説明

フッ化ビニリデンオリゴマーの包接化合物

【課題】フッ化ビニリデンオリゴマーと親和性のない溶剤、例えば極性溶剤に溶解、または分散させることができ、またフッ化ビニリデンオリゴマーと相溶性の悪い樹脂への均一な添加を可能にするための新規なフッ化ビニリデンオリゴマーの包接化合物を提供する。
【解決手段】
環構造または螺旋構造を有しかつそれらの構造の内側に疎水性基を有するシクロデキストリンなどのホスト化合物分子に、ゲスト化合物としてフッ化ビニリデンオリゴマーが包接されてなる新規な包接化合物。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、環構造または螺旋構造を有しかつそれらの構造の内側に疎水性基を有するホスト化合物分子に、ゲスト化合物としてフッ化ビニリデンオリゴマーが包接されてなる包接化合物に関する。
【背景技術】
【0002】
多糖化合物の1つであるシクロデキストリンはグルコースの環状オリゴマーであり、環の外側に親水基、内側に疎水性空孔を持つため、環の内側に疎水性化合物を包接しやすいことが知られている。主なものに6個、7個、8個のグルコピラノース残基がα−1,4グリコシド結合で結合したα−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、γ−シクロデキストリンがある。
【0003】
シクロデキストリンの種類により環の内径は異なっており、このため包接されやすいゲスト化合物の大きさもそれぞれ異なる。β−シクロデキストリン、γ−シクロデキストリンに包接されうる代表的なゲスト分子(疎水性ポリマー)として、ポリジメチルシロキサンが知られており(非特許文献1)、シクロデキストリンの飽和水溶液と疎水性ポリマーを混合して製造している。
【0004】
また、β−シクロデキストリンにポリビニルエーテル分子が特異的に包接されることを利用したβ−シクロデキストリンの分離方法も知られている(特許文献1)。
【0005】
また、α−シクロデキストリン分子の開口部にポリエチレングリコール分子が串刺し状に包接されてなるポリロタキセン分子が高吸水性や均一膨張性、弾性、粘弾性などに富む化合物やゲル状物を与えることも知られている(特許文献2)。この発明の場合、フッ素ポリマー、特に、フッ化ビニリデン重合体の具体的な例示はない。
【0006】
さらに末端をパーフルオロ炭化水素で変性した水溶性のポリエチレングリコールとβ−シクロデキストリンとの包接現象についても検討されている(非特許文献2)。
【0007】
また、非特許文献3では、炭素数9および炭素数20のパーフルオロアルカンとβ−シクロデキストリンとの包接現象が報告されている。
【0008】
【特許文献1】特許第2798514号明細書
【特許文献2】特許第3475252号明細書
【非特許文献1】Okumura, H., Kawaguchi, Y., Harada, A., Macromolecules, 2003, 36, 6422-6429
【非特許文献2】H. Zhang, et al., Langmuir 1998, 14, pp4972-4977
【非特許文献3】龍野宏人ら、「固体19F−,13C−NMR法を用いたパーフルオロアルカン/シクロデキストリン包接化合物の構造とダイナミクスの解析」、第23回シクロデキストリンシンポジウム講演要旨集、pp162−163(2005年)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
フッ化ビニリデンオリゴマーは、電気特性の点でフッ素ポリマーのなかでも興味ある挙動をすることで、強誘電性材料や高誘電率材料としての展開が期待されている。
【0010】
そこで本発明者らは、フッ化ビニリデンオリゴマーについて鋭意検討を重ねた結果、フッ化ビニリデンオリゴマーが多糖化合物、例えばシクロデキストリンと良好な包接化合物を形成することを見出し、本発明を完成するに至った。
【課題を解決するための手段】
【0011】
すなわち本発明は、環構造または螺旋構造を有しかつそれらの構造の内側に疎水性基を有するホスト化合物分子に、ゲスト化合物としてフッ化ビニリデンオリゴマーが包接されてなる包接化合物に関する。
【0012】
前記ホスト化合物としては、多糖化合物が代表例としてあげられ、環構造を有する多糖類であるシクロデキストリンや螺旋構造を有するアミロースなどが例示できる。これらの中でも、β−シクロデキストリンが良好な包接化合物を形成する。
【0013】
ゲスト化合物であるフッ化ビニリデンオリゴマーとしては、式(1):
CF3−(A1)−I (1)
(式中、A1は数平均重合度が5〜29のI型結晶構造を単独または主成分とするフッ化ビニリデン単独重合体の構造単位)で示されるフッ化ビニリデン単独重合体、または式(2):
I−(A2)−(CF2CF2m−(A3)−I (2)
