保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
【課題】基板を搬入する動作、基板を保持する動作、及び基板を搬出する動作等の少なくとも一つの動作を高速に実行することが可能でデバイスの生産性の向上に寄与できる保持装置を提供する。
【解決手段】パターンが形成される基板を保持する保持面を有する保持部材と、電圧の印加に応じて、基板を保持面に吸着するための静電力を発生させる複数の第１電極部材と、印加する電圧を調整可能な電源装置と、を備え、パターンの形成動作が進行中の基板上の第１ショット領域に対応する一つの第１電極部材に第１電圧を印加し、パターンの形成動作が終了した基板上の第１ショット領域に対応する一つの第１電極部材に、第１電圧よりも低い電圧を印加し、基板上の第１ショット領域とは異なる領域にパターンの形成動作を進行している間、基板上の第１ショット領域に対応する第１電極部材を第１電圧よりも低い電圧に維持する保持装置。
【解決手段】パターンが形成される基板を保持する保持面を有する保持部材と、電圧の印加に応じて、基板を保持面に吸着するための静電力を発生させる複数の第１電極部材と、印加する電圧を調整可能な電源装置と、を備え、パターンの形成動作が進行中の基板上の第１ショット領域に対応する一つの第１電極部材に第１電圧を印加し、パターンの形成動作が終了した基板上の第１ショット領域に対応する一つの第１電極部材に、第１電圧よりも低い電圧を印加し、基板上の第１ショット領域とは異なる領域にパターンの形成動作を進行している間、基板上の第１ショット領域に対応する第１電極部材を第１電圧よりも低い電圧に維持する保持装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を保持する保持装置、基板を露光する露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造装置は、デバイスが製造される基板を保持する保持装置を備えている。例えばＥＵＶ露光装置、ＣＶＤ装置等は、下記特許文献に開示されているような、基板を静電力で保持する保持装置を備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第５７０８５５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
製造装置においては、保持装置に基板を搬入する動作、搬入された基板を保持装置で保持する動作、及び保持装置から基板を搬出する動作が実行される。デバイスを生産性良く良好に製造するために、保持装置には、上述の各動作を高速且つ良好に実行できることが要望される。静電力を用いた保持装置において、静電力に起因して、例えば基板を搬出する動作に時間がかかると、デバイスの生産性が劣化する可能性がある。また、基板を保持装置に搬入するときに、基板が所望の位置からずれたり、あるいは基板を保持装置から搬出するときに、基板に負荷がかかると、製造されるデバイスの性能が劣化する可能性がある。
【０００５】
本発明を例示する態様は、基板を搬入する動作、基板を保持する動作、及び基板を搬出する動作等の少なくとも一つの動作を高速に実行することが可能でデバイスの生産性の向上に寄与できる保持装置を提供することを目的とする。また別の目的は、その保持装置を用いて生産性の向上に寄与できる露光装置、露光方法を提供することである。また別の目的は、その露光装置、露光方法を用いるデバイス製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明を例示する各態様としては実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
【０００７】
本発明を例示する第１の態様に従えば、パターンが形成される基板（Ｐ）を保持する保持面（１９）を有する保持部材（２０）と、前記保持部材（２０）に設けられるとともに、前記パターンに関するパターン情報に応じて配置され、電圧の印加に応じて、前記基板（Ｐ）を前記保持面（１９）に吸着するための静電力を発生させる複数の第１電極部材（３）と、前記複数の第１電極部材（３）に印加する前記電圧を調整可能な電源装置（２２）と、を備え、前記電源装置（２２）は、前記パターンの形成動作が進行中の前記基板（Ｐ）上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材（３）に第１電圧を印加し、前記パターンの形成動作が終了した前記基板（Ｐ）上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材（３）に、前記第１電圧よりも低い電圧を印加し、前記基板（Ｐ）上の第１ショット領域とは異なる第２ショット領域に前記パターンの形成動作を進行している間、前記基板（Ｐ）上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材（３）を前記第１電圧よりも低い電圧に維持する保持装置（２）が提供される。
【０００８】
第１の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【０００９】
本発明を例示する第２の態様に従えば、基板（Ｐ）を保持する保持面（１９）を有する保持部材（２０）と、前記保持部材（２０）に設けられ、電圧の印加に応じて、前記基板（Ｐ）を前記保持面（１９）に吸着するための静電力を発生させる複数の第１電極部材（３）と、前記複数の第１電極部材（３）のうち少なくとも一つの第１電極部材（３）と、前記複数の第１電極部材（３）のうち少なくとも一つの第１電極部材（３）とは異なる第１電極部材（３）とに、異なる電圧を印加する電源装置（２２）と、を備え、前記電源装置（２２）は、前記少なくとも一つの第１電極部材（３）に第１電圧を印加するとともに、前記少なくとも一つの第１電極部材（３）とは異なる前記第１電極部材（３）に第１電圧とは異なる電圧を印加し、前記基板（Ｐ）にパターンの形成動作が進行中又は進行前の少なくとも一方の前記基板（Ｐ）上のショット領域に対応する前記少なくとも一つの第１電極部材（３）に印加する前記第１電圧を、前記少なくとも一つの第１電極部材（３）とは異なる前記第１電極部材（３）に印加する電圧よりも高く設定し、前記少なくとも一つの第１電極部材（３）に印加する前記第１電圧が、前記少なくとも一つの第１電極部材（３）とは異なる前記第１電極部材（３）に印加する電圧よりも高く設定されている間、前記少なくとも一つの第１電極部材（３）とは異なる前記第１電極部材（３）を、前記第１電圧よりも低い電圧に維持する保持装置（２）が提供される。
【００１０】
第２の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【００１１】
本発明を例示する第３の態様に従えば、基板（Ｐ）を保持する保持面（１９）を有する保持部材（２０）と、前記保持部材（２０）に設けられ、電圧の印加に応じて、前記基板（Ｐ）を前記保持面（１９）に吸着するための静電界を発生させる少なくとも一つの第１電極部材（３）と、前記基板（Ｐ）を支持する支持面（４０Ａ、４０Ｂ）を有し、前記保持面（１９）と前記基板（Ｐ）とが離れるように、前記基板（Ｐ）の所定領域を支持しながら前記保持部材（２０）に対して前記基板（Ｐ）を移動する移動部材（４１Ａ、４１Ｂ）を含む移動機構（４４）と、前記移動部材（４１Ａ、４１Ｂ）に設けられ、電圧の印加に応じて、前記基板（Ｐ）を前記支持面（４０Ａ、４０Ｂ）に吸着するための静電界を発生する第２電極部材（４６）と、を備えた保持装置（２）が提供される。
【００１２】
第３の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【００１３】
本発明を例示する第４の態様に従えば、基板（Ｐ）を保持する保持面（１９）を有する保持部材（２０）と、前記保持部材（２０）に設けられ、前記基板（Ｐ）を前記保持面（１９）に吸着するための静電力を発生させる電極部材（３）と、前記保持面（１９）と前記基板（Ｐ）とが離れるように前記保持部材（２０）と前記基板（Ｐ）とを相対的に移動させる移動機構（４４）と、前記保持部材（２０）と前記基板（Ｐ）とを離すときに、前記基板（Ｐ）に帯電している電気を取り除く除電装置（４７）と、を備えた保持装置（２）が提供される。
【００１４】
第４の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【００１５】
本発明を例示する第５の態様に従えば、パターンからの露光光（ＥＬ）で基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、露光光（ＥＬ）が照射される基板（Ｐ）を保持するために、上記態様の保持装置（２）を備える露光装置（ＥＸ）が提供される。
【００１６】
第５の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【００１７】
本発明を例示する第６の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いて基板（Ｐ）を露光することと、露光された基板（Ｐ）を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【００１８】
第６の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる露光装置を用いてデバイスを製造できる。
【００１９】
本発明を例示する第７の態様に従えば、パターンからの露光光（ＥＬ）で基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、複数の第１電極部材（３）が設けられた保持部材（２０）の保持面（１９）に前記基板（Ｐ）を載せることと、前記基板（Ｐ）を前記保持面（１９）に静電力で吸着するために、前記第１電極部材（３）に電圧を印加することと、前記パターンからの前記露光光（ＥＬ）を前記基板（Ｐ）に照射することと、を含み、前記第１電極部材（３）に電圧を印加することは、前記パターンの形成動作が進行中の前記基板（Ｐ）上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材（３）に第１電圧を印加し、前記パターンの形成動作が終了した前記基板（Ｐ）上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材（３）に、前記第１電圧よりも低い電圧を印加し、前記基板（Ｐ）上の第１ショット領域とは異なる第２ショット領域に前記パターンの形成動作を進行している間、前記基板（Ｐ）上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材（３）を前記第１電圧よりも低い電圧に維持する露光方法が提供される。
【００２０】
第７の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【００２１】
本発明を例示する第８の態様に従えば、パターンからの露光光（ＥＬ）で基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、複数の第１電極部材（３）が設けられた保持部材（２０）の保持面（１９）に前記基板（Ｐ）を載せることと、前記基板（Ｐ）を前記保持面（１９）に静電力で吸着するために、前記第１電極部材（３）に電圧を印加することと、前記パターンからの前記露光光（ＥＬ）を、前記基板（Ｐ）上の複数のショット領域に順次に照射することと、を含み、前記第１電極部材（３）に電圧を印加することは、前記露光光（ＥＬ）の照射前又は前記露光光（ＥＬ）の照射が進行中の少なくとも一方の前記基板（Ｐ）上のショット領域に対応する前記第１電極部材（３）に印加する第１電圧が、前記第１電圧が印加された前記第１電極部材（３）とは異なる第１電極部材（３）に印加する電圧よりも大きく設定し、前記第１電極部材（３）に印加する第１電圧が、前記第１電圧が印加された前記第１電極部材（３）とは異なる第１電極部材（３）に印加する電圧よりも大きく設定されている間、前記第１電圧が印加された前記第１電極部材（３）とは異なる前記第１電極部材（３）を前記第１電圧よりも低い電圧に維持する露光方法が提供される。
【００２２】
第８の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【００２３】
本発明を例示する第９の態様に従えば、露光光（ＥＬ）で基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、第１電極部材（３）が設けられた保持部材（２０）の保持面（１９）に基板（Ｐ）を載せることと、基板（Ｐ）を保持面（１９）に静電力で吸着するために、第１電極部材（３）に電圧を印加することと、保持面（１９）に保持された基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光することと、露光された基板（Ｐ）と保持面（１９）とを離すことと、を含み、基板（Ｐ）を支持可能な支持面（４０Ａ、４０Ｂ）を有する移動部材（４１Ａ、４１Ｂ）に設けられた第２電極部材（４６）に、基板（Ｐ）を支持面（４０Ａ、４０Ｂ）に静電力で吸着するために電圧を印加し、支持面（４０Ａ、４０Ｂ）と基板（Ｐ）とを静電力で吸着させた状態で、移動部材（４１Ａ、４１Ｂ）を移動して、基板（Ｐ）と保持面（１９）とを離す露光方法が提供される。
【００２４】
第９の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【００２５】
本発明を例示する第１０の態様に従えば、露光光（ＥＬ）で基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、第１電極部材（３）が設けられた保持部材（２０）の保持面（１９）に基板（Ｐ）を載せることと、基板（Ｐ）を保持面（１９）に静電力で吸着するために、第１電極部材（３）に電圧を印加することと、保持面（１９）に保持された基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光することと、露光された基板（Ｐ）と保持面（１９）とを離すことと、を含み、保持面（１９）と基板（Ｐ）とを離すときに、基板（Ｐ）に帯電している電気を取り除く露光方法が提供される。
【００２６】
第１０の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【００２７】
本発明を例示する第１１の態様に従えば、上記態様の露光方法を用いて基板（Ｐ）を露光することと、露光された基板（Ｐ）を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【００２８】
第１１の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる露光方法を用いてデバイスを製造できる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明を例示する態様によれば、基板を搬入する動作、基板を保持する動作、及び基板を搬出する動作等の少なくとも一つの動作を高速に実行することが可能であり、デバイスを生産性良く製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す模式図である。
【図２】第１実施形態に係る基板ステージの一部を示す平面図である。
【図３】第１実施形態に係る基板ステージの一部を示す側面図である。
【図４】第１実施形態に係る基板ステージの一部を示す側断面図である。
【図５】第１実施形態に係る第１、第２支持部材を説明するための平面図である。
【図６】基板上のショット領域と保持部材との関係を示す模式図である。
【図７Ａ】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図７Ｂ】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図７Ｃ】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図８】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図９】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１０】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１１】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１２Ａ】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１２Ｂ】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１２Ｃ】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１３】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１４】第２実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１５】第２実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１６】第２実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１７】第３実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１８】第３実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１９】第３実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図２０】第４実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図２１】第４実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図２２】第４実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図２３】第５実施形態に係る基板ステージの一部を示す平面図である。
【図２４】第５実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図２５】第５実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図２６】第６実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図２７】第６実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図２８】第７実施形態に係る移動機構の一例を示す斜視図である。
【図２９】第７実施形態に係る移動機構の動作の一例を説明するための図である。
【図３０】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら例示的に説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００３２】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、所定のパターンが形成されたマスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ１と、パターンが形成される基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ２と、各ステージの位置情報を計測する干渉計システム１６と、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、少なくとも露光光ＥＬが通過する所定空間を真空状態に調整する真空システムを有するチャンバ装置（真空チャンバ）６と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置５とを備えている。チャンバ装置６内は、真空システムによって真空雰囲気に維持される。制御装置５には、露光に関する各種信号、情報を入力可能な入力装置７、及び露光に関する各種情報を記憶した記憶装置８が接続されている。入力装置７は、例えばキーボード、タッチパネル、マウス等を含む。基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材の一方の面に感光材（レジスト）等の膜が形成されたものを含む。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。
【００３３】
本実施形態の露光装置ＥＸは、極端紫外光で基板Ｐを露光するＥＵＶ露光装置である。
極端紫外光は、例えば波長５〜５０ｎｍ程度の軟Ｘ線領域の電磁波である。以下の説明において、極端紫外光を適宜、ＥＵＶ光、と称する。
【００３４】
本実施形態において、マスクＭは、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。露光装置ＥＸは、多層膜でパターンが形成されたマスクＭの表面（反射面）を露光光（ＥＵＶ光）ＥＬで照明し、そのマスクＭで反射した露光光ＥＬで感光性を有する基板Ｐを露光する。マスクＭ、基板Ｐ、照明光学系ＩＬの各光学素子、及び投影光学系ＰＬの各光学素子には、真空状態（例えば、１０−４Ｐａ程度の減圧雰囲気）で露光光（ＥＵＶ光）ＥＬが照射される。
【００３５】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置、所謂、スキャニングステッパである。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明光学系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、マスクＭを露光光ＥＬで証明し、そのマスクＭからの露光光ＥＬを基板Ｐに照射して、その基板Ｐを露光する。
【００３６】
照明光学系ＩＬは、複数の光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４を含み、マスクＭ上の所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜を含む。各光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４は、不図示の鏡筒に保持されている。
【００３７】
照明光学系ＩＬは、光源４からの露光光ＥＬでマスクＭを照明する。本実施形態の光源４は、レーザ励起型プラズマ光源であって、ハウジング９と、レーザ光を射出するレーザ装置１０と、キセノンガス等のターゲット材料をハウジング９の内側に供給する供給部材１１とを含む。レーザ装置１０から射出され、集光光学系１２で集光されたレーザ光は、供給部材１１の先端から射出されるターゲット材料に照射される。レーザ光が照射されたターゲット材料は、プラズマ化してＥＵＶ光を含む光（露光光ＥＬ）を発生する。供給部材１１の先端で発生した光は、コンデンサ１３によって集光される。コンデンサ１３を介した光は、ハウジング９の外側に配置されているコリメータミラー１４に入射する。なお、光源４は、放電型プラズマ光源、あるいは他の光源でもよい。
【００３８】
マスクステージ１は、マスクＭを保持しながら、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６方向に移動可能な６自由度のステージである。本実施形態においては、マスクステージ１は、マスクＭの反射面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。また、本実施形態においては、マスクステージ１は、マスクＭの反射面が−Ｚ方向を向くように、マスクＭを保持する。マスクステージ１（マスクＭ）の位置情報は、干渉計システム１６のレーザ干渉計１６Ｍによって計測される。レーザ干渉計１６Ｍは、マスクステージ１に設けられた計測ミラー１Ｒを用いて、マスクステージ１のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、マスクステージ１に保持されているマスクＭの反射面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹに関する位置情報）は、フォーカス・レベリング検出システム（不図示）によって検出される。制御装置５は、レーザ干渉計１６Ｍの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置を制御する。
【００３９】
投影光学系ＰＬは、複数の光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４を含み、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜を含む。各光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４は、不図示の鏡筒に保持されている。また、本実施形態においては、投影光学系ＰＬの各光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４は、専用の真空チャンバ（鏡筒）１５に収容されている。なお、専用の真空チャンバは無くてもよい。
【００４０】
基板ステージ２は、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬが照射されることによってパターンが形成される基板Ｐを保持する保持面１９を有する保持部材２０と、保持部材２０を支持するステージ本体２１とを含み、保持部材２０で基板Ｐを保持しながら、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向に移動可能である。本実施形態においては、基板ステージ２は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。また、本実施形態においては、基板ステージ２は、基板Ｐの表面が＋Ｚ方向を向くように、基板Ｐを保持する。基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報は、干渉計システム１６のレーザ干渉計１６Ｐによって計測される。レーザ干渉計１６Ｐは、基板ステージ２に設けられた計測ミラー２Ｒを用いて、基板ステージ２のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹに関する位置情報）は、フォーカス・レベリング検出システム（不図示）によって検出される。制御装置５は、レーザ干渉計１６Ｐの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置を制御する。
【００４１】
本実施形態においては、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬで基板Ｐを露光するために、図１に示すように、マスクＭがマスクステージ１に保持され、基板Ｐが基板ステージ２の保持部材２０に保持される。マスクステージ１に保持されたマスクＭは、光源４より射出され、照明光学系ＩＬを介した露光光（ＥＵＶ光）ＥＬで照明される。照明光学系ＩＬより射出された露光光ＥＬは、マスクＭの反射面に入射する。マスクＭの反射面に照射され、その反射面で反射した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬの物体面側から投影光学系ＰＬに入射する。投影光学系ＰＬの物体面側から投影光学系ＰＬに入射した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬの像面側に射出され、基板Ｐの表面（露光面）に照射される。これにより、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像が、投影光学系ＰＬを介して、感光性の基板Ｐに投影され、基板Ｐは露光される。このように、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬが投影光学系ＰＬを介して基板Ｐに照射されることによって、基板Ｐにパターンが形成される。
【００４２】
図２は、基板ステージ２の一部を示す平面図、図３は、基板ステージ２の一部を示す側面図である。図２及び図３において、基板ステージ２は、パターンが形成される基板Ｐを保持する保持面１９を有する保持部材２０を有する。本実施形態においては、保持面１９は、ＸＹ平面とほぼ平行となるように配置されている。また、保持面１９は、＋Ｚ方向を向くように配置される。
【００４３】
基板Ｐは、保持面１９と対向する裏面を有し、保持面１９は、基板Ｐの裏面を保持する。基板Ｐの裏面は、露光光ＥＬが照射される表面とは反対側の面である。上述のように、基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材の一方の面（露光光ＥＬが照射される表面）に感光材（レジスト）等の膜が形成されたものを含む。本実施形態においては、保持面１９の外形は、基板Ｐの裏面の外形とほぼ同じである。
【００４４】
本実施形態の保持部材２０は、静電チャック機構を含み、保持面１９は、基板Ｐの裏面を静電力で保持する。基板ステージ２は、例えば、粗動ステージと微動ステージとを重ね合わせたステージを用いることができる。本実施形態においては不図示の微動ステージの上に保持部材２０が載置されている。保持部材２０には複数の電極部材３が設けられている。電極部材３は、印加される電圧に応じて、基板Ｐを保持面１９に吸着するための静電力を発生させる。すなわち、電圧が印加された電極部材３は、基板Ｐが保持面１９に吸着され得る静電界を生成する。本実施形態において、電極部材３に所定の電圧を印加可能な電源装置２２は、基板ステージ２に設けられている。ただし、電源装置２２は、真空チャンバ６の外側、あるいは真空チャンバ６の内側の基板ステージ２とは異なる位置に配置されても構わない。電源装置２２と電極部材３との間は電気配線によって電気的に接続されている。複数の電極部材３のそれぞれは、所定の形状を有し、保持部材２０の所定位置に配置されている。
【００４５】
本実施形態の保持部材２０は、低膨張セラミックスを含む絶縁材料で形成されている。
保持部材２０の少なくとも一部は、静電チャック機構の誘電体として機能する。電極部材３は、保持部材２０の内部に配置されている。保持面１９は、上述の低膨張セラミックスを含む絶縁材料で形成されている。
【００４６】
保持部材２０が低膨張材であるため、保持部材２０の熱変形、ひいては保持した基板Ｐの変形が抑制される。また、保持部材２０に計測マーク、計測部材等が配置されている場合には、それら計測マーク、計測部材の変形が抑制される。
【００４７】
本実施形態の静電チャック機構は、所謂、双極方式であって、電源装置２２によって正の電位が与えられる電極部材３と、負の電位が与えられる電極部材３とを含む。
【００４８】
以下の説明においては、複数の電極部材３のうち、正の電位が与えられる電極部材３を適宜、正極３１、と称し、負の電位が与えられる電極部材３を適宜、負極３２、と称する。
【００４９】
正極３１は複数設けられ、負極３２は、正極３１に対応するように複数設けられる。図２及び図３に示すように、本実施形態においては、保持部材２０には、９つの正極３１（３１Ａ〜３１Ｉ）と、それら９つの正極３１（３１Ａ〜３１Ｉ）にそれぞれ対応する９つの負極３２（３２Ａ〜３２Ｉ）とが設けられている。
【００５０】
図２に示すように、本実施形態においては、保持面１９の中心に対して−Ｘ側の領域に複数の正極３１が配置され、＋Ｘ側の領域に複数の負極３２が配置されている。また、正極３１は、保持面１９の−Ｘ側の領域において、Ｙ軸方向に複数配置されている。負極３２は、保持面１９の＋Ｘ側の領域において、Ｙ軸方向に複数配置されている。
【００５１】
以下の説明においては、Ｙ軸方向に複数配置されている正極３１のうち、保持面１９の−Ｙ側のエッジに最も近い正極３１を適宜、第１正極３１Ａ、と称し、第１正極３１Ａに次いで保持面１９の−Ｙ側のエッジに近い正極３１を適宜、第２正極３１Ｂ、と称する。
そして、複数の正極３１のうち、第２正極３１Ｂから＋Ｙ方向に順次、第３、第４、…、第８正極３１Ｃ、３１Ｄ、…、３１Ｈ、と称し、保持面１９の＋Ｙ側のエッジに最も近い正極３１を適宜、第９正極３１Ｉ、と称する。
【００５２】
また、以下の説明においては、Ｙ軸方向に複数配置されている負極３２のうち、保持面１９の−Ｙ側のエッジに最も近い負極３２を適宜、第１負極３２Ａ、と称し、第１負極３２Ａに次いで保持面１９の−Ｙ側のエッジに近い負極３２を適宜、第２負極３２Ｂ、と称する。そして、複数の負極３２のうち、第２負極３２Ｂから＋Ｙ方向に順次、第３、第４、…、第８負極３２Ｃ、３２Ｄ、…、３２Ｈ、と称し、保持面１９の＋Ｙ側のエッジに最も近い負極３２を適宜、第９負極３２Ｉ、と称する。
【００５３】
第１正極３１Ａと第１負極３２Ａとは、ＸＹ平面内において、Ｘ軸方向に関して対向するように配置されている。また、本実施形態においては、第１正極３１Ａの大きさと第１負極３２Ａの大きさとはほぼ同じである。また、第１正極３１Ａの形状と第１負極３２Ａの形状とはほぼ同じである。本実施形態においては、第１正極３１Ａと第１負極３２Ａとは、Ｙ軸に関して線対称である。
【００５４】
同様に、第２、第３、…、第９正極３１Ｂ、３１Ｃ、…、３１Ｉのそれぞれと、第２、第３、…、第９負極３２Ｂ、３２Ｃ、…、３２Ｉのそれぞれとが対応している。第２、第３、…、第９正極３１Ｂ、３１Ｃ、…、３１Ｉのそれぞれと、第２、第３、…、第９負極３２Ｂ、３２Ｃ、…、３２Ｉのそれぞれとは、ＸＹ平面内において、Ｘ軸方向に関して対向するように配置されている。第２、第３、…、第９正極３１Ｂ、３１Ｃ、…、３１Ｉのそれぞれと、第２、第３、…、第９負極３２Ｂ、３２Ｃ、…、３２Ｉのそれぞれとは、Ｙ軸に関して線対称である。
【００５５】
以下の説明において、正の電位が与えられる第１正極３１Ａと負の電位が与えられる第１負極３２Ａとを合わせて適宜、第１電極パターン３Ａ、と称する。同様に、第２正極３１Ｂと第２負極３２Ｂとを合わせて適宜、第２電極パターン３Ｂ、と称し、第３正極３１Ｃと第３負極３２Ｃとを合わせて適宜、第３電極パターン３Ｃ、と称し、第４正極３１Ｄと第４負極３２Ｄとを合わせて適宜、第４電極パターン３Ｄ、と称し、第５正極３１Ｅと第５負極３２Ｅとを合わせて適宜、第５電極パターン３Ｅ、と称し、第６正極３１Ｆと第６負極３２Ｆとを合わせて適宜、第６電極パターン３Ｆ、と称し、第７正極３１Ｇと第７負極３２Ｇとを合わせて適宜、第７電極パターン３Ｇ、と称し、第８正極３１Ｈと第８負極３２Ｈとを合わせて適宜、第８電極パターン３Ｈ、と称し、第９正極３１Ｉと第９負極３２Ｉとを合わせて適宜、第９電極パターン３Ｉ、と称する。
【００５６】
本実施形態においては、各電極部材３は、Ｘ軸方向に長い形状を有する。保持部材２０のエッジと対向する各電極部材３のエッジのＸＹ平面内における形状は、保持面１９の外形に応じた曲線状である。また、各正極３１のうち、負極３２と対向するエッジのＸＹ平面内における形状は、Ｙ軸とほぼ平行な直線状であり、各負極３２のうち、正極３１と対向するエッジのＸＹ平面内における形状は、Ｙ軸とほぼ平行な直線状である。
【００５７】
また、第１、第９正極３１Ａ、３１Ｉを除く各正極３１Ｂ〜３１Ｈの＋Ｙ側のエッジ、及び−Ｙ側のエッジのＸＹ平面内における形状は、Ｘ軸とほぼ平行な直線状である。そして、Ｙ軸方向に関する各正極３１大きさは、ほぼ同じである。第１正極３１Ａの＋Ｙ側のエッジのＸＹ平面内における形状は、Ｘ軸とほぼ平行な直線状であり、第９正極３１Ｉの−Ｙ側のエッジのＸＹ平面内における形状は、Ｘ軸とほぼ平行な直線状である。
【００５８】
また、第１、第９負極３２Ａ、３２Ｉを除く各負極３２Ｂ〜３２Ｈの＋Ｙ側のエッジ、及び−Ｙ側のエッジのＸＹ平面内における形状は、Ｘ軸とほぼ平行な直線状である。そして、Ｙ軸方向に関する各負極３２大きさは、ほぼ同じである。第１負極３２Ａの＋Ｙ側のエッジのＸＹ平面内における形状は、Ｘ軸とほぼ平行な直線状であり、第９負極３２Ｉの−Ｙ側のエッジのＸＹ平面内における形状は、Ｘ軸とほぼ平行な直線状である。
【００５９】
そして、本実施形態においては、各正極３１及び負極３２を含む複数の電極部材３は、保持面１９のほぼ全域に対応するように配置されている。
