半導体装置用テープキャリアの製造方法
【課題】 配線パターンのパターン間隔が広い部分と狭い部分とでの、サイドエッチングの進行の速さのばらつきを抑えつつ、オーバーエッチングを行って、配線パターンのさらなる微細化を、精度よく安定的に実現する。
【解決手段】 絶縁性材料からなるフィルム基板１上に形成された銅層２（金属材料層）の表面に、レジストパターン６を形成する工程と、レジストパターン６をマスクとして用いたエッチングプロセスにより銅層２を加工して疎密のパターン間隔１９が混在する配線パターン７を形成する工程とを含む半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、レジストパターン６における各位置ごとでのエッチング代（しろ）１１の寸法を、配線パターン７のパターン間隔が広いほど、大きい寸法に設定する。
【解決手段】 絶縁性材料からなるフィルム基板１上に形成された銅層２（金属材料層）の表面に、レジストパターン６を形成する工程と、レジストパターン６をマスクとして用いたエッチングプロセスにより銅層２を加工して疎密のパターン間隔１９が混在する配線パターン７を形成する工程とを含む半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、レジストパターン６における各位置ごとでのエッチング代（しろ）１１の寸法を、配線パターン７のパターン間隔が広いほど、大きい寸法に設定する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＣＯＦ（Chip On Film）技術を適用してなる液晶表示装置用の半導体装置のような超微細配線パターンをエッチングプロセスによって形成する工程を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図６は、この種の従来技術に係る製造方法によって製造されるＣＯＦ用ＴＡＢテープキャリア等に用いられる銅張フィルム基材の一例を示す図である。絶縁性フィルム基板であるポリイミド樹脂テープ１０１の表面上に、Ｃｒ層等（図示省略）を介してＣｕめっきにより、金属導体層として銅層１０２が形成されている。
【０００３】
一連の製造工程における搬送作業を容易なものとするために、ポリイミド樹脂テープ１０１の裏面上に、接着剤層を介して補強フィルム１０３が貼り付けられる。そして、搬送孔をプレスにて抜いた後、レジストコート、露光、現像を行い、銅層１０２上にサブトラクティブ法（ウェットエッチングプロセス）により配線パターンを形成し、レジスト剥離を行う。その後、実装用搬送孔のプレス抜きを行い、ＩＣチップと液晶表示デバイスのガラス基板上の配線との接続のためにＳｎめっきを施す。続いて、補強フィルム１０３を剥離し、絶縁および機械的強度の向上のため、ソルダーレジストを形成する。その後、スリット・点検・出荷となる。
【０００４】
液晶表示装置の高精細化およびカラー化の進展につれて、液晶表示装置用（ＬＣＤドライバＩＣ用）のテープキャリアでは、配線パターンのさらなる微細化が強く要請されている。また、液晶表示装置用以外でも一般に、半導体装置用のテープキャリアにおいて、中空配線の不要なＣＯＦ技術は、微細配線に対応可能であるものとして開発されて注目を集めており、それを用いてさらなる微細配線の形成を実現することが期待されている。また、そのような超微細化された配線パターンは、単に超微細寸法に形成すればよいというわけではなく、線幅のばらつきを許容誤差の範囲内に収めて安定的に（高精度に）形成できなくてはならない。
【０００５】
そのような半導体装置用テープキャリアの配線パターンのさらなる微細化（超微細化）を安定的に達成するための技術としては、例えばエッチングプロセス条件をフィードバック制御することで配線パターンの幅のばらつきを低減するという技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、配線パターン同士の広いパターン間隔の部分にダミーパターンを配置することで配線パターンの均一なエッチングを実現するという技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開平８−１１１５７７号公報
【特許文献２】特開２００７−５３２３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記の特許文献１にて提案された、エッチングプロセス条件をフィードバック制御するという技術では、配線パターン間のパターン間隔のばらつきを低減することは可能であるものの、この技術のみでは、配線パターン自体の線幅のさらなる微細化を達成することは困難ないし不可能である。
また、上記の特許文献２にて提案された、ダミーパターンを用いて配線パターンの線幅の均一化を図るという技術では、ダミーパターンを配置可能な程度以上の大きなパターン
間隔を有するテープキャリアには適用可能であるが、ダミーパターンを追加して配置することが実際上不可能なほど小さなパターン間隔しか有していないものの場合には適用できないため、超微細配線パターンの形成には、実際上、適用不可能である。
【０００８】
本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、半導体装置用テープキャリアの配線パターンのさらなる微細化を安定的に実現することが可能な半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、絶縁性材料からなるフィルム基板上に形成された金属材料層の表面に、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして用いたエッチングプロセスにより前記金属材料層を加工して疎密のパターン間隔が混在する配線パターンを形成する工程とを含む半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、前記レジストパターンにおける各位置ごとでのエッチング代（しろ）の寸法を、前記配線パターンのパターン間隔が広いほど、大きい寸法に設定することを特徴としている。
【００１０】
本発明の第２の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、上記第１の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記レジストパターンにおける各位置ごとでのエッチング代の寸法を、前記エッチングプロセスにおける前記金属材料層のサイドエッチングの速さに対応して、当該サイドエッチングの速さが速いほど、大きい寸法に設定することを特徴としている。
【００１１】
本発明の第３の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、上記第１または第２の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記レジストパターンにおける各位置ごとでのレジストパターン間隔と前記エッチングプロセスによる出来上がりの配線パターンの線幅との対応関係に基づいて、前記レジストパターンのエッチング代の寸法を設定することを特徴としている。
【００１２】
本発明の第４の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、上記第３の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記レジストパターンにおける各位置ごとでのエッチング代の寸法を、前記エッチングプロセスで用いられるエッチング液の種類、前記金属材料層の材質および厚さ、前記レジストパターンの厚さ、を少なくとも含むプロセス条件を設定して実際に前記エッチングプロセスを行い、当該エッチングプロセスによる出来上がりの配線パターンの線幅と前記レジストパターンのレジストパターン間隔との対応関係に基づいて、前記レジストパターンのエッチング代の寸法を設定することを特徴としている。
