半導体チップ及び半導体チップの検査方法
【目的】高周波数信号を扱う通信回路が構築されている半導体チップを高精度に且つ安価な検査装置で検査することが可能な半導体チップ及び半導体チップの検査方法を提供することを目的とする。
【構成】通信回路を担う複数の機能ブロックが構築されている半導体チップ内に、検査対象とする１の機能ブロックにテスト用周波数信号を供給するテスト信号供給回路と、上記機能ブロックが生成した信号の信号強度を検出して当該信号強度を示す強度信号を外部出力する外部出力回路と、を構築する。
【構成】通信回路を担う複数の機能ブロックが構築されている半導体チップ内に、検査対象とする１の機能ブロックにテスト用周波数信号を供給するテスト信号供給回路と、上記機能ブロックが生成した信号の信号強度を検出して当該信号強度を示す強度信号を外部出力する外部出力回路と、を構築する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ、特に通信回路が構築されている半導体チップ及び半導体チップの検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線通信装置における高周波数信号のレベルは過小であると十分な伝送距離が確保できず、一方、過大であると他の通信に妨害を与えて電波法規違反となる虞が生じる。よって、このような無線通信装置用の高周波回路が構築されている半導体チップに対しては、その製品出荷時において高周波信号レベルが規定範囲内に収まっているか否かの検査が為される。このような検査を行う検査装置（例えば、特許文献１の図１６参照）においては、テスト装置２００及び３００が夫々検査対象となる通信用半導体集積回路１００に接続されている。先ず、テスト装置３００が、テスト用高周波信号を通信用半導体集積回路１００に供給する。そして、このテスト用高周波信号に応じて通信用半導体集積回路１００から送出された高周波の送信信号をテスト装置２００で取り込み、そのレベルが規定範囲内にあるか否かを判定することにより、半導体チップの良否を判断するのである。
【０００３】
しかしながら、通信用半導体集積回路１００と、テスト装置２００及び３００各々との間で、無線帯域の如き高周波数の信号を伝送させると、通信用半導体集積回路１００及びテスト装置２００（３００）同士を接続する接続点に生じる容量又は接触抵抗の影響を受け易くなり、伝送信号レベルに損失が発生する。よって、正確な信号レベルの測定が困難になり、検査結果の信頼性が低下するという問題が生じた。
【０００４】
また、通信用半導体集積回路１００に外部接続されたテスト装置２００によってこの通信用半導体集積回路１００から出力された高周波数の送信信号のレベルを正確に検出する為には、高価なアナライザを搭載する必要があり、コスト高を招くという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２２８０３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本願発明は、上記の如き問題を解決すべく為されたものであり、通信回路が構築されている半導体チップを高精度に且つ安価な検査装置で検査することが可能な半導体チップ、及びその検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体チップは、通信回路を担う複数の機能ブロックを含む半導体チップであって、検査指令に応じて前記複数の機能ブロックの内の１の機能ブロックにテスト用周波数信号を供給するテスト信号供給回路と、前記１の機能ブロックが生成した信号の信号強度を検出して当該信号強度を示す強度信号を外部出力する外部出力回路と、を有する。
【０００８】
また、本発明に係る半導体チップの検査方法は、通信回路を担う複数の機能ブロックと、前記複数の機能ブロックの内の１の機能ブロックにテスト用周波数信号を供給するテスト信号供給回路と、前記１の機能ブロックが生成した信号の信号強度を検出して当該信号強度を示す強度信号を外部出力する外部出力回路と、が構築されている半導体チップを検査装置によって検査する半導体チップの検査方法であって、半導体チップに前記テスト用周波数信号を供給する第１ステップと、前記半導体チップから出力された前記強度信号に基づいて前記１の機能ブロックの特性が規定範囲内にあるか否かを判定する第２ステップと、を有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明においては、半導体チップに構築されている通信回路を担う複数の機能ブロックの内の１の機能ブロックを検査するにあたり、本来入力されるべき信号に代えて外部入力されたテスト用周波数信号を上記１の機能ブロックに供給し、この機能ブロックが生成した信号の信号強度を示す直流レベルの強度信号を半導体チップから外部出力させる。検査装置置は、上記半導体チップにテスト用周波数信号を供給しつつこのテスト用周波数信号の供給に応じて半導体チップから出力された上記強度信号に基づいて、機能ブロックの特性が規定範囲内にあるか否かを判定する。よって、半導体チップ及び検査装置間の伝送路、特に接続点上でレベル損失を生じ易い高周波数の信号が半導体チップ側から外部出力されることは無いので、高精度な検査が為される。また、高価なアナライザが不要となるので、コスト低減を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る半導体チップ１に検査装置２を接続してこの半導体チップ１に構築されている通信回路の検査及び調整を行う際のシステム構成を示すブロック図である。
【図２】信号強度検出回路１５、４０３の内部構成の一例を示す回路図である。
【図３】制御部２２によって実施される検査制御フローの一例を示すフローチャートである。
【図４】図１に示す構成の変形例を示すブロック図である。
【図５】複数の半導体チップ１が形成されている半導体ウェハ３に対して直接、検査装置２によって各半導体チップ１の検査及び調整を行う際のシステム構成を示す図である。
【図６】本発明に係る半導体チップ１に検査装置２を接続してこの半導体チップ１に構築されている低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２の検査及び調整を行う際のシステム構成を示すブロック図である。
【図７】図６に示す構成において、制御部４２にて実施される検査制御フローの一例を示すフローチャートである。
【図８】本発明に係る半導体チップ１に検査装置２を接続してこの半導体チップ１に構築されている中間周波フィルタ３０４の検査及び調整を行う際のシステム構成を示すブロック図である。
【図９】図８に示す構成において、制御部４２にて実施される検査制御フローの一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明においては、通信回路を担う複数の機能ブロックが構築されている半導体チップ内に、検査対象とする１の機能ブロックにテスト用周波数信号を供給するテスト信号供給回路と、上記機能ブロックが生成した信号の信号強度を検出して当該信号強度を示す強度信号を外部出力する外部出力回路と、を設ける。
【実施例】
【００１２】
図１は、本発明に係る半導体チップ１に検査装置２を接続してこの半導体チップ１に構築されている無線通信回路の検査及び調整を行う際のシステム構成を示すブロック図である。
【００１３】
半導体チップ１には、無線通信回路の他に、この無線通信回路を検査及び調整する際に用いる検査支援回路（テスト信号供給回路と外部出力回路とを含む）が構築されている。尚、図１においては、無線通信回路中において送信動作を担う送信部１００と共に、この送信部１００を検査及び調整する際に用いる検査支援回路２００を抜粋して示している。
【００１４】
送信部１００は、局部発振回路９、変調回路１０及び高周波増幅回路１４を含み、検査支援回路２００は、入力切換スイッチ１１、信号強度検出回路１５及び利得調整値記憶回路１８を含む。
【００１５】
送信部１００の局部発振回路９は、高周波数の局部発振信号ｆＱを生成しこれを変調回路１０に供給する。変調回路１０は、送信すべき情報信号によって局部発振信号ｆＱを変調して得られた変調信号ＭＳを、検査支援回路２００の入力切換スイッチ１１に供給する。入力切換スイッチ１１は、半導体チップ１の外部端子である端子１１０を介して外部入力された検査指令信号ＴＥＳが論理レベル１である場合には、端子１０１を介して外部入力されたテスト用高周波信号ＴＳを高周波増幅回路１４に供給する。一方、検査指令信号ＴＥＳが論理レベル０である場合には、入力切換スイッチ１１は、変調回路１０から供給された変調信号ＭＳを高周波増幅回路１４に供給する。つまり、半導体チップ１の検査を行う場合には、論理レベル１の検査指令信号ＴＥＳを端子１１０に固定供給する一方、半導体チップ１の通常使用時には論理レベル０の検査指令信号ＴＥＳを端子１１０に固定供給するのである。
【００１６】
高周波増幅回路１４は、入力切換スイッチ１１から供給された変調信号ＭＳ又はテスト用高周波信号ＴＳを、所定の初期利得に利得調整信号ＧＳに応じた調整を施した利得で増幅したものを送信信号ＴＲＳとして生成する。高周波増幅回路１４は、かかる送信信号ＴＲＳをラインＬを介して検査支援回路２００の信号強度検出回路１５に供給すると共に、これを端子１０２を介して外部に出力する。尚、半導体チップ１の非検査時、つまり通常使用時には、この端子１０２には、無線送受信用のアンテナ（図示せぬ）が接続される。すなわち、この際、高周波増幅回路１４によって生成された送信信号ＴＲＳが端子１０２に接続されたアンテナを介して無線送信されるのである。
【００１７】
信号強度検出回路１５は、高周波増幅回路１４から供給された送信信号ＴＲＳ、又は端子１０２を介して外部入力されたテスト用高周波信号ＴＳの信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０３を介して外部に出力する。
【００１８】
図２（ａ）又は図２（ｂ）は、信号強度検出回路１５の一例を示す回路図である。
【００１９】
図２（ａ）に示す回路では、上記したテスト用高周波信号ＴＳ又は送信信号ＴＲＳは、コンデンサＣ１を介してＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＦＥＴ（Field-Effect Transistor）であるトランジスタＱ１のゲート端子に供給される。トランジスタＱ１のゲート端子には、その一端が接地されている抵抗Ｒ１の他端が接続されている。トランジスタＱ１のドレイン端子には電源電圧ＶＤＤが印加されており、そのソース端子には電流源ＶＩが接続されている。更に、トランジスタＱ１のソース端子には、その一端が接地されているコンデンＣ２の他端が接続されており、かかるトランジスタＱ１のソース端子から強度信号ＳＳが出力される。すなわち、図２（ａ）に示す回路構成では、ＦＥＴを用いたソースフォロア回路によって、テスト用高周波信号ＴＳ又は送信信号ＴＲＳを半波整流することにより、送信信号ＴＲＳ又はテスト用高周波信号ＴＳのピークレベルに対応した直流電圧を生成する。そして、かかる直流電圧を、送信信号ＴＲＳ又はテスト用高周波信号ＴＳの信号強度を表す強度信号ＳＳとして出力する。
【００２０】
図２（ｂ）に示す回路では、上記したテスト用高周波信号ＴＳ又は送信信号ＴＲＳは、ダイオードＤ１のアノード端子に供給される。ダイオードＤ１のカソード端子には、その一端が共に接地されている抵抗Ｒ２及びコンデンサＣ３各々の他端が接続されている。ダイオードＤ１のカソード端子から強度信号ＳＳが出力される。すなわち、図２（ｂ）に示す回路構成では、ダイオードによる半波整流回路によってテスト用高周波信号ＴＳ又は送信信号ＴＲＳを半波整流することにより、送信信号ＴＲＳ又はテスト用高周波信号ＴＳのピークレベルに対応した直流電圧を生成する。そして、かかる直流電圧を、送信信号ＴＲＳ又はテスト用高周波信号ＴＳの信号強度を表す強度信号ＳＳとして出力する。
【００２１】
検査支援回路２００の利得調整値記憶回路１８は、端子１０４を介して外部入力された書込利得調整値データＧＤＷを記憶し、その書込利得調整値データＧＤＷによって示される利得調整値に対応したレベルを有する利得調整信号ＧＳを高周波増幅回路１４に供給する。
【００２２】
尚、半導体チップ１の通常使用時には、上記端子１０１、１０３及び１０４の各々は外部接続の為されない空き端子状態となる。
【００２３】
検査装置２の高周波信号源２０は、上記した局部発振信号ｆＱにおける規格上の周波数を有するテスト用高周波信号ＴＳを生成し、これを入力切換スイッチ２１に供給する。入力切換スイッチ２１は、制御部２２から論理レベル０の検査モード信号ＭＯＤが供給された場合には、上記したテスト用高周波信号ＴＳを端子２３を介して出力する一方、論理レベル１の検査モード信号ＭＯＤが供給された場合には、かかるテスト用高周波信号ＴＳを端子２４を介して出力する。尚、上記端子２３は、半導体チップ１の端子１０１に接続されている。また、上記端子２４は、半導体チップ１の端子１０２に接続されている。直流電圧測定器２５は、端子２６を介して強度信号ＳＳが外部入力された場合には、この強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧとして制御部２２に供給する。尚、上記端子２６は、半導体チップ１の端子１０３に接続されている。利得調整値書込部２７は、制御部２２から供給された利得調整値データＧＤにて表される利得調整値を利得調整値記憶回路１８に書き込ませるべきレベルに変換したものを書込利得調整値データＧＤＷとして生成し、これを端子２８を介して出力する。尚、端子２８は、半導体チップ１の端子１０４に接続されている。
【００２４】
以下に、図１に示される検査装置２による半導体チップ１の検査及び調整動作について説明する。
【００２５】
半導体チップ１の検査及び調整を行うにあたり、先ず、論理レベル１の検査指令信号ＴＥＳを半導体チップ１の端子１１０に固定供給する。これにより、送信部１００の変調回路１０から送出された変調信号ＭＳに代えて、端子１０１を介して外部入力された信号が高周波増幅回路１４に供給されるようになる。
【００２６】
かかる状態において、検査装置２の制御部２２は、図３に示す検査制御フローに従って半導体チップ１に構築されている送信部１００の送信出力の検査及び調整制御を行う。
【００２７】
図３において、先ず、制御部２２は、論理レベル１の検査モード信号ＭＯＤを入力切換スイッチ２１に供給する（ステップＳ１）。ステップＳ１の実行により、入力切換スイッチ２１は、高周波信号源２０で生成されたテスト用高周波信号ＴＳを端子２４を介して、半導体チップ１の端子１０２に供給する。これにより、半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路１５は、端子１０２を介して外部入力されたテスト用高周波信号ＴＳの信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０３を介して検査装置２の端子２６に供給する。この際、検査装置２の直流電圧測定器２５は、端子２６に入力された強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧとして制御部２２に供給する。尚、半導体チップ１の端子１０２は、上述した如く、本来、高周波増幅回路１４と送信アンテナ（図示せぬ）とを接続する為のアンテナ端子である。つまり、半導体チップ１の検査時には、このアンテナ端子である端子１０２をテスト用高周波信号ＴＳを入力する為の端子として用いることにより、半導体チップ１に設けるべき外部端子の数の削減を図るのである。
【００２８】
次に、制御部２２は、直流電圧測定器２５から供給された信号強度値ＴＧを取り込み、これを測定値Ａとして内蔵レジスタ（図示せぬ）に記憶する（ステップＳ２）。
【００２９】
上記ステップＳ１及びＳ２の実行により、検査装置２から半導体チップ１に送信されたテスト用高周波信号ＴＳの信号強度が、この半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路１５によって検出される。そして、その検出結果が検査装置２側に供給され、測定値Ａとして内蔵レジスタに記憶される。
【００３０】
次に、制御部２２は、論理レベル０の検査モード信号ＭＯＤを入力切換スイッチ２１に供給する（ステップＳ３）。ステップＳ３の実行により、入力切換スイッチ２１は、高周波信号源２０で生成されたテスト用高周波信号ＴＳを端子２３を介して、半導体チップ１の端子１０１に供給する。これにより、半導体チップ１の入力切換スイッチ１１は、端子１０１を介して外部入力されたテスト用高周波信号ＴＳを高周波増幅回路１４に供給する。高周波増幅回路１４は、かかるテスト用高周波信号ＴＳを増幅して得られた送信信号ＴＲＳを信号強度検出回路１５に供給する。信号強度検出回路１５は、この送信信号ＴＲＳの信号強度を検出し、信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０３を介して検査装置２の端子２６に供給する。この際、検査装置２の直流電圧測定器２５は、端子２６に入力された強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧとして制御部２２に供給する。
