メタルマスク及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法
【課題】フォトレジストとして同じパターン精度のものを用いて製造しても、開口幅を従来に比べて狭くすることができるメタルマスクを提供する。
【解決手段】メタルマスク１１は、３層の金属層１２，１３，１４で構成され、中央の金属層１３はメッシュ状に形成されている。金属層１３を挟んで両側に設けられた金属層１２，１４は、それぞれ幅Ｗが同じに形成されたストライプ状の開口１２ａ，１４ａを有する。３層の金属層１２，１３，１４は、各開口１２ａ，１４ａの一部が重なる状態に積層され、かつ重なり部分が目的の幅Ｗｐの貫通孔１５になるように積層されている。メタルマスク１１は、熱膨張係数が小さい金属、例えば、インバーで形成されている。また、メタルマスク１１は耐エッチング性を向上させる表面処理が施されている。
【解決手段】メタルマスク１１は、３層の金属層１２，１３，１４で構成され、中央の金属層１３はメッシュ状に形成されている。金属層１３を挟んで両側に設けられた金属層１２，１４は、それぞれ幅Ｗが同じに形成されたストライプ状の開口１２ａ，１４ａを有する。３層の金属層１２，１３，１４は、各開口１２ａ，１４ａの一部が重なる状態に積層され、かつ重なり部分が目的の幅Ｗｐの貫通孔１５になるように積層されている。メタルマスク１１は、熱膨張係数が小さい金属、例えば、インバーで形成されている。また、メタルマスク１１は耐エッチング性を向上させる表面処理が施されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッシブマトリックス型の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造に好適なメタルマスク及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、エレクトロルミネッセンスを適宜ＥＬと記載する。）として、ストライプ状に形成された第１電極（陽極）と、第１電極と直交するストライプ状の第２電極（陰極）とを備え、第１電極及び第２電極との間に有機ＥＬ層が形成された所謂パッシブマトリックス型のものがある。この有機ＥＬディスプレイを製造する場合、有機ＥＬ層を形成した後に、第２電極を第１電極と直交する平行なストライプ状に形成する必要がある。しかし、有機ＥＬ材料は水分に弱いため、ウエットプロセスのフォトリソグラフィ法により第２電極を形成することは難しい。そこで、隣接する第２電極同士の絶縁性を確保するため、第２電極と平行に延びる複数の隔壁を設けることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
また、有機ＥＬ層上に形成された陰極層に対してドライエッチングを行って陰極を形成することが提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の方法では、透明ガラス基板上に陽極を形成し、陽極上に有機ＥＬ層及び陰極層を形成する。そして、陰極層上にシャドウマスクを載置して、ドライエッチングを行うことにより、陰極層及び有機層を分割して陰極を形成する。
【０００４】
また、複数の有機ＥＬ素子が所定のパターンで基板上に形成された有機ＥＬ表示パネルの製造方法における蒸着工程に用いるメタルマスク及びその製造方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。図８に示すように、特許文献３のメタルマスク５０は、蒸着源からの蒸着物質が通過するための複数の貫通開口５１を有している。このメタルマスク５０は、ニッケル等の金属からなり、貫通開口５１の存在密度の高いマスク本体部５０ａと、マスク本体部５０ａの周囲に位置するとともにマスク本体部５０ａの厚さより大きな厚さを有する周縁部５０ｂとからなる。貫通開口５１はエッチングにより形成され、マスク本体部５０ａは機械的研磨により周縁部５０ｂより薄く形成される。また、メタルマスク５０全体を電鋳法（析出法）で製造することも提案されている。
【特許文献１】特開平８−３１５９８１号公報
【特許文献２】特開平１１−７４０８４号公報
【特許文献３】特開２００１−２３７０７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬディスプレイの利点の１つとして薄型化が可能な点がある。しかし、特許文献１のように隔壁を用いて第２電極を分割する構成では、第２電極を確実に分割するには隔壁を高くする必要があり、特許文献１には隔壁の高さ（厚さ）は１〜１０μｍが好ましいとされている。この値は第１電極、第２電極あるいは有機ＥＬ層の厚さの数倍から１０倍以上になる。従って、有機ＥＬディスプレイの薄型化に取ってマイナスとなる。
【０００６】
また、有機ＥＬ材料は水分や酸素に弱いため、有機ＥＬ素子を封止する必要がある。従来、封止手段としてガラス製又はステンレス製の封止缶（カバーケース）が使用されているが、封止缶を使用した構成では有機ＥＬディスプレイの厚みが非常に増大して薄型化に支障を来す。そのため、薄型化を追求する場合は、無機膜による封止が行われている。しかし、隔壁の高さが高くなると、隔壁の陰になっている部分に封止膜が蒸着され難くなり、封止性が低下するという問題もある。
【０００７】
一方、特許文献２のようにドライエッチングで陰極を形成する方法では、隔壁を使用する方法に比較して薄型化が可能であり、膜封止を行う場合の封止性に関しても有利となる。しかし、ドライエッチングの際に使用するマスクは、フォトレジストによって製造する場合、一般に板厚より細い（狭い）幅の開口を形成するのが難しい。
【０００８】
また、特許文献３に提案された蒸着用のメタルマスクは、メタルマスクの強度（剛性）を確保するため、貫通開口５１の存在密度の高いマスク本体部５０ａの周囲に、マスク本体部５０ａの厚さより厚い周縁部５０ｂを設けている。しかし、貫通開口５１の幅を細くすることに関しては特に記載されていない。
【０００９】
本発明は前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その第１の目的は、フォトレジストとして同じパターン精度のものを用いて製造しても、開口幅を従来に比べて狭くすることができるメタルマスクを提供することにある。また、第２の目的は、隔壁を用いずに第２電極をドライエッチングで形成する際、第２電極の間隔を従来のメタルマスクを用いた場合に比べて狭くすることができる有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記第１の目的を達成するため請求項１に記載の発明は、ストライプ状の開口を有する複数の金属層が、各開口の一部が重なる状態で、かつ重なり部分が目的の幅の貫通孔になるように積層されている。ここで、「複数の金属層が、各開口の一部が重なる状態で」とは、開口を有する金属層同士が隣接して積層される場合に限らず、メッシュ状の金属層を間に挟むように積層される場合も意味する。また、「重なり部分が目的の幅の貫通孔になる」とは、メタルマスクを構成する複数の金属層のうちの一部の金属層がメッシュ状に形成されている場合は、メッシュ状の金属層以外の金属層の開口が重なっている部分の幅が目的の幅になっていることを意味する。