【００１３】
本発明の第５の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、上記第１ないし第４のうちいずれかの半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記配線パターン同士の中心線間の最小ピッチが６０μｍ以下であることを特徴としている。
【００１４】
本発明の第６の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、上記第１ないし第５のうちいずれかの半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記エッチングプロセスにて、オーバーエッチングを行うことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、レジストパターンにおける各位置ごとでのエッチング代（しろ）の寸法を、配線パターンのパターン間隔が広いほど、大きい寸法に設定するようにしたので、エッチングプロセスにおける配線パターンのパターン間隔が広い部分と狭い部分とでの、
サイドエッチングの進行の速さのばらつきを抑えつつ、オーバーエッチングを行って、配線パターンのさらなる微細化を、精度よく安定的に、実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法について、図面を参照して説明する。
図１は、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図、図２は、図１に引き続いて、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図である。
【００１７】
まず、図１（ａ）に示したように、例えば３８μｍ以下の厚さのポリイミド樹脂テープからなるフィルム基板１上に、金属材料層として例えば１２μｍ以下の厚さの銅箔からなる銅層２を形成する。この銅層２は、フィルム基板１の表面にＣｒスパッタ層（図示省略）を介して銅めっき法により形成してもよく、あるいは極薄銅箔をラミネートして形成してもよい。フィルム基板１の裏面には、補強フィルム３を貼り合せる。
【００１８】
続いて、図１（ｂ）に示したように、搬送孔４を打ち抜き形成する。そして、図１（ｃ）に示したように、銅層２の表面上に液状のフォトレジスト５を塗付した後、図１（ｄ）に示したように、レジストパターン露光用フォトマスクおよび投影露光機（図示省略）を用いたレジスト露光を行う。そしてそのフォトレジスト５を現像して、図１（ｅ）に示したように、所定のエッチング代を有するレジストパターン６を形成する。
【００１９】
このレジストパターン６は、全体またはその一部分が、出来上がりの配線パターン７の線幅よりも太いパターン幅に設定されており、後のエッチング工程で、このレジストパターン６をマスクとして用いてオーバーエッチングを行うことにより、所定の微細線幅の配線パターン７が形成されることとなる。また、このレジストパターン６は、配線パターン７同士のパターン間隔の広い部分のレジストパターン６ａと狭い部分のレジストパターン６ｂとで、異なったエッチング代（しろ）を有するように設定されている。具体的には、図１（ｆ）に示した如く、出来上がりの配線パターン７ａ同士のパターン間隔のような広いパターン間隔の部分におけるレジストパターン６ａのエッチング代の大きさ（寸法）を、出来上がりの配線パターン７ｂ同士のパターン間隔のような狭いパターン間隔の部分におけるレジストパターン６ｂのエッチング代の大きさよりも、大きな寸法に設定する。
【００２０】
または、出来上がりの配線パターン７ａ同士のパターン間隔のような、広いパターン間隔の部分では、配線パターン７ｂ同士のような狭いパターン間隔の部分よりも、銅層２をエッチング加工して配線パターン７を形成する際に、サイドエッチングの速度が速くなる傾向にある。そのようなサイドエッチングの速度の差に着目して、サイドエッチングの速さが速い部分のレジストパターン６ほど、大きい寸法に設定するようにしてもよい。
【００２１】
さらには、そのエッチング代の具体的な寸法は、レジストパターン６における各位置ごとでのレジストパターン間隔（隣り合うレジストパターン６同士の間隔）の大きさ（その間隔の幅方向の寸法）とエッチングプロセスによる出来上がりの（または設計上の目標値としての）配線パターン７の幅寸法との対応関係を、あらかじめ実験等により求めておき、その対応関係に基づいて、設定することが可能である。
【００２２】
あるいは、エッチングプロセスで用いられるエッチング液の種類、銅層２（換言すれば金属材料層）の材質および厚さ、レジストパターン６の厚さ、を少なくとも考慮に入れたプロセス条件を実験的に複数種類設定し、それらの設定で実際にエッチングプロセスを実験的に行って、出来上がりの配線パターン７の寸法とレジストパターン６のレジストパターン間隔との対応関係を求め、それに基づいて、レジストパターン６のエッチング代の寸
法を具体的に設定するようにしてもよい。
【００２３】
続いて、図１（ｆ）に示したように、レジストパターン６をエッチングマスクとして用いて銅層２のオーバーエッチングを行って、例えば配線パターンの中心線間の最小ピッチが６０μｍ以下（いわゆるレンジで６０μｍ以下）のような、所望の極めて微細な線幅を有する配線パターン７を、その線幅のばらつきが所定の許容誤差範囲内に収まるように高精度に形成する。このときのエッチングでは、敢えてオーバーエッチングすることにより、配線パターン７の線幅のさらなる微細化を達成することが可能である。
【００２４】
そして、図１（ｇ）に示したように、レジストパターン６を剥離する。その後、図２（ａ）に示したように、実装工程用の搬送孔８を打ち抜き形成する。そして、図２（ｂ）に示したように、配線パターン７上に、ＩＣチップおよび液晶ガラス基板上の接続パッド等（いずれも図示省略）との接続のためのＳｎ（錫）めっき９を施し、さらに、図２（ｃ）に示したように、補強フィルム３を剥離する。続いて、図２（ｄ）に示したように、配線パターン７上を覆ってその絶縁性および機械的強度をさらに向上させるため、ソルダーレジスト１０を印刷形成し、最後に、図２（ｅ）に示したように、一点鎖線１１で示した部分にスリットを行うことで、本実施の形態に係る半導体装置用（液晶表示装置に用いられるドライバＩＣ用）のＣＯＦテープキャリアの主要部を完成する。
【００２５】
図３（ａ）は、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法における主要な作用を模式的に示す図、図３（ｂ）は、一般的な従来の半導体装置用テープキャリアの製造方法における、ウェットエッチング法により金属材料層を蝕刻加工して配線パターンを形成する方法を示す図、図３（ｃ）は、従来のオーバーエッチングによって微細線幅の配線パターンを形成する方法を示す図、図３（ｄ）は、従来の半導体装置用テープキャリアの製造方法における、ウェットエッチング法により金属材料層をオーバーエッチングして配線パターンを形成する際の、サイドエッチングの進行にばらつきが生じる現象を模式的に示す図である。
【００２６】
