回転可能なスパッタターゲット
本発明は、回転可能なスパッタターゲット及びこのようなスパッタターゲットを製造する方法に関する。スパッタターゲットは、ターゲット材料及びターゲット材料の内部に配置された磁石アレイを備えている。磁石アレイは、ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、中心区域の各端に端区域を画定している。ターゲット材料は、第１の材料及び第２の材料を備えている。ターゲット材料は、少なくとも中心区域において第１の材料を備えると共に、少なくとも端区域において第２の材料を備えている。第２の材料は、第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有している。好ましくは第２の材料は、溶射によって施される。第１の材料は、第１の元素を含み、第２の材料は、第１の材料の第１の元素の化合物を含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、改良された回転可能なスパッタターゲット及びこのようなスパッタターゲットを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
過去数１０年にわたって、マグネトロンスパッタリングは、薄い被膜、例えば、金属被膜又はセラミック被膜をガラスのような大面積基板又は細長い柔軟基板に堆積させるための周知の技術になってきた。
【０００３】
スパッタリングの技術は、通常、酸化珪素、窒化珪素、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫などを堆積するのに用いられる。
【０００４】
スパッタ堆積率及びターゲット消耗度は、スパッタプロセスを経済的に興味深いものにするための重要な検討事項である。
【０００５】
回転可能なスパッタターゲットの導入によって、いくつかの利点が実現され得るようになり、スパッタプロセスは、より魅力的になってきた。最も重要な利点は、ターゲット材料の消耗率が高められること、より高い電力密度を用いる可能性、従って、より高いスパッタ堆積率を得る可能性があること、ＡＣスパッタリング中の陽極機能性が高められること、及び反応性スパッタリング中のアーク感受性が著しく減少することである。
【０００６】
しかし、多数の利点を達成する一方、回転可能なスパッタターゲットは、問題も呈している。
【０００７】
反応性スパッタリングは、反応ガス内における金属のスパッタ堆積率をヒステレシス曲線から知られるように生じさせ、かつ制御することを含んでいる。
【０００８】
高スパッタ堆積率は、金属モードにおいて得られる。しかし、反応ガスがターゲット材料と反応するので、露出した非スパッタリング面の全てに、絶縁物質が堆積される可能性がある。
【０００９】
より高いスパッタ堆積率を得るために、迅速フィードバックループによってターゲットを準安定の半汚染（semi-poisoned）状態に維持するシステムが開発されてきた。オペレータは、プロセスの感知可能な信号（例えば、分圧、ターゲット電圧、プラズマの光学的放射など）を監視しながら、不安定な状況からのどのようなずれをもフィードバックし、半汚染されたターゲット状態を維持することができる。
【００１０】
回転可能なターゲットの消耗率は、平面ターゲットと比較して著しく高いが、依然として、かなりの量のターゲット材料が、スパッタターゲット及び磁石アレイの配置によって失われるので、回転可能なターゲットのターゲット材料の消耗率は、いまだに、検討事項として残っている。
【００１１】
運転中、回転可能なスパッタターゲットは、静止したレーストラックの下を通って回転する。レーストラックのＵターン部分では、より高い電力密度、従って、より高いスパッタ堆積が得られ、その結果、ターゲット材料のより高い消耗率がもたらされる。しかし、レーストラックのＵターン部分において使用可能なターゲット材料の全てが消耗されると、かなりの量の有用な材料がターゲットの主要部分に残っていても、ターゲットを取り換えねばならない。
【００１２】
これらの問題を解消するために、スパッタターゲットの両端により多くの材料を施すことが、当技術分野において知られている。こうして得られたスパッタターゲットは、ドッグボーン（dog-bone）ターゲットと呼ばれている。
【００１３】
しかし、材料の脆弱さ及び製造上の問題から、このドッグボーンによる解決策が用いられる範囲は、制限されている。
【００１４】
前述の問題は、十分なフィードバックループシステムを用いることによって、及びドッグボーン構造を有するターゲットを用いることによって、解消されるかもしれないが、新たな問題が生じる。ターゲットの消耗率が、例えば、典型的には平面ターゲットに対して知られている値にまで低下する。
【００１５】
米国特許第５，４７０，４５２号及び第５，７２５，７４６号は、外面にターゲット材料を有する細長の管状材料を備える回転可能なターゲットを開示している。ターゲットは、管状部材の少なくとも一端に導電性材料のカラーを備えている。ターゲット材料は、カラー材料から実質的に独立している。カラー材料はアーキングを抑止する。しかし、この種の回転可能なターゲットは、多くの欠点を呈している。
【００１６】
カラーとターゲット材料との間の熱的な接触が最適ではないので、カラー材料の熱応力が高くなる可能性がある。
【００１７】
カラーは、ターゲット材料の残りと比較して、熱的に大きく膨張する。その結果、カラーと水冷ターゲット材料との間の熱的な接触が、さらに低減する。最終的に、スパッタリング中に、カラーが、回転しているターゲット材料を覆う徐々に大きくなる遊動リングとして機能し、ターゲット材料上に局部的な溶融区域を生じさせる可能性がある。
【００１８】
この種の回転可能なターゲットのさらに他の欠点は、カラー材料からスパッタされた材料が、被覆される基板の縁にも堆積し、ターゲットからスパッタされた材料と混合される点にある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明の目的は、先行技術の問題を回避する、回転可能なスパッタターゲットを提供することにある。
