回路基板
【課題】コスト低減及び歩留まり向上を図りつつ容易に検査を行うことができる回路基板を提供する。
【解決手段】第１導通ランド１１と、第２導通ランド１２と、第１と第２導通ランド１１，１２とその中間領域とに亘る開口部１５ａを有するマスク１５と、開口部１５ａに配されて第１と第２導通ランド１１，１２を接続するリフロー半田１６と、を有し、開口部１５ａは実質的に楕円形であって、中間領域は開口部１５ａの長手方向における中央に位置し、第１と第２導通ランド１１，１２は、開口部１５ａ長手方向においてそれぞれ反対側に位置し、第１の端部と第２の端部はそれぞれ直線かつ互いに平行に向き合い、それぞれ半楕円形である。
【解決手段】第１導通ランド１１と、第２導通ランド１２と、第１と第２導通ランド１１，１２とその中間領域とに亘る開口部１５ａを有するマスク１５と、開口部１５ａに配されて第１と第２導通ランド１１，１２を接続するリフロー半田１６と、を有し、開口部１５ａは実質的に楕円形であって、中間領域は開口部１５ａの長手方向における中央に位置し、第１と第２導通ランド１１，１２は、開口部１５ａ長手方向においてそれぞれ反対側に位置し、第１の端部と第２の端部はそれぞれ直線かつ互いに平行に向き合い、それぞれ半楕円形である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定の回路パターンが形成された回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に回路基板の設計においては、基板に形成する回路の設計、設計値に従った回路基板の製造、及び製造された回路基板の試験が順に行われる。試験により不具合が見つかった場合には、意図通りの回路が形成されるまで、回路の設計変更、設計変更した回路基板の製造、及びその回路基板の試験が繰り返し行われる。従来から回路基板の試験を容易にするために、設計の段階で予め０Ω抵抗素子を盛り込んだ回路を設計しておき、試験時には０Ω抵抗素子によって回路の所定部分を敢えてショート（短絡）させたり、０Ω抵抗素子に流れる電流の検出等を行って回路基板の試験が行われる。この０Ω抵抗素子とは、チップ抵抗素子又はリード線型抵抗素子と同様の形状をした抵抗値が極めて小さな抵抗素子である。
【０００３】
０Ω抵抗素子は本来的に回路構成上必要なものではないことから、回路基板の設計が終了して回路基板を量産するときには全てパターン化して削除することが望ましい。しかしながら、０Ω抵抗素子を利用すれば回路基板の量産時において製造される不良基板を簡便に検査することができるため、０Ω抵抗素子が搭載された状態で回路基板が量産されることが多い。以下の特許文献１には、回路基板上に０Ω抵抗素子を搭載する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−８６７２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述した通り、量産される回路基板に０Ω抵抗素子を搭載すると検査が容易になるという利点を有するが、０Ω抵抗素子を搭載する分だけ部品コストを要するとともにその実装コストが必要になるため、回路基板のコストが上昇するというコスト面の問題があった。また、０Ω抵抗素子の通常の抵抗素子と同様の確率で搭載不良が生ずるため、搭載数量に比例して回路基板の製造歩留まりが低下するという歩留まり面の問題があった。
【０００６】
検査の容易性を多少犠牲しても０オーム抵抗を省略してパターン化すれば上記の問題が解決されると考えられる。しかしながら、０オーム抵抗を省略すると、回路基板に不良が生じた場合には不良箇所を特定するのにパターンの切断等の処置を講じなければならず、かかる処置によって不良箇所を修復できたとしても回路基板に与えたストレス等の影響からその回路基板を再利用することは困難である。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、コスト低減及び歩留まり向上を図りつつ容易に検査を行うことができる回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、リフローソルダリングに使用される回路基板であって、前記回路基板と、前記回路基板上に設けられる第１導通ランドと、前記第１導通ランドと第１の距離を離して設けられる第２導通ランドと、前記回路基板の表面を覆い、前記第１導通ランドと前記第２導通ランドとその中間領域とに亘る開口部を有するレジストと、前記開口部に配され、前記第１導通ランドと前記第２導通ランドと前記中間領域とに拡がって前記第１と第２導通ランドを接続するリフロー半田と、を有し、前記開口部は実質的に楕円形であって、前記中間領域は前記開口部の長手方向における中央に位置し、前記第１導通ランドと前記第２導通ランドは、前記開口部長手方向においてそれぞれ反対側に位置し、前記第１と第２導通ランドの有する第１の端部と第２の端部はそれぞれ直線かつ互いに平行に向き合い、前記第１導通ランドと前記第２導通ランドは、それぞれ半楕円形であることを特徴とする。
【０００９】
前記開口部は、前記第１及び第２導通ランド上にそれぞれ位置する第１及び第２の領域と、前記中間領域上に位置する第３の領域と、を有し、前記第３の領域は、前記長手方向に直交する方向において、前記第１及び第２の領域より幅が広いことを特徴とする。
【００１０】
前記第１の領域は、前記第１導通ランドより小さく、前記第２の領域は、前記第２導通ランドより小さいことを特徴とする。
【００１１】
前記基板上に設けられた第１実装ランドと、前記第１実装ランドから第２の距離を離して設けられた第２実装ランドと、を有し、前記第１の距離は前記第２の距離より短いことを特徴とする。
【００１２】
前記基板表面は、前記第１及び第２導通ランドより、前記リフロー半田の濡れ性が低いことを特徴とする。
【００１３】
前記開口部の前記第１及び第２の領域は、前記長手方向に直交する方向における第１及び第２の長さをそれぞれ有し、前記開口部の前記第３の領域は、前記長手方向における第３の長さを有し、前記第３の長さは、前記第１及び第２の長さより短いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、第１導通ランドと第２導通ランドとを跨いだ開口部がレジストに形成されており、この開口部内おいて第１導通ランドと第２導通ランドとが半田によって接続されており、０Ω抵抗素子の実装を省略することができるため、コスト低減を図ることができるとともに歩留まりを向上させることができるという効果がある。
また、開口部内の半田を除去することにより第１導通ランド及び第２導通ランドを、各々に接続された回路の検査ポイントとすることができるため、容易に検査を行うことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態による回路基板に形成されるランドの構成を示す図である。
【図２】実装ランドの一例を示す上面透視図である。
【図３】検査ポイントを説明するための図である。
【図４】本発明の第１実施形態による回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】メタルマスクに形成された孔部を示す図である。
【図６】基板１０に対してメタルマスク２０を位置決めした状態を示す上面図である。
【図７】本発明の第２実施形態による回路基板に形成されるランドの構成を示す図である。
【図８】本発明の第３実施形態による回路基板に形成されるランドの構成を示す図である。
【図９】本発明の第４実施形態による回路基板に形成されるランドの構成を示す図である。
【図１０】本発明の一実施形態による電子機器としての携帯電話機の外観を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施形態による回路基板、電子機器、及び回路基板の製造方法について詳細に説明する。
【００１７】
〔第１実施形態〕
図１は、本発明の第１実施形態による回路基板に形成されるランドの構成を示す図であって、（ａ）は上面透視図であり、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図１（ａ），（ｂ）に示す通り、本実施形態の回路基板は、基板１０上に導通ランドとしてのランド１１，１２が所定の間隔をもって形成されている。ランド１１には配線１３が接続され、ランド１２には配線１４が接続されている。これら、ランド１１，１２及び配線１３，１４は、銅（Ｃｕ）又は金（Ａｕ）メッキ等の金属を用いて形成されている。