【００１１】
この発明では、複数の金属層に形成された個々の開口の幅が広くても、メタルマスクを、例えば、ドライエッチングの際の保護マスクとして使用する場合、各開口の重なり部分がメタルマスクの貫通孔として機能する。従って、メタルマスクの製造の際に、フォトレジストとして同じパターン精度のものを用いても、メタルマスクの実質的な開口の幅を従来に比べて狭くすることができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記メタルマスクは耐エッチング性を向上させる表面処理が施されている。この発明では、エッチング条件が厳しくても、即ち、エッチングガスのメタルマスクの素材金属に対するエッチング性が強くても、メタルマスクの耐久性が向上する。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記複数の金属層に形成された各開口は幅が同じである。この発明では、メタルマスクを製造する際に、各金属層に開口を形成するための作業が殆ど同じになり、作業に必要な部品数が少なくなるとともに作業が簡単になる。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の発明において、前記金属層は３層設けられ、中央の金属層はメッシュ状に形成されている。この発明では、メッシュ状の金属層を挟んで設けられた両金属層がそれぞれ開口において完全に分断された状態であっても、メタルマスクとして形態を保持することができ、メタルマスクの小型化を図ることができる。
【００１５】
前記第２の目的を達成するため請求項５に記載の発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子がマトリックス状に配置された有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法である。そして、基板上に複数の第１電極をストライプ状に形成する第１電極形成工程と、前記第１電極形成工程後に行われ、前記第１電極を覆うように有機エレクトロルミネッセンス層を形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス層形成工程後に行われ、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に前記第１電極と交差する方向に延びるストライプ状の第２電極を形成する第２電極形成工程とを備えている。前記第２電極形成工程は、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成した第２電極形成層に対して、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のメタルマスクを用いてドライエッチングを行うことによりストライプ状の第２電極を形成する。
【００１６】
この発明では、有機ＥＬ層上にストライプ状に第２電極を形成する際に隔壁で第２電極を分割するのではなく、第２電極形成層をドライエッチングすることにより第２電極を形成する。従って、隔壁を使用して第２電極を分割する構成に比較して、薄型化が可能になる。また、第２電極形成層をドライエッチングする際に使用するメタルマスクに請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のメタルマスクを用いるため、第２電極の間隔を従来のメタルマスクを用いた場合に比べて狭くすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１〜請求項４に記載の発明によれば、フォトレジストとして同じパターン精度のものを用いて製造しても、開口幅を従来に比べて狭くすることができる。また、請求項５に記載の発明によれば、隔壁を用いずに第２電極をドライエッチングで形成する際、第２電極の間隔を従来のメタルマスクを用いた場合に比べて狭くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明をパッシブマトリックス型の有機ＥＬディスプレイの製造に好適なメタルマスクに具体化した一実施形態を図１〜図６にしたがって説明する。なお、図１〜図６は、メタルマスクあるいは有機ＥＬディスプレイの構成を模式的に示したものであり、図示の都合上、一部の寸法を誇張して分かり易くするために、それぞれの部分の幅、長さ、厚さ等の寸法の比は実際の比と異なっている。
【００１９】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、メタルマスク１１は、３層の金属層１２，１３，１４で構成され、中央の金属層１３はメッシュ状に形成されている。金属層１３を挟んで両側に設けられた金属層１２，１４は、それぞれ幅Ｗが同じに形成されたストライプ状の開口１２ａ，１４ａを有する。３層の金属層１２，１３，１４は、各開口１２ａ，１４ａの一部が重なる状態に積層されている。即ち、メタルマスク１１は、ストライプ状の開口１２ａ，１４ａを有する複数の金属層１２，１４が、各開口１２ａ，１４ａの一部が重なる状態で、かつ重なり部分が目的の幅Ｗｐの貫通孔１５になるように積層されている。
【００２０】
メタルマスク１１は、熱膨張係数が小さい金属、例えば、インバー（Ｉｎｖａｒ）で形成されている。インバーとは、ニッケル（Ｎｉ）が３６重量％で残りが実質的に鉄（Ｆｅ）の合金である。また、メタルマスク１１は耐エッチング性を向上させる表面処理が施され、表面が図示しない被膜により覆われている。被膜は、例えば、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３で形成されている。
【００２１】
次に前記のように構成されたメタルマスク１１の製造方法を図２及び図３を用いて説明する。先ず金属層１２，１３，１４が３層に積層された積層金属板１６を準備する。積層金属板１６は、所定の厚さの２枚の金属板と、メッシュ状の金属板を積層した状態で圧延・接合することにより形成される。具体的には２枚の金属板の間にメッシュ状の金属板を配置した状態で圧延ロールにより、加熱、圧延して一体化することで積層金属板１６が形成される。
【００２２】
次に図２（ａ）に示すように、積層金属板１６の片面（金属層１２側）にフォトレジストにより、所定の幅Ｗ１の開口１７ａを有するメタル加工用マスク１７を形成する。次に開口１７ａを介してエッチング処理を行い、図２（ｂ）に示すように、金属層１２に開口１２ａを形成する。エッチング処理は、金属層１２の厚さに相当する深さの開口１２ａが確実に形成される所定時間行われる。なお、エッチング処理は、開口１２ａが貫通した後も短時間継続されるため、金属層１３及び金属層１４も多少エッチングされるが支障はない。
【００２３】