【００２０】
本発明の他の目的は、最適化されたターゲット消耗率を有する、回転可能なスパッタターゲットを提供することにある。
【００２１】
本発明のさらに他の目的は、ターゲット材料の実質的に全長がスパッタリングプロセスに用いられる、回転可能なスパッタターゲットを提供することにある。
【００２２】
本発明の他の目的は、回転可能なスパッタターゲットを製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明の第１の態様によれば、回転可能なスパッタターゲットが提供される。
【００２４】
回転可能なスパッタターゲットは、ターゲット材料及び前記ターゲット材料の内部に配置された磁石アレイを備えている。磁石アレイは、ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、中心区域の各端に端区域を画定している。
【００２５】
ターゲット材料は、第１の材料及び第２の材料を含んでいる。ターゲット材料の第２の材料は、第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有している。ターゲット材料は、少なくとも中心区域において第１の材料を含み、少なくとも端区域において第２の材料を含んでいる。
【００２６】
第１の材料は、第１の元素を含み、第２の材料は、第１の材料の第１の元素の化合物を含んでいる。
【００２７】
好ましい実施形態では、第１の材料は、中心区域及び端区域に施される一方、第２の材料は、少なくとも端区域において、第１の材料の上に施される。
【００２８】
好ましくは、第１の材料から堆積された被膜スパッタ及び第２の材料から堆積された被膜スパッタは、実質的に同一の組成を有している。「実質的に同一の組成」という用語は、第１の材料から堆積された被膜スパッタ及び第２の材料から堆積された被膜スパッタは、少なくとも８０％の原子組成が、同一であることを意味している。
【００２９】
「実質的に同一の組成」という用語について、例を挙げて、さらに説明する。
【００３０】
以下の組成を有する材料Ｘ及び材料Ｙ、すなわち、
４０原子％の成分ａ、３０原子％の成分ｂ、２０原子％の成分ｃ、及び１０原子％の成分ｄを含み、（成分ｅを含まない）、材料Ｘと、
３５原子％の成分ａ、４０原子％の成分ｂ、１５原子％の成分ｃ、及び１０原子％の成分ｅを含み、（成分ｄを含まない）、材料Ｙと
は、原子組成の８０％が同一なので、実質的に同一の組成を有すると見なされる。
【００３１】
第１の材料及び第２の材料が、実質的に同一の組成を有する被膜を基板に堆積するのに用いられるので、ターゲット金属の実質的に全長が、スパッタリングに用いられることになる。
【００３２】
「ターゲット材料の実質的に全長」という用語は、中心区域及び端区域を意味している。
【００３３】
ターゲット材料の実質的に全長がスパッタリングに用いられるという事実は、当技術分野において知られているスパッタターゲットと比較して、本発明による回転可能なスパッタターゲットの大きな利点である。
【００３４】
原理的に、第１の材料は、ＤＣスパッタリング又は中周波ＡＣスパッタリングに用いられるどのような材料を含んでもよい。
【００３５】
前述したように、第１の材料は、少なくとも第１の元素を含んでいる。
【００３６】
好ましくは、第１の元素は、金属を含み、さらに好ましくは、Ｚｎ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｄ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗからなる群から選択される金属を含んでいる。第１の材料は、第１の元素の化合物又は合金を含んでもよい。
【００３７】
第１の材料は、他の元素がドープされた第１の元素を含んでもよい。
【００３８】
さらに、第１の材料は、他の元素がドープされた第１の元素の化合物、又は他の元素がドープされた第１の元素の合金を含んでもよい。
【００３９】
前述したように、第２の材料は、好ましくは、上記の材料の第１の元素の化合物を含んでいる。
【００４０】
本発明の目的のために、第１の材料の第１の元素の化合物は、第１の元素を含む任意の材料として、規定されている。
【００４１】
第２の材料は、例えば、第１の材料の第１の元素からなるとよい。
【００４２】
代替的に、第２の材料は、第１の材料の第１の元素の合金を含んでもよい。
【００４３】
さらに、第２の材料は、第１の材料の第１の元素の化合物、例えば、第１の材料の第１の元素の酸化物、窒化物、又は酸窒化物を含んでもよい。
【００４４】
他の実施形態では、第２の材料は、第１の元素以外の少なくとも１つの元素がドープされた、第１の材料の第１の元素、又は第１の元素以外の少なくとも１つの元素がドープされた、第１の材料の第１の元素の化合物を含んでいる。
【００４５】
本発明による回転可能なスパッタターゲットは、反応ガスを用いる反応性スパッタプロセスに用いられるのに、特に適している。
【００４６】
好ましい実施形態では、第１の材料は金属を含み、第２の材料はこの金属と反応ガスとの化合物を含んでいる。
【００４７】
本発明による回転可能なターゲットの好ましい実施形態として、
第１の材料としてＺｎ及び第２の材料としてＺｎＯ２を含むターゲット材料を有し、好ましくは、反応ガスとして酸素を用いる反応性スパッタプロセスに用いられる回転可能なターゲットと、
第１の材料としてＴｉ及び第２の材料としてＴｉＯｘＮｙ（０≦ｘ≦２、０≦ｙ≦２、但し、ｘ又はｙの少なくとも１つは、０と異なる）を有し、好ましくは、反応ガスとして酸素、窒素、又は酸素及び窒素の混合物を用いる反応性スパッタプロセスに用いられる回転可能なターゲットと、
−第１の材料としてＳｉ：Ａｌ（１０ｗｔ％Ａｌ）及び第２の材料としてＳｉを含むターゲット材料を有し、任意の種類の反応ガス、好ましくは、酸素又は窒素を用いる反応性スパッタプロセスに用いられる回転可能なターゲットと
が挙げられる。