【００１８】
ランド１１，１２は、回路基板の検査を行うときの検査ポイントとして用いられるとともに、通常時（検査時以外）の回路基板の動作時においては回路のパターン（配線）として用いられるものである。これらのランド１１，１２はそれぞれ半長円形に形成されており、各々の直線部１１ａ，１２ａが配線１３，１４の延びる方向に対してほぼ直交し、且つ互いに対向するように配置されている。ランド１１，１２の長手方向（Ａ−Ａ線に沿う方向）の最大長、及び短手方向（Ａ−Ａ線に直交して基板１０の表面に沿う方向）の最大長は０．４ｍｍ程度であり、ランド１１とランド１２との間隔は０．１ｍｍ程度である。
【００１９】
基板１０、配線１３，１４、及びランド１１，１２の上部には、例えばガラスを用いたレジスト１５が形成されている。このレジスト１５には、ランド１１，１２を跨いだ長円形の開口部１５ａが形成されている。開口部１５ａはランド１１，１２と同様の形状であって、その長手方向（Ａ−Ａ線に沿う方向）の最大長が０．８ｍｍ、短手方向（Ａ−Ａ線に直交して基板１０の表面に沿う方向）の最大長が０．３ｍｍ程度である。よって、ランド１１，１２上には端部の一部にのみレジスト１５が形成されている。このレジスト１５の開口部１５ａ内には半田１６が設けられている。この半田１６によってランド１１とランド１２とがブリッジ接続されている。
【００２０】
基板１０には、半田１６でブリッジされるランド１１，１２以外に、抵抗素子等の素子を搭載するためのランド（以下、実装ランドという）も形成されている。図２は、実装ランドの一例を示す上面透視図である。図２（ａ）に示す通り、基板１０上に形成された実装ランド４１（第１実装ランド）及び実装ランド４２（第２実装ランド）は矩形形状であり、その一辺の長さは０．４ｍｍ程度である。また、実装ランド４１と実装ランド４２との間隔は０．２ｍｍ程度である。実装ランド４１には配線４３が接続され、実装ランド４２には配線４４が接続されている。これら、実装ランド４１，４２及び配線４３，４４も銅（Ｃｕ）又は金（Ａｕ）メッキ等の金属を用いて形成されている。これら実装ランド４１と実装ランド４２との間に素子が配置される。尚、実装ランド４１と実装ランド４２との間隔は０．５ｍｍに設定されることもある。
【００２１】
また、図２（ａ）に示す通り、配線４３，４４及び実装ランド４１，４２の上部にレジスト１５が形成されている。そして実装ランド４１，４２の間には実装すべき素子が配置される。この素子は、一方の電極が実装ランド４１上に、他方の電極が実装ランド４２上に配置されるよう配置される。
【００２２】
上述した通り、図１に示す本実施形態のランド１１，１２の間隔は、素子が搭載される実装ランド４１，４２の間隔よりも狭く設定されている。これは、表面張力を有する半田１６にてランド１１，１２をブリッジする際にブリッジを容易にするとともに、０Ω抵抗素子を実装する場合に要する実装面積よりも狭い実装面積で０Ω抵抗と同様の効果（検査ポイントの確保等）を得るためである。
【００２３】
以上の通り、本実施形態においては、ランド１１とランド１２との間隔が０．１ｍｍ程度と実装ランド４１，４２の間隔よりも狭く設定されているとともに、ランド１１，１２を跨ぐようレジスト１５に形成された開口部１５ａ内に設けられた半田１６によりランド１１とランド１２とをブリッジすることにより、従来用いられていた０Ω抵抗素子を省略している。このため、０Ω抵抗素子を用いた場合に比べて部品点数の削減、０Ω抵抗素子を基板１０上に搭載する工程の省略、及び０Ω抵抗素子自体の不良及びその実装不良による回路基板の不良率の低減を実現することができ、この結果として回路基板のコスト低減及び歩留まりを向上させることができる。
【００２４】
また、本実施形態では、ランド１１とランド１２とをブリッジしている半田１６を除去することにより、ランド１１，１２を検査ポイントとして用いることができる。図３は、検査ポイントを説明するための図である。図３に示す通り、電源Ｐに対して直列にデバイスＤ１，Ｄ２が接続されているとする。ここで、デバイスＤ１は、例えば所定の電圧を得るための電圧デバイスであり、デバイスＤ２は例えばメモリである。デバイスＤ１はランド１１に接続されて、デバイスＤ２はランド１２に接続されており、ランド１１，１２は半田１６により接続されているとする。ここで、半田１６を除去すればランド１１，１２を検査ポイントとして用いることができ、これにより例えばデバイスＤ１のみに流れる電流又はデバイスＤ２のみに流れる電流を測定することができる。このため、製造された回路基板の検査を行う場合に、容易に検査を行うことができる。
【００２５】
次に、以上説明した回路基板の製造方法について説明する。図４は、本発明の第１実施形態による回路基板の製造方法を示すフローチャートである。回路基板の製造においては、まず基板１０の表面全体に銅（Ｃｕ）又は金（Ａｕ）メッキ等の金属層を形成し、この金属層をフォトリソグラフィ手法により所定の形状にパターニングすることにより基板１０上にランド１１，１２を形成する（工程Ｓ１１）。尚、この工程では、ランド１１，１２以外に、図１に示す配線１３，１４、図２に示す実装ランド４１，４２及び配線４３，４４、並びに回路パターンも同時に形成される。
【００２６】
次いで、ランド１１，１２等が形成された基板１０の表面全体にレジスト１５を形成する（工程Ｓ１２）。このとき、レジスト１５にランド１１，１２を跨ぐ開口部１５ａを形成するとともに、実装ランド４１，４２を跨ぐ開口部１５ｅ（図２参照）も形成する。ここで、開口部１５ａをランド１１，１２に跨って形成するのは、半田１６によりランド１１，１２のブリッジを容易にするためである。また、開口部１５ａは、その中心がランド１１とランド１２との間に位置するよう形成する。
【００２７】
基板１０上にレジスト１５を形成すると、メタルマスクを用いて基板１０の所定位置に半田１６を配置する工程が行われる（工程Ｓ１３）。ここで、メタルマスクとは、所定位置に所定形状・所定大きさの孔部が形成された金属板である。このメタルマスクを用いて半田１６を基板１０上の所定位置に配置するには、まずメタルマスクを基板１０上に位置決め配置する。次に、メタルマスクの上面に半田クリームを配置して、メタルマスクの上面に沿ってスキージを摺動させることにより半田クリームをメタルマスクの孔部内に充填する。そして、メタルマスクを基板１０から離間させれば、基板１０上の所定位置に所定量の半田クリームが所定形状に配置される。
【００２８】
メタルマスクには、基板１０に対してメタルマスクを位置決め配置したときに、ランド１１，１２の上方となる位置、及び前述した実装ランド４１，４２の上方となる位置等に上記の孔部が形成されている。図５は、メタルマスクに形成された孔部を示す図であって、（ａ）はメタルマスクに形成される孔部の一例を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。図５に示す通り、メタルマスク２０にはの長円形の孔部２０ａが形成されている。
【００２９】
この孔部２０ａは、ランド１１，１２に対応して形成されたものであり、基板１０に対してメタルマスク２０を位置決め配置したときに、その中心がランド１１とランド１２との間に位置し、ランド１１，１２の上方を開口する位置に形成されている。孔部２０ａの形状は、ランド１１，１２の外形形状と一致する形状とされている。図６は、基板１０に対してメタルマスク２０を位置決めした状態を示す上面図である。図６に示す通り、メタルマスク１５を基板１０に対して位置決めすると、ランド１１の外周（直線部１１ａを除く）とランド１２の外周（直線部１２ａを除く）とが開口部１５ａに沿う状態になる。この孔部２０ａは、具体的には長手方向（Ｂ−Ｂ線に沿う方向）の最大長が０．９ｍｍであり、短手方向（Ｂ−Ｂ線に直交してメタルマスク２０の表面に沿う方向）の最大長は０．４ｍｍ程度の長円形に形成されている。このため、孔部２０ａの面積はレジスト１５に形成された開口部１５ａの面積よりも大に設定されている。
【００３０】
これは、基板１０上に配置する半田クリームの量を確保するためである。基板１０上に配置される半田クリームの量は、孔部２０ａの面積とメタルマスク２０の厚みとによって定められる。メタルマスク２０は一般的にその厚みが一定であるため、開口部１５ａの面積を調整することで基板１０上に配置する半田クリームの量を調整している。本実施形態ではレジスト１５に形成された開口部１５ａの面積が約０．１８ｍｍ２であり、孔部２０ａの面積は約０．２７ｍｍ２である。ここで、メタルマスク２０の厚みが約０．１２ｍｍであるため、孔部２０ａを介して基板１０上に配置される半田クリームの量は、約０．０３２４ｍｍ３である。
