光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物および光学情報記録媒体
【課題】低温のシリンダー温度で成形した場合であっても高い生産性を維持できる流動性を達成しながら、金型汚れの問題を解決でき、成形後の光学情報記録媒体の長期的な強度を維持し、紫外線照射等にも耐えうる芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を提供する。
【解決手段】粘度平均分子量が１．０×１０４〜２．０×１０４、分子量１０００以下の低分子量成分含有量が１．５重量％以下、全窒素含有量が１５ｐｐｍ以下、Ｃｌ含有量が１００ｐｐｍ以下、ＯＨ末端基量が０．１〜３０ｅｑ／ｔｏｎである芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して、グリセリンモノエステル型の離型剤を０．０１〜０．３重量部含有する光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【解決手段】粘度平均分子量が１．０×１０４〜２．０×１０４、分子量１０００以下の低分子量成分含有量が１．５重量％以下、全窒素含有量が１５ｐｐｍ以下、Ｃｌ含有量が１００ｐｐｍ以下、ＯＨ末端基量が０．１〜３０ｅｑ／ｔｏｎである芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して、グリセリンモノエステル型の離型剤を０．０１〜０．３重量部含有する光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物および光学情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
芳香族ポリカーボネート樹脂は、コンパクトディスク、レーザーディスク、光磁気ディスク、デジタルビデオディスク等の光ディスク、さらには情報面からの信号の読み取りや、書き込みを特徴とする近接場記録情報媒体或いはそれらの基板など光学情報記録媒体の原料として、広く用いられている。
【０００３】
そして、これら光学情報記録媒体は、ピットやグルーブの情報信号が刻印されたスタンパーを露出させた金型キャビティに、溶融させた芳香族ポリカーボネート樹脂を射出し、情報信号を転写させる方法によって製造されている。
【０００４】
この光学情報記録媒体の製造に芳香族ポリカーボネート樹脂が使用されている理由は、この樹脂が透明性、光学特性、強度、耐熱性、寸法安定性、耐衝撃性などにおいて優れており、しかも成形性にも優れているためである。特に、射出成形法により、光学情報記録媒体の基板を製造すると、スタンパーに刻設した微細な凹凸模様（情報信号） が、正確に基板表面に転写されて、基板の反りや平面性に優れた高品質の光学情報記録媒体が得られ、更には射出圧縮成形法を使用することにより、ソリ等の品質向上が可能となるからである。
【０００５】
一方近年の光学情報記録媒体は、当初のＣＤの基板が単一の一枚からなる形状とは異なってきている。例えばＤＶＤは、厚み０．６ｍｍの基板２枚を紫外線硬化樹脂を用いて貼り合せている。またブルーレイディスク（ＢＤと略）では、ポリカーボネート樹脂から形成された基板の表面に紫外線硬化樹脂からなるカバー層を形成した形状や、基板上にカバーフィルムを貼り合わせた形状を有している。
【０００６】
しかしながら、この紫外線硬化樹脂を硬化するための紫外線は、信号読み取り面の側から照射されており、過大な照射がされた場合には、芳香族ポリカーボネート樹脂等が劣化を起こし、該樹脂の分子量低下等を引き起こしてしまう可能性がある。
【０００７】
また、自動車にカーナビゲーション等の映像機器の導入が普及し、車内で映画等を簡単に視聴できるようになってきた。特に真夏の車内は高温高湿の状態になりやすく、光学情報記録媒体が長時間車内に放置されてしまうとその基板に使用されている樹脂が劣化する。すると、光学情報記録媒体が落下等の衝撃により割れ易くなり問題となっている。
【０００８】
そこで、この問題を解決するために、基本的には、芳香族ポリカーボネート樹脂の分子量を高くすることが効果的である。しかしながら、高い分子量を有する芳香族ポリカーボネート樹脂は、溶融粘度が低下して基板の複屈折が高くなり、光学情報記録媒体としては使用することが出来ない。光学情報記録媒体の成形時に、シリンダ温度を高くした成形機を用いて成形する製造方法が考えられるが、冷却時間が長くなり基板生産性が悪化してしまう。
【０００９】
また、従来の光学情報記録媒体の基板の生産では、シリンダ温度をより低温に設定し、冷却時間を短縮することで、より短時間で光学情報記録媒体を多く生産し、生産性を向上させる方法が一般的である。これを達成するにはシリンダ温度を低くしても、芳香族ポリカーボネート樹脂が十分な溶融粘度を得るために該樹脂の分子量を低くすることが一般的である。しかしながら、分子量を低く設定した場合には、樹脂中のモノマー、オリゴマーといった低分子量物の量が増加し、成形時に金型の汚れとなって生産性を著しく低下させるといった問題が発生する。
【００１０】
分子量を調整したポリカーボネート樹脂を用いた光ディスク基板の発明としては、０．０６〜０．０９％のステアリン酸モノグリセリドを含有した粘度平均分子量１４０００〜１５０００のポリカーボネート樹脂からなる光ディスク基板がある。しかしながら該特許は、離型剤の含有量を規定して成形時の変形抑制の効果を記載しているが、光ディスク基板の強度の記載がなく課題が残る（特許文献１）。
【００１１】
また、粘度平均分子量１００００〜１７０００かつ、重量平均分子量／数平均分子量が２．３以上のポリカーボネート樹脂からなる光ディスク基板がある。しかしながら、成形時の割れが少ないことが記載されているが、その発生原因や長期使用後の基板の割れが、明らかではない（特許文献２）。
【００１２】
他の試みとしては、光学用ディスク等の光学成形品材料として、分岐化ポリカーボネート樹脂を使用することが提案され、成形時の糸引きが防止され、複屈折性、強度、連続成形性が改善されることが記載されているが、特殊な分岐化ポリカーボネート樹脂を用いる必要がある（特許文献３、特許文献４）。
【００１３】
さらに、超高分子量のポリカーボネート樹脂を混合する方法の提案がある。しかし、一般に光ディスク用に使用されているポリカーボネート樹脂は、混合する超高分子量ポリカーボネート樹脂との分子量の乖離が大きいため、超高分子量ポリカーボネートを混合すると光学的に不均一になり微小な白筋や成形時にシルバー、デラミ現象が生じたり、機械的強度にむらが生じたりする欠点があり、光学用途には不向きである（特許文献５）。
【００１４】
また、金属含有量や塩素系溶媒を特定量以下としたポリカーボネート樹脂からなる光学式ディスク基板が開示されている（特許文献６）。しかしながら、光学的な長期信頼性に効果があることは記載されているが、長期使用後のディスクの強度については記載がない。同様に末端水酸基や金属ナトリウム量を特定量以下としたポリカーボネート樹脂からなる光学式ディスク基板が開示されている（特許文献７）。しかしながら、光学的な長期信頼性に効果があることは記載されているが、長期使用後のディスクの強度については記載がない。
【００１５】
さらに、ポリカーボネート樹脂中に含まれる分子量が１，０００以下の低分子量カーボネート化合物が１重量％未満の高流動性ポリカーボネート樹脂が知られている（特許文献８）。しかしながら、該樹脂は溶融時の流動性、転写性、ハイサイクル成形性に優れることは記載されているが、長期使用後のディスクの強度については記載がない。
【００１６】
また、ポリカーボネート樹脂中に含有される全窒素量が１０ｐｐｍ以下である光記録媒体用ポリカーボネートが知られている（特許文献９）。しかしながら、該樹脂から得られるディスク基板は長期信頼性試験において高信頼性を有することは記載されているが、長期使用後のディスクの強度については記載がない。
【００１７】
【特許文献１】特開平０４−１６８１５１号公報
【特許文献２】特開２００３−１６２８４１号公報
【特許文献３】特開２００６−３４８１３２号公報
【特許文献４】特開昭６０−２１５０１９号公報
【特許文献５】特開平０４−３４２７６０号公報
【特許文献６】特開平０２−２７６０３７号公報
【特許文献７】特開平０３−１００５０１号公報
【特許文献８】特開平０９−２０８６８４号公報
【特許文献９】特開平０９−１６５４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の目的は、低温のシリンダー温度で成形した場合であっても高い生産性を維持できる流動性を達成しながら、金型汚れの問題を解決でき、成形後の光学情報記録媒体の長期的な強度を維持し、紫外線照射等にも耐えうる芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、高い生産性を維持できる流動性を達成可能な分子量の芳香族ポリカーボネート樹脂であっても、ポリカーボネート樹脂のＯＨ末端基量、Ｃｌ含有量、低分子量成分、全窒素含有量を所定の量に調整することによって、金型汚れの問題を解決でき、紫外線照射に耐え、熱安定性が良好で、長期的な強度を維持しうる光学情報記録媒体が得られることを見出し、本発明に到達した。
【００２０】
すなわち、本発明によれば、
１．粘度平均分子量が１．０×１０４〜２．０×１０４、分子量１０００以下の低分子量成分含有量が１．５重量％以下、全窒素含有量が１５ｐｐｍ以下、Ｃｌ含有量が１００ｐｐｍ以下、ＯＨ末端基量が０．１〜３０ｅｑ／ｔｏｎである芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して、グリセリンモノエステル型の離型剤を０．０１〜０．３重量部含有する光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、
２．グリセリンモノエステル型の離型剤の主成分がベヘン酸のモノエステルである前項１記載の光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、
３．芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の粘度平均分子量が１．３×１０４〜１．７５×１０４である前項１記載の光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、
４．芳香族ポリカーボネート樹脂が、無触媒による界面重縮合法で重合され、重合後にアセトンにより低分子量成分抽出処理がなされた芳香族ポリカーボネート樹脂である前項１記載の光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、および
５．前項１記載の樹脂組成物から射出圧縮成形にて形成された光学情報記録媒体、
が提供される。
【００２１】
以下、本発明について詳細に説明する。
芳香族ポリカーボネート樹脂（以下、単に「ポリカーボネート」と称することがある）は、二価フェノールとカーボネート前駆体とを反応させて得られるものであり、反応の方法としては界面重縮合法、溶融エステル交換法、カーボネートプレポリマーの固相エステル交換法及び環状カーボネート化合物の開環重合法等を挙げることができるが本発明でもっとも好ましいものは界面重縮合法である。
【００２２】
当該二価フェノールの具体例としては、ハイドロキノン、レゾルシノール、４，４’−ビフェノール、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（通称“ビスフェノールＡ”）、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、４，４’−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール、４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）オキシド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エステル、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）スルフィド、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン等が挙げられる。これらの中でも、ビス（４−ヒドロキシフェニル）アルカン、特にビスフェノールＡ（以下“ＢＰＡ”と略称することがある）が好ましく、その割合は二価フェノール成分中５０〜１００モル％が好ましい。
【００２３】
本発明では、ビスフェノールＡ系のポリカーボネート以外にも、他の二価フェノール類を用いて製造した特殊なポリカーボネ−トをＡ成分として使用することが可能である。
例えば、二価フェノール成分の一部又は全部として、４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール（以下“ＢＰＭ”と略称することがある）、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（以下“Ｂｉｓ−ＴＭＣ”と略称することがある）、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン及び９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン（以下“ＢＣＦ”と略称することがある）を用いたポリカーボネ−ト（単独重合体又は共重合体）は、吸水による寸法変化や形態安定性の要求が特に厳しい光ディスク情報記録媒体に適当である。
【００２４】
当該カーボネート前駆体としては、カルボニルハライド、カーボネートエステル又はハロホルメート等が使用され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボネート又は二価フェノールのジハロホルメート等が挙げられる。
【００２５】
このような二価フェノールとカーボネート前駆体とから界面重合法によってポリカーボネートを製造するに当っては、必要に応じて触媒、末端停止剤、二価フェノールが酸化するのを防止するための酸化防止剤等を使用してもよい。また、ポリカーボネートは３官能以上の多官能性芳香族化合物を共重合した分岐ポリカーボネートであってもよい。ここで使用される３官能以上の多官能性芳香族化合物としては、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，１−トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン等が挙げられる。
【００２６】
また、ポリカーボネートは、芳香族もしくは脂肪族（脂環式を含む）の２官能性カルボン酸を共重合したポリエステルカーボネート、２官能性アルコール（脂環族を含む）を共重合した共重合ポリカーボネート並びにかかる２官能性カルボン酸及び２官能性アルコールを共に共重合したポリエステルカーボネートであってもよい。また、得られたポリカーボネートの２種以上をブレンドした混合物でも差し支えない。
【００２７】
ポリカーボネートの重合反応において、界面重縮合法による反応は、通常、二価フェノールとホスゲンとの反応であり、酸結合剤及び有機溶媒の存在下に反応させる。酸結合剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物又はピリジン等のアミン化合物が好ましく用いられる。有機溶媒としては、塩化メチレン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素が好ましく用いられる。また、反応促進のために、トリエチルアミン、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマイド等の３級アミン、４級アンモニウム化合物、４級ホスホニウム化合物等の触媒を用いることもできるが、本発明では触媒使用により微量全窒素量が増えないことが前提となる。したがって、無触媒法による重合反応が好ましい。その際、反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は１０分〜５時間程度、反応中のｐＨは９以上に保つのが好ましい。