次にメタル加工用マスク１７を除去した後、図３（ａ）に示すように、積層金属板１６の他方の面（金属層１４側）にフォトレジストにより、所定の幅Ｗ１の開口１８ａを有するメタル加工用マスク１８を形成する。開口１８ａの幅Ｗ１は、メタル加工用マスク１７の開口１７ａと同じであるが、位置がずれた状態で形成される。開口１８ａのズレ量は、開口１７ａと開口１８ａとの重なり部分が所定の幅Ｗ２となるように設定される。所定の幅Ｗ２は、後工程の表面処理で形成される耐エッチング性を高める被膜の厚さ分、貫通孔１５の幅Ｗｐより広く（大きく）形成される。
【００２４】
次に開口１８ａを介してエッチング処理を行い、図３（ｂ）に示すように、金属層１４に開口１４ａを形成する。エッチング処理は、開口１４ａが貫通した後も短時間継続されるため、金属層１３及び金属層１２も多少エッチングされるが支障はない。次にメタル加工用マスク１８を除去した後、耐エッチング性を向上させる表面処理が施されて、図１（ａ）に示すメタルマスク１１が完成する。
【００２５】
次に有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明する。
先ず第１電極形成工程において、図４（ａ）に示すように、基板２０上に複数の第１電極２１をストライプ状に形成する。具体的には、先ず基板２０の上に透明電極を構成するＩＴＯ膜を形成する。ＩＴＯ膜はスパッタリング法、真空蒸着法、イオン化蒸着法等の公知の薄膜形成方法によって形成される。次に、このＩＴＯ膜に対してエッチングを行い、第１電極２１をストライプ状に形成する。
【００２６】
次に図４（ａ）に示すように、第１電極２１の間を埋めるように絶縁膜２２を形成する。絶縁膜２２は、ポジ型レジストを使用したフォトリソグラフィ法により形成される。
次に有機エレクトロルミネッセンス層形成工程において第１電極２１及び絶縁膜２２を覆うように有機ＥＬ層２３が積層形成される。有機ＥＬ層２３は、例えば、蒸着法で形成され、有機ＥＬ層２３を構成する各層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層）が蒸着により順次積層されることで形成される。
【００２７】
次に、第２電極形成工程にて第２電極２４が形成される。第２電極形成工程においては、図４（ｂ）に示すように、有機エレクトロルミネッセンス層形成工程にて形成された有機ＥＬ層２３上に、第２電極形成層２５を形成する。第２電極形成層２５は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を蒸着することにより形成される。次に第２電極形成層２５上に幅Ｗｐの複数の貫通孔１５を有したメタルマスク１１を載置し、貫通孔１５を介して第２電極形成層２５をドライエッチングしてストライプ状の第２電極２４を形成する。ドライエッチングは、エッチングガスとして、塩素系のガス（例えば、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４）を用いて行う。その結果、図５（ａ）及び図６に示すように、第２電極２４が間隔Ｓ（幅Ｗｐ）をおいてストライプ状に形成された状態になる。即ち、図６に示すように、第１電極２１及び第２電極２４の間に有機ＥＬ層２３が形成された有機エレクトロルミネッセンス素子がマトリックス状に配置された状態になる。なお、図示の都合上、図４（ｂ）及び図５（ａ）においては、メタルマスク１１の各金属層１２，１３，１４の図示を省略している。
【００２８】
次に封止膜形成工程で封止膜が形成される。封止膜２６は、公知のプラズマＣＶＤ法で、例えば、窒化ケイ素を蒸着することにより形成される。そして、図５（ｂ）に示すように、有機ＥＬディスプレイ２７が完成する。封止膜２６は、第１電極２１、有機ＥＬ層２３、第２電極２４の露出部分を覆うように形成される。
【００２９】
この実施形態では以下の効果を有する。
（１）メタルマスク１１は、ストライプ状の開口１２ａ，１４ａを有する複数の金属層１２，１４が、各開口１２ａ，１４ａの一部が重なる状態で、かつ重なり部分が目的の幅Ｗｐの貫通孔１５になるように積層されている。そして、メタルマスク１１を、ドライエッチングの際の保護マスクとして使用する場合、各開口１２ａ，１４ａの重なり部分がメタルマスク１１の貫通孔１５として機能する。従って、メタルマスク１１の製造の際に、フォトレジストとして同じパターン精度のものを用いても、メタルマスク１１の実質的な開口の幅Ｗｐを従来に比べて狭くすることができる。
【００３０】
（２）メタルマスク１１の貫通孔１５の幅Ｗｐは、メタルマスク１１を形成（製造）する際に、メタル加工用マスク１８の開口１８ａの位置のずれ量を変更することにより、メタル加工用マスク１８を形成する際の位置精度の範囲で自由に設定することができる。
【００３１】
（３）金属層１２，１３，１４が３層設けられ、中央の金属層１３はメッシュ状に形成されている。従って、メッシュ状の金属層１３を挟んで設けられた両金属層１２，１４がそれぞれ開口１２ａ，１４ａにおいて完全に分断された状態であっても、メタルマスク１１として形態を保持することができ、メタルマスク１１の小型化を図ることができる。
【００３２】
（４）複数の金属層１２，１４に形成された各開口１２ａ，１４ａは幅Ｗ１が同じである。従って、メタルマスク１１を製造する際に、各金属層１２，１４に開口１２ａ，１４ａを形成するための作業が殆ど同じになり、作業に必要な部品数が少なくなるとともに作業が簡単になる。
【００３３】
（５）メタルマスク１１は耐エッチング性を向上させる表面処理が施されているため、エッチング条件が厳しくても、即ち、エッチングガスのメタルマスク１１の素材金属に対するエッチング性が強くても、メタルマスク１１の耐久性が向上する。
【００３４】
（６）メタルマスク１１を構成する各金属層１２，１３，１４は、熱膨張係数が小さな金属であるインバーで形成されている。従って、メタルマスク１１と基板２０との熱膨張係数の差が小さくなり、メタルマスク１１を用いてドライエッチングで第２電極２４を形成する際に、熱によりメタルマスク１１が膨張しても、メタルマスク１１が基板２０に対して相対移動するのが抑制され、第２電極２４を傷つけ難くなる。
【００３５】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○ メタルマスク１１は、メッシュ状の金属層１３を挟んで両側に金属層１２，１４が設けられた３層構造に限らない。例えば、図７（ａ）に示すように、開口１２ａ，１４ａを有する２層の金属層１２，１４が積層された構成でもよい。各開口１２ａ，１４ａの重なり部分が目的の幅Ｗｐの貫通孔１５になる。この場合、開口１２ａ，１４ａがメタルマスク１１の全長にわたって延びた構成を採用することはできず、図７（ｂ）に示すように、開口１２ａ，１４ａは長孔として形成され、メタルマスク１１は、長孔の両端に沿って延びる枠部（連結部）を備えている。
【００３６】
○ 開口１２ａ，１４ａの幅Ｗは同じである必要はなく、異なる幅に形成してもよい。
○ メタルマスク１１は３層以上の金属層で構成されてもよい。