【００３１】
また、図５（ｂ）に示す通り、メタルマスク２０における孔部２０ａの周縁部の厚みは、図１に示すランド１１とランド１２と間隔よりも大きくされている。上記の通り、基板１０上に配置される半田クリームの量は、メタルマスク２０の厚みと孔部２０ａの面積とによって定まる。従って、メタルマスク２０の厚みを厚くすれば、孔部２０ａの面積を小さくしても同量の半田クリームを基板１０上に配置することができる。しかしながら、孔部２０ａの面積を小さくしすぎると、メタルマスク２０を基板１０上から除去するときに半田クリームが孔部２０ａに充填されたままメタルマスク２０が除去されてしまう。これを防止するため、孔部２０ａの周縁部の厚みをランド１１とランド１２との間隔よりも大きくしている。
【００３２】
尚、ここでは半田クリームをメタルマスク２０を用いて基板１０上に配置する場合を例に挙げて説明しているが、メタルマスク２０の厚みが所定の厚みよりも薄いと、半田の種類によってはメタルマスク２０の孔部２０ａに充填するときに問題が生ずることがある。
例えば、半田が表面張力を有するものである場合である。かかる半田を厚みの薄いメタルマスクに形成された孔部に充填しようとすると、半田はその表面張力のために孔部内に行き渡る前に孔部からはみ出してしまう。このため、メタルマスク２０の周縁部の厚みは、図１に示すランド１１とランド１２と間隔よりも大きくされている。尚、メタルマスク２０の軽量化を図るために、孔部２０ａの周縁部のみ厚みを厚くし、他の部分は厚みを薄くしても良い。
【００３３】
尚、ここでは半田クリームをメタルマスク２０を用いて基板１０上に配置する場合を例に挙げて説明しているが、メタルマスク２０の厚みが所定の厚みよりも薄いと、以下の問題が考えられる。実装ランド４１と実装ランド４２はランド間隔を０．２ｍｍ程度に設定しているが、メタルマスク２０の厚みが薄いと部品を基板に接続する為の必要な半田量との関係から孔部を大きく設定しなければならず、その結果本来ショートさせないランド間がショートしてしまう危険が生じるからである。
【００３４】
以上のメタルマスク２０を基板１０に対して位置決めし、メタルマスク２０上に半田クリームを配置してスキージをメタルマスク２０上で摺動させると、半田クリームが孔部２０ａ等に充填され、これにより半田クリームがランド１１，１２上及び搭載ランド上に配置される。また、図２（ｂ）に示す通り、メタルマスク２０には、実装ランド４１の上方となる位置に孔部２０ｂが形成されており、実装ランド４２の上方となる位置に孔部２０ｃが形成されている。これら孔部２０ｂ，２０ｃは円形形状であり、その直径は、０．３ｍｍ程度である。図４に示す工程Ｓ１３では、この孔部２０ｂ，２０ｃを介して実装ランド４１，４２上にも半田が配置される。半田の配置が終了すると、基板１０上に配置されているメタルマスク２０を除去する工程が行われる（工程Ｓ１４）。
【００３５】
次いで、基板１０上に各種の素子を配置する工程が行われる（工程Ｓ１５）。基板１０上には種々の素子が配置されるが、例えば上述した実装ランド４１と実装ランド４２との間に抵抗素子等の素子が配置される。この素子の配置は、例えばマウンタを用いて行われる。マウンタで素子配置すると、基板上に配置されている半田クリームが素子で潰される。素子の配置が終了すると、リフロー処理を行う（工程Ｓ１６）。
【００３６】
ここで行うリフロー処理は、赤外線を用いた赤外線リフロー処理及び熱郛を用いた熱風リフロー処理の何れであっても良い。以上のリフロー処理を行うことにより、ランド１１とランド１２との半田１６によるブリッジ接続と、基板１０上に搭載された素子の電極と搭載ランドとの半田付けとが同時に行われる。
【００３７】
〔第２実施形態〕
図７は、本発明の第２実施形態による回路基板に形成されるランドの構成を示す図であって、（ａ）は上面透視図であり、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。尚、図７において、図１に示す部材と同一の部材には同一の符号を付してある。図７と図１とを比較すると、図７に示すレジスト１５の開口部１５ｂが、図１に示すレジスト１５の開口部１５ａよりも円形に近い形状に形成されており、この開口部１５ｂ内にランド１１とランド１２とをブリッジする半田１６が配置されている点である。
【００３８】
開口部１５ｂの形状は円形に近い長円形であって、その長手方向（Ａ−Ａ線に沿う方向）の最大長が０．５ｍｍ、短手方向（Ａ−Ａ線に直交して基板１０の表面に沿う方向）の最大長が０．３ｍｍ程度である。よって、第１実施形態よりもランド１１，１２上をレジスト１５が覆っている領域が増大しており、半田１６とランド１１，１２との接合面積が減少している。
【００３９】
レジスト１５の開口部１５ｂを円形に近い長円形としたのは、リフロー処理によってランド１１とランド１２とを接続する際の半田１６の表面張力を考慮したためである。つまり、リフロー処理によって半田１６を液状にすると、その表面張力によって半田１６は開口部１５ｂの中心部に集中する。この集中する箇所を半田１６の載りにくいランド１１，１２間に設定すれば、より確実なブリッジを実現することができる。このため、本実施形態ではレジスト１５に形成される開口部１５ｂの形状を円形に近い長円形状にしてある。
【００４０】
尚、開口部１５ｂを完全な円形にすることが望ましいが、かかる形状にすると半田１６とランド１１，１２との接合面積が低下するため、図７に示す長円形にしている。また、以上説明した構成のランドは、第１実施形態で説明した製造方法と同様の方法を用いて製造することができる。尚、半田クリームを基板１０上に配置する際には、図５と同一のメタルマスクを用いる。
【００４１】
〔第３実施形態〕
図８は、本発明の第３実施形態による回路基板に形成されるランドの構成を示す図であって、（ａ）は上面透視図であり、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。尚、図８において、図１，図７に示す部材と同一の部材には同一の符号を付してある。図８と図１とを比較すると、図８に示すランド３１，３２が図１に示すランド１１，１２よりも大に形成されているとともに、レジスト１５に形成される開口部１５ｃがランド３１，３２の外形よりも大に形成されている点である。
【００４２】
ランド３１，３２はそれぞれ半長円形に形成されており、各々の直線部３１ａ，３２ａが配線１３，１４の延びる方向に対してほぼ直交し、且つ互いに対向するように配置されている。ランド３１，３２の長手方向（Ａ−Ａ線に沿う方向）の最大長、及び短手方向（Ａ−Ａ線に直交して基板１０の表面に沿う方向）の最大長は０．５ｍｍ程度であり、ランド３１とランド３２との間隔は０．１ｍｍ程度である。
【００４３】
また、開口部１５ｃの形状は長円形であって、その長手方向（Ａ−Ａ線に沿う方向）の最大長が１．２ｍｍ、短手方向（Ａ−Ａ線に直交して基板１０の表面に沿う方向）の最大長が０．５ｍｍ程度である。従って、ランド３１，３２が開口部１５ｃによって開放されている。レジスト１５の開口部１５ｃをランド３１，３２の外形よりも大としたのは、リフロー処理によってランド３１とランド３２とを接続する際の半田１６の接合面積を増大させるためである。尚、以上説明した構成のランドは、第１実施形態で説明した製造方法と同様の方法を用いて製造することができる。尚、半田クリームを基板１０上に配置する際には、図５と同一形状の開口部がメタルマスクを用いるが、この開口部の大きさはランド３１，３２に合わせた大きさである。
【００４４】
〔第４実施形態〕
図９は、本発明の第４実施形態による回路基板に形成されるランドの構成を示す図であって、（ａ）は上面透視図であり、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。尚、図９において、図８に示す部材と同一の部材には同一の符号を付してある。図９と図８とを比較すると、図９に示すレジスト１５の開口部１５ｄが円形に形成されており、この開口部１５ｄ内にランド３１とランド３２とをブリッジする半田１６が配置されている点である。
【００４５】