【００２８】
また、かかる重合反応においては、通常、末端停止剤が使用される。かかる末端停止剤として単官能フェノール類を使用することができる。単官能フェノール類としては、フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノール等の単官能フェノール類を用いるのが好ましい。
【００２９】
界面重縮合法により得られたポリカーボネート樹脂の有機溶媒溶液は、通常水洗浄が施される。この水洗工程は、好ましくはイオン交換水等の電気伝導度１０μＳ／ｃｍ以下、より好ましくは１μＳ／ｃｍ以下の水により行われ、前記有機溶媒溶液と水とを混合、攪拌した後、静置してあるいは遠心分離機等を用いて、有機溶媒溶液相と水相とを分液させ、有機溶媒溶液相を取り出すことを繰り返し行い、水溶性不純物を除去する。高純度な水で洗浄を行うことにより、効率的に水溶性不純物が除去され、得られるポリカーボネート樹脂の色相は良好なものとなる。
また、上述のポリカーボネート樹脂の有機溶媒溶液は、不純物を除去するために酸洗浄やアルカリ洗浄を行うことも好ましい。
【００３０】
また、上記有機溶媒溶液は不溶性不純物である異物を除去することが好ましく行われる。この異物を除去する方法は、濾過する方法あるいは遠心分離機で処理する方法が好ましく採用される。
前記水洗浄が施された有機溶媒溶液は、次いで、溶媒を除去してポリカーボネート樹脂の粉粒体を得る操作が行われる。
【００３１】
ポリカーボネート樹脂粉粒体を得る方法（造粒工程）としては、操作や後処理が簡便なことから、ポリカーボネート粉粒体および温水（６５〜９０℃程度）が存在する造粒装置中で、攪拌しながらポリカーボネートの有機溶媒溶液を連続的に供給して、かかる溶媒を蒸発させることにより、スラリーを製造する方法が使用される。当該造粒装置としては攪拌槽やニーダーなどの混合機が使用される。生成されたスラリーは、造粒装置の上部または下部から連続的に排出される。
【００３２】
排出されたスラリーは、次いで熱水処理を行うこともできる。熱水処理工程は、かかるスラリーを９０〜１００℃の熱水の入った熱水処理容器に供給するか、または供給した後に蒸気の吹き込みなどにより水温を９０〜１００℃にすることによって、スラリーに含まれる有機溶媒を除去するものである。
【００３３】
造粒工程で排出されたスラリーまたは熱水処理後のスラリーは、好ましくは濾過、遠心分離等によって水および有機溶媒を除去し、次いで乾燥されて、ポリカーボネート樹脂粉粒体（パウダー状やフレーク状）を得ることができる。
【００３４】
乾燥機としては、伝導加熱方式でも熱風加熱方式でもよく、ポリカーボネート樹脂粉粒体が静置、移送されても攪拌されてもよい。なかでも、伝導加熱方式でポリカーボネート樹脂粉粒体が攪拌される溝形または円筒乾燥機が好ましく、溝形乾燥機が特に好ましい。乾燥温度は１３０℃〜１５０℃の範囲が好ましく採用される。
【００３５】
上記によって得られたポリカーボネート樹脂粉粒体には通常オリゴマー類、モノマー類等の不純物が含まれる。本発明では分子量１０００以下の低分子量成分含有量は１．５重量％以下、好ましくは１．３重量％以下、もっとも好ましくは１．１重量％以下である。
【００３６】
低分子量成分を取り除く方法としてアセトン処理が挙げられる。特開平４−３０６２２７号公報に記載されている方法が好適に使用され、かかる方法は簡便にまた安価に低分子量成分を取り除く方法である。
【００３７】
本発明のポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量としては、１．０×１０４未満であると強度等が低下し、２．０×１０４を超えると成形加工特性が低下するようになるので、１．０×１０４〜２．０×１０４の範囲が好ましく、１．０×１０４〜１．７５×１０４の範囲がより好ましく、１．３×１０４〜１．７５×１０４の範囲がさらに好ましい。
【００３８】
本発明でいう粘度平均分子量は、まず、次式にて算出される比粘度（ηＳＰ）を２０℃で塩化メチレン１００ｍｌにポリカーボネート樹脂０．７ｇを溶解した溶液からオストワルド粘度計を用いて求め、
比粘度（ηＳＰ）＝（ｔ−ｔ０）／ｔ０
［ｔ０は塩化メチレンの落下秒数、ｔは試料溶液の落下秒数］
求められた比粘度（ηＳＰ）から次の数式により粘度平均分子量Ｍを算出する。
ηＳＰ／ｃ＝［η］＋０．４５×［η］２ｃ（但し［η］は極限粘度）
［η］＝１．２３×１０−４Ｍ０．８３
ｃ＝０．７
【００３９】
なお、本発明のポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量を測定する場合は、次の要領で行うことができる。すなわち、ポリカーボネート樹脂をその２０〜３０倍重量の塩化メチレンに溶解し、可溶分をセライト濾過により採取した後、溶液を除去して十分に乾燥し、塩化メチレン可溶分の固体を得る。かかる固体０．７ｇを塩化メチレン１００ｍｌに溶解した溶液から２０℃における比粘度（ηＳＰ）を、オストワルド粘度計を用いて求め、上式によりその粘度平均分子量Ｍを算出する。
【００４０】
芳香族ポリカーボネート樹脂中のＣｌ含有量は、下記の方法によって調整することができる。前述した界面重縮合法の場合、造粒工程での乾燥強化によりＣｌ含有量を効果的に低減可能である。また、造粒工程にて溶媒自体を例えばヘプタンのようなＣｌを含まない溶媒に置換する方法も有効である。更に溶融させペレット化する工程での、真空ベントを強化する方法も有効である。更には溶融押出し時に水、又はヘプタンのようなポリカーボネート樹脂の貧溶媒を注入し、真空ベントで共沸することによりＣｌ含有量を低減可能である。一方、溶融エステル交換法で重合された芳香族ポリカーボネート樹脂には、そもそもＣｌは含まれないため有用である。
【００４１】
芳香族ポリカーボネート樹脂中のＣｌ含有量は、１００ｐｐｍ以下であり、好ましくは０．１〜１００ｐｐｍであり、より好ましくは０．１〜７０ｐｐｍであり、さらに好ましくは０．１〜５０ｐｐｍである。
【００４２】
なお、芳香族ポリカーボネート樹脂中のＣｌ含有量は、燃焼法で測定される。試料を秤量後、アルゴン及び酸素の混合気流中で燃焼させ、銀電極の電化移動量で適定する。測定は三菱化学社製ＴＯＸ−２１００Ｈにて行った。
【００４３】
芳香族ポリカーボネート樹脂のＯＨ末端基量は、下記の方法によって調整することができる。界面重縮合法の場合、触媒の使用や末端停止剤の添加量、添加時間によりＯＨ末端基量は調整される。また重合反応を静置状態で行うことも有効である。溶融エステル交換法では、二価フェノールとカーボネートエステルの存在比をカーボネートエステルよりにすることで、ＯＨ末端基量の低減が可能である。
【００４４】
芳香族ポリカーボネート樹脂のＯＨ末端基量は、０．１〜３０ｅｑ／ｔｏｎであり、好ましくは０．１〜２５ｅｑ／ｔｏｎであり、より好ましくは０．１〜２０ｅｑ／ｔｏｎである。なお、芳香族ポリカーボネート樹脂のＯＨ末端基量はＮＭＲ法で測定される。
【００４５】
芳香族ポリカーボネート樹脂中の全窒素量は、重合時の触媒の有無、およびその使用量等によって調整できる。本発明においては、芳香族ポリカーボネート樹脂は無触媒による界面重縮合法で重合される方法が好ましい。
【００４６】
芳香族ポリカーボネート樹脂中の全窒素含有量は、１５ｐｐｍ以下であり、好ましくは０．１〜１５ｐｐｍであり、より好ましくは０．１〜１３ｐｐｍであり、さらに好ましくは０．１〜１０ｐｐｍである。芳香族ポリカーボネート樹脂中の全窒素含有量は化学発光方式で測定される。
【００４７】
本発明で離型剤として使用するグリセリンモノエステルは、グリセリンと脂肪酸のモノエステルが主成分であり、好適な脂肪酸としてはステアリン酸、パルチミン酸、ベヘン酸、アラキン酸、モンタン酸、ラウリン酸等の飽和脂肪酸やオレイン酸、リノール酸、ソルビン酸等の不飽和脂肪酸が挙げられ、特にステアリン酸、ベヘン酸、パルチミン酸が好ましく特にベヘン酸が好ましい。天然の脂肪酸から合成されたものが好ましく、そのほとんどが混合物である。
【００４８】
芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して、グリセリンモノエステルの含有量は０．０１〜０．３重量部であり、好ましくは０．０２〜０．２重量部、より好ましくは０．０２５〜０．１５重量部である。含有量が少なすぎる場合には、良好な離型性が得られず、多すぎると成形品の変色が悪化する。
【００４９】
離型剤は、当該業者で知られるその他の離型剤とも併用可能であるが、併用した場合でもグリセリンモノエステルの含有量は０．０１〜０．３重量部であり、離型剤の主成分であることが好ましい。
【００５０】
本発明のポリカーボネート樹脂には、本発明の目的を損なわない範囲で、熱安定剤、紫外線吸収剤、ブルーイング剤、帯電防止剤、難燃剤、熱線遮蔽剤、蛍光染料（蛍光増白剤含む）、顔料、光拡散剤、強化充填剤、他の樹脂やエラストマー等を配合することができる。
【００５１】
熱安定剤としては、リン系熱安定剤、硫黄系熱安定剤およびヒンダードフェノール系熱安定剤が挙げられる。
【００５２】
リン系熱安定剤としては、亜リン酸、リン酸、亜ホスホン酸、ホスホン酸およびこれらのエステル等が挙げられ、具体的には、トリフェニルホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオクチルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチルジフェニルホスファイト、ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２，２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビス（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト、トリブチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、ジフェニルモノオルソキセニルホスフェート、ジブチルホスフェート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホスフェート、ベンゼンホスホン酸ジメチル、ベンゼンホスホン酸ジエチル、ベンゼンホスホン酸ジプロピル、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，３’−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，３’−ビフェニレンジホスホナイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−フェニルホスホナイトおよびビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３−フェニル−フェニルホスホナイト等が挙げられる。
【００５３】
なかでも、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，３’−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，３’−ビフェニレンジホスホナイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−フェニルホスホナイトおよびビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３−フェニル−フェニルホスホナイトが使用され、特に好ましくはテトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレンジホスホナイトが使用される。
【００５４】
芳香族ポリカーボネート樹脂中のリン系熱安定剤の含有量としては、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して０．００１〜０．２重量部が好ましい。
【００５５】
硫黄系熱安定剤としては、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−ミリスチルチオプロピオネート）、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−ステアリルチオプロピオネート）、ジラウリル−３、３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−３、３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３、３’−チオジプロピオネート等が挙げられ、なかでもペンタエリスリトール−テトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−ミリスチルチオプロピオネート）、ジラウリル−３、３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−３、３’−チオジプロピオネートが好ましい。特に好ましくはペンタエリスリトール−テトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）である。該チオエーテル系化合物は住友化学工業（株）からスミライザーＴＰ−Ｄ（商品名）およびスミライザーＴＰＭ（商品名）等として市販されており、容易に利用できる。
【００５６】
芳香族ポリカーボネート樹脂中の硫黄系熱安定剤の含有量としては、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して０．００１〜０．２重量部が好ましい。
【００５７】
ヒンダードフェノール系熱安定剤としては、トリエチレングリコール−ビス［３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６−ヘキサンジオール−ビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ペンタエリスリトール−テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナマイド）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレートおよび３，９−ビス｛１，１−ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル｝−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカンなどが挙げられ、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートが特に好ましく用いられる。
【００５８】
芳香族ポリカーボネート樹脂中のヒンダードフェノール系熱安定剤の含有量としては、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して０．００１〜０．１重量部が好ましい。
【００５９】
紫外線吸収剤としては、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、トリアジン系紫外線吸収剤、環状イミノエステル系紫外線吸収剤およびシアノアクリレート系からなる群より選ばれた少なくとも１種の紫外線吸収剤が好ましい。
【００６０】
ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジクミルフェニル）フェニルベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２，２’−メチレンビス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｎ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−４−オクトキシフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２，２’−メチレンビス（４−クミル−６−ベンゾトリアゾールフェニル）、２，２’−ｐ−フェニレンビス（１，３−ベンゾオキサジン−４−オン）、２−［２−ヒドロキシ−３−（３，４，５，６−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５−メチルフェニル］ベンゾトリアゾ−ルが挙げられ、これらを単独あるいは２種以上の混合物で用いることができる。