【００６０】
図３に示すように、基板ステージ２は、複数の電極部材３に所定の電圧を印加可能な電源装置２２を備えている。電源装置２２は、各電極部材３に接続された配線２３と、配線２３に接続され、配線２３を介して各電極部材３に印加するための電圧を発生する電圧発生器２４と、配線２３に配置され、電極部材３に対する電圧の印加と印加の停止とを切り替えるスイッチ２５と、各電極部材３に印加する電圧値を調整可能な電圧調整器２６とを備えている。スイッチ２５は、複数の電極部材３（電極パターン３Ａ〜３Ｉ）に対応するように複数設けられている。電圧調整器２６は、複数の電極部材３のそれぞれに印加する電圧値を独立して調整可能である。電源装置２２は、制御装置５によって制御される。なお、電圧値を調整しない場合には、電圧調整器２６が無くても構わない。
【００６１】
制御装置５は、静電チャック機構の正極３１及び負極３２に所定の電圧を印加することにより、保持部材２０の保持面１９と基板Ｐの裏面との間にクーロン力及び／又はジャンセン・ラーベック力を発生させる。これにより、基板Ｐが保持部材２０の保持面１９に静電力で吸着されるように保持される。
【００６２】
図４は、保持部材２０の側断面図である。図２及び図４において、基板ステージ２は、保持部材２０に対して基板Ｐを移動する移動機構４４を備えている。移動機構４４は、保持部材２０の保持面１９に対して基板Ｐを主にＺ軸方向に移動する。移動機構４４を、例えば不図示の粗動ステージに設けると、不図示の微動ステージや保持部材２０の重量を軽くする事ができるため、基板Ｐの位置決め精度を向上させることが可能である。本実施の形態では、移動機構４４は粗動ステージに配置されているが、微動ステージや保持部材２０等他の場所に設けることが可能である。
【００６３】
移動機構４４は、基板Ｐの裏面を支持可能な支持面４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃをそれぞれ有する複数の支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃと、各支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを保持面１９と直交する方向（Ｚ軸方向）に移動可能な駆動装置４５とを備えている。支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃのそれぞれは、ロッド状の部材である。本実施形態においては、第１支持部材４１Ａと第２支持部材４１Ｂとはほぼ同じ構造であり、第３支持部材４１Ｃは、第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂとは異なる構造である。
【００６４】
保持部材２０は、支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃに応じて保持部材２０の内部をＺ軸方向に延びるように形成された複数の孔４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃを有する。本実施形態では、各支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃの少なくとも一部が、各孔４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃに配置されているが、常に各支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃが孔４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃ内に配置される必要はない。例えば、基板ＰをＺ軸方向に押し上げるときだけ、各支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃが孔４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃを通り抜けて基板Ｐを押し上げる構成としてもよい。本実施形態においては、孔４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃの上端は、保持面１９の中心を囲むように、ほぼ等間隔で配置されている。
【００６５】
支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃは、孔４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃに沿ってＺ軸方向に移動可能である。駆動装置４５は、支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃのそれぞれを独立して移動可能である。移動機構４４は、駆動装置４５を用いて、支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃの支持面４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃが保持面１９よりも＋Ｚ側に配置されるように支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを移動可能であるとともに、支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃの支持面４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃが保持面１９よりも−Ｚ側に配置されるように支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを移動可能である。駆動装置４５としては圧電素子を用いたアクチュエータや電磁アクチュエータ等種々のアクチュエータを用いることができる。
【００６６】
支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃは、駆動装置４５により、保持面１９と対向する基板Ｐの裏面の所定領域を支持しながら、保持部材２０の保持面１９に対してＺ軸方向に移動可能である。すなわち、移動機構４４は、支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃの支持面４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃに基板Ｐを支持した状態で、駆動装置４５によって支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを移動することにより、保持部材２０の保持面１９と基板Ｐの裏面とが近付く方向及び離れる方向に基板Ｐを移動可能である。
【００６７】
本実施形態においては、第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂは、静電チャック機構を含み、支持面４０Ａ、４０Ｂは、基板Ｐの裏面を静電力で保持可能である。図４に示すように、基板ステージ２は、第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂに設けられ、基板Ｐを支持面４０Ａ、４０Ｂに吸着するための静電力を発生させる複数の電極部材４６と、複数の電極部材４６に電圧を印加可能な電源装置２２Ｂとを備えている。なお、電源装置２２Ｂを基板ステージに設けずに、真空チャンバ６内の他の位置や真空チャンバ６外の他の位置に配置してもよい。
【００６８】
図５は、第１支持部材４１Ａに設けられた電極部材４６を示す平面図である。電極部材４６は、第１支持部材４１Ａの内部に配置されている。本実施形態の静電チャック機構は、所謂、双極方式であって、電源装置２２Ｂによって正の電位が与えられる電極部材４６Ａと、負の電位が与えられる電極部材４６Ｂとを含む。以下の説明においては、正の電位が与えられる電極部材４６を適宜、正極４６Ａ、と称し、負の電位が与えられる電極部材４６を適宜、負極４６Ｂ、と称する。
【００６９】
図４に示すように、電源装置２２Ｂは、各電極部材４６に接続された配線２３Ｂと、配線２３Ｂに接続され、配線２３Ｂを介して各電極部材４６に印加するための電圧を発生する電圧発生器２４Ｂと、配線２３Ｂに配置され、電極部材４６に対する電圧の印加と印加の停止とを切り替えるスイッチ２５Ｂと、各電極部材４６に印加する電圧値を調整可能な電圧調整器２６Ｂとを備えている。なお、説明の便宜上、配線２３Ｂ及びスイッチ２５Ｂは一つしか記載していないが、各電極部材４６の各々に配線２３Ｂとスイッチ２５Ｂが設けられている。
【００７０】
制御装置５は、静電チャック機構の正極４６Ａ及び負極４６Ｂに所定の電圧を印加することにより、支持面４０Ａと基板Ｐの裏面との間にクーロン力及び／又はジャンセン・ラーベック力を発生させる。これにより、基板Ｐが第１支持部材４１Ａの支持面４０Ａに静電力で吸着されるように保持される。
【００７１】
同様に、第２支持部材４１Ｂは、第１支持部材４１Ａと同様、正極４６Ａ及び負極４６Ｂを含む静電チャック機構を有し、その正極４６Ａ及び負極４６Ｂには、電源装置２２Ｂによって所定の電圧が印加される。第２支持部材４１Ｂの構造は、第１支持部材４１Ａの構造とほぼ同じであるため、第２支持部材４１Ｂに関する説明は省略する。
【００７２】
なお、本実施形態においては、各支持部材４１Ａ、４１Ｂのそれぞれに正極と負極とが配置されているが、各支持部材４１Ａ、４１Ｂのそれぞれに電極を一つのみ配置し、例えば、支持部材４１Ａ側を正極、支持部材４１Ｂ側を負極としても構わない。また、支持部材４１の数も２つに限定されず、１つでも構わないし、３つ以上設けてもよい。
【００７３】
また、本実施形態においては、基板ステージ２は、保持部材２０に保持された基板Ｐに帯電している電気を取り除く除電装置４７を備えている。本実施形態においては、除電装置４７は、移動機構４４の第３支持部材４１Ｃを含む。
【００７４】
本実施形態の第３支持部材４１Ｃは、導電性を有する導電部材４８を含む。本実施形態においては、少なくとも第３支持部材４１Ｃの支持面４０Ｃが導電部材４８で形成されている。また、図４に示すように、第３支持部材４１Ｃの導電部材４８は、接地（アース）されている。接地された導電部材４８と基板Ｐとが接触することによって、基板Ｐに帯電している電気（電荷）は、その基板Ｐから取り除かれる。
【００７５】
図２に示すように、本実施形態においては、第３支持部材４１Ｃが移動可能な開口４２Ｃは、保持面１９の中心に対して−Ｙ側（第１電極パターン３Ａ側）に配置されている。
第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂが移動可能な開口４２Ａ、４２Ｂは、保持面１９の中心に対して＋Ｙ側（第９電極パターン３Ｉ側）に配置されている。
【００７６】
図６は、露光光ＥＬが照射されることによってパターンが形成される基板Ｐ上のショット領域Ｓと、保持部材２０との関係を示す模式図である。なお、図６においては、支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ等の図示は省略してある。図６に示すように、基板Ｐ上には、露光対象領域であるショット領域Ｓが設定される。マスクＭは、ショット領域Ｓに投影されるパターンが配置されたパターン形成領域ＭＲ（図１参照）を有する。本実施形態においては、１つのショット領域Ｓに、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに配置されているパターンの像が投影される。すなわち、１つのショット領域Ｓには、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに配置されているパターンに応じたパターンが形成される。例えばマスクＭのパターン形成領域ＭＲに１チップ分のパターン（デバイスパターン）が形成される場合、１つのショット領域Ｓには、１チップ分のパターンが形成される。なお、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに複数チップ分（例えば２つ分）のパターン（デバイスパターン）が形成される場合、１つのショット領域Ｓには、複数チップ分のパターンが形成される。
【００７７】
投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲには、マスクＭの照明領域ＩＲ内のパターンからの露光光ＥＬが照射される。図６に示すように、本実施形態においては、投影領域ＰＲは、Ｘ軸方向に長い矩形状（スリット状）である。投影光学系ＰＬは、照明領域ＩＲに対応するマスクＭのパターンを介した露光光を投影領域ＰＲに照射し、投影領域ＰＲに照射された露光光で基板Ｐ上のショット領域Ｓの一部を露光する。
【００７８】
１つのショット領域Ｓを露光する際、制御装置５は、照明領域ＩＲに対するマスクＭのパターン形成領域ＭＲのＹ軸方向への移動に同期して、投影領域ＰＲに対して基板Ｐ上のショット領域ＳをＹ軸方向へ移動しつつ、投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。これにより、ショット領域Ｓに、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに配置されているパターンの像が投影される。
【００７９】
基板Ｐ上には複数のショット領域Ｓがマトリクス状に設定され、それら複数のショット領域Ｓが順次露光される。すなわち、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓのそれぞれに、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに配置されているパターンが順次形成される。制御装置５は、所定のショット領域Ｓを露光するためにマスクＭと基板ＰとをＹ軸方向へ同期移動しつつ基板Ｐに露光光ＥＬを照射する動作と、次のショット領域Ｓを露光するために基板ＰをＸ軸方向にステッピング移動する動作を繰り返しながら、複数のショット領域Ｓを順次露光する。本実施形態においては、一例として、制御装置５は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図６に示す矢印Ｒ１に沿って相対的に移動するように、基板ステージ２を移動しつつ、基板Ｐの複数のショット領域Ｓを順次露光する。
【００８０】
図６に示すように、本実施形態においては、基板Ｐ上には、Ｘ軸方向に配置された複数のショット領域Ｓからなるショット領域群が、Ｙ軸方向に９つ配置されている。
【００８１】
以下の説明においては、Ｙ軸方向に複数配置されているショット領域群のうち、保持面１９の−Ｙ側のエッジに最も近いショット領域群を適宜、第１ショット領域群Ｓ１、と称し、第１ショット領域群Ｓ１に次いで保持面１９の−Ｙ側のエッジに近いショット領域群を適宜、第２ショット領域群Ｓ２、と称する。また、複数のショット領域群のうち、第２ショット領域群Ｓ２から＋Ｙ方向に順次、第３、第４、…、第８ショット領域群Ｓ３、Ｓ４、…、Ｓ８、と称し、保持面１９の＋Ｙ側のエッジに最も近いショット領域群を適宜、第９ショット領域群Ｓ９、と称する。
【００８２】
図６に示すように、本実施形態においては、電極部材３のそれぞれは、パターン情報に応じた大きさ及び形状を有し、パターン情報に応じて保持部材２０に配置されている。パターン情報は、パターンの大きさに関する情報、及びパターンの配列情報の少なくとも一方を含む。本実施形態において、パターン情報は、基板Ｐに形成されるパターン情報を含む。
【００８３】
パターンの大きさに関する情報は、基板Ｐに形成されるパターンの大きさに関する情報を含み、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに配置されているパターンの像が投影されることによって基板Ｐに形成されるパターンの大きさに関する情報を含む。すなわち、本実施形態においては、パターンの大きさに関する情報は、基板Ｐ上でのショット領域Ｓの大きさに関する情報、ひいては基板Ｐに形成されるチップの大きさに関する情報を含む。
【００８４】
パターンの配列情報は、基板Ｐに形成されるパターンの配列情報を含み、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに配置されているパターンの像が投影されることによって基板Ｐに形成されるパターンの配列情報を含む。すなわち、本実施形態においては、パターンの配列情報は、基板Ｐ上での複数のショット領域Ｓの配列情報、ひいては基板Ｐに形成されるチップの配列情報を含む。
【００８５】
本実施形態においては、複数の電極部材３は、基板Ｐに形成されるパターン情報、具体的には基板Ｐ上に設定されるショット領域Ｓに関する情報に応じて配置されている。図６に示すように、本実施形態においては、各電極部材３のＹ軸方向の大きさは、ショット領域ＳのＹ軸方向の大きさとほぼ一致するように設定されている。１つのショット領域Ｓに１つのチップが形成される場合には、各電極部材３のＹ軸方向の大きさは、１つのチップのＹ軸方向の大きさとほぼ一致するように設定されている。また、電極部材３によって形成される第１〜第９電極パターン３Ａ〜３ＩそれぞれのＸ軸方向の大きさは、ショット領域Ｓによって形成される第１〜第９ショット領域群Ｓ１〜Ｓ９それぞれのＸ軸方向の大きさと対応するように設定されている。
【００８６】
また、各電極部材３は、複数のショット領域Ｓに対応するように配列されている。本実施形態においては、第１〜第９電極パターン３Ａ〜３Ｉのそれぞれは、第１〜第９ショット領域群Ｓ１〜Ｓ９のそれぞれに対応するように配置されている。
【００８７】
一例として、円形状の基板Ｐ及びその基板Ｐの外形とほぼ同じである保持面１９の直径は約３００ｍｍ、各電極部材３のＹ軸方向の大きさ（１チップのＹ軸方向の大きさ）は約３３ｍｍ、各電極部材３同士の間の距離は約５ｍｍである。
【００８８】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法の一例について説明する。
【００８９】
本実施形態においては、電源装置２２は、パターン情報に応じて、各電極部材３に印加する電圧を調整する。上述したように、パターン情報は、基板Ｐに形成されるパターンの大きさに関する情報、及びパターンの配列情報の少なくとも一方を含み、基板Ｐ上におけるショット領域Ｓに関する情報、基板Ｐに形成されるチップ情報を含む。
【００９０】
また、本実施形態においては、パターン情報は、パターンを形成する順序を含む。パターンを形成する順序は、基板Ｐ上においてパターンを形成する順序を含む。本実施形態においては、基板Ｐ上においてパターンを形成する順序は、基板Ｐ上に設定された複数のショット領域Ｓのそれぞれにパターンを形成する動作を実行する順序、換言すれば、ショット領域Ｓのそれぞれにパターンを形成するためにマスクＭのパターンからの露光光ＥＬを照射する順序を含む。
【００９１】
基板Ｐに対する露光を開始する前の所定のタイミングにおいて、入力装置７より、制御装置５に、パターン情報を含む露光条件（パターン形成条件）が入力される。制御装置５は、入力装置７より入力されたパターン情報を含む露光条件に基づいて、少なくとも基板Ｐを露光するときの電源装置２２の動作を制御する。制御装置５は、入力装置７より入力されたパターン情報に応じて、電源装置２２を制御して、その電源装置２２より各電極部材３に印加する電圧を調整する。なお、パターン情報を含む露光条件（パターン形成条件）が記憶装置８に予め記憶されていてもよい。その場合、制御装置５は、その記憶装置８に記憶されているパターン情報に応じて、電源装置２２を制御して、その電源装置２２より各電極部材３に印加する電圧を調整することができる。
【００９２】
本実施形態においては、制御装置５が、最初に第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓを露光し、その後、第２、第３、…、第８ショット領域群Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ８のショット領域Ｓを順次露光し、最後に第９ショット領域群Ｓ９のショット領域Ｓを露光する場合を例にして説明する。
【００９３】
まず、図７Ａに示すように、所定の搬送装置５０によって、露光前の基板Ｐが、基板ステージ２の保持部材２０に搬入（ロード）される。基板Ｐを保持部材２０にロードするとき、制御装置５は、支持部材４１Ａ〜４１Ｃの支持面４０Ａ〜４０Ｃが保持部材２０の保持面１９よりも上方（＋Ｚ側）に配置されるように、移動機構４４の駆動装置４５を用いて支持部材４１Ａ〜４１Ｃを移動する。搬送装置５０は、図７Ｂに示すように、保持面１９よりも＋Ｚ側に配置されている支持部材４１Ａ〜４１Ｃの支持面４０Ａ〜４０Ｃに、基板Ｐを載せる。
【００９４】
本実施形態においては、第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂは、正極４６Ａ及び負極４６Ｂを含む静電チャック機構を有しており、搬送装置５０より渡された基板Ｐを静電力で保持する。これにより、基板Ｐの位置ずれ等の発生を抑制することができる。第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂの支持面４０Ａ、４０Ｂと基板Ｐの裏面とを静電力で吸着させた後、制御装置５は、基板Ｐの裏面を支持した支持部材４１Ａ〜４１Ｃを、下方（−Ｚ方向）に移動する。すなわち、制御装置５は、基板Ｐの裏面と保持部材２０の保持面１９とが近付くように、基板Ｐの裏面を支持した支持部材４１Ａ〜４１Ｃを移動する。これにより、図７Ｃに示すように、基板Ｐが保持部材２０の保持面１９に載る。保持部材２０の保持面１９に基板Ｐを載せた後、制御装置５は、電源装置２２Ｂによる電極部材４６に対する電圧の印加を停止する。また、制御装置５は、基板Ｐの裏面と支持部材４１Ａ〜４１Ｃの支持面４０Ａ〜４０Ｃとが離れるまで、支持部材４１Ａ〜４１Ｃを−Ｚ方向に移動する。
これにより、保持部材２０の保持面１９が基板Ｐを保持可能な状態になるとともに、基板Ｐに対する支持部材４１Ａ〜４１Ｃの支持が解除される。
【００９５】
電極部材３が設けられた保持部材２０の保持面１９に基板Ｐを載せた後、基板Ｐを保持面１９に静電力で吸着するために、制御装置５は、電源装置２２を用いて、電極部材３に所定の電圧を印加する。本実施形態においては、基板Ｐを保持面１９に載せた後、基板Ｐの露光を開始する前に、全ての電極パターン３Ａ〜３Ｉの各正極３１Ａ〜３１Ｉ、及び各負極３２Ａ〜３２Ｉのそれぞれに、所定の電圧を印加する。これにより、基板Ｐは、静電力によって、保持部材２０の保持面１９に吸着されるように保持される。
【００９６】
基板Ｐを保持部材２０の保持面１９に静電力で保持した後、制御装置５は、ＦＩＡ等のアライメント装置を用いて基板Ｐの位置合わせを行い、基板Ｐに対する露光処理を開始する。基板Ｐ上には複数のショット領域Ｓが設定されており、それら複数のショット領域Ｓを順次露光して、基板Ｐ上のショット領域Ｓのそれぞれに、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに配置されているパターンを形成する動作を実行する。
【００９７】
以下、図８〜図１１の模式図を参照しながら、電源装置２２が基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて複数の電極部材３に印加する電圧を調整する動作について説明する。具体的には、基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて、複数の電極部材３の中から、所定の電極部材３を選択し、所定の電極部材３に印加する電圧を調整する動作について主に説明する。なお、図８〜図１１においては、支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ等の図示は省略してある。
【００９８】
本実施形態においては、電源装置２２は、少なくともパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する正極３１、負極３２に印加する電圧値の絶対値を、他のショット領域Ｓに対応する正極３１、負極３２に印加する電圧値の絶対値よりも大きくする。
【００９９】
本実施形態においては、電源装置２２は、少なくともパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する電極部材３に所定値の電圧を印加し、パターンの形成動作が行われていないショット領域Ｓの少なくとも一部のショット領域Ｓに対応する電極部材３に印加する電圧値の絶対値を、所定値の絶対値よりも小さい値とする。
【０１００】
本実施形態においては、電源装置２２は、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する正極３１、負極３２に印加する電圧値の絶対値を、パターンが形成された後の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する正極３１、負極３２へ印加する電圧値の絶対値よりも大きくする。本実施形態においては、パターンが形成された後の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する正極３１、負極３２へ印加する電圧値をオフとする。本実施の形態では電圧をオフとするには、スイッチ２５によって電極部材３を接地させたが、電源から供給される電圧値を０としても良い。これについては、他の実施形態においても同様である。
【０１０１】
本実施形態においては、パターンの形成動作は、基板Ｐにパターンを形成するために、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬを基板Ｐに照射する動作を含む。したがって、パターンの形成動作が進行中とは、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬが基板Ｐに照射中、すなわち基板Ｐを露光中であることを含む。また、パターンが形成される前とは、パターンの形成動作が実行される前であることを含み、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬが基板Ｐに照射される前、すなわち基板Ｐの露光前であることを含む。また、パターンが形成された後とは、パターンの形成動作が実行された後であることを含み、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬが基板Ｐに照射された後、すなわち基板Ｐの露光後であることを含む。
【０１０２】
図８〜図１１においては、複数のショット領域Ｓのうち、パターンの形成動作が進行中、及びパターンの形成動作が実行された後のショット領域Ｓを実線で示し、パターンの形成動作が実行される前のショット領域Ｓを破線で示す。また、電源装置２２によって電圧が印加されている電極部材３に斜線を付す。
【０１０３】
まず、図８に示すように、基板Ｐ上に設定された複数のショット領域Ｓのうち、第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対する露光が実行される。第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対するパターンの形成動作の進行中、すなわち、第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓの露光中において、電源装置２２は、第１〜第９電極パターン３Ａ〜３Ｉの全ての電極部材３（正極３１、負極３２）に所定値の電圧を印加する（電圧をｏｎにする）。これにより、保持部材２０で基板Ｐを良好に保持した状態で、第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対する露光が良好に実行される。
【０１０４】
図９の模式図に示すように、第１ショット領域群Ｓ１の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第２ショット領域群Ｓ２のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対応する第１電極パターン３Ａの電極部材３に対する電圧の印加を停止する（オフにする）。すなわち、電源装置２２は、パターンが形成された後（露光後）であって、パターンの形成動作が行われていない基板Ｐ上の第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対応する第１電極パターン３Ａの電極部材３を接地する。電源装置２２は、例えばスイッチ２５を用いて、第１電極パターン３Ａの電極部材３を電気的に接地する。また、本実施形態においては、電源装置２２は、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第２〜第９ショット領域群Ｓ２〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第２〜第９電極パターン３Ｂ〜３Ｉに電源装置２２によって印加される電圧値を所定値に維持する。これにより、第１電極パターン３Ａに対応する保持面１９の一部の領域と基板Ｐの裏面との間に発生する単位面積当たりの静電力を、第２〜第９電極パターン３Ｂ〜３Ｉに対応する保持面１９の一部の領域と基板Ｐの裏面との間に発生する単位面積当たりの静電力よりも弱くすることができる。また、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する第２〜第９電極パターン３Ｂ〜３Ｉに対しては所定値の電圧が印加されているので、保持部材２０で基板Ｐを良好に保持した状態で、第２ショット領域群Ｓ２のショット領域Ｓに対する露光が良好に実行される。具体的には、例えば、第２〜第９電極パターンに対応する領域の基板Ｐの温度が露光によって上昇したとしても、保持部材２０で基板Ｐをしっかりと保持することによって、露光前の領域の基板の位置ずれを抑制することができる。したがって、露光開始前に行われたアライメントに基づいて全てのショット領域の露光を行うことができるので、露光不良を抑えることができる。
【０１０５】
このように、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する正極３１、負極３２に所定値の電圧を印加することにより、その正極３１、負極３２に対応する保持面１９と基板Ｐの裏面との間に単位面積当たりにおいて所定の静電力を発生させることができる。また、パターンが形成された後の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する正極３１、負極３２に所定値よりも小さい値（０を含む）の電圧を印加することにより、その正極３１、負極３２に対応する保持面１９と基板Ｐの裏面との間に発生する単位面積当たりの静電力を、上述の単位面積当たりにおける所定の静電力よりも弱い力にすることができる。
【０１０６】
複数のショット領域Ｓに対する露光が進行し、図１０の模式図に示すように、第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第１〜第３電極パターン３Ａ〜３Ｃの電極部材３に対する電圧の印加を停止する。すなわち、電源装置２２は、パターンが形成された後（露光後）であって、パターンの形成動作が行われていない基板Ｐ上の第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第１〜第３電極パターン３Ａ〜３Ｃの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。また、本実施形態においては、電源装置２２は、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第４〜第９ショット領域群Ｓ４〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第４〜第９電極パターン３Ｂ〜３Ｉに電源装置２２によって印加される電圧値を所定値に維持する。これにより、第１〜第３電極パターン３Ａ〜３Ｃに対応する保持面１９の一部の領域と基板Ｐの裏面との間に発生する単位面積当たりの静電力を、第４〜第９電極パターン３Ｄ〜３Ｉに対応する保持面１９の一部の領域と基板Ｐの裏面との間に発生する単位面積当たりの静電力よりも弱くすることができる。また、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する第４〜第９電極パターン３Ｄ〜３Ｉに対しては所定値の電圧が印加されているので、保持部材２０で基板Ｐを良好に保持した状態で、第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対する露光が良好に実行される。
【０１０７】
複数のショット領域Ｓに対する露光が進行し、図１１の模式図に示すように、第１〜第８ショット領域群Ｓ１〜Ｓ８の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第９ショット領域群Ｓ９のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第８ショット領域群Ｓ１〜Ｓ８のショット領域Ｓに対応する第１〜第８電極パターン３Ａ〜３Ｈの電極部材３に対する電圧の印加を停止する。すなわち、電源装置２２は、パターンが形成された後（露光後）であって、パターンの形成動作が行われていない基板Ｐ上の第１〜第８ショット領域群Ｓ１〜Ｓ８のショット領域Ｓに対応する第１〜第８電極パターン３Ａ〜３Ｈの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。また、本実施形態においては、電源装置２２は、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第９ショット領域群Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第９電極パターン３Ｉに電源装置２２によって印加される電圧値を所定値に維持する。これにより、第１〜第８電極パターン３Ａ〜３Ｈに対応する保持面１９の一部の領域と基板Ｐの裏面との間に発生する単位面積当たりの静電力を、第９電極パターン３Ｉに対応する保持面１９の一部の領域と基板Ｐの裏面との間に発生する単位面積当たりの静電力よりも弱くすることができる。また、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する第９電極パターン３Ｉに対しては所定値の電圧が印加されているので、保持部材２０で基板Ｐを良好に保持した状態で、第９ショット領域群Ｓ９のショット領域Ｓに対する露光が良好に実行される。
【０１０８】
このように、本実施形態においては、制御装置５は、基板Ｐ上に形成されるパターン情報に応じて、複数の電極部材３の中から、所定の電極部材３を選択し、その選択した電極部材３に対して所定の電圧を印加する。
【０１０９】
基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後、すなわち全てのショット領域Ｓの露光が終了した後、電源装置２２は、複数の電極部材３全てに対する電圧の印加を停止する。そして、制御装置５は、露光後の基板Ｐを保持部材２０から搬出（アンロード）する動作を開始する。
【０１１０】
図１２Ａは、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後の保持部材２０の状態を示す図である。基板Ｐを保持部材２０からアンロードするために、制御装置５は、支持部材４１Ａ〜４１Ｃの支持面４０Ａ〜４０Ｃが保持部材２０の保持面１９よりも上方（＋Ｚ側）に配置されるように、移動機構４４の駆動装置４５を用いて支持部材４１Ａ〜４１Ｃを移動する。すなわち、制御装置５は、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後、保持部材２０の保持面１９と基板Ｐの裏面とが離れるように、移動機構４４を用いて、保持部材２０に対する基板Ｐの移動を開始する。これにより、図１２Ｂに示すように、支持部材４１Ａ〜４１Ｃの支持面４０Ａ〜４０Ｃは、保持面１９よりも上方（＋Ｚ側）に配置され、その支持部材４１Ａ〜４１Ｃの支持面４０Ａ〜４０Ｃに支持された基板Ｐの裏面と保持部材２０の保持面１９とは、Ｚ軸方向に関して離れる。
【０１１１】
