１２１】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１２２】
１０…取得部、１５…測定部、２０…分類部、３０…集計部、４０…転写部、１１０…パターン形成装置、２００…テンプレート、２００Ａ…第１テンプレート、２００Ｂ…第２テンプレート、８００…コンピュータ、８０１…中央演算部、８０２…記憶部、８０３…入力部、８０４…出力部、９００…製造プログラム、９０１…取得手段、９０２…分類手段、９０３…集計手段、９０４…決定手段、ＤＴ１…検出情報、Ｄｆ…欠陥部、ＭＣ…製造装置、Ｒ…転写領域、Ｒ１…第１転写領域、Ｒ２…第２転写領域、ＳＲ…小領域、Ｗ…基板
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターン形成装置、パターン形成方法及びパターン形成用プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
凹凸パターンが形成されたテンプレートを用いてパターンを転写する、いわゆるインプリント法では、基板上に滴下した樹脂にテンプレートを接触させ、この状態で樹脂に紫外線光等を照射して硬化させる。その後、テンプレートを離型することによって、テンプレートの凹凸パターンの形状を樹脂に転写している。
【０００３】
このようなテンプレートを用いたパターンの形成においては、テンプレートを繰り返し利用することによって、製造工程の簡素化及び製造コストの低減を図ることができる。一方、基板上に異物や欠陥が存在すると、テンプレートを接触させた際にテンプレートに破損等の影響を与える可能性がある。破損したテンプレートを使用すると、その破損部分がパターンに転写されてしまう。
【０００４】
そこで、予め基板表面の欠陥検査を行い、欠陥のない部分について先にテンプレートによるパターン転写を行う。一方、欠陥のある部分には、別なテンプレートを用いてパターン転写を行う。これらのテンプレートには同じデザインの凹凸パターンが設けられている。これにより、基板全体でのパターンの被覆率の均一化を図る。
このようなテンプレートを用いたパターンの形成においては、さらなる歩留まりの向上が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−０６９７６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、より多くの良好なパターンを形成することができるパターン形成装置、パターン形成方法及びパターン形成用プログラムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係るパターン形成装置は、複数の小領域を含む転写領域を単位として、テンプレートに形成されたパターンを、基板上の複数の転写領域に順次転写するパターン形成装置であって、取得部と、分類部と、集計部と、転写部と、を備える。取得部は、基板に存在する欠陥部の検出情報を取得する。分類部は、取得部で取得した検出情報から、複数の転写領域を、欠陥部が存在しない第１転写領域と、欠陥部が存在する第２転写領域と、に分類する。集計部は、第２転写領域について、転写領域内での小領域の位置ごとに欠陥部の出現頻度を集計する。転写部は、集計部で集計した結果に基づき、欠陥部の出現頻度の高い位置の小領域に欠陥部が存在している第２転写領域から先に、テンプレートによる転写を行う。
【０００８】
また、他の実施形態に係るパターン形成方法は、複数の小領域を含む転写領域を単位として、テンプレートに形成されたパターンを、基板上の複数の前記転写領域に順次転写するパターン形成方法である。
このパターン形成方法は、前記基板に存在する欠陥部の検出情報を取得する工程と、前記取得した前記検出情報から、前記複数の転写領域を、前記欠陥部が存在しない第１転写領域と、前記欠陥部が存在する第２転写領域と、に分類する工程と、複数の前記第２転写領域について、前記転写領域内での前記小領域の位置ごとに前記欠陥部の出現頻度を集計する工程と、前記集計した結果に基づき、前記欠陥部の出現頻度の高い位置の前記小領域に前記欠陥部が存在している前記第２転写領域から先に、前記テンプレートによる転写を行う工程と、を備える。
【０００９】
また、他の実施形態に係るパターン形成用プログラムは、複数の小領域を含む転写領域を単位として、テンプレートに形成されたパターンを、基板上の複数の前記転写領域に順次転写するためのパターン形成用プログラムである。このパターン形成用プログラムは、コンピュータを、前記基板に存在する欠陥部の検出情報を取得する取得手段、前記取得手段で取得した前記検出情報から、前記複数の転写領域を、前記欠陥部が存在しない第１転写領域と、前記欠陥部が存在する第２転写領域と、に分類する分類手段、前記分類手段で分類された複数の前記第２転写領域について、前記転写領域内での前記小領域の位置ごとに前記欠陥部の出現頻度を集計する集計手段、前記集計手段で集計した結果に基づき、前記欠陥部の出現頻度の高い前記小領域に前記欠陥部が存在している前記第２転写領域から先に、前記テンプレートによる転写を行う転写順を決定する決定手段、として機能させる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態に係るパターン形成装置の構成を例示する図である。
【図２】転写領域を例示する模式的平面図である。
【図３】実施形態に係るパターン形成方法の流れを例示するフローチャートである。
【図４】参考例を説明する図である。
【図５】実施形態に係るパターン転写順の例を説明する図である。
【図６】複数枚の基板にパターンを形成する具体例を説明する模式図である。
【図７】小領域の配置ごとに欠陥部の数を集計した例を示す図である。
【図８】区分けの具体例を示す模式図である。
【図９】区分けの具体例を示す模式図である。
【図１０】区分けの具体例を示す模式図である。
【図１１】区分けの具体例を示す模式図である。
【図１２】区分けの具体例を示す模式図である。
【図１３】実施形態に係るプログラムが実行されるコンピュータを説明する図である。
【図１４】実施形態に係るプログラムの処理の流れを例示するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００１２】
（第１の実施形態）
先ず、実施形態に係るパターン形成装置の一例について説明する。
図１は、実施形態に係るパターン形成装置の構成を例示する図である。
図１（ａ）は、パターン形成装置の構成を例示するブロック図である。図１（ｂ）は、転写部でのパターン転写の状態を例示する模式図である。
【００１３】
図１（ａ）及び（ｂ）に表したように、実施形態に係るパターン形成装置１１０は、テンプレート２００に形成された凹凸パターン２１０を、ウェーハ等の基板Ｗ上に転写する装置である。パターン形成装置１１０は、第１テンプレート２００Ａ及び第２テンプレート２００Ｂを用いてパターン転写を行う。実施形態では、第１テンプレート２００Ａ及び第２テンプレート２００Ｂを総称して、テンプレート２００ということにする。
実施形態に係るパターン形成装置１１０は、取得部１０と、分類部２０と、集計部３０と、転写部４０と、を備えている。
【００１４】
ここで、転写部４０によるパターン転写方法の一例を説明する。
図１（ｂ）に表したように、転写部４０は、テンプレート２００に設けられた凹凸パターン２１０の形状を基板Ｗ上に転写する。先ず、基板Ｗ上に樹脂３２０を塗布する。
【００１５】
その後、テンプレート２００の凹凸パターン２１０を樹脂３２０に接触させ、この状態で樹脂３２０を紫外線光の照射等によって硬化させる。樹脂３２０が硬化したのち、テンプレート２００を離型する。
【００１６】
これにより、基板Ｗ上に、テンプレート２００の凹凸パターン２１０の形状を反転した転写パターン３１０が形成される。なお、樹脂３２０には、光照射によって硬化する光硬化型樹脂のほか、加熱によって硬化する熱硬化型樹脂を利用してもよい。
