半導体装置加工装置および半導体装置製造方法
【課題】摺動不良をより確実に、より長期的に防止すること。
【解決手段】開口部が形成されるガイドブッシュと、その開口部に挿入されるガイドポストとを備えている。その開口部のうちのそのガイドポストに摺動するブッシュ摺動面２２は、そのガイドブッシュが移動方向１７に移動するときに、複数の分岐溝２７−１〜２７−ｎに貯留されている潤滑剤が傾斜溝２６−１を介して環状溝２５に供給されるように、そのガイドブッシュが移動方向１７の反対方向に移動するときに、環状溝２５に貯留されている潤滑剤が傾斜溝２６−１を介して複数の分岐溝２７−１〜２７−ｎに貯留されるように、環状溝２５と傾斜溝２６−１と複数の分岐溝２７−１〜２７−ｎとが形成されている。このため、潤滑剤は、傾斜溝２６−１を流れることにより、そのガイドポストに対してそのガイドブッシュが回転しなくても、より均一にブッシュ摺動面２２に塗布される。
【解決手段】開口部が形成されるガイドブッシュと、その開口部に挿入されるガイドポストとを備えている。その開口部のうちのそのガイドポストに摺動するブッシュ摺動面２２は、そのガイドブッシュが移動方向１７に移動するときに、複数の分岐溝２７−１〜２７−ｎに貯留されている潤滑剤が傾斜溝２６−１を介して環状溝２５に供給されるように、そのガイドブッシュが移動方向１７の反対方向に移動するときに、環状溝２５に貯留されている潤滑剤が傾斜溝２６−１を介して複数の分岐溝２７−１〜２７−ｎに貯留されるように、環状溝２５と傾斜溝２６−１と複数の分岐溝２７−１〜２７−ｎとが形成されている。このため、潤滑剤は、傾斜溝２６−１を流れることにより、そのガイドポストに対してそのガイドブッシュが回転しなくても、より均一にブッシュ摺動面２２に塗布される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置加工装置および半導体装置製造方法に関し、特に、潤滑剤を用いて工具を所定の位置に案内する機械要素を利用する半導体装置加工装置および半導体装置製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
モールド成型済みリードフレームをフレームと半導体装置パッケージとに切り離す半導体装置加工装置が知られている。その半導体装置加工装置は、上金型と下金型と金型ガイドとを備えている。その金型ガイドは、その上金型に対して上金型を所定の位置に案内し、その上金型と下金型とを合致させることにより、モールド成型済みリードフレームをフレームと半導体装置パッケージとに切り離す。その半導体装置製造用のプレス金型は、生産能力向上が望まれ、プレス加工動作高速化に伴い、摺動時の潤滑は非常に重要な要素となる。
【０００３】
特開２００４−３６７５７号公報には、潤滑性により優れた軸受装置が開示されている。その軸受装置は、軸に対して隙間嵌めで嵌合する内輪と、外輪と、その内輪とその外輪との間に配置された転動体とからなる軸受装置において、その内輪の内周面には、２本以上の螺旋溝が形成されていることを特徴としている。
【０００４】
特開２００２−１３９０２６号公報には、薄型モータ用流体軸受の信頼性を向上するため、潤滑剤の蒸発と漏れを充分に防止することのできる流体軸受装置が開示されている。その流体軸受装置は、シャフトと、そのシャフトを回転自在に支持するスリーブと、そのスリーブの下面に固定されそのシャフトのスラスト方向を支持して所定の潤滑剤を密閉するスラスト受けとを具備している。そのスリーブのスラスト方向の所定箇所の内周壁面にはヘリングボーン溝が形成されている。そのスリーブには、そのヘリングボーン溝よりも溝幅が狭く深さも浅い、そのシャフトの回転方向でそのスラスト受け方向へ向かう第１の螺旋状溝が、スリーブ内周壁面に形成されていることを特徴としている。
【０００５】
実開平０２−９３２８号公報には、潤滑油の流れを良くしたガイドブッシュが開示されている。そのガイドブッシュは、摺動軸との接触面に、潤滑油の流通する螺旋状の油溝を設け、かつ、耐摩耗性金属層を被着してなることを特徴としている。
【０００６】
実開平０３−６５００５号公報には、摺動部への潤滑油給油、そして迅速かつ完全な密着面からの潤滑油排除を可能とする摩擦クランプ装置の潤滑用油溝が開示されている。その摩擦クランプ装置の潤滑用油溝は、ロッドにスリーブを摺動可能に外挿し、そのスリーブ外周とハウジング内周の間に構成された油室に油圧力を作用させて、そのロッドとそのスリーブとの摺動面の摩擦力を増減することにより、締結および解放を繰り返す。その摩擦クランプ装置の潤滑用油溝は、そのスリーブ内周に、ラセン状油溝と、そのラセン状油溝間を連作する短絡油溝を１本または複数本設けたことを特徴としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−３６７５７号公報
【特許文献２】特開２００２−１３９０２６号公報
【特許文献３】実開平０２−９３２８号公報
【特許文献４】実開平０３−６５００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
その金型ガイドは、その上金型に対して上金型を上下に移動可能に支持するための、ガイドポストとガイドブッシュから形成されている。その半導体装置加工装置は、その上金型と下金型の相対位置を高精度に位置決めする必要があるときに、そのガイドポストとガイドブッシュとの間のクリアランスが極狭設定され、その間に塗布される潤滑剤が必然的に薄膜化する。そのため、摺動摩擦熱等により潤滑剤が蒸発しやすくなり、結果、摺動不良を起こしたり、また、潤滑剤の貯留機能低下により、金型ガイド下方へ流れ出し、漏れて溜まった潤滑剤が、周辺に飛散したりする等の問題を生じる。
【０００９】
本発明の課題は、加工対象をより長期に安定して加工する半導体装置加工装置および半導体装置製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以下に、発明を実施するための形態・実施例で使用される符号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を記載する。この符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための形態・実施例の記載との対応を明らかにするために付加されたものであり、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１１】
本発明による半導体装置加工装置は、開口部（２１）が形成されるガイドブッシュ（１５）と、開口部（２１）に挿入されるガイドポスト（１４）とを備えている。ガイドブッシュ（１５）は、ガイドポスト（１４）が開口部（２１）に挿入されているときに、ガイドポスト（１４）に対してガイドブッシュ（１５）が移動方向（１７）に平行に移動することによりガイドポスト（１４）に摺動するブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）が開口部（２１）に形成されている。ブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）は、ガイドポスト（１４）を囲む環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）と、第１端が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に接続され、その第１端の反対側の第２端がブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）の端（２４）（４４）（５４）（６４）に接続される傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）と、複数の分岐溝（２７−１〜２７−ｎ）（４７−１〜４７−ｎ）（５７−１〜５７−ｎ）（６７−１〜６７−ｎ）とが形成されている。傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）は、傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）をその第２端からその第１端に辿る点が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に単調に接近するように、かつ、傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）をその第２端からその第１端に辿る点が移動方向（１７）と異なる方向に移動する部分を含んでいるように、形成されている。複数の分岐溝（２７−１〜２７−ｎ）（４７−１〜４７−ｎ）（５７−１〜５７−ｎ）（６７−１〜６７−ｎ）のうちの任意の分岐溝は、第３端（４８）が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に接続され、移動方向（１７）に平行である直線（４０）が第３端（４８）の反対側の第４端（４９）を通るときに、直線（４０）が傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）と交差する点（５０）より環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）から遠い位置に第４端（４９）が配置されるように、かつ、第３端（４８）が直線（４０）に正射影された点（５１）より環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）から遠い位置に第４端（４９）が配置されるように、形成されている。ガイドブッシュ（１５）に固定される第１工具（１２）は、ガイドポスト（１４）に固定される第２工具（７）に噛み合うことにより加工対象（８）を加工する。
【００１２】
このような半導体装置加工装置は、ガイドブッシュ（１５）が移動方向（１７）に移動するときに、複数の分岐溝（２７−１〜２７−ｎ）（４７−１〜４７−ｎ）（５７−１〜５７−ｎ）（６７−１〜６７−ｎ）に貯留されている潤滑剤が傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）を介して環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に供給されたり、環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に貯留されている潤滑剤が傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）を介して複数の分岐溝（２７−１〜２７−ｎ）（４７−１〜４７−ｎ）（５７−１〜５７−ｎ）（６７−１〜６７−ｎ）に貯留されたりする。このため、潤滑剤は、ガイドポスト（１４）に対してガイドブッシュ（１５）が摺動するときに、傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）を流れることにより、移動方向（１７）と異なる周方向によく流れ、ガイドポスト（１４）に対してガイドブッシュ（１５）が回転しなくても、より均一にブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）に塗布される。
【００１３】
本発明による半導体装置製造方法は、吊りピンを介して半導体装置パッケージがフレームに支持されているモールド成型済みリードフレーム（８）を作製するステップと、半導体装置加工装置を利用して、その吊りピンを切断する。その半導体装置加工装置は、開口部（２１）が形成されるガイドブッシュ（１５）と、開口部（２１）に挿入されるガイドポスト（１４）とを備えている。ガイドブッシュ（１５）は、ガイドポスト（１４）が開口部（２１）に挿入されているときに、ガイドポスト（１４）に対してガイドブッシュ（１５）が移動方向（１７）に平行に移動することによりガイドポスト（１４）に摺動するブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）が開口部（２１）に形成されている。ブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）は、ガイドポスト（１４）を囲む環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）と、第１端が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に接続され、その第１端の反対側の第２端がブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）の端（２４）（４４）（５４）（６４）に接続される傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）と、複数の分岐溝（２７−１〜２７−ｎ）（４７−１〜４７−ｎ）（５７−１〜５７−ｎ）（６７−１〜６７−ｎ）とが形成されている。傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）は、傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）をその第２端からその第１端に辿る点が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に単調に接近するように、かつ、傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）をその第２端からその第１端に辿る点が移動方向（１７）と異なる方向に移動する部分を含んでいるように、形成されている。複数の分岐溝（２７−１〜２７−ｎ）（４７−１〜４７−ｎ）（５７−１〜５７−ｎ）（６７−１〜６７−ｎ）のうちの任意の分岐溝は、第３端（４８）が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に接続され、移動方向（１７）に平行である直線（４０）が第３端（４８）の反対側の第４端（４９）を通るときに、直線（４０）が傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）と交差する点（５０）より環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）から遠い位置に第４端（４９）が配置されるように、かつ、第３端（４８）が直線（４０）に正射影された点（５１）より環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）から遠い位置に第４端（４９）が配置されるように、形成されている。ガイドブッシュ（１５）に固定される第１工具（１２）は、ガイドポスト（１４）に固定される第２工具（７）に噛み合うことによりその吊りピンを切断する。
【００１４】
