両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法
【課題】前面及び背面方向への光抽出量を極大化できる両面発光型有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】基板(300)と、前記基板上に一定の間隔をもって離隔して形成されている反射膜(310)と、前記基板上にパターニングされて形成されており、両末端の下部に反射膜を含む第１電極(320)と、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜(330)と、前記露出した第１電極の上部に形成されており、少なくとも有機発光層を含む有機膜層(340)と、前記基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に形成されている第２電極(350)とを備えることを特徴とする。
【解決手段】基板(300)と、前記基板上に一定の間隔をもって離隔して形成されている反射膜(310)と、前記基板上にパターニングされて形成されており、両末端の下部に反射膜を含む第１電極(320)と、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜(330)と、前記露出した第１電極の上部に形成されており、少なくとも有機発光層を含む有機膜層(340)と、前記基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に形成されている第２電極(350)とを備えることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面発光型有機電界発光素子に関し、前記両面発光型有機電界発光素子において第１電極の両末端の下部に反射膜を形成することによって、前面及び背面方向への光抽出量を極大化することができ、デバイスの寿命を向上させることができる両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示素子（Flat Panel Display Device）のうち有機電界発光素子（ＯＬＥＤ；Organic Electroluminescence Display Device)は、有機化合物を電気的に励起させて発光させる自発光型表示装置であって、低温製作が可能であり、応答速度が１ｍｓ以下と高速の応答速度を有し、消費電力が低く、自発光であるから視野角が広く、高いコントラスト（Contrast）特性を示し、ＬＣＤのようなバックライトが不要なので、軽量薄形が可能であり、均一な面発光特性及び製造の便利性の点から、携帯電話の液晶表示装置（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）などに使われている。
【０００３】
前記有機電界発光素子は、アノード電極とカソード電極との間に有機発光層を含んでおり、アノード電極から供給される正孔とカソード電極から受ける電子とが有機発光層内で結合し、正孔−電子の対である励起子を形成し、さらに前記励起子が基底状態に戻りながら発生するエネルギーにより発光するようになる。
【０００４】
一般的に、有機電界発光素子は、マトリクス形態で配置されたＮ×Ｍ個の画素を駆動する方式によって、パッシブマトリクス（Passive matrix）方式と、アクティブマトリクス（Active matrix）方式とに分けられる。パッシブマトリクス方式は、表示領域がアノード電極とカソード電極によって単純なマトリクス形態の素子から構成されているので、製造が容易ではあるが、解像度、駆動電圧の上昇、材料の寿命低下などの問題点があるため、低解像度及び小型ディスプレイの応用分野に制限される。これに対し、アクティブマトリクス方式は、表示領域が各画素毎に薄膜トランジスタを装着して、有機電界発光素子の画素数に関係なく、一定の電流を供給することによって、安定した輝度を表すことができ、且つ電力消耗が少なくて、高解像度及び大型ディスプレイの適用に有利であるという長所を有している。
【０００５】
また、前記有機電界発光素子は、有機発光層から発生する光が放出される方向によって、背面発光型と、前面発光型とに分けられる。背面発光型は、形成された基板側に光が放出されるものであって、有機発光層の上部に反射電極が形成され、前記有機発光層の下部には、透明電極が形成される。ここで、有機電界発光素子が、薄膜トランジスタが形成されるアクティブマトリクス方式を採用する場合、薄膜トランジスタが形成された部分は、光が透過しないため、光が放出され得る面積が減少する。これとは異なって、前面発光型は、有機発光層の上部に透明電極が形成され、前記有機発光層の下部に反射電極が形成されることになるため、光が基板側と反対方向に放出されるので、光が透過する面積が広くなり、輝度が向上する。従って、１つの基板上に前面発光と背面発光を同時に具現できる両面発光型有機電界発光素子が次世代平板表示装置として注目されているところである。
【０００６】
図１は、従来技術に係る両面発光型有機電界発光素子を示す平面図である。
【０００７】
図１を参照すれば、従来の両面発光型有機電界発光素子は、透明電極よりなる第１電極１１０が形成されていて、前記第１電極１１０の上部には、前記第１電極を露出させる画素定義膜（ＰＤＬ；Pixel Define Layer）１３０が形成されている。この時、後続工程で少なくとも有機発光層を含む有機膜層及び透明電極である第２電極を形成することによって、前記第１電極１１０が形成された部分から前面及び背面へ光が抽出される。
【０００８】
以下、図２及び図３に示す従来の両面発光型有機電界発光素子の断面図を参照して、前記両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を詳細に説明する。
【０００９】
図２は、従来の両面発光型有機電界発光素子において、 図１の線I−I’に沿う断面図であり、図３は、従来の両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を説明するための断面図である。
【００１０】
図２を参照すれば、従来の両面発光型有機電界発光素子は、ガラス又はプラスチックよりなる基板１００上に、第１電極１１０がパターニングされて形成されている。前記第１電極１１０は、アノード電極である場合には、仕事関数が高いＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）よりなる透明電極で形成される。また、前記第１電極１１０は、カソード電極である場合には、仕事関数が低い導電性の金属で、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ及びこれらの合金よりなる群から選ばれる１種の物質を用いて透過電極で形成される。
【００１１】
次いで、前記第１電極１１０上に、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜１３０が形成されている。
【００１２】
図３は、図２の露出した第１電極の上部及び画素定義膜の上部に追加に有機膜層及び第２電極を形成した従来の両面発光型有機電界発光素子の断面図である。
【００１３】
図３を参照すれば、前記図２の露出した第１電極１１０の上部に、少なくとも有機発光層を含む有機膜層１４０が形成されている。前記有機膜層１４０は、前記有機発光層以外に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のうち１つ以上の層を含むことができる。
【００１４】
