回路基板の製造方法および回路基板
【課題】導体回路精度に優れた回路基板の製造方法および回路基板を提供することである。
【解決手段】基材１０５と、基材１０５の少なくとも一方の面側に金属層１０１が形成された積層板１０を用意する工程と、金属層１０１の表面に開口部を設けた第一のレジスト層２２を形成する工程と、第一のレジスト層２２の開口部にめっきにより導体部３１を形成する工程と、第一のレジスト層２２を除去する工程と、金属層１０１および導体部３１の全面を覆うように第二のレジスト層５１を形成する工程と、第二のレジスト層５１の一部を除去し、導体部の側面と上面とを第二のレジスト層で覆うとともに、金属層１０１を露出させる工程と、エッチングにより露出している金属層１０１を除去し基材１０５表面を露出させる工程と、を含むことを特徴とする回路基板１の製造方法である。
【解決手段】基材１０５と、基材１０５の少なくとも一方の面側に金属層１０１が形成された積層板１０を用意する工程と、金属層１０１の表面に開口部を設けた第一のレジスト層２２を形成する工程と、第一のレジスト層２２の開口部にめっきにより導体部３１を形成する工程と、第一のレジスト層２２を除去する工程と、金属層１０１および導体部３１の全面を覆うように第二のレジスト層５１を形成する工程と、第二のレジスト層５１の一部を除去し、導体部の側面と上面とを第二のレジスト層で覆うとともに、金属層１０１を露出させる工程と、エッチングにより露出している金属層１０１を除去し基材１０５表面を露出させる工程と、を含むことを特徴とする回路基板１の製造方法である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法および回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板へ導体回路を形成する方法には、大別してサブトラクティブ法とセミアディティブ法が知られている。セミアディティブ法では、導体回路の精細度を決定する要因が、フォトリソグラフィ法でもちいるめっきマスク（フォトマスク）の精度に依存するために、セミアディティブ法で形成する導体回路の精度は、サブトラクティブ法においてエッチング法で形成する導体回路の精度に比べると、回路幅精度に優れた工法である。従って、高精細な導体回路を形成する手法としては、セミアディティブ法が有利である。
【０００３】
セミアディティブ法により配線基板を製造する方法について、例えば、特開２００３−３７１３７号公報に記載されている（特許文献１）。図４、５は、従来のセミアディティブ法により、導体回路を形成する際の回路基板の製造方法を示す工程の断面図である。
【０００４】
まず、図４（ａ）に示した絶縁樹脂からなる基材１０５の少なくとも一方の面側に、金属層１０１が形成された積層板１０を用意する。その後、図４（ｂ）に示すように、感光性レジストフィルム（ＤＦＲともいう）を金属層１０１を覆うように真空ラミネータなどをもちいてラミネートする。次に、金属層１０１表面に所望の導体回路にあたる部分が開口するように、めっきマスク重ね、露光、現像を行うフォトリソグラフィ法によってレジストパターンを形成する（図４（ｃ）（ｄ））。
【０００５】
次に、図４（ｅ）に示すように、レジストパターンの開口部分に露出している金属層１０１の上に、電気めっき法で導体層を積層して導体部３１とする。その後、図５（ａ）に示すように、剥離液またはアルカリ溶液にてレジストパターンの全部を除去して、露出した金属層１０１を溶解して除去すれば、図５（ｂ）に示すように、所望の配線回路のみが基材１０５の上に残ることにより、回路基板３が製造される。
【０００６】
しかしながら、このようなセミアディティブ法では、形成したレジストパターンを除去した後、基材面に残っている金属層をエッチング液などを用いて除去するが、金属層と同時に電気めっきで形成された導体回路も同時にエッチングされてしまい所望の導体回路が得られないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３７１３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、導体回路精度に優れた回路基板の製造方法および回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による回路基板の製造方法は、基材と、前記基材の少なくとも一方の面側に金属層が形成された積層板を用意する工程と、前記金属層の表面に開口部を設けた第一のレジスト層を形成する工程と、前記第一のレジスト層の前記開口部にめっきにより導体部を形成する工程と、前記第一のレジスト層を除去する工程と、前記金属層および前記導体部の全面を覆うように第二のレジスト層を形成する工程と、前記第二のレジスト層の一部を除去し、前記導体部の側面と上面とを前記第二のレジスト層で覆うとともに、前記金属層を露出させる工程と、エッチングにより露出している前記金属層を除去して前記基材表面を露出させる工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
