ヘッド・サスペンション配線構造

【課題】用いられる信号周波数が低いデバイスのための配線を追加し、要求特性を満足させながら、フレキシャの幅増大を抑制することを可能とする。
【解決手段】ロード・ビームと媒体相対面を熱膨張により変位させるヒーター・コイル及び媒体相対面の当りを検出する低熱膨張層と、記録側配線４７及び再生側配線４５とヒーター・コイル及び低熱膨張層に接続したヒーター配線４９及びセンサー配線３７とを有しヘッド部を支持してロード・ビームに取り付けられたフレキシャ７とを備え、フレキシャ７は、記録側配線４７及び再生側配線４５とヒーター配線４９及びセンサー配線３７とを導電性薄板の基材１７に可撓性樹脂のベース絶縁層３５を介して配設し、センサー配線３７及びヒーター配線４９を再生側配線４５及び記録側配線４７よりも幅広に形成して中間絶縁層４１を介し両極配線３７ａ，３７ｂ、４９ａ，４９ｂを積層したことを特徴とする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピュータ等の情報処理装置に内蔵されるハード・ディスク・ドライブのヘッド・サスペンションに供されるヘッド・サスペンション配線構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハード・ディスク・ドライブ（HDD「Hard Disk Drive」）の高記録密度を実現するためハード・ディスクの記録面に対するヘッド部の浮上量を低下させる必要があり、近年にあっては、１０ｎｍオーダーの浮上量が実現されている。
【０００３】
しかしながら、ヘッド部の浮上量が低下するとハード・ディスク面の微小突起との衝突が発生しやすくなり、またヘッド部ごとのクリアランスのばらつきが機械的な公差範囲で存在するため、媒体接触を考慮すると、浮上量は公差範囲を超えて低く設定することができない問題がある。
【０００４】
この問題を解消する方法として、ヘッド部にヒーターを内蔵し、ヒーターの通電に伴うヘッド浮上面の熱膨張による突出現象を利用して、ヘッド部とハード・ディスクの記録面とのクリアランスをコントロールする技術が特許文献１として提案されている。
【０００５】
この提案では、低熱膨張層を圧電センサー構造（センサー）とすることで、ヒーター・コイルの通電により突出させた媒体相対面が、ハード・ディスクの媒体面に衝突すると、この衝突したことによる衝撃が低熱膨張層を構成する圧電センサー構造に加わり、衝撃対応電圧を信号出力端子から外部に出力するようにしている。
【０００６】
この衝撃対応電圧の出力によりヒーター・コイルの通電を制御し、ハード・ディスクの媒体面に対するヘッド部の浮上量を制御することができる。
【０００７】
また、特許文献２等に開示されているように、近年では、磁化の熱安定性確保のために、磁気ディスクの記録層部分を加熱するための近接場光を発生させる近接場光発生部（プラズモン・プローブ）を備えた熱アシスト（ヒート・アシスト）磁気ヘッドなども存在する。
【０００８】
一方、従来のハード・ディスク・ドライブに装備されるヘッド・サスペンションにおいて、フレキシャ（Flexure）は、ヘッド部に接続される記録・再生信号を伝搬する配線が、ばね性を有するステンレス製薄板の基材に可撓性樹脂のベース絶縁層を介して配設され、この配線を可撓性樹脂のカバー絶縁層が覆う４層構造等となっている。
【０００９】
このような配線構造に対し、前記ヒーター、センサー、ヒート・アシストなどのデバイスのための配線を単に追加すると、フレキシャの幅が増大するという問題がある。
【００１０】
しかも、このヒーター、センサー、ヒート・アシストなどのデバイスの配線は、低消費電力化のために低損失化が求められ、また、センサーに用いられる信号周波数が記録信号に対して１／１０以下と低く、広帯域配線ではノイズレベルを低く抑えることが難しく、狭帯域化が求められる。このような要求を満たすためにはかかるデバイスの配線を幅広にする必要があり、フレキシャの幅が益々増大し、小型化に不利となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００８−５２８８２号公報
【特許文献２】特開２００８−１５２８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
解決しようとする問題点は、用いられる信号周波数が低いデバイスのための配線を単に追加し、要求特性を満足させると、フレキシャの幅が増大し、小型化に不利になるという点である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、用いられる信号周波数が低いデバイスのための配線を追加し、要求特性を満足させながら、フレキシャの幅増大を抑制することを可能とするため、記録媒体に対して情報の記録・再生を行うためのヘッド部に負荷荷重を与えるロード・ビームと、前記ヘッド部に設けられ前記記録・再生以外の機能を低周波信号により動作するデバイスと、前記ヘッド部に接続した記録側及び再生側の記録側配線及び再生側配線と前記デバイスに接続したデバイス配線とを有し前記ヘッド部を支持して前記ロード・ビームに取り付けられたフレキシャとを備え、前記フレキシャは、前記記録側配線及び再生側配線と前記デバイス配線とを導電性薄板の基材にベース絶縁層を介して配設したヘッド・サスペンション配線構造であって、前記デバイス配線を前記再生側配線よりも幅広に形成して中間絶縁層を介し両極配線を積層したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、記録媒体に対して情報の記録・再生を行うためのヘッド部に負荷荷重を与えるロード・ビームと、前記ヘッド部に設けられ前記記録・再生以外の機能を低周波信号により動作するデバイスと、前記ヘッド部に接続した記録側及び再生側の記録側配線及び再生側配線と前記デバイスに接続したデバイス配線とを有し前記ヘッド部を支持して前記ロード・ビームに取り付けられたフレキシャとを備え、前記フレキシャは、前記記録側配線及び再生側配線と前記デバイス配線とを導電性薄板の基材にベース絶縁層を介して配設したヘッド・サスペンション配線構造であって、前記デバイス配線を前記再生側配線よりも幅広に形成して中間絶縁層を介し両極配線を積層した。