○ 金属層１２，１３，１４を熱膨張係数の小さな材料で形成する場合、材料はインバーに限らず、例えば、４２アロイやコバールを使用してもよい。４２アロイは、ニッケルが４２重量％で残りが実質的に鉄の合金であり、コバールは、ニッケルが２９重量％、コバルトが１７重量％で残りが実質的に鉄の合金である。
【００３７】
○ 金属層１２，１３，１４の材料は熱膨張係数の小さな金属（熱膨張係数がガラスに近い金属）に限らず、例えば、ステンレス鋼やアルミニウムでもよい。
○ 金属層１２，１３，１４をそれぞれ異なる材料で形成してもよい。
【００３８】
○ メタルマスク１１を製造する際における、開口１２ａ，１４ａを形成するためのエッチングは、ウェットエッチング、ドライエッチングのいずれであってもよい。しかし、ウェットエッチングの方が、短時間でエッチングを行うことができ、生産性が高くなる。
【００３９】
○ メタルマスク１１を製造する際における、開口１２ａ，１４ａを形成するためのエッチングの完了は、予め試験で定めた時間によって管理する方法に限らず、メタルマスクの色を観察して管理してもよい。
【００４０】
○ メタルマスク１１に対して、必ずしも耐エッチング性向上のための表面処理を施さなくてもよい。
○ 第１電極２１の間に形成した絶縁膜２２を省略してもよい。しかし、絶縁膜２２を設けた方が、隣接する第１電極２１同士の絶縁が確実になるだけでなく、第１電極２１上に順次積層される有機ＥＬ層２３及び第２電極形成層２５が平坦な状態で積層され、絶縁膜２２を形成しない場合に比較して、メタルマスク１１を使用したドライエッチングによる第２電極２４の形成が円滑に行われる。
【００４１】
○ 有機ＥＬ層２３を酸素や水分から保護するための封止手段として封止膜２６を設ける代わりに缶封止を行ってもよい。
○ 第１電極２１と第２電極２４とは交差していればよく、必ずしも直交でなくてもよい。
【００４２】
○ 有機ＥＬ層２３の構成は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の構成に限らず、少なくとも発光層を含む構成であればよい。例えば、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の３層構成や、発光層を挟んで正孔注入輸送層と電子注入輸送層とを設けた３層構成としてもよい。また、発光層の材料によっては、有機ＥＬ層２３を発光層のみから構成してもよい。
【００４３】
○ 基板２０はガラスに限らず、透明な樹脂基板やフィルムであってもよい。
○ 第１電極２１が陽極で第２電極２４が陰極に限らず、第１電極２１が陰極、第２電極２４が陽極としてもよい。
【００４４】
○ 有機ＥＬディスプレイ２７は、所謂ボトムエミッション型に限らず、基板２０と反対側から光が出射するトップエミッション型の構成としてもよい。トップエミッション型の場合、基板２０及び基板２０側に配置される第１電極２１は透明でなくてもよい。
【００４５】
○ 第１電極２１を構成する透明電極は、ＩＴＯに限らず、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＳｎＯ２（酸化錫）等を用いることができる。
○ 第２電極２４は、アルミニウムに限らず、従来用いられている公知の陰極材料等が使用でき、例えば、金、銀、銅、クロム等の金属やこれらの合金等を用いてもよい。
【００４６】
○ 第２電極２４は光反射機能を備えていなくてもよい。
○ 第１電極形成工程では、あらかじめ第１電極２１が設けられた基板２０を用意してもよい。
【００４７】
以下の技術的思想（発明）は前記実施形態から把握できる。
（１）２層に積層された金属板の一方の金属層にエッチング処理を施してストライプ状でかつ他方の金属層に達する第１開口を形成した後、他方の金属層にエッチング処理を施してストライプ状でかつ他方の金属層に達する第２開口を、前記第１開口と一部が重なるとともに、重なり部分が目的の幅の貫通孔になるように形成するメタルマスクの製造方法。
【００４８】
（２）２枚の金属板をメッシュ状の金属板を挟んで積層した３層の金属板を使用し、前記メッシュ状の金属板の一方の面に積層された金属層にエッチング処理を施してストライプ状でかつメッシュ状の金属板に達する第１開口を形成した後、他方の面に積層された金属層にエッチング処理を施してストライプ状でかつメッシュ状の金属板に達する第２開口を形成するメタルマスクの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】（ａ）は一実施形態のメタルマスクの部分概略斜視図、（ｂ）は部分断面図。
【図２】（ａ），（ｂ）はメタルマスクの製造工程を示す模式断面図。
【図３】（ａ），（ｂ）はメタルマスクの製造工程を示す模式断面図。
【図４】（ａ）は有機ＥＬディスプレイの製造工程を示す模式斜視図、（ｂ）は模式断面図。
【図５】（ａ），（ｂ）は有機ＥＬディスプレイの製造工程を示す模式断面図。
【図６】第２電極が形成された状態の有機ＥＬディスプレイの模式平面図。
【図７】（ａ）は別の実施形態におけるメタルマスクの模式断面図、（ｂ）は模式斜視図。
【図８】従来技術のメタルマスクの模式断面図。
【符号の説明】
【００５０】
Ｗ，Ｗ１，Ｗ２，Ｗｐ…幅、１１…メタルマスク、１２，１３，１４…金属層、１２ａ，１４ａ，１７ａ，１８ａ…開口、１５…貫通孔、２０…基板、２１…第１電極、２３…有機ＥＬ層、２４…第２電極、２５…第２電極形成層、２７…有機ＥＬディスプレイ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッシブマトリックス型の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造に好適なメタルマスク及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、エレクトロルミネッセンスを適宜ＥＬと記載する。）として、ストライプ状に形成された第１電極（陽極）と、第１電極と直交するストライプ状の第２電極（陰極）とを備え、第１電極及び第２電極との間に有機ＥＬ層が形成された所謂パッシブマトリックス型のものがある。この有機ＥＬディスプレイを製造する場合、有機ＥＬ層を形成した後に、第２電極を第１電極と直交する平行なストライプ状に形成する必要がある。しかし、有機ＥＬ材料は水分に弱いため、ウエットプロセスのフォトリソグラフィ法により第２電極を形成することは難しい。そこで、隣接する第２電極同士の絶縁性を確保するため、第２電極と平行に延びる複数の隔壁を設けることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
また、有機ＥＬ層上に形成された陰極層に対してドライエッチングを行って陰極を形成することが提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の方法では、透明ガラス基板上に陽極を形成し、陽極上に有機ＥＬ層及び陰極層を形成する。そして、陰極層上にシャドウマスクを載置して、ドライエッチングを行うことにより、陰極層及び有機層を分割して陰極を形成する。
【０００４】