この回路基板の製造方法においては、第二のレジスト層の一部を除去し、導体部の側面と上面とを第二のレジスト層で覆うとともに、金属層を露出させるようにし、その後、エッチングにより露出している金属層を除去する。これにより、金属層をエッチングによって除去されるとき、導体部が第二のレジスト層で覆われているので、導体部がエッチングされることがないので導体回路精度に優れた回路基板の製造方法を提供することができる。
【００１１】
また、前記第二のレジスト層は、感光性樹脂であってもよい。
【００１２】
また、前記第二のレジスト層を除去する工程は、前記第二のレジスト層の上面に第二のメッキマスクを所定の位置に載置する工程と、光を照射することにより前記導体部の周縁の第二のレジスト層を反応させる工程と、前記反応させた第二のレジスト層以外を除去する工程とを含んでいてもよい。
【００１３】
また、上記の方法で得られた回路基板としてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、導体回路精度に優れた回路基板の製造方法および回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の回路基板の一実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の回路基板の製造方法の一実施形態を示す工程の断面図である。
【図３】本発明の回路基板の製造方法の一実施形態を示す工程の断面図である。
【図４】従来の回路基板の製造方法を示す工程の断面図である。
【図５】従来の回路基板の製造方法を示す工程の断面図である。
【図６】回路基板の製造方法の他の実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の回路基板の製造方法および回路基板について添付する好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００１７】
図１は、基材１０５と、基材１０５の少なくとも一方の面側に金属層１０２を介して導体部３１が形成された回路基板１を示す断面図である。
【００１８】
本発明の回路基板１の製造方法について説明する（図２、図３参照）。例えばポリイミド樹脂フィルム、エポキシ樹脂などを硬化させた基材１０５の片面に銅箔が金属層１０１として付いた積層板１０を用意する（図２（ａ））。金属層として金属薄膜を用いる場合は、乾式法では真空蒸着法やスパッタリング法などが好適に用いられ、湿式法としては電解めっき法、無電解めっき法などがもちいられる。膜厚は、０．０５μｍ〜５μｍが好ましく、より好ましくは０．１μｍ〜２μｍである。金属種としてニッケル、クロム、コバルト、モリブデン、バナジウム、タングステンまたは銅などの単一金属か、またはそれらの合金薄膜が好適である。また、極薄金属箔を用いる場合は、金属種としては、ステンレス、ニッケル、アルミ、鉄、銅などがもちいられ、エッチング性などから銅がより好適に用いられる。金属箔の厚さは、５μｍ〜１０μｍが好ましく用いられる。本実施形態では、金属層１０１として２μｍの銅箔を用いた。
【００１９】
次に、金属層１０１の表面に第一のレジスト層２１を形成する。第一のレジスト層２１としては、特に限定はされないが、液状タイプ（液状レジスト）、フィルムタイプ（ドライフィルム）などを用いることができる。液状レジストの場合は、スクリーン印刷法、コータ法などを用いて形成することができる。また、ドライフィルムの場合は、真空ラミネータなどを用いて形成することが出来る（図２（ｂ））。本実施形態においては、ネガ型のドライフィルムを第一のレジスト層２１として用いた。第一のレジスト層２１の厚さは、所望の導体部の導体の厚さによって決定されるが、例えば、１０μｍ〜５０μｍが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２５μｍである。例えば、２０μｍの導体の厚さの導体部を得ようとした場合、導体部の導体の厚さよりも厚くなるように形成することが好ましく、例えば、厚さ２５μｍの第一のレジスト層２１を形成する（図２（ｄ））。
【００２０】
