光学多層膜フィルタの製造方法、光学多層膜フィルタおよび固体撮像デバイス
【課題】ヘイズが低く、透明性に優れる光学多層膜フィルタを安定して製造する方法および光学多層膜フィルタ、さらに、そのような光学多層フィルタを備えた固体撮像デバイスを提供すること。
【解決手段】ガラス基板または水晶基板の上に光学薄膜を形成する光学多層膜フィルタの製造方法であって、光学薄膜の形成工程において、Ａｒより大きな原子量を持つ不活性原子と酸素分子とを含んでなる混合ガスを用いてイオンアシスト蒸着を行う。
【解決手段】ガラス基板または水晶基板の上に光学薄膜を形成する光学多層膜フィルタの製造方法であって、光学薄膜の形成工程において、Ａｒより大きな原子量を持つ不活性原子と酸素分子とを含んでなる混合ガスを用いてイオンアシスト蒸着を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学多層膜フィルタの製造方法、光学多層膜フィルタおよび固体撮像デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＵＶ−ＩＲカットフィルタやＩＲカットフィルタなど、固体撮像デバイスに多用される光学多層膜フィルタは、基板上に真空蒸着やスパッタリング等によって形成（成膜）された多層の薄膜から構成される。また、基板への密着性がよく、非常に緻密な薄膜を形成できることから、イオンアシストを用いた電子ビーム蒸着が非常に多く利用されている（例えば、特許文献１、２、非特許文献１参照）。特許文献１では、イオンアシストを用いてＴｉＯ２を蒸着して多層反射ミラー、多層膜フィルタを製造している。特許文献２では、イオンアシストを用いてＴｉＯ２を形成することによって低温で結晶性の高い膜を得ている。また、非特許文献１では、様々な条件でイオンアシスト蒸着を行った場合のＴｉＯ２の特性について記載している。
【０００３】
一方、このような光学多層膜フィルタの光学品質に対する要求は年々高くなっている。特に透明性への要求が厳しくなっており、具体的には、ヘイズ（ＨＡＺＥ、曇り具合）であれば０．１以下を満足することが求められている。ヘイズを悪化させる原因は様々であるが、例えば、基板上の薄膜が結晶化すると光が散乱するためにヘイズが上昇することは知られている。図１１に、基板上にイオンアシスト蒸着により多層の無機薄膜（ＴｉＯ２層とＳｉＯ２層からなる多層膜）を形成した例を示す。この図は、多層膜の断面の電子顕微鏡写真であるが、ＴｉＯ２層が非晶部と柱状結晶部から構成されているため、非常にヘイズが高く、透明性に劣ったものとなっている。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−２５４６１２号公報
【特許文献２】特開平１０−１８６１３０号公報
【非特許文献１】生産現場における光学薄膜の設計・作成・評価技術（技術情報協会 ２００１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１、２および非特許文献１のいずれにも、無機薄膜のヘイズの制御に関しては何ら知見がなく、透明で、ヘイズの低い光学多層膜フィルタを安定して製造できる技術は開示されていない。
そこで、本発明は、透明性に優れ、ヘイズの低い光学多層膜フィルタを安定して製造する方法および光学多層膜フィルタ、さらに、そのような光学多層フィルタを備えた固体撮像デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の光学多層膜フィルタの製造方法は、基板上にイオンアシスト蒸着により光学薄膜を形成する光学多層膜フィルタの製造方法であって、前記光学薄膜の形成工程において、Ａｒより大きな原子量を持つ不活性原子と酸素分子とを含んでなる混合ガスを用いてイオンアシスト蒸着を行うことを特徴とする。
【０００７】
このような本発明によれば、Ａｒより大きな原子量を持つ不活性原子と酸素分子とを含んでなる混合ガスを用いてイオンアシストを行いながら、基板に多層の蒸着膜を形成するので、ヘイズが低く、かつ透明性にも優れた光学薄膜を得ることができる。
本発明において、多層膜のヘイズが低くなる理由は必ずしも明らかではないが、原子サイズの大きな不活性原子が基板上に形成されつつある薄膜に衝突することで、結果的に薄膜の結晶化を妨げているものと推定される。
不活性原子としては、イオンアシスト蒸着において、多少条件が変動しても安定して非晶質なＴｉＯ２膜（低ヘイズ）を得ることができる点でＫｒおよび／またはＸｅであることが好ましい。
【０００８】
本発明では、前記混合ガスにおける下記式（１）で示される流量比が０．３７５を越え、１．０未満であることが好ましい。
流量比＝酸素ガス流量／（酸素ガス流量＋不活性ガス流量） （１）
（ここで、酸素ガス流量とは、イオンアシスト蒸着を行う系への酸素分子の導入・排出量を意味し、不活性ガス流量とは、イオンアシスト蒸着を行う系への不活性原子の導入・排出量を意味する。流量の単位はｓｃｃｍである。）
この発明によれば、イオンアシストに用いる混合ガスの流量比Ｒが０．３７５を越え、１．０未満であるので、ヘイズがより低く、透過率も非常に高い光学薄膜を得ることができる。
【０００９】
本発明では、前記光学薄膜がＴｉＯ２からなる層を含むことが好ましい。
この発明によれば、光学薄膜を形成する各層（高屈折率層と低屈折率層）の中で高屈折率層が非常に屈折率の高いＴｉＯ２からなるため、ヘイズが低く、かつフィルタとしての機能にも優れる光学多層膜フィルタを提供できる。
【００１０】
本発明では、前記光学薄膜が、ＵＶ−ＩＲカット膜またはＩＲカット膜であることが好ましい。
この発明によれば、基板に形成される光学薄膜がＵＶ−ＩＲカット膜またはＩＲカット膜であるので、ヘイズが低く透明性に優れたＵＶ−ＩＲカットフィルタ（Ultraviolet-Infrared cut filter）及びＩＲカットフィルタ（Infrared cut filter）を得ることができる。
【００１１】
本発明では、前記基板が、ガラス基板または水晶基板であることが好ましい。