開口部１５ｄの形状は円形であって、その直径が０．６ｍｍ程度である。よって、Ａ−Ａ線に直交して基板１０の表面に沿う方向については、ランド３１，３２よりも大に形成されている。開口部１５ｄの直径をかかる大きさにすることで、半田１６とランド３１，３２との接合面積の減少を抑えることができる。開口部１５ｄを円形とするのは第２実施形態で説明した理由と同様の理由である。つまり、リフロー処理によってランド３１とランド３２とを接続する際の半田１６の表面張力を考慮したためである。尚、以上説明した構成のランドは、第１実施形態で説明した製造方法と同様の方法を用いて製造することができる。尚、半田クリームを基板１０上に配置する際には、図５と同一形状の開口部がメタルマスクを用いるが、この開口部の大きさはランド３１，３２に合わせた大きさである。
【００４６】
以上説明した通り、本実施形態の回路基板によれば、ランド１１とランド１２との間隔又はランド３１とランド３２との間隔が０．１ｍｍ程度と狭く設定されている。また、ランド１１，１２又はランド３１，３２を跨ぐようレジスト１５に形成された開口部１５ａ〜１５ｄ内に設けられた半田１６によりランド１１とランド１２とをブリッジすることにより、従来用いられていた０Ω抵抗素子を省略している。このため、０Ω抵抗素子を用いた場合に比べて部品点数の削減、０Ω抵抗素子を基板１０上に搭載する工程の省略、及び０Ω抵抗素子自体の不良及びその実装不良による回路基板の不良率の低減を実現することができ、この結果として回路基板のコスト低減及び歩留まりを向上させることができる。
尚、半田１６の接続状態としては、第１実施形態が最も良好であった。
【００４７】
また、本実施形態では、ランド１１とランド１２とをブリッジしている半田１６を除去することにより、ランド１１，１２を検査ポイントとして用いることができる。このため、製造された回路基板の検査を行う場合に、容易に検査を行うことができる。更に、ランド１２，１３又はランド３１，３２のブリッジ接続は、メタルマスクを用いて簡便行うため、効率よくランドをブリッジ接続することができる。更に、ランド１２，１３又はランド３１，３２のブリッジ接続と基板１０上に配置された素子の半田付けとを同時に行えば更なる効率の向上を図ることができる。
【００４８】
以上、本発明の一実施形態による回路基板及びその製造方法について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されることなく、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、ランドの大きさ及び形状、レジスト１５に形成する開口部の大きさ及び形状は上記の実施形態に制限されることはない。また、上記実施形態ではメタルマスクに形成された孔部の形状がランドの外形形状と一致する形状である場合を例に挙げて説明したが、孔部の形状がランドの外形形状に一致することは必ずしも必要ない。更に、上記実施形態では、ランド１１，１２の直線部１１ａ，１２ａ及びランド３１，３２の直線部３１ａ，３２ａが配線１３，１４の延びる方向に対してほぼ直交していたが、これらが配線１３，１４の延びる方向に対して斜め方向に形成されている場合であっても本発明を適用することができる。
【００４９】
更に、上記実施形態では、ランド１１，１２の間隔及びランド３１，３２の間隔が０．１ｍｍ程度である場合を例に挙げて説明したが、これらの間隔は搭載ランドの間隔よりも小さければ良い。例えば、搭載ランドの間隔が０．３ｍｍである場合には、０．２ｍｍであっても良く、０．１ｍｍよりも狭い間隔にしても良い。但し、余り狭い間隔にすると、検査時における作業効率が低下するため、０．１ｍｍ前後であることが望ましい。
【００５０】
〔電子機器〕
図１０は、本発明の一実施形態による電子機器としての携帯電話機の外観を示す図である。図１０に示す通り、携帯電話機５０は、第１の筐体５１と第２の筐体５２とをヒンジ部５３により互いに折り畳み自在に連結してなるものである。第１の筐体５１の内部には通話キー、終話キー、テンキー、ソフトキー等の各種の操作キー５４及びマイクロフォン５５が設けられており、これらは、折り畳んだ際に第２の筐体５２と対向する第１の筐体５１の対向面５６側に露出している。第２の筐体５２の内部には、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置等の表示装置５７及びスピーカー５８が設けられており、表示装置５７の表示面５７ａ及びスピーカー５８は、折り畳んだ際に第１の筐体５１と対向する第２の筐体５２の対向面５９側に配されている。
【００５１】
表示装置５７は、不図示の基地局と携帯電話機５０との通信状態、ユーザによる操作キー５４の操作内容を示す操作情報、メールの内容等の各種情報を表示するためのものであり、平面視略矩形状に形成されている。また、マイクロフォン５５及びスピーカー５８は、第１の筐体５１と第２の筐体５２とを相互に開いた状態にてアンテナ（図示省略）を介して、無線通話を行ったり、音楽再生や音声録音時に使用するものである。尚、図示は省略しているが、第１の筐体５１の側面には、マイクロフォン、スピーカー、及び操作キーを備えるイヤホンマイク（図示省略）を接続するためのコネクタが設けられている。以上の構成の携帯電話機５０の第１の筐体５１の内部及び筐体５２の内部に、前述した回路基板が設けられている。
【００５２】
また、本発明の電子機器は筐体が互いに折り畳み自在に連結された携帯電話機５０に限定される訳ではなく、折り畳み式ではない１つの筐体からなる携帯電話機であってもよい更に、本発明の電子機器は携帯電話機に限られることなく、ＰＨＳ（Personal Handyphone System）、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、更にはノートパソコン等の種々の電子機器であってもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１０…基板（回路基板）、 １１…ランド（第１導通ランド）、 １２…ランド（第２導通ランド）、 １５…レジスト、 １５ａ〜１５ｄ…開口部、 １６…半田、 ３１…ランド（第２導通ランド）、 ３２…ランド（第２導通ランド）、 ４１…実装ランド（第１実装ランド）、 ４２…実装ランド（第２実装ランド）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定の回路パターンが形成された回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に回路基板の設計においては、基板に形成する回路の設計、設計値に従った回路基板の製造、及び製造された回路基板の試験が順に行われる。試験により不具合が見つかった場合には、意図通りの回路が形成されるまで、回路の設計変更、設計変更した回路基板の製造、及びその回路基板の試験が繰り返し行われる。従来から回路基板の試験を容易にするために、設計の段階で予め０Ω抵抗素子を盛り込んだ回路を設計しておき、試験時には０Ω抵抗素子によって回路の所定部分を敢えてショート（短絡）させたり、０Ω抵抗素子に流れる電流の検出等を行って回路基板の試験が行われる。この０Ω抵抗素子とは、チップ抵抗素子又はリード線型抵抗素子と同様の形状をした抵抗値が極めて小さな抵抗素子である。
【０００３】
０Ω抵抗素子は本来的に回路構成上必要なものではないことから、回路基板の設計が終了して回路基板を量産するときには全てパターン化して削除することが望ましい。しかしながら、０Ω抵抗素子を利用すれば回路基板の量産時において製造される不良基板を簡便に検査することができるため、０Ω抵抗素子が搭載された状態で回路基板が量産されることが多い。以下の特許文献１には、回路基板上に０Ω抵抗素子を搭載する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−８６７２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述した通り、量産される回路基板に０Ω抵抗素子を搭載すると検査が容易になるという利点を有するが、０Ω抵抗素子を搭載する分だけ部品コストを要するとともにその実装コストが必要になるため、回路基板のコストが上昇するというコスト面の問題があった。また、０Ω抵抗素子の通常の抵抗素子と同様の確率で搭載不良が生ずるため、搭載数量に比例して回路基板の製造歩留まりが低下するという歩留まり面の問題があった。
【０００６】