次に、図示はしていないが、第一のレジスト層２１面側にめっきマスクを所定の位置に配置する。第一のレジスト層２１とめっきマスクは、接触していてもよいし、非接触であってもよい。非接触の方が、めっきマスクの汚染を低減でき、また、第一のレジスト層２１とめっきマスクとを吸引によって密着させる工程が省かれるため効率のよい生産ができることからより好ましい。次に露光を行い導体部３１となるところの第一のレジスト層２１を反応させて硬化する（図２（ｃ））。次に現像を行い露光工程で反応していない第一のめっきレジスト層２１を除去し、反応した第一のレジスト層２２を形成する。
【００２１】
次に、図２（ｅ）に示すように、反応していない第一のめっきレジスト層２１を除去した開口部の底部の金属層１０１の上に、金属導体層からなる導体部３１を形成する。金属導体としては、銅、銀、金、ニッケルまたは錫であるか、または、はんだのようにこれらからなる群から選ばれた２種以上からなる合金であり、銅の単体が選択されることが好ましい。導体部３１の形成方法は、乾式法よりも成膜速度の速い湿式法を用いることが一般的であり、好ましくは電気めっき法が使用される。銅をもって導体部３１を形成する場合には、硫酸銅めっき液、ピロリン酸銅めっき液などが使用できるが、硫酸銅めっき液の使用が好ましい。導体部３１の厚さは、上述した第一のレジスト層２１の厚さより薄くすることが好ましく、例えば５μｍ〜３５μｍ、好ましくは８μｍ〜２５μｍであるが、用途によって適宜、最適な厚さとすることが望ましい。
【００２２】
次に、反応した第一のレジスト層２２を剥離する（図３（ａ））。通常、反応した第一のレジスト層２２は、専用の剥離液またはアルカリ溶液を用いて剥離する。
【００２３】
続いて、金属層１０１および導体部３１の全面を覆うように第二のレジスト層５１を形成する（図３（ｂ））。第二のレジスト層５１としては、感光性樹脂であることがこのましい。これにより、導体部３１とマスクとの位置合わせをおこない露光現像する工程を選択することができるので位置精度を向上させることができる。また、感光性樹脂には、例えば、ポジ型、ネガ型などを用いることができる。
【００２４】
第二のレジスト層５１としては、特に限定はされないが、液状タイプ（液状レジスト）、フィルムタイプ（ドライフィルム）などを用いることができる。導体部３１への被覆性を考慮した場合、液状レジストを用いることが好ましい。
液状レジストの場合は、スクリーン印刷法、コータ法など形成することができる。また、両面に導体部３１が形成されている両面回路基板を用いる場合は、両面回路基板を液状レジスト中に浸漬することにより両面同時に第二のレジスト層５１を形成することが可能である。レジスト膜の形成された形状は、例えば、液状レジストをスクリーン印刷法で行った場合、工程断面図である図３（ｂ）のように、略平坦な表面を持った形状にしてもよいし、図６に示すように、導体部３１が形成されている領域と形成されていない領域で畝（うね）状になっていてもよい。このような場合には、導体部３１の全面、導体部３１間で露出している金属層１０１の表面が第二のレジスト層５１で被膜の厚さが異なっていても確実に覆われているようになっていればよい。
ドライフィルムの場合は、真空ラミネータなどを用いて形成することが出来る。本実施形態においては、ネガ型の液状レジストを第二のレジスト層５１とし、スクリーン印刷法によって第二のレジスト層５１を得た。
【００２５】
次に、図示はしていないが、第二のレジスト層５１面側にマスクを所定の位置に配置する。第二のレジスト層５１とマスクは、接触していてもよいし、非接触であってもよい。非接触の方が、めっきマスクの汚染を低減でき、また、第二のレジスト層５１とマスクとを吸引によって密着させる工程が省かれるため効率のよい生産ができることからより好ましい。
【００２６】
次に露光を行い導体部３１の周縁部の第二のレジスト層５１を反応させて反応した第二のレジスト層５３を形成する（図３（ｃ））。このとき、反応させる第二のレジスト層５３の領域は、導体部３１の回路幅より広い領域を反応させる。例えば、導体部３１の回路幅が５０μｍであれば、６０μｍ以上とすることが好ましい。これにより、マスクと導体部３１とに位置ズレが生じたとしても確実に導体部３１の側縁面を反応した第二のレジスト層５３で覆うことができる。
次に現像を行い露光工程で反応していない第二のめっきレジスト層５１を除去し、反応した第二のレジスト層５３を形成する（図３（ｄ））。
【００２７】
次に、図３（ｅ）に示すように、反応した第二のレジスト層５３で覆われた導体部３１の開口部に露出している金属層１０１をエッチング等により除去し、基材表面を露出させそれぞれの導体部３１が絶縁されるようにする（図３（ｅ））。このとき、導体部の上面、側縁部は反応した第二のレジスト層５３で覆われているので、金属層１０１をエッチングで除去している間、導体部３１がエッチング液にさらされるのを防ぐことが可能となる。また、開口部の金属層１０１をエッチングにより除去していく工程において、反応した第二のレジスト層５３が傘のような役割となり金属層１０２が所定の幅以上にエッチングによって除去されるのを防ぐ効果も併せ持つことができる。