【００１７】
テンプレート２００を用いたパターン転写では、基板Ｗを複数の転写領域に区分けして、転写領域ごとにテンプレート２００を用いて順番にパターン転写を行う。
図２は、転写領域を例示する模式的平面図である。
図２（ａ）では、基板Ｗの全体における転写領域Ｒを例示している。図２（ｂ）では、一つの転写領域Ｒを例示している。
【００１８】
図２（ａ）に表したように、基板Ｗには複数の転写領域Ｒが設定される。転写領域Ｒは、基板Ｗに対してマトリクス状に設けられている。ここで、一つの転写領域Ｒには複数の小領域ＳＲが含まれている。小領域ＳＲは、例えば一つのチップに対応している。パターン形成後、小領域ＳＲの単位で基板Ｗを切り出すことで、チップ型の製品が完成する。
【００１９】
図２（ｂ）に表した例では、一つの転写領域Ｒに、第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６の６つの小領域が含まれている。複数の転写領域Ｒにおいて、それぞれ第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６の配置は同じ（一定の並び順）である。
【００２０】
なお、小領域ＳＲの数や配置は図２（ｂ）に示すものに限定されない。実施形態では、説明の便宜上、図２（ｂ）に表した６つの第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６が同図に示す配置で設けられた場合を例とする。また、実施形態では、第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６を総称して、小領域ＳＲということにする。
【００２１】
第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６には、それぞれ同じパターンが転写される。すなわち、テンプレート２００による１回の転写によって、第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６にそれぞれ同じパターンが転写される。これにより、テンプレート２００を用いた１回の転写によって、複数チップに対応した領域にパターンを形成することができる。
【００２２】
次に、実施形態に係るパターン形成装置１１０の各部について説明する。
図１（ａ）に表した取得部１０は、基板Ｗに存在する欠陥部Ｄｆの検出情報を取得する。取得部１０には、測定部１５が含まれていてもよい。測定部１５を含む場合には、測定部１５において基板Ｗに存在する欠陥部Ｄｆを検出し、その検出情報を取得する。測定部１５を含まない場合には、外部の測定装置（例えば、表面検査装置）によって検出した欠陥部Ｄｆの検出情報を取得部１０によって取得する。
【００２３】
ここで、欠陥部Ｄｆとは、テンプレート２００によるパターン転写において、テンプレート２００を樹脂３２０に接触させた際に、テンプレート２００に影響を与える程度の凸部や凹部などのことをいう。欠陥部Ｄｆには、基板Ｗに付着したダストや、下地パターンの欠陥が含まれる。検出情報には、基板Ｗ上の欠陥部Ｄｆの位置（座標）及び大きさ（幅、高さ）の情報が含まれる。
【００２４】
分類部２０は、取得部１０で取得した検出情報から、複数の転写領域Ｒを、第１転写領域Ｒ１と、第２転写領域Ｒ２と、に分類する処理を行う。第１転写領域Ｒ１は、欠陥部Ｄｆが存在しない転写領域Ｒである。第２転写領域Ｒ２は、欠陥部Ｄｆが存在する転写領域Ｒである。
【００２５】
一例として、図２（ａ）に表した基板Ｗでは、複数の転写領域Ｒのうち、４つの転写領域Ｒ２に欠陥部Ｄｆが存在する。分類部２０は、検出情報に含まれる基板Ｗ上の欠陥部Ｄｆの位置（座標）から、どの転写領域Ｒに欠陥部Ｄｆが含まれているかを判断する。そして、欠陥部Ｄｆが存在しない転写領域Ｒを第１転写領域Ｒ１、欠陥部Ｄｆが存在する転写領域Ｒを第２転写領域Ｒ２として分類する。
なお、説明の便宜上、第１転写領域Ｒ１及び第２転写領域Ｒ２を区別しない場合には、これらを総称して、転写領域Ｒということにする。
【００２６】
集計部３０は、分類部２０で分類された複数の第２転写領域Ｒ２について、転写領域Ｒ内での小領域ＳＲの位置ごとに欠陥部Ｄｆの出現頻度を集計する処理を行う。すなわち、欠陥部Ｄｆが存在するとして分類された複数の第２転写領域Ｒ２について、第２転写領域Ｒ２に含まれる複数の小領域ＳＲごとに欠陥部Ｄｆが存在するか否かを調べる。あるいは、複数の小領域ＳＲのそれぞれに含まれる欠陥部Ｄｆの数を調べる。あるいは、第２転写領域Ｒ２に存在する欠陥部Ｄｆのそれぞれが、複数の小領域ＳＲのうちのいずれに属するかを調べてもよい。
【００２７】
例えば、図２（ａ）及び（ｂ）に表したように、欠陥部Ｄｆが存在する複数の第２領域Ｒ２のそれぞれについて、欠陥部Ｄｆが第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６のどの小領域ＳＲに存在するかを調べ、これを全ての第２領域Ｒ２について集計する。これにより、第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６のそれぞれの配置ごとに、欠陥部Ｄｆの存在の有無あるいは数が求められる。
【００２８】
転写部４０は、集計部３０で集計した結果に基づいて、複数の第２転写領域Ｒ２を区分けして、この区分けの順にテンプレート２００による転写を行う。すなわち、転写部４０は、まず、集計部３０で集計した結果に基づき、第２転写領域Ｒ２の小領域ＳＲのそれぞれの位置における欠陥部Ｄｆの出現頻度を調べる。そして、欠陥部Ｄｆの出現頻度が高い位置の小領域ＳＲに欠陥部Ｄｆが存在している第２転写領域Ｒ２の順に第２転写領域Ｒ２を区分けする。
具体的には、例えば、複数の第２転写領域Ｒ２の共通する第１の特定の位置の小領域ＳＲにおいて欠陥部Ｄｆの出現頻度が最も高い場合に、この特定の位置の小領域ＳＲに欠陥部Ｄｆが存在している第２転写領域Ｒ２を第１グループとする。
その次に、複数の第２転写領域Ｒ２の共通する第２の特定の位置の小領域ＳＲにおいて欠陥部Ｄｆの出現頻度が２番目に高い場合に、この第２の特定の位置の小領域ＳＲに欠陥部Ｄｆが存在している第２転写領域Ｒ２を第２グループとする。なお、既に第１グループに割り振られた第２転写領域は、第２グループには区分けされない。
以下、このように、複数の第２転写領域Ｒ２の共通する特定の位置の小領域ＳＲにおける欠陥部Ｄｆの出現頻度が高い順に、その特定の位置の小領域ＳＲに欠陥部Ｄｆが存在している第２転写領域Ｒ２をグループ分けする。
【００２９】
例えば、第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６の各配置について、欠陥部Ｄｆの多い順に並べ替え（データ上の並べ替え）を行う。そして、並べ替えた順（欠陥部Ｄｆの多い順）に、その小領域ＳＲに欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を区分けする。
そして、転写部４０は、第２転写領域Ｒ２の区分け順に、テンプレート２００を用いた凹凸パターン２１０の転写を行う。
【００３０】
実施形態に係るパターン形成装置１１０では、このように複数の第２転写領域Ｒ２への転写順を設定しているため、欠陥部Ｄｆによってテンプレート２００が破損等の影響を受けた場合でも、第２転写領域Ｒ２への転写の影響を最小限に抑制することができるようになる。
【００３１】
次に、実施形態に係るパターン形成方法の一例について説明する。
図３は、実施形態に係るパターン形成方法の流れを例示するフローチャートである。
実施形態に係るパターン形成方法は、例えば上記説明した実施形態に係るパターン形成装置１１０で行われる。
【００３２】