【００６１】
好ましくは、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジクミルフェニル）フェニルベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２，２’−メチレンビス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］、２−［２−ヒドロキシ−３−（３，４，５，６−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５−メチルフェニル］ベンゾトリアゾ−ルであり、より好ましくは、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２，２’−メチレンビス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］である。
【００６２】
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ベンジロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホキシトリハイドライドレイトベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシ−５−ソジウムスルホキシベンゾフェノン、ビス（５−ベンゾイル−４−ヒドロキシ−２−メトキシフェニル）メタン、２−ヒドロキシ−４−ｎ−ドデシルオキシベンソフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−２’−カルボキシベンゾフェノン等が挙げられる。
【００６３】
トリアジン系紫外線吸収剤としては、２−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−５−［（ヘキシル）オキシ］−フェノール、２−（４，６−ビス（２．４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル）−５−［（オクチル）オキシ］−フェノール等が挙げられる。
【００６４】
環状イミノエステル系紫外線吸収剤としては、２，２’−ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−ｐ−フェニレンビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−ｍ−フェニレンビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（４，４’−ジフェニレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（２，６−ナフタレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（１，５−ナフタレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（２−メチル−ｐ−フェニレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（２−ニトロ−ｐ−フェニレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）および２，２’−（２−クロロ−ｐ−フェニレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）などが例示される。なかでも２，２’−ｐ−フェニレンビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（４，４’−ジフェニレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）および２，２’−（２，６−ナフタレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）が好適であり、特に２，２’−ｐ−フェニレンビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）が好適である。かかる化合物は竹本油脂（株）からＣＥｉ−Ｐ（商品名）として市販されており、容易に利用できる。
【００６５】
シアノアクリレート系紫外線吸収剤としては、１，３−ビス−［（２’−シアノ−３’，３’−ジフェニルアクリロイル）オキシ］−２，２−ビス［（２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリロイル）オキシ］メチル）プロパン、および１，３−ビス−［（２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリロイル）オキシ］ベンゼンなどが例示される。
【００６６】
当該紫外線吸収剤の配合量は、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して好ましくは０．０１〜３．０重量部であり、より好ましくは０．０２〜１．０重量部であり、さらに好ましくは０．０５〜０．８重量部である。かかる配合量の範囲であれば、用途に応じ、ポリカーボネート樹脂成形品に十分な耐候性を付与することが可能である。
【００６７】
ブルーイング剤としては、バイエル社のマクロレックスバイオレットＢ及びマクロレックスブルーＲＲ並びにクラリアント社のポリシンスレンブル−ＲＬＳ等が挙げられる。ブルーイング剤は、ポリカーボネート樹脂粉粒体の黄色味を消すために有効である。
ブルーイング剤の配合量は、ポリカーボネート樹脂に対して好ましくは０．０５〜１．５ｐｐｍであり、より好ましくは０．１〜１．２ｐｐｍである。
【００６８】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物よりなる光学情報記録媒体は、デジタルビデオディスク、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ａｕｄｉｏ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等で代表されるデジタル・バーサタイル・ディスク（ＤＶＤ）の光ディスクの基板、ブルーレイディスク（ＢＤ）の基板をいう。
【００６９】
この光学情報記録媒体を製造する場合には射出成形機、より好適には射出圧縮成形機を用いる。この射出成形機及び射出圧縮成形機としては一般的に使用されているものでよいが、炭化物の発生を抑制しディスク基板の信頼性を高める観点からシリンダやスクリューとして樹脂との付着性が低く、かつ耐蝕性、耐摩耗性を示す材料を使用してなるものを用いるのが好ましい。
【００７０】
射出成形または射出圧縮成形の条件としてはシリンダ温度が好ましくは２６０〜４５０℃、より好ましくは２８０〜３８０℃、並びに金型温度が好ましくは５０〜１８０℃、より好ましくは７０〜１３５℃であり、これらにより光学的に優れた光ディスク基板を得ることができる。
【００７１】
成形工程での環境は、本発明の目的から考えて、可能な限りクリーンであることが好ましい。また、成形に供する材料を十分乾燥して水分を除去することや、溶融樹脂の分解を招くような滞留を起こさないように配慮することも重要となる。
【００７２】
本発明の光学情報記録媒体は、支持基板、該基板上に形成された反射層、及び該反射層上に形成された光透過層を有してなり、光透過層側からレーザー光を入射して記録及び／又は再生を行う方式の光ディスク、例えばＢＤやＨＤ ＤＶＤ、更にはホログラムディスクに代表される大容量ディスク用基板としても好適に使用される。
【００７３】
本発明の光学情報記録媒体は、片面に反射層及び／または記録層を形成する必要がある。上記の記録層、反射層の無機薄膜の製造法としては、公知の真空蒸着法、スパッタリング法等のＰＶＤ法、あるいはＣＶＤ法等、種々の薄膜形成法が適用できる。しかし、光ディスク媒体としては、高温高湿の耐環境試験で生じる剥離を生じさせないために、特に高分子基板との密着性が大きい条件で作製することが好ましい。このためにはスパッタリング法が好ましい。
【００７４】
例えば、ＤＶＤやＨＤ ＤＶＤの場合、厚み０．６ｍｍの第一の基板上に、接着剤と、第一の基板と同じ厚みの光透過性の第二の基板とが順次形成され、且つ前記第二の基板の前記第一の基板側には反射層及び/又は記録層が形成されてなり、前記第二の基板側からレーザー光を照射して情報の記録再生を行う。前記第二の基板は、前記レーザー光の波長に対して８０％以上の透過率を有することが好ましく、９０％以上が望ましい。
【００７５】
または、第一の基板上に、接着剤と、第一の基板と同じ厚みの光透過性の第二の基板とが順次形成され、且つ第一、第二の基板の互いに対向する側にそれぞれ第一、第二の反射層及び/又は第一、第二の記録層が形成されてなり、前記第二の基板側からレーザー光を照射して情報の記録再生を行う光ディスクである。前記第二の基板は、前記レーザー光の波長に対して８０％以上の透過率を有することが好ましく、９０％以上が望ましい。
【００７６】
例えば、ＢＤの場合、光ディスク基板は、片面に反射層及び／または記録層を形成する必要がある。上記の記録層、反射層の無機薄膜の製造法としては、公知の真空蒸着法、スパッタリング法等のＰＶＤ法、あるいはＣＶＤ法等、種々の薄膜形成法が適用できる。しかし、光ディスク媒体としては、高温高湿の耐環境試験で生じる剥離を生じさせないために、特に高分子基板との密着性が大きい条件で作製することが好ましい。このためにはスパッタリング法が好ましい。
【００７７】
また、上記反射層及び／または記録層上に光透過性のカバー層を形成する。上記光透過性のカバー層はレーザー光を通過する材料よりなり、かかる材料としては好適にポリカーボネート樹脂が用いられ、例えば、溶融押出法により形成されたポリカーボネートシートや溶液流延法により形成されたポリカーボネートキャスティングフィルムが挙げられる。光透過性のカバー層を形成する手段は、例えば、記録層上にポリカーボネートからなるシートやフィルム等の透明板を粘着剤などで貼り合わせる方法が挙げられる。さらにこの光透過性のカバー層はコマ収差をかなり小さく抑えるために、３〜２００μｍの厚さに制限される。
【００７８】
本発明の光学情報記録媒体は、支持基板、該基板上に形成された反射層、及び該反射層上に形成された光透過性ポリカーボネートフィルムのカバー層を有してなり、カバー層側からレーザー光を入射して記録及び／又は再生を行う方式の光ディスク、例えばＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ（ＢＤ）やホログラムディスクに代表される高密度光ディスク用基板としても好適に使用される。特に、Ｂｌｕ―ｒａｙ Ｄｉｓｃ（記録型）の場合、１．１ｍｍ厚の基板上に光反射層、記録膜及び記録膜保護膜よりなる記録層、並びに光透過性のカバー層を形成する事により作成される。なお、これらの層は複数形成されてもよい。
【００７９】
上記カバーフイルムを形成する際に使用される接着剤には、紫外線硬化性の高分子材料を主成分として用いてもよい。この場合、前記紫外線硬化性の高分子材料は、側鎖に紫外線硬化性基を有するアクリル酸エステル共重合体であるのが好ましく、紫外線硬化性基は不飽和基であり、かつ、前記アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は１００，０００以上であるのが好ましい。例えば、紫外線硬化性の高分子材料として、側鎖に紫外線硬化性基を有するアクリル酸エステル共重合体と、紫外線硬化性の多官能モノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物等が用いられる。または、紫外線硬化性基を有しないアクリル酸エステル共重合体と、紫外線硬化性の多官能モノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物であってもよい。その他に、接着剤としては、紫外線硬化性を有しないポリマー成分と紫外線硬化性の多官能モノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物を主成分とするものであってもよい。いずれの場合であっても、硬化させる前は粘着性を示し、硬化後は強固な接着性および適度な硬さを有するものであるのが好ましい。
【００８０】
記録膜は追記型光ディスクの場合、基板上に、レーザー光の照射によって不可逆的な光学特性が変化したり凹凸形状が形成される記録膜であり、例えばレーザー光の照射による加熱で分解して、その光学定数が変化すると共に、体積変化によって基板の変形を生じさせるシアニン系、フタロシアニン系、アゾ系の有機色素等が用いられる。
【００８１】
書き換え可能型光ディスクの場合、記録膜はレーザー光の照射によって生じた物質の非晶質状態と結晶状態の間の可逆的な相構造変化が起こる材料（相変化記録型）、もしくは膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有し、任意の反転磁区を作ることにより情報の記録、再生、消去が可能な磁気光学効果を有する磁性薄膜（光磁気記録型）である。相変化記録型の記録膜としては、例えば、カルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅＳｎ系、ＦｅＴｅ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系等が用いられているが、ＧｅＳｂＴｅ系よりなる膜は繰り返し記録・消去時における安定動作が良好で好ましい。光磁気記録型の記録膜としては、例えば、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＦｅ、ＰｒＦｅ、ＣｅＦｅ等の希土類元素と遷移金属元素との非晶質合金薄膜、交換結合を利用したそれらの二層膜、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｄ等の人工格子多層膜、ＣｏＰｔ系合金等を用いることができる。
【００８２】
また記録膜を狭持する記録膜保護膜としては誘電体材料を用いることが好ましい。これにより、媒体としての結晶相と非晶質相の反射率差、および磁気光学効果を高めることができる。さらにこの場合には、誘電体材料は屈折率ｎが高い材料、すなわちｎ≧１．６である材料、さらに好ましくはｎ≧１．８である材料であることが好ましい。例えば、ＳｉＯ系、ＳｉＯＮ系、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ、Ｌａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＧｅＯ２、ＰｂＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＴｅＯ２ＷＯ２、ＷＯ３、Ｓｃ２Ｏ３、ＺｒＯ２等の酸化物、ＴａＮ、ＡｌＮ、ＳｉＮ系、ＡｌＳｉＮ系等の窒化物、ＺｎＳ、Ｓｂ２Ｓ３、ＣｄＳ、Ｉｎ２Ｓ３、Ｇａ２Ｓ３、ＧｅＳ、ＳｎＳ２、ＰｂＳ、Ｂｉ２Ｓ３等の硫化物、またはこれらの混合材料やこれらの積層体などを保護膜として用いることが好ましい。
【００８３】
光反射層としては、評価に用いるドライブヘッドのレーザー光に対し、記録層よりも反射率の高い材料であることが特性向上のために好ましい。具体的には、使用レーザー光波長における光学定数である屈折率ｎと消衰係数ｋが、ｎ≦３．５、かつｋ≧３．５であるような材料を選択することが好ましい。さらに好ましくはｎ≦２．５かつ４．５≦ｋ≦８．５であり、この条件で作製した媒体では、再生信号特性のより一層の向上が実現できる。
【００８４】