この発明によれば、基板がガラス基板で構成されることにより、例えばＣＣＤ（電荷結合素子）などの映像素子の防塵ガラスとして、しかも所望のフィルタ機能を一体的に構成した、例えばＵＶ−ＩＲカットフィルタ及びＩＲカットフィルタ機能を含む透明性に優れた光学多層膜フィルタを得ることができる。また、基板が水晶基板で構成されることにより、例えば光学ローパスフィルタとして、しかも所望のフィルタ機能を一体的に構成した、例えばＵＶ−ＩＲカットフィルタ及びＩＲカットフィルタ機能を含む透明性に優れた光学多層膜フィルタを得ることができる。
【００１２】
本発明の光学多層膜フィルタは、上述したいずれかの光学多層膜フィルタの製造方法により製造されたことを特徴とする。
このような本発明の光学多層膜フィルタは、上述したいずれかの光学多層膜フィルタの製造方法により製造されているため、ヘイズが低く、透明性に優れたものとなっている。
【００１３】
なお、上述した光学多層膜フィルタを組み込んだ固体撮像デバイスは、例えば、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラなどの撮像装置や、いわゆるカメラ付携帯電話、いわゆるカメラ付携帯型パソコン（パーソナルコンピュータ）などとして有効に活用できる。
【実施例】
【００１４】
以下、本発明の光学多層膜フィルタについて実施例及び図面に基づいて詳細に説明する。ただし、本発明はこれらの例によって何等限定されるものではない。なお、各実施例とも、同様の構造・機能を有する部材等は同じ符号を付けて説明する。
〔実施例１〕
（光学多層膜フィルタの構成）
図１は、後述する製造方法により製造された光学多層膜フィルタ１０の構成を模式的に示す断面図である。光学多層膜フィルタ１０は、光を透過させるためのガラス基板１と、多層の光学薄膜（無機薄膜）２とを備えて構成される。
ガラス基板１は、白板ガラス（屈折率、ｎ＝１．５２）であり、本実施例では、直径３０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのものを用いた。
無機薄膜２の材料は、高屈折率材料層（Ｈ）がＴｉＯ２（ｎ＝２．４０）、低屈折率材料層（Ｌ）がＳｉＯ２（ｎ＝１．４６）から構成される。
【００１５】
無機薄膜２は、図１に示すように、ガラス基板１側から、高屈折率材料のＴｉＯ２膜２Ｈ１がまず積層され、積層された高屈折率材料のＴｉＯ２膜２Ｈ１の上面に、低屈折率材料のＳｉＯ２膜２Ｌ１が積層され、以下、低屈折率材料のＳｉＯ２膜２Ｌ１の上面に高屈折率材料のＴｉＯ２膜と低屈折率材料のＳｉＯ２膜が順次、交互に積層され、無機薄膜２の最上膜層は、低屈折率材料のＳｉＯ２膜２Ｌ３０が積層されて、各々３０層、計６０層の無機薄膜２を構成している。
【００１６】
この無機薄膜２の膜構成の詳細を説明する。
以下に説明する膜厚構成の表記では、光学膜厚ｎｄ＝１／４λの値を用いる。具体的には、高屈折率材料層（Ｈ）の膜厚を１Ｈとして表記し、低屈折率材料層（Ｌ）の膜厚を同様に１Ｌと表記する。また、（ｘＨ、ｙＬ）ＳのＳの表記は、スタック数と呼ばれる繰り返しの回数で、括弧内の構成を周期的に繰り返すことを表している。
【００１７】
無機薄膜２の膜厚構成は、設計波長λは５５０ｎｍ、第１層の高屈折率材料のＴｉＯ２膜３Ｈ１が０．６０Ｈ、第２層の低屈折率材料のＳｉＯ２膜３Ｌ１が０．２０Ｌ、以下、順次１．０５Ｈ、０．３７Ｌ、（０．６８Ｈ、０．５３Ｌ）４、０．６９Ｈ、０．４２Ｌ、０．５９Ｈ、１．９２Ｌ、（１．３８Ｈ、１．３８Ｌ）６、１．４８Ｈ、１．５２Ｌ、１．６５Ｈ、１．７１Ｌ、１．５４Ｈ、１．５９Ｌ、１．４２Ｈ、１．５８Ｌ、１．５１Ｈ、１．７２Ｌ、１．８４Ｈ、１．８０Ｌ、１．６７Ｈ、１．７７Ｌ、（１．８７Ｈ、１．８７Ｌ）７、１．８９Ｈ、１．９０Ｌ、１．９０Ｈ、最上層の低屈折率材料のＳｉＯ２膜３Ｌ３０が０．９６Ｌの、計６０層が形成されている。
【００１８】
（光学多層膜フィルタの製造）
ガラス基板１の表面に対して、一般的なイオンアシストを用いた電子ビーム蒸着（いわゆるＩＡＤ法）により多層の無機薄膜２を形成して光学多層膜フィルタ１０を製造した。
具体的には、ガラス基板１を、図示しない真空蒸着チャンバー内に取り付けた後、真空蒸着チャンバー内の下部に蒸着材料を充填したるつぼを配置し、電子ビームにより蒸発させた。同時にイオン銃によりイオン化したＯ２および不活性原子（ＫｒまたはＸｅ）を加速照射することにより、ガラス基板１上にＴｉＯ２の高屈折率材料層２Ｈ１〜２Ｈ３０とＳｉＯ２の低屈折率材料層２Ｌ１〜２Ｌ３０とを、前記した膜厚構成で交互に成膜した。
【００１９】
具体的には、図２〜図９に示したように流量比、ＴｉＯ２成膜速度（以下、単に「成膜速度」ともいう）、加速電圧および加速電流を変えて成膜を行った。ここで、流量比は、以下の式（１）で示されるパラメータである。
流量比＝酸素ガス流量／（酸素ガス流量＋不活性ガス流量） （１）
式（１）において、酸素ガス流量とは、イオンアシスト蒸着を行う系への酸素分子の導入・排出量を意味し、不活性ガス流量とは、イオンアシスト蒸着を行う系への不活性原子の導入・排出量を意味している。流量の単位はｓｃｃｍである。成膜温度は１５０℃に固定した。
ここで、図２、図３において、流量比が０であるのはイオンアシスト用として不活性ガスのみを用いた場合であり、流量比が１であるのは、イオンアシスト用として酸素ガスのみを用いた場合である。
【００２０】
低屈折率材料層（ＳｉＯ２）については、条件を以下のように固定してイオンアシスト蒸着による成膜を行った。
ＳｉＯ２成膜速度：０．８ｎｍ／ｓｅｃ
加速電圧：１０００Ｖ
加速電流：１２００ｍＡ
酸素ガス流量：７０ｓｃｃｍ
成膜温度：１５０℃
【００２１】
比較用として、酸素ガスとＡｒガスからなる混合ガスを用いた場合についても同様の条件でＴｉＯ２とＳｉＯ２を基板上に交互に成膜した。
なお、詳細な成膜条件については、後述する評価結果において併せて記載する。
【００２２】
（透明性の評価）
前記した各条件により製造された光学多層膜フィルタ１０について、以下のような方法で透明性を評価した。図２〜図９に各条件下で無機薄膜２を形成した場合のヘイズおよび透過率の結果を示す。
（１）ヘイズ
スガ試験機株式会社製ヘイズコンピュータ ＨＺ−０２を用いて、ダブルビームヘイズ法により測定した（ＪＩＳ−Ｋ７３６１、ＪＩＳ−Ｋ７１３６準拠）。