支持部材４１Ａ〜４１Ｃで基板Ｐの裏面を支持して、基板Ｐの裏面と保持部材２０の保持面１９とを離す際、制御装置５は、基板Ｐを支持面４０Ａ、４０Ｂに静電力で吸着するために、電源装置２２Ｂを用いて、第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂに設けられた正極４６Ａ、負極４６Ｂに所定の電圧を印加する。これにより、基板Ｐの裏面は、静電力によって、第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂの支持面４０Ａ、４０Ｂに吸着されるように保持される。制御装置５は、支持面４０Ａ、４０Ｂと基板Ｐとを静電力で吸着させた状態で、支持部材４１Ａ〜４１Ｃを上方（＋Ｚ方向）に移動して、基板Ｐの裏面と保持部材２０の保持面１９とを離す。これにより、基板Ｐの位置ずれ等の発生を抑制することができる。
【０１１２】
また、本実施形態においては、第３支持部材４１Ｃは、接地された導電部材４８を含み、保持部材２０の保持面１９と基板Ｐの裏面を離すときに、基板Ｐの裏面と接触する。導電部材４８を含む第３支持部材４１Ｃは、基板Ｐと接触することによって、その基板Ｐに帯電している電気（電荷）を取り除くことができる。このように、第３支持部材４１Ｃの導電部材４８を含む除電装置４７は、保持部材２０と基板Ｐとを離すときに、第３支持部材４１Ｃ（導電部材４８）を用いて、基板Ｐに帯電している電気を取り除くことができる。
【０１１３】
そして、図１２Ｃに示すように、所定の搬送装置５０によって、露光後の基板Ｐが、基板ステージ２の保持部材２０から搬出（アンロード）される。支持部材４１Ａ〜４１Ｃに支持されている基板Ｐを搬送装置５０に渡す際、制御装置５は、電源装置２２Ｂによる電極部材４６に対する電圧の印加を停止する。これにより、第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂの静電チャック機構による保持が解除され、基板Ｐは、搬送装置５０によって、円滑に搬出される。また、支持面４０Ａ、４０Ｂの面積は十分に小さく、電源装置２２Ｂによる電極部材４６に対する電圧の印加を停止した後、残留する静電力（吸着力）が発生しても、その残留する静電力は十分に小さい。したがって、基板Ｐの裏面と支持面４０Ａ、４０Ｂとを円滑に離すことができる。
【０１１４】
静電チャック機構において、電極部材３に対する電圧の印加を停止した場合でも、例えば残留する静電力（吸着力）によって、電極部材３に対する電圧の印加を停止した直後においては、保持面１９から基板Ｐを円滑に離すことが困難となる可能性がある。残留する静電力が時間の経過に伴って低減される場合、保持面１９から基板Ｐを円滑に離すために（アンロードするために）、基板Ｐの保持を良好に行うことができる範囲内で、可能な限り早いタイミングで電極部材３に対する電圧の印加を停止して、電極部材３に対する電圧の印加を停止した時点から保持面１９と基板Ｐとを離す動作（アンロードする動作）を実行する時点までの時間を長くすることが望ましい。
【０１１５】
本実施形態においては、基板Ｐ上に形成されるパターン情報に応じて電極部材３を複数配置し、そのパターン情報に応じて、複数の電極部材３に対する電圧の印加の停止を所定の順序で実行しているので、例えば電圧の印加が最初に停止された第１電極パターン３Ａの電極部材３に基づいて残留している静電力を、保持面１９から基板Ｐを離す動作を実行するまでに（アンロードするまでに）、十分に低減させることができる。同様に、第２、第３、…、第８電極パターン３Ｂ、３Ｃ、…、３Ｈの電極部材３に基づいて残留している静電力も、保持面１９から基板Ｐをアンロードするまでに、十分に低減させることができる。また、第９電極パターン３Ｉの電極部材３に基づいて残留している静電力が、保持面１９から基板Ｐをアンロードするまでに十分に低減されるならば、保持部材２０から基板Ｐのアンロードを円滑に実行できる。また、第９電極パターン３Ｉの電極部材３に基づいて残留している静電力が、保持面１９から基板Ｐをアンロードするまでに十分に低減されない場合でも、第９電極パターン３Ｉに対応する保持面１９の領域は小さく、静電力の大きさは、基板Ｐの保持を良好に行うことができる範囲内で十分に小さい。そのため、保持部材２０から基板Ｐのアンロードを円滑に実行できる。
【０１１６】
本実施形態においては、基板Ｐの重さ、保持部材２０の保持面１９と基板Ｐの裏面との摩擦係数、基板ステージ２を移動するときの加速度等に応じて、基板Ｐの保持を良好に行うことができるように、各電極部材３に印加する電圧値が予め最適化されている。そのため、第９ショット領域群Ｓ９のショット領域Ｓを露光するときに、第９電極パターン３Ｉの正極３１Ｉ及び負極３２Ｉのみに所定の電圧を印加することによって、その第９電極パターン３Ｉに基づいて発生する静電力によって、基板Ｐの保持を良好に行うことができる。また、保持部材２０から基板Ｐのアンロードを円滑に実行できる。
【０１１７】
図１３は、支持部材４１Ａ〜４１Ｃを含む移動機構４４によって、保持部材２０と基板Ｐとを離すときの動作の一例を示す模式図である。図１３に示すように、移動機構４４は、基板Ｐの裏面の一部分が他の部分よりも保持面１９から先に離れるように、保持部材２０に対する基板Ｐの移動を開始する。本実施形態においては、導電部材４８を含む第３支持部材４１Ｃが、保持面１９から先に離れる基板Ｐの裏面の一部分を支持する。換言すれば、３つの支持部材４１Ａ〜４１Ｃのうち、第３支持部材４１Ｃの支持面４０Ｃが、他の支持部材４１Ａ、４１Ｂの支持面４０Ａ、４０Ｂよりも先に、保持面１９から＋Ｚ方向への移動を開始するように、移動機構４４の駆動装置４５が制御される。
【０１１８】
上述のように、本実施形態においては、複数の電極パターン３Ａ〜３Ｉそれぞれの電極部材３に電圧を印加して保持面１９に基板Ｐを吸着させた後、パターンを形成する順序（ショット領域Ｓを露光する順序）に応じて、複数の電極部材３に対する電圧の印加の停止が所定の順序で実行される。すなわち、図９等を参照して説明したように、まず、第１電極パターン３Ａの電極部材３に対する電圧の印加が停止され、その後、第２、第３、…、第９電極パターン３Ｂ、３Ｃ、…、３Ｉの順序で、電極部材３に対する電圧の印加が停止される。移動機構４４は、電圧の印加が最初に停止された第１電極パターン３Ａの電極部材３に対応する基板Ｐの裏面の一部分、すなわち基板Ｐの−Ｙ側のエッジ近傍の一部分と保持部材２０の保持面１９とが最初に離れるように、保持部材２０に対する基板Ｐの移動を開始する。
【０１１９】
本実施形態においては、複数の支持部材４１Ａ〜４１Ｃのうち、導電部材４８を含む第３支持部材４１Ｃが、基板Ｐの−Ｙ側のエッジ近傍に配置されている。制御装置５は、３つの支持部材４１Ａ〜４１Ｃのうち、第３支持部材４１Ｃの支持面４０Ｃが、他の支持部材４１Ａ、４１Ｂの支持面４０Ａ、４０Ｂよりも先に、保持面１９から＋Ｚ方向への移動を開始するように、移動機構４４の駆動装置４５を制御することによって、第３支持部材４１Ｃの支持面４０Ｃで支持された基板Ｐの−Ｙ側のエッジ近傍を、保持部材２０の保持面１９から最初に離れるように、基板Ｐを移動させることができる。
【０１２０】
電圧の印加が最初に停止された第１電極パターン３Ａに対応する基板Ｐの一部分が他の部分よりの先に保持面１９から離れるように、保持面１９と基板Ｐの裏面とを離す動作を実行することで、保持面１９と基板Ｐの裏面とを離す動作を円滑に実行できる。電極部材３に対する電圧の印加を停止後において、残留する静電力が存在しても、電圧の印加が最初に停止された第１電極パターン３Ａの電極部材３に基づいて残留している静電力は、保持面１９から基板Ｐをアンロードするまでに十分に低減されている可能性が高い。そのため、その残留する静電力が十分に低減されている可能性が高い基板Ｐの裏面の一部分を他の部分に対して保持面１９から先に離すように基板Ｐを移動することによって、基板Ｐと保持面１９とを円滑に離すことができる。
【０１２１】
以上説明したように、本実施形態によれば、電極部材３が基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて配置されており、電源装置２２が基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて各電極部材３に印加する電圧を調整するので、基板Ｐを保持する動作を良好に実行しつつ、基板Ｐを搬出（アンロード）する動作を高速に実行することができる。したがって、基板Ｐを良好に保持した状態で、基板Ｐにパターンを形成する動作を良好に実行して、所望の性能を有するデバイスを製造できる。また、スループットを向上して、デバイスの生産性の向上に寄与できる。
【０１２２】
また、本実施形態によれば、支持部材４１Ａ、４１Ｂには、電極部材４６を含む静電チャック機構が設けられているので、その支持部材４１Ａ、４１Ｂを用いて、基板Ｐを良好に支持することができる。したがって、その支持部材４１Ａ、４１Ｂを用いて、基板Ｐの位置ずれ等の発生を抑制しつつ、保持部材２０に対する基板Ｐの搬入動作及び保持部材２０からの基板Ｐの搬出動作を良好に実行できる。したがって、デバイスの性能の劣化を抑制しつつデバイスの生産性の向上に寄与できる。
【０１２３】
また、本実施形態によれば、保持部材２０と基板Ｐとを離すときに、基板Ｐに帯電している電気を除電装置４７の第３支持部材４１Ｃ（導電部材４８）で取り除くので、残留する静電力によって保持部材２０と基板Ｐとが離れ難くなる現象の発生を抑制でき、基板Ｐに大きな負荷がかかるのを抑制しつつ、保持部材２０と基板Ｐとを円滑に離すことができる。
【０１２４】
なお、本実施形態においては、例えばパターンの形成動作が進行中の第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対応する電極部材３に所定値の電圧を印加し、その第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対するパターンの形成動作が実行された後、次の第２ショット領域群Ｓ２のショット領域Ｓに対するパターンの形成動作を開始するときに、第１ショット領域群Ｓ１に対応する電極部材３に印加する電圧値をオフにしているが、第１ショット領域群Ｓ１に対応する電極部材３に印加する電圧値をオフにするタイミングとしては、第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対するパターンの形成動作が実行された後であれば、任意のタイミングで実行可能である。例えば、第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対するパターンの形成動作が実行され、次の第２ショット領域群Ｓ２のショット領域Ｓに対するパターンの形成動作が実行された後に、第１ショット領域群Ｓ１に対する電極部材３に印加する電圧値をオフにするようにしてもよい。
【０１２５】
なお、本実施形態においては、パターンの形成動作が進行中のショット領域Ｓに対応する電極部材３に所定の極性の電圧を印加し、そのショット領域Ｓに対するパターンの形成動作が実行された後、そのパターンの形成動作が実行された後のショット領域Ｓに対応する電極部材３に印加する電圧値をオフにしているが、電圧値をオフにする前に、例えば所定時間、逆の極性の電圧を印加するようにしてもよい。例えば、図９において、第１ショット領域群Ｓ１の各ショット領域Ｓに対するパターンの形成動作が終了し、第２ショット領域群Ｓ２のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行を開始する際、例えば正の電位が与えられていた電極部材３（正極３１Ａ）に印加する電圧値を所定時間、負の電位を与える。こうすることにより、残留する静電力（吸着力）の発生を抑制することができる。同様に、負の電位が与えられていた電極部材３（負極３２Ａ）に印加する電圧値を所定時間、正の電位を与えることができる。その後、電極部材３の電圧をオフにすればよい。
【０１２６】
また、本実施形態においては、露光が終了した領域に対応する電極の電圧を全てオフにしているが、ショット領域の一部、例えばショット領域Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９に対応する電極については全ての露光が終了するまで電圧をオフにせず、ショット領域Ｓ１〜Ｓ６に対応する電極のみ露光が終了した時点で電圧をオフにしてもよい。
【０１２７】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１２８】
上述の第１実施形態においては、パターンの形成動作が実行された後のショット領域Ｓに対応する電極部材３に印加する電圧値をオフにしているが、第２実施形態の特徴的な部分は、電圧値をオフにせずに、印加する電圧値の絶対値を小さくする点にある。
【０１２９】
図１４、図１５、及び図１６は、第２実施形態に係る電源装置２２の動作の一例を説明するための模式図である。上述の第１実施形態と同等、第２実施形態においても、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓにパターンが順次形成される。本実施形態においては、電源装置２２は、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値に設定し、パターンの形成動作が実行された後であって、パターンの形成動作が行われていないショット領域Ｓに対応する電極部材３に印加する電圧値が、第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値となるように電圧を印加する。なお、第１の電圧値及び第２の電圧値は絶対値である。
【０１３０】
例えば、第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対するパターンの形成動作の進行中、すなわち、第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓの露光中において、電源装置２２は、第１〜第９電極パターン３Ａ〜３Ｉの全ての電極部材３（正極３１、負極３２）に第１の電圧値の電圧を印加する。これにより、静電力によって、保持面１９に基板Ｐが吸着されるように保持される。
【０１３１】
そして、例えば図１４の模式図に示すように、第１ショット領域群Ｓ１の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第２ショット領域群Ｓ２のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対応する第１電極パターン３Ａの電極部材３に印加する電圧値を、第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値に設定する。
電源装置２２は、例えば電圧調整器２６を用いて、第１電極パターン３Ａの電極部材３に印加する電圧値を第２の電圧値にする。また、本実施形態においては、電源装置２２は、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第２〜第９ショット領域群Ｓ２〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第２〜第９電極パターン３Ｂ〜３Ｉに電源装置２２によって印加される電圧値を第１の電圧値に維持する。
【０１３２】
複数のショット領域Ｓに対する露光が進行し、図１５の模式図に示すように、第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第１〜第３電極パターン３Ａ〜３Ｃの電極部材３に印加する電圧値を、第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値に設定する。また、本実施形態においては、電源装置２２は、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第４〜第９ショット領域群Ｓ４〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第４〜第９電極パターン３Ｂ〜３Ｉに電源装置２２によって印加される電圧値を第１の電圧値に維持する。
【０１３３】
複数のショット領域Ｓに対する露光が進行し、図１６の模式図に示すように、第１〜第８ショット領域群Ｓ１〜Ｓ８の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第９ショット領域群Ｓ９のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第８ショット領域群Ｓ１〜Ｓ８のショット領域Ｓに対応する第１〜第８電極パターン３Ａ〜３Ｈの電極部材３に印加する電圧値を、第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値に設定する。また、本実施形態においては、電源装置２２は、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第９ショット領域群Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第９電極パターン３Ｉに電源装置２２によって印加される電圧値を第１の電圧値に維持する。
【０１３４】
そして、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後、すなわち全てのショット領域Ｓの露光が終了した後、電源装置２２は、複数の電極部材３全てに対する電圧の印加を停止する。そして、制御装置５は、露光後の基板Ｐを保持部材２０から搬出（アンロード）する動作を開始する。
【０１３５】
このように、本実施形態においては、複数の電極部材３に電圧を印加して保持面１９に基板Ｐを吸着させた後、第１、第２、…、第９電極パターン３Ａ、３Ｂ、…、３Ｉの順序で、複数の電極部材３のそれぞれに対して印加される電圧値が順次低減される。そして、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後、保持面１９と基板Ｐとを移動機構４４を用いて離す際、移動機構４４は、電圧値が最初に低減された第１電極パターン３Ａの電極部材３に対応する基板Ｐの一部分と保持面１９とが最初に離れるように、保持面１９に対する基板Ｐの移動を開始する。
【０１３６】
以上説明したように、本実施形態においても、電源装置２２が基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて各電極部材３に印加する電圧を調整するので、基板Ｐを保持する動作を良好に実行しつつ、基板Ｐを搬出（アンロード）する動作を高速に実行することができる。したがって、基板Ｐを良好に保持した状態で、基板Ｐにパターンを形成する動作を良好に実行して、所望の性能を有するデバイスを製造できる。また、スループットを向上して、デバイスの生産性の向上に寄与できる。
【０１３７】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１３８】
上述の実施形態においては、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域群に対応する電極部材３に所定値（第１の電圧値）の電圧を印加し、パターンが形成された後の基板Ｐ上のショット領域群に対応する電極部材３に印加する電圧値を所定値（第１の電圧値）の電圧よりも小さい値（０、又は第２の電圧値）に設定している。第３実施形態の特徴的な部分は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域群に対応する電極部材３に所定値の電圧を印加し、他のショット領域群、すなわちパターンが形成される前、及びパターンが形成された後のショット領域群に対応する電極部材３に印加する電圧値を、所定値よりも小さい値に設定する点にある。
【０１３９】
図１７、図１８、及び図１９は、第３実施形態に係る電源装置２２の動作の一例を説明するための模式図である。上述の実施形態と同等、第３実施形態においても、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓにパターンが順次形成される。
【０１４０】
例えば図１７の模式図に示すように、第３ショット領域群Ｓ３のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第３ショット領域群Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第３電極パターン３Ｃの電極部材３に所定値の電圧を印加し（オンにし）、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１、第２ショット領域群Ｓ１、Ｓ２のショット領域Ｓに対応する第１、第２電極パターン３Ａ、３Ｂの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第４〜第９ショット領域群Ｓ４〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第４〜第９電極パターン３Ｄ〜３Ｉの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。
【０１４１】
図１８の模式図に示すように、第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対応する第４電極パターン３Ｄの電極部材３に所定値の電圧を印加し（オンにし）、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第１〜第３電極パターン３Ａ〜３Ｃの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第５〜第９ショット領域群Ｓ５〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第５〜第９電極パターン３Ｅ〜３Ｉの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。
【０１４２】
図１９の模式図に示すように、第１〜第４ショット領域群Ｓ１〜Ｓ４の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第５ショット領域群Ｓ５のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第５ショット領域群Ｓ５のショット領域Ｓに対応する第５電極パターン３Ｅの電極部材３に所定値の電圧を印加し（オンにし）、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第４ショット領域群Ｓ１〜Ｓ４のショット領域Ｓに対応する第１〜第４電極パターン３Ａ〜３Ｄの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第６〜第９ショット領域群Ｓ６〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第６〜第９電極パターン３Ｆ〜３Ｉの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。
【０１４３】
以下同様に、パターンの形成動作が進行中のショット領域群に対応する電極パターンの電極部材のみに所定値の電圧を印加し、他のショット領域群に対応する電極パターンの電極部材３に印加する電圧値をオフにしつつ、各ショット領域Ｓに対するパターンの形成動作を実行する。
【０１４４】
そして、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後、すなわち全てのショット領域Ｓの露光が終了した後、電源装置２２は、複数の電極部材３全てに対する電圧の印加を停止する。そして、制御装置５は、露光後の基板Ｐを保持部材２０から搬出（アンロード）する動作を開始する。
【０１４５】
本実施形態においても、電源装置２２が基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて各電極部材３に印加する電圧を調整するので、基板Ｐを保持する動作を良好に実行しつつ、基板Ｐを搬出（アンロード）する動作を高速に実行することができる。したがって、基板Ｐを良好に保持した状態で、基板Ｐにパターンを形成する動作を良好に実行して、所望の性能を有するデバイスを製造できる。また、スループットを向上して、デバイスの生産性の向上に寄与できる。
【０１４６】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１４７】
図２０、図２１、及び図２２は、第４実施形態に係る電源装置２２の動作の一例を説明するための模式図である。上述の実施形態と同等、第４実施形態においても、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓにパターンが順次形成される。
【０１４８】
例えば図２０の模式図に示すように、第３ショット領域群Ｓ３のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第３ショット領域群Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第３電極パターン３Ｃの電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値に設定し、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１、第２ショット領域群Ｓ１、Ｓ２のショット領域Ｓに対応する第１、第２電極パターン３Ａ、３Ｂの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第４〜第９ショット領域群Ｓ４〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第４〜第９電極パターン３Ｄ〜３Ｉの電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値に設定する。
【０１４９】
図２１の模式図に示すように、第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対応する第４電極パターン３Ｄの電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値に設定し、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第１〜第３電極パターン３Ａ〜３Ｃの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第５〜第９ショット領域群Ｓ５〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第５〜第９電極パターン３Ｅ〜３Ｉの電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値に設定する。
【０１５０】
図２２の模式図に示すように、第１〜第４ショット領域群Ｓ１〜Ｓ４の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第５ショット領域群Ｓ５のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第５ショット領域群Ｓ５のショット領域Ｓに対応する第５電極パターン３Ｅの電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値に設定し、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第４ショット領域群Ｓ１〜Ｓ４のショット領域Ｓに対応する第１〜第４電極パターン３Ａ〜３Ｄの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第６〜第９ショット領域群Ｓ６〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第６〜第９電極パターン３Ｆ〜３Ｉの電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値に設定する。
【０１５１】
以下同様に、パターンの形成動作が進行中のショット領域群に対応する電極パターンの電極部材に印加する電圧値を第１の電圧値に設定し、他のショット領域群に対応する電極パターンの電極部材３に印加する電圧値を第２の電圧値に設定しつつ、各ショット領域Ｓに対するパターンの形成動作を実行する。
【０１５２】
そして、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後、すなわち全てのショット領域Ｓの露光が終了した後、電源装置２２は、複数の電極部材３全てに対する電圧の印加を停止する。そして、制御装置５は、露光後の基板Ｐを保持部材２０から搬出（アンロード）する動作を開始する。
【０１５３】
本実施形態においても、電源装置２２が基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて各電極部材３に印加する電圧を調整するので、基板Ｐを保持する動作を良好に実行しつつ、基板Ｐを搬出（アンロード）する動作を高速に実行することができる。したがって、基板Ｐを良好に保持した状態で、基板Ｐにパターンを形成する動作を良好に実行して、所望の性能を有するデバイスを製造できる。また、スループットを向上して、デバイスの生産性の向上に寄与できる。
【０１５４】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１５５】
図２３は、第５実施形態に係る保持部材２０Ｂを示す図である。本実施形態においては、保持部材２０Ｂには、１８の正極３１（３１Ａ〜３１Ｒ）と、それら１８の正極３１（３１Ａ〜３１Ｒ）のそれぞれに対応する１８の負極３２（３２Ａ〜３２Ｒ）とが設けられている。第１、第２、…、第１８正極３１Ａ、３１Ｂ、…、３１Ｒのそれぞれと、第１、第２、…、第１８負極３２Ａ、３２Ｂ、…、３２Ｒのそれぞれとが対応している。なお、図２３においては、支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃの図示は省略してある。
【０１５６】
そして、第１、第２、…、第１８正極３１Ａ、３１Ｂ、…、３１Ｒのそれぞれと、第１、第２、…、第１８負極３２Ａ、３２Ｂ、…、３２Ｒのそれぞれとによって、第１、第２、…、第１８電極パターン３Ａ、３Ｂ、…、３Ｒが形成されている。
【０１５７】
図２４は、本実施形態に係る電極部材３と基板Ｐ状に設定されるショット領域Ｓとの関係を示す図である。上述の各実施形態と同様、本実施形態において、基板Ｐ上には、第１、第２、…、第９ショット領域群Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓ９が設定される。
【０１５８】
図２４に示すように、複数の電極部材３のそれぞれは、パターン情報に応じた大きさ及び形状を有し、パターン情報に応じて保持部材２０に配置されている。上述のように、パターン情報は、基板Ｐ上でのショット領域Ｓに関する情報、ひいては基板Ｐに形成されるチップ情報を含む。
【０１５９】
図２４に示すように、複数の電極部材３は、基板Ｐ上に設定されるショット領域Ｓに関する情報に応じて配置されている。本実施形態においては、各電極部材３のＹ軸方向の大きさは、ショット領域ＳのＹ軸方向の半分の大きさとほぼ一致するように設定されている。すなわち、Ｙ軸方向に関して、１つ分のショット領域Ｓの大きさと、２つ分の電極部材３の大きさとがほぼ一致するように設定されている。また、電極部材３によって形成される第１〜第１８電極パターン３Ａ〜３ＲそれぞれのＸ軸方向の大きさは、ショット領域Ｓによって形成される第１〜第９ショット領域群Ｓ１〜Ｓ９それぞれのＸ軸方向の大きさと対応するように設定されている。
【０１６０】
すなわち、各電極部材３は、複数のショット領域Ｓに対応するように配列されている。
本実施形態においては、第１、第２電極パターン３Ａ、３Ｂが、第１ショット領域群Ｓ１に対応するように配置されており、第３、第４電極パターン３Ｃ、３Ｄが、第２ショット領域群Ｓ２に対応するように配置されている。同様に、第５、第６電極パターン３Ｅ、３Ｆが、第３ショット領域群Ｓ３に対応するように配置され、第７、第８電極パターン３Ｇ、３Ｈが、第４ショット領域群Ｓ４に対応するように配置され、第９、第１０電極パターン３Ｉ、３Ｊが、第５ショット領域群Ｓ５に対応するように配置され、第１１、第１２電極パターン３Ｋ、３Ｌが、第６ショット領域群Ｓ６に対応するように配置され、第１３、第１４電極パターン３Ｍ、３Ｎが、第７ショット領域群Ｓ７に対応するように配置され、第１５、第１６電極パターン３Ｏ、３Ｐが、第８ショット領域群Ｓ８に対応するように配置され、第１７、第１８電極パターン３Ｑ、３Ｒが、第９ショット領域群Ｓ９に対応するように配置されている。
【０１６１】
次に、本実施形態に係る保持部材２０Ｂの動作の一例について説明する。基板Ｐに対する露光を開始する前の所定のタイミングにおいて、入力装置７より、パターン情報を含む露光条件（パターン形成条件）が入力される。そして、その入力装置７より入力されたパターン情報に応じて、電源装置２２より各電極部材３に印加する電圧が調整される。なお、パターン情報を含む露光条件（パターン形成条件）が記憶装置８に予め記憶され、その記憶装置８に記憶されているパターン情報に応じて、電源装置２２より各電極部材３に印加する電圧が調整されてもよい。
【０１６２】
本実施形態においては、制御装置５が、最初に第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓを露光し、その後、第２、第３、…、第８ショット領域群Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ８のショット領域Ｓを順次露光し、最後に第９ショット領域群Ｓ９のショット領域Ｓを露光する場合を例にして説明する。
【０１６３】
電極部材３が設けられた保持部材２０の保持面１９に基板Ｐを載せた後、基板Ｐを保持面１９に静電力で吸着するために、制御装置５は、電源装置２２を用いて、電極部材３に所定の電圧を印加する。本実施形態においては、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域群に対応する電極部材３に所定値の電圧を印加し、他のショット領域群に対応する電極部材に印加する電圧値をオフにする。
【０１６４】
例えば図２４の模式図に示すように、第３ショット領域群Ｓ３のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第３ショット領域群Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第５、第６電極パターン３Ｅ、３Ｆの電極部材３に所定値の電圧を印加し（オンにし）、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１、第２ショット領域群Ｓ１、Ｓ２のショット領域Ｓに対応する第１〜第４電極パターン３Ａ〜３Ｄの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第４〜第９ショット領域群Ｓ４〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第７〜第１８電極パターン３Ｇ〜３Ｒの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。
【０１６５】
図２５の模式図に示すように、第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対応する第７、第８電極パターン３Ｇ、３Ｈの電極部材３に所定値の電圧を印加し（オンにし）、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第１〜第６電極パターン３Ａ〜３Ｆの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第５〜第９ショット領域群Ｓ５〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第９〜第１８電極パターン３Ｉ〜３Ｒの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。