【００４８】
ターゲット材料は、自己支持形であってもよいし、又はターゲット基部に堆積されてもよい。
【００４９】
可能であれば、ターゲット材料が施される前に、接着促進層がターゲット基部に施されてもよい。
【００５０】
ターゲット材料の第１の材料及び第２の材料は、当技術分野において知られているどのような技術、例えば、注型、押出、焼結、熱間静水圧成形、溶射のような噴霧、又はこれらの組合せによって、得られてもよい。
【００５１】
第２の材料は、好ましくは、溶射によって得られる。この場合、第２の材料が溶射によって施されると、第１の材料と第２の材料との界面に拡散層が形成される。この拡散層によって、第１の材料と第２の材料との間に優れた熱伝導率が保証される。
【００５２】
拡散層の存在によって、第２の材料は第１の材料に係留され、スパッタターゲットの使用中、遊離することがない。
【００５３】
これは、当技術分野において知られているスパッタターゲットと比較して、大きな利点である。
【００５４】
本発明の好ましい実施形態では、第１の材料及び第２の材料のいずれも溶射によって得られる。
【００５５】
本発明によるスパッタターゲットの第１のグループは、ターゲット基部の全長にわたって均一な厚みのターゲット材料を有するスパッタターゲットを含んでいる。
【００５６】
ターゲット材料の厚みは、好ましくは、２ｍｍから３０ｍｍの範囲内、さらに好ましくは、４ｍｍから１５ｍｍの範囲内である。
【００５７】
本発明によるスパッタターゲットの第２のグループは、ターゲット材料がドッグボーン構造を有するスパッタターゲットを含んでいる。
【００５８】
ドッグボーン構造を有するターゲット材料の場合、端区域におけるターゲット材料の厚みは、中心区域に配置されたターゲット材料の厚みよりも大きい。
【００５９】
ターゲット材料がドッグボーン構造を有する場合、中心区域におけるターゲット材料の厚みは、好ましくは、２ｍｍから２０ｍｍの範囲内にあり、端区域におけるターゲット材料の厚みは、好ましくは、３ｍｍから３０ｍｍの範囲内にある。
【００６０】
本発明の第２の態様によれば、回転可能なスパッタターゲットを製造する方法が提供される。
【００６１】
この方法は、
第１の材料及び第２の材料を含むターゲット材料を設けるステップであって、前記第２の材料は、前記第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有する、ステップと、
ターゲット材料の内部に配置される磁石アレイを設けるステップであって、磁石アレイは、ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、中心区域の各端に端区域を画定する、ステップと
を含んでいる。
【００６２】
ターゲット材料は、少なくとも中心区域において第１の材料を含み、少なくとも端区域において第２の材料を含んでいる。第１の材料は、第１の元素を含み、第２の材料は、第１の材料の第１の元素の化合物を含んでいる。
【００６３】
好ましい方法では、ターゲット材料は、中心区域及び端区域において第１の材料を含み、端区域において、第１の材料の上に第２の材料を含んでいる。
【００６４】
第１の材料及び第２の材料は、好ましくは、注型、押出、焼結、熱間静水圧成形、又は噴霧によって得られる。
【００６５】
さら好ましくは、第２の材料は溶射によって得られる。
【００６６】
以下、添付の図面に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明による回転可能なスパッタターゲットの略図である。
【発明を実施するための形態】
【００６８】
第１の試験では、先行技術によって知られている回転可能な金属チタンターゲットを用いて、二酸化チタン被膜を堆積する。
【００６９】
ターゲットは、真っ直ぐな構造を有し、このターゲットに、十分なフィードバックループシステムが設けられている。ターゲットの消耗率は、１４〜４５％に制限されている。
【００７０】
本出願人は、どのような理論にも縛られることを望まないが、以下のことがなされていると思われる。
【００７１】
フィードバックループシステムは、ターゲットの長さの両端間の１つ又は複数個所において、変動する特定の迅速反応プロセスを監視している。
【００７２】
フィードバックパラメータを適切に保つことによって、ターゲット面は、半汚染状態に保持されている。しかし、同時に、レーストラックのＵターン部分は、異なる汚染条件下に位置することになる。
【００７３】
本発明の目的のために、「レーストラックのＵターン部分」という用語は、中心ターゲット領域（スパッタリング区域）よりもプラズマ密度が高い区域、又は中心ターゲット領域（スパッタリング区域）よりもプラズマ領域における滞留時間が長い区域として、定義される。
【００７４】
より高いプラズマ密度又はより長いプラズマ露出によって、表面がより清浄化され、（すなわち、酸素が排除され、新鮮なチタンが露出され）、これによって、酸素がより少ない場合に匹敵する表面状態が得られる。
【００７５】
その結果、レーストラックのＵターン部分では、より酸化されない又はより汚染されないチタンが高堆積率でスパッタされ、その一方、スパッタターゲットの中心では、より汚染されたチタン又は（亜）酸化チタンが、低スパッタ堆積率でスパッタされることになる。
【００７６】
従って、レーストラックのＵターン部分では、プラズマ滞留時間が長いので、スパッタ堆積率がより高く、また、材料が、次々、より高いスパッタ堆積率でスパッタされる。
【００７７】
両方の効果によって、レーストラックのＵターン部分では、極めて高い堆積率がもたらされ、その結果として、全体のターゲット消耗率が、典型的には平面ターゲットに対して知られている値にまで低下する。
【００７８】
図１は、本発明による回転可能ターゲット１０を示している。回転可能なターゲット１０は、ターゲット基部１１、ターゲット基部の外側に施されたターゲット材料１２、及び前記ターゲット基部内に配置された磁石アレイ１３を備えている。磁石アレイ１３は、中心区域１４及び端区域１５を画定している。磁石アレイ１３は、中心区域１４及び２つの端区域１５を画定している。中心区域１４は、ターゲット基部１１の長さの大部分に沿って延在している。中心区域の端は、磁石アレイ１３の端と略対応している。