次いで、基板の全面にわたって前記有機膜層１４０の上部に第２電極１５０が形成されている。前記第２電極１５０は、第１電極１１０がアノードの透明電極である場合、仕事関数が低い導電性の金属で、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ及びこれらの合金よりなる群から選択された１種の物質を用いて透過電極で形成され、前記第１電極１１０がカソード電極である場合には、ＩＴＯまたはＩＺＯのような透明電極で形成される。
【００１５】
従来の両面発光型有機電界発光素子は、前記第１電極が形成されている部分だけから光を放出するが、前記第１電極が形成されている面積が小さくて、光抽出量が少なく、これにより、デバイスの寿命が短くなるという問題点を有している。
【特許文献１】特開２００２−３５７８２５号公報
【特許文献２】特開２００１−２２２９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、前述のような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、両面発光型有機電界発光素子において第１電極の両末端の下部に反射膜を形成することによって、前面及び背面方向への光抽出量を極大化できる両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記目的を達成するために、本発明の一態様に係る有機電界発光素子は、基板と、前記基板上に一定の間隔をもって離隔して形成されている反射膜と、前記基板上にパターニングされて形成されており、両末端の下部に反射膜を含む第１電極と、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜と、前記露出した第１電極の上部に形成されており、少なくとも有機発光層を含む有機膜層と、前記基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に形成されている第２電極とを備えることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の他の態様に係る有機電界発光素子の製造方法は、基板と、前記基板上の全面にわたって形成されている透明導電膜と、前記透明導電膜の上部に一定の間隔をもって離隔してパターニングされて形成されている反射膜と、前記反射膜の上部に形成されている第１電極と、前記第１電極の上部に形成されており、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜と、前記露出した第１電極の上部に形成されており、少なくとも有機発光層を含む有機膜層と、基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に形成されている第２電極とを備えることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明のさらに他の態様に係る有機電界発光素子は、基板を用意する段階と、前記基板上に、一定の間隔をもって離隔するように反射膜をパターニングして形成する段階と、前記反射膜の上部に、両末端の下部に反射膜を含む第１電極を形成する段階と、前記第１電極の上部に、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜を形成する段階と、前記露出した第１電極の上部に、少なくとも有機発光層を含む有機膜層を形成する段階と、前記基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に第２電極を形成する段階とを備えることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明のさらに他の態様に係る有機電界発光素子の製造方法は、基板を用意する段階と、前記基板上の全面にわたって透明導電膜を形成する段階と、前記透明導電膜の上部に、一定の間隔をもって離隔するように反射膜をパターニングして形成する段階と、前記反射膜の上部に、両末端の下部に反射膜を含む第１電極を形成する段階と、前記第１電極の上部に、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜を形成する段階と、前記露出した第１電極の上部に、少なくとも有機発光層を含む有機膜層を形成する段階と、前記基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に第２電極を形成する段階とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、両面発光型有機電界発光素子において第１電極の両末端の下部に反射膜を含む透明電極を積層することによって、前面及び背面方向への光抽出量を極大化することができ、デバイスの寿命を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態を詳細に説明する。
【００２３】
図４は、本発明に係る両面発光型有機電界発光素子を示す平面図である。
【００２４】
図４を参照すれば、本発明に係る両面発光型有機電界発光素子は、反射膜３１０が形成されており、前記反射膜の上部には、両末端の下部に反射膜を含む第１電極３２０が形成されており、前記第１電極３２０の上部には、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜３３０が形成されている。
【００２５】
以下、図５及び図６に示す本発明に係る両面発光型有機電界発光素子の断面図を参照して、前記両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を詳細に説明する。
【００２６】
図５は、本発明の第１実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子において、 図４の線II−II’に沿う断面図であり、図６は、本発明の第１実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を説明するための断面図である。
【００２７】
図５を参照すれば、本発明に係る両面発光型有機電界発光素子は、ガラス又はプラスチックよりなる基板３００上に、一定の間隔をもって離隔するようにパターニングして反射膜３１０を形成する。
【００２８】
前記反射膜３１０は、Ａｌ（Ｎｄ）またはＡｇで形成し、好ましくは、Ａｌ（Ｎｄ）で形成する。
【００２９】
前記反射膜３１０の厚みは、５０ｎｍ乃至１００ｎｍで形成する。前記反射膜の厚みが５０ｎｍ以下の場合、反射率が低下し、１００ｎｍ以上の場合、パターニング時に工程便利性を低下させる。
【００３０】
前記反射膜３１０の幅は、解像度及び両面の光の分配比率によって変わるので、一定の大きさに制限されるものではなく、１つの画素内に透過型及び反射型が混在する構造で形成される。
【００３１】
前記両面発光型有機電界発光素子が、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス有機電界発光素子（ＡＭＯＬＥＤ）である場合、前記アクティブマトリクス有機電界発光素子は、各単位画素が基本的にスイッチングトランジスタ、駆動トランジスタ、キャパシタ及びＥＬ素子を備える。前記第１電極３２０は、ソース／ドレイン電極のうちいずれか１つに当接するように形成し、電気的に連結することによって、電圧を印加させ、駆動トランジスタを駆動させる。この際、前記反射膜３１０は、コンタクト抵抗を防止するために、ソース／ドレイン電極から離隔するように形成する。
【００３２】