本発明によるガイドブッシュ（１５）は、開口部（２１）が形成される内側部分と、支持対象に固定される外側部分とを備えている。その内側部分は、移動方向（１７）に平行である直線（４０）から形成される柱面に沿うブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）が開口部（２１）に形成されている。ブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）は、閉曲線に沿って形成される環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）と、第１端が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に接続され、その第１端の反対側の第２端がブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）の端（２４）（４４）（５４）（６４）に接続される傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）と、複数の分岐溝（２７−１〜２７−ｎ）（４７−１〜４７−ｎ）（５７−１〜５７−ｎ）（６７−１〜６７−ｎ）とが形成されている。傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）は、傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）をその第２端からその第１端に辿る点が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に単調に接近するように、かつ、傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）をその第２端からその第１端に辿る点が移動方向（１７）と異なる方向に移動する部分を含んでいるように、形成されている。複数の分岐溝（２７−１〜２７−ｎ）（４７−１〜４７−ｎ）（５７−１〜５７−ｎ）（６７−１〜６７−ｎ）のうちの任意の分岐溝は、第３端（４８）が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に接続され、移動方向（１７）に平行である直線（４０）が第３端（４８）の反対側の第４端（４９）を通るときに、直線（４０）が傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）と交差する点（５０）より環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）から遠い位置に第４端（４９）が配置されるように、かつ、第３端（４８）が直線（４０）に正射影された点（５１）より環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）から遠い位置に第４端（４９）が配置されるように、形成されている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による半導体装置加工装置および半導体装置製造方法によれば、ブッシュ摺動面とポスト摺動面との間に供給された潤滑剤は、ブッシュ摺動面とポスト摺動面とが摺動するときに、その傾斜溝を流れることにより、より均一にブッシュ摺動面に塗布される。その結果、本発明による半導体装置加工装置および半導体装置製造方法は、摺動不良を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明による半導体装置加工装置を示す半断面図である。
【図２】図２は、ガイドブッシュを示す斜視図である。
【図３】図３は、摺動面を示す展開図である。
【図４】図４は、案内溝を示す図である。
【図５】図５は、ガイドブッシュが１ピッチだけ移動するときの潤滑剤の流れを示す図である。
【図６】図６は、ガイドブッシュが下降するときの潤滑剤の流れを示す図である。
【図７】図７は、ガイドブッシュが上昇するときの潤滑剤の流れを示す図である。
【図８】図８は、他の摺動面を示す展開図である。
【図９】図９は、さらに他の摺動面を示す展開図である。
【図１０】図１０は、さらに他の摺動面を示す展開図である。
【図１１】図１１は、ガイドブッシュが１ピッチだけ移動するときに、図１０に示される摺動面に貯留される潤滑剤の流れを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図面を参照して、本発明による半導体装置加工装置の実施の形態を記載する。その半導体装置加工装置は、図１に示されているように、下金型１と上金型２と金型ガイド３とを備えている。上金型２は、金型ガイド３を介して下金型１に平行移動可能に支持されている。すなわち、下金型１は、下型ホルダ５とダイプレート６とダイ７とを備えている。下型ホルダ５は、金属から形成され、板状に形成されている。下型ホルダ５は、ボルスタに形成されるボルスタ面に取り付けられ、そのボルスタに固定されている。そのボルスタ面は、水平面に平行である。ダイプレート６は、下型ホルダ５の鉛直上側に配置され、下型ホルダ５に固定されている。ダイプレート６は、ダイ７がダイプレート６の鉛直上側に配置されるように、ダイプレート６にダイ７を固定している。ダイ７は、金属から形成されている。ダイ７は、加工対象であるモールド成型済みリードフレーム８を保持する。
【００１８】
モールド成型済みリードフレーム８は、図示されていないリードフレームと半導体装置パッケージ部分とを備えている。その半導体装置パッケージ部分は、複数の回路素子が集積された集積回路が樹脂により封止されている。そのリードフレームは、一枚の金属板から形成されている。その金属は、ダイ７を形成している材料より硬い。そのリードフレームは、ダイパッドと複数のリードとフレームと吊りピンとが形成されている。そのダイパッドは、その集積回路がマウントされ、その集積回路とともにその半導体装置パッケージ部分の内部にその樹脂により封止されている。その複数のリードは、それぞれ、棒状に形成され、その半導体装置パッケージ部分の外周に配置されている。その複数のリードは、それぞれ、一部がその樹脂により封止されることにより、その半導体装置パッケージ部分に支持されている。その複数のリードの各々は、その複数の回路素子のうちのいずれかの回路素子の端子に電気的に接続されている。そのフレームは、その樹脂に被覆されないで、その半導体装置パッケージ部分の周りに配置されている。その吊りピンは、棒状に形成され、一端がそのダイパッドに接合され、他端がそのフレームに接合され、その樹脂により封止されている。すなわち、その半導体装置パッケージ部分は、その吊りピンを介してそのフレームに支持されている。
【００１９】
上金型２は、上型ホルダ１０とパンチプレート１１とパンチ１２とを備えている。上型ホルダ１０は、金属から形成され、板状に形成されている。上型ホルダ１０は、金型ガイド３を介して平行移動可能に支持されている。パンチプレート１１は、上型ホルダ１０の鉛直下側に配置され、上型ホルダ１０に固定されている。パンチ１２がパンチプレート１１の鉛直下側に配置されるように、パンチプレート１１にパンチ１２を固定している。パンチ１２は、そのリードフレームを形成する金属より硬い金属から形成され、板状に形成されている。
【００２０】
金型ガイド３は、複数のガイドポスト１４と複数のガイドブッシュ１５とを備えている。複数のガイドポスト１４は、それぞれ、金属から形成され、円柱に形成されている。複数のガイドポスト１４は、それぞれ、その円柱の側面に摺動面１６が形成されている。複数のガイドポスト１４は、それぞれ、その柱面の母線が移動方向１７に平行になるように配置され、下型ホルダ５に固定されている。移動方向１７は、鉛直方向に平行である。複数のガイドブッシュ１５は、複数のガイドポスト１４に対応づけられている。複数のガイドブッシュ１５は、それぞれ、金属から形成され、円筒状に形成されている。複数のガイドブッシュ１５のうちのあるガイドブッシュは、複数のガイドポスト１４のうちのそのガイドブッシュに対応するガイドポストに移動方向１７に平行に平行移動可能に支持されている。複数のガイドブッシュ１５は、それぞれ、上型ホルダ１０に固定されている。
【００２１】
その半導体装置加工装置は、さらに、図示されていないクランプとアクチュエータとを備えている。そのクランプは、ユーザにより操作されることにより、モールド成型済みリードフレーム８がダイ７の所定の位置に保持されるように、モールド成型済みリードフレーム８をダイ７に固定する。そのアクチュエータは、ユーザにより操作されることにより、パンチ１２を移動方向１７に平行に平行移動させる。
【００２２】
その半導体装置加工装置は、そのアクチュエータが移動方向１７に平行に上死点から下死点までパンチ１２を往復運動させ、その下死点に配置されたときにパンチ１２がダイ７に噛み合わさる。その半導体装置加工装置は、モールド成型済みリードフレーム８がダイ７の所定の位置に保持されているときに、パンチ１２がダイ７に噛み合うことにより、モールド成型済みリードフレーム８の吊りピンを切断し、モールド成型済みリードフレーム８を半導体装置パッケージとフレームとに分離する。
【００２３】
図２は、ガイドブッシュ１５を示している。ガイドブッシュ１５は、円筒形に形成され、外側部分と内側部分とを備えている。その外側部分は、上型ホルダ１０に固定され、すなわち、パンチ１２に間接的に固定されている。その内側部分は、開口部２１が形成されている。ガイドブッシュ１５は、開口部２１にガイドポスト１４が挿入されることにより、移動方向１７に平行移動可能に支持される。開口部２１は、円柱の側面に沿う摺動面２２を形成している。ガイドブッシュ１５は、全長Ｌがその上死点から下死点までの摺動ストロークＳに対して十分に短くなるように、形成されている。ガイドブッシュ１５は、開口部２１の直径が内径Ｄとなるように、形成されている。内径Ｄは、ガイドポスト１４の直径に概ね等しく、または、ガイドポスト１４の直径より少し大きい。内径Ｄとしては、１０ｍｍ〜６０ｍｍ程度の寸法が例示される。このとき、ガイドポスト１４とガイドブッシュ１５とは、次式：
Ｌ／Ｄ＞０．８
が満足するように、形成されている。摺動面２２は、開口部２１にガイドポスト１４が挿入され、移動方向１７に平行にガイドブッシュ１５が平行移動するときに、ガイドブッシュ１５の摺動面１６に摺動する。
【００２４】
摺動面２２は、上方端２３と下方端２４とを有している。上方端２３は、ガイドブッシュ１５の開口部２１にガイドポスト１４が挿入されたときに、摺動面２２の端のうちの下型ホルダ５に遠い側に配置される端を示している。下方端２４は、ガイドブッシュ１５の開口部２１にガイドポスト１４が挿入されたときに、摺動面２２の端のうちの下型ホルダ５に近い側に配置される端を示している。上方端２３と下方端２４とは、ガイドブッシュ１５の開口部２１にガイドポスト１４が挿入されているときに、それぞれ、移動方向１７に垂直である平面に含まれるように、形成されている。摺動面２２は、さらに、上方端２３から下方端２４までの距離がガイドブッシュ１５の全長Ｌに等しくなるように、形成されている。
【００２５】
図３は、摺動面２２を示している。摺動面２２は、環状溝２５と２つの傾斜溝２６−１〜２６−２とが形成されている。環状溝２５は、ガイドブッシュ１５の開口部２１にガイドポスト１４が挿入されているときに、ガイドポスト１４を囲むように配置されている。すなわち、環状溝２５は、摺動面２２に描かれる閉曲線に沿って形成されている。その閉曲線は、摺動面２２をその閉曲線で２つの領域に分割したときに、その２つの領域のうちの一方に上方端２３が配置され、その２つの領域のうちの他方に下方端２４が配置されるように、形成されている。その閉曲線は、さらに、ガイドブッシュ１５の開口部２１にガイドポスト１４が挿入されているときに、移動方向１７に垂直である平面に含まれるように、形成されている。その閉曲線は、さらに、下方端２４から有効長Ｌｍだけ離れるように、形成されている。
【００２６】
２つの傾斜溝２６−１〜２６−２は、摺動面２２に描かれる複数の螺旋にそれぞれ沿って形成されている。すなわち、２つの傾斜溝２６−１〜２６−２は、摺動面２２が伸縮することなしに摺動面２２を平面に展開したときに、それぞれ、互いに平行である複数の直線に沿って配置される。このとき、２つの傾斜溝２６−１〜２６−２は、さらに、その複数の直線と下方端２４とがなす角であるリード角Θが３０度〜６０度の範囲に含まれるように、形成されている。２つの傾斜溝２６−１〜２６−２は、さらに、ピッチＰだけ離れるように、すなわち、移動方向１７に平行である摺動面２２上の直線が傾斜溝２６−１と交差する点からその直線が傾斜溝２６−２と交差する点までの距離がピッチＰであるように、形成されている。２つの傾斜溝２６−１〜２６−２は、さらに、ピッチＰが有効長Ｌｍと等しくなるように、形成されている。すなわち、移動方向１７に平行である摺動面２２上の任意の直線は、２つの傾斜溝２６−１〜２６−２の一方にのみ交差している。２つの傾斜溝２６−１〜２６−２は、さらに、それぞれ、一端が環状溝２５に接続されるように、かつ、他端が下方端２４に配置されるように、形成されている。
【００２７】
なお、その螺旋は、ガイドブッシュ１５の上方より下方に見た場合に、時計回り方向、反時計回り方向のいずれも採用されることができる。
【００２８】
摺動面２２は、さらに、２つの傾斜溝２６−１〜２６−２毎に複数の分岐溝２７−１〜２７−ｎが形成されている。複数の分岐溝２７−１〜２７−ｎの各分岐溝２７−ｊ（ｊ＝１，２，３，…，ｎ）は、移動方向１７に平行である摺動面２２上の直線に沿って形成されている。分岐溝２７−ｊは、さらに、一端が２つの傾斜溝２６−１〜２６−２のいずれかの傾斜溝２６−ｉ（ｉ＝１，２）に接続されるように、かつ、他端がその一端より下方端２４に近くなるように、形成されている。分岐溝２７−ｊは、さらに、その他端が摺動面２２の内部に配置されるように、すなわち、摺動面２２の外側または摺動面２２に形成される他の溝に接続されないように、形成されている。さらに、分岐溝２７−ｊが傾斜溝２６−ｉに接続されている位置は、分岐溝２７−（ｊ＋１）が傾斜溝２６−ｉに接続されている位置より環状溝２５に近い。
【００２９】
環状溝２５と２つの傾斜溝２６−１〜２６−２と複数の分岐溝２７−１〜２７−ｎの溝幅は、潤滑剤の特性に基づいて設定され、たとえば、１ｍｍ〜５ｍｍが例示される。
【００３０】
摺動面２２は、図４に示されているように、さらに、案内溝２８が形成されている。案内溝２８は、傾斜溝２６−ｉの下方端２４に接続する位置に形成されている。案内溝２８は、傾斜溝２６−ｉの下方端２４に接続する口を拡大するように、形成されている。
【００３１】
本発明による半導体装置製造方法の実施の形態は、モールド成型済みリードフレームを作製する動作と、モールド成型済みリードフレームから半導体装置パッケージを切り離す動作とを備えている。
【００３２】
そのモールド成型済みリードフレームを作製する動作では、モールド成型済みリードフレーム８が作製される。すなわち、複数の回路素子が集積された集積回路が作製され、一枚の金属板からリードフレームが作製される。そのリードフレームは、ダイパッドと複数のリードとフレームと吊りピンとが形成されている。その集積回路は、そのダイパッドにマウントされる。その集積回路は、そのダイパッドにマウントされた後に、その複数のリードの各々がその複数の回路素子のうちのいずれかの回路素子の端子に電気的に接続されるように、ワイヤボンディングされる。そのワイヤボンディングされたボンディング済みリードフレームは、成型金型の内部に配置され、その成型金型の内部に樹脂が充填されることにより、その複数のリードのうちのワイヤボンディングされた部分と一部とその吊りピンとともにその樹脂により樹脂封止される。その樹脂封止されたモールド成型済みリードフレームは、そのリードフレームのうちの樹脂に被覆されていない表面がはんだめっきされることにより、モールド成型済みリードフレーム８に形成される。
【００３３】
そのモールド成型済みリードフレームから半導体装置パッケージを切り離す動作は、本発明による半導体装置加工装置を用いて実行される。ユーザは、まず、ガイドポスト１４の摺動面１６に潤滑剤を塗布し、または、ガイドブッシュ１５の摺動面２２に潤滑剤を塗布する。ユーザは、その潤滑剤が塗布された後に、ガイドブッシュ１５の開口部２１にガイドポスト１４を挿入する。金型ガイド３は、このような挿入により、下金型１に対して上金型２を移動方向１７に平行に平行移動可能に支持する。ユーザは、上金型２が平行移動可能に支持された後に、パンチ１２が移動方向１７に移動することによりパンチ１２がダイ７に合致するように、下型ホルダ５に対するダイ７の位置を調整し、または、上型ホルダ１０に対するパンチ１２の位置を調整する。ユーザは、下金型１に対して上金型２が平行移動可能に支持された後に、所定の動作を繰り返して実行する。
【００３４】
その所定の動作では、ユーザは、パンチ１２がその上死点に配置されているときに、まず、その半導体装置加工装置のクランプを操作することにより、モールド成型済みリードフレーム８をダイ７に固定する。ユーザは、さらに、その半導体装置加工装置のアクチュエータを操作することにより、パンチ１２を移動方向１７に摺動ストロークＳだけ平行移動させ、パンチ１２をその下死点に配置する。パンチ１２は、その下死点に配置されることにより、ダイ７に合致する。モールド成型済みリードフレーム８は、パンチ１２がダイ７に合致することにより、その吊りピンが切断され、半導体装置パッケージとフレームとに分離する。ユーザは、モールド成型済みリードフレーム８からその半導体装置パッケージが切り離された後に、そのアクチュエータを操作することにより、パンチ１２を移動方向１７の反対方向に摺動ストロークＳだけ平行移動させ、パンチ１２をその上死点に配置する。ユーザは、パンチ１２がその上死点に配置されているときに、そのクランプを操作することにより、その半導体装置加工装置からその半導体装置パッケージとフレームとを取り出す。
