半導体装置用テープキャリアの製造方法
【課題】接着剤に起因する異物の発生および異物の銅箔層への付着を抑制して、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを向上する。
【解決手段】絶縁フィルムの銅箔層が形成される面とは反対側の面に接着剤層を介して前記絶縁フィルムに裏打ち層を貼り合わせる工程と、前記絶縁フィルムの長手方向に沿って搬送用ホールを形成する工程と、前記銅箔層をエッチングして配線パターンを形成する工程と、を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記搬送用ホール形成工程と前記配線パターン形成工程との間に、前記銅箔層の表面、および前記搬送用ホールを含む所定の幅の端部領域における、前記接着剤層が露出した面を含む表面にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストを露光・現像して、レジストパターンを形成すると共に、前記端部領域の表面を覆うレジストを形成する工程と、を備える。
【解決手段】絶縁フィルムの銅箔層が形成される面とは反対側の面に接着剤層を介して前記絶縁フィルムに裏打ち層を貼り合わせる工程と、前記絶縁フィルムの長手方向に沿って搬送用ホールを形成する工程と、前記銅箔層をエッチングして配線パターンを形成する工程と、を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記搬送用ホール形成工程と前記配線パターン形成工程との間に、前記銅箔層の表面、および前記搬送用ホールを含む所定の幅の端部領域における、前記接着剤層が露出した面を含む表面にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストを露光・現像して、レジストパターンを形成すると共に、前記端部領域の表面を覆うレジストを形成する工程と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用テープキャリアの製造方法、特に裏打ち層を貼り合わせて半導体装置用テープキャリアを製造する半導体装置用テープキャリアの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置用テープキャリアは、ＩＣチップなどの半導体素子を実装するための複数の配線パターンが絶縁フィルム上の長手方向に繰り返し形成されたものである。半導体装置用テープキャリアは、絶縁フィルムの長手方向に形成された搬送用ホールにピンローラなどを差し込んでリールｔｏリール方法により搬送されて製造される。
【０００３】
近年、プリント配線基板の微細配線化が要求されるようになり、配線の細線化が可能なＣＯＦ（Chip On Film）が注目されている。ＣＯＦは、例えば、絶縁フィルム、銅箔層の２層構造からなり、デバイスホールを設けず、インナーリードが絶縁フィルムに対して密着した構造となっている。そして、ＣＯＦには、可撓性を向上するため、薄い絶縁フィルムが用いられる。
【０００４】
上述したように、半導体装置用テープキャリアはリールｔｏリール方法により絶縁フィルムを搬送して製造されるが、絶縁フィルムが薄く強度が低いＣＯＦなどにおいては、絶縁フィルムに接着剤を介して裏打ち層を貼り合わせて搬送する（例えば、特許文献１参照）。この裏打ち層により絶縁フィルムの強度が補強されて、搬送用ホールにおける亀裂やピンローラの外れなどを抑制することができる。
【０００５】
上述した裏打ち層を貼り合わせて半導体装置用テープキャリアを製造する製造方法は、例えば、図５のようになる。まず、絶縁フィルム２の一方の面に銅箔層３を形成する（図５（ａ））。銅箔層３の形成された絶縁フィルム２のもう一方の面に、接着剤層４を介して補強用部材である裏打ち層５を貼り合わせる（図５（ｂ））。絶縁フィルム２の長手方向に沿って搬送用ホール７を形成する（図５（ｃ））。銅箔層３の一部にフォトレジスト８を塗布する（図５（ｄ））。塗布されたフォトレジスト８を露光・現像して、銅箔層３上に所定のレジストパターン９ａを形成する（図５（ｅ）、図６）。そして、レジストパターン９ａをマスクとして銅箔層３をエッチングすることにより所定の配線パターンを形成して、半導体装置用テープキャリアを得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２９９３８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述したエッチング処理においては、絶縁フィルム２上の銅箔層３に対してエッチング液をスプレーし、または銅箔層３の形成された絶縁フィルム２をエッチング液に浸漬して、ウェットエッチングにより配線パターンを形成する。このエッチング処理では、図６、図７（ａ）、図７（ｂ）に示すように、スプレーまたは浸漬によってエッチング液は銅箔層３表面だけでなく、絶縁フィルム２の側面側や搬送用ホール７内にも流れ、絶縁フィルム２の側面側および搬送用ホール７の内壁面にそれぞれ露出した状態の接着剤層の側面４ａおよび内側面４ｂに直ちに接触する。このエッチング液の接触により、接着剤層４の接着剤（アクリル樹脂など）は軟化あるいは溶解して溶け出したり、或いはエッチング液と接着剤との化学反応により生成された反応物が溶け出したりする。この溶け出
