半導体装置
【課題】半導体チップの搭載された薄型の配線基板を有する半導体装置において、信頼性の優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板がスティフナを具備しており、かつ、前記配線基板の上の半導体チップとスティフナの間の領域に弾性率が０．５ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の保護樹脂を充填したことを特徴とする半導体装置。前記保護樹脂として、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂から選択された材料を用いる。また、配線基板の厚さを０．０５ｍｍ以上０．６ｍｍ以下にする。
【解決手段】配線基板がスティフナを具備しており、かつ、前記配線基板の上の半導体チップとスティフナの間の領域に弾性率が０．５ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の保護樹脂を充填したことを特徴とする半導体装置。前記保護樹脂として、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂から選択された材料を用いる。また、配線基板の厚さを０．０５ｍｍ以上０．６ｍｍ以下にする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、半導体パッケージあるいは機能モジュール等の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、絶縁層に樹脂フィルムを用いた配線基板が多く用いられるようになった。絶縁フィルムを用いた配線基板は、基板全体の厚みを抑えることが出来る点で大変優れている。しかし、薄い基板は反りが生じやすく、また反りによって半導体チップの実装時に不具合が発生する恐れがある。
【０００３】
薄型の配線基板の補強として、スティフナを貼り付ける方法が知られている（特許文献１)。スティフナを貼り付けることにより、基板全体の反りを低下させることができる。このスティフナ付き配線基板には、半導体チップとスティフナの間に薄型の配線基板のみの部分が存在する。薄型の配線基板のみの部分は半導体チップ、スティフナ等の剛性の高い材料に保持されていないため、これらの部分と比較して強度が低い。温度サイクル等の負荷をかけた際に、応力が薄型の配線基板のみの部分に集中する恐れがある。
【０００４】
スティフナと薄型の配線基板の間の強度を高める方法として、補強樹脂を充填する方法（特許文献２）、第二のスティフナを配置する方法が報告されている(特許文献３)。補強樹脂および第二のスティフナを固定する樹脂にはエポキシ樹脂が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２８４０９７号公報
【特許文献２】特開２０００−１３３７４１号公報
【特許文献３】特開２００７−２２７５５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
薄型の配線基板の半導体チップとスティフナの間を埋めるためには、エポキシ樹脂等の熱硬化樹脂は、弾性率が高く変形しにくいために適さない。弾性率が高い樹脂で補強すると、温度サイクル等による熱膨張などに耐え切れず、クラック等が発生する恐れがあるからである。そこで本発明では、弾性率が低く変形しやすい樹脂を用いて半導体チップとスティフナの間を埋め、柔軟性を有しながら配線基板を保護することが可能となる、信頼性の優れた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明は、半導体チップの搭載された導電パターンを有する配線基板において、該配線基板はスティフナを具備しており、かつ、前記配線基板の上の半導体チップとスティフナの間の領域に弾性率が０．５ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の保護樹脂を充填したことを特徴とする半導体装置である。
【０００８】
また、本発明は、上記配線基板の厚さが０．０５ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であることを特徴とする上記の半導体装置である。
【０００９】