図３に表したように、実施形態に係るパターン形成方法は、検出情報を取得する工程（ステップＳ１０１）、第１転写領域または第２転写領域への分類を行う工程（ステップＳ１０２）、小領域ごとに欠陥部の数を集計する工程（ステップＳ１０３）及びパターンの転写を行う工程（ステップＳ１０４）を備える。
【００３３】
先ず、ステップＳ１０１では、基板Ｗに存在する欠陥部Ｄｆの検出情報を取得する。検出情報は、測定装置（例えば、表面検査装置）によって得た検出情報である。また、図１（ａ）に表したパターン形成装置１１０において、取得部１０に測定部１５が含まれる場合には、検出情報は、測定部１５で測定した情報である。
【００３４】
次に、ステップＳ１０２では、ステップＳ１０１で取得した検出情報から、複数の転写領域Ｒを、第１転写領域Ｒ１と、第２転写領域Ｒ２と、に分類する処理を行う。図１（ａ）に表したパターン形成装置１１０では、分類部２０によってステップＳ１０２の工程を実行する。
【００３５】
次に、ステップＳ１０３では、ステップＳ１０２で分類された複数の第２転写領域Ｒ２について、転写領域Ｒ内での小領域ＳＲの位置ごとに欠陥部Ｄｆの出現頻度を集計する処理を行う。図１（ａ）に表したパターン形成装置１１０では、集計部３０によってステップＳ１０３の工程を実行する。
【００３６】
次に、ステップＳ１０４では、ステップＳ１０３で集計した結果に基づいて第２転写領域Ｒ２にパターン転写を行う。すなわち、欠陥部Ｄｆの出現頻度の高い位置小領域ＳＲに欠陥部Ｄｆが存在している第２転写領域Ｒ２から先に、テンプレートによるパターン転写を行う。図１（ａ）に表したパターン形成装置１１０では、転写部４０によってステップＳ１０４の工程を実行する。
【００３７】
次に、実施形態に係るパターン形成装置１１０及びパターン形成方法によるパターン形成の具体例について、参考例と併せて説明する。
【００３８】
図４は、参考例を説明する図である。
図４（ａ）では、第２転写領域Ｒ２への転写順を例示している。図４（ｂ）では、図４（ａ）に例示した順に転写した場合の第２転写領域Ｒ２への影響の状態を例示している。
ここで、第２転写領域Ｒ２は、図２（ａ）に例示した基板Ｗの第２転写領域Ｒ２と同じ場合を例とする。
【００３９】
この例では、図４（ａ）に表した位置に欠陥部Ｄｆが存在している。すなわち、第２転写領域Ｒ２（Ａ）には、第１小領域ＳＲ１に欠陥部Ｄｆが存在する。第２転写領域Ｒ２（Ｂ）には、第６小領域ＳＲ６に欠陥部Ｄｆが存在する。第２転写領域Ｒ２（Ｃ）には、第４小領域ＳＲ４に欠陥部Ｄｆが存在する。第２転写領域Ｒ２（Ｄ）には、第１小領域ＳＲ１に欠陥部Ｄｆが存在する。
【００４０】
参考例では、先ず、図４（ｂ）に表した欠陥部Ｄｆの存在しない第１転写領域Ｒ１に、テンプレートを用いたパターンの転写を行う。パターン転写は、１つの第１転写領域Ｒ１ごとに、順番に行われる。すなわち、１つの第１転写領域Ｒ１について、図１（ｂ）に表した樹脂３２０の塗布、テンプレート２００の接触、樹脂３２０の硬化、及びテンプレート２００の離型、を１サイクルとして転写パターン３１０を形成する。１サイクルの処理が終了すると、隣りの第１転写領域Ｒ１について、同様な１サイクロの処理を繰り返す。
【００４１】
ここで、第１転写領域Ｒ１へのパターン転写を行うテンプレート２００として、第１テンプレート２００Ａを使用する。第１テンプレート２００Ａを用いたパターン転写は、第１転写領域Ｒ１についてのみ行われる。すなわち、転写領域Ｒごと順番にパターン転写を行う途中で第２転写領域Ｒ２に差し掛かった場合には、第２転写領域Ｒ２を抜かして第１転写領域Ｒ１にパターン転写を行う。第１転写領域Ｒ１には欠陥部Ｄｆが存在しないため、同じ第１テンプレート２００Ａを繰り返し用いて、良好なパターン転写を行うことができる。
【００４２】
全ての第１転写領域Ｒ１に対してパターン転写を行ったのちは、第１テンプレート２００Ａとは別な第２テンプレート２００Ｂを用意して、第２転写領域Ｒ２へのパターン転写を行う。第２テンプレート２００Ｂには、第１テンプレート２００Ａと同じ凹凸パターンが設けられている。図４に表した参考例では、第１転写領域Ｒ１へのパターン転写の際に抜かした順、すなわち、第２転写領域Ｒ２（Ａ）、Ｒ２（Ｂ）、Ｒ２（Ｃ）、Ｒ２（Ｄ）の順にパターン転写を行う。
【００４３】
図４（ｂ）には、上記の順にパターンを転写を行った場合の欠陥の発生状況が例示されている。先ず、第２転写領域Ｒ２（Ａ）について第２テンプレート２００Ｂを用いたパターン転写を行う。このパターン転写では、第２転写領域Ｒ２（Ａ）の第１小領域ＳＲ１に存在する欠陥部Ｄｆの影響によって、第１小領域ＳＲ１には良好なパターンが転写されない。すなわち、この第２転写領域Ｒ２（Ａ）では、第１小領域ＳＲ１に対応したチップが不良チップになる。図４（ｂ）において、不良チップは、ハッチングで示されている。このパターン転写によって第２転写領域Ｒ２（Ａ）内に発生する不良チップの数は１つである。
【００４４】
第２転写領域Ｒ２（Ａ）へのパターン転写によって、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１の位置に対応した凹凸パターン２１０に損傷等の影響が発生する。例えば、欠陥部Ｄｆの接触によって第２テンプレート２００Ｂの凹凸パターン２１０に欠損が発生する。
【００４５】
次に、第２転写領域Ｒ２（Ｂ）について第２テンプレート２００Ｂを用いたパターン転写を行う。このパターン転写では、第２転写領域Ｒ２（Ｂ）の第６小領域ＳＲ６に存在する欠陥部Ｄｆの影響によって、第６小領域ＳＲ６には良好なパターンが転写されない。
【００４６】
さらに、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１に対応した凹凸パターン２１０には、先のパターン転写の際に損傷等の影響が発生している。したがって、この影響が第２転写領域Ｒ２（Ｂ）の第１小領域ＳＲ１にも及ぶことになる。
【００４７】
これにより、第２転写領域Ｒ２（Ｂ）では、第１小領域ＳＲ１及び第６小領域ＳＲ６に対応したチップが不良チップになる。このパターン転写によって第２転写領域Ｒ２（Ｂ）内に発生する不良チップの数は２つである。
【００４８】
第２転写領域Ｒ２（Ｂ）へのパターン転写によって、第２テンプレート２００Ｂの第６小領域ＳＲ６に対応した凹凸パターン２１０に、新たな損傷等の影響が発生することになる。
【００４９】
次に、第２転写領域Ｒ２（Ｃ）について第２テンプレート２００Ｂを用いたパターン転写を行う。このパターン転写では、第２転写領域Ｒ２（Ｃ）の第４小領域ＳＲ４に存在する欠陥部Ｄｆの影響によって、第４小領域ＳＲ４には良好なパターンが転写されない。
【００５０】
さらに、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１及び第６小領域ＳＲ６に対応した凹凸パターン２１０には、先のパターン転写の際に損傷等の影響が発生している。したがって、この影響が第２転写領域Ｒ２（Ｃ）の第１小領域ＳＲ１及び第６小領域ＳＲ６にも及ぶことになる。
【００５１】
これにより、第２転写領域Ｒ２（Ｃ）では、第１小領域ＳＲ１、第４小領域ＳＲ４及び第６小領域ＳＲ６に対応したチップが不良チップになる。このパターン転写によって第２転写領域Ｒ２（Ｃ）内に発生する不良チップの数は３つである。
【００５２】
第２転写領域Ｒ２（Ｃ）へのパターン転写によって、第２テンプレート２００Ｂの第４小領域ＳＲ４に対応した凹凸パターン２１０に、新たな損傷等の影響が発生することになる。
【００５３】
次に、第２転写領域Ｒ２（Ｄ）について第２テンプレート２００Ｂを用いたパターン転写を行う。このパターン転写では、第２転写領域Ｒ２（Ｄ）の第１小領域ＳＲ１に存在する欠陥部Ｄｆの影響によって、第１小領域ＳＲ１には良好なパターンが転写されない。
【００５４】
