プラズマディスプレイ装置及びその駆動方法
【課題】本発明は、サステイン期間時に発生するＥＭＩが防止できるプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイ装置の駆動方法を提供するためのものである。
【解決手段】本発明は、複数の維持電極対が形成されたプラズマディスプレイパネルと、前記維持電極対のうち、少なくともいずれか一つの電極にサステイン波形を供給する経路にフィルタ部が含まれるサステイン波形駆動部と、を含むことを特徴とする。
【解決手段】本発明は、複数の維持電極対が形成されたプラズマディスプレイパネルと、前記維持電極対のうち、少なくともいずれか一つの電極にサステイン波形を供給する経路にフィルタ部が含まれるサステイン波形駆動部と、を含むことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ａｐｐａｒａｔｕｓ）に関し、より詳しくは、ＥＭＩ（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）を防止するためのプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイ装置（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ａｐｐａｒａｔｕｓ）は、前面基板と後面基板との間に形成された隔壁が一つの単位セルをなすプラズマディスプレイパネルを含む。各セル内には、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）、または、ネオン及びヘリウムの混合気体（Ｎｅ＋Ｈｅ）のような主放電気体と、少量のキセノンを含有する不活性ガスとが充填されている。高周波電圧により放電される際、不活性ガスは真空紫外線（Vacuum Ultraviolet rays）を発生し、隔壁間に形成された蛍光体を発光させて画像が具現される。このようなプラズマディスプレイ装置は、薄くて、かつ、軽い構成が可能であるので次世代の表示装置として脚光を浴びている。
【０００３】
図１は、一般的なプラズマディスプレイパネルの構造を示す図である。
【０００４】
図１に示すように、プラズマディスプレイパネルは、画像がディスプレイされる表示面である前面ガラス１０１にスキャン電極１０２とサステイン電極１０３が対をなして形成された複数の維持電極対が配列された前面基板１００、及び、背面をなす後面ガラス１１１上に上述の複数の維持電極対と交差するように複数のアドレス電極１１３が配列された後面基板１１０が一定距離を置いて平行するように結合される。
【０００５】
前面基板１００には、一つの放電セルで相互放電させ、セルの発光を維持するためのスキャン電極１０２及びサステイン電極１０３が形成されている。スキャン電極及びサステイン電極のぞれぞれは、透明なＩＴＯ（IndiumThin Oxide）物質で形成された透明電極（ａ）と、金属材質で製作されたバス電極（ｂ）とからなる。スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３は放電電流を制限し、電極対間を絶縁させる一つ以上の誘電体層１０４により覆われ、上部誘電体層１０４の上面には放電条件を容易にするために酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を蒸着した保護層１０５が形成される。
【０００６】
後面基板１１０は、複数個の放電空間、即ち、放電セルを形成させるためのストライプタイプ（または、ウェルタイプ）の隔壁１１２が略平行に配列される。また、アドレス放電を遂行して真空紫外線を発生させる多数のアドレス電極１１３が隔壁１１２に対し平行に配置される。後面基板１１０の上側面には、サステイン放電の際、画像表示のための可視光線を放出するＲ、Ｇ、Ｂ蛍光体１１４が塗布される。アドレス電極１１３と蛍光体１１４との間には、アドレス電極１１３を保護するための誘電体層１１５が形成される。
【０００７】
図２は、従来のプラズマディスプレイ装置の画像階調を具現する方法を示す図である。
【０００８】
図２に示すように、従来のプラズマディスプレイ装置の画像階調（Gray Level）表現方法は、１フレームを発光回数が異なる種々なるサブフィールドに分けられる。各サブフィールドは、更に、全てのセルを初期化させるためのリセット期間（ＲＰＤ）、放電されるセルを選択するためのアドレス期間（ＡＰＤ）、及び、放電回数によって階調を具現するサステイン期間（ＳＰＤ）に分けられる。例えば、２５６階調で画像を表示しようとする場合に１／６０秒に該当するフレーム期間（１６.６７ｍｓ）は、図３のように８個のサブフィールド（ＳＦ１乃至ＳＦ８）に分けられる。８個のサブフィールド（ＳＦ１乃至ＳＦ８）の各々は、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間に更に分けられることになる。
【０００９】
各サブフィールドのリセット期間及びアドレス期間は、各サブフィールド毎に同一である。放電されるセルを選択するためのアドレス放電は、スキャン電極である透明電極とアドレス電極との間の電圧差により起こる。サステイン期間は、各サブフィールドにおいて、２n（但し、ｎ=０、１、２、３、４、５、６、７）の割合で増加する。このように、各サブフィールドでサステイン期間の長さが変わることになるので、各サブフィールドのサステイン期間、即ち、サステイン放電回数を調節して画像の階調を表現することになる。
【００１０】
一方、従来のプラズマディスプレイ装置は、リセット期間、アドレス期間、サステイン期間に分けられ、各期間に駆動波形が印加されることによって、プラズマディスプレイパネル前面方向にＥＭＩが発生する。
【００１１】
特に、サステイン期間には、スキャン電極とサステイン電極に、高周波、高電圧のサステイン波形が交互に印加されることにより発生する電流ピーキング（Peaking）成分によりＥＭＩが増加する問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、サステイン期間時に発生するＥＭＩを防止できるプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイ装置の駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係るプラズマディスプレイ装置は、複数の維持電極対が形成されたプラズマディスプレイパネルと、前記維持電極対のうち、少なくともいずれか一つの電極にサステイン波形を供給する経路にフィルタ部が含まれるサステイン波形駆動部と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
前記維持電極対は、スキャン電極とサステイン電極を含み、前記サステイン波形駆動部は、スキャン駆動部及びサステイン駆動部を含むことを特徴とする。
【００１５】
前記サステイン波形駆動部は、前記サステイン波形供給時に発生するエネルギーを回収し、前記回収されたエネルギーを前記プラズマディスプレイパネルに再供給するエネルギー回収及び供給部を更に含むことを特徴とする。
【００１６】
前記エネルギー回収及び供給部は、エネルギー格納部に格納されたエネルギーを所定のインダクタンスを有する供給経路を通じて前記維持電極対に供給及び回収するインダクタ部と、前記維持電極対にエネルギーを供給した後、サステイン電圧を供給するサステイン電圧供給制御部と、前記維持電極対に供給されたエネルギーを回収した後、基底電圧を供給する基底電圧供給制御部と、を含むことを特徴とする。
【００１７】
前記フィルタ部は、前記インダクタ部とサステイン電圧供給制御部の共通段から前記維持電極対に供給されるエネルギー供給経路上に並列で連結されることを特徴とする。
【００１８】
前記フィルタ部の電気容量は、１０００ｐＦ以上４０００ｐＦ以下であることを特徴とする。
【００１９】
前記フィルタ部は、略３０ＭＨｚ乃至７０ＭＨｚの周波数帯域をフィルタリングすることを特徴とする。
【００２０】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数の維持電極対が形成されたプラズマディスプレイパネルと、前記維持電極対のうち、少なくともいずれか一つの電極にサステイン波形を供給する経路にフィルムキャパシタが含まれるサステイン波形駆動部と、を含むことを特徴とする。
【００２１】
前記維持電極対は、スキャン電極とサステイン電極を含み、前記サステイン波形駆動部は、スキャン駆動部及びサステイン駆動部を含むことを特徴とする。