また、本発明は、上記保護樹脂が、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂から選択された材料であることを特徴とする上記の半導体装置である。
【００１０】
また、本発明は、上記保護樹脂の厚さが６０μｍ以上であることを特徴とする上記の半導体装置である。
【００１１】
また、本発明は、上記半導体チップと上記配線基板が、フリップチップ接続されていることを特徴とする上記の半導体装置である。
【発明の効果】
【００１２】
半導体チップとスティフナの間を弾性率の低い樹脂で満たすことによって、柔軟性を有しながら配線基板を保護することが可能となり、信頼性が高い配線基板、半導体パッケージ、あるいは機能モジュール等となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施の形態における半導体装置を示す模式断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の一例を説明する模式断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態における半導体装置を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の半導体装置１０１は、図１（a）に示されるように、半導体チップ１０４が配線基板１０２に搭載され、基板の外周部にスティフナ１０６を貼り付け、配線基板１０２上の、半導体チップ１０４とスティフナ１０６の間の領域に保護樹脂１０８を充填したことを特徴とする半導体装置１０１である。
【００１５】
本発明の半導体装置１０１では、配線基板１０２上の、半導体チップ１０４とスティフナ１０６の間の領域に保護樹脂１０８を充填することにより、温度サイクル等の負荷がかかった際の半導体装置構成材料の伸縮が緩和され、信頼性を向上させることができる。この効果は特に配線基板１０２が薄い場合に有効である。具体的には、配線基板１０２の厚さが０．０５ｍｍ以上０．６ｍｍ以下のときに特に有効である。０．０５ｍｍ以下であると、配線基板１０２が薄すぎるために保護樹脂１０８による効果が弱く、０．６ｍｍ以上であると、保護樹脂１０８を用いる必要がなくなる。配線基板１０２を薄くすることにより、高密度化、軽量化が期待できる。
【００１６】
配線基板１０２は、ポリイミド等の絶縁樹脂層と銅などの導体層からなる。絶縁樹脂層には、エポキシ系樹脂等を用いることも可能である。導電パターンを一層のみ有する片面配線基板、導電パターンを二層有する両面配線基板、多層の導電パターンを持つ多層配線基板のいずれも使用可能である。配線基板１０２は、図３のように第二の配線基板１１０とはんだボール１１１等を介して接続するための外部接続端子（パッド）を有している。
【００１７】
スティフナ１０６には銅、銅の合金、ステンレス、アルミニウム、４２アロイ等の金属あるいは、樹脂、セラミック等を用いることができる。スティフナ接着剤１０７にはエポキシ系樹脂の接着剤などの公知の接着剤を用いればよい。
【００１８】
保護樹脂１０８には、弾性率が０．５ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の範囲の樹脂を用いることが好ましい。これにより、温度サイクル等における半導体装置構成材料の伸縮を緩和しながら、さらに配線基板１０２を保護することが可能となる。弾性率が０．５ＭＰａ以下だと、容易に変形できるために、保護樹脂１０８としての効力が十分でない。また、弾性率が１０ＭＰａ以上であると、温度サイクル等の負荷をかけた際、半導体装置構成材料の伸縮を緩和できない恐れがある。保護樹脂１０８として、具体的にはシリコーン樹脂を用いることができる。シリコーン樹脂は弾性率が低く、変形しやすいことを特徴とする。これにより、柔軟性を有しながら保護することが可能となる。
【００１９】
保護樹脂１０８の厚さは６０μｍ以上であることが望ましい。６０μｍ以下であると、保護樹脂１０８としての効果を十分に発揮することができない。６０μｍ以上であれば、いずれの厚さでも可能であり、半導体チップ１０４の厚さに応じて厚さを変えることも可能である。半導体チップ１０４、スティフナ１０６の上も保護樹脂１０８で覆い、その上にリッド（蓋体）１０９を配置することもできる。また、シリコーン樹脂の他には、保護樹脂１０８としてウレタン樹脂等を用いることもできる。
【００２０】