【００２８】
次に、反応した第二のレジスト層５３を剥離し、所望の導体部３１を有する回路基板を得る（図３（ｆ））。反応した第二のレジスト層５３は、専用の剥離液またはアルカリ溶液を用いて剥離する。
【００２９】
以上、本発明の回路基板およびその製造方法について添付図面に記載する片面の回路基板１を例示して説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、両面に導体部を有する両面回路基板等に用いることも可能である。
【００３０】
本実施形態では、基材１０５と、基材１０５の少なくとも一方の面側に金属層１０１が形成された積層板１０を用意し、金属層１０１の表面に開口部を設けた反応した第一のレジスト層２２を形成する。次に、反応した第一のレジスト層２２の開口部にめっきにより導体部３１を形成したあと、反応した第一のレジスト層２２を除去する。次に、金属層１０１および導体部３１の全面を覆うように第二のレジスト層５１を形成し、第二のレジスト層５１の一部を除去し、導体部３１の側面と上面とを反応した第二のレジスト層５３で覆うとともに、金属層１０１を露出させ、エッチングにより露出している金属層１０１を除去することにより回路基板を得ることができる。
【００３１】
この回路基板の製造方法においては、第二のレジスト層の一部を除去し、導体部の側面と上面とを第二のレジスト層で覆うとともに、金属層を露出させるようにし、その後、エッチングにより露出している金属層を除去する。これにより、金属層をエッチングによって除去されるとき、導体部が第二のレジスト層で覆われているので、導体部がエッチングされることがないので導体回路精度に優れた回路基板の製造方法とすることができる。
【実施例】
【００３２】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
積層板は、基材の厚さが２５μｍのポリイミドフィルムを用い、金属層として厚さ５μｍの銅箔を用いた。銅箔表面に第一のレジスト層として、厚さ２５μｍのドライフィルムレジストを真空ラミネータで積層し、露光、現像することにより、開口部が５０μｍの第一のレジスト層を形成した。その後、電解銅めっきにより厚さが２０μｍとなるように行い導体部を形成した後、ドライフィルムレジスト層をアルカリ剥離液により剥離した。次に、第二のレジスト層として液状レジストをスクリーン印刷機で印刷することにより導体部の側面と上面とを液状レジストにより覆った。マスクとしては、導体部よりも片側２０μｍ広い９０μｍ幅の露光部分をもつネガフィルムを用意し、露光、現像を行うことにより、基材面に積層している銅箔が露出するようにした。エッチング液として塩化第二銅を用い露出している銅箔を溶解させ、基材を露出させた。次に、残っていた液状レジスト層を剥離し回路基板を得た。得られた回路基板は、導体部の幅が約５０μｍとなり、ドライフィルムレジスト層の開口部と略同一のものが得られたことを確認した。
【符号の説明】
【００３３】
１、３ 回路基板
１０ 積層板
１０１、１０２ 金属層
１０５ 基材
２１ 第一のレジスト層
２２ 反応した第一のレジスト層
３１、３３ 導体部
５１ 第二のレジスト層
５３ 反応した第二のレジスト層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法および回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板へ導体回路を形成する方法には、大別してサブトラクティブ法とセミアディティブ法が知られている。セミアディティブ法では、導体回路の精細度を決定する要因が、フォトリソグラフィ法でもちいるめっきマスク（フォトマスク）の精度に依存するために、セミアディティブ法で形成する導体回路の精度は、サブトラクティブ法においてエッチング法で形成する導体回路の精度に比べると、回路幅精度に優れた工法である。従って、高精細な導体回路を形成する手法としては、セミアディティブ法が有利である。
【０００３】
セミアディティブ法により配線基板を製造する方法について、例えば、特開２００３−３７１３７号公報に記載されている（特許文献１）。図４、５は、従来のセミアディティブ法により、導体回路を形成する際の回路基板の製造方法を示す工程の断面図である。
【０００４】
まず、図４（ａ）に示した絶縁樹脂からなる基材１０５の少なくとも一方の面側に、金属層１０１が形成された積層板１０を用意する。その後、図４（ｂ）に示すように、感光性レジストフィルム（ＤＦＲともいう）を金属層１０１を覆うように真空ラミネータなどをもちいてラミネートする。次に、金属層１０１表面に所望の導体回路にあたる部分が開口するように、めっきマスク重ね、露光、現像を行うフォトリソグラフィ法によってレジストパターンを形成する（図４（ｃ）（ｄ））。