【００２３】
（２）透過率
層の厚みによっては干渉が発生するため、透過と反射（日立製分光光度計Ｕ−３５００）のデータから吸収係数αを算出し、算出したαから干渉の影響を取り除いて透過率を算出した（５５０ｎｍの波長における透過率を測定した。）
【００２４】
（評価結果）
以下に流量比、成膜速度、加速電圧および加速電流を変えて製造した光学多層膜フィルタ１０の透明性（ヘイズ、透過率）について説明する。
（流量比の影響）
図２、図３は、イオンアシスト蒸着における流量比に対する光学多層膜１０のヘイズおよび透過率の変化を示したものである。ここで、流量比以外の製造条件は下記の通りである。
成膜速度：０．３ｎｍ／ｓｅｃ
加速電圧：１０００Ｖ
加速電流：１２００ｍＡ
混合ガスの総流量：８０ｓｃｃｍ
【００２５】
図２は、流量比に対する光学多層膜フィルタ１０のヘイズを示したものである。本願発明の実施であるＫｒ系混合ガスおよびＸｅ系混合ガスを用いた場合は、比較用としてＡｒ系混合ガスを用いた場合に比べてヘイズが低く、特に流量比が０．３７５〜０．８７５の広い範囲でヘイズが０．１以下という優れた値を示している。
また図３より、透過率は、流量比０．３７５を越えるとより高い値を示すことがわかる。
【００２６】
（成膜速度の影響）
図４、図５は、成膜速度に対する光学多層膜１０のヘイズおよび透過率の値を示したものである。ここで、ＴｉＯ２の成膜速度以外の成膜条件は下記の通りである。
加速電圧：１０００Ｖ
加速電流：１２００ｍＡ
酸素ガス流量：６０ｓｃｃｍ
不活性ガス（Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ）流量：２０ｓｃｃｍ
【００２７】
図４に示すように、本願発明のＫｒ系混合ガスおよびＸｅ系混合ガスを用いた場合、ＴｉＯ２の成膜速度が０．１〜１．０ｎｍ／ｓｅｃの広い範囲にわたってヘイズが０．１以下と優れた値を示している。一方、Ａｒ系混合ガスを用いた場合は、ＴｉＯ２の成膜速度にかかわらず、ヘイズが高くなっている。
また図５より、透過率は、成膜速度０．１〜１．０ｎｍ／ｓｅｃの範囲で高い値を示すが、特に０．８ｎｍ／ｓｅｃ以下では、非常に高い値を示している。
【００２８】
（加速電圧の影響）
図６、図７は、イオンアシスト蒸着における加速電圧に対する光学多層膜フィルタ１０のヘイズおよび透過率の値を示したものである。ここで、加速電圧以外の成膜条件は下記の通りである。
成膜速度：０．３ｎｍ／ｓｅｃ
加速電流：１２００ｍＡ
酸素ガス流量：６０ｓｃｃｍ
不活性ガス（Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ）：２０ｓｃｃｍ
【００２９】
図６に示すように、本願発明のＫｒ系混合ガスおよびＸｅ系混合ガスを用いた場合、４００Ｖ以上のすべての範囲においてヘイズが０．１以下と低い値を示していることがわかる。一方、Ａｒ系混合ガスを用いた場合は、全体にヘイズが高く、加速電圧が７００Ｖ以上でようやくヘイズが０．１以下になるに過ぎない。
また図７に示す透過率は、加速電圧が４００〜１０００Ｖの範囲で高い値を示すが、特に５００Ｖ以上で、非常に高い値を示している。
【００３０】
（加速電流の影響）
図８、図９はイオンアシスト蒸着における加速電流に対する光学多層膜フィルタ１０のヘイズおよび透過率の値を示したものである。ここで、加速電流以外の成膜条件は下記の通りである。
成膜速度：０．３ｎｍ／ｓｅｃ
加速電圧：１０００Ｖ
酸素ガス流量：６０ｓｃｃｍ
不活性ガス（Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ）流量：２０ｓｃｃｍ
【００３１】
図８に示すように、本願発明のＫｒ系混合ガスおよびＸｅ系混合ガスを用いた場合、４００ｍＡ以上のすべての範囲においてヘイズが０．１以下になっていることがわかる。一方Ａｒ系混合ガスを用いた場合は、全体にヘイズが高く、１０００ｍＡ以上でようやくヘイズが０．１以下となるにすぎない。
また、図９に示す透過率は、加速電流が４００〜１２００ｍＡの範囲で高い値を示すが、特に５００ｍＡ以上で、非常に高い値を示している。
【００３２】
以上の結果から、本発明の製造方法によれば、製造条件（成膜条件）が変動しても安定して、ヘイズが低く透過率の高い、すなわち透明性に優れた光学多層膜フィルタ１０を提供できることがわかる。
ちなみに、本実施例では、光学多層膜フィルタ１０の最低値は、ともに０．０２であり、この数値は、測定装置の検出下限である。一方、Ａｒ系混合ガスを用いた場合のヘイズは、最低でも０．０８に過ぎない。
【００３３】
ここで、参考までに、前記した製造方法によりガラス基板１上に成膜（形成）された無機薄膜２、２’の断面の電子顕微鏡写真を示す（図１０、図１１）。いずれも、無機薄膜２、２’の断面の一部を撮影したものである。
図１０に示す無機薄膜２（２Ｈ、２Ｌ）は、本願発明の実施例であり、成膜条件は以下の通りである。図１１に示す無機薄膜２’（２Ｈ’、２Ｌ’）は、比較例として酸素ガスのみ（流量比：１）を８０ｓｃｃｍで流して成膜を行ったものであり、他の成膜条件は同じである。
流量比 ：０．７５（酸素ガス流量：６０ｓｃｃｍ、Ｋｒ流量：２０ｓｃｃｍ）
成膜速度：０．３ｎｍ／ｓｅｃ
加速電圧：１０００Ｖ
加速電流：１２００ｍＡ
【００３４】
図１０からわかるように、ＴｉＯ２層（２Ｈ）は、全体が非晶質な膜であり、ヘイズは０．０２であった、図１１に示す無機薄膜２’では、ＴｉＯ２層（２Ｈ’）が膜の途中から柱状結晶になっており、ヘイズは９．１０と非常に高かった。
【００３５】
また、以上の結果から、光学多層膜フィルタ１０の製造条件として好ましい範囲は以下の通りである。
流量比 ：０．３７５以上、１．０未満
成膜速度：０．１〜１．０ｎｍ／ｓｅｃ
加速電圧：４００Ｖを越え、１０００Ｖ以下
加速電流：４００ｍＡを越え、１２００ｍＡ以下
【００３６】
さらにまた、光学多層膜フィルタ１０のより好ましい製造条件は、下記の通りである。
流量比 ：０．５〜０．８７５
成膜速度：０．２〜０．６ｎｍ／ｓｅｃ
加速電圧：６００〜１０００Ｖ