また、複数の有機ＥＬ素子が所定のパターンで基板上に形成された有機ＥＬ表示パネルの製造方法における蒸着工程に用いるメタルマスク及びその製造方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。図８に示すように、特許文献３のメタルマスク５０は、蒸着源からの蒸着物質が通過するための複数の貫通開口５１を有している。このメタルマスク５０は、ニッケル等の金属からなり、貫通開口５１の存在密度の高いマスク本体部５０ａと、マスク本体部５０ａの周囲に位置するとともにマスク本体部５０ａの厚さより大きな厚さを有する周縁部５０ｂとからなる。貫通開口５１はエッチングにより形成され、マスク本体部５０ａは機械的研磨により周縁部５０ｂより薄く形成される。また、メタルマスク５０全体を電鋳法（析出法）で製造することも提案されている。
【特許文献１】特開平８−３１５９８１号公報
【特許文献２】特開平１１−７４０８４号公報
【特許文献３】特開２００１−２３７０７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬディスプレイの利点の１つとして薄型化が可能な点がある。しかし、特許文献１のように隔壁を用いて第２電極を分割する構成では、第２電極を確実に分割するには隔壁を高くする必要があり、特許文献１には隔壁の高さ（厚さ）は１〜１０μｍが好ましいとされている。この値は第１電極、第２電極あるいは有機ＥＬ層の厚さの数倍から１０倍以上になる。従って、有機ＥＬディスプレイの薄型化に取ってマイナスとなる。
【０００６】
また、有機ＥＬ材料は水分や酸素に弱いため、有機ＥＬ素子を封止する必要がある。従来、封止手段としてガラス製又はステンレス製の封止缶（カバーケース）が使用されているが、封止缶を使用した構成では有機ＥＬディスプレイの厚みが非常に増大して薄型化に支障を来す。そのため、薄型化を追求する場合は、無機膜による封止が行われている。しかし、隔壁の高さが高くなると、隔壁の陰になっている部分に封止膜が蒸着され難くなり、封止性が低下するという問題もある。
【０００７】
一方、特許文献２のようにドライエッチングで陰極を形成する方法では、隔壁を使用する方法に比較して薄型化が可能であり、膜封止を行う場合の封止性に関しても有利となる。しかし、ドライエッチングの際に使用するマスクは、フォトレジストによって製造する場合、一般に板厚より細い（狭い）幅の開口を形成するのが難しい。
【０００８】
また、特許文献３に提案された蒸着用のメタルマスクは、メタルマスクの強度（剛性）を確保するため、貫通開口５１の存在密度の高いマスク本体部５０ａの周囲に、マスク本体部５０ａの厚さより厚い周縁部５０ｂを設けている。しかし、貫通開口５１の幅を細くすることに関しては特に記載されていない。
【０００９】
本発明は前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その第１の目的は、フォトレジストとして同じパターン精度のものを用いて製造しても、開口幅を従来に比べて狭くすることができるメタルマスクを提供することにある。また、第２の目的は、隔壁を用いずに第２電極をドライエッチングで形成する際、第２電極の間隔を従来のメタルマスクを用いた場合に比べて狭くすることができる有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記第１の目的を達成するため請求項１に記載の発明は、ストライプ状の開口を有する複数の金属層が、各開口の一部が重なる状態で、かつ重なり部分が目的の幅の貫通孔になるように積層されている。ここで、「複数の金属層が、各開口の一部が重なる状態で」とは、開口を有する金属層同士が隣接して積層される場合に限らず、メッシュ状の金属層を間に挟むように積層される場合も意味する。また、「重なり部分が目的の幅の貫通孔になる」とは、メタルマスクを構成する複数の金属層のうちの一部の金属層がメッシュ状に形成されている場合は、メッシュ状の金属層以外の金属層の開口が重なっている部分の幅が目的の幅になっていることを意味する。
【００１１】
この発明では、複数の金属層に形成された個々の開口の幅が広くても、メタルマスクを、例えば、ドライエッチングの際の保護マスクとして使用する場合、各開口の重なり部分がメタルマスクの貫通孔として機能する。従って、メタルマスクの製造の際に、フォトレジストとして同じパターン精度のものを用いても、メタルマスクの実質的な開口の幅を従来に比べて狭くすることができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記メタルマスクは耐エッチング性を向上させる表面処理が施されている。この発明では、エッチング条件が厳しくても、即ち、エッチングガスのメタルマスクの素材金属に対するエッチング性が強くても、メタルマスクの耐久性が向上する。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記複数の金属層に形成された各開口は幅が同じである。この発明では、メタルマスクを製造する際に、各金属層に開口を形成するための作業が殆ど同じになり、作業に必要な部品数が少なくなるとともに作業が簡単になる。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の発明において、前記金属層は３層設けられ、中央の金属層はメッシュ状に形成されている。この発明では、メッシュ状の金属層を挟んで設けられた両金属層がそれぞれ開口において完全に分断された状態であっても、メタルマスクとして形態を保持することができ、メタルマスクの小型化を図ることができる。
【００１５】
前記第２の目的を達成するため請求項５に記載の発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子がマトリックス状に配置された有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法である。そして、基板上に複数の第１電極をストライプ状に形成する第１電極形成工程と、前記第１電極形成工程後に行われ、前記第１電極を覆うように有機エレクトロルミネッセンス層を形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス層形成工程後に行われ、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に前記第１電極と交差する方向に延びるストライプ状の第２電極を形成する第２電極形成工程とを備えている。前記第２電極形成工程は、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成した第２電極形成層に対して、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のメタルマスクを用いてドライエッチングを行うことによりストライプ状の第２電極を形成する。
【００１６】