前記反射膜３１０は、スパッタリング（Sputtering）またはイオンプレーティング（Ion Plating）のような方法で形成する。好ましくは、前記反射膜３１０は、スパッタリングの通常的な方法で形成する。前記反射膜３１０は、蒸着後、フォト工程で形成されたフォトレジスト（ＰＲ；Photo Resist）層のパターンをマスクとして用いて選択的に除去するエッチング工程によりパターニングされる。
【００３３】
次いで、前記反射膜３１０の上部に、両末端の下部に反射膜３１０を含む第１電極３２０を形成する。前記第１電極３２０は、アノード電極である場合には、仕事関数が高いＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）よりなる透明電極で形成される。前記第１電極３２０は、カソード電極である場合には、仕事関数が低い導電性の金属で、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ及びこれらの合金よりなる群から選択された１種の物質を用いて透過電極で形成されることができる。
【００３４】
前記第１電極３２０は、５０Å乃至３００Åの厚みで形成する。前記第１電極３２０の厚みが５０Å以下なら、工程的に反復再現性が良いが薄膜特性を確保することができず、３００Å以上なら、下部に反射膜を具備しても光抽出量が低下してしまう。
【００３５】
前記第１電極３２０の形成方法は、前記反射膜３１０の形成方法と同様である。このように、前記第１電極３２０を反射膜３１０の上部に形成することによって、後続工程である画素定義膜の蒸着後のパターニング時に、ウェットエッチングにより反射膜３１０として使われるＡｌ（Ｎｄ）のアルミニウムＡｌによるガルバニック現象を防止することができる。
【００３６】
このように前記両末端の下部に反射膜３１０を含む第１電極３２０を形成することによって、前記反射膜３１０を含む第１電極３２０の両末端は、前面発光型となり、前面への光抽出量を極大化させることができ、前記反射膜３１０の間に形成される第１電極３２０は、両面発光型になる。これにより、光抽出量が極大化した両面発光型の有機電界発光素子を具現できる。
【００３７】
また、前記反射膜３１０を含む第１電極３２０は、前記第１電極３２０を基準にしてストライプ（stripe）またはデルタ（Δ）構造で形成する。
【００３８】
次いで、前記第１電極３２０上に、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜３３０を形成する。前記画素定義膜３３０は、通常、有機系で、ポリイミド（polyimide；ＰＩ）、ポリアミド（polyamide；ＰＡ）、アクリル樹脂（Acryl Resin）、ベンゾシクロブテン（Benzo Cyclo Butene；ＢＣＢ）及びフェノール樹脂（Phenolic Resin）よりなる群から選択される１種で形成する。前記画素定義膜３３０は、スピンコート（Spin Coating）方法で形成する。
【００３９】
図６は、図５の露出した第１電極の上部及び画素定義膜の上部に追加的に有機膜層及び第２電極を形成した本発明に係る両面発光型有機電界発光素子の断面図である。
【００４０】
図６を参照すれば、図５の露出した第１電極３２０の上部に、少なくとも有機発光層を含む有機膜層３４０が形成されている。前記有機膜層３４０は、前記有機発光層以外に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のうち１つ以上の層をさらに含むことができる。
【００４１】
前記有機発光層には、低分子物質または高分子物質がいずれも使用可能である。前記低分子物質は、アルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）、アントラセン（Anthracene）、シクロペンタジエン（Cyclo pentadiene）、ＢｅＢｑ２、Ａｌｍｑ、ＺｎＰＢＯ、Ｂａｌｑ、ＤＰＶＢｉ、ＢＳＡ−２及び２ＰＳＰなどよりなる群から選択される１種で形成する。
【００４２】
前記高分子物質は、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ；poly(p-phenylenevinylene））及びその誘導体、ポリチオフェン（ＰＴ；Polythiophene）及びその誘導体、ポリフェニレン（ＰＰＰ；Polyphenylene）及びその誘導体よりなる群から選ばれる１種で形成する。
【００４３】
前記正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層は、通常使われる物質を使用し、正孔注入層には、フタロシアニン銅（ＣｕＰｃ：Copper Phthalocyanine）、ＰＥＤＯＴ及びｍ−ＭＴＤＡＴＡ、正孔輸送層には、モノアリールアミン、ジアリールアミン、トリアリールアミンまたは重合体性アリールアミンのような芳香族３次アミン系、電子輸送層には、ポリサイクリックハイドロカーボン系誘導体、ヘテロサイクリック化合物、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、電子注入層には、ＬｉＦなどの物質を使用することができる。
【００４４】
前記有機膜層３４０は、真空蒸着、スピンコート、インクジェットプリント、ドクターブレード（Doctor blade）、レーザ熱転写法（ＬＩＴＩ；Laser Induced Thermal Imaging）などの方法で蒸着して形成する。一方、前記有機膜層３４０は、各単位画素毎にパターニングされて形成されることができる。前記有機膜層３４０をパターニングすることは、レーザ熱転写法、シャドウマスクを用いた真空蒸着法などを使用して具現することができる。
【００４５】
次いで、前記有機膜層３４０の上部に第２電極３５０を形成する。前記第２電極３５０は、第１電極３２０がアノードの透明電極である場合には、仕事関数が低い導電性の金属で、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ及びこれらの合金よりなる群から選択された１種の物質を用いて透過電極で形成され、前記第１電極３２０がカソード電極である場合には、ＩＴＯまたはＩＺＯのような透明電極で形成される。
【００４６】
好ましくは、第２電極３５０は、ＭｇＡｇで形成する。前記ＭｇＡｇの厚みは、光抽出量を極大化するために、１００Å乃至２４０Åで形成する。前記ＭｇＡｇの厚みが１００Å以下なら、後続工程で有機発光層が損傷されることになるが、２４０Å以上なら、光抽出量が低下してしまうからである。両面発光型有機電界発光素子の光抽出量が極大化すれば、デバイスの寿命が向上する。
【００４７】
前記第２電極３５０は、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成する。
【００４８】
次いで、前記第２電極３５０まで形成された前記基板と封止基板とを取り付けることによって、両面発光型有機電界発光素子を完成する。
【００４９】
図７は、本発明の第２実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子において、 図４の線II−II’に沿う断面図であり、図８は、本発明の第２実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を説明するための断面図である。
【００５０】
図７を参照すれば、ガラス又はプラスチックよりなる基板７００上に、基板の全面にわたって透明導電膜７０５が形成されている。前記透明導電膜７０５は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどのような物質で形成され、好ましくは、ＩＴＯで形成される。前記透明導電膜は、スパッタリング法で蒸着する。
【００５１】