【００３５】
ガイドブッシュ１５の摺動面１６とガイドブッシュ１５の摺動面２２とは、その所定の動作が繰り返して実行されるときに、移動方向１７に平行に摺動する。このとき、環状溝２５に貯留されている潤滑剤は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７の反対方向に平行移動することにより、図５に示されているように、一部３６が摺動面１６と摺動面２２との間に供給され、他の一部３７が２つの傾斜溝２６−１〜２６−２に供給される。傾斜溝２６−ｉに貯留されている潤滑剤は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７の反対方向に平行移動することにより、一部が摺動面１６と摺動面２２との間に供給される。傾斜溝２６−ｉのうちの分岐溝２７−ｊより環状溝２５に近い部分に貯留している潤滑剤は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７の反対方向に平行移動することにより、一部３８が分岐溝２７−ｊに供給される。傾斜溝２６−ｉのうちの分岐溝２７−ｊより環状溝２５に近い部分に貯留している潤滑剤は、分岐溝２７−ｊが潤滑剤で満たされたときに、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７の反対方向に平行移動することにより、他の一部３９が傾斜溝２６−ｉのうちの分岐溝２７−ｊより環状溝２５から遠い部分に供給される。傾斜溝２６−ｉのうちの分岐溝２７−ｎより環状溝２５から遠い部分に貯留している潤滑剤は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７の反対方向に平行移動することにより、下方端２４からガイドポスト１４の摺動面１６に流れ出る。
【００３６】
ガイドポスト１４の摺動面１６に付着している潤滑剤は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７に平行移動することにより、一部が案内溝２８を介して２つの傾斜溝２６−１〜２６−２に供給される。傾斜溝２６−ｉに接続されている分岐溝２７−ｊに貯留されている潤滑剤は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７に平行移動することにより、図６に示されているように、一部３１が傾斜溝２６−ｉに供給される。傾斜溝２６−ｉに貯留されている潤滑剤は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７に平行移動することにより、傾斜溝２６−ｉを環状溝２５に向かって流れ、一部３２が環状溝２５に供給される。環状溝２５に貯留されている潤滑剤は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７に平行移動したときに、一部が摺動面１６と摺動面２２との間に供給され、傾斜溝２６−ｉから環状溝２５に供給される潤滑剤に押されることにより、他の一部３３、３４が環状溝２５を周方向に流れる。
【００３７】
すなわち、摺動面１６と摺動面２２との間に貯留されている潤滑剤３０は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が回転しなくても、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７と平行に移動することにより、図７に示されているように、摺動面１６と摺動面２２との間を周方向に流れる。
【００３８】
ガイドポスト１４の摺動面１６とガイドブッシュ１５の摺動面２２との隙間は、潤滑剤がこのような挙動を示すことにより、摺動面２２の周方向に潤滑剤がより一様に塗布され、摺動面２２に潤滑剤がより均一に塗布される。ガイドポスト１４とガイドブッシュ１５とは、潤滑剤の膜厚均一化により、摺動不良を起こすことが防止される。このような半導体装置加工装置は、潤滑剤の膜厚均一化により、さらに、クリアランスが均一化し、ガイドポスト１４の調芯効果も得られる。その結果、本発明による半導体装置加工装置は、パンチ１２をより高精度に所定の位置に案内することができる。
【００３９】
このような半導体装置加工装置は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７の反対方向に平行移動したときに、摺動面１６と摺動面２２との隙間に貯留された潤滑剤が複数の分岐溝２７−１〜２７−ｎに貯留されることにより、下方端２４から流れ出る潤滑剤の量を低減することができる。このため、このような半導体装置加工装置は、ガイドポスト１４とガイドブッシュ１５とが摺動不良を起こすことを防止することができる期間を延長することができる。このような半導体装置加工装置は、さらに、その潤滑剤が本半導体装置加工装置の周辺に飛散することを防止し、本半導体装置加工装置の周辺に配置される機器がその潤滑剤で汚染されることを防止することができる。
【００４０】
このため、本発明による半導体装置製造方法は、このような半導体装置加工装置を利用することにより、モールド成型済みリードフレーム８の吊りピンの所定の位置をより高精度に切断することができ、半導体装置パッケージをより適切に作製することができる。本発明による半導体装置製造方法は、このような半導体装置加工装置を利用することにより、さらに、モールド成型済みリードフレーム８の吊りピンをより長期にわたって切断することができ、半導体装置パッケージをより効率よく作製することができる。
【００４１】
環状溝２５は、ガイドブッシュ１５の上方端２３に近い位置が望ましい。これは、摺動面２２のうちの２つの傾斜溝２６−１〜２６−２が配置される領域の有効長Ｌｍをできるだけ長く取り、２つの傾斜溝２６−１〜２６−２による潤滑効果をより高めることを目的とするものである。
【００４２】
なお、ガイドブッシュ１５は、下方端２４から漏れ出る潤滑剤の量が十分に少ないときに、案内溝２８を省略することもできる。このようなガイドブッシュが適用された半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、ガイドポスト１４とガイドブッシュ１５との摺動不良をより確実に、より長期的に防止することができる。
【００４３】
なお、ガイドブッシュ１５は、傾斜溝２６−ｉと環状溝２５とが接続されている部分に他の案内溝をさらに形成されることもできる。その案内溝は、傾斜溝２６−ｉと環状溝２５とが接続されている部分に形成される角がなだらかな曲線を描くように、形成されている。ガイドブッシュ１５は、さらに、傾斜溝２６−ｉと分岐溝２７−ｊとが接続されている部分にさらに他の案内溝をさらに形成されることもできる。その案内溝は、傾斜溝２６−ｉと分岐溝２７−ｊとが接続されている部分に形成される角がなだらかな曲線を描くように、形成されている。このような案内溝が適用された半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、ガイドポスト１４とガイドブッシュ１５との摺動不良をより確実に、より長期的に防止することができる。
【００４４】
本発明による半導体装置加工装置の実施の他の形態は、既述の実施の形態における摺動面２２と異なる他の摺動面が形成されるガイドブッシュを備えている。その摺動面４２は、図８に示されているように、上方端４３と下方端４４とを有している。上方端４３は、摺動面４２の端のうちの下型ホルダ５に遠い側に配置される端を示している。下方端４４は、摺動面４２の端のうちの下型ホルダ５に近い側に配置される端を示している。上方端４３と下方端４４とは、そのガイドブッシュの開口部にガイドポスト１４が挿入されているときに、それぞれ、移動方向１７に垂直である平面に含まれるように、形成されている。上方端４３から下方端４４までの距離は、そのガイドブッシュの全長Ｌに等しく、モールド成型済みリードフレーム８と半導体装置パッケージとフレームとに分離するときにパンチ１２が移動する摺動ストロークＳに対して十分に短い。
【００４５】
摺動面４２は、環状溝４５と複数の傾斜溝４６−１〜４６−２とが形成されている。環状溝４５は、既述の実施の形態における環状溝２５と同様にして、形成されている。すなわち、環状溝４５は、移動方向１７に垂直である平面上に配置されるように、形成されている。複数の傾斜溝４６−１〜４６−２は、既述の実施の形態における２つの傾斜溝２６−１〜２６−２と同様にして、形成されている。すなわち、複数の傾斜溝４６−１〜４６−２は、摺動面４２に描かれる複数の螺旋にそれぞれ沿って形成され、互いにピッチＰだけ離れるように形成されている。複数の傾斜溝４６−１〜４６−２は、さらに、ピッチＰが有効長Ｌｍと等しくなるように、形成されている。複数の傾斜溝４６−１〜４６−２は、さらに、それぞれ、一端が環状溝４５に接続されるように、かつ、他端が下方端４４に配置されるように、形成されている。
【００４６】
摺動面４２は、さらに、複数の傾斜溝４６−１〜４６−２毎に複数の分岐溝４７−１〜４７−ｎが形成されている。複数の分岐溝４７−１〜４７−ｎの各分岐溝４７−ｊは、概ね直線状に形成され、接続端４８と非接続端４９とを有している。分岐溝４７−ｊは、接続端４８が複数の傾斜溝４６−１〜４６−２のいずれかの傾斜溝４６−ｉに接続されている。分岐溝４７−ｊは、非接続端４９が接続端４８より環状溝４５から遠い側に配置されるように、かつ、非接続端４９が傾斜溝４６−ｉより環状溝４５から遠い側に配置されるように、形成されている。すなわち、非接続端４９を通る直線４０は、移動方向１７に平行であるときに、傾斜溝４６−ｉに点５０で交差する。このとき、分岐溝４７−ｉは、点５０に比較して、非接続端４９が環状溝４５から遠い側に配置されるように、形成されている。分岐溝４７−ｉは、さらに、接続端４８が直線４０に正射影した点５１に比較して、非接続端４９が環状溝４５から遠い側に配置されるように、形成されている。さらに、複数の分岐溝４７−１〜４７−ｎは、分岐溝４７−ｊの接続端４８が分岐溝４７−（ｊ＋１）の接続端４８より環状溝４５に近くなるように、形成されている。
【００４７】
摺動面４２が適用されている半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、摺動不良を起こすことがより確実に防止され、摺動不良を起こすことを防止することができる期間を延長することができ、さらに、ガイドポスト１４の調芯効果が得られる。摺動面４２が適用されている半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、本発明による半導体装置製造方法に適用されることができる。このような半導体装置加工装置が利用された半導体装置製造方法は、既述の実施の形態における半導体装置製造方法と同様にして、半導体装置パッケージをより適切に、より効率よく作製することができる。
【００４８】
なお、分岐溝４７−ｊは、非接続端４９が点５０より環状溝４５から遠い側に配置されるように、かつ、非接続端４９が点５１より環状溝４５から遠い側に配置されるように、形成されていればよく、接続端４８が点５０より環状溝４５から遠い側に配置されていてもかまわない。このような分岐溝が適用された半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、摺動不良をより確実に、より長期間にわたって防止することができ、パンチ１２をより高精度に所定の位置に案内することができる。
【００４９】
本発明による半導体装置加工装置の実施のさらに他の形態は、既述の実施の形態における摺動面２２と異なる他の摺動面が形成されるガイドブッシュを備えている。その摺動面４２は、図９に示されるように、上方端５３と下方端５４とを有している。上方端５３は、摺動面５２の端のうちの下型ホルダ５に遠い側に配置される端を示している。下方端５４は、摺動面５２の端のうちの下型ホルダ５に近い側に配置される端を示している。上方端５３と下方端５４とは、そのガイドブッシュの開口部にガイドポスト１４が挿入されているときに、それぞれ、移動方向１７に垂直である平面に含まれるように、形成されている。上方端５３から下方端５４までの距離は、そのガイドブッシュの全長Ｌに等しく、モールド成型済みリードフレーム８と半導体装置パッケージとフレームとに分離するときにパンチ１２が移動する摺動ストロークＳに対して十分に短い。
【００５０】
摺動面５２は、環状溝５５と傾斜溝５６と複数の分岐溝５７−１〜５７−ｎとが形成されている。環状溝５５は、既述の実施の形態における環状溝２５と同様にして、形成されている。すなわち、環状溝５５は、移動方向１７に垂直である平面上に配置されるように、形成されている。傾斜溝５６は、既述の実施の形態における２つの傾斜溝２６−１〜２６−２と同様にして、形成されている。すなわち、傾斜溝５６は、摺動面５２に描かれる螺旋に沿って形成されている。傾斜溝５６は、さらに、一端が環状溝５５に接続されるように、かつ、他端が下方端３４に配置されるように、形成されている。
【００５１】
複数の分岐溝５７−１〜５７−ｎの各分岐溝５７−ｊは、直線状に形成され、移動方向１７に平行になるように、形成されている。分岐溝５７−ｊは、さらに、一端が傾斜溝５６に接続されるように、かつ、他端がその一端より下方端５４に近くなるように、形成されている。分岐溝５７−ｊは、さらに、その他端が摺動面５２の内部に配置されるように、すなわち、摺動面５２の外側または摺動面５２に形成される他の溝に接続されないように、形成されている。さらに、分岐溝５７−ｊが傾斜溝５６に接続されている位置は、分岐溝５７−（ｊ＋１）が傾斜溝５６に接続されている位置より環状溝５５に近い。
【００５２】
摺動面５２が適用されている半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、摺動不良をより確実に、より長期間にわたって防止することができ、パンチ１２をより高精度に所定の位置に案内することができる。摺動面５２が適用されている半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、本発明による半導体装置製造方法に適用されることができる。このような半導体装置加工装置が利用された半導体装置製造方法は、既述の実施の形態における半導体装置製造方法と同様にして、半導体装置パッケージをより適切に、より効率よく作製することができる。
【００５３】
本発明による半導体装置加工装置の実施のさらに他の形態は、既述の実施の形態における摺動面２２と異なる他の摺動面が形成されるガイドブッシュを備えている。その摺動面６２は、図１０に示されているように、上方端６３と下方端６４とを有している。上方端６３は、摺動面６２の端のうちの下型ホルダ５に遠い側に配置される端を示している。下方端６４は、摺動面６２の端のうちの下型ホルダ５に近い側に配置される端を示している。上方端６３と下方端６４とは、そのガイドブッシュの開口部にガイドポスト１４が挿入されているときに、それぞれ、移動方向１７に垂直である平面に含まれるように、形成されている。上方端６３から下方端６４までの距離は、そのガイドブッシュの全長Ｌに等しく、モールド成型済みリードフレーム８と半導体装置パッケージとフレームとに分離するときにパンチ１２が移動する摺動ストロークＳに対して十分に短い。
【００５４】
摺動面６２は、環状溝６５と複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍ（ｍ＝３，４，５，…）とが形成されている。環状溝６５は、既述の実施の形態における環状溝２５と同様にして、形成されている。すなわち、環状溝６５は、移動方向１７に垂直である平面上に配置されるように、形成されている。複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍの各々は、既述の実施の形態における傾斜溝４６−ｉと同様にして、形成されている。すなわち、複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍは、摺動面６２に描かれる複数の螺旋にそれぞれ沿って形成され、互いにピッチＰだけ離れるように形成されている。複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍは、さらに、ピッチＰが有効長Ｌｍと等しくなるように、形成されている。複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍのうちの任意の傾斜項６６−ｋ（ｋ＝１，２，３，…，ｍ）は、一端が環状溝６５に接続されるように、かつ、他端が下方端６４に配置されるように、形成されている。