この発明では、有機ＥＬ層上にストライプ状に第２電極を形成する際に隔壁で第２電極を分割するのではなく、第２電極形成層をドライエッチングすることにより第２電極を形成する。従って、隔壁を使用して第２電極を分割する構成に比較して、薄型化が可能になる。また、第２電極形成層をドライエッチングする際に使用するメタルマスクに請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のメタルマスクを用いるため、第２電極の間隔を従来のメタルマスクを用いた場合に比べて狭くすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１〜請求項４に記載の発明によれば、フォトレジストとして同じパターン精度のものを用いて製造しても、開口幅を従来に比べて狭くすることができる。また、請求項５に記載の発明によれば、隔壁を用いずに第２電極をドライエッチングで形成する際、第２電極の間隔を従来のメタルマスクを用いた場合に比べて狭くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明をパッシブマトリックス型の有機ＥＬディスプレイの製造に好適なメタルマスクに具体化した一実施形態を図１〜図６にしたがって説明する。なお、図１〜図６は、メタルマスクあるいは有機ＥＬディスプレイの構成を模式的に示したものであり、図示の都合上、一部の寸法を誇張して分かり易くするために、それぞれの部分の幅、長さ、厚さ等の寸法の比は実際の比と異なっている。
【００１９】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、メタルマスク１１は、３層の金属層１２，１３，１４で構成され、中央の金属層１３はメッシュ状に形成されている。金属層１３を挟んで両側に設けられた金属層１２，１４は、それぞれ幅Ｗが同じに形成されたストライプ状の開口１２ａ，１４ａを有する。３層の金属層１２，１３，１４は、各開口１２ａ，１４ａの一部が重なる状態に積層されている。即ち、メタルマスク１１は、ストライプ状の開口１２ａ，１４ａを有する複数の金属層１２，１４が、各開口１２ａ，１４ａの一部が重なる状態で、かつ重なり部分が目的の幅Ｗｐの貫通孔１５になるように積層されている。
【００２０】
メタルマスク１１は、熱膨張係数が小さい金属、例えば、インバー（Ｉｎｖａｒ）で形成されている。インバーとは、ニッケル（Ｎｉ）が３６重量％で残りが実質的に鉄（Ｆｅ）の合金である。また、メタルマスク１１は耐エッチング性を向上させる表面処理が施され、表面が図示しない被膜により覆われている。被膜は、例えば、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３で形成されている。
【００２１】
次に前記のように構成されたメタルマスク１１の製造方法を図２及び図３を用いて説明する。先ず金属層１２，１３，１４が３層に積層された積層金属板１６を準備する。積層金属板１６は、所定の厚さの２枚の金属板と、メッシュ状の金属板を積層した状態で圧延・接合することにより形成される。具体的には２枚の金属板の間にメッシュ状の金属板を配置した状態で圧延ロールにより、加熱、圧延して一体化することで積層金属板１６が形成される。
【００２２】
次に図２（ａ）に示すように、積層金属板１６の片面（金属層１２側）にフォトレジストにより、所定の幅Ｗ１の開口１７ａを有するメタル加工用マスク１７を形成する。次に開口１７ａを介してエッチング処理を行い、図２（ｂ）に示すように、金属層１２に開口１２ａを形成する。エッチング処理は、金属層１２の厚さに相当する深さの開口１２ａが確実に形成される所定時間行われる。なお、エッチング処理は、開口１２ａが貫通した後も短時間継続されるため、金属層１３及び金属層１４も多少エッチングされるが支障はない。
【００２３】
次にメタル加工用マスク１７を除去した後、図３（ａ）に示すように、積層金属板１６の他方の面（金属層１４側）にフォトレジストにより、所定の幅Ｗ１の開口１８ａを有するメタル加工用マスク１８を形成する。開口１８ａの幅Ｗ１は、メタル加工用マスク１７の開口１７ａと同じであるが、位置がずれた状態で形成される。開口１８ａのズレ量は、開口１７ａと開口１８ａとの重なり部分が所定の幅Ｗ２となるように設定される。所定の幅Ｗ２は、後工程の表面処理で形成される耐エッチング性を高める被膜の厚さ分、貫通孔１５の幅Ｗｐより広く（大きく）形成される。
【００２４】
次に開口１８ａを介してエッチング処理を行い、図３（ｂ）に示すように、金属層１４に開口１４ａを形成する。エッチング処理は、開口１４ａが貫通した後も短時間継続されるため、金属層１３及び金属層１２も多少エッチングされるが支障はない。次にメタル加工用マスク１８を除去した後、耐エッチング性を向上させる表面処理が施されて、図１（ａ）に示すメタルマスク１１が完成する。
【００２５】
次に有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明する。
先ず第１電極形成工程において、図４（ａ）に示すように、基板２０上に複数の第１電極２１をストライプ状に形成する。具体的には、先ず基板２０の上に透明電極を構成するＩＴＯ膜を形成する。ＩＴＯ膜はスパッタリング法、真空蒸着法、イオン化蒸着法等の公知の薄膜形成方法によって形成される。次に、このＩＴＯ膜に対してエッチングを行い、第１電極２１をストライプ状に形成する。
【００２６】
次に図４（ａ）に示すように、第１電極２１の間を埋めるように絶縁膜２２を形成する。絶縁膜２２は、ポジ型レジストを使用したフォトリソグラフィ法により形成される。
次に有機エレクトロルミネッセンス層形成工程において第１電極２１及び絶縁膜２２を覆うように有機ＥＬ層２３が積層形成される。有機ＥＬ層２３は、例えば、蒸着法で形成され、有機ＥＬ層２３を構成する各層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層）が蒸着により順次積層されることで形成される。
【００２７】
次に、第２電極形成工程にて第２電極２４が形成される。第２電極形成工程においては、図４（ｂ）に示すように、有機エレクトロルミネッセンス層形成工程にて形成された有機ＥＬ層２３上に、第２電極形成層２５を形成する。第２電極形成層２５は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を蒸着することにより形成される。次に第２電極形成層２５上に幅Ｗｐの複数の貫通孔１５を有したメタルマスク１１を載置し、貫通孔１５を介して第２電極形成層２５をドライエッチングしてストライプ状の第２電極２４を形成する。ドライエッチングは、エッチングガスとして、塩素系のガス（例えば、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４）を用いて行う。その結果、図５（ａ）及び図６に示すように、第２電極２４が間隔Ｓ（幅Ｗｐ）をおいてストライプ状に形成された状態になる。即ち、図６に示すように、第１電極２１及び第２電極２４の間に有機ＥＬ層２３が形成された有機エレクトロルミネッセンス素子がマトリックス状に配置された状態になる。なお、図示の都合上、図４（ｂ）及び図５（ａ）においては、メタルマスク１１の各金属層１２，１３，１４の図示を省略している。
