ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物
【課題】レジスト組成物用として有用な新規な化合物、該化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（Ａ１−１）［式中、Ｐは、分子量５００〜２５００の多価フェノール化合物から（ｎ１２＋１）個の−ＯＨを除いた基であり、Ｒ１は酸解離性溶解抑制基であり、Ｒ２は酸非解離性基であり、ｎ１２は１〜３の整数である。］で表される化合物（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
［化１］
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（Ａ１−１）［式中、Ｐは、分子量５００〜２５００の多価フェノール化合物から（ｎ１２＋１）個の−ＯＨを除いた基であり、Ｒ１は酸解離性溶解抑制基であり、Ｒ２は酸非解離性基であり、ｎ１２は１〜３の整数である。］で表される化合物（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
［化１］
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（Ａ１−１）で表される化合物（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
［式中、Ｐは、分子量５００〜２５００の多価フェノール化合物から（ｎ１２＋１）個の−ＯＨを除いた基であり、Ｒ１は酸解離性溶解抑制基であり、Ｒ２は酸非解離性基であり、ｎ１２は１〜３の整数である。］
【請求項２】
前記多価フェノール化合物が、２〜６個のトリフェニルメタン構造を有する請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項３】
前記化合物（Ａ１）が、下記一般式（Ａ１−１１）で表される請求項１または２に記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
［式中、ｎ１３は１〜３の整数であり；Ａは（ｎ１３＋１）価の連結部であり；ａおよびｎ１はそれぞれ独立に１以上の整数であり、ｎ２およびｎ５はそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつａ＋ｎ１＋ｎ２＋ｎ５が５以下であり；ｎ３’およびｎ４’はそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｎ３’＋ｎ４’が３以下であり；ｎ６’およびｎ７’はそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｎ６’＋ｎ７’が３以下であり；Ｒ１０１〜Ｒ１０７はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または芳香族炭化水素基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく；Ｒ３は置換基を有していてもよい２価の炭化水素基であり、式中の複数のＲ３はそれぞれ同じであっても異なっていてもよく；Ｒ１は前記と同じであり；Ｌ１は−Ｒ４−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（Ｒ４は２価の連結基である。）または単結合であり；Ｚ１１は、Ｒ２（Ｒ２は前記と同じである。）または水素原子であって、ｎ１３が１の場合はＲ２であり、ｎ１３が２または３の場合、式中の２または３個のＺ１１のうち少なくとも１つはＲ２である。］
【請求項４】
さらに、含窒素有機化合物（Ｄ）を含有する請求項１〜３のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】
支持体上に、請求項１〜４のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項６】
下記一般式（Ａ１−１）で表される化合物。
【化３】
［式中、Ｐは、分子量５００〜２５００の多価フェノール化合物から（ｎ１２＋１）個の−ＯＨを除いた基であり、Ｒ１は酸解離性溶解抑制基であり、Ｒ２は酸非解離性基であり、ｎ１２は１〜３の整数である。］
【請求項７】
前記多価フェノール化合物が、２〜６個のトリフェニルメタン構造を有する請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
下記一般式（Ａ１−１１）で表される請求項６または７に記載の化合物。
【化４】
［式中、ｎ１３は１〜３の整数であり；Ａは（ｎ１３＋１）価の連結部であり；ａおよびｎ１はそれぞれ独立に１以上の整数であり、ｎ２およびｎ５はそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつａ＋ｎ１＋ｎ２＋ｎ５が５以下であり；ｎ３’およびｎ４’はそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｎ３’＋ｎ４’が３以下であり；ｎ６’およびｎ７’はそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｎ６’＋ｎ７’が３以下であり；Ｒ１０１〜Ｒ１０７はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または芳香族炭化水素基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく；Ｒ３は置換基を有していてもよい２価の炭化水素基であり、式中の複数のＲ３はそれぞれ同じであっても異なっていてもよく；Ｒ１は前記と同じであり；Ｌ１は−Ｒ４−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（Ｒ４は２価の連結基である。）または単結合であり；Ｚ１１は、Ｒ２（Ｒ２は前記と同じである。）または水素原子であって、ｎ１３が１の場合はＲ２であり、ｎ１３が２または３の場合、式中の２または３個のＺ１１のうち少なくとも１つはＲ２である。］