【００２２】
前記サステイン波形駆動部は、前記サステイン波形供給時に発生するエネルギーを回収し、前記回収されたエネルギーを前記プラズマディスプレイパネルに再供給するエネルギー回収回路を更に含むことを特徴とする。
【００２３】
前記エネルギー回収回路は、エネルギー格納部に格納されたエネルギーを所定のインダクタンスを有する供給経路を通じて前記維持電極対に供給及び回収するインダクタと、前記維持電極対にエネルギーを供給した後、サステイン電圧を供給するサステイン電圧供給制御スイッチと、前記維持電極対に供給されたエネルギーを回収した後、基底電圧を供給する基底電圧供給制御スイッチと、を含むことを特徴とする。
【００２４】
前記フィルムキャパシタは、前記インダクタとサステイン電圧供給制御スイッチの共通段から前記維持電極対に供給されるエネルギー供給経路上に並列で連結されることを特徴とする。
【００２５】
前記フィルムキャパシタの電気容量は、１０００ｐＦ以上４０００ｐＦ以下であることを特徴とする。
【００２６】
前記フィルムキャパシタは、少なくとも一つ以上で形成されることを特徴とする。
【００２７】
前記フィルムキャパシタが複数個の場合、前記フィルムキャパシタは、互いに直列または並列のうちいずれか一つに連結されることを特徴とする。
【００２８】
前記維持電極対に印加される電流の周波数帯域に応じて、前記フィルムキャパシタの個数が変わることを特徴とする。
【００２９】
前記維持電極対に印加される電流の周波数帯域に応じて、前記フィルムキャパシタの連結関係が変わることを特徴とする。
【００３０】
前記フィルムキャパシタは、略３０ＭＨｚ乃至７０ＭＨｚ程度の周波数帯域をフィルタリングすることを特徴とする。
【００３１】
本発明の複数の維持電極対にサステイン波形を供給するプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、前記維持電極対のうち、少なくともいずれか一つの電極にエネルギーをフィルタリングして供給する段階と、前記エネルギー供給に続いてサステイン電圧を前記電極に供給する段階と、前記電極から前記エネルギーをフィルタリングして回収する段階と、前記エネルギー回収に続いて基底電圧を前記電極に供給する段階と、を含むことを特徴とする。
【００３２】
前記供給されるエネルギーまたは回収されるエネルギーのうちいずれか一つは、略３０ＭＨｚ乃至７０ＭＨｚの周波数帯域でフィルタリングされることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３３】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、サステイン波形印加の際、高周波成分により発生できるＥＭＩを減らすことができる効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、添付の図面を参照しつつ本発明のプラズマディスプレイ装置を詳細に説明する。
【００３５】
図３は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置を説明するための図である。
【００３６】
図３を参照すれば、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネル２００、スキャン駆動部５０２、サステイン駆動部５０４及びデータ駆動部５０６を具備する。ここで、本発明の複数の維持電極対は、スキャン電極とサステイン電極を含む。サステイン波形を供給するサステイン波形駆動部は、それぞれの電極を駆動するためのスキャン駆動部５０２とサステイン駆動部５０４とを含む。サステイン波形駆動部としてのスキャン駆動部５０２は、スキャン電極を駆動する。サステイン波形駆動部としてのサステイン駆動部５０４は、サステイン電極を駆動する。
【００３７】
プラズマディスプレイパネル２００は、前面基板（図示していない）と後面基板（図示していない）とが合着して形成される。この際、前面基板には、スキャン電極ライン（Ｙ１乃至Ｙｍ）とサステイン電極ライン（Ｚ１乃至Ｚｍ）が対をなして形成され、後面基板にはスキャン電極ライン（Ｙ１乃至Ｙｍ）とサステイン電極ライン（Ｚ１乃至Ｚｍ）に略直交して立体的に交差するようにデータ電極ライン（Ｘ１乃至Ｘｎ）が形成されており、ｍ×ｎ個の放電セル１がマトリックス形態で配置される。
【００３８】
スキャン駆動部５０２は、リセット期間の間、スキャン電極ライン（Ｙ１乃至Ｙｍ）にセットアップ波形とセットダウン波形を供給し、アドレス期間の間、スキャン電極ライン（Ｙ１乃至Ｙｍ）にスキャン基準電圧から負極性スキャン電圧へ下降するスキャン波形（スキャンパルス）を供給し、サステイン期間の間、スキャン電極ライン（Ｙ１乃至Ｙｍ）にサステイン電圧から基底電圧に振れる（スイングする）サステイン波形を供給する。
【００３９】
サステイン駆動部５０４は、セットダウン期間またはアドレス期間の間、サステイン電極ライン（Ｚ１乃至Ｚｍ）に所定の基準電圧を供給し、サステイン期間の間、前記スキャン電極ライン（Ｙ１乃至Ｙｍ）に供給されるサステイン波形と交互にサステイン電極ライン（Ｚ１乃至Ｚｍ）にサステイン電圧から基底電圧に振れる（スイングする）サステイン波形を供給する。
【００４０】
ここで、本発明の一実施形態に係るスキャン駆動部５０２またはサステイン駆動部５０４のうち、少なくともいずれか一つの駆動部は、サステイン波形を供給する経路にフィルタ部を含む。これによって、サステイン波形供給時に発生する電流のピーキング成分を低減させて、ＥＭＩが発生することを防止することができる。これに関するより詳細な説明は、図４乃至図６を通じて後述する。
【００４１】
データ駆動部５０６は、アドレス期間の間、アドレス電極ライン（Ｘ１乃至Ｘｎ）に前記スキャン波形と同期するように映像データに係るアドレス波形（データパルス）を供給する。
【００４２】
このような本発明の一実施形態に係るサステイン波形供給部、即ちスキャン駆動部５０２及びサステイン駆動部５０４は、サステイン期間の間、プラズマディスプレイパネルに供給されるエネルギーを回収して再使用又は再利用するエネルギー回収回路から構成されるエネルギー回収及び供給部を次の図４のように含む。
【００４３】
図４は、本発明の一実施形態に係るサステイン波形駆動部を説明するための図である。
【００４４】
図４を考察すると、サステイン波形駆動部、例えばスキャン駆動部またはサステイン駆動部のうちいずれか一つは、エネルギー格納部５１、エネルギー供給制御部５２、インダクタ部５３、サステイン電圧供給制御部５４、エネルギー回収制御部５５及び基底電圧供給制御部５６から構成されるエネルギー回収及び供給部と、フィルタ部５７と、を含む。
【００４５】
まず、エネルギー格納部５１は、サステイン放電に必要なエネルギーが格納された供給及び回収用キャパシタ（Ｃｓｓ）を含む。供給及び回収用キャパシタ（Ｃｓｓ）の一端は、エネルギー供給制御部５２の一端及びエネルギー 回収制御部５５の一端と共通連結される。
【００４６】
エネルギー供給制御部５２は、第１スイッチ（Ｑ１）と第１ダイオード（Ｄ１）を含み、第１スイッチ（Ｑ１）はターンオン（Turn on）されてエネルギー格納部５１の供給及び回収用キャパシタ（Css）に格納されていたエネルギーをプラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）に供給する。第１ダイオード（Ｄ１）は、パネル（Ｃｐ）から第１スイッチ（Ｑ１）を経由して供給及び回収用キャパシタ（Ｃｓｓ）の方に流れる逆電流を遮断する。このような第１ダイオード（Ｄ１）は、カソード段がインダクタ部５３に含まれた第１インダクタ（Ｌ）の一端に連結され、アノード段が第１スイッチ（Ｑ１）の一端に連結される。
【００４７】
インダクタ部５３は、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）と直列ＬＣ共振回路を構成するインダクタを含む。エネルギー格納部５１に格納されたエネルギーがエネルギー供給制御部５２によりプラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）に供給される際、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）はインダクタ部５３を経由して供給される共振波形で充電され始めて、サステイン電圧（Ｖｓ）まで充電される。また、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）のエネルギーがエネルギー格納部５３に回収される際、第３スイッチ（Ｑ３）のターンオンによって無効電力回収経路を形成する。したがって、エネルギー格納部５１は、インダクタ部５３を経由して回収される無効電力の電圧成分でエネルギーが充電される。