【００３１】
次に、制御部２２は、直流電圧測定器２５から供給された信号強度値ＴＧを取り込み、これを測定値Ｂとして内蔵レジスタ（図示せぬ）に記憶する（ステップＳ４）。
【００３２】
上記ステップＳ３及びＳ４の実行により、検査装置２側から端子１０１を介して半導体チップ１に供給されたテスト用高周波信号ＴＳに応じて高周波増幅回路１４が送信信号ＴＲＳを出力する。そして、かかる送信信号ＴＲＳの信号強度がこの半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路１５によって検出され、その検出結果が測定値Ｂとして検査装置２の制御部２２に内蔵されているレジスタに記憶されるのである。
【００３３】
次に、制御部２２は、内蔵レジスタに記憶されている測定値Ｂから測定値Ａを減算した値、つまり半導体チップ１に供給されたテスト用高周波信号ＴＳの信号強度と、このテスト用高周波信号ＴＳに応じて高周波増幅回路１４が送出した送信信号ＴＲＳの信号強度との差を算出し、これを高周波増幅回路１４の実利得値ＡＰとして内蔵レジスタに記憶する（ステップＳ５）。
【００３４】
次に、制御部２２は、実利得値ＡＰが規定範囲内に収まっているか否かの判定を行う（ステップＳ６）。かかるステップＳ６において、実利得値ＡＰが規定範囲内に収まってないと判定された場合、制御部２２は、実利得値ＡＰが調整可能な範囲内に収まっているか否かの判定を行う（ステップＳ７）。ステップＳ７において実利得値ＡＰが調整可能な範囲内に収まっていないと判定された場合、制御部２２は、この半導体チップ１が不良品であることを表す検査結果を表示器２９に表示させる（ステップＳ８）。一方、ステップＳ７において実利得値ＡＰが調整可能な範囲内に収まっていると判定された場合、制御部２２は、例えば各利得値毎にその利得値に対応した利得調整値が予め対応づけして記憶されているメモリ（図示せぬ）から、上記した実利得値ＡＰに対応した利得調整値を読み出し、この利得調整値を示す利得調整値データＧＤを利得調整値書込部２７に供給する（ステップＳ９）。例えば、かかるメモリには、上記した規定範囲内の上限値よりも大なる利得値の各々には、その利得値が大なるほど利得を大幅に低下させるべき負極性の値を有する利得調整値が対応づけして記憶されている。また、上記した規定範囲内の下限値よりも小なる利得値の各々には、その利得値が小なるほど利得を大幅に増加させるべき正極性の値を有する利得調整値が対応づけして記憶されている。ステップＳ９の実行により、利得調整値書込部２７は、利得調整値データＧＤにて表される利得調整値を利得調整値記憶回路１８に書き込ませるべきレベルに変換した書込利得調整値データＧＤＷを、端子２８を介して半導体チップ１の端子１０４に供給する。利得調整記憶回路１８は、端子１０４を介して入力された書込利得調整値データＧＤＷを記憶し、この書込利得調整値データＧＤＷによって表される利得調整値に対応したレベルを有する利得調整信号ＧＳを高周波増幅回路１４に供給する。かかる利得調整信号ＧＳに応じて高周波増幅回路１４の増幅利得が調整される。例えば、利得調整信号ＧＳによって表される利得調整レベルが正極性のレベルである場合、高周波増幅回路１４の利得は、上記した初期利得にこの利得調整レベルを加算した利得に調整される。また、利得調整信号ＧＳによって表される利得調整レベルが負極性のレベルである場合、高周波増幅回路１４の利得は、上記初期利得からこの利得調整レベルを減算した利得に調整される。
【００３５】
上記ステップＳ８又はＳ９の実行後、又は上記ステップＳ６において実利得値ＡＰが規定範囲内に収まっていると判定された場合、制御部２２は、図３に示す検査及び調整制御を終了する。
【００３６】
以上の如き動作により、高周波増幅回路１４の実利得値が規定範囲内に収まっていない場合には、この高周波増幅回路１４に対して、その利得を規定の範囲内に収めるべき利得調整が施される。すなわち、高周波増幅回路１４の特性を規定範囲内に収めるべき調整が為されるのである。この際、調整不可能なほど実利得値が規定範囲から外れている場合には、この半導体チップ１が不良品である旨の表示が為される。
【００３７】
このように、図１に示す半導体チップ１は、検査指令に応じて、先ず、半導体チップ１に構築されている各機能ブロック（９、１０、１４）の内で検査対象となる高周波増幅回路１４に入力されるべき信号を、外部供給されたテスト用高周波数信号に切り替える。そして、かかるテスト用高周波数信号に応じて高周波増幅回路１４が生成した送信信号ＴＲＳの信号強度を半導体チップ１内に構築されている信号強度検出回路１５で検出し、その信号強度を表す直流レベルの強度信号ＳＳを外部出力する。この際、検査装置２は、半導体チップ１から外部出力された強度信号ＳＳに基づき、高周波増幅回路１４の実利得値（ＡＰ）が規定範囲内に収まっているか否かの判定（Ｓ６）、つまり高周波増幅回路１４の特性が規定範囲内にあるか否かを判定する。
【００３８】
よって、高周波増幅回路１４において生成された高周波数の送信信号ＴＲＳ自体が検査装置２側に送信されることはないので、このような高周波数信号が半導体チップ１及び検査装置２同士を接続する接続点を含む伝送路上に流れる際に起こるレベル損失が生じない。
【００３９】
従って、図１に示す構成によれば、高周波数の送信信号を検査装置側に送信し、この検査装置に搭載されているアナライザで送信信号を解析して高周波増幅回路１４の特性の良否を判定する場合に比して、上記した如き伝送路上でのレベル損失が無い分だけ高精度な検査が為される。また、高価なアナライザが不要となるので、コスト低減を図ることが可能となる。
【００４０】
更に、図１に示す構成では、送信信号ＴＲＳを生成させるべく高周波増幅回路１４に供給するテスト用高周波信号ＴＳの信号強度（測定値Ａ）と、送信信号ＴＲＳの信号強度（測定値Ｂ）との差分（ＡＰ）に基づき、高周波増幅回路１４の特性が規定範囲内にあるか否かを判定するようにしている。この際、検査装置２は、送信信号ＴＲＳの信号強度を半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路１５にて検出させるべく、端子２３及び端子１０１を含む第１伝送路を介して、テスト用高周波信号ＴＳを高周波増幅回路１４に供給する。また、検査装置２は、テスト用高周波信号ＴＳの信号強度を半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路１５によって検出させるべく、端子２４及び端子１０２を含む第２伝送路を介して、このテスト用高周波信号ＴＳを信号強度検出回路１５に供給する。よって、上述したように、テスト用高周波信号ＴＳの信号強度と送信信号ＴＲＳの信号強度との差分（ＡＰ）を求めると、第１伝送路（端子２４及び端子１０２を含む）で生じるテスト用高周波信号ＴＳの損失分と、第２伝送路（端子２３及び端子１０１を含む）で生じるテスト用高周波信号ＴＳの損失分と、が相殺されることになる。
【００４１】
これにより、半導体チップ１及び検査装置２同士を接続する接続点である外部端子を介して高周波数信号としてのテスト用高周波信号ＴＳを伝送させた際に生じるレベル損失が排除されるので、高精度な検査及び調整が為されるようになる。
【００４２】
尚、図１に示す実施例では、テスト用高周波信号ＴＳの供給先（信号強度検出回路１５又は高周波増幅回路１４）を切り替える為の入力切換スイッチ２１を、検査装置２に設けるようにしているが、これを図４に示すように半導体チップ１の検査支援回路２００内に設けるようにしても良い。
【００４３】
尚、図４に示す構成では、制御部２２から送出された検査モード信号ＭＯＤを端子３０を介して半導体チップ１の端子１０５に供給し、この端子１０５を介して供給された検査モード信号ＭＯＤに応じて、半導体チップ１内に構築されている入力切換スイッチ２１の切換制御が為される。又、図４に示す構成では、検査装置２の高周波信号源２０で生成されたテスト用高周波信号ＴＳを直に端子２３を介して半導体チップ１の端子１０１に供給する。これにより、テスト用高周波信号ＴＳは、入力切換スイッチ１１を介して高周波増幅回路１４及び入力切換スイッチ２１の各々に供給される。入力切換スイッチ２１は、論理レベル１の検査モード信号ＭＯＤが供給された場合には入力切換スイッチ１１を介して供給されたテスト用高周波信号ＴＳを信号強度検出回路１５に供給する一方、論理レベル０の検査モード信号ＭＯＤが供給された場合には高周波増幅回路１４が送出した送信信号ＴＲＳを信号強度検出回路１５に供給する。ところで、上記した図４に示す如き構成に比して、図１に示す構成では、半導体チップ１内に入力切換スイッチ２１が設けられていないので、テスト用高周波信号ＴＳが信号強度検出回路１５に供給されるまでの伝送路の短縮、並びに、この入力切換スイッチ２１を経由することによる伝送遅延及び損失が低減される。
【００４４】
また、本発明によれば、半導体ウェハの段階で各半導体チップに対して精度良く検査及び調整を行うことも可能である。
【００４５】
図５は、夫々が図１に示す如き構成を有する複数の半導体チップ１が形成されている半導体ウェハ３の段階で、各半導体チップ１の検査及び調整を行う際のシステム構成を示す図である。
【００４６】
図５において、プローブカード４は、検査装置２に搭載されている電源回路ＧＧが生成した電源電圧を供給する為の電源ライン及び接地ラインに夫々接続されている接触針５１及び５２と、検査装置２の端子２３、２４、２６及び２８に夫々接続されている接触針５３〜５６とを備える。接触針５１及び５２の各々は半導体チップ１の電源パッド及び接地パッド（図示せぬ）の表面に接触している。これにより、検査装置２に搭載されている電源回路ＧＧにより、半導体チップ１への電源供給が為される。また、接触針５３〜５６は、夫々半導体チップ１のパッドである端子１０１〜１０４各々の表面に接触している。
【００４７】
ここで、図５に示すように、接触針５１〜５６を直接、半導体ウェハ３に形成されている半導体チップ１の端子に接触させる場合、その接触抵抗によるインピーダンス、或いは接触針が比較的長いことに起因するインダクタンス成分に伴う高周波信号への影響、つまり損失が大となる。
【００４８】
しかしながら、本発明においては、半導体チップ１内で生成された高周波信号（ＴＲＳ）の信号強度がこの半導体チップ１内に設けられた信号強度検出回路１５で検出され、その信号強度を示す直流の信号が接触針５を介して検査装置２側に供給されるようになっている。よって、接触針５を介して高周波信号の伝送が為されないので正確な測定が可能となる。
【００４９】
更に、高周波信号（ＴＲＳ）の信号強度が規定範囲内に収まっているか否かの判定及び高周波増幅回路１４の利得調整を、テスト用高周波信号ＴＳの信号強度と、このテスト用高周波信号ＴＳに応じて生成された高周波信号（ＴＲＳ）の信号強度との差分（ＡＰ）に基づいて行うようにしている。これにより、テスト用高周波信号ＴＳの信号強度を検出すべく接触針５４を介して伝送されるテスト用高周波信号ＴＳの損失分と、高周波信号（ＴＲＳ）を生成させるべく接触針５３を介して伝送されるテスト用高周波信号ＴＳの損失分とが相殺されることになる。よって、半導体チップ１及び検査装置２間を接続する接触針５を介して高周波信号を伝送させた際に生じる信号レベルの損失分が排除されるので、高精度な検査及び調整が為される。
【００５０】
尚、上記実施例においては、半導体チップ１に構築されている無線通信回路の送信部１００に対して検査及び調整を行う場合の動作について説明したが、受信部に対しても同様に適用可能である。
【００５１】
図６は、半導体チップ１に構築されている無線通信回路内の受信部に対して検査及び調整を行う場合の検査装置２の構成と、半導体チップ１の内部構成とを示すブロック図である。尚、図６においては、無線通信回路内で受信送信動作を担う受信部３００と共に、この受信部３００を検査及び調整する際に用いる検査支援回路４００を抜粋して示している。
【００５２】
受信部３００は、低雑音増幅回路３０１、ミキサ３０２、局部発振回路３０３、中間周波フィルタ３０４、中間周波増幅器３０５及び復調回路３０６を有する。また、検査支援回路４００は、利得調整値記憶回路４０１、入力切換スイッチ４０２、及び信号強度検出回路４０３を有する。
【００５３】
低雑音増幅回路３０１は、端子１０６を介して入力されたテスト用高周波信号ＴＳ１を、所定の初期利得に利得調整信号ＧＣ１に応じた調整を施した利得で増幅したものを増幅高周波信号Ｒとしてミキサ３０２及び入力切換スイッチ４０２に供給する。 尚、半導体チップ１の通常使用時には、この端子１０６には、無線送受信用のアンテナ（図示せぬ）が接続される。すなわち、この際、低雑音増幅回路３０１は、端子１０６に接続されているアンテナから供給された高周波数の受信信号を増幅するものとなる。ミキサ３０２は、上記増幅高周波信号Ｒに、局部発振回路３０３から供給された局部発振信号ｆＱを混合することにより中間周波数帯の信号を生成しこれを、所定の初期利得に利得調整信号ＧＣ２に応じた調整を施した利得で増幅したものを中間周波数信号ＩＦとして中間周波フィルタ３０４及び入力切換スイッチ４０２に供給する。中間周波フィルタ３０４は、中間周波数信号ＩＦに対して、所定の中心周波数を中心とした所定周波数帯域の成分のみを通過させる周波数選択処理を施すことにより、不要な帯域成分を除去した中間周波数信号ＩＦＸを抽出し、これを中間周波増幅器３０５に供給する。中間周波増幅器３０５は、中間周波数信号ＩＦＸを増幅した増幅中間周波数信号を復調回路３０６に供給する。復調回路３０６は、上記増幅中間周波数信号に対して復調処理を施すことにより、無線送信された情報データを復元する。つまり、半導体チップ１の通常使用時には、無線送受信用のアンテナによって受信された受信信号が端子１０６を介して受信部３００に供給され、情報データが得られるのである。
【００５４】
検査支援回路４００の利得調整値記憶回路４０１は、端子１０７を介して外部入力された書込利得調整値データＧＤＷを記憶し、その書込利得調整値データＧＤＷによって示される利得調整値に対応したレベルを有する利得調整信号ＧＣ１及びＧＣ２を夫々生成する。利得調整値記憶回路４０１は、かかる利得調整信号ＧＣ１を低雑音増幅回路３０１、利得調整信号ＧＣ２をミキサ３０２に夫々供給する。
【００５５】
入力切換スイッチ４０２は、端子１０８を介して外部入力された検査モード信号ＭＤ１に基づき、端子１０６を介して外部入力されたテスト用高周波信号ＴＳ１、上記した増幅高周波信号Ｒ、及び中間周波数信号ＩＦの内から１つを選択し、これを信号強度検出回路４０３に供給する。例えば、入力切換スイッチ４０２は、検査モード信号ＭＤ１が［００］を表す場合には上記テスト用高周波信号ＴＳ１を信号強度検出回路４０３に供給し、検査モード信号ＭＤ１が［０１］を表す場合には上記した増幅高周波信号Ｒを信号強度検出回路４０３に供給する。また、検査モード信号ＭＤ１が［１０］を表す場合には、入力切換スイッチ４０２は、上記した中間周波数信号ＩＦを信号強度検出回路４０３に供給する。
【００５６】
信号強度検出回路４０３は、入力切換スイッチ４０２から供給されたテスト用高周波信号ＴＳ１、増幅高周波信号Ｒ又は中間周波数信号ＩＦの信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０９を介して外部に出力する。
【００５７】
検査装置２の高周波信号源４０は、規格上の無線送信周波数を有するテスト用高周波信号ＴＳ１を生成し、これを端子４３を介して出力する。尚、端子４３は、半導体チップ１の端子１０６に接続されている。直流電圧測定器４５は、半導体チップ１の端子１０９から送出された強度信号ＳＳが、端子４６を介して外部入力された場合には、この強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧ１として制御部４２に供給する。利得調整値書込部４７は、制御部４２から供給された利得調整値データＧＴにて表される利得調整値を利得調整値記憶回路４０１に書き込ませるべきレベルに変換したものを書込利得調整値データＧＤＷ１として生成し、これを端子４８を介して出力する。尚、端子４８は、半導体チップ１の端子１０７に接続されている。制御部４２は、上記した検査モード信号ＭＤ１を生成し、これを端子５０を介して出力する。尚、端子５０は、半導体チップ１の端子１０８に接続されている。
【００５８】
以下に、図６に示される検査装置２による半導体チップ１の検査及び調整動作について説明する。
【００５９】
検査装置２の制御部４２は、図７に示す検査制御フローに従って半導体チップ１に構築されている受信部３００の増幅部（３０１、３０２）の検査及び調整制御を行う。
【００６０】
図７において、先ず、制御部４２は、［００］を表す検査モード信号ＭＤ１を入力切換スイッチ４０２に供給する（ステップＳ１１）。ステップＳ１１の実行により、入力切換スイッチ４０２は、検査装置２の高周波信号源４０から供給されたテスト用高周波信号ＴＳ１を信号強度検出回路４０３に供給する。信号強度検出回路４０３は、かかるテスト用高周波信号ＴＳ１の信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０９を介して検査装置２の端子４６に供給する。これにより、検査装置２の直流電圧測定器４５は、端子４６に入力された強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧ１として制御部４２に供給する。