本発明に用いる半導体チップ１０４としては、トランジスタ、ダイオード、ＩＣチップ等、さらには、セラミックコンデンサ、セラミック抵抗等の受動部品も搭載可能である。半導体チップ１０４をフェイスダウンしてバンプ１０５で薄型の配線基板１０２に電気接続させるフリップチップ接続は、半導体装置１０１の薄型化、高密度化が図れるために特に効果的であるが、ワイヤボンディング等フェイスアップの半導体チップ１０４を用いることも可能である。
【００２１】
アンダーフィル層１０３を形成する材料には、公知の絶縁樹脂を用いることが可能である。シリカ等のフィラーを含有したエポキシ樹脂を用いることが一般的である。アンダーフィル層１０３を形成することにより、フリップチップ接続のバンプ１０５による接続部を保護するとともに、半導体チップ１０４と配線基板１０２の熱膨張等による効力を緩和することができる。
【００２２】
また、図１（ｂ）に示すように、半導体チップ１０４の上部にリッド１０９を配置しても良い。リッド（蓋体）１０９としては、金属、セラミックス、ガラス等公知の材料を用いることができる。また、保護樹脂１０８を半導体チップ１０４およびスティフナ１０６の上まで塗布し、その上にリッド１０９を取り付けることも可能である。リッド１０９を取り付けることにより、放熱特性を向上させることができる。さらに、剛性を高めることによる信頼性向上の効果も期待できる。また、熱伝導性の高いフィラー等が含まれた保護樹脂１０８を用いて半導体チップ１０４の上まで覆った後にリッド１０９を取り付けることにより、さらに高い放熱効果を発揮させることが可能となる。
【００２３】
次に、本発明の半導体装置１０１の製造方法について説明する。本発明の製造方法は、導電パターンが形成された配線基板１０２にスティフナ１０６を貼り付ける工程、半導体チップ１０４を実装する工程、保護樹脂１０８を充填する工程から構成されている。以下に詳細に説明する。
【００２４】
まず、薄型の配線基板１０２にスティフナ１０６を貼り付ける。少なくとも半導体チップ１０４の搭載部を設けてある導電パターンに、接着剤を介してスティフナ１０６を貼り付ける（図２（ｂ））。スティフナ接着剤１０７には公知の材料を使用可能である。具体的には、エポキシ樹脂の接着剤を使用することができる。このとき、半導体チップ１０４を先に実装することも可能であるが、先にスティフナ１０６を貼り付けることによって薄型の配線基板１０２の反りを低下させることができ、半導体チップ１０４を実装しやすくできる。
【００２５】
次に、スティフナ１０６付き配線基板１０２に半導体チップ１０４を実装する（図２（ｃ））。前述のように、実装方法としては半導体チップ１０４をバンプ１０５で配線基板１０２の配線に電気接続するフリップチップ接続、あるいは、ワイヤボンディング接続等の公知の接続方法を用いることができる。また、フリップチップ接続を行うとき必要に応じてアンダーフィル層１０３を形成する（図２（ｄ））。アンダーフィル層１０３を形成する材料についても、公知の絶縁樹脂を用いることが可能である。具体的には、シリカを充填したエポキシ樹脂を用いることができる。
【００２６】
次に、図２（ｅ）に示すように、保護樹脂１０８を半導体チップ１０４とスティフナ１０６の間に充填する。また、図１（ｃ）で示したように、半導体チップ１０４上にリッド１０９を取り付けた構造としてもよい。
【００２７】
本発明の半導体装置１０１の製造方法として、配線基板１０２に半導体チップ１０４を実装し、アンダーフィル層１０３を形成した後、スティフナ１０６を貼り付け、保護樹脂１０８を充填することも可能である（図２（ｂ'）、（ｃ'））。
以上の工程で、本発明の半導体装置１０１を製造することができる。
【実施例】
【００２８】
＜実施例１＞
本発明に係る半導体装置１０１の実施例１を図面に基づいて以下に説明する。まず図２（ａ）に示すような薄型の配線基板１０２を用意する。薄型の配線基板１０２は、Ｃｕを主体とした導電パターンを有し、絶縁樹脂層にはポリイミドを用いている。次に図２（ｂ）に示すように、エポキシ系樹脂のスティフナ接着剤１０７を用いて、配線基板１０２にスティフナ１０６を貼り付ける。
【００２９】
次に、配線基板１０２の半導体チップ搭載部に半導体チップ１０４を固着し、半導体チップ１０４と配線基板１０２とを電気的に接続する。半導体チップ１０４は配線基板１０２にバンプ１０５で電気接続させフリップチップ接続した。その後、図２（ｄ）に示すように、半導体チップ１０４と配線基板１０２との間にアンダーフィル層１０３を形成する。
【００３０】