検査の容易性を多少犠牲しても０オーム抵抗を省略してパターン化すれば上記の問題が解決されると考えられる。しかしながら、０オーム抵抗を省略すると、回路基板に不良が生じた場合には不良箇所を特定するのにパターンの切断等の処置を講じなければならず、かかる処置によって不良箇所を修復できたとしても回路基板に与えたストレス等の影響からその回路基板を再利用することは困難である。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、コスト低減及び歩留まり向上を図りつつ容易に検査を行うことができる回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、リフローソルダリングに使用される回路基板であって、前記回路基板と、前記回路基板上に設けられる第１導通ランドと、前記第１導通ランドと第１の距離を離して設けられる第２導通ランドと、前記回路基板の表面を覆い、前記第１導通ランドと前記第２導通ランドとその中間領域とに亘る開口部を有するレジストと、前記開口部に配され、前記第１導通ランドと前記第２導通ランドと前記中間領域とに拡がって前記第１と第２導通ランドを接続するリフロー半田と、を有し、前記開口部は実質的に楕円形であって、前記中間領域は前記開口部の長手方向における中央に位置し、前記第１導通ランドと前記第２導通ランドは、前記開口部長手方向においてそれぞれ反対側に位置し、前記第１と第２導通ランドの有する第１の端部と第２の端部はそれぞれ直線かつ互いに平行に向き合い、前記第１導通ランドと前記第２導通ランドは、それぞれ半楕円形であることを特徴とする。
【０００９】
前記開口部は、前記第１及び第２導通ランド上にそれぞれ位置する第１及び第２の領域と、前記中間領域上に位置する第３の領域と、を有し、前記第３の領域は、前記長手方向に直交する方向において、前記第１及び第２の領域より幅が広いことを特徴とする。
【００１０】
前記第１の領域は、前記第１導通ランドより小さく、前記第２の領域は、前記第２導通ランドより小さいことを特徴とする。
【００１１】
前記基板上に設けられた第１実装ランドと、前記第１実装ランドから第２の距離を離して設けられた第２実装ランドと、を有し、前記第１の距離は前記第２の距離より短いことを特徴とする。
【００１２】
前記基板表面は、前記第１及び第２導通ランドより、前記リフロー半田の濡れ性が低いことを特徴とする。
【００１３】
前記開口部の前記第１及び第２の領域は、前記長手方向に直交する方向における第１及び第２の長さをそれぞれ有し、前記開口部の前記第３の領域は、前記長手方向における第３の長さを有し、前記第３の長さは、前記第１及び第２の長さより短いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、第１導通ランドと第２導通ランドとを跨いだ開口部がレジストに形成されており、この開口部内おいて第１導通ランドと第２導通ランドとが半田によって接続されており、０Ω抵抗素子の実装を省略することができるため、コスト低減を図ることができるとともに歩留まりを向上させることができるという効果がある。
また、開口部内の半田を除去することにより第１導通ランド及び第２導通ランドを、各々に接続された回路の検査ポイントとすることができるため、容易に検査を行うことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態による回路基板に形成されるランドの構成を示す図である。
【図２】実装ランドの一例を示す上面透視図である。
【図３】検査ポイントを説明するための図である。
【図４】本発明の第１実施形態による回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】メタルマスクに形成された孔部を示す図である。
【図６】基板１０に対してメタルマスク２０を位置決めした状態を示す上面図である。
【図７】本発明の第２実施形態による回路基板に形成されるランドの構成を示す図である。
【図８】本発明の第３実施形態による回路基板に形成されるランドの構成を示す図である。
【図９】本発明の第４実施形態による回路基板に形成されるランドの構成を示す図である。
【図１０】本発明の一実施形態による電子機器としての携帯電話機の外観を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施形態による回路基板、電子機器、及び回路基板の製造方法について詳細に説明する。
【００１７】
〔第１実施形態〕
図１は、本発明の第１実施形態による回路基板に形成されるランドの構成を示す図であって、（ａ）は上面透視図であり、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図１（ａ），（ｂ）に示す通り、本実施形態の回路基板は、基板１０上に導通ランドとしてのランド１１，１２が所定の間隔をもって形成されている。ランド１１には配線１３が接続され、ランド１２には配線１４が接続されている。これら、ランド１１，１２及び配線１３，１４は、銅（Ｃｕ）又は金（Ａｕ）メッキ等の金属を用いて形成されている。
【００１８】
ランド１１，１２は、回路基板の検査を行うときの検査ポイントとして用いられるとともに、通常時（検査時以外）の回路基板の動作時においては回路のパターン（配線）として用いられるものである。これらのランド１１，１２はそれぞれ半長円形に形成されており、各々の直線部１１ａ，１２ａが配線１３，１４の延びる方向に対してほぼ直交し、且つ互いに対向するように配置されている。ランド１１，１２の長手方向（Ａ−Ａ線に沿う方向）の最大長、及び短手方向（Ａ−Ａ線に直交して基板１０の表面に沿う方向）の最大長は０．４ｍｍ程度であり、ランド１１とランド１２との間隔は０．１ｍｍ程度である。
【００１９】
基板１０、配線１３，１４、及びランド１１，１２の上部には、例えばガラスを用いたレジスト１５が形成されている。このレジスト１５には、ランド１１，１２を跨いだ長円形の開口部１５ａが形成されている。開口部１５ａはランド１１，１２と同様の形状であって、その長手方向（Ａ−Ａ線に沿う方向）の最大長が０．８ｍｍ、短手方向（Ａ−Ａ線に直交して基板１０の表面に沿う方向）の最大長が０．３ｍｍ程度である。よって、ランド１１，１２上には端部の一部にのみレジスト１５が形成されている。このレジスト１５の開口部１５ａ内には半田１６が設けられている。この半田１６によってランド１１とランド１２とがブリッジ接続されている。
【００２０】
基板１０には、半田１６でブリッジされるランド１１，１２以外に、抵抗素子等の素子を搭載するためのランド（以下、実装ランドという）も形成されている。図２は、実装ランドの一例を示す上面透視図である。図２（ａ）に示す通り、基板１０上に形成された実装ランド４１（第１実装ランド）及び実装ランド４２（第２実装ランド）は矩形形状であり、その一辺の長さは０．４ｍｍ程度である。また、実装ランド４１と実装ランド４２との間隔は０．２ｍｍ程度である。実装ランド４１には配線４３が接続され、実装ランド４２には配線４４が接続されている。これら、実装ランド４１，４２及び配線４３，４４も銅（Ｃｕ）又は金（Ａｕ）メッキ等の金属を用いて形成されている。これら実装ランド４１と実装ランド４２との間に素子が配置される。尚、実装ランド４１と実装ランド４２との間隔は０．５ｍｍに設定されることもある。
【００２１】
また、図２（ａ）に示す通り、配線４３，４４及び実装ランド４１，４２の上部にレジスト１５が形成されている。そして実装ランド４１，４２の間には実装すべき素子が配置される。この素子は、一方の電極が実装ランド４１上に、他方の電極が実装ランド４２上に配置されるよう配置される。
【００２２】
上述した通り、図１に示す本実施形態のランド１１，１２の間隔は、素子が搭載される実装ランド４１，４２の間隔よりも狭く設定されている。これは、表面張力を有する半田１６にてランド１１，１２をブリッジする際にブリッジを容易にするとともに、０Ω抵抗素子を実装する場合に要する実装面積よりも狭い実装面積で０Ω抵抗と同様の効果（検査ポイントの確保等）を得るためである。
【００２３】
以上の通り、本実施形態においては、ランド１１とランド１２との間隔が０．１ｍｍ程度と実装ランド４１，４２の間隔よりも狭く設定されているとともに、ランド１１，１２を跨ぐようレジスト１５に形成された開口部１５ａ内に設けられた半田１６によりランド１１とランド１２とをブリッジすることにより、従来用いられていた０Ω抵抗素子を省略している。このため、０Ω抵抗素子を用いた場合に比べて部品点数の削減、０Ω抵抗素子を基板１０上に搭載する工程の省略、及び０Ω抵抗素子自体の不良及びその実装不良による回路基板の不良率の低減を実現することができ、この結果として回路基板のコスト低減及び歩留まりを向上させることができる。
【００２４】