した接着剤または反応物（以下、接着剤等という）は、絶縁フィルム２や銅箔層３の表面に広がり、またエッチング液に溶け出してエッチング液中に混入する。一般的に、エッチング液はスプレー噴射する場合は回収されて再利用され、浸漬する場合は連続的に使用されるため、エッチング液中に溶け出した接着剤等は銅箔層３に付着する。これら接着剤等の異物が銅箔層３に付着すると、配線パターンの形成を阻害し、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを低下させてしまう。
【０００８】
本発明は、接着剤に起因する異物の発生および異物の銅箔層への付着を抑制して、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様は、絶縁フィルムの銅箔層が形成される面とは反対側の面に接着剤層を介して前記絶縁フィルムに裏打ち層を貼り合わせる工程と、前記絶縁フィルムの長手方向に沿って搬送用ホールを形成する工程と、前記銅箔層をエッチングして配線パターンを形成する工程と、を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記搬送用ホールを形成する工程後であってかつ前記配線パターンを形成する工程前に、前記搬送用ホールよりも内側の内部領域における前記銅箔層の表面、および前記内部領域の外側の前記搬送用ホールを含む所定の幅の端部領域における、前記接着剤層が露出した面を含む表面にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストを露光・現像して、前記配線パターンに対応したレジストパターンを形成すると共に、前記接着剤層が露出した面を含む前記端部領域の表面を覆うレジストを形成する工程と、を備えた半導体装置用テープキャリアの製造方法である。
【００１０】
上記記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記フォトレジストがネガ型のフォトレジストであり、前記ネガ型のフォトレジストへの露光は、前記端部領域にもなされることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、接着剤に起因する異物の発生および異物の銅箔層への付着を抑制して、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法の工程を示す概略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法の工程を示す概略断面図である。
【図３】図２（ｅ）の平面図である。
【図４】（ａ）は図２（ｅ）の要部を拡大した斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図５】従来の半導体装置用テープキャリアの製造方法の工程を示す概略断面図である。
【図６】図５（ｅ）の平面図である。
【図７】（ａ）は図５（ｅ）の要部を拡大した斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法について図を用いて説明する。図１および図２は、本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法の工程を示す概略断面図である。図３は、図２（ｅ）の平面図である。本実施形態においては、図３に示すような幅広い絶縁フィルム２から３列の半導体装置用キャリア
テープ１ａ、１ｂ、１ｃを製造する場合について説明する。
【００１４】
本実施形態に係る半導体装置用テープキャリア１の製造方法は、絶縁フィルム２の銅箔層３が形成される面とは反対側の面に接着剤層４を介して絶縁フィルム２に裏打ち層５を貼り合わせ、貼り合わせ基板６を形成する工程と、絶縁フィルム２の長手方向に沿って搬送用ホールとしてガイドホール７ａを形成する工程と、ガイドホール７ａよりも内側の内部領域６ａにおける銅箔層３の表面およびガイドホール７ａを有する所定の幅の端部領域６ｂにおける接着剤層４が露出した面を含む表面にフォトレジスト８を塗布する工程と、フォトレジスト８を露光・現像して配線パターン１０に対応したレジストパターン９ａを形成するとともに、接着剤層４が露出した面を含む端部領域６ｂの表面を覆うレジスト９ｂを形成する工程と、レジストパターン９ａおよびレジスト９ｂの形成されたテープキャリアをエッチングして配線パターン１０を形成する工程と、絶縁フィルム２から接着剤層４とともに裏打ち層５を剥離する工程と、を含む。