【００５５】
摺動面６２は、さらに、複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍ毎に複数の分岐溝６７−１〜６７−ｎが形成されている。複数の分岐溝６７−１〜６７−ｎの各分岐溝６７−ｊは、既述の実施の形態における分岐溝２７−ｊと同様にして、形成されている。すなわち、分岐溝６７−ｊは、移動方向１７に平行である摺動面６２上の直線に沿って形成されている。分岐溝６７−ｊは、さらに、一端が複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍのいずれかの傾斜溝２６−ｊに接続されるように、かつ、他端がその一端より下方端２４に近くなるように、形成されている。分岐溝６７−ｊは、さらに、その他端が摺動面６２の内部に配置されるように、すなわち、摺動面６２の外側または摺動面６２に形成される他の溝に接続されないように、形成されている。さらに、分岐溝６７−ｊが傾斜溝２６−ｉに接続されている位置は、分岐溝６７−（ｊ＋１）が傾斜溝２６−ｉに接続されている位置より環状溝２５に近い。
【００５６】
すなわち、摺動面１６と摺動面６２との間に貯留されている潤滑剤６９は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７の反対方向に平行移動することにより、図１１に示されているように、摺動面１６と摺動面６２との間を周方向に流れる。
【００５７】
摺動面６２が適用されている半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、摺動不良をより確実に、より長期間にわたって防止することができ、パンチ１２をより高精度に所定の位置に案内することができる。摺動面６２が適用されている半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、本発明による半導体装置製造方法に適用されることができる。このような半導体装置加工装置が利用された半導体装置製造方法は、既述の実施の形態における半導体装置製造方法と同様にして、半導体装置パッケージをより適切に、より効率よく作製することができる。
【００５８】
以下、説明の便宜上、多条ねじに用いられる表現を使い、説明する。傾斜溝の角度をリード角Θ、傾斜溝部を多条ねじとみなすと、この多条ねじが、１回転当たりに回転軸方向に進む距離であるリードＡは、次式：
Ａ＝ｎ×Ｐ
で求められる。ここで、上述の多条ねじが１回転当たりに回転軸方向に進む距離であるリードＡは、ガイドブッシュが１ピッチ分摺動する際に、傾斜溝内を潤滑剤が流動し進む距離に相当する。よって、例えば、図９に示される傾斜溝５６において１ピッチ当たりに潤滑剤が回転軸方向に進む距離は、
１×１
であるのに対し、図１０に示される複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍにおいて１ピッチ当たりに潤滑剤が回転軸方向に進む距離は、
ｍ×１
となり、１条ねじの傾斜溝５６に比べ、回転軸方向にｍ倍の距離を進むことになる。よって、傾斜溝が多くなると傾斜溝の中を流動する潤滑剤の移動距離が長くなり、潤滑効率が大きく改善されることになる。さらに、ガイドブッシュが１ピッチ分摺動した場合でも、図１１に示されているように、潤滑剤が傾斜溝を周方向に２π／ｍだけ回転するように流れ、リード角Θが大きいため、比較的スムーズに傾斜溝の中を潤滑剤が流動することができる。
【００５９】
なお、傾斜溝６６−１〜６６−ｍ（傾斜溝２６−１〜２６−２、４６−１〜４６−２、５６を含む。）は、ピッチＰが有効長Ｌｍと異なるように、形成されることができる。このとき、その傾斜溝は、ピッチＰが有効長Ｌｍより小さくなるように、かつ、ピッチＰが全長Ｌの１／２より大きくなるように、形成されている。なお、傾斜溝６６−１〜６６−ｍ（傾斜溝２６−１〜２６−２、４６−１〜４６−２、５６を含む。）は、さらに、螺旋と異なる曲線に沿って形成されることもできる。このとき、傾斜溝６６−ｋは、傾斜溝６６−ｋを下方端６４から環状溝６５に辿る点が環状溝６５に単調に接近するように、かつ、傾斜溝６６−ｋを下方端６４から環状溝６５に辿る点が移動方向１７と異なる方向に移動する部分を含むように、形成されている。複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍ（傾斜溝２６−１〜２６−２、４６−１〜４６−２を含む。）は、さらに、不等ピッチで形成されることができる。このような傾斜溝が適用された半導体装置加工装置は、既述の実施の形態と同様にして、摺動不良をより確実に、より長期間にわたって防止することができ、パンチ１２をより高精度に所定の位置に案内することができる。
【００６０】
なお、移動方向１７は、鉛直下側方向と異なる他の方向に設定されることもできる。その方向としては、水平方向、鉛直上側方向が例示される。このような移動方向が適用された半導体装置加工装置は、既述の実施の形態と同様にして、摺動不良をより確実に、より長期間にわたって防止することができ、パンチ１２をより高精度に所定の位置に案内することができる。
【００６１】
なお、摺動面６２（摺動面２２、４２、５２を含む。）は、円柱と異なる他の柱体の側面に沿って形成されることもできる。その柱体としては、楕円柱が例示される。ガイドブッシュ１５は、ガイドポスト１４がその柱体に形成されたときに、既述の実施の形態と同様にして、摺動不良をより確実に、より長期間にわたって防止することができ、パンチ１２をより高精度に所定の位置に案内することができる。
【００６２】
なお、本発明による半導体装置加工装置は、ガイドポスト１４がパンチ１２に固定され、ガイドブッシュ１５がダイ７に固定されることもできる。このような半導体装置加工装置も、既述の実施の形態と同様にして、摺動不良をより確実に、より長期間にわたって防止することができ、パンチ１２をより高精度に所定の位置に案内することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１ ：下金型
２ ：上金型
３ ：金型ガイド
５ ：下型ホルダ
６ ：ダイプレート
７ ：ダイ
８ ：モールド成型済みリードフレーム
１０：上型ホルダ
１１：パンチプレート
１２：パンチ
１４：ガイドポスト
１５：ガイドブッシュ
１６：摺動面
１７：移動方向
２１：開口部
２２：摺動面
２３：上方端
２４：下方端
２５：環状溝
２６−１〜２６−２：２つの傾斜溝
２７−１〜２７−ｎ：複数の分岐溝
２８：案内溝
４０：直線
４２：摺動面
４３：上方端
４４：下方端
４５：環状溝
４６−１〜４６−２：複数の傾斜溝
４７−１〜４７−ｎ：複数の分岐溝
４８：接続端
４９：非接続端
５０：点
５１：点
５２：摺動面
５３：上方端
５４：下方端
５５：環状溝
５６：傾斜溝
５７−１〜５７−ｎ：複数の分岐溝
６２：摺動面
６３：上方端
６４：下方端
６５：環状溝
６６−１〜６６−ｍ：複数の傾斜溝
６７−１〜６７−ｎ：複数の分岐溝
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置加工装置および半導体装置製造方法に関し、特に、潤滑剤を用いて工具を所定の位置に案内する機械要素を利用する半導体装置加工装置および半導体装置製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
モールド成型済みリードフレームをフレームと半導体装置パッケージとに切り離す半導体装置加工装置が知られている。その半導体装置加工装置は、上金型と下金型と金型ガイドとを備えている。その金型ガイドは、その上金型に対して上金型を所定の位置に案内し、その上金型と下金型とを合致させることにより、モールド成型済みリードフレームをフレームと半導体装置パッケージとに切り離す。その半導体装置製造用のプレス金型は、生産能力向上が望まれ、プレス加工動作高速化に伴い、摺動時の潤滑は非常に重要な要素となる。
【０００３】
特開２００４−３６７５７号公報には、潤滑性により優れた軸受装置が開示されている。その軸受装置は、軸に対して隙間嵌めで嵌合する内輪と、外輪と、その内輪とその外輪との間に配置された転動体とからなる軸受装置において、その内輪の内周面には、２本以上の螺旋溝が形成されていることを特徴としている。
【０００４】
特開２００２−１３９０２６号公報には、薄型モータ用流体軸受の信頼性を向上するため、潤滑剤の蒸発と漏れを充分に防止することのできる流体軸受装置が開示されている。その流体軸受装置は、シャフトと、そのシャフトを回転自在に支持するスリーブと、そのスリーブの下面に固定されそのシャフトのスラスト方向を支持して所定の潤滑剤を密閉するスラスト受けとを具備している。そのスリーブのスラスト方向の所定箇所の内周壁面にはヘリングボーン溝が形成されている。そのスリーブには、そのヘリングボーン溝よりも溝幅が狭く深さも浅い、そのシャフトの回転方向でそのスラスト受け方向へ向かう第１の螺旋状溝が、スリーブ内周壁面に形成されていることを特徴としている。
【０００５】
実開平０２−９３２８号公報には、潤滑油の流れを良くしたガイドブッシュが開示されている。そのガイドブッシュは、摺動軸との接触面に、潤滑油の流通する螺旋状の油溝を設け、かつ、耐摩耗性金属層を被着してなることを特徴としている。
【０００６】
実開平０３−６５００５号公報には、摺動部への潤滑油給油、そして迅速かつ完全な密着面からの潤滑油排除を可能とする摩擦クランプ装置の潤滑用油溝が開示されている。その摩擦クランプ装置の潤滑用油溝は、ロッドにスリーブを摺動可能に外挿し、そのスリーブ外周とハウジング内周の間に構成された油室に油圧力を作用させて、そのロッドとそのスリーブとの摺動面の摩擦力を増減することにより、締結および解放を繰り返す。その摩擦クランプ装置の潤滑用油溝は、そのスリーブ内周に、ラセン状油溝と、そのラセン状油溝間を連作する短絡油溝を１本または複数本設けたことを特徴としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−３６７５７号公報
【特許文献２】特開２００２−１３９０２６号公報
【特許文献３】実開平０２−９３２８号公報
【特許文献４】実開平０３−６５００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
その金型ガイドは、その上金型に対して上金型を上下に移動可能に支持するための、ガイドポストとガイドブッシュから形成されている。その半導体装置加工装置は、その上金型と下金型の相対位置を高精度に位置決めする必要があるときに、そのガイドポストとガイドブッシュとの間のクリアランスが極狭設定され、その間に塗布される潤滑剤が必然的に薄膜化する。そのため、摺動摩擦熱等により潤滑剤が蒸発しやすくなり、結果、摺動不良を起こしたり、また、潤滑剤の貯留機能低下により、金型ガイド下方へ流れ出し、漏れて溜まった潤滑剤が、周辺に飛散したりする等の問題を生じる。
【０００９】
本発明の課題は、加工対象をより長期に安定して加工する半導体装置加工装置および半導体装置製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以下に、発明を実施するための形態・実施例で使用される符号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を記載する。この符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための形態・実施例の記載との対応を明らかにするために付加されたものであり、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１１】
本発明による半導体装置加工装置は、開口部（２１）が形成されるガイドブッシュ（１５）と、開口部（２１）に挿入されるガイドポスト（１４）とを備えている。ガイドブッシュ（１５）は、ガイドポスト（１４）が開口部（２１）に挿入されているときに、ガイドポスト（１４）に対してガイドブッシュ（１５）が移動方向（１７）に平行に移動することによりガイドポスト（１４）に摺動するブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）が開口部（２１）に形成されている。ブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）は、ガイドポスト（１４）を囲む環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）と、第１端が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に接続され、その第１端の反対側の第２端がブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）の端（２４）（４４）（５４）（６４）に接続される傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）と、複数の分岐溝（２７−１〜２７−ｎ）（４７−１〜４７−ｎ）（５７−１〜５７−ｎ）（６７−１〜６７−ｎ）とが形成されている。傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）は、傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）をその第２端からその第１端に辿る点が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に単調に接近するように、かつ、傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）をその第２端からその第１端に辿る点が移動方向（１７）と異なる方向に移動する部分を含んでいるように、形成されている。複数の分岐溝（２７−１〜２７−ｎ）（４７−１〜４７−ｎ）（５７−１〜５７−ｎ）（６７−１〜６７−ｎ）のうちの任意の分岐溝は、第３端（４８）が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に接続され、移動方向（１７）に平行である直線（４０）が第３端（４８）の反対側の第４端（４９）を通るときに、直線（４０）が傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）と交差する点（５０）より環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）から遠い位置に第４端（４９）が配置されるように、かつ、第３端（４８）が直線（４０）に正射影された点（５１）より環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）から遠い位置に第４端（４９）が配置されるように、形成されている。ガイドブッシュ（１５）に固定される第１工具（１２）は、ガイドポスト（１４）に固定される第２工具（７）に噛み合うことにより加工対象（８）を加工する。
【００１２】
このような半導体装置加工装置は、ガイドブッシュ（１５）が移動方向（１７）に移動するときに、複数の分岐溝（２７−１〜２７−ｎ）（４７−１〜４７−ｎ）（５７−１〜５７−ｎ）（６７−１〜６７−ｎ）に貯留されている潤滑剤が傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）を介して環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に供給されたり、環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に貯留されている潤滑剤が傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）を介して複数の分岐溝（２７−１〜２７−ｎ）（４７−１〜４７−ｎ）（５７−１〜５７−ｎ）（６７−１〜６７−ｎ）に貯留されたりする。このため、潤滑剤は、ガイドポスト（１４）に対してガイドブッシュ（１５）が摺動するときに、傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）を流れることにより、移動方向（１７）と異なる周方向によく流れ、ガイドポスト（１４）に対してガイドブッシュ（１５）が回転しなくても、より均一にブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）に塗布される。