また、本実施形態では、ランド１１とランド１２とをブリッジしている半田１６を除去することにより、ランド１１，１２を検査ポイントとして用いることができる。図３は、検査ポイントを説明するための図である。図３に示す通り、電源Ｐに対して直列にデバイスＤ１，Ｄ２が接続されているとする。ここで、デバイスＤ１は、例えば所定の電圧を得るための電圧デバイスであり、デバイスＤ２は例えばメモリである。デバイスＤ１はランド１１に接続されて、デバイスＤ２はランド１２に接続されており、ランド１１，１２は半田１６により接続されているとする。ここで、半田１６を除去すればランド１１，１２を検査ポイントとして用いることができ、これにより例えばデバイスＤ１のみに流れる電流又はデバイスＤ２のみに流れる電流を測定することができる。このため、製造された回路基板の検査を行う場合に、容易に検査を行うことができる。
【００２５】
次に、以上説明した回路基板の製造方法について説明する。図４は、本発明の第１実施形態による回路基板の製造方法を示すフローチャートである。回路基板の製造においては、まず基板１０の表面全体に銅（Ｃｕ）又は金（Ａｕ）メッキ等の金属層を形成し、この金属層をフォトリソグラフィ手法により所定の形状にパターニングすることにより基板１０上にランド１１，１２を形成する（工程Ｓ１１）。尚、この工程では、ランド１１，１２以外に、図１に示す配線１３，１４、図２に示す実装ランド４１，４２及び配線４３，４４、並びに回路パターンも同時に形成される。
【００２６】
次いで、ランド１１，１２等が形成された基板１０の表面全体にレジスト１５を形成する（工程Ｓ１２）。このとき、レジスト１５にランド１１，１２を跨ぐ開口部１５ａを形成するとともに、実装ランド４１，４２を跨ぐ開口部１５ｅ（図２参照）も形成する。ここで、開口部１５ａをランド１１，１２に跨って形成するのは、半田１６によりランド１１，１２のブリッジを容易にするためである。また、開口部１５ａは、その中心がランド１１とランド１２との間に位置するよう形成する。
【００２７】
基板１０上にレジスト１５を形成すると、メタルマスクを用いて基板１０の所定位置に半田１６を配置する工程が行われる（工程Ｓ１３）。ここで、メタルマスクとは、所定位置に所定形状・所定大きさの孔部が形成された金属板である。このメタルマスクを用いて半田１６を基板１０上の所定位置に配置するには、まずメタルマスクを基板１０上に位置決め配置する。次に、メタルマスクの上面に半田クリームを配置して、メタルマスクの上面に沿ってスキージを摺動させることにより半田クリームをメタルマスクの孔部内に充填する。そして、メタルマスクを基板１０から離間させれば、基板１０上の所定位置に所定量の半田クリームが所定形状に配置される。
【００２８】
メタルマスクには、基板１０に対してメタルマスクを位置決め配置したときに、ランド１１，１２の上方となる位置、及び前述した実装ランド４１，４２の上方となる位置等に上記の孔部が形成されている。図５は、メタルマスクに形成された孔部を示す図であって、（ａ）はメタルマスクに形成される孔部の一例を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。図５に示す通り、メタルマスク２０にはの長円形の孔部２０ａが形成されている。
【００２９】
この孔部２０ａは、ランド１１，１２に対応して形成されたものであり、基板１０に対してメタルマスク２０を位置決め配置したときに、その中心がランド１１とランド１２との間に位置し、ランド１１，１２の上方を開口する位置に形成されている。孔部２０ａの形状は、ランド１１，１２の外形形状と一致する形状とされている。図６は、基板１０に対してメタルマスク２０を位置決めした状態を示す上面図である。図６に示す通り、メタルマスク１５を基板１０に対して位置決めすると、ランド１１の外周（直線部１１ａを除く）とランド１２の外周（直線部１２ａを除く）とが開口部１５ａに沿う状態になる。この孔部２０ａは、具体的には長手方向（Ｂ−Ｂ線に沿う方向）の最大長が０．９ｍｍであり、短手方向（Ｂ−Ｂ線に直交してメタルマスク２０の表面に沿う方向）の最大長は０．４ｍｍ程度の長円形に形成されている。このため、孔部２０ａの面積はレジスト１５に形成された開口部１５ａの面積よりも大に設定されている。
【００３０】
これは、基板１０上に配置する半田クリームの量を確保するためである。基板１０上に配置される半田クリームの量は、孔部２０ａの面積とメタルマスク２０の厚みとによって定められる。メタルマスク２０は一般的にその厚みが一定であるため、開口部１５ａの面積を調整することで基板１０上に配置する半田クリームの量を調整している。本実施形態ではレジスト１５に形成された開口部１５ａの面積が約０．１８ｍｍ２であり、孔部２０ａの面積は約０．２７ｍｍ２である。ここで、メタルマスク２０の厚みが約０．１２ｍｍであるため、孔部２０ａを介して基板１０上に配置される半田クリームの量は、約０．０３２４ｍｍ３である。
【００３１】
また、図５（ｂ）に示す通り、メタルマスク２０における孔部２０ａの周縁部の厚みは、図１に示すランド１１とランド１２と間隔よりも大きくされている。上記の通り、基板１０上に配置される半田クリームの量は、メタルマスク２０の厚みと孔部２０ａの面積とによって定まる。従って、メタルマスク２０の厚みを厚くすれば、孔部２０ａの面積を小さくしても同量の半田クリームを基板１０上に配置することができる。しかしながら、孔部２０ａの面積を小さくしすぎると、メタルマスク２０を基板１０上から除去するときに半田クリームが孔部２０ａに充填されたままメタルマスク２０が除去されてしまう。これを防止するため、孔部２０ａの周縁部の厚みをランド１１とランド１２との間隔よりも大きくしている。
【００３２】
尚、ここでは半田クリームをメタルマスク２０を用いて基板１０上に配置する場合を例に挙げて説明しているが、メタルマスク２０の厚みが所定の厚みよりも薄いと、半田の種類によってはメタルマスク２０の孔部２０ａに充填するときに問題が生ずることがある。
例えば、半田が表面張力を有するものである場合である。かかる半田を厚みの薄いメタルマスクに形成された孔部に充填しようとすると、半田はその表面張力のために孔部内に行き渡る前に孔部からはみ出してしまう。このため、メタルマスク２０の周縁部の厚みは、図１に示すランド１１とランド１２と間隔よりも大きくされている。尚、メタルマスク２０の軽量化を図るために、孔部２０ａの周縁部のみ厚みを厚くし、他の部分は厚みを薄くしても良い。
【００３３】
尚、ここでは半田クリームをメタルマスク２０を用いて基板１０上に配置する場合を例に挙げて説明しているが、メタルマスク２０の厚みが所定の厚みよりも薄いと、以下の問題が考えられる。実装ランド４１と実装ランド４２はランド間隔を０．２ｍｍ程度に設定しているが、メタルマスク２０の厚みが薄いと部品を基板に接続する為の必要な半田量との関係から孔部を大きく設定しなければならず、その結果本来ショートさせないランド間がショートしてしまう危険が生じるからである。
【００３４】
以上のメタルマスク２０を基板１０に対して位置決めし、メタルマスク２０上に半田クリームを配置してスキージをメタルマスク２０上で摺動させると、半田クリームが孔部２０ａ等に充填され、これにより半田クリームがランド１１，１２上及び搭載ランド上に配置される。また、図２（ｂ）に示す通り、メタルマスク２０には、実装ランド４１の上方となる位置に孔部２０ｂが形成されており、実装ランド４２の上方となる位置に孔部２０ｃが形成されている。これら孔部２０ｂ，２０ｃは円形形状であり、その直径は、０．３ｍｍ程度である。図４に示す工程Ｓ１３では、この孔部２０ｂ，２０ｃを介して実装ランド４１，４２上にも半田が配置される。半田の配置が終了すると、基板１０上に配置されているメタルマスク２０を除去する工程が行われる（工程Ｓ１４）。
【００３５】
次いで、基板１０上に各種の素子を配置する工程が行われる（工程Ｓ１５）。基板１０上には種々の素子が配置されるが、例えば上述した実装ランド４１と実装ランド４２との間に抵抗素子等の素子が配置される。この素子の配置は、例えばマウンタを用いて行われる。マウンタで素子配置すると、基板上に配置されている半田クリームが素子で潰される。素子の配置が終了すると、リフロー処理を行う（工程Ｓ１６）。
【００３６】
ここで行うリフロー処理は、赤外線を用いた赤外線リフロー処理及び熱郛を用いた熱風リフロー処理の何れであっても良い。以上のリフロー処理を行うことにより、ランド１１とランド１２との半田１６によるブリッジ接続と、基板１０上に搭載された素子の電極と搭載ランドとの半田付けとが同時に行われる。
【００３７】
