光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法
【課題】リードリトライやベリファイリトライの成功率を高め短時間でリトライを成功させる。
【解決手段】ＭＳＲ媒体のリードリトライは、再生磁界を設定変更しながら実行する。成功したリードリトライのパラメータ設定値を統計情報として保存し、デフォルトに対する設定値の変化が大きくなったらデフォルトを更新する。リトライに成功したパラメータ設定情報を統計情報として保存し、新たなリードリトライでは統計情報の中から成功率の高いパラメータ設定情報を選択してリトライを実行する。また、ベリファイリトライ時にも過去の成功したリトライ情報についてリードリトライを行い、リトライ成功時に成功したリトライ情報を保存する。
【解決手段】ＭＳＲ媒体のリードリトライは、再生磁界を設定変更しながら実行する。成功したリードリトライのパラメータ設定値を統計情報として保存し、デフォルトに対する設定値の変化が大きくなったらデフォルトを更新する。リトライに成功したパラメータ設定情報を統計情報として保存し、新たなリードリトライでは統計情報の中から成功率の高いパラメータ設定情報を選択してリトライを実行する。また、ベリファイリトライ時にも過去の成功したリトライ情報についてリードリトライを行い、リトライ成功時に成功したリトライ情報を保存する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光を用いて情報の記録と再生を行う光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法に関し、特に、ビーム径よりも小さい密度でデータを記録再生するＭＳＲ媒体を含む光記憶媒体の記録再生動作でリードエラーが発生した場合のリトライを最適化する光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータの外部記憶媒体として、光ディスクが脚光を浴びている。光ディスクは、レーザ光を用いて媒体上にサブミクロンオーダーの磁気的な記録ピットを作ることにより、これまでの外部記憶媒体であるフロッピー（Ｒ）ディスクやハードディスクに比べ、格段に記録容量を増大させることが可能となる。
【０００３】
更に、希土類−遷移金属系材料を用いた垂直磁気記憶媒体である光磁気ディスクにおいては、情報の書替えが可能であり、今後の発展がますます期待されている。
【０００４】
光ディスクは例えば３．５インチ片面で１２８ＭＢ，２３０ＭＢ、５４０ＭＢ、６４０ＭＢの記憶容量を持っている。ここで１２８ＭＢ媒体、２３０ＭＢ媒体はピットポジション変調記録（ＰＰＭ記録）であり、５４０ＢＭ媒体、６４０ＭＢ媒体はパルス幅変調記録（ＰＷＭ記録）である。
【０００５】
これは３．５インチフロッピー（Ｒ）ディスク１枚の記憶容量が約１ＭＢであることを考えると、光ディスク１枚でフロッピー（Ｒ）ディスク１２８枚から６４０枚分の記憶容量を持つことを意味する。このように光ディスクは記録密度の非常に高い書替可能な記憶媒体である。
【０００６】
しかし、これからのマルチメディア時代に備え、光ディスクの記録密度を現在よりも更に高くする必要がある。記録密度を高くするためには、媒体上に更に多くのピットを記録させなければならない。そのためには、現在よりもピットを更に小さくし、ピットとピットの間隔も詰めていく必要がある。このような方法で記録密度を高くする場合、レーザ光の波長を現在の６７０ｎｍよりも更に短くする必要があるが、実用化を考慮した場合、現行の波長６７０ｎｍでピットサイズを小さくしなければならない。
【０００７】
この場合、記録についてはレーザ光のパワーを制御することによってビーム径よりも小さなピットを形成することは可能である。しかし、再生については、ビーム径よりも小さなピットを再生すると、隣のピットとのクロストークが大きくなり、最悪の場合、再生ビームの中に隣のピットまで入ってしまい、実用性を考慮した場合、非常に難しい。
【０００８】
現行の波長６７０ｎｍでビーム径よりも小さなピットを再生する方法として特開平３−９３０５８号に代表される光磁気記録再生方法があり、超解像技術（ＭＳＲ：Ｍａｇｍｅｔｏｃａｌｌｙ ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）による記録再生方法として知られている。これにはＦＡＤ（Ｆｒｏｎｔ Ａｐｅｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｏｎ）方式とＲＡＤ（Ｒｅａｒ Ａｐｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）方式の２つの方法がある。
【０００９】
ＦＡＤ方式は、図５３（Ａ）（Ｂ）のように、ＭＳＲ媒体を基板３１１上で記録層３２０と再生層３１６に分け、リードビームのレーザスポット３２２を照射した状態で、再生磁界Ｈｒを加えて再生する。このとき再生層３１６が記録ピットの部分については、レーザスポット３２２による媒体加熱の温度分布に依存して記録層３２０との境界に形成されるスイッチ層（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）３１８の磁気的な結合が切れ、再生磁界Ｈｒの影響を受けてマスクとなる。
【００１０】
これに対し次の記録ピットの部分についてはスイッチ層３１８の磁気的な結合は保ったままであり、アパーチャ（開口）３２４となる。このためレーザスポット３２２のように、隣接するピット３２８の影響を受けることなくアパーチャ３２４のピット３３０のみを読み取ることができる。
【００１１】
一方、ダブルマスクＲＡＤ方式は、図５４（Ａ）（Ｂ）のように、基板３１１上の再生層３１６、中間層３１７及び記録層３２０の３層から構成されている。再生時の再生レーザパワーを若干高くしてリードする。このリード時には、リードビームのレーザスポット３３４による媒体加熱の温度分布に依存し、再生層３１６にはフロントマスク３３６、記録層３２０の磁化情報が再生層３１６に転写されるアパーチャ３３８及びリアマスク３３７が形成される。
【００１２】
即ち、リードビームレーザスポット３３４による低温のフロントマスク３３６では、再生磁界３３２によって再生層３１６が初期化されているので、信号は得られない。中間温度のアパーチャ３３８では、中間層３１７が垂直磁化されるため結合力が強まり、記録層３２０の磁化情報が再生層３１６に転写され、信号が得られる。高温のリアマスク３３７では、中間層３１７のキュリー温度に近いので、記録層３２０と再生層３１６の結合力が小さくなり、再生層３１６の磁化は再生磁界３３２の方向に揃う。
【００１３】
再生層３１６に転写された記録層３２０の磁化情報は、光学磁気効果（カー効果あるいはファラデー効果）によって光学的な信号に変換されることでデータが再生される。
【００１４】
このとき、現在読み出している記録層３２０のピット３２８に対し、次に読み出す記録層３２０のピット３３０は、再生層３１６の初期磁化情報によるフロントマスク３３６の形成で転写されないため、記録ピットがレーザスポット３３４より小さくとも、クロストークは発生せず、ビーム径よりも小さなピットを再生することができる。
【００１５】
更に、このダブルマスクＲＡＤを用いると、再生部分以外の記録層３２０の領域は初期化された再生層３１６によってマスクされた状態になっているので、隣のピットからのピット干渉が発生せず、更にピット間隔を詰めることができ、また、隣接するトラックからのクロストークを抑えることもできるので、トラックピッチもＦＡＤより詰めることができ、現行の波長６８０ｎｍを用いても高密度化を行うことが可能となる。
【特許文献１】特開平４−２５８８３１号公報
【特許文献２】特開平２−１７７０６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、このようなＭＳＲ媒体を用いた従来の光ディスク装置にあっては、再生時に使用する再生磁界とリードパワーを厳密に制御しなければ、適切な再生動作ができないという問題がある。その理由は、例えば図５３（Ａ）（Ｂ）のＦＡＤ方式でレーザビームの再生パワーＰｒが低すぎた場合、再生層３１６の磁化による図５３（Ｂ）のマスク３２６の形成範囲が小さくなり、ピット３２８がマスクされずにクロストークを起こす。
【００１７】
また再生パワーＰｒが強すぎた場合には、マスク３２６の形成範囲が広がってピット３３０も部分的にマスクするようになり、再生レベルが低下してエラーとなる。同時に再生磁界Ｈｒが記録層３２０にも作用し、記録データを消しかねない。
【００１８】
図５４（Ａ）（Ｂ）のダブルマスクＲＡＤ方式で再生パワーおよび再生磁界が低すぎた場合、再生層３１６のビーム加熱による結合範囲が広がらず、アパーチャが形成されず、図５４（Ｂ）のピット３２８が再生されない。
【００１９】
また再生パワーおよび再生磁界が強すぎた場合には、再生層３１６の初期化磁界のビーム加熱による消去範囲が狭くなってフロントマスク３３６の形成範囲が広がり、ピット３２８も部分的にマスクするようになり、アパーチャ３３８が小さくなり、再生レベルが低下してエラーとなる。同時に再生パワーが強すぎると記録層３２０にも作用し、記録データを消しかねない。
【００２０】
この現象は再生磁界や再生パワーを調整するだけでは不十分であり、記憶媒体の温度を決める装置内部の環境温度にも依存する。即ち、装置内の環境温度が低温側に変化すると再生層のアパーチャ形成温度まで加熱するためのレーザパワーが必要となる。逆に環境温度が高温側に変化すると再生層のリアマスク形成温度までの加熱は少しでよいため再生パワーを低くする必要がある。
【００２１】
リードアクセスに基づくＭＳＲ媒体のあるセクタのリードが失敗した場合、最適値に調整された再生パワーおよび再生磁界の値を使用して再度リードするリードリトライを行うが、装置内の環境温度等が再生磁界を最適値に調整した際の条件から外れていると、何回リトライを行っても成功せず、最終的にリトライアウトとなり、不良セクタと判断して交代処理を行うことになる。
【００２２】
このためリードエラーが発生した際にリトライ成功となるまでに時間がかかり、更に、装置の使用条件が大きく変っているとリトライ不成功でリードエラーを多発し、処理性能が低下する問題があった。
【００２３】
同様なリードリトライの問題は、ライト動作がイレーズ、ライト、及びベリファイを行うことから、ベリファイでエラーとなったときのベリファイリトライでも生ずる。
【００２４】
このようなリードリトライ及びベリファイリトライにおけるリトライ不成功の問題は、再生磁界を必要とするＭＳＲ媒体のみならず、通常のＭＯ媒体においても同様である。
【００２５】
本発明は、リトライ処理を工夫してＭＳＲ媒体のリードエラーの発生を低減する光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法を提供することを目的とする。
【００２６】
また本発明は、パラメータを設定変更しながら行うリードリトライやベリファイリトライで成功時のパラメータ設定情報を統計情報として保存し、統計情報の学習処理による最適パラメータの更新を行ってリトライ成功の条件を反映し、リードエラーの発生を低減する光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法を提供することを目的とする。
【００２７】
更に本発明は、成功したリードリトライの情報を保存し、次のリードリトライ時に保存情報から成功率の高いリードリトライの条件を取り出してリトライ成功率を向上させる光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
図１は本発明の原理説明図である。
【００２９】
（ＭＳＲ媒体のリードリトライ）
まず本発明は、基板上に、少なくともデータを記録するための記録層と記録層に記録されたデータを再生するための再生層とを有するＭＳＲ媒体（光記憶媒体）を使用可能な光学的記憶装置において、再生部は、再生に必要な再生磁界と再生レーザパワーを組み合わせて最適な値に設定することによって、レーザビームのビーム径より小さい記録密度でＭＳＲ媒体の記録層に記録されているデータを再生する。
【００３０】
これに加え本発明は、図１（Ａ）のように、リードリトライ処理部８６を設け、リードエラーが発生した際のリードリトライ時に、再生磁界の値を変更して再生動作をリトライすることを特徴とする。
【００３１】
このように本発明は、ＭＳＲ媒体のリードリトライの際に、再生磁界の値を変更し、変更した再生磁界でリードのリトライを行うことでリトライを成功させ、リトライアウトによってリードエラーが発生する頻度を低減する。
【００３２】
リードリトライ処理部８６は、ＭＳＲ媒体にフォーマットされた各ゾーン、ＭＳＲ媒体の記録領域を複数のエリアに分割した各エリア、装置内の温度の少なくともいずれかに応じてリードリトライ時に再生磁界を変更する。
【００３３】
ＭＳＲ媒体の再生に最適な再生パワーまたは再生磁界の強さは、媒体の各ゾーン、各エリア、更にはそのときの装置内温度により異なることから、これらの条件に応じて適切な値を再生パワーまたは再生磁界を変更することで、リードエラーの発生頻度を低減する。
【００３４】
リードリトライ処理部８６は、テストリードにより最適再生パワー又は最適再生磁界のテストオフセットΔＰｒ１、ΔＨ１を決定し、所定のデフォルト値Ｐｒ、ＨにテストオフセットΔＰｒ１，ΔＨ１と所定のリトライオフセットΔＰｒ２、ΔＨ２を加算した再生パワー（Ｐｒ＋ΔＰｒ１＋ΔＰｒ２）又は再生磁界（Ｈ＋ΔＨ１＋ΔＨ２）に変更する。
【００３５】
このようにリードリトライ時にテストリードで、そのときの使用条件に適合した最適再生パワーまたは最適再生磁界を決定した後に、最適再生パワーまたは最適再生磁界をリトライ用に変更して再度リードすることで、実際の使用条件の変化に適合した最適再生パワーまたは最適再生磁界に変更でき、学習が進むにしたがって、少ないリトライ回数でリードを成功させることができる。
【００３６】
（リードパラメータの統計的更新）
本発明は、パラメータを設定変更しながら行うリードリトライやベリファイリトライで、成功時のパラメータ設定情報を統計情報として保存し、統計情報の学習処理による最適パラメータの更新を行ってリトライ成功の条件を反映してリードエラーの発生を低減する光学的記憶装置を提供する。
【００３７】
本発明の光学的記憶装置は、レーザビームにより光記憶媒体にデータを記録する記録部と、再生に必要なパラメータを最適な値に設定することによって、前記光記憶媒体に記録されているデータを再生する再生部とを備える。
【００３８】
このような光学的記憶装置につき、本発明は、図１（Ｂ）のように、更にリードリトライ処理部（リトライ処理部）１２２を設け、再生部でリードエラーが発生した際のリードリトライ時に、パラメータ設定値を設定変更しながらリードリトライを繰り返し、リトライ成功時にパラメータ設定値を統計情報として保存し、統計情報に基づく学習処理によりパラメータ設定値を更新することを特徴とする。
【００３９】
ここで、パラメータ設定値は、通常、デフォルトにテスト処理で最適パラメータを決定した際に得られたテストオフセットを加算した値である。
【００４０】
このように本発明の光学的記憶装置は、リードリトライが成功したら、成功時のパラメータ設定値を統計情報として保存し、統計情報の学習処理により最適パラメータを自動的に更新し、リトライ成功の条件を最適パラメータに反映させることで、リードリトライの成功までの回数を低減して成功率を高めると共に、リトライ失敗（リトライアウト）によるリードエラーの発生頻度を低減し、リード動作の安定性を向上させる。
【００４１】
リードリトライ処理部１２２は、更に、記録部でベリファイでリードエラーが発生した際のベリファイリトライ時に、同様にパラメータ設定値を設定変更しながらベリファイリトライを繰り返し、リトライ成功時にパラメータ設定値を統計情報として保存し、統計情報に基づく学習処理によりパラメータ設定値を更新する。このためライト動作におけるイレーズ、ライトに続くベリファイでリードエラーとなったときのベリファイリトライの成功までの回数を低減し、リトライ失敗によるリードエラーの発生頻度を低減し、ライト動作の安定性を向上させる。
【００４２】
光記憶媒体としてレーザビームのビーム径より小さい記録密度で記録するＭＳＲ媒体（磁気超解像媒体）を使用した場合、本発明の光学的記憶装置は、図１（Ｃ）のように、再生のためのパラメータとして、再生磁界Ｈ、リードパワーＰｒ、ローパスフィルタのカットオフ周波数ＦｃとブーストＦｂ、スライス回路のスライスレベルＳ、データ弁別器のウィンドウ値（ウィンドウ遅延時間）Ｗ、フォーカスオフセットＦＣＯを設定し、リードリトライ時に、複数種類のパラメータを順次切り替えて設定変更しながらリードリトライを繰り返す。
【００４３】
また光記憶媒体としてレーザビームのビーム径に依存した記録密度で記録するＭＯ媒体等の光磁気媒体を使用した場合、本発明の光学的記憶装置は、再生のためのパラメータとして、ＭＲＳ媒体に固有な再生磁界Ｈを除く、リードパワーＰｒ、ローパスフィルタのカットオフ周波数ＦｃとブーストＦｂ、スライス回路のスライスレベルＳ、データ弁別器のウィンドウ値（ウィンドウ遅延時間）Ｗ、フォーカスオフセットＦＣＯを設定し、リードリトライ時に、複数種類のパラメータを順次切り替えて設定変更しながらリードリトライを繰り返す。
【００４４】
リードリトライ処理部１２２は、リードリトライ時に、パラメータ設定値にリトライオフセットを加算するパラメータの設定変更と、パラメータ設定値からリトライオフセットを減算するパラメータの設定変更を、交互（トグル的）に繰り返しながらリードリトライを行い、成功時のパラメータ設定値とリトライオフセットを加算したか又は減算したかを統計情報として保存する。
【００４５】
例えばリトライ１回目は、そのときのパラメータ設定値（＝デフォルト＋テストオフセット）にリトライオフセットを加算し、不成功となったリトライ２回目では、パラメータ設定値（＝デフォルト＋テストオフセット）からリトライオフセットを減算する。これによりパラメータ設定値を中心としたプラス、マイナスの同程度の範囲でパラメータを設定変更してリトライ成功の機会を増加させ、少ないリトライ回数で成功させて成功率を高める。
【００４６】
またパラメータの設定変更がデフォルトを中心としてプラス、マイナスの方向に略均等に変更されるため、パラメータ変更によるリトライの回数が増加し、デフォルトから急速に離れて限界値に至ることを回避できる。
【００４７】
統計情報に基づくパラメータ設定値の更新は、統計情報に基づき成功したリトライオフセットの加算回数と成功したリトライオフセット減算回数の総和の絶対値が所定の閾値以上のとき、リトライに成功したパラメータ設定値に近づけるようにデフォルトに加算するテストオフセットを更新する。例えばリトライに成功したリトライオフセットの半分だけデフォルトに加算するテストオフセットを増加又は減少して最適パラメータを更新する。
【００４８】
このようにリトライを成功させたパラメータ設定値の統計情報を学習し、リトライを成功させるパラメータの統計的な傾向に併せて通常のリードやベリファイで使用するパラメータを更新することで、その後のリードやベリファイでのエラー低減できる。
【００４９】
リトライ処理部は、パラメータ設定値を、光記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、光記憶媒体の記録領域を複数のエリアに分化した各エリア、装置内の温度の少なくともいずれかに応じて設定変更する。
【００５０】
このためリトライ処理部は、パラメータ設定値（デフォルト＋テストオフセット）とパラメータの設定変更に使用するリトライオフセットを、例えば図１（Ｃ）のように、光記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、光記憶媒体の記録領域を複数のエリアに分化した各エリア、装置内の温度に応じて予め準備し、リトライ時のゾーン、エリア、装置内温度に基づき、対応するパラメータ設定値にリトライオフセットを加算してパラメータを設定変更する。
【００５１】
これによってリトライ時のパラメータの設定変更が光記憶媒体のゾーン、エリア、装置内温度に応じて最適化でき、リトライ成功率を向上できる。
【００５２】
本発明の光学的記憶装置は、更に、図１（Ｂ）のように、テストリードにより最適パラメータ設定値を与えるデフォルトに加算するテストオフセットを決定し、テストリードからの経過時間が所定時間に達した時、又はテストリード時の装置温度を基準温度とした所定値を越える温度変化が発生した時に次のテストリードを行うテスト処理部１２６を備える。
【００５３】
この場合、リードリトライ処理部１２２は、リトライ成功のパラメータ設定情報を保存した統計情報に基づいてパラメータを更新した際に、テスト処理部１２６の経過時間を初期化すると共に、基準温度をリトライ成功時の装置内温度に更新して次のテストリードを判断させる。
【００５４】
これによってリードリトライやライトリトライの成功で得られたパラメータ設定値に基づき通常のリードやベリファイで使用するパラメータを更新する処理が、テスト処理部１２６で最適パラメータを決定するテスト処理と同等の処理と見做され、リトライがテスト処理の一部に組み込まれることで、媒体のアクセスを中断して実行されるテスト処理の発生頻度を低減し、全体としてのアクセス性能を向上する。
【００５５】
本発明の光学的記憶装置において、リードリトライ処理部１２２は、ベリファイリトライが不成功となった場合、ライトリトライ処理部１２５により、光記憶媒体にデータを記録するためのライトパワーを設定変更しながらイレーズ、ライト、ベリファイのライト動作を繰り返す。このようにリードリトライが不成功に終っても、更にライトパワーを変更しながらライトリトライを繰り返すことで、リトライの成功率を更に向上できる。
【００５６】
このときリトライ処理部は、ライトリトライ時に、ライトパワーの設定値にリトライオフセットを加算するパラメータの設定変更とライトパワー設定値からリトライオフセットを減算するパラメータの設定変更を交互に行いながらライトリトライを繰り返す。
【００５７】
またリトライ処理部は、ライトリトライの成功時に、成功したライトパワー設定値とリトライオフセットを加算したか減算したかを学習結果として保存し、前記学習結果において成功したリトライオフセットの加算回数と成功したリトライオフセットの減算回数の総和の絶対値が所定の閾値以上のとき、前記ライトパワー設定値をリトライに成功した最新のライトパワー設定値に近づけるように更新する。
【００５８】
リトライ処理部は、ライトリトライ時に光記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、光学的記録媒体の記録領域を複数のエリアに分割した各エリア、装置内の温度の少なくともいずれかに応じてライトパワーを設定変更する。
【００５９】
（成功リトライの反映）
本発明は、成功したリードリトライの情報を統計情報として保存し、次のリートリトライ時に統計情報から成功率の高いリードリトライの条件を取り出してリトライ成功率を向上させる光学的記憶装置を提供する。
【００６０】
本発明の光学的記憶装置は、レーザビームにより光記憶媒体にデータを記録する記録部と、再生に必要なパラメータを最適な値に設定することによって、光記憶媒体に記録されているデータを再生する再生部とを備える。
【００６１】
本発明は、リトライ処理部を更に設け、リトライ処理部は、再生部でリードエラーが発生した際のリードリトライ時に、過去の成功したリトライ情報に基づいて成功率の高いリードリトライを行い、リトライ成功時に成功したリトライ情報を保存することを特徴とする。
【００６２】
このように成功したリトライ情報が次のリードリトライに反映されることで、複数種類のパラメータを切り替えて設定変更しながら行うリトライの成功率が飛躍的に高まり、固定的に決められた順番に複数種類のパラメータを切り替えて設定変更しながら行うリトライに比べ、成功するまでのリトライ回数が低減し、リトライ実施時間を短縮する。
【００６３】
リトライ処理部は、更に、記録部でベリファイでリードエラーが発生した際のベリファイリトライ時に、過去の成功したリトライ情報に基づいてリードリトライを行い、リトライ成功時に成功したリトライ情報を保存する。このようにライト動作のイレーズ、ライトに続くベリファイでのリードエラーに対するリトライについても、同様に成功するまでのリトライ回数が低減し、リトライ実施時間を短縮する。
【００６４】
リトライ処理部は、複数種類のパラメータを切り替えて設定変更しながらリトライを実行して成功したパラメータ設定値を統計情報として保存し、新たなリードリトライ時には、前回の成功したパラメータ設定値からリードリトライを開始し、リトライ成功時に成功したパラメータ設定値を記憶する。
【００６５】
これよって、前回成功した特定のパラメータ設定値が次のリトライ時に使用され、連続セクタのリードのように、リトライ条件が変っていなければ、１回のリトライで成功することができる。
【００６６】
リトライ処理部は、複数種類のパラメータを切り替えて設定変更しながらリトライを実行して成功したパラメータ設定値と各パラメータ毎の成功回数を統計情報として保存し、新たなリードリトライ時には、統計情報の成功回数の多い順にパラメータ設定値を選択してリードリトライを繰り返す。
【００６７】
このように各パラメータにつき過去に成功した回数が統計情報として保存されていることで、新たなリトライ時に最も成功率の高い特定のパラメータ設定値を選択してリトライを実行することとなり、成功するまでのリトライ回数が低減し、リトライ実施時間を短縮する。
【００６８】