一方レーザー光による加熱で信号を記録する際、光反射層の熱伝導率が高すぎると、熱拡散が大きく、強いレーザパワーを必要とする。このため現在多用されているパワーが１５ｍＷ以下の半導体レーザーで信号の記録を可能とするためには、光反射層に用いる材料の熱伝導率は１００[Ｗ／（ｍ・Ｋ）]以下であることが好ましく、さらには８０[Ｗ／（ｍ・Ｋ）]以下であることがより好ましい。
【００８５】
このような条件を満足する材料として、ＡｌもしくはＡｇにＡｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｉｒ等の１種類以上の元素を添加した合金が挙げられる。なお、これら合金において添加元素の添加量が、０．５原子％より少ないと前述の熱伝導低下の効果は小さく、逆に２０原子％より多いと前述の光反射率の低下が大きく再生信号特性の面で不利である。従って添加元素の含有量は０．５〜２０原子％の範囲におさめることが好ましい。また、特に金属反射膜自身の耐久性を高めるという点で、上記特定元素群の中ではＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｅが好ましい。これらの反射層の膜厚範囲は１０〜５００ｎｍであるが、反射率の低下による再生信号特性の低下を抑え、かつレーザパワーが１５ｍＷで記録可能とするためには、好ましくは３０〜２００ｎｍ、特に好ましくは４０〜１００ｎｍである。
なお、再生専用光ディスク媒体の場合は、上述した光反射層のみを基板上に形成する事になるが、材料としては同じものを使用することが出来る。
【００８６】
（折り曲げ性）
本発明の光学情報記録媒体は、長期間使用後の折り曲げ性を有する。これは、成形時における折り曲げ性に優れるばかりで無く、長期間の使用後においてもなお、折り曲げ性に優れる光学情報記録媒体である。
この測定方法は、光ディスク基板を冶具に垂直にセットし、１２０ｍｍから２０ｍｍの距離まで５０ｍｍ/ｍｉｎにて圧縮し、１ＭＰａの圧力を掛けることで判別する（図２）。
更に、光ディスク基板を温度８０度、湿度８５％ＲＨの環境下に９６時間置き、その後、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの常温常湿下で２４時間放置後、上述の試験を実施する。
【発明の効果】
【００８７】
本発明の光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、光学情報記録媒体に成形する際の熱安定性が良好で、得られた光学情報記録媒体は長期使用後の強度に優れているので、その奏する工業的効果は格別である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８８】
本発明者らが現在最良と考える本発明の形態は、前記各要件の好ましい範囲を集約したものとなるが、例えば、その代表例を下記の実施例中に記載する。
【実施例】
【００８９】
以下、実施例により本発明を詳述する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例中の各種特性の測定は、以下の方法によった。
【００９０】
（１）芳香族ポリカーボネート樹脂中のＣｌ含有量
芳香族ポリカーボネート樹脂ペレットおよびパウダーをそれぞれ秤量後、アルゴン及び酸素の混合気流中で燃焼させ、銀電極の電化移動量で滴定した。測定は三菱化学社製ＴＯＸ−２１００Ｈにて行った。
【００９１】
（２）芳香族ポリカーボネート樹脂のＯＨ末端基量
芳香族ポリカーボネート樹脂ペレットおよびパウダーそれぞれ４０ｍｇを重クロロホルム１ｍｌに溶解し、内径５ｍｍのＮＭＲ試料管に液面の高さが４０ｍｍになるように仕込み、キャップをしてＮＭＲ測定用サンプルとした。これを日本電子株式会社製 ＦＴ−ＮＭＲ ＡＬ−４００を用いて１Ｈ−ＮＭＲの測定をノンデカップリング、積算回数５１２回で行った。得られたＮＭＲスペクトルチャートから化学シフト６．６６〜６．７３ｐｐｍ、及び６．９３〜７．００ｐｐｍのピークの積分値を求め、下記式からＯＨ末端基量（ｅｑ／ｔｏｎ）を算出した。なお、測定に使用したチャート及び夫々のピークを図１に示した。
ＯＨ末端基量（ｅｑ／ｔｏｎ）＝（Ａ／２）／（Ｂ／（Ｃ×２／１００））×（１００００００／Ｄ）
Ａ：６．６６〜６．７３ｐｐｍのピークの積分値
Ｂ：６．９３〜７．００ｐｐｍのピークの積分値
Ｃ：炭素同位体１３Ｃの存在度（１．１０８％）
Ｄ：ＰＣの１ユニットあたりの質量数（ビスフェノールＡポリカーボネート：２５４）
【００９２】
（３）低分子量成分含有量の測定
ＴＯＨＳＯＨＸＬ−２０００とＨＸＬ−３０００を直列に配列させたカラムを使用したＧＰＣ分析における面積比（％）で求めた。
【００９３】
（４）全窒素含有量の測定
三菱化学株式会社製微量全窒素分析装置ＴＮ−１１０を使用し、２０ｍｇ中の全窒素含有量を測定した。
【００９４】
（５）色相（色差ΔＥ）の評価
ペレットを日本製綱所製射出成形機Ｊ８５−ＥＬIIIを用いてシリンダー温度３７０℃、金型温度８０℃、１分サイクルにて２ｍｍ厚角板を成形した。連続して２０ショット成形した後、該射出成形機のシリンダー中に樹脂を１０分間滞留させ、滞留後の２ｍｍ厚角板を成形した。滞留前後の平板の色相（Ｌ、ａ、ｂ）を日本電色工業社製色差計ＳＥ−２０００を用いてＣ光源反射法で測定し、次式により色差ΔＥを求めた。
ΔＥ＝｛（Ｌ−Ｌ’）２＋（ａ−ａ’）２＋（ｂ−ｂ’）２｝１／２
「滞留前の測定用平板」の色相：Ｌ、ａ、ｂ
「滞留後の測定用平板」の色相：Ｌ’、ａ’、ｂ’
【００９５】
（６）光ディスク基板の製造と曲げ試験
得られたペレットを、１２０℃にて５時間乾燥後、射出圧縮成形機［住友重機社製、ＳＤ−４０Ｅ］により、直径１２０ｍｍφ、厚さ１．１ｍｍの光ディスク基板を射出圧縮成形した。
光ディスク基板を冶具に、図２のように垂直にセットし、１２０ｍｍから２０ｍｍの距離まで５０ｍｍ/ｍｉｎにて圧縮した。１２０ｍｍから２０ｍｍまで折り曲げる過程で基板が割れた物を×、割れなかったものを○とした。
一方、光ディスク基板を温度８０度、湿度８５％ＲＨの環境下に９６時間置き、その後、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの常温常湿下で２４時間放置後、折り曲げ試験を実施した。基板が割れた物を×、割れなかったものを○とした。
【００９６】
［合成例１］
温度計、撹拌機及び還流冷却器付き反応器にイオン交換水２１９.４部、４８％水酸化ナトリウム水溶液４０.２部を仕込み、これに２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン５７.５部およびハイドロサルファイト０.１２部を加えて２５分間で溶解した後、塩化メチレン１８１部を５分間で加え、撹拌下１５〜２５℃でホスゲン２７．８部を４０分要して吹込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液７.２部およびｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール２．０４部と７．４％水酸化ナトリウム水溶液１部に対し２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン０．２０部を溶解した溶液０．６５部を加え、ホモミキサーで乳化せしめた後攪拌を停止し２８〜３３℃で２．５時間静置して反応を終了した。反応終了後生成物に塩化メチレン２００部を加え混合した後、攪拌を停止し、水相と有機相を分離して、ポリカーボネート樹脂濃度１５重量％有機溶媒溶液を得た。この有機溶媒溶液にイオン交換水２００部を加え攪拌混合した後、攪拌を停止し、水相と有機相を分離した。この操作を水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになるまで（４回）繰返した。得られた精製ポリカーボネート樹脂溶液をＳＵＳ３０４製の濾過精度１μｍフィルターで濾過した。
【００９７】
次に、該有機溶媒溶液を軸受け部に異物取出口を有する隔離室を設けた内壁の材質がＳＵＳ３１６Ｌ製の１０００Ｌニーダーにイオン交換水１００Ｌを投入し、水温４２℃にて塩化メチレンを蒸発させて粉粒体とし、該粉粒体と水の混合物を水温９５℃にコントロールされた攪拌機付熱水処理槽を有した熱水処理工程の熱水処理槽に投入し、粉粒体２５部、水７５部の混合比で３０分間攪拌機混合した。この粉粒体と水の混合物を遠心分離機で分離して塩化メチレン０．５重量％、水４５重量％の含有粉粒体を得た。次に、この粉粒体を１４０℃にコントロールされているＳＵＳ３１６Ｌ製伝導受熱式溝型２軸攪拌連続乾燥機に５０ｋｇ／Ｈｒ（ポリカーボネート樹脂換算）で連続供給して、平均乾燥時間６時間の条件で乾燥し、粘度平均分子量１５０００、Ｃｌ含有量５０ｐｐｍの粉粒体を得た。得られた粉粒体をアセトン中に投入し、３０分攪拌後粉粒体スラリー溶液を取り出し、固液分離後窒素雰囲気下で１４０℃、４時間乾燥し、アセトン抽出した粘度平均分子量１５６００、Ｃｌ含有量２．２ｐｐｍの粉粒体（パウダー）を得た。
【００９８】
［合成例２］
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールを３．１０部としたこと以外は合成例１と同様の方法で合成を行い、粘度平均分子量１１８００、Ｃｌ含有量３８ｐｐｍの粉粒体から、アセトン抽出した粘度平均分子量１２５００、Ｃｌ含有量１．３ｐｐｍの粉粒体（パウダー）を得た。
【００９９】
［合成例３］
温度計、撹拌機及び還流冷却器付き反応器にイオン交換水２１９.４部、４８％水酸化ナトリウム水溶液４０.２部を仕込み、これに２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン５７.５部およびハイドロサルファイト０.１２部を加えて２５分間で溶解した後、塩化メチレン１８１部を５分間で加え、撹拌下１５〜２５℃でホスゲン２７．８部を４０分要して吹込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液７.２部およびｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール２．１４部と７．４％水酸化ナトリウム水溶液１部に対し２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン０．２０部を溶解した溶液０．６５部を加え、ホモミキサーで乳化せしめた後攪拌を停止した。攪拌停止後１０分後に再度攪拌して乳化せしめた後、トリエチルアミン０．０６部を投入し、２８〜３３℃にて３０分で反応を終了した。反応終了後生成物に塩化メチレン２００部を加え混合した後、攪拌を停止し、水相と有機相を分離して、ポリカーボネート樹脂濃度１５重量％有機溶媒溶液を得た。この有機溶媒溶液にイオン交換水２００部を加え攪拌混合した後、攪拌を停止し、水相と有機相を分離した。この操作を水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになるまで（４回）繰返した。得られた精製ポリカーボネート樹脂溶液をＳＵＳ３０４製の濾過精度１μｍフィルターで濾過した。
【０１００】
次に、該有機溶媒溶液を軸受け部に異物取出口を有する隔離室を設けた内壁の材質がＳＵＳ３１６Ｌ製の１０００Ｌニーダーにイオン交換水１００Ｌを投入し、水温４２℃にて塩化メチレンを蒸発させて粉粒体とし、該粉粒体と水の混合物を水温９５℃にコントロールされた攪拌機付熱水処理槽を有した熱水処理工程の熱水処理槽に投入し、粉粒体２５部、水７５部の混合比で３０分間攪拌機混合した。この粉粒体と水の混合物を遠心分離機で分離して塩化メチレン０．５重量％、水４５重量％の含有粉粒体を得た。次に、この粉粒体を１４０℃にコントロールされているＳＵＳ３１６Ｌ製伝導受熱式溝型２軸攪拌連続乾燥機に５０ｋｇ／Ｈｒ（ポリカーボネート樹脂換算）で連続供給して、平均乾燥時間６時間の条件で乾燥し、粘度平均分子量１５０００、Ｃｌ含有量５２ｐｐｍの粉粒体（パウダー）を得た。
【０１０１】
［合成例４］
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールを３．２５部としたこと以外は合成例３と同様の方法で合成を行い、粘度平均分子量１１８００、Ｃｌ含有量３７ｐｐｍの粉粒体（パウダー）を得た。
合成例１〜４で合成した芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体ＰＣ−１〜ＰＣ−４および下記ＰＣ−５の特性を表１に示した。
【０１０２】
［実施例１〜４、比較例１〜４］
表２に示した各成分をブレンドしたポリカーボネート樹脂組成物を日本製鋼所製ＴＥＸ−３０αにて３００℃にて押出しを行い、ストランドをカットしてペレットを得た。得られたペレットを１２０℃にて４ｈｒ乾燥させた。得られたペレットを用いて、上記各種評価を行った。その結果を表２に示した。
なお、表１および表２中の各成分は以下のとおりである。
【０１０３】
ＰＣ−１：合成例１にて合成した芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体（パウダー）
ＰＣ−２：合成例２にて合成した芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体（パウダー）
ＰＣ−３：合成例３にて合成した芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体（パウダー）
ＰＣ−４：合成例４にて合成した芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体（パウダー）
ＰＣ−５：芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体（帝人化成製 パンライトＬ−１２２５）
Ｌ１：離型剤；理研ビタミン製Ｓ−１００Ａ（主成分グリセリンモノステアレート）
Ｌ２：離型剤；理研ビタミン製Ｂ−１００Ａ（主成分グリセリンモノベヘネート）
Ａ１：リン系安定剤；クラリアントジャパン製Ｐ−ＥＰＱ
Ｈ１：ブルーイング剤；バイエル製マクロレックスバイオレットＢ
Ｈ２：ブルーイング剤；バイエル製マクロレックスＢｌｕｅ ＲＲ
【０１０４】
【表１】
【０１０５】
【表２】
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】芳香族ポリカーボネート樹脂ペレットの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルチャートを示した図である。
【図２】光ディスク基板を冶具にセットし、圧力をかける折り曲げ試験を示す概略図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１．冶具
２．光ディスク基板
３．冶具間の幅（１２０ｍｍ）
４．冶具間の幅（２０ｍｍ）
【技術分野】
【０００１】
本発明は光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物および光学情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
芳香族ポリカーボネート樹脂は、コンパクトディスク、レーザーディスク、光磁気ディスク、デジタルビデオディスク等の光ディスク、さらには情報面からの信号の読み取りや、書き込みを特徴とする近接場記録情報媒体或いはそれらの基板など光学情報記録媒体の原料として、広く用いられている。
【０００３】
そして、これら光学情報記録媒体は、ピットやグルーブの情報信号が刻印されたスタンパーを露出させた金型キャビティに、溶融させた芳香族ポリカーボネート樹脂を射出し、情報信号を転写させる方法によって製造されている。
【０００４】
この光学情報記録媒体の製造に芳香族ポリカーボネート樹脂が使用されている理由は、この樹脂が透明性、光学特性、強度、耐熱性、寸法安定性、耐衝撃性などにおいて優れており、しかも成形性にも優れているためである。特に、射出成形法により、光学情報記録媒体の基板を製造すると、スタンパーに刻設した微細な凹凸模様（情報信号） が、正確に基板表面に転写されて、基板の反りや平面性に優れた高品質の光学情報記録媒体が得られ、更には射出圧縮成形法を使用することにより、ソリ等の品質向上が可能となるからである。
【０００５】