【０１６６】
以下同様に、パターンの形成動作が進行中のショット領域群に対応する電極パターンの電極部材のみに所定値の電圧を印加し、他のショット領域群に対応する電極パターンの電極部材３に印加する電圧値をオフにしつつ、各ショット領域Ｓに対するパターンの形成動作を実行する。
【０１６７】
そして、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後、すなわち全てのショット領域Ｓの露光が終了した後、電源装置２２は、複数の電極部材３全てに対する電圧の印加を停止する。そして、制御装置５は、露光後の基板Ｐを保持部材２０から搬出（アンロード）する動作を開始する。
【０１６８】
本実施形態においても、電源装置２２が基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて各電極部材３に印加する電圧を調整するので、基板Ｐを保持する動作を良好に実行しつつ、基板Ｐを搬出（アンロード）する動作を高速に実行することができる。したがって、基板Ｐを良好に保持した状態で、基板Ｐにパターンを形成する動作を良好に実行して、所望の性能を有するデバイスを製造できる。また、スループットを向上して、デバイスの生産性の向上に寄与できる。
【０１６９】
＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１７０】
図２６は、本実施形態に係る電極部材３と基板Ｐ状に設定されるショット領域Ｓとの関係を示す図である。上述の第５実施形態と同様、保持部材２０Ｂは、１８の正極３１（３１Ａ〜３１Ｒ）と、それら１８の正極３１（３１Ａ〜３１Ｒ）のそれぞれに対応する１８の負極３２（３２Ａ〜３２Ｒ）とを備えている。そして、第１、第２、…、第１８正極３１Ａ、３１Ｂ、…、３１Ｒのそれぞれと、第１、第２、…、第１８負極３２Ａ、３２Ｂ、…、３２Ｒのそれぞれとによって、第１、第２、…、第１８電極パターン３Ａ、３Ｂ、…、３Ｒが形成されている。
【０１７１】
本実施形態においては、基板Ｐ上には、第１、第２、…、第６ショット領域群Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓ６が設定される。図２６に示すように、複数の電極部材３は、基板Ｐ上に設定されるショット領域Ｓに関する情報に応じて配置されている。本実施形態においては、各電極部材３のＹ軸方向の大きさは、ショット領域ＳのＹ軸方向の３分の１の大きさとほぼ一致するように設定されている。すなわち、Ｙ軸方向に関して、１つ分のショット領域Ｓの大きさと、３つ分の電極部材３の大きさとがほぼ一致するように設定されている。また、電極部材３によって形成される第１〜第１８電極パターン３Ａ〜３ＲそれぞれのＸ軸方向の大きさは、ショット領域Ｓによって形成される第１〜第６ショット領域群Ｓ１〜Ｓ６それぞれのＸ軸方向の大きさと対応するように設定されている。
【０１７２】
すなわち、本実施形態においても、各電極部材３は、複数のショット領域Ｓに対応するように配列されている。本実施形態においては、第１〜第３電極パターン３Ａ〜３Ｃが、第１ショット領域群Ｓ１に対応するように配置されており、第４〜第６電極パターン３Ｄ〜３Ｆが、第２ショット領域群Ｓ２に対応するように配置されている。同様に、第７〜第９電極パターン３Ｇ〜３Ｉが、第３ショット領域群Ｓ３に対応するように配置され、第１０〜第１２電極パターン３Ｊ〜３Ｌが、第４ショット領域群Ｓ４に対応するように配置され、第１３〜第１５電極パターン３Ｍ〜３Ｏが、第５ショット領域群Ｓ５に対応するように配置され、第１６〜第１８電極パターン３Ｐ〜３Ｒが、第６ショット領域群Ｓ６に対応するように配置されている。
【０１７３】
次に、本実施形態に係る保持部材２０Ｂの動作の一例について説明する。基板Ｐに対する露光を開始する前の所定のタイミングにおいて、入力装置７より、パターン情報を含む露光条件（パターン形成条件）が入力される。そして、その入力装置７より入力されたパターン情報に応じて、電源装置２２より各電極部材３に印加する電圧が調整される。なお、パターン情報を含む露光条件（パターン形成条件）が記憶装置８に予め記憶され、その記憶装置８に記憶されているパターン情報に応じて、電源装置２２より各電極部材３に印加する電圧が調整されてもよい。
【０１７４】
本実施形態においては、制御装置５が、最初に第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓを露光し、その後、第２、第３、…、第５ショット領域群Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ５のショット領域Ｓを順次露光し、最後に第６ショット領域群Ｓ６のショット領域Ｓを露光する場合を例にして説明する。
【０１７５】
電極部材３が設けられた保持部材２０の保持面１９に基板Ｐを載せた後、基板Ｐを保持面１９に静電力で吸着するために、制御装置５は、電源装置２２を用いて、電極部材３に所定の電圧を印加する。本実施形態においては、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域群に対応する電極部材３に所定値の電圧を印加し、他のショット領域群に対応する電極部材に印加する電圧値をオフにする。
【０１７６】
例えば図２６の模式図に示すように、第２ショット領域群Ｓ２のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第２ショット領域群Ｓ２のショット領域Ｓに対応する第４〜第６電極パターン３Ｄ〜３Ｆの電極部材３に所定値の電圧を印加し（オンにし）、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対応する第１〜第３電極パターン３Ａ〜３Ｃの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第３〜第６ショット領域群Ｓ３〜Ｓ６のショット領域Ｓに対応する第７〜第１８電極パターン３Ｇ〜３Ｒの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。
【０１７７】
図２７の模式図に示すように、第１、第２ショット領域群Ｓ１、Ｓ２の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第３ショット領域群Ｓ３のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第３ショット領域群Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第７〜第９電極パターン３Ｇ〜３Ｉの電極部材３に所定値の電圧を印加し（オンにし）、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１、第２ショット領域群Ｓ１、Ｓ２のショット領域Ｓに対応する第１〜第６電極パターン３Ａ〜３Ｆの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第４〜第６ショット領域群Ｓ４〜Ｓ６のショット領域Ｓに対応する第１０〜第１８電極パターン３Ｊ〜３Ｒの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。
【０１７８】
以下同様に、パターンの形成動作が進行中のショット領域群に対応する電極パターンの電極部材のみに所定値の電圧を印加し、他のショット領域群に対応する電極パターンの電極部材３に印加する電圧値をオフにしつつ、各ショット領域Ｓに対するパターンの形成動作を実行する。
【０１７９】
そして、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後、すなわち全てのショット領域Ｓの露光が終了した後、電源装置２２は、複数の電極部材３全てに対する電圧の印加を停止する。そして、制御装置５は、露光後の基板Ｐを保持部材２０から搬出（アンロード）する動作を開始する。
【０１８０】
本実施形態においても、電源装置２２が基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて各電極部材３に印加する電圧を調整するので、基板Ｐを保持する動作を良好に実行しつつ、基板Ｐを搬出（アンロード）する動作を高速に実行することができる。したがって、基板Ｐを良好に保持した状態で、基板Ｐにパターンを形成する動作を良好に実行して、所望の性能を有するデバイスを製造できる。また、スループットを向上して、デバイスの生産性の向上に寄与できる。
【０１８１】
なお、上述の第５、第６実施形態においては、パターンの形成動作が進行中のショット領域群以外のショット領域群に対応する電極部材３に印加する電圧値がオフである場合を例にして説明したが、パターンの形成動作が進行中のショット領域群に対応する電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値とし、パターンの形成動作が進行中のショット領域群以外のショット領域群に対応する電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値（０以外の値）としてもよい。
【０１８２】
また、上述の第５、第６実施形態においては、パターンが形成される前のショット領域群に対応する電極部材３に印加される電圧値が、パターンの形成動作が進行中のショット領域群に対応する電極部材３に印加される電圧値よりも小さい場合を例にして説明したが、パターンが形成される前のショット領域群に対応する電極部材３に印加される電圧値が、パターンの形成動作が進行中のショット領域群に対応する電極部材３に印加される電圧値と同じであってもよい。
【０１８３】
上述の実施形態では、ショット領域の幅を変更したときでも、同時に制御する電極の数を変更するだけで、ショット領域毎の電圧制御を実行できる。なお、上述の実施形態では電極の幅をショット領域の幅の半分にしているが、各ショット領域の幅内を更に複数の電極で構成してもよい。
【０１８４】
＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１８５】
上述の第１〜第６実施形態においては、保持部材２０に対して基板Ｐを移動する移動機構４４は、保持部材２０に設けられた支持部材４１Ａ〜４１Ｃを備えているが、第７実施形態の特徴的な部分は、移動機構が、保持部材に対して基板Ｐ搬入及び搬出する搬送部材を備える点にある。
【０１８６】
図２８は、第７実施形態に係る移動機構４４Ｂを示す斜視図である。本実施形態の移動機構４４Ｂは、保持部材２０Ｃに対して基板Ｐを搬入及び搬出する搬送部材５１を備えている。移動機構４４Ｂは、搬送部材５１を用いて、保持部材２０の保持面１９に対して基板Ｐを近付ける方向及び離れる方向に移動する。
【０１８７】
図２８に示すように、本実施形態の搬送部材５１は、アーム部５２と、アーム部５２に設けられ、基板Ｐの裏面の所定領域（本実施形態では、基板Ｐの周縁部の裏面）を支持する複数の支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃとを備えている。本実施形態においては搬送部材５１は、３つの支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃを備えている。
【０１８８】
アーム部５２は、ＸＹ平面内において円弧状の部材であって、保持部材２０Ｃの側面に沿うように形成されている。アーム部５２は、保持部材２０Ｃの側面を囲むように配置可能である。また、アーム部５２は、２つの先端のそれぞれに、内側（円弧状のアーム部５２の中心側）に突出する第１、第２突出部５２Ａ、５２Ｂを有する。また、アーム部５２は、２つの先端のほぼ中央に、内側に突出する第３突出部５２Ｃを有する。第１、第２、第３支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃは、アーム部５２の第１、第２、第３突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃのそれぞれに配置されている。第１、第２、第３支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃのそれぞれは、アーム部５２から上方（＋Ｚ方向）に突出する形状を有する。
【０１８９】
保持部材２０Ｃは、第１〜第９電極パターン３Ａ〜３Ｉを備えている。また、保持部材２０Ｃの−Ｘ側の側面及び＋Ｘ側の側面のそれぞれには、Ｙ軸方向に延びる溝５４Ａ、５４Ｂが形成されている。 また、保持部材２０Ｃは、第１、第２、第３突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃのそれぞれに対応するように形成された第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃを備えている。第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃのそれぞれは、保持部材２０Ｃの側面に形成されており、第１、第２、第３突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃを配置可能である。本実施形態においては、第３突出部５２Ｃに対応する第３凹部５５Ｃは、保持面１９の中心に対して−Ｙ側（第１電極パターン３Ａ側）に配置されている。
第１、第２突出部５２Ａ、５２Ｂに対応する第１、第２凹部５５Ａ、５５Ｂは、保持面１９の中心に対して＋Ｙ側（第９電極パターン３Ｉ側）に配置されている。
【０１９０】
第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃのそれぞれは、Ｚ軸方向に延びるように形成されており、保持面１９の一部を切り欠くように形成されている。また、第１、第２凹部５５Ａ、５５Ｂは、保持面１９と溝５４とを接続するように形成されている。第１、第２、第３突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃのそれぞれは、第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃ内で、かつ第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃに沿って、Ｚ軸方向に移動可能である。
【０１９１】
第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃのそれぞれは、保持面１９の一部を切り欠くように形成されているため、保持面１９に載せられた基板Ｐの裏面の一部は、第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃに露出する。
【０１９２】
移動機構４４Ｂは、保持部材２０Ｃの第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃ内に、搬送部材５１の第１、第２、第３突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃを配置した状態で、第１、第２、第３支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃの上端が保持面１９よりも＋Ｚ側に配置されるように搬送部材５１を移動可能であるとともに、第１、第２、第３支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃの上端が保持面１９よりも−Ｚ側に配置されるように搬送部材５１を移動可能である。
【０１９３】
保持面１９に載せられた基板Ｐの裏面の一部は、第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃに露出しているので、搬送部材５１は、第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃに露出している基板Ｐの裏面の一部を支持部５３で支持しながら、保持部材２０の保持面１９に対してＺ軸方向に移動可能である。すなわち、移動機構４４は、搬送部材５１の第１、第２、第３支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃに基板Ｐを支持した状態で、その搬送部材５１をＺ軸方向に移動することにより、保持部材２０の保持面１９と基板Ｐの裏面とが近付く方向及び離れる方向に基板Ｐを移動可能である。
【０１９４】
搬送部材５１を用いて保持部材２０Ｃに基板Ｐを搬入（ロード）するときには、移動機構４４Ｂは、基板Ｐを各支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃで支持した搬送部材５１を保持部材２０Ｃの保持面１９の上方に配置し、保持部材２０Ｃの各凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃの上端と搬送部材５１の各突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃとを位置合わせした状態で、搬送部材５１を−Ｚ方向に移動する。搬送部材５１の各突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃは、各凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃに沿って−Ｚ方向に移動可能であり、搬送部材５１の−Ｚ方向への移動に伴って、支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃに支持されている基板Ｐの裏面と保持部材２０Ｃの保持面１９とが接触する。そして、搬送部材５１がさらに−Ｚ方向へ移動することによって、保持面１９に基板Ｐが載るとともに、基板Ｐの裏面と支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃとが離れる。そして、さらに搬送部材５１を−Ｚ方向へ移動して、第１、第２突出部５２Ａ、５２Ｂを溝５４Ａ、５４Ｂに配置した後、移動機構４４Ｂは、搬送部材５１を、−Ｙ方向に移動する。搬送部材５１の第１、第２突出部５２Ａ、５２Ｂは、溝５４Ａ、５４Ｂの内側で−Ｙ方向に移動可能である。そのため、搬送部材５１は、保持部材２０Ｃとの接触を抑制されつつ、−Ｙ方向に移動して、保持部材２０Ｃから離れることができる。
【０１９５】
また、搬送部材５１を用いて保持部材２０Ｃ上の基板Ｐを搬出（アンロード）するときには、移動機構４４Ｂは、搬送部材５１を保持部材２０Ｃの−Ｙ側に配置し、第１、第２突出部５２Ａ、５２Ｂと溝５４Ａ、５４Ｂとを位置合わせした状態で、搬送部材５１を＋Ｙ方向に移動する。搬送部材５１の第１、第２突出部５２Ａ、５２Ｂは、溝５４Ａ、５４Ｂ内で、かつ溝５４Ａ、５４Ｂに沿って＋Ｙ方向に移動可能であり、搬送部材５１の＋Ｙ方向への移動に伴って、第１、第２突出部５２Ａ、５２Ｂと第１、第２凹部５５Ａ、５５Ｂとが位置合わせされる。また、第３突出部５２Ｃと第３凹部５５Ｃとが位置合わせされる。そして、移動機構４４Ｂは、保持部材２０Ｃの各凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃの下端と搬送部材５１の各突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃとを位置合わせした状態で、搬送部材５１を＋Ｚ方向に移動する。搬送部材５１の各突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃは、各凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃの内側で＋Ｚ方向に移動可能であり、搬送部材５１の＋Ｚ方向への移動に伴って、保持面１９に載せられている基板Ｐの裏面の一部と支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃとが接触する。そして、搬送部材５１がさらに＋Ｚ方向へ移動することによって、支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃに基板Ｐが支持されるとともに、基板Ｐの裏面と保持面１９とが離れる。そして、さらに搬送部材５１を＋Ｚ方向へ移動して、保持部材２０と基板Ｐを支持した搬送部材５１とを十分に離した後、移動機構４４Ｂは、搬送部材５１を、所定方向に移動する。これにより、基板Ｐは、搬送部材５１によって、保持部材２０Ｃより搬出される。
【０１９６】
図２９は、本実施形態に係る移動機構４４Ｂによって、保持部材２０Ｃと基板Ｐとを離すときの動作の一例を示す模式図である。図２９に示すように、移動機構４４Ｂは、基板Ｐの裏面の一部分が他の部分よりも保持面１９から先に離れるように、保持部材２０Ｃに対する基板Ｐの移動を開始する。本実施形態においては、第３支持部５３Ｃが、保持面１９から先に離れる基板Ｐの裏面の一部分を支持する。換言すれば、３つの支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃのうち、第３支持部５３Ｃが、他の支持部５３Ａ、５３Ｂよりも先に、保持面１９から＋Ｚ方向への移動を開始するように、移動機構４４Ｂの駆動が制御される。
【０１９７】
上述の実施形態と同様、複数の電極パターン３Ａ〜３Ｉそれぞれの電極部材３に電圧を印加して保持面１９に基板Ｐを吸着させた後、パターンを形成する順序（ショット領域Ｓを露光する順序）に応じて、複数の電極部材３に対する電圧の印加の停止が所定の順序で実行される。すなわち、まず、第１電極パターン３Ａの電極部材３に対する電圧の印加が停止され、その後、第２、第３、…、第９電極パターン３Ｂ、３Ｃ、…、３Ｉの順序で、電極部材３に対する電圧の印加が停止される。移動機構４４Ｂは、電圧の印加が最初に停止された第１電極パターン３Ａの電極部材３に対応する基板Ｐの裏面の一部分、すなわち基板Ｐの−Ｙ側のエッジ近傍の一部分と保持部材２０Ｃの保持面１９とが最初に離れるように、保持部材２０Ｃに対する基板Ｐの移動を開始する。
【０１９８】
本実施形態においては、複数の支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃのうち、第３支持部５３Ｃが、基板Ｐの−Ｙ側のエッジ近傍に配置されている。制御装置５は、３つの支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃのうち、第３支持部５３Ｃが、他の支持部５３Ａ、５３Ｂよりも先に、保持面１９から＋Ｚ方向への移動を開始するように、移動機構４４Ｂを制御することによって、第３支持部５３Ｃで支持された基板Ｐの−Ｙ側のエッジ近傍を、保持部材２０Ｃの保持面１９から最初に離れるように、基板Ｐを移動させることができる。
【０１９９】
また、第３支持部５３Ｃに接地された導電部材を設けることにより、基板Ｐに帯電している電気（電荷）を良好に取り除くことができる。
【０２００】
また、本実施形態において、例えば支持部５３Ａ、５３Ｂに、基板Ｐを支持部５３Ａ、５３Ｂに吸着するための静電力を発生させる電極部材を含む静電チャック機構を設けることができる。
【０２０１】
なお、上述の各実施形態においては、移動機構４４は、ほぼ静止している保持部材２０に対して基板Ｐを移動しているが、ほぼ静止した基板Ｐに対して保持部材２０を移動させてもよいし、保持部材２０と基板Ｐとの両方を動かすようにしてもよい。
【０２０２】
さらに、上述の各実施形態においては、移動機構４４、４４Ｂは、複数の電極部材を備える保持部材２０、２０Ｃに適用した場合を説明したが、移動機構４４、４４Ｂは、１つあるいは２つの電極部材を備える保持部材に適用してもよい。
【０２０３】
また、上述の各実施形態において、保持部材２０、２０Ｃは、先端部分が同一面上に配置された多数のピン部材（凸部あるいは突起部）を介して基板Ｐの裏面を支持してもよい。このように、保持部材２０、２０Ｃが多数のピン部材を備える場合には、多数のピン部材の先端部分を含む面を保持面とすることができる。
【０２０４】
なお、上述の各実施形態においては、基板Ｐに帯電している電気を取り除く除電装置４７は、保持部材２０の保持面１９と接触する接地された導電部材４８を備えているが、基板Ｐの側面、表面の一部等に接触する接地された導電部材を備えていてもよい。また、基板Ｐに帯電している電気を取り除くことができるのであれば、導電部材は必ずしも接地されていなくてもよい。
【０２０５】
なお、上述の各実施形態においては、静電チャック機構が、所謂、双極方式である場合を例にして説明したが、単極方式であってもよい。
【０２０６】
更に、上述の各実施形態では、Ｙ軸方向にのみ電極部材を分割し、Ｘ軸方向には正極と負極のペアを作成しているのみであるが、更に、Ｘ軸方向にも電極部材を分割して、Ｘ軸方向に関する露光が終了した領域に対応する電極部材の電圧をオフにしてもよい。例えば、チップ幅に関連した間隔で、あるいはスキャン露光を行うスリット（投影領域）の幅に関連した間隔で、正極と負極が配置されるように複数の電極部材を配置しておき、露光が終了したチップ、あるいはスリットの幅に対応する電極部材の電圧を順次オフにするようにしてもよい。
【０２０７】
また、Ｙ軸方向及びＸ軸方向のそれぞれに電極部材を複数に分割した場合、基板Ｐに形成されたパターン情報、例えば、ショット領域Ｓの大きさに応じて、複数の電極部材の中から、所定数の電極部材を選択すればよい。すなわち、所定数の電極部材は、各ショット領域Ｓのそれぞれに割り当てられることになる。この場合、電源装置は、ショット領域Ｓ毎に割り当てられた所定数の電極部材の電圧を調整すればよい。
【０２０８】
また、上述の各実施形態では、Ｘ軸方向に配置された正極と負極のペアの電圧を同時に変化させているが、一方の電極部材の電圧のみ変化させてもよい。
【０２０９】
なお、上述の実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）、またはフィルム部材等が適用される。また、基板はその形状が円形に限られるものでなく、矩形など他の形状でもよい。
【０２１０】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０２１１】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０２１２】
また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。
【０２１３】
また、本発明は、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【０２１４】
更に、例えば特開平１１−１３５４００号公報（対応国際公開第１９９９／２３６９２号パンフレット）、米国特許第６，８９７，９６３号等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
【０２１５】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０２１６】
以上のように、実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。
これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０２１７】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図３０に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクのパターンの像で基板に露光し、露光した基板を現像する基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０２１８】
なお、上述の実施形態においては、基板Ｐにパターンを形成するための装置が、感光性を有する基板Ｐに露光光ＥＬを照射することによってその基板Ｐにパターンを形成する露光装置である場合を例にして説明したが、本発明の保持装置は、基板Ｐ上にパターンを形成する種々のパターン形成装置に適用可能である。そのようなパターン形成装置としては、例えばインクの滴を基板上に吐出することによってその基板上にパターンを形成するインクジェット装置、凹凸パターンが形成された原版と有機材料が塗布された基板とを基板のガラス転移温度以上に加熱しながら押し当て、その後、原版と基板とを離すとともに基板を冷却して基板上に原版のパターンを転写するナノインプリント装置などが挙げられる。これらの装置に基板を保持する保持装置が設けられている場合には、本発明の保持装置を用いて基板を保持することで、基板を所望状態で保持することができる。例えば、基板Ｐの表面が複数の微小な領域に分けられ、インクジェット装置が、その微小な領域のそれぞれに対してパターンを形成する動作（インクの滴を吐出する動作）を実行する場合には、保持部材の電極部材は、微小な領域に応じて配置されるとともに、保持装置の電源装置は、パターンを形成する順序に応じて、保持部材に設けられた複数の電極部材のそれぞれに対して印加する電圧を調整する。
【０２１９】
また、本発明の保持装置は、パターン形成装置に限らず、例えば、基板Ｐにレジストを塗布する装置や、基板Ｐに形成されたパターンを現像する装置等の基板処理装置が備える保持装置にも適用することが可能である。このような保持装置に本発明を適用する場合、電源装置２２は、パターン情報を考慮せずに、電極部材のそれぞれに対して印加する電圧を任意に調整すればよい。
【０２２０】
なお、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【０２２１】
なお、上述のように本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いる事が可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある。
【符号の説明】
【０２２２】
２…基板ステージ、３…電極部材、３Ａ〜３Ｒ…電極パターン、１９…保持面、２０…保持部材、２２…電源装置、２５…スイッチ、３１…正極、３２…負極、４０Ａ〜４０Ｃ…支持面、４１Ａ〜４１Ｃ…支持部材、４４…移動機構、４６…電極部材、４７…除電装置、４８…導電部材、５１…搬送部材、５３Ａ〜５３Ｃ…支持部、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｍ…マスク、Ｐ…基板、Ｓ…ショット領域、Ｓ１〜Ｓ９…ショット領域群
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を保持する保持装置、基板を露光する露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造装置は、デバイスが製造される基板を保持する保持装置を備えている。例えばＥＵＶ露光装置、ＣＶＤ装置等は、下記特許文献に開示されているような、基板を静電力で保持する保持装置を備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第５７０８５５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
製造装置においては、保持装置に基板を搬入する動作、搬入された基板を保持装置で保持する動作、及び保持装置から基板を搬出する動作が実行される。デバイスを生産性良く良好に製造するために、保持装置には、上述の各動作を高速且つ良好に実行できることが要望される。静電力を用いた保持装置において、静電力に起因して、例えば基板を搬出する動作に時間がかかると、デバイスの生産性が劣化する可能性がある。また、基板を保持装置に搬入するときに、基板が所望の位置からずれたり、あるいは基板を保持装置から搬出するときに、基板に負荷がかかると、製造されるデバイスの性能が劣化する可能性がある。
【０００５】
本発明を例示する態様は、基板を搬入する動作、基板を保持する動作、及び基板を搬出する動作等の少なくとも一つの動作を高速に実行することが可能でデバイスの生産性の向上に寄与できる保持装置を提供することを目的とする。また別の目的は、その保持装置を用いて生産性の向上に寄与できる露光装置、露光方法を提供することである。また別の目的は、その露光装置、露光方法を用いるデバイス製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明を例示する各態様としては実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
【０００７】
本発明を例示する第１の態様に従えば、パターンが形成される基板（Ｐ）を保持する保持面（１９）を有する保持部材（２０）と、前記保持部材（２０）に設けられるとともに、前記パターンに関するパターン情報に応じて配置され、電圧の印加に応じて、前記基板（Ｐ）を前記保持面（１９）に吸着するための静電力を発生させる複数の第１電極部材（３）と、前記複数の第１電極部材（３）に印加する前記電圧を調整可能な電源装置（２２）と、を備え、前記電源装置（２２）は、前記パターンの形成動作が進行中の前記基板（Ｐ）上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材（３）に第１電圧を印加し、前記パターンの形成動作が終了した前記基板（Ｐ）上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材（３）に、前記第１電圧よりも低い電圧を印加し、前記基板（Ｐ）上の第１ショット領域とは異なる第２ショット領域に前記パターンの形成動作を進行している間、前記基板（Ｐ）上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材（３）を前記第１電圧よりも低い電圧に維持する保持装置（２）が提供される。
【０００８】
第１の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【０００９】
本発明を例示する第２の態様に従えば、基板（Ｐ）を保持する保持面（１９）を有する保持部材（２０）と、前記保持部材（２０）に設けられ、電圧の印加に応じて、前記基板（Ｐ）を前記保持面（１９）に吸着するための静電力を発生させる複数の第１電極部材（３）と、前記複数の第１電極部材（３）のうち少なくとも一つの第１電極部材（３）と、前記複数の第１電極部材（３）のうち少なくとも一つの第１電極部材（３）とは異なる第１電極部材（３）とに、異なる電圧を印加する電源装置（２２）と、を備え、前記電源装置（２２）は、前記少なくとも一つの第１電極部材（３）に第１電圧を印加するとともに、前記少なくとも一つの第１電極部材（３）とは異なる前記第１電極部材（３）に第１電圧とは異なる電圧を印加し、前記基板（Ｐ）にパターンの形成動作が進行中又は進行前の少なくとも一方の前記基板（Ｐ）上のショット領域に対応する前記少なくとも一つの第１電極部材（３）に印加する前記第１電圧を、前記少なくとも一つの第１電極部材（３）とは異なる前記第１電極部材（３）に印加する電圧よりも高く設定し、前記少なくとも一つの第１電極部材（３）に印加する前記第１電圧が、前記少なくとも一つの第１電極部材（３）とは異なる前記第１電極部材（３）に印加する電圧よりも高く設定されている間、前記少なくとも一つの第１電極部材（３）とは異なる前記第１電極部材（３）を、前記第１電圧よりも低い電圧に維持する保持装置（２）が提供される。
【００１０】
第２の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【００１１】
本発明を例示する第３の態様に従えば、基板（Ｐ）を保持する保持面（１９）を有する保持部材（２０）と、前記保持部材（２０）に設けられ、電圧の印加に応じて、前記基板（Ｐ）を前記保持面（１９）に吸着するための静電界を発生させる少なくとも一つの第１電極部材（３）と、前記基板（Ｐ）を支持する支持面（４０Ａ、４０Ｂ）を有し、前記保持面（１９）と前記基板（Ｐ）とが離れるように、前記基板（Ｐ）の所定領域を支持しながら前記保持部材（２０）に対して前記基板（Ｐ）を移動する移動部材（４１Ａ、４１Ｂ）を含む移動機構（４４）と、前記移動部材（４１Ａ、４１Ｂ）に設けられ、電圧の印加に応じて、前記基板（Ｐ）を前記支持面（４０Ａ、４０Ｂ）に吸着するための静電界を発生する第２電極部材（４６）と、を備えた保持装置（２）が提供される。
【００１２】
第３の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【００１３】