本発明の光学的記憶装置において、光記憶媒体としてレーザビームのビーム系より小さい記録密度で記録するＭＳＲ媒体（磁気超解像媒体）を使用した場合、パラメータとして、再生磁界、リードパワー、ローパスフィルタのカットオフ周波数とブースト、スライス回路のスライスレベル、データ弁別器のウィンドウ値（ウィンドウ遅延時間）、フォーカスオフセットを切り替えて設定変更しながらリトライを実行する。
【００６９】
また光記憶媒体としてレーザビームのビーム系に依存した記録密度で記録するＭＯ媒体等の光磁気媒体を使用した場合、ＭＳＲ媒体に固有な再生磁界を除いたパラメータとして、リードパワー、ローパスフィルタのカットオフ周波数とブースト、スライス回路のスライスレベル、データ弁別器のウィンドウ値（ウィンドウ遅延時間）、フォーカスオフセットを切り替えて設定変更しながらリトライを実行する。
【００７０】
リトライ処理部は、リードリトライ時に、パラメータ設定値にリトライオフセットを加算するパラメータの設定変更と、パラメータ設定値からリトライオフセットを減算するパラメータの設定変更を交互に繰り返す。
【００７１】
リトライ処理部は、成功したリトライにおけるパラメータ設定の統計情報を、装置内温度、媒体にフォーマットされた各ゾーン、光記憶媒体の種別、又はシーク距離に応じて保存する。リトライに使用する各種パラメータは、装置内温度、媒体ゾーン、光記憶媒体の種別、又はシーク距離の条件によりリトライ成功率が異なることから、各条件に応じて使い分けることで、リトライ成功率を更に向上できる。
【００７２】
装置内温度については、例えば４０℃では、リードパワーを設定変更したリトライで成功するが、５０℃に上昇すると例えばフォーカスオフセットを設定変更したリトライで成功するという場合がある。このため成功したパラメータ設定値及び成功回数を装置温度に分けて保存し、リトライ時には装置温度に対応した統計情報から成功率の高いパラメータのリトライを選択して実行する。
【００７３】
媒体ゾーンについては、ゾーン毎に記録周波数が異なっており、このため最インナで成功したリトライが最アウタで適切である可能性は少ない。そこで成功したリトライの統計情報を各ゾーンに分けて保存し、リトライ時には現在ゾーンに対応した統計情報から成功率の高いパラメータ情報を選択してリトライを実行する。
【００７４】
媒体種別については、例えばＭＯ媒体として１２８ＭＢ媒体、２３０ＭＢ媒体、５４０ＭＢ媒体、６４０ＭＢ媒体があり、１２８ＭＢ媒体と２３０ＭＢ媒体はＰＰＭ記録、５４０ＭＢ媒体と６４０ＭＢ媒体とＰＷＭ記録である。更に１．３ＧＢのＭＳＲ媒体がある。このように媒体種別が異なると記録再生の手法が異なることから、媒体毎に分けて成功したリトイライの統計情報を保存し、リトライ時には媒体種別に対応した統計情報から成功率の高いパラメータ情報を選択してリトライを実行する。
【００７５】
更にシーク動作を伴うセクタ位置付けで生ずるリードエラーについては、シーク距離によってリトライが成功するパラメータが異なることから、シーク距離により分けて成功したリトライの統計情報を保存し、新たなシーク位置付けのリトライ時には、そのときのシーク距離に対応した統計情報から成功率の高いパラメータ情報を選択してリトライを実行する。
【発明の効果】
【００７６】
以上説明してきたように本発明によれば、ＭＳＲ媒体のリードリトライの際に再生磁界の値を変更し、変更した再生磁界でリードリトライを行うことでリトライを成功させ、リトライアウトによってリードエラーが発生する頻度を大幅に低減して、安定したリード動作を保証することができる。
【００７７】
また本発明は、リードリトライが成功したら成功時のパラメータ設定値を統計情報として保存し、この統計情報の学習処理により、パラメータをリトライ成功となったパラメータ設定値に近付けるように自動的に更新してリトライ成功条件をパラメータの決定に反映させることで、リードリトライの成功までの回数を低減して成功率を高め、リトライ失敗によるリードエラーの発生頻度を低減し、リード動作の安定性を向上できる。
【００７８】
更に本発明は、過去のリードリトライについて成功したリトライ情報を保存し、新たなリトライ時に、保存している成功したリトライ情報を使用してリードリトライを行うことで、複数種類のパラメータを切り替えて設定変更しながら行うリードリトライの成功率が飛躍的に高まり、複数種類のパラメータを固定的に切り替えて設定変更しながら行うリトライに比べ、成功するまでのリトライ回数が大幅に低減し、リトライ実施時間を大幅に短縮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７９】
＜目 次＞
１．装置構成
２．ＭＳＲ媒体のリードリトライ
３．パラメータの統計的更新
４．成功リトライの反映
１．装置構成
図２は、本発明の光学的記憶装置である光ディスクドライブの回路ブロック図である。本発明の光ディスクドライブは、コントロールユニット１０とエンクロージャ１１で構成される。コントロールユニット１０には光ディスクドライブの全体的な制御を行うＭＰＵ１２、上位装置との間でコマンド及びデータのやり取りを行うインタフェース１５、光ディスク媒体に対するデータのリード・ライトに必要な処理を行う光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）１４、ＤＳＰ１６、及びバッファメモリ１８が設けられる。
【００８０】
バッファメモリ１８は、ＭＰＵ１２、光ディスクコントローラ１４、及び上位インタフェース１５で共用される。光ディスクコントローラ１４には、フォーマッタとＥＣＣ処理機能が設けられる。
【００８１】
光ディスクドライブにカートリッジ媒体が投入されると、媒体種別がＭＰＵ１２で認識され、媒体種別に応じた記録再生機能が光ディスクコントローラ１４及びＤＳＰ１６でセットアップされる。この光ディスクドライブは、１２８ＭＢ、２３０ＭＢ、５４０ＭＢ及び６４０ＭＢのＭＯ媒体、及び１．３ＧＢのＭＳＲ媒体に対応できる。
【００８２】
カートリッジ媒体の記録フォーマットはゾーンＣＡＶである。更に、媒体の記録方式は、１２８ＭＢと２３０ＭＢ媒体が、媒体上のマークの有無に対応してデータを記録するピットポジション記録（ＰＰＭ記録）である。５４０ＭＢ及び６４０ＭＢのＭＯ媒体、及び１．３ＧＢのＭＳＲ媒体は、マークのエッジ即ち前縁と後縁をデータに対応させるパルス幅記録（ＰＷＭ記録）である。
【００８３】
光ディスクドライブにＭＯカートリッジ媒体をローディングした際には、まず媒体のＩＤ部をリードし、そのピット間隔等からＭＰＵ１２において媒体の種別を認識し、種別を光ディスクコントローラ１４、ＤＳＰ１６、ライトＬＳＩ２０、リードＬＳＩ２４に通知し、媒体に適合した記録再生機能を確立する。
【００８４】
光ディスクコントローラ１４は、カートリッジ媒体投入後のライトアクセス時には、フォーマッタでＮＲＺライトデータを媒体のセクタ単位に分割して記録フォーマットを生成し、ＥＣＣ処理によりセクタライトデータ単位にＥＣＣコードを生成して付加し、必要ならばＣＲＣコードを生成して付加し、更に例えば１−７ＲＬＬ符号に変換してライトＬＳＩ２０に出力する。
【００８５】
ライトＬＳＩ２０はライト変調回路とレーザダイオード制御回路を内蔵する。レーザダイオードユニット３０は、レーザダイオードとモニタ用ディテクタを内蔵する。
【００８６】
ライトＬＳＩ２０は、光ディスクコントローラ１４からのセクタライトデータを、媒体種別に応じてＰＰＭ記録データ又はＰＷＭ記録データに変換してレーザダイオードユニット３０に供給し、ライトビームにより媒体に書き込む。
【００８７】
この書込動作は、媒体上の指示セクタにビーム位置決めした状態で、イレーズ、ライト、ベリファイを行う。ベリファイの際にリードエラーが発生すると、ベリファイリトライとなり、本発明ではリードに必要な各種のパラメータを切り替えて設定変更しながらベリファイリトライを実行する。
【００８８】
リードＬＳＩ２４は、リード復調回路と周波数シンセサイザを内蔵する。リードＬＳＩ２４に対しては、エンクロージャ１１に設けたＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２によるリードビームの戻り光の受光信号が、ヘッドアンプ３４を介してＩＤ信号及びＭＯ信号として入力されている。
【００８９】
リードＬＳＩ２４には、ＡＧＣ回路、フィルタ、データ弁別器等の復調回路が内蔵され、入力したＩＤ信号及びＭＯ信号よりリードクロックとリードデータを作成し、ＰＰＭ記録データ又はＰＷＭ記録データから元のＮＲＺデータを復調している。
【００９０】
またスピンドルモータ４０の制御としてゾーンＣＡＶを採用していることから、ＭＰＵ１２からリードＬＳＩ２４に内蔵した周波数シンセサイザに対しゾーン対応のクロック周波数を発生させるための分周比の設定制御が行われている。周波数シンセサイザはプログラマブル分周器を備えたＰＬＬ回路であり、媒体のゾーン位置に応じて予め定めた固有の周波数をもつ基準クロックをリードクロックとして発生する。
【００９１】
リードＬＳＩ２４で復調されたリードデータは、光ディクスコントローラ１４に与えられ、１−７ＲＬＬ符号の逆変換後にＣＲＣチェックとＥＣＣ処理を受けてＮＲＺセクタデータが復元され、フォーマッタによりＮＲＺリードデータのストリームに繋げた後に、バッファメモリ１８を経由して上位インタフェース１５により上位装置に転送される。
【００９２】
リードアクセスでリードエラーが発生すると、リードリトライが行われる。本発明のリードリトライは、再生に必要な各種のパラメータを切り替えて設定変更しながらリードリトライを実行する。
【００９３】
ＭＰＵ１２に対しては、ＤＳＰ１６を経由してエンクロージャ１１側に設けた温度センサ３６の検出信号が与えられている。ＭＰＵ１２は、温度センサ３６で検出した装置内の環境温度に基づき、レーザダイオード制御ユニット３０におけるリード、ライト、イレーズの各発光パワーを媒体上で実際に記録再生を行うテスト処理により最適値に制御する。
【００９４】
ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ３８によりエンクロージャ１１側に設けたスピンドルモータ４０を制御する。ＭＯカートリッジの記録フォーマットはゾーンＣＡＶであることから、スピンドルモータ４０を一定回転数で駆動する。
【００９５】
ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６からドライバ４２を介してエンクロージャ１１側に設けた磁場印加ユニット４４を制御する。磁場印加ユニット４４は装置内にローディングされたＭＯカートリッジのビーム照射側と反対側に配置されており、ＭＯ媒体については、記録時及び消去時に媒体に外部磁界を供給し、ＭＳＲ媒体については、記録時及び消去時に加え再生時にも媒体に外部磁界を供給する。
【００９６】
磁場印加ユニット４４としては、通常、電磁石を使用するが、これ以外に本発明の校正処理により決定された最適磁場が得られる永久磁石でもよいし、更には、電磁石と永久磁石を組み合わせたものであってもよい。
【００９７】
磁場印加ユニット４４によるＭＳＲ媒体の再生時の外部磁界は、ＦＡＤ媒体については再生磁界Ｈｒであり、ＲＡＤ媒体については、初期化磁界Ｈｉである。更に、再生時の磁場印加ユニット４４による外部磁界は、本発明にあっては、ＭＰＵ１４の処理機能として実現されるテスト処理により、例えばＭＳＲ媒体の再生に必要なパラメータである再生磁界とリードパワーを最適値の組に決定する。このテスト処理は、再生磁界、リードパワー以外のパラメータについても行われる。
【００９８】
ＤＳＰ１６は、媒体に対しレーザダイオード３０からのビームの位置決めを行うためのサーボ機能を備え、目的トラックにシークしてオントラックするためのシーク制御を行う。このシーク制御は、ＭＰＵ１２による上位コマンドに対するライトアクセス又はリードアクセスに並行して同時に実行することができる。
【００９９】
ＤＳＰ１６のサーボ機能を実現するため、エンクロージャ１１側の光学ユニットに媒体からのビーム戻り光を受光する多分割ディテクタ４６を設け、ＦＥＳ検出回路（フォーカスエラー信号検出回路）４８が、多分割ディテクタ４６の受光出力からフォーカスエラー信号Ｅ１を作成してＤＳＰ１６に入力している。
【０１００】
またエンクロージャ１１側の光学ユニットに媒体からのビーム戻り光を受光する多分割ディテクタ４６を設け、ＴＥＳ検出回路（トラッキングエラー信号検出回路）５０が多分割ディテクタ４６の受光出力からトラッキングエラー信号Ｅ２を作成し、ＤＳＰ１６に入力している。トラッキングエラー信号Ｅ２はＴＺＣ検出回路（トラックゼロクロス検出回路）５３に入力され、トラックゼロクロスパルスＥ３を作成してＤＳＰ１６に入力している。
【０１０１】
更にＤＳＰ１６は、媒体上のビームスポットの位置を制御するため、ドライバ５８，６２，６６を介してフォーカスアクチュエータ６０、レンズアクチュエータ６４及びＶＣＭ６８を制御駆動している。
【０１０２】
ここでエンクロージャ１１の概略は図３のようになる。ハウジング６７内にはスピンドルモータ４０が設けられ、スピンドルモータ４０の回転軸のハブに対しインレットドア６９側よりＭＯカートリッジ７０を挿入することで、内部のＭＯ媒体７２がスピンドルモータ４０の回転軸のハブに装着されるローディングが行われる。ローディングされたＭＯカートリッジ７０のＭＯ媒体７２の下側には、ＶＣＭ６８により媒体トラックを横切る方向に移動自在なキャリッジ７６が設けられている。
【０１０３】
キャリッジ７６上には対物レンズ８０が搭載され、固定光学系７８に設けているレーザダイオードからのビームをプリズム８２を介して入射し、ＭＯ媒体７２の媒体面にビームスポットを結像している。
【０１０４】
対物レンズ８０は図２のエンクロージャ１１に設けたフォーカスアクチュエータ６０により光軸方向に移動制御され、レンズアクチュエータ６４により媒体トラックを横切る半径方向に例えば数十トラックの範囲内で移動することができる。
【０１０５】
尚、図２は、光ピックアップとしてレンズアクチュエータ６４とＶＣＭ６８を備えたダブル駆動型を例にとるが、レンズアクチュエータ６４を持たないＶＣＭ６８のみシングル駆動型も含む。
【０１０６】
２．ＭＳＲ媒体のリードリトライ
図４は、ＭＳＲ媒体のリードリトライ処理を行うための本発明の第１実施形態の機能ブロック図である。このリードリトライ処理のための機能は、図２のＭＰＵ１２、光ディスクコントローラ１４、ＤＳＰ１６、ライトＬＳＩ２０及びリードＬＳＩ２４により実現される。
【０１０７】
図４において、ＭＳＲ媒体のリードのためリード処理部８４が設けられ、またリード動作の際のエラーに対するリードリトライのためにリードリトライ処理部８６が設けられる。リード処理部８４及びリードリトライ処理部８６に対しては、再生磁界及びリードパワーを最適値に制御するために使用するデフォルトテーブル８８、テストリードオフセットテーブル９０、リトライオフセットテーブル９２が設けられる。
【０１０８】
更にリード動作及びリトライ動作の制御指示のためのレジスタ群９４が設けられる。このレジスタ群９４には、リード指示、ライト指示、リトライ指示、媒体種別、装置内温度Ｔ、トラック番号ＴＫ、セクタ番号ＳＳ、ゾーン番号Ｚｉが必要に応じて格納される。
【０１０９】
リード処理部８４は、レジスタ９６に再生磁界の設定値を格納すると同時に、レジスタ９８にリードパワーの設定値を格納し、ＤＡコンバータ１０４，１０６でアナログ制御信号に変換し、図２のドライバ４２を介して磁界印加部４４の電磁石に駆動電流を流すことで再生磁界を発生し、またレーザダイオードユニット３０のレーザダイオードに発光電流を流すことで、設定したリードパワーのレーザビームを発行する。
【０１１０】
デフォルトテーブル８８には、例えば図５のゾーン分割デフォルトテーブル８８−１のように、ＭＳＲ媒体のゾーンＺ１〜Ｚ１８の１８ゾーンに分けて、再生磁界のデフォルト値Ｈ１〜Ｈ１８とリードパワーのデフォルト値Ｐｒ１〜Ｐｒ１８が格納されている。
【０１１１】
テストリードオフセットテーブル９０は、図６のゾーン分割テストリードオフセットテーブル９０−１のように、ＭＳＲ媒体のゾーンＺ１〜Ｚ１８に分けて、前回までのリードリトライにおけるテストリードで求められたデフォルトに加算するテストオフセットΔＨ１１〜ΔＨ１１８が格納されている。
【０１１２】
更にリトライオフセットテーブル９２には、例えば図７の回数分割リトライオフセットテーブル９２−１のようにリトライ回数ｎに分けて、リトライオフセットΔＨ２１〜ΔＨ２ｎが格納されている。このリトライオフセットテーブルは、具体的には図８のような回数分割のリトライオフセットテーブル９２−２を使用する。
【０１１３】
この回数分割リトライオフセットテーブル９２−２は、リードリトライ回数１〜７回のそれぞれにつき、リトライオフセットΔＨ２として、そのときのデフォルトに対する増加率（パーセント表示）を格納している。例えば、リードリトライの１回目は＋１０％、２回目は−１０％、３回目は＋２０％、４回目は−２０％、５回目は＋３０％、６回目は−３０％、７回目は＋４０％とするリトライオフセットΔＨ２を格納している。
【０１１４】
リード処理部８４は、通常のリード動作時に、アクセスするゾーンＺｉに対応した再生磁界のデフォルトＨｉを図５のゾーン分割デフォルトテーブル８８−１から読み出し、同時に同じゾーンＺｉのテストリードオフセットΔＨ１ｉを図６のゾーン分割テストリードオフセットテーブル９０−１から読み出し、再生磁界Ｈとして
Ｈ＝Ｈｉ＋ΔＨ１ｉ
を求めてレジスタ９６に設定し、最適な再生磁界を作り出している。
【０１１５】
このようなリード処理部８４による最適再生磁界とリードパワーによるリード動作でリードエラーが発生すると、リードリトライ処理部８６が起動する。リードリトライ処理部８６は、１回目のリードリトライでは、例えば図８の回数分割リトライオフセットテーブル９２−２のデフォルトに対する＋１０％のリトライオフセットΔＨ２を読み出し、これに再生磁界のデフォルトＨｉとテストリードオフセットΔＨｉを加えた再生磁界Ｈ＝Ｈｉ＋ΔＨ１ｉ＋ΔＨ２ｉを求め、テストリードを行う。
【０１１６】
テストリードとは、ＭＳＲ媒体のある領域例えば現在アクセスしているゾーンの中の予め定められたテストトラックに対し、リードパワーと再生磁界を変化させながらテストデータのライト動作とリード動作を行い、ＣＮＲ特性（キャリア雑音比特性）やビット不一致数の特性を測定し、エラーレートが規定値を満足するように最適なリードパワー及び再生磁界を求める処理である。このようなテストリードにより最適な再生磁界及びリードパワーを決定する。
【０１１７】
ここでテストリードによる最適な再生磁界は、デフォルトＨｉ及びリトライオフセットΔＨ２ｉは固定値であることから、結果的に最適なテストリードオフセットΔＨ１ｉを決定することを意味する。このようにして最適な再生磁界を与えるテストリードオフセットΔＨ１ｉが決定できたならば、テストリードで求められた再生磁界とリードパワーの最適値を使用して、リードエラーを発生したセクタについてリードリトライを実行する。
【０１１８】
この１回目のリトライを行ってもリードエラーとなってリトライが失敗した場合には、図８の２回目のリードリトライのリトライオフセットΔＨ２であるデフォルトに対する−１０％を選択し、同様にテストリードにより最適な再生磁界を与えるテストリードオフセットΔＨ１ｉを決定し、テストリードで最適な再生磁界及びリードパワーを決定した後に、リードエラーを起こしたセクタに位置付けして２回目のリードリトライを実行する。
【０１１９】
このようにして、図８の場合には最大で７回までのリードリトライが繰り返される。
【０１２０】
図９は、図４のリードリトライ処理部８６で行われるテストリードにおける最適再生磁界の算出処理の一例である。図９において、横軸は再生磁界Ｈ［Ｏｅ：エルステッド］であり、縦軸がリードデータのキャリアノイズ比（ＣＮＲ）である。
【０１２１】
ＭＳＲ媒体の再生磁界は、例えば最低値Ｈｍｉｎ＝１００エルステッドから最大値Ｈｍａｘ＝５００エルステッドの範囲で変化させる。このような再生磁界の変化により特性曲線１０８が得られ、キャリアノイズレシオＣＮＲが所定の閾値ＴＨ＝４７．５ｄＢとなる交点１１０，１１２の再生磁界Ｈｓ＝２００エルステッドとＨｅ＝４５０エルステッドを求める。
【０１２２】
そして最適磁界Ｈｂｅｓｔとして例えばＨｂｅｓｔ＝Ｈｓ＋（Ｈｅ−Ｈｓ）／２として算出する。
【０１２３】
図１０はリトライ時のテストリードで求める最適再生磁界の他の算出処理であり、この場合には再生データのビット不一致数Ｎの特性に基づいて再生磁界の最適値を決めている。即ち横軸に示すように、再生磁界の最低値Ｈｍｉｎ＝１００エルステッドから最大値Ｈｍａｘ＝５００エルステッドまで再生磁界を変化させながらテストリードを行ってリードデータのビット不一致数Ｎを求めると、例えば特性曲線１１４が得られる。
【０１２４】
この測定は例えば５０エルステッド単位に離散的に行われることから、ビット不一致数Ｎが所定の閾値Ｎｔｈ以下となるＨｍｉｎ側の測定点１１６とＨｍａｘ側の測定点１１８の磁界をそれぞれＨｓ，Ｈｅとして求める。そして同様に、最適磁界ＨｂｅｓｔをＨｂｅｓｔ＝Ｈｓ＋（Ｈｅ−Ｈｓ）／２として算出する。
【０１２５】
図１２は、図４のリードリトライ処理で使用するデフォルトテーブルの他の実施形態であり、ＭＳＲ媒体のＺ１〜Ｚ１８の１８ゾーンを例えば３ゾーンごとにグループ化したエリアＡ１〜Ａ６で分けたエリア分割デフォルトテーブル８８−２として再生磁界及びリードパワーのデフォルト値を格納している。
【０１２６】
図１３は、図１２のエリア区分デフォルトテーブル８８−２に対応したエリア区分テストリードオフセットテーブル９０−２であり、同様にＭＳＲ媒体の３ゾーン単位のエリアＡ１〜Ａ６に分けて、テストリードで求めたデフォルトに加算するテストリードオフセットを格納している。
【０１２７】
この図１２，図１３に示すエリア分割のデフォルトテーブル８８−２及びテストリードオフセットテーブル９０−２を使用した場合についても、全く同様にして、図７もしくは図８の回数分割リトライオフセットテーブル９２−１，９２−２を使用した再生磁界の設定値を変更したリードリトライが実行できる。
【０１２８】
図１４は、図４のリードリトライで使用するテストリードオフセットテーブル９０の他の実施形態であり、この実施形態は温度分割テストリードオフセットテーブル９０−３としたことを特徴とする。
【０１２９】
即ち、ＭＳＲ媒体の再生に必要な最適な再生磁界は、装置内の温度Ｔにより異なることから、リードリトライのテストリードで最適なテストリードオフセットΔＨ１ｉが求められたならば、そのときの装置内温度Ｔにより分けて、テストリードで求めた最適テストリードオフセットをテーブルに保存する。
【０１３０】
これによって、図４でリードリトライを行う際には、レジスタ群９４にセットされた装置内温度Ｔにより図１３の温度分割リトライオフセットテーブル９２を参照し、そのときの装置内温度に対応するテストリードオフセットΔＨ１ｉを読み出し、図５のゾーン分割デフォルトテーブル８８−１と図７，図８の回数分割リトライオフセットテーブル９２−１または９２−２からテストリードの再生磁界を求め、テストリードを行って最適なテストリードオフセットを求めた後に、リトライを起こしたセクタに位置付けてリードリトライを行う。
【０１３１】
図１４は、図４の第１実施形態におけるリードリトライ処理のフローチャートである。まずステップＳ１でリードリトライを実行するゾーンＺｉのテストリードで使用する再生磁界Ｈｉを、デフォルトテーブル８８のデフォルト磁界Ｈｉ、テストリードオフセットテーブル９０からの前回のテストリードオフセットΔＨ１ｉ、及びリトライオフセットテーブル９２の１回目のリトライオフセットΔＨ２ｉの加算で求め、ステップＳ２でテストリードにより最適リードパワーと最適再生磁界を与えるテストリードオフセットΔＨ１ｉを決定する。
【０１３２】
続いてステップＳ３で、ステップＳ２で決定した最適リードパワーと最適再生磁界によりリードエラーを起こしたセクタに光ビームを位置付けてリードリトライを実行する。このリードリトライの実行によりステップＳ４でリード成功が判別されると、リードリトライ処理を終了する。
【０１３３】
リード不成功であった場合には、ステップＳ５で、予め定めたリトライ回数例えば７回をオーバーしたか否かチェックし、オーバーしていなければステップＳ６で２回目のリトライオフセットに更新し、再びステップＳ１に戻り、リトライ２回目のテストリードのための再生磁界を設定して、ステップＳ２で最適リードパワーと最適再生磁界を決定し、ステップＳ３で、リードエラーを発生したセクタに続けて２回目のリードリトライを実行する。
【０１３４】
このような再生磁界を変更しながら行うリードリトライにより、アクセス先のセクタに媒体欠陥等のリカバリ不能な要因がない限り、任意のリトライ回数でリード成功となる。もしアクセスセクタに媒体欠陥があった場合には、ステップＳ５でリトライ回数が例えば７回を超えてオーバーとなり、この場合にはステップＳ７でセクタ不良に基づく交替処理を行う。
【０１３５】
３．リードパラメータの統計的更新
図１５は、本発明の光学的記憶装置におけるリトライ処理の第２実施形態の機能ブロック図である。この第２実施形態にあっては、リード動作で使用する各種のパラメータを切り替えて設定変更しながらリードリトライやベリファイリトライを実行し、リトライ成功時に、成功したパラメータ設定情報を統計情報として保存し、保存した統計情報について変更の度合いがある程度大きくなったときに統計情報の傾向に従ってパラメータを最適値に更新し、リトライ成功の条件をパラメータに反映することでリトライ成功率を高めるようにしたことを特徴とする。
【０１３６】
図１５において、リード動作のためリード処理部１２０が設けられ、リード処理部１２０でリードエラーを生じた際のリードリトライのためにリードリトライ処理部１２２が設けられている。
【０１３７】