加速電流：６００〜１２００ｍＡ
なお、このような条件であれば、光学多層膜フィルタ１０の応力による基板１の「そり」を戻すための裏面成膜（一般に、ＳｉＯ２を成膜して「そり」を戻す）によるヘイズの悪化を含めても総ヘイズ０．１以下の光学多層膜フィルタを提供可能である。
【００３７】
〔実施例２〕
以下に、実施例１の光学多層膜フィルタ１０を含んで構成される固体撮像デバイスについて説明する。本実施例は、固体撮像装置として、例えば、静止画の撮影を行うデジタルスチルカメラの撮像装置に適用した一実施例である。
【００３８】
図１２に示す固体撮像素子１００は、光学多層膜フィルタ１０と、光学ローパスフィルタ１１０と、光学像を電気的に変換する撮像素子のＣＣＤ（電荷結合素子）１２０と、この撮像素子１２０を駆動する駆動部１３０を含んで構成されている。
光学多層膜フィルタ１０は、本発明の実施例１において説明したように、ガラス基板１と、高屈折率材料層と低屈折率材料層とが交互に積層された無機薄膜２とで構成され、ＩＲカットフィルタ機能を有する。この光学多層膜フィルタ１０は、前記したＣＣＤ１２０の前面に、ＣＣＤ１２０と貼り合わされて一体的に構成され、ＣＣＤ１２０の防塵ガラス機能を併せて有している。
【００３９】
この固体撮像デバイス１００と、光入射側に配置されるレンズ２００と、固体撮像デバイス１００から出力される撮像信号の記録・再生等を行う本体部３００とを含んで、撮像装置４００を構成することができる。なお、図示しないが、本体部３００は、撮像信号の補正等を行う信号処理部と、撮像信号を磁気テープ等の記録媒体に記録する記録部と、この撮像信号を再生する再生部と、再生された映像を表示する表示部などの構成要素が含まれる。
【００４０】
このように構成されたデジタルスチルカメラは、ＣＣＤ１２０と防塵ガラス機能とＩＲカットフィルタ機能とを一体的に備えた光学多層膜フィルタ１０の搭載により、貼り合わせ精度のよい、良好な光学特性のデジタルスチルカメラを提供することができる。
なお、本実施例の固体撮像デバイス１００は、レンズ２００を分離して配置した構造で説明したが、レンズ２００も含めて固体撮像デバイスが構成されていてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、ヘイズが低く、透明な光学多層膜フィルタ及びそのような光学多層膜フィルタの製造方法であり、固体撮像デバイスを用いる電子機器の分野で好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の光学多層膜フィルタの構成を示す断面図。
【図２】本発明の実施例における流量比とヘイズの関係を示す図。
【図３】本発明の実施例における流量比と透過率の関係を示す図。
【図４】本発明の実施例における成膜速度とヘイズの関係を示す図。
【図５】本発明の実施例における成膜速度と透過率の関係を示す図。
【図６】本発明の実施例における加速電圧とヘイズの関係を示す図。
【図７】本発明の実施例における加速電圧と透過率の関係を示す図。
【図８】本発明の実施例における加速電流とヘイズの関係を示す図。
【図９】本発明の実施例における加速電流と透過率の関係を示す図。
【図１０】本発明の実施例における無機薄膜の断面の電子顕微鏡写真。
【図１１】本発明の比較例における無機薄膜の断面の電子顕微鏡写真。
【図１２】本発明の実施例における固体撮像デバイスの概略を示すブロック図。
【符号の説明】
【００４３】
１…基板（ガラス基板）、２…光学薄膜（無機薄膜）、１０…光学多層膜フィルタ、１００…固体撮像デバイス、１１０…光学ローパスフィルタ、１２０…ＣＣＤ（撮像素子）、１３０…駆動部、２００…レンズ、３００…本体部、４００…撮像装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学多層膜フィルタの製造方法、光学多層膜フィルタおよび固体撮像デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＵＶ−ＩＲカットフィルタやＩＲカットフィルタなど、固体撮像デバイスに多用される光学多層膜フィルタは、基板上に真空蒸着やスパッタリング等によって形成（成膜）された多層の薄膜から構成される。また、基板への密着性がよく、非常に緻密な薄膜を形成できることから、イオンアシストを用いた電子ビーム蒸着が非常に多く利用されている（例えば、特許文献１、２、非特許文献１参照）。特許文献１では、イオンアシストを用いてＴｉＯ２を蒸着して多層反射ミラー、多層膜フィルタを製造している。特許文献２では、イオンアシストを用いてＴｉＯ２を形成することによって低温で結晶性の高い膜を得ている。また、非特許文献１では、様々な条件でイオンアシスト蒸着を行った場合のＴｉＯ２の特性について記載している。
【０００３】
一方、このような光学多層膜フィルタの光学品質に対する要求は年々高くなっている。特に透明性への要求が厳しくなっており、具体的には、ヘイズ（ＨＡＺＥ、曇り具合）であれば０．１以下を満足することが求められている。ヘイズを悪化させる原因は様々であるが、例えば、基板上の薄膜が結晶化すると光が散乱するためにヘイズが上昇することは知られている。図１１に、基板上にイオンアシスト蒸着により多層の無機薄膜（ＴｉＯ２層とＳｉＯ２層からなる多層膜）を形成した例を示す。この図は、多層膜の断面の電子顕微鏡写真であるが、ＴｉＯ２層が非晶部と柱状結晶部から構成されているため、非常にヘイズが高く、透明性に劣ったものとなっている。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−２５４６１２号公報
【特許文献２】特開平１０−１８６１３０号公報
【非特許文献１】生産現場における光学薄膜の設計・作成・評価技術（技術情報協会 ２００１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１、２および非特許文献１のいずれにも、無機薄膜のヘイズの制御に関しては何ら知見がなく、透明で、ヘイズの低い光学多層膜フィルタを安定して製造できる技術は開示されていない。