【００６１】
次に、制御部４２は、直流電圧測定器４５から供給された信号強度値ＴＧ１を取り込み、これを測定値Ａとして内蔵レジスタ（図示せぬ）に記憶する（ステップＳ１２）。
【００６２】
上記ステップＳ１１及びＳ１２の実行により、検査装置２から半導体チップ１に送信されたテスト用高周波信号ＴＳ１の信号強度が、この半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路４０３によって検出される。そして、その検出結果が検査装置２側に供給され、測定値Ａとして内蔵レジスタに記憶される。
【００６３】
次に、制御部４２は、［０１］を表す検査モード信号ＭＤ１を入力切換スイッチ４０２に供給する（ステップＳ１３）。ステップＳ１３の実行により、入力切換スイッチ４０２は、低雑音増幅回路３０１から供給された増幅高周波信号Ｒを信号強度検出回路４０３に供給する。信号強度検出回路４０３は、かかる増幅高周波信号Ｒの信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０９を介して検査装置２の端子４６に供給する。これにより、検査装置２の直流電圧測定器４５は、端子４６に入力された強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧ１として制御部４２に供給する。
【００６４】
次に、制御部４２は、直流電圧測定器４５から供給された信号強度値ＴＧ１を取り込み、これを測定値Ｂとして内蔵レジスタ（図示せぬ）に記憶する（ステップＳ１４）。
【００６５】
上記ステップＳ１３及びＳ１４の実行により、テスト用高周波信号ＴＳ１に応じて低雑音増幅回路３０１から送出された増幅高周波信号Ｒの信号強度が信号強度検出回路４０３によって検出され、その検出結果が測定値Ｂとして検査装置２の内蔵レジスタに記憶される。
【００６６】
次に、制御部４２は、［１０］を表す検査モード信号ＭＤ１を入力切換スイッチ４０２に供給する（ステップＳ１５）。ステップＳ１５の実行により、入力切換スイッチ４０２は、ミキサ３０２から供給された中間周波数信号ＩＦを信号強度検出回路４０３に供給する。信号強度検出回路４０３は、かかる中間周波数信号ＩＦの信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０９を介して検査装置２の端子４６に供給する。これにより、検査装置２の直流電圧測定器４５は、端子４６に入力された強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧ１として制御部４２に供給する。
【００６７】
次に、制御部４２は、直流電圧測定器４５から供給された信号強度値ＴＧ１を取り込み、これを測定値Ｃとして内蔵レジスタ（図示せぬ）に記憶する（ステップＳ１６）。
【００６８】
上記ステップＳ１５及びＳ１６の実行により、テスト用高周波信号ＴＳ１に応じて、低雑音増幅回路３０１を経てミキサ３０２から送出された中間周波数信号ＩＦの信号強度が信号強度検出回路４０３によって検出され、その検出結果が測定値Ｃとして検査装置２の内蔵レジスタに記憶される。
【００６９】
次に、制御部４２は、内蔵レジスタに記憶されている測定値Ｂから測定値Ａを減算した値、つまりテスト用高周波信号ＴＳ１の信号強度と、このテスト用高周波信号ＴＳ１に応じて低雑音増幅回路３０１が送出した増幅高周波信号Ｒの信号強度との差を算出し、これを低雑音増幅回路３０１の実利得値ＡＰ１として内蔵レジスタに記憶する（ステップＳ１７）。
【００７０】
次に、制御部４２は、実利得値ＡＰ１が規定範囲内に収まっているか否かの判定を行う（ステップＳ１８）。かかるステップＳ１８において、実利得値ＡＰ１が規定範囲内に収まってないと判定された場合、制御部４２は、実利得値ＡＰ１が規定範囲内に収まってないと判定された場合、制御部４２は、実利得値ＡＰ１が調整可能な範囲内に収まっているか否かの判定を行う（ステップＳ１９）。ステップＳ１９において実利得値ＡＰ１が調整可能な範囲内に収まっていないと判定された場合、制御部４２は、この半導体チップ１が不良品であることを表す検査結果を表示器４９に表示させる（ステップＳ２０）。一方、ステップＳ１９において実利得値ＡＰ１が調整可能な範囲内に収まっていると判定された場合、制御部４２は、各利得値毎にその利得値に対応した利得調整値が予め対応づけして記憶されているメモリ（図示せぬ）から、上記した実利得値ＡＰ１に対応した利得調整値を読み出し、この利得調整値を示す利得調整値データＧＴを利得調整値書込部４７に供給する（ステップＳ２１）。ステップＳ２１の実行により、利得調整値書込部４７は、利得調整値データＧＴにて表される利得調整値を利得調整値記憶回路１８に書き込ませるべきレベルに変換した書込利得調整値データＧＤＷ１を、端子４８を介して半導体チップ１の端子１０７に供給する。この際、半導体チップ１の利得調整記憶回路４０１は、端子１０７を介して入力された書込利得調整値データＧＤＷ１を記憶し、この書込利得調整値データＧＤＷ１によって表される利得調整値に対応したレベルを有する利得調整信号ＧＣ１を低雑音増幅回路３０１に供給する。かかる利得調整信号ＧＣ１に応じて低雑音増幅回路３０１の増幅利得が調整される。
【００７１】
ステップＳ２０又はＳ２１の実行後、又は上記ステップＳ１８において実利得値ＡＰ１が規定範囲内に収まっていると判定された場合、制御部４２は、内蔵レジスタに記憶されている測定値Ｃから測定値Ｂを減算した値、つまりミキサ３０２から送出された中間周波数信号ＩＦの信号強度と、このミキサ３０２に入力された増幅高周波信号Ｒの信号強度との差を算出し、これを実利得値ＡＰ２として内蔵レジスタに記憶する（ステップＳ２２）。
【００７２】
次に、制御部４２は、実利得値ＡＰ２が規定範囲内に収まっているか否かの判定を行う（ステップＳ２３）。かかるステップＳ２３において、実利得値ＡＰ２が規定範囲内に収まっていると判定された場合、制御部４２は、実利得値ＡＰ２が調整可能な範囲内に収まっているか否かの判定を行う（ステップＳ２４）。ステップＳ２４において実利得値ＡＰ２が調整可能な範囲内に収まっていないと判定された場合、制御部４２は、この半導体チップ１が不良品であることを表す検査結果を表示器４９に表示させる（ステップＳ２５）。一方、ステップＳ２４において実利得値ＡＰ２が調整可能な範囲内に収まっていると判定された場合、制御部４２は、各利得値毎にその利得値に対応した利得調整値が予め対応づけして記憶されているメモリ（図示せぬ）から、上記した実利得値ＡＰ２に対応した利得調整値を読み出し、この利得調整値を示す利得調整値データＧＴを利得調整値書込部４７に供給する（ステップＳ２６）。ステップＳ２６の実行により、利得調整値書込部４７は、利得調整値データＧＴにて表される利得調整値を利得調整値記憶回路１８に書き込ませるべきレベルに変換した書込利得調整値データＧＤＷ２を、端子４８を介して半導体チップ１の端子１０７に供給する。この際、半導体チップ１の利得調整記憶回路４０１は、端子１０７を介して入力された書込利得調整値データＧＤＷ２を記憶し、この書込利得調整値データＧＤＷ２によって表される利得調整値に対応したレベルを有する利得調整信号ＧＣ２をミキサ３０２に供給する。かかる利得調整信号ＧＣ２に応じてミキサ３０２の増幅利得が調整される。
【００７３】
ステップＳ２５又はＳ２６の実行後、又は上記ステップＳ２３において実利得値ＡＰ２が規定範囲内に収まっていると判定された場合、制御部４２は、図７に示す検査及び調整制御を終了する。
【００７４】
上記した検査及び調整により、低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２の実利得値が規定範囲内に収まっていない場合には、低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２に対して、その利得を規定の範囲内に収めるべき利得調整が施される。この際、調整不可能なほど実利得値が規定範囲から外れている場合には、この半導体チップ１が不良品である旨の表示が為される。
【００７５】
以上の如く、図６に示す構成では、半導体チップ１に構築されている受信部を担う各機能ブロック（３０１、３０２、３０４〜３０６）の内で、低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２を検査対象としている。ここで、低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２各々の実利得値を取得すべく、先ず、この半導体チップ１内に構築されている信号強度検出回路４０３で夫々の入力及び出力信号の信号強度を検出し、その信号強度を示す直流レベルの強度信号ＳＳを検査装置２に送信する。そして、検査装置２において、かかる強度信号ＳＳに基づき、低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２各々の実利得値を求め、この実利得値が規定範囲内に収まっているか否かの判定、つまり低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２各々の特性が規定範囲内にあるか否かを判定するのである。よって、低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２各々が生成した高周波数信号自体が検査装置２側に送信されることはないので、このような高周波数信号が半導体チップ１及び検査装置２同士を接続する接続点を含む伝送路上に流れる際に起こるレベル損失が生じない。
【００７６】
従って、図６に示す構成によれば、高周波数信号を検査装置側に送信し、この検査装置に搭載されているアナライザで送信信号を解析して低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２各々の特性が規定範囲内にあるか否かを判定するような構成に比して、上記した如き伝送路上でのレベル損失が無い分だけ高精度な検査が為される。また、高価なアナライザが不要となるので、コスト低減を図ることが可能となる。
【００７７】
更に、図６に示す構成では、増幅部（３０１、３０２）を動作させるべく半導体チップ１に供給するテスト用高周波信号ＴＳ１の信号強度（測定値Ａ）と、このテスト用高周波信号ＴＳ１に応じて増幅部（３０１、３０２）から出力された信号（Ｒ、ＩＦ）の信号強度（測定値Ｂ、Ｃ）との差分を実利得値（ＡＰ１、ＡＰ２）として求めている。そして、この実利得値（ＡＰ１、ＡＰ２）に基づき、増幅部（３０１、３０２）の特性が規定範囲内にあるか否かを判定するようにしている。この際、検査装置２は、テスト用高周波信号ＴＳ１の信号強度を半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路４０３で検出させるべく、端子４３及び端子１０６を含む伝送路を介してこのテスト用高周波信号ＴＳ１を信号強度検出回路４０３に供給する。また、検査装置２は、増幅部（３０１、３０２）から出力された信号（Ｒ、ＩＦ）の信号強度を半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路４０３で検出させるべく、端子４３及び端子１０６を含む伝送路を介して、このテスト用高周波信号ＴＳ１を信号強度検出回路４０３に供給するようにしている。
【００７８】
よって、テスト用高周波信号ＴＳ１の信号強度と、増幅部（３０１、３０２）から出力された信号（Ｒ、ＩＦ）の信号強度との差分を求めると、端子４３及び端子１０６を含む伝送路で生じるテスト用高周波信号ＴＳ１の損失分が相殺されることになる。
【００７９】
これにより、半導体チップ１及び検査装置２間を接続する伝送路、特に接続点としての端子を介して高周波信号を伝送させた際に生じる信号レベルの損失分が排除されるので、高精度な検査及び調整が為されるようになる。
【００８０】
尚、図６に示す構成では、半導体チップ１に構築されている低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２各々の増幅利得を検査しているが、中間周波フィルタ３０４の周波数特性を検査するようにしても良い。
【００８１】
図８は、受信部３００の中間周波フィルタに対して検査及び調整を行う場合の検査装置２の構成と、半導体チップ１の内部構成とを示すブロック図である。
【００８２】
尚、図８において、半導体チップ１に構築されている受信部３００は、図６に示す構成と同様に、低雑音増幅回路３０１、ミキサ３０２、局部発振回路３０３、中間周波増幅器３０５及び復調回路３０６を有する。ただし、図８に示す構成では、中間周波フィルタとして、周波数特性可変の中間周波フィルタ３０４ａを採用している。検査支援回路４００は、信号強度検出回路４０３、入力切換スイッチ４０４及び４０５、周波数特性調整値記憶回路４０６を有する。
【００８３】
入力切換スイッチ４０４は、半導体チップ１の端子１１０を介して外部入力された検査指令信号ＴＥＳが論理レベル１である場合には、端子１１１を介して外部入力されたテスト用高周波信号ＴＳ２を中間周波フィルタ３０４a及び入力切換スイッチ４０５に供給する。一方、かかる検査指令信号ＴＥＳが論理レベル０である場合には、入力切換スイッチ４０４は、ミキサ３０２から供給された中間周波数信号ＩＦを中間周波フィルタ３０４a及び入力切換スイッチ４０５に供給する。
【００８４】
中間周波フィルタ３０４ａは、入力切換スイッチ４０４から供給された中間周波数信号ＩＦ又はテスト用高周波信号ＴＳ２に対して、所定の中心周波数を中心とした所定周波数帯域の成分のみを通過させる周波数選択処理を施すことにより、不要な帯域成分を除去した中間周波数信号ＩＦＸを抽出し、これを中間周波増幅器３０５及び入力切換スイッチ４０５に供給する。尚、中間周波フィルタ３０４ａは、周波数特性調整信号ＧＦに応じて周波数特性、例えば中心周波数又は減衰特性等が調整される。周波数特性調整値記憶回路４０６は、端子１１２を介して外部入力された書込周波数特性調整値データＦＤＷを記憶し、その書込周波数特性調整値データＦＤＷによって示される周波数特性調整値に対応したレベルを有する周波数特性調整信号ＧＦを中間周波フィルタ３０４aに供給する。
【００８５】
入力切換スイッチ４０５は、端子１１３を介して論理レベル１の検査モード信号ＭＤ２が供給された場合には入力切換スイッチ４０４を介して供給されたテスト用高周波信号ＴＳ２を信号強度検出回路４０３に供給する一方、論理レベル０の検査モード信号ＭＤ２が供給された場合には中間周波フィルタ３０４aが送出した中間周波数信号ＩＦＸを信号強度検出回路４０３に供給する。
【００８６】
信号強度検出回路４０３は、入力切換スイッチ４０５から供給されたテスト用高周波信号ＴＳ２、又は中間周波数信号ＩＦＸの信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０９を介して外部に出力する。
【００８７】
検査装置２の高周波信号源４０ａは、例えば、１．０ＭＨｚ、１．１ＭＨｚ、１．２ＭＨｚ、・・・、２ＭＨｚの如く段階的に遷移するテスト用高周波信号ＴＳ２を生成し、これを端子５１を介して出力する。端子５１は、半導体チップ１の端子１１１に接続されている。直流電圧測定器４５ａは、半導体チップ１の端子１０９から送出された強度信号ＳＳが端子５２を介して外部入力された場合には、この強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧ２として制御部４２に供給する。
【００８８】
周波数特性調整値書込部４７ａは、制御部４２から供給された周波数特性調整値データＦＴにて表される周波数特性調整値を周波数特性調整値記憶回路４０６に書き込ませるべきレベルに変換したものを書込周波数特性調整値データＦＤＷとして生成し、これを端子５３を介して出力する。尚、端子５３は、半導体チップ１の端子１１２に接続されている。制御部４２は、上記した検査モード信号ＭＤ２を生成し、これを端子５４を介して出力する。尚、端子５４は、半導体チップ１の端子１１３に接続されている。
【００８９】
以下に、図８に示される検査装置２による半導体チップ１の検査及び調整動作について説明する。
【００９０】
検査装置２の制御部４２は、図９に示す検査制御フローに従って半導体チップ１に構築されている中間周波フィルタ３０４ａの周波数特性の検査及び調整を行う。尚、かかる検査及び調整を行うにあたり、論理レベル１の検査指令信号ＴＥＳを半導体チップ１の端子１１０に固定供給する。これにより、ミキサ３０２から送出された中間周波数信号ＩＦに代えて、端子１１１を介して外部入力されたテスト用高周波信号ＴＳ２が中間周波フィルタ３０４ａに供給されるようになる。
【００９１】
図９において、先ず、制御部４２は、論理レベル１を表す検査モード信号ＭＤ２を端子５４及び半導体チップ１の端子１１３を介して半導体チップ１に構築されている入力切換スイッチ４０５に供給する（ステップＳ３１）。ステップＳ３１の実行により、入力切換スイッチ４０５は、入力切換スイッチ４０４を介して供給されたテスト用高周波信号ＴＳ２を信号強度検出回路４０３に供給する。信号強度検出回路４０３は、かかるテスト用高周波信号ＴＳ２の信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０９を介して検査装置２の端子５２に供給する。これにより、検査装置２の直流電圧測定器４５ａは、端子５２に入力された強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧ２として制御部４２に供給する。