【００１５】
まず、図１（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる厚さ４０μｍ以下（例えば３８μｍ程度または２５μｍ程度）の絶縁フィルム２の一方の面に、例えば、スパッタリングによりスパッタ層を形成した後に、電解メッキにより銅箔層３を形成する。銅箔層付きの絶縁フィルムは、絶縁フィルムと銅箔層との２層構造に限定されず、接着剤層を介して絶縁フィルムに銅箔層を貼り合わせた３層構造であってもよい。なお、図１中、鎖線により、搬送用ホール７としてのガイドホール７ａとスプロケットホール７ｂとが形成される箇所を示している。ガイドホール７ａは絶縁フィルム２の両端部に形成され、３つのテープキャリア形成領域１ａ、１ｂ、１ｃを有する幅広の絶縁フィルム２を搬送するために使用される。また、スプロケットホール７ｂは３つのテープキャリア形成領域１ａ、１ｂ、１ｃのそれぞれにおける両端部に形成され、個別に切り離されるテープキャリア形成領域１ａ、１ｂ、１ｃのそれぞれの搬送に使用される。
【００１６】
次に、図１（ｂ）に示すように、銅箔層３の形成された絶縁フィルム２のもう一方の面に、ローラ塗布により接着剤（粘着剤）を塗布して、接着剤層４（粘着剤層）を形成する。この接着剤層４を介して、絶縁フィルム２に補強用の裏打ち層５を貼り合わせ、貼り合わせ基板６を得る。裏打ち層５は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）からなる補強用シート部材であって、その厚さはテープキャリアの搬送時における撓みなどを抑制できる厚さを有していればよい。
なお、接着剤層４に用いられる接着剤の種類は特に限定されないが、アクリル樹脂が好ましい。また、接着剤の形成方法はローラ塗布に限定されない。また、接着剤層４を絶縁フィルム２ではなく、裏打ち層５に塗布ローラにより塗布して形成するようにしてもよい。
【００１７】
次に、図１（ｃ）に示すように、打ち抜き加工により、貼り合わせ基板６の幅方向の両端部に、貼り合わせ基板６を貫通させて搬送用ホールとして円形状のガイドホール７ａを形成する。ここで、ガイドホール７ａよりも内側を内部領域６ａ、内部領域６ａの外側のガイドホール７ａを含む所定の幅の領域を端部領域６ｂとする。内部領域６ａは３列のテープキャリア形成領域１ａ、１ｂ、１ｃを含み、その表面の銅箔層３はエッチングされ配線パターン１０が形成される。端部領域６ｂは内部領域６ａの外側である貼り合わせ基板６の両端部に位置しており、ガイドホール７ａを含む。この端部領域６ｂにおいて、接着剤層４は、貼り合わせ基板６の側面に位置する接着剤層の側面４ａおよびガイドホール７ａ内に位置する接着剤層の内側面４ｂで露出している。なお、形成されるガイドホール７ａの径は、搬送する絶縁フィルム２の幅にもよるが、少なくとも１ｍｍとなっている。
【００１８】
続いて、図２（ｄ）に示すように、貼り合わせ基板６の表面にロールコータなどにより液状のネガ型のフォトレジスト８を塗布する。この時、液状のフォトレジスト８は、内部
領域６ａの銅箔層３上だけでなく、内部領域６ａの外側の端部領域６ｂにまで塗布される。液状のフォトレジスト８は貼り合わせ基板６の側面およびガイドホール７ａ内に回り込むため、貼り合わせ基板６のエッチング液に晒される表面全てに対して、フォトレジスト８が塗布されることになる。すなわち、液状のフォトレジスト８は接着剤層の側面４ａおよび接着剤層の内側面４ｂを覆って塗布される。
なお、本実施形態においては、液状のフォトレジストを用いることが好ましい。これは、内部領域および端部領域に一括してフォトレジストを塗布できるだけでなく、ガイドホールの内壁面に一様にフォトレジストを塗布することができるからである。また、液状のフォトレジストに、フィルム状のフォトレジストを組み合わせて用いることも可能である。具体的には、内部領域にフィルム状のフォトレジストを形成するとともに、端部領域に液状のフォトレジストを形成することができる。
【００１９】
続いて、塗布されたネガ型のフォトレジスト８に対して、所定の露光および現像を行う。ネガ型のフォトレジスト８は、露光された部分が現像液に対して難溶性となり、レジスト層として残存してエッチング液から保護する。このため、本実施形態においては、ガイドホール７ａの内側の内部領域６ａおよび内部領域６ａの外側の端部領域６ｂに対して露光・現像を行う。この露光・現像により、図２（ｅ）、図３に示すように内部領域６ａにおいては配線パターン１０に対応したレジストパターン９ａが形成されるとともに、端部領域６ｂにおいては銅箔層３の表面のみならず貼り合わせ基板６の側面およびガイドホール７ａの内壁面の表面も被覆するレジスト９ｂが形成される。すなわち、本実施形態においては、接着剤層の側面４ａおよび内側面４ｂがレジスト９ｂにより被覆され露出していない。