【００７９】
ターゲット材料１２は、第１の材料１６及び第２の材料１７を備えている。
【００８０】
第１の材料１６は少なくとも中心区域１４に施され、第２の材料１７は少なくとも端区域１５に施されている。
【００８１】
第２の材料は、第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有している。
【００８２】
第１の材料はＴｉを含み、第２の材料はＴｉＯｘ（０≦ｘ≦２）を含んでいる。ＴｉＯｘは、溶射によって施されている。
【００８３】
回転可能なターゲット１０は、反応性プロセスにおいて用いられ、このターゲット１０に、十分なフィードバックシステムが設けられている。
【００８４】
端区域１５に配置された第２の材料１７は、中心区域１４に配置された第１の材料の堆積率と同様の堆積率でスパッタされる。
【００８５】
端区域１５の第２の材料１７も、良好な品質のＴｉＯ２層を形成する。何故なら、（必要以上のエロージョンによる）ガス中の欠乏した酸素量が、第２の材料１７に含まれる酸素の存在によって、補われるからである。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、改良された回転可能なスパッタターゲット及びこのようなスパッタターゲットを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
過去数１０年にわたって、マグネトロンスパッタリングは、薄い被膜、例えば、金属被膜又はセラミック被膜をガラスのような大面積基板又は細長い柔軟基板に堆積させるための周知の技術になってきた。
【０００３】
スパッタリングの技術は、通常、酸化珪素、窒化珪素、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫などを堆積するのに用いられる。
【０００４】
スパッタ堆積率及びターゲット消耗度は、スパッタプロセスを経済的に興味深いものにするための重要な検討事項である。
【０００５】
回転可能なスパッタターゲットの導入によって、いくつかの利点が実現され得るようになり、スパッタプロセスは、より魅力的になってきた。最も重要な利点は、ターゲット材料の消耗率が高められること、より高い電力密度を用いる可能性、従って、より高いスパッタ堆積率を得る可能性があること、ＡＣスパッタリング中の陽極機能性が高められること、及び反応性スパッタリング中のアーク感受性が著しく減少することである。
【０００６】
しかし、多数の利点を達成する一方、回転可能なスパッタターゲットは、問題も呈している。
【０００７】
反応性スパッタリングは、反応ガス内における金属のスパッタ堆積率をヒステレシス曲線から知られるように生じさせ、かつ制御することを含んでいる。
【０００８】
高スパッタ堆積率は、金属モードにおいて得られる。しかし、反応ガスがターゲット材料と反応するので、露出した非スパッタリング面の全てに、絶縁物質が堆積される可能性がある。
【０００９】
より高いスパッタ堆積率を得るために、迅速フィードバックループによってターゲットを準安定の半汚染（semi-poisoned）状態に維持するシステムが開発されてきた。オペレータは、プロセスの感知可能な信号（例えば、分圧、ターゲット電圧、プラズマの光学的放射など）を監視しながら、不安定な状況からのどのようなずれをもフィードバックし、半汚染されたターゲット状態を維持することができる。
【００１０】
回転可能なターゲットの消耗率は、平面ターゲットと比較して著しく高いが、依然として、かなりの量のターゲット材料が、スパッタターゲット及び磁石アレイの配置によって失われるので、回転可能なターゲットのターゲット材料の消耗率は、いまだに、検討事項として残っている。
【００１１】
運転中、回転可能なスパッタターゲットは、静止したレーストラックの下を通って回転する。レーストラックのＵターン部分では、より高い電力密度、従って、より高いスパッタ堆積が得られ、その結果、ターゲット材料のより高い消耗率がもたらされる。しかし、レーストラックのＵターン部分において使用可能なターゲット材料の全てが消耗されると、かなりの量の有用な材料がターゲットの主要部分に残っていても、ターゲットを取り換えねばならない。
【００１２】
これらの問題を解消するために、スパッタターゲットの両端により多くの材料を施すことが、当技術分野において知られている。こうして得られたスパッタターゲットは、ドッグボーン（dog-bone）ターゲットと呼ばれている。
【００１３】
しかし、材料の脆弱さ及び製造上の問題から、このドッグボーンによる解決策が用いられる範囲は、制限されている。
【００１４】
前述の問題は、十分なフィードバックループシステムを用いることによって、及びドッグボーン構造を有するターゲットを用いることによって、解消されるかもしれないが、新たな問題が生じる。ターゲットの消耗率が、例えば、典型的には平面ターゲットに対して知られている値にまで低下する。
【００１５】
米国特許第５，４７０，４５２号及び第５，７２５，７４６号は、外面にターゲット材料を有する細長の管状材料を備える回転可能なターゲットを開示している。ターゲットは、管状部材の少なくとも一端に導電性材料のカラーを備えている。ターゲット材料は、カラー材料から実質的に独立している。カラー材料はアーキングを抑止する。しかし、この種の回転可能なターゲットは、多くの欠点を呈している。
【００１６】
カラーとターゲット材料との間の熱的な接触が最適ではないので、カラー材料の熱応力が高くなる可能性がある。
【００１７】
カラーは、ターゲット材料の残りと比較して、熱的に大きく膨張する。その結果、カラーと水冷ターゲット材料との間の熱的な接触が、さらに低減する。最終的に、スパッタリング中に、カラーが、回転しているターゲット材料を覆う徐々に大きくなる遊動リングとして機能し、ターゲット材料上に局部的な溶融区域を生じさせる可能性がある。