前記透明導電膜７０５は、前記両面発光型有機電界発光素子が、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス有機電界発光素子（ＡＭＯＬＥＤ）である場合、ソース／ドレイン電極とのコンタクト抵抗を防止するために形成する。
【００５２】
次いで、前記透明導電膜７０５の上部に、反射膜７１０、第１電極７２０、画素定義膜７３０、有機膜層７４０及び第２電極７５０が形成される工程からは、前記第１実施形態の構造及び製造方法と同様である。
【００５３】
これにより、前記ソース／ドレイン電極とのコンタクト抵抗が低く、光抽出量が極大化した両面発光構造を有する有機電界発光素子を完成する。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、有機電界発光素子の分野で利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】従来技術に係る両面発光型有機電界発光素子を示す平面図である。
【図２】従来の両面発光型有機電界発光素子において、図１の線I−I’に沿う断面図である。
【図３】従来の両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子を示す平面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子において、図４の線II−II’に沿う断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子において、図４の線II−II’に沿う断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
３００、７００ 基板、
３１０、７１０ 反射膜、
３２０、７２０ 第１電極、
３３０、７３０ 画素定義膜、
３４０、７４０ 有機膜層、
３５０、７５０ 第２電極、
７０５ 透明導電膜。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面発光型有機電界発光素子に関し、前記両面発光型有機電界発光素子において第１電極の両末端の下部に反射膜を形成することによって、前面及び背面方向への光抽出量を極大化することができ、デバイスの寿命を向上させることができる両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示素子（Flat Panel Display Device）のうち有機電界発光素子（ＯＬＥＤ；Organic Electroluminescence Display Device)は、有機化合物を電気的に励起させて発光させる自発光型表示装置であって、低温製作が可能であり、応答速度が１ｍｓ以下と高速の応答速度を有し、消費電力が低く、自発光であるから視野角が広く、高いコントラスト（Contrast）特性を示し、ＬＣＤのようなバックライトが不要なので、軽量薄形が可能であり、均一な面発光特性及び製造の便利性の点から、携帯電話の液晶表示装置（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）などに使われている。
【０００３】
前記有機電界発光素子は、アノード電極とカソード電極との間に有機発光層を含んでおり、アノード電極から供給される正孔とカソード電極から受ける電子とが有機発光層内で結合し、正孔−電子の対である励起子を形成し、さらに前記励起子が基底状態に戻りながら発生するエネルギーにより発光するようになる。
【０００４】
一般的に、有機電界発光素子は、マトリクス形態で配置されたＮ×Ｍ個の画素を駆動する方式によって、パッシブマトリクス（Passive matrix）方式と、アクティブマトリクス（Active matrix）方式とに分けられる。パッシブマトリクス方式は、表示領域がアノード電極とカソード電極によって単純なマトリクス形態の素子から構成されているので、製造が容易ではあるが、解像度、駆動電圧の上昇、材料の寿命低下などの問題点があるため、低解像度及び小型ディスプレイの応用分野に制限される。これに対し、アクティブマトリクス方式は、表示領域が各画素毎に薄膜トランジスタを装着して、有機電界発光素子の画素数に関係なく、一定の電流を供給することによって、安定した輝度を表すことができ、且つ電力消耗が少なくて、高解像度及び大型ディスプレイの適用に有利であるという長所を有している。
【０００５】
また、前記有機電界発光素子は、有機発光層から発生する光が放出される方向によって、背面発光型と、前面発光型とに分けられる。背面発光型は、形成された基板側に光が放出されるものであって、有機発光層の上部に反射電極が形成され、前記有機発光層の下部には、透明電極が形成される。ここで、有機電界発光素子が、薄膜トランジスタが形成されるアクティブマトリクス方式を採用する場合、薄膜トランジスタが形成された部分は、光が透過しないため、光が放出され得る面積が減少する。これとは異なって、前面発光型は、有機発光層の上部に透明電極が形成され、前記有機発光層の下部に反射電極が形成されることになるため、光が基板側と反対方向に放出されるので、光が透過する面積が広くなり、輝度が向上する。従って、１つの基板上に前面発光と背面発光を同時に具現できる両面発光型有機電界発光素子が次世代平板表示装置として注目されているところである。
【０００６】
図１は、従来技術に係る両面発光型有機電界発光素子を示す平面図である。
【０００７】
図１を参照すれば、従来の両面発光型有機電界発光素子は、透明電極よりなる第１電極１１０が形成されていて、前記第１電極１１０の上部には、前記第１電極を露出させる画素定義膜（ＰＤＬ；Pixel Define Layer）１３０が形成されている。この時、後続工程で少なくとも有機発光層を含む有機膜層及び透明電極である第２電極を形成することによって、前記第１電極１１０が形成された部分から前面及び背面へ光が抽出される。
【０００８】
以下、図２及び図３に示す従来の両面発光型有機電界発光素子の断面図を参照して、前記両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を詳細に説明する。
【０００９】
図２は、従来の両面発光型有機電界発光素子において、 図１の線I−I’に沿う断面図であり、図３は、従来の両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を説明するための断面図である。
【００１０】
図２を参照すれば、従来の両面発光型有機電界発光素子は、ガラス又はプラスチックよりなる基板１００上に、第１電極１１０がパターニングされて形成されている。前記第１電極１１０は、アノード電極である場合には、仕事関数が高いＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）よりなる透明電極で形成される。また、前記第１電極１１０は、カソード電極である場合には、仕事関数が低い導電性の金属で、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ及びこれらの合金よりなる群から選ばれる１種の物質を用いて透過電極で形成される。
【００１１】
次いで、前記第１電極１１０上に、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜１３０が形成されている。
【００１２】
図３は、図２の露出した第１電極の上部及び画素定義膜の上部に追加に有機膜層及び第２電極を形成した従来の両面発光型有機電界発光素子の断面図である。
【００１３】