【００９２】
次に、制御部４２は、直流電圧測定器４５から供給された信号強度値ＴＧ２を取り込み、これを測定値Ａとして内蔵レジスタ（図示せぬ）に記憶する（ステップＳ３２）。
【００９３】
上記ステップＳ３１及びＳ３２の実行により、検査装置２から半導体チップ１に送信されたテスト用高周波信号ＴＳ２の信号強度が、この半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路４０３によって検出される。そして、その検出結果が検査装置２側に供給され、測定値Ａとして内蔵レジスタに記憶される。
【００９４】
次に、制御部４２は、論理レベル０を表す検査モード信号ＭＤ２を入力切換スイッチ４０５に供給する（ステップＳ３３）。ステップＳ３３の実行により、入力切換スイッチ４０５は、中間周波フィルタ３０４ａから送出された中間周波数信号ＩＦＸを信号強度検出回路４０３に供給する。信号強度検出回路４０３は、かかる中間周波数信号ＩＦＸの信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０９を介して検査装置２の端子５２に供給する。これにより、検査装置２の直流電圧測定器４５ａは、端子５２に入力された強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧ２として制御部４２に供給する。
【００９５】
次に、制御部４２は、直流電圧測定器４５ａから供給された信号強度値ＴＧ２を取り込み、これを測定値Ｂとして内蔵レジスタに記憶する（ステップＳ３４）。
【００９６】
上記ステップＳ３３及びＳ３４の実行により、テスト用高周波信号ＴＳ２の供給に応じて中間周波フィルタ３０４ａが送出した中間周波数信号ＩＦＸの信号強度が信号強度検出回路４０３によって検出され、その検出結果が測定値Ｂとして検査装置２の内蔵レジスタに記憶される。
【００９７】
次に、制御部４２は、上記した測定値Ｂから測定値Ａを減算した値、つまり半導体チップ１に供給されたテスト用高周波信号ＴＳ２の信号強度と、このテスト用高周波信号ＴＳ２に応じて中間周波フィルタ３０４ａから送出された中間周波数信号ＩＦＸの信号強度との差を算出し、これを中間周波フィルタ３０４ａにおけるレベル減衰値ＦＰとして内蔵メモリ（図示せぬ）に記憶する（ステップＳ３５）。この際、検査装置２の高周波信号源４０ａによって生成されたテスト用高周波信号ＴＳ２の周波数は、例えば、１．０ＭＨｚ、１．１ＭＨｚ、１．２ＭＨｚ、・・・、２ＭＨｚの如く段階的に遷移する。よって、上記ステップＳ３５において、制御部４２は、テスト用高周波信号ＴＳ２の各周波数毎に上記したレベル減衰値ＦＰを求め、各周波数に対応付けして内蔵メモリに記憶する。
【００９８】
次に、制御部４２は、内蔵メモリに記憶されている各周波数毎のレベル減衰値ＦＰからなるレベル減衰系列から、現段階での中間周波フィルタ３０４ａの実周波数特性ＱＦを測定する（ステップＳ３６）。次に、制御部４２は、この実周波数特性ＱＦが規定の周波数特性範囲内に収まっているか否かの判定を行う（ステップＳ３７）。かかるステップＳ３７において、実周波数特性ＱＦが規定の周波数特性範囲内に収まってないと判定された場合、制御部４２は、実周波数特性ＱＦが調整可能な範囲内に収まっているか否かの判定を行う（ステップＳ３８）。ステップＳ３８において実周波数特性ＱＦが調整可能な範囲内に収まっていないと判定された場合、制御部４２は、この半導体チップ１が不良品であることを表す検査結果を表示器４９に表示させる（ステップＳ３９）。
【００９９】
一方、ステップＳ３８において実周波数特性ＱＦが調整可能な範囲内に収まっていると判定された場合、制御部２２は、実周波数特性ＱＦにおいて規定周波数特性範囲内に収まっていない周波数を検出し、その周波数でのレベルを規定の周波数特性範囲内に収めるべき調整値を示す周波数特性調整値データＦＴを周波数特性調整値書込部４７ａに供給する（ステップＳ４０）。ステップＳ４０の実行により、周波数特性調整値書込部４７ａは、周波数特性調整値データＦＴにて表される調整値を示す書込周波数特性調整値データＦＤＷを端子５３を介して半導体チップ１に構築されている周波数特性調整値記憶回路４０６に供給する。よって、周波数特性調整値記憶回路４０６は、書込周波数特性調整値データＦＤＷによって表される調整値に対応したレベルを有する周波数特性調整信号ＧＦを中間周波フィルタ３０４ａに供給する。これにより、中間周波フィルタ３０４ａでは、周波数特性調整信号ＧＦに従った周波数特性の調整が為される。
【０１００】
上記ステップＳ３９又はＳ４０の実行後、又は上記ステップＳ３７において実周波数特性ＱＦが規定の周波数特性範囲内に収まっていると判定された場合、制御部４２は、図９に示す検査及び調整制御を終了する。
【０１０１】
以上の如き動作により、中間周波フィルタ３０４ａの実周波数特性が規定範囲内に収まっていない場合には、中間周波フィルタ３０４ａに対して、その実周波数特性を規定の範囲内に収めるべき調整が施される。この際、調整不可能なほど実周波数特性が規定範囲から外れている場合には、この半導体チップ１が不良品である旨の表示が為される。
【０１０２】
このように、図８に示す構成では、半導体チップ１に構築されている通信回路の受信部を担う各機能ブロック（３０１、３０２、３０４ａ、３０５、３０６）の内で、中間周波フィルタ３０４ａを検査対象としている。ここで、中間周波フィルタ３０４ａから送出された中間周波数信号ＩＦＸの信号強度を、この半導体チップ１内に構築されている信号強度検出回路４０３で検出し、その信号強度を示す直流レベルの強度信号ＳＳを検査装置２に送信する。そして、検査装置２において、かかる強度信号ＳＳに基づく各周波数毎のレベル減衰値（ＦＰ）の系列から現段階での中間周波フィルタ３０４ａの実周波数特性（ＱＦ）を測定し、かかる実周波数特性（ＱＦ）が規定範囲内に収まっているか否かの判定を行っている。
【０１０３】
よって、中間周波フィルタ３０４ａから送出された高周波数の中間周波数信号ＩＦＸ自体が検査装置２側に送信されることはないので、このような高周波数信号が半導体チップ１及び検査装置２同士を接続する接続点を含む伝送路上に流れる際に起こるレベル損失が生じない。
【０１０４】
従って、図８に示す構成によれば、高周波数信号を検査装置側に送信し、この検査装置に搭載されているアナライザでかかる高周波数信号を解析して中間周波フィルタ３０４の特性が規定範囲内にあるか否かを判定するような構成に比して、上記した如き伝送路上でのレベル損失が無い分だけ高精度な検査が為される。また、高価なアナライザが不要となるので、コスト低減を図ることが可能となる。
【０１０５】
更に、図８に示す構成では、中間周波数信号ＩＦＸを生成させるべく中間周波フィルタ３０４ａに供給するテスト用高周波信号ＴＳ２の信号強度（測定値Ａ）と、中間周波数信号ＩＦＸの信号強度（測定値Ｂ）との差分（ＦＰ）に基づいて、中間周波フィルタ３０４ａの周波数特性が規定範囲内に収まっているか否かの判定、及び中間周波フィルタ３０４ａの周波数特性の調整を行うようにしている。
【０１０６】
この際、検査装置２は、テスト用高周波信号ＴＳ２の信号強度を半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路４０３において検出させるべく、端子５１及び端子１１１を含む伝送路を介して、このテスト用高周波信号ＴＳ２を信号強度検出回路４０３に供給する。また、検査装置２は、中間周波数信号ＩＦＸの信号強度を半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路４０３にて検出させるべく、端子５１及び端子１１１を含む伝送路を介して、テスト用高周波信号ＴＳ２を中間周波フィルタ３０４ａに供給する。
【０１０７】
よって、テスト用高周波信号ＴＳ２の信号強度と中間周波数信号ＩＦＸの信号強度との差分を求めると、上記した伝送路（端子５１及び端子１１１を含む）で生じるテスト用高周波信号ＴＳ２の損失分が相殺されることになる。
【０１０８】
これにより、半導体チップ１及び検査装置２間を接続する伝送路、特に接続点としての端子を介して中間周波数信号を伝送させた際に生じる信号レベルの損失分が排除されるので、高精度な検査及び調整が為されるようになる。
【０１０９】
尚、上記実施例においては、信号強度検出回路（１５、４０３）として、図２（ａ）に示す如きソースフォロア回路、及び図２（ｂ）に示す如きダイオードによる半波清流回路を示したが、両波整流回路や多位相を用いる整流回路など他のものでも良い。
【０１１０】
また、上記実施例では、検査及び調整対象となる機能ブロック（１４、３０１、３０２、３０４ａ）に供給されるテスト用高周波信号（ＴＳ、ＴＳ１、ＴＳ２）、及びその出力信号（ＴＲＳ、Ｒ、ＩＦ、ＩＦＸ）を切り替えて単一の信号強度検出回路に供給するようにしている。しかしながら、検査及び調整対象となる機能ブロックに供給するテスト用高周波信号及び出力信号の夫々に対して信号強度検出回路を個別に設け、各信号強度検出回路の出力を入力切換スイッチによって択一的に切り替えて出力するようにしても良い。
【０１１１】
また、信号検出回路の出力にＡＤコンバータを設け、ディジタル値からなる強度信号ＳＳを検査装置２に送信するようにしても良い。この際、検査装置２側には直流電圧測定器４５は不要となり、デジタル信号の取り込み及び演算処理が行えればよい。
【０１１２】
また、信号強度検出回路の検出範囲を調整するための手段を設けるようにしても良い。つまり、信号強度検出回路のバイアス調整（例えばソースフォロア回路のバイアス電流調整)、或いは可変減衰器を入力に挿入することによって入力レベル調整を行うのである。尚、減衰器として抵抗比で減衰比を設定する場合には直流測定により減衰比の検査を行うことも可能である。
【０１１３】
また、調整値記憶回路（１８、４０１、４０６）としては、静電気による不揮発メモリ、或いは、電流による溶断又は抵抗値変化を利用した電気ヒューズを用いるようにしても良い。このほか、レーザー光線に応じてデータ記憶を行うことが可能なメモリを用いても良い。この際、検査装置２の端子（２８、４８、５３）及び半導体チップ１の端子（１０４、１０７、１１２）間の接続ラインが不要となり、このような接続ライン及び接触針を介すことなく、レーザ光線による書き込み(焼きこみ)が半導体チップ１に施される。
【０１１４】
また、高周波増幅回路１４の信号強度を検出するにあたり、終端抵抗の接続が必要となる場合があるが、この際、検査装置２側に入力切換スイッチを更に設けて、終端抵抗を必要時にのみ接続するようにしても良い。尚、半導体チップ１内にこの入力切換スイッチを設けて終端抵抗を適宜接続するようにしても良い。
【０１１５】
また、図３、図７、図９に示す検査制御フローでは、前述した如き測定値Ｂから測定値Ａ又は測定値Ｃから測定値Ｂを減算した値（ＡＰ、ＡＰ１、ＡＰ２、ＦＰ）に基づいて機能ブロックの特性が規定範囲内にあるか否かを判定するようにしているが、機能ブロックの特性が規定範囲内にあるか否かを判定する方法は、上記の如き方法に限定されない。例えば、測定値Ａ及びＢ（Ｂ及びＣ）の比を求め、この「比」に基づいて機能ブロックの特性が規定範囲内にあるか否かを判定するようにしても良い。かかる「比」については、例えば測定値Ａ及びＢ同士の除算演算、或いは測定値Ａ及びＢ各々を対数表現で表した値同士の差分によって求めることができる。
【０１１６】
また、テスト用高周波信号（ＴＳ、ＴＳ１、ＴＳ２）の強度としては１系統に限定されるものではなく、２系統以上の複数であっても良い。この際、例えば、テスト用高周波信号として２系統の強度を有するものを高周波信号源（２０、４０、４０ａ）で順次生成させ、第１の強度を有するテスト用高周波信号に応じて得られた測定値Ａと、第２の強度を有するテスト用高周波信号に応じて得られた測定値Ａとに基づいて、機能ブロックの出力特性が規定範囲内にあるか否かを判定するようにしても良い。
【０１１７】
また、上記実施例においてテスト信号供給回路を担う入力切換スイッチ１１は、検査時には変調信号ＭＳに代えてテスト用周波数信号ＴＳを高周波増幅回路１４に供給するセレクタであるが、テスト信号供給回路としては、検査時にのみオン状態となってテスト用周波数信号ＴＳを強制的に高周波増幅回路１４に供給するオンオフスイッチであっても良い。
【符号の説明】
【０１１８】
１ 半導体チップ
２ 検査装置
11、21、402、404、405 入力切換スイッチ
１５、４０３ 信号強度検出回路
１８、４０１ 利得調整値記憶回路
２０、４０、４０ａ 高周波信号源
２２、４２ 制御部
２００、４００ 検査支援回路
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ、特に通信回路が構築されている半導体チップ及び半導体チップの検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線通信装置における高周波数信号のレベルは過小であると十分な伝送距離が確保できず、一方、過大であると他の通信に妨害を与えて電波法規違反となる虞が生じる。よって、このような無線通信装置用の高周波回路が構築されている半導体チップに対しては、その製品出荷時において高周波信号レベルが規定範囲内に収まっているか否かの検査が為される。このような検査を行う検査装置（例えば、特許文献１の図１６参照）においては、テスト装置２００及び３００が夫々検査対象となる通信用半導体集積回路１００に接続されている。先ず、テスト装置３００が、テスト用高周波信号を通信用半導体集積回路１００に供給する。そして、このテスト用高周波信号に応じて通信用半導体集積回路１００から送出された高周波の送信信号をテスト装置２００で取り込み、そのレベルが規定範囲内にあるか否かを判定することにより、半導体チップの良否を判断するのである。
【０００３】
しかしながら、通信用半導体集積回路１００と、テスト装置２００及び３００各々との間で、無線帯域の如き高周波数の信号を伝送させると、通信用半導体集積回路１００及びテスト装置２００（３００）同士を接続する接続点に生じる容量又は接触抵抗の影響を受け易くなり、伝送信号レベルに損失が発生する。よって、正確な信号レベルの測定が困難になり、検査結果の信頼性が低下するという問題が生じた。
【０００４】
また、通信用半導体集積回路１００に外部接続されたテスト装置２００によってこの通信用半導体集積回路１００から出力された高周波数の送信信号のレベルを正確に検出する為には、高価なアナライザを搭載する必要があり、コスト高を招くという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２２８０３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本願発明は、上記の如き問題を解決すべく為されたものであり、通信回路が構築されている半導体チップを高精度に且つ安価な検査装置で検査することが可能な半導体チップ、及びその検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体チップは、通信回路を担う複数の機能ブロックを含む半導体チップであって、検査指令に応じて前記複数の機能ブロックの内の１の機能ブロックにテスト用周波数信号を供給するテスト信号供給回路と、前記１の機能ブロックが生成した信号の信号強度を検出して当該信号強度を示す強度信号を外部出力する外部出力回路と、を有する。
【０００８】
また、本発明に係る半導体チップの検査方法は、通信回路を担う複数の機能ブロックと、前記複数の機能ブロックの内の１の機能ブロックにテスト用周波数信号を供給するテスト信号供給回路と、前記１の機能ブロックが生成した信号の信号強度を検出して当該信号強度を示す強度信号を外部出力する外部出力回路と、が構築されている半導体チップを検査装置によって検査する半導体チップの検査方法であって、半導体チップに前記テスト用周波数信号を供給する第１ステップと、前記半導体チップから出力された前記強度信号に基づいて前記１の機能ブロックの特性が規定範囲内にあるか否かを判定する第２ステップと、を有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明においては、半導体チップに構築されている通信回路を担う複数の機能ブロックの内の１の機能ブロックを検査するにあたり、本来入力されるべき信号に代えて外部入力されたテスト用周波数信号を上記１の機能ブロックに供給し、この機能ブロックが生成した信号の信号強度を示す直流レベルの強度信号を半導体チップから外部出力させる。検査装置置は、上記半導体チップにテスト用周波数信号を供給しつつこのテスト用周波数信号の供給に応じて半導体チップから出力された上記強度信号に基づいて、機能ブロックの特性が規定範囲内にあるか否かを判定する。よって、半導体チップ及び検査装置間の伝送路、特に接続点上でレベル損失を生じ易い高周波数の信号が半導体チップ側から外部出力されることは無いので、高精度な検査が為される。また、高価なアナライザが不要となるので、コスト低減を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る半導体チップ１に検査装置２を接続してこの半導体チップ１に構築されている通信回路の検査及び調整を行う際のシステム構成を示すブロック図である。