またライト動作のためライト処理部１２４が設けられ、ライト動作はイレーズ、ライト及びベリファイとなり、ベリファイで生ずるリードエラーに対応してベリファイリトライを行うライトリトライ処理部１２５を設けている。ライトリトライ処理部１２５は、ベリファイリトライで不成功となった場合、ライトパワーを変更しながらテストライトを行うもので、このためテストライトのためにテスト処理部１２６が設けられている。
【０１３８】
テスト処理部１２６は、リードリトライやベリファイリトライとは別に、リード動作およびライト動作で使用する再生磁界とレーザパワーの最適値をテスト処理により決定するもので、媒体投入時に最初のテスト処理を行ない、その後は、テスト処理からの経過時間と装置内温度の変動を監視して次のテスト処理を行っている。
【０１３９】
このようなリード処理部１２０、リードリトライ処理部１２２、ライト処理部１２４、ライトリトライ処理部１２５及びテスト処理部１２６に対し、リード動作及びライト動作、更にはテスト動作に必要な各種のパラメータを設定するため、デフォルトテーブル１２８、テストオフセットテーブル１３０、リトライオフセットテーブル１３２、更に各種の制御指示を行うレジスタ群１３５が設けられている。
【０１４０】
また本発明のリードリトライ処理部１２２にあっては、リードリトライまたはベリファイリトライで成功した際に、成功したリトライ情報、具体的には成功した各種パラメータの設定情報を統計情報として保存するリトライ履歴テーブル１３４を設けている。
【０１４１】
このリトライ履歴テーブル１３４に格納されたリードリトライ及びベリファイリトライの成功で得られたパラメータ設定情報の統計情報を学習することによって、リードリトライ処理部１２２はテストオフセットテーブル１３０のテストオフセットをリトライを成功させる設定値に近付けるように更新する。
【０１４２】
リード処理部１２０に対しては、再生磁界及びリードパワーの各設定値を設定するレジスタ１３６，１３８が設けられる。またリードリトライ処理部１２２に対しては、リードリトライ実行時の再生磁界、リードパワー、カットオフ周波数、ブースト、スライスレベル、ウィンドウ、フォーカスオフセットを設定パラメータとして設定するレジスタ１４０，１４２，１４４，１４６，１４８，１５０，１５２が設けられる。
【０１４３】
これらのレジスタ１４０〜１５２に対応して、レジスタの設定データをアナログ制御信号に変換して対応する回路部のパラメータを制御するＤＡコンバータ１５４，１５６，１５８，１６０，１６２，１６４，１６６が設けられている。
【０１４４】
ライト処理部１２４に対してはライトパワー及びイレーズパワーを設定するレジスタ１６８，１７０が設けられ、ライトリトライ処理部１２５にはベリファイリトライに失敗した後のテストライトでライトパワーを変更するために使用するレジスタ１７２が設けられる。
【０１４５】
またライトパワーの設定レジスタ１６８，１７２に対応してＤＡコンバータ１７４が設けられ、イレーズパワーの設定レジスタ１７０に対応してＤＡコンバータ１７６が設けられている。
【０１４６】
図１６は、図１５のデフォルトテーブル１２８の実施形態であり、ＭＯ媒体やＭＳＲ媒体のゾーンごとに分けてリードリトライ時に切り替えながら設定変更する各種パラメータのデフォルトを格納したゾーン分割デフォルトテーブル１２８−１である。
【０１４７】
例えば１８ゾーンを持つＭＳＲ媒体対応を例にとると、ゾーンＺ１〜Ｚ１８の各ゾーンに分けてリードリトライ時に切り替えて設定変更するパラメータとして、再生磁界、リードパワー、カットオフ周波数、ブースト、ウィンドウ及びフォーカスオフセットのそれぞれのデフォルト値が格納されている。
【０１４８】
このリードリトライ時に切り替えて設定変更するパラメータの内、カットオフ周波数、ブースト、ウィンドウ、フォーカスオフセットは、図１９に取り出して示す図２のリードＬＳＩ２４に内蔵された各回路の回路パラメータを表わす。
【０１４９】
図１９のリードＬＳＩ２４の復調回路は、ヘッドアンプにコンデンサ２８０で入力接続されたクランプ回路２８２、ＡＧＣ回路２８４、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）２８６、イコライザ（ＥＱＬ）２８８、ＳＡＧ除去回路２９０、クランプ回路２９２及びデータ弁別器２９４を備える。
【０１５０】
ローパスフィルタ１８６は、記憶周波数に対応して、カットオフ周波数Ｆｃと高域のゲインを定めるブーストＦｂを外部から回路パラメータとして設定変更することができる。またスライス回路１９２は、復調したＰＷＭデータの読取波形のスライスレベルＳを回路パラメータとして設定変更できる。
【０１５１】
更にデータセパレータとして機能するデータ弁別器１９４は、データ弁別のために設定するウィンドウの遅延時間を外部から設定変更できる。このデータ弁別器１９４は、ＰＷＭパルスのリーディングエッジとトレーニングエッジのそれぞれについて、個別にデータＤＴ１，ＤＴ２とクロックＣＫ１，ＣＫ２を取り出し、後段の回路で両者を合成する。
【０１５２】
図１７は、図１５のテストオフセットテーブル１３０の実施形態であり、図１６と同様、ゾーン分割テストオフセットテーブル１３０−１としており、例えばＭＳＲ媒体の１８ゾーンを例にとると、ゾーンＺ１〜Ｚ１８に対応して、図１６のデフォルトパラメータに加算するテスト処理で求めたテストオフセット例えば再生磁界のテストオフセットΔＨ１１〜ΔＨ１１８を格納している。
【０１５３】
図１８は、図１５のリトライオフセットテーブル１３２の実施形態であり、図１６，図１７のゾーン分割のデフォルト及びテストオフセットの各テーブルに対応して、ゾーン分割リトライオフセットテーブル１３２−１としてゾーンＺ１〜Ｚ１８に対応して各種のパラメータについてのリトライオフセット、例えば再生磁界にあってはリトライオフセットΔＨ２１〜ΔＨ２１８を格納している。
【０１５４】
図１６，図１７，図１８は、ゾーン分割のデフォルトテーブル、テストオフセットテーブル及びリトライオフセットテーブルを例にとるものであったが、図２０，図２１，図２２のように、例えば３ゾーンごとにグループ化したエリアＡ１〜Ａ６で分けたエリア分割のデフォルトテーブル１２８−２、テストオフセットテーブル１３０−２、及びリトライオフセットテーブル１３２−２としてもよい。
【０１５５】
更に図２３，図２４，図２５に示すように、装置内温度Ｔを例えば０℃から６０℃について１０℃範囲の温度領域に分割し、各温度領域について各種のパラメータのデフォルトテストオフセット及びリトライオフセットを各々格納した温度区分のデフォルトテーブル１２８−３、テストオフセットテーブル１３０−３、及びリトライオフセットテーブル１３２−３としてもよい。
【０１５６】
図２６は、図１５のリード処理部１２０及びリードリトライ処理部１２２によるリード処理のフローチャートである。
【０１５７】
図２６において、レジスタ群１３５にリード指示、トラック番号ＴＫ、セクタ番号ＳＳ及びゾーン番号Ｚｉがセットされると、ステップＳ１で目標セクタに光ビームを位置付けるためのシーク動作が実行される。目標セクタに光ビームが位置付けられると、ステップＳ２でリード動作を実行する。
【０１５８】
ステップＳ３でリードが成功すればリード処理を終了する。ステップＳ３でリード処理が不成功になると、ステップＳ４でリードリトライ処理を実行する。このリードリトライ処理は、例えば図１６，図１７，図１８に示したように、ゾーン分割のデフォルトテーブル１２８−１、テストオフセットテーブル１３０−１、及びリトライオフセットテーブル１３２−１を使用して、再生磁界、リードパワー、カットオフ周波数、ブースト、ウィンドウ、フォーカスオフセット等のパラメータを切り替えて設定変更しながらリードリトライを実行する。
【０１５９】
この場合、１つのパラメータにつき例えば図１８のゾーン区分リトライオフセットテーブル１３０−１のように１つのオフセット値しか格納されていないが、このリトライオフセット値を１回目はデフォルトにテストオフセットを加えたパラメータに加算し、２回目のリトライではデフォルトにテストオフセットを加算したパラメータから減算し、デフォルトを中心にプラスとマイナスに交互に切り替えたパラメータの設定変更によるリトライを実行する。
【０１６０】
ステップＳ４の各種のパラメータを切り替えて設定変更しながら行うリードリトライにつき、ステップＳ５でリトライが不成功であれば、ステップＳ６で同一のパラメータについて予め定めた限界値まで変更したか否かチェックし、限界値に達した場合には、ステップＳ７で全てのパラメータの設定変更によるリトライが済んだか否かチェックし、各パラメータにつき限界値までの設定変更と全パラメータについての設定変更が済むまで、ステップＳ４のパラメータを切り替えて設定変更しながら行うリードリトライを繰り返す。
【０１６１】
このようなリードリトライによりステップＳ５でリトライ成功が判別されると、ステップＳ９に進み、成功したリトライのパラメータ設定情報を統計情報として保存し、保存しているパラメータ設定情報を学習して，デフォルトに加算するテストオフセットを更新する。この成功したリトライのパラメータ設定情報に基づくパラメータ更新処理は、例えばステップＳ４のリードリトライ処理においてパラメータをプラスとマイナスに変更していることから、リトライに成功したパラメータの設定変更がプラスかマイナスかの回数をそれぞれカウントし、プラス方向の変化による成功回数とマイナス方向の変化による成功回数との差の絶対値が所定の閾値を超えたときに、最新のリトライ成功のパラメータ設定値に近付けるようにパラメータ、即ちテストオフセットを更新する。
【０１６２】
更に、ステップＳ９でパラメータの更新処理が行われた場合には、ステップＳ１０でテスト処理部１２６で次のテストの必要性を判断するために監視しているテスト実行時からの経過時間を初期化し、且つテスト時の装置内温度を基準温度として所定の温度変化が生じたかどうかでテストの必要性を判断するためのテスト基準温度を、パラメータの更新処理を行った時の装置内温度とする。
【０１６３】
このようなテスト処理部１２６におけるテストの必要性判断のための経過時間の初期化とテスト基準温度の更新によって、リードリトライの成功に基づくパラメータの更新処理、が実質的にテスト処理による最適パラメータの更新と見做され、通常のリード動作やライト動作に反映される。
【０１６４】
図２７は、図２６のステップＳ４におけるリードリトライ処理の具体例であり、パラメータとして再生磁界を選択した場合のリードリトライ処理である。この再生磁界を調整しながら行うリードリトライ処理にあっては、ステップＳ１で前回の再生磁界の設定変更はプラスか否かチェックし、もしプラスであれば、ステップＳ２でリトライオフセットΔＨをマイナスにして、リードリトライに使用する再生磁界を設定する。ここで再生磁界Ｈはデフォルトにテストオフセットを加算した値である。
【０１６５】
一方、ステップＳ１で前回の再生磁界の設定変更がマイナスであった場合には、ステップＳ３でリトライオフセットΔＨをプラスにして再生磁界を設定する。ステップＳ２またはＳ３でリトライオフセットΔＨの減算または加算で求めた再生磁界につき、ステップＳ４でリードリトライを実行する。
【０１６６】
図２８は、図２６のステップＳ４のリードリトライ処理の具体例であり、パラメータとしてリードパワーを選択した場合である。この場合にも、ステップＳ１で前回のリードパワーの設定変更がプラスか否かチェックし、プラスであればステップＳ２でリトライオフセットΔＰｒをマイナスにしてリードパワーＰｒを設定し、逆にマイナスであればステップＳ３でリトライオフセットΔＰｒをプラスにしてリードパワーＰｒを設定し、ステップＳ４でリードリトライを実行する。
【０１６７】
図２９は、パラメータとしてローパスフィルタのカットオフ周波数Ｆｃを選択した場合のリードリトライであり、ステップＳ１で前回のカットオフ周波数の設定変更がプラスであれば、ステップＳ２でリトライオフセットΔＦｃをマイナスにしてカットオフ周波数Ｆｃを設定し、逆にマイナスであれば、ステップＳ３でリトライオフセットΔＦｃをプラスにしてカットオフ周波数Ｆｃを設定して、ステップＳ４でリードリトライを実行する。
【０１６８】
図３０は、設定変更するパラメータとしてローパスフィルタのブーストＦｂを選択した場合のリードリトライであり、ステップＳ１で前回の設定変更がプラスであればステップＳ２でリトライオフセットΔＦｂをマイナスにし、逆にマイナスであればステップＳ３でプラスにし、ステップＳ４でリードリトライを実行する。
【０１６９】
このようなリトライオフセットを前回の設定と逆となるようにプラスとマイナスに変更して行うリードリトライは、図３１のスライス回路のスライスレベルをパラメータとして選択した場合、図３２のデータ弁別器のウィンドウ（遅延時間）をパラメータとして選択した場合、更に図３３のフォーカスアクチュエータで対物レンズを光軸方向に移動するフォーカスオフセットをパラメータとして選択した場合についても同様である。
【０１７０】
また図２６のリードリトライ処理、ステップＳ４で選択するパラメータの順番は、例えば再生磁界、リードパワー、カットオフ周波数、ブースト、ウィンドウ、フォーカスオフセットの順番でもよいし、再生磁界、リードパワーに続いて、フォーカスオフセットを制御し、その後にリードＬＳＩの回路パラメータであるカットオフ周波数、ブースト、ウィンドウの順にパラメータを切り替えてプラスとマイナスに設定変更するリードリトライを行ってもよい。
【０１７１】
また各種パラメータを１つずつ順番に選択せずに、適宜の複数種類のパラメータを組み合わせて選択しながら設定変更してリードリトライを行うようにしてもよい。もちろん、リードリトライのために選択したパラメータについてのみ、デフォルトとテストオフセットを加算した設定パラメータにプラスまたはマイナスのリトライオフセットを加えてリードリトライを実行するが、設定変更の対象となっていないパラメータについては、リトライオフセットを加えないデフォルトにテストオフセットを加算したパラメータ設定値を使用する。
【０１７２】
図３４は、図２６のステップＳ９のリトライ成功のパラメータ設定情報を保存した統計情報に基づくデフォルトパラメータ更新処理のフローチャートである。
【０１７３】
このデフォルトパラメータの統計的な更新処理は、まずステップＳ１でリトライ成功のパラメータはプラスに変更したか否かチェックする。リトライに成功したパラメータがリトライオフセットをプラスして設定変更したことで成功した場合には、ステップＳ２に進み、変数Ｃ１を１つインクリメントする。
【０１７４】
一方、リトライ成功のパラメータは、リトライオフセットのマイナスによる変更の場合にはステップＳ３に進み、別の変数Ｃ２をインクリメントする。続いてステップＳ４で変数Ｃ１と変数Ｃ２の差の絶対値が、予め定めた閾値を超えたか否かチェックする。もし変数Ｃ１と変数Ｃ２の差の絶対値が閾値以上であった場合には、ステップＳ５に進み、デフォルトパラメータをリトライ成功の変更値に基づき所定値だけずらして更新する。
【０１７５】
例えばリトライ成功時のリトライオフセットの半分をデフォルトパラメータに加算した値となるようにテストオフセットを更新する。このデフォルトパラメータの更新の度合いは、リトライ成功の変更値にある程度近付けるので、近付ける度合いは適宜に設定する。デフォルトパラメータの更新が済んだならば、ステップＳ６で変数Ｃ１，Ｃ２をそれぞれ０に初期化し、次の統計的更新処理に備える。
【０１７６】
ここで図３４の統計的更新処理にあっては、リトライ成功時のパラメータのプラスとマイナスの変更に応じて変数Ｃ１，Ｃ２を個別にカウントしているが、変数を１つとし、プラスの変更で加算、マイナスの変更で減算し、その結果をステップＳ４で閾値と比較してもよい。
【０１７７】
もちろん、図３４の統計的なパラメータの更新は、例えば図１６のゾーン分割のデフォルトテーブル１２８−１の場合には、同一ゾーンの同一パラメータ単位に個別に統計的なデフォルトパラメータ更新処理を行うことになる。この点は図２０のエリア分割デフォルトテーブル１２８−２についても同様であり、同一エリアの同一パラメータにつき個別にデフォルトパラメータの更新処理を行う。更に図２３の温度分割デフォルトテーブル１２８−３については、同じ温度区分の同一パラメータごとにデフォルトパラメータの更新処理を行うことになる。
【０１７８】
ここで図１５のテスト処理部１２６による記録再生のための各種のパラメータのテスト処理による最適化を説明すると、次のようになる。
【０１７９】
図３５は、本発明の光学的記憶装置の全体的な処理のフローチャートである。装置電源を投入すると、ステップＳ１で初期化及び自己診断処理を行い、ステップＳ２で媒体の投入を待つ。この状態で媒体を投入すると、ステップＳ３に進み、ディスク起動処理を行う。ステップＳ３のディスク起動処理は、図３１のフローチャートのようになる。
【０１８０】
図３６において、まずステップＳ１で媒体のロードを行って、スピンドルモータにセットして一定速度で回転する。続いてステップＳ２でテスト要求フラグＦＬをセットする。続いてステップＳ３で現在時刻を初期化し、更にステップＳ４で現在の装置内温度Ｔを検出して起動時にレーザダイオードの発光パワーや磁界印加ユニットによる再生磁界を決めるために必要な処理を終了する。
【０１８１】
再び図３５を参照するに、ステップＳ３のディスク起動処理が済むと、ステップＳ４に進み、上位装置からのアクセス要求の有無をチェックする。この実施形態にあっては、媒体のローディングによりディスク起動処理を行っても、その時点では発光パワー及び再生磁界のテスト処理は行わず、ディスク起動処理の通知を受けた上位装置から最初に発行されるテスト指示コマンドを受けて最初の発光パワー及び再生磁界のテスト処理を行うようにしている。
【０１８２】
したがって、ステップＳ４で上位装置から最初に受けるアクセス要求はテスト指示コマンドであり、ステップＳ７でテスト指示であることを判別し、ステップＳ８でライトパワー、イレーズパワー及びリードパワーなどの発光パワーのテスト処理を行った後、ステップＳ９で再生磁界のテスト処理を行う。
【０１８３】
一方、上位装置からテスト指示がなければ、ステップＳ５でテストの必要性を判断し、その結果に基づいてテストの必要ありがステップＳ６で判別されれば、ステップＳ８の発光パワーテスト処理及びステップＳ９の再生磁界テスト処理を行うようになる。上位装置からリードのアクセス要求を受けた場合には、ステップＳ１０に進んでリード要求が判別され、ステップＳ１１以降のリード処理を行う。
【０１８４】
このリード処理にあっては、ステップＳ１１でまずテスト処理中か否かチェックする。テスト処理中であればステップＳ１２でテスト処理を一旦中断し、ステップＳ１３でリード処理を行う。リード処理が済んだならば、ステップＳ１４でリードエラーの有無をチェックする。
【０１８５】
もしリードエラーがあれば、ステップＳ１５で再生磁界テスト処理を実行した後に、ステップＳ１６でリトライ処理を行う。リードエラーがなければステップＳ１７に進み、テスト処理中断を行ったか否かチェックし、もしテスト処理を中断していれば、ステップＳ１８で、中断した時点からテスト処理を再開する。
【０１８６】
このようにして一連のリード処理が済むと、ステップＳ１９で媒体排出の有無をチェックし、媒体排出がなければ、ステップＳ２０で装置停止指示の有無をチェックした後、ステップＳ４に戻り、次の媒体投入を待って同様な処理を繰り返す。一方、上位装置からライトアクセスの要求があった場合には、ステップＳ２１に進んでライト要求を判断し、ステップＳ２２でライト処理を行うようになる。
【０１８７】
図３７は、図３５のステップＳ５におけるテストの必要性判断処理のフローチャートである。テストの必要性判断処理にあっては、まずステップＳ１で現在時刻を読み込み、ステップＳ２で光ディスクドライブの起動から前回のテスト処理までの時間Ａを算出する。
【０１８８】
ステップＳ３では、起動からの時間Ａを予め定めた一定時間例えば２０秒で割ることで、単位時間数Ｂに変換する。ステップＳ４にあっては、単位時間数Ｂが８未満、即ち起動から最初のテストライトまでの時間Ａが１６０秒未満か否かチェックする。１６０秒未満であればステップＳ５に進み、単位時間数Ｂは４未満か、即ち時間Ａは８０秒未満か否かチェックする。
【０１８９】
時間Ａが８０秒から１６０秒の間であった場合には、ステップＳ６で単位時間数Ｂを３、即ち時間Ａを６０秒にクリップして、ステップＳ７に進む。ステップＳ５で時間Ａが８０秒未満であった場合には、そのままステップＳ７に進む。ステップＳ７では、前回のテスト処理で決定されている最適値（発光パワー及び再生磁界）の使用を保証する有効時間Ｃを算出する。
【０１９０】
この場合、有効時間Ｃは２０秒×２B（単位時間数）とする。但し、有効時間の最大値は１６０秒にリミットされる。この結果、テスト処理で決定された最適値を保証する有効時間Ｃは、起動から最初のテスト処理までの時間Ａが１６０秒未満であれば２Bに対応した時間に設定される。１６０秒以上の場合には、一定の有効時間Ｃ＝１６０秒に固定される。
【０１９１】
このような有効時間Ｃの算出は、光ディスクドライブにローディングした媒体の媒体温度が装置内温度に安定するまでに掛かる時間に応じて可変させている。即ち、媒体をローディングした直後の初期段階にあっては、媒体と装置内の温度の間には差があることから、この段階では装置内温度に基づいたテストは有効にできないことから、起動時にはテスト処理は行わない。ローディングした媒体の温度は１〜２分程度経過すると装置内の温度に平衡してくる。
【０１９２】
そこで光ディスクドライブ起動後の最初に上位装置からライトコマンドが発行されたタイミングに同期して最初のテスト処理を行う。起動後、上位装置からライトコマンドが発行されるタイミングは様々であることから、図３７のステップＳ１〜Ｓ７において、起動から最初の発光調整までの時間Ａを求め、この時間Ａから次回以降のテストタイミング判別のための有効時間Ｃを決めるようにしている。ステップＳ７で有効時間Ｃが算出できたならば、ステップＳ８で、有効判定時刻Ｄを前回のテストライト時刻に算出した有効時間Ｃを加えた時刻として算出する。
【０１９３】
そしてステップＳ９で、現在時刻が有効判定時刻Ｄを超えたか否か判定する。現在時刻が有効判定時刻Ｄに達していれば、ステップＳ１４に進んでテスト処理フラグをオンし、図３０のステップＳ６にリターンする。ステップＳ９で現在時刻が有効判定時刻Ｄを超えていなければ、ステップＳ１３でテスト処理フラグをオフとする。
【０１９４】
またステップＳ４で単位時間数Ｂが８以上、即ち１６０秒以上の場合には、ステップＳ１０に進み、現在時刻から前回のテスト処理時刻を引いた時間が１時間未満か否かチェックする。１時間未満であればステップＳ１１で現在温度を読み込み、ステップＳ１２で前回温度に対し現在温度が±３℃の範囲内か否かチェックする。
【０１９５】
３℃以内であれば、ステップＳ１３でテスト処理フラグをオフし、テスト処理は行わない。前回温度に対し±３℃の範囲を超える温度変動があった場合には、ステップＳ１４でテスト処理フラグをオンし、テスト処理を実行する。またステップＳ１０で現在時刻と前回のテスト処理時刻との差が１時間以上の場合には、ステップＳ１４で強制的にテスト処理フラグをオンしてテスト処理を実行する。
【０１９６】
尚、テスト処理の必要性判断処理で設定されている各閾値時間は必要に応じて適宜に定めることができる。
【０１９７】
図３８は、図１５のライト処理部１２４及びライトリトライ処理部１２５によるライト処理のフローチャートである。このライト処理にあっては、ライト処理部１２４がステップＳ１でレジスタ群１３５のライト指示、トラック番号ＴＫ、セクタ番号ＳＳ、ゾーン番号Ｚｉに基づき、目標セクタに光ビームを位置付けるシーク動作を実行し、目標セクタに光ビームを位置付けると、ステップＳ２でイレーズを実行し、次にステップＳ３でライトを実行し、最終的にステップＳ４でベリファイリードを実行する。ステップＳ５でベリファイ成功であればライト動作は正常終了となる。
【０１９８】
ステップＳ５でベリファイが不成功であった場合には、ステップＳ６に進み、ベリファイリトライのためのリードリトライ処理を実行する。このリードリトライ処理は、図２６のリード処理の場合と同じになる。ステップＳ７でリードリトライが成功すれば、ステップＳ１４に進み、成功したリードリトライのパラメータ設定情報を統計情報として保存し、図３４のフローチャートに示した統計的更新処理に従ってパラメータの更新を行う。
【０１９９】
更にステップＳ１４で、テスト処理部１２６における経過時間の初期化とテスト基準温度の更新を、デフォルトパラメータの更新の対象となった成功したリードリトライの時点とそのときの装置内温度により行う。
【０２００】
更に図３８のベリファイリトライとしてのリードリトライにあっては、ステップＳ８でパラメータの設定変更が限界値に達し、ステップＳ９で全パラメータの設定変更が済んでもリードリトライに成功しなかった場合には、ステップＳ１０のライトリトライ処理を行う。
【０２０１】
このライトリトライ処理は、ライトパワーを変化させながらイレーズ、ライト、ベリファイを繰り返す。このライトリトライで成功すれば、ステップＳ１１からステップＳ１４に進み、成功したライトリトライの設定変更したライトパワーをパラメータ設定情報として保存し、ステップＳ１０におけるライトパワーの設定変更もプラスへの変更とマイナスへの変更を交互に行っていることから、図３４のフローチャートに示した統計的更新処理に従って、ライトパワーのデフォルトに加算するテストオフセットをライトリトライ成功の設定変更したライトパワーに近付けるように更新する。またライトパワーを更新した場合には、ステップＳ１５でテスト判断処理の初期化を行う。
【０２０２】
一方、ステップＳ１０でライトパワーを設定変更しながらライトリトライ処理を行ってもライトリトライが成功せず、ステップＳ１２でライトパワーの設定変更が限界値に達した場合には、目標セクタについてはリードリトライ及びライトリトライのいずれによっても記録再生が成功しないことから、ステップＳ１３で不良セクタの交替処理を行う。