図３を参照すれば、前記図２の露出した第１電極１１０の上部に、少なくとも有機発光層を含む有機膜層１４０が形成されている。前記有機膜層１４０は、前記有機発光層以外に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のうち１つ以上の層を含むことができる。
【００１４】
次いで、基板の全面にわたって前記有機膜層１４０の上部に第２電極１５０が形成されている。前記第２電極１５０は、第１電極１１０がアノードの透明電極である場合、仕事関数が低い導電性の金属で、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ及びこれらの合金よりなる群から選択された１種の物質を用いて透過電極で形成され、前記第１電極１１０がカソード電極である場合には、ＩＴＯまたはＩＺＯのような透明電極で形成される。
【００１５】
従来の両面発光型有機電界発光素子は、前記第１電極が形成されている部分だけから光を放出するが、前記第１電極が形成されている面積が小さくて、光抽出量が少なく、これにより、デバイスの寿命が短くなるという問題点を有している。
【特許文献１】特開２００２−３５７８２５号公報
【特許文献２】特開２００１−２２２９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、前述のような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、両面発光型有機電界発光素子において第１電極の両末端の下部に反射膜を形成することによって、前面及び背面方向への光抽出量を極大化できる両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記目的を達成するために、本発明の一態様に係る有機電界発光素子は、基板と、前記基板上に一定の間隔をもって離隔して形成されている反射膜と、前記基板上にパターニングされて形成されており、両末端の下部に反射膜を含む第１電極と、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜と、前記露出した第１電極の上部に形成されており、少なくとも有機発光層を含む有機膜層と、前記基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に形成されている第２電極とを備えることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の他の態様に係る有機電界発光素子の製造方法は、基板と、前記基板上の全面にわたって形成されている透明導電膜と、前記透明導電膜の上部に一定の間隔をもって離隔してパターニングされて形成されている反射膜と、前記反射膜の上部に形成されている第１電極と、前記第１電極の上部に形成されており、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜と、前記露出した第１電極の上部に形成されており、少なくとも有機発光層を含む有機膜層と、基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に形成されている第２電極とを備えることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明のさらに他の態様に係る有機電界発光素子は、基板を用意する段階と、前記基板上に、一定の間隔をもって離隔するように反射膜をパターニングして形成する段階と、前記反射膜の上部に、両末端の下部に反射膜を含む第１電極を形成する段階と、前記第１電極の上部に、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜を形成する段階と、前記露出した第１電極の上部に、少なくとも有機発光層を含む有機膜層を形成する段階と、前記基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に第２電極を形成する段階とを備えることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明のさらに他の態様に係る有機電界発光素子の製造方法は、基板を用意する段階と、前記基板上の全面にわたって透明導電膜を形成する段階と、前記透明導電膜の上部に、一定の間隔をもって離隔するように反射膜をパターニングして形成する段階と、前記反射膜の上部に、両末端の下部に反射膜を含む第１電極を形成する段階と、前記第１電極の上部に、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜を形成する段階と、前記露出した第１電極の上部に、少なくとも有機発光層を含む有機膜層を形成する段階と、前記基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に第２電極を形成する段階とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、両面発光型有機電界発光素子において第１電極の両末端の下部に反射膜を含む透明電極を積層することによって、前面及び背面方向への光抽出量を極大化することができ、デバイスの寿命を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態を詳細に説明する。
【００２３】
図４は、本発明に係る両面発光型有機電界発光素子を示す平面図である。
【００２４】
図４を参照すれば、本発明に係る両面発光型有機電界発光素子は、反射膜３１０が形成されており、前記反射膜の上部には、両末端の下部に反射膜を含む第１電極３２０が形成されており、前記第１電極３２０の上部には、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜３３０が形成されている。
【００２５】
以下、図５及び図６に示す本発明に係る両面発光型有機電界発光素子の断面図を参照して、前記両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を詳細に説明する。
【００２６】
図５は、本発明の第１実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子において、 図４の線II−II’に沿う断面図であり、図６は、本発明の第１実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を説明するための断面図である。
【００２７】
図５を参照すれば、本発明に係る両面発光型有機電界発光素子は、ガラス又はプラスチックよりなる基板３００上に、一定の間隔をもって離隔するようにパターニングして反射膜３１０を形成する。
【００２８】
前記反射膜３１０は、Ａｌ（Ｎｄ）またはＡｇで形成し、好ましくは、Ａｌ（Ｎｄ）で形成する。
【００２９】
前記反射膜３１０の厚みは、５０ｎｍ乃至１００ｎｍで形成する。前記反射膜の厚みが５０ｎｍ以下の場合、反射率が低下し、１００ｎｍ以上の場合、パターニング時に工程便利性を低下させる。
【００３０】
前記反射膜３１０の幅は、解像度及び両面の光の分配比率によって変わるので、一定の大きさに制限されるものではなく、１つの画素内に透過型及び反射型が混在する構造で形成される。
【００３１】
前記両面発光型有機電界発光素子が、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス有機電界発光素子（ＡＭＯＬＥＤ）である場合、前記アクティブマトリクス有機電界発光素子は、各単位画素が基本的にスイッチングトランジスタ、駆動トランジスタ、キャパシタ及びＥＬ素子を備える。前記第１電極３２０は、ソース／ドレイン電極のうちいずれか１つに当接するように形成し、電気的に連結することによって、電圧を印加させ、駆動トランジスタを駆動させる。この際、前記反射膜３１０は、コンタクト抵抗を防止するために、ソース／ドレイン電極から離隔するように形成する。