〔第２実施形態〕
図７は、本発明の第２実施形態による回路基板に形成されるランドの構成を示す図であって、（ａ）は上面透視図であり、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。尚、図７において、図１に示す部材と同一の部材には同一の符号を付してある。図７と図１とを比較すると、図７に示すレジスト１５の開口部１５ｂが、図１に示すレジスト１５の開口部１５ａよりも円形に近い形状に形成されており、この開口部１５ｂ内にランド１１とランド１２とをブリッジする半田１６が配置されている点である。
【００３８】
開口部１５ｂの形状は円形に近い長円形であって、その長手方向（Ａ−Ａ線に沿う方向）の最大長が０．５ｍｍ、短手方向（Ａ−Ａ線に直交して基板１０の表面に沿う方向）の最大長が０．３ｍｍ程度である。よって、第１実施形態よりもランド１１，１２上をレジスト１５が覆っている領域が増大しており、半田１６とランド１１，１２との接合面積が減少している。
【００３９】
レジスト１５の開口部１５ｂを円形に近い長円形としたのは、リフロー処理によってランド１１とランド１２とを接続する際の半田１６の表面張力を考慮したためである。つまり、リフロー処理によって半田１６を液状にすると、その表面張力によって半田１６は開口部１５ｂの中心部に集中する。この集中する箇所を半田１６の載りにくいランド１１，１２間に設定すれば、より確実なブリッジを実現することができる。このため、本実施形態ではレジスト１５に形成される開口部１５ｂの形状を円形に近い長円形状にしてある。
【００４０】
尚、開口部１５ｂを完全な円形にすることが望ましいが、かかる形状にすると半田１６とランド１１，１２との接合面積が低下するため、図７に示す長円形にしている。また、以上説明した構成のランドは、第１実施形態で説明した製造方法と同様の方法を用いて製造することができる。尚、半田クリームを基板１０上に配置する際には、図５と同一のメタルマスクを用いる。
【００４１】
〔第３実施形態〕
図８は、本発明の第３実施形態による回路基板に形成されるランドの構成を示す図であって、（ａ）は上面透視図であり、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。尚、図８において、図１，図７に示す部材と同一の部材には同一の符号を付してある。図８と図１とを比較すると、図８に示すランド３１，３２が図１に示すランド１１，１２よりも大に形成されているとともに、レジスト１５に形成される開口部１５ｃがランド３１，３２の外形よりも大に形成されている点である。
【００４２】
ランド３１，３２はそれぞれ半長円形に形成されており、各々の直線部３１ａ，３２ａが配線１３，１４の延びる方向に対してほぼ直交し、且つ互いに対向するように配置されている。ランド３１，３２の長手方向（Ａ−Ａ線に沿う方向）の最大長、及び短手方向（Ａ−Ａ線に直交して基板１０の表面に沿う方向）の最大長は０．５ｍｍ程度であり、ランド３１とランド３２との間隔は０．１ｍｍ程度である。
【００４３】
また、開口部１５ｃの形状は長円形であって、その長手方向（Ａ−Ａ線に沿う方向）の最大長が１．２ｍｍ、短手方向（Ａ−Ａ線に直交して基板１０の表面に沿う方向）の最大長が０．５ｍｍ程度である。従って、ランド３１，３２が開口部１５ｃによって開放されている。レジスト１５の開口部１５ｃをランド３１，３２の外形よりも大としたのは、リフロー処理によってランド３１とランド３２とを接続する際の半田１６の接合面積を増大させるためである。尚、以上説明した構成のランドは、第１実施形態で説明した製造方法と同様の方法を用いて製造することができる。尚、半田クリームを基板１０上に配置する際には、図５と同一形状の開口部がメタルマスクを用いるが、この開口部の大きさはランド３１，３２に合わせた大きさである。
【００４４】
〔第４実施形態〕
図９は、本発明の第４実施形態による回路基板に形成されるランドの構成を示す図であって、（ａ）は上面透視図であり、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。尚、図９において、図８に示す部材と同一の部材には同一の符号を付してある。図９と図８とを比較すると、図９に示すレジスト１５の開口部１５ｄが円形に形成されており、この開口部１５ｄ内にランド３１とランド３２とをブリッジする半田１６が配置されている点である。
【００４５】
開口部１５ｄの形状は円形であって、その直径が０．６ｍｍ程度である。よって、Ａ−Ａ線に直交して基板１０の表面に沿う方向については、ランド３１，３２よりも大に形成されている。開口部１５ｄの直径をかかる大きさにすることで、半田１６とランド３１，３２との接合面積の減少を抑えることができる。開口部１５ｄを円形とするのは第２実施形態で説明した理由と同様の理由である。つまり、リフロー処理によってランド３１とランド３２とを接続する際の半田１６の表面張力を考慮したためである。尚、以上説明した構成のランドは、第１実施形態で説明した製造方法と同様の方法を用いて製造することができる。尚、半田クリームを基板１０上に配置する際には、図５と同一形状の開口部がメタルマスクを用いるが、この開口部の大きさはランド３１，３２に合わせた大きさである。
【００４６】
以上説明した通り、本実施形態の回路基板によれば、ランド１１とランド１２との間隔又はランド３１とランド３２との間隔が０．１ｍｍ程度と狭く設定されている。また、ランド１１，１２又はランド３１，３２を跨ぐようレジスト１５に形成された開口部１５ａ〜１５ｄ内に設けられた半田１６によりランド１１とランド１２とをブリッジすることにより、従来用いられていた０Ω抵抗素子を省略している。このため、０Ω抵抗素子を用いた場合に比べて部品点数の削減、０Ω抵抗素子を基板１０上に搭載する工程の省略、及び０Ω抵抗素子自体の不良及びその実装不良による回路基板の不良率の低減を実現することができ、この結果として回路基板のコスト低減及び歩留まりを向上させることができる。
尚、半田１６の接続状態としては、第１実施形態が最も良好であった。
【００４７】
また、本実施形態では、ランド１１とランド１２とをブリッジしている半田１６を除去することにより、ランド１１，１２を検査ポイントとして用いることができる。このため、製造された回路基板の検査を行う場合に、容易に検査を行うことができる。更に、ランド１２，１３又はランド３１，３２のブリッジ接続は、メタルマスクを用いて簡便行うため、効率よくランドをブリッジ接続することができる。更に、ランド１２，１３又はランド３１，３２のブリッジ接続と基板１０上に配置された素子の半田付けとを同時に行えば更なる効率の向上を図ることができる。
【００４８】
以上、本発明の一実施形態による回路基板及びその製造方法について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されることなく、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、ランドの大きさ及び形状、レジスト１５に形成する開口部の大きさ及び形状は上記の実施形態に制限されることはない。また、上記実施形態ではメタルマスクに形成された孔部の形状がランドの外形形状と一致する形状である場合を例に挙げて説明したが、孔部の形状がランドの外形形状に一致することは必ずしも必要ない。更に、上記実施形態では、ランド１１，１２の直線部１１ａ，１２ａ及びランド３１，３２の直線部３１ａ，３２ａが配線１３，１４の延びる方向に対してほぼ直交していたが、これらが配線１３，１４の延びる方向に対して斜め方向に形成されている場合であっても本発明を適用することができる。
【００４９】
更に、上記実施形態では、ランド１１，１２の間隔及びランド３１，３２の間隔が０．１ｍｍ程度である場合を例に挙げて説明したが、これらの間隔は搭載ランドの間隔よりも小さければ良い。例えば、搭載ランドの間隔が０．３ｍｍである場合には、０．２ｍｍであっても良く、０．１ｍｍよりも狭い間隔にしても良い。但し、余り狭い間隔にすると、検査時における作業効率が低下するため、０．１ｍｍ前後であることが望ましい。
【００５０】
〔電子機器〕