従来の一般的な配線パターンの形成プロセスでは、最小配線ピッチ（配線パターンの中心線間の最小ピッチ）が１００μｍ（いわゆるレンジで１００μｍ）を超えるような、いわゆるラフピッチの配線パターン７を形成する場合、ウェットエッチング法によって銅層２（金属材料層）をエッチング加工して配線パターン７を形成する際に、レジストマスク６のパターン幅１７と、それを用いたウェットエッチング法により銅層２を加工することで出来上がる（あるいは設計上の目標値としての）配線パターン７の線幅１５とを、図３（ｂ）に示したように、同じ幅寸法に設定している。これはジャストエッチングとも呼ばれる設定であり、この場合には、エッチング代は０である。ここで、「エッチング代」とは、エッチング代＝（レジストマスクの線幅−出来上がりの配線パターンの線幅）／２で基本的に定義される寸法である。この図３（ｂ）に示したような、全ての配線パターン７が、同一の線幅１５および同一のパターン間隔１６に設定されている場合には、理論上、全ての配線パターン７で同一のエッチング条件となるので、配線パターン７の線幅１５やパターン間隔１６の寸法を所定の許容誤差の範囲内で均一に揃えることは、例えば６０μｍ超ないしは１００μｍ以上の配線ピッチを有する、いわゆるラフパターンの形成などにおいては、不可能ではない。
【００２７】
ところが、実際の半導体装置用テープキャリアでは、配線パターン７の線幅１５は同一の寸法に設定されているとしても、異なったパターン間隔１６が混在している場合が多い。また、実際には、配線パターン７の線幅１５についても、一つのテープキャリア内で異なったものが混在している場合が多い。そうすると、実際のテープキャリアでは、パターン間隔１６の広い部分と狭い部分とで、サイドエッチングの進行に差が生じることとなり、その結果、配線パターン７の線幅１５にばらつきが生じる虞が大きい。そして、このよ
うな線幅１５にばらつきが生じる傾向は、図３（ｃ）に示したようなオーバーエッチングを行う場合には、さらに顕著なものとなる。
【００２８】
より具体的には、図３（ｄ）に示したように、エッチング代１３を全ての配線パターン７で同一の寸法に設定した場合には、配線パターン７の線幅の設計上の目標寸法は同一に設定されていても、広いパターン間隔１８ａの部分と狭いパターン間隔１８ｂの部分とでは、隣り合うレジストパターン６同士のレジストパターン間隔（レジストパターン同士の間の、いわゆるスペース）の大きさに差が生じる。その差は、エッチング代１３が全て同じ寸法なのであるから、パターン間隔１８ａとパターン間隔１８ｂとの差に等しいこととなる。そうすると、広いパターン間隔１８ａの部分では、それに対応したレジストパターン６ａ同士の広いレジストパターン間隔をエッチング液が通りやすい状態となって、この部分ではサイドエッチングの進行が速くなる。またこれとは対照的に、狭いパターン間隔１８ｂの部分では、それに対応したレジストパターン６ｂ同士の狭いレジストパターン間隔をエッチング液が通りにくい状態となって、この部分ではサイドエッチングの進行が遅くなる。このようにしてサイドエッチングの速度がレジストパターン間隔の広い部分と狭い部分とで異なったものとなり、その結果、狭いパターン間隔１８ｂの左右の配線パターン７ｂを設計上の目標線幅に形成することはできたとしても、広いパターン間隔１８ａの左右の配線パターン７ａが、設計上の目標値としての配線パターン７ｃ（図３（ｄ）では点線で示してある）の線幅に対して著しく痩せた、従って寸法不良として評価されてしまうような線幅となる。あるいは逆に、広いパターン間隔１８ａの左右の配線パターン７ａを設計上の目標線幅に形成することはできたとしても、狭いパターン間隔１８ｂの左右の配線パターン７ｂが十分にはエッチングされず、所定の目標線幅よりも広い、寸法不良として評価されてしまうような線幅となる。
【００２９】
このようなサイドエッチングの速度に差が生じる現象は、レジストパターン６同士の間のレジストパターン間隔が、流体力学的にあたかもオリフィスの開口のように機能して、広いレジストパターン間隔の部分においては、図３（ｄ）に流線１４ａで模式的に示したように、エッチング液のいわゆる液はけ性が高くなって、サイドエッチングの進行が速くなり、逆に狭いレジストパターン間隔の部分においては、流線１４ｂで模式的に示したように、液はけ性が低くなって、サイドエッチングの進行が遅くなるためであると解せられる。
【００３０】
このような考察に基づいて、本発明者は、図３（ａ）に示したように、レジストパターン６における各位置ごとでのエッチング代１１の寸法を、配線パターン７のパターン間隔１９が広いほど、それに対応した大きい寸法に設定することにより、各位置ごとでのサイドエッチングの進行を調節して、配線パターン７の線幅のばらつきを抑制ないしは解消することができることを見出した。そして、そのような手法を用いたウェットエッチング法により、実際に幾つかのテープキャリアを実験的に作製し、その結果を評価したところ、オーバーエッチングによって形成された微細な線幅の配線パターン７であっても、その線幅のばらつきが十分効果的に抑制されることを確認した。
【００３１】
すなわち、図３（ａ）に模式的に示したように、配線パターン７同士の間の広いパターン間隔１９ａの部分における、レジストパターン６ａのエッチング代１１ａの大きさを、狭いパターン間隔１９ｂの部分における、レジストパターン６ｂのエッチング代１１ｂの大きさよりも、大きくすることにより、広いパターン間隔１９ａの部分のレジストパターン６ａ同士の間を出入するエッチング液の液はけ性を適度に抑制して、この広いパターン間隔１９ａの部分でのサイドエッチングの進行速度を適度に低減させることができる。その結果、広いパターン間隔１９ａを挟む左右の配線パターン７ａの線幅と、狭いパターン間隔１９ｂを挟む左右の配線パターン７ｂの線幅との、均一化を達成することが可能となる。
【００３２】
あるいは、さらに直接的にサイドエッチングの進行速度の観点から、レジストパターン６における広いパターン間隔１９ａと狭いパターン間隔１９ｂとでの、ウェットエッチングプロセスにおける銅層２（金属材料層）のサイドエッチングの速さをそれぞれ実験的に計測しておき、そのサイドエッチングの速さが速い部分ほど、それに対応してエッチング代１１ａの寸法を大きい寸法に設定するようにしても、上記と同様の作用によって、広いパターン間隔１９ａの部分でのサイドエッチングの進行速度を適度に低減して、広いパターン間隔１９ａを挟む左右の配線パターン７ａの線幅と、狭いパターン間隔１９ｂを挟む配線パターン７ｂの線幅との、均一化を達成することが可能となる。
【００３３】
上記のようなレジストパターン６ａ、６ｂにおけるエッチング代１１ａ、１１ｂの具体的な寸法（大きさ）は、例えば、レジストパターン６における各位置ごとでのパターン間隔１９ａ、１９ｂとエッチングプロセスによる出来上がりの配線パターン７ａ、７ｂの線幅との数値的な対応関係を、あらかじめ実験や試作等により求めておき、その対応関係に基づいて、具体的な最適値として設定することが可能である。
【００３４】
あるいは、さらに詳細な諸条件を考慮に入れて、エッチング代１１の具体的な寸法を設定することも可能である。すなわち、レジストパターン６における各位置ごとでのエッチング代１１の寸法を、そのパターニングの際のウェットエッチングプロセスで用いられるエッチング液の種類、銅層２の材質および厚さ、レジストパターン６の厚さ、を少なくとも含んだ設定で、実際にウェットエッチングプロセスを行って、そのウェットエッチングプロセスによる出来上がりの配線パターン７の線幅と、レジストパターン６のパターン間隔１９との対応関係に基づいて、レジストパターン６ａ、６ｂのエッチング代１１ａ、１１ｂの寸法を設定するようにしてもよい。このように、さらに詳細な諸条件を考慮に入れてエッチング代１１の具体的な寸法を設定することにより、さらに適切なサイドエッチングの速さの調節を行うことができ、その結果、オーバーエッチングを行って、配線ピッチ（隣り合う配線の中心線同士のピッチ）が６０μｍ以下、あるいは線幅が３０μｍ以下のような、微細線幅の配線パターン７を形成する場合でも、その配線パターン７の線幅をさらに高精度に均一化することが可能となる。
【００３５】
このようにして、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、エッチングプロセスにおける配線パターン７のパターン間隔１９が広い部分（１９ａ）と狭い部分（１９ｂ）とでの、サイドエッチングの進行の速さのばらつきを抑えつつ、オーバーエッチングを行って、配線パターン７のさらなる微細化を、精度よく安定的に、実現することができる。