本発明を例示する第４の態様に従えば、基板（Ｐ）を保持する保持面（１９）を有する保持部材（２０）と、前記保持部材（２０）に設けられ、前記基板（Ｐ）を前記保持面（１９）に吸着するための静電力を発生させる電極部材（３）と、前記保持面（１９）と前記基板（Ｐ）とが離れるように前記保持部材（２０）と前記基板（Ｐ）とを相対的に移動させる移動機構（４４）と、前記保持部材（２０）と前記基板（Ｐ）とを離すときに、前記基板（Ｐ）に帯電している電気を取り除く除電装置（４７）と、を備えた保持装置（２）が提供される。
【００１４】
第４の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【００１５】
本発明を例示する第５の態様に従えば、パターンからの露光光（ＥＬ）で基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、露光光（ＥＬ）が照射される基板（Ｐ）を保持するために、上記態様の保持装置（２）を備える露光装置（ＥＸ）が提供される。
【００１６】
第５の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【００１７】
本発明を例示する第６の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いて基板（Ｐ）を露光することと、露光された基板（Ｐ）を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【００１８】
第６の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる露光装置を用いてデバイスを製造できる。
【００１９】
本発明を例示する第７の態様に従えば、パターンからの露光光（ＥＬ）で基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、複数の第１電極部材（３）が設けられた保持部材（２０）の保持面（１９）に前記基板（Ｐ）を載せることと、前記基板（Ｐ）を前記保持面（１９）に静電力で吸着するために、前記第１電極部材（３）に電圧を印加することと、前記パターンからの前記露光光（ＥＬ）を前記基板（Ｐ）に照射することと、を含み、前記第１電極部材（３）に電圧を印加することは、前記パターンの形成動作が進行中の前記基板（Ｐ）上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材（３）に第１電圧を印加し、前記パターンの形成動作が終了した前記基板（Ｐ）上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材（３）に、前記第１電圧よりも低い電圧を印加し、前記基板（Ｐ）上の第１ショット領域とは異なる第２ショット領域に前記パターンの形成動作を進行している間、前記基板（Ｐ）上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材（３）を前記第１電圧よりも低い電圧に維持する露光方法が提供される。
【００２０】
第７の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【００２１】
本発明を例示する第８の態様に従えば、パターンからの露光光（ＥＬ）で基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、複数の第１電極部材（３）が設けられた保持部材（２０）の保持面（１９）に前記基板（Ｐ）を載せることと、前記基板（Ｐ）を前記保持面（１９）に静電力で吸着するために、前記第１電極部材（３）に電圧を印加することと、前記パターンからの前記露光光（ＥＬ）を、前記基板（Ｐ）上の複数のショット領域に順次に照射することと、を含み、前記第１電極部材（３）に電圧を印加することは、前記露光光（ＥＬ）の照射前又は前記露光光（ＥＬ）の照射が進行中の少なくとも一方の前記基板（Ｐ）上のショット領域に対応する前記第１電極部材（３）に印加する第１電圧が、前記第１電圧が印加された前記第１電極部材（３）とは異なる第１電極部材（３）に印加する電圧よりも大きく設定し、前記第１電極部材（３）に印加する第１電圧が、前記第１電圧が印加された前記第１電極部材（３）とは異なる第１電極部材（３）に印加する電圧よりも大きく設定されている間、前記第１電圧が印加された前記第１電極部材（３）とは異なる前記第１電極部材（３）を前記第１電圧よりも低い電圧に維持する露光方法が提供される。
【００２２】
第８の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【００２３】
本発明を例示する第９の態様に従えば、露光光（ＥＬ）で基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、第１電極部材（３）が設けられた保持部材（２０）の保持面（１９）に基板（Ｐ）を載せることと、基板（Ｐ）を保持面（１９）に静電力で吸着するために、第１電極部材（３）に電圧を印加することと、保持面（１９）に保持された基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光することと、露光された基板（Ｐ）と保持面（１９）とを離すことと、を含み、基板（Ｐ）を支持可能な支持面（４０Ａ、４０Ｂ）を有する移動部材（４１Ａ、４１Ｂ）に設けられた第２電極部材（４６）に、基板（Ｐ）を支持面（４０Ａ、４０Ｂ）に静電力で吸着するために電圧を印加し、支持面（４０Ａ、４０Ｂ）と基板（Ｐ）とを静電力で吸着させた状態で、移動部材（４１Ａ、４１Ｂ）を移動して、基板（Ｐ）と保持面（１９）とを離す露光方法が提供される。
【００２４】
第９の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【００２５】
本発明を例示する第１０の態様に従えば、露光光（ＥＬ）で基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、第１電極部材（３）が設けられた保持部材（２０）の保持面（１９）に基板（Ｐ）を載せることと、基板（Ｐ）を保持面（１９）に静電力で吸着するために、第１電極部材（３）に電圧を印加することと、保持面（１９）に保持された基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光することと、露光された基板（Ｐ）と保持面（１９）とを離すことと、を含み、保持面（１９）と基板（Ｐ）とを離すときに、基板（Ｐ）に帯電している電気を取り除く露光方法が提供される。
【００２６】
第１０の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる。
【００２７】
本発明を例示する第１１の態様に従えば、上記態様の露光方法を用いて基板（Ｐ）を露光することと、露光された基板（Ｐ）を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【００２８】
第１１の態様によれば、デバイスの性能の劣化を抑制しつつ生産性の向上に寄与できる露光方法を用いてデバイスを製造できる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明を例示する態様によれば、基板を搬入する動作、基板を保持する動作、及び基板を搬出する動作等の少なくとも一つの動作を高速に実行することが可能であり、デバイスを生産性良く製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す模式図である。
【図２】第１実施形態に係る基板ステージの一部を示す平面図である。
【図３】第１実施形態に係る基板ステージの一部を示す側面図である。
【図４】第１実施形態に係る基板ステージの一部を示す側断面図である。
【図５】第１実施形態に係る第１、第２支持部材を説明するための平面図である。
【図６】基板上のショット領域と保持部材との関係を示す模式図である。
【図７Ａ】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図７Ｂ】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図７Ｃ】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図８】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図９】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１０】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１１】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１２Ａ】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１２Ｂ】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１２Ｃ】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１３】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１４】第２実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１５】第２実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１６】第２実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１７】第３実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１８】第３実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１９】第３実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図２０】第４実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図２１】第４実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図２２】第４実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図２３】第５実施形態に係る基板ステージの一部を示す平面図である。
【図２４】第５実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図２５】第５実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図２６】第６実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図２７】第６実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図２８】第７実施形態に係る移動機構の一例を示す斜視図である。
【図２９】第７実施形態に係る移動機構の動作の一例を説明するための図である。
【図３０】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら例示的に説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００３２】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、所定のパターンが形成されたマスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ１と、パターンが形成される基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ２と、各ステージの位置情報を計測する干渉計システム１６と、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、少なくとも露光光ＥＬが通過する所定空間を真空状態に調整する真空システムを有するチャンバ装置（真空チャンバ）６と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置５とを備えている。チャンバ装置６内は、真空システムによって真空雰囲気に維持される。制御装置５には、露光に関する各種信号、情報を入力可能な入力装置７、及び露光に関する各種情報を記憶した記憶装置８が接続されている。入力装置７は、例えばキーボード、タッチパネル、マウス等を含む。基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材の一方の面に感光材（レジスト）等の膜が形成されたものを含む。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。
【００３３】
本実施形態の露光装置ＥＸは、極端紫外光で基板Ｐを露光するＥＵＶ露光装置である。
極端紫外光は、例えば波長５〜５０ｎｍ程度の軟Ｘ線領域の電磁波である。以下の説明において、極端紫外光を適宜、ＥＵＶ光、と称する。
【００３４】
本実施形態において、マスクＭは、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。露光装置ＥＸは、多層膜でパターンが形成されたマスクＭの表面（反射面）を露光光（ＥＵＶ光）ＥＬで照明し、そのマスクＭで反射した露光光ＥＬで感光性を有する基板Ｐを露光する。マスクＭ、基板Ｐ、照明光学系ＩＬの各光学素子、及び投影光学系ＰＬの各光学素子には、真空状態（例えば、１０−４Ｐａ程度の減圧雰囲気）で露光光（ＥＵＶ光）ＥＬが照射される。
【００３５】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置、所謂、スキャニングステッパである。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明光学系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、マスクＭを露光光ＥＬで証明し、そのマスクＭからの露光光ＥＬを基板Ｐに照射して、その基板Ｐを露光する。
【００３６】
照明光学系ＩＬは、複数の光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４を含み、マスクＭ上の所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜を含む。各光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４は、不図示の鏡筒に保持されている。
【００３７】
照明光学系ＩＬは、光源４からの露光光ＥＬでマスクＭを照明する。本実施形態の光源４は、レーザ励起型プラズマ光源であって、ハウジング９と、レーザ光を射出するレーザ装置１０と、キセノンガス等のターゲット材料をハウジング９の内側に供給する供給部材１１とを含む。レーザ装置１０から射出され、集光光学系１２で集光されたレーザ光は、供給部材１１の先端から射出されるターゲット材料に照射される。レーザ光が照射されたターゲット材料は、プラズマ化してＥＵＶ光を含む光（露光光ＥＬ）を発生する。供給部材１１の先端で発生した光は、コンデンサ１３によって集光される。コンデンサ１３を介した光は、ハウジング９の外側に配置されているコリメータミラー１４に入射する。なお、光源４は、放電型プラズマ光源、あるいは他の光源でもよい。
【００３８】
マスクステージ１は、マスクＭを保持しながら、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６方向に移動可能な６自由度のステージである。本実施形態においては、マスクステージ１は、マスクＭの反射面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。また、本実施形態においては、マスクステージ１は、マスクＭの反射面が−Ｚ方向を向くように、マスクＭを保持する。マスクステージ１（マスクＭ）の位置情報は、干渉計システム１６のレーザ干渉計１６Ｍによって計測される。レーザ干渉計１６Ｍは、マスクステージ１に設けられた計測ミラー１Ｒを用いて、マスクステージ１のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、マスクステージ１に保持されているマスクＭの反射面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹに関する位置情報）は、フォーカス・レベリング検出システム（不図示）によって検出される。制御装置５は、レーザ干渉計１６Ｍの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置を制御する。
【００３９】
投影光学系ＰＬは、複数の光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４を含み、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜を含む。各光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４は、不図示の鏡筒に保持されている。また、本実施形態においては、投影光学系ＰＬの各光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４は、専用の真空チャンバ（鏡筒）１５に収容されている。なお、専用の真空チャンバは無くてもよい。
【００４０】
基板ステージ２は、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬが照射されることによってパターンが形成される基板Ｐを保持する保持面１９を有する保持部材２０と、保持部材２０を支持するステージ本体２１とを含み、保持部材２０で基板Ｐを保持しながら、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向に移動可能である。本実施形態においては、基板ステージ２は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。また、本実施形態においては、基板ステージ２は、基板Ｐの表面が＋Ｚ方向を向くように、基板Ｐを保持する。基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報は、干渉計システム１６のレーザ干渉計１６Ｐによって計測される。レーザ干渉計１６Ｐは、基板ステージ２に設けられた計測ミラー２Ｒを用いて、基板ステージ２のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹに関する位置情報）は、フォーカス・レベリング検出システム（不図示）によって検出される。制御装置５は、レーザ干渉計１６Ｐの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置を制御する。
【００４１】
本実施形態においては、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬで基板Ｐを露光するために、図１に示すように、マスクＭがマスクステージ１に保持され、基板Ｐが基板ステージ２の保持部材２０に保持される。マスクステージ１に保持されたマスクＭは、光源４より射出され、照明光学系ＩＬを介した露光光（ＥＵＶ光）ＥＬで照明される。照明光学系ＩＬより射出された露光光ＥＬは、マスクＭの反射面に入射する。マスクＭの反射面に照射され、その反射面で反射した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬの物体面側から投影光学系ＰＬに入射する。投影光学系ＰＬの物体面側から投影光学系ＰＬに入射した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬの像面側に射出され、基板Ｐの表面（露光面）に照射される。これにより、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像が、投影光学系ＰＬを介して、感光性の基板Ｐに投影され、基板Ｐは露光される。このように、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬが投影光学系ＰＬを介して基板Ｐに照射されることによって、基板Ｐにパターンが形成される。
【００４２】
図２は、基板ステージ２の一部を示す平面図、図３は、基板ステージ２の一部を示す側面図である。図２及び図３において、基板ステージ２は、パターンが形成される基板Ｐを保持する保持面１９を有する保持部材２０を有する。本実施形態においては、保持面１９は、ＸＹ平面とほぼ平行となるように配置されている。また、保持面１９は、＋Ｚ方向を向くように配置される。
【００４３】
基板Ｐは、保持面１９と対向する裏面を有し、保持面１９は、基板Ｐの裏面を保持する。基板Ｐの裏面は、露光光ＥＬが照射される表面とは反対側の面である。上述のように、基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材の一方の面（露光光ＥＬが照射される表面）に感光材（レジスト）等の膜が形成されたものを含む。本実施形態においては、保持面１９の外形は、基板Ｐの裏面の外形とほぼ同じである。
【００４４】
本実施形態の保持部材２０は、静電チャック機構を含み、保持面１９は、基板Ｐの裏面を静電力で保持する。基板ステージ２は、例えば、粗動ステージと微動ステージとを重ね合わせたステージを用いることができる。本実施形態においては不図示の微動ステージの上に保持部材２０が載置されている。保持部材２０には複数の電極部材３が設けられている。電極部材３は、印加される電圧に応じて、基板Ｐを保持面１９に吸着するための静電力を発生させる。すなわち、電圧が印加された電極部材３は、基板Ｐが保持面１９に吸着され得る静電界を生成する。本実施形態において、電極部材３に所定の電圧を印加可能な電源装置２２は、基板ステージ２に設けられている。ただし、電源装置２２は、真空チャンバ６の外側、あるいは真空チャンバ６の内側の基板ステージ２とは異なる位置に配置されても構わない。電源装置２２と電極部材３との間は電気配線によって電気的に接続されている。複数の電極部材３のそれぞれは、所定の形状を有し、保持部材２０の所定位置に配置されている。
【００４５】
本実施形態の保持部材２０は、低膨張セラミックスを含む絶縁材料で形成されている。
保持部材２０の少なくとも一部は、静電チャック機構の誘電体として機能する。電極部材３は、保持部材２０の内部に配置されている。保持面１９は、上述の低膨張セラミックスを含む絶縁材料で形成されている。
【００４６】
保持部材２０が低膨張材であるため、保持部材２０の熱変形、ひいては保持した基板Ｐの変形が抑制される。また、保持部材２０に計測マーク、計測部材等が配置されている場合には、それら計測マーク、計測部材の変形が抑制される。
【００４７】
本実施形態の静電チャック機構は、所謂、双極方式であって、電源装置２２によって正の電位が与えられる電極部材３と、負の電位が与えられる電極部材３とを含む。
【００４８】
以下の説明においては、複数の電極部材３のうち、正の電位が与えられる電極部材３を適宜、正極３１、と称し、負の電位が与えられる電極部材３を適宜、負極３２、と称する。
【００４９】
正極３１は複数設けられ、負極３２は、正極３１に対応するように複数設けられる。図２及び図３に示すように、本実施形態においては、保持部材２０には、９つの正極３１（３１Ａ〜３１Ｉ）と、それら９つの正極３１（３１Ａ〜３１Ｉ）にそれぞれ対応する９つの負極３２（３２Ａ〜３２Ｉ）とが設けられている。
【００５０】
図２に示すように、本実施形態においては、保持面１９の中心に対して−Ｘ側の領域に複数の正極３１が配置され、＋Ｘ側の領域に複数の負極３２が配置されている。また、正極３１は、保持面１９の−Ｘ側の領域において、Ｙ軸方向に複数配置されている。負極３２は、保持面１９の＋Ｘ側の領域において、Ｙ軸方向に複数配置されている。
【００５１】
以下の説明においては、Ｙ軸方向に複数配置されている正極３１のうち、保持面１９の−Ｙ側のエッジに最も近い正極３１を適宜、第１正極３１Ａ、と称し、第１正極３１Ａに次いで保持面１９の−Ｙ側のエッジに近い正極３１を適宜、第２正極３１Ｂ、と称する。
そして、複数の正極３１のうち、第２正極３１Ｂから＋Ｙ方向に順次、第３、第４、…、第８正極３１Ｃ、３１Ｄ、…、３１Ｈ、と称し、保持面１９の＋Ｙ側のエッジに最も近い正極３１を適宜、第９正極３１Ｉ、と称する。
【００５２】
また、以下の説明においては、Ｙ軸方向に複数配置されている負極３２のうち、保持面１９の−Ｙ側のエッジに最も近い負極３２を適宜、第１負極３２Ａ、と称し、第１負極３２Ａに次いで保持面１９の−Ｙ側のエッジに近い負極３２を適宜、第２負極３２Ｂ、と称する。そして、複数の負極３２のうち、第２負極３２Ｂから＋Ｙ方向に順次、第３、第４、…、第８負極３２Ｃ、３２Ｄ、…、３２Ｈ、と称し、保持面１９の＋Ｙ側のエッジに最も近い負極３２を適宜、第９負極３２Ｉ、と称する。
【００５３】
第１正極３１Ａと第１負極３２Ａとは、ＸＹ平面内において、Ｘ軸方向に関して対向するように配置されている。また、本実施形態においては、第１正極３１Ａの大きさと第１負極３２Ａの大きさとはほぼ同じである。また、第１正極３１Ａの形状と第１負極３２Ａの形状とはほぼ同じである。本実施形態においては、第１正極３１Ａと第１負極３２Ａとは、Ｙ軸に関して線対称である。
【００５４】
同様に、第２、第３、…、第９正極３１Ｂ、３１Ｃ、…、３１Ｉのそれぞれと、第２、第３、…、第９負極３２Ｂ、３２Ｃ、…、３２Ｉのそれぞれとが対応している。第２、第３、…、第９正極３１Ｂ、３１Ｃ、…、３１Ｉのそれぞれと、第２、第３、…、第９負極３２Ｂ、３２Ｃ、…、３２Ｉのそれぞれとは、ＸＹ平面内において、Ｘ軸方向に関して対向するように配置されている。第２、第３、…、第９正極３１Ｂ、３１Ｃ、…、３１Ｉのそれぞれと、第２、第３、…、第９負極３２Ｂ、３２Ｃ、…、３２Ｉのそれぞれとは、Ｙ軸に関して線対称である。
【００５５】
以下の説明において、正の電位が与えられる第１正極３１Ａと負の電位が与えられる第１負極３２Ａとを合わせて適宜、第１電極パターン３Ａ、と称する。同様に、第２正極３１Ｂと第２負極３２Ｂとを合わせて適宜、第２電極パターン３Ｂ、と称し、第３正極３１Ｃと第３負極３２Ｃとを合わせて適宜、第３電極パターン３Ｃ、と称し、第４正極３１Ｄと第４負極３２Ｄとを合わせて適宜、第４電極パターン３Ｄ、と称し、第５正極３１Ｅと第５負極３２Ｅとを合わせて適宜、第５電極パターン３Ｅ、と称し、第６正極３１Ｆと第６負極３２Ｆとを合わせて適宜、第６電極パターン３Ｆ、と称し、第７正極３１Ｇと第７負極３２Ｇとを合わせて適宜、第７電極パターン３Ｇ、と称し、第８正極３１Ｈと第８負極３２Ｈとを合わせて適宜、第８電極パターン３Ｈ、と称し、第９正極３１Ｉと第９負極３２Ｉとを合わせて適宜、第９電極パターン３Ｉ、と称する。
【００５６】
本実施形態においては、各電極部材３は、Ｘ軸方向に長い形状を有する。保持部材２０のエッジと対向する各電極部材３のエッジのＸＹ平面内における形状は、保持面１９の外形に応じた曲線状である。また、各正極３１のうち、負極３２と対向するエッジのＸＹ平面内における形状は、Ｙ軸とほぼ平行な直線状であり、各負極３２のうち、正極３１と対向するエッジのＸＹ平面内における形状は、Ｙ軸とほぼ平行な直線状である。
【００５７】
また、第１、第９正極３１Ａ、３１Ｉを除く各正極３１Ｂ〜３１Ｈの＋Ｙ側のエッジ、及び−Ｙ側のエッジのＸＹ平面内における形状は、Ｘ軸とほぼ平行な直線状である。そして、Ｙ軸方向に関する各正極３１大きさは、ほぼ同じである。第１正極３１Ａの＋Ｙ側のエッジのＸＹ平面内における形状は、Ｘ軸とほぼ平行な直線状であり、第９正極３１Ｉの−Ｙ側のエッジのＸＹ平面内における形状は、Ｘ軸とほぼ平行な直線状である。
【００５８】
また、第１、第９負極３２Ａ、３２Ｉを除く各負極３２Ｂ〜３２Ｈの＋Ｙ側のエッジ、及び−Ｙ側のエッジのＸＹ平面内における形状は、Ｘ軸とほぼ平行な直線状である。そして、Ｙ軸方向に関する各負極３２大きさは、ほぼ同じである。第１負極３２Ａの＋Ｙ側のエッジのＸＹ平面内における形状は、Ｘ軸とほぼ平行な直線状であり、第９負極３２Ｉの−Ｙ側のエッジのＸＹ平面内における形状は、Ｘ軸とほぼ平行な直線状である。
【００５９】
そして、本実施形態においては、各正極３１及び負極３２を含む複数の電極部材３は、保持面１９のほぼ全域に対応するように配置されている。
【００６０】
図３に示すように、基板ステージ２は、複数の電極部材３に所定の電圧を印加可能な電源装置２２を備えている。電源装置２２は、各電極部材３に接続された配線２３と、配線２３に接続され、配線２３を介して各電極部材３に印加するための電圧を発生する電圧発生器２４と、配線２３に配置され、電極部材３に対する電圧の印加と印加の停止とを切り替えるスイッチ２５と、各電極部材３に印加する電圧値を調整可能な電圧調整器２６とを備えている。スイッチ２５は、複数の電極部材３（電極パターン３Ａ〜３Ｉ）に対応するように複数設けられている。電圧調整器２６は、複数の電極部材３のそれぞれに印加する電圧値を独立して調整可能である。電源装置２２は、制御装置５によって制御される。なお、電圧値を調整しない場合には、電圧調整器２６が無くても構わない。
【００６１】
制御装置５は、静電チャック機構の正極３１及び負極３２に所定の電圧を印加することにより、保持部材２０の保持面１９と基板Ｐの裏面との間にクーロン力及び／又はジャンセン・ラーベック力を発生させる。これにより、基板Ｐが保持部材２０の保持面１９に静電力で吸着されるように保持される。
【００６２】
図４は、保持部材２０の側断面図である。図２及び図４において、基板ステージ２は、保持部材２０に対して基板Ｐを移動する移動機構４４を備えている。移動機構４４は、保持部材２０の保持面１９に対して基板Ｐを主にＺ軸方向に移動する。移動機構４４を、例えば不図示の粗動ステージに設けると、不図示の微動ステージや保持部材２０の重量を軽くする事ができるため、基板Ｐの位置決め精度を向上させることが可能である。本実施の形態では、移動機構４４は粗動ステージに配置されているが、微動ステージや保持部材２０等他の場所に設けることが可能である。
【００６３】
移動機構４４は、基板Ｐの裏面を支持可能な支持面４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃをそれぞれ有する複数の支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃと、各支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを保持面１９と直交する方向（Ｚ軸方向）に移動可能な駆動装置４５とを備えている。支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃのそれぞれは、ロッド状の部材である。本実施形態においては、第１支持部材４１Ａと第２支持部材４１Ｂとはほぼ同じ構造であり、第３支持部材４１Ｃは、第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂとは異なる構造である。
【００６４】
保持部材２０は、支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃに応じて保持部材２０の内部をＺ軸方向に延びるように形成された複数の孔４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃを有する。本実施形態では、各支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃの少なくとも一部が、各孔４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃに配置されているが、常に各支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃが孔４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃ内に配置される必要はない。例えば、基板ＰをＺ軸方向に押し上げるときだけ、各支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃが孔４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃを通り抜けて基板Ｐを押し上げる構成としてもよい。本実施形態においては、孔４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃの上端は、保持面１９の中心を囲むように、ほぼ等間隔で配置されている。
【００６５】
支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃは、孔４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃに沿ってＺ軸方向に移動可能である。駆動装置４５は、支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃのそれぞれを独立して移動可能である。移動機構４４は、駆動装置４５を用いて、支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃの支持面４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃが保持面１９よりも＋Ｚ側に配置されるように支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを移動可能であるとともに、支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃの支持面４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃが保持面１９よりも−Ｚ側に配置されるように支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを移動可能である。駆動装置４５としては圧電素子を用いたアクチュエータや電磁アクチュエータ等種々のアクチュエータを用いることができる。
【００６６】
支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃは、駆動装置４５により、保持面１９と対向する基板Ｐの裏面の所定領域を支持しながら、保持部材２０の保持面１９に対してＺ軸方向に移動可能である。すなわち、移動機構４４は、支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃの支持面４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃに基板Ｐを支持した状態で、駆動装置４５によって支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを移動することにより、保持部材２０の保持面１９と基板Ｐの裏面とが近付く方向及び離れる方向に基板Ｐを移動可能である。
【００６７】
本実施形態においては、第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂは、静電チャック機構を含み、支持面４０Ａ、４０Ｂは、基板Ｐの裏面を静電力で保持可能である。図４に示すように、基板ステージ２は、第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂに設けられ、基板Ｐを支持面４０Ａ、４０Ｂに吸着するための静電力を発生させる複数の電極部材４６と、複数の電極部材４６に電圧を印加可能な電源装置２２Ｂとを備えている。なお、電源装置２２Ｂを基板ステージに設けずに、真空チャンバ６内の他の位置や真空チャンバ６外の他の位置に配置してもよい。
【００６８】