さらに、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１、第４小領域ＳＲ４及び第６小領域ＳＲ６に対応した凹凸パターン２１０には、先のパターン転写の際に損傷等の影響が発生している。したがって、この影響が第２転写領域Ｒ２（Ｄ）の第１小領域ＳＲ１、第４小領域ＳＲ４及び第６小領域ＳＲ６にも及ぶことになる。
【００５５】
これにより、第２転写領域Ｒ２（Ｄ）では、第１小領域ＳＲ１、第４小領域ＳＲ４及び第６小領域ＳＲ６に対応したチップが不良チップになる。
【００５６】
なお、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１に対応した位置の凹凸パターン２１０は既に損傷等の影響を受けている。したがって、このパターン転写によって第２転写領域Ｒ２（Ｄ）内に発生する不良チップの数は３つである。
【００５７】
図４（ｂ）に表したように、第２転写領域Ｒ２（Ａ）、Ｒ２（Ｂ）、Ｒ２（Ｃ）、Ｒ２（Ｄ）の順にパターン転写を行うと、第２テンプレート２００Ｂに生じた損傷等の影響が、その後のパターン転写に累積され、基板Ｗの全体では、合計９つの小領域ＳＲに対応したチップが不良チップになる。
【００５８】
図５は、実施形態に係るパターン転写順の例を説明する図である。
図５（ａ）では、実施形態に係る第２転写領域Ｒ２への転写順を例示している。図５（ｂ）では、図５（ａ）に例示した順に転写した場合の第２転写領域Ｒ２への影響の状態を例示している。
先に説明した参考例と同様に、第２転写領域Ｒ２は、図２（ａ）に例示した基板Ｗの第２転写領域Ｒ２と同じ場合を例とする。
【００５９】
実施形態では、先ず、複数の第２転写領域Ｒ２（Ａ）〜Ｒ２（Ｄ）について、集計部３０は、小領域ＳＲの配置ごとに欠陥部Ｄｆの数を集計する。図５に表した例では、４つの第２転写領域Ｒ２（Ａ）〜Ｒ２（Ｄ）について、第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６のそれぞれの配置ごとに欠陥部Ｄｆの有無や数を調べる。図５に表した例では、第１小領域ＳＲ１に２つの欠陥部Ｄｆが存在し、第４小領域ＳＲ４に１つの欠陥部Ｄｆが存在し、第６小領域ＳＲ６に１つの欠陥部Ｄｆが存在する。ここで、特定の一つの第２転写領域Ｒ２において、一つの小領域ＳＲ内に複数の欠陥部Ｄｆが存在する場合であっても、その小領域ＳＲの配置については、１つの欠陥部Ｄｆが存在するものとして集計する。
【００６０】
次に、集計した結果に基づいて、転写部４０は、第２転写領域Ｒ２（Ａ）〜Ｒ２（Ｄ）を区分けする。すなわち、転写部４０は、第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６の配置について、存在する欠陥部Ｄｆの数の多い順にデータ上の並べ替えを行う。図５に表した例では、第１小領域ＳＲ１に存在する欠陥部Ｄｆの数が最も多く、次に、第４小領域ＳＲ４及び第６小領域ＳＲ６に存在する欠陥部Ｄｆの数が多い。
【００６１】
次に、転写部４０は、欠陥部Ｄｆの数の多い小領域ＳＲの配置の順に、第２転写領域Ｒ２を区分けする。例えば、転写部４０は、欠陥部Ｄｆが存在する小領域ＳＲの数に応じた複数のグループを設定し、第２転写領域Ｒ２をいずれかのグループに区分けする。
【００６２】
図５に表した例では、欠陥部Ｄｆが存在する小領域ＳＲの数は３つである（第１小領域ＳＲ１、第４小領域ＳＲ４及び第６小領域ＳＲ６）。したがって、３つのグループ（第１〜第３グループ）を設定する。
【００６３】
転写部４０は、先ず、欠陥部Ｄｆの数が最も多い第１小領域ＳＲ１に関して区分けを行う。すなわち、第１小領域ＳＲ１に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２（Ａ）及びＲ２（Ｄ）を第１グループに区分けにする。転写部４０は、欠陥部Ｄｆが数が第１小領域ＳＲ１の次に多い第４小領域ＳＲ４及び第６小領域ＳＲ６に関して区分けを行う。すなわち、第４小領域ＳＲ４に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２（Ｃ）を第２グループに区分けし、第６小領域ＳＲ６に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２（Ｂ）を第３グループに区分けする。
【００６４】
第２転写領域Ｒ２を区分けしたのち、転写部４０は、先ず、図５（ｂ）に表した欠陥部Ｄｆの存在しない第１転写領域Ｒ１に、第１テンプレート２００Ａを用いたパターンの転写を行う。全ての第１転写領域Ｒ１に対してパターン転写を行ったのちは、第１テンプレート２００Ａと同じ凹凸パターン２１０を有する別な第２テンプレート２００Ｂを用意する。
【００６５】
そして、転写部４０は、第１グループ〜第３グループの順に区分けした第２転写領域Ｒ２について第２テンプレート２００Ｂを用いたパターン転写を行う。転写部４０は、先ず、第１グループに区分けした第２転写領域Ｒ２のうち、第２転写領域Ｒ２（Ａ）及びＲ２（Ｄ）について順番にパターン転写を行う。
【００６６】
第２転写領域Ｒ２（Ａ）へのパターン転写では、第２転写領域Ｒ２（Ａ）の第１小領域ＳＲ１に存在する欠陥部Ｄｆの影響によって、第１小領域ＳＲ１には良好なパターンが転写されない。すなわち、この第２転写領域Ｒ２（Ａ）では、第１小領域ＳＲ１に対応したチップが不良チップになる。図５（ｂ）において、不良チップは、ハッチングで示されている。このパターン転写によって第２転写領域Ｒ２（Ａ）内に発生する不良チップの数は１つである。
【００６７】
第２転写領域Ｒ２（Ａ）へのパターン転写によって、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１に対応した凹凸パターン２１０に損傷等の影響が発生する。
【００６８】
次に、第２転写領域Ｒ２（Ｄ）について第２テンプレート２００Ｂを用いたパターン転写を行う。このパターン転写では、第２転写領域Ｒ２（Ｄ）の第１小領域ＳＲ１に存在する欠陥部Ｄｆの影響によって、第１小領域ＳＲ１には良好なパターンが転写されない。
【００６９】
ここで、第１グループに区分けされた第２転写領域Ｒ２（Ａ）及びＲ２（Ｄ）では、欠陥部Ｄｆの存在する小領域ＳＲが共通する。したがって、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１に対応した位置の凹凸パターン２１０は重畳的に損傷等の影響を受けるものの、他の小領域ＳＲに対応した位置の凹凸パターン２１０は影響を受けない。これにより、第２転写領域Ｒ２（Ｄ）についてのパターン転写では、第１小領域ＳＲ１以外に不良チップは発生しない。
【００７０】
次に、転写部４０は、第２グループに区分けした第２転写領域Ｒ２（Ｃ）についてパターン転写を行う。第２転写領域Ｒ２（Ｃ）へのパターン転写では、第２転写領域Ｒ２（Ｃ）の第４小領域ＳＲ４に存在する欠陥部Ｄｆの影響によって、第４小領域ＳＲ４には良好なパターンが転写されない。
【００７１】
さらに、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１に対応した凹凸パターン２１０には、先のパターン転写の際に損傷等の影響が発生している。したがって、この影響が第２転写領域Ｒ２（Ｃ）の第１小領域ＳＲ１にも及ぶことになる。これにより、第２転写領域Ｒ２（Ｃ）では、第１小領域ＳＲ１及び第４小領域ＳＲ４に対応したチップが不良チップになる。このパターン転写によって第２転写領域Ｒ２（Ｃ）内に発生する不良チップの数は２つである。
【００７２】
第２転写領域Ｒ２（Ｃ）へのパターン転写によって、第２テンプレート２００Ｂの第４小領域ＳＲ４に対応した凹凸パターン２１０に損傷等の影響が発生する。
【００７３】