【００１５】
このため、デバイス配線を再生側配線よりも幅広に形成して低損失とし、狭帯域としてノイズの影響をするなど、要求特性を満足させながら、配線の積層によりフレキシャの幅増大を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】ヘッド・サスペンションの平面図である。（実施例１）
【図２】ヘッド・サスペンションの要部拡大平面図である。（実施例１）
【図３】ヒーター及びセンサーを示すヘッド部の拡大断面図である。（実施例１）
【図４】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応して示す基本的な積層構造の一部を示す断面図である。（実施例１）
【図５】要求特性を示す図表である。（実施例１）
【図６】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。（実施例１）
【図７】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。（実施例２）
【図８】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。（実施例３）
【図９】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。（実施例４）
【図１０】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。（実施例５）
【図１１】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。（実施例６）
【図１２】交互配置される交互配線部の斜視図である。（実施例６）
【図１３】図１２の等価回路を示す回路図である。（実施例６）
【図１４】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。（実施例７）
【図１５】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。（実施例８）
【図１６】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。（実施例９）
【図１７】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。（実施例１０）
【図１８】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。（実施例１１）
【図１９】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。（実施例１２）
【図２０】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。（実施例１３
【図２１】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。（実施例１４）
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
用いられる信号周波数が低いデバイスのための配線を追加し、要求特性を満足させながら、フレキシャの幅増大を抑制することを可能とするという目的を、デバイス配線の幅広化と積層とにより実現した。
【実施例１】
【００１８】
［ヘッド・サスペンション配線構造の全体構成］
図１は、本発明実施例１を適用したヘッド・サスペンション配線構造の平面図、図２は、
ヘッド・サスペンションの要部拡大平面図である。
【００１９】
図１、図２のように、ヘッド・サスペンション１は、ロード・ビーム３と、ベース部５
と、フレキシャ７とを備えている。
【００２０】
前記ロード・ビーム３は、ヘッド部２１に負荷荷重を与えるもので、剛体部９とばね部
１１とを備えている。剛体部９は、例えばステンレス鋼で形成され、その厚みは比較的厚く、例えば１００μｍ程度に設定されている。
【００２１】
ばね部１１は、剛体部９とは別体に形成されたもので、例えばばね性のある薄いステン
レス鋼圧延板からなり、剛体部９よりもそのばね定数が低く、精度の高い低ばね定数を有している。このばね部１１の板厚は、例えば、ｔ＝４０μｍ程度に設定されている。ばね部１１は、その一端部が前記剛体部９の後端部にレーザ溶接などによって固着されている。ばね部１１の他端部には、補強プレート１３が一体に設けられている。
【００２２】
ベース部５は、ベース・プレート１５を有している。このベース・プレート１５は補強
プレート１３に重ね合わされ、レーザ溶接などによって相互に固着されている。
【００２３】
従って、ベース・プレート１５が補強プレート１３により補強されてベース部５が構成
されている。このベース部５が、キャリッジのアームに取り付けられ、軸回りに回転駆動される。
【００２４】
フレキシャ７は、ばね性を有する薄いステンレス鋼圧延板（ＳＳＴ）などの厚さ１５〜
３０μｍ程度の導電性薄板で形成した基材１７上に、後述する電気絶縁層を介して配線パターン１９を形成している。このフレキシャ７は、レーザ溶接などによって剛体部９に固着されている。配線パターン１９の一端は、ヘッド部２１に導通接続され、他端はベース部５側に延設されている。
【００２５】
フレキシャ７には、タング２３が片持ち状に設けられ、このタング２３に、ヘッド部２
１のスライダが装着される。
【００２６】
ヘッド部２１の記録用の素子は、例えば一般的な誘導型磁気変換素子である。同再生用
の素子は、ＭＲ素子、ＧＭＲ素子、或いはＴｕＭＲ素子が用いられ、再生読み取り感度が高くなっている。
