半導体装置用トレイ
【課題】半導体装置に衝撃が加わってしまうことを十分に抑制する。
【解決手段】半導体装置用トレイ１００は、半導体装置５０に沿うように変形する可撓性でシート状の緩衝材１、２と、緩衝材１、２の周縁部を保持する枠状の本体部３であって緩衝材１、２を介して半導体装置５０を保持する本体部３と、を有する。半導体装置用トレイ１００は、複数の半導体装置用トレイ１００を積み重ねて用いるように構成されている。半導体装置用トレイ１００は、半導体装置５０の下面を面支持する第１の緩衝材１と、半導体装置用トレイ１００よりも一段下段に位置する他の半導体装置用トレイ１００の第１の緩衝材１により面支持された半導体装置５０の上面に沿うように変形する第２の緩衝材２とを有する。
【解決手段】半導体装置用トレイ１００は、半導体装置５０に沿うように変形する可撓性でシート状の緩衝材１、２と、緩衝材１、２の周縁部を保持する枠状の本体部３であって緩衝材１、２を介して半導体装置５０を保持する本体部３と、を有する。半導体装置用トレイ１００は、複数の半導体装置用トレイ１００を積み重ねて用いるように構成されている。半導体装置用トレイ１００は、半導体装置５０の下面を面支持する第１の緩衝材１と、半導体装置用トレイ１００よりも一段下段に位置する他の半導体装置用トレイ１００の第１の緩衝材１により面支持された半導体装置５０の上面に沿うように変形する第２の緩衝材２とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用トレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の搬送時などに半導体装置を収容するトレイとしては、例えば、特許文献１に記載されたものがある。特許文献１のトレイは、凹状の収納部と、収納部に設けられた緩衝部と、を有し、緩衝部によって半導体装置を支持するように構成されている。より具体的には、緩衝部にはテーパー状の複数の突起部が形成され、これら突起部によって半導体装置を支持するようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−００２８７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１のトレイでは、複数の突起部によって半導体装置を支持する構成であるため、半導体装置に衝撃が加わってしまうことを十分に抑制することは困難だった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、半導体装置に沿うように変形する可撓性でシート状の緩衝材と、
前記緩衝材の周縁部を保持する枠状の本体部であって前記緩衝材を介して前記半導体装置を保持する本体部と、
を有することを特徴とする半導体装置用トレイを提供する。
【０００６】
この半導体装置用トレイによれば、半導体装置に沿うように変形する可撓性でシート状の緩衝材を有し、この緩衝材を介して、枠状の本体部によって半導体装置を保持するように構成されている。このため、緩衝材が半導体装置の形状にフィットした状態となって、半導体装置を保持することができる。よって、半導体装置用トレイの落下時等、半導体装置用トレイに衝撃が加わった際に、緩衝材が半導体装置と一体的に挙動しつつ変形するような動作を呈することができるため、半導体装置に衝撃が加わってしまうことを十分に抑制することができる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、半導体装置に衝撃が加わってしまうことを十分に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置用トレイの使用時を示す断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置用トレイを示す断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体装置用トレイを示す平面図である。
【図４】第２の実施形態に係る半導体装置用トレイの使用時を示す断面図である。
【図５】第２の実施形態に係る半導体装置用トレイを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜、説明を省略する。
【００１０】
〔第１の実施形態〕
図１は第１の実施形態に係る半導体装置用トレイ１００の使用時を示す断面図である。図２は半導体装置用トレイ１００を示す断面図、図３は半導体装置用トレイ１００を示す平面図である。なお、図２は図３のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００１１】