【００３２】
前記反射膜３１０は、スパッタリング（Sputtering）またはイオンプレーティング（Ion Plating）のような方法で形成する。好ましくは、前記反射膜３１０は、スパッタリングの通常的な方法で形成する。前記反射膜３１０は、蒸着後、フォト工程で形成されたフォトレジスト（ＰＲ；Photo Resist）層のパターンをマスクとして用いて選択的に除去するエッチング工程によりパターニングされる。
【００３３】
次いで、前記反射膜３１０の上部に、両末端の下部に反射膜３１０を含む第１電極３２０を形成する。前記第１電極３２０は、アノード電極である場合には、仕事関数が高いＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）よりなる透明電極で形成される。前記第１電極３２０は、カソード電極である場合には、仕事関数が低い導電性の金属で、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ及びこれらの合金よりなる群から選択された１種の物質を用いて透過電極で形成されることができる。
【００３４】
前記第１電極３２０は、５０Å乃至３００Åの厚みで形成する。前記第１電極３２０の厚みが５０Å以下なら、工程的に反復再現性が良いが薄膜特性を確保することができず、３００Å以上なら、下部に反射膜を具備しても光抽出量が低下してしまう。
【００３５】
前記第１電極３２０の形成方法は、前記反射膜３１０の形成方法と同様である。このように、前記第１電極３２０を反射膜３１０の上部に形成することによって、後続工程である画素定義膜の蒸着後のパターニング時に、ウェットエッチングにより反射膜３１０として使われるＡｌ（Ｎｄ）のアルミニウムＡｌによるガルバニック現象を防止することができる。
【００３６】
このように前記両末端の下部に反射膜３１０を含む第１電極３２０を形成することによって、前記反射膜３１０を含む第１電極３２０の両末端は、前面発光型となり、前面への光抽出量を極大化させることができ、前記反射膜３１０の間に形成される第１電極３２０は、両面発光型になる。これにより、光抽出量が極大化した両面発光型の有機電界発光素子を具現できる。
【００３７】
また、前記反射膜３１０を含む第１電極３２０は、前記第１電極３２０を基準にしてストライプ（stripe）またはデルタ（Δ）構造で形成する。
【００３８】
次いで、前記第１電極３２０上に、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜３３０を形成する。前記画素定義膜３３０は、通常、有機系で、ポリイミド（polyimide；ＰＩ）、ポリアミド（polyamide；ＰＡ）、アクリル樹脂（Acryl Resin）、ベンゾシクロブテン（Benzo Cyclo Butene；ＢＣＢ）及びフェノール樹脂（Phenolic Resin）よりなる群から選択される１種で形成する。前記画素定義膜３３０は、スピンコート（Spin Coating）方法で形成する。
【００３９】
図６は、図５の露出した第１電極の上部及び画素定義膜の上部に追加的に有機膜層及び第２電極を形成した本発明に係る両面発光型有機電界発光素子の断面図である。
【００４０】
図６を参照すれば、図５の露出した第１電極３２０の上部に、少なくとも有機発光層を含む有機膜層３４０が形成されている。前記有機膜層３４０は、前記有機発光層以外に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のうち１つ以上の層をさらに含むことができる。
【００４１】
前記有機発光層には、低分子物質または高分子物質がいずれも使用可能である。前記低分子物質は、アルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）、アントラセン（Anthracene）、シクロペンタジエン（Cyclo pentadiene）、ＢｅＢｑ２、Ａｌｍｑ、ＺｎＰＢＯ、Ｂａｌｑ、ＤＰＶＢｉ、ＢＳＡ−２及び２ＰＳＰなどよりなる群から選択される１種で形成する。
【００４２】
前記高分子物質は、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ；poly(p-phenylenevinylene））及びその誘導体、ポリチオフェン（ＰＴ；Polythiophene）及びその誘導体、ポリフェニレン（ＰＰＰ；Polyphenylene）及びその誘導体よりなる群から選ばれる１種で形成する。
【００４３】
前記正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層は、通常使われる物質を使用し、正孔注入層には、フタロシアニン銅（ＣｕＰｃ：Copper Phthalocyanine）、ＰＥＤＯＴ及びｍ−ＭＴＤＡＴＡ、正孔輸送層には、モノアリールアミン、ジアリールアミン、トリアリールアミンまたは重合体性アリールアミンのような芳香族３次アミン系、電子輸送層には、ポリサイクリックハイドロカーボン系誘導体、ヘテロサイクリック化合物、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、電子注入層には、ＬｉＦなどの物質を使用することができる。
【００４４】
前記有機膜層３４０は、真空蒸着、スピンコート、インクジェットプリント、ドクターブレード（Doctor blade）、レーザ熱転写法（ＬＩＴＩ；Laser Induced Thermal Imaging）などの方法で蒸着して形成する。一方、前記有機膜層３４０は、各単位画素毎にパターニングされて形成されることができる。前記有機膜層３４０をパターニングすることは、レーザ熱転写法、シャドウマスクを用いた真空蒸着法などを使用して具現することができる。
【００４５】
次いで、前記有機膜層３４０の上部に第２電極３５０を形成する。前記第２電極３５０は、第１電極３２０がアノードの透明電極である場合には、仕事関数が低い導電性の金属で、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ及びこれらの合金よりなる群から選択された１種の物質を用いて透過電極で形成され、前記第１電極３２０がカソード電極である場合には、ＩＴＯまたはＩＺＯのような透明電極で形成される。
【００４６】
好ましくは、第２電極３５０は、ＭｇＡｇで形成する。前記ＭｇＡｇの厚みは、光抽出量を極大化するために、１００Å乃至２４０Åで形成する。前記ＭｇＡｇの厚みが１００Å以下なら、後続工程で有機発光層が損傷されることになるが、２４０Å以上なら、光抽出量が低下してしまうからである。両面発光型有機電界発光素子の光抽出量が極大化すれば、デバイスの寿命が向上する。
【００４７】
前記第２電極３５０は、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成する。
【００４８】
次いで、前記第２電極３５０まで形成された前記基板と封止基板とを取り付けることによって、両面発光型有機電界発光素子を完成する。
【００４９】
図７は、本発明の第２実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子において、 図４の線II−II’に沿う断面図であり、図８は、本発明の第２実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を説明するための断面図である。
【００５０】