図５は、第１支持部材４１Ａに設けられた電極部材４６を示す平面図である。電極部材４６は、第１支持部材４１Ａの内部に配置されている。本実施形態の静電チャック機構は、所謂、双極方式であって、電源装置２２Ｂによって正の電位が与えられる電極部材４６Ａと、負の電位が与えられる電極部材４６Ｂとを含む。以下の説明においては、正の電位が与えられる電極部材４６を適宜、正極４６Ａ、と称し、負の電位が与えられる電極部材４６を適宜、負極４６Ｂ、と称する。
【００６９】
図４に示すように、電源装置２２Ｂは、各電極部材４６に接続された配線２３Ｂと、配線２３Ｂに接続され、配線２３Ｂを介して各電極部材４６に印加するための電圧を発生する電圧発生器２４Ｂと、配線２３Ｂに配置され、電極部材４６に対する電圧の印加と印加の停止とを切り替えるスイッチ２５Ｂと、各電極部材４６に印加する電圧値を調整可能な電圧調整器２６Ｂとを備えている。なお、説明の便宜上、配線２３Ｂ及びスイッチ２５Ｂは一つしか記載していないが、各電極部材４６の各々に配線２３Ｂとスイッチ２５Ｂが設けられている。
【００７０】
制御装置５は、静電チャック機構の正極４６Ａ及び負極４６Ｂに所定の電圧を印加することにより、支持面４０Ａと基板Ｐの裏面との間にクーロン力及び／又はジャンセン・ラーベック力を発生させる。これにより、基板Ｐが第１支持部材４１Ａの支持面４０Ａに静電力で吸着されるように保持される。
【００７１】
同様に、第２支持部材４１Ｂは、第１支持部材４１Ａと同様、正極４６Ａ及び負極４６Ｂを含む静電チャック機構を有し、その正極４６Ａ及び負極４６Ｂには、電源装置２２Ｂによって所定の電圧が印加される。第２支持部材４１Ｂの構造は、第１支持部材４１Ａの構造とほぼ同じであるため、第２支持部材４１Ｂに関する説明は省略する。
【００７２】
なお、本実施形態においては、各支持部材４１Ａ、４１Ｂのそれぞれに正極と負極とが配置されているが、各支持部材４１Ａ、４１Ｂのそれぞれに電極を一つのみ配置し、例えば、支持部材４１Ａ側を正極、支持部材４１Ｂ側を負極としても構わない。また、支持部材４１の数も２つに限定されず、１つでも構わないし、３つ以上設けてもよい。
【００７３】
また、本実施形態においては、基板ステージ２は、保持部材２０に保持された基板Ｐに帯電している電気を取り除く除電装置４７を備えている。本実施形態においては、除電装置４７は、移動機構４４の第３支持部材４１Ｃを含む。
【００７４】
本実施形態の第３支持部材４１Ｃは、導電性を有する導電部材４８を含む。本実施形態においては、少なくとも第３支持部材４１Ｃの支持面４０Ｃが導電部材４８で形成されている。また、図４に示すように、第３支持部材４１Ｃの導電部材４８は、接地（アース）されている。接地された導電部材４８と基板Ｐとが接触することによって、基板Ｐに帯電している電気（電荷）は、その基板Ｐから取り除かれる。
【００７５】
図２に示すように、本実施形態においては、第３支持部材４１Ｃが移動可能な開口４２Ｃは、保持面１９の中心に対して−Ｙ側（第１電極パターン３Ａ側）に配置されている。
第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂが移動可能な開口４２Ａ、４２Ｂは、保持面１９の中心に対して＋Ｙ側（第９電極パターン３Ｉ側）に配置されている。
【００７６】
図６は、露光光ＥＬが照射されることによってパターンが形成される基板Ｐ上のショット領域Ｓと、保持部材２０との関係を示す模式図である。なお、図６においては、支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ等の図示は省略してある。図６に示すように、基板Ｐ上には、露光対象領域であるショット領域Ｓが設定される。マスクＭは、ショット領域Ｓに投影されるパターンが配置されたパターン形成領域ＭＲ（図１参照）を有する。本実施形態においては、１つのショット領域Ｓに、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに配置されているパターンの像が投影される。すなわち、１つのショット領域Ｓには、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに配置されているパターンに応じたパターンが形成される。例えばマスクＭのパターン形成領域ＭＲに１チップ分のパターン（デバイスパターン）が形成される場合、１つのショット領域Ｓには、１チップ分のパターンが形成される。なお、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに複数チップ分（例えば２つ分）のパターン（デバイスパターン）が形成される場合、１つのショット領域Ｓには、複数チップ分のパターンが形成される。
【００７７】
投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲには、マスクＭの照明領域ＩＲ内のパターンからの露光光ＥＬが照射される。図６に示すように、本実施形態においては、投影領域ＰＲは、Ｘ軸方向に長い矩形状（スリット状）である。投影光学系ＰＬは、照明領域ＩＲに対応するマスクＭのパターンを介した露光光を投影領域ＰＲに照射し、投影領域ＰＲに照射された露光光で基板Ｐ上のショット領域Ｓの一部を露光する。
【００７８】
１つのショット領域Ｓを露光する際、制御装置５は、照明領域ＩＲに対するマスクＭのパターン形成領域ＭＲのＹ軸方向への移動に同期して、投影領域ＰＲに対して基板Ｐ上のショット領域ＳをＹ軸方向へ移動しつつ、投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。これにより、ショット領域Ｓに、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに配置されているパターンの像が投影される。
【００７９】
基板Ｐ上には複数のショット領域Ｓがマトリクス状に設定され、それら複数のショット領域Ｓが順次露光される。すなわち、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓのそれぞれに、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに配置されているパターンが順次形成される。制御装置５は、所定のショット領域Ｓを露光するためにマスクＭと基板ＰとをＹ軸方向へ同期移動しつつ基板Ｐに露光光ＥＬを照射する動作と、次のショット領域Ｓを露光するために基板ＰをＸ軸方向にステッピング移動する動作を繰り返しながら、複数のショット領域Ｓを順次露光する。本実施形態においては、一例として、制御装置５は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図６に示す矢印Ｒ１に沿って相対的に移動するように、基板ステージ２を移動しつつ、基板Ｐの複数のショット領域Ｓを順次露光する。
【００８０】
図６に示すように、本実施形態においては、基板Ｐ上には、Ｘ軸方向に配置された複数のショット領域Ｓからなるショット領域群が、Ｙ軸方向に９つ配置されている。
【００８１】
以下の説明においては、Ｙ軸方向に複数配置されているショット領域群のうち、保持面１９の−Ｙ側のエッジに最も近いショット領域群を適宜、第１ショット領域群Ｓ１、と称し、第１ショット領域群Ｓ１に次いで保持面１９の−Ｙ側のエッジに近いショット領域群を適宜、第２ショット領域群Ｓ２、と称する。また、複数のショット領域群のうち、第２ショット領域群Ｓ２から＋Ｙ方向に順次、第３、第４、…、第８ショット領域群Ｓ３、Ｓ４、…、Ｓ８、と称し、保持面１９の＋Ｙ側のエッジに最も近いショット領域群を適宜、第９ショット領域群Ｓ９、と称する。
【００８２】
図６に示すように、本実施形態においては、電極部材３のそれぞれは、パターン情報に応じた大きさ及び形状を有し、パターン情報に応じて保持部材２０に配置されている。パターン情報は、パターンの大きさに関する情報、及びパターンの配列情報の少なくとも一方を含む。本実施形態において、パターン情報は、基板Ｐに形成されるパターン情報を含む。
【００８３】
パターンの大きさに関する情報は、基板Ｐに形成されるパターンの大きさに関する情報を含み、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに配置されているパターンの像が投影されることによって基板Ｐに形成されるパターンの大きさに関する情報を含む。すなわち、本実施形態においては、パターンの大きさに関する情報は、基板Ｐ上でのショット領域Ｓの大きさに関する情報、ひいては基板Ｐに形成されるチップの大きさに関する情報を含む。
【００８４】
パターンの配列情報は、基板Ｐに形成されるパターンの配列情報を含み、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに配置されているパターンの像が投影されることによって基板Ｐに形成されるパターンの配列情報を含む。すなわち、本実施形態においては、パターンの配列情報は、基板Ｐ上での複数のショット領域Ｓの配列情報、ひいては基板Ｐに形成されるチップの配列情報を含む。
【００８５】
本実施形態においては、複数の電極部材３は、基板Ｐに形成されるパターン情報、具体的には基板Ｐ上に設定されるショット領域Ｓに関する情報に応じて配置されている。図６に示すように、本実施形態においては、各電極部材３のＹ軸方向の大きさは、ショット領域ＳのＹ軸方向の大きさとほぼ一致するように設定されている。１つのショット領域Ｓに１つのチップが形成される場合には、各電極部材３のＹ軸方向の大きさは、１つのチップのＹ軸方向の大きさとほぼ一致するように設定されている。また、電極部材３によって形成される第１〜第９電極パターン３Ａ〜３ＩそれぞれのＸ軸方向の大きさは、ショット領域Ｓによって形成される第１〜第９ショット領域群Ｓ１〜Ｓ９それぞれのＸ軸方向の大きさと対応するように設定されている。
【００８６】
また、各電極部材３は、複数のショット領域Ｓに対応するように配列されている。本実施形態においては、第１〜第９電極パターン３Ａ〜３Ｉのそれぞれは、第１〜第９ショット領域群Ｓ１〜Ｓ９のそれぞれに対応するように配置されている。
【００８７】
一例として、円形状の基板Ｐ及びその基板Ｐの外形とほぼ同じである保持面１９の直径は約３００ｍｍ、各電極部材３のＹ軸方向の大きさ（１チップのＹ軸方向の大きさ）は約３３ｍｍ、各電極部材３同士の間の距離は約５ｍｍである。
【００８８】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法の一例について説明する。
【００８９】
本実施形態においては、電源装置２２は、パターン情報に応じて、各電極部材３に印加する電圧を調整する。上述したように、パターン情報は、基板Ｐに形成されるパターンの大きさに関する情報、及びパターンの配列情報の少なくとも一方を含み、基板Ｐ上におけるショット領域Ｓに関する情報、基板Ｐに形成されるチップ情報を含む。
【００９０】
また、本実施形態においては、パターン情報は、パターンを形成する順序を含む。パターンを形成する順序は、基板Ｐ上においてパターンを形成する順序を含む。本実施形態においては、基板Ｐ上においてパターンを形成する順序は、基板Ｐ上に設定された複数のショット領域Ｓのそれぞれにパターンを形成する動作を実行する順序、換言すれば、ショット領域Ｓのそれぞれにパターンを形成するためにマスクＭのパターンからの露光光ＥＬを照射する順序を含む。
【００９１】
基板Ｐに対する露光を開始する前の所定のタイミングにおいて、入力装置７より、制御装置５に、パターン情報を含む露光条件（パターン形成条件）が入力される。制御装置５は、入力装置７より入力されたパターン情報を含む露光条件に基づいて、少なくとも基板Ｐを露光するときの電源装置２２の動作を制御する。制御装置５は、入力装置７より入力されたパターン情報に応じて、電源装置２２を制御して、その電源装置２２より各電極部材３に印加する電圧を調整する。なお、パターン情報を含む露光条件（パターン形成条件）が記憶装置８に予め記憶されていてもよい。その場合、制御装置５は、その記憶装置８に記憶されているパターン情報に応じて、電源装置２２を制御して、その電源装置２２より各電極部材３に印加する電圧を調整することができる。
【００９２】
本実施形態においては、制御装置５が、最初に第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓを露光し、その後、第２、第３、…、第８ショット領域群Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ８のショット領域Ｓを順次露光し、最後に第９ショット領域群Ｓ９のショット領域Ｓを露光する場合を例にして説明する。
【００９３】
まず、図７Ａに示すように、所定の搬送装置５０によって、露光前の基板Ｐが、基板ステージ２の保持部材２０に搬入（ロード）される。基板Ｐを保持部材２０にロードするとき、制御装置５は、支持部材４１Ａ〜４１Ｃの支持面４０Ａ〜４０Ｃが保持部材２０の保持面１９よりも上方（＋Ｚ側）に配置されるように、移動機構４４の駆動装置４５を用いて支持部材４１Ａ〜４１Ｃを移動する。搬送装置５０は、図７Ｂに示すように、保持面１９よりも＋Ｚ側に配置されている支持部材４１Ａ〜４１Ｃの支持面４０Ａ〜４０Ｃに、基板Ｐを載せる。
【００９４】
本実施形態においては、第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂは、正極４６Ａ及び負極４６Ｂを含む静電チャック機構を有しており、搬送装置５０より渡された基板Ｐを静電力で保持する。これにより、基板Ｐの位置ずれ等の発生を抑制することができる。第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂの支持面４０Ａ、４０Ｂと基板Ｐの裏面とを静電力で吸着させた後、制御装置５は、基板Ｐの裏面を支持した支持部材４１Ａ〜４１Ｃを、下方（−Ｚ方向）に移動する。すなわち、制御装置５は、基板Ｐの裏面と保持部材２０の保持面１９とが近付くように、基板Ｐの裏面を支持した支持部材４１Ａ〜４１Ｃを移動する。これにより、図７Ｃに示すように、基板Ｐが保持部材２０の保持面１９に載る。保持部材２０の保持面１９に基板Ｐを載せた後、制御装置５は、電源装置２２Ｂによる電極部材４６に対する電圧の印加を停止する。また、制御装置５は、基板Ｐの裏面と支持部材４１Ａ〜４１Ｃの支持面４０Ａ〜４０Ｃとが離れるまで、支持部材４１Ａ〜４１Ｃを−Ｚ方向に移動する。
これにより、保持部材２０の保持面１９が基板Ｐを保持可能な状態になるとともに、基板Ｐに対する支持部材４１Ａ〜４１Ｃの支持が解除される。
【００９５】
電極部材３が設けられた保持部材２０の保持面１９に基板Ｐを載せた後、基板Ｐを保持面１９に静電力で吸着するために、制御装置５は、電源装置２２を用いて、電極部材３に所定の電圧を印加する。本実施形態においては、基板Ｐを保持面１９に載せた後、基板Ｐの露光を開始する前に、全ての電極パターン３Ａ〜３Ｉの各正極３１Ａ〜３１Ｉ、及び各負極３２Ａ〜３２Ｉのそれぞれに、所定の電圧を印加する。これにより、基板Ｐは、静電力によって、保持部材２０の保持面１９に吸着されるように保持される。
【００９６】
基板Ｐを保持部材２０の保持面１９に静電力で保持した後、制御装置５は、ＦＩＡ等のアライメント装置を用いて基板Ｐの位置合わせを行い、基板Ｐに対する露光処理を開始する。基板Ｐ上には複数のショット領域Ｓが設定されており、それら複数のショット領域Ｓを順次露光して、基板Ｐ上のショット領域Ｓのそれぞれに、マスクＭのパターン形成領域ＭＲに配置されているパターンを形成する動作を実行する。
【００９７】
以下、図８〜図１１の模式図を参照しながら、電源装置２２が基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて複数の電極部材３に印加する電圧を調整する動作について説明する。具体的には、基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて、複数の電極部材３の中から、所定の電極部材３を選択し、所定の電極部材３に印加する電圧を調整する動作について主に説明する。なお、図８〜図１１においては、支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ等の図示は省略してある。
【００９８】
本実施形態においては、電源装置２２は、少なくともパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する正極３１、負極３２に印加する電圧値の絶対値を、他のショット領域Ｓに対応する正極３１、負極３２に印加する電圧値の絶対値よりも大きくする。
【００９９】
本実施形態においては、電源装置２２は、少なくともパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する電極部材３に所定値の電圧を印加し、パターンの形成動作が行われていないショット領域Ｓの少なくとも一部のショット領域Ｓに対応する電極部材３に印加する電圧値の絶対値を、所定値の絶対値よりも小さい値とする。
【０１００】
本実施形態においては、電源装置２２は、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する正極３１、負極３２に印加する電圧値の絶対値を、パターンが形成された後の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する正極３１、負極３２へ印加する電圧値の絶対値よりも大きくする。本実施形態においては、パターンが形成された後の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する正極３１、負極３２へ印加する電圧値をオフとする。本実施の形態では電圧をオフとするには、スイッチ２５によって電極部材３を接地させたが、電源から供給される電圧値を０としても良い。これについては、他の実施形態においても同様である。
【０１０１】
本実施形態においては、パターンの形成動作は、基板Ｐにパターンを形成するために、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬを基板Ｐに照射する動作を含む。したがって、パターンの形成動作が進行中とは、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬが基板Ｐに照射中、すなわち基板Ｐを露光中であることを含む。また、パターンが形成される前とは、パターンの形成動作が実行される前であることを含み、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬが基板Ｐに照射される前、すなわち基板Ｐの露光前であることを含む。また、パターンが形成された後とは、パターンの形成動作が実行された後であることを含み、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬが基板Ｐに照射された後、すなわち基板Ｐの露光後であることを含む。
【０１０２】
図８〜図１１においては、複数のショット領域Ｓのうち、パターンの形成動作が進行中、及びパターンの形成動作が実行された後のショット領域Ｓを実線で示し、パターンの形成動作が実行される前のショット領域Ｓを破線で示す。また、電源装置２２によって電圧が印加されている電極部材３に斜線を付す。
【０１０３】
まず、図８に示すように、基板Ｐ上に設定された複数のショット領域Ｓのうち、第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対する露光が実行される。第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対するパターンの形成動作の進行中、すなわち、第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓの露光中において、電源装置２２は、第１〜第９電極パターン３Ａ〜３Ｉの全ての電極部材３（正極３１、負極３２）に所定値の電圧を印加する（電圧をｏｎにする）。これにより、保持部材２０で基板Ｐを良好に保持した状態で、第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対する露光が良好に実行される。
【０１０４】
図９の模式図に示すように、第１ショット領域群Ｓ１の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第２ショット領域群Ｓ２のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対応する第１電極パターン３Ａの電極部材３に対する電圧の印加を停止する（オフにする）。すなわち、電源装置２２は、パターンが形成された後（露光後）であって、パターンの形成動作が行われていない基板Ｐ上の第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対応する第１電極パターン３Ａの電極部材３を接地する。電源装置２２は、例えばスイッチ２５を用いて、第１電極パターン３Ａの電極部材３を電気的に接地する。また、本実施形態においては、電源装置２２は、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第２〜第９ショット領域群Ｓ２〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第２〜第９電極パターン３Ｂ〜３Ｉに電源装置２２によって印加される電圧値を所定値に維持する。これにより、第１電極パターン３Ａに対応する保持面１９の一部の領域と基板Ｐの裏面との間に発生する単位面積当たりの静電力を、第２〜第９電極パターン３Ｂ〜３Ｉに対応する保持面１９の一部の領域と基板Ｐの裏面との間に発生する単位面積当たりの静電力よりも弱くすることができる。また、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する第２〜第９電極パターン３Ｂ〜３Ｉに対しては所定値の電圧が印加されているので、保持部材２０で基板Ｐを良好に保持した状態で、第２ショット領域群Ｓ２のショット領域Ｓに対する露光が良好に実行される。具体的には、例えば、第２〜第９電極パターンに対応する領域の基板Ｐの温度が露光によって上昇したとしても、保持部材２０で基板Ｐをしっかりと保持することによって、露光前の領域の基板の位置ずれを抑制することができる。したがって、露光開始前に行われたアライメントに基づいて全てのショット領域の露光を行うことができるので、露光不良を抑えることができる。
【０１０５】
このように、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する正極３１、負極３２に所定値の電圧を印加することにより、その正極３１、負極３２に対応する保持面１９と基板Ｐの裏面との間に単位面積当たりにおいて所定の静電力を発生させることができる。また、パターンが形成された後の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する正極３１、負極３２に所定値よりも小さい値（０を含む）の電圧を印加することにより、その正極３１、負極３２に対応する保持面１９と基板Ｐの裏面との間に発生する単位面積当たりの静電力を、上述の単位面積当たりにおける所定の静電力よりも弱い力にすることができる。
【０１０６】
複数のショット領域Ｓに対する露光が進行し、図１０の模式図に示すように、第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第１〜第３電極パターン３Ａ〜３Ｃの電極部材３に対する電圧の印加を停止する。すなわち、電源装置２２は、パターンが形成された後（露光後）であって、パターンの形成動作が行われていない基板Ｐ上の第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第１〜第３電極パターン３Ａ〜３Ｃの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。また、本実施形態においては、電源装置２２は、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第４〜第９ショット領域群Ｓ４〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第４〜第９電極パターン３Ｂ〜３Ｉに電源装置２２によって印加される電圧値を所定値に維持する。これにより、第１〜第３電極パターン３Ａ〜３Ｃに対応する保持面１９の一部の領域と基板Ｐの裏面との間に発生する単位面積当たりの静電力を、第４〜第９電極パターン３Ｄ〜３Ｉに対応する保持面１９の一部の領域と基板Ｐの裏面との間に発生する単位面積当たりの静電力よりも弱くすることができる。また、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する第４〜第９電極パターン３Ｄ〜３Ｉに対しては所定値の電圧が印加されているので、保持部材２０で基板Ｐを良好に保持した状態で、第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対する露光が良好に実行される。
【０１０７】
複数のショット領域Ｓに対する露光が進行し、図１１の模式図に示すように、第１〜第８ショット領域群Ｓ１〜Ｓ８の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第９ショット領域群Ｓ９のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第８ショット領域群Ｓ１〜Ｓ８のショット領域Ｓに対応する第１〜第８電極パターン３Ａ〜３Ｈの電極部材３に対する電圧の印加を停止する。すなわち、電源装置２２は、パターンが形成された後（露光後）であって、パターンの形成動作が行われていない基板Ｐ上の第１〜第８ショット領域群Ｓ１〜Ｓ８のショット領域Ｓに対応する第１〜第８電極パターン３Ａ〜３Ｈの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。また、本実施形態においては、電源装置２２は、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第９ショット領域群Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第９電極パターン３Ｉに電源装置２２によって印加される電圧値を所定値に維持する。これにより、第１〜第８電極パターン３Ａ〜３Ｈに対応する保持面１９の一部の領域と基板Ｐの裏面との間に発生する単位面積当たりの静電力を、第９電極パターン３Ｉに対応する保持面１９の一部の領域と基板Ｐの裏面との間に発生する単位面積当たりの静電力よりも弱くすることができる。また、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する第９電極パターン３Ｉに対しては所定値の電圧が印加されているので、保持部材２０で基板Ｐを良好に保持した状態で、第９ショット領域群Ｓ９のショット領域Ｓに対する露光が良好に実行される。
【０１０８】
このように、本実施形態においては、制御装置５は、基板Ｐ上に形成されるパターン情報に応じて、複数の電極部材３の中から、所定の電極部材３を選択し、その選択した電極部材３に対して所定の電圧を印加する。
【０１０９】
基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後、すなわち全てのショット領域Ｓの露光が終了した後、電源装置２２は、複数の電極部材３全てに対する電圧の印加を停止する。そして、制御装置５は、露光後の基板Ｐを保持部材２０から搬出（アンロード）する動作を開始する。
【０１１０】
図１２Ａは、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後の保持部材２０の状態を示す図である。基板Ｐを保持部材２０からアンロードするために、制御装置５は、支持部材４１Ａ〜４１Ｃの支持面４０Ａ〜４０Ｃが保持部材２０の保持面１９よりも上方（＋Ｚ側）に配置されるように、移動機構４４の駆動装置４５を用いて支持部材４１Ａ〜４１Ｃを移動する。すなわち、制御装置５は、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後、保持部材２０の保持面１９と基板Ｐの裏面とが離れるように、移動機構４４を用いて、保持部材２０に対する基板Ｐの移動を開始する。これにより、図１２Ｂに示すように、支持部材４１Ａ〜４１Ｃの支持面４０Ａ〜４０Ｃは、保持面１９よりも上方（＋Ｚ側）に配置され、その支持部材４１Ａ〜４１Ｃの支持面４０Ａ〜４０Ｃに支持された基板Ｐの裏面と保持部材２０の保持面１９とは、Ｚ軸方向に関して離れる。
【０１１１】
支持部材４１Ａ〜４１Ｃで基板Ｐの裏面を支持して、基板Ｐの裏面と保持部材２０の保持面１９とを離す際、制御装置５は、基板Ｐを支持面４０Ａ、４０Ｂに静電力で吸着するために、電源装置２２Ｂを用いて、第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂに設けられた正極４６Ａ、負極４６Ｂに所定の電圧を印加する。これにより、基板Ｐの裏面は、静電力によって、第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂの支持面４０Ａ、４０Ｂに吸着されるように保持される。制御装置５は、支持面４０Ａ、４０Ｂと基板Ｐとを静電力で吸着させた状態で、支持部材４１Ａ〜４１Ｃを上方（＋Ｚ方向）に移動して、基板Ｐの裏面と保持部材２０の保持面１９とを離す。これにより、基板Ｐの位置ずれ等の発生を抑制することができる。
【０１１２】
また、本実施形態においては、第３支持部材４１Ｃは、接地された導電部材４８を含み、保持部材２０の保持面１９と基板Ｐの裏面を離すときに、基板Ｐの裏面と接触する。導電部材４８を含む第３支持部材４１Ｃは、基板Ｐと接触することによって、その基板Ｐに帯電している電気（電荷）を取り除くことができる。このように、第３支持部材４１Ｃの導電部材４８を含む除電装置４７は、保持部材２０と基板Ｐとを離すときに、第３支持部材４１Ｃ（導電部材４８）を用いて、基板Ｐに帯電している電気を取り除くことができる。
【０１１３】
そして、図１２Ｃに示すように、所定の搬送装置５０によって、露光後の基板Ｐが、基板ステージ２の保持部材２０から搬出（アンロード）される。支持部材４１Ａ〜４１Ｃに支持されている基板Ｐを搬送装置５０に渡す際、制御装置５は、電源装置２２Ｂによる電極部材４６に対する電圧の印加を停止する。これにより、第１、第２支持部材４１Ａ、４１Ｂの静電チャック機構による保持が解除され、基板Ｐは、搬送装置５０によって、円滑に搬出される。また、支持面４０Ａ、４０Ｂの面積は十分に小さく、電源装置２２Ｂによる電極部材４６に対する電圧の印加を停止した後、残留する静電力（吸着力）が発生しても、その残留する静電力は十分に小さい。したがって、基板Ｐの裏面と支持面４０Ａ、４０Ｂとを円滑に離すことができる。
【０１１４】
静電チャック機構において、電極部材３に対する電圧の印加を停止した場合でも、例えば残留する静電力（吸着力）によって、電極部材３に対する電圧の印加を停止した直後においては、保持面１９から基板Ｐを円滑に離すことが困難となる可能性がある。残留する静電力が時間の経過に伴って低減される場合、保持面１９から基板Ｐを円滑に離すために（アンロードするために）、基板Ｐの保持を良好に行うことができる範囲内で、可能な限り早いタイミングで電極部材３に対する電圧の印加を停止して、電極部材３に対する電圧の印加を停止した時点から保持面１９と基板Ｐとを離す動作（アンロードする動作）を実行する時点までの時間を長くすることが望ましい。
【０１１５】
本実施形態においては、基板Ｐ上に形成されるパターン情報に応じて電極部材３を複数配置し、そのパターン情報に応じて、複数の電極部材３に対する電圧の印加の停止を所定の順序で実行しているので、例えば電圧の印加が最初に停止された第１電極パターン３Ａの電極部材３に基づいて残留している静電力を、保持面１９から基板Ｐを離す動作を実行するまでに（アンロードするまでに）、十分に低減させることができる。同様に、第２、第３、…、第８電極パターン３Ｂ、３Ｃ、…、３Ｈの電極部材３に基づいて残留している静電力も、保持面１９から基板Ｐをアンロードするまでに、十分に低減させることができる。また、第９電極パターン３Ｉの電極部材３に基づいて残留している静電力が、保持面１９から基板Ｐをアンロードするまでに十分に低減されるならば、保持部材２０から基板Ｐのアンロードを円滑に実行できる。また、第９電極パターン３Ｉの電極部材３に基づいて残留している静電力が、保持面１９から基板Ｐをアンロードするまでに十分に低減されない場合でも、第９電極パターン３Ｉに対応する保持面１９の領域は小さく、静電力の大きさは、基板Ｐの保持を良好に行うことができる範囲内で十分に小さい。そのため、保持部材２０から基板Ｐのアンロードを円滑に実行できる。
【０１１６】
本実施形態においては、基板Ｐの重さ、保持部材２０の保持面１９と基板Ｐの裏面との摩擦係数、基板ステージ２を移動するときの加速度等に応じて、基板Ｐの保持を良好に行うことができるように、各電極部材３に印加する電圧値が予め最適化されている。そのため、第９ショット領域群Ｓ９のショット領域Ｓを露光するときに、第９電極パターン３Ｉの正極３１Ｉ及び負極３２Ｉのみに所定の電圧を印加することによって、その第９電極パターン３Ｉに基づいて発生する静電力によって、基板Ｐの保持を良好に行うことができる。また、保持部材２０から基板Ｐのアンロードを円滑に実行できる。
【０１１７】
図１３は、支持部材４１Ａ〜４１Ｃを含む移動機構４４によって、保持部材２０と基板Ｐとを離すときの動作の一例を示す模式図である。図１３に示すように、移動機構４４は、基板Ｐの裏面の一部分が他の部分よりも保持面１９から先に離れるように、保持部材２０に対する基板Ｐの移動を開始する。本実施形態においては、導電部材４８を含む第３支持部材４１Ｃが、保持面１９から先に離れる基板Ｐの裏面の一部分を支持する。換言すれば、３つの支持部材４１Ａ〜４１Ｃのうち、第３支持部材４１Ｃの支持面４０Ｃが、他の支持部材４１Ａ、４１Ｂの支持面４０Ａ、４０Ｂよりも先に、保持面１９から＋Ｚ方向への移動を開始するように、移動機構４４の駆動装置４５が制御される。
【０１１８】
上述のように、本実施形態においては、複数の電極パターン３Ａ〜３Ｉそれぞれの電極部材３に電圧を印加して保持面１９に基板Ｐを吸着させた後、パターンを形成する順序（ショット領域Ｓを露光する順序）に応じて、複数の電極部材３に対する電圧の印加の停止が所定の順序で実行される。すなわち、図９等を参照して説明したように、まず、第１電極パターン３Ａの電極部材３に対する電圧の印加が停止され、その後、第２、第３、…、第９電極パターン３Ｂ、３Ｃ、…、３Ｉの順序で、電極部材３に対する電圧の印加が停止される。移動機構４４は、電圧の印加が最初に停止された第１電極パターン３Ａの電極部材３に対応する基板Ｐの裏面の一部分、すなわち基板Ｐの−Ｙ側のエッジ近傍の一部分と保持部材２０の保持面１９とが最初に離れるように、保持部材２０に対する基板Ｐの移動を開始する。
【０１１９】
本実施形態においては、複数の支持部材４１Ａ〜４１Ｃのうち、導電部材４８を含む第３支持部材４１Ｃが、基板Ｐの−Ｙ側のエッジ近傍に配置されている。制御装置５は、３つの支持部材４１Ａ〜４１Ｃのうち、第３支持部材４１Ｃの支持面４０Ｃが、他の支持部材４１Ａ、４１Ｂの支持面４０Ａ、４０Ｂよりも先に、保持面１９から＋Ｚ方向への移動を開始するように、移動機構４４の駆動装置４５を制御することによって、第３支持部材４１Ｃの支持面４０Ｃで支持された基板Ｐの−Ｙ側のエッジ近傍を、保持部材２０の保持面１９から最初に離れるように、基板Ｐを移動させることができる。
【０１２０】
電圧の印加が最初に停止された第１電極パターン３Ａに対応する基板Ｐの一部分が他の部分よりの先に保持面１９から離れるように、保持面１９と基板Ｐの裏面とを離す動作を実行することで、保持面１９と基板Ｐの裏面とを離す動作を円滑に実行できる。電極部材３に対する電圧の印加を停止後において、残留する静電力が存在しても、電圧の印加が最初に停止された第１電極パターン３Ａの電極部材３に基づいて残留している静電力は、保持面１９から基板Ｐをアンロードするまでに十分に低減されている可能性が高い。そのため、その残留する静電力が十分に低減されている可能性が高い基板Ｐの裏面の一部分を他の部分に対して保持面１９から先に離すように基板Ｐを移動することによって、基板Ｐと保持面１９とを円滑に離すことができる。
【０１２１】