本実施形態に係る半導体装置用トレイ１００は、半導体装置５０に沿うように変形する可撓性でシート状の緩衝材（第１の緩衝材１と第２の緩衝材２）と、緩衝材の周縁部を保持する枠状の本体部３であって緩衝材を介して半導体装置５０を保持する本体部３と、を有する。以下、詳細に説明する。
【００１２】
図３に示すように、本体部３は、例えば、複数の貫通孔４を格子状に（マトリクス状の配置で）有する枠状体である。各貫通孔４は、本体部３の表裏を貫通している。各貫通孔４は、例えば、平面形状が矩形状となっている。
【００１３】
本体部３は、第１及び第２緩衝材１、２よりも剛性が大きい材質により構成されている。具体的には、本体部３は、例えば、金属又は樹脂により構成されている。
【００１４】
図２に示すように、第１及び第２の緩衝材１、２は、それぞれ、シート状に形成されている。これら第１及び第２の緩衝材１、２は、半導体装置５０（図１）に沿うように変形する可撓性の材質により構成されている。
【００１５】
第１及び第２の緩衝材１、２の材質としては、例えば、ゴム又は樹脂などの高分子材料が挙げられる。
【００１６】
第１及び第２の緩衝材１、２は、ＥＳＡ（ＥｌｅｃｔｏＳｔａｔｉｃ Ａｔｔｒａｃｔｉｏｎ）対策（静電気対策）のために導電性であることが好ましい。具体的には、第１及び第２の緩衝材１、２は、導電性ゴムであることが好ましい一例である。或いは、第１及び第２の緩衝材１、２は、ポリビニル等の樹脂の表面に導電性材料（例えばアルミ等）を塗布したことにより、導電性とされたものであっても構わない。
【００１７】
また、第１及び第２の緩衝材１、２は、耐熱性にも優れていることが好ましく、例えば、導電性の耐熱ゴムにより構成することができる。
【００１８】
第１及び第２の緩衝材１、２は、本体部３の各貫通孔４を塞ぐように、本体部３に設けられている。第１の緩衝材１は、各貫通孔４の上部を塞ぐように本体部３に設けられている。一方、第２の緩衝材２は、各貫通孔４の下部を塞ぐように本体部３に設けられている。第１の緩衝材１と第２の緩衝材２とに挟まれた領域は中空６となっている。第１の緩衝材１と第２の緩衝材２とは互いにほぼ平行に配置されている。
【００１９】
図２に示すように、第１の緩衝材１は、例えば、予め、その上面が下側に窪む凹形状に形成されていることが好ましい一例である。この凹部５の底面は、例えば、平坦に形成され、且つ、半導体装置５０の下面の寸法とほぼ等しく設定されている。このように、第１の緩衝材１は、予め、半導体装置５０の外形に沿う形状に形成されている。
【００２０】
一方、第２の緩衝材２は、例えば、平坦に形成されている。
【００２１】
第１及び第２の緩衝材１、２は、可撓性であるとともに、伸縮性を有している。このため、半導体装置５０の形状に沿うように、半導体装置５０と一体的に変形（伸縮）することが可能である。
【００２２】
図１に示すように、第１及び第２の緩衝材１、２は、半導体装置５０を面支持するように配置されている。
【００２３】
より具体的には、半導体装置用トレイ１００は、複数の半導体装置用トレイ１００を積み重ねて用いるように構成されている。例えば、本体部３の上面の複数箇所には、他の半導体装置用トレイ１００の本体部３の下面と係合する係合部（例えば、凸部又は凹部等）が形成され、本体部３の下面の複数箇所には、他の半導体装置用トレイ１００の本体部３の上面と係合する被係合部（例えば、凹部又は凸部等）が形成されている。本体部３にこれら係合部及び被係合部が形成されているので、複数の半導体装置用トレイ１００を積み重ねた状態を容易に保つことができるようになっている。
【００２４】
そして、半導体装置用トレイ１００は、半導体装置５０の下面を面支持する第１の緩衝材１と、半導体装置用トレイ１００よりも一段下段に位置する他の半導体装置用トレイ１００の第１の緩衝材１により面支持された半導体装置５０の上面に沿うように変形する第２の緩衝材２と、を有する。
【００２５】
次に、図１を参照して動作を説明する。
【００２６】
なお、以下では、説明を分かりやすくするために、図１に示される３段の半導体装置用トレイ１００のうち、最上段の半導体装置用トレイ１００を半導体装置用トレイ１０１、中段の半導体装置用トレイ１００を半導体装置用トレイ１０２、最下段の半導体装置用トレイ１００を半導体装置用トレイ１０３と称する場合がある。
【００２７】
例えば、先ず、半導体装置用トレイ１０３の各第１の緩衝材１の上にそれぞれ半導体装置５０を配置する。ここで、半導体装置５０は、樹脂封止された半導体パッケージである。そして、半導体装置５０の下面が凹部５に配置されるように、各半導体装置５０を位置決めする。
【００２８】
ここで、凹部５の底面は平坦であり、且つ、半導体装置５０の下面とほぼ等しい寸法に設定されているため、第１の緩衝材１の凹部５によって半導体装置５０の下面が面支持される。
【００２９】