【００２８】
次に封止膜形成工程で封止膜が形成される。封止膜２６は、公知のプラズマＣＶＤ法で、例えば、窒化ケイ素を蒸着することにより形成される。そして、図５（ｂ）に示すように、有機ＥＬディスプレイ２７が完成する。封止膜２６は、第１電極２１、有機ＥＬ層２３、第２電極２４の露出部分を覆うように形成される。
【００２９】
この実施形態では以下の効果を有する。
（１）メタルマスク１１は、ストライプ状の開口１２ａ，１４ａを有する複数の金属層１２，１４が、各開口１２ａ，１４ａの一部が重なる状態で、かつ重なり部分が目的の幅Ｗｐの貫通孔１５になるように積層されている。そして、メタルマスク１１を、ドライエッチングの際の保護マスクとして使用する場合、各開口１２ａ，１４ａの重なり部分がメタルマスク１１の貫通孔１５として機能する。従って、メタルマスク１１の製造の際に、フォトレジストとして同じパターン精度のものを用いても、メタルマスク１１の実質的な開口の幅Ｗｐを従来に比べて狭くすることができる。
【００３０】
（２）メタルマスク１１の貫通孔１５の幅Ｗｐは、メタルマスク１１を形成（製造）する際に、メタル加工用マスク１８の開口１８ａの位置のずれ量を変更することにより、メタル加工用マスク１８を形成する際の位置精度の範囲で自由に設定することができる。
【００３１】
（３）金属層１２，１３，１４が３層設けられ、中央の金属層１３はメッシュ状に形成されている。従って、メッシュ状の金属層１３を挟んで設けられた両金属層１２，１４がそれぞれ開口１２ａ，１４ａにおいて完全に分断された状態であっても、メタルマスク１１として形態を保持することができ、メタルマスク１１の小型化を図ることができる。
【００３２】
（４）複数の金属層１２，１４に形成された各開口１２ａ，１４ａは幅Ｗ１が同じである。従って、メタルマスク１１を製造する際に、各金属層１２，１４に開口１２ａ，１４ａを形成するための作業が殆ど同じになり、作業に必要な部品数が少なくなるとともに作業が簡単になる。
【００３３】
（５）メタルマスク１１は耐エッチング性を向上させる表面処理が施されているため、エッチング条件が厳しくても、即ち、エッチングガスのメタルマスク１１の素材金属に対するエッチング性が強くても、メタルマスク１１の耐久性が向上する。
【００３４】
（６）メタルマスク１１を構成する各金属層１２，１３，１４は、熱膨張係数が小さな金属であるインバーで形成されている。従って、メタルマスク１１と基板２０との熱膨張係数の差が小さくなり、メタルマスク１１を用いてドライエッチングで第２電極２４を形成する際に、熱によりメタルマスク１１が膨張しても、メタルマスク１１が基板２０に対して相対移動するのが抑制され、第２電極２４を傷つけ難くなる。
【００３５】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○ メタルマスク１１は、メッシュ状の金属層１３を挟んで両側に金属層１２，１４が設けられた３層構造に限らない。例えば、図７（ａ）に示すように、開口１２ａ，１４ａを有する２層の金属層１２，１４が積層された構成でもよい。各開口１２ａ，１４ａの重なり部分が目的の幅Ｗｐの貫通孔１５になる。この場合、開口１２ａ，１４ａがメタルマスク１１の全長にわたって延びた構成を採用することはできず、図７（ｂ）に示すように、開口１２ａ，１４ａは長孔として形成され、メタルマスク１１は、長孔の両端に沿って延びる枠部（連結部）を備えている。
【００３６】
○ 開口１２ａ，１４ａの幅Ｗは同じである必要はなく、異なる幅に形成してもよい。
○ メタルマスク１１は３層以上の金属層で構成されてもよい。
○ 金属層１２，１３，１４を熱膨張係数の小さな材料で形成する場合、材料はインバーに限らず、例えば、４２アロイやコバールを使用してもよい。４２アロイは、ニッケルが４２重量％で残りが実質的に鉄の合金であり、コバールは、ニッケルが２９重量％、コバルトが１７重量％で残りが実質的に鉄の合金である。
【００３７】
○ 金属層１２，１３，１４の材料は熱膨張係数の小さな金属（熱膨張係数がガラスに近い金属）に限らず、例えば、ステンレス鋼やアルミニウムでもよい。
○ 金属層１２，１３，１４をそれぞれ異なる材料で形成してもよい。
【００３８】
○ メタルマスク１１を製造する際における、開口１２ａ，１４ａを形成するためのエッチングは、ウェットエッチング、ドライエッチングのいずれであってもよい。しかし、ウェットエッチングの方が、短時間でエッチングを行うことができ、生産性が高くなる。
【００３９】
○ メタルマスク１１を製造する際における、開口１２ａ，１４ａを形成するためのエッチングの完了は、予め試験で定めた時間によって管理する方法に限らず、メタルマスクの色を観察して管理してもよい。
【００４０】
○ メタルマスク１１に対して、必ずしも耐エッチング性向上のための表面処理を施さなくてもよい。
○ 第１電極２１の間に形成した絶縁膜２２を省略してもよい。しかし、絶縁膜２２を設けた方が、隣接する第１電極２１同士の絶縁が確実になるだけでなく、第１電極２１上に順次積層される有機ＥＬ層２３及び第２電極形成層２５が平坦な状態で積層され、絶縁膜２２を形成しない場合に比較して、メタルマスク１１を使用したドライエッチングによる第２電極２４の形成が円滑に行われる。
【００４１】
○ 有機ＥＬ層２３を酸素や水分から保護するための封止手段として封止膜２６を設ける代わりに缶封止を行ってもよい。
○ 第１電極２１と第２電極２４とは交差していればよく、必ずしも直交でなくてもよい。
【００４２】
○ 有機ＥＬ層２３の構成は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の構成に限らず、少なくとも発光層を含む構成であればよい。例えば、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の３層構成や、発光層を挟んで正孔注入輸送層と電子注入輸送層とを設けた３層構成としてもよい。また、発光層の材料によっては、有機ＥＬ層２３を発光層のみから構成してもよい。
【００４３】
○ 基板２０はガラスに限らず、透明な樹脂基板やフィルムであってもよい。
○ 第１電極２１が陽極で第２電極２４が陰極に限らず、第１電極２１が陰極、第２電極２４が陽極としてもよい。
【００４４】
○ 有機ＥＬディスプレイ２７は、所謂ボトムエミッション型に限らず、基板２０と反対側から光が出射するトップエミッション型の構成としてもよい。トップエミッション型の場合、基板２０及び基板２０側に配置される第１電極２１は透明でなくてもよい。
【００４５】
○ 第１電極２１を構成する透明電極は、ＩＴＯに限らず、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＳｎＯ２（酸化錫）等を用いることができる。
○ 第２電極２４は、アルミニウムに限らず、従来用いられている公知の陰極材料等が使用でき、例えば、金、銀、銅、クロム等の金属やこれらの合金等を用いてもよい。