【００１８】
この種の回転可能なターゲットのさらに他の欠点は、カラー材料からスパッタされた材料が、被覆される基板の縁にも堆積し、ターゲットからスパッタされた材料と混合される点にある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明の目的は、先行技術の問題を回避する、回転可能なスパッタターゲットを提供することにある。
【００２０】
本発明の他の目的は、最適化されたターゲット消耗率を有する、回転可能なスパッタターゲットを提供することにある。
【００２１】
本発明のさらに他の目的は、ターゲット材料の実質的に全長がスパッタリングプロセスに用いられる、回転可能なスパッタターゲットを提供することにある。
【００２２】
本発明の他の目的は、回転可能なスパッタターゲットを製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明の第１の態様によれば、回転可能なスパッタターゲットが提供される。
【００２４】
回転可能なスパッタターゲットは、ターゲット材料及び前記ターゲット材料の内部に配置された磁石アレイを備えている。磁石アレイは、ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、中心区域の各端に端区域を画定している。
【００２５】
ターゲット材料は、第１の材料及び第２の材料を含んでいる。ターゲット材料の第２の材料は、第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有している。ターゲット材料は、少なくとも中心区域において第１の材料を含み、少なくとも端区域において第２の材料を含んでいる。
【００２６】
第１の材料は、第１の元素を含み、第２の材料は、第１の材料の第１の元素の化合物を含んでいる。
【００２７】
好ましい実施形態では、第１の材料は、中心区域及び端区域に施される一方、第２の材料は、少なくとも端区域において、第１の材料の上に施される。
【００２８】
好ましくは、第１の材料から堆積された被膜スパッタ及び第２の材料から堆積された被膜スパッタは、実質的に同一の組成を有している。「実質的に同一の組成」という用語は、第１の材料から堆積された被膜スパッタ及び第２の材料から堆積された被膜スパッタは、少なくとも８０％の原子組成が、同一であることを意味している。
【００２９】
「実質的に同一の組成」という用語について、例を挙げて、さらに説明する。
【００３０】
以下の組成を有する材料Ｘ及び材料Ｙ、すなわち、
４０原子％の成分ａ、３０原子％の成分ｂ、２０原子％の成分ｃ、及び１０原子％の成分ｄを含み、（成分ｅを含まない）、材料Ｘと、
３５原子％の成分ａ、４０原子％の成分ｂ、１５原子％の成分ｃ、及び１０原子％の成分ｅを含み、（成分ｄを含まない）、材料Ｙと
は、原子組成の８０％が同一なので、実質的に同一の組成を有すると見なされる。
【００３１】
第１の材料及び第２の材料が、実質的に同一の組成を有する被膜を基板に堆積するのに用いられるので、ターゲット金属の実質的に全長が、スパッタリングに用いられることになる。
【００３２】
「ターゲット材料の実質的に全長」という用語は、中心区域及び端区域を意味している。
【００３３】
ターゲット材料の実質的に全長がスパッタリングに用いられるという事実は、当技術分野において知られているスパッタターゲットと比較して、本発明による回転可能なスパッタターゲットの大きな利点である。
【００３４】
原理的に、第１の材料は、ＤＣスパッタリング又は中周波ＡＣスパッタリングに用いられるどのような材料を含んでもよい。
【００３５】
前述したように、第１の材料は、少なくとも第１の元素を含んでいる。
【００３６】
好ましくは、第１の元素は、金属を含み、さらに好ましくは、Ｚｎ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｄ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗからなる群から選択される金属を含んでいる。第１の材料は、第１の元素の化合物又は合金を含んでもよい。
【００３７】
第１の材料は、他の元素がドープされた第１の元素を含んでもよい。
【００３８】
さらに、第１の材料は、他の元素がドープされた第１の元素の化合物、又は他の元素がドープされた第１の元素の合金を含んでもよい。
【００３９】
前述したように、第２の材料は、好ましくは、上記の材料の第１の元素の化合物を含んでいる。
【００４０】
本発明の目的のために、第１の材料の第１の元素の化合物は、第１の元素を含む任意の材料として、規定されている。
【００４１】
第２の材料は、例えば、第１の材料の第１の元素からなるとよい。
【００４２】
代替的に、第２の材料は、第１の材料の第１の元素の合金を含んでもよい。
【００４３】
さらに、第２の材料は、第１の材料の第１の元素の化合物、例えば、第１の材料の第１の元素の酸化物、窒化物、又は酸窒化物を含んでもよい。
【００４４】
他の実施形態では、第２の材料は、第１の元素以外の少なくとも１つの元素がドープされた、第１の材料の第１の元素、又は第１の元素以外の少なくとも１つの元素がドープされた、第１の材料の第１の元素の化合物を含んでいる。
【００４５】
本発明による回転可能なスパッタターゲットは、反応ガスを用いる反応性スパッタプロセスに用いられるのに、特に適している。
【００４６】
好ましい実施形態では、第１の材料は金属を含み、第２の材料はこの金属と反応ガスとの化合物を含んでいる。
【００４７】
本発明による回転可能なターゲットの好ましい実施形態として、
第１の材料としてＺｎ及び第２の材料としてＺｎＯ２を含むターゲット材料を有し、好ましくは、反応ガスとして酸素を用いる反応性スパッタプロセスに用いられる回転可能なターゲットと、