【００２０】
続いて、レジストパターン９ａおよびレジスト９ｂの形成された貼り合わせ基板６に対して、エッチング液をスプレー噴射してエッチング処理を行い、内部領域６ａに、図２（ｆ）に示すような所定の配線パターン１０を形成する。本実施形態においては、３列のテープキャリア形成領域１ａ、１ｂ、１ｃを同時に製造するため、配線パターン１０が絶縁フィルム２の長手方向に繰り返されたものが３列配列されている。
【００２１】
本実施形態においては、図３および図４に示すように、端部領域６ｂの表面を被覆するレジスト９ｂを形成して、接着剤層の側面４ａおよび内側面４ｂはレジスト９ｂにより被覆され、表面に露出せずエッチング液に晒されない。この構成により、配線パターン１０を形成する上記エッチング工程において、エッチング液が接着剤層の側面４ａおよび接着剤層の内側面４ｂに接触することを防止して、接触にともなう接着剤等の溶け出しを抑制することができる。このように、接着剤のエッチング液への溶出を防止し銅箔層３への接着剤の付着を抑制することで、テープキャリアの歩留まりを向上することができる。
【００２２】
次に、レジストパターン９ａおよびレジスト９ｂを剥離して、３列のテープキャリア形成領域１ａ、１ｂ、１ｃのそれぞれの両端部にスプロケットホール７ｂを打ち抜き加工で形成する。その後、裏打ち層５とともに接着剤層４を剥離し、幅広の絶縁フィルム２を長手方向に切断することにより、３つの半導体装置用テープキャリア１を得る。なお、幅広の絶縁フィルム２を長手方向に切断した後に、裏打ち層５とともに接着剤層４を剥離してもよい。
【００２３】
上記実施形態においては、フォトレジスト８としてネガ型のフォトレジストを用いたが、未露光部分が現像液に対して難溶性となってレジスト層として残存してエッチング液から保護するポジ型のフォトレジストを用いることも可能である。ポジ型のフォトレジストを用いる場合、ネガ型のフォトレジストと同様に内部領域６ａおよび端部領域６ｂに塗布するが、露光は従来と同様に端部領域には行わず、内部領域６ａのみに所定のレジストパターン９ａを形成するように露光、現像し、接着剤層の側面４ａおよび内側面４ｂがレジ
スト層で覆われて露出しないようにする。
【００２４】
また、エッチング工程前の打ち抜き加工において、ガイドホール７ａのみを形成したが、ガイドホール７ａおよびスプロケットホール７ｂを同時に形成しても良い。その場合においては、スプロケットホール７ｂの内壁面に臨む接着剤層４からの接着剤等の溶け出しなどを抑制するため、フォトレジスト８は、ガイドホール７ａと同様にして、スプロケットホール７ｂの内壁面に塗布され、レジスト９ｂが形成されることが好ましい。
【００２５】
また、幅広の絶縁フィルム２から３列のテープキャリア形成領域を有する半導体装置用テープキャリアを製造する場合について説明したが、本発明においてはこれに限定されず、絶縁フィルム２に１列または２列以上のテープキャリア形成領域を有する半導体装置用テープキャリアに適用することが可能である。
【符号の説明】
【００２６】
１ 半導体装置用テープキャリア
１ａ、１ｂ、１ｃ テープキャリア形成領域
２ 絶縁フィルム
３ 銅箔層
４ 接着剤層
４ａ 接着剤層の側面
４ｂ 接着剤層の内側面
５ 裏打ち層
６ 貼り合わせ基板
６ａ 内部領域
６ｂ 端部領域
７ 搬送用ホール
７ａ ガイドホール
７ｂ スプロケットホール
８ フォトレジスト
９ａ レジストパターン
９ｂ レジスト
１０ 配線パターン
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用テープキャリアの製造方法、特に裏打ち層を貼り合わせて半導体装置用テープキャリアを製造する半導体装置用テープキャリアの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置用テープキャリアは、ＩＣチップなどの半導体素子を実装するための複数の配線パターンが絶縁フィルム上の長手方向に繰り返し形成されたものである。半導体装置用テープキャリアは、絶縁フィルムの長手方向に形成された搬送用ホールにピンローラなどを差し込んでリールｔｏリール方法により搬送されて製造される。
【０００３】
近年、プリント配線基板の微細配線化が要求されるようになり、配線の細線化が可能なＣＯＦ（Chip On Film）が注目されている。ＣＯＦは、例えば、絶縁フィルム、銅箔層の２層構造からなり、デバイスホールを設けず、インナーリードが絶縁フィルムに対して密着した構造となっている。そして、ＣＯＦには、可撓性を向上するため、薄い絶縁フィルムが用いられる。