次に、図２（ｅ）に示すように、半導体チップ１０４とスティフナ１０６の間を保護樹脂１０８にて充填した。保護樹脂１０８にはシリコーン樹脂を使用した。ここで充填した保護樹脂１０８の厚さは３００μｍであった。以上の工程にて、本発明の半導体装置１０１が製造される。
【００３１】
本発明の半導体装置１０１の信頼性試験を実施するため、本発明の半導体装置１０１を、図３に示すように第二の配線基板１１０に実装する。半導体装置１０１の配線基板１０２の外部接続用端子（パッド）と、第二の配線基板１１０の半導体装置搭載部とをはんだボール１１１で電気的に接続した。
【００３２】
＜比較例１＞
比較例１として、保護樹脂１０８を充填しない半導体装置を製造した。保護樹脂１０８を充填しない点以外は、同様の工程にて製造した後、半導体装置の配線基板１０２の外部接続用端子（パッド）と、第二の配線基板１１０の半導体装置搭載部とをはんだボール１１１で電気的に接続した。
＜比較例２＞
比較例２として、半導体チップ１０４とスティフナ１０６の間にエポキシ系樹脂を充填した半導体装置の配線基板１０２の外部接続用端子（パッド）と、第二の配線基板１１０の半導体装置搭載部とをはんだボール１１１で電気的に接続した。
【００３３】
［温度サイクル試験（ＴＣＴ）による信頼性評価］
実施例１の半導体装置１０１および比較例１及び２によって得られた半導体装置について、信頼性評価試験を行った。試験に用いた配線基板１０２の大きさは４５ｍｍ角であり、スティフナ１０６の開口部分の大きさは３０ｍｍ角である。また、使用した半導体チップ１０４の大きさは、２０ｍｍ角である。
【００３４】
温度サイクル試験（ＴＣＴ）は、気相にて−４０℃の温度条件を３０分と１２５℃の温度条件に３０分さらすサイクルを３５００回繰り返した。各温度の切り替え時間については、装置の能力の許す限り速やかに行った。
【００３５】
保護樹脂１０８を充填した実施例１の半導体装置１０１では、３５００サイクル後も、導体抵抗値上昇率は１０％以下であった。一方、保護樹脂１０８を充填しない比較例１の半導体装置では、断線等によりオープンとなり、導体抵抗値は計測不可能であった。断面観察により、半導体チップ１０４とスティフナ１０６の間の裏面にあるはんだボール１１１にクラックが入っていた。また、エポキシ樹脂を充填した比較例２の半導体装置においても、断線等によりオープンとなり、導体抵抗値は計測不可能であった。比較例１の断面観察により、半導体チップ１０４とスティフナ１０６の間の裏面にあるはんだボール１１１および半導体装置の最外周にあるはんだボール１１１にクラックが入っていた。エポキシ樹脂を充填した比較例２の半導体装置では、アンダーフィル層１０３と充填したエポキシ樹脂との境目にもクラックが観察された。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、配線基板、半導体パッケージ、あるいは機能モジュール等の半導体装置１０１に使用できる。
【符号の説明】
【００３７】
１０１・・・半導体装置
１０２・・・配線基板
１０３・・・アンダーフィル層
１０４・・・半導体チップ
１０５・・・バンプ
１０６・・・スティフナ
１０７・・・スティフナ接着剤
１０８・・・保護樹脂
１０９・・・リッド（蓋材）
１１０・・・第二の配線基板
１１１・・・はんだボール
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、半導体パッケージあるいは機能モジュール等の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、絶縁層に樹脂フィルムを用いた配線基板が多く用いられるようになった。絶縁フィルムを用いた配線基板は、基板全体の厚みを抑えることが出来る点で大変優れている。しかし、薄い基板は反りが生じやすく、また反りによって半導体チップの実装時に不具合が発生する恐れがある。
【０００３】
薄型の配線基板の補強として、スティフナを貼り付ける方法が知られている（特許文献１)。スティフナを貼り付けることにより、基板全体の反りを低下させることができる。このスティフナ付き配線基板には、半導体チップとスティフナの間に薄型の配線基板のみの部分が存在する。薄型の配線基板のみの部分は半導体チップ、スティフナ等の剛性の高い材料に保持されていないため、これらの部分と比較して強度が低い。温度サイクル等の負荷をかけた際に、応力が薄型の配線基板のみの部分に集中する恐れがある。
【０００４】