【図２】信号強度検出回路１５、４０３の内部構成の一例を示す回路図である。
【図３】制御部２２によって実施される検査制御フローの一例を示すフローチャートである。
【図４】図１に示す構成の変形例を示すブロック図である。
【図５】複数の半導体チップ１が形成されている半導体ウェハ３に対して直接、検査装置２によって各半導体チップ１の検査及び調整を行う際のシステム構成を示す図である。
【図６】本発明に係る半導体チップ１に検査装置２を接続してこの半導体チップ１に構築されている低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２の検査及び調整を行う際のシステム構成を示すブロック図である。
【図７】図６に示す構成において、制御部４２にて実施される検査制御フローの一例を示すフローチャートである。
【図８】本発明に係る半導体チップ１に検査装置２を接続してこの半導体チップ１に構築されている中間周波フィルタ３０４の検査及び調整を行う際のシステム構成を示すブロック図である。
【図９】図８に示す構成において、制御部４２にて実施される検査制御フローの一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明においては、通信回路を担う複数の機能ブロックが構築されている半導体チップ内に、検査対象とする１の機能ブロックにテスト用周波数信号を供給するテスト信号供給回路と、上記機能ブロックが生成した信号の信号強度を検出して当該信号強度を示す強度信号を外部出力する外部出力回路と、を設ける。
【実施例】
【００１２】
図１は、本発明に係る半導体チップ１に検査装置２を接続してこの半導体チップ１に構築されている無線通信回路の検査及び調整を行う際のシステム構成を示すブロック図である。
【００１３】
半導体チップ１には、無線通信回路の他に、この無線通信回路を検査及び調整する際に用いる検査支援回路（テスト信号供給回路と外部出力回路とを含む）が構築されている。尚、図１においては、無線通信回路中において送信動作を担う送信部１００と共に、この送信部１００を検査及び調整する際に用いる検査支援回路２００を抜粋して示している。
【００１４】
送信部１００は、局部発振回路９、変調回路１０及び高周波増幅回路１４を含み、検査支援回路２００は、入力切換スイッチ１１、信号強度検出回路１５及び利得調整値記憶回路１８を含む。
【００１５】
送信部１００の局部発振回路９は、高周波数の局部発振信号ｆＱを生成しこれを変調回路１０に供給する。変調回路１０は、送信すべき情報信号によって局部発振信号ｆＱを変調して得られた変調信号ＭＳを、検査支援回路２００の入力切換スイッチ１１に供給する。入力切換スイッチ１１は、半導体チップ１の外部端子である端子１１０を介して外部入力された検査指令信号ＴＥＳが論理レベル１である場合には、端子１０１を介して外部入力されたテスト用高周波信号ＴＳを高周波増幅回路１４に供給する。一方、検査指令信号ＴＥＳが論理レベル０である場合には、入力切換スイッチ１１は、変調回路１０から供給された変調信号ＭＳを高周波増幅回路１４に供給する。つまり、半導体チップ１の検査を行う場合には、論理レベル１の検査指令信号ＴＥＳを端子１１０に固定供給する一方、半導体チップ１の通常使用時には論理レベル０の検査指令信号ＴＥＳを端子１１０に固定供給するのである。
【００１６】
高周波増幅回路１４は、入力切換スイッチ１１から供給された変調信号ＭＳ又はテスト用高周波信号ＴＳを、所定の初期利得に利得調整信号ＧＳに応じた調整を施した利得で増幅したものを送信信号ＴＲＳとして生成する。高周波増幅回路１４は、かかる送信信号ＴＲＳをラインＬを介して検査支援回路２００の信号強度検出回路１５に供給すると共に、これを端子１０２を介して外部に出力する。尚、半導体チップ１の非検査時、つまり通常使用時には、この端子１０２には、無線送受信用のアンテナ（図示せぬ）が接続される。すなわち、この際、高周波増幅回路１４によって生成された送信信号ＴＲＳが端子１０２に接続されたアンテナを介して無線送信されるのである。
【００１７】
信号強度検出回路１５は、高周波増幅回路１４から供給された送信信号ＴＲＳ、又は端子１０２を介して外部入力されたテスト用高周波信号ＴＳの信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０３を介して外部に出力する。
【００１８】
図２（ａ）又は図２（ｂ）は、信号強度検出回路１５の一例を示す回路図である。
【００１９】
図２（ａ）に示す回路では、上記したテスト用高周波信号ＴＳ又は送信信号ＴＲＳは、コンデンサＣ１を介してＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＦＥＴ（Field-Effect Transistor）であるトランジスタＱ１のゲート端子に供給される。トランジスタＱ１のゲート端子には、その一端が接地されている抵抗Ｒ１の他端が接続されている。トランジスタＱ１のドレイン端子には電源電圧ＶＤＤが印加されており、そのソース端子には電流源ＶＩが接続されている。更に、トランジスタＱ１のソース端子には、その一端が接地されているコンデンＣ２の他端が接続されており、かかるトランジスタＱ１のソース端子から強度信号ＳＳが出力される。すなわち、図２（ａ）に示す回路構成では、ＦＥＴを用いたソースフォロア回路によって、テスト用高周波信号ＴＳ又は送信信号ＴＲＳを半波整流することにより、送信信号ＴＲＳ又はテスト用高周波信号ＴＳのピークレベルに対応した直流電圧を生成する。そして、かかる直流電圧を、送信信号ＴＲＳ又はテスト用高周波信号ＴＳの信号強度を表す強度信号ＳＳとして出力する。
【００２０】
図２（ｂ）に示す回路では、上記したテスト用高周波信号ＴＳ又は送信信号ＴＲＳは、ダイオードＤ１のアノード端子に供給される。ダイオードＤ１のカソード端子には、その一端が共に接地されている抵抗Ｒ２及びコンデンサＣ３各々の他端が接続されている。ダイオードＤ１のカソード端子から強度信号ＳＳが出力される。すなわち、図２（ｂ）に示す回路構成では、ダイオードによる半波整流回路によってテスト用高周波信号ＴＳ又は送信信号ＴＲＳを半波整流することにより、送信信号ＴＲＳ又はテスト用高周波信号ＴＳのピークレベルに対応した直流電圧を生成する。そして、かかる直流電圧を、送信信号ＴＲＳ又はテスト用高周波信号ＴＳの信号強度を表す強度信号ＳＳとして出力する。
【００２１】
検査支援回路２００の利得調整値記憶回路１８は、端子１０４を介して外部入力された書込利得調整値データＧＤＷを記憶し、その書込利得調整値データＧＤＷによって示される利得調整値に対応したレベルを有する利得調整信号ＧＳを高周波増幅回路１４に供給する。
【００２２】
尚、半導体チップ１の通常使用時には、上記端子１０１、１０３及び１０４の各々は外部接続の為されない空き端子状態となる。
【００２３】
検査装置２の高周波信号源２０は、上記した局部発振信号ｆＱにおける規格上の周波数を有するテスト用高周波信号ＴＳを生成し、これを入力切換スイッチ２１に供給する。入力切換スイッチ２１は、制御部２２から論理レベル０の検査モード信号ＭＯＤが供給された場合には、上記したテスト用高周波信号ＴＳを端子２３を介して出力する一方、論理レベル１の検査モード信号ＭＯＤが供給された場合には、かかるテスト用高周波信号ＴＳを端子２４を介して出力する。尚、上記端子２３は、半導体チップ１の端子１０１に接続されている。また、上記端子２４は、半導体チップ１の端子１０２に接続されている。直流電圧測定器２５は、端子２６を介して強度信号ＳＳが外部入力された場合には、この強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧとして制御部２２に供給する。尚、上記端子２６は、半導体チップ１の端子１０３に接続されている。利得調整値書込部２７は、制御部２２から供給された利得調整値データＧＤにて表される利得調整値を利得調整値記憶回路１８に書き込ませるべきレベルに変換したものを書込利得調整値データＧＤＷとして生成し、これを端子２８を介して出力する。尚、端子２８は、半導体チップ１の端子１０４に接続されている。
【００２４】
以下に、図１に示される検査装置２による半導体チップ１の検査及び調整動作について説明する。
【００２５】
半導体チップ１の検査及び調整を行うにあたり、先ず、論理レベル１の検査指令信号ＴＥＳを半導体チップ１の端子１１０に固定供給する。これにより、送信部１００の変調回路１０から送出された変調信号ＭＳに代えて、端子１０１を介して外部入力された信号が高周波増幅回路１４に供給されるようになる。
【００２６】
かかる状態において、検査装置２の制御部２２は、図３に示す検査制御フローに従って半導体チップ１に構築されている送信部１００の送信出力の検査及び調整制御を行う。
【００２７】
図３において、先ず、制御部２２は、論理レベル１の検査モード信号ＭＯＤを入力切換スイッチ２１に供給する（ステップＳ１）。ステップＳ１の実行により、入力切換スイッチ２１は、高周波信号源２０で生成されたテスト用高周波信号ＴＳを端子２４を介して、半導体チップ１の端子１０２に供給する。これにより、半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路１５は、端子１０２を介して外部入力されたテスト用高周波信号ＴＳの信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０３を介して検査装置２の端子２６に供給する。この際、検査装置２の直流電圧測定器２５は、端子２６に入力された強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧとして制御部２２に供給する。尚、半導体チップ１の端子１０２は、上述した如く、本来、高周波増幅回路１４と送信アンテナ（図示せぬ）とを接続する為のアンテナ端子である。つまり、半導体チップ１の検査時には、このアンテナ端子である端子１０２をテスト用高周波信号ＴＳを入力する為の端子として用いることにより、半導体チップ１に設けるべき外部端子の数の削減を図るのである。
【００２８】
次に、制御部２２は、直流電圧測定器２５から供給された信号強度値ＴＧを取り込み、これを測定値Ａとして内蔵レジスタ（図示せぬ）に記憶する（ステップＳ２）。
【００２９】
上記ステップＳ１及びＳ２の実行により、検査装置２から半導体チップ１に送信されたテスト用高周波信号ＴＳの信号強度が、この半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路１５によって検出される。そして、その検出結果が検査装置２側に供給され、測定値Ａとして内蔵レジスタに記憶される。
【００３０】
次に、制御部２２は、論理レベル０の検査モード信号ＭＯＤを入力切換スイッチ２１に供給する（ステップＳ３）。ステップＳ３の実行により、入力切換スイッチ２１は、高周波信号源２０で生成されたテスト用高周波信号ＴＳを端子２３を介して、半導体チップ１の端子１０１に供給する。これにより、半導体チップ１の入力切換スイッチ１１は、端子１０１を介して外部入力されたテスト用高周波信号ＴＳを高周波増幅回路１４に供給する。高周波増幅回路１４は、かかるテスト用高周波信号ＴＳを増幅して得られた送信信号ＴＲＳを信号強度検出回路１５に供給する。信号強度検出回路１５は、この送信信号ＴＲＳの信号強度を検出し、信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０３を介して検査装置２の端子２６に供給する。この際、検査装置２の直流電圧測定器２５は、端子２６に入力された強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧとして制御部２２に供給する。
【００３１】
次に、制御部２２は、直流電圧測定器２５から供給された信号強度値ＴＧを取り込み、これを測定値Ｂとして内蔵レジスタ（図示せぬ）に記憶する（ステップＳ４）。
【００３２】
上記ステップＳ３及びＳ４の実行により、検査装置２側から端子１０１を介して半導体チップ１に供給されたテスト用高周波信号ＴＳに応じて高周波増幅回路１４が送信信号ＴＲＳを出力する。そして、かかる送信信号ＴＲＳの信号強度がこの半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路１５によって検出され、その検出結果が測定値Ｂとして検査装置２の制御部２２に内蔵されているレジスタに記憶されるのである。
【００３３】
次に、制御部２２は、内蔵レジスタに記憶されている測定値Ｂから測定値Ａを減算した値、つまり半導体チップ１に供給されたテスト用高周波信号ＴＳの信号強度と、このテスト用高周波信号ＴＳに応じて高周波増幅回路１４が送出した送信信号ＴＲＳの信号強度との差を算出し、これを高周波増幅回路１４の実利得値ＡＰとして内蔵レジスタに記憶する（ステップＳ５）。
【００３４】
次に、制御部２２は、実利得値ＡＰが規定範囲内に収まっているか否かの判定を行う（ステップＳ６）。かかるステップＳ６において、実利得値ＡＰが規定範囲内に収まってないと判定された場合、制御部２２は、実利得値ＡＰが調整可能な範囲内に収まっているか否かの判定を行う（ステップＳ７）。ステップＳ７において実利得値ＡＰが調整可能な範囲内に収まっていないと判定された場合、制御部２２は、この半導体チップ１が不良品であることを表す検査結果を表示器２９に表示させる（ステップＳ８）。一方、ステップＳ７において実利得値ＡＰが調整可能な範囲内に収まっていると判定された場合、制御部２２は、例えば各利得値毎にその利得値に対応した利得調整値が予め対応づけして記憶されているメモリ（図示せぬ）から、上記した実利得値ＡＰに対応した利得調整値を読み出し、この利得調整値を示す利得調整値データＧＤを利得調整値書込部２７に供給する（ステップＳ９）。例えば、かかるメモリには、上記した規定範囲内の上限値よりも大なる利得値の各々には、その利得値が大なるほど利得を大幅に低下させるべき負極性の値を有する利得調整値が対応づけして記憶されている。また、上記した規定範囲内の下限値よりも小なる利得値の各々には、その利得値が小なるほど利得を大幅に増加させるべき正極性の値を有する利得調整値が対応づけして記憶されている。ステップＳ９の実行により、利得調整値書込部２７は、利得調整値データＧＤにて表される利得調整値を利得調整値記憶回路１８に書き込ませるべきレベルに変換した書込利得調整値データＧＤＷを、端子２８を介して半導体チップ１の端子１０４に供給する。利得調整記憶回路１８は、端子１０４を介して入力された書込利得調整値データＧＤＷを記憶し、この書込利得調整値データＧＤＷによって表される利得調整値に対応したレベルを有する利得調整信号ＧＳを高周波増幅回路１４に供給する。かかる利得調整信号ＧＳに応じて高周波増幅回路１４の増幅利得が調整される。例えば、利得調整信号ＧＳによって表される利得調整レベルが正極性のレベルである場合、高周波増幅回路１４の利得は、上記した初期利得にこの利得調整レベルを加算した利得に調整される。また、利得調整信号ＧＳによって表される利得調整レベルが負極性のレベルである場合、高周波増幅回路１４の利得は、上記初期利得からこの利得調整レベルを減算した利得に調整される。
【００３５】
上記ステップＳ８又はＳ９の実行後、又は上記ステップＳ６において実利得値ＡＰが規定範囲内に収まっていると判定された場合、制御部２２は、図３に示す検査及び調整制御を終了する。
【００３６】
以上の如き動作により、高周波増幅回路１４の実利得値が規定範囲内に収まっていない場合には、この高周波増幅回路１４に対して、その利得を規定の範囲内に収めるべき利得調整が施される。すなわち、高周波増幅回路１４の特性を規定範囲内に収めるべき調整が為されるのである。この際、調整不可能なほど実利得値が規定範囲から外れている場合には、この半導体チップ１が不良品である旨の表示が為される。
【００３７】
このように、図１に示す半導体チップ１は、検査指令に応じて、先ず、半導体チップ１に構築されている各機能ブロック（９、１０、１４）の内で検査対象となる高周波増幅回路１４に入力されるべき信号を、外部供給されたテスト用高周波数信号に切り替える。そして、かかるテスト用高周波数信号に応じて高周波増幅回路１４が生成した送信信号ＴＲＳの信号強度を半導体チップ１内に構築されている信号強度検出回路１５で検出し、その信号強度を表す直流レベルの強度信号ＳＳを外部出力する。この際、検査装置２は、半導体チップ１から外部出力された強度信号ＳＳに基づき、高周波増幅回路１４の実利得値（ＡＰ）が規定範囲内に収まっているか否かの判定（Ｓ６）、つまり高周波増幅回路１４の特性が規定範囲内にあるか否かを判定する。
【００３８】
よって、高周波増幅回路１４において生成された高周波数の送信信号ＴＲＳ自体が検査装置２側に送信されることはないので、このような高周波数信号が半導体チップ１及び検査装置２同士を接続する接続点を含む伝送路上に流れる際に起こるレベル損失が生じない。
【００３９】