第１の材料としてＴｉ及び第２の材料としてＴｉＯｘＮｙ（０≦ｘ≦２、０≦ｙ≦２、但し、ｘ又はｙの少なくとも１つは、０と異なる）を有し、好ましくは、反応ガスとして酸素、窒素、又は酸素及び窒素の混合物を用いる反応性スパッタプロセスに用いられる回転可能なターゲットと、
−第１の材料としてＳｉ：Ａｌ（１０ｗｔ％Ａｌ）及び第２の材料としてＳｉを含むターゲット材料を有し、任意の種類の反応ガス、好ましくは、酸素又は窒素を用いる反応性スパッタプロセスに用いられる回転可能なターゲットと
が挙げられる。
【００４８】
ターゲット材料は、自己支持形であってもよいし、又はターゲット基部に堆積されてもよい。
【００４９】
可能であれば、ターゲット材料が施される前に、接着促進層がターゲット基部に施されてもよい。
【００５０】
ターゲット材料の第１の材料及び第２の材料は、当技術分野において知られているどのような技術、例えば、注型、押出、焼結、熱間静水圧成形、溶射のような噴霧、又はこれらの組合せによって、得られてもよい。
【００５１】
第２の材料は、好ましくは、溶射によって得られる。この場合、第２の材料が溶射によって施されると、第１の材料と第２の材料との界面に拡散層が形成される。この拡散層によって、第１の材料と第２の材料との間に優れた熱伝導率が保証される。
【００５２】
拡散層の存在によって、第２の材料は第１の材料に係留され、スパッタターゲットの使用中、遊離することがない。
【００５３】
これは、当技術分野において知られているスパッタターゲットと比較して、大きな利点である。
【００５４】
本発明の好ましい実施形態では、第１の材料及び第２の材料のいずれも溶射によって得られる。
【００５５】
本発明によるスパッタターゲットの第１のグループは、ターゲット基部の全長にわたって均一な厚みのターゲット材料を有するスパッタターゲットを含んでいる。
【００５６】
ターゲット材料の厚みは、好ましくは、２ｍｍから３０ｍｍの範囲内、さらに好ましくは、４ｍｍから１５ｍｍの範囲内である。
【００５７】
本発明によるスパッタターゲットの第２のグループは、ターゲット材料がドッグボーン構造を有するスパッタターゲットを含んでいる。
【００５８】
ドッグボーン構造を有するターゲット材料の場合、端区域におけるターゲット材料の厚みは、中心区域に配置されたターゲット材料の厚みよりも大きい。
【００５９】
ターゲット材料がドッグボーン構造を有する場合、中心区域におけるターゲット材料の厚みは、好ましくは、２ｍｍから２０ｍｍの範囲内にあり、端区域におけるターゲット材料の厚みは、好ましくは、３ｍｍから３０ｍｍの範囲内にある。
【００６０】
本発明の第２の態様によれば、回転可能なスパッタターゲットを製造する方法が提供される。
【００６１】
この方法は、
第１の材料及び第２の材料を含むターゲット材料を設けるステップであって、前記第２の材料は、前記第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有する、ステップと、
ターゲット材料の内部に配置される磁石アレイを設けるステップであって、磁石アレイは、ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、中心区域の各端に端区域を画定する、ステップと
を含んでいる。
【００６２】
ターゲット材料は、少なくとも中心区域において第１の材料を含み、少なくとも端区域において第２の材料を含んでいる。第１の材料は、第１の元素を含み、第２の材料は、第１の材料の第１の元素の化合物を含んでいる。
【００６３】
好ましい方法では、ターゲット材料は、中心区域及び端区域において第１の材料を含み、端区域において、第１の材料の上に第２の材料を含んでいる。
【００６４】
第１の材料及び第２の材料は、好ましくは、注型、押出、焼結、熱間静水圧成形、又は噴霧によって得られる。
【００６５】
さら好ましくは、第２の材料は溶射によって得られる。
【００６６】
以下、添付の図面に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明による回転可能なスパッタターゲットの略図である。
【発明を実施するための形態】
【００６８】
第１の試験では、先行技術によって知られている回転可能な金属チタンターゲットを用いて、二酸化チタン被膜を堆積する。
【００６９】
ターゲットは、真っ直ぐな構造を有し、このターゲットに、十分なフィードバックループシステムが設けられている。ターゲットの消耗率は、１４〜４５％に制限されている。
【００７０】
本出願人は、どのような理論にも縛られることを望まないが、以下のことがなされていると思われる。
【００７１】
フィードバックループシステムは、ターゲットの長さの両端間の１つ又は複数個所において、変動する特定の迅速反応プロセスを監視している。
【００７２】
フィードバックパラメータを適切に保つことによって、ターゲット面は、半汚染状態に保持されている。しかし、同時に、レーストラックのＵターン部分は、異なる汚染条件下に位置することになる。
【００７３】
本発明の目的のために、「レーストラックのＵターン部分」という用語は、中心ターゲット領域（スパッタリング区域）よりもプラズマ密度が高い区域、又は中心ターゲット領域（スパッタリング区域）よりもプラズマ領域における滞留時間が長い区域として、定義される。
【００７４】
より高いプラズマ密度又はより長いプラズマ露出によって、表面がより清浄化され、（すなわち、酸素が排除され、新鮮なチタンが露出され）、これによって、酸素がより少ない場合に匹敵する表面状態が得られる。
【００７５】
その結果、レーストラックのＵターン部分では、より酸化されない又はより汚染されないチタンが高堆積率でスパッタされ、その一方、スパッタターゲットの中心では、より汚染されたチタン又は（亜）酸化チタンが、低スパッタ堆積率でスパッタされることになる。
【００７６】
従って、レーストラックのＵターン部分では、プラズマ滞留時間が長いので、スパッタ堆積率がより高く、また、材料が、次々、より高いスパッタ堆積率でスパッタされる。
【００７７】
両方の効果によって、レーストラックのＵターン部分では、極めて高い堆積率がもたらされ、その結果として、全体のターゲット消耗率が、典型的には平面ターゲットに対して知られている値にまで低下する。