［ヒーター及びセンサー］
図３は、ヒーター及びセンサーを示すヘッド部の拡大断面図である。
【００２７】
図３のように、ヘッド部２１には、記録媒体であるハード・ディスク２５への媒体相対面２７にリード・ヘッド２９及びライト・ヘッド３１が構成される他、用いられる信号周波数が低いデバイスとしてヒーター用のヒーター・コイル３２、センサー用の低熱膨張層３３を備えている（特開２００８−５２８８２号公報参照）。
【００２８】
ヒーター・コイル３１は、ハード・ディスク２５に対し媒体相対面２７を熱膨張により変位させるものである。
【００２９】
低熱膨張層３３を圧電センサー構造（センサー）とすることで、ヒーター・コイル３１の通電により突出させた媒体相対面２７が、ハード・ディスク２５の媒体面に衝突すると、この衝突したことによる衝撃が低熱膨張層３３を構成する圧電センサー構造に加わり、衝撃対応電圧を信号出力端子から外部に出力する。
【００３０】
この衝撃対応電圧の出力によりハード・ディスク２５に対する媒体相対面２７の当りを検出することができる。
【００３１】
この当り検出によりヒーター・コイル３２の通電を制御し、ハード・ディスク２５の媒体面に対するヘッド部２１の浮上量を制御する。
［フレキシャの基本断面構造］
図４は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応して示す基本的な積層構造の一部を示す断面図である。
【００３２】
この図４は、センサー配線の部分のみを拡大して示しており、フレキシャ７は、前記基
材１７上に、電気絶縁層であるベース絶縁層３５を介してセンサー配線３７を形成している。
【００３３】
基材１７には、幅Ｈの窓３９が貫通形成されている。窓３９は、インピーダンスを高め、広帯域とするためのものである。窓３９とセンサー配線３７とは、フレキシャ７幅方向において距離Ｌが設定されている。窓３９は、フレキシャ７の延設方向においてセンサー配線３７に沿って適所に形成されている。この窓３９の配線にタイル比率の調整によりインピーダンスと帯域幅との調整を行うことができる。
【００３４】
ベース絶縁層３５は、可撓性絶縁樹脂であるポリイミドで形成され、厚さ５〜２０μｍ程度に形成されている。
【００３５】
センサー配線３７は、両極配線３７ａ，３７ｂを備え、ポリイミドで形成された中間絶縁層４１を介して積層されている。このセンサー配線３７は、中間絶縁層４１に対しカバー絶縁層４３で覆われている。
【００３６】
カバー絶縁層４３は、可撓性絶縁樹脂であるポリイミドで形成され、積層方向での厚みが、１〜２０μｍ程度に形成されている。カバー絶縁層４３は、センサー配線３７の表面をカバーし、外力などから保護している。
［要求特性］
図５は、要求特性を示す図表である。
【００３７】
図５のように、フレキシャのセンサー配線、ヒーター配線、記録側配線、再生側配線には、信号伝搬損失、配線インピーダンス、バンド幅に対する要求特性がある。
【００３８】
まず、すべての配線について、信号伝搬損失に関し低損失であることが要求される。
【００３９】
配線インピーダンスに関し、センサー配線及び記録側配線について低インピーダンスが
要求され、再生側配線について再生用の素子であるＴｕＭＲ素子との関係で高インピーダンスが要求される。
【００４０】
バンド幅に関し、ヒーター及びセンサーともに動作はあまりなく、且つセンサーについて広帯域ではノイズを拾うため、狭帯域が要求される。記録側配線については、高速書き込みのために広帯域が要求される。再生側配線については、広帯域は必須とされない。
【００４１】
フレキシャは、幅方向の小型化が要求される。
［フレキシャの具体的構成］
図６は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。
【００４２】
図６のように、フレキシャ７は、配線パターン１９として前記ヘッド部２１に接続した再生側及び記録側の再生側配線４５及び記録側配線４７と前記ヒーター及びセンサーに接続したデバイス配線としてのヒーター配線４９及びセンサー配線３７とを有している。
【００４３】
ヒーター配線４９及びセンサー配線３７は、再生側配線４５及び記録側配線４７よりも幅広に形成され、中間絶縁層４１を介し両極配線４９ａ，４９ｂ、３７ａ，３７ｂが積層されている。ヒーター配線４９及びセンサー配線３７は、銅メッキにより形成され、厚みは、例えば１〜２０μｍに形成されている。
【００４４】
図６において、「センサー積層」、「ヒーター積層」の記載は、センサー配線３７、ヒーター配線４９の積層を見出しとして示している。
【００４５】
なお、図５の要求特性により、少なくともセンサー配線３７が再生側配線４７よりも幅広に形成され、両極配線３７ａ，３７ｂが積層されるものであればよい。
【００４６】
再生側配線４５及び記録側配線４７は、銅メッキにより形成され、厚みは、例えば１〜２０μｍに形成されている。再生側配線４５及び記録側配線４７の両極配線４５ａ，４５ｂ、４７ａ，４７ｂの配置幅は、３０〜１００μｍに設定されている。
【００４７】
基材１７には、前記窓３９と同様な構成の窓３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄが形成され、センサー配線３７、ヒーター配線４９、再生側配線４５、記録側配線４７にそれぞれ対応している。
【００４８】
センサー配線３７、ヒーター配線４９、再生側配線４５、記録側配線４７は、図４のカバー絶縁層４３と同様のカバー絶縁層で覆われている。
［実施例１の効果］