次に、半導体装置用トレイ１０３の上に、半導体装置用トレイ１０２を積み重ねる。この際に、半導体装置用トレイ１０２の第２の緩衝材２の下面が、半導体装置用トレイ１０３の第１の緩衝材１の上に配置されている半導体装置５０の上面に当接し、半導体装置５０の上面に沿うように変形する（伸びる）。こうして、半導体装置用トレイ１０３の第１の緩衝材１の上面と、半導体装置用トレイ１０２の第２の緩衝材２の下面とにより、半導体装置５０を上下から包み込むようにして（挟み込むようにして）保持することができる。
【００３０】
なお、このように、第２の緩衝材２は、半導体装置５０を保持する際に該半導体装置５０に沿うように変形するような形状及び配置に設定されている。
【００３１】
次に、半導体装置用トレイ１０２の各第１の緩衝材１の上にも、同様に半導体装置５０を配置する。
【００３２】
次に、半導体装置用トレイ１０２の上に、半導体装置用トレイ１０１を積み重ねる。これにより、半導体装置用トレイ１０２の第１の緩衝材１の上面と、半導体装置用トレイ１０１の第２の緩衝材２の下面とにより、半導体装置５０を上下から包み込むようにして保持することができる。
【００３３】
そして、このように複数の半導体装置用トレイ１００によって半導体装置５０を保持した状態で半導体装置用トレイ１００に衝撃が加わった際には、第１及び第２の緩衝材１、２は、半導体装置５０の外形に沿った状態のまま、半導体装置５０と一体的に挙動しつつ（半導体装置５０に伴って変位しつつ）変形する。これにより、半導体装置５０への衝撃を十分に抑制することができる。
【００３４】
なお、１つの半導体装置用トレイ１００を単体で用いるときには、第１の緩衝材１の凹部５に半導体装置５０を載置すると良い。凹部５が半導体装置５０の形状に沿うような形状であるため、第１の緩衝材１の上面において半導体装置５０を好適に保持することができる。
【００３５】
以上のような第１の実施形態によれば、半導体装置用トレイ１００は、半導体装置５０に沿うように変形する可撓性でシート状の第１及び第２の緩衝材１、２を有し、これら第１及び第２の緩衝材１、２を介して、枠状の本体部３によって半導体装置５０を保持するように構成されている。このため、第１及び第２の緩衝材１、２が半導体装置５０の形状にフィットした状態となって、半導体装置５０を保持することができる。よって、半導体装置用トレイ１００の落下時等、半導体装置用トレイ１００に衝撃が加わった際に、第１及び第２の緩衝材１、２が半導体装置５０と一体的に挙動しつつ変形するような動作を呈することができる。これにより、半導体装置５０に衝撃が加わってしまうことを十分に抑制することができる。
【００３６】
また、半導体装置用トレイ１００は、複数の半導体装置用トレイ１００を積み重ねて用いるように構成され、半導体装置５０の下面を面支持する第１の緩衝材１と、半導体装置用トレイ１００よりも一段下段に位置する他の半導体装置用トレイ１００の第１の緩衝材１により面支持された半導体装置５０の上面に沿うように変形する第２の緩衝材２と、を有する。よって、半導体装置用トレイ１００の第２の緩衝材２の下面と、一段下段の半導体装置用トレイ１００の第１の緩衝材１の上面と、により半導体装置５０を上下から包み込むようにして保持することができる。これにより、半導体装置５０に衝撃が加わってしまうことを一層十分に抑制することができる。
【００３７】
〔第２の実施形態〕
図４は第２の実施形態に係る半導体装置用トレイ２００の使用時を示す断面図、図５は半導体装置用トレイ２００を示す断面図である。
【００３８】
本実施形態の場合、例えば、第１の緩衝材１の弾性率が第２の緩衝材２の弾性率よりも小さい。第１の緩衝材１と第２の緩衝材２との材質をそれぞれ適切に選択することによって、すなわち、第１の緩衝材１を第２の緩衝材２よりも柔らかい材質により構成することによって、第１の緩衝材１の弾性率を第２の緩衝材２の弾性率よりも小さくすることができる。このようにすることにより、半導体装置用トレイ２００に衝撃が加わった際に、半導体装置５０に伴う第１の緩衝材１の挙動をより容易に実現することができる。よって、図４に示すように、例えばＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）などのように一方の面に端子５１が形成されている半導体装置５０の端子面（端子５１が形成されている面）を下側にして、半導体装置用トレイ２００によって半導体装置５０を保持することにより、端子面を優先的に保護することができる。
【００３９】
また、本実施形態の場合、第１の緩衝材１の凹部５の形状は、第１の実施形態よりも半導体装置５０の外形の形状に近い形状に設定されている。すなわち、図５に示すように、凹部５の側壁５ａの傾斜角度は、凹部５の周囲の部分の傾斜角度よりも大きくなっている。これにより、より一層、第１の緩衝材１が半導体装置５０にフィットすることができる。