【００７８】
図１は、本発明による回転可能ターゲット１０を示している。回転可能なターゲット１０は、ターゲット基部１１、ターゲット基部の外側に施されたターゲット材料１２、及び前記ターゲット基部内に配置された磁石アレイ１３を備えている。磁石アレイ１３は、中心区域１４及び端区域１５を画定している。磁石アレイ１３は、中心区域１４及び２つの端区域１５を画定している。中心区域１４は、ターゲット基部１１の長さの大部分に沿って延在している。中心区域の端は、磁石アレイ１３の端と略対応している。
【００７９】
ターゲット材料１２は、第１の材料１６及び第２の材料１７を備えている。
【００８０】
第１の材料１６は少なくとも中心区域１４に施され、第２の材料１７は少なくとも端区域１５に施されている。
【００８１】
第２の材料は、第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有している。
【００８２】
第１の材料はＴｉを含み、第２の材料はＴｉＯｘ（０≦ｘ≦２）を含んでいる。ＴｉＯｘは、溶射によって施されている。
【００８３】
回転可能なターゲット１０は、反応性プロセスにおいて用いられ、このターゲット１０に、十分なフィードバックシステムが設けられている。
【００８４】
端区域１５に配置された第２の材料１７は、中心区域１４に配置された第１の材料の堆積率と同様の堆積率でスパッタされる。
【００８５】
端区域１５の第２の材料１７も、良好な品質のＴｉＯ２層を形成する。何故なら、（必要以上のエロージョンによる）ガス中の欠乏した酸素量が、第２の材料１７に含まれる酸素の存在によって、補われるからである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット材料と、
前記ターゲット材料の内部に配置された磁石アレイと
を備える、回転可能なスパッタターゲットであって、前記磁石アレイは、前記ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、前記中心区域の各端に端区域を画定し、前記ターゲット材料は、第１の材料及び第２の材料を含み、前記第２の材料は、前記第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有し、前記ターゲット材料は、少なくとも前記中心区域において前記第１の材料を含み、少なくとも前記端区域において前記第２の材料を含み、前記第１の材料は、第１の元素を含み、前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素の化合物を含む、スパッタターゲット。
【請求項２】
前記第１の材料は、前記中心区域及び前記端区域に施され、前記第２の材料は、少なくとも前記端区域において、前記第１の材料の上に施される請求項１に記載の回転可能なターゲット。
【請求項３】
前記第１の材料から堆積された被膜スパッタ及び前記第２の材料から堆積された被膜スパッタは、実質的に同一の組成を有する請求項１又は２に記載のスパッタターゲット。
【請求項４】
前記第１の材料の前記第１の元素は、金属を含む請求項１〜３のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項５】
前記金属は、Ｚｎ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｄ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗからなる群から選択される請求項４に記載のスパッタターゲット。
【請求項６】
前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素からなる請求項１〜５のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項７】
前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素の合金を含む請求項１〜６のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項８】
前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素の化合物を含む請求項１〜６のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項９】
前記第２の材料は、前記第１の元素以外の少なくとも１つの元素がドープされた、前記第１の材料の前記第１の元素を含み、又は前記第１の元素以外の少なくとも１つの材料がドープされた、前記第１の材料の前記第１の元素の化合物を含む請求項１〜６のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１０】
前記スパッタターゲットは、反応ガスを用いる反応性スパッタプロセスに用いられる請求項１〜９のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１１】
前記第１の材料は、金属を含み、前記第２の材料は、前記金属と前記反応ガスとの化合物を含む請求項１〜１０のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１２】
前記ターゲット材料は自己支持形である請求項１〜１１のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１３】
前記ターゲット材料は、ターゲット基部に堆積される請求項１〜１２のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１４】
前記第１の材料及び前記第２の材料は、注型、押出、焼結、熱間静水圧成形又は噴霧によって得られる請求項１〜１３のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１５】