【０００４】
上述したように、半導体装置用テープキャリアはリールｔｏリール方法により絶縁フィルムを搬送して製造されるが、絶縁フィルムが薄く強度が低いＣＯＦなどにおいては、絶縁フィルムに接着剤を介して裏打ち層を貼り合わせて搬送する（例えば、特許文献１参照）。この裏打ち層により絶縁フィルムの強度が補強されて、搬送用ホールにおける亀裂やピンローラの外れなどを抑制することができる。
【０００５】
上述した裏打ち層を貼り合わせて半導体装置用テープキャリアを製造する製造方法は、例えば、図５のようになる。まず、絶縁フィルム２の一方の面に銅箔層３を形成する（図５（ａ））。銅箔層３の形成された絶縁フィルム２のもう一方の面に、接着剤層４を介して補強用部材である裏打ち層５を貼り合わせる（図５（ｂ））。絶縁フィルム２の長手方向に沿って搬送用ホール７を形成する（図５（ｃ））。銅箔層３の一部にフォトレジスト８を塗布する（図５（ｄ））。塗布されたフォトレジスト８を露光・現像して、銅箔層３上に所定のレジストパターン９ａを形成する（図５（ｅ）、図６）。そして、レジストパターン９ａをマスクとして銅箔層３をエッチングすることにより所定の配線パターンを形成して、半導体装置用テープキャリアを得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２９９３８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述したエッチング処理においては、絶縁フィルム２上の銅箔層３に対してエッチング液をスプレーし、または銅箔層３の形成された絶縁フィルム２をエッチング液に浸漬して、ウェットエッチングにより配線パターンを形成する。このエッチング処理では、図６、図７（ａ）、図７（ｂ）に示すように、スプレーまたは浸漬によってエッチング液は銅箔層３表面だけでなく、絶縁フィルム２の側面側や搬送用ホール７内にも流れ、絶縁フィルム２の側面側および搬送用ホール７の内壁面にそれぞれ露出した状態の接着剤層の側面４ａおよび内側面４ｂに直ちに接触する。このエッチング液の接触により、接着剤層４の接着剤（アクリル樹脂など）は軟化あるいは溶解して溶け出したり、或いはエッチング液と接着剤との化学反応により生成された反応物が溶け出したりする。この溶け出
した接着剤または反応物（以下、接着剤等という）は、絶縁フィルム２や銅箔層３の表面に広がり、またエッチング液に溶け出してエッチング液中に混入する。一般的に、エッチング液はスプレー噴射する場合は回収されて再利用され、浸漬する場合は連続的に使用されるため、エッチング液中に溶け出した接着剤等は銅箔層３に付着する。これら接着剤等の異物が銅箔層３に付着すると、配線パターンの形成を阻害し、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを低下させてしまう。
【０００８】
本発明は、接着剤に起因する異物の発生および異物の銅箔層への付着を抑制して、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様は、絶縁フィルムの銅箔層が形成される面とは反対側の面に接着剤層を介して前記絶縁フィルムに裏打ち層を貼り合わせる工程と、前記絶縁フィルムの長手方向に沿って搬送用ホールを形成する工程と、前記銅箔層をエッチングして配線パターンを形成する工程と、を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記搬送用ホールを形成する工程後であってかつ前記配線パターンを形成する工程前に、前記搬送用ホールよりも内側の内部領域における前記銅箔層の表面、および前記内部領域の外側の前記搬送用ホールを含む所定の幅の端部領域における、前記接着剤層が露出した面を含む表面にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストを露光・現像して、前記配線パターンに対応したレジストパターンを形成すると共に、前記接着剤層が露出した面を含む前記端部領域の表面を覆うレジストを形成する工程と、を備えた半導体装置用テープキャリアの製造方法である。
【００１０】
上記記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記フォトレジストがネガ型のフォトレジストであり、前記ネガ型のフォトレジストへの露光は、前記端部領域にもなされることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、接着剤に起因する異物の発生および異物の銅箔層への付着を抑制して、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法の工程を示す概略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法の工程を示す概略断面図である。