(式中、mは1〜5の整数;A2、A3は同じかまたは異なるI型結晶構造を単独または主成分とするフッ化ビニリデン単独重合体の構造単位であって、構造単位A2とA3の合計の数平均重合度が2〜29、特に4〜20である)で示されるフッ化ビニリデン単独重合体が好適に例示できる。
【0014】
なお、包接化合物は包接錯体、包接体とも呼ばれることがある。
【発明の効果】
【0015】
フッ化ビニリデンオリゴマーをシクロデキストリンなどのホスト化合物分子に包接させることにより、従来フッ化ビニリデンオリゴマーと親和性がなかった溶媒、例えば極性溶剤に溶解、または分散させることができる。またフッ化ビニリデンオリゴマーと相溶性の悪い樹脂への均一な添加が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0016】
まず、ゲスト化合物であるフッ化ビニリデンオリゴマーについて説明する。
【0017】
本発明においては、ゲスト化合物であるフッ化ビニリデンオリゴマーとしては、従来公知のフッ化ビニリデンオリゴマーが利用できる。
【0018】
そうしたフッ化ビニリデンオリゴマーとしては、例えば特許第3867709号明細書などに記載されたものが例示できる。
【0019】
それらのうち、特許第3867709号明細書に記載されている式(1):
CF3−(A1)−I (1)
(式中、A1は数平均重合度が5〜29のI型結晶構造を単独または主成分とするフッ化ビニリデン単独重合体の構造単位)で示されるフッ化ビニリデン単独重合体、または式(2):
I−(A2)−(CF2CF2m−(A3)−I (2)
(式中、mは1〜5の整数;A2、A3は同じかまたは異なるI型結晶構造を単独または主成分とするフッ化ビニリデン単独重合体の構造単位であって、構造単位A2とA3の合計の数平均重合度が2〜29、特に4〜20である)で示されるフッ化ビニリデン単独重合体が好適であり、特に式(1)で示される片末端がCF3で他の末端がヨウ素原子であるオリゴマーが分子の大きさが適当であり、包接されやすい点から好ましい。
【0020】
これらのフッ化ビニリデンオリゴマーは結晶構造としてI型、II型およびIII型結晶構造のいずれでもよく、混合物の形でもよい。また、I型結晶構造を主体とする(50重量%以上)フッ化ビニリデンオリゴマーは強誘電性を示すので、その特性を利用した用途に好適である。
【0021】
フッ化ビニリデン単独重合体(1)は、1つの重合体分子において一方の末端にCF3基を、もう一方の末端にヨウ素原子を有するフッ化ビニリデン単独重合体であり、構造単位A1は、数平均重合度で5〜29のフッ化ビニリデンの繰り返し単位を有する。
【0022】
この式(1)の重合体は特にI型の結晶構造の純度が高いものである。
【0023】
構造単位A1の数平均重合度が4以下になると室温で結晶を形成しにくくなる。また数平均重合度が30以上になるとI型結晶構造の純度が低くなる(例えばII型結晶の比率が増大する)。
【0024】
また、一方の末端の構造はCF3基であることが、I型結晶構造の純度が高くなる点で特に好ましく、例えば、長鎖のパーフルオロアルキル基や分岐状のパーフルオロアルキル基が末端である場合はI型結晶構造の純度が低くなる(例えばII型結晶の比率が増大する)。
【0025】
この式(1)の重合体は種々の方法で合成可能であるが、CF3Iを連鎖移動剤に用いる製造法を用いることが、分子量分布の狭い重合体を合成できる点で好ましく、それによってI型結晶構造の純度を高められる点でも好ましい。
【0026】
式(1)の重合体の分子量分布は、平均重合度によって異なるが、例えばGPC分析により求められるMw/Mnで1以上で3以下のもの、好ましくは2以下のもの、より好ましくは1.5以下のものであり、分子量分布が大きくなるとI型結晶構造の純度が低くなる傾向にある。
【0027】
また、式(1)の重合体は、より詳しくは、フッ化ビニリデン単位が重合体1分子中に同じ方向を向いた式(1−1):
CF3−(CH2CF2n−I (1−1)
のみからなるものであっても良く、また重合体1分子中にフッ化ビニリデン単位の一部が逆向きに結合した式(1−2):
CF3−(CH2CF2n1(CF2CH2n2−I (1−2)
の構造(n1+n2=n=1〜25)の重合体分子を含んでいても良い。
【0028】
なかでも、式(1−1)のフッ化ビニリデン単位が同方向を向いた重合体分子のみからなるものが好ましい。
【0029】
式(1−1)と(1−2)の混合物であっても、n2の比率(異常結合率と言う)が小さなほど好ましく、例えば、NMR分析などで算出できる。
異常結合率:{n2/(n+n1+n2)}×100
が20%以下、さらには10%以下、特に5%以下のものが好ましい。
【0030】
フッ化ビニリデン単独重合体(2)も、I型結晶構造の純度の高いものである。
【0031】
