【課題】半導体素子とテープ基材との間のすき間に対して、未充填や気泡等の不具合を生じさせることなく適切に充填剤を充填させることができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１００は、テープ基材１０２と、配線パターン１０４と、配線パターン１０４と電気的に接続された半導体素子１０８と、テープ基材１０２の表面を覆い、且つ半導体素子１０８との対向領域に表面側開口部１０６ａを有する表面側絶縁保護膜１０６と、テープ基材１０２の裏面を覆い、且つ表面側開口部１０６ａの裏側となる部分に裏面側開口部１１２ａを有する裏面側絶縁保護膜１１２とを備える。表面側絶縁保護膜１０６は、前記対向領域よりも外側に突出している突出開口部１０６ｂを有する。裏面側開口部１１２ａは、テープ基材１０２の表面における半導体素子１０８との対向領域の１．００〜８．５０倍の大きさを有する。 （もっと読む）

【課題】接着剤に起因する異物の発生および異物の銅箔層への付着を抑制して、歩留まりを向上する、半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁フィルム２の銅箔層３が形成される面とは反対側の面に接着剤層４を介して絶縁フィルムに裏打ち層６を貼り合わせる工程と、絶縁フィルムの長手方向に沿って搬送用ホールを形成する工程と、を含む半導体装置用テープキャリア１の製造方法において、接着剤層は、エッチング液に晒される露出した絶縁フィルムの側面から所定の距離を隔てた領域に接着剤層を形成しない非形成領域を有する。 （もっと読む）

【課題】接着剤に起因する異物の発生および異物の銅箔層への付着を抑制して、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを向上する。
【解決手段】絶縁フィルムの銅箔層が形成される面とは反対側の面に接着剤層を介して前記絶縁フィルムに裏打ち層を貼り合わせる工程と、前記絶縁フィルムの長手方向に沿って搬送用ホールを形成する工程と、前記銅箔層をエッチングして配線パターンを形成する工程と、を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記搬送用ホール形成工程と前記配線パターン形成工程との間に、前記銅箔層の表面、および前記搬送用ホールを含む所定の幅の端部領域における、前記接着剤層が露出した面を含む表面にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストを露光・現像して、レジストパターンを形成すると共に、前記端部領域の表面を覆うレジストを形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル配線基板を用いたＢＧＡ型の半導体装置で特に１層配線構造のものに関して、フレキシブル配線基板の一面側と他面側での熱膨張係数の違いを小さくして、反りの発生を抑制する。
【解決手段】この半導体装置は、一主面に電極パッド３を含む回路が形成された半導体チップ２と、該一主面と接着され、該回路と電気的に接続されたフレキシブル配線基板４とを有する。配線基板４は、半導体チップ２の一主面が接着される側の第一の面と該第一の面とは反対側の第二の面とを持つフレキシブルな絶縁基材４１と、該第一の面に形成され前記の回路と電気的に接続された配線層の配線４２と、該第二の面に配置され、該第二の面に配線層を設けることなく該第一の面における配線層の配線４２と電気的に接続された外部端子６と、該第二の面の、外部端子６に対応する部位を除いた全面に設けられた絶縁性の樹脂層４６とを有する。 （もっと読む）

【課題】入出力アウターリードにクラックや断線が発生することを防止可能なフィルム基板を提供する。
【解決手段】ベースフィルム２と、ベースフィルム２の両端にそれぞれ整列して形成された複数の入出力アウターリード３，４とを備え、ベースフィルム２の両端に形成された複数の入出力アウターリード３，４を、それぞれ外部基板に電気的に接続することで、外部基板同士を電気的に接続するフィルム基板において、ベースフィルム２の両端に形成された複数の入出力アウターリード３，４の両側に、ベースフィルム２の変形を抑制し複数の入出力アウターリード３，４の断線を防止するための補強用金属パターン７をそれぞれ形成したものである。 （もっと読む）