【０２０３】
図３９は、図３８のステップＳ１０のライトリトライ処理の詳細である。このライトリトライ処理にあっては、図４０のような回数区分のリトライオフセットテーブル１３２−４を使用してライトリトライを実行する。このテーブルには、ライトリトライの１回目でリトライオフセットΔＰｗとしてデフォルトの０％、即ちデフォルトライトパワーをそのまま使用し、２回目は＋３％、３回目は−３％、４回目は＋６％、５回目は−６％としている。
【０２０４】
更にライトパワーをプラスとマイナスに変化させてもライトリトライに成功しなかった場合には、６回目，７回目についてはテストライトを行う。このテストライトは、図１５のテスト処理部１２６によりゾーン内の特定のテストトラックに光ビームを位置決めし、ライトパワーを変化させながらイレーズ、ライト、ベリファイを行って、最適なライトパワーを求める。
【０２０５】
テストライトで最適ライトパワーを求めたならば、目標セクタに光ビームを戻し、テストライトで求めた最適ライトパワーを使用したイレーズ、ライト、ベリファイを行う。このテストライトによって、ライトパワーはそのときの環境条件に応じた最適値となり、極めて高いライトリトライの成功率が得られる。
【０２０６】
尚、図１５のリードリトライ及びベリファイリトライにあっては、設定変更するパラメータとして、再生磁界、リードパワー、ライトパワー、フォーカスオフセット、更にリードＬＳＩの回路パラメータであるカットオフ周波数、ブースト、ウィンドウ、スライスレベルを例にとっているが、これ以外のリード動作及びライト動作に必要な他のパラメータでもよいし、これらの中のリトライ成功に有効な特定のパラメータの選択による設定変更であってもよい。
【０２０７】
４．成功リトライの反映
図４１は、リードリトライ及びベリファイリトライで成功したリトライ情報を統計情報として保存し、それ以降の新たなリトライ時に統計情報の中から成功率の高いリードリトライの条件を取り出してリトライ成功率を向上させるようにした本発明の第３実施形態の機能ブロック図である。
【０２０８】
この第３実施形態にあっては、リード動作のためにリード処理部１７８が設けられ、リード処理部１７８によるリード動作でエラーが発生した場合、リードリトライ処理部１８０によってリードリトライを行うようにしている。
【０２０９】
またライト動作のためにライト処理部１８２が設けられ、ライト処理部１８２によるイレーズ、ライト、ベリファイによりベリファイエラーが生じた時のリードリトライのため、ライトリトライ処理部１８４が設けられている。ライトリトライ処理部１８４によるベリファイリトライは、実質的にはリードリトライ処理部１８０により実行される。
【０２１０】
リード処理部１７８、リードリトライ処理部１８０、ライト処理部１８２、ライトリトライ処理部１８４に対しては、リード動作及びライト動作に必要な各種のパラメータを格納したデフォルトテーブル１８５、テストオフセットテーブル１８６、リトライオフセットテーブル１８８が設けられる。
【０２１１】
またリード動作及びライト動作に必要な各種の制御指示のためレジスタ群１９２が設けられ、制御指示としてリード指示、ライト指示、リトライ指示、媒体種別、装置内温度Ｔ、トラック番号ＴＫ、セクタ番号ＳＳ、ゾーン番号Ｚｉがセットされる。
【０２１２】
更に、リード処理部１７８、リードリトライ処理部１８０、ライトリトライ処理部１８４、ライト処理部１８２に対しては、それぞれが制御するパラメータに対応してレジスタ１９４〜２１５が設けられ、またレジスタの設定値をアナログ制御信号に変換するＤＡコンバータ２１６〜２３２が設けられている。
【０２１３】
更に、リードリトライ処理部１８０及びライトリトライ処理部１８４に対応してリトライ履歴テーブル１９０が設けられ、またリードリトライ処理部１８０には、リードリトライ時またはベリファイリトライ時に各種のパラメータを切り替えて設定変更しながらリードリトライを行うためのリトライシーケンス１９５が予め設定されている。
【０２１４】
図４２は、ＭＳＲ媒体を対象とした図４１のリトライシーケンス１９５−１と、これに対応するリトライオフセットテーブル１８８−１のリトライオフセットである。リトライシーケンス１９５−１はシーケンス番号ＳＥＱ１〜ＳＥＱ１４に分けられており、対応して示すリトライオフセットテーブル１８８−１のように、同じパラメータのリトライオフセットについてプラスとマイナスのオフセット値を交互に格納している。
【０２１５】
例えばシーケンス番号ＳＥＱ１では再生磁界のプラスのリトライオフセット＋ΔＨが設定され、次のシーケンス番号ＳＥＱ２ではマイナスのリトライオフセット−ΔＨが設定されている。この点は残りのリードパワーＰｒ、カットオフ周波数Ｆｃ、ブーストＦｂ、スライスレベルＳ、ウィンドウＷ、フォーカスオフセットＦＣＯのリトライオフセットについても同様である。
【０２１６】
図４３は、ＭＳＲ媒体以外のＭＯ媒体を対象としたリトライシーケンス１９５−２とリトライオフセットテーブル１８８−２であり、図４２のＭＳＲ媒体における再生磁界のリトライオフセット＋ΔＨ，−ΔＨを除いており、したがってリトライシーケンス１９５−２はシーケンス番号ＳＥＱ１〜ＳＥＱ１２の１２シーケンスから成り立っている。
【０２１７】
図４１のリトライ履歴テーブル１９２は、例えば図４４の温度分割リトライ履歴テーブル１９０−１のように、リトライ成功時の装置内温度Ｔの温度領域に応じて、成功したリトライシーケンスのシーケンス番号が格納されている。この成功したリトライシーケンスのシーケンス番号は、例えば図４２のＭＳＲ媒体のリトライシーケンス１９５−１とリトライオフセット１８８−１の対応から、成功したリトライのパラメータを特定することができる。
【０２１８】
例えば０℃以上１０℃未満の成功リトライシーケンスはシーケンス番号ＳＥＱ３であり、シーケンス番号ＳＥＱ３は図４２からリードパワーＰｒをリトライオフセット＋ΔＰｒだけ変化させることによって、成功したリトライであることが認識できる。
【０２１９】
このように装置内温度に分けて、成功したリトライのシーケンス番号即ち成功したリトライパラメータの設定値を保存しておくことで、次のリトライ時にはそのときの装置内温度に対応したリトライシーケンスでリトライを実行し、その結果、リトライの成功率を高めることができる。
【０２２０】
特に１回のリードアクセスで、あるトラックのセクタを連続的にリードする際に連続してリトライが発生したような場合には、１回目のリトライについて成功したパラメータ設定情報が２回目のリトライで最初に設定されるため、セクタの連続リードのように環境条件に殆ど変化がないような場合には、２回目以降のリトライは１回のリトライで成功し、リトライの成功率を大幅に高めることができる。
【０２２１】
図４５は、図４１のリトライ履歴テーブル１９０の他の実施形態であり、ゾーン分割リトライ履歴テーブル１９０−２としたことを特徴とする。即ち、ＭＯ媒体及びＭＳＲ媒体にあっては、ＺＣＡＶ方式で記録されているため、媒体ゾーンによって記録数が異なり、極端な場合、最インナでのリードエラーのリトライに成功しても、その結果を最アウタのリトライに適用しても必ずしも成功する可能性はない。
【０２２２】
そこで図４５のように、ゾーンＺ０１〜Ｚ１８に分割し、各ゾーンごとに成功したリトライシーケンスのシーケンス番号を保存する。このため新たなリトライ時には、そのときのゾーン番号による同じゾーンで成功した過去のリトライシーケンスのシーケンス番号を認識し、同一ゾーンの成功結果を反映したリトライを行うことでリトライの成功率を大幅に高めることができる。
【０２２３】
図４６は、図４１のリトライ履歴テーブル１９０の他の実施形態であり、媒体容量分割リトライ履歴テーブル１９０−３としたことを特徴とする。本発明の光学的記憶装置にあっては、１２８ＭＢ、２３０ＭＢ、５４０ＭＢ、６４０ＭＢ、１．３ＧＢの媒体容量の異なる媒体カートリッジをサポートしており、媒体容量に応じて例えばトラックピッチが異なり、また書込み，読出しのための各種のパラメータの最適値も異なることから、媒体容量に分けて、成功したリトライシーケンスのシーケンス番号、即ち成功したパラメータ設定情報を保存することが望ましい。
【０２２４】
図４７は、図４１のリトライ履歴テーブル１９０の他の実施形態であり、シーク距離分割リトライ履歴テーブル１９０−４としたことを特徴とする。リード動作の際のエラーが光ビームの位置付け動作によって発生する場合、光ビームの移動するシーク距離により成功するリトライに必要なパラメータの設定値が異なる。
【０２２５】
そこで過去の成功したリトライのパラメータ設定情報をシーク距離で分けて保存しておくことで、新たなリトライ発生時にそのときのシーク距離に適合した適切なリトライ成功のためのパラメータ設定情報を使用して、高い成功率でリトライすることができる。
【０２２６】
図４７のシーク距離分割リトライ履歴テーブル１９０−４にあっては、例えばＭＳＲ媒体におけるアウタからのトラック番号でシーク距離を分割しており、このシーク距離の分割に対応して、各シーク距離で成功したリトライシーケンスのシーケンス番号を保存している。
【０２２７】
図４８は、図４１のリトライ履歴テーブル１９０の他の実施形態であり、図４４〜図４７のリトライ履歴テーブルにあっては、過去に成功したリトライシーケンスのパラメータ設定情報のみを保存しているが、この実施形態にあっては、過去に成功したリトライシーケンスの成功回数を、成功した設定パラメータを表わすシーケンス番号ＳＥＱｉごとに保存したことを特徴とする。
【０２２８】
図４８は温度分割リトライ履歴テーブル１９０−５であり、成功リトライシーケンスＳＥＱｉとしてシーケンス番号ｉ＝１〜１４を設けており、このシーケンス番号ＳＥＱ１〜１４は、例えば図４２のＭＳＲ媒体のシーケンス番号に対応する各パラメータのリトライオフセットを意味する。
【０２２９】
そして０℃から６０℃までの１０℃単位の温度範囲のそれぞれについて、シーケンス番号ＳＥＱｉ＝１〜１４のそれぞれにつき、過去に成功したリードリトライの成功回数が保存されている。例えば０℃以上１０℃未満の温度範囲を見ると、シーケンス番号ＳＥＱ３の成功回数が４回であり、このシーケンス番号ＳＥＱ３は図４２からリードパワーＰｒを＋Δｐｒ変更させたパラメータ設定値のリトライの成功回数を意味する。
【０２３０】
この図４８の温度分割リトライ履歴テーブル１９０−５を使用したリトライ処理は、リトライ時の装置温度に該当する成功リトライシーケンス番号ＳＥＱ１〜１４の内、成功率の最も高いリトライシーケンスを第１回目にリトライとし、１回目で不成功となったら、次に成功回数の高いリトライシーケンスを実行し、以下成功回数が高い順番から低い順番となるようにリトライシーケンスを実行することで、リトライの成功率を大幅に高めることができる。
【０２３１】
図４９は、成功回数を保存したゾーン分割リトライ履歴テーブル１９０−６の実施形態である。この場合にもゾーンＺ０１〜Ｚ１８に分けて成功リトライシーケンスＳＥＱ１〜１４ごとに過去の成功回数が保存されており、新たなリトライ時には最も成功回数の高いシーケンスＳＥＱｉから順番にリトライを実行する。
【０２３２】
図５０は、成功回数を保存した容量分割リトライ履歴テーブル１９０−７であり、同様に媒体容量に対応したリトライシーケンスＳＥＱ１〜ＳＥＱ１４の中の最も成功回数の高いリトライシーケンスから順番にリトライを実行する。
【０２３３】
ここで１．３ＧＢ媒体は、図４２に対応してリトライシーケンスＳＥＱ１〜１４について成功回数を保存しているが、１２８ＭＢ、２３０ＭＢ、５４０ＭＢ及び６４０ＭＢの各媒体については、図４３のようにリトライシーケンスＳＥＱ１〜１２について成功回数を格納している。
【０２３４】
図５１は、図４１のリードリトライ処理を含むリード処理のフローチャートである。ステップＳ１で目標セクタにシーク動作を実行し、ステップＳ２で目標セクタのリードを実行し、ステップＳ３でリード成功であればリード動作を正常終了する。ステップＳ３でリード不成功であれば、ステップＳ４に進み、リトライ履歴テーブル１９０から成功率の高いリトライシーケンスを選択し、ステップＳ５でリードリトライを実行する。
【０２３５】
ここで第１回目のリードリトライにあっては、リトライ履歴情報が存在しないことから、この場合には例えば図４２のリトライシーケンス１９５−１のシーケンス番号に従ってリードリトライを実行する。リードリトライが１回でも成功すれば、リトライ履歴テーブル１９０に成功したリトライシーケンスが格納されるため、新たなリトライの際には前回成功したリトライシーケンスを選択してリードリトライを実行するか、過去のリトライの中の成功率の最も高いリトライシーケンスから順番に選択してリードリトライを実行する。
【０２３６】
ステップＳ６でリトライが成功すれば、ステップＳ９で、成功したリトライシーケンスをリトライ履歴テーブル１９０に記憶して保存する。このときリトライ履歴テーブル１９０が図４４，図４５，図４６，図４７の構造であれば、成功したリトライシーケンスのシーケンス番号を対応する区分に格納して更新する。
【０２３７】
また図４８，図４９，図５０の成功回数を保存したテーブル構造であれば、温度、ゾーン、媒体容量等の区分に対応した成功したシーケンス番号の成功回数をインクリメントする。
【０２３８】
ステップＳ６でリトライが不成功であった場合には、ステップＳ７で全シーケンスを選択するまで、ステップＳ８で次に成功率の高いリトライシーケンスを選択して、ステップＳ５のリードリトライ処理を行う。 このとき図４８，図４９，図５０の成功回数を格納したテーブル構造にあっては、成功率の高い順に順次選択することができる、しかし、図４４〜図４７の最新の成功リトライシーケンスのみを保存しているテーブル構造では、１回目で成功したリトライシーケンスを選択できるが、１回目でリトライが不成功になると２回目については固定的に決まったシーケンス番号の次のシーケンスを選択することとなり、この場合には成功の可能性は高まらない。
【０２３９】
そこで図４４〜図４７についても、それ以前に成功した異なるパラメータの成功シーケンス番号を保存しておき、１回目のリトライで不成功であれば、２回目については前々回に成功した別のシーケンスを選択してリトライするようにしてもよい。
【０２４０】
図５２は、図４１のライト処理部１８２及びライトリトライ処理部１８４によるライト処理のフローチャートである。ステップＳ１で目標セクタに光ビームを位置付けるシーク動作を実行し、ステップＳ２で目標セクタのイレーズを実行し、ステップＳ３でライトを実行し、ステップＳ４でベリファイリードを実行する。ステップＳ５でベリファイ成功が判別されると、ライト動作は正常終了となる。
【０２４１】
ステップＳ５でベリファイ不成功であれば、ステップＳ６に進み、ステップＳ１でベリファイリトライとしてリードリトライ処理を実行する。このステップＳ７〜Ｓ１２におけるベリファイリトライとしてのリードリトライ処理も、図５１のリード処理におけるステップＳ５〜Ｓ１０のリードリトライ処理と同じになる。
【０２４２】
また図５２のベリファイリトライのためのリードリトライ処理について、リードリトライを行ってもリトライ不成功であった場合には、図３８のステップＳ１０及び図３９に示したように、ライトリトライを行うようにしてもよい。
【０２４３】
尚、本発明は上記の実施形態に限定されず、その目的と利点を損なわない範囲の適宜の変形を含む。また本発明は、上記の実施形態に示した数値による限定は受けない。
【図面の簡単な説明】
【０２４４】
【図１】本発明の原理説明図
【図２】本発明による光ディスクドライブのブロック図
【図３】ＭＯカートリッジをローディングした装置内部構造の説明図
【図４】ＭＳＲ媒体のリードリトライ処理を実行する第１実施形態の機能ブロック図
【図５】ゾーン分割したデフォルトテーブルの説明図
【図６】ゾーン分割したテストリードオフセットのテーブル説明図
【図７】リトライ回数毎にリトライオフセットを設定したテーブルの説明図
【図８】図７のテーブルの具体例の説明図
【図９】テストリードによりＮＣＲ特性に基づく再生磁界最適値の算出処理の説明図
【図１０】テストリードによりビット不一致数の特性に基づく再生磁界最適値の算出処理の説明図
【図１１】エリア分割したデフォルトテーブルの説明図
【図１２】エリア分割したテストリードオフセットのテーブル説明図
【図１３】装置内温度で分割したテストリードオフセットのテーブル説明図
【図１４】図４の第１実施例による磁界調整のリードリトライ処理のフローチャート
【図１５】成功したリードリトライの統計情報の学習によりパラメータを更新する第２実施形態の機能ブロック図
【図１６】ゾーン分割した各種パラメータのデフォルトを格納したテーブルの説明図
【図１７】ゾーン分割した各種パラメータのテストリードオフセットを格納したテーブルの説明図
【図１８】ゾーン分割した各種パラメータのリトライオフセットを格納したテーブルの説明図
【図１９】リトライオフセットでパラメータを設定変更するリードＬＳＩの回路ブロック図
【図２０】エリア分割した各種パラメータのデフォルトを格納したテーブルの説明図
【図２１】エリア分割した各種パラメータのテストリードオフセットを格納したテーブルの説明図
【図２２】ゾーン分割した各種パラメータのリトライオフセットを格納したテーブルの説明図
【図２３】装置内温度で分割した各種パラメータのデフォルトを格納したテーブルの説明図
【図２４】装置内温度で分割した各種パラメータのテストリードオフセットを格納したテーブルの説明図
【図２５】装置内温度で分割した各種パラメータのリトライオフセットを格納したテーブルの説明図
【図２６】図１５の第２実施形態によるリードリトライを含むリード処理のフローチャート
【図２７】再生磁界を設定変更するリードリトライのフローチャート
【図２８】リードパワーを設定変更するリードリトライのフローチャート
【図２９】ＬＰＦのカットオフ周波数を設定変更するリードリトライのフローチャート
【図３０】ＬＰＦのブーストを設定変更するリードリトライのフローチャート
【図３１】スライスレベルを設定変更するリードリトライのフローチャート
【図３２】データ弁別器のウィンドウを設定変更するリードリトライのフローチャート
【図３３】フォーカスオフセットを設定変更するリードリトライのフローチャート
【図３４】図１５のリトライ成功の統計情報に基づくパラメータ更新処理のフローチャート
【図３５】図１５のテスト処理部によるパラメータ更新処理を含む処理動作のフローチャート
【図３６】図３５のテスト処理に先立つディスク起動処理のフローチャート
【図３７】図３５のテスト処理の必要性判断のフローチャート
【図３８】図１５の第２実施例におけるライトリトライを含むライト処理のフローチャート
【図３９】図３８のライトリトライ処理のフローチャート
【図４０】ライトリトライ回数に対するライトリトライオフセットのテーブル説明図
【図４１】成功した過去のリトライ情報を反映してリードリトライを実行する第３実施形態の機能ブロック図
【図４２】ＭＳＲ媒体を対象としたリトライシーケンスと設定変更するパラメータのリトライオフセットの対応説明図
【図４３】ＭＯ媒体を対象としたリトライシーケンスと設定変更するパラメータのリトライオフセットの対応説明図
【図４４】装置内温度で分割してリトライ成功のパラメータ情報を格納した履歴テーブルの説明図
【図４５】ゾーン分割してリトライ成功のパラメータ情報を格納した履歴テーブルの説明図
【図４６】媒体容量で分割してリトライ成功のパラメータ情報を格納した履歴テーブルの説明図
【図４７】シーク距離で分割してリトライ成功のパラメータ情報を格納した履歴テーブルの説明図
【図４８】装置内温度で分割して各パラメータのリトライ成功回数を格納した履歴テーブルの説明図
【図４９】ゾーン分割して各パラメータのリトライ成功回数を格納した履歴テーブルの説明図
【図５０】媒体容量で分割して各パラメータのリトライ成功回数を格納した履歴テーブルの説明図
【図５１】図４１の過去に成功したリトライ情報を反映したリードリトライを含むリード処理のフローチャート
【図５２】図４１の過去に成功したリトライ情報を反映したベリファイリトライを含むリード処理のフローチャート
【図５３】ＭＳＲ媒体のＦＡＤ再生動作の説明図
【図５４】ＭＳＲ媒体のダブルマスクＲＡＤ再生動作の説明図
【符号の説明】
【０２４５】
１０：コントローラ
１１：エンクロージャ
１２：ＭＰＵ
１４：光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）
１５：上位インタフェース
１６：ＤＳＰ
１８：バッファメモリ
２０：リードＬＳＩ
２４：ライトＬＳＩ
３０：レーザダイオードユニット
３２：ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ
３４：ヘッドアンプ
３６：温度センサ
３８，４２，５４，５８，６２：ドライバ
４０：スピンドルモータ
４４：磁界印加部（電磁石等）
４６：多分割ディテクタ
４８：ＦＥＳ検出回路
５０：ＴＥＳ検出回路
５４：ＴＺＣ検出回路
６０：フォーカスアクチュエータ
６４：レンズアクチェータ
６８：ＶＣＭ（キャリッジアクチュエータ）
６７：ハウジング
６９：インレットドア
７０：ＭＯカートリッジ
７２：ＭＯ媒体
７６：キャリッジ
７８：固定光学系
８０：対物レンズ
８４，１２０，１７８：リード処理部
８６，１２２，１８０：リードリトライ処理部
８８，１２８，１８５：デフォルトテーブル
９０，１３２，１８６：テストオフセットテーブル
９２，１３４，１８８：リトライオフセットテーブル
９４，１３５，１９２：レジスタ群
１２４，１８２：ライト処理部
１２５，１８４：ライトリトライ処理部
１２６：テスト処理部
１３４，１９２：リトライ履歴テーブル
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光を用いて情報の記録と再生を行う光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法に関し、特に、ビーム径よりも小さい密度でデータを記録再生するＭＳＲ媒体を含む光記憶媒体の記録再生動作でリードエラーが発生した場合のリトライを最適化する光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータの外部記憶媒体として、光ディスクが脚光を浴びている。光ディスクは、レーザ光を用いて媒体上にサブミクロンオーダーの磁気的な記録ピットを作ることにより、これまでの外部記憶媒体であるフロッピー（Ｒ）ディスクやハードディスクに比べ、格段に記録容量を増大させることが可能となる。
【０００３】
更に、希土類−遷移金属系材料を用いた垂直磁気記憶媒体である光磁気ディスクにおいては、情報の書替えが可能であり、今後の発展がますます期待されている。
【０００４】
光ディスクは例えば３．５インチ片面で１２８ＭＢ，２３０ＭＢ、５４０ＭＢ、６４０ＭＢの記憶容量を持っている。ここで１２８ＭＢ媒体、２３０ＭＢ媒体はピットポジション変調記録（ＰＰＭ記録）であり、５４０ＢＭ媒体、６４０ＭＢ媒体はパルス幅変調記録（ＰＷＭ記録）である。
【０００５】
これは３．５インチフロッピー（Ｒ）ディスク１枚の記憶容量が約１ＭＢであることを考えると、光ディスク１枚でフロッピー（Ｒ）ディスク１２８枚から６４０枚分の記憶容量を持つことを意味する。このように光ディスクは記録密度の非常に高い書替可能な記憶媒体である。
【０００６】
しかし、これからのマルチメディア時代に備え、光ディスクの記録密度を現在よりも更に高くする必要がある。記録密度を高くするためには、媒体上に更に多くのピットを記録させなければならない。そのためには、現在よりもピットを更に小さくし、ピットとピットの間隔も詰めていく必要がある。このような方法で記録密度を高くする場合、レーザ光の波長を現在の６７０ｎｍよりも更に短くする必要があるが、実用化を考慮した場合、現行の波長６７０ｎｍでピットサイズを小さくしなければならない。
【０００７】
この場合、記録についてはレーザ光のパワーを制御することによってビーム径よりも小さなピットを形成することは可能である。しかし、再生については、ビーム径よりも小さなピットを再生すると、隣のピットとのクロストークが大きくなり、最悪の場合、再生ビームの中に隣のピットまで入ってしまい、実用性を考慮した場合、非常に難しい。
【０００８】
現行の波長６７０ｎｍでビーム径よりも小さなピットを再生する方法として特開平３−９３０５８号に代表される光磁気記録再生方法があり、超解像技術（ＭＳＲ：Ｍａｇｍｅｔｏｃａｌｌｙ ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）による記録再生方法として知られている。これにはＦＡＤ（Ｆｒｏｎｔ Ａｐｅｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｏｎ）方式とＲＡＤ（Ｒｅａｒ Ａｐｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）方式の２つの方法がある。
【０００９】
ＦＡＤ方式は、図５３（Ａ）（Ｂ）のように、ＭＳＲ媒体を基板３１１上で記録層３２０と再生層３１６に分け、リードビームのレーザスポット３２２を照射した状態で、再生磁界Ｈｒを加えて再生する。このとき再生層３１６が記録ピットの部分については、レーザスポット３２２による媒体加熱の温度分布に依存して記録層３２０との境界に形成されるスイッチ層（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）３１８の磁気的な結合が切れ、再生磁界Ｈｒの影響を受けてマスクとなる。
【００１０】
これに対し次の記録ピットの部分についてはスイッチ層３１８の磁気的な結合は保ったままであり、アパーチャ（開口）３２４となる。このためレーザスポット３２２のように、隣接するピット３２８の影響を受けることなくアパーチャ３２４のピット３３０のみを読み取ることができる。