【図３】図２（ｅ）の平面図である。
【図４】（ａ）は図２（ｅ）の要部を拡大した斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図５】従来の半導体装置用テープキャリアの製造方法の工程を示す概略断面図である。
【図６】図５（ｅ）の平面図である。
【図７】（ａ）は図５（ｅ）の要部を拡大した斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法について図を用いて説明する。図１および図２は、本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法の工程を示す概略断面図である。図３は、図２（ｅ）の平面図である。本実施形態においては、図３に示すような幅広い絶縁フィルム２から３列の半導体装置用キャリア
テープ１ａ、１ｂ、１ｃを製造する場合について説明する。
【００１４】
本実施形態に係る半導体装置用テープキャリア１の製造方法は、絶縁フィルム２の銅箔層３が形成される面とは反対側の面に接着剤層４を介して絶縁フィルム２に裏打ち層５を貼り合わせ、貼り合わせ基板６を形成する工程と、絶縁フィルム２の長手方向に沿って搬送用ホールとしてガイドホール７ａを形成する工程と、ガイドホール７ａよりも内側の内部領域６ａにおける銅箔層３の表面およびガイドホール７ａを有する所定の幅の端部領域６ｂにおける接着剤層４が露出した面を含む表面にフォトレジスト８を塗布する工程と、フォトレジスト８を露光・現像して配線パターン１０に対応したレジストパターン９ａを形成するとともに、接着剤層４が露出した面を含む端部領域６ｂの表面を覆うレジスト９ｂを形成する工程と、レジストパターン９ａおよびレジスト９ｂの形成されたテープキャリアをエッチングして配線パターン１０を形成する工程と、絶縁フィルム２から接着剤層４とともに裏打ち層５を剥離する工程と、を含む。
【００１５】
まず、図１（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂からなる厚さ４０μｍ以下（例えば３８μｍ程度または２５μｍ程度）の絶縁フィルム２の一方の面に、例えば、スパッタリングによりスパッタ層を形成した後に、電解メッキにより銅箔層３を形成する。銅箔層付きの絶縁フィルムは、絶縁フィルムと銅箔層との２層構造に限定されず、接着剤層を介して絶縁フィルムに銅箔層を貼り合わせた３層構造であってもよい。なお、図１中、鎖線により、搬送用ホール７としてのガイドホール７ａとスプロケットホール７ｂとが形成される箇所を示している。ガイドホール７ａは絶縁フィルム２の両端部に形成され、３つのテープキャリア形成領域１ａ、１ｂ、１ｃを有する幅広の絶縁フィルム２を搬送するために使用される。また、スプロケットホール７ｂは３つのテープキャリア形成領域１ａ、１ｂ、１ｃのそれぞれにおける両端部に形成され、個別に切り離されるテープキャリア形成領域１ａ、１ｂ、１ｃのそれぞれの搬送に使用される。
【００１６】
次に、図１（ｂ）に示すように、銅箔層３の形成された絶縁フィルム２のもう一方の面に、ローラ塗布により接着剤（粘着剤）を塗布して、接着剤層４（粘着剤層）を形成する。この接着剤層４を介して、絶縁フィルム２に補強用の裏打ち層５を貼り合わせ、貼り合わせ基板６を得る。裏打ち層５は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）からなる補強用シート部材であって、その厚さはテープキャリアの搬送時における撓みなどを抑制できる厚さを有していればよい。
なお、接着剤層４に用いられる接着剤の種類は特に限定されないが、アクリル樹脂が好ましい。また、接着剤の形成方法はローラ塗布に限定されない。また、接着剤層４を絶縁フィルム２ではなく、裏打ち層５に塗布ローラにより塗布して形成するようにしてもよい。
【００１７】
次に、図１（ｃ）に示すように、打ち抜き加工により、貼り合わせ基板６の幅方向の両端部に、貼り合わせ基板６を貫通させて搬送用ホールとして円形状のガイドホール７ａを形成する。ここで、ガイドホール７ａよりも内側を内部領域６ａ、内部領域６ａの外側のガイドホール７ａを含む所定の幅の領域を端部領域６ｂとする。内部領域６ａは３列のテープキャリア形成領域１ａ、１ｂ、１ｃを含み、その表面の銅箔層３はエッチングされ配線パターン１０が形成される。端部領域６ｂは内部領域６ａの外側である貼り合わせ基板６の両端部に位置しており、ガイドホール７ａを含む。この端部領域６ｂにおいて、接着剤層４は、貼り合わせ基板６の側面に位置する接着剤層の側面４ａおよびガイドホール７ａ内に位置する接着剤層の内側面４ｂで露出している。なお、形成されるガイドホール７ａの径は、搬送する絶縁フィルム２の幅にもよるが、少なくとも１ｍｍとなっている。