【００１３】
本発明による半導体装置製造方法は、吊りピンを介して半導体装置パッケージがフレームに支持されているモールド成型済みリードフレーム（８）を作製するステップと、半導体装置加工装置を利用して、その吊りピンを切断する。その半導体装置加工装置は、開口部（２１）が形成されるガイドブッシュ（１５）と、開口部（２１）に挿入されるガイドポスト（１４）とを備えている。ガイドブッシュ（１５）は、ガイドポスト（１４）が開口部（２１）に挿入されているときに、ガイドポスト（１４）に対してガイドブッシュ（１５）が移動方向（１７）に平行に移動することによりガイドポスト（１４）に摺動するブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）が開口部（２１）に形成されている。ブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）は、ガイドポスト（１４）を囲む環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）と、第１端が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に接続され、その第１端の反対側の第２端がブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）の端（２４）（４４）（５４）（６４）に接続される傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）と、複数の分岐溝（２７−１〜２７−ｎ）（４７−１〜４７−ｎ）（５７−１〜５７−ｎ）（６７−１〜６７−ｎ）とが形成されている。傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）は、傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）をその第２端からその第１端に辿る点が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に単調に接近するように、かつ、傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）をその第２端からその第１端に辿る点が移動方向（１７）と異なる方向に移動する部分を含んでいるように、形成されている。複数の分岐溝（２７−１〜２７−ｎ）（４７−１〜４７−ｎ）（５７−１〜５７−ｎ）（６７−１〜６７−ｎ）のうちの任意の分岐溝は、第３端（４８）が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に接続され、移動方向（１７）に平行である直線（４０）が第３端（４８）の反対側の第４端（４９）を通るときに、直線（４０）が傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）と交差する点（５０）より環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）から遠い位置に第４端（４９）が配置されるように、かつ、第３端（４８）が直線（４０）に正射影された点（５１）より環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）から遠い位置に第４端（４９）が配置されるように、形成されている。ガイドブッシュ（１５）に固定される第１工具（１２）は、ガイドポスト（１４）に固定される第２工具（７）に噛み合うことによりその吊りピンを切断する。
【００１４】
本発明によるガイドブッシュ（１５）は、開口部（２１）が形成される内側部分と、支持対象に固定される外側部分とを備えている。その内側部分は、移動方向（１７）に平行である直線（４０）から形成される柱面に沿うブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）が開口部（２１）に形成されている。ブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）は、閉曲線に沿って形成される環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）と、第１端が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に接続され、その第１端の反対側の第２端がブッシュ摺動面（２２）（４２）（５２）（６２）の端（２４）（４４）（５４）（６４）に接続される傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）と、複数の分岐溝（２７−１〜２７−ｎ）（４７−１〜４７−ｎ）（５７−１〜５７−ｎ）（６７−１〜６７−ｎ）とが形成されている。傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）は、傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）をその第２端からその第１端に辿る点が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に単調に接近するように、かつ、傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）をその第２端からその第１端に辿る点が移動方向（１７）と異なる方向に移動する部分を含んでいるように、形成されている。複数の分岐溝（２７−１〜２７−ｎ）（４７−１〜４７−ｎ）（５７−１〜５７−ｎ）（６７−１〜６７−ｎ）のうちの任意の分岐溝は、第３端（４８）が環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）に接続され、移動方向（１７）に平行である直線（４０）が第３端（４８）の反対側の第４端（４９）を通るときに、直線（４０）が傾斜溝（２６−１）（４６−１）（５６）（６６−１）と交差する点（５０）より環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）から遠い位置に第４端（４９）が配置されるように、かつ、第３端（４８）が直線（４０）に正射影された点（５１）より環状溝（２５）（４５）（５５）（６５）から遠い位置に第４端（４９）が配置されるように、形成されている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による半導体装置加工装置および半導体装置製造方法によれば、ブッシュ摺動面とポスト摺動面との間に供給された潤滑剤は、ブッシュ摺動面とポスト摺動面とが摺動するときに、その傾斜溝を流れることにより、より均一にブッシュ摺動面に塗布される。その結果、本発明による半導体装置加工装置および半導体装置製造方法は、摺動不良を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明による半導体装置加工装置を示す半断面図である。
【図２】図２は、ガイドブッシュを示す斜視図である。
【図３】図３は、摺動面を示す展開図である。
【図４】図４は、案内溝を示す図である。
【図５】図５は、ガイドブッシュが１ピッチだけ移動するときの潤滑剤の流れを示す図である。
【図６】図６は、ガイドブッシュが下降するときの潤滑剤の流れを示す図である。
【図７】図７は、ガイドブッシュが上昇するときの潤滑剤の流れを示す図である。
【図８】図８は、他の摺動面を示す展開図である。
【図９】図９は、さらに他の摺動面を示す展開図である。
【図１０】図１０は、さらに他の摺動面を示す展開図である。
【図１１】図１１は、ガイドブッシュが１ピッチだけ移動するときに、図１０に示される摺動面に貯留される潤滑剤の流れを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図面を参照して、本発明による半導体装置加工装置の実施の形態を記載する。その半導体装置加工装置は、図１に示されているように、下金型１と上金型２と金型ガイド３とを備えている。上金型２は、金型ガイド３を介して下金型１に平行移動可能に支持されている。すなわち、下金型１は、下型ホルダ５とダイプレート６とダイ７とを備えている。下型ホルダ５は、金属から形成され、板状に形成されている。下型ホルダ５は、ボルスタに形成されるボルスタ面に取り付けられ、そのボルスタに固定されている。そのボルスタ面は、水平面に平行である。ダイプレート６は、下型ホルダ５の鉛直上側に配置され、下型ホルダ５に固定されている。ダイプレート６は、ダイ７がダイプレート６の鉛直上側に配置されるように、ダイプレート６にダイ７を固定している。ダイ７は、金属から形成されている。ダイ７は、加工対象であるモールド成型済みリードフレーム８を保持する。
【００１８】
モールド成型済みリードフレーム８は、図示されていないリードフレームと半導体装置パッケージ部分とを備えている。その半導体装置パッケージ部分は、複数の回路素子が集積された集積回路が樹脂により封止されている。そのリードフレームは、一枚の金属板から形成されている。その金属は、ダイ７を形成している材料より硬い。そのリードフレームは、ダイパッドと複数のリードとフレームと吊りピンとが形成されている。そのダイパッドは、その集積回路がマウントされ、その集積回路とともにその半導体装置パッケージ部分の内部にその樹脂により封止されている。その複数のリードは、それぞれ、棒状に形成され、その半導体装置パッケージ部分の外周に配置されている。その複数のリードは、それぞれ、一部がその樹脂により封止されることにより、その半導体装置パッケージ部分に支持されている。その複数のリードの各々は、その複数の回路素子のうちのいずれかの回路素子の端子に電気的に接続されている。そのフレームは、その樹脂に被覆されないで、その半導体装置パッケージ部分の周りに配置されている。その吊りピンは、棒状に形成され、一端がそのダイパッドに接合され、他端がそのフレームに接合され、その樹脂により封止されている。すなわち、その半導体装置パッケージ部分は、その吊りピンを介してそのフレームに支持されている。
【００１９】
上金型２は、上型ホルダ１０とパンチプレート１１とパンチ１２とを備えている。上型ホルダ１０は、金属から形成され、板状に形成されている。上型ホルダ１０は、金型ガイド３を介して平行移動可能に支持されている。パンチプレート１１は、上型ホルダ１０の鉛直下側に配置され、上型ホルダ１０に固定されている。パンチ１２がパンチプレート１１の鉛直下側に配置されるように、パンチプレート１１にパンチ１２を固定している。パンチ１２は、そのリードフレームを形成する金属より硬い金属から形成され、板状に形成されている。
【００２０】
金型ガイド３は、複数のガイドポスト１４と複数のガイドブッシュ１５とを備えている。複数のガイドポスト１４は、それぞれ、金属から形成され、円柱に形成されている。複数のガイドポスト１４は、それぞれ、その円柱の側面に摺動面１６が形成されている。複数のガイドポスト１４は、それぞれ、その柱面の母線が移動方向１７に平行になるように配置され、下型ホルダ５に固定されている。移動方向１７は、鉛直方向に平行である。複数のガイドブッシュ１５は、複数のガイドポスト１４に対応づけられている。複数のガイドブッシュ１５は、それぞれ、金属から形成され、円筒状に形成されている。複数のガイドブッシュ１５のうちのあるガイドブッシュは、複数のガイドポスト１４のうちのそのガイドブッシュに対応するガイドポストに移動方向１７に平行に平行移動可能に支持されている。複数のガイドブッシュ１５は、それぞれ、上型ホルダ１０に固定されている。
【００２１】
その半導体装置加工装置は、さらに、図示されていないクランプとアクチュエータとを備えている。そのクランプは、ユーザにより操作されることにより、モールド成型済みリードフレーム８がダイ７の所定の位置に保持されるように、モールド成型済みリードフレーム８をダイ７に固定する。そのアクチュエータは、ユーザにより操作されることにより、パンチ１２を移動方向１７に平行に平行移動させる。
【００２２】
その半導体装置加工装置は、そのアクチュエータが移動方向１７に平行に上死点から下死点までパンチ１２を往復運動させ、その下死点に配置されたときにパンチ１２がダイ７に噛み合わさる。その半導体装置加工装置は、モールド成型済みリードフレーム８がダイ７の所定の位置に保持されているときに、パンチ１２がダイ７に噛み合うことにより、モールド成型済みリードフレーム８の吊りピンを切断し、モールド成型済みリードフレーム８を半導体装置パッケージとフレームとに分離する。
【００２３】
図２は、ガイドブッシュ１５を示している。ガイドブッシュ１５は、円筒形に形成され、外側部分と内側部分とを備えている。その外側部分は、上型ホルダ１０に固定され、すなわち、パンチ１２に間接的に固定されている。その内側部分は、開口部２１が形成されている。ガイドブッシュ１５は、開口部２１にガイドポスト１４が挿入されることにより、移動方向１７に平行移動可能に支持される。開口部２１は、円柱の側面に沿う摺動面２２を形成している。ガイドブッシュ１５は、全長Ｌがその上死点から下死点までの摺動ストロークＳに対して十分に短くなるように、形成されている。ガイドブッシュ１５は、開口部２１の直径が内径Ｄとなるように、形成されている。内径Ｄは、ガイドポスト１４の直径に概ね等しく、または、ガイドポスト１４の直径より少し大きい。内径Ｄとしては、１０ｍｍ〜６０ｍｍ程度の寸法が例示される。このとき、ガイドポスト１４とガイドブッシュ１５とは、次式：
Ｌ／Ｄ＞０．８
が満足するように、形成されている。摺動面２２は、開口部２１にガイドポスト１４が挿入され、移動方向１７に平行にガイドブッシュ１５が平行移動するときに、ガイドブッシュ１５の摺動面１６に摺動する。
【００２４】
摺動面２２は、上方端２３と下方端２４とを有している。上方端２３は、ガイドブッシュ１５の開口部２１にガイドポスト１４が挿入されたときに、摺動面２２の端のうちの下型ホルダ５に遠い側に配置される端を示している。下方端２４は、ガイドブッシュ１５の開口部２１にガイドポスト１４が挿入されたときに、摺動面２２の端のうちの下型ホルダ５に近い側に配置される端を示している。上方端２３と下方端２４とは、ガイドブッシュ１５の開口部２１にガイドポスト１４が挿入されているときに、それぞれ、移動方向１７に垂直である平面に含まれるように、形成されている。摺動面２２は、さらに、上方端２３から下方端２４までの距離がガイドブッシュ１５の全長Ｌに等しくなるように、形成されている。
【００２５】
図３は、摺動面２２を示している。摺動面２２は、環状溝２５と２つの傾斜溝２６−１〜２６−２とが形成されている。環状溝２５は、ガイドブッシュ１５の開口部２１にガイドポスト１４が挿入されているときに、ガイドポスト１４を囲むように配置されている。すなわち、環状溝２５は、摺動面２２に描かれる閉曲線に沿って形成されている。その閉曲線は、摺動面２２をその閉曲線で２つの領域に分割したときに、その２つの領域のうちの一方に上方端２３が配置され、その２つの領域のうちの他方に下方端２４が配置されるように、形成されている。その閉曲線は、さらに、ガイドブッシュ１５の開口部２１にガイドポスト１４が挿入されているときに、移動方向１７に垂直である平面に含まれるように、形成されている。その閉曲線は、さらに、下方端２４から有効長Ｌｍだけ離れるように、形成されている。
【００２６】
２つの傾斜溝２６−１〜２６−２は、摺動面２２に描かれる複数の螺旋にそれぞれ沿って形成されている。すなわち、２つの傾斜溝２６−１〜２６−２は、摺動面２２が伸縮することなしに摺動面２２を平面に展開したときに、それぞれ、互いに平行である複数の直線に沿って配置される。このとき、２つの傾斜溝２６−１〜２６−２は、さらに、その複数の直線と下方端２４とがなす角であるリード角Θが３０度〜６０度の範囲に含まれるように、形成されている。２つの傾斜溝２６−１〜２６−２は、さらに、ピッチＰだけ離れるように、すなわち、移動方向１７に平行である摺動面２２上の直線が傾斜溝２６−１と交差する点からその直線が傾斜溝２６−２と交差する点までの距離がピッチＰであるように、形成されている。２つの傾斜溝２６−１〜２６−２は、さらに、ピッチＰが有効長Ｌｍと等しくなるように、形成されている。すなわち、移動方向１７に平行である摺動面２２上の任意の直線は、２つの傾斜溝２６−１〜２６−２の一方にのみ交差している。２つの傾斜溝２６−１〜２６−２は、さらに、それぞれ、一端が環状溝２５に接続されるように、かつ、他端が下方端２４に配置されるように、形成されている。