【００４６】
○ 第２電極２４は光反射機能を備えていなくてもよい。
○ 第１電極形成工程では、あらかじめ第１電極２１が設けられた基板２０を用意してもよい。
【００４７】
以下の技術的思想（発明）は前記実施形態から把握できる。
（１）２層に積層された金属板の一方の金属層にエッチング処理を施してストライプ状でかつ他方の金属層に達する第１開口を形成した後、他方の金属層にエッチング処理を施してストライプ状でかつ他方の金属層に達する第２開口を、前記第１開口と一部が重なるとともに、重なり部分が目的の幅の貫通孔になるように形成するメタルマスクの製造方法。
【００４８】
（２）２枚の金属板をメッシュ状の金属板を挟んで積層した３層の金属板を使用し、前記メッシュ状の金属板の一方の面に積層された金属層にエッチング処理を施してストライプ状でかつメッシュ状の金属板に達する第１開口を形成した後、他方の面に積層された金属層にエッチング処理を施してストライプ状でかつメッシュ状の金属板に達する第２開口を形成するメタルマスクの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】（ａ）は一実施形態のメタルマスクの部分概略斜視図、（ｂ）は部分断面図。
【図２】（ａ），（ｂ）はメタルマスクの製造工程を示す模式断面図。
【図３】（ａ），（ｂ）はメタルマスクの製造工程を示す模式断面図。
【図４】（ａ）は有機ＥＬディスプレイの製造工程を示す模式斜視図、（ｂ）は模式断面図。
【図５】（ａ），（ｂ）は有機ＥＬディスプレイの製造工程を示す模式断面図。
【図６】第２電極が形成された状態の有機ＥＬディスプレイの模式平面図。
【図７】（ａ）は別の実施形態におけるメタルマスクの模式断面図、（ｂ）は模式斜視図。
【図８】従来技術のメタルマスクの模式断面図。
【符号の説明】
【００５０】
Ｗ，Ｗ１，Ｗ２，Ｗｐ…幅、１１…メタルマスク、１２，１３，１４…金属層、１２ａ，１４ａ，１７ａ，１８ａ…開口、１５…貫通孔、２０…基板、２１…第１電極、２３…有機ＥＬ層、２４…第２電極、２５…第２電極形成層、２７…有機ＥＬディスプレイ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストライプ状の開口を有する複数の金属層が、各開口の一部が重なる状態で、かつ重なり部分が目的の幅の貫通孔になるように積層されたメタルマスク。
【請求項２】
前記メタルマスクは耐エッチング性を向上させる表面処理が施されている請求項１に記載のメタルマスク。
【請求項３】
前記複数の金属層に形成された各開口は幅が同じである請求項１又は請求項２に記載のメタルマスク。
【請求項４】
前記金属層は３層設けられ、中央の金属層はメッシュ状に形成されている請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のメタルマスク。
【請求項５】
有機エレクトロルミネッセンス素子がマトリックス状に配置された有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法であって、
基板上に複数の第１電極をストライプ状に形成する第１電極形成工程と、
前記第１電極形成工程後に行われ、前記第１電極を覆うように有機エレクトロルミネッセンス層を形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層形成工程後に行われ、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に前記第１電極と交差する方向に延びるストライプ状の第２電極を形成する第２電極形成工程とを備え、
前記第２電極形成工程は、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成した第２電極形成層に対して、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のメタルマスクを用いてドライエッチングを行うことによりストライプ状の第２電極を形成する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法。
【請求項１】
ストライプ状の開口を有する複数の金属層が、各開口の一部が重なる状態で、かつ重なり部分が目的の幅の貫通孔になるように積層されたメタルマスク。
【請求項２】
前記メタルマスクは耐エッチング性を向上させる表面処理が施されている請求項１に記載のメタルマスク。
【請求項３】
前記複数の金属層に形成された各開口は幅が同じである請求項１又は請求項２に記載のメタルマスク。
【請求項４】
前記金属層は３層設けられ、中央の金属層はメッシュ状に形成されている請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のメタルマスク。
【請求項５】
有機エレクトロルミネッセンス素子がマトリックス状に配置された有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法であって、
基板上に複数の第１電極をストライプ状に形成する第１電極形成工程と、
前記第１電極形成工程後に行われ、前記第１電極を覆うように有機エレクトロルミネッセンス層を形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層形成工程後に行われ、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に前記第１電極と交差する方向に延びるストライプ状の第２電極を形成する第２電極形成工程とを備え、
前記第２電極形成工程は、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成した第２電極形成層に対して、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のメタルマスクを用いてドライエッチングを行うことによりストライプ状の第２電極を形成する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００８−１０２６８（Ｐ２００８−１０２６８Ａ）
【公開日】平成２０年１月１７日（２００８．１．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１７８３８１（Ｐ２００６−１７８３８１）
【出願日】平成１８年６月２８日（２００６．６．２８）
【出願人】（０００００３２１８）株式会社豊田自動織機 (4,162)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１月１７日（２００８．１．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年６月２８日（２００６．６．２８）
【出願人】（０００００３２１８）株式会社豊田自動織機 (4,162)
【Ｆターム（参考）】
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