図１０は、本発明の一実施形態による電子機器としての携帯電話機の外観を示す図である。図１０に示す通り、携帯電話機５０は、第１の筐体５１と第２の筐体５２とをヒンジ部５３により互いに折り畳み自在に連結してなるものである。第１の筐体５１の内部には通話キー、終話キー、テンキー、ソフトキー等の各種の操作キー５４及びマイクロフォン５５が設けられており、これらは、折り畳んだ際に第２の筐体５２と対向する第１の筐体５１の対向面５６側に露出している。第２の筐体５２の内部には、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置等の表示装置５７及びスピーカー５８が設けられており、表示装置５７の表示面５７ａ及びスピーカー５８は、折り畳んだ際に第１の筐体５１と対向する第２の筐体５２の対向面５９側に配されている。
【００５１】
表示装置５７は、不図示の基地局と携帯電話機５０との通信状態、ユーザによる操作キー５４の操作内容を示す操作情報、メールの内容等の各種情報を表示するためのものであり、平面視略矩形状に形成されている。また、マイクロフォン５５及びスピーカー５８は、第１の筐体５１と第２の筐体５２とを相互に開いた状態にてアンテナ（図示省略）を介して、無線通話を行ったり、音楽再生や音声録音時に使用するものである。尚、図示は省略しているが、第１の筐体５１の側面には、マイクロフォン、スピーカー、及び操作キーを備えるイヤホンマイク（図示省略）を接続するためのコネクタが設けられている。以上の構成の携帯電話機５０の第１の筐体５１の内部及び筐体５２の内部に、前述した回路基板が設けられている。
【００５２】
また、本発明の電子機器は筐体が互いに折り畳み自在に連結された携帯電話機５０に限定される訳ではなく、折り畳み式ではない１つの筐体からなる携帯電話機であってもよい更に、本発明の電子機器は携帯電話機に限られることなく、ＰＨＳ（Personal Handyphone System）、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、更にはノートパソコン等の種々の電子機器であってもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１０…基板（回路基板）、 １１…ランド（第１導通ランド）、 １２…ランド（第２導通ランド）、 １５…レジスト、 １５ａ〜１５ｄ…開口部、 １６…半田、 ３１…ランド（第２導通ランド）、 ３２…ランド（第２導通ランド）、 ４１…実装ランド（第１実装ランド）、 ４２…実装ランド（第２実装ランド）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リフローソルダリングに使用される回路基板であって、
前記回路基板と、
前記回路基板上に設けられる第１導通ランドと、
前記第１導通ランドと第１の距離を離して設けられる第２導通ランドと、
前記回路基板の表面を覆い、前記第１導通ランドと前記第２導通ランドとその中間領域とに亘る開口部を有するレジストと、
前記開口部に配され、前記第１導通ランドと前記第２導通ランドと前記中間領域とに拡がって前記第１と第２導通ランドを接続するリフロー半田と、を有し、
前記開口部は実質的に楕円形であって、
前記中間領域は前記開口部の長手方向における中央に位置し、
前記第１導通ランドと前記第２導通ランドは、前記開口部長手方向においてそれぞれ反対側に位置し、
前記第１と第２導通ランドの有する第１の端部と第２の端部はそれぞれ直線かつ互いに平行に向き合い、
前記第１導通ランドと前記第２導通ランドは、それぞれ半楕円形であることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記開口部は、前記第１及び第２導通ランド上にそれぞれ位置する第１及び第２の領域と、前記中間領域上に位置する第３の領域と、を有し、
前記第３の領域は、前記長手方向に直交する方向において、前記第１及び第２の領域より幅が広いことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第１の領域は、前記第１導通ランドより小さく、
前記第２の領域は、前記第２導通ランドより小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記基板上に設けられた第１実装ランドと、
前記第１実装ランドから第２の距離を離して設けられた第２実装ランドと、
を有し、
前記第１の距離は前記第２の距離より短いことを特徴とする請求項１から３のうちいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項５】
前記基板表面は、前記第１及び第２導通ランドより、前記リフロー半田の濡れ性が低いことを特徴とする請求項１から４のうちいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項６】
前記開口部の前記第１及び第２の領域は、前記長手方向に直交する方向における第１及び第２の長さをそれぞれ有し、
前記開口部の前記第３の領域は、前記長手方向における第３の長さを有し、
前記第３の長さは、前記第１及び第２の長さより短いことを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項１】
リフローソルダリングに使用される回路基板であって、
前記回路基板と、
前記回路基板上に設けられる第１導通ランドと、
前記第１導通ランドと第１の距離を離して設けられる第２導通ランドと、
前記回路基板の表面を覆い、前記第１導通ランドと前記第２導通ランドとその中間領域とに亘る開口部を有するレジストと、
前記開口部に配され、前記第１導通ランドと前記第２導通ランドと前記中間領域とに拡がって前記第１と第２導通ランドを接続するリフロー半田と、を有し、
前記開口部は実質的に楕円形であって、
前記中間領域は前記開口部の長手方向における中央に位置し、
前記第１導通ランドと前記第２導通ランドは、前記開口部長手方向においてそれぞれ反対側に位置し、
前記第１と第２導通ランドの有する第１の端部と第２の端部はそれぞれ直線かつ互いに平行に向き合い、
前記第１導通ランドと前記第２導通ランドは、それぞれ半楕円形であることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記開口部は、前記第１及び第２導通ランド上にそれぞれ位置する第１及び第２の領域と、前記中間領域上に位置する第３の領域と、を有し、
前記第３の領域は、前記長手方向に直交する方向において、前記第１及び第２の領域より幅が広いことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第１の領域は、前記第１導通ランドより小さく、
前記第２の領域は、前記第２導通ランドより小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記基板上に設けられた第１実装ランドと、
前記第１実装ランドから第２の距離を離して設けられた第２実装ランドと、
を有し、
前記第１の距離は前記第２の距離より短いことを特徴とする請求項１から３のうちいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項５】
前記基板表面は、前記第１及び第２導通ランドより、前記リフロー半田の濡れ性が低いことを特徴とする請求項１から４のうちいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項６】
前記開口部の前記第１及び第２の領域は、前記長手方向に直交する方向における第１及び第２の長さをそれぞれ有し、
前記開口部の前記第３の領域は、前記長手方向における第３の長さを有し、
前記第３の長さは、前記第１及び第２の長さより短いことを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−４５９１（Ｐ２０１２−４５９１Ａ）
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１８８７３８（Ｐ２０１１−１８８７３８）
【出願日】平成２３年８月３１日（２０１１．８．３１）
【分割の表示】特願２００５−２４８４４９（Ｐ２００５−２４８４４９）の分割
【原出願日】平成１７年８月２９日（２００５．８．２９）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月３１日（２０１１．８．３１）
【分割の表示】特願２００５−２４８４４９（Ｐ２００５−２４８４４９）の分割
【原出願日】平成１７年８月２９日（２００５．８．２９）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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