【００３６】
なお、上記のように、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法は、６０μｍ超ないしは１００μｍ以上のような比較的大きな最小配線ピッチに設定された配線パターン（いわゆるラフパターン）の形成にも適用可能であることは勿論であるが、最小配線ピッチが６０μｍ以下のような、さらなる微細な配線パターンを形成するためにオーバーエッチングを敢えて用いる場合などに、特に好適である。何故なら、そのような微細な配線を形成するためにオーバーエッチングを行う場合、従来の技術では、配線パターンの線幅に著しいばらつきが生じていたが、本実施の形態に係る製造方法によれば、上記のようにして線幅のばらつきを効果的に抑制ないし解消することができるからである。
【実施例】
【００３７】
上記の実施の形態で説明したような製造方法によって、半導体装置用テープキャリアを作製した。図４は、配線パターンのパターン間隔とレジストパターンのエッチング代との対応関係の設定を纏めて示す図であり、図５は、その設定で実際に半導体装置用テープキャリアを作製した実験結果を纏めて示す図である。
【００３８】
フィルム基板１としては、厚さ３８μｍのポリイミド樹脂テープを用いた。銅層２は、厚さを１２μｍ以下とし、フィルム基板１上にＣｒスパッタ層を介して銅めっきすることにより形成した。
そして、配線パターン７のパターン間隔１９と、レジストパターン６のエッチング代１１との対応関係を、図４に示すような設定とした。この設定は、配線パターン７をパターニングするためのウェットエッチングプロセスで用いられる、エッチング液の種類、銅層２の材質および厚さ、レジストパターン６の厚さ、を少なくとも含んだ諸条件を一定にして、線幅とエッチング代の大きさとを種々変更した多数種類の設定で実際にウェットエッチングプロセスを行って、そのウェットエッチングプロセスによる出来上がりの配線パターン７の線幅とレジストパターン６のパターン間隔１９との対応関係を求め、それに基づいて決定した。この図４によれば、配線パターン７のパターン間隔とエッチング代との対応関係は、パターン間隔が大きくなればなるほど、エッチング代も大きな寸法となるように設定されている。
【００３９】
配線パターン７の寸法は、設計上の目標値（狙い）をレンジで３０μｍピッチとした。すなわち、隣り合う配線パターン７の中心線同士のピッチを、３０μｍと設定した。さらに詳細には、配線パターン７の線幅（ライン）／パターン間隔（スペース）の最小値を、１５μｍ／１５μｍとした。そして、パターン間隔を、最小の１５μｍ以外にも、３０μｍ、４０μｍ、６０μｍのものが混在するようにした。配線パターン線幅については、１５μｍの１通りのみとした。
【００４０】
このような設定で、実際にウェットエッチングを行って、実際に形成された半導体装置用テープキャリアにおける配線パターン７の線幅を測定し、その寸法精度を評価した。線幅としては、配線パターン７のボトム部分の幅を測定した。
【００４１】
その結果、図５に示したように、狙い１５μｍに対して、平均線幅の最小値は、パターン間隔＝１５μｍの場合の線幅＝１４．７μｍ、最大値は、パターン間隔＝６０μｍの場合の線幅＝１５．３μｍであり、その最大誤差幅は、０．６μｍとなった。従って、狙いの線幅１５μｍに対して誤差はその４％程度以内に収まることが確認された。また、そのばらつきは、最大でもパターン間隔＝３０μｍの場合のσ＝０．４１であり、また全体でもσ＝０．６２に収まっていることが確認された。
【００４２】
このように、本実施例に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、エッチングプロセスにおける配線パターン７のパターン間隔１９が広い部分（１９ａ）と狭い部分（１９ｂ）とでの、サイドエッチングの進行の速さのばらつきを抑えつつ、オーバーエッチングを行って、線幅１５μｍのような微細な配線パターンを精度よく安定的に実現することが可能となることか確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図である。
【図２】図１に引き続いて、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図である。
【図３】本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法における作用について、従来の製造方法と対比して、模式的に示す図である。
【図４】配線パターンのパターン間隔とレジストパターンのエッチング代との対応関係の設定を纏めて示す図である。
【図５】図４の設定で実際に半導体装置用テープキャリアを作製した実験結果を纏めて示す図である。
【図６】従来技術に係る製造方法によって製造されるＣＯＦ用ＴＡＢテープキャリアに用いられる銅張フィルム基材の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１ フィルム基板
２ 銅層
３ 補強フィルム
４ 搬送孔
５ フォトレジスト
６ レジストパターン
７ 配線パターン
８ 搬送孔
９ Ｓｎめっき
１０ ソルダーレジスト
１１、１２、１３ エッチング代
１５ 配線パターンの線幅
１６、１８、１９ 配線パターンのパターン間隔
１７ レジストマスクのパターン幅
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＣＯＦ（Chip On Film）技術を適用してなる液晶表示装置用の半導体装置のような超微細配線パターンをエッチングプロセスによって形成する工程を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図６は、この種の従来技術に係る製造方法によって製造されるＣＯＦ用ＴＡＢテープキャリア等に用いられる銅張フィルム基材の一例を示す図である。絶縁性フィルム基板であるポリイミド樹脂テープ１０１の表面上に、Ｃｒ層等（図示省略）を介してＣｕめっきにより、金属導体層として銅層１０２が形成されている。
【０００３】
一連の製造工程における搬送作業を容易なものとするために、ポリイミド樹脂テープ１０１の裏面上に、接着剤層を介して補強フィルム１０３が貼り付けられる。そして、搬送孔をプレスにて抜いた後、レジストコート、露光、現像を行い、銅層１０２上にサブトラクティブ法（ウェットエッチングプロセス）により配線パターンを形成し、レジスト剥離を行う。その後、実装用搬送孔のプレス抜きを行い、ＩＣチップと液晶表示デバイスのガラス基板上の配線との接続のためにＳｎめっきを施す。続いて、補強フィルム１０３を剥離し、絶縁および機械的強度の向上のため、ソルダーレジストを形成する。その後、スリット・点検・出荷となる。
【０００４】
液晶表示装置の高精細化およびカラー化の進展につれて、液晶表示装置用（ＬＣＤドライバＩＣ用）のテープキャリアでは、配線パターンのさらなる微細化が強く要請されている。また、液晶表示装置用以外でも一般に、半導体装置用のテープキャリアにおいて、中空配線の不要なＣＯＦ技術は、微細配線に対応可能であるものとして開発されて注目を集めており、それを用いてさらなる微細配線の形成を実現することが期待されている。また、そのような超微細化された配線パターンは、単に超微細寸法に形成すればよいというわけではなく、線幅のばらつきを許容誤差の範囲内に収めて安定的に（高精度に）形成できなくてはならない。
【０００５】