【００４８】
サステイン電圧供給制御部５５は、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）の維持電極対にエネルギー供給後、サステイン電圧に維持させるためのサステイン電圧供給制御スイッチである第２スイッチ（Ｑ２）を含む。第２スイッチ（Ｑ２）の一端は、サステイン電圧（Ｖｓ）を供給する外部のサステイン電圧源と連結され、第２スイッチ（Ｑ２）はプラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）に供給されるエネルギーがサステイン電圧（Ｖｓ）になった時にターンオンされて、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）がサステイン電圧（Ｖｓ）を維持するようにする。
【００４９】
エネルギー回収制御部５５は、第３スイッチ（Ｑ３）と第２ダイオード（Ｄ２）を含み、前記第３スイッチ（Ｑ３）はターンオンされてサステイン放電の際、無効電力の電圧成分がエネルギー格納部５１の供給及び回収用キャパシタ（Ｃｓｓ）に回収されるようにする。第２ダイオード（Ｄ２）は、供給及び回収用キャパシタ（Ｃｓｓ）から第３スイッチ（Ｑ３）を経由してパネル（Ｃｐ）の方に流れる逆電流を遮断する。このような第２ダイオード（Ｄ２）は、アノード段がインダクタ部５３に含まれた第２インダクタ（Ｌ２）の一端に連結され、カソード段が第３スイッチ（Ｑ３）の一端に連結される。
【００５０】
基底電圧供給制御部５６は、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）の維持電極対に供給されたエネルギーを回収した後、基底電圧に維持するようにするための基底電圧供給制御スイッチである第４スイッチ（Ｑ４）を含む。第４スイッチ（Ｑ４）の一端は、外部の基底電圧源（ＧＮＤ）と連結され、エネルギー格納部５１にエネルギーがＶｓ／２まで充電された後、ターンオンされて、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）は基底電圧源（ＧＮＤ）が供給する基底電圧の電圧値０Ｖを維持することになる。
【００５１】
フィルタ部５７は、サステイン期間の間供給されるサステイン波形により発生するＥＭＩを防止するためのフィルムキャパシタ（Ｃｆ）を含む。
【００５２】
フィルタ部５７は、一端がインダクタ部５３とサステイン電圧供給制御部５４の共通段からプラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）に供給されるエネルギー供給パス（エネルギー供給経路）上に並列で連結されている。内部のフィルムキャパシタは、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）に供給される電流のうち、高周波電流ピーキング成分をフィルタリングすることになる。
【００５３】
フィルタ部に含まれたフィルムキャパシタ（Ｃｆ）は、少なくとも一つ以上からなる。ここで、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）の維持電極対に印加される電流の周波数帯域によってフィルムキャパシタ（Ｃｆ）の個数を互いに異なるようにすることができる。
【００５４】
また、フィルムキャパシタ（Ｃｆ）が複数個をなす場合には、フィルタリングしようとする電流の高周波帯域によって並列または直列で連結する。即ち、フィルタリングしようとする電流の周波数帯域を広くしようとする場合にはフィルムキャパシタは並列で連結し、フィルタリングしようとする電流の周波数帯域を狭くしようとする場合にはフィルムキャパシタを直列連結することが可能である。
【００５５】
これは、パネルへのエネルギー供給時、フィルムキャパシタンス値によって共振周波数のバンドギャップが調節され、これによって、フィルタリングしようとする周波数帯域が調節されるためである。この際、フィルムキャパシタの静電容量は、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）の静電容量の１／１０の値を有するようにする。好ましくは、本発明の一実施形態に係るフィルムキャパシタ（Ｃｆ）の静電容量は、１０００ｐＦ以上４０００ｐＦ以下の値を有する。
【００５６】
また、本発明の一実施形態に係るフィルムキャパシタ（Ｃｆ）は、略３０ＭＨｚ乃至７０ＭＨｚ程度の周波数帯域をフィルタリングするようにする。これはサステイン期間間略３０ＭＨｚ乃至７０ＭＨｚの周波数帯域でプラズマディスプレイパネルの前面方向に多くのＥＭＩが発生するためである。
【００５７】
図５は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法を説明するための図である。
【００５８】
図５を図４のサステイン波形駆動部と結び付けて考察すると、次のような段階によりプラズマディスプレイ装置が駆動される。
【００５９】
エネルギー供給段階（Ｓｔａｔｅ１）では、第１スイッチＱ１がターンオンされ、残りの第２スイッチ乃至第４スイッチ（Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４）は全てターンオフされる。したがって、供給及び回収用キャパシタ（Ｃｓｓ）に格納されていたエネルギーがプラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）の維持電極対に供給される。エネルギーが供給される経路は、供給及び回収用キャパシタ（Ｃｓｓ）から、第１スイッチ（Ｑ１）−第１ダイオード（Ｄ１）−インダクタ部５３−プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）からなる。この際、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）に供給されるエネルギー、即ち、ＥＭＩソースである高周波電流成分のうち、ピーキング成分はフィルタリングされる。例えば、図５のエネルギー供給段階（Ｓｔａｔｅ 1）で電流（ＩＬ）のピーキング成分がフィルタリングされて実線から破線に低減することが見られる。
【００６０】
サステイン電圧維持段階（Ｓｔａｔｅ２）では、第２スイッチ（Ｑ２）がターンオンされ、残りの第１、３、４スイッチ（Ｑ１、Ｑ３、Ｑ４）はターンオフされる。これによって、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）にはエネルギー供給に続いてサステイン電圧（Ｖｓ）が印加及び維持されてサステイン放電を維持することになる。
【００６１】
エネルギー回収段階（Ｓｔａｔｅ３）では、第３スイッチ部（Ｑ３）がターンオンされ、残りの第１、２、４スイッチ（Ｑ１、Ｑ２、Ｑ４）はターンオフされる。したがって、サステイン放電の際、パネルの無効電力電圧成分が供給及び回収キャパシタ（Ｃｓｓ）にエネルギーで回収される。このように回収されるエネルギーの経路は、パネル（Ｃｐ）−インダクタ部５３−第２ダイオード（Ｄ２）−第３スイッチ（Ｑ３）−供給及び回収用キャパシタ（Ｃｓｓ）からなる。この際、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）から回収されるエネルギー、即ちＥＭＩソースである高周波電流成分のうち、ピーキング成分はフィルタリングされる。例えば、図５のエネルギー回収段階（Ｓｔａｔｅ３）で電流（−ＩＬ）のペッキング成分がフィルタリングされて実線から破線に低減することが見られる。
【００６２】
基底電圧維持及びエネルギー補充段階（Ｓｔａｔｅ４）では、第４スイッチ（Ｑ４）がターンオンされ、第１、２スイッチ（Ｑ１、Ｑ２）はターンオフされる。ここで、第３スイッチ（Ｑ３）の状態はターンオフまたはターンオンのいずれでも関係ない。言い換えれば、第３スイッチ（Ｑ３）の状態はターンオン又はターンオフの何れの状態であっても良い。したがって、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）に印加される電圧はグラウンドレベル（ＧＮＤ）になる。
【００６３】
図６は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置駆動時に発生するＥＭＩ特性を説明するための図である。