【課題】補強板を貼り付けることなくコネクタに接続できるＴＡＢテープを提供する。
【解決手段】絶縁テープ３２上に金属箔３４ａからなる電気配線を具備したＴＡＢテープ１１であって、その端部４８ａを折り畳んでコネクタ４１に差し込むためのＴＡＢテープ１１において、コネクタ４１に接続する電気配線の各導体３３ａが端部４８ａまで延ばして形成され、その導体３３ａ間に複数の折曲げ用孔１２が幅方向に配列されて設けられると共に、端部４８ａの幅方向にソルダーレジスト３５ａが形成され、折曲げ用孔１２に沿って端部４８ａが折り畳まれて前記コネクタ４１に差し込まれるものである。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを搭載後の樹脂封止工程において、半導体チップを確実に封止する。
【解決手段】基材１上にＣｕ箔２を用いて導電性パターン４を形成する。この際に、チップ搭載部１１に第１のベタパターン４Ａを形成し、基材１の外周の押さえ部１２にも第２のベタパターン４Ｂを角形状に形成する。この後に、ベタパターン４Ａ，４Ｂをレジスト層６で覆って基板１０を形成する。基板１０のチップ搭載部１１に半導体チップ２１を搭載させたら、トランスファモールド装置３１で半導体チップ２１をモールドする。上型３３で押さえ部１２を押さえ付けることで型締めを行う。押さえ部１２におけるレジスト層６の盛り上がりによって、半導体チップ２１と上型３３との間の距離として、モールド樹脂の流動に十分な距離が確保される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のＡｕバンプと金錫共晶接合により接続される接続端子部を構成する配線をダウンセット加工して成形したときに、配線の形状をその成形により十分安定化させることができる、ＣＯＦテープを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】デバイスホールがないＣＯＦテープから構成される配線基板２上に半導体素子３を搭載するにあたり、接続部を構成する半導体素子３のＡｕバンプ４と配線基板２上の配線５のＳｎめっきされた接続端子部６とを加熱ツール７により接触加圧して加熱して金錫共晶接合により接続すると共に、接続部領域に位置する配線基板２の配線５と反対側の対応する面上に剛性の高い金属箔１４を設けて、金属箔１４とともに配線基板２上の配線５を接続部から遠ざかるようにダウンセット加工して成形するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの搭載された薄型の配線基板を有する半導体装置において、信頼性の優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板がスティフナを具備しており、かつ、前記配線基板の上の半導体チップとスティフナの間の領域に弾性率が０．５ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の保護樹脂を充填したことを特徴とする半導体装置。前記保護樹脂として、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂から選択された材料を用いる。また、配線基板の厚さを０．０５ｍｍ以上０．６ｍｍ以下にする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用テープキャリアにおける、配線パターンをはじめとする各種の導体パターンを、高精度に、かつ安定的に均一に形成することを可能とする半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１上に設けられた金属材料層をサブトラクティブ法によりパターン加工して形成された配線パターンを含む導体パターン３を有する半導体装置用テープキャリアであって、当該半導体装置用テープキャリアにおける全ての導体パターン３のパターン間スペース４の寸法を、前記導体パターン３のパターン設計上の最小スペースの寸法Ｗｓと同一に設定する。 （もっと読む）

【課題】配線の微細化と配線全体の均一なエッチングにより、そのばらつきが非常に少ない高寸法精度の微細配線を安定して形成できる半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性フィルム基板１上に金属導体層２を形成したテープキャリア基材３の金属導体層２の表面にレジストコートを形成し、パターンマスクを用いてレジストコートを露光、現像することによりレジストパターン５を形成し、レジストパターン５をエッチングマスクとして金属導体層２をエッチングし所望の配線６を備えた配線パターンを形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、レジストパターン５の形状を、配線パターンの配線６に対しその幅方向の寸法に夫々一律にエッチング代を加えた形状とすると共に、配線パターンの配線密度が粗な領域の配線６に対しその空白領域にダミー配線７を形成するためのダミーレジストパターン８を付加した形状とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに接合されたインナリードの曲げによる応力を低減する手段を提供する。
【解決手段】ベースフィルムの半導体装置形成領域に設定されたチップ搭載領域と、チップ搭載領域に形成された複数のインナリードと、インナリードと端子との間を接続するアウタリードと、アウタリードを覆うソルダレジスト層と、を備えたＣＯＦ用フィルムにおいて、ソルダレジスト層のチップ搭載領域側に、厚さを厚くした厚膜部を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁性等の電気的信頼性に加え、より高い放熱性を有し、且つ更なる小型化、多ピン化が可能になり、極めて低コストの半導体装置を提供する。
【解決手段】テープキャリアに半導体素子６を搭載し、半導体素子６を封止樹脂１３で封止すると同時に金属放熱板７の貫通孔１４に充填する封止樹脂１３で金属放熱板７もテープキャリアに固着させ、金属放熱板７の裏面ザグリ孔１１に充填した封止樹脂１３でアンカー効果をもたせ、封止樹脂１３に放熱性のあるフィラーを含有することで金属放熱板７への熱伝導性を高め、より高い絶縁性を持ったままでさらに熱伝導性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 ＴＡＢテープキャリアにおける配線パターンの表面を粗面化して絶縁性保護層との密着性を確保すると共に、接続部の表面を平滑化して良好なボンディング特性を確保する。
【解決手段】 絶縁性基板１上に金属導体材料である銅箔４からなる配線パターン５を形成し、配線パターン５のうち外部との電気的接続を行うための接続部５ｂの表面を避けてその表面は露出させるように絶縁性保護層６を形成し、少なくとも接続部５ｂの表面に錫めっき層７を形成してＴＡＢテープキャリアを製造するにあたり、絶縁性保護層６を形成する以前に、配線パターン５の表面を粗面化処理し、絶縁性保護層６の形成以後であってかつ錫めっき層７の形成以前に、配線パターン５のうち絶縁性保護層６から露出している接続部５ｂの銅表面１２を、その銅表面１２の銅箔４を平滑化する薬液による平滑化処理によって平滑化する。 （もっと読む）