一方近年の光学情報記録媒体は、当初のＣＤの基板が単一の一枚からなる形状とは異なってきている。例えばＤＶＤは、厚み０．６ｍｍの基板２枚を紫外線硬化樹脂を用いて貼り合せている。またブルーレイディスク（ＢＤと略）では、ポリカーボネート樹脂から形成された基板の表面に紫外線硬化樹脂からなるカバー層を形成した形状や、基板上にカバーフィルムを貼り合わせた形状を有している。
【０００６】
しかしながら、この紫外線硬化樹脂を硬化するための紫外線は、信号読み取り面の側から照射されており、過大な照射がされた場合には、芳香族ポリカーボネート樹脂等が劣化を起こし、該樹脂の分子量低下等を引き起こしてしまう可能性がある。
【０００７】
また、自動車にカーナビゲーション等の映像機器の導入が普及し、車内で映画等を簡単に視聴できるようになってきた。特に真夏の車内は高温高湿の状態になりやすく、光学情報記録媒体が長時間車内に放置されてしまうとその基板に使用されている樹脂が劣化する。すると、光学情報記録媒体が落下等の衝撃により割れ易くなり問題となっている。
【０００８】
そこで、この問題を解決するために、基本的には、芳香族ポリカーボネート樹脂の分子量を高くすることが効果的である。しかしながら、高い分子量を有する芳香族ポリカーボネート樹脂は、溶融粘度が低下して基板の複屈折が高くなり、光学情報記録媒体としては使用することが出来ない。光学情報記録媒体の成形時に、シリンダ温度を高くした成形機を用いて成形する製造方法が考えられるが、冷却時間が長くなり基板生産性が悪化してしまう。
【０００９】
また、従来の光学情報記録媒体の基板の生産では、シリンダ温度をより低温に設定し、冷却時間を短縮することで、より短時間で光学情報記録媒体を多く生産し、生産性を向上させる方法が一般的である。これを達成するにはシリンダ温度を低くしても、芳香族ポリカーボネート樹脂が十分な溶融粘度を得るために該樹脂の分子量を低くすることが一般的である。しかしながら、分子量を低く設定した場合には、樹脂中のモノマー、オリゴマーといった低分子量物の量が増加し、成形時に金型の汚れとなって生産性を著しく低下させるといった問題が発生する。
【００１０】
分子量を調整したポリカーボネート樹脂を用いた光ディスク基板の発明としては、０．０６〜０．０９％のステアリン酸モノグリセリドを含有した粘度平均分子量１４０００〜１５０００のポリカーボネート樹脂からなる光ディスク基板がある。しかしながら該特許は、離型剤の含有量を規定して成形時の変形抑制の効果を記載しているが、光ディスク基板の強度の記載がなく課題が残る（特許文献１）。
【００１１】
また、粘度平均分子量１００００〜１７０００かつ、重量平均分子量／数平均分子量が２．３以上のポリカーボネート樹脂からなる光ディスク基板がある。しかしながら、成形時の割れが少ないことが記載されているが、その発生原因や長期使用後の基板の割れが、明らかではない（特許文献２）。
【００１２】
他の試みとしては、光学用ディスク等の光学成形品材料として、分岐化ポリカーボネート樹脂を使用することが提案され、成形時の糸引きが防止され、複屈折性、強度、連続成形性が改善されることが記載されているが、特殊な分岐化ポリカーボネート樹脂を用いる必要がある（特許文献３、特許文献４）。
【００１３】
さらに、超高分子量のポリカーボネート樹脂を混合する方法の提案がある。しかし、一般に光ディスク用に使用されているポリカーボネート樹脂は、混合する超高分子量ポリカーボネート樹脂との分子量の乖離が大きいため、超高分子量ポリカーボネートを混合すると光学的に不均一になり微小な白筋や成形時にシルバー、デラミ現象が生じたり、機械的強度にむらが生じたりする欠点があり、光学用途には不向きである（特許文献５）。
【００１４】
また、金属含有量や塩素系溶媒を特定量以下としたポリカーボネート樹脂からなる光学式ディスク基板が開示されている（特許文献６）。しかしながら、光学的な長期信頼性に効果があることは記載されているが、長期使用後のディスクの強度については記載がない。同様に末端水酸基や金属ナトリウム量を特定量以下としたポリカーボネート樹脂からなる光学式ディスク基板が開示されている（特許文献７）。しかしながら、光学的な長期信頼性に効果があることは記載されているが、長期使用後のディスクの強度については記載がない。
【００１５】
さらに、ポリカーボネート樹脂中に含まれる分子量が１，０００以下の低分子量カーボネート化合物が１重量％未満の高流動性ポリカーボネート樹脂が知られている（特許文献８）。しかしながら、該樹脂は溶融時の流動性、転写性、ハイサイクル成形性に優れることは記載されているが、長期使用後のディスクの強度については記載がない。
【００１６】
また、ポリカーボネート樹脂中に含有される全窒素量が１０ｐｐｍ以下である光記録媒体用ポリカーボネートが知られている（特許文献９）。しかしながら、該樹脂から得られるディスク基板は長期信頼性試験において高信頼性を有することは記載されているが、長期使用後のディスクの強度については記載がない。
【００１７】
【特許文献１】特開平０４−１６８１５１号公報
【特許文献２】特開２００３−１６２８４１号公報
【特許文献３】特開２００６−３４８１３２号公報
【特許文献４】特開昭６０−２１５０１９号公報
【特許文献５】特開平０４−３４２７６０号公報
【特許文献６】特開平０２−２７６０３７号公報
【特許文献７】特開平０３−１００５０１号公報
【特許文献８】特開平０９−２０８６８４号公報
【特許文献９】特開平０９−１６５４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の目的は、低温のシリンダー温度で成形した場合であっても高い生産性を維持できる流動性を達成しながら、金型汚れの問題を解決でき、成形後の光学情報記録媒体の長期的な強度を維持し、紫外線照射等にも耐えうる芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、高い生産性を維持できる流動性を達成可能な分子量の芳香族ポリカーボネート樹脂であっても、ポリカーボネート樹脂のＯＨ末端基量、Ｃｌ含有量、低分子量成分、全窒素含有量を所定の量に調整することによって、金型汚れの問題を解決でき、紫外線照射に耐え、熱安定性が良好で、長期的な強度を維持しうる光学情報記録媒体が得られることを見出し、本発明に到達した。
【００２０】
すなわち、本発明によれば、
１．粘度平均分子量が１．０×１０４〜２．０×１０４、分子量１０００以下の低分子量成分含有量が１．５重量％以下、全窒素含有量が１５ｐｐｍ以下、Ｃｌ含有量が１００ｐｐｍ以下、ＯＨ末端基量が０．１〜３０ｅｑ／ｔｏｎである芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して、グリセリンモノエステル型の離型剤を０．０１〜０．３重量部含有する光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、
２．グリセリンモノエステル型の離型剤の主成分がベヘン酸のモノエステルである前項１記載の光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、
３．芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の粘度平均分子量が１．３×１０４〜１．７５×１０４である前項１記載の光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、
４．芳香族ポリカーボネート樹脂が、無触媒による界面重縮合法で重合され、重合後にアセトンにより低分子量成分抽出処理がなされた芳香族ポリカーボネート樹脂である前項１記載の光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、および
５．前項１記載の樹脂組成物から射出圧縮成形にて形成された光学情報記録媒体、
が提供される。
【００２１】
以下、本発明について詳細に説明する。
芳香族ポリカーボネート樹脂（以下、単に「ポリカーボネート」と称することがある）は、二価フェノールとカーボネート前駆体とを反応させて得られるものであり、反応の方法としては界面重縮合法、溶融エステル交換法、カーボネートプレポリマーの固相エステル交換法及び環状カーボネート化合物の開環重合法等を挙げることができるが本発明でもっとも好ましいものは界面重縮合法である。
【００２２】
当該二価フェノールの具体例としては、ハイドロキノン、レゾルシノール、４，４’−ビフェノール、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（通称“ビスフェノールＡ”）、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、４，４’−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール、４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）オキシド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エステル、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）スルフィド、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン等が挙げられる。これらの中でも、ビス（４−ヒドロキシフェニル）アルカン、特にビスフェノールＡ（以下“ＢＰＡ”と略称することがある）が好ましく、その割合は二価フェノール成分中５０〜１００モル％が好ましい。
【００２３】
本発明では、ビスフェノールＡ系のポリカーボネート以外にも、他の二価フェノール類を用いて製造した特殊なポリカーボネ−トをＡ成分として使用することが可能である。
例えば、二価フェノール成分の一部又は全部として、４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール（以下“ＢＰＭ”と略称することがある）、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（以下“Ｂｉｓ−ＴＭＣ”と略称することがある）、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン及び９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン（以下“ＢＣＦ”と略称することがある）を用いたポリカーボネ−ト（単独重合体又は共重合体）は、吸水による寸法変化や形態安定性の要求が特に厳しい光ディスク情報記録媒体に適当である。
【００２４】
当該カーボネート前駆体としては、カルボニルハライド、カーボネートエステル又はハロホルメート等が使用され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボネート又は二価フェノールのジハロホルメート等が挙げられる。
【００２５】
このような二価フェノールとカーボネート前駆体とから界面重合法によってポリカーボネートを製造するに当っては、必要に応じて触媒、末端停止剤、二価フェノールが酸化するのを防止するための酸化防止剤等を使用してもよい。また、ポリカーボネートは３官能以上の多官能性芳香族化合物を共重合した分岐ポリカーボネートであってもよい。ここで使用される３官能以上の多官能性芳香族化合物としては、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，１−トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン等が挙げられる。
【００２６】
また、ポリカーボネートは、芳香族もしくは脂肪族（脂環式を含む）の２官能性カルボン酸を共重合したポリエステルカーボネート、２官能性アルコール（脂環族を含む）を共重合した共重合ポリカーボネート並びにかかる２官能性カルボン酸及び２官能性アルコールを共に共重合したポリエステルカーボネートであってもよい。また、得られたポリカーボネートの２種以上をブレンドした混合物でも差し支えない。
【００２７】
ポリカーボネートの重合反応において、界面重縮合法による反応は、通常、二価フェノールとホスゲンとの反応であり、酸結合剤及び有機溶媒の存在下に反応させる。酸結合剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物又はピリジン等のアミン化合物が好ましく用いられる。有機溶媒としては、塩化メチレン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素が好ましく用いられる。また、反応促進のために、トリエチルアミン、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマイド等の３級アミン、４級アンモニウム化合物、４級ホスホニウム化合物等の触媒を用いることもできるが、本発明では触媒使用により微量全窒素量が増えないことが前提となる。したがって、無触媒法による重合反応が好ましい。その際、反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は１０分〜５時間程度、反応中のｐＨは９以上に保つのが好ましい。
【００２８】
また、かかる重合反応においては、通常、末端停止剤が使用される。かかる末端停止剤として単官能フェノール類を使用することができる。単官能フェノール類としては、フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノール等の単官能フェノール類を用いるのが好ましい。
【００２９】
界面重縮合法により得られたポリカーボネート樹脂の有機溶媒溶液は、通常水洗浄が施される。この水洗工程は、好ましくはイオン交換水等の電気伝導度１０μＳ／ｃｍ以下、より好ましくは１μＳ／ｃｍ以下の水により行われ、前記有機溶媒溶液と水とを混合、攪拌した後、静置してあるいは遠心分離機等を用いて、有機溶媒溶液相と水相とを分液させ、有機溶媒溶液相を取り出すことを繰り返し行い、水溶性不純物を除去する。高純度な水で洗浄を行うことにより、効率的に水溶性不純物が除去され、得られるポリカーボネート樹脂の色相は良好なものとなる。
また、上述のポリカーボネート樹脂の有機溶媒溶液は、不純物を除去するために酸洗浄やアルカリ洗浄を行うことも好ましい。
【００３０】
また、上記有機溶媒溶液は不溶性不純物である異物を除去することが好ましく行われる。この異物を除去する方法は、濾過する方法あるいは遠心分離機で処理する方法が好ましく採用される。
前記水洗浄が施された有機溶媒溶液は、次いで、溶媒を除去してポリカーボネート樹脂の粉粒体を得る操作が行われる。
【００３１】
ポリカーボネート樹脂粉粒体を得る方法（造粒工程）としては、操作や後処理が簡便なことから、ポリカーボネート粉粒体および温水（６５〜９０℃程度）が存在する造粒装置中で、攪拌しながらポリカーボネートの有機溶媒溶液を連続的に供給して、かかる溶媒を蒸発させることにより、スラリーを製造する方法が使用される。当該造粒装置としては攪拌槽やニーダーなどの混合機が使用される。生成されたスラリーは、造粒装置の上部または下部から連続的に排出される。
【００３２】
排出されたスラリーは、次いで熱水処理を行うこともできる。熱水処理工程は、かかるスラリーを９０〜１００℃の熱水の入った熱水処理容器に供給するか、または供給した後に蒸気の吹き込みなどにより水温を９０〜１００℃にすることによって、スラリーに含まれる有機溶媒を除去するものである。
【００３３】
造粒工程で排出されたスラリーまたは熱水処理後のスラリーは、好ましくは濾過、遠心分離等によって水および有機溶媒を除去し、次いで乾燥されて、ポリカーボネート樹脂粉粒体（パウダー状やフレーク状）を得ることができる。
【００３４】
乾燥機としては、伝導加熱方式でも熱風加熱方式でもよく、ポリカーボネート樹脂粉粒体が静置、移送されても攪拌されてもよい。なかでも、伝導加熱方式でポリカーボネート樹脂粉粒体が攪拌される溝形または円筒乾燥機が好ましく、溝形乾燥機が特に好ましい。乾燥温度は１３０℃〜１５０℃の範囲が好ましく採用される。
【００３５】