【００２７】
なお、その螺旋は、ガイドブッシュ１５の上方より下方に見た場合に、時計回り方向、反時計回り方向のいずれも採用されることができる。
【００２８】
摺動面２２は、さらに、２つの傾斜溝２６−１〜２６−２毎に複数の分岐溝２７−１〜２７−ｎが形成されている。複数の分岐溝２７−１〜２７−ｎの各分岐溝２７−ｊ（ｊ＝１，２，３，…，ｎ）は、移動方向１７に平行である摺動面２２上の直線に沿って形成されている。分岐溝２７−ｊは、さらに、一端が２つの傾斜溝２６−１〜２６−２のいずれかの傾斜溝２６−ｉ（ｉ＝１，２）に接続されるように、かつ、他端がその一端より下方端２４に近くなるように、形成されている。分岐溝２７−ｊは、さらに、その他端が摺動面２２の内部に配置されるように、すなわち、摺動面２２の外側または摺動面２２に形成される他の溝に接続されないように、形成されている。さらに、分岐溝２７−ｊが傾斜溝２６−ｉに接続されている位置は、分岐溝２７−（ｊ＋１）が傾斜溝２６−ｉに接続されている位置より環状溝２５に近い。
【００２９】
環状溝２５と２つの傾斜溝２６−１〜２６−２と複数の分岐溝２７−１〜２７−ｎの溝幅は、潤滑剤の特性に基づいて設定され、たとえば、１ｍｍ〜５ｍｍが例示される。
【００３０】
摺動面２２は、図４に示されているように、さらに、案内溝２８が形成されている。案内溝２８は、傾斜溝２６−ｉの下方端２４に接続する位置に形成されている。案内溝２８は、傾斜溝２６−ｉの下方端２４に接続する口を拡大するように、形成されている。
【００３１】
本発明による半導体装置製造方法の実施の形態は、モールド成型済みリードフレームを作製する動作と、モールド成型済みリードフレームから半導体装置パッケージを切り離す動作とを備えている。
【００３２】
そのモールド成型済みリードフレームを作製する動作では、モールド成型済みリードフレーム８が作製される。すなわち、複数の回路素子が集積された集積回路が作製され、一枚の金属板からリードフレームが作製される。そのリードフレームは、ダイパッドと複数のリードとフレームと吊りピンとが形成されている。その集積回路は、そのダイパッドにマウントされる。その集積回路は、そのダイパッドにマウントされた後に、その複数のリードの各々がその複数の回路素子のうちのいずれかの回路素子の端子に電気的に接続されるように、ワイヤボンディングされる。そのワイヤボンディングされたボンディング済みリードフレームは、成型金型の内部に配置され、その成型金型の内部に樹脂が充填されることにより、その複数のリードのうちのワイヤボンディングされた部分と一部とその吊りピンとともにその樹脂により樹脂封止される。その樹脂封止されたモールド成型済みリードフレームは、そのリードフレームのうちの樹脂に被覆されていない表面がはんだめっきされることにより、モールド成型済みリードフレーム８に形成される。
【００３３】
そのモールド成型済みリードフレームから半導体装置パッケージを切り離す動作は、本発明による半導体装置加工装置を用いて実行される。ユーザは、まず、ガイドポスト１４の摺動面１６に潤滑剤を塗布し、または、ガイドブッシュ１５の摺動面２２に潤滑剤を塗布する。ユーザは、その潤滑剤が塗布された後に、ガイドブッシュ１５の開口部２１にガイドポスト１４を挿入する。金型ガイド３は、このような挿入により、下金型１に対して上金型２を移動方向１７に平行に平行移動可能に支持する。ユーザは、上金型２が平行移動可能に支持された後に、パンチ１２が移動方向１７に移動することによりパンチ１２がダイ７に合致するように、下型ホルダ５に対するダイ７の位置を調整し、または、上型ホルダ１０に対するパンチ１２の位置を調整する。ユーザは、下金型１に対して上金型２が平行移動可能に支持された後に、所定の動作を繰り返して実行する。
【００３４】
その所定の動作では、ユーザは、パンチ１２がその上死点に配置されているときに、まず、その半導体装置加工装置のクランプを操作することにより、モールド成型済みリードフレーム８をダイ７に固定する。ユーザは、さらに、その半導体装置加工装置のアクチュエータを操作することにより、パンチ１２を移動方向１７に摺動ストロークＳだけ平行移動させ、パンチ１２をその下死点に配置する。パンチ１２は、その下死点に配置されることにより、ダイ７に合致する。モールド成型済みリードフレーム８は、パンチ１２がダイ７に合致することにより、その吊りピンが切断され、半導体装置パッケージとフレームとに分離する。ユーザは、モールド成型済みリードフレーム８からその半導体装置パッケージが切り離された後に、そのアクチュエータを操作することにより、パンチ１２を移動方向１７の反対方向に摺動ストロークＳだけ平行移動させ、パンチ１２をその上死点に配置する。ユーザは、パンチ１２がその上死点に配置されているときに、そのクランプを操作することにより、その半導体装置加工装置からその半導体装置パッケージとフレームとを取り出す。
【００３５】
ガイドブッシュ１５の摺動面１６とガイドブッシュ１５の摺動面２２とは、その所定の動作が繰り返して実行されるときに、移動方向１７に平行に摺動する。このとき、環状溝２５に貯留されている潤滑剤は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７の反対方向に平行移動することにより、図５に示されているように、一部３６が摺動面１６と摺動面２２との間に供給され、他の一部３７が２つの傾斜溝２６−１〜２６−２に供給される。傾斜溝２６−ｉに貯留されている潤滑剤は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７の反対方向に平行移動することにより、一部が摺動面１６と摺動面２２との間に供給される。傾斜溝２６−ｉのうちの分岐溝２７−ｊより環状溝２５に近い部分に貯留している潤滑剤は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７の反対方向に平行移動することにより、一部３８が分岐溝２７−ｊに供給される。傾斜溝２６−ｉのうちの分岐溝２７−ｊより環状溝２５に近い部分に貯留している潤滑剤は、分岐溝２７−ｊが潤滑剤で満たされたときに、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７の反対方向に平行移動することにより、他の一部３９が傾斜溝２６−ｉのうちの分岐溝２７−ｊより環状溝２５から遠い部分に供給される。傾斜溝２６−ｉのうちの分岐溝２７−ｎより環状溝２５から遠い部分に貯留している潤滑剤は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７の反対方向に平行移動することにより、下方端２４からガイドポスト１４の摺動面１６に流れ出る。
【００３６】
ガイドポスト１４の摺動面１６に付着している潤滑剤は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７に平行移動することにより、一部が案内溝２８を介して２つの傾斜溝２６−１〜２６−２に供給される。傾斜溝２６−ｉに接続されている分岐溝２７−ｊに貯留されている潤滑剤は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７に平行移動することにより、図６に示されているように、一部３１が傾斜溝２６−ｉに供給される。傾斜溝２６−ｉに貯留されている潤滑剤は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７に平行移動することにより、傾斜溝２６−ｉを環状溝２５に向かって流れ、一部３２が環状溝２５に供給される。環状溝２５に貯留されている潤滑剤は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７に平行移動したときに、一部が摺動面１６と摺動面２２との間に供給され、傾斜溝２６−ｉから環状溝２５に供給される潤滑剤に押されることにより、他の一部３３、３４が環状溝２５を周方向に流れる。
【００３７】
すなわち、摺動面１６と摺動面２２との間に貯留されている潤滑剤３０は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が回転しなくても、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７と平行に移動することにより、図７に示されているように、摺動面１６と摺動面２２との間を周方向に流れる。
【００３８】
ガイドポスト１４の摺動面１６とガイドブッシュ１５の摺動面２２との隙間は、潤滑剤がこのような挙動を示すことにより、摺動面２２の周方向に潤滑剤がより一様に塗布され、摺動面２２に潤滑剤がより均一に塗布される。ガイドポスト１４とガイドブッシュ１５とは、潤滑剤の膜厚均一化により、摺動不良を起こすことが防止される。このような半導体装置加工装置は、潤滑剤の膜厚均一化により、さらに、クリアランスが均一化し、ガイドポスト１４の調芯効果も得られる。その結果、本発明による半導体装置加工装置は、パンチ１２をより高精度に所定の位置に案内することができる。
【００３９】
このような半導体装置加工装置は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７の反対方向に平行移動したときに、摺動面１６と摺動面２２との隙間に貯留された潤滑剤が複数の分岐溝２７−１〜２７−ｎに貯留されることにより、下方端２４から流れ出る潤滑剤の量を低減することができる。このため、このような半導体装置加工装置は、ガイドポスト１４とガイドブッシュ１５とが摺動不良を起こすことを防止することができる期間を延長することができる。このような半導体装置加工装置は、さらに、その潤滑剤が本半導体装置加工装置の周辺に飛散することを防止し、本半導体装置加工装置の周辺に配置される機器がその潤滑剤で汚染されることを防止することができる。
【００４０】
このため、本発明による半導体装置製造方法は、このような半導体装置加工装置を利用することにより、モールド成型済みリードフレーム８の吊りピンの所定の位置をより高精度に切断することができ、半導体装置パッケージをより適切に作製することができる。本発明による半導体装置製造方法は、このような半導体装置加工装置を利用することにより、さらに、モールド成型済みリードフレーム８の吊りピンをより長期にわたって切断することができ、半導体装置パッケージをより効率よく作製することができる。
【００４１】
環状溝２５は、ガイドブッシュ１５の上方端２３に近い位置が望ましい。これは、摺動面２２のうちの２つの傾斜溝２６−１〜２６−２が配置される領域の有効長Ｌｍをできるだけ長く取り、２つの傾斜溝２６−１〜２６−２による潤滑効果をより高めることを目的とするものである。
【００４２】
なお、ガイドブッシュ１５は、下方端２４から漏れ出る潤滑剤の量が十分に少ないときに、案内溝２８を省略することもできる。このようなガイドブッシュが適用された半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、ガイドポスト１４とガイドブッシュ１５との摺動不良をより確実に、より長期的に防止することができる。
【００４３】
なお、ガイドブッシュ１５は、傾斜溝２６−ｉと環状溝２５とが接続されている部分に他の案内溝をさらに形成されることもできる。その案内溝は、傾斜溝２６−ｉと環状溝２５とが接続されている部分に形成される角がなだらかな曲線を描くように、形成されている。ガイドブッシュ１５は、さらに、傾斜溝２６−ｉと分岐溝２７−ｊとが接続されている部分にさらに他の案内溝をさらに形成されることもできる。その案内溝は、傾斜溝２６−ｉと分岐溝２７−ｊとが接続されている部分に形成される角がなだらかな曲線を描くように、形成されている。このような案内溝が適用された半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、ガイドポスト１４とガイドブッシュ１５との摺動不良をより確実に、より長期的に防止することができる。
【００４４】
本発明による半導体装置加工装置の実施の他の形態は、既述の実施の形態における摺動面２２と異なる他の摺動面が形成されるガイドブッシュを備えている。その摺動面４２は、図８に示されているように、上方端４３と下方端４４とを有している。上方端４３は、摺動面４２の端のうちの下型ホルダ５に遠い側に配置される端を示している。下方端４４は、摺動面４２の端のうちの下型ホルダ５に近い側に配置される端を示している。上方端４３と下方端４４とは、そのガイドブッシュの開口部にガイドポスト１４が挿入されているときに、それぞれ、移動方向１７に垂直である平面に含まれるように、形成されている。上方端４３から下方端４４までの距離は、そのガイドブッシュの全長Ｌに等しく、モールド成型済みリードフレーム８と半導体装置パッケージとフレームとに分離するときにパンチ１２が移動する摺動ストロークＳに対して十分に短い。
【００４５】
摺動面４２は、環状溝４５と複数の傾斜溝４６−１〜４６−２とが形成されている。環状溝４５は、既述の実施の形態における環状溝２５と同様にして、形成されている。すなわち、環状溝４５は、移動方向１７に垂直である平面上に配置されるように、形成されている。複数の傾斜溝４６−１〜４６−２は、既述の実施の形態における２つの傾斜溝２６−１〜２６−２と同様にして、形成されている。すなわち、複数の傾斜溝４６−１〜４６−２は、摺動面４２に描かれる複数の螺旋にそれぞれ沿って形成され、互いにピッチＰだけ離れるように形成されている。複数の傾斜溝４６−１〜４６−２は、さらに、ピッチＰが有効長Ｌｍと等しくなるように、形成されている。複数の傾斜溝４６−１〜４６−２は、さらに、それぞれ、一端が環状溝４５に接続されるように、かつ、他端が下方端４４に配置されるように、形成されている。
【００４６】
摺動面４２は、さらに、複数の傾斜溝４６−１〜４６−２毎に複数の分岐溝４７−１〜４７−ｎが形成されている。複数の分岐溝４７−１〜４７−ｎの各分岐溝４７−ｊは、概ね直線状に形成され、接続端４８と非接続端４９とを有している。分岐溝４７−ｊは、接続端４８が複数の傾斜溝４６−１〜４６−２のいずれかの傾斜溝４６−ｉに接続されている。分岐溝４７−ｊは、非接続端４９が接続端４８より環状溝４５から遠い側に配置されるように、かつ、非接続端４９が傾斜溝４６−ｉより環状溝４５から遠い側に配置されるように、形成されている。すなわち、非接続端４９を通る直線４０は、移動方向１７に平行であるときに、傾斜溝４６−ｉに点５０で交差する。このとき、分岐溝４７−ｉは、点５０に比較して、非接続端４９が環状溝４５から遠い側に配置されるように、形成されている。分岐溝４７−ｉは、さらに、接続端４８が直線４０に正射影した点５１に比較して、非接続端４９が環状溝４５から遠い側に配置されるように、形成されている。さらに、複数の分岐溝４７−１〜４７−ｎは、分岐溝４７−ｊの接続端４８が分岐溝４７−（ｊ＋１）の接続端４８より環状溝４５に近くなるように、形成されている。
【００４７】
摺動面４２が適用されている半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、摺動不良を起こすことがより確実に防止され、摺動不良を起こすことを防止することができる期間を延長することができ、さらに、ガイドポスト１４の調芯効果が得られる。摺動面４２が適用されている半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、本発明による半導体装置製造方法に適用されることができる。このような半導体装置加工装置が利用された半導体装置製造方法は、既述の実施の形態における半導体装置製造方法と同様にして、半導体装置パッケージをより適切に、より効率よく作製することができる。
【００４８】