【００４０】
衝撃による半導体装置５０の損傷としては、端子５１の損傷が比較的多い。このような事情に対し、第２の実施形態によれば、第１の緩衝材１の弾性率が第２の緩衝材２の弾性率よりも小さいので、半導体装置５０の端子面の損傷を好適に抑制することができる。
【００４１】
上記の各実施形態では、第１の緩衝材１に凹部５が形成されている例を説明したが、第２の緩衝材２も、その下面が上側に向けて窪む凹形状（第１の緩衝材１と上下対称の形状）に形成されていても良い。或いは、第１の緩衝材１も、第２の緩衝材２と同様に平坦に形成されていても良い。
【００４２】
また、上記の第１の実施形態においても、第１の緩衝材１の弾性率を第２の緩衝材２の弾性率よりも小さくしても良い。
【００４３】
また、上記においては、第１及び第２の緩衝材１、２をメッシュ状に（網目状に）形成することによって、第１及び第２の緩衝材１、２の通気性を向上させても良い。或いは、第１及び第２の緩衝材１、２を防水性のものとすることにより、半導体装置５０の配置領域への水分の浸入を抑制することも好ましい。具体的には、例えば、半導体装置５０の上側に配置される第２の緩衝材２を防水性とし、半導体装置５０の下側に配置される第１の緩衝材１をメッシュ状にすることが挙げられる。
【００４４】
また、第１及び第２の緩衝材１、２が本体部３に対して着脱自在なように、半導体装置用トレイ１００、２００を構成しても良い。
具体的には、例えば、シート状の第１の緩衝材１の寸法を、本体部３の上面の全面を覆う寸法に設定し、第１の緩衝材１の一部分（例えば、各貫通孔４の周囲４箇所ずつ）を、本体部３の上面に形成された係合部としての凹部に嵌め込む構成とすることが挙げられる。或いは、第１の緩衝材１の一部分（例えば、各貫通孔４の周囲４箇所ずつ）に孔を形成し、この孔に、本体部３の上面に形成された係合部としての凸部を嵌め込む構成とすることが挙げられる。
同様に、シート状の第２の緩衝材２の寸法を、本体部３の下面の全面を覆う寸法に設定し、第２の緩衝材２の一部分に孔を形成し、この孔に、本体部３の下面に形成された被係合部としての凸部を嵌め込む構成としたり、或いは、第２の緩衝材２の一部分を、本体部３の下面に形成された被係合部としての凹部に嵌め込む構成としたりしても良い。
これらの構成により、第１及び第２の緩衝材１、２を本体部３に対して容易に着脱することができる。
【符号の説明】
【００４５】
１ 第１の緩衝材
２ 第２の緩衝材
３ 本体部
４ 貫通孔
５ 凹部
５ａ 側壁
６ 中空
５０ 半導体装置
５１ 端子
１００、１０１、１０２、１０３ 半導体装置用トレイ
２００ 半導体装置用トレイ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用トレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の搬送時などに半導体装置を収容するトレイとしては、例えば、特許文献１に記載されたものがある。特許文献１のトレイは、凹状の収納部と、収納部に設けられた緩衝部と、を有し、緩衝部によって半導体装置を支持するように構成されている。より具体的には、緩衝部にはテーパー状の複数の突起部が形成され、これら突起部によって半導体装置を支持するようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−００２８７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１のトレイでは、複数の突起部によって半導体装置を支持する構成であるため、半導体装置に衝撃が加わってしまうことを十分に抑制することは困難だった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、半導体装置に沿うように変形する可撓性でシート状の緩衝材と、
前記緩衝材の周縁部を保持する枠状の本体部であって前記緩衝材を介して前記半導体装置を保持する本体部と、
を有することを特徴とする半導体装置用トレイを提供する。
【０００６】
この半導体装置用トレイによれば、半導体装置に沿うように変形する可撓性でシート状の緩衝材を有し、この緩衝材を介して、枠状の本体部によって半導体装置を保持するように構成されている。このため、緩衝材が半導体装置の形状にフィットした状態となって、半導体装置を保持することができる。よって、半導体装置用トレイの落下時等、半導体装置用トレイに衝撃が加わった際に、緩衝材が半導体装置と一体的に挙動しつつ変形するような動作を呈することができるため、半導体装置に衝撃が加わってしまうことを十分に抑制することができる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、半導体装置に衝撃が加わってしまうことを十分に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置用トレイの使用時を示す断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置用トレイを示す断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体装置用トレイを示す平面図である。