本発明実施例１のヘッド・サスペンション配線構造は、ハード・ディスク２５に対して情報の記録・再生を行うためのヘッド部２１に負荷荷重を与えるロード・ビーム３とヘッド部２１に設けられハード・ディスク２５に対し媒体相対面２７を熱膨張により変位させるヒーター・コイル３２及びハード・ディスク２５に対する媒体相対面２７の当りを検出する低熱膨張層３３と、ヘッド部２１に接続した記録側及び再生側の記録側配線４７及び再生側配線４５とヒーター・コイル３２及び低熱膨張層３３に接続したヒーター配線４９及びセンサー配線３７とを有しヘッド部２１を支持してロード・ビーム３に取り付けられたフレキシャ７とを備え、フレキシャ７は、記録側配線４７及び再生側配線４５とヒーター配線４９及びセンサー配線３７とを導電性薄板の基材１７に可撓性樹脂のベース絶縁層３５を介して配設したヘッド・サスペンション配線構造であって、センサー配線３７及びヒーター配線４９を再生側配線４５及び記録側配線４７よりも幅広に形成して中間絶縁層４１を介して両極配線３７ａ，３７ｂ、４９ａ，４９ｂを積層した。
【００４９】
このため、センサー配線３７及びヒーター配線４９を再生側配線４５及び記録側配線４７よりも幅広に形成して低損失とし、且つ狭帯域としてセンサーに対するノイズの影響を抑制するなど、要求特性を満足させながら、両極配線３７ａ，３７ｂ、４９ａ，４９ｂの積層によりフレキシャ７の幅増大を抑制することができる。
【００５０】
また、センサー配線３７が記録側配線４７に対して離れて配置されているため、記録側配線４７の高い周波数の信号の影響を受け難く、センサーの精度を維持させることができる。
【実施例２】
【００５１】
図７は、本発明の実施例２に係り、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。なお、基本的な構成は図６の実施例１と同様であり、同一又は対応する構成部分には同符号又は同符号にＡを追記し、重複した説明は省略する。
【００５２】
本実施例２では、ヘッド部２１が磁化の熱安定性確保のために、磁気ディスクの記録層部分を加熱するための近接場光を発生させる近接場光発生部（プラズモン・プローブ）をさらに含み、熱アシスト（ヒート・アシスト「デバイス」）磁気ヘッドとして構成されている（特開２００８−１５２８６８号公参照報）。
【００５３】
この実施例のヘッド・サスペンション配線構造を採用したフレキシャ７Ａは、デバイス配線としてヒート・アシスト用のヒート・アシスト配線５１とグランド配線５３とを有している。ヒート・アシスト配線５１及びグランド配線５３は、銅のメッキにより、例えば１〜２０μｍの厚みに形成されている。グランド配線５３は、例えば基材１７側などにグランド接続されている。
【００５４】
ヒート・アシスト配線５１は、ベース絶縁層３５Ａを介して配設したグランド配線５３に対し中間絶縁層４１Ａを介して積層されている。ヒート・アシスト配線５１及びグランド配線５３は、ヒーター配線４９と同等の幅広に形成され、例えば２０〜３００μｍに設定されている。
【００５５】
図７において、「ヒーター／グランド」の記載は、ヒート・アシスト配線５１とグランド配線５３との積層を見出しとして示している。
【００５６】
センサー配線３７とヒーター配線４９と再生側配線４５とヒート・アシスト配線５１と記録側配線４７とは、この順に隣接配置されている。
【００５７】
基材１７Ａには、ヒート・アシスト配線５１及びグランド配線５３に対応して前記窓３９と同様な構成の窓３９ｅが形成されている。
【００５８】
センサー配線３７、ヒーター配線４９、ヒート・アシスト配線５１、再生側配線４５、記録側配線４７は、図４のカバー絶縁層４３と同様のカバー絶縁層で覆われている。
【００５９】
したがって、本実施例でも、実施例１と同様な作用効果を奏することができる他、ヒート・アシスト配線５１の低損失、低インピーダンス、狭帯域を達成することができる。
【実施例３】
【００６０】
図８は、本発明の実施例３に係り、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。なお、基本的な構成は図６の実施例１と同様であり、同一又は対応する構成部分には同符号を付し又は同符号にＢを追記して付し、重複した説明は省略する。
【００６１】
本実施例３のヘッド・サスペンション配線構造を採用したフレキシャ７Ｂは、記録側配線４７Ｂが、再生側配線４５よりも幅広に形成されてベース絶縁層３５Ｂを介して配設したグランド層５５に対し中間絶縁層５７を介して積層されている。記録側配線４７Ｂは、センサー配線３７及びヒーター配線４９よりも幅狭に形成されている。
【００６２】
図８において、記録／グランド層の記載は、記録側配線４７Ｂとグランド層５５との積層を見出しとして示している。
【００６３】
グランド層５５は、記録側配線４７Ｂの延説方向の少なくとも一部に形成され、導電性薄板の基材１７よりも導電率の高い高導電率となっている。本実施例においてグランド層５５は、銅のメッキにより３μｍ以上、例えばＴ＝５〜１０μｍの厚みに形成されている。
【００６４】
グランド層５５の両端縁は、記録側配線４７Ｂの両極配線４７Ｂａ，４７Ｂｂの端縁に一致させ、幅が２００〜５００μｍに形成されている。
【００６５】
センサー配線３７とヒーター配線４９と再生側配線４５と記録側配線４７Ｂとは、この順に隣接配置されている。
【００６６】
グランド層５５は、前記ヘッド部２１のハード・ディスク２５に対する運動特性に影響を及ぼさない範囲に形成されている。ヘッド部２１の運動特性に影響を及ぼさない範囲とは、ヘッド・サスペンション１の機械的特性であるスティフネスに影響させない範囲である。具体的には、フレキシャ７の延設方向につきロード・ビーム３をベース部５に弾性支持するばね部１１周辺５９及びフレキシャ７のアウトリガー６１周辺を避けた範囲である。本実施例では、図２のＩＶ部を含めたフレキシャ７のテール側６３に形成され、またＶ部、ＶＩ部の範囲にも形成されている。但し、グランド層５５は、電気特性を決定するのに支配的なテール側６３にのみ形成し、他のＶ部、ＶＩ部の範囲は省略することもできる。
【００６７】
基材１７Ｂには、記録側配線４７Ｂ及びグランド層５５に対応して前記窓３９と同様な構成の窓３９Ｂｄが形成されている。
【００６８】