次に、転写部４０は、第３グループに区分けした第２転写領域Ｒ２（Ｂ）についてパターン転写を行う。第２転写領域Ｒ２（Ｂ）へのパターン転写では、第２転写領域Ｒ２（Ｂ）の第６小領域ＳＲ６に存在する欠陥部Ｄｆの影響によって、第６小領域ＳＲ６には良好なパターンが転写されない。
【００７４】
さらに、第２テンプレート２００Ｂの第１小領域ＳＲ１及び第４小領域ＳＲ４に対応した凹凸パターン２１０には、先のパターン転写の際に損傷等の影響が発生している。したがって、この影響が第２転写領域Ｒ２（Ｂ）の第１小領域ＳＲ１及び第４小領域ＳＲ４にも及ぶことになる。
【００７５】
これにより、第２転写領域Ｒ２（Ｂ）では、第１小領域ＳＲ１、第４小領域ＳＲ４及び第６小領域ＳＲ６に対応したチップが不良チップになる。このパターン転写によって第２転写領域Ｒ２（Ｂ）内に発生する不良チップの数は３つである。
【００７６】
図５（ｂ）に表したように、第１グループ〜第３グループの順に第２転写領域Ｒ２へパターン転写を行うと、基板Ｗの全体では、合計７つの小領域ＳＲに対応したチップが不良チップになる。
【００７７】
先に説明した参考例では、基板Ｗの全体で合計９つの小領域ＳＲに対応したチップが不良になっている。これに対し、実施形態では、参考例よりも不良チップ数を２チップ分減らすことができる。つまり、第２転写領域Ｒ２への転写順を入れ替えることによって、良品チップの歩留まりを向上できることになる。
【００７８】
次に、複数枚の基板に対してテンプレート２００によるパターン転写を行う場合の例を説明する。
図６〜図１２は、複数枚の基板にパターンを形成する具体例を説明する模式図である。
図６には、本具体例においてパターンの転写対象になっている基板Ｗ１〜Ｗ２５が示されている。本具体例では、１ロットに含まれる２５枚の基板Ｗ１〜Ｗ２５を転写対象にしている。各基板Ｗ１〜Ｗ２５のそれぞれには、図２に表した基板Ｗと同様な転写領域Ｒ及び小領域ＳＲが設定されているものとする。基板Ｗ１〜Ｗ２５には、それぞれ欠陥部Ｄｆが発生している。
【００７９】
取得部１０は、各基板Ｗ１〜Ｗ２５における欠陥部Ｄｆの検出情報を取得する。検出情報には、基板Ｗ１〜Ｗ２５ごとの欠陥部Ｄｆの位置（座標）の情報が含まれる。
分類部２０は、取得部１０で取得した検出情報から、各基板Ｗ１〜Ｗ２５の各転写領域Ｒを、第１転写領域Ｒ１と、第２転写領域Ｒ２と、に分類する。
集計部３０は、分類部２０で分類された複数の第２転写領域Ｒ２について、小領域ＳＲの位置ごとに欠陥部Ｄｆの出現頻度を集計する。
【００８０】
図７は、小領域の配置ごとに欠陥部の数を集計した例を示す図である。
本具体例において、集計部３０は、図６に表した複数の基板Ｗ１〜Ｗ２５における複数の第２転写領域Ｒ２について、第１小領域ＳＲ１〜第６小領域ＳＲ６の配置ごとに欠陥部Ｄｆの出現頻度を集計する。
【００８１】
図７に表した一例では、第１小領域ＳＲ１には１０個の欠陥部Ｄｆが存在し、第２小領域ＳＲ２には４個の欠陥部Ｄｆが存在し、第３小領域ＳＲ３には５個の欠陥部Ｄｆが存在し、第４小領域ＳＲ４には３個の欠陥部Ｄｆが存在し、第５小領域ＳＲ５には２個の欠陥部Ｄｆが存在し、第６小領域ＳＲ６には欠陥部Ｄｆが存在しない。
【００８２】
転写部４０は、図７に表したように、集計部３０で集計した結果に基づいて、欠陥部Ｄｆの出現頻度の高い小領域ＳＲの位置の順に、第２転写領域Ｒ２を区分けする。先ず、転写部４０は、欠陥部Ｄｆが存在する小領域ＳＲの数に応じたグループを設定する。図７に表した例では、欠陥部Ｄｆの存在する小領域ＳＲの数が５つであるため、５つのグループ（第１〜第５グループ）を設定する。転写部４０は、欠陥部Ｄｆの存在する数が多い小領域ＳＲの位置の順に、第２転写領域Ｒ２をいずれかのグループに区分けする。
【００８３】
本具体例では、欠陥部Ｄｆの存在する数の多い順は、第１小領域ＳＲ１、第３小領域ＳＲ３、第２小領域ＳＲ２、第４小領域ＳＲ４、第５小領域ＳＲ５の順である。転写部４０は、この順に対応した小領域ＳＲに欠陥部Ｄｆが存在している第２転写領域Ｒ２を第１グループ〜第５グループに区分けする。
【００８４】
図８〜図１２は、区分けの具体例を示す模式図である。
図８は、第１グループへの区分けを例示している。図９は、第２グループへの区分けを例示している。図１０は、第３グループへの区分けを例示している。図１１は、第４グループへの区分けを例示している。図１２は、第５グループへの区分けを例示している。
【００８５】
転写部４０は、先ず、図８に表したように、欠陥部Ｄｆの存在する数の最も多い第１小領域ＳＲ１に関して、第１グループへの区分けを行う。すなわち、転写部４０は、第１小領域ＳＲ１に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を、第１グループに区分けする。転写部４０は、図８（ａ）に表したように、第１小領域ＳＲ１にのみ欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を第１グループに区分けする。
【００８６】
ここで、図８（ｂ）に表したように、第１小領域ＳＲ１以外に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２、及び第１小領域ＳＲ１に欠陥部Ｄｆが存在するが、他の小領域ＳＲにも欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２は、第１グループには区分けしない。
【００８７】
次に、転写部４０は、図９に表したように、第１小領域ＳＲ１の次に欠陥部Ｄｆの存在する数の多い第３小領域ＳＲ３に関して、第２グループへの区分けを行う。すなわち、転写部４０は、第３小領域ＳＲ３に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を、第２グループに区分けする。
【００８８】
転写部４０は、図９（ａ）に表したように、第３小領域ＳＲ３にのみ欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を第２グループに区分けする。また、転写部４０は、第３小領域ＳＲ３に欠陥部Ｄｆが存在し、第２グループよりも前のグループへの区分けに関する小領域ＳＲ（本具体例では、第１小領域ＳＲ１）に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２についても、第２グループに区分けする。
【００８９】
ここで、図９（ｂ）に表したように、第３小領域ＳＲ３以外に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２、及び第３小領域ＳＲ３に欠陥部Ｄｆが存在するが、前のグループへの区分けに関する小領域ＳＲ以外の小領域ＳＲにも欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２は、第２グループには区分けしない。
【００９０】
次に、転写部４０は、図１０に表したように、第３小領域ＳＲ３の次に欠陥部Ｄｆの存在する数の多い第２小領域ＳＲ２に関して、第３グループへの区分けを行う。すなわち、転写部４０は、第２小領域ＳＲ２に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を、第３グループに区分けする。
【００９１】
転写部４０は、図１０（ａ）に表したように、第２小領域ＳＲ２にのみ欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を第３グループに区分けする。また、転写部４０は、第２小領域ＳＲ２に欠陥部Ｄｆが存在し、第３グループよりも前のグループへの区分けに関する小領域ＳＲ（本具体例では、第１小領域ＳＲ１及び第３小領域ＳＲ３）に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２についても、第３グループに区分けする。
【００９２】