【００１８】
続いて、図２（ｄ）に示すように、貼り合わせ基板６の表面にロールコータなどにより液状のネガ型のフォトレジスト８を塗布する。この時、液状のフォトレジスト８は、内部
領域６ａの銅箔層３上だけでなく、内部領域６ａの外側の端部領域６ｂにまで塗布される。液状のフォトレジスト８は貼り合わせ基板６の側面およびガイドホール７ａ内に回り込むため、貼り合わせ基板６のエッチング液に晒される表面全てに対して、フォトレジスト８が塗布されることになる。すなわち、液状のフォトレジスト８は接着剤層の側面４ａおよび接着剤層の内側面４ｂを覆って塗布される。
なお、本実施形態においては、液状のフォトレジストを用いることが好ましい。これは、内部領域および端部領域に一括してフォトレジストを塗布できるだけでなく、ガイドホールの内壁面に一様にフォトレジストを塗布することができるからである。また、液状のフォトレジストに、フィルム状のフォトレジストを組み合わせて用いることも可能である。具体的には、内部領域にフィルム状のフォトレジストを形成するとともに、端部領域に液状のフォトレジストを形成することができる。
【００１９】
続いて、塗布されたネガ型のフォトレジスト８に対して、所定の露光および現像を行う。ネガ型のフォトレジスト８は、露光された部分が現像液に対して難溶性となり、レジスト層として残存してエッチング液から保護する。このため、本実施形態においては、ガイドホール７ａの内側の内部領域６ａおよび内部領域６ａの外側の端部領域６ｂに対して露光・現像を行う。この露光・現像により、図２（ｅ）、図３に示すように内部領域６ａにおいては配線パターン１０に対応したレジストパターン９ａが形成されるとともに、端部領域６ｂにおいては銅箔層３の表面のみならず貼り合わせ基板６の側面およびガイドホール７ａの内壁面の表面も被覆するレジスト９ｂが形成される。すなわち、本実施形態においては、接着剤層の側面４ａおよび内側面４ｂがレジスト９ｂにより被覆され露出していない。
【００２０】
続いて、レジストパターン９ａおよびレジスト９ｂの形成された貼り合わせ基板６に対して、エッチング液をスプレー噴射してエッチング処理を行い、内部領域６ａに、図２（ｆ）に示すような所定の配線パターン１０を形成する。本実施形態においては、３列のテープキャリア形成領域１ａ、１ｂ、１ｃを同時に製造するため、配線パターン１０が絶縁フィルム２の長手方向に繰り返されたものが３列配列されている。
【００２１】
本実施形態においては、図３および図４に示すように、端部領域６ｂの表面を被覆するレジスト９ｂを形成して、接着剤層の側面４ａおよび内側面４ｂはレジスト９ｂにより被覆され、表面に露出せずエッチング液に晒されない。この構成により、配線パターン１０を形成する上記エッチング工程において、エッチング液が接着剤層の側面４ａおよび接着剤層の内側面４ｂに接触することを防止して、接触にともなう接着剤等の溶け出しを抑制することができる。このように、接着剤のエッチング液への溶出を防止し銅箔層３への接着剤の付着を抑制することで、テープキャリアの歩留まりを向上することができる。
【００２２】
次に、レジストパターン９ａおよびレジスト９ｂを剥離して、３列のテープキャリア形成領域１ａ、１ｂ、１ｃのそれぞれの両端部にスプロケットホール７ｂを打ち抜き加工で形成する。その後、裏打ち層５とともに接着剤層４を剥離し、幅広の絶縁フィルム２を長手方向に切断することにより、３つの半導体装置用テープキャリア１を得る。なお、幅広の絶縁フィルム２を長手方向に切断した後に、裏打ち層５とともに接着剤層４を剥離してもよい。
【００２３】
上記実施形態においては、フォトレジスト８としてネガ型のフォトレジストを用いたが、未露光部分が現像液に対して難溶性となってレジスト層として残存してエッチング液から保護するポジ型のフォトレジストを用いることも可能である。ポジ型のフォトレジストを用いる場合、ネガ型のフォトレジストと同様に内部領域６ａおよび端部領域６ｂに塗布するが、露光は従来と同様に端部領域には行わず、内部領域６ａのみに所定のレジストパターン９ａを形成するように露光、現像し、接着剤層の側面４ａおよび内側面４ｂがレジ
スト層で覆われて露出しないようにする。
【００２４】
また、エッチング工程前の打ち抜き加工において、ガイドホール７ａのみを形成したが、ガイドホール７ａおよびスプロケットホール７ｂを同時に形成しても良い。その場合においては、スプロケットホール７ｂの内壁面に臨む接着剤層４からの接着剤等の溶け出しなどを抑制するため、フォトレジスト８は、ガイドホール７ａと同様にして、スプロケットホール７ｂの内壁面に塗布され、レジスト９ｂが形成されることが好ましい。