スティフナと薄型の配線基板の間の強度を高める方法として、補強樹脂を充填する方法（特許文献２）、第二のスティフナを配置する方法が報告されている(特許文献３)。補強樹脂および第二のスティフナを固定する樹脂にはエポキシ樹脂が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２８４０９７号公報
【特許文献２】特開２０００−１３３７４１号公報
【特許文献３】特開２００７−２２７５５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
薄型の配線基板の半導体チップとスティフナの間を埋めるためには、エポキシ樹脂等の熱硬化樹脂は、弾性率が高く変形しにくいために適さない。弾性率が高い樹脂で補強すると、温度サイクル等による熱膨張などに耐え切れず、クラック等が発生する恐れがあるからである。そこで本発明では、弾性率が低く変形しやすい樹脂を用いて半導体チップとスティフナの間を埋め、柔軟性を有しながら配線基板を保護することが可能となる、信頼性の優れた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明は、半導体チップの搭載された導電パターンを有する配線基板において、該配線基板はスティフナを具備しており、かつ、前記配線基板の上の半導体チップとスティフナの間の領域に弾性率が０．５ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の保護樹脂を充填したことを特徴とする半導体装置である。
【０００８】
また、本発明は、上記配線基板の厚さが０．０５ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であることを特徴とする上記の半導体装置である。
【０００９】
また、本発明は、上記保護樹脂が、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂から選択された材料であることを特徴とする上記の半導体装置である。
【００１０】
また、本発明は、上記保護樹脂の厚さが６０μｍ以上であることを特徴とする上記の半導体装置である。
【００１１】
また、本発明は、上記半導体チップと上記配線基板が、フリップチップ接続されていることを特徴とする上記の半導体装置である。
【発明の効果】
【００１２】
半導体チップとスティフナの間を弾性率の低い樹脂で満たすことによって、柔軟性を有しながら配線基板を保護することが可能となり、信頼性が高い配線基板、半導体パッケージ、あるいは機能モジュール等となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施の形態における半導体装置を示す模式断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の一例を説明する模式断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態における半導体装置を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の半導体装置１０１は、図１（a）に示されるように、半導体チップ１０４が配線基板１０２に搭載され、基板の外周部にスティフナ１０６を貼り付け、配線基板１０２上の、半導体チップ１０４とスティフナ１０６の間の領域に保護樹脂１０８を充填したことを特徴とする半導体装置１０１である。
【００１５】
本発明の半導体装置１０１では、配線基板１０２上の、半導体チップ１０４とスティフナ１０６の間の領域に保護樹脂１０８を充填することにより、温度サイクル等の負荷がかかった際の半導体装置構成材料の伸縮が緩和され、信頼性を向上させることができる。この効果は特に配線基板１０２が薄い場合に有効である。具体的には、配線基板１０２の厚さが０．０５ｍｍ以上０．６ｍｍ以下のときに特に有効である。０．０５ｍｍ以下であると、配線基板１０２が薄すぎるために保護樹脂１０８による効果が弱く、０．６ｍｍ以上であると、保護樹脂１０８を用いる必要がなくなる。配線基板１０２を薄くすることにより、高密度化、軽量化が期待できる。
【００１６】