従って、図１に示す構成によれば、高周波数の送信信号を検査装置側に送信し、この検査装置に搭載されているアナライザで送信信号を解析して高周波増幅回路１４の特性の良否を判定する場合に比して、上記した如き伝送路上でのレベル損失が無い分だけ高精度な検査が為される。また、高価なアナライザが不要となるので、コスト低減を図ることが可能となる。
【００４０】
更に、図１に示す構成では、送信信号ＴＲＳを生成させるべく高周波増幅回路１４に供給するテスト用高周波信号ＴＳの信号強度（測定値Ａ）と、送信信号ＴＲＳの信号強度（測定値Ｂ）との差分（ＡＰ）に基づき、高周波増幅回路１４の特性が規定範囲内にあるか否かを判定するようにしている。この際、検査装置２は、送信信号ＴＲＳの信号強度を半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路１５にて検出させるべく、端子２３及び端子１０１を含む第１伝送路を介して、テスト用高周波信号ＴＳを高周波増幅回路１４に供給する。また、検査装置２は、テスト用高周波信号ＴＳの信号強度を半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路１５によって検出させるべく、端子２４及び端子１０２を含む第２伝送路を介して、このテスト用高周波信号ＴＳを信号強度検出回路１５に供給する。よって、上述したように、テスト用高周波信号ＴＳの信号強度と送信信号ＴＲＳの信号強度との差分（ＡＰ）を求めると、第１伝送路（端子２４及び端子１０２を含む）で生じるテスト用高周波信号ＴＳの損失分と、第２伝送路（端子２３及び端子１０１を含む）で生じるテスト用高周波信号ＴＳの損失分と、が相殺されることになる。
【００４１】
これにより、半導体チップ１及び検査装置２同士を接続する接続点である外部端子を介して高周波数信号としてのテスト用高周波信号ＴＳを伝送させた際に生じるレベル損失が排除されるので、高精度な検査及び調整が為されるようになる。
【００４２】
尚、図１に示す実施例では、テスト用高周波信号ＴＳの供給先（信号強度検出回路１５又は高周波増幅回路１４）を切り替える為の入力切換スイッチ２１を、検査装置２に設けるようにしているが、これを図４に示すように半導体チップ１の検査支援回路２００内に設けるようにしても良い。
【００４３】
尚、図４に示す構成では、制御部２２から送出された検査モード信号ＭＯＤを端子３０を介して半導体チップ１の端子１０５に供給し、この端子１０５を介して供給された検査モード信号ＭＯＤに応じて、半導体チップ１内に構築されている入力切換スイッチ２１の切換制御が為される。又、図４に示す構成では、検査装置２の高周波信号源２０で生成されたテスト用高周波信号ＴＳを直に端子２３を介して半導体チップ１の端子１０１に供給する。これにより、テスト用高周波信号ＴＳは、入力切換スイッチ１１を介して高周波増幅回路１４及び入力切換スイッチ２１の各々に供給される。入力切換スイッチ２１は、論理レベル１の検査モード信号ＭＯＤが供給された場合には入力切換スイッチ１１を介して供給されたテスト用高周波信号ＴＳを信号強度検出回路１５に供給する一方、論理レベル０の検査モード信号ＭＯＤが供給された場合には高周波増幅回路１４が送出した送信信号ＴＲＳを信号強度検出回路１５に供給する。ところで、上記した図４に示す如き構成に比して、図１に示す構成では、半導体チップ１内に入力切換スイッチ２１が設けられていないので、テスト用高周波信号ＴＳが信号強度検出回路１５に供給されるまでの伝送路の短縮、並びに、この入力切換スイッチ２１を経由することによる伝送遅延及び損失が低減される。
【００４４】
また、本発明によれば、半導体ウェハの段階で各半導体チップに対して精度良く検査及び調整を行うことも可能である。
【００４５】
図５は、夫々が図１に示す如き構成を有する複数の半導体チップ１が形成されている半導体ウェハ３の段階で、各半導体チップ１の検査及び調整を行う際のシステム構成を示す図である。
【００４６】
図５において、プローブカード４は、検査装置２に搭載されている電源回路ＧＧが生成した電源電圧を供給する為の電源ライン及び接地ラインに夫々接続されている接触針５１及び５２と、検査装置２の端子２３、２４、２６及び２８に夫々接続されている接触針５３〜５６とを備える。接触針５１及び５２の各々は半導体チップ１の電源パッド及び接地パッド（図示せぬ）の表面に接触している。これにより、検査装置２に搭載されている電源回路ＧＧにより、半導体チップ１への電源供給が為される。また、接触針５３〜５６は、夫々半導体チップ１のパッドである端子１０１〜１０４各々の表面に接触している。
【００４７】
ここで、図５に示すように、接触針５１〜５６を直接、半導体ウェハ３に形成されている半導体チップ１の端子に接触させる場合、その接触抵抗によるインピーダンス、或いは接触針が比較的長いことに起因するインダクタンス成分に伴う高周波信号への影響、つまり損失が大となる。
【００４８】
しかしながら、本発明においては、半導体チップ１内で生成された高周波信号（ＴＲＳ）の信号強度がこの半導体チップ１内に設けられた信号強度検出回路１５で検出され、その信号強度を示す直流の信号が接触針５を介して検査装置２側に供給されるようになっている。よって、接触針５を介して高周波信号の伝送が為されないので正確な測定が可能となる。
【００４９】
更に、高周波信号（ＴＲＳ）の信号強度が規定範囲内に収まっているか否かの判定及び高周波増幅回路１４の利得調整を、テスト用高周波信号ＴＳの信号強度と、このテスト用高周波信号ＴＳに応じて生成された高周波信号（ＴＲＳ）の信号強度との差分（ＡＰ）に基づいて行うようにしている。これにより、テスト用高周波信号ＴＳの信号強度を検出すべく接触針５４を介して伝送されるテスト用高周波信号ＴＳの損失分と、高周波信号（ＴＲＳ）を生成させるべく接触針５３を介して伝送されるテスト用高周波信号ＴＳの損失分とが相殺されることになる。よって、半導体チップ１及び検査装置２間を接続する接触針５を介して高周波信号を伝送させた際に生じる信号レベルの損失分が排除されるので、高精度な検査及び調整が為される。
【００５０】
尚、上記実施例においては、半導体チップ１に構築されている無線通信回路の送信部１００に対して検査及び調整を行う場合の動作について説明したが、受信部に対しても同様に適用可能である。
【００５１】
図６は、半導体チップ１に構築されている無線通信回路内の受信部に対して検査及び調整を行う場合の検査装置２の構成と、半導体チップ１の内部構成とを示すブロック図である。尚、図６においては、無線通信回路内で受信送信動作を担う受信部３００と共に、この受信部３００を検査及び調整する際に用いる検査支援回路４００を抜粋して示している。
【００５２】
受信部３００は、低雑音増幅回路３０１、ミキサ３０２、局部発振回路３０３、中間周波フィルタ３０４、中間周波増幅器３０５及び復調回路３０６を有する。また、検査支援回路４００は、利得調整値記憶回路４０１、入力切換スイッチ４０２、及び信号強度検出回路４０３を有する。
【００５３】
低雑音増幅回路３０１は、端子１０６を介して入力されたテスト用高周波信号ＴＳ１を、所定の初期利得に利得調整信号ＧＣ１に応じた調整を施した利得で増幅したものを増幅高周波信号Ｒとしてミキサ３０２及び入力切換スイッチ４０２に供給する。 尚、半導体チップ１の通常使用時には、この端子１０６には、無線送受信用のアンテナ（図示せぬ）が接続される。すなわち、この際、低雑音増幅回路３０１は、端子１０６に接続されているアンテナから供給された高周波数の受信信号を増幅するものとなる。ミキサ３０２は、上記増幅高周波信号Ｒに、局部発振回路３０３から供給された局部発振信号ｆＱを混合することにより中間周波数帯の信号を生成しこれを、所定の初期利得に利得調整信号ＧＣ２に応じた調整を施した利得で増幅したものを中間周波数信号ＩＦとして中間周波フィルタ３０４及び入力切換スイッチ４０２に供給する。中間周波フィルタ３０４は、中間周波数信号ＩＦに対して、所定の中心周波数を中心とした所定周波数帯域の成分のみを通過させる周波数選択処理を施すことにより、不要な帯域成分を除去した中間周波数信号ＩＦＸを抽出し、これを中間周波増幅器３０５に供給する。中間周波増幅器３０５は、中間周波数信号ＩＦＸを増幅した増幅中間周波数信号を復調回路３０６に供給する。復調回路３０６は、上記増幅中間周波数信号に対して復調処理を施すことにより、無線送信された情報データを復元する。つまり、半導体チップ１の通常使用時には、無線送受信用のアンテナによって受信された受信信号が端子１０６を介して受信部３００に供給され、情報データが得られるのである。
【００５４】
検査支援回路４００の利得調整値記憶回路４０１は、端子１０７を介して外部入力された書込利得調整値データＧＤＷを記憶し、その書込利得調整値データＧＤＷによって示される利得調整値に対応したレベルを有する利得調整信号ＧＣ１及びＧＣ２を夫々生成する。利得調整値記憶回路４０１は、かかる利得調整信号ＧＣ１を低雑音増幅回路３０１、利得調整信号ＧＣ２をミキサ３０２に夫々供給する。
【００５５】
入力切換スイッチ４０２は、端子１０８を介して外部入力された検査モード信号ＭＤ１に基づき、端子１０６を介して外部入力されたテスト用高周波信号ＴＳ１、上記した増幅高周波信号Ｒ、及び中間周波数信号ＩＦの内から１つを選択し、これを信号強度検出回路４０３に供給する。例えば、入力切換スイッチ４０２は、検査モード信号ＭＤ１が［００］を表す場合には上記テスト用高周波信号ＴＳ１を信号強度検出回路４０３に供給し、検査モード信号ＭＤ１が［０１］を表す場合には上記した増幅高周波信号Ｒを信号強度検出回路４０３に供給する。また、検査モード信号ＭＤ１が［１０］を表す場合には、入力切換スイッチ４０２は、上記した中間周波数信号ＩＦを信号強度検出回路４０３に供給する。
【００５６】
信号強度検出回路４０３は、入力切換スイッチ４０２から供給されたテスト用高周波信号ＴＳ１、増幅高周波信号Ｒ又は中間周波数信号ＩＦの信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０９を介して外部に出力する。
【００５７】
検査装置２の高周波信号源４０は、規格上の無線送信周波数を有するテスト用高周波信号ＴＳ１を生成し、これを端子４３を介して出力する。尚、端子４３は、半導体チップ１の端子１０６に接続されている。直流電圧測定器４５は、半導体チップ１の端子１０９から送出された強度信号ＳＳが、端子４６を介して外部入力された場合には、この強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧ１として制御部４２に供給する。利得調整値書込部４７は、制御部４２から供給された利得調整値データＧＴにて表される利得調整値を利得調整値記憶回路４０１に書き込ませるべきレベルに変換したものを書込利得調整値データＧＤＷ１として生成し、これを端子４８を介して出力する。尚、端子４８は、半導体チップ１の端子１０７に接続されている。制御部４２は、上記した検査モード信号ＭＤ１を生成し、これを端子５０を介して出力する。尚、端子５０は、半導体チップ１の端子１０８に接続されている。
【００５８】
以下に、図６に示される検査装置２による半導体チップ１の検査及び調整動作について説明する。
【００５９】
検査装置２の制御部４２は、図７に示す検査制御フローに従って半導体チップ１に構築されている受信部３００の増幅部（３０１、３０２）の検査及び調整制御を行う。
【００６０】
図７において、先ず、制御部４２は、［００］を表す検査モード信号ＭＤ１を入力切換スイッチ４０２に供給する（ステップＳ１１）。ステップＳ１１の実行により、入力切換スイッチ４０２は、検査装置２の高周波信号源４０から供給されたテスト用高周波信号ＴＳ１を信号強度検出回路４０３に供給する。信号強度検出回路４０３は、かかるテスト用高周波信号ＴＳ１の信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０９を介して検査装置２の端子４６に供給する。これにより、検査装置２の直流電圧測定器４５は、端子４６に入力された強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧ１として制御部４２に供給する。
【００６１】
次に、制御部４２は、直流電圧測定器４５から供給された信号強度値ＴＧ１を取り込み、これを測定値Ａとして内蔵レジスタ（図示せぬ）に記憶する（ステップＳ１２）。
【００６２】
上記ステップＳ１１及びＳ１２の実行により、検査装置２から半導体チップ１に送信されたテスト用高周波信号ＴＳ１の信号強度が、この半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路４０３によって検出される。そして、その検出結果が検査装置２側に供給され、測定値Ａとして内蔵レジスタに記憶される。
【００６３】
次に、制御部４２は、［０１］を表す検査モード信号ＭＤ１を入力切換スイッチ４０２に供給する（ステップＳ１３）。ステップＳ１３の実行により、入力切換スイッチ４０２は、低雑音増幅回路３０１から供給された増幅高周波信号Ｒを信号強度検出回路４０３に供給する。信号強度検出回路４０３は、かかる増幅高周波信号Ｒの信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０９を介して検査装置２の端子４６に供給する。これにより、検査装置２の直流電圧測定器４５は、端子４６に入力された強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧ１として制御部４２に供給する。
【００６４】
次に、制御部４２は、直流電圧測定器４５から供給された信号強度値ＴＧ１を取り込み、これを測定値Ｂとして内蔵レジスタ（図示せぬ）に記憶する（ステップＳ１４）。
【００６５】
上記ステップＳ１３及びＳ１４の実行により、テスト用高周波信号ＴＳ１に応じて低雑音増幅回路３０１から送出された増幅高周波信号Ｒの信号強度が信号強度検出回路４０３によって検出され、その検出結果が測定値Ｂとして検査装置２の内蔵レジスタに記憶される。
【００６６】
次に、制御部４２は、［１０］を表す検査モード信号ＭＤ１を入力切換スイッチ４０２に供給する（ステップＳ１５）。ステップＳ１５の実行により、入力切換スイッチ４０２は、ミキサ３０２から供給された中間周波数信号ＩＦを信号強度検出回路４０３に供給する。信号強度検出回路４０３は、かかる中間周波数信号ＩＦの信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０９を介して検査装置２の端子４６に供給する。これにより、検査装置２の直流電圧測定器４５は、端子４６に入力された強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧ１として制御部４２に供給する。
【００６７】
次に、制御部４２は、直流電圧測定器４５から供給された信号強度値ＴＧ１を取り込み、これを測定値Ｃとして内蔵レジスタ（図示せぬ）に記憶する（ステップＳ１６）。
【００６８】
上記ステップＳ１５及びＳ１６の実行により、テスト用高周波信号ＴＳ１に応じて、低雑音増幅回路３０１を経てミキサ３０２から送出された中間周波数信号ＩＦの信号強度が信号強度検出回路４０３によって検出され、その検出結果が測定値Ｃとして検査装置２の内蔵レジスタに記憶される。
【００６９】
次に、制御部４２は、内蔵レジスタに記憶されている測定値Ｂから測定値Ａを減算した値、つまりテスト用高周波信号ＴＳ１の信号強度と、このテスト用高周波信号ＴＳ１に応じて低雑音増幅回路３０１が送出した増幅高周波信号Ｒの信号強度との差を算出し、これを低雑音増幅回路３０１の実利得値ＡＰ１として内蔵レジスタに記憶する（ステップＳ１７）。
【００７０】
次に、制御部４２は、実利得値ＡＰ１が規定範囲内に収まっているか否かの判定を行う（ステップＳ１８）。かかるステップＳ１８において、実利得値ＡＰ１が規定範囲内に収まってないと判定された場合、制御部４２は、実利得値ＡＰ１が規定範囲内に収まってないと判定された場合、制御部４２は、実利得値ＡＰ１が調整可能な範囲内に収まっているか否かの判定を行う（ステップＳ１９）。ステップＳ１９において実利得値ＡＰ１が調整可能な範囲内に収まっていないと判定された場合、制御部４２は、この半導体チップ１が不良品であることを表す検査結果を表示器４９に表示させる（ステップＳ２０）。一方、ステップＳ１９において実利得値ＡＰ１が調整可能な範囲内に収まっていると判定された場合、制御部４２は、各利得値毎にその利得値に対応した利得調整値が予め対応づけして記憶されているメモリ（図示せぬ）から、上記した実利得値ＡＰ１に対応した利得調整値を読み出し、この利得調整値を示す利得調整値データＧＴを利得調整値書込部４７に供給する（ステップＳ２１）。ステップＳ２１の実行により、利得調整値書込部４７は、利得調整値データＧＴにて表される利得調整値を利得調整値記憶回路１８に書き込ませるべきレベルに変換した書込利得調整値データＧＤＷ１を、端子４８を介して半導体チップ１の端子１０７に供給する。この際、半導体チップ１の利得調整記憶回路４０１は、端子１０７を介して入力された書込利得調整値データＧＤＷ１を記憶し、この書込利得調整値データＧＤＷ１によって表される利得調整値に対応したレベルを有する利得調整信号ＧＣ１を低雑音増幅回路３０１に供給する。かかる利得調整信号ＧＣ１に応じて低雑音増幅回路３０１の増幅利得が調整される。
【００７１】