以上説明したように、本実施形態によれば、電極部材３が基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて配置されており、電源装置２２が基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて各電極部材３に印加する電圧を調整するので、基板Ｐを保持する動作を良好に実行しつつ、基板Ｐを搬出（アンロード）する動作を高速に実行することができる。したがって、基板Ｐを良好に保持した状態で、基板Ｐにパターンを形成する動作を良好に実行して、所望の性能を有するデバイスを製造できる。また、スループットを向上して、デバイスの生産性の向上に寄与できる。
【０１２２】
また、本実施形態によれば、支持部材４１Ａ、４１Ｂには、電極部材４６を含む静電チャック機構が設けられているので、その支持部材４１Ａ、４１Ｂを用いて、基板Ｐを良好に支持することができる。したがって、その支持部材４１Ａ、４１Ｂを用いて、基板Ｐの位置ずれ等の発生を抑制しつつ、保持部材２０に対する基板Ｐの搬入動作及び保持部材２０からの基板Ｐの搬出動作を良好に実行できる。したがって、デバイスの性能の劣化を抑制しつつデバイスの生産性の向上に寄与できる。
【０１２３】
また、本実施形態によれば、保持部材２０と基板Ｐとを離すときに、基板Ｐに帯電している電気を除電装置４７の第３支持部材４１Ｃ（導電部材４８）で取り除くので、残留する静電力によって保持部材２０と基板Ｐとが離れ難くなる現象の発生を抑制でき、基板Ｐに大きな負荷がかかるのを抑制しつつ、保持部材２０と基板Ｐとを円滑に離すことができる。
【０１２４】
なお、本実施形態においては、例えばパターンの形成動作が進行中の第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対応する電極部材３に所定値の電圧を印加し、その第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対するパターンの形成動作が実行された後、次の第２ショット領域群Ｓ２のショット領域Ｓに対するパターンの形成動作を開始するときに、第１ショット領域群Ｓ１に対応する電極部材３に印加する電圧値をオフにしているが、第１ショット領域群Ｓ１に対応する電極部材３に印加する電圧値をオフにするタイミングとしては、第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対するパターンの形成動作が実行された後であれば、任意のタイミングで実行可能である。例えば、第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対するパターンの形成動作が実行され、次の第２ショット領域群Ｓ２のショット領域Ｓに対するパターンの形成動作が実行された後に、第１ショット領域群Ｓ１に対する電極部材３に印加する電圧値をオフにするようにしてもよい。
【０１２５】
なお、本実施形態においては、パターンの形成動作が進行中のショット領域Ｓに対応する電極部材３に所定の極性の電圧を印加し、そのショット領域Ｓに対するパターンの形成動作が実行された後、そのパターンの形成動作が実行された後のショット領域Ｓに対応する電極部材３に印加する電圧値をオフにしているが、電圧値をオフにする前に、例えば所定時間、逆の極性の電圧を印加するようにしてもよい。例えば、図９において、第１ショット領域群Ｓ１の各ショット領域Ｓに対するパターンの形成動作が終了し、第２ショット領域群Ｓ２のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行を開始する際、例えば正の電位が与えられていた電極部材３（正極３１Ａ）に印加する電圧値を所定時間、負の電位を与える。こうすることにより、残留する静電力（吸着力）の発生を抑制することができる。同様に、負の電位が与えられていた電極部材３（負極３２Ａ）に印加する電圧値を所定時間、正の電位を与えることができる。その後、電極部材３の電圧をオフにすればよい。
【０１２６】
また、本実施形態においては、露光が終了した領域に対応する電極の電圧を全てオフにしているが、ショット領域の一部、例えばショット領域Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９に対応する電極については全ての露光が終了するまで電圧をオフにせず、ショット領域Ｓ１〜Ｓ６に対応する電極のみ露光が終了した時点で電圧をオフにしてもよい。
【０１２７】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１２８】
上述の第１実施形態においては、パターンの形成動作が実行された後のショット領域Ｓに対応する電極部材３に印加する電圧値をオフにしているが、第２実施形態の特徴的な部分は、電圧値をオフにせずに、印加する電圧値の絶対値を小さくする点にある。
【０１２９】
図１４、図１５、及び図１６は、第２実施形態に係る電源装置２２の動作の一例を説明するための模式図である。上述の第１実施形態と同等、第２実施形態においても、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓにパターンが順次形成される。本実施形態においては、電源装置２２は、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域Ｓに対応する電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値に設定し、パターンの形成動作が実行された後であって、パターンの形成動作が行われていないショット領域Ｓに対応する電極部材３に印加する電圧値が、第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値となるように電圧を印加する。なお、第１の電圧値及び第２の電圧値は絶対値である。
【０１３０】
例えば、第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対するパターンの形成動作の進行中、すなわち、第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓの露光中において、電源装置２２は、第１〜第９電極パターン３Ａ〜３Ｉの全ての電極部材３（正極３１、負極３２）に第１の電圧値の電圧を印加する。これにより、静電力によって、保持面１９に基板Ｐが吸着されるように保持される。
【０１３１】
そして、例えば図１４の模式図に示すように、第１ショット領域群Ｓ１の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第２ショット領域群Ｓ２のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対応する第１電極パターン３Ａの電極部材３に印加する電圧値を、第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値に設定する。
電源装置２２は、例えば電圧調整器２６を用いて、第１電極パターン３Ａの電極部材３に印加する電圧値を第２の電圧値にする。また、本実施形態においては、電源装置２２は、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第２〜第９ショット領域群Ｓ２〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第２〜第９電極パターン３Ｂ〜３Ｉに電源装置２２によって印加される電圧値を第１の電圧値に維持する。
【０１３２】
複数のショット領域Ｓに対する露光が進行し、図１５の模式図に示すように、第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第１〜第３電極パターン３Ａ〜３Ｃの電極部材３に印加する電圧値を、第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値に設定する。また、本実施形態においては、電源装置２２は、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第４〜第９ショット領域群Ｓ４〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第４〜第９電極パターン３Ｂ〜３Ｉに電源装置２２によって印加される電圧値を第１の電圧値に維持する。
【０１３３】
複数のショット領域Ｓに対する露光が進行し、図１６の模式図に示すように、第１〜第８ショット領域群Ｓ１〜Ｓ８の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第９ショット領域群Ｓ９のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第８ショット領域群Ｓ１〜Ｓ８のショット領域Ｓに対応する第１〜第８電極パターン３Ａ〜３Ｈの電極部材３に印加する電圧値を、第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値に設定する。また、本実施形態においては、電源装置２２は、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第９ショット領域群Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第９電極パターン３Ｉに電源装置２２によって印加される電圧値を第１の電圧値に維持する。
【０１３４】
そして、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後、すなわち全てのショット領域Ｓの露光が終了した後、電源装置２２は、複数の電極部材３全てに対する電圧の印加を停止する。そして、制御装置５は、露光後の基板Ｐを保持部材２０から搬出（アンロード）する動作を開始する。
【０１３５】
このように、本実施形態においては、複数の電極部材３に電圧を印加して保持面１９に基板Ｐを吸着させた後、第１、第２、…、第９電極パターン３Ａ、３Ｂ、…、３Ｉの順序で、複数の電極部材３のそれぞれに対して印加される電圧値が順次低減される。そして、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後、保持面１９と基板Ｐとを移動機構４４を用いて離す際、移動機構４４は、電圧値が最初に低減された第１電極パターン３Ａの電極部材３に対応する基板Ｐの一部分と保持面１９とが最初に離れるように、保持面１９に対する基板Ｐの移動を開始する。
【０１３６】
以上説明したように、本実施形態においても、電源装置２２が基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて各電極部材３に印加する電圧を調整するので、基板Ｐを保持する動作を良好に実行しつつ、基板Ｐを搬出（アンロード）する動作を高速に実行することができる。したがって、基板Ｐを良好に保持した状態で、基板Ｐにパターンを形成する動作を良好に実行して、所望の性能を有するデバイスを製造できる。また、スループットを向上して、デバイスの生産性の向上に寄与できる。
【０１３７】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１３８】
上述の実施形態においては、パターンが形成される前、及びパターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域群に対応する電極部材３に所定値（第１の電圧値）の電圧を印加し、パターンが形成された後の基板Ｐ上のショット領域群に対応する電極部材３に印加する電圧値を所定値（第１の電圧値）の電圧よりも小さい値（０、又は第２の電圧値）に設定している。第３実施形態の特徴的な部分は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域群に対応する電極部材３に所定値の電圧を印加し、他のショット領域群、すなわちパターンが形成される前、及びパターンが形成された後のショット領域群に対応する電極部材３に印加する電圧値を、所定値よりも小さい値に設定する点にある。
【０１３９】
図１７、図１８、及び図１９は、第３実施形態に係る電源装置２２の動作の一例を説明するための模式図である。上述の実施形態と同等、第３実施形態においても、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓにパターンが順次形成される。
【０１４０】
例えば図１７の模式図に示すように、第３ショット領域群Ｓ３のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第３ショット領域群Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第３電極パターン３Ｃの電極部材３に所定値の電圧を印加し（オンにし）、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１、第２ショット領域群Ｓ１、Ｓ２のショット領域Ｓに対応する第１、第２電極パターン３Ａ、３Ｂの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第４〜第９ショット領域群Ｓ４〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第４〜第９電極パターン３Ｄ〜３Ｉの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。
【０１４１】
図１８の模式図に示すように、第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対応する第４電極パターン３Ｄの電極部材３に所定値の電圧を印加し（オンにし）、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第１〜第３電極パターン３Ａ〜３Ｃの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第５〜第９ショット領域群Ｓ５〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第５〜第９電極パターン３Ｅ〜３Ｉの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。
【０１４２】
図１９の模式図に示すように、第１〜第４ショット領域群Ｓ１〜Ｓ４の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第５ショット領域群Ｓ５のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第５ショット領域群Ｓ５のショット領域Ｓに対応する第５電極パターン３Ｅの電極部材３に所定値の電圧を印加し（オンにし）、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第４ショット領域群Ｓ１〜Ｓ４のショット領域Ｓに対応する第１〜第４電極パターン３Ａ〜３Ｄの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第６〜第９ショット領域群Ｓ６〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第６〜第９電極パターン３Ｆ〜３Ｉの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。
【０１４３】
以下同様に、パターンの形成動作が進行中のショット領域群に対応する電極パターンの電極部材のみに所定値の電圧を印加し、他のショット領域群に対応する電極パターンの電極部材３に印加する電圧値をオフにしつつ、各ショット領域Ｓに対するパターンの形成動作を実行する。
【０１４４】
そして、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後、すなわち全てのショット領域Ｓの露光が終了した後、電源装置２２は、複数の電極部材３全てに対する電圧の印加を停止する。そして、制御装置５は、露光後の基板Ｐを保持部材２０から搬出（アンロード）する動作を開始する。
【０１４５】
本実施形態においても、電源装置２２が基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて各電極部材３に印加する電圧を調整するので、基板Ｐを保持する動作を良好に実行しつつ、基板Ｐを搬出（アンロード）する動作を高速に実行することができる。したがって、基板Ｐを良好に保持した状態で、基板Ｐにパターンを形成する動作を良好に実行して、所望の性能を有するデバイスを製造できる。また、スループットを向上して、デバイスの生産性の向上に寄与できる。
【０１４６】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１４７】
図２０、図２１、及び図２２は、第４実施形態に係る電源装置２２の動作の一例を説明するための模式図である。上述の実施形態と同等、第４実施形態においても、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓにパターンが順次形成される。
【０１４８】
例えば図２０の模式図に示すように、第３ショット領域群Ｓ３のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第３ショット領域群Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第３電極パターン３Ｃの電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値に設定し、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１、第２ショット領域群Ｓ１、Ｓ２のショット領域Ｓに対応する第１、第２電極パターン３Ａ、３Ｂの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第４〜第９ショット領域群Ｓ４〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第４〜第９電極パターン３Ｄ〜３Ｉの電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値に設定する。
【０１４９】
図２１の模式図に示すように、第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対応する第４電極パターン３Ｄの電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値に設定し、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第１〜第３電極パターン３Ａ〜３Ｃの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第５〜第９ショット領域群Ｓ５〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第５〜第９電極パターン３Ｅ〜３Ｉの電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値に設定する。
【０１５０】
図２２の模式図に示すように、第１〜第４ショット領域群Ｓ１〜Ｓ４の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第５ショット領域群Ｓ５のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第５ショット領域群Ｓ５のショット領域Ｓに対応する第５電極パターン３Ｅの電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値に設定し、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第４ショット領域群Ｓ１〜Ｓ４のショット領域Ｓに対応する第１〜第４電極パターン３Ａ〜３Ｄの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第６〜第９ショット領域群Ｓ６〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第６〜第９電極パターン３Ｆ〜３Ｉの電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値に設定する。
【０１５１】
以下同様に、パターンの形成動作が進行中のショット領域群に対応する電極パターンの電極部材に印加する電圧値を第１の電圧値に設定し、他のショット領域群に対応する電極パターンの電極部材３に印加する電圧値を第２の電圧値に設定しつつ、各ショット領域Ｓに対するパターンの形成動作を実行する。
【０１５２】
そして、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後、すなわち全てのショット領域Ｓの露光が終了した後、電源装置２２は、複数の電極部材３全てに対する電圧の印加を停止する。そして、制御装置５は、露光後の基板Ｐを保持部材２０から搬出（アンロード）する動作を開始する。
【０１５３】
本実施形態においても、電源装置２２が基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて各電極部材３に印加する電圧を調整するので、基板Ｐを保持する動作を良好に実行しつつ、基板Ｐを搬出（アンロード）する動作を高速に実行することができる。したがって、基板Ｐを良好に保持した状態で、基板Ｐにパターンを形成する動作を良好に実行して、所望の性能を有するデバイスを製造できる。また、スループットを向上して、デバイスの生産性の向上に寄与できる。
【０１５４】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１５５】
図２３は、第５実施形態に係る保持部材２０Ｂを示す図である。本実施形態においては、保持部材２０Ｂには、１８の正極３１（３１Ａ〜３１Ｒ）と、それら１８の正極３１（３１Ａ〜３１Ｒ）のそれぞれに対応する１８の負極３２（３２Ａ〜３２Ｒ）とが設けられている。第１、第２、…、第１８正極３１Ａ、３１Ｂ、…、３１Ｒのそれぞれと、第１、第２、…、第１８負極３２Ａ、３２Ｂ、…、３２Ｒのそれぞれとが対応している。なお、図２３においては、支持部材４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃの図示は省略してある。
【０１５６】
そして、第１、第２、…、第１８正極３１Ａ、３１Ｂ、…、３１Ｒのそれぞれと、第１、第２、…、第１８負極３２Ａ、３２Ｂ、…、３２Ｒのそれぞれとによって、第１、第２、…、第１８電極パターン３Ａ、３Ｂ、…、３Ｒが形成されている。
【０１５７】
図２４は、本実施形態に係る電極部材３と基板Ｐ状に設定されるショット領域Ｓとの関係を示す図である。上述の各実施形態と同様、本実施形態において、基板Ｐ上には、第１、第２、…、第９ショット領域群Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓ９が設定される。
【０１５８】
図２４に示すように、複数の電極部材３のそれぞれは、パターン情報に応じた大きさ及び形状を有し、パターン情報に応じて保持部材２０に配置されている。上述のように、パターン情報は、基板Ｐ上でのショット領域Ｓに関する情報、ひいては基板Ｐに形成されるチップ情報を含む。
【０１５９】
図２４に示すように、複数の電極部材３は、基板Ｐ上に設定されるショット領域Ｓに関する情報に応じて配置されている。本実施形態においては、各電極部材３のＹ軸方向の大きさは、ショット領域ＳのＹ軸方向の半分の大きさとほぼ一致するように設定されている。すなわち、Ｙ軸方向に関して、１つ分のショット領域Ｓの大きさと、２つ分の電極部材３の大きさとがほぼ一致するように設定されている。また、電極部材３によって形成される第１〜第１８電極パターン３Ａ〜３ＲそれぞれのＸ軸方向の大きさは、ショット領域Ｓによって形成される第１〜第９ショット領域群Ｓ１〜Ｓ９それぞれのＸ軸方向の大きさと対応するように設定されている。
【０１６０】
すなわち、各電極部材３は、複数のショット領域Ｓに対応するように配列されている。
本実施形態においては、第１、第２電極パターン３Ａ、３Ｂが、第１ショット領域群Ｓ１に対応するように配置されており、第３、第４電極パターン３Ｃ、３Ｄが、第２ショット領域群Ｓ２に対応するように配置されている。同様に、第５、第６電極パターン３Ｅ、３Ｆが、第３ショット領域群Ｓ３に対応するように配置され、第７、第８電極パターン３Ｇ、３Ｈが、第４ショット領域群Ｓ４に対応するように配置され、第９、第１０電極パターン３Ｉ、３Ｊが、第５ショット領域群Ｓ５に対応するように配置され、第１１、第１２電極パターン３Ｋ、３Ｌが、第６ショット領域群Ｓ６に対応するように配置され、第１３、第１４電極パターン３Ｍ、３Ｎが、第７ショット領域群Ｓ７に対応するように配置され、第１５、第１６電極パターン３Ｏ、３Ｐが、第８ショット領域群Ｓ８に対応するように配置され、第１７、第１８電極パターン３Ｑ、３Ｒが、第９ショット領域群Ｓ９に対応するように配置されている。
【０１６１】
次に、本実施形態に係る保持部材２０Ｂの動作の一例について説明する。基板Ｐに対する露光を開始する前の所定のタイミングにおいて、入力装置７より、パターン情報を含む露光条件（パターン形成条件）が入力される。そして、その入力装置７より入力されたパターン情報に応じて、電源装置２２より各電極部材３に印加する電圧が調整される。なお、パターン情報を含む露光条件（パターン形成条件）が記憶装置８に予め記憶され、その記憶装置８に記憶されているパターン情報に応じて、電源装置２２より各電極部材３に印加する電圧が調整されてもよい。
【０１６２】
本実施形態においては、制御装置５が、最初に第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓを露光し、その後、第２、第３、…、第８ショット領域群Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ８のショット領域Ｓを順次露光し、最後に第９ショット領域群Ｓ９のショット領域Ｓを露光する場合を例にして説明する。
【０１６３】
電極部材３が設けられた保持部材２０の保持面１９に基板Ｐを載せた後、基板Ｐを保持面１９に静電力で吸着するために、制御装置５は、電源装置２２を用いて、電極部材３に所定の電圧を印加する。本実施形態においては、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域群に対応する電極部材３に所定値の電圧を印加し、他のショット領域群に対応する電極部材に印加する電圧値をオフにする。
【０１６４】
例えば図２４の模式図に示すように、第３ショット領域群Ｓ３のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第３ショット領域群Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第５、第６電極パターン３Ｅ、３Ｆの電極部材３に所定値の電圧を印加し（オンにし）、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１、第２ショット領域群Ｓ１、Ｓ２のショット領域Ｓに対応する第１〜第４電極パターン３Ａ〜３Ｄの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第４〜第９ショット領域群Ｓ４〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第７〜第１８電極パターン３Ｇ〜３Ｒの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。
【０１６５】
図２５の模式図に示すように、第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第４ショット領域群Ｓ４のショット領域Ｓに対応する第７、第８電極パターン３Ｇ、３Ｈの電極部材３に所定値の電圧を印加し（オンにし）、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１〜第３ショット領域群Ｓ１〜Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第１〜第６電極パターン３Ａ〜３Ｆの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第５〜第９ショット領域群Ｓ５〜Ｓ９のショット領域Ｓに対応する第９〜第１８電極パターン３Ｉ〜３Ｒの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。
【０１６６】
以下同様に、パターンの形成動作が進行中のショット領域群に対応する電極パターンの電極部材のみに所定値の電圧を印加し、他のショット領域群に対応する電極パターンの電極部材３に印加する電圧値をオフにしつつ、各ショット領域Ｓに対するパターンの形成動作を実行する。
【０１６７】
そして、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後、すなわち全てのショット領域Ｓの露光が終了した後、電源装置２２は、複数の電極部材３全てに対する電圧の印加を停止する。そして、制御装置５は、露光後の基板Ｐを保持部材２０から搬出（アンロード）する動作を開始する。
【０１６８】
本実施形態においても、電源装置２２が基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて各電極部材３に印加する電圧を調整するので、基板Ｐを保持する動作を良好に実行しつつ、基板Ｐを搬出（アンロード）する動作を高速に実行することができる。したがって、基板Ｐを良好に保持した状態で、基板Ｐにパターンを形成する動作を良好に実行して、所望の性能を有するデバイスを製造できる。また、スループットを向上して、デバイスの生産性の向上に寄与できる。
【０１６９】
＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１７０】
図２６は、本実施形態に係る電極部材３と基板Ｐ状に設定されるショット領域Ｓとの関係を示す図である。上述の第５実施形態と同様、保持部材２０Ｂは、１８の正極３１（３１Ａ〜３１Ｒ）と、それら１８の正極３１（３１Ａ〜３１Ｒ）のそれぞれに対応する１８の負極３２（３２Ａ〜３２Ｒ）とを備えている。そして、第１、第２、…、第１８正極３１Ａ、３１Ｂ、…、３１Ｒのそれぞれと、第１、第２、…、第１８負極３２Ａ、３２Ｂ、…、３２Ｒのそれぞれとによって、第１、第２、…、第１８電極パターン３Ａ、３Ｂ、…、３Ｒが形成されている。
【０１７１】
本実施形態においては、基板Ｐ上には、第１、第２、…、第６ショット領域群Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓ６が設定される。図２６に示すように、複数の電極部材３は、基板Ｐ上に設定されるショット領域Ｓに関する情報に応じて配置されている。本実施形態においては、各電極部材３のＹ軸方向の大きさは、ショット領域ＳのＹ軸方向の３分の１の大きさとほぼ一致するように設定されている。すなわち、Ｙ軸方向に関して、１つ分のショット領域Ｓの大きさと、３つ分の電極部材３の大きさとがほぼ一致するように設定されている。また、電極部材３によって形成される第１〜第１８電極パターン３Ａ〜３ＲそれぞれのＸ軸方向の大きさは、ショット領域Ｓによって形成される第１〜第６ショット領域群Ｓ１〜Ｓ６それぞれのＸ軸方向の大きさと対応するように設定されている。
【０１７２】
すなわち、本実施形態においても、各電極部材３は、複数のショット領域Ｓに対応するように配列されている。本実施形態においては、第１〜第３電極パターン３Ａ〜３Ｃが、第１ショット領域群Ｓ１に対応するように配置されており、第４〜第６電極パターン３Ｄ〜３Ｆが、第２ショット領域群Ｓ２に対応するように配置されている。同様に、第７〜第９電極パターン３Ｇ〜３Ｉが、第３ショット領域群Ｓ３に対応するように配置され、第１０〜第１２電極パターン３Ｊ〜３Ｌが、第４ショット領域群Ｓ４に対応するように配置され、第１３〜第１５電極パターン３Ｍ〜３Ｏが、第５ショット領域群Ｓ５に対応するように配置され、第１６〜第１８電極パターン３Ｐ〜３Ｒが、第６ショット領域群Ｓ６に対応するように配置されている。
【０１７３】
次に、本実施形態に係る保持部材２０Ｂの動作の一例について説明する。基板Ｐに対する露光を開始する前の所定のタイミングにおいて、入力装置７より、パターン情報を含む露光条件（パターン形成条件）が入力される。そして、その入力装置７より入力されたパターン情報に応じて、電源装置２２より各電極部材３に印加する電圧が調整される。なお、パターン情報を含む露光条件（パターン形成条件）が記憶装置８に予め記憶され、その記憶装置８に記憶されているパターン情報に応じて、電源装置２２より各電極部材３に印加する電圧が調整されてもよい。
【０１７４】
本実施形態においては、制御装置５が、最初に第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓを露光し、その後、第２、第３、…、第５ショット領域群Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ５のショット領域Ｓを順次露光し、最後に第６ショット領域群Ｓ６のショット領域Ｓを露光する場合を例にして説明する。
【０１７５】
電極部材３が設けられた保持部材２０の保持面１９に基板Ｐを載せた後、基板Ｐを保持面１９に静電力で吸着するために、制御装置５は、電源装置２２を用いて、電極部材３に所定の電圧を印加する。本実施形態においては、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上のショット領域群に対応する電極部材３に所定値の電圧を印加し、他のショット領域群に対応する電極部材に印加する電圧値をオフにする。
【０１７６】
例えば図２６の模式図に示すように、第２ショット領域群Ｓ２のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第２ショット領域群Ｓ２のショット領域Ｓに対応する第４〜第６電極パターン３Ｄ〜３Ｆの電極部材３に所定値の電圧を印加し（オンにし）、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１ショット領域群Ｓ１のショット領域Ｓに対応する第１〜第３電極パターン３Ａ〜３Ｃの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第３〜第６ショット領域群Ｓ３〜Ｓ６のショット領域Ｓに対応する第７〜第１８電極パターン３Ｇ〜３Ｒの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。
【０１７７】
図２７の模式図に示すように、第１、第２ショット領域群Ｓ１、Ｓ２の各ショット領域Ｓに対するパターン形成動作が終了し、第３ショット領域群Ｓ３のショット領域Ｓに対するパターン形成動作の実行が開始されると、電源装置２２は、パターンの形成動作が進行中の基板Ｐ上の第３ショット領域群Ｓ３のショット領域Ｓに対応する第７〜第９電極パターン３Ｇ〜３Ｉの電極部材３に所定値の電圧を印加し（オンにし）、パターンが形成された後の基板Ｐ上の第１、第２ショット領域群Ｓ１、Ｓ２のショット領域Ｓに対応する第１〜第６電極パターン３Ａ〜３Ｆの電極部材３に印加する電圧値、及びパターンが形成される前の基板Ｐ上の第４〜第６ショット領域群Ｓ４〜Ｓ６のショット領域Ｓに対応する第１０〜第１８電極パターン３Ｊ〜３Ｒの電極部材３に印加する電圧値をオフにする。
【０１７８】
以下同様に、パターンの形成動作が進行中のショット領域群に対応する電極パターンの電極部材のみに所定値の電圧を印加し、他のショット領域群に対応する電極パターンの電極部材３に印加する電圧値をオフにしつつ、各ショット領域Ｓに対するパターンの形成動作を実行する。
【０１７９】
そして、基板Ｐ上の全てのショット領域Ｓにパターンが形成された後、すなわち全てのショット領域Ｓの露光が終了した後、電源装置２２は、複数の電極部材３全てに対する電圧の印加を停止する。そして、制御装置５は、露光後の基板Ｐを保持部材２０から搬出（アンロード）する動作を開始する。