上記によって得られたポリカーボネート樹脂粉粒体には通常オリゴマー類、モノマー類等の不純物が含まれる。本発明では分子量１０００以下の低分子量成分含有量は１．５重量％以下、好ましくは１．３重量％以下、もっとも好ましくは１．１重量％以下である。
【００３６】
低分子量成分を取り除く方法としてアセトン処理が挙げられる。特開平４−３０６２２７号公報に記載されている方法が好適に使用され、かかる方法は簡便にまた安価に低分子量成分を取り除く方法である。
【００３７】
本発明のポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量としては、１．０×１０４未満であると強度等が低下し、２．０×１０４を超えると成形加工特性が低下するようになるので、１．０×１０４〜２．０×１０４の範囲が好ましく、１．０×１０４〜１．７５×１０４の範囲がより好ましく、１．３×１０４〜１．７５×１０４の範囲がさらに好ましい。
【００３８】
本発明でいう粘度平均分子量は、まず、次式にて算出される比粘度（ηＳＰ）を２０℃で塩化メチレン１００ｍｌにポリカーボネート樹脂０．７ｇを溶解した溶液からオストワルド粘度計を用いて求め、
比粘度（ηＳＰ）＝（ｔ−ｔ０）／ｔ０
［ｔ０は塩化メチレンの落下秒数、ｔは試料溶液の落下秒数］
求められた比粘度（ηＳＰ）から次の数式により粘度平均分子量Ｍを算出する。
ηＳＰ／ｃ＝［η］＋０．４５×［η］２ｃ（但し［η］は極限粘度）
［η］＝１．２３×１０−４Ｍ０．８３
ｃ＝０．７
【００３９】
なお、本発明のポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量を測定する場合は、次の要領で行うことができる。すなわち、ポリカーボネート樹脂をその２０〜３０倍重量の塩化メチレンに溶解し、可溶分をセライト濾過により採取した後、溶液を除去して十分に乾燥し、塩化メチレン可溶分の固体を得る。かかる固体０．７ｇを塩化メチレン１００ｍｌに溶解した溶液から２０℃における比粘度（ηＳＰ）を、オストワルド粘度計を用いて求め、上式によりその粘度平均分子量Ｍを算出する。
【００４０】
芳香族ポリカーボネート樹脂中のＣｌ含有量は、下記の方法によって調整することができる。前述した界面重縮合法の場合、造粒工程での乾燥強化によりＣｌ含有量を効果的に低減可能である。また、造粒工程にて溶媒自体を例えばヘプタンのようなＣｌを含まない溶媒に置換する方法も有効である。更に溶融させペレット化する工程での、真空ベントを強化する方法も有効である。更には溶融押出し時に水、又はヘプタンのようなポリカーボネート樹脂の貧溶媒を注入し、真空ベントで共沸することによりＣｌ含有量を低減可能である。一方、溶融エステル交換法で重合された芳香族ポリカーボネート樹脂には、そもそもＣｌは含まれないため有用である。
【００４１】
芳香族ポリカーボネート樹脂中のＣｌ含有量は、１００ｐｐｍ以下であり、好ましくは０．１〜１００ｐｐｍであり、より好ましくは０．１〜７０ｐｐｍであり、さらに好ましくは０．１〜５０ｐｐｍである。
【００４２】
なお、芳香族ポリカーボネート樹脂中のＣｌ含有量は、燃焼法で測定される。試料を秤量後、アルゴン及び酸素の混合気流中で燃焼させ、銀電極の電化移動量で適定する。測定は三菱化学社製ＴＯＸ−２１００Ｈにて行った。
【００４３】
芳香族ポリカーボネート樹脂のＯＨ末端基量は、下記の方法によって調整することができる。界面重縮合法の場合、触媒の使用や末端停止剤の添加量、添加時間によりＯＨ末端基量は調整される。また重合反応を静置状態で行うことも有効である。溶融エステル交換法では、二価フェノールとカーボネートエステルの存在比をカーボネートエステルよりにすることで、ＯＨ末端基量の低減が可能である。
【００４４】
芳香族ポリカーボネート樹脂のＯＨ末端基量は、０．１〜３０ｅｑ／ｔｏｎであり、好ましくは０．１〜２５ｅｑ／ｔｏｎであり、より好ましくは０．１〜２０ｅｑ／ｔｏｎである。なお、芳香族ポリカーボネート樹脂のＯＨ末端基量はＮＭＲ法で測定される。
【００４５】
芳香族ポリカーボネート樹脂中の全窒素量は、重合時の触媒の有無、およびその使用量等によって調整できる。本発明においては、芳香族ポリカーボネート樹脂は無触媒による界面重縮合法で重合される方法が好ましい。
【００４６】
芳香族ポリカーボネート樹脂中の全窒素含有量は、１５ｐｐｍ以下であり、好ましくは０．１〜１５ｐｐｍであり、より好ましくは０．１〜１３ｐｐｍであり、さらに好ましくは０．１〜１０ｐｐｍである。芳香族ポリカーボネート樹脂中の全窒素含有量は化学発光方式で測定される。
【００４７】
本発明で離型剤として使用するグリセリンモノエステルは、グリセリンと脂肪酸のモノエステルが主成分であり、好適な脂肪酸としてはステアリン酸、パルチミン酸、ベヘン酸、アラキン酸、モンタン酸、ラウリン酸等の飽和脂肪酸やオレイン酸、リノール酸、ソルビン酸等の不飽和脂肪酸が挙げられ、特にステアリン酸、ベヘン酸、パルチミン酸が好ましく特にベヘン酸が好ましい。天然の脂肪酸から合成されたものが好ましく、そのほとんどが混合物である。
【００４８】
芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して、グリセリンモノエステルの含有量は０．０１〜０．３重量部であり、好ましくは０．０２〜０．２重量部、より好ましくは０．０２５〜０．１５重量部である。含有量が少なすぎる場合には、良好な離型性が得られず、多すぎると成形品の変色が悪化する。
【００４９】
離型剤は、当該業者で知られるその他の離型剤とも併用可能であるが、併用した場合でもグリセリンモノエステルの含有量は０．０１〜０．３重量部であり、離型剤の主成分であることが好ましい。
【００５０】
本発明のポリカーボネート樹脂には、本発明の目的を損なわない範囲で、熱安定剤、紫外線吸収剤、ブルーイング剤、帯電防止剤、難燃剤、熱線遮蔽剤、蛍光染料（蛍光増白剤含む）、顔料、光拡散剤、強化充填剤、他の樹脂やエラストマー等を配合することができる。
【００５１】
熱安定剤としては、リン系熱安定剤、硫黄系熱安定剤およびヒンダードフェノール系熱安定剤が挙げられる。
【００５２】
リン系熱安定剤としては、亜リン酸、リン酸、亜ホスホン酸、ホスホン酸およびこれらのエステル等が挙げられ、具体的には、トリフェニルホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオクチルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチルジフェニルホスファイト、ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２，２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビス（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト、トリブチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、ジフェニルモノオルソキセニルホスフェート、ジブチルホスフェート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホスフェート、ベンゼンホスホン酸ジメチル、ベンゼンホスホン酸ジエチル、ベンゼンホスホン酸ジプロピル、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，３’−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，３’−ビフェニレンジホスホナイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−フェニルホスホナイトおよびビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３−フェニル−フェニルホスホナイト等が挙げられる。
【００５３】
なかでも、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，３’−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，３’−ビフェニレンジホスホナイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−フェニルホスホナイトおよびビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３−フェニル−フェニルホスホナイトが使用され、特に好ましくはテトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレンジホスホナイトが使用される。
【００５４】
芳香族ポリカーボネート樹脂中のリン系熱安定剤の含有量としては、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して０．００１〜０．２重量部が好ましい。
【００５５】
硫黄系熱安定剤としては、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−ミリスチルチオプロピオネート）、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−ステアリルチオプロピオネート）、ジラウリル−３、３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−３、３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３、３’−チオジプロピオネート等が挙げられ、なかでもペンタエリスリトール−テトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−ミリスチルチオプロピオネート）、ジラウリル−３、３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−３、３’−チオジプロピオネートが好ましい。特に好ましくはペンタエリスリトール−テトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）である。該チオエーテル系化合物は住友化学工業（株）からスミライザーＴＰ−Ｄ（商品名）およびスミライザーＴＰＭ（商品名）等として市販されており、容易に利用できる。
【００５６】
芳香族ポリカーボネート樹脂中の硫黄系熱安定剤の含有量としては、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して０．００１〜０．２重量部が好ましい。
【００５７】
ヒンダードフェノール系熱安定剤としては、トリエチレングリコール−ビス［３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６−ヘキサンジオール−ビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ペンタエリスリトール−テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナマイド）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレートおよび３，９−ビス｛１，１−ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル｝−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカンなどが挙げられ、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートが特に好ましく用いられる。
【００５８】
芳香族ポリカーボネート樹脂中のヒンダードフェノール系熱安定剤の含有量としては、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して０．００１〜０．１重量部が好ましい。
【００５９】
紫外線吸収剤としては、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、トリアジン系紫外線吸収剤、環状イミノエステル系紫外線吸収剤およびシアノアクリレート系からなる群より選ばれた少なくとも１種の紫外線吸収剤が好ましい。
【００６０】
ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジクミルフェニル）フェニルベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２，２’−メチレンビス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｎ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−４−オクトキシフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２，２’−メチレンビス（４−クミル−６−ベンゾトリアゾールフェニル）、２，２’−ｐ−フェニレンビス（１，３−ベンゾオキサジン−４−オン）、２−［２−ヒドロキシ−３−（３，４，５，６−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５−メチルフェニル］ベンゾトリアゾ−ルが挙げられ、これらを単独あるいは２種以上の混合物で用いることができる。
【００６１】
好ましくは、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジクミルフェニル）フェニルベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２，２’−メチレンビス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］、２−［２−ヒドロキシ−３−（３，４，５，６−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５−メチルフェニル］ベンゾトリアゾ−ルであり、より好ましくは、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２，２’−メチレンビス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］である。
【００６２】
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ベンジロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホキシトリハイドライドレイトベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシ−５−ソジウムスルホキシベンゾフェノン、ビス（５−ベンゾイル−４−ヒドロキシ−２−メトキシフェニル）メタン、２−ヒドロキシ−４−ｎ−ドデシルオキシベンソフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−２’−カルボキシベンゾフェノン等が挙げられる。
【００６３】
トリアジン系紫外線吸収剤としては、２−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−５−［（ヘキシル）オキシ］−フェノール、２−（４，６−ビス（２．４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル）−５−［（オクチル）オキシ］−フェノール等が挙げられる。
【００６４】