ここで、図１０（ｂ）に表したように、第２小領域ＳＲ２以外に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２、及び第２小領域ＳＲ２に欠陥部Ｄｆが存在するが、前のグループへの区分けに関する小領域ＳＲ以外の小領域ＳＲにも欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２は、第３グループには区分けしない。
【００９３】
次に、転写部４０は、図１１に表したように、第２小領域ＳＲ２の次に欠陥部Ｄｆの存在する数の多い第４小領域ＳＲ４に関して、第４グループへの区分けを行う。すなわち、転写部４０は、第４小領域ＳＲ４に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を、第４グループに区分けする。
【００９４】
転写部４０は、図１１（ａ）に表したように、第４小領域ＳＲ４にのみ欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を第４グループに区分けする。また、転写部４０は、第４小領域ＳＲ４に欠陥部Ｄｆが存在し、第４グループよりも前のグループへの区分けに関する小領域ＳＲ（本具体例では、第１小領域ＳＲ１、第３小領域ＳＲ３及び第２小領域ＳＲ２）に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２についても、第４グループに区分けする。
【００９５】
ここで、図１１（ｂ）に表したように、第４小領域ＳＲ４以外に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２、及び第４小領域ＳＲ４に欠陥部Ｄｆが存在するが、前のグループへの区分けに関する小領域ＳＲ以外の小領域ＳＲにも欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２は、第４グループには区分けしない。
【００９６】
次に、転写部４０は、図１２に表したように、第４小領域ＳＲ４の次に欠陥部Ｄｆの存在する数の多い第５小領域ＳＲ５に関して、第５グループへの区分けを行う。すなわち、転写部４０は、第５小領域ＳＲ５に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を、第５グループに区分けする。
【００９７】
転写部４０は、第５小領域ＳＲ５にのみ欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２を第５グループに区分けする。また、転写部４０は、第５小領域ＳＲ５に欠陥部Ｄｆが存在し、第５グループよりも前のグループへの区分けに関する小領域ＳＲ（本具体例では、第１小領域ＳＲ１、第３小領域ＳＲ３、第２小領域ＳＲ２及び第４小領域ＳＲ４）に欠陥部Ｄｆが存在する第２転写領域Ｒ２についても第５グループに区分けする。
【００９８】
第５グループは最後のグループであるため、第１〜第４グループに区分けされなかった第２転写領域Ｒ２が第５グループに区分けされることになる。
【００９９】
上記のような区分けを行ったのち、転写部４０は、図６に表した各基板Ｗ１〜Ｗ２５の欠陥部Ｄｆが存在しない第１転写領域Ｒ１に、第１テンプレート２００Ａを用いたパターンの転写を行う。全ての第１転写領域Ｒ１に対してパターン転写を行ったのちは、第１テンプレート２００Ａと同じ凹凸パターン２１０を有する別な第２テンプレート２００Ｂを用意する。
【０１００】
そして、転写部４０は、第１グループ〜第５グループの順に区分けした第２転写領域Ｒ２について第２テンプレート２００Ｂを用いたパターン転写を行う。ここで、同じグループに区分けされた複数の第２転写領域Ｒ２については、その第２転写領域Ｒ２が属する基板Ｗ１〜Ｗ２５ごとにパターン転写を行う。例えば、第１グループに区分けされた第２転写領域Ｒ２を多く含む基板の順にパターン転写を行う。これにより、異なる基板Ｗ１〜Ｗ２５に対して効率良くパターン転写を行うことができるようになる。
【０１０１】
このように、第１グループ〜第５グループの順に区分けした第２転写領域Ｒ２について第２テンプレート２００Ｂを用いたパターン転写を行うことにより、複数の基板Ｗ１〜Ｗ２５について、第２テンプレート２００Ｂによる不良パターンがチップ間に累積的に拡散していくことを最小限に抑制して、良品チップの歩留まりを向上できるようになる。
【０１０２】
なお、上記説明したパターン形成方法では、第１転写領域Ｒ１へのパターン転写を行ったのちに、第２転写領域Ｒ２へのパターン転写を行っているが、反対に、第２転写領域Ｒ２へのパターン転写を行ったのちに、第１転写領域Ｒ１へのパターン転写を行うようにしてもよい。
【０１０３】
また、上記説明したパターン形成方法では、第１転写領域Ｒ１に対して第１テンプレート２００Ａを用い、第２転写領域Ｒ２に対して第２テンプレート２００Ｂを用いる例を示したが、第２転写領域Ｒ２に対して第１テンプレート２００Ａを用いるようにしてもよい。この場合、第１テンプレート２００Ａを用いて先に第１転写領域Ｒ１に対するパターン転写を行い、そのあとで、同じ第１テンプレート２００Ａを用いて第２転写領域Ｒ２に対するパターン転写を行うようにすればよい。
【０１０４】
（第２の実施形態）
次に、実施形態に係るパターン形成用プログラムの例を説明する。
図１３は、実施形態に係るプログラムが実行されるコンピュータを説明する図である。
すなわち、図１３（ａ）は、コンピュータの構成例を示すブロック図である。
図１３（ｂ）は、実施形態に係るテンプレートの製造プログラムの機能を説明するブロック図である。
図１４は、実施形態に係るプログラムの処理の流れを例示するフローチャートである。
【０１０５】
図１３（ａ）に表したように、コンピュータ８００は、中央演算部８０１、記憶部８０２、入力部８０３及び出力部８０４を備える。中央演算部８０１は、実施形態に係るパターン形成用プログラムを実行する部分である。記憶部８０２は、実行するパターン形成用プログラム等の情報を一時格納するＲＡＭ（Random Access Memory）のほか、ＲＯＭ（Read Only Memory）や、ＨＤＤ（Hard disk drive）、半導体メモリドライブ等の記憶装置を含む。
【０１０６】
入力部８０３は、キーボード、ポインティングデバイスのほか、ネットワーク等を介した外部の機器から情報を入力するインタフェースを含む。出力部８０４は、ディスプレイのほか、外部の機器へ情報を出力するインタフェースを含む。
【０１０７】
図１３（ｂ）に表したように、実施形態に係るテンプレートの製造プログラム９００は、コンピュータ８００（図１３（ａ）参照）を、取得手段９０１、分類手段９０２、集計手段９０３及び決定手段９０４として機能させるものである。
【０１０８】
取得手段９０１は、基板Ｗに存在する欠陥部Ｄｆの検出情報を取得する処理を行う（図１４のステップＳ２０１）。すなわち、取得手段９０１は、外部の装置から基板Ｗの欠陥部Ｄｆの検出情報ＤＴ１をコンピュータ８００に取り込む処理を行う。
【０１０９】
具体的には、取得手段９０１は、コンピュータ８００の入力部８０３を用いて検出情報ＤＴ１を中央演算部８０１に取り込む。検出情報ＤＴ１は、必要に応じて記憶部８０２に記憶される。
【０１１０】
分類手段９０２は、取得手段９０１で取得した検出情報ＤＴ１から、複数の転写領域Ｒを、第１転写領域Ｒ１と、第２転写領域Ｒ２と、に分類する処理を行う（図１４のステップＳ２０２）。
【０１１１】
具体的には、分類手段９０２は、コンピュータ８００の中央演算部８０１によって、検出情報ＤＴ１に含まれる欠陥部Ｄｆの位置情報（座標情報）から、欠陥部Ｄｆが存在する転写領域Ｒに第２転写領域Ｒ２のフラグを付する。一方、欠陥部Ｄｆが存在しない転写領域Ｒには第１転写領域Ｒ１のフラグを付する。
【０１１２】