【００１１】
一方、ダブルマスクＲＡＤ方式は、図５４（Ａ）（Ｂ）のように、基板３１１上の再生層３１６、中間層３１７及び記録層３２０の３層から構成されている。再生時の再生レーザパワーを若干高くしてリードする。このリード時には、リードビームのレーザスポット３３４による媒体加熱の温度分布に依存し、再生層３１６にはフロントマスク３３６、記録層３２０の磁化情報が再生層３１６に転写されるアパーチャ３３８及びリアマスク３３７が形成される。
【００１２】
即ち、リードビームレーザスポット３３４による低温のフロントマスク３３６では、再生磁界３３２によって再生層３１６が初期化されているので、信号は得られない。中間温度のアパーチャ３３８では、中間層３１７が垂直磁化されるため結合力が強まり、記録層３２０の磁化情報が再生層３１６に転写され、信号が得られる。高温のリアマスク３３７では、中間層３１７のキュリー温度に近いので、記録層３２０と再生層３１６の結合力が小さくなり、再生層３１６の磁化は再生磁界３３２の方向に揃う。
【００１３】
再生層３１６に転写された記録層３２０の磁化情報は、光学磁気効果（カー効果あるいはファラデー効果）によって光学的な信号に変換されることでデータが再生される。
【００１４】
このとき、現在読み出している記録層３２０のピット３２８に対し、次に読み出す記録層３２０のピット３３０は、再生層３１６の初期磁化情報によるフロントマスク３３６の形成で転写されないため、記録ピットがレーザスポット３３４より小さくとも、クロストークは発生せず、ビーム径よりも小さなピットを再生することができる。
【００１５】
更に、このダブルマスクＲＡＤを用いると、再生部分以外の記録層３２０の領域は初期化された再生層３１６によってマスクされた状態になっているので、隣のピットからのピット干渉が発生せず、更にピット間隔を詰めることができ、また、隣接するトラックからのクロストークを抑えることもできるので、トラックピッチもＦＡＤより詰めることができ、現行の波長６８０ｎｍを用いても高密度化を行うことが可能となる。
【特許文献１】特開平４−２５８８３１号公報
【特許文献２】特開平２−１７７０６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、このようなＭＳＲ媒体を用いた従来の光ディスク装置にあっては、再生時に使用する再生磁界とリードパワーを厳密に制御しなければ、適切な再生動作ができないという問題がある。その理由は、例えば図５３（Ａ）（Ｂ）のＦＡＤ方式でレーザビームの再生パワーＰｒが低すぎた場合、再生層３１６の磁化による図５３（Ｂ）のマスク３２６の形成範囲が小さくなり、ピット３２８がマスクされずにクロストークを起こす。
【００１７】
また再生パワーＰｒが強すぎた場合には、マスク３２６の形成範囲が広がってピット３３０も部分的にマスクするようになり、再生レベルが低下してエラーとなる。同時に再生磁界Ｈｒが記録層３２０にも作用し、記録データを消しかねない。
【００１８】
図５４（Ａ）（Ｂ）のダブルマスクＲＡＤ方式で再生パワーおよび再生磁界が低すぎた場合、再生層３１６のビーム加熱による結合範囲が広がらず、アパーチャが形成されず、図５４（Ｂ）のピット３２８が再生されない。
【００１９】
また再生パワーおよび再生磁界が強すぎた場合には、再生層３１６の初期化磁界のビーム加熱による消去範囲が狭くなってフロントマスク３３６の形成範囲が広がり、ピット３２８も部分的にマスクするようになり、アパーチャ３３８が小さくなり、再生レベルが低下してエラーとなる。同時に再生パワーが強すぎると記録層３２０にも作用し、記録データを消しかねない。
【００２０】
この現象は再生磁界や再生パワーを調整するだけでは不十分であり、記憶媒体の温度を決める装置内部の環境温度にも依存する。即ち、装置内の環境温度が低温側に変化すると再生層のアパーチャ形成温度まで加熱するためのレーザパワーが必要となる。逆に環境温度が高温側に変化すると再生層のリアマスク形成温度までの加熱は少しでよいため再生パワーを低くする必要がある。
【００２１】
リードアクセスに基づくＭＳＲ媒体のあるセクタのリードが失敗した場合、最適値に調整された再生パワーおよび再生磁界の値を使用して再度リードするリードリトライを行うが、装置内の環境温度等が再生磁界を最適値に調整した際の条件から外れていると、何回リトライを行っても成功せず、最終的にリトライアウトとなり、不良セクタと判断して交代処理を行うことになる。
【００２２】
このためリードエラーが発生した際にリトライ成功となるまでに時間がかかり、更に、装置の使用条件が大きく変っているとリトライ不成功でリードエラーを多発し、処理性能が低下する問題があった。
【００２３】
同様なリードリトライの問題は、ライト動作がイレーズ、ライト、及びベリファイを行うことから、ベリファイでエラーとなったときのベリファイリトライでも生ずる。
【００２４】
このようなリードリトライ及びベリファイリトライにおけるリトライ不成功の問題は、再生磁界を必要とするＭＳＲ媒体のみならず、通常のＭＯ媒体においても同様である。
【００２５】
本発明は、リトライ処理を工夫してＭＳＲ媒体のリードエラーの発生を低減する光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法を提供することを目的とする。
【００２６】
また本発明は、パラメータを設定変更しながら行うリードリトライやベリファイリトライで成功時のパラメータ設定情報を統計情報として保存し、統計情報の学習処理による最適パラメータの更新を行ってリトライ成功の条件を反映し、リードエラーの発生を低減する光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法を提供することを目的とする。
【００２７】
更に本発明は、成功したリードリトライの情報を保存し、次のリードリトライ時に保存情報から成功率の高いリードリトライの条件を取り出してリトライ成功率を向上させる光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
図１は本発明の原理説明図である。
【００２９】
（ＭＳＲ媒体のリードリトライ）
まず本発明は、基板上に、少なくともデータを記録するための記録層と記録層に記録されたデータを再生するための再生層とを有するＭＳＲ媒体（光記憶媒体）を使用可能な光学的記憶装置において、再生部は、再生に必要な再生磁界と再生レーザパワーを組み合わせて最適な値に設定することによって、レーザビームのビーム径より小さい記録密度でＭＳＲ媒体の記録層に記録されているデータを再生する。
【００３０】
これに加え本発明は、図１（Ａ）のように、リードリトライ処理部８６を設け、リードエラーが発生した際のリードリトライ時に、再生磁界の値を変更して再生動作をリトライすることを特徴とする。
【００３１】
このように本発明は、ＭＳＲ媒体のリードリトライの際に、再生磁界の値を変更し、変更した再生磁界でリードのリトライを行うことでリトライを成功させ、リトライアウトによってリードエラーが発生する頻度を低減する。
【００３２】
リードリトライ処理部８６は、ＭＳＲ媒体にフォーマットされた各ゾーン、ＭＳＲ媒体の記録領域を複数のエリアに分割した各エリア、装置内の温度の少なくともいずれかに応じてリードリトライ時に再生磁界を変更する。
【００３３】
ＭＳＲ媒体の再生に最適な再生パワーまたは再生磁界の強さは、媒体の各ゾーン、各エリア、更にはそのときの装置内温度により異なることから、これらの条件に応じて適切な値を再生パワーまたは再生磁界を変更することで、リードエラーの発生頻度を低減する。
【００３４】
リードリトライ処理部８６は、テストリードにより最適再生パワー又は最適再生磁界のテストオフセットΔＰｒ１、ΔＨ１を決定し、所定のデフォルト値Ｐｒ、ＨにテストオフセットΔＰｒ１，ΔＨ１と所定のリトライオフセットΔＰｒ２、ΔＨ２を加算した再生パワー（Ｐｒ＋ΔＰｒ１＋ΔＰｒ２）又は再生磁界（Ｈ＋ΔＨ１＋ΔＨ２）に変更する。
【００３５】
このようにリードリトライ時にテストリードで、そのときの使用条件に適合した最適再生パワーまたは最適再生磁界を決定した後に、最適再生パワーまたは最適再生磁界をリトライ用に変更して再度リードすることで、実際の使用条件の変化に適合した最適再生パワーまたは最適再生磁界に変更でき、学習が進むにしたがって、少ないリトライ回数でリードを成功させることができる。
【００３６】
（リードパラメータの統計的更新）
本発明は、パラメータを設定変更しながら行うリードリトライやベリファイリトライで、成功時のパラメータ設定情報を統計情報として保存し、統計情報の学習処理による最適パラメータの更新を行ってリトライ成功の条件を反映してリードエラーの発生を低減する光学的記憶装置を提供する。
【００３７】
本発明の光学的記憶装置は、レーザビームにより光記憶媒体にデータを記録する記録部と、再生に必要なパラメータを最適な値に設定することによって、前記光記憶媒体に記録されているデータを再生する再生部とを備える。
【００３８】
このような光学的記憶装置につき、本発明は、図１（Ｂ）のように、更にリードリトライ処理部（リトライ処理部）１２２を設け、再生部でリードエラーが発生した際のリードリトライ時に、パラメータ設定値を設定変更しながらリードリトライを繰り返し、リトライ成功時にパラメータ設定値を統計情報として保存し、統計情報に基づく学習処理によりパラメータ設定値を更新することを特徴とする。
【００３９】
ここで、パラメータ設定値は、通常、デフォルトにテスト処理で最適パラメータを決定した際に得られたテストオフセットを加算した値である。
【００４０】
このように本発明の光学的記憶装置は、リードリトライが成功したら、成功時のパラメータ設定値を統計情報として保存し、統計情報の学習処理により最適パラメータを自動的に更新し、リトライ成功の条件を最適パラメータに反映させることで、リードリトライの成功までの回数を低減して成功率を高めると共に、リトライ失敗（リトライアウト）によるリードエラーの発生頻度を低減し、リード動作の安定性を向上させる。
【００４１】
リードリトライ処理部１２２は、更に、記録部でベリファイでリードエラーが発生した際のベリファイリトライ時に、同様にパラメータ設定値を設定変更しながらベリファイリトライを繰り返し、リトライ成功時にパラメータ設定値を統計情報として保存し、統計情報に基づく学習処理によりパラメータ設定値を更新する。このためライト動作におけるイレーズ、ライトに続くベリファイでリードエラーとなったときのベリファイリトライの成功までの回数を低減し、リトライ失敗によるリードエラーの発生頻度を低減し、ライト動作の安定性を向上させる。
【００４２】
光記憶媒体としてレーザビームのビーム径より小さい記録密度で記録するＭＳＲ媒体（磁気超解像媒体）を使用した場合、本発明の光学的記憶装置は、図１（Ｃ）のように、再生のためのパラメータとして、再生磁界Ｈ、リードパワーＰｒ、ローパスフィルタのカットオフ周波数ＦｃとブーストＦｂ、スライス回路のスライスレベルＳ、データ弁別器のウィンドウ値（ウィンドウ遅延時間）Ｗ、フォーカスオフセットＦＣＯを設定し、リードリトライ時に、複数種類のパラメータを順次切り替えて設定変更しながらリードリトライを繰り返す。
【００４３】
また光記憶媒体としてレーザビームのビーム径に依存した記録密度で記録するＭＯ媒体等の光磁気媒体を使用した場合、本発明の光学的記憶装置は、再生のためのパラメータとして、ＭＲＳ媒体に固有な再生磁界Ｈを除く、リードパワーＰｒ、ローパスフィルタのカットオフ周波数ＦｃとブーストＦｂ、スライス回路のスライスレベルＳ、データ弁別器のウィンドウ値（ウィンドウ遅延時間）Ｗ、フォーカスオフセットＦＣＯを設定し、リードリトライ時に、複数種類のパラメータを順次切り替えて設定変更しながらリードリトライを繰り返す。
【００４４】
リードリトライ処理部１２２は、リードリトライ時に、パラメータ設定値にリトライオフセットを加算するパラメータの設定変更と、パラメータ設定値からリトライオフセットを減算するパラメータの設定変更を、交互（トグル的）に繰り返しながらリードリトライを行い、成功時のパラメータ設定値とリトライオフセットを加算したか又は減算したかを統計情報として保存する。
【００４５】
例えばリトライ１回目は、そのときのパラメータ設定値（＝デフォルト＋テストオフセット）にリトライオフセットを加算し、不成功となったリトライ２回目では、パラメータ設定値（＝デフォルト＋テストオフセット）からリトライオフセットを減算する。これによりパラメータ設定値を中心としたプラス、マイナスの同程度の範囲でパラメータを設定変更してリトライ成功の機会を増加させ、少ないリトライ回数で成功させて成功率を高める。
【００４６】
またパラメータの設定変更がデフォルトを中心としてプラス、マイナスの方向に略均等に変更されるため、パラメータ変更によるリトライの回数が増加し、デフォルトから急速に離れて限界値に至ることを回避できる。
【００４７】
統計情報に基づくパラメータ設定値の更新は、統計情報に基づき成功したリトライオフセットの加算回数と成功したリトライオフセット減算回数の総和の絶対値が所定の閾値以上のとき、リトライに成功したパラメータ設定値に近づけるようにデフォルトに加算するテストオフセットを更新する。例えばリトライに成功したリトライオフセットの半分だけデフォルトに加算するテストオフセットを増加又は減少して最適パラメータを更新する。
【００４８】
このようにリトライを成功させたパラメータ設定値の統計情報を学習し、リトライを成功させるパラメータの統計的な傾向に併せて通常のリードやベリファイで使用するパラメータを更新することで、その後のリードやベリファイでのエラー低減できる。
【００４９】
リトライ処理部は、パラメータ設定値を、光記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、光記憶媒体の記録領域を複数のエリアに分化した各エリア、装置内の温度の少なくともいずれかに応じて設定変更する。
【００５０】
このためリトライ処理部は、パラメータ設定値（デフォルト＋テストオフセット）とパラメータの設定変更に使用するリトライオフセットを、例えば図１（Ｃ）のように、光記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、光記憶媒体の記録領域を複数のエリアに分化した各エリア、装置内の温度に応じて予め準備し、リトライ時のゾーン、エリア、装置内温度に基づき、対応するパラメータ設定値にリトライオフセットを加算してパラメータを設定変更する。
【００５１】
これによってリトライ時のパラメータの設定変更が光記憶媒体のゾーン、エリア、装置内温度に応じて最適化でき、リトライ成功率を向上できる。
【００５２】
本発明の光学的記憶装置は、更に、図１（Ｂ）のように、テストリードにより最適パラメータ設定値を与えるデフォルトに加算するテストオフセットを決定し、テストリードからの経過時間が所定時間に達した時、又はテストリード時の装置温度を基準温度とした所定値を越える温度変化が発生した時に次のテストリードを行うテスト処理部１２６を備える。
【００５３】
この場合、リードリトライ処理部１２２は、リトライ成功のパラメータ設定情報を保存した統計情報に基づいてパラメータを更新した際に、テスト処理部１２６の経過時間を初期化すると共に、基準温度をリトライ成功時の装置内温度に更新して次のテストリードを判断させる。
【００５４】
これによってリードリトライやライトリトライの成功で得られたパラメータ設定値に基づき通常のリードやベリファイで使用するパラメータを更新する処理が、テスト処理部１２６で最適パラメータを決定するテスト処理と同等の処理と見做され、リトライがテスト処理の一部に組み込まれることで、媒体のアクセスを中断して実行されるテスト処理の発生頻度を低減し、全体としてのアクセス性能を向上する。
【００５５】
本発明の光学的記憶装置において、リードリトライ処理部１２２は、ベリファイリトライが不成功となった場合、ライトリトライ処理部１２５により、光記憶媒体にデータを記録するためのライトパワーを設定変更しながらイレーズ、ライト、ベリファイのライト動作を繰り返す。このようにリードリトライが不成功に終っても、更にライトパワーを変更しながらライトリトライを繰り返すことで、リトライの成功率を更に向上できる。
【００５６】
このときリトライ処理部は、ライトリトライ時に、ライトパワーの設定値にリトライオフセットを加算するパラメータの設定変更とライトパワー設定値からリトライオフセットを減算するパラメータの設定変更を交互に行いながらライトリトライを繰り返す。
【００５７】
またリトライ処理部は、ライトリトライの成功時に、成功したライトパワー設定値とリトライオフセットを加算したか減算したかを学習結果として保存し、前記学習結果において成功したリトライオフセットの加算回数と成功したリトライオフセットの減算回数の総和の絶対値が所定の閾値以上のとき、前記ライトパワー設定値をリトライに成功した最新のライトパワー設定値に近づけるように更新する。
【００５８】
リトライ処理部は、ライトリトライ時に光記憶媒体にフォーマットされた各ゾーン、光学的記録媒体の記録領域を複数のエリアに分割した各エリア、装置内の温度の少なくともいずれかに応じてライトパワーを設定変更する。
【００５９】
（成功リトライの反映）
本発明は、成功したリードリトライの情報を統計情報として保存し、次のリートリトライ時に統計情報から成功率の高いリードリトライの条件を取り出してリトライ成功率を向上させる光学的記憶装置を提供する。
【００６０】
本発明の光学的記憶装置は、レーザビームにより光記憶媒体にデータを記録する記録部と、再生に必要なパラメータを最適な値に設定することによって、光記憶媒体に記録されているデータを再生する再生部とを備える。
【００６１】
本発明は、リトライ処理部を更に設け、リトライ処理部は、再生部でリードエラーが発生した際のリードリトライ時に、過去の成功したリトライ情報に基づいて成功率の高いリードリトライを行い、リトライ成功時に成功したリトライ情報を保存することを特徴とする。
【００６２】
このように成功したリトライ情報が次のリードリトライに反映されることで、複数種類のパラメータを切り替えて設定変更しながら行うリトライの成功率が飛躍的に高まり、固定的に決められた順番に複数種類のパラメータを切り替えて設定変更しながら行うリトライに比べ、成功するまでのリトライ回数が低減し、リトライ実施時間を短縮する。
【００６３】
リトライ処理部は、更に、記録部でベリファイでリードエラーが発生した際のベリファイリトライ時に、過去の成功したリトライ情報に基づいてリードリトライを行い、リトライ成功時に成功したリトライ情報を保存する。このようにライト動作のイレーズ、ライトに続くベリファイでのリードエラーに対するリトライについても、同様に成功するまでのリトライ回数が低減し、リトライ実施時間を短縮する。
【００６４】
リトライ処理部は、複数種類のパラメータを切り替えて設定変更しながらリトライを実行して成功したパラメータ設定値を統計情報として保存し、新たなリードリトライ時には、前回の成功したパラメータ設定値からリードリトライを開始し、リトライ成功時に成功したパラメータ設定値を記憶する。
【００６５】
これよって、前回成功した特定のパラメータ設定値が次のリトライ時に使用され、連続セクタのリードのように、リトライ条件が変っていなければ、１回のリトライで成功することができる。
【００６６】
リトライ処理部は、複数種類のパラメータを切り替えて設定変更しながらリトライを実行して成功したパラメータ設定値と各パラメータ毎の成功回数を統計情報として保存し、新たなリードリトライ時には、統計情報の成功回数の多い順にパラメータ設定値を選択してリードリトライを繰り返す。
【００６７】
このように各パラメータにつき過去に成功した回数が統計情報として保存されていることで、新たなリトライ時に最も成功率の高い特定のパラメータ設定値を選択してリトライを実行することとなり、成功するまでのリトライ回数が低減し、リトライ実施時間を短縮する。
【００６８】
本発明の光学的記憶装置において、光記憶媒体としてレーザビームのビーム系より小さい記録密度で記録するＭＳＲ媒体（磁気超解像媒体）を使用した場合、パラメータとして、再生磁界、リードパワー、ローパスフィルタのカットオフ周波数とブースト、スライス回路のスライスレベル、データ弁別器のウィンドウ値（ウィンドウ遅延時間）、フォーカスオフセットを切り替えて設定変更しながらリトライを実行する。
【００６９】
また光記憶媒体としてレーザビームのビーム系に依存した記録密度で記録するＭＯ媒体等の光磁気媒体を使用した場合、ＭＳＲ媒体に固有な再生磁界を除いたパラメータとして、リードパワー、ローパスフィルタのカットオフ周波数とブースト、スライス回路のスライスレベル、データ弁別器のウィンドウ値（ウィンドウ遅延時間）、フォーカスオフセットを切り替えて設定変更しながらリトライを実行する。
【００７０】
リトライ処理部は、リードリトライ時に、パラメータ設定値にリトライオフセットを加算するパラメータの設定変更と、パラメータ設定値からリトライオフセットを減算するパラメータの設定変更を交互に繰り返す。
【００７１】
リトライ処理部は、成功したリトライにおけるパラメータ設定の統計情報を、装置内温度、媒体にフォーマットされた各ゾーン、光記憶媒体の種別、又はシーク距離に応じて保存する。リトライに使用する各種パラメータは、装置内温度、媒体ゾーン、光記憶媒体の種別、又はシーク距離の条件によりリトライ成功率が異なることから、各条件に応じて使い分けることで、リトライ成功率を更に向上できる。
【００７２】
装置内温度については、例えば４０℃では、リードパワーを設定変更したリトライで成功するが、５０℃に上昇すると例えばフォーカスオフセットを設定変更したリトライで成功するという場合がある。このため成功したパラメータ設定値及び成功回数を装置温度に分けて保存し、リトライ時には装置温度に対応した統計情報から成功率の高いパラメータのリトライを選択して実行する。
【００７３】
媒体ゾーンについては、ゾーン毎に記録周波数が異なっており、このため最インナで成功したリトライが最アウタで適切である可能性は少ない。そこで成功したリトライの統計情報を各ゾーンに分けて保存し、リトライ時には現在ゾーンに対応した統計情報から成功率の高いパラメータ情報を選択してリトライを実行する。
【００７４】
媒体種別については、例えばＭＯ媒体として１２８ＭＢ媒体、２３０ＭＢ媒体、５４０ＭＢ媒体、６４０ＭＢ媒体があり、１２８ＭＢ媒体と２３０ＭＢ媒体はＰＰＭ記録、５４０ＭＢ媒体と６４０ＭＢ媒体とＰＷＭ記録である。更に１．３ＧＢのＭＳＲ媒体がある。このように媒体種別が異なると記録再生の手法が異なることから、媒体毎に分けて成功したリトイライの統計情報を保存し、リトライ時には媒体種別に対応した統計情報から成功率の高いパラメータ情報を選択してリトライを実行する。
【００７５】
更にシーク動作を伴うセクタ位置付けで生ずるリードエラーについては、シーク距離によってリトライが成功するパラメータが異なることから、シーク距離により分けて成功したリトライの統計情報を保存し、新たなシーク位置付けのリトライ時には、そのときのシーク距離に対応した統計情報から成功率の高いパラメータ情報を選択してリトライを実行する。
【発明の効果】
【００７６】
以上説明してきたように本発明によれば、ＭＳＲ媒体のリードリトライの際に再生磁界の値を変更し、変更した再生磁界でリードリトライを行うことでリトライを成功させ、リトライアウトによってリードエラーが発生する頻度を大幅に低減して、安定したリード動作を保証することができる。
【００７７】
また本発明は、リードリトライが成功したら成功時のパラメータ設定値を統計情報として保存し、この統計情報の学習処理により、パラメータをリトライ成功となったパラメータ設定値に近付けるように自動的に更新してリトライ成功条件をパラメータの決定に反映させることで、リードリトライの成功までの回数を低減して成功率を高め、リトライ失敗によるリードエラーの発生頻度を低減し、リード動作の安定性を向上できる。
【００７８】
更に本発明は、過去のリードリトライについて成功したリトライ情報を保存し、新たなリトライ時に、保存している成功したリトライ情報を使用してリードリトライを行うことで、複数種類のパラメータを切り替えて設定変更しながら行うリードリトライの成功率が飛躍的に高まり、複数種類のパラメータを固定的に切り替えて設定変更しながら行うリトライに比べ、成功するまでのリトライ回数が大幅に低減し、リトライ実施時間を大幅に短縮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７９】
＜目 次＞
１．装置構成
２．ＭＳＲ媒体のリードリトライ
３．パラメータの統計的更新
４．成功リトライの反映
１．装置構成
図２は、本発明の光学的記憶装置である光ディスクドライブの回路ブロック図である。本発明の光ディスクドライブは、コントロールユニット１０とエンクロージャ１１で構成される。コントロールユニット１０には光ディスクドライブの全体的な制御を行うＭＰＵ１２、上位装置との間でコマンド及びデータのやり取りを行うインタフェース１５、光ディスク媒体に対するデータのリード・ライトに必要な処理を行う光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）１４、ＤＳＰ１６、及びバッファメモリ１８が設けられる。
【００８０】
バッファメモリ１８は、ＭＰＵ１２、光ディスクコントローラ１４、及び上位インタフェース１５で共用される。光ディスクコントローラ１４には、フォーマッタとＥＣＣ処理機能が設けられる。
【００８１】