そのような半導体装置用テープキャリアの配線パターンのさらなる微細化（超微細化）を安定的に達成するための技術としては、例えばエッチングプロセス条件をフィードバック制御することで配線パターンの幅のばらつきを低減するという技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、配線パターン同士の広いパターン間隔の部分にダミーパターンを配置することで配線パターンの均一なエッチングを実現するという技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開平８−１１１５７７号公報
【特許文献２】特開２００７−５３２３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記の特許文献１にて提案された、エッチングプロセス条件をフィードバック制御するという技術では、配線パターン間のパターン間隔のばらつきを低減することは可能であるものの、この技術のみでは、配線パターン自体の線幅のさらなる微細化を達成することは困難ないし不可能である。
また、上記の特許文献２にて提案された、ダミーパターンを用いて配線パターンの線幅の均一化を図るという技術では、ダミーパターンを配置可能な程度以上の大きなパターン
間隔を有するテープキャリアには適用可能であるが、ダミーパターンを追加して配置することが実際上不可能なほど小さなパターン間隔しか有していないものの場合には適用できないため、超微細配線パターンの形成には、実際上、適用不可能である。
【０００８】
本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、半導体装置用テープキャリアの配線パターンのさらなる微細化を安定的に実現することが可能な半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、絶縁性材料からなるフィルム基板上に形成された金属材料層の表面に、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして用いたエッチングプロセスにより前記金属材料層を加工して疎密のパターン間隔が混在する配線パターンを形成する工程とを含む半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、前記レジストパターンにおける各位置ごとでのエッチング代（しろ）の寸法を、前記配線パターンのパターン間隔が広いほど、大きい寸法に設定することを特徴としている。
【００１０】
本発明の第２の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、上記第１の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記レジストパターンにおける各位置ごとでのエッチング代の寸法を、前記エッチングプロセスにおける前記金属材料層のサイドエッチングの速さに対応して、当該サイドエッチングの速さが速いほど、大きい寸法に設定することを特徴としている。
【００１１】
本発明の第３の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、上記第１または第２の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記レジストパターンにおける各位置ごとでのレジストパターン間隔と前記エッチングプロセスによる出来上がりの配線パターンの線幅との対応関係に基づいて、前記レジストパターンのエッチング代の寸法を設定することを特徴としている。
【００１２】
本発明の第４の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、上記第３の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記レジストパターンにおける各位置ごとでのエッチング代の寸法を、前記エッチングプロセスで用いられるエッチング液の種類、前記金属材料層の材質および厚さ、前記レジストパターンの厚さ、を少なくとも含むプロセス条件を設定して実際に前記エッチングプロセスを行い、当該エッチングプロセスによる出来上がりの配線パターンの線幅と前記レジストパターンのレジストパターン間隔との対応関係に基づいて、前記レジストパターンのエッチング代の寸法を設定することを特徴としている。
【００１３】
本発明の第５の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、上記第１ないし第４のうちいずれかの半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記配線パターン同士の中心線間の最小ピッチが６０μｍ以下であることを特徴としている。
【００１４】
本発明の第６の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、上記第１ないし第５のうちいずれかの半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記エッチングプロセスにて、オーバーエッチングを行うことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、レジストパターンにおける各位置ごとでのエッチング代（しろ）の寸法を、配線パターンのパターン間隔が広いほど、大きい寸法に設定するようにしたので、エッチングプロセスにおける配線パターンのパターン間隔が広い部分と狭い部分とでの、
サイドエッチングの進行の速さのばらつきを抑えつつ、オーバーエッチングを行って、配線パターンのさらなる微細化を、精度よく安定的に、実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法について、図面を参照して説明する。
図１は、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図、図２は、図１に引き続いて、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図である。
【００１７】
まず、図１（ａ）に示したように、例えば３８μｍ以下の厚さのポリイミド樹脂テープからなるフィルム基板１上に、金属材料層として例えば１２μｍ以下の厚さの銅箔からなる銅層２を形成する。この銅層２は、フィルム基板１の表面にＣｒスパッタ層（図示省略）を介して銅めっき法により形成してもよく、あるいは極薄銅箔をラミネートして形成してもよい。フィルム基板１の裏面には、補強フィルム３を貼り合せる。
【００１８】
続いて、図１（ｂ）に示したように、搬送孔４を打ち抜き形成する。そして、図１（ｃ）に示したように、銅層２の表面上に液状のフォトレジスト５を塗付した後、図１（ｄ）に示したように、レジストパターン露光用フォトマスクおよび投影露光機（図示省略）を用いたレジスト露光を行う。そしてそのフォトレジスト５を現像して、図１（ｅ）に示したように、所定のエッチング代を有するレジストパターン６を形成する。
【００１９】
このレジストパターン６は、全体またはその一部分が、出来上がりの配線パターン７の線幅よりも太いパターン幅に設定されており、後のエッチング工程で、このレジストパターン６をマスクとして用いてオーバーエッチングを行うことにより、所定の微細線幅の配線パターン７が形成されることとなる。また、このレジストパターン６は、配線パターン７同士のパターン間隔の広い部分のレジストパターン６ａと狭い部分のレジストパターン６ｂとで、異なったエッチング代（しろ）を有するように設定されている。具体的には、図１（ｆ）に示した如く、出来上がりの配線パターン７ａ同士のパターン間隔のような広いパターン間隔の部分におけるレジストパターン６ａのエッチング代の大きさ（寸法）を、出来上がりの配線パターン７ｂ同士のパターン間隔のような狭いパターン間隔の部分におけるレジストパターン６ｂのエッチング代の大きさよりも、大きな寸法に設定する。
【００２０】