【図４】第２の実施形態に係る半導体装置用トレイの使用時を示す断面図である。
【図５】第２の実施形態に係る半導体装置用トレイを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜、説明を省略する。
【００１０】
〔第１の実施形態〕
図１は第１の実施形態に係る半導体装置用トレイ１００の使用時を示す断面図である。図２は半導体装置用トレイ１００を示す断面図、図３は半導体装置用トレイ１００を示す平面図である。なお、図２は図３のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００１１】
本実施形態に係る半導体装置用トレイ１００は、半導体装置５０に沿うように変形する可撓性でシート状の緩衝材（第１の緩衝材１と第２の緩衝材２）と、緩衝材の周縁部を保持する枠状の本体部３であって緩衝材を介して半導体装置５０を保持する本体部３と、を有する。以下、詳細に説明する。
【００１２】
図３に示すように、本体部３は、例えば、複数の貫通孔４を格子状に（マトリクス状の配置で）有する枠状体である。各貫通孔４は、本体部３の表裏を貫通している。各貫通孔４は、例えば、平面形状が矩形状となっている。
【００１３】
本体部３は、第１及び第２緩衝材１、２よりも剛性が大きい材質により構成されている。具体的には、本体部３は、例えば、金属又は樹脂により構成されている。
【００１４】
図２に示すように、第１及び第２の緩衝材１、２は、それぞれ、シート状に形成されている。これら第１及び第２の緩衝材１、２は、半導体装置５０（図１）に沿うように変形する可撓性の材質により構成されている。
【００１５】
第１及び第２の緩衝材１、２の材質としては、例えば、ゴム又は樹脂などの高分子材料が挙げられる。
【００１６】
第１及び第２の緩衝材１、２は、ＥＳＡ（ＥｌｅｃｔｏＳｔａｔｉｃ Ａｔｔｒａｃｔｉｏｎ）対策（静電気対策）のために導電性であることが好ましい。具体的には、第１及び第２の緩衝材１、２は、導電性ゴムであることが好ましい一例である。或いは、第１及び第２の緩衝材１、２は、ポリビニル等の樹脂の表面に導電性材料（例えばアルミ等）を塗布したことにより、導電性とされたものであっても構わない。
【００１７】
また、第１及び第２の緩衝材１、２は、耐熱性にも優れていることが好ましく、例えば、導電性の耐熱ゴムにより構成することができる。
【００１８】
第１及び第２の緩衝材１、２は、本体部３の各貫通孔４を塞ぐように、本体部３に設けられている。第１の緩衝材１は、各貫通孔４の上部を塞ぐように本体部３に設けられている。一方、第２の緩衝材２は、各貫通孔４の下部を塞ぐように本体部３に設けられている。第１の緩衝材１と第２の緩衝材２とに挟まれた領域は中空６となっている。第１の緩衝材１と第２の緩衝材２とは互いにほぼ平行に配置されている。
【００１９】
図２に示すように、第１の緩衝材１は、例えば、予め、その上面が下側に窪む凹形状に形成されていることが好ましい一例である。この凹部５の底面は、例えば、平坦に形成され、且つ、半導体装置５０の下面の寸法とほぼ等しく設定されている。このように、第１の緩衝材１は、予め、半導体装置５０の外形に沿う形状に形成されている。
【００２０】
一方、第２の緩衝材２は、例えば、平坦に形成されている。
【００２１】
第１及び第２の緩衝材１、２は、可撓性であるとともに、伸縮性を有している。このため、半導体装置５０の形状に沿うように、半導体装置５０と一体的に変形（伸縮）することが可能である。
【００２２】
図１に示すように、第１及び第２の緩衝材１、２は、半導体装置５０を面支持するように配置されている。
【００２３】
より具体的には、半導体装置用トレイ１００は、複数の半導体装置用トレイ１００を積み重ねて用いるように構成されている。例えば、本体部３の上面の複数箇所には、他の半導体装置用トレイ１００の本体部３の下面と係合する係合部（例えば、凸部又は凹部等）が形成され、本体部３の下面の複数箇所には、他の半導体装置用トレイ１００の本体部３の上面と係合する被係合部（例えば、凹部又は凸部等）が形成されている。本体部３にこれら係合部及び被係合部が形成されているので、複数の半導体装置用トレイ１００を積み重ねた状態を容易に保つことができるようになっている。