光ディスクドライブにカートリッジ媒体が投入されると、媒体種別がＭＰＵ１２で認識され、媒体種別に応じた記録再生機能が光ディスクコントローラ１４及びＤＳＰ１６でセットアップされる。この光ディスクドライブは、１２８ＭＢ、２３０ＭＢ、５４０ＭＢ及び６４０ＭＢのＭＯ媒体、及び１．３ＧＢのＭＳＲ媒体に対応できる。
【００８２】
カートリッジ媒体の記録フォーマットはゾーンＣＡＶである。更に、媒体の記録方式は、１２８ＭＢと２３０ＭＢ媒体が、媒体上のマークの有無に対応してデータを記録するピットポジション記録（ＰＰＭ記録）である。５４０ＭＢ及び６４０ＭＢのＭＯ媒体、及び１．３ＧＢのＭＳＲ媒体は、マークのエッジ即ち前縁と後縁をデータに対応させるパルス幅記録（ＰＷＭ記録）である。
【００８３】
光ディスクドライブにＭＯカートリッジ媒体をローディングした際には、まず媒体のＩＤ部をリードし、そのピット間隔等からＭＰＵ１２において媒体の種別を認識し、種別を光ディスクコントローラ１４、ＤＳＰ１６、ライトＬＳＩ２０、リードＬＳＩ２４に通知し、媒体に適合した記録再生機能を確立する。
【００８４】
光ディスクコントローラ１４は、カートリッジ媒体投入後のライトアクセス時には、フォーマッタでＮＲＺライトデータを媒体のセクタ単位に分割して記録フォーマットを生成し、ＥＣＣ処理によりセクタライトデータ単位にＥＣＣコードを生成して付加し、必要ならばＣＲＣコードを生成して付加し、更に例えば１−７ＲＬＬ符号に変換してライトＬＳＩ２０に出力する。
【００８５】
ライトＬＳＩ２０はライト変調回路とレーザダイオード制御回路を内蔵する。レーザダイオードユニット３０は、レーザダイオードとモニタ用ディテクタを内蔵する。
【００８６】
ライトＬＳＩ２０は、光ディスクコントローラ１４からのセクタライトデータを、媒体種別に応じてＰＰＭ記録データ又はＰＷＭ記録データに変換してレーザダイオードユニット３０に供給し、ライトビームにより媒体に書き込む。
【００８７】
この書込動作は、媒体上の指示セクタにビーム位置決めした状態で、イレーズ、ライト、ベリファイを行う。ベリファイの際にリードエラーが発生すると、ベリファイリトライとなり、本発明ではリードに必要な各種のパラメータを切り替えて設定変更しながらベリファイリトライを実行する。
【００８８】
リードＬＳＩ２４は、リード復調回路と周波数シンセサイザを内蔵する。リードＬＳＩ２４に対しては、エンクロージャ１１に設けたＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２によるリードビームの戻り光の受光信号が、ヘッドアンプ３４を介してＩＤ信号及びＭＯ信号として入力されている。
【００８９】
リードＬＳＩ２４には、ＡＧＣ回路、フィルタ、データ弁別器等の復調回路が内蔵され、入力したＩＤ信号及びＭＯ信号よりリードクロックとリードデータを作成し、ＰＰＭ記録データ又はＰＷＭ記録データから元のＮＲＺデータを復調している。
【００９０】
またスピンドルモータ４０の制御としてゾーンＣＡＶを採用していることから、ＭＰＵ１２からリードＬＳＩ２４に内蔵した周波数シンセサイザに対しゾーン対応のクロック周波数を発生させるための分周比の設定制御が行われている。周波数シンセサイザはプログラマブル分周器を備えたＰＬＬ回路であり、媒体のゾーン位置に応じて予め定めた固有の周波数をもつ基準クロックをリードクロックとして発生する。
【００９１】
リードＬＳＩ２４で復調されたリードデータは、光ディクスコントローラ１４に与えられ、１−７ＲＬＬ符号の逆変換後にＣＲＣチェックとＥＣＣ処理を受けてＮＲＺセクタデータが復元され、フォーマッタによりＮＲＺリードデータのストリームに繋げた後に、バッファメモリ１８を経由して上位インタフェース１５により上位装置に転送される。
【００９２】
リードアクセスでリードエラーが発生すると、リードリトライが行われる。本発明のリードリトライは、再生に必要な各種のパラメータを切り替えて設定変更しながらリードリトライを実行する。
【００９３】
ＭＰＵ１２に対しては、ＤＳＰ１６を経由してエンクロージャ１１側に設けた温度センサ３６の検出信号が与えられている。ＭＰＵ１２は、温度センサ３６で検出した装置内の環境温度に基づき、レーザダイオード制御ユニット３０におけるリード、ライト、イレーズの各発光パワーを媒体上で実際に記録再生を行うテスト処理により最適値に制御する。
【００９４】
ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ３８によりエンクロージャ１１側に設けたスピンドルモータ４０を制御する。ＭＯカートリッジの記録フォーマットはゾーンＣＡＶであることから、スピンドルモータ４０を一定回転数で駆動する。
【００９５】
ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６からドライバ４２を介してエンクロージャ１１側に設けた磁場印加ユニット４４を制御する。磁場印加ユニット４４は装置内にローディングされたＭＯカートリッジのビーム照射側と反対側に配置されており、ＭＯ媒体については、記録時及び消去時に媒体に外部磁界を供給し、ＭＳＲ媒体については、記録時及び消去時に加え再生時にも媒体に外部磁界を供給する。
【００９６】
磁場印加ユニット４４としては、通常、電磁石を使用するが、これ以外に本発明の校正処理により決定された最適磁場が得られる永久磁石でもよいし、更には、電磁石と永久磁石を組み合わせたものであってもよい。
【００９７】
磁場印加ユニット４４によるＭＳＲ媒体の再生時の外部磁界は、ＦＡＤ媒体については再生磁界Ｈｒであり、ＲＡＤ媒体については、初期化磁界Ｈｉである。更に、再生時の磁場印加ユニット４４による外部磁界は、本発明にあっては、ＭＰＵ１４の処理機能として実現されるテスト処理により、例えばＭＳＲ媒体の再生に必要なパラメータである再生磁界とリードパワーを最適値の組に決定する。このテスト処理は、再生磁界、リードパワー以外のパラメータについても行われる。
【００９８】
ＤＳＰ１６は、媒体に対しレーザダイオード３０からのビームの位置決めを行うためのサーボ機能を備え、目的トラックにシークしてオントラックするためのシーク制御を行う。このシーク制御は、ＭＰＵ１２による上位コマンドに対するライトアクセス又はリードアクセスに並行して同時に実行することができる。
【００９９】
ＤＳＰ１６のサーボ機能を実現するため、エンクロージャ１１側の光学ユニットに媒体からのビーム戻り光を受光する多分割ディテクタ４６を設け、ＦＥＳ検出回路（フォーカスエラー信号検出回路）４８が、多分割ディテクタ４６の受光出力からフォーカスエラー信号Ｅ１を作成してＤＳＰ１６に入力している。
【０１００】
またエンクロージャ１１側の光学ユニットに媒体からのビーム戻り光を受光する多分割ディテクタ４６を設け、ＴＥＳ検出回路（トラッキングエラー信号検出回路）５０が多分割ディテクタ４６の受光出力からトラッキングエラー信号Ｅ２を作成し、ＤＳＰ１６に入力している。トラッキングエラー信号Ｅ２はＴＺＣ検出回路（トラックゼロクロス検出回路）５３に入力され、トラックゼロクロスパルスＥ３を作成してＤＳＰ１６に入力している。
【０１０１】
更にＤＳＰ１６は、媒体上のビームスポットの位置を制御するため、ドライバ５８，６２，６６を介してフォーカスアクチュエータ６０、レンズアクチュエータ６４及びＶＣＭ６８を制御駆動している。
【０１０２】
ここでエンクロージャ１１の概略は図３のようになる。ハウジング６７内にはスピンドルモータ４０が設けられ、スピンドルモータ４０の回転軸のハブに対しインレットドア６９側よりＭＯカートリッジ７０を挿入することで、内部のＭＯ媒体７２がスピンドルモータ４０の回転軸のハブに装着されるローディングが行われる。ローディングされたＭＯカートリッジ７０のＭＯ媒体７２の下側には、ＶＣＭ６８により媒体トラックを横切る方向に移動自在なキャリッジ７６が設けられている。
【０１０３】
キャリッジ７６上には対物レンズ８０が搭載され、固定光学系７８に設けているレーザダイオードからのビームをプリズム８２を介して入射し、ＭＯ媒体７２の媒体面にビームスポットを結像している。
【０１０４】
対物レンズ８０は図２のエンクロージャ１１に設けたフォーカスアクチュエータ６０により光軸方向に移動制御され、レンズアクチュエータ６４により媒体トラックを横切る半径方向に例えば数十トラックの範囲内で移動することができる。
【０１０５】
尚、図２は、光ピックアップとしてレンズアクチュエータ６４とＶＣＭ６８を備えたダブル駆動型を例にとるが、レンズアクチュエータ６４を持たないＶＣＭ６８のみシングル駆動型も含む。
【０１０６】
２．ＭＳＲ媒体のリードリトライ
図４は、ＭＳＲ媒体のリードリトライ処理を行うための本発明の第１実施形態の機能ブロック図である。このリードリトライ処理のための機能は、図２のＭＰＵ１２、光ディスクコントローラ１４、ＤＳＰ１６、ライトＬＳＩ２０及びリードＬＳＩ２４により実現される。
【０１０７】
図４において、ＭＳＲ媒体のリードのためリード処理部８４が設けられ、またリード動作の際のエラーに対するリードリトライのためにリードリトライ処理部８６が設けられる。リード処理部８４及びリードリトライ処理部８６に対しては、再生磁界及びリードパワーを最適値に制御するために使用するデフォルトテーブル８８、テストリードオフセットテーブル９０、リトライオフセットテーブル９２が設けられる。
【０１０８】
更にリード動作及びリトライ動作の制御指示のためのレジスタ群９４が設けられる。このレジスタ群９４には、リード指示、ライト指示、リトライ指示、媒体種別、装置内温度Ｔ、トラック番号ＴＫ、セクタ番号ＳＳ、ゾーン番号Ｚｉが必要に応じて格納される。
【０１０９】
リード処理部８４は、レジスタ９６に再生磁界の設定値を格納すると同時に、レジスタ９８にリードパワーの設定値を格納し、ＤＡコンバータ１０４，１０６でアナログ制御信号に変換し、図２のドライバ４２を介して磁界印加部４４の電磁石に駆動電流を流すことで再生磁界を発生し、またレーザダイオードユニット３０のレーザダイオードに発光電流を流すことで、設定したリードパワーのレーザビームを発行する。
【０１１０】
デフォルトテーブル８８には、例えば図５のゾーン分割デフォルトテーブル８８−１のように、ＭＳＲ媒体のゾーンＺ１〜Ｚ１８の１８ゾーンに分けて、再生磁界のデフォルト値Ｈ１〜Ｈ１８とリードパワーのデフォルト値Ｐｒ１〜Ｐｒ１８が格納されている。
【０１１１】
テストリードオフセットテーブル９０は、図６のゾーン分割テストリードオフセットテーブル９０−１のように、ＭＳＲ媒体のゾーンＺ１〜Ｚ１８に分けて、前回までのリードリトライにおけるテストリードで求められたデフォルトに加算するテストオフセットΔＨ１１〜ΔＨ１１８が格納されている。
【０１１２】
更にリトライオフセットテーブル９２には、例えば図７の回数分割リトライオフセットテーブル９２−１のようにリトライ回数ｎに分けて、リトライオフセットΔＨ２１〜ΔＨ２ｎが格納されている。このリトライオフセットテーブルは、具体的には図８のような回数分割のリトライオフセットテーブル９２−２を使用する。
【０１１３】
この回数分割リトライオフセットテーブル９２−２は、リードリトライ回数１〜７回のそれぞれにつき、リトライオフセットΔＨ２として、そのときのデフォルトに対する増加率（パーセント表示）を格納している。例えば、リードリトライの１回目は＋１０％、２回目は−１０％、３回目は＋２０％、４回目は−２０％、５回目は＋３０％、６回目は−３０％、７回目は＋４０％とするリトライオフセットΔＨ２を格納している。
【０１１４】
リード処理部８４は、通常のリード動作時に、アクセスするゾーンＺｉに対応した再生磁界のデフォルトＨｉを図５のゾーン分割デフォルトテーブル８８−１から読み出し、同時に同じゾーンＺｉのテストリードオフセットΔＨ１ｉを図６のゾーン分割テストリードオフセットテーブル９０−１から読み出し、再生磁界Ｈとして
Ｈ＝Ｈｉ＋ΔＨ１ｉ
を求めてレジスタ９６に設定し、最適な再生磁界を作り出している。
【０１１５】
このようなリード処理部８４による最適再生磁界とリードパワーによるリード動作でリードエラーが発生すると、リードリトライ処理部８６が起動する。リードリトライ処理部８６は、１回目のリードリトライでは、例えば図８の回数分割リトライオフセットテーブル９２−２のデフォルトに対する＋１０％のリトライオフセットΔＨ２を読み出し、これに再生磁界のデフォルトＨｉとテストリードオフセットΔＨｉを加えた再生磁界Ｈ＝Ｈｉ＋ΔＨ１ｉ＋ΔＨ２ｉを求め、テストリードを行う。
【０１１６】
テストリードとは、ＭＳＲ媒体のある領域例えば現在アクセスしているゾーンの中の予め定められたテストトラックに対し、リードパワーと再生磁界を変化させながらテストデータのライト動作とリード動作を行い、ＣＮＲ特性（キャリア雑音比特性）やビット不一致数の特性を測定し、エラーレートが規定値を満足するように最適なリードパワー及び再生磁界を求める処理である。このようなテストリードにより最適な再生磁界及びリードパワーを決定する。
【０１１７】
ここでテストリードによる最適な再生磁界は、デフォルトＨｉ及びリトライオフセットΔＨ２ｉは固定値であることから、結果的に最適なテストリードオフセットΔＨ１ｉを決定することを意味する。このようにして最適な再生磁界を与えるテストリードオフセットΔＨ１ｉが決定できたならば、テストリードで求められた再生磁界とリードパワーの最適値を使用して、リードエラーを発生したセクタについてリードリトライを実行する。
【０１１８】
この１回目のリトライを行ってもリードエラーとなってリトライが失敗した場合には、図８の２回目のリードリトライのリトライオフセットΔＨ２であるデフォルトに対する−１０％を選択し、同様にテストリードにより最適な再生磁界を与えるテストリードオフセットΔＨ１ｉを決定し、テストリードで最適な再生磁界及びリードパワーを決定した後に、リードエラーを起こしたセクタに位置付けして２回目のリードリトライを実行する。
【０１１９】
このようにして、図８の場合には最大で７回までのリードリトライが繰り返される。
【０１２０】
図９は、図４のリードリトライ処理部８６で行われるテストリードにおける最適再生磁界の算出処理の一例である。図９において、横軸は再生磁界Ｈ［Ｏｅ：エルステッド］であり、縦軸がリードデータのキャリアノイズ比（ＣＮＲ）である。
【０１２１】
ＭＳＲ媒体の再生磁界は、例えば最低値Ｈｍｉｎ＝１００エルステッドから最大値Ｈｍａｘ＝５００エルステッドの範囲で変化させる。このような再生磁界の変化により特性曲線１０８が得られ、キャリアノイズレシオＣＮＲが所定の閾値ＴＨ＝４７．５ｄＢとなる交点１１０，１１２の再生磁界Ｈｓ＝２００エルステッドとＨｅ＝４５０エルステッドを求める。
【０１２２】
そして最適磁界Ｈｂｅｓｔとして例えばＨｂｅｓｔ＝Ｈｓ＋（Ｈｅ−Ｈｓ）／２として算出する。
【０１２３】
図１０はリトライ時のテストリードで求める最適再生磁界の他の算出処理であり、この場合には再生データのビット不一致数Ｎの特性に基づいて再生磁界の最適値を決めている。即ち横軸に示すように、再生磁界の最低値Ｈｍｉｎ＝１００エルステッドから最大値Ｈｍａｘ＝５００エルステッドまで再生磁界を変化させながらテストリードを行ってリードデータのビット不一致数Ｎを求めると、例えば特性曲線１１４が得られる。
【０１２４】
この測定は例えば５０エルステッド単位に離散的に行われることから、ビット不一致数Ｎが所定の閾値Ｎｔｈ以下となるＨｍｉｎ側の測定点１１６とＨｍａｘ側の測定点１１８の磁界をそれぞれＨｓ，Ｈｅとして求める。そして同様に、最適磁界ＨｂｅｓｔをＨｂｅｓｔ＝Ｈｓ＋（Ｈｅ−Ｈｓ）／２として算出する。
【０１２５】
図１２は、図４のリードリトライ処理で使用するデフォルトテーブルの他の実施形態であり、ＭＳＲ媒体のＺ１〜Ｚ１８の１８ゾーンを例えば３ゾーンごとにグループ化したエリアＡ１〜Ａ６で分けたエリア分割デフォルトテーブル８８−２として再生磁界及びリードパワーのデフォルト値を格納している。
【０１２６】
図１３は、図１２のエリア区分デフォルトテーブル８８−２に対応したエリア区分テストリードオフセットテーブル９０−２であり、同様にＭＳＲ媒体の３ゾーン単位のエリアＡ１〜Ａ６に分けて、テストリードで求めたデフォルトに加算するテストリードオフセットを格納している。
【０１２７】
この図１２，図１３に示すエリア分割のデフォルトテーブル８８−２及びテストリードオフセットテーブル９０−２を使用した場合についても、全く同様にして、図７もしくは図８の回数分割リトライオフセットテーブル９２−１，９２−２を使用した再生磁界の設定値を変更したリードリトライが実行できる。
【０１２８】
図１４は、図４のリードリトライで使用するテストリードオフセットテーブル９０の他の実施形態であり、この実施形態は温度分割テストリードオフセットテーブル９０−３としたことを特徴とする。
【０１２９】
即ち、ＭＳＲ媒体の再生に必要な最適な再生磁界は、装置内の温度Ｔにより異なることから、リードリトライのテストリードで最適なテストリードオフセットΔＨ１ｉが求められたならば、そのときの装置内温度Ｔにより分けて、テストリードで求めた最適テストリードオフセットをテーブルに保存する。
【０１３０】
これによって、図４でリードリトライを行う際には、レジスタ群９４にセットされた装置内温度Ｔにより図１３の温度分割リトライオフセットテーブル９２を参照し、そのときの装置内温度に対応するテストリードオフセットΔＨ１ｉを読み出し、図５のゾーン分割デフォルトテーブル８８−１と図７，図８の回数分割リトライオフセットテーブル９２−１または９２−２からテストリードの再生磁界を求め、テストリードを行って最適なテストリードオフセットを求めた後に、リトライを起こしたセクタに位置付けてリードリトライを行う。
【０１３１】
図１４は、図４の第１実施形態におけるリードリトライ処理のフローチャートである。まずステップＳ１でリードリトライを実行するゾーンＺｉのテストリードで使用する再生磁界Ｈｉを、デフォルトテーブル８８のデフォルト磁界Ｈｉ、テストリードオフセットテーブル９０からの前回のテストリードオフセットΔＨ１ｉ、及びリトライオフセットテーブル９２の１回目のリトライオフセットΔＨ２ｉの加算で求め、ステップＳ２でテストリードにより最適リードパワーと最適再生磁界を与えるテストリードオフセットΔＨ１ｉを決定する。
【０１３２】
続いてステップＳ３で、ステップＳ２で決定した最適リードパワーと最適再生磁界によりリードエラーを起こしたセクタに光ビームを位置付けてリードリトライを実行する。このリードリトライの実行によりステップＳ４でリード成功が判別されると、リードリトライ処理を終了する。
【０１３３】
リード不成功であった場合には、ステップＳ５で、予め定めたリトライ回数例えば７回をオーバーしたか否かチェックし、オーバーしていなければステップＳ６で２回目のリトライオフセットに更新し、再びステップＳ１に戻り、リトライ２回目のテストリードのための再生磁界を設定して、ステップＳ２で最適リードパワーと最適再生磁界を決定し、ステップＳ３で、リードエラーを発生したセクタに続けて２回目のリードリトライを実行する。
【０１３４】
このような再生磁界を変更しながら行うリードリトライにより、アクセス先のセクタに媒体欠陥等のリカバリ不能な要因がない限り、任意のリトライ回数でリード成功となる。もしアクセスセクタに媒体欠陥があった場合には、ステップＳ５でリトライ回数が例えば７回を超えてオーバーとなり、この場合にはステップＳ７でセクタ不良に基づく交替処理を行う。
【０１３５】
３．リードパラメータの統計的更新
図１５は、本発明の光学的記憶装置におけるリトライ処理の第２実施形態の機能ブロック図である。この第２実施形態にあっては、リード動作で使用する各種のパラメータを切り替えて設定変更しながらリードリトライやベリファイリトライを実行し、リトライ成功時に、成功したパラメータ設定情報を統計情報として保存し、保存した統計情報について変更の度合いがある程度大きくなったときに統計情報の傾向に従ってパラメータを最適値に更新し、リトライ成功の条件をパラメータに反映することでリトライ成功率を高めるようにしたことを特徴とする。
【０１３６】
図１５において、リード動作のためリード処理部１２０が設けられ、リード処理部１２０でリードエラーを生じた際のリードリトライのためにリードリトライ処理部１２２が設けられている。
【０１３７】
またライト動作のためライト処理部１２４が設けられ、ライト動作はイレーズ、ライト及びベリファイとなり、ベリファイで生ずるリードエラーに対応してベリファイリトライを行うライトリトライ処理部１２５を設けている。ライトリトライ処理部１２５は、ベリファイリトライで不成功となった場合、ライトパワーを変更しながらテストライトを行うもので、このためテストライトのためにテスト処理部１２６が設けられている。
【０１３８】
テスト処理部１２６は、リードリトライやベリファイリトライとは別に、リード動作およびライト動作で使用する再生磁界とレーザパワーの最適値をテスト処理により決定するもので、媒体投入時に最初のテスト処理を行ない、その後は、テスト処理からの経過時間と装置内温度の変動を監視して次のテスト処理を行っている。
【０１３９】
このようなリード処理部１２０、リードリトライ処理部１２２、ライト処理部１２４、ライトリトライ処理部１２５及びテスト処理部１２６に対し、リード動作及びライト動作、更にはテスト動作に必要な各種のパラメータを設定するため、デフォルトテーブル１２８、テストオフセットテーブル１３０、リトライオフセットテーブル１３２、更に各種の制御指示を行うレジスタ群１３５が設けられている。
【０１４０】
また本発明のリードリトライ処理部１２２にあっては、リードリトライまたはベリファイリトライで成功した際に、成功したリトライ情報、具体的には成功した各種パラメータの設定情報を統計情報として保存するリトライ履歴テーブル１３４を設けている。
【０１４１】
このリトライ履歴テーブル１３４に格納されたリードリトライ及びベリファイリトライの成功で得られたパラメータ設定情報の統計情報を学習することによって、リードリトライ処理部１２２はテストオフセットテーブル１３０のテストオフセットをリトライを成功させる設定値に近付けるように更新する。
【０１４２】
リード処理部１２０に対しては、再生磁界及びリードパワーの各設定値を設定するレジスタ１３６，１３８が設けられる。またリードリトライ処理部１２２に対しては、リードリトライ実行時の再生磁界、リードパワー、カットオフ周波数、ブースト、スライスレベル、ウィンドウ、フォーカスオフセットを設定パラメータとして設定するレジスタ１４０，１４２，１４４，１４６，１４８，１５０，１５２が設けられる。
【０１４３】
これらのレジスタ１４０〜１５２に対応して、レジスタの設定データをアナログ制御信号に変換して対応する回路部のパラメータを制御するＤＡコンバータ１５４，１５６，１５８，１６０，１６２，１６４，１６６が設けられている。
【０１４４】
ライト処理部１２４に対してはライトパワー及びイレーズパワーを設定するレジスタ１６８，１７０が設けられ、ライトリトライ処理部１２５にはベリファイリトライに失敗した後のテストライトでライトパワーを変更するために使用するレジスタ１７２が設けられる。
【０１４５】
またライトパワーの設定レジスタ１６８，１７２に対応してＤＡコンバータ１７４が設けられ、イレーズパワーの設定レジスタ１７０に対応してＤＡコンバータ１７６が設けられている。
【０１４６】
図１６は、図１５のデフォルトテーブル１２８の実施形態であり、ＭＯ媒体やＭＳＲ媒体のゾーンごとに分けてリードリトライ時に切り替えながら設定変更する各種パラメータのデフォルトを格納したゾーン分割デフォルトテーブル１２８−１である。
【０１４７】
例えば１８ゾーンを持つＭＳＲ媒体対応を例にとると、ゾーンＺ１〜Ｚ１８の各ゾーンに分けてリードリトライ時に切り替えて設定変更するパラメータとして、再生磁界、リードパワー、カットオフ周波数、ブースト、ウィンドウ及びフォーカスオフセットのそれぞれのデフォルト値が格納されている。
【０１４８】
このリードリトライ時に切り替えて設定変更するパラメータの内、カットオフ周波数、ブースト、ウィンドウ、フォーカスオフセットは、図１９に取り出して示す図２のリードＬＳＩ２４に内蔵された各回路の回路パラメータを表わす。
【０１４９】
図１９のリードＬＳＩ２４の復調回路は、ヘッドアンプにコンデンサ２８０で入力接続されたクランプ回路２８２、ＡＧＣ回路２８４、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）２８６、イコライザ（ＥＱＬ）２８８、ＳＡＧ除去回路２９０、クランプ回路２９２及びデータ弁別器２９４を備える。
【０１５０】
ローパスフィルタ１８６は、記憶周波数に対応して、カットオフ周波数Ｆｃと高域のゲインを定めるブーストＦｂを外部から回路パラメータとして設定変更することができる。またスライス回路１９２は、復調したＰＷＭデータの読取波形のスライスレベルＳを回路パラメータとして設定変更できる。
【０１５１】
更にデータセパレータとして機能するデータ弁別器１９４は、データ弁別のために設定するウィンドウの遅延時間を外部から設定変更できる。このデータ弁別器１９４は、ＰＷＭパルスのリーディングエッジとトレーニングエッジのそれぞれについて、個別にデータＤＴ１，ＤＴ２とクロックＣＫ１，ＣＫ２を取り出し、後段の回路で両者を合成する。
【０１５２】
図１７は、図１５のテストオフセットテーブル１３０の実施形態であり、図１６と同様、ゾーン分割テストオフセットテーブル１３０−１としており、例えばＭＳＲ媒体の１８ゾーンを例にとると、ゾーンＺ１〜Ｚ１８に対応して、図１６のデフォルトパラメータに加算するテスト処理で求めたテストオフセット例えば再生磁界のテストオフセットΔＨ１１〜ΔＨ１１８を格納している。
【０１５３】
図１８は、図１５のリトライオフセットテーブル１３２の実施形態であり、図１６，図１７のゾーン分割のデフォルト及びテストオフセットの各テーブルに対応して、ゾーン分割リトライオフセットテーブル１３２−１としてゾーンＺ１〜Ｚ１８に対応して各種のパラメータについてのリトライオフセット、例えば再生磁界にあってはリトライオフセットΔＨ２１〜ΔＨ２１８を格納している。