図７を参照すれば、ガラス又はプラスチックよりなる基板７００上に、基板の全面にわたって透明導電膜７０５が形成されている。前記透明導電膜７０５は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどのような物質で形成され、好ましくは、ＩＴＯで形成される。前記透明導電膜は、スパッタリング法で蒸着する。
【００５１】
前記透明導電膜７０５は、前記両面発光型有機電界発光素子が、薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス有機電界発光素子（ＡＭＯＬＥＤ）である場合、ソース／ドレイン電極とのコンタクト抵抗を防止するために形成する。
【００５２】
次いで、前記透明導電膜７０５の上部に、反射膜７１０、第１電極７２０、画素定義膜７３０、有機膜層７４０及び第２電極７５０が形成される工程からは、前記第１実施形態の構造及び製造方法と同様である。
【００５３】
これにより、前記ソース／ドレイン電極とのコンタクト抵抗が低く、光抽出量が極大化した両面発光構造を有する有機電界発光素子を完成する。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、有機電界発光素子の分野で利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】従来技術に係る両面発光型有機電界発光素子を示す平面図である。
【図２】従来の両面発光型有機電界発光素子において、図１の線I−I’に沿う断面図である。
【図３】従来の両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子を示す平面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子において、図４の線II−II’に沿う断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子において、図４の線II−II’に沿う断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る両面発光型有機電界発光素子及びその製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
３００、７００ 基板、
３１０、７１０ 反射膜、
３２０、７２０ 第１電極、
３３０、７３０ 画素定義膜、
３４０、７４０ 有機膜層、
３５０、７５０ 第２電極、
７０５ 透明導電膜。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に一定の間隔をもって離隔して形成されている反射膜と、
前記基板上にパターニングされて形成されており、両末端の下部に反射膜を含む第１電極と、
前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜と、
前記露出した第１電極の上部に形成されており、少なくとも有機発光層を含む有機膜層と、
前記基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に形成されている第２電極とを備えることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
前記第１電極は、透明電極であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記第１電極は、ＩＴＯであることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記反射膜は、アクティブマトリクス有機電界発光素子である場合、ソース／ドレイン電極から一定の間隔をもって離隔して形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記反射膜は、Ａｌ（Ｎｄ）またはＡｇであることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記反射膜の厚みは、５０ｎｍ乃至１００ｎｍであることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記第１電極は、ストライプ（stripe）またはデルタ（Δ）構造で形成することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記第２電極は、透明電極または透過電極であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
前記透過電極は、ＭｇＡｇであることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子。
【請求項１０】
前記ＭｇＡｇの厚みは、１００Å乃至２４０Åであることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光素子。
【請求項１１】
基板と、
前記基板上の全面にわたって形成されている透明導電膜と、
前記透明導電膜の上部に一定の間隔をもって離隔してパターニングされて形成されている反射膜と、
前記反射膜の上部に形成されている第１電極と、
前記第１電極の上部に形成されており、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜と、
前記露出した第１電極の上部に形成されており、少なくとも有機発光層を含む有機膜層と、
前記基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に形成されている第２電極とを備えることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項１２】
前記透明導電膜は、ＩＴＯ又はＩＺＯであることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１３】
前記反射膜は、アクティブマトリクス両面発光型有機電界発光素子である場合、ソース／ドレイン電極から一定の間隔をもって離隔して形成されることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１４】
前記反射膜は、Ａｌ（Ｎｄ）またはＡｇであることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光素子。
【請求項１５】
前記第１電極は、透明電極であることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１６】
前記第１電極は、ストライプ（stripe)またはデルタ（Δ）構造で形成することを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光素子。
【請求項１７】
前記第２電極は、透明電極または透過電極であることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１８】
基板を用意する段階と、
前記基板上に、一定の間隔をもって離隔するように反射膜をパターニングして形成する段階と、
前記反射膜の上部に、両末端の下部に反射膜を含む第１電極を形成する段階と、
前記第１電極の上部に、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜を形成する段階と、
前記露出した第１電極の上部に、少なくとも有機発光層を含む有機膜層を形成する段階と、
前記基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に第２電極を形成する段階とを備えることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１９】