【００６４】
図６に示すように、周波数帯域に係るＥＭＩのレベルを示すグラフであって、（ａ）は従来のプラズマディスプレイ装置の駆動時に発生するＥＭＩ特性曲線である。（ｂ）は本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動時に発生するＥＭＩ特性曲線である。（ａ）と（ｂ）を比較すると、フィルタ部が含まれた本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置が従来のプラズマディスプレイ装置に比べてＥＭＩ特性が格段に向上することが分る。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】一般的なプラズマディスプレイパネルの構造を示す図である。
【図２】従来のプラズマディスプレイ装置の画像階調を具現する方法を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置を説明するための図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るサステイン波形駆動部を説明するための図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法を説明するための図である。
【図６】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置駆動時に発生するＥＭＩ特性を説明するための図である。
【符号の説明】
【００６６】
１００ 前面基板
１０１ 前面ガラス
１０２ スキャン電極
１０３ サステイン電極
１０４ 誘電体層
１０５ 保護層
１１０ 後面基板
１１１ 後面ガラス
１１２ 隔壁
１１３ アドレス電極
１１４ 蛍光体
１１５ 誘電体層
２００ プラズマディスプレイパネル
５０２ スキャン駆動部
５０４ サステイン駆動部
５０６ データ駆動部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ａｐｐａｒａｔｕｓ）に関し、より詳しくは、ＥＭＩ（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）を防止するためのプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイ装置（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ａｐｐａｒａｔｕｓ）は、前面基板と後面基板との間に形成された隔壁が一つの単位セルをなすプラズマディスプレイパネルを含む。各セル内には、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）、または、ネオン及びヘリウムの混合気体（Ｎｅ＋Ｈｅ）のような主放電気体と、少量のキセノンを含有する不活性ガスとが充填されている。高周波電圧により放電される際、不活性ガスは真空紫外線（Vacuum Ultraviolet rays）を発生し、隔壁間に形成された蛍光体を発光させて画像が具現される。このようなプラズマディスプレイ装置は、薄くて、かつ、軽い構成が可能であるので次世代の表示装置として脚光を浴びている。
【０００３】
図１は、一般的なプラズマディスプレイパネルの構造を示す図である。
【０００４】
図１に示すように、プラズマディスプレイパネルは、画像がディスプレイされる表示面である前面ガラス１０１にスキャン電極１０２とサステイン電極１０３が対をなして形成された複数の維持電極対が配列された前面基板１００、及び、背面をなす後面ガラス１１１上に上述の複数の維持電極対と交差するように複数のアドレス電極１１３が配列された後面基板１１０が一定距離を置いて平行するように結合される。
【０００５】
前面基板１００には、一つの放電セルで相互放電させ、セルの発光を維持するためのスキャン電極１０２及びサステイン電極１０３が形成されている。スキャン電極及びサステイン電極のぞれぞれは、透明なＩＴＯ（IndiumThin Oxide）物質で形成された透明電極（ａ）と、金属材質で製作されたバス電極（ｂ）とからなる。スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３は放電電流を制限し、電極対間を絶縁させる一つ以上の誘電体層１０４により覆われ、上部誘電体層１０４の上面には放電条件を容易にするために酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を蒸着した保護層１０５が形成される。
【０００６】
後面基板１１０は、複数個の放電空間、即ち、放電セルを形成させるためのストライプタイプ（または、ウェルタイプ）の隔壁１１２が略平行に配列される。また、アドレス放電を遂行して真空紫外線を発生させる多数のアドレス電極１１３が隔壁１１２に対し平行に配置される。後面基板１１０の上側面には、サステイン放電の際、画像表示のための可視光線を放出するＲ、Ｇ、Ｂ蛍光体１１４が塗布される。アドレス電極１１３と蛍光体１１４との間には、アドレス電極１１３を保護するための誘電体層１１５が形成される。
【０００７】
図２は、従来のプラズマディスプレイ装置の画像階調を具現する方法を示す図である。
【０００８】
図２に示すように、従来のプラズマディスプレイ装置の画像階調（Gray Level）表現方法は、１フレームを発光回数が異なる種々なるサブフィールドに分けられる。各サブフィールドは、更に、全てのセルを初期化させるためのリセット期間（ＲＰＤ）、放電されるセルを選択するためのアドレス期間（ＡＰＤ）、及び、放電回数によって階調を具現するサステイン期間（ＳＰＤ）に分けられる。例えば、２５６階調で画像を表示しようとする場合に１／６０秒に該当するフレーム期間（１６.６７ｍｓ）は、図３のように８個のサブフィールド（ＳＦ１乃至ＳＦ８）に分けられる。８個のサブフィールド（ＳＦ１乃至ＳＦ８）の各々は、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間に更に分けられることになる。
【０００９】
各サブフィールドのリセット期間及びアドレス期間は、各サブフィールド毎に同一である。放電されるセルを選択するためのアドレス放電は、スキャン電極である透明電極とアドレス電極との間の電圧差により起こる。サステイン期間は、各サブフィールドにおいて、２n（但し、ｎ=０、１、２、３、４、５、６、７）の割合で増加する。このように、各サブフィールドでサステイン期間の長さが変わることになるので、各サブフィールドのサステイン期間、即ち、サステイン放電回数を調節して画像の階調を表現することになる。
【００１０】
一方、従来のプラズマディスプレイ装置は、リセット期間、アドレス期間、サステイン期間に分けられ、各期間に駆動波形が印加されることによって、プラズマディスプレイパネル前面方向にＥＭＩが発生する。
【００１１】
特に、サステイン期間には、スキャン電極とサステイン電極に、高周波、高電圧のサステイン波形が交互に印加されることにより発生する電流ピーキング（Peaking）成分によりＥＭＩが増加する問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、サステイン期間時に発生するＥＭＩを防止できるプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイ装置の駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係るプラズマディスプレイ装置は、複数の維持電極対が形成されたプラズマディスプレイパネルと、前記維持電極対のうち、少なくともいずれか一つの電極にサステイン波形を供給する経路にフィルタ部が含まれるサステイン波形駆動部と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
前記維持電極対は、スキャン電極とサステイン電極を含み、前記サステイン波形駆動部は、スキャン駆動部及びサステイン駆動部を含むことを特徴とする。
【００１５】
前記サステイン波形駆動部は、前記サステイン波形供給時に発生するエネルギーを回収し、前記回収されたエネルギーを前記プラズマディスプレイパネルに再供給するエネルギー回収及び供給部を更に含むことを特徴とする。
【００１６】