センサー配線３７、ヒーター配線４９、再生側配線４５、記録側配線４７Ｂは、図４のカバー絶縁層４３と同様のカバー絶縁層で覆われている。
【００６９】
したがって、本実施例でも、実施例１と同様な作用効果を奏することができる他、記録側配線４７Ｂの低損失、低インピーダンス、広帯域を達成することができる。
【実施例４】
【００７０】
図９は、本発明の実施例４に係り、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。なお、基本的な構成は図８の実施例３と同様であり、同一又は対応する構成部分には同*符号を付し又は同符号にＣを追記して付し、或いは符号のＢをＣに代えて付し、重複した説明は省略する。
【００７１】
本実施例４のヘッド・サスペンション配線構造を採用したフレキシャ７Ｃは、図８の実施例３に対し図７の実施例２と同様のヒート・アシスト配線５１及びグランド配線５３を追加している。ヒート・アシスト配線５１は、ベース絶縁層３５Ｃを介して配設したグランド配線５３に対し中間絶縁層５７Ｃを介して積層されている。
【００７２】
センサー配線３７とヒーター配線４９と再生側配線４５とヒート・アシスト配線５１と記録側配線４７Ｃとは、この順に隣接配置されている。
【００７３】
センサー配線３７、ヒーター配線４９、ヒート・アシスト配線５１、再生側配線４５、記録側配線４７Ｃは、図４のカバー絶縁層４３と同様のカバー絶縁層で覆われている。
【００７４】
したがって、本実施例でも、実施例３と同様な作用効果を奏することができる他、ヒート・アシスト配線５１の低損失、低インピーダンス、狭帯域を達成することができる。
【実施例５】
【００７５】
図１０は、本発明の実施例５に係り、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。なお、基本的な構成は図８の実施例３と同様であり、同一又は対応する構成部分には同符号を付し又は同符号にＤを追記して付し、或いは符号のＢをＤに代えて付し、重複した説明は省略する。
【００７６】
本実施例５のヘッド・サスペンション配線構造を採用したフレキシャ７Ｄは、図８の実施例３に対し、再生側配線４５の配置を変え、センサー配線３７と再生側配線４５とヒーター配線４９と記録側配線４７Ｄとを、この順に隣接配置した。
【００７７】
ヒーター配線４９の両極配線４９ａ，４９ｂは、中間絶縁層５７Ｄを介して積層されている。
【００７８】
センサー配線３７、再生側配線４５、ヒーター配線４９、記録側配線４７Ｄは、図４のカバー絶縁層４３と同様のカバー絶縁層で覆われている。
【００７９】
したがって、本実施例でも、実施例３と同様な作用効果を奏することができる。
【実施例６】
【００８０】
図１１〜図１３は、本発明の実施例６に係り、図１１は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図、図１２は、交互配置される交互配線部の斜視図、図１３は、図１２の等価回路を示す回路図である。なお、基本的な構成は図６の実施例１と同様であり、同一又は対応する構成部分には同符号を付し又は同符号にＥを追記して付し、重複した説明は省略する。
【００８１】
本実施例６のヘッド・サスペンション配線構造を採用したフレキシャ７Ｅは、図６の実施例１に対し、記録側配線４７Ｅを交互配線とした（特開平１０-１２４８３７号公報参照）。
【００８２】
記録側配線４７Ｅは、ベース絶縁層３５Ｅに対して交互配置された両極の第１，第２の
交互配線部４７Ｅａａ，４７Ｅａｂ，４７Ｅｂａ，４７Ｅｂｂを有している。第１，第２の交互配線部４７Ｅａａ，４７Ｅａｂ，４７Ｅｂａ，４７Ｅｂｂは、同幅に形成されている。記録側配線４７Ｅの全体の配線幅は、２００〜４００μｍに設定されている。
【００８３】
第１，第２の交互配線部４７Ｅａａ，４７Ｅａｂ，４７Ｅｂａ，４７Ｅｂｂの各一方の端部は、迂回配線４７Ｅｃ，４７Ｅｄにより相互に接続され、各他方の端部は、ブリッジ４７Ｅｅ，４７Ｅｆにより交互配線部４７Ｅａａ，４７Ｅａｂ，４７Ｅｂａ，４７Ｅｂｂの他方を相互に跨いで接続されている。
【００８４】
図１１において、「記録交互」の記載は、記録側配線４７Ｅの交互配線を見出しとして示している。
【００８５】
センサー配線３７、ヒーター配線４９、再生側配線４５、記録側配線４７Ｅは、図４のカバー絶縁層４３と同様のカバー絶縁層で覆われている。
【００８６】
したがって、本実施例でも、実施例１と同様な作用効果を奏することができる他、記録側配線４７Ｅの低損失、低インピーダンス、広帯域を達成することができる。
【実施例７】
【００８７】
図１４は、本発明の実施例７に係り、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。なお、基本的な構成は図１１の実施例６と同様であり、同一又は対応する構成部分には同符号を付し又は符号のＥをＦに代えて付し、重複した説明は省略する。
【００８８】
本実施例７のヘッド・サスペンション配線構造を採用したフレキシャ７Ｆは、図１１の実施例６に対し図９の実施例４と同様のヒート・アシスト配線５１及びグランド配線５３を追加している。ヒート・アシスト配線５１は、ベース絶縁層３５Ｆを介して配設したグランド配線５３に対し中間絶縁層５７Ｆを介して積層されている。
【００８９】
センサー配線３７、ヒーター配線４９、再生側配線４５、ヒート・アシスト配線５１、記録側配線４７Ｆは、図４のカバー絶縁層４３と同様のカバー絶縁層で覆われている。
【００９０】
したがって、本実施例でも、実施例６と同様な作用効果を奏することができる他、ヒート・アシスト配線５１の低損失、低インピーダンス、狭帯域を達成することができる。
【実施例８】
【００９１】
図１５は、本発明の実施例８に係り、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。なお、基本的な構成は図１１の実施例６と同様であり、同一又は対応する構成部分には同符号を付し又は同符号にＧを追記して付し、或いは符号のＥをＧに代えて付し、重複した説明は省略する。