または、出来上がりの配線パターン７ａ同士のパターン間隔のような、広いパターン間隔の部分では、配線パターン７ｂ同士のような狭いパターン間隔の部分よりも、銅層２をエッチング加工して配線パターン７を形成する際に、サイドエッチングの速度が速くなる傾向にある。そのようなサイドエッチングの速度の差に着目して、サイドエッチングの速さが速い部分のレジストパターン６ほど、大きい寸法に設定するようにしてもよい。
【００２１】
さらには、そのエッチング代の具体的な寸法は、レジストパターン６における各位置ごとでのレジストパターン間隔（隣り合うレジストパターン６同士の間隔）の大きさ（その間隔の幅方向の寸法）とエッチングプロセスによる出来上がりの（または設計上の目標値としての）配線パターン７の幅寸法との対応関係を、あらかじめ実験等により求めておき、その対応関係に基づいて、設定することが可能である。
【００２２】
あるいは、エッチングプロセスで用いられるエッチング液の種類、銅層２（換言すれば金属材料層）の材質および厚さ、レジストパターン６の厚さ、を少なくとも考慮に入れたプロセス条件を実験的に複数種類設定し、それらの設定で実際にエッチングプロセスを実験的に行って、出来上がりの配線パターン７の寸法とレジストパターン６のレジストパターン間隔との対応関係を求め、それに基づいて、レジストパターン６のエッチング代の寸
法を具体的に設定するようにしてもよい。
【００２３】
続いて、図１（ｆ）に示したように、レジストパターン６をエッチングマスクとして用いて銅層２のオーバーエッチングを行って、例えば配線パターンの中心線間の最小ピッチが６０μｍ以下（いわゆるレンジで６０μｍ以下）のような、所望の極めて微細な線幅を有する配線パターン７を、その線幅のばらつきが所定の許容誤差範囲内に収まるように高精度に形成する。このときのエッチングでは、敢えてオーバーエッチングすることにより、配線パターン７の線幅のさらなる微細化を達成することが可能である。
【００２４】
そして、図１（ｇ）に示したように、レジストパターン６を剥離する。その後、図２（ａ）に示したように、実装工程用の搬送孔８を打ち抜き形成する。そして、図２（ｂ）に示したように、配線パターン７上に、ＩＣチップおよび液晶ガラス基板上の接続パッド等（いずれも図示省略）との接続のためのＳｎ（錫）めっき９を施し、さらに、図２（ｃ）に示したように、補強フィルム３を剥離する。続いて、図２（ｄ）に示したように、配線パターン７上を覆ってその絶縁性および機械的強度をさらに向上させるため、ソルダーレジスト１０を印刷形成し、最後に、図２（ｅ）に示したように、一点鎖線１１で示した部分にスリットを行うことで、本実施の形態に係る半導体装置用（液晶表示装置に用いられるドライバＩＣ用）のＣＯＦテープキャリアの主要部を完成する。
【００２５】
図３（ａ）は、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法における主要な作用を模式的に示す図、図３（ｂ）は、一般的な従来の半導体装置用テープキャリアの製造方法における、ウェットエッチング法により金属材料層を蝕刻加工して配線パターンを形成する方法を示す図、図３（ｃ）は、従来のオーバーエッチングによって微細線幅の配線パターンを形成する方法を示す図、図３（ｄ）は、従来の半導体装置用テープキャリアの製造方法における、ウェットエッチング法により金属材料層をオーバーエッチングして配線パターンを形成する際の、サイドエッチングの進行にばらつきが生じる現象を模式的に示す図である。
【００２６】
従来の一般的な配線パターンの形成プロセスでは、最小配線ピッチ（配線パターンの中心線間の最小ピッチ）が１００μｍ（いわゆるレンジで１００μｍ）を超えるような、いわゆるラフピッチの配線パターン７を形成する場合、ウェットエッチング法によって銅層２（金属材料層）をエッチング加工して配線パターン７を形成する際に、レジストマスク６のパターン幅１７と、それを用いたウェットエッチング法により銅層２を加工することで出来上がる（あるいは設計上の目標値としての）配線パターン７の線幅１５とを、図３（ｂ）に示したように、同じ幅寸法に設定している。これはジャストエッチングとも呼ばれる設定であり、この場合には、エッチング代は０である。ここで、「エッチング代」とは、エッチング代＝（レジストマスクの線幅−出来上がりの配線パターンの線幅）／２で基本的に定義される寸法である。この図３（ｂ）に示したような、全ての配線パターン７が、同一の線幅１５および同一のパターン間隔１６に設定されている場合には、理論上、全ての配線パターン７で同一のエッチング条件となるので、配線パターン７の線幅１５やパターン間隔１６の寸法を所定の許容誤差の範囲内で均一に揃えることは、例えば６０μｍ超ないしは１００μｍ以上の配線ピッチを有する、いわゆるラフパターンの形成などにおいては、不可能ではない。
【００２７】
ところが、実際の半導体装置用テープキャリアでは、配線パターン７の線幅１５は同一の寸法に設定されているとしても、異なったパターン間隔１６が混在している場合が多い。また、実際には、配線パターン７の線幅１５についても、一つのテープキャリア内で異なったものが混在している場合が多い。そうすると、実際のテープキャリアでは、パターン間隔１６の広い部分と狭い部分とで、サイドエッチングの進行に差が生じることとなり、その結果、配線パターン７の線幅１５にばらつきが生じる虞が大きい。そして、このよ
うな線幅１５にばらつきが生じる傾向は、図３（ｃ）に示したようなオーバーエッチングを行う場合には、さらに顕著なものとなる。
【００２８】
より具体的には、図３（ｄ）に示したように、エッチング代１３を全ての配線パターン７で同一の寸法に設定した場合には、配線パターン７の線幅の設計上の目標寸法は同一に設定されていても、広いパターン間隔１８ａの部分と狭いパターン間隔１８ｂの部分とでは、隣り合うレジストパターン６同士のレジストパターン間隔（レジストパターン同士の間の、いわゆるスペース）の大きさに差が生じる。その差は、エッチング代１３が全て同じ寸法なのであるから、パターン間隔１８ａとパターン間隔１８ｂとの差に等しいこととなる。そうすると、広いパターン間隔１８ａの部分では、それに対応したレジストパターン６ａ同士の広いレジストパターン間隔をエッチング液が通りやすい状態となって、この部分ではサイドエッチングの進行が速くなる。またこれとは対照的に、狭いパターン間隔１８ｂの部分では、それに対応したレジストパターン６ｂ同士の狭いレジストパターン間隔をエッチング液が通りにくい状態となって、この部分ではサイドエッチングの進行が遅くなる。このようにしてサイドエッチングの速度がレジストパターン間隔の広い部分と狭い部分とで異なったものとなり、その結果、狭いパターン間隔１８ｂの左右の配線パターン７ｂを設計上の目標線幅に形成することはできたとしても、広いパターン間隔１８ａの左右の配線パターン７ａが、設計上の目標値としての配線パターン７ｃ（図３（ｄ）では点線で示してある）の線幅に対して著しく痩せた、従って寸法不良として評価されてしまうような線幅となる。あるいは逆に、広いパターン間隔１８ａの左右の配線パターン７ａを設計上の目標線幅に形成することはできたとしても、狭いパターン間隔１８ｂの左右の配線パターン７ｂが十分にはエッチングされず、所定の目標線幅よりも広い、寸法不良として評価されてしまうような線幅となる。
【００２９】
このようなサイドエッチングの速度に差が生じる現象は、レジストパターン６同士の間のレジストパターン間隔が、流体力学的にあたかもオリフィスの開口のように機能して、広いレジストパターン間隔の部分においては、図３（ｄ）に流線１４ａで模式的に示したように、エッチング液のいわゆる液はけ性が高くなって、サイドエッチングの進行が速くなり、逆に狭いレジストパターン間隔の部分においては、流線１４ｂで模式的に示したように、液はけ性が低くなって、サイドエッチングの進行が遅くなるためであると解せられる。
【００３０】