前記エネルギー回収及び供給部は、エネルギー格納部に格納されたエネルギーを所定のインダクタンスを有する供給経路を通じて前記維持電極対に供給及び回収するインダクタ部と、前記維持電極対にエネルギーを供給した後、サステイン電圧を供給するサステイン電圧供給制御部と、前記維持電極対に供給されたエネルギーを回収した後、基底電圧を供給する基底電圧供給制御部と、を含むことを特徴とする。
【００１７】
前記フィルタ部は、前記インダクタ部とサステイン電圧供給制御部の共通段から前記維持電極対に供給されるエネルギー供給経路上に並列で連結されることを特徴とする。
【００１８】
前記フィルタ部の電気容量は、１０００ｐＦ以上４０００ｐＦ以下であることを特徴とする。
【００１９】
前記フィルタ部は、略３０ＭＨｚ乃至７０ＭＨｚの周波数帯域をフィルタリングすることを特徴とする。
【００２０】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、複数の維持電極対が形成されたプラズマディスプレイパネルと、前記維持電極対のうち、少なくともいずれか一つの電極にサステイン波形を供給する経路にフィルムキャパシタが含まれるサステイン波形駆動部と、を含むことを特徴とする。
【００２１】
前記維持電極対は、スキャン電極とサステイン電極を含み、前記サステイン波形駆動部は、スキャン駆動部及びサステイン駆動部を含むことを特徴とする。
【００２２】
前記サステイン波形駆動部は、前記サステイン波形供給時に発生するエネルギーを回収し、前記回収されたエネルギーを前記プラズマディスプレイパネルに再供給するエネルギー回収回路を更に含むことを特徴とする。
【００２３】
前記エネルギー回収回路は、エネルギー格納部に格納されたエネルギーを所定のインダクタンスを有する供給経路を通じて前記維持電極対に供給及び回収するインダクタと、前記維持電極対にエネルギーを供給した後、サステイン電圧を供給するサステイン電圧供給制御スイッチと、前記維持電極対に供給されたエネルギーを回収した後、基底電圧を供給する基底電圧供給制御スイッチと、を含むことを特徴とする。
【００２４】
前記フィルムキャパシタは、前記インダクタとサステイン電圧供給制御スイッチの共通段から前記維持電極対に供給されるエネルギー供給経路上に並列で連結されることを特徴とする。
【００２５】
前記フィルムキャパシタの電気容量は、１０００ｐＦ以上４０００ｐＦ以下であることを特徴とする。
【００２６】
前記フィルムキャパシタは、少なくとも一つ以上で形成されることを特徴とする。
【００２７】
前記フィルムキャパシタが複数個の場合、前記フィルムキャパシタは、互いに直列または並列のうちいずれか一つに連結されることを特徴とする。
【００２８】
前記維持電極対に印加される電流の周波数帯域に応じて、前記フィルムキャパシタの個数が変わることを特徴とする。
【００２９】
前記維持電極対に印加される電流の周波数帯域に応じて、前記フィルムキャパシタの連結関係が変わることを特徴とする。
【００３０】
前記フィルムキャパシタは、略３０ＭＨｚ乃至７０ＭＨｚ程度の周波数帯域をフィルタリングすることを特徴とする。
【００３１】
本発明の複数の維持電極対にサステイン波形を供給するプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、前記維持電極対のうち、少なくともいずれか一つの電極にエネルギーをフィルタリングして供給する段階と、前記エネルギー供給に続いてサステイン電圧を前記電極に供給する段階と、前記電極から前記エネルギーをフィルタリングして回収する段階と、前記エネルギー回収に続いて基底電圧を前記電極に供給する段階と、を含むことを特徴とする。
【００３２】
前記供給されるエネルギーまたは回収されるエネルギーのうちいずれか一つは、略３０ＭＨｚ乃至７０ＭＨｚの周波数帯域でフィルタリングされることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３３】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、サステイン波形印加の際、高周波成分により発生できるＥＭＩを減らすことができる効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、添付の図面を参照しつつ本発明のプラズマディスプレイ装置を詳細に説明する。
【００３５】
図３は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置を説明するための図である。
【００３６】
図３を参照すれば、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネル２００、スキャン駆動部５０２、サステイン駆動部５０４及びデータ駆動部５０６を具備する。ここで、本発明の複数の維持電極対は、スキャン電極とサステイン電極を含む。サステイン波形を供給するサステイン波形駆動部は、それぞれの電極を駆動するためのスキャン駆動部５０２とサステイン駆動部５０４とを含む。サステイン波形駆動部としてのスキャン駆動部５０２は、スキャン電極を駆動する。サステイン波形駆動部としてのサステイン駆動部５０４は、サステイン電極を駆動する。
【００３７】
プラズマディスプレイパネル２００は、前面基板（図示していない）と後面基板（図示していない）とが合着して形成される。この際、前面基板には、スキャン電極ライン（Ｙ１乃至Ｙｍ）とサステイン電極ライン（Ｚ１乃至Ｚｍ）が対をなして形成され、後面基板にはスキャン電極ライン（Ｙ１乃至Ｙｍ）とサステイン電極ライン（Ｚ１乃至Ｚｍ）に略直交して立体的に交差するようにデータ電極ライン（Ｘ１乃至Ｘｎ）が形成されており、ｍ×ｎ個の放電セル１がマトリックス形態で配置される。
【００３８】
スキャン駆動部５０２は、リセット期間の間、スキャン電極ライン（Ｙ１乃至Ｙｍ）にセットアップ波形とセットダウン波形を供給し、アドレス期間の間、スキャン電極ライン（Ｙ１乃至Ｙｍ）にスキャン基準電圧から負極性スキャン電圧へ下降するスキャン波形（スキャンパルス）を供給し、サステイン期間の間、スキャン電極ライン（Ｙ１乃至Ｙｍ）にサステイン電圧から基底電圧に振れる（スイングする）サステイン波形を供給する。
【００３９】
サステイン駆動部５０４は、セットダウン期間またはアドレス期間の間、サステイン電極ライン（Ｚ１乃至Ｚｍ）に所定の基準電圧を供給し、サステイン期間の間、前記スキャン電極ライン（Ｙ１乃至Ｙｍ）に供給されるサステイン波形と交互にサステイン電極ライン（Ｚ１乃至Ｚｍ）にサステイン電圧から基底電圧に振れる（スイングする）サステイン波形を供給する。
【００４０】
ここで、本発明の一実施形態に係るスキャン駆動部５０２またはサステイン駆動部５０４のうち、少なくともいずれか一つの駆動部は、サステイン波形を供給する経路にフィルタ部を含む。これによって、サステイン波形供給時に発生する電流のピーキング成分を低減させて、ＥＭＩが発生することを防止することができる。これに関するより詳細な説明は、図４乃至図６を通じて後述する。
【００４１】
データ駆動部５０６は、アドレス期間の間、アドレス電極ライン（Ｘ１乃至Ｘｎ）に前記スキャン波形と同期するように映像データに係るアドレス波形（データパルス）を供給する。
【００４２】
このような本発明の一実施形態に係るサステイン波形供給部、即ちスキャン駆動部５０２及びサステイン駆動部５０４は、サステイン期間の間、プラズマディスプレイパネルに供給されるエネルギーを回収して再使用又は再利用するエネルギー回収回路から構成されるエネルギー回収及び供給部を次の図４のように含む。
【００４３】
図４は、本発明の一実施形態に係るサステイン波形駆動部を説明するための図である。
【００４４】
図４を考察すると、サステイン波形駆動部、例えばスキャン駆動部またはサステイン駆動部のうちいずれか一つは、エネルギー格納部５１、エネルギー供給制御部５２、インダクタ部５３、サステイン電圧供給制御部５４、エネルギー回収制御部５５及び基底電圧供給制御部５６から構成されるエネルギー回収及び供給部と、フィルタ部５７と、を含む。
【００４５】
まず、エネルギー格納部５１は、サステイン放電に必要なエネルギーが格納された供給及び回収用キャパシタ（Ｃｓｓ）を含む。供給及び回収用キャパシタ（Ｃｓｓ）の一端は、エネルギー供給制御部５２の一端及びエネルギー 回収制御部５５の一端と共通連結される。
【００４６】