【０１５４】
図１６，図１７，図１８は、ゾーン分割のデフォルトテーブル、テストオフセットテーブル及びリトライオフセットテーブルを例にとるものであったが、図２０，図２１，図２２のように、例えば３ゾーンごとにグループ化したエリアＡ１〜Ａ６で分けたエリア分割のデフォルトテーブル１２８−２、テストオフセットテーブル１３０−２、及びリトライオフセットテーブル１３２−２としてもよい。
【０１５５】
更に図２３，図２４，図２５に示すように、装置内温度Ｔを例えば０℃から６０℃について１０℃範囲の温度領域に分割し、各温度領域について各種のパラメータのデフォルトテストオフセット及びリトライオフセットを各々格納した温度区分のデフォルトテーブル１２８−３、テストオフセットテーブル１３０−３、及びリトライオフセットテーブル１３２−３としてもよい。
【０１５６】
図２６は、図１５のリード処理部１２０及びリードリトライ処理部１２２によるリード処理のフローチャートである。
【０１５７】
図２６において、レジスタ群１３５にリード指示、トラック番号ＴＫ、セクタ番号ＳＳ及びゾーン番号Ｚｉがセットされると、ステップＳ１で目標セクタに光ビームを位置付けるためのシーク動作が実行される。目標セクタに光ビームが位置付けられると、ステップＳ２でリード動作を実行する。
【０１５８】
ステップＳ３でリードが成功すればリード処理を終了する。ステップＳ３でリード処理が不成功になると、ステップＳ４でリードリトライ処理を実行する。このリードリトライ処理は、例えば図１６，図１７，図１８に示したように、ゾーン分割のデフォルトテーブル１２８−１、テストオフセットテーブル１３０−１、及びリトライオフセットテーブル１３２−１を使用して、再生磁界、リードパワー、カットオフ周波数、ブースト、ウィンドウ、フォーカスオフセット等のパラメータを切り替えて設定変更しながらリードリトライを実行する。
【０１５９】
この場合、１つのパラメータにつき例えば図１８のゾーン区分リトライオフセットテーブル１３０−１のように１つのオフセット値しか格納されていないが、このリトライオフセット値を１回目はデフォルトにテストオフセットを加えたパラメータに加算し、２回目のリトライではデフォルトにテストオフセットを加算したパラメータから減算し、デフォルトを中心にプラスとマイナスに交互に切り替えたパラメータの設定変更によるリトライを実行する。
【０１６０】
ステップＳ４の各種のパラメータを切り替えて設定変更しながら行うリードリトライにつき、ステップＳ５でリトライが不成功であれば、ステップＳ６で同一のパラメータについて予め定めた限界値まで変更したか否かチェックし、限界値に達した場合には、ステップＳ７で全てのパラメータの設定変更によるリトライが済んだか否かチェックし、各パラメータにつき限界値までの設定変更と全パラメータについての設定変更が済むまで、ステップＳ４のパラメータを切り替えて設定変更しながら行うリードリトライを繰り返す。
【０１６１】
このようなリードリトライによりステップＳ５でリトライ成功が判別されると、ステップＳ９に進み、成功したリトライのパラメータ設定情報を統計情報として保存し、保存しているパラメータ設定情報を学習して，デフォルトに加算するテストオフセットを更新する。この成功したリトライのパラメータ設定情報に基づくパラメータ更新処理は、例えばステップＳ４のリードリトライ処理においてパラメータをプラスとマイナスに変更していることから、リトライに成功したパラメータの設定変更がプラスかマイナスかの回数をそれぞれカウントし、プラス方向の変化による成功回数とマイナス方向の変化による成功回数との差の絶対値が所定の閾値を超えたときに、最新のリトライ成功のパラメータ設定値に近付けるようにパラメータ、即ちテストオフセットを更新する。
【０１６２】
更に、ステップＳ９でパラメータの更新処理が行われた場合には、ステップＳ１０でテスト処理部１２６で次のテストの必要性を判断するために監視しているテスト実行時からの経過時間を初期化し、且つテスト時の装置内温度を基準温度として所定の温度変化が生じたかどうかでテストの必要性を判断するためのテスト基準温度を、パラメータの更新処理を行った時の装置内温度とする。
【０１６３】
このようなテスト処理部１２６におけるテストの必要性判断のための経過時間の初期化とテスト基準温度の更新によって、リードリトライの成功に基づくパラメータの更新処理、が実質的にテスト処理による最適パラメータの更新と見做され、通常のリード動作やライト動作に反映される。
【０１６４】
図２７は、図２６のステップＳ４におけるリードリトライ処理の具体例であり、パラメータとして再生磁界を選択した場合のリードリトライ処理である。この再生磁界を調整しながら行うリードリトライ処理にあっては、ステップＳ１で前回の再生磁界の設定変更はプラスか否かチェックし、もしプラスであれば、ステップＳ２でリトライオフセットΔＨをマイナスにして、リードリトライに使用する再生磁界を設定する。ここで再生磁界Ｈはデフォルトにテストオフセットを加算した値である。
【０１６５】
一方、ステップＳ１で前回の再生磁界の設定変更がマイナスであった場合には、ステップＳ３でリトライオフセットΔＨをプラスにして再生磁界を設定する。ステップＳ２またはＳ３でリトライオフセットΔＨの減算または加算で求めた再生磁界につき、ステップＳ４でリードリトライを実行する。
【０１６６】
図２８は、図２６のステップＳ４のリードリトライ処理の具体例であり、パラメータとしてリードパワーを選択した場合である。この場合にも、ステップＳ１で前回のリードパワーの設定変更がプラスか否かチェックし、プラスであればステップＳ２でリトライオフセットΔＰｒをマイナスにしてリードパワーＰｒを設定し、逆にマイナスであればステップＳ３でリトライオフセットΔＰｒをプラスにしてリードパワーＰｒを設定し、ステップＳ４でリードリトライを実行する。
【０１６７】
図２９は、パラメータとしてローパスフィルタのカットオフ周波数Ｆｃを選択した場合のリードリトライであり、ステップＳ１で前回のカットオフ周波数の設定変更がプラスであれば、ステップＳ２でリトライオフセットΔＦｃをマイナスにしてカットオフ周波数Ｆｃを設定し、逆にマイナスであれば、ステップＳ３でリトライオフセットΔＦｃをプラスにしてカットオフ周波数Ｆｃを設定して、ステップＳ４でリードリトライを実行する。
【０１６８】
図３０は、設定変更するパラメータとしてローパスフィルタのブーストＦｂを選択した場合のリードリトライであり、ステップＳ１で前回の設定変更がプラスであればステップＳ２でリトライオフセットΔＦｂをマイナスにし、逆にマイナスであればステップＳ３でプラスにし、ステップＳ４でリードリトライを実行する。
【０１６９】
このようなリトライオフセットを前回の設定と逆となるようにプラスとマイナスに変更して行うリードリトライは、図３１のスライス回路のスライスレベルをパラメータとして選択した場合、図３２のデータ弁別器のウィンドウ（遅延時間）をパラメータとして選択した場合、更に図３３のフォーカスアクチュエータで対物レンズを光軸方向に移動するフォーカスオフセットをパラメータとして選択した場合についても同様である。
【０１７０】
また図２６のリードリトライ処理、ステップＳ４で選択するパラメータの順番は、例えば再生磁界、リードパワー、カットオフ周波数、ブースト、ウィンドウ、フォーカスオフセットの順番でもよいし、再生磁界、リードパワーに続いて、フォーカスオフセットを制御し、その後にリードＬＳＩの回路パラメータであるカットオフ周波数、ブースト、ウィンドウの順にパラメータを切り替えてプラスとマイナスに設定変更するリードリトライを行ってもよい。
【０１７１】
また各種パラメータを１つずつ順番に選択せずに、適宜の複数種類のパラメータを組み合わせて選択しながら設定変更してリードリトライを行うようにしてもよい。もちろん、リードリトライのために選択したパラメータについてのみ、デフォルトとテストオフセットを加算した設定パラメータにプラスまたはマイナスのリトライオフセットを加えてリードリトライを実行するが、設定変更の対象となっていないパラメータについては、リトライオフセットを加えないデフォルトにテストオフセットを加算したパラメータ設定値を使用する。
【０１７２】
図３４は、図２６のステップＳ９のリトライ成功のパラメータ設定情報を保存した統計情報に基づくデフォルトパラメータ更新処理のフローチャートである。
【０１７３】
このデフォルトパラメータの統計的な更新処理は、まずステップＳ１でリトライ成功のパラメータはプラスに変更したか否かチェックする。リトライに成功したパラメータがリトライオフセットをプラスして設定変更したことで成功した場合には、ステップＳ２に進み、変数Ｃ１を１つインクリメントする。
【０１７４】
一方、リトライ成功のパラメータは、リトライオフセットのマイナスによる変更の場合にはステップＳ３に進み、別の変数Ｃ２をインクリメントする。続いてステップＳ４で変数Ｃ１と変数Ｃ２の差の絶対値が、予め定めた閾値を超えたか否かチェックする。もし変数Ｃ１と変数Ｃ２の差の絶対値が閾値以上であった場合には、ステップＳ５に進み、デフォルトパラメータをリトライ成功の変更値に基づき所定値だけずらして更新する。
【０１７５】
例えばリトライ成功時のリトライオフセットの半分をデフォルトパラメータに加算した値となるようにテストオフセットを更新する。このデフォルトパラメータの更新の度合いは、リトライ成功の変更値にある程度近付けるので、近付ける度合いは適宜に設定する。デフォルトパラメータの更新が済んだならば、ステップＳ６で変数Ｃ１，Ｃ２をそれぞれ０に初期化し、次の統計的更新処理に備える。
【０１７６】
ここで図３４の統計的更新処理にあっては、リトライ成功時のパラメータのプラスとマイナスの変更に応じて変数Ｃ１，Ｃ２を個別にカウントしているが、変数を１つとし、プラスの変更で加算、マイナスの変更で減算し、その結果をステップＳ４で閾値と比較してもよい。
【０１７７】
もちろん、図３４の統計的なパラメータの更新は、例えば図１６のゾーン分割のデフォルトテーブル１２８−１の場合には、同一ゾーンの同一パラメータ単位に個別に統計的なデフォルトパラメータ更新処理を行うことになる。この点は図２０のエリア分割デフォルトテーブル１２８−２についても同様であり、同一エリアの同一パラメータにつき個別にデフォルトパラメータの更新処理を行う。更に図２３の温度分割デフォルトテーブル１２８−３については、同じ温度区分の同一パラメータごとにデフォルトパラメータの更新処理を行うことになる。
【０１７８】
ここで図１５のテスト処理部１２６による記録再生のための各種のパラメータのテスト処理による最適化を説明すると、次のようになる。
【０１７９】
図３５は、本発明の光学的記憶装置の全体的な処理のフローチャートである。装置電源を投入すると、ステップＳ１で初期化及び自己診断処理を行い、ステップＳ２で媒体の投入を待つ。この状態で媒体を投入すると、ステップＳ３に進み、ディスク起動処理を行う。ステップＳ３のディスク起動処理は、図３１のフローチャートのようになる。
【０１８０】
図３６において、まずステップＳ１で媒体のロードを行って、スピンドルモータにセットして一定速度で回転する。続いてステップＳ２でテスト要求フラグＦＬをセットする。続いてステップＳ３で現在時刻を初期化し、更にステップＳ４で現在の装置内温度Ｔを検出して起動時にレーザダイオードの発光パワーや磁界印加ユニットによる再生磁界を決めるために必要な処理を終了する。
【０１８１】
再び図３５を参照するに、ステップＳ３のディスク起動処理が済むと、ステップＳ４に進み、上位装置からのアクセス要求の有無をチェックする。この実施形態にあっては、媒体のローディングによりディスク起動処理を行っても、その時点では発光パワー及び再生磁界のテスト処理は行わず、ディスク起動処理の通知を受けた上位装置から最初に発行されるテスト指示コマンドを受けて最初の発光パワー及び再生磁界のテスト処理を行うようにしている。
【０１８２】
したがって、ステップＳ４で上位装置から最初に受けるアクセス要求はテスト指示コマンドであり、ステップＳ７でテスト指示であることを判別し、ステップＳ８でライトパワー、イレーズパワー及びリードパワーなどの発光パワーのテスト処理を行った後、ステップＳ９で再生磁界のテスト処理を行う。
【０１８３】
一方、上位装置からテスト指示がなければ、ステップＳ５でテストの必要性を判断し、その結果に基づいてテストの必要ありがステップＳ６で判別されれば、ステップＳ８の発光パワーテスト処理及びステップＳ９の再生磁界テスト処理を行うようになる。上位装置からリードのアクセス要求を受けた場合には、ステップＳ１０に進んでリード要求が判別され、ステップＳ１１以降のリード処理を行う。
【０１８４】
このリード処理にあっては、ステップＳ１１でまずテスト処理中か否かチェックする。テスト処理中であればステップＳ１２でテスト処理を一旦中断し、ステップＳ１３でリード処理を行う。リード処理が済んだならば、ステップＳ１４でリードエラーの有無をチェックする。
【０１８５】
もしリードエラーがあれば、ステップＳ１５で再生磁界テスト処理を実行した後に、ステップＳ１６でリトライ処理を行う。リードエラーがなければステップＳ１７に進み、テスト処理中断を行ったか否かチェックし、もしテスト処理を中断していれば、ステップＳ１８で、中断した時点からテスト処理を再開する。
【０１８６】
このようにして一連のリード処理が済むと、ステップＳ１９で媒体排出の有無をチェックし、媒体排出がなければ、ステップＳ２０で装置停止指示の有無をチェックした後、ステップＳ４に戻り、次の媒体投入を待って同様な処理を繰り返す。一方、上位装置からライトアクセスの要求があった場合には、ステップＳ２１に進んでライト要求を判断し、ステップＳ２２でライト処理を行うようになる。
【０１８７】
図３７は、図３５のステップＳ５におけるテストの必要性判断処理のフローチャートである。テストの必要性判断処理にあっては、まずステップＳ１で現在時刻を読み込み、ステップＳ２で光ディスクドライブの起動から前回のテスト処理までの時間Ａを算出する。
【０１８８】
ステップＳ３では、起動からの時間Ａを予め定めた一定時間例えば２０秒で割ることで、単位時間数Ｂに変換する。ステップＳ４にあっては、単位時間数Ｂが８未満、即ち起動から最初のテストライトまでの時間Ａが１６０秒未満か否かチェックする。１６０秒未満であればステップＳ５に進み、単位時間数Ｂは４未満か、即ち時間Ａは８０秒未満か否かチェックする。
【０１８９】
時間Ａが８０秒から１６０秒の間であった場合には、ステップＳ６で単位時間数Ｂを３、即ち時間Ａを６０秒にクリップして、ステップＳ７に進む。ステップＳ５で時間Ａが８０秒未満であった場合には、そのままステップＳ７に進む。ステップＳ７では、前回のテスト処理で決定されている最適値（発光パワー及び再生磁界）の使用を保証する有効時間Ｃを算出する。
【０１９０】
この場合、有効時間Ｃは２０秒×２B（単位時間数）とする。但し、有効時間の最大値は１６０秒にリミットされる。この結果、テスト処理で決定された最適値を保証する有効時間Ｃは、起動から最初のテスト処理までの時間Ａが１６０秒未満であれば２Bに対応した時間に設定される。１６０秒以上の場合には、一定の有効時間Ｃ＝１６０秒に固定される。
【０１９１】
このような有効時間Ｃの算出は、光ディスクドライブにローディングした媒体の媒体温度が装置内温度に安定するまでに掛かる時間に応じて可変させている。即ち、媒体をローディングした直後の初期段階にあっては、媒体と装置内の温度の間には差があることから、この段階では装置内温度に基づいたテストは有効にできないことから、起動時にはテスト処理は行わない。ローディングした媒体の温度は１〜２分程度経過すると装置内の温度に平衡してくる。
【０１９２】
そこで光ディスクドライブ起動後の最初に上位装置からライトコマンドが発行されたタイミングに同期して最初のテスト処理を行う。起動後、上位装置からライトコマンドが発行されるタイミングは様々であることから、図３７のステップＳ１〜Ｓ７において、起動から最初の発光調整までの時間Ａを求め、この時間Ａから次回以降のテストタイミング判別のための有効時間Ｃを決めるようにしている。ステップＳ７で有効時間Ｃが算出できたならば、ステップＳ８で、有効判定時刻Ｄを前回のテストライト時刻に算出した有効時間Ｃを加えた時刻として算出する。
【０１９３】
そしてステップＳ９で、現在時刻が有効判定時刻Ｄを超えたか否か判定する。現在時刻が有効判定時刻Ｄに達していれば、ステップＳ１４に進んでテスト処理フラグをオンし、図３０のステップＳ６にリターンする。ステップＳ９で現在時刻が有効判定時刻Ｄを超えていなければ、ステップＳ１３でテスト処理フラグをオフとする。
【０１９４】
またステップＳ４で単位時間数Ｂが８以上、即ち１６０秒以上の場合には、ステップＳ１０に進み、現在時刻から前回のテスト処理時刻を引いた時間が１時間未満か否かチェックする。１時間未満であればステップＳ１１で現在温度を読み込み、ステップＳ１２で前回温度に対し現在温度が±３℃の範囲内か否かチェックする。
【０１９５】
３℃以内であれば、ステップＳ１３でテスト処理フラグをオフし、テスト処理は行わない。前回温度に対し±３℃の範囲を超える温度変動があった場合には、ステップＳ１４でテスト処理フラグをオンし、テスト処理を実行する。またステップＳ１０で現在時刻と前回のテスト処理時刻との差が１時間以上の場合には、ステップＳ１４で強制的にテスト処理フラグをオンしてテスト処理を実行する。
【０１９６】
尚、テスト処理の必要性判断処理で設定されている各閾値時間は必要に応じて適宜に定めることができる。
【０１９７】
図３８は、図１５のライト処理部１２４及びライトリトライ処理部１２５によるライト処理のフローチャートである。このライト処理にあっては、ライト処理部１２４がステップＳ１でレジスタ群１３５のライト指示、トラック番号ＴＫ、セクタ番号ＳＳ、ゾーン番号Ｚｉに基づき、目標セクタに光ビームを位置付けるシーク動作を実行し、目標セクタに光ビームを位置付けると、ステップＳ２でイレーズを実行し、次にステップＳ３でライトを実行し、最終的にステップＳ４でベリファイリードを実行する。ステップＳ５でベリファイ成功であればライト動作は正常終了となる。
【０１９８】
ステップＳ５でベリファイが不成功であった場合には、ステップＳ６に進み、ベリファイリトライのためのリードリトライ処理を実行する。このリードリトライ処理は、図２６のリード処理の場合と同じになる。ステップＳ７でリードリトライが成功すれば、ステップＳ１４に進み、成功したリードリトライのパラメータ設定情報を統計情報として保存し、図３４のフローチャートに示した統計的更新処理に従ってパラメータの更新を行う。
【０１９９】
更にステップＳ１４で、テスト処理部１２６における経過時間の初期化とテスト基準温度の更新を、デフォルトパラメータの更新の対象となった成功したリードリトライの時点とそのときの装置内温度により行う。
【０２００】
更に図３８のベリファイリトライとしてのリードリトライにあっては、ステップＳ８でパラメータの設定変更が限界値に達し、ステップＳ９で全パラメータの設定変更が済んでもリードリトライに成功しなかった場合には、ステップＳ１０のライトリトライ処理を行う。
【０２０１】
このライトリトライ処理は、ライトパワーを変化させながらイレーズ、ライト、ベリファイを繰り返す。このライトリトライで成功すれば、ステップＳ１１からステップＳ１４に進み、成功したライトリトライの設定変更したライトパワーをパラメータ設定情報として保存し、ステップＳ１０におけるライトパワーの設定変更もプラスへの変更とマイナスへの変更を交互に行っていることから、図３４のフローチャートに示した統計的更新処理に従って、ライトパワーのデフォルトに加算するテストオフセットをライトリトライ成功の設定変更したライトパワーに近付けるように更新する。またライトパワーを更新した場合には、ステップＳ１５でテスト判断処理の初期化を行う。
【０２０２】
一方、ステップＳ１０でライトパワーを設定変更しながらライトリトライ処理を行ってもライトリトライが成功せず、ステップＳ１２でライトパワーの設定変更が限界値に達した場合には、目標セクタについてはリードリトライ及びライトリトライのいずれによっても記録再生が成功しないことから、ステップＳ１３で不良セクタの交替処理を行う。
【０２０３】
図３９は、図３８のステップＳ１０のライトリトライ処理の詳細である。このライトリトライ処理にあっては、図４０のような回数区分のリトライオフセットテーブル１３２−４を使用してライトリトライを実行する。このテーブルには、ライトリトライの１回目でリトライオフセットΔＰｗとしてデフォルトの０％、即ちデフォルトライトパワーをそのまま使用し、２回目は＋３％、３回目は−３％、４回目は＋６％、５回目は−６％としている。
【０２０４】
更にライトパワーをプラスとマイナスに変化させてもライトリトライに成功しなかった場合には、６回目，７回目についてはテストライトを行う。このテストライトは、図１５のテスト処理部１２６によりゾーン内の特定のテストトラックに光ビームを位置決めし、ライトパワーを変化させながらイレーズ、ライト、ベリファイを行って、最適なライトパワーを求める。
【０２０５】
テストライトで最適ライトパワーを求めたならば、目標セクタに光ビームを戻し、テストライトで求めた最適ライトパワーを使用したイレーズ、ライト、ベリファイを行う。このテストライトによって、ライトパワーはそのときの環境条件に応じた最適値となり、極めて高いライトリトライの成功率が得られる。
【０２０６】
尚、図１５のリードリトライ及びベリファイリトライにあっては、設定変更するパラメータとして、再生磁界、リードパワー、ライトパワー、フォーカスオフセット、更にリードＬＳＩの回路パラメータであるカットオフ周波数、ブースト、ウィンドウ、スライスレベルを例にとっているが、これ以外のリード動作及びライト動作に必要な他のパラメータでもよいし、これらの中のリトライ成功に有効な特定のパラメータの選択による設定変更であってもよい。
【０２０７】
４．成功リトライの反映
図４１は、リードリトライ及びベリファイリトライで成功したリトライ情報を統計情報として保存し、それ以降の新たなリトライ時に統計情報の中から成功率の高いリードリトライの条件を取り出してリトライ成功率を向上させるようにした本発明の第３実施形態の機能ブロック図である。
【０２０８】
この第３実施形態にあっては、リード動作のためにリード処理部１７８が設けられ、リード処理部１７８によるリード動作でエラーが発生した場合、リードリトライ処理部１８０によってリードリトライを行うようにしている。
【０２０９】
またライト動作のためにライト処理部１８２が設けられ、ライト処理部１８２によるイレーズ、ライト、ベリファイによりベリファイエラーが生じた時のリードリトライのため、ライトリトライ処理部１８４が設けられている。ライトリトライ処理部１８４によるベリファイリトライは、実質的にはリードリトライ処理部１８０により実行される。
【０２１０】
リード処理部１７８、リードリトライ処理部１８０、ライト処理部１８２、ライトリトライ処理部１８４に対しては、リード動作及びライト動作に必要な各種のパラメータを格納したデフォルトテーブル１８５、テストオフセットテーブル１８６、リトライオフセットテーブル１８８が設けられる。
【０２１１】
またリード動作及びライト動作に必要な各種の制御指示のためレジスタ群１９２が設けられ、制御指示としてリード指示、ライト指示、リトライ指示、媒体種別、装置内温度Ｔ、トラック番号ＴＫ、セクタ番号ＳＳ、ゾーン番号Ｚｉがセットされる。
【０２１２】
更に、リード処理部１７８、リードリトライ処理部１８０、ライトリトライ処理部１８４、ライト処理部１８２に対しては、それぞれが制御するパラメータに対応してレジスタ１９４〜２１５が設けられ、またレジスタの設定値をアナログ制御信号に変換するＤＡコンバータ２１６〜２３２が設けられている。
【０２１３】
更に、リードリトライ処理部１８０及びライトリトライ処理部１８４に対応してリトライ履歴テーブル１９０が設けられ、またリードリトライ処理部１８０には、リードリトライ時またはベリファイリトライ時に各種のパラメータを切り替えて設定変更しながらリードリトライを行うためのリトライシーケンス１９５が予め設定されている。
【０２１４】
図４２は、ＭＳＲ媒体を対象とした図４１のリトライシーケンス１９５−１と、これに対応するリトライオフセットテーブル１８８−１のリトライオフセットである。リトライシーケンス１９５−１はシーケンス番号ＳＥＱ１〜ＳＥＱ１４に分けられており、対応して示すリトライオフセットテーブル１８８−１のように、同じパラメータのリトライオフセットについてプラスとマイナスのオフセット値を交互に格納している。
【０２１５】
例えばシーケンス番号ＳＥＱ１では再生磁界のプラスのリトライオフセット＋ΔＨが設定され、次のシーケンス番号ＳＥＱ２ではマイナスのリトライオフセット−ΔＨが設定されている。この点は残りのリードパワーＰｒ、カットオフ周波数Ｆｃ、ブーストＦｂ、スライスレベルＳ、ウィンドウＷ、フォーカスオフセットＦＣＯのリトライオフセットについても同様である。
【０２１６】
図４３は、ＭＳＲ媒体以外のＭＯ媒体を対象としたリトライシーケンス１９５−２とリトライオフセットテーブル１８８−２であり、図４２のＭＳＲ媒体における再生磁界のリトライオフセット＋ΔＨ，−ΔＨを除いており、したがってリトライシーケンス１９５−２はシーケンス番号ＳＥＱ１〜ＳＥＱ１２の１２シーケンスから成り立っている。
【０２１７】
図４１のリトライ履歴テーブル１９２は、例えば図４４の温度分割リトライ履歴テーブル１９０−１のように、リトライ成功時の装置内温度Ｔの温度領域に応じて、成功したリトライシーケンスのシーケンス番号が格納されている。この成功したリトライシーケンスのシーケンス番号は、例えば図４２のＭＳＲ媒体のリトライシーケンス１９５−１とリトライオフセット１８８−１の対応から、成功したリトライのパラメータを特定することができる。