【００９２】
本実施例８のヘッド・サスペンション配線構造を採用したフレキシャ７Ｇは、図１１の実施例６に対し、再生側配線４５の配置を変え、センサー配線３７と再生側配線４５とヒーター配線４９と記録側配線４７Ｇとを、この順に隣接配置した。
【００９３】
ヒーター配線４９の両極配線４９ａ，４９ｂは、中間絶縁層５７Ｇを介して積層されている。
【００９４】
センサー配線３７、再生側配線４５、ヒーター配線４９、記録側配線４７Ｇは、図４のカバー絶縁層４３と同様のカバー絶縁層で覆われている。
【００９５】
したがって、本実施例でも、実施例６と同様な作用効果を奏することができる。
【実施例９】
【００９６】
図１６は、本発明の実施例９に係り、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。なお、基本的な構成は図６の実施例１と同様であり、同一又は対応する構成部分には同符号を付し又は同符号にＨを追記して付し、重複した説明は省略する。
【００９７】
本実施例９のヘッド・サスペンション配線構造を採用したフレキシャ７Ｈは、図６の実施例１に対し、記録側配線４７Ｈの両極配線４７Ｈａ，４７Ｈｂを積層構造とした。
【００９８】
記録側配線４７Ｈは、再生側配線４５、センサー配線３７、ヒーター配線４９よりも幅
広に形成され、５０〜５００μｍに設定されている。この記録側配線４７Ｈは、ベース絶縁層３５Ｈを介して配設され、両極配線４７Ｈａ，４７Ｈｂが中間絶縁層５７Ｈを介して積層されている。
【００９９】
図１６において、「記録積層」の記載は、記録側配線４７Ｈの積層を見出しとして示している。
【０１００】
センサー配線３７、ヒーター配線４９、再生側配線４５、記録側配線４７Ｈは、図４のカバー絶縁層４３と同様のカバー絶縁層で覆われている。
【０１０１】
したがって、本実施例でも、実施例１と同様な作用効果を奏することができる他、記録側配線４７Ｈの低損失、低インピーダンス、広帯域を達成することができる。
【実施例１０】
【０１０２】
図１７は、本発明の実施例１０に係り、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。なお、基本的な構成は図１６の実施例９と同様であり、同一又は対応する構成部分には同符号を付し又は符号のＨをＩに代えて付し、重複した説明は省略する。
【０１０３】
本実施例１０のヘッド・サスペンション配線構造を採用したフレキシャ７Ｉは、図１６の実施例９に対し図９の実施例４と同様のヒート・アシスト配線５１及びグランド配線５３を追加している。ヒート・アシスト配線５１は、ベース絶縁層３５Ｉを介して配設したグランド配線５３に対し中間絶縁層５７Ｉを介して積層されている。
【０１０４】
センサー配線３７、ヒーター配線４９、再生側配線４５、ヒート・アシスト配線５１、記録側配線４７Ｉは、図４のカバー絶縁層４３と同様のカバー絶縁層で覆われている。
【０１０５】
したがって、本実施例１０でも、実施例９と同様な作用効果を奏することができる他、ヒート・アシスト配線５１の低損失、低インピーダンス、狭帯域を達成することができる。
【実施例１１】
【０１０６】
図１８は、本発明の実施例１１に係り、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。なお、基本的な構成は図１６の実施例９と同様であり、同一又は対応する構成部分には同符号を付し又は同符号にＪを追記して付し、或いは符号のＨをＪに代えて付し、重複した説明は省略する。
【０１０７】
本実施例１１のヘッド・サスペンション配線構造を採用したフレキシャ７Ｊは、図１６の実施例６に対し、再生側配線４５の配置を変え、センサー配線３７と再生側配線４５とヒーター配線４９と記録側配線４７Ｇとを、この順に隣接配置した。
【０１０８】
ヒーター配線４９の両極配線４９ａ，４９ｂは、中間絶縁層５７Ｊを介して積層されている。
【０１０９】
センサー配線３７、再生側配線４５、ヒーター配線４９、記録側配線４７Ｊは、図４のカバー絶縁層４３と同様のカバー絶縁層で覆われている。
【０１１０】
したがって、本実施例でも、実施例９と同様な作用効果を奏することができる。
【実施例１２】
【０１１１】
図１９は、本発明の実施例１２に係り、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。なお、基本的な構成は図８の実施例３と同様であり、同一又は対応する構成部分には同符号を付し又は同符号のＢをＫに代えて付し、重複した説明は省略する。
【０１１２】
本実施例１２のヘッド・サスペンション配線構造を採用したフレキシャ７Ｋは、図８の実施例３の記録側配線４７Ｂを図１１の交互配線の記録側配線４７Ｅと同様の記録側配線４７Ｋとした。
【０１１３】
記録側配線４７Ｋの配線幅は、２００〜４００μｍに設定されている。この記録側配線
４７Ｋは、ベース絶縁層３５Ｋを介して配設されたグランド層５５に対し中間絶縁層５７Ｋを介して積層されている。
【０１１４】
図１９において、「記録交互／グランド層」の記載は、記録側配線４７Ｋ及びグランド層５５の積層を見出しとして示している。
【０１１５】
センサー配線３７、ヒーター配線４９、再生側配線４５、記録側配線４７Ｋは、図４のカバー絶縁層４３と同様のカバー絶縁層で覆われている。
【０１１６】
したがって、本実施例でも、実施例８と同様な作用効果を奏することができる他、記録側配線４７Ｋの低損失、低インピーダンス、広帯域を達成することができる。
【実施例１３】
【０１１７】
図２０は、本発明の実施例１３に係り、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。なお、基本的な構成は図１９の実施例１２と同様であり、同一又は対応する構成部分には同符号を付し又は符号のＫをＬに代えて付し、重複した説明は省略する。
【０１１８】