構造単位A2とA3の合計の数平均重合度は2〜29の範囲から選ばれるが、下限はより好ましくは4、さらに好ましくは5であり、上限は好ましくは20、さらに好ましくは15である。
【0032】
数平均重合度が低すぎると室温で結晶を形成しにくくなり、また数平均重合度が高すぎるとI型結晶の純度が低くなる(例えばII型結晶の比率が増大する)。
【0033】
式(2)の重合体において、mは1〜5の整数から選択できるが、より好ましくは2であり、このものはI型結晶構造の純度の特に高いものである。
【0034】
式(2)の重合体において構造単位A2およびA3の部分の分子量分布は、構造単位A2とA3の合計の数平均重合度によって異なるが、例えばGPC分析により求められるMw/Mnで1以上で3以下のもの、好ましくは2以下のもの、より好ましくは1.5以下のものであり、分子量分布が大きくなるとI型結晶の純度が低くなる傾向がある。
【0035】
式(1)および式(2)で示したフッ化ビニリデン単独重合体は、いずれもI型結晶構造を主成分(50質量%以上、好ましくは70質量%以上)を含有するものが好ましく、強誘電特性を効果的に付与することができる。
【0036】
ホスト化合物は、環構造または螺旋構造を有しかつそれらの構造の内側に疎水性基を有する化合物であって、フッ化ビニリデンオリゴマーを包接し得る化合物であればよい。
【0037】
具体的には、例えば環構造または螺旋構造を有しかつそれらの構造の内側に疎水性基を有する多糖化合物やカリックスアレーン、クラウンエーテルなどの合成化合物などがあげられる。
【0038】
環構造を有しかつそれらの構造の内側に疎水性基を有する多糖化合物としては、例えばα−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、γ−シクロデキストリン、シクロアミロース、さらにはこれらの誘導体(変性物)などが例示でき、フッ化ビニリデンオリゴマーと特に安定な包接化合物を形成することから、β−シクロデキストリンまたはその誘導体が好ましい。
【0039】
環構造を有する多糖化合物の誘導体としては、例えば多糖化合物の水酸基の全部または一部をアセチル化、メチルエーテル化、2−ヒドロキシエチル化したものなど、グルコピラノース単位の6位の水酸基をアミノ基、スルホン基などで置換したものや、ポリマーの側鎖(ペンダント)として環構造を有する多糖化合物を有する高分子化合物などが例示できる。
【0040】
螺旋構造を有しかつそれらの構造の内側に疎水性基を有する多糖化合物としては、例えばアミロース類があげられる。
【0041】
アミロースはデンプンに含まれる直鎖状分子であり、α−グルコースがα−1,4グリコシド結合で連なった構造をもつ。アミロースの結晶構造には二重螺旋(A、Bタイプ)型と一重螺旋(Vタイプ)型が知られており、一重螺旋型の結晶は、天然ではデンプン顆粒に含まれる油脂成分を螺旋構造の中に包接し、包接化合物として存在している。Bociekらはアミロースにパルミチン酸塩やヘキサン酸等を包接させ、その構造の研究を行っている(Gidley.M.J., Bociek.S.M. J.Am.Chem.Soc, 1988, 110, 3820-3829)。本発明においては、V−アミロースがシクロデキストリンに類似した構造をもち、かつ、広い範囲の大きさのゲスト化合物分子が包接可能である点で好ましい。
【0042】
合成ホスト化合物としては、例えばカリックスアレーン、クラウンエーテルなどのほか、特開平09−241248号公報記載のホスト化合物などが知られており、フッ化ビニリデンオリゴマーを包接できるものが本発明に使用できる。
【0043】
包接化合物におけるホスト化合物分子とフッ化ビニリデンオリゴマーの割合は、フッ化ビニリデンオリゴマー/ホスト化合物分子のモル比(以下、「包接比」ということもある)で、通常、1/1〜1/20、さらには1/1〜1/12の範囲である。
【0044】
ホスト化合物としてβ−シクロデキストリンを用いる場合は、フッ化ビニリデンオリゴマー(特に式(1)のオリゴマー)/β−シクロデキストリン分子のモル比(包接比)で1/1〜1/20である包接化合物が、安定性の点から好ましい。
【0045】
本発明の包接化合物は、水溶性の化合物分子の飽和水溶液中にゲスト化合物分子を加え、超音波を照射後一晩放置する、もしくはホスト化合物分子とゲスト化合物分子の混合物に少しずつ水を加えながら混練するという方法により製造できる。
【0046】
本発明の包接化合物は、通常、固体状(粉末状)で得られる。したがって、本発明の包接化合物をそのまま粉体の状態でフッ化ビニリデンオリゴマーの特性を利用したい各種の機能性材料、例えば強誘電性、高誘電率の塗料、他材への配合剤、電気電子部材、医療用材料などとしての使用が期待できる。
【実施例】
【0047】
以下、実施例にしたがって本発明を詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【0048】