【０２１８】
例えば０℃以上１０℃未満の成功リトライシーケンスはシーケンス番号ＳＥＱ３であり、シーケンス番号ＳＥＱ３は図４２からリードパワーＰｒをリトライオフセット＋ΔＰｒだけ変化させることによって、成功したリトライであることが認識できる。
【０２１９】
このように装置内温度に分けて、成功したリトライのシーケンス番号即ち成功したリトライパラメータの設定値を保存しておくことで、次のリトライ時にはそのときの装置内温度に対応したリトライシーケンスでリトライを実行し、その結果、リトライの成功率を高めることができる。
【０２２０】
特に１回のリードアクセスで、あるトラックのセクタを連続的にリードする際に連続してリトライが発生したような場合には、１回目のリトライについて成功したパラメータ設定情報が２回目のリトライで最初に設定されるため、セクタの連続リードのように環境条件に殆ど変化がないような場合には、２回目以降のリトライは１回のリトライで成功し、リトライの成功率を大幅に高めることができる。
【０２２１】
図４５は、図４１のリトライ履歴テーブル１９０の他の実施形態であり、ゾーン分割リトライ履歴テーブル１９０−２としたことを特徴とする。即ち、ＭＯ媒体及びＭＳＲ媒体にあっては、ＺＣＡＶ方式で記録されているため、媒体ゾーンによって記録数が異なり、極端な場合、最インナでのリードエラーのリトライに成功しても、その結果を最アウタのリトライに適用しても必ずしも成功する可能性はない。
【０２２２】
そこで図４５のように、ゾーンＺ０１〜Ｚ１８に分割し、各ゾーンごとに成功したリトライシーケンスのシーケンス番号を保存する。このため新たなリトライ時には、そのときのゾーン番号による同じゾーンで成功した過去のリトライシーケンスのシーケンス番号を認識し、同一ゾーンの成功結果を反映したリトライを行うことでリトライの成功率を大幅に高めることができる。
【０２２３】
図４６は、図４１のリトライ履歴テーブル１９０の他の実施形態であり、媒体容量分割リトライ履歴テーブル１９０−３としたことを特徴とする。本発明の光学的記憶装置にあっては、１２８ＭＢ、２３０ＭＢ、５４０ＭＢ、６４０ＭＢ、１．３ＧＢの媒体容量の異なる媒体カートリッジをサポートしており、媒体容量に応じて例えばトラックピッチが異なり、また書込み，読出しのための各種のパラメータの最適値も異なることから、媒体容量に分けて、成功したリトライシーケンスのシーケンス番号、即ち成功したパラメータ設定情報を保存することが望ましい。
【０２２４】
図４７は、図４１のリトライ履歴テーブル１９０の他の実施形態であり、シーク距離分割リトライ履歴テーブル１９０−４としたことを特徴とする。リード動作の際のエラーが光ビームの位置付け動作によって発生する場合、光ビームの移動するシーク距離により成功するリトライに必要なパラメータの設定値が異なる。
【０２２５】
そこで過去の成功したリトライのパラメータ設定情報をシーク距離で分けて保存しておくことで、新たなリトライ発生時にそのときのシーク距離に適合した適切なリトライ成功のためのパラメータ設定情報を使用して、高い成功率でリトライすることができる。
【０２２６】
図４７のシーク距離分割リトライ履歴テーブル１９０−４にあっては、例えばＭＳＲ媒体におけるアウタからのトラック番号でシーク距離を分割しており、このシーク距離の分割に対応して、各シーク距離で成功したリトライシーケンスのシーケンス番号を保存している。
【０２２７】
図４８は、図４１のリトライ履歴テーブル１９０の他の実施形態であり、図４４〜図４７のリトライ履歴テーブルにあっては、過去に成功したリトライシーケンスのパラメータ設定情報のみを保存しているが、この実施形態にあっては、過去に成功したリトライシーケンスの成功回数を、成功した設定パラメータを表わすシーケンス番号ＳＥＱｉごとに保存したことを特徴とする。
【０２２８】
図４８は温度分割リトライ履歴テーブル１９０−５であり、成功リトライシーケンスＳＥＱｉとしてシーケンス番号ｉ＝１〜１４を設けており、このシーケンス番号ＳＥＱ１〜１４は、例えば図４２のＭＳＲ媒体のシーケンス番号に対応する各パラメータのリトライオフセットを意味する。
【０２２９】
そして０℃から６０℃までの１０℃単位の温度範囲のそれぞれについて、シーケンス番号ＳＥＱｉ＝１〜１４のそれぞれにつき、過去に成功したリードリトライの成功回数が保存されている。例えば０℃以上１０℃未満の温度範囲を見ると、シーケンス番号ＳＥＱ３の成功回数が４回であり、このシーケンス番号ＳＥＱ３は図４２からリードパワーＰｒを＋Δｐｒ変更させたパラメータ設定値のリトライの成功回数を意味する。
【０２３０】
この図４８の温度分割リトライ履歴テーブル１９０−５を使用したリトライ処理は、リトライ時の装置温度に該当する成功リトライシーケンス番号ＳＥＱ１〜１４の内、成功率の最も高いリトライシーケンスを第１回目にリトライとし、１回目で不成功となったら、次に成功回数の高いリトライシーケンスを実行し、以下成功回数が高い順番から低い順番となるようにリトライシーケンスを実行することで、リトライの成功率を大幅に高めることができる。
【０２３１】
図４９は、成功回数を保存したゾーン分割リトライ履歴テーブル１９０−６の実施形態である。この場合にもゾーンＺ０１〜Ｚ１８に分けて成功リトライシーケンスＳＥＱ１〜１４ごとに過去の成功回数が保存されており、新たなリトライ時には最も成功回数の高いシーケンスＳＥＱｉから順番にリトライを実行する。
【０２３２】
図５０は、成功回数を保存した容量分割リトライ履歴テーブル１９０−７であり、同様に媒体容量に対応したリトライシーケンスＳＥＱ１〜ＳＥＱ１４の中の最も成功回数の高いリトライシーケンスから順番にリトライを実行する。
【０２３３】
ここで１．３ＧＢ媒体は、図４２に対応してリトライシーケンスＳＥＱ１〜１４について成功回数を保存しているが、１２８ＭＢ、２３０ＭＢ、５４０ＭＢ及び６４０ＭＢの各媒体については、図４３のようにリトライシーケンスＳＥＱ１〜１２について成功回数を格納している。
【０２３４】
図５１は、図４１のリードリトライ処理を含むリード処理のフローチャートである。ステップＳ１で目標セクタにシーク動作を実行し、ステップＳ２で目標セクタのリードを実行し、ステップＳ３でリード成功であればリード動作を正常終了する。ステップＳ３でリード不成功であれば、ステップＳ４に進み、リトライ履歴テーブル１９０から成功率の高いリトライシーケンスを選択し、ステップＳ５でリードリトライを実行する。
【０２３５】
ここで第１回目のリードリトライにあっては、リトライ履歴情報が存在しないことから、この場合には例えば図４２のリトライシーケンス１９５−１のシーケンス番号に従ってリードリトライを実行する。リードリトライが１回でも成功すれば、リトライ履歴テーブル１９０に成功したリトライシーケンスが格納されるため、新たなリトライの際には前回成功したリトライシーケンスを選択してリードリトライを実行するか、過去のリトライの中の成功率の最も高いリトライシーケンスから順番に選択してリードリトライを実行する。
【０２３６】
ステップＳ６でリトライが成功すれば、ステップＳ９で、成功したリトライシーケンスをリトライ履歴テーブル１９０に記憶して保存する。このときリトライ履歴テーブル１９０が図４４，図４５，図４６，図４７の構造であれば、成功したリトライシーケンスのシーケンス番号を対応する区分に格納して更新する。
【０２３７】
また図４８，図４９，図５０の成功回数を保存したテーブル構造であれば、温度、ゾーン、媒体容量等の区分に対応した成功したシーケンス番号の成功回数をインクリメントする。
【０２３８】
ステップＳ６でリトライが不成功であった場合には、ステップＳ７で全シーケンスを選択するまで、ステップＳ８で次に成功率の高いリトライシーケンスを選択して、ステップＳ５のリードリトライ処理を行う。 このとき図４８，図４９，図５０の成功回数を格納したテーブル構造にあっては、成功率の高い順に順次選択することができる、しかし、図４４〜図４７の最新の成功リトライシーケンスのみを保存しているテーブル構造では、１回目で成功したリトライシーケンスを選択できるが、１回目でリトライが不成功になると２回目については固定的に決まったシーケンス番号の次のシーケンスを選択することとなり、この場合には成功の可能性は高まらない。
【０２３９】
そこで図４４〜図４７についても、それ以前に成功した異なるパラメータの成功シーケンス番号を保存しておき、１回目のリトライで不成功であれば、２回目については前々回に成功した別のシーケンスを選択してリトライするようにしてもよい。
【０２４０】
図５２は、図４１のライト処理部１８２及びライトリトライ処理部１８４によるライト処理のフローチャートである。ステップＳ１で目標セクタに光ビームを位置付けるシーク動作を実行し、ステップＳ２で目標セクタのイレーズを実行し、ステップＳ３でライトを実行し、ステップＳ４でベリファイリードを実行する。ステップＳ５でベリファイ成功が判別されると、ライト動作は正常終了となる。
【０２４１】
ステップＳ５でベリファイ不成功であれば、ステップＳ６に進み、ステップＳ１でベリファイリトライとしてリードリトライ処理を実行する。このステップＳ７〜Ｓ１２におけるベリファイリトライとしてのリードリトライ処理も、図５１のリード処理におけるステップＳ５〜Ｓ１０のリードリトライ処理と同じになる。
【０２４２】
また図５２のベリファイリトライのためのリードリトライ処理について、リードリトライを行ってもリトライ不成功であった場合には、図３８のステップＳ１０及び図３９に示したように、ライトリトライを行うようにしてもよい。
【０２４３】
尚、本発明は上記の実施形態に限定されず、その目的と利点を損なわない範囲の適宜の変形を含む。また本発明は、上記の実施形態に示した数値による限定は受けない。
【図面の簡単な説明】
【０２４４】
【図１】本発明の原理説明図
【図２】本発明による光ディスクドライブのブロック図
【図３】ＭＯカートリッジをローディングした装置内部構造の説明図
【図４】ＭＳＲ媒体のリードリトライ処理を実行する第１実施形態の機能ブロック図
【図５】ゾーン分割したデフォルトテーブルの説明図
【図６】ゾーン分割したテストリードオフセットのテーブル説明図
【図７】リトライ回数毎にリトライオフセットを設定したテーブルの説明図
【図８】図７のテーブルの具体例の説明図
【図９】テストリードによりＮＣＲ特性に基づく再生磁界最適値の算出処理の説明図
【図１０】テストリードによりビット不一致数の特性に基づく再生磁界最適値の算出処理の説明図
【図１１】エリア分割したデフォルトテーブルの説明図
【図１２】エリア分割したテストリードオフセットのテーブル説明図
【図１３】装置内温度で分割したテストリードオフセットのテーブル説明図
【図１４】図４の第１実施例による磁界調整のリードリトライ処理のフローチャート
【図１５】成功したリードリトライの統計情報の学習によりパラメータを更新する第２実施形態の機能ブロック図
【図１６】ゾーン分割した各種パラメータのデフォルトを格納したテーブルの説明図
【図１７】ゾーン分割した各種パラメータのテストリードオフセットを格納したテーブルの説明図
【図１８】ゾーン分割した各種パラメータのリトライオフセットを格納したテーブルの説明図
【図１９】リトライオフセットでパラメータを設定変更するリードＬＳＩの回路ブロック図
【図２０】エリア分割した各種パラメータのデフォルトを格納したテーブルの説明図
【図２１】エリア分割した各種パラメータのテストリードオフセットを格納したテーブルの説明図
【図２２】ゾーン分割した各種パラメータのリトライオフセットを格納したテーブルの説明図
【図２３】装置内温度で分割した各種パラメータのデフォルトを格納したテーブルの説明図
【図２４】装置内温度で分割した各種パラメータのテストリードオフセットを格納したテーブルの説明図
【図２５】装置内温度で分割した各種パラメータのリトライオフセットを格納したテーブルの説明図
【図２６】図１５の第２実施形態によるリードリトライを含むリード処理のフローチャート
【図２７】再生磁界を設定変更するリードリトライのフローチャート
【図２８】リードパワーを設定変更するリードリトライのフローチャート
【図２９】ＬＰＦのカットオフ周波数を設定変更するリードリトライのフローチャート
【図３０】ＬＰＦのブーストを設定変更するリードリトライのフローチャート
【図３１】スライスレベルを設定変更するリードリトライのフローチャート
【図３２】データ弁別器のウィンドウを設定変更するリードリトライのフローチャート
【図３３】フォーカスオフセットを設定変更するリードリトライのフローチャート
【図３４】図１５のリトライ成功の統計情報に基づくパラメータ更新処理のフローチャート
【図３５】図１５のテスト処理部によるパラメータ更新処理を含む処理動作のフローチャート
【図３６】図３５のテスト処理に先立つディスク起動処理のフローチャート
【図３７】図３５のテスト処理の必要性判断のフローチャート
【図３８】図１５の第２実施例におけるライトリトライを含むライト処理のフローチャート
【図３９】図３８のライトリトライ処理のフローチャート
【図４０】ライトリトライ回数に対するライトリトライオフセットのテーブル説明図
【図４１】成功した過去のリトライ情報を反映してリードリトライを実行する第３実施形態の機能ブロック図
【図４２】ＭＳＲ媒体を対象としたリトライシーケンスと設定変更するパラメータのリトライオフセットの対応説明図
【図４３】ＭＯ媒体を対象としたリトライシーケンスと設定変更するパラメータのリトライオフセットの対応説明図
【図４４】装置内温度で分割してリトライ成功のパラメータ情報を格納した履歴テーブルの説明図
【図４５】ゾーン分割してリトライ成功のパラメータ情報を格納した履歴テーブルの説明図
【図４６】媒体容量で分割してリトライ成功のパラメータ情報を格納した履歴テーブルの説明図
【図４７】シーク距離で分割してリトライ成功のパラメータ情報を格納した履歴テーブルの説明図
【図４８】装置内温度で分割して各パラメータのリトライ成功回数を格納した履歴テーブルの説明図
【図４９】ゾーン分割して各パラメータのリトライ成功回数を格納した履歴テーブルの説明図
【図５０】媒体容量で分割して各パラメータのリトライ成功回数を格納した履歴テーブルの説明図
【図５１】図４１の過去に成功したリトライ情報を反映したリードリトライを含むリード処理のフローチャート
【図５２】図４１の過去に成功したリトライ情報を反映したベリファイリトライを含むリード処理のフローチャート
【図５３】ＭＳＲ媒体のＦＡＤ再生動作の説明図
【図５４】ＭＳＲ媒体のダブルマスクＲＡＤ再生動作の説明図
【符号の説明】
【０２４５】
１０：コントローラ
１１：エンクロージャ
１２：ＭＰＵ
１４：光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）
１５：上位インタフェース
１６：ＤＳＰ
１８：バッファメモリ
２０：リードＬＳＩ
２４：ライトＬＳＩ
３０：レーザダイオードユニット
３２：ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ
３４：ヘッドアンプ
３６：温度センサ
３８，４２，５４，５８，６２：ドライバ
４０：スピンドルモータ
４４：磁界印加部（電磁石等）
４６：多分割ディテクタ
４８：ＦＥＳ検出回路
５０：ＴＥＳ検出回路
５４：ＴＺＣ検出回路
６０：フォーカスアクチュエータ
６４：レンズアクチェータ
６８：ＶＣＭ（キャリッジアクチュエータ）
６７：ハウジング
６９：インレットドア
７０：ＭＯカートリッジ
７２：ＭＯ媒体
７６：キャリッジ
７８：固定光学系
８０：対物レンズ
８４，１２０，１７８：リード処理部
８６，１２２，１８０：リードリトライ処理部
８８，１２８，１８５：デフォルトテーブル
９０，１３２，１８６：テストオフセットテーブル
９２，１３４，１８８：リトライオフセットテーブル
９４，１３５，１９２：レジスタ群
１２４，１８２：ライト処理部
１２５，１８４：ライトリトライ処理部
１２６：テスト処理部
１３４，１９２：リトライ履歴テーブル
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生に必要なパラメータを最適な値に設定することによって、前記光記憶媒体に記録されているデータを再生する再生部と、
前記再生部でリードエラーが発生した際のリードリトライ時に、過去の成功したリトライ情報に基づいて成功率の高いリードリトライを行い、リトライ成功時に成功したリトライ情報を保存するリトライ処理部と、
を備えたことを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項２】
請求項１記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、更に、前記記録部でベリファイでリードエラーが発生した際のベリファイリトライ時に、過去の成功したリトライ情報に基づいてリードリトライを行い、リトライ成功時に成功したリトライ情報を保存することを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項３】
請求項２記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、複数種類のパラメ一タを切り替えて設定変更しながらリトライを実行して成功したパラメータ設定値を統計情報として保存し、新たなリードリトライ時には、前回の成功したパラメータ設定値からリードリトライを開始し、リトライ成功時に成功したパラメータ設定値を記憶することを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項４】
請求項２記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、複数種類のパラメータを切り替えて設定変更しながらリトライを実行して成功したパラメータ設定値と各パラメータ毎の成功回数を統計情報として保存し、新たなリードリトライ時には、前記統計情報の成功回数の多い順にパラメータ設定値を選択してリードリトライを繰り返すことを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項５】
請求項２記載の光学的記憶装置に於いて、前記光記憶媒体としてレーザビームのビーム径より小さい記録密度で記録する磁気超解像媒体を使用した場合、再生に必要な前記パラメータとして、再生磁界、リードパワー、ローパスフィルタのカットオフ周波数とブースト、スライス回路のスライスレベル、データ弁別器のウィンドウ値(ウィンドウ遅延時間)、フォーカスオフセットを切り替えて設定変更しながらリトライを実行することを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項６】
請求項２記載の光学的記憶装置に於いて、前記光記憶媒体としてレーザビームのビーム径に依存した記録密度で記録する光磁気媒体を使用した場合、再生に必要な前記パラメータとして、リードパワー、ローパスフィルタのカットオフ周波数とブースト、スライス回路のスライスレベル、データ弁別器のウィンドウ値(ウィンドウ遅延時間)、フォーカスオフセットを切り替えて設定変更しながらリトライを実行することを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項７】
請求項２記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、リードリトライ時に、パラメータ設定値にリトライオフセットを加算するパラメータの設定変更と、パラメータ設定値からリトライオフセットを減算するパラメータの設定変更を、交互に繰り返すことを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項８】
請求項２記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、前記リトライ成功時のパラメータ設定の統計情報を、装置内温度、媒体にフォーマットされた各ゾーン、前記光記録媒体の種別、又はシーク距離に応じて保存することを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項１】
再生に必要なパラメータを最適な値に設定することによって、前記光記憶媒体に記録されているデータを再生する再生部と、
前記再生部でリードエラーが発生した際のリードリトライ時に、過去の成功したリトライ情報に基づいて成功率の高いリードリトライを行い、リトライ成功時に成功したリトライ情報を保存するリトライ処理部と、
を備えたことを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項２】
請求項１記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、更に、前記記録部でベリファイでリードエラーが発生した際のベリファイリトライ時に、過去の成功したリトライ情報に基づいてリードリトライを行い、リトライ成功時に成功したリトライ情報を保存することを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項３】
請求項２記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、複数種類のパラメ一タを切り替えて設定変更しながらリトライを実行して成功したパラメータ設定値を統計情報として保存し、新たなリードリトライ時には、前回の成功したパラメータ設定値からリードリトライを開始し、リトライ成功時に成功したパラメータ設定値を記憶することを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項４】
請求項２記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、複数種類のパラメータを切り替えて設定変更しながらリトライを実行して成功したパラメータ設定値と各パラメータ毎の成功回数を統計情報として保存し、新たなリードリトライ時には、前記統計情報の成功回数の多い順にパラメータ設定値を選択してリードリトライを繰り返すことを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項５】
請求項２記載の光学的記憶装置に於いて、前記光記憶媒体としてレーザビームのビーム径より小さい記録密度で記録する磁気超解像媒体を使用した場合、再生に必要な前記パラメータとして、再生磁界、リードパワー、ローパスフィルタのカットオフ周波数とブースト、スライス回路のスライスレベル、データ弁別器のウィンドウ値(ウィンドウ遅延時間)、フォーカスオフセットを切り替えて設定変更しながらリトライを実行することを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項６】
請求項２記載の光学的記憶装置に於いて、前記光記憶媒体としてレーザビームのビーム径に依存した記録密度で記録する光磁気媒体を使用した場合、再生に必要な前記パラメータとして、リードパワー、ローパスフィルタのカットオフ周波数とブースト、スライス回路のスライスレベル、データ弁別器のウィンドウ値(ウィンドウ遅延時間)、フォーカスオフセットを切り替えて設定変更しながらリトライを実行することを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項７】
請求項２記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、リードリトライ時に、パラメータ設定値にリトライオフセットを加算するパラメータの設定変更と、パラメータ設定値からリトライオフセットを減算するパラメータの設定変更を、交互に繰り返すことを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項８】
請求項２記載の光学的記憶装置に於いて、前記リトライ処理部は、前記リトライ成功時のパラメータ設定の統計情報を、装置内温度、媒体にフォーマットされた各ゾーン、前記光記録媒体の種別、又はシーク距離に応じて保存することを特徴とする光学的記憶装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図５０】
【図５１】
【図５２】
【図５３】
【図５４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図５０】
【図５１】
【図５２】
【図５３】
【図５４】
【公開番号】特開２００６−２６０７６９（Ｐ２００６−２６０７６９Ａ）
【公開日】平成１８年９月２８日（２００６．９．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１４７６０５（Ｐ２００６−１４７６０５）
【出願日】平成１８年５月２９日（２００６．５．２９）
【分割の表示】特願平１０−３５５９２７の分割
【原出願日】平成１０年１２月１５日（１９９８．１２．１５）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年９月２８日（２００６．９．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年５月２９日（２００６．５．２９）
【分割の表示】特願平１０−３５５９２７の分割
【原出願日】平成１０年１２月１５日（１９９８．１２．１５）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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