ステップＳ２０又はＳ２１の実行後、又は上記ステップＳ１８において実利得値ＡＰ１が規定範囲内に収まっていると判定された場合、制御部４２は、内蔵レジスタに記憶されている測定値Ｃから測定値Ｂを減算した値、つまりミキサ３０２から送出された中間周波数信号ＩＦの信号強度と、このミキサ３０２に入力された増幅高周波信号Ｒの信号強度との差を算出し、これを実利得値ＡＰ２として内蔵レジスタに記憶する（ステップＳ２２）。
【００７２】
次に、制御部４２は、実利得値ＡＰ２が規定範囲内に収まっているか否かの判定を行う（ステップＳ２３）。かかるステップＳ２３において、実利得値ＡＰ２が規定範囲内に収まっていると判定された場合、制御部４２は、実利得値ＡＰ２が調整可能な範囲内に収まっているか否かの判定を行う（ステップＳ２４）。ステップＳ２４において実利得値ＡＰ２が調整可能な範囲内に収まっていないと判定された場合、制御部４２は、この半導体チップ１が不良品であることを表す検査結果を表示器４９に表示させる（ステップＳ２５）。一方、ステップＳ２４において実利得値ＡＰ２が調整可能な範囲内に収まっていると判定された場合、制御部４２は、各利得値毎にその利得値に対応した利得調整値が予め対応づけして記憶されているメモリ（図示せぬ）から、上記した実利得値ＡＰ２に対応した利得調整値を読み出し、この利得調整値を示す利得調整値データＧＴを利得調整値書込部４７に供給する（ステップＳ２６）。ステップＳ２６の実行により、利得調整値書込部４７は、利得調整値データＧＴにて表される利得調整値を利得調整値記憶回路１８に書き込ませるべきレベルに変換した書込利得調整値データＧＤＷ２を、端子４８を介して半導体チップ１の端子１０７に供給する。この際、半導体チップ１の利得調整記憶回路４０１は、端子１０７を介して入力された書込利得調整値データＧＤＷ２を記憶し、この書込利得調整値データＧＤＷ２によって表される利得調整値に対応したレベルを有する利得調整信号ＧＣ２をミキサ３０２に供給する。かかる利得調整信号ＧＣ２に応じてミキサ３０２の増幅利得が調整される。
【００７３】
ステップＳ２５又はＳ２６の実行後、又は上記ステップＳ２３において実利得値ＡＰ２が規定範囲内に収まっていると判定された場合、制御部４２は、図７に示す検査及び調整制御を終了する。
【００７４】
上記した検査及び調整により、低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２の実利得値が規定範囲内に収まっていない場合には、低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２に対して、その利得を規定の範囲内に収めるべき利得調整が施される。この際、調整不可能なほど実利得値が規定範囲から外れている場合には、この半導体チップ１が不良品である旨の表示が為される。
【００７５】
以上の如く、図６に示す構成では、半導体チップ１に構築されている受信部を担う各機能ブロック（３０１、３０２、３０４〜３０６）の内で、低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２を検査対象としている。ここで、低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２各々の実利得値を取得すべく、先ず、この半導体チップ１内に構築されている信号強度検出回路４０３で夫々の入力及び出力信号の信号強度を検出し、その信号強度を示す直流レベルの強度信号ＳＳを検査装置２に送信する。そして、検査装置２において、かかる強度信号ＳＳに基づき、低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２各々の実利得値を求め、この実利得値が規定範囲内に収まっているか否かの判定、つまり低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２各々の特性が規定範囲内にあるか否かを判定するのである。よって、低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２各々が生成した高周波数信号自体が検査装置２側に送信されることはないので、このような高周波数信号が半導体チップ１及び検査装置２同士を接続する接続点を含む伝送路上に流れる際に起こるレベル損失が生じない。
【００７６】
従って、図６に示す構成によれば、高周波数信号を検査装置側に送信し、この検査装置に搭載されているアナライザで送信信号を解析して低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２各々の特性が規定範囲内にあるか否かを判定するような構成に比して、上記した如き伝送路上でのレベル損失が無い分だけ高精度な検査が為される。また、高価なアナライザが不要となるので、コスト低減を図ることが可能となる。
【００７７】
更に、図６に示す構成では、増幅部（３０１、３０２）を動作させるべく半導体チップ１に供給するテスト用高周波信号ＴＳ１の信号強度（測定値Ａ）と、このテスト用高周波信号ＴＳ１に応じて増幅部（３０１、３０２）から出力された信号（Ｒ、ＩＦ）の信号強度（測定値Ｂ、Ｃ）との差分を実利得値（ＡＰ１、ＡＰ２）として求めている。そして、この実利得値（ＡＰ１、ＡＰ２）に基づき、増幅部（３０１、３０２）の特性が規定範囲内にあるか否かを判定するようにしている。この際、検査装置２は、テスト用高周波信号ＴＳ１の信号強度を半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路４０３で検出させるべく、端子４３及び端子１０６を含む伝送路を介してこのテスト用高周波信号ＴＳ１を信号強度検出回路４０３に供給する。また、検査装置２は、増幅部（３０１、３０２）から出力された信号（Ｒ、ＩＦ）の信号強度を半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路４０３で検出させるべく、端子４３及び端子１０６を含む伝送路を介して、このテスト用高周波信号ＴＳ１を信号強度検出回路４０３に供給するようにしている。
【００７８】
よって、テスト用高周波信号ＴＳ１の信号強度と、増幅部（３０１、３０２）から出力された信号（Ｒ、ＩＦ）の信号強度との差分を求めると、端子４３及び端子１０６を含む伝送路で生じるテスト用高周波信号ＴＳ１の損失分が相殺されることになる。
【００７９】
これにより、半導体チップ１及び検査装置２間を接続する伝送路、特に接続点としての端子を介して高周波信号を伝送させた際に生じる信号レベルの損失分が排除されるので、高精度な検査及び調整が為されるようになる。
【００８０】
尚、図６に示す構成では、半導体チップ１に構築されている低雑音増幅回路３０１及びミキサ３０２各々の増幅利得を検査しているが、中間周波フィルタ３０４の周波数特性を検査するようにしても良い。
【００８１】
図８は、受信部３００の中間周波フィルタに対して検査及び調整を行う場合の検査装置２の構成と、半導体チップ１の内部構成とを示すブロック図である。
【００８２】
尚、図８において、半導体チップ１に構築されている受信部３００は、図６に示す構成と同様に、低雑音増幅回路３０１、ミキサ３０２、局部発振回路３０３、中間周波増幅器３０５及び復調回路３０６を有する。ただし、図８に示す構成では、中間周波フィルタとして、周波数特性可変の中間周波フィルタ３０４ａを採用している。検査支援回路４００は、信号強度検出回路４０３、入力切換スイッチ４０４及び４０５、周波数特性調整値記憶回路４０６を有する。
【００８３】
入力切換スイッチ４０４は、半導体チップ１の端子１１０を介して外部入力された検査指令信号ＴＥＳが論理レベル１である場合には、端子１１１を介して外部入力されたテスト用高周波信号ＴＳ２を中間周波フィルタ３０４a及び入力切換スイッチ４０５に供給する。一方、かかる検査指令信号ＴＥＳが論理レベル０である場合には、入力切換スイッチ４０４は、ミキサ３０２から供給された中間周波数信号ＩＦを中間周波フィルタ３０４a及び入力切換スイッチ４０５に供給する。
【００８４】
中間周波フィルタ３０４ａは、入力切換スイッチ４０４から供給された中間周波数信号ＩＦ又はテスト用高周波信号ＴＳ２に対して、所定の中心周波数を中心とした所定周波数帯域の成分のみを通過させる周波数選択処理を施すことにより、不要な帯域成分を除去した中間周波数信号ＩＦＸを抽出し、これを中間周波増幅器３０５及び入力切換スイッチ４０５に供給する。尚、中間周波フィルタ３０４ａは、周波数特性調整信号ＧＦに応じて周波数特性、例えば中心周波数又は減衰特性等が調整される。周波数特性調整値記憶回路４０６は、端子１１２を介して外部入力された書込周波数特性調整値データＦＤＷを記憶し、その書込周波数特性調整値データＦＤＷによって示される周波数特性調整値に対応したレベルを有する周波数特性調整信号ＧＦを中間周波フィルタ３０４aに供給する。
【００８５】
入力切換スイッチ４０５は、端子１１３を介して論理レベル１の検査モード信号ＭＤ２が供給された場合には入力切換スイッチ４０４を介して供給されたテスト用高周波信号ＴＳ２を信号強度検出回路４０３に供給する一方、論理レベル０の検査モード信号ＭＤ２が供給された場合には中間周波フィルタ３０４aが送出した中間周波数信号ＩＦＸを信号強度検出回路４０３に供給する。
【００８６】
信号強度検出回路４０３は、入力切換スイッチ４０５から供給されたテスト用高周波信号ＴＳ２、又は中間周波数信号ＩＦＸの信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０９を介して外部に出力する。
【００８７】
検査装置２の高周波信号源４０ａは、例えば、１．０ＭＨｚ、１．１ＭＨｚ、１．２ＭＨｚ、・・・、２ＭＨｚの如く段階的に遷移するテスト用高周波信号ＴＳ２を生成し、これを端子５１を介して出力する。端子５１は、半導体チップ１の端子１１１に接続されている。直流電圧測定器４５ａは、半導体チップ１の端子１０９から送出された強度信号ＳＳが端子５２を介して外部入力された場合には、この強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧ２として制御部４２に供給する。
【００８８】
周波数特性調整値書込部４７ａは、制御部４２から供給された周波数特性調整値データＦＴにて表される周波数特性調整値を周波数特性調整値記憶回路４０６に書き込ませるべきレベルに変換したものを書込周波数特性調整値データＦＤＷとして生成し、これを端子５３を介して出力する。尚、端子５３は、半導体チップ１の端子１１２に接続されている。制御部４２は、上記した検査モード信号ＭＤ２を生成し、これを端子５４を介して出力する。尚、端子５４は、半導体チップ１の端子１１３に接続されている。
【００８９】
以下に、図８に示される検査装置２による半導体チップ１の検査及び調整動作について説明する。
【００９０】
検査装置２の制御部４２は、図９に示す検査制御フローに従って半導体チップ１に構築されている中間周波フィルタ３０４ａの周波数特性の検査及び調整を行う。尚、かかる検査及び調整を行うにあたり、論理レベル１の検査指令信号ＴＥＳを半導体チップ１の端子１１０に固定供給する。これにより、ミキサ３０２から送出された中間周波数信号ＩＦに代えて、端子１１１を介して外部入力されたテスト用高周波信号ＴＳ２が中間周波フィルタ３０４ａに供給されるようになる。
【００９１】
図９において、先ず、制御部４２は、論理レベル１を表す検査モード信号ＭＤ２を端子５４及び半導体チップ１の端子１１３を介して半導体チップ１に構築されている入力切換スイッチ４０５に供給する（ステップＳ３１）。ステップＳ３１の実行により、入力切換スイッチ４０５は、入力切換スイッチ４０４を介して供給されたテスト用高周波信号ＴＳ２を信号強度検出回路４０３に供給する。信号強度検出回路４０３は、かかるテスト用高周波信号ＴＳ２の信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０９を介して検査装置２の端子５２に供給する。これにより、検査装置２の直流電圧測定器４５ａは、端子５２に入力された強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧ２として制御部４２に供給する。
【００９２】
次に、制御部４２は、直流電圧測定器４５から供給された信号強度値ＴＧ２を取り込み、これを測定値Ａとして内蔵レジスタ（図示せぬ）に記憶する（ステップＳ３２）。
【００９３】
上記ステップＳ３１及びＳ３２の実行により、検査装置２から半導体チップ１に送信されたテスト用高周波信号ＴＳ２の信号強度が、この半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路４０３によって検出される。そして、その検出結果が検査装置２側に供給され、測定値Ａとして内蔵レジスタに記憶される。
【００９４】
次に、制御部４２は、論理レベル０を表す検査モード信号ＭＤ２を入力切換スイッチ４０５に供給する（ステップＳ３３）。ステップＳ３３の実行により、入力切換スイッチ４０５は、中間周波フィルタ３０４ａから送出された中間周波数信号ＩＦＸを信号強度検出回路４０３に供給する。信号強度検出回路４０３は、かかる中間周波数信号ＩＦＸの信号強度を検出し、その信号強度を表す強度信号ＳＳを端子１０９を介して検査装置２の端子５２に供給する。これにより、検査装置２の直流電圧測定器４５ａは、端子５２に入力された強度信号ＳＳにおける直流電圧を測定しその電圧値を信号強度値ＴＧ２として制御部４２に供給する。
【００９５】
次に、制御部４２は、直流電圧測定器４５ａから供給された信号強度値ＴＧ２を取り込み、これを測定値Ｂとして内蔵レジスタに記憶する（ステップＳ３４）。
【００９６】
上記ステップＳ３３及びＳ３４の実行により、テスト用高周波信号ＴＳ２の供給に応じて中間周波フィルタ３０４ａが送出した中間周波数信号ＩＦＸの信号強度が信号強度検出回路４０３によって検出され、その検出結果が測定値Ｂとして検査装置２の内蔵レジスタに記憶される。
【００９７】
次に、制御部４２は、上記した測定値Ｂから測定値Ａを減算した値、つまり半導体チップ１に供給されたテスト用高周波信号ＴＳ２の信号強度と、このテスト用高周波信号ＴＳ２に応じて中間周波フィルタ３０４ａから送出された中間周波数信号ＩＦＸの信号強度との差を算出し、これを中間周波フィルタ３０４ａにおけるレベル減衰値ＦＰとして内蔵メモリ（図示せぬ）に記憶する（ステップＳ３５）。この際、検査装置２の高周波信号源４０ａによって生成されたテスト用高周波信号ＴＳ２の周波数は、例えば、１．０ＭＨｚ、１．１ＭＨｚ、１．２ＭＨｚ、・・・、２ＭＨｚの如く段階的に遷移する。よって、上記ステップＳ３５において、制御部４２は、テスト用高周波信号ＴＳ２の各周波数毎に上記したレベル減衰値ＦＰを求め、各周波数に対応付けして内蔵メモリに記憶する。
【００９８】
次に、制御部４２は、内蔵メモリに記憶されている各周波数毎のレベル減衰値ＦＰからなるレベル減衰系列から、現段階での中間周波フィルタ３０４ａの実周波数特性ＱＦを測定する（ステップＳ３６）。次に、制御部４２は、この実周波数特性ＱＦが規定の周波数特性範囲内に収まっているか否かの判定を行う（ステップＳ３７）。かかるステップＳ３７において、実周波数特性ＱＦが規定の周波数特性範囲内に収まってないと判定された場合、制御部４２は、実周波数特性ＱＦが調整可能な範囲内に収まっているか否かの判定を行う（ステップＳ３８）。ステップＳ３８において実周波数特性ＱＦが調整可能な範囲内に収まっていないと判定された場合、制御部４２は、この半導体チップ１が不良品であることを表す検査結果を表示器４９に表示させる（ステップＳ３９）。
【００９９】
一方、ステップＳ３８において実周波数特性ＱＦが調整可能な範囲内に収まっていると判定された場合、制御部２２は、実周波数特性ＱＦにおいて規定周波数特性範囲内に収まっていない周波数を検出し、その周波数でのレベルを規定の周波数特性範囲内に収めるべき調整値を示す周波数特性調整値データＦＴを周波数特性調整値書込部４７ａに供給する（ステップＳ４０）。ステップＳ４０の実行により、周波数特性調整値書込部４７ａは、周波数特性調整値データＦＴにて表される調整値を示す書込周波数特性調整値データＦＤＷを端子５３を介して半導体チップ１に構築されている周波数特性調整値記憶回路４０６に供給する。よって、周波数特性調整値記憶回路４０６は、書込周波数特性調整値データＦＤＷによって表される調整値に対応したレベルを有する周波数特性調整信号ＧＦを中間周波フィルタ３０４ａに供給する。これにより、中間周波フィルタ３０４ａでは、周波数特性調整信号ＧＦに従った周波数特性の調整が為される。
【０１００】
上記ステップＳ３９又はＳ４０の実行後、又は上記ステップＳ３７において実周波数特性ＱＦが規定の周波数特性範囲内に収まっていると判定された場合、制御部４２は、図９に示す検査及び調整制御を終了する。
【０１０１】
以上の如き動作により、中間周波フィルタ３０４ａの実周波数特性が規定範囲内に収まっていない場合には、中間周波フィルタ３０４ａに対して、その実周波数特性を規定の範囲内に収めるべき調整が施される。この際、調整不可能なほど実周波数特性が規定範囲から外れている場合には、この半導体チップ１が不良品である旨の表示が為される。
【０１０２】