エネルギー供給制御部５２は、第１スイッチ（Ｑ１）と第１ダイオード（Ｄ１）を含み、第１スイッチ（Ｑ１）はターンオン（Turn on）されてエネルギー格納部５１の供給及び回収用キャパシタ（Css）に格納されていたエネルギーをプラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）に供給する。第１ダイオード（Ｄ１）は、パネル（Ｃｐ）から第１スイッチ（Ｑ１）を経由して供給及び回収用キャパシタ（Ｃｓｓ）の方に流れる逆電流を遮断する。このような第１ダイオード（Ｄ１）は、カソード段がインダクタ部５３に含まれた第１インダクタ（Ｌ）の一端に連結され、アノード段が第１スイッチ（Ｑ１）の一端に連結される。
【００４７】
インダクタ部５３は、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）と直列ＬＣ共振回路を構成するインダクタを含む。エネルギー格納部５１に格納されたエネルギーがエネルギー供給制御部５２によりプラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）に供給される際、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）はインダクタ部５３を経由して供給される共振波形で充電され始めて、サステイン電圧（Ｖｓ）まで充電される。また、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）のエネルギーがエネルギー格納部５３に回収される際、第３スイッチ（Ｑ３）のターンオンによって無効電力回収経路を形成する。したがって、エネルギー格納部５１は、インダクタ部５３を経由して回収される無効電力の電圧成分でエネルギーが充電される。
【００４８】
サステイン電圧供給制御部５５は、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）の維持電極対にエネルギー供給後、サステイン電圧に維持させるためのサステイン電圧供給制御スイッチである第２スイッチ（Ｑ２）を含む。第２スイッチ（Ｑ２）の一端は、サステイン電圧（Ｖｓ）を供給する外部のサステイン電圧源と連結され、第２スイッチ（Ｑ２）はプラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）に供給されるエネルギーがサステイン電圧（Ｖｓ）になった時にターンオンされて、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）がサステイン電圧（Ｖｓ）を維持するようにする。
【００４９】
エネルギー回収制御部５５は、第３スイッチ（Ｑ３）と第２ダイオード（Ｄ２）を含み、前記第３スイッチ（Ｑ３）はターンオンされてサステイン放電の際、無効電力の電圧成分がエネルギー格納部５１の供給及び回収用キャパシタ（Ｃｓｓ）に回収されるようにする。第２ダイオード（Ｄ２）は、供給及び回収用キャパシタ（Ｃｓｓ）から第３スイッチ（Ｑ３）を経由してパネル（Ｃｐ）の方に流れる逆電流を遮断する。このような第２ダイオード（Ｄ２）は、アノード段がインダクタ部５３に含まれた第２インダクタ（Ｌ２）の一端に連結され、カソード段が第３スイッチ（Ｑ３）の一端に連結される。
【００５０】
基底電圧供給制御部５６は、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）の維持電極対に供給されたエネルギーを回収した後、基底電圧に維持するようにするための基底電圧供給制御スイッチである第４スイッチ（Ｑ４）を含む。第４スイッチ（Ｑ４）の一端は、外部の基底電圧源（ＧＮＤ）と連結され、エネルギー格納部５１にエネルギーがＶｓ／２まで充電された後、ターンオンされて、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）は基底電圧源（ＧＮＤ）が供給する基底電圧の電圧値０Ｖを維持することになる。
【００５１】
フィルタ部５７は、サステイン期間の間供給されるサステイン波形により発生するＥＭＩを防止するためのフィルムキャパシタ（Ｃｆ）を含む。
【００５２】
フィルタ部５７は、一端がインダクタ部５３とサステイン電圧供給制御部５４の共通段からプラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）に供給されるエネルギー供給パス（エネルギー供給経路）上に並列で連結されている。内部のフィルムキャパシタは、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）に供給される電流のうち、高周波電流ピーキング成分をフィルタリングすることになる。
【００５３】
フィルタ部に含まれたフィルムキャパシタ（Ｃｆ）は、少なくとも一つ以上からなる。ここで、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）の維持電極対に印加される電流の周波数帯域によってフィルムキャパシタ（Ｃｆ）の個数を互いに異なるようにすることができる。
【００５４】
また、フィルムキャパシタ（Ｃｆ）が複数個をなす場合には、フィルタリングしようとする電流の高周波帯域によって並列または直列で連結する。即ち、フィルタリングしようとする電流の周波数帯域を広くしようとする場合にはフィルムキャパシタは並列で連結し、フィルタリングしようとする電流の周波数帯域を狭くしようとする場合にはフィルムキャパシタを直列連結することが可能である。
【００５５】
これは、パネルへのエネルギー供給時、フィルムキャパシタンス値によって共振周波数のバンドギャップが調節され、これによって、フィルタリングしようとする周波数帯域が調節されるためである。この際、フィルムキャパシタの静電容量は、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）の静電容量の１／１０の値を有するようにする。好ましくは、本発明の一実施形態に係るフィルムキャパシタ（Ｃｆ）の静電容量は、１０００ｐＦ以上４０００ｐＦ以下の値を有する。
【００５６】
また、本発明の一実施形態に係るフィルムキャパシタ（Ｃｆ）は、略３０ＭＨｚ乃至７０ＭＨｚ程度の周波数帯域をフィルタリングするようにする。これはサステイン期間間略３０ＭＨｚ乃至７０ＭＨｚの周波数帯域でプラズマディスプレイパネルの前面方向に多くのＥＭＩが発生するためである。
【００５７】
図５は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法を説明するための図である。
【００５８】
図５を図４のサステイン波形駆動部と結び付けて考察すると、次のような段階によりプラズマディスプレイ装置が駆動される。
【００５９】
エネルギー供給段階（Ｓｔａｔｅ１）では、第１スイッチＱ１がターンオンされ、残りの第２スイッチ乃至第４スイッチ（Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４）は全てターンオフされる。したがって、供給及び回収用キャパシタ（Ｃｓｓ）に格納されていたエネルギーがプラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）の維持電極対に供給される。エネルギーが供給される経路は、供給及び回収用キャパシタ（Ｃｓｓ）から、第１スイッチ（Ｑ１）−第１ダイオード（Ｄ１）−インダクタ部５３−プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）からなる。この際、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）に供給されるエネルギー、即ち、ＥＭＩソースである高周波電流成分のうち、ピーキング成分はフィルタリングされる。例えば、図５のエネルギー供給段階（Ｓｔａｔｅ 1）で電流（ＩＬ）のピーキング成分がフィルタリングされて実線から破線に低減することが見られる。
【００６０】
サステイン電圧維持段階（Ｓｔａｔｅ２）では、第２スイッチ（Ｑ２）がターンオンされ、残りの第１、３、４スイッチ（Ｑ１、Ｑ３、Ｑ４）はターンオフされる。これによって、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）にはエネルギー供給に続いてサステイン電圧（Ｖｓ）が印加及び維持されてサステイン放電を維持することになる。
【００６１】