本発明によりフィルムキャリアテープの製造方法が提供される。このフィルムキャリアテープの製造方法は、フィルムキャリアテープ形成領域と第１スプロケットホール形成領域とで区分され、絶縁フィルムと該絶縁フィルム上に積層された導電層とを含むベースフィルムをすることと、前記第１スプロケットホール形成領域内に第１スプロケットホールを形成することと、前記フィルムキャリアテープ形成領域内の前記導電層をパターニングして導電パターンを形成することと、前記フィルムキャリアテープ形成領域内に第２スプロケットホールを形成することと、を含む。
（もっと読む）

【課題】対向する位置にバンプが形成されていない２個の半導体チップを回路基板上に実装する場合であっても、バンプと回路基板の電極パッドとの間の良好な接触状態を確保できる半導体チップの実装構造体を提供する。
【解決手段】２個の半導体チップ４ａおよび４ｂが回路基板１０を挟むように配置され、接着剤３により回路基板１０に実装される。半導体チップ４ａは、バンプ８ａ１〜８ａ４が回路基板１０の上面ＵＳに設けられた電極パッド２ａに圧接された状態で、回路基板１０に接着剤３で接合されている。また半導体チップ４ｂは、バンプ８ｂ１〜８ｂ４が回路基板１０の下面ＬＳに設けられた電極パッド２ｂに圧接された状態で、回路基板１０に接着剤３で接合されている。半導体チップ４ｂのフリーバンプ８ｂ３と対向する回路基板１０の裏側には、電極パッド２ｂ３の変形を抑制する変形抑制部材１５ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 配線パターンのパターン間隔が広い部分と狭い部分とでの、サイドエッチングの進行の速さのばらつきを抑えつつ、オーバーエッチングを行って、配線パターンのさらなる微細化を、精度よく安定的に実現する。
【解決手段】 絶縁性材料からなるフィルム基板１上に形成された銅層２（金属材料層）の表面に、レジストパターン６を形成する工程と、レジストパターン６をマスクとして用いたエッチングプロセスにより銅層２を加工して疎密のパターン間隔１９が混在する配線パターン７を形成する工程とを含む半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、レジストパターン６における各位置ごとでのエッチング代（しろ）１１の寸法を、配線パターン７のパターン間隔が広いほど、大きい寸法に設定する。 （もっと読む）

【課題】外観上の不具合及び曲げる際の不具合の両方を改善できるようにしたテープキャリア及び半導体装置の製造方法、半導体装置を提供する。
【解決手段】製品領域を画定するカットライン５１に沿って切断されることによって個々の製品に分割されるテープキャリア１００であって、絶縁性のベースフィルム１と、ＩＣ素子を取り付けるための取付領域５３からその外側へ延びるようにベースフィルム１上に設けられたリード３と、リード３を覆うようにベースフィルム１上に設けられたソルダーレジスト５と、を備え、ソルダーレジスト５は製品領域の内側から外側へはみ出している。 （もっと読む）

【課題】吸湿や加熱による配線パターンの寸法変化を抑制し、ＩＣなどの半導体装置の実装時の不具合を低減できる半導体装置用テープキャリアを提供する。
【解決手段】絶縁性フィルム（３）上に外部接続端子部（６ａ，６ｂ）を有する配線パターン（６）が形成された半導体装置用テープキャリア（１）において、前記配線パターン（６）が形成された前記絶縁性フィルム（３）面上にあって、前記配線パターン（６）の外周部に、前記配線パターン（６）と同一金属からなる変形防止用パターン（８Ａ）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ（例えば、ＣＯＦパッケージ）において、ベースフィルムの歪みによる封止樹脂の未充填不良を防止する。
【解決手段】ＣＯＦパッケージは、フレキシブルなベースフィルム２０と、このベースフィルム２０上における半導体チップ搭載予定箇所２１の周縁に配置され、半導体チップ搭載予定箇所内へ突設された金属製の厚さｄ１の複数のインナリード２２と、半導体チップ搭載予定箇所内の所定の位置に配設された金属製の厚さｄ２（＜（ｄ１＋ｄ３）、但し、ｄ３；バンプ電極の厚さ）のダミーパターン２６と、半導体チップ３０と、封止樹脂３２とを備えている。半導体チップ３０は、主表面に突設された厚さｄ３の複数のバンプ電極３１を有し、このバンプ電極３１がインナリード２２に接合されている。更に、封止樹脂３２は、半導体チップ搭載予定箇所２１と半導体チップ主表面との間に充填されている。 （もっと読む）