このように、図８に示す構成では、半導体チップ１に構築されている通信回路の受信部を担う各機能ブロック（３０１、３０２、３０４ａ、３０５、３０６）の内で、中間周波フィルタ３０４ａを検査対象としている。ここで、中間周波フィルタ３０４ａから送出された中間周波数信号ＩＦＸの信号強度を、この半導体チップ１内に構築されている信号強度検出回路４０３で検出し、その信号強度を示す直流レベルの強度信号ＳＳを検査装置２に送信する。そして、検査装置２において、かかる強度信号ＳＳに基づく各周波数毎のレベル減衰値（ＦＰ）の系列から現段階での中間周波フィルタ３０４ａの実周波数特性（ＱＦ）を測定し、かかる実周波数特性（ＱＦ）が規定範囲内に収まっているか否かの判定を行っている。
【０１０３】
よって、中間周波フィルタ３０４ａから送出された高周波数の中間周波数信号ＩＦＸ自体が検査装置２側に送信されることはないので、このような高周波数信号が半導体チップ１及び検査装置２同士を接続する接続点を含む伝送路上に流れる際に起こるレベル損失が生じない。
【０１０４】
従って、図８に示す構成によれば、高周波数信号を検査装置側に送信し、この検査装置に搭載されているアナライザでかかる高周波数信号を解析して中間周波フィルタ３０４の特性が規定範囲内にあるか否かを判定するような構成に比して、上記した如き伝送路上でのレベル損失が無い分だけ高精度な検査が為される。また、高価なアナライザが不要となるので、コスト低減を図ることが可能となる。
【０１０５】
更に、図８に示す構成では、中間周波数信号ＩＦＸを生成させるべく中間周波フィルタ３０４ａに供給するテスト用高周波信号ＴＳ２の信号強度（測定値Ａ）と、中間周波数信号ＩＦＸの信号強度（測定値Ｂ）との差分（ＦＰ）に基づいて、中間周波フィルタ３０４ａの周波数特性が規定範囲内に収まっているか否かの判定、及び中間周波フィルタ３０４ａの周波数特性の調整を行うようにしている。
【０１０６】
この際、検査装置２は、テスト用高周波信号ＴＳ２の信号強度を半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路４０３において検出させるべく、端子５１及び端子１１１を含む伝送路を介して、このテスト用高周波信号ＴＳ２を信号強度検出回路４０３に供給する。また、検査装置２は、中間周波数信号ＩＦＸの信号強度を半導体チップ１に構築されている信号強度検出回路４０３にて検出させるべく、端子５１及び端子１１１を含む伝送路を介して、テスト用高周波信号ＴＳ２を中間周波フィルタ３０４ａに供給する。
【０１０７】
よって、テスト用高周波信号ＴＳ２の信号強度と中間周波数信号ＩＦＸの信号強度との差分を求めると、上記した伝送路（端子５１及び端子１１１を含む）で生じるテスト用高周波信号ＴＳ２の損失分が相殺されることになる。
【０１０８】
これにより、半導体チップ１及び検査装置２間を接続する伝送路、特に接続点としての端子を介して中間周波数信号を伝送させた際に生じる信号レベルの損失分が排除されるので、高精度な検査及び調整が為されるようになる。
【０１０９】
尚、上記実施例においては、信号強度検出回路（１５、４０３）として、図２（ａ）に示す如きソースフォロア回路、及び図２（ｂ）に示す如きダイオードによる半波清流回路を示したが、両波整流回路や多位相を用いる整流回路など他のものでも良い。
【０１１０】
また、上記実施例では、検査及び調整対象となる機能ブロック（１４、３０１、３０２、３０４ａ）に供給されるテスト用高周波信号（ＴＳ、ＴＳ１、ＴＳ２）、及びその出力信号（ＴＲＳ、Ｒ、ＩＦ、ＩＦＸ）を切り替えて単一の信号強度検出回路に供給するようにしている。しかしながら、検査及び調整対象となる機能ブロックに供給するテスト用高周波信号及び出力信号の夫々に対して信号強度検出回路を個別に設け、各信号強度検出回路の出力を入力切換スイッチによって択一的に切り替えて出力するようにしても良い。
【０１１１】
また、信号検出回路の出力にＡＤコンバータを設け、ディジタル値からなる強度信号ＳＳを検査装置２に送信するようにしても良い。この際、検査装置２側には直流電圧測定器４５は不要となり、デジタル信号の取り込み及び演算処理が行えればよい。
【０１１２】
また、信号強度検出回路の検出範囲を調整するための手段を設けるようにしても良い。つまり、信号強度検出回路のバイアス調整（例えばソースフォロア回路のバイアス電流調整)、或いは可変減衰器を入力に挿入することによって入力レベル調整を行うのである。尚、減衰器として抵抗比で減衰比を設定する場合には直流測定により減衰比の検査を行うことも可能である。
【０１１３】
また、調整値記憶回路（１８、４０１、４０６）としては、静電気による不揮発メモリ、或いは、電流による溶断又は抵抗値変化を利用した電気ヒューズを用いるようにしても良い。このほか、レーザー光線に応じてデータ記憶を行うことが可能なメモリを用いても良い。この際、検査装置２の端子（２８、４８、５３）及び半導体チップ１の端子（１０４、１０７、１１２）間の接続ラインが不要となり、このような接続ライン及び接触針を介すことなく、レーザ光線による書き込み(焼きこみ)が半導体チップ１に施される。
【０１１４】
また、高周波増幅回路１４の信号強度を検出するにあたり、終端抵抗の接続が必要となる場合があるが、この際、検査装置２側に入力切換スイッチを更に設けて、終端抵抗を必要時にのみ接続するようにしても良い。尚、半導体チップ１内にこの入力切換スイッチを設けて終端抵抗を適宜接続するようにしても良い。
【０１１５】
また、図３、図７、図９に示す検査制御フローでは、前述した如き測定値Ｂから測定値Ａ又は測定値Ｃから測定値Ｂを減算した値（ＡＰ、ＡＰ１、ＡＰ２、ＦＰ）に基づいて機能ブロックの特性が規定範囲内にあるか否かを判定するようにしているが、機能ブロックの特性が規定範囲内にあるか否かを判定する方法は、上記の如き方法に限定されない。例えば、測定値Ａ及びＢ（Ｂ及びＣ）の比を求め、この「比」に基づいて機能ブロックの特性が規定範囲内にあるか否かを判定するようにしても良い。かかる「比」については、例えば測定値Ａ及びＢ同士の除算演算、或いは測定値Ａ及びＢ各々を対数表現で表した値同士の差分によって求めることができる。
【０１１６】
また、テスト用高周波信号（ＴＳ、ＴＳ１、ＴＳ２）の強度としては１系統に限定されるものではなく、２系統以上の複数であっても良い。この際、例えば、テスト用高周波信号として２系統の強度を有するものを高周波信号源（２０、４０、４０ａ）で順次生成させ、第１の強度を有するテスト用高周波信号に応じて得られた測定値Ａと、第２の強度を有するテスト用高周波信号に応じて得られた測定値Ａとに基づいて、機能ブロックの出力特性が規定範囲内にあるか否かを判定するようにしても良い。
【０１１７】
また、上記実施例においてテスト信号供給回路を担う入力切換スイッチ１１は、検査時には変調信号ＭＳに代えてテスト用周波数信号ＴＳを高周波増幅回路１４に供給するセレクタであるが、テスト信号供給回路としては、検査時にのみオン状態となってテスト用周波数信号ＴＳを強制的に高周波増幅回路１４に供給するオンオフスイッチであっても良い。
【符号の説明】
【０１１８】
１ 半導体チップ
２ 検査装置
11、21、402、404、405 入力切換スイッチ
１５、４０３ 信号強度検出回路
１８、４０１ 利得調整値記憶回路
２０、４０、４０ａ 高周波信号源
２２、４２ 制御部
２００、４００ 検査支援回路
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信回路を担う複数の機能ブロックを含む半導体チップであって、
検査指令に応じて前記複数の機能ブロックの内の１の機能ブロックにテスト用周波数信号を供給するテスト信号供給回路と、前記１の機能ブロックが生成した信号の信号強度を検出して当該信号強度を示す強度信号を外部出力する外部出力回路と、を有することを特徴とする半導体チップ。
【請求項２】
前記外部出力回路は、前記１の機能ブロックが生成した信号の信号強度を示す第１の強度信号を外部出力する第１処理部と、前記テスト用周波数信号の信号強度を検出し当該信号強度を示す第２の強度信号を外部出力する第２処理部と、を有することを特徴とする請求項１記載の半導体チップ。
【請求項３】
前記外部出力回路は、前記強度信号を外部出力する第１の外部端子と、前記テスト用周波数信号が外部入力される第２の外部端子と、を有することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体チップ。
【請求項４】
前記１の機能ブロックが生成した信号を外部出力する又は前記テスト用周波数信号が外部入力される第３の外部端子を更に有し、
前記第１処理部には前記第２の外部端子を介して外部入力された前記テスト用周波数信号が供給され、
前記第２処理部には前記第３の外部端子を介して外部入力された前記テスト用周波数信号が供給されることを特徴とする請求項３記載の半導体チップ。
【請求項５】
前記第２処理部には前記第２の外部端子を介して外部入力された前記テスト用周波数信号が供給されることを特徴とする請求項２記載の半導体チップ。
【請求項６】
外部端子を介して供給された調整信号を記憶し当該調整信号に応じて前記第１の機能ブロックの特性を調整する調整部を更に有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１に記載の半導体チップ。
【請求項７】
前記第１の機能ブロックは送信用の高周波増幅回路であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１に記載の半導体チップ。
【請求項８】
前記テスト信号供給回路は非検査時には、前記テスト用周波数信号に代えて変調回路から供給された変調信号を前記高周波増幅回路に供給することを特徴とする請求項１７のいずれか１に記載の半導体チップ。
【請求項９】
前記第１の機能ブロックは受信用の低雑音増幅回路、ミキサ又は中間周波フィルタであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１に記載の半導体チップ。
【請求項１０】
通信回路を担う複数の機能ブロックと、前記複数の機能ブロックの内の１の機能ブロックにテスト用周波数信号を供給するテスト信号供給回路と、前記１の機能ブロックが生成した信号の信号強度を検出して当該信号強度を示す強度信号を外部出力する外部出力回路と、が構築されている半導体チップを検査装置によって検査する半導体チップの検査方法であって、
前記半導体チップに前記テスト用周波数信号を供給する第１ステップと、
前記半導体チップから出力された前記強度信号に基づいて前記１の機能ブロックの特性が規定範囲内にあるか否かを判定する第２ステップと、を有することを特徴とする半導体チップの検査方法。
【請求項１１】
前記外部出力回路は、前記テスト用周波数信号に応じて前記１の機能ブロックが出力した信号の信号強度を示す第１の強度信号を外部端子を介して出力する第１処理部と、前記テスト用周波数信号の信号強度を検出し当該信号強度を示す第２の強度信号を外部端子を介して出力する第２処理部とを有し、
前記第２ステップでは、前記半導体チップから出力された前記第１の強度信号と前記第２の強度信号との差分に基づいて前記１の機能ブロックの特性が前記規定範囲内にあるか否かを判定することを特徴とする請求項１０記載の半導体チップの検査方法。
【請求項１２】
外部端子を介して供給された調整信号に応じて前記１の機能ブロックの特性を調整する特性調整部を更に備え、
前記第２ステップにおいて前記１の機能ブロックの特性が規定範囲内にないと判定された場合には、前記差分に基づいて前記調整信号を生成しこれを前記半導体チップに供給する第３ステップを更に実行することを特徴とする請求項１０又は１１記載の半導体チップの検査方法。
【請求項１３】
前記検査装置は、複数の前記半導体チップが半導体ウェハに形成されている状態で各半導体チップ毎に前記１の機能ブロックの検査を行うことを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１に記載の半導体チップの検査方法。
【請求項１】
通信回路を担う複数の機能ブロックを含む半導体チップであって、
検査指令に応じて前記複数の機能ブロックの内の１の機能ブロックにテスト用周波数信号を供給するテスト信号供給回路と、前記１の機能ブロックが生成した信号の信号強度を検出して当該信号強度を示す強度信号を外部出力する外部出力回路と、を有することを特徴とする半導体チップ。
【請求項２】
前記外部出力回路は、前記１の機能ブロックが生成した信号の信号強度を示す第１の強度信号を外部出力する第１処理部と、前記テスト用周波数信号の信号強度を検出し当該信号強度を示す第２の強度信号を外部出力する第２処理部と、を有することを特徴とする請求項１記載の半導体チップ。
【請求項３】
前記外部出力回路は、前記強度信号を外部出力する第１の外部端子と、前記テスト用周波数信号が外部入力される第２の外部端子と、を有することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体チップ。
【請求項４】
前記１の機能ブロックが生成した信号を外部出力する又は前記テスト用周波数信号が外部入力される第３の外部端子を更に有し、
前記第１処理部には前記第２の外部端子を介して外部入力された前記テスト用周波数信号が供給され、
前記第２処理部には前記第３の外部端子を介して外部入力された前記テスト用周波数信号が供給されることを特徴とする請求項３記載の半導体チップ。
【請求項５】
前記第２処理部には前記第２の外部端子を介して外部入力された前記テスト用周波数信号が供給されることを特徴とする請求項２記載の半導体チップ。
【請求項６】
外部端子を介して供給された調整信号を記憶し当該調整信号に応じて前記第１の機能ブロックの特性を調整する調整部を更に有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１に記載の半導体チップ。
【請求項７】
前記第１の機能ブロックは送信用の高周波増幅回路であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１に記載の半導体チップ。
【請求項８】
前記テスト信号供給回路は非検査時には、前記テスト用周波数信号に代えて変調回路から供給された変調信号を前記高周波増幅回路に供給することを特徴とする請求項１７のいずれか１に記載の半導体チップ。
【請求項９】
前記第１の機能ブロックは受信用の低雑音増幅回路、ミキサ又は中間周波フィルタであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１に記載の半導体チップ。
【請求項１０】
通信回路を担う複数の機能ブロックと、前記複数の機能ブロックの内の１の機能ブロックにテスト用周波数信号を供給するテスト信号供給回路と、前記１の機能ブロックが生成した信号の信号強度を検出して当該信号強度を示す強度信号を外部出力する外部出力回路と、が構築されている半導体チップを検査装置によって検査する半導体チップの検査方法であって、
前記半導体チップに前記テスト用周波数信号を供給する第１ステップと、
前記半導体チップから出力された前記強度信号に基づいて前記１の機能ブロックの特性が規定範囲内にあるか否かを判定する第２ステップと、を有することを特徴とする半導体チップの検査方法。
【請求項１１】
前記外部出力回路は、前記テスト用周波数信号に応じて前記１の機能ブロックが出力した信号の信号強度を示す第１の強度信号を外部端子を介して出力する第１処理部と、前記テスト用周波数信号の信号強度を検出し当該信号強度を示す第２の強度信号を外部端子を介して出力する第２処理部とを有し、
前記第２ステップでは、前記半導体チップから出力された前記第１の強度信号と前記第２の強度信号との差分に基づいて前記１の機能ブロックの特性が前記規定範囲内にあるか否かを判定することを特徴とする請求項１０記載の半導体チップの検査方法。
【請求項１２】
外部端子を介して供給された調整信号に応じて前記１の機能ブロックの特性を調整する特性調整部を更に備え、
前記第２ステップにおいて前記１の機能ブロックの特性が規定範囲内にないと判定された場合には、前記差分に基づいて前記調整信号を生成しこれを前記半導体チップに供給する第３ステップを更に実行することを特徴とする請求項１０又は１１記載の半導体チップの検査方法。
【請求項１３】
前記検査装置は、複数の前記半導体チップが半導体ウェハに形成されている状態で各半導体チップ毎に前記１の機能ブロックの検査を行うことを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１に記載の半導体チップの検査方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１２−２４４３３５（Ｐ２０１２−２４４３３５Ａ）
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１１１３２９（Ｐ２０１１−１１１３２９）
【出願日】平成２３年５月１８日（２０１１．５．１８）
【出願人】（３０８０３３７１１）ラピスセミコンダクタ株式会社 (898)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月１８日（２０１１．５．１８）
【出願人】（３０８０３３７１１）ラピスセミコンダクタ株式会社 (898)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]