基板を用意する段階と、
前記基板上の全面にわたって透明導電膜を形成する段階と、
前記透明導電膜の上部に、一定の間隔をもって離隔するように反射膜をパターニングして形成する段階と、
前記反射膜の上部に、両末端の下部に反射膜を含む第１電極を形成する段階と、
前記第１電極の上部に、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜を形成する段階と、
前記露出した第１電極の上部に、少なくとも有機発光層を含む有機膜層を形成する段階と、
前記基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に第２電極を形成する段階とを備えることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に一定の間隔をもって離隔して形成されている反射膜と、
前記基板上にパターニングされて形成されており、両末端の下部に反射膜を含む第１電極と、
前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜と、
前記露出した第１電極の上部に形成されており、少なくとも有機発光層を含む有機膜層と、
前記基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に形成されている第２電極とを備えることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
前記第１電極は、透明電極であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記第１電極は、ＩＴＯであることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記反射膜は、アクティブマトリクス有機電界発光素子である場合、ソース／ドレイン電極から一定の間隔をもって離隔して形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記反射膜は、Ａｌ（Ｎｄ）またはＡｇであることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記反射膜の厚みは、５０ｎｍ乃至１００ｎｍであることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記第１電極は、ストライプ（stripe）またはデルタ（Δ）構造で形成することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記第２電極は、透明電極または透過電極であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
前記透過電極は、ＭｇＡｇであることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子。
【請求項１０】
前記ＭｇＡｇの厚みは、１００Å乃至２４０Åであることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光素子。
【請求項１１】
基板と、
前記基板上の全面にわたって形成されている透明導電膜と、
前記透明導電膜の上部に一定の間隔をもって離隔してパターニングされて形成されている反射膜と、
前記反射膜の上部に形成されている第１電極と、
前記第１電極の上部に形成されており、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜と、
前記露出した第１電極の上部に形成されており、少なくとも有機発光層を含む有機膜層と、
前記基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に形成されている第２電極とを備えることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項１２】
前記透明導電膜は、ＩＴＯ又はＩＺＯであることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１３】
前記反射膜は、アクティブマトリクス両面発光型有機電界発光素子である場合、ソース／ドレイン電極から一定の間隔をもって離隔して形成されることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１４】
前記反射膜は、Ａｌ（Ｎｄ）またはＡｇであることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光素子。
【請求項１５】
前記第１電極は、透明電極であることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１６】
前記第１電極は、ストライプ（stripe)またはデルタ（Δ）構造で形成することを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光素子。
【請求項１７】
前記第２電極は、透明電極または透過電極であることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１８】
基板を用意する段階と、
前記基板上に、一定の間隔をもって離隔するように反射膜をパターニングして形成する段階と、
前記反射膜の上部に、両末端の下部に反射膜を含む第１電極を形成する段階と、
前記第１電極の上部に、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜を形成する段階と、
前記露出した第１電極の上部に、少なくとも有機発光層を含む有機膜層を形成する段階と、
前記基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に第２電極を形成する段階とを備えることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１９】
基板を用意する段階と、
前記基板上の全面にわたって透明導電膜を形成する段階と、
前記透明導電膜の上部に、一定の間隔をもって離隔するように反射膜をパターニングして形成する段階と、
前記反射膜の上部に、両末端の下部に反射膜を含む第１電極を形成する段階と、
前記第１電極の上部に、前記第１電極の表面の一部を露出させる画素定義膜を形成する段階と、
前記露出した第１電極の上部に、少なくとも有機発光層を含む有機膜層を形成する段階と、
前記基板の全面にわたって前記有機膜層の上部に第２電極を形成する段階とを備えることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００６−１４０１５１（Ｐ２００６−１４０１５１Ａ）
【公開日】平成１８年６月１日（２００６．６．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３２２６５３（Ｐ２００５−３２２６５３）
【出願日】平成１７年１１月７日（２００５．１１．７）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月１日（２００６．６．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１１月７日（２００５．１１．７）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
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