そこで、本発明は、透明性に優れ、ヘイズの低い光学多層膜フィルタを安定して製造する方法および光学多層膜フィルタ、さらに、そのような光学多層フィルタを備えた固体撮像デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の光学多層膜フィルタの製造方法は、基板上にイオンアシスト蒸着により光学薄膜を形成する光学多層膜フィルタの製造方法であって、前記光学薄膜の形成工程において、Ａｒより大きな原子量を持つ不活性原子と酸素分子とを含んでなる混合ガスを用いてイオンアシスト蒸着を行うことを特徴とする。
【０００７】
このような本発明によれば、Ａｒより大きな原子量を持つ不活性原子と酸素分子とを含んでなる混合ガスを用いてイオンアシストを行いながら、基板に多層の蒸着膜を形成するので、ヘイズが低く、かつ透明性にも優れた光学薄膜を得ることができる。
本発明において、多層膜のヘイズが低くなる理由は必ずしも明らかではないが、原子サイズの大きな不活性原子が基板上に形成されつつある薄膜に衝突することで、結果的に薄膜の結晶化を妨げているものと推定される。
不活性原子としては、イオンアシスト蒸着において、多少条件が変動しても安定して非晶質なＴｉＯ２膜（低ヘイズ）を得ることができる点でＫｒおよび／またはＸｅであることが好ましい。
【０００８】
本発明では、前記混合ガスにおける下記式（１）で示される流量比が０．３７５を越え、１．０未満であることが好ましい。
流量比＝酸素ガス流量／（酸素ガス流量＋不活性ガス流量） （１）
（ここで、酸素ガス流量とは、イオンアシスト蒸着を行う系への酸素分子の導入・排出量を意味し、不活性ガス流量とは、イオンアシスト蒸着を行う系への不活性原子の導入・排出量を意味する。流量の単位はｓｃｃｍである。）
この発明によれば、イオンアシストに用いる混合ガスの流量比Ｒが０．３７５を越え、１．０未満であるので、ヘイズがより低く、透過率も非常に高い光学薄膜を得ることができる。
【０００９】
本発明では、前記光学薄膜がＴｉＯ２からなる層を含むことが好ましい。
この発明によれば、光学薄膜を形成する各層（高屈折率層と低屈折率層）の中で高屈折率層が非常に屈折率の高いＴｉＯ２からなるため、ヘイズが低く、かつフィルタとしての機能にも優れる光学多層膜フィルタを提供できる。
【００１０】
本発明では、前記光学薄膜が、ＵＶ−ＩＲカット膜またはＩＲカット膜であることが好ましい。
この発明によれば、基板に形成される光学薄膜がＵＶ−ＩＲカット膜またはＩＲカット膜であるので、ヘイズが低く透明性に優れたＵＶ−ＩＲカットフィルタ（Ultraviolet-Infrared cut filter）及びＩＲカットフィルタ（Infrared cut filter）を得ることができる。
【００１１】
本発明では、前記基板が、ガラス基板または水晶基板であることが好ましい。
この発明によれば、基板がガラス基板で構成されることにより、例えばＣＣＤ（電荷結合素子）などの映像素子の防塵ガラスとして、しかも所望のフィルタ機能を一体的に構成した、例えばＵＶ−ＩＲカットフィルタ及びＩＲカットフィルタ機能を含む透明性に優れた光学多層膜フィルタを得ることができる。また、基板が水晶基板で構成されることにより、例えば光学ローパスフィルタとして、しかも所望のフィルタ機能を一体的に構成した、例えばＵＶ−ＩＲカットフィルタ及びＩＲカットフィルタ機能を含む透明性に優れた光学多層膜フィルタを得ることができる。
【００１２】
本発明の光学多層膜フィルタは、上述したいずれかの光学多層膜フィルタの製造方法により製造されたことを特徴とする。
このような本発明の光学多層膜フィルタは、上述したいずれかの光学多層膜フィルタの製造方法により製造されているため、ヘイズが低く、透明性に優れたものとなっている。
【００１３】
なお、上述した光学多層膜フィルタを組み込んだ固体撮像デバイスは、例えば、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラなどの撮像装置や、いわゆるカメラ付携帯電話、いわゆるカメラ付携帯型パソコン（パーソナルコンピュータ）などとして有効に活用できる。
【実施例】
【００１４】
以下、本発明の光学多層膜フィルタについて実施例及び図面に基づいて詳細に説明する。ただし、本発明はこれらの例によって何等限定されるものではない。なお、各実施例とも、同様の構造・機能を有する部材等は同じ符号を付けて説明する。
〔実施例１〕
（光学多層膜フィルタの構成）
図１は、後述する製造方法により製造された光学多層膜フィルタ１０の構成を模式的に示す断面図である。光学多層膜フィルタ１０は、光を透過させるためのガラス基板１と、多層の光学薄膜（無機薄膜）２とを備えて構成される。
ガラス基板１は、白板ガラス（屈折率、ｎ＝１．５２）であり、本実施例では、直径３０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのものを用いた。
無機薄膜２の材料は、高屈折率材料層（Ｈ）がＴｉＯ２（ｎ＝２．４０）、低屈折率材料層（Ｌ）がＳｉＯ２（ｎ＝１．４６）から構成される。
【００１５】
無機薄膜２は、図１に示すように、ガラス基板１側から、高屈折率材料のＴｉＯ２膜２Ｈ１がまず積層され、積層された高屈折率材料のＴｉＯ２膜２Ｈ１の上面に、低屈折率材料のＳｉＯ２膜２Ｌ１が積層され、以下、低屈折率材料のＳｉＯ２膜２Ｌ１の上面に高屈折率材料のＴｉＯ２膜と低屈折率材料のＳｉＯ２膜が順次、交互に積層され、無機薄膜２の最上膜層は、低屈折率材料のＳｉＯ２膜２Ｌ３０が積層されて、各々３０層、計６０層の無機薄膜２を構成している。
【００１６】
この無機薄膜２の膜構成の詳細を説明する。
以下に説明する膜厚構成の表記では、光学膜厚ｎｄ＝１／４λの値を用いる。具体的には、高屈折率材料層（Ｈ）の膜厚を１Ｈとして表記し、低屈折率材料層（Ｌ）の膜厚を同様に１Ｌと表記する。また、（ｘＨ、ｙＬ）ＳのＳの表記は、スタック数と呼ばれる繰り返しの回数で、括弧内の構成を周期的に繰り返すことを表している。
【００１７】