エネルギー回収段階（Ｓｔａｔｅ３）では、第３スイッチ部（Ｑ３）がターンオンされ、残りの第１、２、４スイッチ（Ｑ１、Ｑ２、Ｑ４）はターンオフされる。したがって、サステイン放電の際、パネルの無効電力電圧成分が供給及び回収キャパシタ（Ｃｓｓ）にエネルギーで回収される。このように回収されるエネルギーの経路は、パネル（Ｃｐ）−インダクタ部５３−第２ダイオード（Ｄ２）−第３スイッチ（Ｑ３）−供給及び回収用キャパシタ（Ｃｓｓ）からなる。この際、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）から回収されるエネルギー、即ちＥＭＩソースである高周波電流成分のうち、ピーキング成分はフィルタリングされる。例えば、図５のエネルギー回収段階（Ｓｔａｔｅ３）で電流（−ＩＬ）のペッキング成分がフィルタリングされて実線から破線に低減することが見られる。
【００６２】
基底電圧維持及びエネルギー補充段階（Ｓｔａｔｅ４）では、第４スイッチ（Ｑ４）がターンオンされ、第１、２スイッチ（Ｑ１、Ｑ２）はターンオフされる。ここで、第３スイッチ（Ｑ３）の状態はターンオフまたはターンオンのいずれでも関係ない。言い換えれば、第３スイッチ（Ｑ３）の状態はターンオン又はターンオフの何れの状態であっても良い。したがって、プラズマディスプレイパネル（Ｃｐ）に印加される電圧はグラウンドレベル（ＧＮＤ）になる。
【００６３】
図６は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置駆動時に発生するＥＭＩ特性を説明するための図である。
【００６４】
図６に示すように、周波数帯域に係るＥＭＩのレベルを示すグラフであって、（ａ）は従来のプラズマディスプレイ装置の駆動時に発生するＥＭＩ特性曲線である。（ｂ）は本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動時に発生するＥＭＩ特性曲線である。（ａ）と（ｂ）を比較すると、フィルタ部が含まれた本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置が従来のプラズマディスプレイ装置に比べてＥＭＩ特性が格段に向上することが分る。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】一般的なプラズマディスプレイパネルの構造を示す図である。
【図２】従来のプラズマディスプレイ装置の画像階調を具現する方法を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置を説明するための図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るサステイン波形駆動部を説明するための図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法を説明するための図である。
【図６】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置駆動時に発生するＥＭＩ特性を説明するための図である。
【符号の説明】
【００６６】
１００ 前面基板
１０１ 前面ガラス
１０２ スキャン電極
１０３ サステイン電極
１０４ 誘電体層
１０５ 保護層
１１０ 後面基板
１１１ 後面ガラス
１１２ 隔壁
１１３ アドレス電極
１１４ 蛍光体
１１５ 誘電体層
２００ プラズマディスプレイパネル
５０２ スキャン駆動部
５０４ サステイン駆動部
５０６ データ駆動部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の維持電極対が形成されたプラズマディスプレイパネルと、
前記維持電極対のうち、少なくともいずれか一つの電極にサステイン波形を供給する経路にフィルタ部が含まれるサステイン波形駆動部と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記複数の維持電極対は、スキャン電極とサステイン電極を含み、
前記サステイン波形駆動部は、スキャン駆動部及びサステイン駆動部を含むことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記サステイン波形駆動部は、
前記サステイン波形供給時に発生するエネルギーを回収し、前記回収されたエネルギーを前記プラズマディスプレイパネルに再供給するエネルギー回収及び供給部を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記エネルギー回収及び供給部は、
エネルギー格納部に格納されたエネルギーを所定のインダクタンスを有する供給経路を通じて前記維持電極対に供給及び回収するインダクタ部と、
前記維持電極対にエネルギーを供給した後、サステイン電圧を供給するサステイン電圧供給制御部と、
前記維持電極対に供給されたエネルギーを回収した後、基底電圧を供給する基底電圧供給制御部と、
を含むことを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記フィルタ部は、前記インダクタ部とサステイン電圧供給制御部の共通段から前記維持電極対に供給されるエネルギー供給経路上に並列で連結されることを特徴とする、請求項４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記フィルタ部の電気容量は、１０００ｐＦ以上４０００ｐＦ以下であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記フィルタ部は略３０ＭＨｚ乃至７０ＭＨｚの周波数帯域をフィルタリングすることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
複数の維持電極対が形成されたプラズマディスプレイパネルと、
前記維持電極対のうち、少なくともいずれか一つの電極にサステイン波形を供給する経路にフィルムキャパシタが含まれるサステイン波形駆動部と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記維持電極対はスキャン電極とサステイン電極を含み、
前記サステイン波形駆動部は、スキャン駆動部及びサステイン駆動部を含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記サステイン波形駆動部は、
前記サステイン波形供給時に発生するエネルギーを回収し、前記回収されたエネルギーを前記プラズマディスプレイパネルに再供給するエネルギー回収回路を更に含むことを特徴とする、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記エネルギー回収回路は、
エネルギー格納部に格納されたエネルギーを所定のインダクタンスを有する供給経路を通じて前記維持電極対に供給及び回収するインダクタと、
前記維持電極対にエネルギーを供給した後、サステイン電圧を供給するサステイン電圧供給制御スイッチと、
前記維持電極対に供給されたエネルギーを回収した後、基底電圧を供給する基底電圧供給制御スイッチと、
を含むことを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記フィルムキャパシタは、
前記インダクタとサステイン電圧供給制御スイッチの共通段から前記維持電極対に供給されるエネルギー供給経路上に並列で連結されることを特徴とする、請求項１０に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記フィルムキャパシタの電気容量は、１０００ｐＦ以上４０００ｐＦ以下であることを特徴とする、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記フィルムキャパシタは、少なくとも一つ以上で形成されることを特徴とする、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記維持電極対に印加される電流の周波数帯域に応じて、前記フィルムキャパシタの個数が変わることを特徴とする、請求項１４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記フィルムキャパシタが複数個の場合、前記フィルムキャパシタは、互いに直列または並列のうちいずれか一つに連結されることを特徴とする、請求項１４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記維持電極対に印加される電流の周波数帯域に応じて、前記フィルムキャパシタの連結関係が変わることを特徴とする、請求項１６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記フィルムキャパシタは、略３０ＭＨｚ乃至７０ＭＨｚ程度の周波数帯域をフィルタリングすることを特徴とする、請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１９】