集計手段９０３は、分類手段９０２で分類された複数の第２転写領域Ｒ２について、小領域ＳＲの位置ごとに欠陥部Ｄｆの出現頻度を集計する処理を行う（図１４のステップＳ２０３）。
【０１１３】
具体的には、集計手段９０３は、コンピュータ８００の中央演算部８０１によって、複数の第２転写領域Ｒ２について、小領域ＳＲの位置ごとに欠陥部Ｄｆの存在の有無あるいは数を集計する。
【０１１４】
決定手段９０４は、集計手段９０３で集計した結果に基づき、欠陥部Ｄｆの出現頻度の高い位置の小領域ＳＲに欠陥部Ｄｆが存在している第２転写領域Ｒ２から先に、テンプレートによる転写を行う転写順を決定する処理を行う（図１４のステップＳ２０４）。
【０１１５】
具体的には、決定手段９０４は、コンピュータ８００の中央演算部８０１によって、欠陥部Ｄｆの多い小領域ＳＲの配置の順に、この小領域ＳＲを含む第２転写領域Ｒ２に順番を付する。そして、第２転写領域Ｒ２の転写順の情報を、演算結果ＴＰ１として出力する。なお、演算結果ＴＰ１には、第１転写領域Ｒ１の転写順の情報が含まれていてもよい。
【０１１６】
決定手段９０４による演算結果ＴＰ１は、コンピュータ８００の出力部８０４から所定のデータ形式で出力される。そして、演算結果ＴＰ１は、外部の製造装置ＭＣへ送られる。
【０１１７】
製造装置ＭＣは、演算結果ＴＰ１を用いて第２転写領域Ｒ２に順次パターンを転写していく。また、演算結果ＴＰ１に第１転写領域Ｒ１の転写順の情報が含まれている場合には、この転写順に沿って第１転写領域Ｒ１に順次パターンを転写していく。これにより、歩留まり良く基板Ｗにパターンを形成できるようになる。
【０１１８】
実施形態に係るパターン形成用プログラムは、上記のようにコンピュータで実行される態様により実施可能である。その他、実施形態に係るパターン形成用プログラムは、所定の記憶媒体に記憶される態様でも実施可能である。また、実施形態に係るパターン形成用プログラムは、ネットワークを介して配信される態様でも実施可能である。
【０１１９】
以上説明したように、実施形態によれば、より多くの良好なパターンを形成することができるパターン形成装置、パターン形成方法及びパターン形成用プログラムを提供することができる。
【０１２０】
なお、上記に本実施の形態およびその変形例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、前述の各実施の形態またはその変形例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施の形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。
【０１２１】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１２２】
１０…取得部、１５…測定部、２０…分類部、３０…集計部、４０…転写部、１１０…パターン形成装置、２００…テンプレート、２００Ａ…第１テンプレート、２００Ｂ…第２テンプレート、８００…コンピュータ、８０１…中央演算部、８０２…記憶部、８０３…入力部、８０４…出力部、９００…製造プログラム、９０１…取得手段、９０２…分類手段、９０３…集計手段、９０４…決定手段、ＤＴ１…検出情報、Ｄｆ…欠陥部、ＭＣ…製造装置、Ｒ…転写領域、Ｒ１…第１転写領域、Ｒ２…第２転写領域、ＳＲ…小領域、Ｗ…基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の小領域を含む転写領域を単位として、テンプレートに形成されたパターンを、基板上の複数の前記転写領域に順次転写するパターン形成装置であって、
前記基板に存在する欠陥部の検出情報を取得する取得部と、
前記取得部で取得した前記検出情報から、前記複数の転写領域を、前記欠陥部が存在しない第１転写領域と、前記欠陥部が存在する第２転写領域と、に分類する分類部と、
前記分類部で分類された複数の前記第２転写領域について、前記転写領域内での前記小領域の位置ごとに前記欠陥部の出現頻度を集計する集計部と、
前記集計部で集計した結果に基づき、前記欠陥部の出現頻度の高い位置の前記小領域に前記欠陥部が存在している前記第２転写領域から先に、前記テンプレートによる転写を行う転写部と、
を備えたことを特徴とするパターン形成装置。
【請求項２】
前記転写部は、前記第１転写領域について前記テンプレートによる転写を行ったのち、前記第２転写領域について前記テンプレートを用いた転写を行うことを特徴とする請求項１記載のパターン形成装置。
【請求項３】
前記転写部は、前記第１転写領域については第１テンプレートによる転写を行い、前記第２転写領域については前記第１テンプレートとは別の第２テンプレートによる転写を行うことを特徴とする請求項１記載のパターン形成装置。
【請求項４】
前記取得部は、複数の前記基板についての前記欠陥部の検出情報を取得し、
前記分類部は、前記複数の基板のそれぞれについて前記複数の転写領域を、前記第１転写領域と、前記第２転写領域と、に分類し、
前記集計部は、前記複数の基板における複数の前記第２転写領域について、前記小領域の位置ごとに前記欠陥部の出現頻度を集計し、
前記転写部は、前記集計部で集計した結果に基づき、前記欠陥部の出現頻度の高い位置の前記小領域に前記欠陥部が存在している前記第２転写領域から先であって前記基板ごとに、前記テンプレートによる転写を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のパターン形成装置。
【請求項５】
前記取得部は、前記欠陥部を測定して前記検出情報を得る測定部を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のパターン形成装置。
【請求項６】
複数の小領域を含む転写領域を単位として、テンプレートに形成されたパターンを、基板上の複数の前記転写領域に順次転写するパターン形成方法であって、
前記基板に存在する欠陥部の検出情報を取得する工程と、
前記取得した前記検出情報から、前記複数の転写領域を、前記欠陥部が存在しない第１転写領域と、前記欠陥部が存在する第２転写領域と、に分類する工程と、
複数の前記第２転写領域について、前記転写領域内での前記小領域の位置ごとに前記欠陥部の出現頻度を集計する工程と、
前記集計した結果に基づき、前記欠陥部の出現頻度の高い位置の前記小領域に前記欠陥部が存在している前記第２転写領域から先に、前記テンプレートによる転写を行う工程と、
を備えたことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項７】
前記転写する工程では、前記第１転写領域について前記テンプレートによる転写を行ったのち、前記第２転写領域について前記テンプレートによる転写を行うことを特徴とする請求項６記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記転写する工程では、前記第１転写領域については第１テンプレートによる転写を行い、前記第２転写領域については前記第１テンプレートとは別の第２テンプレートによる転写を行うことを特徴とする請求項６記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記取得する工程では、複数の前記基板についての前記欠陥部の検出情報を取得し、
前記分類する工程では、前記複数の基板のそれぞれについて前記第１転写領域と、前記第２転写領域と、に分類し、
前記集計する工程では、前記複数の基板における複数の前記第２転写領域について、前記小領域の位置ごとに前記欠陥部の出現頻度を集計し、