無機薄膜２の膜厚構成は、設計波長λは５５０ｎｍ、第１層の高屈折率材料のＴｉＯ２膜３Ｈ１が０．６０Ｈ、第２層の低屈折率材料のＳｉＯ２膜３Ｌ１が０．２０Ｌ、以下、順次１．０５Ｈ、０．３７Ｌ、（０．６８Ｈ、０．５３Ｌ）４、０．６９Ｈ、０．４２Ｌ、０．５９Ｈ、１．９２Ｌ、（１．３８Ｈ、１．３８Ｌ）６、１．４８Ｈ、１．５２Ｌ、１．６５Ｈ、１．７１Ｌ、１．５４Ｈ、１．５９Ｌ、１．４２Ｈ、１．５８Ｌ、１．５１Ｈ、１．７２Ｌ、１．８４Ｈ、１．８０Ｌ、１．６７Ｈ、１．７７Ｌ、（１．８７Ｈ、１．８７Ｌ）７、１．８９Ｈ、１．９０Ｌ、１．９０Ｈ、最上層の低屈折率材料のＳｉＯ２膜３Ｌ３０が０．９６Ｌの、計６０層が形成されている。
【００１８】
（光学多層膜フィルタの製造）
ガラス基板１の表面に対して、一般的なイオンアシストを用いた電子ビーム蒸着（いわゆるＩＡＤ法）により多層の無機薄膜２を形成して光学多層膜フィルタ１０を製造した。
具体的には、ガラス基板１を、図示しない真空蒸着チャンバー内に取り付けた後、真空蒸着チャンバー内の下部に蒸着材料を充填したるつぼを配置し、電子ビームにより蒸発させた。同時にイオン銃によりイオン化したＯ２および不活性原子（ＫｒまたはＸｅ）を加速照射することにより、ガラス基板１上にＴｉＯ２の高屈折率材料層２Ｈ１〜２Ｈ３０とＳｉＯ２の低屈折率材料層２Ｌ１〜２Ｌ３０とを、前記した膜厚構成で交互に成膜した。
【００１９】
具体的には、図２〜図９に示したように流量比、ＴｉＯ２成膜速度（以下、単に「成膜速度」ともいう）、加速電圧および加速電流を変えて成膜を行った。ここで、流量比は、以下の式（１）で示されるパラメータである。
流量比＝酸素ガス流量／（酸素ガス流量＋不活性ガス流量） （１）
式（１）において、酸素ガス流量とは、イオンアシスト蒸着を行う系への酸素分子の導入・排出量を意味し、不活性ガス流量とは、イオンアシスト蒸着を行う系への不活性原子の導入・排出量を意味している。流量の単位はｓｃｃｍである。成膜温度は１５０℃に固定した。
ここで、図２、図３において、流量比が０であるのはイオンアシスト用として不活性ガスのみを用いた場合であり、流量比が１であるのは、イオンアシスト用として酸素ガスのみを用いた場合である。
【００２０】
低屈折率材料層（ＳｉＯ２）については、条件を以下のように固定してイオンアシスト蒸着による成膜を行った。
ＳｉＯ２成膜速度：０．８ｎｍ／ｓｅｃ
加速電圧：１０００Ｖ
加速電流：１２００ｍＡ
酸素ガス流量：７０ｓｃｃｍ
成膜温度：１５０℃
【００２１】
比較用として、酸素ガスとＡｒガスからなる混合ガスを用いた場合についても同様の条件でＴｉＯ２とＳｉＯ２を基板上に交互に成膜した。
なお、詳細な成膜条件については、後述する評価結果において併せて記載する。
【００２２】
（透明性の評価）
前記した各条件により製造された光学多層膜フィルタ１０について、以下のような方法で透明性を評価した。図２〜図９に各条件下で無機薄膜２を形成した場合のヘイズおよび透過率の結果を示す。
（１）ヘイズ
スガ試験機株式会社製ヘイズコンピュータ ＨＺ−０２を用いて、ダブルビームヘイズ法により測定した（ＪＩＳ−Ｋ７３６１、ＪＩＳ−Ｋ７１３６準拠）。
【００２３】
（２）透過率
層の厚みによっては干渉が発生するため、透過と反射（日立製分光光度計Ｕ−３５００）のデータから吸収係数αを算出し、算出したαから干渉の影響を取り除いて透過率を算出した（５５０ｎｍの波長における透過率を測定した。）
【００２４】
（評価結果）
以下に流量比、成膜速度、加速電圧および加速電流を変えて製造した光学多層膜フィルタ１０の透明性（ヘイズ、透過率）について説明する。
（流量比の影響）
図２、図３は、イオンアシスト蒸着における流量比に対する光学多層膜１０のヘイズおよび透過率の変化を示したものである。ここで、流量比以外の製造条件は下記の通りである。
成膜速度：０．３ｎｍ／ｓｅｃ
加速電圧：１０００Ｖ
加速電流：１２００ｍＡ
混合ガスの総流量：８０ｓｃｃｍ
【００２５】
図２は、流量比に対する光学多層膜フィルタ１０のヘイズを示したものである。本願発明の実施であるＫｒ系混合ガスおよびＸｅ系混合ガスを用いた場合は、比較用としてＡｒ系混合ガスを用いた場合に比べてヘイズが低く、特に流量比が０．３７５〜０．８７５の広い範囲でヘイズが０．１以下という優れた値を示している。
また図３より、透過率は、流量比０．３７５を越えるとより高い値を示すことがわかる。
【００２６】
（成膜速度の影響）
図４、図５は、成膜速度に対する光学多層膜１０のヘイズおよび透過率の値を示したものである。ここで、ＴｉＯ２の成膜速度以外の成膜条件は下記の通りである。
加速電圧：１０００Ｖ
加速電流：１２００ｍＡ
酸素ガス流量：６０ｓｃｃｍ
不活性ガス（Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ）流量：２０ｓｃｃｍ
【００２７】
図４に示すように、本願発明のＫｒ系混合ガスおよびＸｅ系混合ガスを用いた場合、ＴｉＯ２の成膜速度が０．１〜１．０ｎｍ／ｓｅｃの広い範囲にわたってヘイズが０．１以下と優れた値を示している。一方、Ａｒ系混合ガスを用いた場合は、ＴｉＯ２の成膜速度にかかわらず、ヘイズが高くなっている。
また図５より、透過率は、成膜速度０．１〜１．０ｎｍ／ｓｅｃの範囲で高い値を示すが、特に０．８ｎｍ／ｓｅｃ以下では、非常に高い値を示している。
【００２８】
（加速電圧の影響）
図６、図７は、イオンアシスト蒸着における加速電圧に対する光学多層膜フィルタ１０のヘイズおよび透過率の値を示したものである。ここで、加速電圧以外の成膜条件は下記の通りである。
成膜速度：０．３ｎｍ／ｓｅｃ
加速電流：１２００ｍＡ
酸素ガス流量：６０ｓｃｃｍ
不活性ガス（Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ）：２０ｓｃｃｍ
【００２９】
図６に示すように、本願発明のＫｒ系混合ガスおよびＸｅ系混合ガスを用いた場合、４００Ｖ以上のすべての範囲においてヘイズが０．１以下と低い値を示していることがわかる。一方、Ａｒ系混合ガスを用いた場合は、全体にヘイズが高く、加速電圧が７００Ｖ以上でようやくヘイズが０．１以下になるに過ぎない。
また図７に示す透過率は、加速電圧が４００〜１０００Ｖの範囲で高い値を示すが、特に５００Ｖ以上で、非常に高い値を示している。
【００３０】