【００２４】
そして、半導体装置用トレイ１００は、半導体装置５０の下面を面支持する第１の緩衝材１と、半導体装置用トレイ１００よりも一段下段に位置する他の半導体装置用トレイ１００の第１の緩衝材１により面支持された半導体装置５０の上面に沿うように変形する第２の緩衝材２と、を有する。
【００２５】
次に、図１を参照して動作を説明する。
【００２６】
なお、以下では、説明を分かりやすくするために、図１に示される３段の半導体装置用トレイ１００のうち、最上段の半導体装置用トレイ１００を半導体装置用トレイ１０１、中段の半導体装置用トレイ１００を半導体装置用トレイ１０２、最下段の半導体装置用トレイ１００を半導体装置用トレイ１０３と称する場合がある。
【００２７】
例えば、先ず、半導体装置用トレイ１０３の各第１の緩衝材１の上にそれぞれ半導体装置５０を配置する。ここで、半導体装置５０は、樹脂封止された半導体パッケージである。そして、半導体装置５０の下面が凹部５に配置されるように、各半導体装置５０を位置決めする。
【００２８】
ここで、凹部５の底面は平坦であり、且つ、半導体装置５０の下面とほぼ等しい寸法に設定されているため、第１の緩衝材１の凹部５によって半導体装置５０の下面が面支持される。
【００２９】
次に、半導体装置用トレイ１０３の上に、半導体装置用トレイ１０２を積み重ねる。この際に、半導体装置用トレイ１０２の第２の緩衝材２の下面が、半導体装置用トレイ１０３の第１の緩衝材１の上に配置されている半導体装置５０の上面に当接し、半導体装置５０の上面に沿うように変形する（伸びる）。こうして、半導体装置用トレイ１０３の第１の緩衝材１の上面と、半導体装置用トレイ１０２の第２の緩衝材２の下面とにより、半導体装置５０を上下から包み込むようにして（挟み込むようにして）保持することができる。
【００３０】
なお、このように、第２の緩衝材２は、半導体装置５０を保持する際に該半導体装置５０に沿うように変形するような形状及び配置に設定されている。
【００３１】
次に、半導体装置用トレイ１０２の各第１の緩衝材１の上にも、同様に半導体装置５０を配置する。
【００３２】
次に、半導体装置用トレイ１０２の上に、半導体装置用トレイ１０１を積み重ねる。これにより、半導体装置用トレイ１０２の第１の緩衝材１の上面と、半導体装置用トレイ１０１の第２の緩衝材２の下面とにより、半導体装置５０を上下から包み込むようにして保持することができる。
【００３３】
そして、このように複数の半導体装置用トレイ１００によって半導体装置５０を保持した状態で半導体装置用トレイ１００に衝撃が加わった際には、第１及び第２の緩衝材１、２は、半導体装置５０の外形に沿った状態のまま、半導体装置５０と一体的に挙動しつつ（半導体装置５０に伴って変位しつつ）変形する。これにより、半導体装置５０への衝撃を十分に抑制することができる。
【００３４】
なお、１つの半導体装置用トレイ１００を単体で用いるときには、第１の緩衝材１の凹部５に半導体装置５０を載置すると良い。凹部５が半導体装置５０の形状に沿うような形状であるため、第１の緩衝材１の上面において半導体装置５０を好適に保持することができる。
【００３５】
以上のような第１の実施形態によれば、半導体装置用トレイ１００は、半導体装置５０に沿うように変形する可撓性でシート状の第１及び第２の緩衝材１、２を有し、これら第１及び第２の緩衝材１、２を介して、枠状の本体部３によって半導体装置５０を保持するように構成されている。このため、第１及び第２の緩衝材１、２が半導体装置５０の形状にフィットした状態となって、半導体装置５０を保持することができる。よって、半導体装置用トレイ１００の落下時等、半導体装置用トレイ１００に衝撃が加わった際に、第１及び第２の緩衝材１、２が半導体装置５０と一体的に挙動しつつ変形するような動作を呈することができる。これにより、半導体装置５０に衝撃が加わってしまうことを十分に抑制することができる。
【００３６】
また、半導体装置用トレイ１００は、複数の半導体装置用トレイ１００を積み重ねて用いるように構成され、半導体装置５０の下面を面支持する第１の緩衝材１と、半導体装置用トレイ１００よりも一段下段に位置する他の半導体装置用トレイ１００の第１の緩衝材１により面支持された半導体装置５０の上面に沿うように変形する第２の緩衝材２と、を有する。よって、半導体装置用トレイ１００の第２の緩衝材２の下面と、一段下段の半導体装置用トレイ１００の第１の緩衝材１の上面と、により半導体装置５０を上下から包み込むようにして保持することができる。これにより、半導体装置５０に衝撃が加わってしまうことを一層十分に抑制することができる。
【００３７】
〔第２の実施形態〕
図４は第２の実施形態に係る半導体装置用トレイ２００の使用時を示す断面図、図５は半導体装置用トレイ２００を示す断面図である。