配線基板１０２は、ポリイミド等の絶縁樹脂層と銅などの導体層からなる。絶縁樹脂層には、エポキシ系樹脂等を用いることも可能である。導電パターンを一層のみ有する片面配線基板、導電パターンを二層有する両面配線基板、多層の導電パターンを持つ多層配線基板のいずれも使用可能である。配線基板１０２は、図３のように第二の配線基板１１０とはんだボール１１１等を介して接続するための外部接続端子（パッド）を有している。
【００１７】
スティフナ１０６には銅、銅の合金、ステンレス、アルミニウム、４２アロイ等の金属あるいは、樹脂、セラミック等を用いることができる。スティフナ接着剤１０７にはエポキシ系樹脂の接着剤などの公知の接着剤を用いればよい。
【００１８】
保護樹脂１０８には、弾性率が０．５ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の範囲の樹脂を用いることが好ましい。これにより、温度サイクル等における半導体装置構成材料の伸縮を緩和しながら、さらに配線基板１０２を保護することが可能となる。弾性率が０．５ＭＰａ以下だと、容易に変形できるために、保護樹脂１０８としての効力が十分でない。また、弾性率が１０ＭＰａ以上であると、温度サイクル等の負荷をかけた際、半導体装置構成材料の伸縮を緩和できない恐れがある。保護樹脂１０８として、具体的にはシリコーン樹脂を用いることができる。シリコーン樹脂は弾性率が低く、変形しやすいことを特徴とする。これにより、柔軟性を有しながら保護することが可能となる。
【００１９】
保護樹脂１０８の厚さは６０μｍ以上であることが望ましい。６０μｍ以下であると、保護樹脂１０８としての効果を十分に発揮することができない。６０μｍ以上であれば、いずれの厚さでも可能であり、半導体チップ１０４の厚さに応じて厚さを変えることも可能である。半導体チップ１０４、スティフナ１０６の上も保護樹脂１０８で覆い、その上にリッド（蓋体）１０９を配置することもできる。また、シリコーン樹脂の他には、保護樹脂１０８としてウレタン樹脂等を用いることもできる。
【００２０】
本発明に用いる半導体チップ１０４としては、トランジスタ、ダイオード、ＩＣチップ等、さらには、セラミックコンデンサ、セラミック抵抗等の受動部品も搭載可能である。半導体チップ１０４をフェイスダウンしてバンプ１０５で薄型の配線基板１０２に電気接続させるフリップチップ接続は、半導体装置１０１の薄型化、高密度化が図れるために特に効果的であるが、ワイヤボンディング等フェイスアップの半導体チップ１０４を用いることも可能である。
【００２１】
アンダーフィル層１０３を形成する材料には、公知の絶縁樹脂を用いることが可能である。シリカ等のフィラーを含有したエポキシ樹脂を用いることが一般的である。アンダーフィル層１０３を形成することにより、フリップチップ接続のバンプ１０５による接続部を保護するとともに、半導体チップ１０４と配線基板１０２の熱膨張等による効力を緩和することができる。
【００２２】
また、図１（ｂ）に示すように、半導体チップ１０４の上部にリッド１０９を配置しても良い。リッド（蓋体）１０９としては、金属、セラミックス、ガラス等公知の材料を用いることができる。また、保護樹脂１０８を半導体チップ１０４およびスティフナ１０６の上まで塗布し、その上にリッド１０９を取り付けることも可能である。リッド１０９を取り付けることにより、放熱特性を向上させることができる。さらに、剛性を高めることによる信頼性向上の効果も期待できる。また、熱伝導性の高いフィラー等が含まれた保護樹脂１０８を用いて半導体チップ１０４の上まで覆った後にリッド１０９を取り付けることにより、さらに高い放熱効果を発揮させることが可能となる。
【００２３】
次に、本発明の半導体装置１０１の製造方法について説明する。本発明の製造方法は、導電パターンが形成された配線基板１０２にスティフナ１０６を貼り付ける工程、半導体チップ１０４を実装する工程、保護樹脂１０８を充填する工程から構成されている。以下に詳細に説明する。
【００２４】
まず、薄型の配線基板１０２にスティフナ１０６を貼り付ける。少なくとも半導体チップ１０４の搭載部を設けてある導電パターンに、接着剤を介してスティフナ１０６を貼り付ける（図２（ｂ））。スティフナ接着剤１０７には公知の材料を使用可能である。具体的には、エポキシ樹脂の接着剤を使用することができる。このとき、半導体チップ１０４を先に実装することも可能であるが、先にスティフナ１０６を貼り付けることによって薄型の配線基板１０２の反りを低下させることができ、半導体チップ１０４を実装しやすくできる。
【００２５】