（加速電流の影響）
図８、図９はイオンアシスト蒸着における加速電流に対する光学多層膜フィルタ１０のヘイズおよび透過率の値を示したものである。ここで、加速電流以外の成膜条件は下記の通りである。
成膜速度：０．３ｎｍ／ｓｅｃ
加速電圧：１０００Ｖ
酸素ガス流量：６０ｓｃｃｍ
不活性ガス（Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ）流量：２０ｓｃｃｍ
【００３１】
図８に示すように、本願発明のＫｒ系混合ガスおよびＸｅ系混合ガスを用いた場合、４００ｍＡ以上のすべての範囲においてヘイズが０．１以下になっていることがわかる。一方Ａｒ系混合ガスを用いた場合は、全体にヘイズが高く、１０００ｍＡ以上でようやくヘイズが０．１以下となるにすぎない。
また、図９に示す透過率は、加速電流が４００〜１２００ｍＡの範囲で高い値を示すが、特に５００ｍＡ以上で、非常に高い値を示している。
【００３２】
以上の結果から、本発明の製造方法によれば、製造条件（成膜条件）が変動しても安定して、ヘイズが低く透過率の高い、すなわち透明性に優れた光学多層膜フィルタ１０を提供できることがわかる。
ちなみに、本実施例では、光学多層膜フィルタ１０の最低値は、ともに０．０２であり、この数値は、測定装置の検出下限である。一方、Ａｒ系混合ガスを用いた場合のヘイズは、最低でも０．０８に過ぎない。
【００３３】
ここで、参考までに、前記した製造方法によりガラス基板１上に成膜（形成）された無機薄膜２、２’の断面の電子顕微鏡写真を示す（図１０、図１１）。いずれも、無機薄膜２、２’の断面の一部を撮影したものである。
図１０に示す無機薄膜２（２Ｈ、２Ｌ）は、本願発明の実施例であり、成膜条件は以下の通りである。図１１に示す無機薄膜２’（２Ｈ’、２Ｌ’）は、比較例として酸素ガスのみ（流量比：１）を８０ｓｃｃｍで流して成膜を行ったものであり、他の成膜条件は同じである。
流量比 ：０．７５（酸素ガス流量：６０ｓｃｃｍ、Ｋｒ流量：２０ｓｃｃｍ）
成膜速度：０．３ｎｍ／ｓｅｃ
加速電圧：１０００Ｖ
加速電流：１２００ｍＡ
【００３４】
図１０からわかるように、ＴｉＯ２層（２Ｈ）は、全体が非晶質な膜であり、ヘイズは０．０２であった、図１１に示す無機薄膜２’では、ＴｉＯ２層（２Ｈ’）が膜の途中から柱状結晶になっており、ヘイズは９．１０と非常に高かった。
【００３５】
また、以上の結果から、光学多層膜フィルタ１０の製造条件として好ましい範囲は以下の通りである。
流量比 ：０．３７５以上、１．０未満
成膜速度：０．１〜１．０ｎｍ／ｓｅｃ
加速電圧：４００Ｖを越え、１０００Ｖ以下
加速電流：４００ｍＡを越え、１２００ｍＡ以下
【００３６】
さらにまた、光学多層膜フィルタ１０のより好ましい製造条件は、下記の通りである。
流量比 ：０．５〜０．８７５
成膜速度：０．２〜０．６ｎｍ／ｓｅｃ
加速電圧：６００〜１０００Ｖ
加速電流：６００〜１２００ｍＡ
なお、このような条件であれば、光学多層膜フィルタ１０の応力による基板１の「そり」を戻すための裏面成膜（一般に、ＳｉＯ２を成膜して「そり」を戻す）によるヘイズの悪化を含めても総ヘイズ０．１以下の光学多層膜フィルタを提供可能である。
【００３７】
〔実施例２〕
以下に、実施例１の光学多層膜フィルタ１０を含んで構成される固体撮像デバイスについて説明する。本実施例は、固体撮像装置として、例えば、静止画の撮影を行うデジタルスチルカメラの撮像装置に適用した一実施例である。
【００３８】
図１２に示す固体撮像素子１００は、光学多層膜フィルタ１０と、光学ローパスフィルタ１１０と、光学像を電気的に変換する撮像素子のＣＣＤ（電荷結合素子）１２０と、この撮像素子１２０を駆動する駆動部１３０を含んで構成されている。
光学多層膜フィルタ１０は、本発明の実施例１において説明したように、ガラス基板１と、高屈折率材料層と低屈折率材料層とが交互に積層された無機薄膜２とで構成され、ＩＲカットフィルタ機能を有する。この光学多層膜フィルタ１０は、前記したＣＣＤ１２０の前面に、ＣＣＤ１２０と貼り合わされて一体的に構成され、ＣＣＤ１２０の防塵ガラス機能を併せて有している。
【００３９】
この固体撮像デバイス１００と、光入射側に配置されるレンズ２００と、固体撮像デバイス１００から出力される撮像信号の記録・再生等を行う本体部３００とを含んで、撮像装置４００を構成することができる。なお、図示しないが、本体部３００は、撮像信号の補正等を行う信号処理部と、撮像信号を磁気テープ等の記録媒体に記録する記録部と、この撮像信号を再生する再生部と、再生された映像を表示する表示部などの構成要素が含まれる。
【００４０】
このように構成されたデジタルスチルカメラは、ＣＣＤ１２０と防塵ガラス機能とＩＲカットフィルタ機能とを一体的に備えた光学多層膜フィルタ１０の搭載により、貼り合わせ精度のよい、良好な光学特性のデジタルスチルカメラを提供することができる。
なお、本実施例の固体撮像デバイス１００は、レンズ２００を分離して配置した構造で説明したが、レンズ２００も含めて固体撮像デバイスが構成されていてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、ヘイズが低く、透明な光学多層膜フィルタ及びそのような光学多層膜フィルタの製造方法であり、固体撮像デバイスを用いる電子機器の分野で好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の光学多層膜フィルタの構成を示す断面図。
【図２】本発明の実施例における流量比とヘイズの関係を示す図。
【図３】本発明の実施例における流量比と透過率の関係を示す図。
【図４】本発明の実施例における成膜速度とヘイズの関係を示す図。
【図５】本発明の実施例における成膜速度と透過率の関係を示す図。
【図６】本発明の実施例における加速電圧とヘイズの関係を示す図。
【図７】本発明の実施例における加速電圧と透過率の関係を示す図。
【図８】本発明の実施例における加速電流とヘイズの関係を示す図。
【図９】本発明の実施例における加速電流と透過率の関係を示す図。
【図１０】本発明の実施例における無機薄膜の断面の電子顕微鏡写真。