なお、分岐溝４７−ｊは、非接続端４９が点５０より環状溝４５から遠い側に配置されるように、かつ、非接続端４９が点５１より環状溝４５から遠い側に配置されるように、形成されていればよく、接続端４８が点５０より環状溝４５から遠い側に配置されていてもかまわない。このような分岐溝が適用された半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、摺動不良をより確実に、より長期間にわたって防止することができ、パンチ１２をより高精度に所定の位置に案内することができる。
【００４９】
本発明による半導体装置加工装置の実施のさらに他の形態は、既述の実施の形態における摺動面２２と異なる他の摺動面が形成されるガイドブッシュを備えている。その摺動面４２は、図９に示されるように、上方端５３と下方端５４とを有している。上方端５３は、摺動面５２の端のうちの下型ホルダ５に遠い側に配置される端を示している。下方端５４は、摺動面５２の端のうちの下型ホルダ５に近い側に配置される端を示している。上方端５３と下方端５４とは、そのガイドブッシュの開口部にガイドポスト１４が挿入されているときに、それぞれ、移動方向１７に垂直である平面に含まれるように、形成されている。上方端５３から下方端５４までの距離は、そのガイドブッシュの全長Ｌに等しく、モールド成型済みリードフレーム８と半導体装置パッケージとフレームとに分離するときにパンチ１２が移動する摺動ストロークＳに対して十分に短い。
【００５０】
摺動面５２は、環状溝５５と傾斜溝５６と複数の分岐溝５７−１〜５７−ｎとが形成されている。環状溝５５は、既述の実施の形態における環状溝２５と同様にして、形成されている。すなわち、環状溝５５は、移動方向１７に垂直である平面上に配置されるように、形成されている。傾斜溝５６は、既述の実施の形態における２つの傾斜溝２６−１〜２６−２と同様にして、形成されている。すなわち、傾斜溝５６は、摺動面５２に描かれる螺旋に沿って形成されている。傾斜溝５６は、さらに、一端が環状溝５５に接続されるように、かつ、他端が下方端３４に配置されるように、形成されている。
【００５１】
複数の分岐溝５７−１〜５７−ｎの各分岐溝５７−ｊは、直線状に形成され、移動方向１７に平行になるように、形成されている。分岐溝５７−ｊは、さらに、一端が傾斜溝５６に接続されるように、かつ、他端がその一端より下方端５４に近くなるように、形成されている。分岐溝５７−ｊは、さらに、その他端が摺動面５２の内部に配置されるように、すなわち、摺動面５２の外側または摺動面５２に形成される他の溝に接続されないように、形成されている。さらに、分岐溝５７−ｊが傾斜溝５６に接続されている位置は、分岐溝５７−（ｊ＋１）が傾斜溝５６に接続されている位置より環状溝５５に近い。
【００５２】
摺動面５２が適用されている半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、摺動不良をより確実に、より長期間にわたって防止することができ、パンチ１２をより高精度に所定の位置に案内することができる。摺動面５２が適用されている半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、本発明による半導体装置製造方法に適用されることができる。このような半導体装置加工装置が利用された半導体装置製造方法は、既述の実施の形態における半導体装置製造方法と同様にして、半導体装置パッケージをより適切に、より効率よく作製することができる。
【００５３】
本発明による半導体装置加工装置の実施のさらに他の形態は、既述の実施の形態における摺動面２２と異なる他の摺動面が形成されるガイドブッシュを備えている。その摺動面６２は、図１０に示されているように、上方端６３と下方端６４とを有している。上方端６３は、摺動面６２の端のうちの下型ホルダ５に遠い側に配置される端を示している。下方端６４は、摺動面６２の端のうちの下型ホルダ５に近い側に配置される端を示している。上方端６３と下方端６４とは、そのガイドブッシュの開口部にガイドポスト１４が挿入されているときに、それぞれ、移動方向１７に垂直である平面に含まれるように、形成されている。上方端６３から下方端６４までの距離は、そのガイドブッシュの全長Ｌに等しく、モールド成型済みリードフレーム８と半導体装置パッケージとフレームとに分離するときにパンチ１２が移動する摺動ストロークＳに対して十分に短い。
【００５４】
摺動面６２は、環状溝６５と複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍ（ｍ＝３，４，５，…）とが形成されている。環状溝６５は、既述の実施の形態における環状溝２５と同様にして、形成されている。すなわち、環状溝６５は、移動方向１７に垂直である平面上に配置されるように、形成されている。複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍの各々は、既述の実施の形態における傾斜溝４６−ｉと同様にして、形成されている。すなわち、複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍは、摺動面６２に描かれる複数の螺旋にそれぞれ沿って形成され、互いにピッチＰだけ離れるように形成されている。複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍは、さらに、ピッチＰが有効長Ｌｍと等しくなるように、形成されている。複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍのうちの任意の傾斜項６６−ｋ（ｋ＝１，２，３，…，ｍ）は、一端が環状溝６５に接続されるように、かつ、他端が下方端６４に配置されるように、形成されている。
【００５５】
摺動面６２は、さらに、複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍ毎に複数の分岐溝６７−１〜６７−ｎが形成されている。複数の分岐溝６７−１〜６７−ｎの各分岐溝６７−ｊは、既述の実施の形態における分岐溝２７−ｊと同様にして、形成されている。すなわち、分岐溝６７−ｊは、移動方向１７に平行である摺動面６２上の直線に沿って形成されている。分岐溝６７−ｊは、さらに、一端が複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍのいずれかの傾斜溝２６−ｊに接続されるように、かつ、他端がその一端より下方端２４に近くなるように、形成されている。分岐溝６７−ｊは、さらに、その他端が摺動面６２の内部に配置されるように、すなわち、摺動面６２の外側または摺動面６２に形成される他の溝に接続されないように、形成されている。さらに、分岐溝６７−ｊが傾斜溝２６−ｉに接続されている位置は、分岐溝６７−（ｊ＋１）が傾斜溝２６−ｉに接続されている位置より環状溝２５に近い。
【００５６】
すなわち、摺動面１６と摺動面６２との間に貯留されている潤滑剤６９は、ガイドポスト１４に対してガイドブッシュ１５が移動方向１７の反対方向に平行移動することにより、図１１に示されているように、摺動面１６と摺動面６２との間を周方向に流れる。
【００５７】
摺動面６２が適用されている半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、摺動不良をより確実に、より長期間にわたって防止することができ、パンチ１２をより高精度に所定の位置に案内することができる。摺動面６２が適用されている半導体装置加工装置は、既述の実施の形態における半導体装置加工装置と同様にして、本発明による半導体装置製造方法に適用されることができる。このような半導体装置加工装置が利用された半導体装置製造方法は、既述の実施の形態における半導体装置製造方法と同様にして、半導体装置パッケージをより適切に、より効率よく作製することができる。
【００５８】
以下、説明の便宜上、多条ねじに用いられる表現を使い、説明する。傾斜溝の角度をリード角Θ、傾斜溝部を多条ねじとみなすと、この多条ねじが、１回転当たりに回転軸方向に進む距離であるリードＡは、次式：
Ａ＝ｎ×Ｐ
で求められる。ここで、上述の多条ねじが１回転当たりに回転軸方向に進む距離であるリードＡは、ガイドブッシュが１ピッチ分摺動する際に、傾斜溝内を潤滑剤が流動し進む距離に相当する。よって、例えば、図９に示される傾斜溝５６において１ピッチ当たりに潤滑剤が回転軸方向に進む距離は、
１×１
であるのに対し、図１０に示される複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍにおいて１ピッチ当たりに潤滑剤が回転軸方向に進む距離は、
ｍ×１
となり、１条ねじの傾斜溝５６に比べ、回転軸方向にｍ倍の距離を進むことになる。よって、傾斜溝が多くなると傾斜溝の中を流動する潤滑剤の移動距離が長くなり、潤滑効率が大きく改善されることになる。さらに、ガイドブッシュが１ピッチ分摺動した場合でも、図１１に示されているように、潤滑剤が傾斜溝を周方向に２π／ｍだけ回転するように流れ、リード角Θが大きいため、比較的スムーズに傾斜溝の中を潤滑剤が流動することができる。
【００５９】
なお、傾斜溝６６−１〜６６−ｍ（傾斜溝２６−１〜２６−２、４６−１〜４６−２、５６を含む。）は、ピッチＰが有効長Ｌｍと異なるように、形成されることができる。このとき、その傾斜溝は、ピッチＰが有効長Ｌｍより小さくなるように、かつ、ピッチＰが全長Ｌの１／２より大きくなるように、形成されている。なお、傾斜溝６６−１〜６６−ｍ（傾斜溝２６−１〜２６−２、４６−１〜４６−２、５６を含む。）は、さらに、螺旋と異なる曲線に沿って形成されることもできる。このとき、傾斜溝６６−ｋは、傾斜溝６６−ｋを下方端６４から環状溝６５に辿る点が環状溝６５に単調に接近するように、かつ、傾斜溝６６−ｋを下方端６４から環状溝６５に辿る点が移動方向１７と異なる方向に移動する部分を含むように、形成されている。複数の傾斜溝６６−１〜６６−ｍ（傾斜溝２６−１〜２６−２、４６−１〜４６−２を含む。）は、さらに、不等ピッチで形成されることができる。このような傾斜溝が適用された半導体装置加工装置は、既述の実施の形態と同様にして、摺動不良をより確実に、より長期間にわたって防止することができ、パンチ１２をより高精度に所定の位置に案内することができる。
【００６０】
なお、移動方向１７は、鉛直下側方向と異なる他の方向に設定されることもできる。その方向としては、水平方向、鉛直上側方向が例示される。このような移動方向が適用された半導体装置加工装置は、既述の実施の形態と同様にして、摺動不良をより確実に、より長期間にわたって防止することができ、パンチ１２をより高精度に所定の位置に案内することができる。
【００６１】
なお、摺動面６２（摺動面２２、４２、５２を含む。）は、円柱と異なる他の柱体の側面に沿って形成されることもできる。その柱体としては、楕円柱が例示される。ガイドブッシュ１５は、ガイドポスト１４がその柱体に形成されたときに、既述の実施の形態と同様にして、摺動不良をより確実に、より長期間にわたって防止することができ、パンチ１２をより高精度に所定の位置に案内することができる。
【００６２】
なお、本発明による半導体装置加工装置は、ガイドポスト１４がパンチ１２に固定され、ガイドブッシュ１５がダイ７に固定されることもできる。このような半導体装置加工装置も、既述の実施の形態と同様にして、摺動不良をより確実に、より長期間にわたって防止することができ、パンチ１２をより高精度に所定の位置に案内することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１ ：下金型
２ ：上金型
３ ：金型ガイド
５ ：下型ホルダ
６ ：ダイプレート
７ ：ダイ
８ ：モールド成型済みリードフレーム
１０：上型ホルダ
１１：パンチプレート
１２：パンチ
１４：ガイドポスト
１５：ガイドブッシュ
１６：摺動面
１７：移動方向
２１：開口部
２２：摺動面
２３：上方端
２４：下方端
２５：環状溝
２６−１〜２６−２：２つの傾斜溝
２７−１〜２７−ｎ：複数の分岐溝
２８：案内溝
４０：直線
４２：摺動面
４３：上方端
４４：下方端
４５：環状溝
４６−１〜４６−２：複数の傾斜溝
４７−１〜４７−ｎ：複数の分岐溝
４８：接続端
４９：非接続端
５０：点
５１：点
５２：摺動面
５３：上方端
５４：下方端
５５：環状溝
５６：傾斜溝
５７−１〜５７−ｎ：複数の分岐溝
６２：摺動面
６３：上方端
６４：下方端
６５：環状溝
６６−１〜６６−ｍ：複数の傾斜溝
６７−１〜６７−ｎ：複数の分岐溝
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部が形成されるガイドブッシュと、
前記開口部に挿入されるガイドポストとを具備し、
前記ガイドブッシュは、前記ガイドポストが前記開口部に挿入されているときに、前記ガイドポストに対して前記ガイドブッシュが移動方向に平行に移動することにより前記ガイドポストに摺動するブッシュ摺動面が前記開口部に形成され、
前記ブッシュ摺動面は、
前記ガイドポストを囲む環状溝と、
第１端が前記環状溝に接続され、前記第１端の反対側の第２端が前記ブッシュ摺動面の端に接続される傾斜溝と、
複数の分岐溝とが形成され、
前記傾斜溝は、前記傾斜溝を前記第２端から前記第１端に辿る点が前記環状溝に単調に接近するように、かつ、前記傾斜溝を前記第２端から前記第１端に辿る点が前記移動方向と異なる方向に移動する部分を含むように、形成され、
前記複数の分岐溝のうちの任意の分岐溝は、第３端が前記環状溝に接続され、前記移動方向に平行である直線が前記第３端の反対側の第４端を通るときに、前記直線が前記傾斜溝と交差する点より前記環状溝から遠い位置に前記第４端が配置されるように、かつ、前記第３端が前記直線に正射影された点より前記環状溝から遠い位置に前記第４端が配置されるように、形成され、
前記ガイドブッシュに固定される第１工具は、前記ガイドポストに固定される第２工具に噛み合うことにより加工対象を加工する
半導体装置加工装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ブッシュ摺動面は、
第５端が前記環状溝に接続され、前記第５端の反対側の第６端が前記ブッシュ摺動面の端に接続される他の傾斜溝と、
他の複数の分岐溝とがさらに形成され、
前記他の傾斜溝は、前記他の傾斜溝を前記第６端から前記第５端に辿る点が前記環状溝に単調に接近するように、かつ、前記他の傾斜溝を前記第６端から前記第５端に辿る点が前記移動方向と異なる方向に移動する部分を含むように、形成され、
前記他の複数の分岐溝のうちの任意の分岐溝は、第７端が前記環状溝に接続され、前記移動方向に平行である他の直線が前記第７端の反対側の第８端を通るときに、前記他の直線が前記傾斜溝と交差する点より前記環状溝から遠い位置に前記第８端が配置されるように、かつ、前記第７端が前記他の直線に正射影された点より前記環状溝から遠い位置に前記第８端が配置されるように、形成されている
半導体装置加工装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記傾斜溝と前記他の傾斜溝とは、前記移動方向と平行である直線が前記傾斜溝と前記他の傾斜溝とにそれぞれ交差する２点の間の距離が前記環状溝から前記端までの距離と等しくなるように、形成されている
半導体装置加工装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかにおいて、
前記ブッシュ摺動面は、前記第２端の幅を拡大する案内溝がさらに形成されている
半導体装置加工装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかにおいて、
前記複数の分岐溝は、それぞれ、前記移動方向に平行である直線に沿って形成される
半導体装置加工装置。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれかにおいて、
前記傾斜溝は、前記環状溝の鉛直下側に配置される
半導体装置加工装置。
【請求項７】
吊りピンを介して半導体装置パッケージがフレームに支持されているモールド成型済みリードフレームを作製するステップと、
半導体装置加工装置を利用して、前記吊りピンを切断することにより、前記フレームから前記半導体装置パッケージを切り離すステップとを具備し、
前記半導体装置加工装置は、
開口部が形成されるガイドブッシュと、
前記開口部に挿入されるガイドポストとを備え、
前記ガイドブッシュは、前記ガイドポストが前記開口部に挿入されているときに、前記ガイドポストに対して前記ガイドブッシュが移動方向に平行に移動することにより前記ガイドポストに摺動するブッシュ摺動面が前記開口部に形成され、