実施例で使用した材料はつぎのものである。
【0049】
(ホスト化合物)
東京化成(株)製のβ−シクロデキストリン
【0050】
(ゲスト化合物)
VdFオリゴマー:
CF3−(CH2CF29−I
また、包接化合物であることをつぎの方法で確認した。
(1)固体19F−MAS NMR分析
装置:BRUKER BIOSPIN社製のAVANCE300と2.5mmMASプローブ
測定条件:MAS回転数34kHz。室温。
(2)1H→13C−CP/MAS NMR法
装置:BRUKER BIOSPIN社製のAVANCE300と4mmMASプローブ
測定条件:MAS回転数7kHz。室温。
(3)粉末X線回折
装置:Rigaku社製のUltima III
測定条件:CuKα、X−Ray 40kV/40mA、2θ=2〜60°
【0051】
実施例1(フッ化ビニリデンオリゴマーとβ−シクロデキストリンとの包接化合物の合成)
β−シクロデキストリンの飽和水溶液(21ml、25℃)にフッ化ビニリデンオリゴマー(600mg)を投入した。30時間、25℃でマグネティックスターラーを用いて攪拌した。その後、吸引濾過により沈殿物を回収し、沈殿物を減圧下に25℃で一晩乾燥して、粉体状の白色固体550mgを得た。
【0052】
得られた固体を前記の方法により分析し、フッ化ビニリデンオリゴマーとβ−シクロデキストリンとの包接化合物であることを確認した。
【0053】
すなわち、固体19F−MAS NMR分析において、フッ化ビニリデンオリゴマー単独の場合、(CH2CF2)単位の(CH2CF2)が−70〜−110ppmに特徴的なピークが観測されるが、実施例1の白色固体ではこのピークの一部が−5ppm高周波数シフトしていることが観測された。これらの結果から白色固体中にはβ−シクロデキストリンに包接されている(CH2CF2)単位が存在することが示唆される。また、−30〜−40ppm付近の−CF2I由来のピークが、β−シクロデキストリン包摂後にはブロードになっており、これはβ−シクロデキストリンに包接されている−CF2I単位が存在することが示唆される。
【0054】
1H→13C−CP/MAS NMR法において、β−シクロデキストリンの場合、100〜110ppmの範囲に4本、60〜90ppmの範囲に14本のピークが観測されるが、実施例1の白色固体では観測されるピークがそれぞれの範囲で1本、5本とβ−シクロデキストリン単体のスペクトルと比べ単純化していた。このことから、シクロデキストリンの対称性向上と筒型結晶構造の形成(包接構造の形成)が示唆される。
【0055】
粉末X線回折において、実施例1の白色固体の粉末X線回折パターンは、β−シクロデキストリン単体のスペクトルと異なっており、また包摂体構造に特徴的な回折パターン(Harada, A.; Okada, M.; Li, J; Kamachi, M. Macromolecules 1995, 28, 8406)を示しており、包接化合物が形成されていることを確認した。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
環構造または螺旋構造を有しかつそれらの構造の内側に疎水性基を有するホスト化合物分子に、ゲスト化合物としてフッ化ビニリデンのオリゴマーが包接されてなる包接化合物。
【請求項2】
前記ホスト化合物が多糖化合物である請求項1記載の包接化合物。
【請求項3】
フッ化ビニリデンオリゴマーが、式(1):
CF3−(A1)−I (1)
(式中、A1は数平均重合度が5〜29のI型結晶構造を単独または主成分とするフッ化ビニリデン単独重合体の構造単位)で示されるフッ化ビニリデン単独重合体、または式(2):
I−(A2)−(CF2CF2m−(A3)−I (2)
(式中、mは1〜5の整数;A2、A3は同じかまたは異なるI型結晶構造を単独または主成分とするフッ化ビニリデン単独重合体の構造単位であって、構造単位A2とA3の合計の数平均重合度が2〜29である)で示されるフッ化ビニリデン単独重合体である請求項1または2記載の包接化合物。
【請求項4】
前記フッ化ビニリデンオリゴマーが、前記式(1)で示されるフッ化ビニリデン単独重合体である請求項3記載の包接化合物。
【請求項5】
前記多糖化合物が、シクロデキストリンである請求項2〜4のいずれかに記載の包接化合物。

【公開番号】特開2008−214588(P2008−214588A)
【公開日】平成20年9月18日(2008.9.18)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−57756(P2007−57756)
【出願日】平成19年3月7日(2007.3.7)
【出願人】(000002853)ダイキン工業株式会社 (7,604)
【Fターム(参考)】