【図１１】本発明の比較例における無機薄膜の断面の電子顕微鏡写真。
【図１２】本発明の実施例における固体撮像デバイスの概略を示すブロック図。
【符号の説明】
【００４３】
１…基板（ガラス基板）、２…光学薄膜（無機薄膜）、１０…光学多層膜フィルタ、１００…固体撮像デバイス、１１０…光学ローパスフィルタ、１２０…ＣＣＤ（撮像素子）、１３０…駆動部、２００…レンズ、３００…本体部、４００…撮像装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にイオンアシスト蒸着により光学薄膜を形成する光学多層膜フィルタの製造方法であって、
前記光学薄膜の形成工程において、Ａｒより大きな原子量を持つ不活性原子と酸素分子とを含んでなる混合ガスを用いてイオンアシスト蒸着を行うことを特徴とする光学多層膜フィルタの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の光学多層膜フィルタの製造方法において、
前記不活性原子がＫｒおよび／またはＸｅであることを特徴とする光学多層膜フィルタの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の光学多層膜フィルタの製造方法において、
前記混合ガスにおける下記式（１）で示される流量比が０．３７５を越え、１．０未満であることを特徴とする光学多層膜フィルタの製造方法。
流量比＝酸素ガス流量／（酸素ガス流量＋不活性ガス流量） （１）
（ここで、酸素ガス流量とは、イオンアシスト蒸着を行う系への酸素分子の導入・排出量を意味し、不活性ガス流量とは、イオンアシスト蒸着を行う系への不活性原子の導入・排出量を意味する。流量の単位はｓｃｃｍである。）
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の光学多層膜フィルタの製造方法において、
前記光学薄膜がＴｉＯ２からなる層を含むことを特徴とする光学多層膜フィルタの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかに記載の光学多層膜フィルタの製造方法において、
前記光学薄膜が、ＵＶ−ＩＲカット膜またはＩＲカット膜であることを特徴とする光学多層膜フィルタの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれかに記載の光学多層膜フィルタの製造方法において、
前記基板が、ガラス基板または水晶基板であることを特徴とする光学多層膜フィルタの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の光学多層膜フィルタの製造方法により製造された光学多層膜フィルタ。
【請求項８】
請求項７に記載の光学多層膜フィルタが組み込まれた固体撮像デバイス。
【請求項１】
基板上にイオンアシスト蒸着により光学薄膜を形成する光学多層膜フィルタの製造方法であって、
前記光学薄膜の形成工程において、Ａｒより大きな原子量を持つ不活性原子と酸素分子とを含んでなる混合ガスを用いてイオンアシスト蒸着を行うことを特徴とする光学多層膜フィルタの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の光学多層膜フィルタの製造方法において、
前記不活性原子がＫｒおよび／またはＸｅであることを特徴とする光学多層膜フィルタの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の光学多層膜フィルタの製造方法において、
前記混合ガスにおける下記式（１）で示される流量比が０．３７５を越え、１．０未満であることを特徴とする光学多層膜フィルタの製造方法。
流量比＝酸素ガス流量／（酸素ガス流量＋不活性ガス流量） （１）
（ここで、酸素ガス流量とは、イオンアシスト蒸着を行う系への酸素分子の導入・排出量を意味し、不活性ガス流量とは、イオンアシスト蒸着を行う系への不活性原子の導入・排出量を意味する。流量の単位はｓｃｃｍである。）
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の光学多層膜フィルタの製造方法において、
前記光学薄膜がＴｉＯ２からなる層を含むことを特徴とする光学多層膜フィルタの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかに記載の光学多層膜フィルタの製造方法において、
前記光学薄膜が、ＵＶ−ＩＲカット膜またはＩＲカット膜であることを特徴とする光学多層膜フィルタの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれかに記載の光学多層膜フィルタの製造方法において、
前記基板が、ガラス基板または水晶基板であることを特徴とする光学多層膜フィルタの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の光学多層膜フィルタの製造方法により製造された光学多層膜フィルタ。
【請求項８】
請求項７に記載の光学多層膜フィルタが組み込まれた固体撮像デバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００７−２４８４９５（Ｐ２００７−２４８４９５Ａ）
【公開日】平成１９年９月２７日（２００７．９．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−６７６３６（Ｐ２００６−６７６３６）
【出願日】平成１８年３月１３日（２００６．３．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年９月２７日（２００７．９．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年３月１３日（２００６．３．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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