【０１８０】
本実施形態においても、電源装置２２が基板Ｐに形成されるパターン情報に応じて各電極部材３に印加する電圧を調整するので、基板Ｐを保持する動作を良好に実行しつつ、基板Ｐを搬出（アンロード）する動作を高速に実行することができる。したがって、基板Ｐを良好に保持した状態で、基板Ｐにパターンを形成する動作を良好に実行して、所望の性能を有するデバイスを製造できる。また、スループットを向上して、デバイスの生産性の向上に寄与できる。
【０１８１】
なお、上述の第５、第６実施形態においては、パターンの形成動作が進行中のショット領域群以外のショット領域群に対応する電極部材３に印加する電圧値がオフである場合を例にして説明したが、パターンの形成動作が進行中のショット領域群に対応する電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値とし、パターンの形成動作が進行中のショット領域群以外のショット領域群に対応する電極部材３に印加する電圧値を第１の電圧値よりも小さい第２の電圧値（０以外の値）としてもよい。
【０１８２】
また、上述の第５、第６実施形態においては、パターンが形成される前のショット領域群に対応する電極部材３に印加される電圧値が、パターンの形成動作が進行中のショット領域群に対応する電極部材３に印加される電圧値よりも小さい場合を例にして説明したが、パターンが形成される前のショット領域群に対応する電極部材３に印加される電圧値が、パターンの形成動作が進行中のショット領域群に対応する電極部材３に印加される電圧値と同じであってもよい。
【０１８３】
上述の実施形態では、ショット領域の幅を変更したときでも、同時に制御する電極の数を変更するだけで、ショット領域毎の電圧制御を実行できる。なお、上述の実施形態では電極の幅をショット領域の幅の半分にしているが、各ショット領域の幅内を更に複数の電極で構成してもよい。
【０１８４】
＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１８５】
上述の第１〜第６実施形態においては、保持部材２０に対して基板Ｐを移動する移動機構４４は、保持部材２０に設けられた支持部材４１Ａ〜４１Ｃを備えているが、第７実施形態の特徴的な部分は、移動機構が、保持部材に対して基板Ｐ搬入及び搬出する搬送部材を備える点にある。
【０１８６】
図２８は、第７実施形態に係る移動機構４４Ｂを示す斜視図である。本実施形態の移動機構４４Ｂは、保持部材２０Ｃに対して基板Ｐを搬入及び搬出する搬送部材５１を備えている。移動機構４４Ｂは、搬送部材５１を用いて、保持部材２０の保持面１９に対して基板Ｐを近付ける方向及び離れる方向に移動する。
【０１８７】
図２８に示すように、本実施形態の搬送部材５１は、アーム部５２と、アーム部５２に設けられ、基板Ｐの裏面の所定領域（本実施形態では、基板Ｐの周縁部の裏面）を支持する複数の支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃとを備えている。本実施形態においては搬送部材５１は、３つの支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃを備えている。
【０１８８】
アーム部５２は、ＸＹ平面内において円弧状の部材であって、保持部材２０Ｃの側面に沿うように形成されている。アーム部５２は、保持部材２０Ｃの側面を囲むように配置可能である。また、アーム部５２は、２つの先端のそれぞれに、内側（円弧状のアーム部５２の中心側）に突出する第１、第２突出部５２Ａ、５２Ｂを有する。また、アーム部５２は、２つの先端のほぼ中央に、内側に突出する第３突出部５２Ｃを有する。第１、第２、第３支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃは、アーム部５２の第１、第２、第３突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃのそれぞれに配置されている。第１、第２、第３支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃのそれぞれは、アーム部５２から上方（＋Ｚ方向）に突出する形状を有する。
【０１８９】
保持部材２０Ｃは、第１〜第９電極パターン３Ａ〜３Ｉを備えている。また、保持部材２０Ｃの−Ｘ側の側面及び＋Ｘ側の側面のそれぞれには、Ｙ軸方向に延びる溝５４Ａ、５４Ｂが形成されている。 また、保持部材２０Ｃは、第１、第２、第３突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃのそれぞれに対応するように形成された第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃを備えている。第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃのそれぞれは、保持部材２０Ｃの側面に形成されており、第１、第２、第３突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃを配置可能である。本実施形態においては、第３突出部５２Ｃに対応する第３凹部５５Ｃは、保持面１９の中心に対して−Ｙ側（第１電極パターン３Ａ側）に配置されている。
第１、第２突出部５２Ａ、５２Ｂに対応する第１、第２凹部５５Ａ、５５Ｂは、保持面１９の中心に対して＋Ｙ側（第９電極パターン３Ｉ側）に配置されている。
【０１９０】
第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃのそれぞれは、Ｚ軸方向に延びるように形成されており、保持面１９の一部を切り欠くように形成されている。また、第１、第２凹部５５Ａ、５５Ｂは、保持面１９と溝５４とを接続するように形成されている。第１、第２、第３突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃのそれぞれは、第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃ内で、かつ第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃに沿って、Ｚ軸方向に移動可能である。
【０１９１】
第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃのそれぞれは、保持面１９の一部を切り欠くように形成されているため、保持面１９に載せられた基板Ｐの裏面の一部は、第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃに露出する。
【０１９２】
移動機構４４Ｂは、保持部材２０Ｃの第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃ内に、搬送部材５１の第１、第２、第３突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃを配置した状態で、第１、第２、第３支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃの上端が保持面１９よりも＋Ｚ側に配置されるように搬送部材５１を移動可能であるとともに、第１、第２、第３支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃの上端が保持面１９よりも−Ｚ側に配置されるように搬送部材５１を移動可能である。
【０１９３】
保持面１９に載せられた基板Ｐの裏面の一部は、第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃに露出しているので、搬送部材５１は、第１、第２、第３凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃに露出している基板Ｐの裏面の一部を支持部５３で支持しながら、保持部材２０の保持面１９に対してＺ軸方向に移動可能である。すなわち、移動機構４４は、搬送部材５１の第１、第２、第３支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃに基板Ｐを支持した状態で、その搬送部材５１をＺ軸方向に移動することにより、保持部材２０の保持面１９と基板Ｐの裏面とが近付く方向及び離れる方向に基板Ｐを移動可能である。
【０１９４】
搬送部材５１を用いて保持部材２０Ｃに基板Ｐを搬入（ロード）するときには、移動機構４４Ｂは、基板Ｐを各支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃで支持した搬送部材５１を保持部材２０Ｃの保持面１９の上方に配置し、保持部材２０Ｃの各凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃの上端と搬送部材５１の各突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃとを位置合わせした状態で、搬送部材５１を−Ｚ方向に移動する。搬送部材５１の各突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃは、各凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃに沿って−Ｚ方向に移動可能であり、搬送部材５１の−Ｚ方向への移動に伴って、支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃに支持されている基板Ｐの裏面と保持部材２０Ｃの保持面１９とが接触する。そして、搬送部材５１がさらに−Ｚ方向へ移動することによって、保持面１９に基板Ｐが載るとともに、基板Ｐの裏面と支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃとが離れる。そして、さらに搬送部材５１を−Ｚ方向へ移動して、第１、第２突出部５２Ａ、５２Ｂを溝５４Ａ、５４Ｂに配置した後、移動機構４４Ｂは、搬送部材５１を、−Ｙ方向に移動する。搬送部材５１の第１、第２突出部５２Ａ、５２Ｂは、溝５４Ａ、５４Ｂの内側で−Ｙ方向に移動可能である。そのため、搬送部材５１は、保持部材２０Ｃとの接触を抑制されつつ、−Ｙ方向に移動して、保持部材２０Ｃから離れることができる。
【０１９５】
また、搬送部材５１を用いて保持部材２０Ｃ上の基板Ｐを搬出（アンロード）するときには、移動機構４４Ｂは、搬送部材５１を保持部材２０Ｃの−Ｙ側に配置し、第１、第２突出部５２Ａ、５２Ｂと溝５４Ａ、５４Ｂとを位置合わせした状態で、搬送部材５１を＋Ｙ方向に移動する。搬送部材５１の第１、第２突出部５２Ａ、５２Ｂは、溝５４Ａ、５４Ｂ内で、かつ溝５４Ａ、５４Ｂに沿って＋Ｙ方向に移動可能であり、搬送部材５１の＋Ｙ方向への移動に伴って、第１、第２突出部５２Ａ、５２Ｂと第１、第２凹部５５Ａ、５５Ｂとが位置合わせされる。また、第３突出部５２Ｃと第３凹部５５Ｃとが位置合わせされる。そして、移動機構４４Ｂは、保持部材２０Ｃの各凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃの下端と搬送部材５１の各突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃとを位置合わせした状態で、搬送部材５１を＋Ｚ方向に移動する。搬送部材５１の各突出部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃは、各凹部５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃの内側で＋Ｚ方向に移動可能であり、搬送部材５１の＋Ｚ方向への移動に伴って、保持面１９に載せられている基板Ｐの裏面の一部と支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃとが接触する。そして、搬送部材５１がさらに＋Ｚ方向へ移動することによって、支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃに基板Ｐが支持されるとともに、基板Ｐの裏面と保持面１９とが離れる。そして、さらに搬送部材５１を＋Ｚ方向へ移動して、保持部材２０と基板Ｐを支持した搬送部材５１とを十分に離した後、移動機構４４Ｂは、搬送部材５１を、所定方向に移動する。これにより、基板Ｐは、搬送部材５１によって、保持部材２０Ｃより搬出される。
【０１９６】
図２９は、本実施形態に係る移動機構４４Ｂによって、保持部材２０Ｃと基板Ｐとを離すときの動作の一例を示す模式図である。図２９に示すように、移動機構４４Ｂは、基板Ｐの裏面の一部分が他の部分よりも保持面１９から先に離れるように、保持部材２０Ｃに対する基板Ｐの移動を開始する。本実施形態においては、第３支持部５３Ｃが、保持面１９から先に離れる基板Ｐの裏面の一部分を支持する。換言すれば、３つの支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃのうち、第３支持部５３Ｃが、他の支持部５３Ａ、５３Ｂよりも先に、保持面１９から＋Ｚ方向への移動を開始するように、移動機構４４Ｂの駆動が制御される。
【０１９７】
上述の実施形態と同様、複数の電極パターン３Ａ〜３Ｉそれぞれの電極部材３に電圧を印加して保持面１９に基板Ｐを吸着させた後、パターンを形成する順序（ショット領域Ｓを露光する順序）に応じて、複数の電極部材３に対する電圧の印加の停止が所定の順序で実行される。すなわち、まず、第１電極パターン３Ａの電極部材３に対する電圧の印加が停止され、その後、第２、第３、…、第９電極パターン３Ｂ、３Ｃ、…、３Ｉの順序で、電極部材３に対する電圧の印加が停止される。移動機構４４Ｂは、電圧の印加が最初に停止された第１電極パターン３Ａの電極部材３に対応する基板Ｐの裏面の一部分、すなわち基板Ｐの−Ｙ側のエッジ近傍の一部分と保持部材２０Ｃの保持面１９とが最初に離れるように、保持部材２０Ｃに対する基板Ｐの移動を開始する。
【０１９８】
本実施形態においては、複数の支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃのうち、第３支持部５３Ｃが、基板Ｐの−Ｙ側のエッジ近傍に配置されている。制御装置５は、３つの支持部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃのうち、第３支持部５３Ｃが、他の支持部５３Ａ、５３Ｂよりも先に、保持面１９から＋Ｚ方向への移動を開始するように、移動機構４４Ｂを制御することによって、第３支持部５３Ｃで支持された基板Ｐの−Ｙ側のエッジ近傍を、保持部材２０Ｃの保持面１９から最初に離れるように、基板Ｐを移動させることができる。
【０１９９】
また、第３支持部５３Ｃに接地された導電部材を設けることにより、基板Ｐに帯電している電気（電荷）を良好に取り除くことができる。
【０２００】
また、本実施形態において、例えば支持部５３Ａ、５３Ｂに、基板Ｐを支持部５３Ａ、５３Ｂに吸着するための静電力を発生させる電極部材を含む静電チャック機構を設けることができる。
【０２０１】
なお、上述の各実施形態においては、移動機構４４は、ほぼ静止している保持部材２０に対して基板Ｐを移動しているが、ほぼ静止した基板Ｐに対して保持部材２０を移動させてもよいし、保持部材２０と基板Ｐとの両方を動かすようにしてもよい。
【０２０２】
さらに、上述の各実施形態においては、移動機構４４、４４Ｂは、複数の電極部材を備える保持部材２０、２０Ｃに適用した場合を説明したが、移動機構４４、４４Ｂは、１つあるいは２つの電極部材を備える保持部材に適用してもよい。
【０２０３】
また、上述の各実施形態において、保持部材２０、２０Ｃは、先端部分が同一面上に配置された多数のピン部材（凸部あるいは突起部）を介して基板Ｐの裏面を支持してもよい。このように、保持部材２０、２０Ｃが多数のピン部材を備える場合には、多数のピン部材の先端部分を含む面を保持面とすることができる。
【０２０４】
なお、上述の各実施形態においては、基板Ｐに帯電している電気を取り除く除電装置４７は、保持部材２０の保持面１９と接触する接地された導電部材４８を備えているが、基板Ｐの側面、表面の一部等に接触する接地された導電部材を備えていてもよい。また、基板Ｐに帯電している電気を取り除くことができるのであれば、導電部材は必ずしも接地されていなくてもよい。
【０２０５】
なお、上述の各実施形態においては、静電チャック機構が、所謂、双極方式である場合を例にして説明したが、単極方式であってもよい。
【０２０６】
更に、上述の各実施形態では、Ｙ軸方向にのみ電極部材を分割し、Ｘ軸方向には正極と負極のペアを作成しているのみであるが、更に、Ｘ軸方向にも電極部材を分割して、Ｘ軸方向に関する露光が終了した領域に対応する電極部材の電圧をオフにしてもよい。例えば、チップ幅に関連した間隔で、あるいはスキャン露光を行うスリット（投影領域）の幅に関連した間隔で、正極と負極が配置されるように複数の電極部材を配置しておき、露光が終了したチップ、あるいはスリットの幅に対応する電極部材の電圧を順次オフにするようにしてもよい。
【０２０７】
また、Ｙ軸方向及びＸ軸方向のそれぞれに電極部材を複数に分割した場合、基板Ｐに形成されたパターン情報、例えば、ショット領域Ｓの大きさに応じて、複数の電極部材の中から、所定数の電極部材を選択すればよい。すなわち、所定数の電極部材は、各ショット領域Ｓのそれぞれに割り当てられることになる。この場合、電源装置は、ショット領域Ｓ毎に割り当てられた所定数の電極部材の電圧を調整すればよい。
【０２０８】
また、上述の各実施形態では、Ｘ軸方向に配置された正極と負極のペアの電圧を同時に変化させているが、一方の電極部材の電圧のみ変化させてもよい。
【０２０９】
なお、上述の実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）、またはフィルム部材等が適用される。また、基板はその形状が円形に限られるものでなく、矩形など他の形状でもよい。
【０２１０】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０２１１】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０２１２】
また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。
【０２１３】
また、本発明は、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【０２１４】
更に、例えば特開平１１−１３５４００号公報（対応国際公開第１９９９／２３６９２号パンフレット）、米国特許第６，８９７，９６３号等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
【０２１５】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０２１６】
以上のように、実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。
これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０２１７】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図３０に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクのパターンの像で基板に露光し、露光した基板を現像する基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０２１８】
なお、上述の実施形態においては、基板Ｐにパターンを形成するための装置が、感光性を有する基板Ｐに露光光ＥＬを照射することによってその基板Ｐにパターンを形成する露光装置である場合を例にして説明したが、本発明の保持装置は、基板Ｐ上にパターンを形成する種々のパターン形成装置に適用可能である。そのようなパターン形成装置としては、例えばインクの滴を基板上に吐出することによってその基板上にパターンを形成するインクジェット装置、凹凸パターンが形成された原版と有機材料が塗布された基板とを基板のガラス転移温度以上に加熱しながら押し当て、その後、原版と基板とを離すとともに基板を冷却して基板上に原版のパターンを転写するナノインプリント装置などが挙げられる。これらの装置に基板を保持する保持装置が設けられている場合には、本発明の保持装置を用いて基板を保持することで、基板を所望状態で保持することができる。例えば、基板Ｐの表面が複数の微小な領域に分けられ、インクジェット装置が、その微小な領域のそれぞれに対してパターンを形成する動作（インクの滴を吐出する動作）を実行する場合には、保持部材の電極部材は、微小な領域に応じて配置されるとともに、保持装置の電源装置は、パターンを形成する順序に応じて、保持部材に設けられた複数の電極部材のそれぞれに対して印加する電圧を調整する。
【０２１９】
また、本発明の保持装置は、パターン形成装置に限らず、例えば、基板Ｐにレジストを塗布する装置や、基板Ｐに形成されたパターンを現像する装置等の基板処理装置が備える保持装置にも適用することが可能である。このような保持装置に本発明を適用する場合、電源装置２２は、パターン情報を考慮せずに、電極部材のそれぞれに対して印加する電圧を任意に調整すればよい。
【０２２０】
なお、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【０２２１】
なお、上述のように本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いる事が可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある。
【符号の説明】
【０２２２】
２…基板ステージ、３…電極部材、３Ａ〜３Ｒ…電極パターン、１９…保持面、２０…保持部材、２２…電源装置、２５…スイッチ、３１…正極、３２…負極、４０Ａ〜４０Ｃ…支持面、４１Ａ〜４１Ｃ…支持部材、４４…移動機構、４６…電極部材、４７…除電装置、４８…導電部材、５１…搬送部材、５３Ａ〜５３Ｃ…支持部、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｍ…マスク、Ｐ…基板、Ｓ…ショット領域、Ｓ１〜Ｓ９…ショット領域群
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成される基板を保持する保持面を有する保持部材と、
前記保持部材に設けられるとともに、前記パターンに関するパターン情報に応じて配置され、電圧の印加に応じて、前記基板を前記保持面に吸着するための静電力を発生させる複数の第１電極部材と、
前記複数の第１電極部材に印加する前記電圧を調整可能な電源装置と、を備え、
前記電源装置は、前記パターンの形成動作が進行中の前記基板上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材に第１電圧を印加し、前記パターンの形成動作が終了した前記基板上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材に、前記第１電圧よりも低い電圧を印加し、
前記基板上の第１ショット領域とは異なる第２ショット領域に前記パターンの形成動作を進行している間、前記基板上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材を前記第１電圧よりも低い電圧に維持する保持装置。
【請求項２】
前記電源装置は、前記パターン情報に応じて、前記複数の第１電極部材の中から選択された少なくとも１つの第１電極部材に所定の電圧を印加する請求項１に記載の保持装置。
【請求項３】
前記電源装置は、電圧の印加と印加の停止とを切り替えるスイッチを含む請求項１又は２記載の保持装置。
【請求項４】
前記電源装置は、前記パターンの形成動作が進行中の前記基板上の第１ショット領域に対応する前記第１電極部材に第１電圧を印加し、前記第１電圧が印加された前記第１電極部材とは異なる第１電極部材のうちの少なくとも一つの第１電極部材に前記第１電圧よりも低い電圧を印加する請求項１〜３のいずれか一項記載の保持装置。
【請求項５】
前記電源装置は、前記パターンが形成される前の前記基板上の第２ショット領域に対応する前記第１電極部材に第１電圧を印加する請求項１〜４のいずれか一項記載の保持装置。
【請求項６】
基板を保持する保持面を有する保持部材と、
前記保持部材に設けられ、電圧の印加に応じて、前記基板を前記保持面に吸着するための静電力を発生させる複数の第１電極部材と、
前記複数の第１電極部材のうち少なくとも一つの第１電極部材と、前記複数の第１電極部材のうち少なくとも一つの第１電極部材とは異なる第１電極部材とに、異なる電圧を印加する電源装置と、を備え、
前記電源装置は、
前記少なくとも一つの第１電極部材に第１電圧を印加するとともに、前記少なくとも一つの第１電極部材とは異なる前記第１電極部材に第１電圧とは異なる電圧を印加し、
前記基板にパターンの形成動作が進行中又は進行前の少なくとも一方の前記基板上のショット領域に対応する前記少なくとも一つの第１電極部材に印加する前記第１電圧を、前記少なくとも一つの第１電極部材とは異なる前記第１電極部材に印加する電圧よりも高く設定し、
前記少なくとも一つの第１電極部材に印加する前記第１電圧が、前記少なくとも一つの第１電極部材とは異なる前記第１電極部材に印加する電圧よりも高く設定されている間、前記少なくとも一つの第１電極部材とは異なる前記第１電極部材を、前記第１電圧よりも低い電圧に維持する保持装置。
【請求項７】
前記第１電圧よりも低い電圧は、オフ電圧である請求項１〜６のいずれか一項記載の保持装置。
【請求項８】
パターンからの露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記露光光が照射される基板を保持するために、請求項１〜７のいずれか一項記載の保持装置を備える露光装置。
【請求項９】
前記露光光が通過する空間を真空雰囲気に維持する真空システムをさらに備える請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１１】
パターンからの露光光で基板を露光する露光方法であって、
複数の第１電極部材が設けられた保持部材の保持面に前記基板を載せることと、
前記基板を前記保持面に静電力で吸着するために、前記第１電極部材に電圧を印加することと、
前記パターンからの前記露光光を前記基板に照射することと、を含み、
前記第１電極部材に電圧を印加することは、
前記パターンの形成動作が進行中の前記基板上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材に第１電圧を印加し、前記パターンの形成動作が終了した前記基板上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材に、前記第１電圧よりも低い電圧を印加し、
前記基板上の第１ショット領域とは異なる第２ショット領域に前記パターンの形成動作を進行している間、前記基板上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材を前記第１電圧よりも低い電圧に維持する露光方法。
【請求項１２】
前記第１電極部材に前記第１電圧よりも低い電圧が印加される前記基板上の第１ショット領域は、前記露光光の照射が終了した領域である請求項１１に記載の露光方法。
【請求項１３】
パターンからの露光光で基板を露光する露光方法であって、
複数の第１電極部材が設けられた保持部材の保持面に前記基板を載せることと、
前記基板を前記保持面に静電力で吸着するために、前記第１電極部材に電圧を印加することと、
前記パターンからの前記露光光を、前記基板上の複数のショット領域に順次に照射することと、を含み、
前記第１電極部材に電圧を印加することは、
前記露光光の照射前又は前記露光光の照射が進行中の少なくとも一方の前記基板上のショット領域に対応する前記第１電極部材に印加する第１電圧が、前記第１電圧が印加された前記第１電極部材とは異なる第１電極部材に印加する電圧よりも大きく設定し、
前記第１電極部材に印加する第１電圧が、前記第１電圧が印加された前記第１電極部材とは異なる第１電極部材に印加する電圧よりも大きく設定されている間、前記第１電圧が印加された前記第１電極部材とは異なる前記第１電極部材を前記第１電圧よりも低い電圧に維持する露光方法。
【請求項１４】
前記第１電圧よりも低い電圧は、オフ電圧である請求項１１〜１３のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１５】
請求項１１〜１４のいずれか一項記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１】
パターンが形成される基板を保持する保持面を有する保持部材と、
前記保持部材に設けられるとともに、前記パターンに関するパターン情報に応じて配置され、電圧の印加に応じて、前記基板を前記保持面に吸着するための静電力を発生させる複数の第１電極部材と、
前記複数の第１電極部材に印加する前記電圧を調整可能な電源装置と、を備え、
前記電源装置は、前記パターンの形成動作が進行中の前記基板上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材に第１電圧を印加し、前記パターンの形成動作が終了した前記基板上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材に、前記第１電圧よりも低い電圧を印加し、
前記基板上の第１ショット領域とは異なる第２ショット領域に前記パターンの形成動作を進行している間、前記基板上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材を前記第１電圧よりも低い電圧に維持する保持装置。
【請求項２】
前記電源装置は、前記パターン情報に応じて、前記複数の第１電極部材の中から選択された少なくとも１つの第１電極部材に所定の電圧を印加する請求項１に記載の保持装置。
【請求項３】
前記電源装置は、電圧の印加と印加の停止とを切り替えるスイッチを含む請求項１又は２記載の保持装置。
【請求項４】
前記電源装置は、前記パターンの形成動作が進行中の前記基板上の第１ショット領域に対応する前記第１電極部材に第１電圧を印加し、前記第１電圧が印加された前記第１電極部材とは異なる第１電極部材のうちの少なくとも一つの第１電極部材に前記第１電圧よりも低い電圧を印加する請求項１〜３のいずれか一項記載の保持装置。
【請求項５】
前記電源装置は、前記パターンが形成される前の前記基板上の第２ショット領域に対応する前記第１電極部材に第１電圧を印加する請求項１〜４のいずれか一項記載の保持装置。
【請求項６】
基板を保持する保持面を有する保持部材と、
前記保持部材に設けられ、電圧の印加に応じて、前記基板を前記保持面に吸着するための静電力を発生させる複数の第１電極部材と、
前記複数の第１電極部材のうち少なくとも一つの第１電極部材と、前記複数の第１電極部材のうち少なくとも一つの第１電極部材とは異なる第１電極部材とに、異なる電圧を印加する電源装置と、を備え、
前記電源装置は、
前記少なくとも一つの第１電極部材に第１電圧を印加するとともに、前記少なくとも一つの第１電極部材とは異なる前記第１電極部材に第１電圧とは異なる電圧を印加し、
前記基板にパターンの形成動作が進行中又は進行前の少なくとも一方の前記基板上のショット領域に対応する前記少なくとも一つの第１電極部材に印加する前記第１電圧を、前記少なくとも一つの第１電極部材とは異なる前記第１電極部材に印加する電圧よりも高く設定し、
前記少なくとも一つの第１電極部材に印加する前記第１電圧が、前記少なくとも一つの第１電極部材とは異なる前記第１電極部材に印加する電圧よりも高く設定されている間、前記少なくとも一つの第１電極部材とは異なる前記第１電極部材を、前記第１電圧よりも低い電圧に維持する保持装置。
【請求項７】
前記第１電圧よりも低い電圧は、オフ電圧である請求項１〜６のいずれか一項記載の保持装置。
【請求項８】
パターンからの露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記露光光が照射される基板を保持するために、請求項１〜７のいずれか一項記載の保持装置を備える露光装置。
【請求項９】
前記露光光が通過する空間を真空雰囲気に維持する真空システムをさらに備える請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１１】
パターンからの露光光で基板を露光する露光方法であって、
複数の第１電極部材が設けられた保持部材の保持面に前記基板を載せることと、
前記基板を前記保持面に静電力で吸着するために、前記第１電極部材に電圧を印加することと、
前記パターンからの前記露光光を前記基板に照射することと、を含み、
前記第１電極部材に電圧を印加することは、
前記パターンの形成動作が進行中の前記基板上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材に第１電圧を印加し、前記パターンの形成動作が終了した前記基板上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材に、前記第１電圧よりも低い電圧を印加し、
前記基板上の第１ショット領域とは異なる第２ショット領域に前記パターンの形成動作を進行している間、前記基板上の第１ショット領域に対応する少なくとも一つの前記第１電極部材を前記第１電圧よりも低い電圧に維持する露光方法。
【請求項１２】
前記第１電極部材に前記第１電圧よりも低い電圧が印加される前記基板上の第１ショット領域は、前記露光光の照射が終了した領域である請求項１１に記載の露光方法。
【請求項１３】
パターンからの露光光で基板を露光する露光方法であって、
複数の第１電極部材が設けられた保持部材の保持面に前記基板を載せることと、
前記基板を前記保持面に静電力で吸着するために、前記第１電極部材に電圧を印加することと、
前記パターンからの前記露光光を、前記基板上の複数のショット領域に順次に照射することと、を含み、
前記第１電極部材に電圧を印加することは、
前記露光光の照射前又は前記露光光の照射が進行中の少なくとも一方の前記基板上のショット領域に対応する前記第１電極部材に印加する第１電圧が、前記第１電圧が印加された前記第１電極部材とは異なる第１電極部材に印加する電圧よりも大きく設定し、
前記第１電極部材に印加する第１電圧が、前記第１電圧が印加された前記第１電極部材とは異なる第１電極部材に印加する電圧よりも大きく設定されている間、前記第１電圧が印加された前記第１電極部材とは異なる前記第１電極部材を前記第１電圧よりも低い電圧に維持する露光方法。
【請求項１４】
前記第１電圧よりも低い電圧は、オフ電圧である請求項１１〜１３のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１５】
請求項１１〜１４のいずれか一項記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１２Ｃ】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１２Ｃ】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【公開番号】特開２０１３−５８７６１（Ｐ２０１３−５８７６１Ａ）
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２１９９１５（Ｐ２０１２−２１９９１５）
【出願日】平成２４年１０月１日（２０１２．１０．１）
【分割の表示】特願２００８−７１６０２（Ｐ２００８−７１６０２）の分割
【原出願日】平成２０年３月１９日（２００８．３．１９）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１０月１日（２０１２．１０．１）
【分割の表示】特願２００８−７１６０２（Ｐ２００８−７１６０２）の分割
【原出願日】平成２０年３月１９日（２００８．３．１９）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
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