前記ブッシュ摺動面は、
前記ガイドポストを囲む環状溝と、
第１端が前記環状溝に接続され、前記第１端の反対側の第２端が前記ブッシュ摺動面の端に接続される傾斜溝と、
複数の分岐溝とが形成され、
前記傾斜溝は、前記傾斜溝を前記第２端から前記第１端に辿る点が前記環状溝に単調に接近するように、かつ、前記傾斜溝を前記第２端から前記第１端に辿る点が前記移動方向と異なる方向に移動する部分を含むように、形成され、
前記複数の分岐溝のうちの任意の分岐溝は、第３端が前記環状溝に接続され、前記移動方向に平行である直線が前記第３端の反対側の第４端を通るときに、前記直線が前記傾斜溝と交差する点より前記環状溝から遠い位置に前記第４端が配置されるように、かつ、前記第３端が前記直線に正射影された点より前記環状溝から遠い位置に前記第４端が配置されるように、形成され、
前記ガイドブッシュに固定される第１工具は、前記ガイドポストに固定される第２工具に噛み合うことにより前記吊りピンを切断する
半導体装置製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記ブッシュ摺動面は、
第５端が前記環状溝に接続され、前記第５端の反対側の第６端が前記ブッシュ摺動面の端に接続される他の傾斜溝と、
他の複数の分岐溝とがさらに形成され、
前記他の傾斜溝は、前記他の傾斜溝を前記第６端から前記第５端に辿る点が前記環状溝に単調に接近するように、かつ、前記他の傾斜溝を前記第６端から前記第５端に辿る点が前記移動方向と異なる方向に移動する部分を含むように、形成され、
前記他の複数の分岐溝のうちの任意の分岐溝は、第７端が前記環状溝に接続され、前記移動方向に平行である他の直線が前記第７端の反対側の第８端を通るときに、前記他の直線が前記傾斜溝と交差する点より前記環状溝から遠い位置に前記第８端が配置されるように、かつ、前記第７端が前記他の直線に正射影された点より前記環状溝から遠い位置に前記第８端が配置されるように、形成されている
半導体装置製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記傾斜溝と前記他の傾斜溝とは、前記移動方向と平行である直線が前記傾斜溝と前記他の傾斜溝とにそれぞれ交差する２点の間の距離が前記環状溝から前記端までの距離と等しくなるように、形成されている
半導体装置製造方法。
【請求項１０】
請求項７〜請求項９のいずれかにおいて、
前記ブッシュ摺動面は、前記第２端の幅を拡大する案内溝がさらに形成されている
半導体装置製造方法。
【請求項１１】
請求項７〜請求項１０のいずれかにおいて、
前記複数の分岐溝は、それぞれ、前記移動方向に平行である直線に沿って形成される
半導体装置製造方法。
【請求項１２】
請求項７〜請求項１１のいずれかにおいて、
前記傾斜溝は、前記環状溝の鉛直下側に配置される
半導体装置製造方法。
【請求項１３】
開口部が形成される内側部分と、
支持対象に固定される外側部分とを具備し、
前記内側部分は、移動方向に平行である直線から形成される柱面に沿うブッシュ摺動面が前記開口部に形成され、
前記ブッシュ摺動面は、
閉曲線に沿って形成される環状溝と、
第１端が前記環状溝に接続され、前記第１端の反対側の第２端が前記ブッシュ摺動面の端に接続される傾斜溝と、
複数の分岐溝とが形成され、
前記傾斜溝は、前記傾斜溝を前記第２端から前記第１端に辿る点が前記環状溝に単調に接近するように、かつ、前記傾斜溝を前記第２端から前記第１端に辿る点が前記移動方向と異なる方向に移動する部分を含むように、形成され、
前記複数の分岐溝のうちの任意の分岐溝は、第３端が前記環状溝に接続され、前記移動方向に平行である直線が前記第３端の反対側の第４端を通るときに、前記直線が前記傾斜溝と交差する点より前記環状溝から遠い位置に前記第４端が配置されるように、かつ、前記第３端が前記直線に正射影された点より前記環状溝から遠い位置に前記第４端が配置されるように、形成される
ガイドブッシュ。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記ブッシュ摺動面は、
第５端が前記環状溝に接続され、前記第５端の反対側の第６端が前記ブッシュ摺動面の端に接続される他の傾斜溝と、
他の複数の分岐溝とがさらに形成され、
前記他の傾斜溝は、前記他の傾斜溝を前記第６端から前記第５端に辿る点が前記環状溝に単調に接近するように、かつ、前記他の傾斜溝を前記第６端から前記第５端に辿る点が前記移動方向と異なる方向に移動する部分を含むように、形成され、
前記他の複数の分岐溝のうちの任意の分岐溝は、第７端が前記環状溝に接続され、前記移動方向に平行である他の直線が前記第７端の反対側の第８端を通るときに、前記他の直線が前記傾斜溝と交差する点より前記環状溝から遠い位置に前記第８端が配置されるように、かつ、前記第７端が前記他の直線に正射影された点より前記環状溝から遠い位置に前記第８端が配置されるように、形成されている
ガイドブッシュ。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記傾斜溝と前記他の傾斜溝とは、前記移動方向と平行である直線が前記傾斜溝と前記他の傾斜溝とにそれぞれ交差する２点の間の距離が前記環状溝から前記端までの距離と等しくなるように、形成されている
ガイドブッシュ。
【請求項１６】
請求項１３〜請求項１５のいずれかにおいて、
前記ブッシュ摺動面は、前記第２端の幅を拡大する案内溝がさらに形成されている
ガイドブッシュ。
【請求項１７】
請求項１３〜請求項１６のいずれかにおいて、
前記複数の分岐溝は、それぞれ、前記移動方向に平行である直線に沿って形成される
ガイドブッシュ。
【請求項１】
開口部が形成されるガイドブッシュと、
前記開口部に挿入されるガイドポストとを具備し、
前記ガイドブッシュは、前記ガイドポストが前記開口部に挿入されているときに、前記ガイドポストに対して前記ガイドブッシュが移動方向に平行に移動することにより前記ガイドポストに摺動するブッシュ摺動面が前記開口部に形成され、
前記ブッシュ摺動面は、
前記ガイドポストを囲む環状溝と、
第１端が前記環状溝に接続され、前記第１端の反対側の第２端が前記ブッシュ摺動面の端に接続される傾斜溝と、
複数の分岐溝とが形成され、
前記傾斜溝は、前記傾斜溝を前記第２端から前記第１端に辿る点が前記環状溝に単調に接近するように、かつ、前記傾斜溝を前記第２端から前記第１端に辿る点が前記移動方向と異なる方向に移動する部分を含むように、形成され、
前記複数の分岐溝のうちの任意の分岐溝は、第３端が前記環状溝に接続され、前記移動方向に平行である直線が前記第３端の反対側の第４端を通るときに、前記直線が前記傾斜溝と交差する点より前記環状溝から遠い位置に前記第４端が配置されるように、かつ、前記第３端が前記直線に正射影された点より前記環状溝から遠い位置に前記第４端が配置されるように、形成され、
前記ガイドブッシュに固定される第１工具は、前記ガイドポストに固定される第２工具に噛み合うことにより加工対象を加工する
半導体装置加工装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ブッシュ摺動面は、
第５端が前記環状溝に接続され、前記第５端の反対側の第６端が前記ブッシュ摺動面の端に接続される他の傾斜溝と、
他の複数の分岐溝とがさらに形成され、
前記他の傾斜溝は、前記他の傾斜溝を前記第６端から前記第５端に辿る点が前記環状溝に単調に接近するように、かつ、前記他の傾斜溝を前記第６端から前記第５端に辿る点が前記移動方向と異なる方向に移動する部分を含むように、形成され、
前記他の複数の分岐溝のうちの任意の分岐溝は、第７端が前記環状溝に接続され、前記移動方向に平行である他の直線が前記第７端の反対側の第８端を通るときに、前記他の直線が前記傾斜溝と交差する点より前記環状溝から遠い位置に前記第８端が配置されるように、かつ、前記第７端が前記他の直線に正射影された点より前記環状溝から遠い位置に前記第８端が配置されるように、形成されている
半導体装置加工装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記傾斜溝と前記他の傾斜溝とは、前記移動方向と平行である直線が前記傾斜溝と前記他の傾斜溝とにそれぞれ交差する２点の間の距離が前記環状溝から前記端までの距離と等しくなるように、形成されている
半導体装置加工装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかにおいて、
前記ブッシュ摺動面は、前記第２端の幅を拡大する案内溝がさらに形成されている
半導体装置加工装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかにおいて、
前記複数の分岐溝は、それぞれ、前記移動方向に平行である直線に沿って形成される
半導体装置加工装置。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれかにおいて、
前記傾斜溝は、前記環状溝の鉛直下側に配置される
半導体装置加工装置。
【請求項７】
吊りピンを介して半導体装置パッケージがフレームに支持されているモールド成型済みリードフレームを作製するステップと、
半導体装置加工装置を利用して、前記吊りピンを切断することにより、前記フレームから前記半導体装置パッケージを切り離すステップとを具備し、
前記半導体装置加工装置は、
開口部が形成されるガイドブッシュと、
前記開口部に挿入されるガイドポストとを備え、
前記ガイドブッシュは、前記ガイドポストが前記開口部に挿入されているときに、前記ガイドポストに対して前記ガイドブッシュが移動方向に平行に移動することにより前記ガイドポストに摺動するブッシュ摺動面が前記開口部に形成され、
前記ブッシュ摺動面は、
前記ガイドポストを囲む環状溝と、
第１端が前記環状溝に接続され、前記第１端の反対側の第２端が前記ブッシュ摺動面の端に接続される傾斜溝と、
複数の分岐溝とが形成され、
前記傾斜溝は、前記傾斜溝を前記第２端から前記第１端に辿る点が前記環状溝に単調に接近するように、かつ、前記傾斜溝を前記第２端から前記第１端に辿る点が前記移動方向と異なる方向に移動する部分を含むように、形成され、
前記複数の分岐溝のうちの任意の分岐溝は、第３端が前記環状溝に接続され、前記移動方向に平行である直線が前記第３端の反対側の第４端を通るときに、前記直線が前記傾斜溝と交差する点より前記環状溝から遠い位置に前記第４端が配置されるように、かつ、前記第３端が前記直線に正射影された点より前記環状溝から遠い位置に前記第４端が配置されるように、形成され、
前記ガイドブッシュに固定される第１工具は、前記ガイドポストに固定される第２工具に噛み合うことにより前記吊りピンを切断する
半導体装置製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記ブッシュ摺動面は、
第５端が前記環状溝に接続され、前記第５端の反対側の第６端が前記ブッシュ摺動面の端に接続される他の傾斜溝と、
他の複数の分岐溝とがさらに形成され、
前記他の傾斜溝は、前記他の傾斜溝を前記第６端から前記第５端に辿る点が前記環状溝に単調に接近するように、かつ、前記他の傾斜溝を前記第６端から前記第５端に辿る点が前記移動方向と異なる方向に移動する部分を含むように、形成され、
前記他の複数の分岐溝のうちの任意の分岐溝は、第７端が前記環状溝に接続され、前記移動方向に平行である他の直線が前記第７端の反対側の第８端を通るときに、前記他の直線が前記傾斜溝と交差する点より前記環状溝から遠い位置に前記第８端が配置されるように、かつ、前記第７端が前記他の直線に正射影された点より前記環状溝から遠い位置に前記第８端が配置されるように、形成されている
半導体装置製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記傾斜溝と前記他の傾斜溝とは、前記移動方向と平行である直線が前記傾斜溝と前記他の傾斜溝とにそれぞれ交差する２点の間の距離が前記環状溝から前記端までの距離と等しくなるように、形成されている
半導体装置製造方法。
【請求項１０】
請求項７〜請求項９のいずれかにおいて、
前記ブッシュ摺動面は、前記第２端の幅を拡大する案内溝がさらに形成されている
半導体装置製造方法。
【請求項１１】
請求項７〜請求項１０のいずれかにおいて、
前記複数の分岐溝は、それぞれ、前記移動方向に平行である直線に沿って形成される
半導体装置製造方法。
【請求項１２】
請求項７〜請求項１１のいずれかにおいて、
前記傾斜溝は、前記環状溝の鉛直下側に配置される
半導体装置製造方法。
【請求項１３】
開口部が形成される内側部分と、
支持対象に固定される外側部分とを具備し、
前記内側部分は、移動方向に平行である直線から形成される柱面に沿うブッシュ摺動面が前記開口部に形成され、
前記ブッシュ摺動面は、
閉曲線に沿って形成される環状溝と、
第１端が前記環状溝に接続され、前記第１端の反対側の第２端が前記ブッシュ摺動面の端に接続される傾斜溝と、
複数の分岐溝とが形成され、
前記傾斜溝は、前記傾斜溝を前記第２端から前記第１端に辿る点が前記環状溝に単調に接近するように、かつ、前記傾斜溝を前記第２端から前記第１端に辿る点が前記移動方向と異なる方向に移動する部分を含むように、形成され、
前記複数の分岐溝のうちの任意の分岐溝は、第３端が前記環状溝に接続され、前記移動方向に平行である直線が前記第３端の反対側の第４端を通るときに、前記直線が前記傾斜溝と交差する点より前記環状溝から遠い位置に前記第４端が配置されるように、かつ、前記第３端が前記直線に正射影された点より前記環状溝から遠い位置に前記第４端が配置されるように、形成される
ガイドブッシュ。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記ブッシュ摺動面は、
第５端が前記環状溝に接続され、前記第５端の反対側の第６端が前記ブッシュ摺動面の端に接続される他の傾斜溝と、
他の複数の分岐溝とがさらに形成され、
前記他の傾斜溝は、前記他の傾斜溝を前記第６端から前記第５端に辿る点が前記環状溝に単調に接近するように、かつ、前記他の傾斜溝を前記第６端から前記第５端に辿る点が前記移動方向と異なる方向に移動する部分を含むように、形成され、
前記他の複数の分岐溝のうちの任意の分岐溝は、第７端が前記環状溝に接続され、前記移動方向に平行である他の直線が前記第７端の反対側の第８端を通るときに、前記他の直線が前記傾斜溝と交差する点より前記環状溝から遠い位置に前記第８端が配置されるように、かつ、前記第７端が前記他の直線に正射影された点より前記環状溝から遠い位置に前記第８端が配置されるように、形成されている
ガイドブッシュ。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記傾斜溝と前記他の傾斜溝とは、前記移動方向と平行である直線が前記傾斜溝と前記他の傾斜溝とにそれぞれ交差する２点の間の距離が前記環状溝から前記端までの距離と等しくなるように、形成されている
ガイドブッシュ。
【請求項１６】
請求項１３〜請求項１５のいずれかにおいて、
前記ブッシュ摺動面は、前記第２端の幅を拡大する案内溝がさらに形成されている
ガイドブッシュ。
【請求項１７】
請求項１３〜請求項１６のいずれかにおいて、
前記複数の分岐溝は、それぞれ、前記移動方向に平行である直線に沿って形成される
ガイドブッシュ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−２１９９５４（Ｐ２０１２−２１９９５４Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１２日（２０１２．１１．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−８８２２２（Ｐ２０１１−８８２２２）
【出願日】平成２３年４月１２日（２０１１．４．１２）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１２日（２０１２．１１．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月１２日（２０１１．４．１２）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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