次に、スティフナ１０６付き配線基板１０２に半導体チップ１０４を実装する（図２（ｃ））。前述のように、実装方法としては半導体チップ１０４をバンプ１０５で配線基板１０２の配線に電気接続するフリップチップ接続、あるいは、ワイヤボンディング接続等の公知の接続方法を用いることができる。また、フリップチップ接続を行うとき必要に応じてアンダーフィル層１０３を形成する（図２（ｄ））。アンダーフィル層１０３を形成する材料についても、公知の絶縁樹脂を用いることが可能である。具体的には、シリカを充填したエポキシ樹脂を用いることができる。
【００２６】
次に、図２（ｅ）に示すように、保護樹脂１０８を半導体チップ１０４とスティフナ１０６の間に充填する。また、図１（ｃ）で示したように、半導体チップ１０４上にリッド１０９を取り付けた構造としてもよい。
【００２７】
本発明の半導体装置１０１の製造方法として、配線基板１０２に半導体チップ１０４を実装し、アンダーフィル層１０３を形成した後、スティフナ１０６を貼り付け、保護樹脂１０８を充填することも可能である（図２（ｂ'）、（ｃ'））。
以上の工程で、本発明の半導体装置１０１を製造することができる。
【実施例】
【００２８】
＜実施例１＞
本発明に係る半導体装置１０１の実施例１を図面に基づいて以下に説明する。まず図２（ａ）に示すような薄型の配線基板１０２を用意する。薄型の配線基板１０２は、Ｃｕを主体とした導電パターンを有し、絶縁樹脂層にはポリイミドを用いている。次に図２（ｂ）に示すように、エポキシ系樹脂のスティフナ接着剤１０７を用いて、配線基板１０２にスティフナ１０６を貼り付ける。
【００２９】
次に、配線基板１０２の半導体チップ搭載部に半導体チップ１０４を固着し、半導体チップ１０４と配線基板１０２とを電気的に接続する。半導体チップ１０４は配線基板１０２にバンプ１０５で電気接続させフリップチップ接続した。その後、図２（ｄ）に示すように、半導体チップ１０４と配線基板１０２との間にアンダーフィル層１０３を形成する。
【００３０】
次に、図２（ｅ）に示すように、半導体チップ１０４とスティフナ１０６の間を保護樹脂１０８にて充填した。保護樹脂１０８にはシリコーン樹脂を使用した。ここで充填した保護樹脂１０８の厚さは３００μｍであった。以上の工程にて、本発明の半導体装置１０１が製造される。
【００３１】
本発明の半導体装置１０１の信頼性試験を実施するため、本発明の半導体装置１０１を、図３に示すように第二の配線基板１１０に実装する。半導体装置１０１の配線基板１０２の外部接続用端子（パッド）と、第二の配線基板１１０の半導体装置搭載部とをはんだボール１１１で電気的に接続した。
【００３２】
＜比較例１＞
比較例１として、保護樹脂１０８を充填しない半導体装置を製造した。保護樹脂１０８を充填しない点以外は、同様の工程にて製造した後、半導体装置の配線基板１０２の外部接続用端子（パッド）と、第二の配線基板１１０の半導体装置搭載部とをはんだボール１１１で電気的に接続した。
＜比較例２＞
比較例２として、半導体チップ１０４とスティフナ１０６の間にエポキシ系樹脂を充填した半導体装置の配線基板１０２の外部接続用端子（パッド）と、第二の配線基板１１０の半導体装置搭載部とをはんだボール１１１で電気的に接続した。
【００３３】
［温度サイクル試験（ＴＣＴ）による信頼性評価］
実施例１の半導体装置１０１および比較例１及び２によって得られた半導体装置について、信頼性評価試験を行った。試験に用いた配線基板１０２の大きさは４５ｍｍ角であり、スティフナ１０６の開口部分の大きさは３０ｍｍ角である。また、使用した半導体チップ１０４の大きさは、２０ｍｍ角である。
【００３４】
温度サイクル試験（ＴＣＴ）は、気相にて−４０℃の温度条件を３０分と１２５℃の温度条件に３０分さらすサイクルを３５００回繰り返した。各温度の切り替え時間については、装置の能力の許す限り速やかに行った。
【００３５】
保護樹脂１０８を充填した実施例１の半導体装置１０１では、３５００サイクル後も、導体抵抗値上昇率は１０％以下であった。一方、保護樹脂１０８を充填しない比較例１の半導体装置では、断線等によりオープンとなり、導体抵抗値は計測不可能であった。断面観察により、半導体チップ１０４とスティフナ１０６の間の裏面にあるはんだボール１１１にクラックが入っていた。また、エポキシ樹脂を充填した比較例２の半導体装置においても、断線等によりオープンとなり、導体抵抗値は計測不可能であった。比較例１の断面観察により、半導体チップ１０４とスティフナ１０６の間の裏面にあるはんだボール１１１および半導体装置の最外周にあるはんだボール１１１にクラックが入っていた。エポキシ樹脂を充填した比較例２の半導体装置では、アンダーフィル層１０３と充填したエポキシ樹脂との境目にもクラックが観察された。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、配線基板、半導体パッケージ、あるいは機能モジュール等の半導体装置１０１に使用できる。