【００３８】
本実施形態の場合、例えば、第１の緩衝材１の弾性率が第２の緩衝材２の弾性率よりも小さい。第１の緩衝材１と第２の緩衝材２との材質をそれぞれ適切に選択することによって、すなわち、第１の緩衝材１を第２の緩衝材２よりも柔らかい材質により構成することによって、第１の緩衝材１の弾性率を第２の緩衝材２の弾性率よりも小さくすることができる。このようにすることにより、半導体装置用トレイ２００に衝撃が加わった際に、半導体装置５０に伴う第１の緩衝材１の挙動をより容易に実現することができる。よって、図４に示すように、例えばＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）などのように一方の面に端子５１が形成されている半導体装置５０の端子面（端子５１が形成されている面）を下側にして、半導体装置用トレイ２００によって半導体装置５０を保持することにより、端子面を優先的に保護することができる。
【００３９】
また、本実施形態の場合、第１の緩衝材１の凹部５の形状は、第１の実施形態よりも半導体装置５０の外形の形状に近い形状に設定されている。すなわち、図５に示すように、凹部５の側壁５ａの傾斜角度は、凹部５の周囲の部分の傾斜角度よりも大きくなっている。これにより、より一層、第１の緩衝材１が半導体装置５０にフィットすることができる。
【００４０】
衝撃による半導体装置５０の損傷としては、端子５１の損傷が比較的多い。このような事情に対し、第２の実施形態によれば、第１の緩衝材１の弾性率が第２の緩衝材２の弾性率よりも小さいので、半導体装置５０の端子面の損傷を好適に抑制することができる。
【００４１】
上記の各実施形態では、第１の緩衝材１に凹部５が形成されている例を説明したが、第２の緩衝材２も、その下面が上側に向けて窪む凹形状（第１の緩衝材１と上下対称の形状）に形成されていても良い。或いは、第１の緩衝材１も、第２の緩衝材２と同様に平坦に形成されていても良い。
【００４２】
また、上記の第１の実施形態においても、第１の緩衝材１の弾性率を第２の緩衝材２の弾性率よりも小さくしても良い。
【００４３】
また、上記においては、第１及び第２の緩衝材１、２をメッシュ状に（網目状に）形成することによって、第１及び第２の緩衝材１、２の通気性を向上させても良い。或いは、第１及び第２の緩衝材１、２を防水性のものとすることにより、半導体装置５０の配置領域への水分の浸入を抑制することも好ましい。具体的には、例えば、半導体装置５０の上側に配置される第２の緩衝材２を防水性とし、半導体装置５０の下側に配置される第１の緩衝材１をメッシュ状にすることが挙げられる。
【００４４】
また、第１及び第２の緩衝材１、２が本体部３に対して着脱自在なように、半導体装置用トレイ１００、２００を構成しても良い。
具体的には、例えば、シート状の第１の緩衝材１の寸法を、本体部３の上面の全面を覆う寸法に設定し、第１の緩衝材１の一部分（例えば、各貫通孔４の周囲４箇所ずつ）を、本体部３の上面に形成された係合部としての凹部に嵌め込む構成とすることが挙げられる。或いは、第１の緩衝材１の一部分（例えば、各貫通孔４の周囲４箇所ずつ）に孔を形成し、この孔に、本体部３の上面に形成された係合部としての凸部を嵌め込む構成とすることが挙げられる。
同様に、シート状の第２の緩衝材２の寸法を、本体部３の下面の全面を覆う寸法に設定し、第２の緩衝材２の一部分に孔を形成し、この孔に、本体部３の下面に形成された被係合部としての凸部を嵌め込む構成としたり、或いは、第２の緩衝材２の一部分を、本体部３の下面に形成された被係合部としての凹部に嵌め込む構成としたりしても良い。
これらの構成により、第１及び第２の緩衝材１、２を本体部３に対して容易に着脱することができる。
【符号の説明】
【００４５】
１ 第１の緩衝材
２ 第２の緩衝材
３ 本体部
４ 貫通孔
５ 凹部
５ａ 側壁
６ 中空
５０ 半導体装置
５１ 端子
１００、１０１、１０２、１０３ 半導体装置用トレイ
２００ 半導体装置用トレイ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置に沿うように変形する可撓性でシート状の緩衝材と、
前記緩衝材の周縁部を保持する枠状の本体部であって前記緩衝材を介して前記半導体装置を保持する本体部と、
を有することを特徴とする半導体装置用トレイ。
【請求項２】
前記緩衝材は前記半導体装置を面支持するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用トレイ。
【請求項３】
前記半導体装置用トレイは、複数の前記半導体装置用トレイを積み重ねて用いるように構成され、
前記半導体装置用トレイは、
前記半導体装置の下面を面支持する第１の前記緩衝材と、