このような考察に基づいて、本発明者は、図３（ａ）に示したように、レジストパターン６における各位置ごとでのエッチング代１１の寸法を、配線パターン７のパターン間隔１９が広いほど、それに対応した大きい寸法に設定することにより、各位置ごとでのサイドエッチングの進行を調節して、配線パターン７の線幅のばらつきを抑制ないしは解消することができることを見出した。そして、そのような手法を用いたウェットエッチング法により、実際に幾つかのテープキャリアを実験的に作製し、その結果を評価したところ、オーバーエッチングによって形成された微細な線幅の配線パターン７であっても、その線幅のばらつきが十分効果的に抑制されることを確認した。
【００３１】
すなわち、図３（ａ）に模式的に示したように、配線パターン７同士の間の広いパターン間隔１９ａの部分における、レジストパターン６ａのエッチング代１１ａの大きさを、狭いパターン間隔１９ｂの部分における、レジストパターン６ｂのエッチング代１１ｂの大きさよりも、大きくすることにより、広いパターン間隔１９ａの部分のレジストパターン６ａ同士の間を出入するエッチング液の液はけ性を適度に抑制して、この広いパターン間隔１９ａの部分でのサイドエッチングの進行速度を適度に低減させることができる。その結果、広いパターン間隔１９ａを挟む左右の配線パターン７ａの線幅と、狭いパターン間隔１９ｂを挟む左右の配線パターン７ｂの線幅との、均一化を達成することが可能となる。
【００３２】
あるいは、さらに直接的にサイドエッチングの進行速度の観点から、レジストパターン６における広いパターン間隔１９ａと狭いパターン間隔１９ｂとでの、ウェットエッチングプロセスにおける銅層２（金属材料層）のサイドエッチングの速さをそれぞれ実験的に計測しておき、そのサイドエッチングの速さが速い部分ほど、それに対応してエッチング代１１ａの寸法を大きい寸法に設定するようにしても、上記と同様の作用によって、広いパターン間隔１９ａの部分でのサイドエッチングの進行速度を適度に低減して、広いパターン間隔１９ａを挟む左右の配線パターン７ａの線幅と、狭いパターン間隔１９ｂを挟む配線パターン７ｂの線幅との、均一化を達成することが可能となる。
【００３３】
上記のようなレジストパターン６ａ、６ｂにおけるエッチング代１１ａ、１１ｂの具体的な寸法（大きさ）は、例えば、レジストパターン６における各位置ごとでのパターン間隔１９ａ、１９ｂとエッチングプロセスによる出来上がりの配線パターン７ａ、７ｂの線幅との数値的な対応関係を、あらかじめ実験や試作等により求めておき、その対応関係に基づいて、具体的な最適値として設定することが可能である。
【００３４】
あるいは、さらに詳細な諸条件を考慮に入れて、エッチング代１１の具体的な寸法を設定することも可能である。すなわち、レジストパターン６における各位置ごとでのエッチング代１１の寸法を、そのパターニングの際のウェットエッチングプロセスで用いられるエッチング液の種類、銅層２の材質および厚さ、レジストパターン６の厚さ、を少なくとも含んだ設定で、実際にウェットエッチングプロセスを行って、そのウェットエッチングプロセスによる出来上がりの配線パターン７の線幅と、レジストパターン６のパターン間隔１９との対応関係に基づいて、レジストパターン６ａ、６ｂのエッチング代１１ａ、１１ｂの寸法を設定するようにしてもよい。このように、さらに詳細な諸条件を考慮に入れてエッチング代１１の具体的な寸法を設定することにより、さらに適切なサイドエッチングの速さの調節を行うことができ、その結果、オーバーエッチングを行って、配線ピッチ（隣り合う配線の中心線同士のピッチ）が６０μｍ以下、あるいは線幅が３０μｍ以下のような、微細線幅の配線パターン７を形成する場合でも、その配線パターン７の線幅をさらに高精度に均一化することが可能となる。
【００３５】
このようにして、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、エッチングプロセスにおける配線パターン７のパターン間隔１９が広い部分（１９ａ）と狭い部分（１９ｂ）とでの、サイドエッチングの進行の速さのばらつきを抑えつつ、オーバーエッチングを行って、配線パターン７のさらなる微細化を、精度よく安定的に、実現することができる。
【００３６】
なお、上記のように、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法は、６０μｍ超ないしは１００μｍ以上のような比較的大きな最小配線ピッチに設定された配線パターン（いわゆるラフパターン）の形成にも適用可能であることは勿論であるが、最小配線ピッチが６０μｍ以下のような、さらなる微細な配線パターンを形成するためにオーバーエッチングを敢えて用いる場合などに、特に好適である。何故なら、そのような微細な配線を形成するためにオーバーエッチングを行う場合、従来の技術では、配線パターンの線幅に著しいばらつきが生じていたが、本実施の形態に係る製造方法によれば、上記のようにして線幅のばらつきを効果的に抑制ないし解消することができるからである。
【実施例】
【００３７】
上記の実施の形態で説明したような製造方法によって、半導体装置用テープキャリアを作製した。図４は、配線パターンのパターン間隔とレジストパターンのエッチング代との対応関係の設定を纏めて示す図であり、図５は、その設定で実際に半導体装置用テープキャリアを作製した実験結果を纏めて示す図である。
【００３８】
フィルム基板１としては、厚さ３８μｍのポリイミド樹脂テープを用いた。銅層２は、厚さを１２μｍ以下とし、フィルム基板１上にＣｒスパッタ層を介して銅めっきすることにより形成した。
そして、配線パターン７のパターン間隔１９と、レジストパターン６のエッチング代１１との対応関係を、図４に示すような設定とした。この設定は、配線パターン７をパターニングするためのウェットエッチングプロセスで用いられる、エッチング液の種類、銅層２の材質および厚さ、レジストパターン６の厚さ、を少なくとも含んだ諸条件を一定にして、線幅とエッチング代の大きさとを種々変更した多数種類の設定で実際にウェットエッチングプロセスを行って、そのウェットエッチングプロセスによる出来上がりの配線パターン７の線幅とレジストパターン６のパターン間隔１９との対応関係を求め、それに基づいて決定した。この図４によれば、配線パターン７のパターン間隔とエッチング代との対応関係は、パターン間隔が大きくなればなるほど、エッチング代も大きな寸法となるように設定されている。
【００３９】
配線パターン７の寸法は、設計上の目標値（狙い）をレンジで３０μｍピッチとした。すなわち、隣り合う配線パターン７の中心線同士のピッチを、３０μｍと設定した。さらに詳細には、配線パターン７の線幅（ライン）／パターン間隔（スペース）の最小値を、１５μｍ／１５μｍとした。そして、パターン間隔を、最小の１５μｍ以外にも、３０μｍ、４０μｍ、６０μｍのものが混在するようにした。配線パターン線幅については、１５μｍの１通りのみとした。
【００４０】
このような設定で、実際にウェットエッチングを行って、実際に形成された半導体装置用テープキャリアにおける配線パターン７の線幅を測定し、その寸法精度を評価した。線幅としては、配線パターン７のボトム部分の幅を測定した。
【００４１】
その結果、図５に示したように、狙い１５μｍに対して、平均線幅の最小値は、パターン間隔＝１５μｍの場合の線幅＝１４．７μｍ、最大値は、パターン間隔＝６０μｍの場合の線幅＝１５．３μｍであり、その最大誤差幅は、０．６μｍとなった。従って、狙いの線幅１５μｍに対して誤差はその４％程度以内に収まることが確認された。また、そのばらつきは、最大でもパターン間隔＝３０μｍの場合のσ＝０．４１であり、また全体でもσ＝０．６２に収まっていることが確認された。
【００４２】