【０００５】
次に、図４（ｅ）に示すように、レジストパターンの開口部分に露出している金属層１０１の上に、電気めっき法で導体層を積層して導体部３１とする。その後、図５（ａ）に示すように、剥離液またはアルカリ溶液にてレジストパターンの全部を除去して、露出した金属層１０１を溶解して除去すれば、図５（ｂ）に示すように、所望の配線回路のみが基材１０５の上に残ることにより、回路基板３が製造される。
【０００６】
しかしながら、このようなセミアディティブ法では、形成したレジストパターンを除去した後、基材面に残っている金属層をエッチング液などを用いて除去するが、金属層と同時に電気めっきで形成された導体回路も同時にエッチングされてしまい所望の導体回路が得られないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３７１３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、導体回路精度に優れた回路基板の製造方法および回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による回路基板の製造方法は、基材と、前記基材の少なくとも一方の面側に金属層が形成された積層板を用意する工程と、前記金属層の表面に開口部を設けた第一のレジスト層を形成する工程と、前記第一のレジスト層の前記開口部にめっきにより導体部を形成する工程と、前記第一のレジスト層を除去する工程と、前記金属層および前記導体部の全面を覆うように第二のレジスト層を形成する工程と、前記第二のレジスト層の一部を除去し、前記導体部の側面と上面とを前記第二のレジスト層で覆うとともに、前記金属層を露出させる工程と、エッチングにより露出している前記金属層を除去して前記基材表面を露出させる工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
この回路基板の製造方法においては、第二のレジスト層の一部を除去し、導体部の側面と上面とを第二のレジスト層で覆うとともに、金属層を露出させるようにし、その後、エッチングにより露出している金属層を除去する。これにより、金属層をエッチングによって除去されるとき、導体部が第二のレジスト層で覆われているので、導体部がエッチングされることがないので導体回路精度に優れた回路基板の製造方法を提供することができる。
【００１１】
また、前記第二のレジスト層は、感光性樹脂であってもよい。
【００１２】
また、前記第二のレジスト層を除去する工程は、前記第二のレジスト層の上面に第二のメッキマスクを所定の位置に載置する工程と、光を照射することにより前記導体部の周縁の第二のレジスト層を反応させる工程と、前記反応させた第二のレジスト層以外を除去する工程とを含んでいてもよい。
【００１３】
また、上記の方法で得られた回路基板としてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、導体回路精度に優れた回路基板の製造方法および回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の回路基板の一実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の回路基板の製造方法の一実施形態を示す工程の断面図である。
【図３】本発明の回路基板の製造方法の一実施形態を示す工程の断面図である。
【図４】従来の回路基板の製造方法を示す工程の断面図である。
【図５】従来の回路基板の製造方法を示す工程の断面図である。
【図６】回路基板の製造方法の他の実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の回路基板の製造方法および回路基板について添付する好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００１７】
図１は、基材１０５と、基材１０５の少なくとも一方の面側に金属層１０２を介して導体部３１が形成された回路基板１を示す断面図である。
【００１８】
本発明の回路基板１の製造方法について説明する（図２、図３参照）。例えばポリイミド樹脂フィルム、エポキシ樹脂などを硬化させた基材１０５の片面に銅箔が金属層１０１として付いた積層板１０を用意する（図２（ａ））。金属層として金属薄膜を用いる場合は、乾式法では真空蒸着法やスパッタリング法などが好適に用いられ、湿式法としては電解めっき法、無電解めっき法などがもちいられる。膜厚は、０．０５μｍ〜５μｍが好ましく、より好ましくは０．１μｍ〜２μｍである。金属種としてニッケル、クロム、コバルト、モリブデン、バナジウム、タングステンまたは銅などの単一金属か、またはそれらの合金薄膜が好適である。また、極薄金属箔を用いる場合は、金属種としては、ステンレス、ニッケル、アルミ、鉄、銅などがもちいられ、エッチング性などから銅がより好適に用いられる。金属箔の厚さは、５μｍ〜１０μｍが好ましく用いられる。本実施形態では、金属層１０１として２μｍの銅箔を用いた。
