【課題】従来よりも簡便な方法で支持体との密着性の高いレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】基板上に直接、レジスト組成物を塗布する工程（１）と、前記レジスト組成物が塗布された前記基板をベークしてレジスト膜を形成する工程（２）と、前記レジスト膜が形成された前記基板を有機溶剤で洗浄する工程（３）と、前記の洗浄後の前記基板上に、前記レジスト組成物と同じレジスト組成物を塗布してレジストパターンを形成する工程（４）とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に直接、レジスト組成物を塗布する工程（１）と、
前記レジスト組成物が塗布された前記基板をベークしてレジスト膜を形成する工程（２）と、
前記レジスト膜が形成された前記基板を有機溶剤で洗浄する工程（３）と、
前記の洗浄後の前記基板上に、前記レジスト組成物と同じレジスト組成物を塗布してレジストパターンを形成する工程（４）と
を有することを特徴とするレジストパターン形成方法。

【図１】

【公開番号】特開２０１２−３７６５７（Ｐ２０１２−３７６５７Ａ）
【公開日】平成２４年２月２３日（２０１２．２．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７６４３８（Ｐ２０１０−１７６４３８）
【出願日】平成２２年８月５日（２０１０．８．５）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】