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（Ａ１−１）で表される化合物（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
［式中、Ｐは、分子量５００〜２５００の多価フェノール化合物から（ｎ１２＋１）個の−ＯＨを除いた基であり、Ｒ１は酸解離性溶解抑制基であり、Ｒ２は酸非解離性基であり、ｎ１２は１〜３の整数である。］
【請求項２】
前記多価フェノール化合物が、２〜６個のトリフェニルメタン構造を有する請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項３】
前記化合物（Ａ１）が、下記一般式（Ａ１−１１）で表される請求項１または２に記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
［式中、ｎ１３は１〜３の整数であり；Ａは（ｎ１３＋１）価の連結部であり；ａおよびｎ１はそれぞれ独立に１以上の整数であり、ｎ２およびｎ５はそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつａ＋ｎ１＋ｎ２＋ｎ５が５以下であり；ｎ３’およびｎ４’はそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｎ３’＋ｎ４’が３以下であり；ｎ６’およびｎ７’はそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｎ６’＋ｎ７’が３以下であり；Ｒ１０１〜Ｒ１０７はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または芳香族炭化水素基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく；Ｒ３は置換基を有していてもよい２価の炭化水素基であり、式中の複数のＲ３はそれぞれ同じであっても異なっていてもよく；Ｒ１は前記と同じであり；Ｌ１は−Ｒ４−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（Ｒ４は２価の連結基である。）または単結合であり；Ｚ１１は、Ｒ２（Ｒ２は前記と同じである。）または水素原子であって、ｎ１３が１の場合はＲ２であり、ｎ１３が２または３の場合、式中の２または３個のＺ１１のうち少なくとも１つはＲ２である。］
【請求項４】
さらに、含窒素有機化合物（Ｄ）を含有する請求項１〜３のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】
支持体上に、請求項１〜４のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項６】
下記一般式（Ａ１−１）で表される化合物。
【化３】
［式中、Ｐは、分子量５００〜２５００の多価フェノール化合物から（ｎ１２＋１）個の−ＯＨを除いた基であり、Ｒ１は酸解離性溶解抑制基であり、Ｒ２は酸非解離性基であり、ｎ１２は１〜３の整数である。］
【請求項７】
前記多価フェノール化合物が、２〜６個のトリフェニルメタン構造を有する請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
下記一般式（Ａ１−１１）で表される請求項６または７に記載の化合物。
【化４】
［式中、ｎ１３は１〜３の整数であり；Ａは（ｎ１３＋１）価の連結部であり；ａおよびｎ１はそれぞれ独立に１以上の整数であり、ｎ２およびｎ５はそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつａ＋ｎ１＋ｎ２＋ｎ５が５以下であり；ｎ３’およびｎ４’はそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｎ３’＋ｎ４’が３以下であり；ｎ６’およびｎ７’はそれぞれ独立に０以上の整数であり、かつｎ６’＋ｎ７’が３以下であり；Ｒ１０１〜Ｒ１０７はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または芳香族炭化水素基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく；Ｒ３は置換基を有していてもよい２価の炭化水素基であり、式中の複数のＲ３はそれぞれ同じであっても異なっていてもよく；Ｒ１は前記と同じであり；Ｌ１は−Ｒ４−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（Ｒ４は２価の連結基である。）または単結合であり；Ｚ１１は、Ｒ２（Ｒ２は前記と同じである。）または水素原子であって、ｎ１３が１の場合はＲ２であり、ｎ１３が２または３の場合、式中の２または３個のＺ１１のうち少なくとも１つはＲ２である。］
【公開番号】特開２０１０−２２２３３９（Ｐ２０１０−２２２３３９Ａ）
【公開日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２３４２６７（Ｐ２００９−２３４２６７）
【出願日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
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