環状イミノエステル系紫外線吸収剤としては、２，２’−ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−ｐ−フェニレンビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−ｍ−フェニレンビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（４，４’−ジフェニレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（２，６−ナフタレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（１，５−ナフタレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（２−メチル−ｐ−フェニレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（２−ニトロ−ｐ−フェニレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）および２，２’−（２−クロロ−ｐ−フェニレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）などが例示される。なかでも２，２’−ｐ−フェニレンビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（４，４’−ジフェニレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）および２，２’−（２，６−ナフタレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）が好適であり、特に２，２’−ｐ−フェニレンビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）が好適である。かかる化合物は竹本油脂（株）からＣＥｉ−Ｐ（商品名）として市販されており、容易に利用できる。
【００６５】
シアノアクリレート系紫外線吸収剤としては、１，３−ビス−［（２’−シアノ−３’，３’−ジフェニルアクリロイル）オキシ］−２，２−ビス［（２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリロイル）オキシ］メチル）プロパン、および１，３−ビス−［（２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリロイル）オキシ］ベンゼンなどが例示される。
【００６６】
当該紫外線吸収剤の配合量は、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して好ましくは０．０１〜３．０重量部であり、より好ましくは０．０２〜１．０重量部であり、さらに好ましくは０．０５〜０．８重量部である。かかる配合量の範囲であれば、用途に応じ、ポリカーボネート樹脂成形品に十分な耐候性を付与することが可能である。
【００６７】
ブルーイング剤としては、バイエル社のマクロレックスバイオレットＢ及びマクロレックスブルーＲＲ並びにクラリアント社のポリシンスレンブル−ＲＬＳ等が挙げられる。ブルーイング剤は、ポリカーボネート樹脂粉粒体の黄色味を消すために有効である。
ブルーイング剤の配合量は、ポリカーボネート樹脂に対して好ましくは０．０５〜１．５ｐｐｍであり、より好ましくは０．１〜１．２ｐｐｍである。
【００６８】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物よりなる光学情報記録媒体は、デジタルビデオディスク、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ａｕｄｉｏ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等で代表されるデジタル・バーサタイル・ディスク（ＤＶＤ）の光ディスクの基板、ブルーレイディスク（ＢＤ）の基板をいう。
【００６９】
この光学情報記録媒体を製造する場合には射出成形機、より好適には射出圧縮成形機を用いる。この射出成形機及び射出圧縮成形機としては一般的に使用されているものでよいが、炭化物の発生を抑制しディスク基板の信頼性を高める観点からシリンダやスクリューとして樹脂との付着性が低く、かつ耐蝕性、耐摩耗性を示す材料を使用してなるものを用いるのが好ましい。
【００７０】
射出成形または射出圧縮成形の条件としてはシリンダ温度が好ましくは２６０〜４５０℃、より好ましくは２８０〜３８０℃、並びに金型温度が好ましくは５０〜１８０℃、より好ましくは７０〜１３５℃であり、これらにより光学的に優れた光ディスク基板を得ることができる。
【００７１】
成形工程での環境は、本発明の目的から考えて、可能な限りクリーンであることが好ましい。また、成形に供する材料を十分乾燥して水分を除去することや、溶融樹脂の分解を招くような滞留を起こさないように配慮することも重要となる。
【００７２】
本発明の光学情報記録媒体は、支持基板、該基板上に形成された反射層、及び該反射層上に形成された光透過層を有してなり、光透過層側からレーザー光を入射して記録及び／又は再生を行う方式の光ディスク、例えばＢＤやＨＤ ＤＶＤ、更にはホログラムディスクに代表される大容量ディスク用基板としても好適に使用される。
【００７３】
本発明の光学情報記録媒体は、片面に反射層及び／または記録層を形成する必要がある。上記の記録層、反射層の無機薄膜の製造法としては、公知の真空蒸着法、スパッタリング法等のＰＶＤ法、あるいはＣＶＤ法等、種々の薄膜形成法が適用できる。しかし、光ディスク媒体としては、高温高湿の耐環境試験で生じる剥離を生じさせないために、特に高分子基板との密着性が大きい条件で作製することが好ましい。このためにはスパッタリング法が好ましい。
【００７４】
例えば、ＤＶＤやＨＤ ＤＶＤの場合、厚み０．６ｍｍの第一の基板上に、接着剤と、第一の基板と同じ厚みの光透過性の第二の基板とが順次形成され、且つ前記第二の基板の前記第一の基板側には反射層及び/又は記録層が形成されてなり、前記第二の基板側からレーザー光を照射して情報の記録再生を行う。前記第二の基板は、前記レーザー光の波長に対して８０％以上の透過率を有することが好ましく、９０％以上が望ましい。
【００７５】
または、第一の基板上に、接着剤と、第一の基板と同じ厚みの光透過性の第二の基板とが順次形成され、且つ第一、第二の基板の互いに対向する側にそれぞれ第一、第二の反射層及び/又は第一、第二の記録層が形成されてなり、前記第二の基板側からレーザー光を照射して情報の記録再生を行う光ディスクである。前記第二の基板は、前記レーザー光の波長に対して８０％以上の透過率を有することが好ましく、９０％以上が望ましい。
【００７６】
例えば、ＢＤの場合、光ディスク基板は、片面に反射層及び／または記録層を形成する必要がある。上記の記録層、反射層の無機薄膜の製造法としては、公知の真空蒸着法、スパッタリング法等のＰＶＤ法、あるいはＣＶＤ法等、種々の薄膜形成法が適用できる。しかし、光ディスク媒体としては、高温高湿の耐環境試験で生じる剥離を生じさせないために、特に高分子基板との密着性が大きい条件で作製することが好ましい。このためにはスパッタリング法が好ましい。
【００７７】
また、上記反射層及び／または記録層上に光透過性のカバー層を形成する。上記光透過性のカバー層はレーザー光を通過する材料よりなり、かかる材料としては好適にポリカーボネート樹脂が用いられ、例えば、溶融押出法により形成されたポリカーボネートシートや溶液流延法により形成されたポリカーボネートキャスティングフィルムが挙げられる。光透過性のカバー層を形成する手段は、例えば、記録層上にポリカーボネートからなるシートやフィルム等の透明板を粘着剤などで貼り合わせる方法が挙げられる。さらにこの光透過性のカバー層はコマ収差をかなり小さく抑えるために、３〜２００μｍの厚さに制限される。
【００７８】
本発明の光学情報記録媒体は、支持基板、該基板上に形成された反射層、及び該反射層上に形成された光透過性ポリカーボネートフィルムのカバー層を有してなり、カバー層側からレーザー光を入射して記録及び／又は再生を行う方式の光ディスク、例えばＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ（ＢＤ）やホログラムディスクに代表される高密度光ディスク用基板としても好適に使用される。特に、Ｂｌｕ―ｒａｙ Ｄｉｓｃ（記録型）の場合、１．１ｍｍ厚の基板上に光反射層、記録膜及び記録膜保護膜よりなる記録層、並びに光透過性のカバー層を形成する事により作成される。なお、これらの層は複数形成されてもよい。
【００７９】
上記カバーフイルムを形成する際に使用される接着剤には、紫外線硬化性の高分子材料を主成分として用いてもよい。この場合、前記紫外線硬化性の高分子材料は、側鎖に紫外線硬化性基を有するアクリル酸エステル共重合体であるのが好ましく、紫外線硬化性基は不飽和基であり、かつ、前記アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は１００，０００以上であるのが好ましい。例えば、紫外線硬化性の高分子材料として、側鎖に紫外線硬化性基を有するアクリル酸エステル共重合体と、紫外線硬化性の多官能モノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物等が用いられる。または、紫外線硬化性基を有しないアクリル酸エステル共重合体と、紫外線硬化性の多官能モノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物であってもよい。その他に、接着剤としては、紫外線硬化性を有しないポリマー成分と紫外線硬化性の多官能モノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物を主成分とするものであってもよい。いずれの場合であっても、硬化させる前は粘着性を示し、硬化後は強固な接着性および適度な硬さを有するものであるのが好ましい。
【００８０】
記録膜は追記型光ディスクの場合、基板上に、レーザー光の照射によって不可逆的な光学特性が変化したり凹凸形状が形成される記録膜であり、例えばレーザー光の照射による加熱で分解して、その光学定数が変化すると共に、体積変化によって基板の変形を生じさせるシアニン系、フタロシアニン系、アゾ系の有機色素等が用いられる。
【００８１】
書き換え可能型光ディスクの場合、記録膜はレーザー光の照射によって生じた物質の非晶質状態と結晶状態の間の可逆的な相構造変化が起こる材料（相変化記録型）、もしくは膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有し、任意の反転磁区を作ることにより情報の記録、再生、消去が可能な磁気光学効果を有する磁性薄膜（光磁気記録型）である。相変化記録型の記録膜としては、例えば、カルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅＳｎ系、ＦｅＴｅ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系等が用いられているが、ＧｅＳｂＴｅ系よりなる膜は繰り返し記録・消去時における安定動作が良好で好ましい。光磁気記録型の記録膜としては、例えば、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＦｅ、ＰｒＦｅ、ＣｅＦｅ等の希土類元素と遷移金属元素との非晶質合金薄膜、交換結合を利用したそれらの二層膜、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｄ等の人工格子多層膜、ＣｏＰｔ系合金等を用いることができる。
【００８２】
また記録膜を狭持する記録膜保護膜としては誘電体材料を用いることが好ましい。これにより、媒体としての結晶相と非晶質相の反射率差、および磁気光学効果を高めることができる。さらにこの場合には、誘電体材料は屈折率ｎが高い材料、すなわちｎ≧１．６である材料、さらに好ましくはｎ≧１．８である材料であることが好ましい。例えば、ＳｉＯ系、ＳｉＯＮ系、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ、Ｌａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＧｅＯ２、ＰｂＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＴｅＯ２ＷＯ２、ＷＯ３、Ｓｃ２Ｏ３、ＺｒＯ２等の酸化物、ＴａＮ、ＡｌＮ、ＳｉＮ系、ＡｌＳｉＮ系等の窒化物、ＺｎＳ、Ｓｂ２Ｓ３、ＣｄＳ、Ｉｎ２Ｓ３、Ｇａ２Ｓ３、ＧｅＳ、ＳｎＳ２、ＰｂＳ、Ｂｉ２Ｓ３等の硫化物、またはこれらの混合材料やこれらの積層体などを保護膜として用いることが好ましい。
【００８３】
光反射層としては、評価に用いるドライブヘッドのレーザー光に対し、記録層よりも反射率の高い材料であることが特性向上のために好ましい。具体的には、使用レーザー光波長における光学定数である屈折率ｎと消衰係数ｋが、ｎ≦３．５、かつｋ≧３．５であるような材料を選択することが好ましい。さらに好ましくはｎ≦２．５かつ４．５≦ｋ≦８．５であり、この条件で作製した媒体では、再生信号特性のより一層の向上が実現できる。
【００８４】
一方レーザー光による加熱で信号を記録する際、光反射層の熱伝導率が高すぎると、熱拡散が大きく、強いレーザパワーを必要とする。このため現在多用されているパワーが１５ｍＷ以下の半導体レーザーで信号の記録を可能とするためには、光反射層に用いる材料の熱伝導率は１００[Ｗ／（ｍ・Ｋ）]以下であることが好ましく、さらには８０[Ｗ／（ｍ・Ｋ）]以下であることがより好ましい。
【００８５】
このような条件を満足する材料として、ＡｌもしくはＡｇにＡｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｉｒ等の１種類以上の元素を添加した合金が挙げられる。なお、これら合金において添加元素の添加量が、０．５原子％より少ないと前述の熱伝導低下の効果は小さく、逆に２０原子％より多いと前述の光反射率の低下が大きく再生信号特性の面で不利である。従って添加元素の含有量は０．５〜２０原子％の範囲におさめることが好ましい。また、特に金属反射膜自身の耐久性を高めるという点で、上記特定元素群の中ではＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｅが好ましい。これらの反射層の膜厚範囲は１０〜５００ｎｍであるが、反射率の低下による再生信号特性の低下を抑え、かつレーザパワーが１５ｍＷで記録可能とするためには、好ましくは３０〜２００ｎｍ、特に好ましくは４０〜１００ｎｍである。
なお、再生専用光ディスク媒体の場合は、上述した光反射層のみを基板上に形成する事になるが、材料としては同じものを使用することが出来る。
【００８６】
（折り曲げ性）
本発明の光学情報記録媒体は、長期間使用後の折り曲げ性を有する。これは、成形時における折り曲げ性に優れるばかりで無く、長期間の使用後においてもなお、折り曲げ性に優れる光学情報記録媒体である。
この測定方法は、光ディスク基板を冶具に垂直にセットし、１２０ｍｍから２０ｍｍの距離まで５０ｍｍ/ｍｉｎにて圧縮し、１ＭＰａの圧力を掛けることで判別する（図２）。
更に、光ディスク基板を温度８０度、湿度８５％ＲＨの環境下に９６時間置き、その後、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの常温常湿下で２４時間放置後、上述の試験を実施する。
【発明の効果】
【００８７】
本発明の光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、光学情報記録媒体に成形する際の熱安定性が良好で、得られた光学情報記録媒体は長期使用後の強度に優れているので、その奏する工業的効果は格別である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８８】
本発明者らが現在最良と考える本発明の形態は、前記各要件の好ましい範囲を集約したものとなるが、例えば、その代表例を下記の実施例中に記載する。
【実施例】
【００８９】
以下、実施例により本発明を詳述する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例中の各種特性の測定は、以下の方法によった。
【００９０】
（１）芳香族ポリカーボネート樹脂中のＣｌ含有量