複数の維持電極対にサステイン波形を供給するプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
前記維持電極対のうち、少なくともいずれか一つの電極にエネルギーをフィルタリングして供給する段階と、
前記エネルギー供給に続いてサステイン電圧を前記電極に供給する段階と、
前記電極から前記エネルギーをフィルタリングして回収する段階と、
前記エネルギー回収に続いて基底電圧を前記電極に供給する段階と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項２０】
前記供給されるエネルギーまたは回収されるエネルギーのうちいずれか一つは、略３０ＭＨｚ乃至７０ＭＨｚの周波数帯域でフィルタリングされることを特徴とする、請求項１９に記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項１】
複数の維持電極対が形成されたプラズマディスプレイパネルと、
前記維持電極対のうち、少なくともいずれか一つの電極にサステイン波形を供給する経路にフィルタ部が含まれるサステイン波形駆動部と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記複数の維持電極対は、スキャン電極とサステイン電極を含み、
前記サステイン波形駆動部は、スキャン駆動部及びサステイン駆動部を含むことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記サステイン波形駆動部は、
前記サステイン波形供給時に発生するエネルギーを回収し、前記回収されたエネルギーを前記プラズマディスプレイパネルに再供給するエネルギー回収及び供給部を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記エネルギー回収及び供給部は、
エネルギー格納部に格納されたエネルギーを所定のインダクタンスを有する供給経路を通じて前記維持電極対に供給及び回収するインダクタ部と、
前記維持電極対にエネルギーを供給した後、サステイン電圧を供給するサステイン電圧供給制御部と、
前記維持電極対に供給されたエネルギーを回収した後、基底電圧を供給する基底電圧供給制御部と、
を含むことを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記フィルタ部は、前記インダクタ部とサステイン電圧供給制御部の共通段から前記維持電極対に供給されるエネルギー供給経路上に並列で連結されることを特徴とする、請求項４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記フィルタ部の電気容量は、１０００ｐＦ以上４０００ｐＦ以下であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記フィルタ部は略３０ＭＨｚ乃至７０ＭＨｚの周波数帯域をフィルタリングすることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
複数の維持電極対が形成されたプラズマディスプレイパネルと、
前記維持電極対のうち、少なくともいずれか一つの電極にサステイン波形を供給する経路にフィルムキャパシタが含まれるサステイン波形駆動部と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記維持電極対はスキャン電極とサステイン電極を含み、
前記サステイン波形駆動部は、スキャン駆動部及びサステイン駆動部を含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記サステイン波形駆動部は、
前記サステイン波形供給時に発生するエネルギーを回収し、前記回収されたエネルギーを前記プラズマディスプレイパネルに再供給するエネルギー回収回路を更に含むことを特徴とする、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記エネルギー回収回路は、
エネルギー格納部に格納されたエネルギーを所定のインダクタンスを有する供給経路を通じて前記維持電極対に供給及び回収するインダクタと、
前記維持電極対にエネルギーを供給した後、サステイン電圧を供給するサステイン電圧供給制御スイッチと、
前記維持電極対に供給されたエネルギーを回収した後、基底電圧を供給する基底電圧供給制御スイッチと、
を含むことを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記フィルムキャパシタは、
前記インダクタとサステイン電圧供給制御スイッチの共通段から前記維持電極対に供給されるエネルギー供給経路上に並列で連結されることを特徴とする、請求項１０に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記フィルムキャパシタの電気容量は、１０００ｐＦ以上４０００ｐＦ以下であることを特徴とする、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記フィルムキャパシタは、少なくとも一つ以上で形成されることを特徴とする、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記維持電極対に印加される電流の周波数帯域に応じて、前記フィルムキャパシタの個数が変わることを特徴とする、請求項１４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記フィルムキャパシタが複数個の場合、前記フィルムキャパシタは、互いに直列または並列のうちいずれか一つに連結されることを特徴とする、請求項１４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記維持電極対に印加される電流の周波数帯域に応じて、前記フィルムキャパシタの連結関係が変わることを特徴とする、請求項１６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記フィルムキャパシタは、略３０ＭＨｚ乃至７０ＭＨｚ程度の周波数帯域をフィルタリングすることを特徴とする、請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１９】
複数の維持電極対にサステイン波形を供給するプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
前記維持電極対のうち、少なくともいずれか一つの電極にエネルギーをフィルタリングして供給する段階と、
前記エネルギー供給に続いてサステイン電圧を前記電極に供給する段階と、
前記電極から前記エネルギーをフィルタリングして回収する段階と、
前記エネルギー回収に続いて基底電圧を前記電極に供給する段階と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項２０】
前記供給されるエネルギーまたは回収されるエネルギーのうちいずれか一つは、略３０ＭＨｚ乃至７０ＭＨｚの周波数帯域でフィルタリングされることを特徴とする、請求項１９に記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【図１】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００６−２２１１６４（Ｐ２００６−２２１１６４Ａ）
【公開日】平成１８年８月２４日（２００６．８．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２５６２９（Ｐ２００６−２５６２９）
【出願日】平成１８年２月２日（２００６．２．２）
【出願人】（５９０００１６６９）エルジー電子株式会社 (296)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年８月２４日（２００６．８．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年２月２日（２００６．２．２）
【出願人】（５９０００１６６９）エルジー電子株式会社 (296)
【Ｆターム（参考）】
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