【符号の説明】
【００３７】
１０１・・・半導体装置
１０２・・・配線基板
１０３・・・アンダーフィル層
１０４・・・半導体チップ
１０５・・・バンプ
１０６・・・スティフナ
１０７・・・スティフナ接着剤
１０８・・・保護樹脂
１０９・・・リッド（蓋材）
１１０・・・第二の配線基板
１１１・・・はんだボール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの搭載された導電パターンを有する配線基板において、該配線基板はスティフナを具備しており、かつ、前記配線基板の上の半導体チップとスティフナの間の領域に弾性率が０．５ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の保護樹脂を充填したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記配線基板の厚さが０．０５ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記保護樹脂が、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂から選択された材料であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記保護樹脂の厚さが６０μｍ以上であることを特徴とする請求項１から３の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップと前記配線基板が、フリップチップ接続されていることを特徴とする請求項１から４の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項１】
半導体チップの搭載された導電パターンを有する配線基板において、該配線基板はスティフナを具備しており、かつ、前記配線基板の上の半導体チップとスティフナの間の領域に弾性率が０．５ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の保護樹脂を充填したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記配線基板の厚さが０．０５ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記保護樹脂が、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂から選択された材料であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記保護樹脂の厚さが６０μｍ以上であることを特徴とする請求項１から３の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップと前記配線基板が、フリップチップ接続されていることを特徴とする請求項１から４の何れか一項記載の半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１０−２０５８８７（Ｐ２０１０−２０５８８７Ａ）
【公開日】平成２２年９月１６日（２０１０．９．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−４９１２８（Ｐ２００９−４９１２８）
【出願日】平成２１年３月３日（２００９．３．３）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月１６日（２０１０．９．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月３日（２００９．３．３）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
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