芳香族ポリカーボネート樹脂ペレットおよびパウダーをそれぞれ秤量後、アルゴン及び酸素の混合気流中で燃焼させ、銀電極の電化移動量で滴定した。測定は三菱化学社製ＴＯＸ−２１００Ｈにて行った。
【００９１】
（２）芳香族ポリカーボネート樹脂のＯＨ末端基量
芳香族ポリカーボネート樹脂ペレットおよびパウダーそれぞれ４０ｍｇを重クロロホルム１ｍｌに溶解し、内径５ｍｍのＮＭＲ試料管に液面の高さが４０ｍｍになるように仕込み、キャップをしてＮＭＲ測定用サンプルとした。これを日本電子株式会社製 ＦＴ−ＮＭＲ ＡＬ−４００を用いて１Ｈ−ＮＭＲの測定をノンデカップリング、積算回数５１２回で行った。得られたＮＭＲスペクトルチャートから化学シフト６．６６〜６．７３ｐｐｍ、及び６．９３〜７．００ｐｐｍのピークの積分値を求め、下記式からＯＨ末端基量（ｅｑ／ｔｏｎ）を算出した。なお、測定に使用したチャート及び夫々のピークを図１に示した。
ＯＨ末端基量（ｅｑ／ｔｏｎ）＝（Ａ／２）／（Ｂ／（Ｃ×２／１００））×（１００００００／Ｄ）
Ａ：６．６６〜６．７３ｐｐｍのピークの積分値
Ｂ：６．９３〜７．００ｐｐｍのピークの積分値
Ｃ：炭素同位体１３Ｃの存在度（１．１０８％）
Ｄ：ＰＣの１ユニットあたりの質量数（ビスフェノールＡポリカーボネート：２５４）
【００９２】
（３）低分子量成分含有量の測定
ＴＯＨＳＯＨＸＬ−２０００とＨＸＬ−３０００を直列に配列させたカラムを使用したＧＰＣ分析における面積比（％）で求めた。
【００９３】
（４）全窒素含有量の測定
三菱化学株式会社製微量全窒素分析装置ＴＮ−１１０を使用し、２０ｍｇ中の全窒素含有量を測定した。
【００９４】
（５）色相（色差ΔＥ）の評価
ペレットを日本製綱所製射出成形機Ｊ８５−ＥＬIIIを用いてシリンダー温度３７０℃、金型温度８０℃、１分サイクルにて２ｍｍ厚角板を成形した。連続して２０ショット成形した後、該射出成形機のシリンダー中に樹脂を１０分間滞留させ、滞留後の２ｍｍ厚角板を成形した。滞留前後の平板の色相（Ｌ、ａ、ｂ）を日本電色工業社製色差計ＳＥ−２０００を用いてＣ光源反射法で測定し、次式により色差ΔＥを求めた。
ΔＥ＝｛（Ｌ−Ｌ’）２＋（ａ−ａ’）２＋（ｂ−ｂ’）２｝１／２
「滞留前の測定用平板」の色相：Ｌ、ａ、ｂ
「滞留後の測定用平板」の色相：Ｌ’、ａ’、ｂ’
【００９５】
（６）光ディスク基板の製造と曲げ試験
得られたペレットを、１２０℃にて５時間乾燥後、射出圧縮成形機［住友重機社製、ＳＤ−４０Ｅ］により、直径１２０ｍｍφ、厚さ１．１ｍｍの光ディスク基板を射出圧縮成形した。
光ディスク基板を冶具に、図２のように垂直にセットし、１２０ｍｍから２０ｍｍの距離まで５０ｍｍ/ｍｉｎにて圧縮した。１２０ｍｍから２０ｍｍまで折り曲げる過程で基板が割れた物を×、割れなかったものを○とした。
一方、光ディスク基板を温度８０度、湿度８５％ＲＨの環境下に９６時間置き、その後、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの常温常湿下で２４時間放置後、折り曲げ試験を実施した。基板が割れた物を×、割れなかったものを○とした。
【００９６】
［合成例１］
温度計、撹拌機及び還流冷却器付き反応器にイオン交換水２１９.４部、４８％水酸化ナトリウム水溶液４０.２部を仕込み、これに２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン５７.５部およびハイドロサルファイト０.１２部を加えて２５分間で溶解した後、塩化メチレン１８１部を５分間で加え、撹拌下１５〜２５℃でホスゲン２７．８部を４０分要して吹込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液７.２部およびｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール２．０４部と７．４％水酸化ナトリウム水溶液１部に対し２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン０．２０部を溶解した溶液０．６５部を加え、ホモミキサーで乳化せしめた後攪拌を停止し２８〜３３℃で２．５時間静置して反応を終了した。反応終了後生成物に塩化メチレン２００部を加え混合した後、攪拌を停止し、水相と有機相を分離して、ポリカーボネート樹脂濃度１５重量％有機溶媒溶液を得た。この有機溶媒溶液にイオン交換水２００部を加え攪拌混合した後、攪拌を停止し、水相と有機相を分離した。この操作を水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになるまで（４回）繰返した。得られた精製ポリカーボネート樹脂溶液をＳＵＳ３０４製の濾過精度１μｍフィルターで濾過した。
【００９７】
次に、該有機溶媒溶液を軸受け部に異物取出口を有する隔離室を設けた内壁の材質がＳＵＳ３１６Ｌ製の１０００Ｌニーダーにイオン交換水１００Ｌを投入し、水温４２℃にて塩化メチレンを蒸発させて粉粒体とし、該粉粒体と水の混合物を水温９５℃にコントロールされた攪拌機付熱水処理槽を有した熱水処理工程の熱水処理槽に投入し、粉粒体２５部、水７５部の混合比で３０分間攪拌機混合した。この粉粒体と水の混合物を遠心分離機で分離して塩化メチレン０．５重量％、水４５重量％の含有粉粒体を得た。次に、この粉粒体を１４０℃にコントロールされているＳＵＳ３１６Ｌ製伝導受熱式溝型２軸攪拌連続乾燥機に５０ｋｇ／Ｈｒ（ポリカーボネート樹脂換算）で連続供給して、平均乾燥時間６時間の条件で乾燥し、粘度平均分子量１５０００、Ｃｌ含有量５０ｐｐｍの粉粒体を得た。得られた粉粒体をアセトン中に投入し、３０分攪拌後粉粒体スラリー溶液を取り出し、固液分離後窒素雰囲気下で１４０℃、４時間乾燥し、アセトン抽出した粘度平均分子量１５６００、Ｃｌ含有量２．２ｐｐｍの粉粒体（パウダー）を得た。
【００９８】
［合成例２］
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールを３．１０部としたこと以外は合成例１と同様の方法で合成を行い、粘度平均分子量１１８００、Ｃｌ含有量３８ｐｐｍの粉粒体から、アセトン抽出した粘度平均分子量１２５００、Ｃｌ含有量１．３ｐｐｍの粉粒体（パウダー）を得た。
【００９９】
［合成例３］
温度計、撹拌機及び還流冷却器付き反応器にイオン交換水２１９.４部、４８％水酸化ナトリウム水溶液４０.２部を仕込み、これに２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン５７.５部およびハイドロサルファイト０.１２部を加えて２５分間で溶解した後、塩化メチレン１８１部を５分間で加え、撹拌下１５〜２５℃でホスゲン２７．８部を４０分要して吹込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液７.２部およびｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール２．１４部と７．４％水酸化ナトリウム水溶液１部に対し２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン０．２０部を溶解した溶液０．６５部を加え、ホモミキサーで乳化せしめた後攪拌を停止した。攪拌停止後１０分後に再度攪拌して乳化せしめた後、トリエチルアミン０．０６部を投入し、２８〜３３℃にて３０分で反応を終了した。反応終了後生成物に塩化メチレン２００部を加え混合した後、攪拌を停止し、水相と有機相を分離して、ポリカーボネート樹脂濃度１５重量％有機溶媒溶液を得た。この有機溶媒溶液にイオン交換水２００部を加え攪拌混合した後、攪拌を停止し、水相と有機相を分離した。この操作を水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになるまで（４回）繰返した。得られた精製ポリカーボネート樹脂溶液をＳＵＳ３０４製の濾過精度１μｍフィルターで濾過した。
【０１００】
次に、該有機溶媒溶液を軸受け部に異物取出口を有する隔離室を設けた内壁の材質がＳＵＳ３１６Ｌ製の１０００Ｌニーダーにイオン交換水１００Ｌを投入し、水温４２℃にて塩化メチレンを蒸発させて粉粒体とし、該粉粒体と水の混合物を水温９５℃にコントロールされた攪拌機付熱水処理槽を有した熱水処理工程の熱水処理槽に投入し、粉粒体２５部、水７５部の混合比で３０分間攪拌機混合した。この粉粒体と水の混合物を遠心分離機で分離して塩化メチレン０．５重量％、水４５重量％の含有粉粒体を得た。次に、この粉粒体を１４０℃にコントロールされているＳＵＳ３１６Ｌ製伝導受熱式溝型２軸攪拌連続乾燥機に５０ｋｇ／Ｈｒ（ポリカーボネート樹脂換算）で連続供給して、平均乾燥時間６時間の条件で乾燥し、粘度平均分子量１５０００、Ｃｌ含有量５２ｐｐｍの粉粒体（パウダー）を得た。
【０１０１】
［合成例４］
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールを３．２５部としたこと以外は合成例３と同様の方法で合成を行い、粘度平均分子量１１８００、Ｃｌ含有量３７ｐｐｍの粉粒体（パウダー）を得た。
合成例１〜４で合成した芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体ＰＣ−１〜ＰＣ−４および下記ＰＣ−５の特性を表１に示した。
【０１０２】
［実施例１〜４、比較例１〜４］
表２に示した各成分をブレンドしたポリカーボネート樹脂組成物を日本製鋼所製ＴＥＸ−３０αにて３００℃にて押出しを行い、ストランドをカットしてペレットを得た。得られたペレットを１２０℃にて４ｈｒ乾燥させた。得られたペレットを用いて、上記各種評価を行った。その結果を表２に示した。
なお、表１および表２中の各成分は以下のとおりである。
【０１０３】
ＰＣ−１：合成例１にて合成した芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体（パウダー）
ＰＣ−２：合成例２にて合成した芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体（パウダー）
ＰＣ−３：合成例３にて合成した芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体（パウダー）
ＰＣ−４：合成例４にて合成した芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体（パウダー）
ＰＣ−５：芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体（帝人化成製 パンライトＬ−１２２５）
Ｌ１：離型剤；理研ビタミン製Ｓ−１００Ａ（主成分グリセリンモノステアレート）
Ｌ２：離型剤；理研ビタミン製Ｂ−１００Ａ（主成分グリセリンモノベヘネート）
Ａ１：リン系安定剤；クラリアントジャパン製Ｐ−ＥＰＱ
Ｈ１：ブルーイング剤；バイエル製マクロレックスバイオレットＢ
Ｈ２：ブルーイング剤；バイエル製マクロレックスＢｌｕｅ ＲＲ
【０１０４】
【表１】
【０１０５】
【表２】
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】芳香族ポリカーボネート樹脂ペレットの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルチャートを示した図である。
【図２】光ディスク基板を冶具にセットし、圧力をかける折り曲げ試験を示す概略図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１．冶具
２．光ディスク基板
３．冶具間の幅（１２０ｍｍ）
４．冶具間の幅（２０ｍｍ）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘度平均分子量が１．０×１０４〜２．０×１０４、分子量１０００以下の低分子量成分含有量が１．５重量％以下、全窒素含有量が１５ｐｐｍ以下、Ｃｌ含有量が１００ｐｐｍ以下、ＯＨ末端基量が０．１〜３０ｅｑ／ｔｏｎである芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して、グリセリンモノエステル型の離型剤を０．０１〜０．３重量部含有する光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項２】
グリセリンモノエステル型の離型剤の主成分がベヘン酸のモノエステルである請求項１記載の光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項３】
芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の粘度平均分子量が１．３×１０４〜１．７５×１０４である請求項１記載の光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項４】
芳香族ポリカーボネート樹脂が、無触媒による界面重縮合法で重合され、重合後にアセトンにより低分子量成分抽出処理がなされた芳香族ポリカーボネート樹脂である請求項１記載の光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１記載の樹脂組成物から射出圧縮成形にて形成された光学情報記録媒体。
【請求項１】
粘度平均分子量が１．０×１０４〜２．０×１０４、分子量１０００以下の低分子量成分含有量が１．５重量％以下、全窒素含有量が１５ｐｐｍ以下、Ｃｌ含有量が１００ｐｐｍ以下、ＯＨ末端基量が０．１〜３０ｅｑ／ｔｏｎである芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して、グリセリンモノエステル型の離型剤を０．０１〜０．３重量部含有する光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項２】
グリセリンモノエステル型の離型剤の主成分がベヘン酸のモノエステルである請求項１記載の光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項３】
芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の粘度平均分子量が１．３×１０４〜１．７５×１０４である請求項１記載の光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項４】
芳香族ポリカーボネート樹脂が、無触媒による界面重縮合法で重合され、重合後にアセトンにより低分子量成分抽出処理がなされた芳香族ポリカーボネート樹脂である請求項１記載の光学情報記録媒体用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１記載の樹脂組成物から射出圧縮成形にて形成された光学情報記録媒体。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１０−３７３８１（Ｐ２０１０−３７３８１Ａ）
【公開日】平成２２年２月１８日（２０１０．２．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１９９５２８（Ｐ２００８−１９９５２８）
【出願日】平成２０年８月１日（２００８．８．１）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．レーザーディスク
【出願人】（０００２１５８８８）帝人化成株式会社 (504)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年２月１８日（２０１０．２．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年８月１日（２００８．８．１）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．レーザーディスク
【出願人】（０００２１５８８８）帝人化成株式会社 (504)
【Ｆターム（参考）】
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