【００１９】
次に、金属層１０１の表面に第一のレジスト層２１を形成する。第一のレジスト層２１としては、特に限定はされないが、液状タイプ（液状レジスト）、フィルムタイプ（ドライフィルム）などを用いることができる。液状レジストの場合は、スクリーン印刷法、コータ法などを用いて形成することができる。また、ドライフィルムの場合は、真空ラミネータなどを用いて形成することが出来る（図２（ｂ））。本実施形態においては、ネガ型のドライフィルムを第一のレジスト層２１として用いた。第一のレジスト層２１の厚さは、所望の導体部の導体の厚さによって決定されるが、例えば、１０μｍ〜５０μｍが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２５μｍである。例えば、２０μｍの導体の厚さの導体部を得ようとした場合、導体部の導体の厚さよりも厚くなるように形成することが好ましく、例えば、厚さ２５μｍの第一のレジスト層２１を形成する（図２（ｄ））。
【００２０】
次に、図示はしていないが、第一のレジスト層２１面側にめっきマスクを所定の位置に配置する。第一のレジスト層２１とめっきマスクは、接触していてもよいし、非接触であってもよい。非接触の方が、めっきマスクの汚染を低減でき、また、第一のレジスト層２１とめっきマスクとを吸引によって密着させる工程が省かれるため効率のよい生産ができることからより好ましい。次に露光を行い導体部３１となるところの第一のレジスト層２１を反応させて硬化する（図２（ｃ））。次に現像を行い露光工程で反応していない第一のめっきレジスト層２１を除去し、反応した第一のレジスト層２２を形成する。
【００２１】
次に、図２（ｅ）に示すように、反応していない第一のめっきレジスト層２１を除去した開口部の底部の金属層１０１の上に、金属導体層からなる導体部３１を形成する。金属導体としては、銅、銀、金、ニッケルまたは錫であるか、または、はんだのようにこれらからなる群から選ばれた２種以上からなる合金であり、銅の単体が選択されることが好ましい。導体部３１の形成方法は、乾式法よりも成膜速度の速い湿式法を用いることが一般的であり、好ましくは電気めっき法が使用される。銅をもって導体部３１を形成する場合には、硫酸銅めっき液、ピロリン酸銅めっき液などが使用できるが、硫酸銅めっき液の使用が好ましい。導体部３１の厚さは、上述した第一のレジスト層２１の厚さより薄くすることが好ましく、例えば５μｍ〜３５μｍ、好ましくは８μｍ〜２５μｍであるが、用途によって適宜、最適な厚さとすることが望ましい。
【００２２】
次に、反応した第一のレジスト層２２を剥離する（図３（ａ））。通常、反応した第一のレジスト層２２は、専用の剥離液またはアルカリ溶液を用いて剥離する。
【００２３】
続いて、金属層１０１および導体部３１の全面を覆うように第二のレジスト層５１を形成する（図３（ｂ））。第二のレジスト層５１としては、感光性樹脂であることがこのましい。これにより、導体部３１とマスクとの位置合わせをおこない露光現像する工程を選択することができるので位置精度を向上させることができる。また、感光性樹脂には、例えば、ポジ型、ネガ型などを用いることができる。
【００２４】
第二のレジスト層５１としては、特に限定はされないが、液状タイプ（液状レジスト）、フィルムタイプ（ドライフィルム）などを用いることができる。導体部３１への被覆性を考慮した場合、液状レジストを用いることが好ましい。
液状レジストの場合は、スクリーン印刷法、コータ法など形成することができる。また、両面に導体部３１が形成されている両面回路基板を用いる場合は、両面回路基板を液状レジスト中に浸漬することにより両面同時に第二のレジスト層５１を形成することが可能である。レジスト膜の形成された形状は、例えば、液状レジストをスクリーン印刷法で行った場合、工程断面図である図３（ｂ）のように、略平坦な表面を持った形状にしてもよいし、図６に示すように、導体部３１が形成されている領域と形成されていない領域で畝（うね）状になっていてもよい。このような場合には、導体部３１の全面、導体部３１間で露出している金属層１０１の表面が第二のレジスト層５１で被膜の厚さが異なっていても確実に覆われているようになっていればよい。
ドライフィルムの場合は、真空ラミネータなどを用いて形成することが出来る。本実施形態においては、ネガ型の液状レジストを第二のレジスト層５１とし、スクリーン印刷法によって第二のレジスト層５１を得た。