当該半導体装置用トレイよりも一段下段に位置する他の半導体装置用トレイの前記第１の緩衝材により面支持された前記半導体装置の上面に沿うように変形する第２の前記緩衝材と、
を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置用トレイ。
【請求項４】
前記第１の緩衝材の弾性率が前記第２の緩衝材の弾性率よりも小さいことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置用トレイ。
【請求項５】
前記緩衝材は、予め、前記半導体装置の外形に沿う形状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の半導体装置用トレイ。
【請求項６】
前記緩衝材はゴム又は樹脂により構成されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の半導体装置用トレイ。
【請求項７】
前記緩衝材は網目状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の半導体装置用トレイ。
【請求項８】
前記緩衝材は防水性であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の半導体装置用トレイ。
【請求項９】
前記緩衝材は前記本体部に対して着脱自在であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の半導体装置用トレイ。
【請求項１】
半導体装置に沿うように変形する可撓性でシート状の緩衝材と、
前記緩衝材の周縁部を保持する枠状の本体部であって前記緩衝材を介して前記半導体装置を保持する本体部と、
を有することを特徴とする半導体装置用トレイ。
【請求項２】
前記緩衝材は前記半導体装置を面支持するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用トレイ。
【請求項３】
前記半導体装置用トレイは、複数の前記半導体装置用トレイを積み重ねて用いるように構成され、
前記半導体装置用トレイは、
前記半導体装置の下面を面支持する第１の前記緩衝材と、
当該半導体装置用トレイよりも一段下段に位置する他の半導体装置用トレイの前記第１の緩衝材により面支持された前記半導体装置の上面に沿うように変形する第２の前記緩衝材と、
を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置用トレイ。
【請求項４】
前記第１の緩衝材の弾性率が前記第２の緩衝材の弾性率よりも小さいことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置用トレイ。
【請求項５】
前記緩衝材は、予め、前記半導体装置の外形に沿う形状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の半導体装置用トレイ。
【請求項６】
前記緩衝材はゴム又は樹脂により構成されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の半導体装置用トレイ。
【請求項７】
前記緩衝材は網目状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の半導体装置用トレイ。
【請求項８】
前記緩衝材は防水性であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の半導体装置用トレイ。
【請求項９】
前記緩衝材は前記本体部に対して着脱自在であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の半導体装置用トレイ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１１−２５１７３０（Ｐ２０１１−２５１７３０Ａ）
【公開日】平成２３年１２月１５日（２０１１．１２．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１２６２８２（Ｐ２０１０−１２６２８２）
【出願日】平成２２年６月１日（２０１０．６．１）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月１５日（２０１１．１２．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月１日（２０１０．６．１）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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