本実施例１３のヘッド・サスペンション配線構造を採用したフレキシャ７Ｌは、図１９の実施例１２に対し図９の実施例４と同様のヒート・アシスト配線５１及びグランド配線５３を設けている。ヒート・アシスト配線５１は、ベース絶縁層３５Ｌを介して配設したグランド配線５３に対し中間絶縁層５７Ｌを介して積層されている。
【０１１９】
センサー配線３７、ヒーター配線４９、再生側配線４５、ヒート・アシスト配線５１、記録側配線４７Ｌは、図４のカバー絶縁層４３と同様のカバー絶縁層で覆われている。
【０１２０】
したがって、本実施例１３でも、実施例１２と同様な作用効果を奏することができる他、ヒート・アシスト配線５１の低損失、低インピーダンス、狭帯域を達成することができる。
【実施例１４】
【０１２１】
図２１は、本発明の実施例１４に係り、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視に対応しカバー絶縁層を省略したフレキシャの積層構造を示す断面図である。なお、基本的な構成は図１９の実施例１２と同様であり、同一又は対応する構成部分には同符号又は同符号にＭを追記し、或いは符号のＫをＭに代え、重複した説明は省略する。
【０１２２】
本実施例１４のヘッド・サスペンション配線構造を採用したフレキシャ７Ｍは、図１９の実施例１２に対し、再生側配線４５の配置を変え、センサー配線３７と再生側配線４５とヒーター配線４９と記録側配線４７Ｍとを、この順に隣接配置した。
【０１２３】
ヒーター配線４９の両極配線４９ａ，４９ｂは、中間絶縁層５７Ｍを介して積層されている。
【０１２４】
センサー配線３７、再生側配線４５、ヒーター配線４９、記録側配線４７Ｍは、図４のカバー絶縁層４３と同様のカバー絶縁層で覆われている。
【０１２５】
したがって、本実施例でも、実施例１２と同様な作用効果を奏することができる。
【符号の説明】
【０１２６】
１ヘッド・サスペンション配線構造
３ロード・ビーム
５ベース部
７，７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ，７Ｆ，７Ｇ，７Ｈ，７Ｉ，７Ｊ，７Ｋ，７Ｌ，７Ｍフレキシャ
１１バネ部
１７，１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄ，１７Ｅ，１７Ｆ，１７Ｇ，１７Ｈ，１７Ｉ，１７Ｊ，１７Ｋ，１７Ｌ，１７Ｍ基材
２５ハード・ディスク（記録媒体）
２７媒体相対面
３２ヒーター・コイル（デバイス）
３３センサー用の低熱膨張層（デバイス）
３５，３５Ｂ，３５Ｃ，３５Ｄ，３５Ｅ，３５Ｆ，３５Ｇ，３５Ｈ，３５Ｉ，３５Ｊ，３５Ｋ，３５Ｌ，３５Ｍベース絶縁層
３７センサー配線（デバイス配線）
３７ａ，３７ｂ両極配線
４１，４１Ｄ，４１Ｇ，４１Ｊ，５７，５７Ｃ，５７Ｄ，５７Ｈ，５７Ｉ，５７Ｊ．５７Ｋ，５７Ｌ，５７Ｍ中間絶縁層
４３カバー絶縁層
４５再生側配線
４７，４７Ｂ，４７Ｃ，４７Ｄ，４７Ｅ，４７Ｆ，４７Ｇ，４７Ｈ，４７Ｉ，４７Ｊ，４７Ｋ，４７Ｌ，４７Ｍ記録側配線
４７Ｅａａ，４７Ｅａｂ，４７Ｅｂａ，４７Ｅｂｂ，４７Ｆａａ，４７Ｆａｂ，４７Ｆｂａ，４７Ｆｂｂ，４７Ｇａａ，４７Ｇａｂ，４７Ｇｂａ，４７Ｇｂｂ，４７Ｋａａ，４７Ｋａｂ，４７Ｋｂａ，４７Ｋｂｂ，４７Ｌａａ，４７Ｌａｂ，４７Ｌｂａ，４７Ｌｂｂ，４７Ｍａａ，４７Ｍａｂ，４７Ｍｂａ，４７Ｍｂｂ両極配線
４７Ｅｃ，４７Ｅｄ迂回配線
４７Ｅｅ，４７Ｅｆブリッジ
４９ヒーター配線（デバイス配線）
４９ａ，４９ｂ両極配線
５１ヒート・アシスト配線（デバイス配線）
５３グランド配線
５５グランド層

【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対して情報の記録・再生を行うためのヘッド部に負荷荷重を与えるロード・ビームと、
前記ヘッド部に設けられ前記記録・再生以外の機能を低周波信号により動作するデバイスと、
前記ヘッド部に接続した記録側及び再生側の記録側配線及び再生側配線と前記デバイスに接続したデバイス配線とを有し前記ヘッド部を支持して前記ロード・ビームに取り付けられたフレキシャとを備え、
前記フレキシャは、前記記録側配線及び再生側配線と前記デバイス配線とを導電性薄板の基材にベース絶縁層を介して配設したヘッド・サスペンション配線構造であって、
前記デバイス配線を前記再生側配線よりも幅広に形成して中間絶縁層を介し両極配線を積層した、
ことを特徴とするヘッド・サスペンション配線構造。
【請求項２】
請求項１記載のヘッド・サスペンション配線構造であって、
前記デバイスは、前記ヘッド部に設けられ前記記録媒体に対し媒体相対面を熱膨張により変位させるヒーター及び前記記録媒体に対する前記媒体相対面の当りを検出するセンサーであり、
前記デバイス配線は、ヒーター配線及びセンサー配線であり、
前記フレキシャは、前記記録側配線及び再生側配線と前記ヒーター配線及びセンサー配線とを導電性薄板の基材にベース絶縁層を介して配設したヘッド・サスペンション配線構造であって、
少なくとも前記センサー配線を前記再生側配線よりも幅広に形成して中間絶縁層を介し両極配線を積層した、
ことを特徴とするヘッド・サスペンション配線構造。
【請求項３】
請求項２記載のヘッド・サスペンション配線構造であって、
前記デバイスは、磁化の熱安定性確保のために、磁気ディスクの記録層部分を加熱するヒート・アシストを含み、
前記フレキシャは、グランド配線及びヒート・アシスト配線を有し、
前記ヒート・アシスト配線は、前記ベース絶縁層を介して配設した前記グランド配線に対し中間絶縁層を介して積層した、
ことを特徴とするヘッド・サスペンション配線構造。
【請求項４】
請求項２記載のヘッド・サスペンション配線構造であって、
前記記録側配線は、前記再生側配線よりも幅広に形成されて前記ベース絶縁層を介し配設したグランド層に対し中間絶縁層を介して積層され、
前記センサー配線とヒーター配線と再生側配線と記録側配線とは、この順に隣接配置した、