【００２５】
また、幅広の絶縁フィルム２から３列のテープキャリア形成領域を有する半導体装置用テープキャリアを製造する場合について説明したが、本発明においてはこれに限定されず、絶縁フィルム２に１列または２列以上のテープキャリア形成領域を有する半導体装置用テープキャリアに適用することが可能である。
【符号の説明】
【００２６】
１ 半導体装置用テープキャリア
１ａ、１ｂ、１ｃ テープキャリア形成領域
２ 絶縁フィルム
３ 銅箔層
４ 接着剤層
４ａ 接着剤層の側面
４ｂ 接着剤層の内側面
５ 裏打ち層
６ 貼り合わせ基板
６ａ 内部領域
６ｂ 端部領域
７ 搬送用ホール
７ａ ガイドホール
７ｂ スプロケットホール
８ フォトレジスト
９ａ レジストパターン
９ｂ レジスト
１０ 配線パターン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムの銅箔層が形成される面とは反対側の面に接着剤層を介して前記絶縁フィルムに裏打ち層を貼り合わせる工程と、前記絶縁フィルムの長手方向に沿って搬送用ホールを形成する工程と、前記銅箔層をエッチングして配線パターンを形成する工程と、を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記搬送用ホールを形成する工程後であってかつ前記配線パターンを形成する工程前に、前記搬送用ホールよりも内側の内部領域における前記銅箔層の表面、および前記内部領域の外側の前記搬送用ホールを含む所定の幅の端部領域における、前記接着剤層が露出した面を含む表面にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストを露光・現像して、前記配線パターンに対応したレジストパターンを形成すると共に、前記接着剤層が露出した面を含む前記端部領域の表面を覆うレジストを形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記フォトレジストがネガ型のフォトレジストであり、前記ネガ型のフォトレジストへの露光は、前記端部領域にもなされることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項１】
絶縁フィルムの銅箔層が形成される面とは反対側の面に接着剤層を介して前記絶縁フィルムに裏打ち層を貼り合わせる工程と、前記絶縁フィルムの長手方向に沿って搬送用ホールを形成する工程と、前記銅箔層をエッチングして配線パターンを形成する工程と、を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記搬送用ホールを形成する工程後であってかつ前記配線パターンを形成する工程前に、前記搬送用ホールよりも内側の内部領域における前記銅箔層の表面、および前記内部領域の外側の前記搬送用ホールを含む所定の幅の端部領域における、前記接着剤層が露出した面を含む表面にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストを露光・現像して、前記配線パターンに対応したレジストパターンを形成すると共に、前記接着剤層が露出した面を含む前記端部領域の表面を覆うレジストを形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記フォトレジストがネガ型のフォトレジストであり、前記ネガ型のフォトレジストへの露光は、前記端部領域にもなされることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【図１】
【図２】
【図４】
【図５】
【図７】
【図３】
【図６】
【図２】
【図４】
【図５】
【図７】
【図３】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−１５６３０１（Ｐ２０１２−１５６３０１Ａ）
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３９２８（Ｐ２０１１−１３９２８）
【出願日】平成２３年１月２６日（２０１１．１．２６）
【出願人】（５０８１９６４９４）日立電線フィルムデバイス株式会社 (14)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月２６日（２０１１．１．２６）
【出願人】（５０８１９６４９４）日立電線フィルムデバイス株式会社 (14)
【Ｆターム（参考）】
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