このように、本実施例に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、エッチングプロセスにおける配線パターン７のパターン間隔１９が広い部分（１９ａ）と狭い部分（１９ｂ）とでの、サイドエッチングの進行の速さのばらつきを抑えつつ、オーバーエッチングを行って、線幅１５μｍのような微細な配線パターンを精度よく安定的に実現することが可能となることか確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図である。
【図２】図１に引き続いて、本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図である。
【図３】本実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法における作用について、従来の製造方法と対比して、模式的に示す図である。
【図４】配線パターンのパターン間隔とレジストパターンのエッチング代との対応関係の設定を纏めて示す図である。
【図５】図４の設定で実際に半導体装置用テープキャリアを作製した実験結果を纏めて示す図である。
【図６】従来技術に係る製造方法によって製造されるＣＯＦ用ＴＡＢテープキャリアに用いられる銅張フィルム基材の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１ フィルム基板
２ 銅層
３ 補強フィルム
４ 搬送孔
５ フォトレジスト
６ レジストパターン
７ 配線パターン
８ 搬送孔
９ Ｓｎめっき
１０ ソルダーレジスト
１１、１２、１３ エッチング代
１５ 配線パターンの線幅
１６、１８、１９ 配線パターンのパターン間隔
１７ レジストマスクのパターン幅
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性材料からなるフィルム基板上に形成された金属材料層の表面に、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして用いてエッチングプロセスにより前記金属材料層を加工して疎密のパターン間隔が混在する配線パターンを形成する工程とを含む半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、
前記レジストパターンにおける各位置ごとでのエッチング代の寸法を、前記配線パターンのパターン間隔が広いほど、大きい寸法に設定する
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記レジストパターンにおける各位置ごとでのエッチング代の寸法を、前記エッチングプロセスにおける前記金属材料層のサイドエッチングの速さに対応して、当該サイドエッチングの速さが速いほど、大きい寸法に設定する
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記レジストパターンにおける各位置ごとでのレジストパターン間隔と前記エッチングプロセスによる出来上がりの配線パターンの線幅との対応関係に基づいて、前記レジストパターンのエッチング代の寸法を設定する
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記レジストパターンにおける各位置ごとでのエッチング代の寸法を、前記エッチングプロセスで用いられるエッチング液の種類、前記金属材料層の材質および厚さ、前記レジストパターンの厚さ、を少なくとも含むプロセス条件を設定して実際に前記エッチングプロセスを行い、当該エッチングプロセスによる出来上がりの配線パターンの線幅と前記レジストパターンのレジストパターン間隔との対応関係に基づいて、前記レジストパターンのエッチング代の寸法を設定する
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記配線パターン同士の中心線間の最小ピッチが、６０μｍ以下である
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のうちいずれか１項に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記エッチングプロセスにて、オーバーエッチングを行う
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項１】
絶縁性材料からなるフィルム基板上に形成された金属材料層の表面に、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして用いてエッチングプロセスにより前記金属材料層を加工して疎密のパターン間隔が混在する配線パターンを形成する工程とを含む半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、
前記レジストパターンにおける各位置ごとでのエッチング代の寸法を、前記配線パターンのパターン間隔が広いほど、大きい寸法に設定する
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記レジストパターンにおける各位置ごとでのエッチング代の寸法を、前記エッチングプロセスにおける前記金属材料層のサイドエッチングの速さに対応して、当該サイドエッチングの速さが速いほど、大きい寸法に設定する
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記レジストパターンにおける各位置ごとでのレジストパターン間隔と前記エッチングプロセスによる出来上がりの配線パターンの線幅との対応関係に基づいて、前記レジストパターンのエッチング代の寸法を設定する
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記レジストパターンにおける各位置ごとでのエッチング代の寸法を、前記エッチングプロセスで用いられるエッチング液の種類、前記金属材料層の材質および厚さ、前記レジストパターンの厚さ、を少なくとも含むプロセス条件を設定して実際に前記エッチングプロセスを行い、当該エッチングプロセスによる出来上がりの配線パターンの線幅と前記レジストパターンのレジストパターン間隔との対応関係に基づいて、前記レジストパターンのエッチング代の寸法を設定する
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記配線パターン同士の中心線間の最小ピッチが、６０μｍ以下である
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のうちいずれか１項に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記エッチングプロセスにて、オーバーエッチングを行う
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図１】
【図２】
【図４】
【図５】
【図６】
【図１】
【図２】
【公開番号】特開２００８−２８８３１２（Ｐ２００８−２８８３１２Ａ）
【公開日】平成２０年１１月２７日（２００８．１１．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１３０４４７（Ｐ２００７−１３０４４７）
【出願日】平成１９年５月１６日（２００７．５．１６）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１１月２７日（２００８．１１．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月１６日（２００７．５．１６）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
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