【００２５】
次に、図示はしていないが、第二のレジスト層５１面側にマスクを所定の位置に配置する。第二のレジスト層５１とマスクは、接触していてもよいし、非接触であってもよい。非接触の方が、めっきマスクの汚染を低減でき、また、第二のレジスト層５１とマスクとを吸引によって密着させる工程が省かれるため効率のよい生産ができることからより好ましい。
【００２６】
次に露光を行い導体部３１の周縁部の第二のレジスト層５１を反応させて反応した第二のレジスト層５３を形成する（図３（ｃ））。このとき、反応させる第二のレジスト層５３の領域は、導体部３１の回路幅より広い領域を反応させる。例えば、導体部３１の回路幅が５０μｍであれば、６０μｍ以上とすることが好ましい。これにより、マスクと導体部３１とに位置ズレが生じたとしても確実に導体部３１の側縁面を反応した第二のレジスト層５３で覆うことができる。
次に現像を行い露光工程で反応していない第二のめっきレジスト層５１を除去し、反応した第二のレジスト層５３を形成する（図３（ｄ））。
【００２７】
次に、図３（ｅ）に示すように、反応した第二のレジスト層５３で覆われた導体部３１の開口部に露出している金属層１０１をエッチング等により除去し、基材表面を露出させそれぞれの導体部３１が絶縁されるようにする（図３（ｅ））。このとき、導体部の上面、側縁部は反応した第二のレジスト層５３で覆われているので、金属層１０１をエッチングで除去している間、導体部３１がエッチング液にさらされるのを防ぐことが可能となる。また、開口部の金属層１０１をエッチングにより除去していく工程において、反応した第二のレジスト層５３が傘のような役割となり金属層１０２が所定の幅以上にエッチングによって除去されるのを防ぐ効果も併せ持つことができる。
【００２８】
次に、反応した第二のレジスト層５３を剥離し、所望の導体部３１を有する回路基板を得る（図３（ｆ））。反応した第二のレジスト層５３は、専用の剥離液またはアルカリ溶液を用いて剥離する。
【００２９】
以上、本発明の回路基板およびその製造方法について添付図面に記載する片面の回路基板１を例示して説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、両面に導体部を有する両面回路基板等に用いることも可能である。
【００３０】
本実施形態では、基材１０５と、基材１０５の少なくとも一方の面側に金属層１０１が形成された積層板１０を用意し、金属層１０１の表面に開口部を設けた反応した第一のレジスト層２２を形成する。次に、反応した第一のレジスト層２２の開口部にめっきにより導体部３１を形成したあと、反応した第一のレジスト層２２を除去する。次に、金属層１０１および導体部３１の全面を覆うように第二のレジスト層５１を形成し、第二のレジスト層５１の一部を除去し、導体部３１の側面と上面とを反応した第二のレジスト層５３で覆うとともに、金属層１０１を露出させ、エッチングにより露出している金属層１０１を除去することにより回路基板を得ることができる。
【００３１】
この回路基板の製造方法においては、第二のレジスト層の一部を除去し、導体部の側面と上面とを第二のレジスト層で覆うとともに、金属層を露出させるようにし、その後、エッチングにより露出している金属層を除去する。これにより、金属層をエッチングによって除去されるとき、導体部が第二のレジスト層で覆われているので、導体部がエッチングされることがないので導体回路精度に優れた回路基板の製造方法とすることができる。
【実施例】
【００３２】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
積層板は、基材の厚さが２５μｍのポリイミドフィルムを用い、金属層として厚さ５μｍの銅箔を用いた。銅箔表面に第一のレジスト層として、厚さ２５μｍのドライフィルムレジストを真空ラミネータで積層し、露光、現像することにより、開口部が５０μｍの第一のレジスト層を形成した。その後、電解銅めっきにより厚さが２０μｍとなるように行い導体部を形成した後、ドライフィルムレジスト層をアルカリ剥離液により剥離した。次に、第二のレジスト層として液状レジストをスクリーン印刷機で印刷することにより導体部の側面と上面とを液状レジストにより覆った。マスクとしては、導体部よりも片側２０μｍ広い９０μｍ幅の露光部分をもつネガフィルムを用意し、露光、現像を行うことにより、基材面に積層している銅箔が露出するようにした。エッチング液として塩化第二銅を用い露出している銅箔を溶解させ、基材を露出させた。次に、残っていた液状レジスト層を剥離し回路基板を得た。得られた回路基板は、導体部の幅が約５０μｍとなり、ドライフィルムレジスト層の開口部と略同一のものが得られたことを確認した。
【符号の説明】