ことを特徴とするヘッド・サスペンション配線構造。
【請求項５】
請求項４記載のヘッド・サスペンション配線構造であって、
前記デバイスは、磁化の熱安定性確保のために、磁気ディスクの記録層部分を加熱するヒート・アシストを含み、
前記フレキシャは、グランド配線及びヒート・アシスト配線を有し、
前記ヒート・アシスト配線は、前記ベース絶縁層を介して配設したグランド配線に対し中間絶縁層を介して積層され、
前記センサー配線とヒーター配線と再生側配線とヒート・アシスト配線と記録側配線とは、この順に隣接配置した、
ことを特徴とするヘッド・サスペンション配線構造。
【請求項６】
請求項２記載のヘッド・サスペンション配線構造であって、
前記記録側配線は、前記再生側配線よりも幅広に形成されて前記ベース絶縁層を介して配設したグランド層に対し中間絶縁層を介して積層され、
前記センサー配線と再生側配線とヒーター配線と記録側配線とは、この順に隣接配置した、
ことを特徴とするヘッド・サスペンション配線構造。
【請求項７】
請求項４〜６の何れかに記載のヘッド・サスペンション配線構造であって、
前記記録側配線は、前記センサー配線よりも幅狭に形成された、
ことを特徴とするヘッド・サスペンション配線構造。
【請求項８】
請求項２記載のヘッド・サスペンション配線構造であって、
前記記録側配線は、前記ベース絶縁層に対して交互配置された両極の第１，第２の交互
配線部を有し、
前記第１，第２の交互配線部は、各一方の端部が迂回配線により相互に接続されて各他
方の端部がブリッジにより他方の交互配線部を相互に跨いで接続され、
前記センサー配線とヒーター配線と再生側配線と記録側配線とは、この順に隣接配置した、
ことを特徴とするヘッド・サスペンション配線構造。
【請求項９】
請求項８記載のヘッド・サスペンション配線構造であって、
前記デバイスは、磁化の熱安定性確保のために、磁気ディスクの記録層部分を加熱するヒート・アシストを含み、
前記フレキシャは、グランド配線及びヒート・アシスト配線を有し、
前記ヒート・アシスト配線は、前記ベース絶縁層を介して配設したグランド配線に対し中間絶縁層を介して積層され、
前記センサー配線とヒーター配線と再生側配線とヒート・アシスト配線と記録側配線とは、この順に隣接配置した、
ことを特徴とするヘッド・サスペンション配線構造。
【請求項１０】
請求項２記載のヘッド・サスペンション配線構造であって、
前記記録側配線は、前記ベース絶縁層に対して交互配置された両極の第１，第２の交互
配線部を有し、
前記第１，第２の交互配線部は、各一方の端部が迂回配線により相互に接続されて各他
方の端部がブリッジにより他方の交互配線部を相互に跨いで接続され、前記センサー配線と再生側配線とヒーター配線と記録側配線とは、この順に隣接配置した、
ことを特徴とするヘッド・サスペンション配線構造。
【請求項１１】
請求項２記載のヘッド・サスペンション配線構造であって、
前記記録側配線は、前記センサー配線よりも幅広に形成されて中間絶縁層を介し両極配線が積層され、
前記センサー配線とヒーター配線と再生側配線と記録側配線とは、この順に隣接配置した、
ことを特徴とするヘッド・サスペンション配線構造。
【請求項１２】
請求項１１記載のヘッド・サスペンション配線構造であって、
前記デバイスは、磁化の熱安定性確保のために、磁気ディスクの記録層部分を加熱するヒート・アシストを含み、
前記フレキシャは、グランド配線及びヒート・アシスト配線を有し、
前記ヒート・アシスト配線は、前記ベース絶縁層を介して配設したグランド配線に対し中間絶縁層を介して積層され、
前記センサー配線とヒーター配線と再生側配線とヒート・アシスト配線と記録側配線とは、この順に隣接配置した、
ことを特徴とするヘッド・サスペンション配線構造。
【請求項１３】
請求項２記載のヘッド・サスペンション配線構造であって、
前記記録側配線は、前記センサー配線よりも幅広に形成されて中間絶縁層を介し両極配線が積層され、
前記センサー配線と再生側配線とヒーター配線と記録側配線とは、この順に隣接配置した、
ことを特徴とするヘッド・サスペンション配線構造。
【請求項１４】
請求項２記載のヘッド・サスペンション配線構造であって、
前記記録側配線は、前記ベース絶縁層に対して交互配置された両極の第１，第２の交互配
線部を有し、
前記第１，第２の交互配線部は、各一方の端部が迂回配線により相互に接続されて各他
方の端部がブリッジにより他方の交互配線部を相互に跨いで接続され、
前記記録側配線は、前記ベース絶縁層を介して配設したグランド層に対し中間絶縁層を介して積層され、
前記センサー配線とヒーター配線と再生側配線と記録側配線とは、この順に隣接配置した、
ことを特徴とするヘッド・サスペンション配線構造。
【請求項１５】
請求項１４記載のヘッド・サスペンション配線構造であって、
前記デバイスは、磁化の熱安定性確保のために、磁気ディスクの記録層部分を加熱するヒート・アシストを含み、
前記フレキシャは、グランド配線及びヒート・アシスト配線を有し、
前記ヒート・アシスト配線は、前記ベース絶縁層を介して配設した前記グランド配線に対し中間絶縁層を介して積層され、前記センサー配線とヒーター配線と再生側配線とヒート・アシスト配線と記録側配線とは、この順に隣接配置した、
ことを特徴とするヘッド・サスペンション配線構造。
【請求項１６】
請求項２記載のヘッド・サスペンション配線構造であって、
前記記録側配線は、前記ベース絶縁層に対して交互配置された両極の第１，第２の交互
配線部を有し、
前記第１，第２の交互配線部は、各一方の端部が迂回配線により相互に接続されて各他
方の端部がブリッジにより他方の交互配線部を相互に跨いで接続され、
前記記録側配線は、前記ベース絶縁層を介して配設したグランド層に対し中間絶縁層を介して積層され、
前記センサー配線と再生側配線とヒーター配線と記録側配線とは、この順に隣接配置した、
ことを特徴とするヘッド・サスペンション配線構造。

【図１】