半導体装置及びその駆動方法並びに電子機器

【課題】電流入力型画素において、信号書き込み速度を速め、トランジスタの隣接間ばらつきの影響を低減する半導体装置を提供する。
【解決手段】直列に接続された２つのトランジスタにおいて、設定動作（信号書き込み）の時には、そのうちの１つのトランジスタのソース・ドレイン間の電圧が非常に小さくなり、もう１つのトランジスタに対して、設定動作を行うようになる。そして、出力動作の時には、２つのトランジスタがマルチゲートのトランジスタとして動作するため、出力動作の時の電流値を小さくできる。逆にいうと、設定動作の時の電流を大きくすることが出来る。したがって、配線などに寄生する交差容量や配線抵抗の影響を受けにくくして、すばやく、設定動作が行うことが出来る。また、設定動作と出力動作とで、同一のトランジスタを１つ用いるため、隣接間ばらつきの影響も小さくなる。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと第２のトランジスタとスイッチと容量素子とを備え、
前記第１のトランジスタは、ゲート端子と第１の端子と第２の端子とを有し、
前記第２のトランジスタは、ゲート端子と第１の端子と第２の端子とを有し、
前記第１のトランジスタのゲート端子と、前記第１のトランジスタの第１の端子とは、前記スイッチを介して接続されており、
前記第１のトランジスタの第２の端子は、前記第２のトランジスタの第１の端子と接続されており、
前記第１のトランジスタのゲート端子は、前記第２のトランジスタのゲート端子と接続されており、
前記第１のトランジスタのゲート端子は、前記容量素子の一方の端子と接続されており、
前記第１のトランジスタの第１の端子と前記第１のトランジスタの第２の端子との間、または、前記第２のトランジスタの第１の端子と前記第２のトランジスタの第２の端子との間を、短絡状態にする手段を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと第２のトランジスタと第１のスイッチと第２のスイッチと容量素子とを備え、
前記第１のトランジスタは、ゲート端子と第１の端子と第２の端子とを有し、
前記第２のトランジスタは、ゲート端子と第１の端子と第２の端子とを有し、
前記第１のトランジスタのゲート端子と、前記第１のトランジスタの第１の端子とは、前記第１のスイッチを介して接続されており、
前記第１のトランジスタの第２の端子は、前記第２のトランジスタの第１の端子と接続されており、
前記第１のトランジスタのゲート端子は、前記第２のトランジスタのゲート端子と接続されており、
前記第１のトランジスタのゲート端子は、前記容量素子の一方の端子と接続されており、
前記第１のトランジスタの第１の端子と前記第１のトランジスタの第２の端子とは、または、前記第２のトランジスタの第１の端子と前記第２のトランジスタの第２の端子とは、前記第２のスイッチを介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタと第２のトランジスタと第１のスイッチと第２のスイッチと第３のスイッチと電源線と容量素子とを備え、
前記第１のトランジスタは、ゲート端子と第１の端子と第２の端子とを有し、
前記第２のトランジスタは、ゲート端子と第１の端子と第２の端子とを有し、
前記第１のトランジスタのゲート端子と、前記第１のトランジスタの第１の端子とは、前記第１のスイッチを介して接続されており、
前記第１のトランジスタの第２の端子は、前記第２のトランジスタの第１の端子と接続されており、
前記第１のトランジスタのゲート端子は、前記第２のトランジスタのゲート端子と第２のスイッチを介して接続されており、
前記第１のトランジスタのゲート端子は、前記容量素子の一方の端子と接続されており、
前記第２のトランジスタのゲート端子は、前記電源線と前記第３のスイッチを介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは、同じ導電型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記容量素子の他方の端子が、前記第２のトランジスタの第２の端子と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記第１のトランジスタの第１の端子が表示素子に接続され、前記第２のトランジスタの第２の端子が電流源回路と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記第２のトランジスタの第２の端子が表示素子に接続され、前記第１のトランジスタの第１の端子が電流源回路と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記表示素子は、ＥＬ素子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
負荷に第１の電流を供給するトランジスタと、
前記トランジスタのゲート端子の電位を、前記トランジスタに第２の電流を流すことによって所定の電位にするプリチャージ手段と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
表示素子と、前記表示素子に電流を供給するトランジスタと、前記トランジスタのゲート端子の電位を所定の電位にするプリチャージ手段と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
信号線と、前記信号線に電流を供給するトランジスタと、前記トランジスタのゲート端子の電位を所定の電位にするプリチャージ手段と、を有する信号線駆動回路を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
負荷に第１の電流を供給するトランジスタと、前記トランジスタのゲート端子の電位を、前記トランジスタに第２の電流を流すことによって所定の電位にする手段と、前記トランジスタのゲート端子の電位を、前記トランジスタに第３の電流を流すことによって所定の電位する手段とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の半導体装置を具備することを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の表示装置を具備することを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
負荷に電流を供給するトランジスタに第１の電流を供給して、前記トランジスタが前記第１の電流を流すのに必要な電圧をゲート端子に生成させた後、前記トランジスタに第２の電流を供給して、前記トランジスタが前記第２の電流を流すのに必要な電圧をゲート端子に生成させるステップを有すること
を特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項１６】
請求項１５において、前記第１の電流が、前記第２の電流よりも大きいことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項１７】
負荷に電流を供給するトランジスタのゲート端子の電位に対し、前記トランジスタが定常状態となる所定の電位になるようにした後、前記トランジスタに電流を供給して、前記トランジスタが前記電流を流すのに必要な電圧をゲート端子に生成させるステップを有することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項１８】
トランジスタに第１の電流を供給して、前記トランジスタが前記第１の電流を流すのに必要な電圧をゲート端子に生成させた後、
前記トランジスタに第２の電流を供給して、前記トランジスタが前記第２の電流を流すのに必要な電圧をゲート端子に生成させた後、
前記トランジスタが負荷に第３の電流を流すステップを有すること
を特徴とする半導体装置の駆動方法。

【図１】