【００３３】
１、３ 回路基板
１０ 積層板
１０１、１０２ 金属層
１０５ 基材
２１ 第一のレジスト層
２２ 反応した第一のレジスト層
３１、３３ 導体部
５１ 第二のレジスト層
５３ 反応した第二のレジスト層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材の少なくとも一方の面側に金属層が形成された積層板を用意する工程と、
前記金属層の表面に開口部を設けた第一のレジスト層を形成する工程と、
前記第一のレジスト層の前記開口部にめっきにより導体部を形成する工程と、
前記第一のレジスト層を除去する工程と、
前記金属層および前記導体部の全面を覆うように第二のレジスト層を形成する工程と、
前記第二のレジスト層の一部を除去し、前記導体部の側面と上面とを前記第二のレジスト層で覆うとともに、前記金属層を露出させる工程と、
エッチングにより露出している前記金属層を除去し前記基材表面を露出させる工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記第二のレジスト層を除去する工程は、前記第二のレジスト層の上面に第二のメッキマスクを所定の位置に載置する工程と、光を照射することにより前記導体部の周縁の第二のレジスト層を反応させる工程と、前記反応させた第二のレジスト層以外を除去する工程とを含む請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記第二のレジスト層は、感光性樹脂である請求項１または２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記金属層は、スパッタリング法により形成されたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記金属層は、極薄金属箔である請求項１ないし３のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかの方法で得られた回路基板。
【請求項１】
基材と、前記基材の少なくとも一方の面側に金属層が形成された積層板を用意する工程と、
前記金属層の表面に開口部を設けた第一のレジスト層を形成する工程と、
前記第一のレジスト層の前記開口部にめっきにより導体部を形成する工程と、
前記第一のレジスト層を除去する工程と、
前記金属層および前記導体部の全面を覆うように第二のレジスト層を形成する工程と、
前記第二のレジスト層の一部を除去し、前記導体部の側面と上面とを前記第二のレジスト層で覆うとともに、前記金属層を露出させる工程と、
エッチングにより露出している前記金属層を除去し前記基材表面を露出させる工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記第二のレジスト層を除去する工程は、前記第二のレジスト層の上面に第二のメッキマスクを所定の位置に載置する工程と、光を照射することにより前記導体部の周縁の第二のレジスト層を反応させる工程と、前記反応させた第二のレジスト層以外を除去する工程とを含む請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記第二のレジスト層は、感光性樹脂である請求項１または２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記金属層は、スパッタリング法により形成されたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記金属層は、極薄金属箔である請求項１ないし３のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかの方法で得られた回路基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１１−１５１１５９（Ｐ２０１１−１５１１５９Ａ）
【公開日】平成２３年８月４日（２０１１．８．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１０５８１（Ｐ２０１０−１０５８１）
【出願日】平成２２年１月２１日（２０１０．１．２１）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年８月４日（２０１１．８．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１月２１日（２０１０．１．２１）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
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