前記転写する工程では、前記集計した結果に基づき、前記欠陥部の出現頻度の高い位置の前記小領域に前記欠陥部が存在している前記第２転写領域から先であって、前記基板ごとに、前記テンプレートによる転写を行うことを特徴とする請求項６〜８のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記取得する工程では、前記欠陥部を測定して前記検出情報を得る測定工程を含むことを特徴とする請求項６〜９のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
複数の小領域を含む転写領域を単位として、テンプレートに形成されたパターンを、基板上の複数の前記転写領域に順次転写するためのパターン形成用プログラムであって、
コンピュータを、
前記基板に存在する欠陥部の検出情報を取得する取得手段、
前記取得手段で取得した前記検出情報から、前記複数の転写領域を、前記欠陥部が存在しない第１転写領域と、前記欠陥部が存在する第２転写領域と、に分類する分類手段、
前記分類手段で分類された複数の前記第２転写領域について、前記転写領域内での前記小領域の位置ごとに前記欠陥部の出現頻度を集計する集計手段、
前記集計手段で集計した結果に基づき、前記欠陥部の出現頻度の高い位置の前記小領域に前記欠陥部が存在している前記第２転写領域から先に、前記テンプレートによる転写を行う転写順を決定する決定手段、
として機能させることを特徴とするパターン形成用プログラム。
【請求項１】
複数の小領域を含む転写領域を単位として、テンプレートに形成されたパターンを、基板上の複数の前記転写領域に順次転写するパターン形成装置であって、
前記基板に存在する欠陥部の検出情報を取得する取得部と、
前記取得部で取得した前記検出情報から、前記複数の転写領域を、前記欠陥部が存在しない第１転写領域と、前記欠陥部が存在する第２転写領域と、に分類する分類部と、
前記分類部で分類された複数の前記第２転写領域について、前記転写領域内での前記小領域の位置ごとに前記欠陥部の出現頻度を集計する集計部と、
前記集計部で集計した結果に基づき、前記欠陥部の出現頻度の高い位置の前記小領域に前記欠陥部が存在している前記第２転写領域から先に、前記テンプレートによる転写を行う転写部と、
を備えたことを特徴とするパターン形成装置。
【請求項２】
前記転写部は、前記第１転写領域について前記テンプレートによる転写を行ったのち、前記第２転写領域について前記テンプレートを用いた転写を行うことを特徴とする請求項１記載のパターン形成装置。
【請求項３】
前記転写部は、前記第１転写領域については第１テンプレートによる転写を行い、前記第２転写領域については前記第１テンプレートとは別の第２テンプレートによる転写を行うことを特徴とする請求項１記載のパターン形成装置。
【請求項４】
前記取得部は、複数の前記基板についての前記欠陥部の検出情報を取得し、
前記分類部は、前記複数の基板のそれぞれについて前記複数の転写領域を、前記第１転写領域と、前記第２転写領域と、に分類し、
前記集計部は、前記複数の基板における複数の前記第２転写領域について、前記小領域の位置ごとに前記欠陥部の出現頻度を集計し、
前記転写部は、前記集計部で集計した結果に基づき、前記欠陥部の出現頻度の高い位置の前記小領域に前記欠陥部が存在している前記第２転写領域から先であって前記基板ごとに、前記テンプレートによる転写を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のパターン形成装置。
【請求項５】
前記取得部は、前記欠陥部を測定して前記検出情報を得る測定部を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のパターン形成装置。
【請求項６】
複数の小領域を含む転写領域を単位として、テンプレートに形成されたパターンを、基板上の複数の前記転写領域に順次転写するパターン形成方法であって、
前記基板に存在する欠陥部の検出情報を取得する工程と、
前記取得した前記検出情報から、前記複数の転写領域を、前記欠陥部が存在しない第１転写領域と、前記欠陥部が存在する第２転写領域と、に分類する工程と、
複数の前記第２転写領域について、前記転写領域内での前記小領域の位置ごとに前記欠陥部の出現頻度を集計する工程と、
前記集計した結果に基づき、前記欠陥部の出現頻度の高い位置の前記小領域に前記欠陥部が存在している前記第２転写領域から先に、前記テンプレートによる転写を行う工程と、
を備えたことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項７】
前記転写する工程では、前記第１転写領域について前記テンプレートによる転写を行ったのち、前記第２転写領域について前記テンプレートによる転写を行うことを特徴とする請求項６記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記転写する工程では、前記第１転写領域については第１テンプレートによる転写を行い、前記第２転写領域については前記第１テンプレートとは別の第２テンプレートによる転写を行うことを特徴とする請求項６記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記取得する工程では、複数の前記基板についての前記欠陥部の検出情報を取得し、
前記分類する工程では、前記複数の基板のそれぞれについて前記第１転写領域と、前記第２転写領域と、に分類し、
前記集計する工程では、前記複数の基板における複数の前記第２転写領域について、前記小領域の位置ごとに前記欠陥部の出現頻度を集計し、
前記転写する工程では、前記集計した結果に基づき、前記欠陥部の出現頻度の高い位置の前記小領域に前記欠陥部が存在している前記第２転写領域から先であって、前記基板ごとに、前記テンプレートによる転写を行うことを特徴とする請求項６〜８のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記取得する工程では、前記欠陥部を測定して前記検出情報を得る測定工程を含むことを特徴とする請求項６〜９のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
複数の小領域を含む転写領域を単位として、テンプレートに形成されたパターンを、基板上の複数の前記転写領域に順次転写するためのパターン形成用プログラムであって、
コンピュータを、
前記基板に存在する欠陥部の検出情報を取得する取得手段、
前記取得手段で取得した前記検出情報から、前記複数の転写領域を、前記欠陥部が存在しない第１転写領域と、前記欠陥部が存在する第２転写領域と、に分類する分類手段、
前記分類手段で分類された複数の前記第２転写領域について、前記転写領域内での前記小領域の位置ごとに前記欠陥部の出現頻度を集計する集計手段、
前記集計手段で集計した結果に基づき、前記欠陥部の出現頻度の高い位置の前記小領域に前記欠陥部が存在している前記第２転写領域から先に、前記テンプレートによる転写を行う転写順を決定する決定手段、
として機能させることを特徴とするパターン形成用プログラム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１３−８８１５（Ｐ２０１３−８８１５Ａ）
【公開日】平成２５年１月１０日（２０１３．１．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１４０１７３（Ｐ２０１１−１４０１７３）
【出願日】平成２３年６月２４日（２０１１．６．２４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月１０日（２０１３．１．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月２４日（２０１１．６．２４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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