前記第２の材料は、溶射によって得られる請求項１〜１４のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１６】
前記第１の材料と前記第２の材料との間に、拡散層が形成される請求項１〜１５のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１７】
前記ターゲット材料は、その全長にわたって均一な厚みを有する請求項１〜１６のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１８】
前記ターゲット材料は、前記ターゲット材料の厚みが前記端区域でより厚いドッグボーン構造を有する請求項１〜１６のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれかに記載のスパッタターゲットを製造する方法であって、
第１の材料及び第２の材料を含むターゲット材料を設けるステップであって、前記第２の材料は、前記第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有する、ステップと、
前記ターゲット材料の内部に配置された磁石アレイを設けるステップであって、前記磁石アレイは、前記ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、前記中心区域の各端に端区域を画定する、ステップと
を含み、前記ターゲット材料は、少なくとも前記中心区域において前記第１の材料を含み、少なくとも前記端区域において前記第２の材料を含み、前記第１の材料は、第１の元素を含み、前記第２の材料は、前記第１のものの化合物を含む、方法。
【請求項２０】
前記第１の材料は、前記中心区域及び前記端区域に施され、前記第２の材料は、少なくとも前記端区域において、前記第１の材料の上に施される請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１の材料の前記元素は、金属を含む請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記金属は、Ｚｎ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｄ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗからなる群から選択される請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素からなる請求項１９〜２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素の合金を含む請求項１９〜２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】
前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素の化合物を含む請求項１９〜２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
前記第２の材料は、前記第１の元素以外の少なくとも１つの元素がドープされた、前記第１の材料の前記第１の元素を含み、又は前記第１の元素以外の少なくとも１つの材料がドープされた、前記第１の材料の前記第１の元素の化合物を含む請求項１９〜２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】
前記スパッタターゲットは、反応ガスを用いる反応性スパッタプロセスに用いられる請求項１９〜２６のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】
前記第１の材料は、金属を含み、前記第２の材料は、前記金属と前記反応ガスとの化合物を含む請求項１９〜２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
前記ターゲット材料は自己支持形である請求項１９〜２８のいずれかに記載の方法。
【請求項３０】
前記ターゲット材料は、ターゲット基部に堆積される請求項１９〜２８のいずれかに記載の方法。
【請求項３１】
前記第１の材料及び前記第２の材料は、注型、押出、焼結、熱間静水圧成形又は噴霧によって得られる請求項１９〜３０のいずれかに記載の方法。
【請求項３２】
前記第２の材料は、溶射によって得られる請求項１９〜３１のいずれかに記載の方法。
【請求項３３】
前記第１の材料と前記第２の材料との間に、拡散層が形成される請求項１９〜３２のいずれかに記載の方法。
【請求項３４】
前記ターゲット材料は、その全長にわたって均一な厚みを有する請求項１９〜３３のいずれかに記載の方法。
【請求項３５】
前記ターゲット材料は、前記ターゲット材料の厚みが前記端区域でより厚いドッグボーン構造を有する請求項１９〜３３のいずれかに記載の方法。
【請求項１】
ターゲット材料と、
前記ターゲット材料の内部に配置された磁石アレイと
を備える、回転可能なスパッタターゲットであって、前記磁石アレイは、前記ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、前記中心区域の各端に端区域を画定し、前記ターゲット材料は、第１の材料及び第２の材料を含み、前記第２の材料は、前記第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有し、前記ターゲット材料は、少なくとも前記中心区域において前記第１の材料を含み、少なくとも前記端区域において前記第２の材料を含み、前記第１の材料は、第１の元素を含み、前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素の化合物を含む、スパッタターゲット。
【請求項２】
前記第１の材料は、前記中心区域及び前記端区域に施され、前記第２の材料は、少なくとも前記端区域において、前記第１の材料の上に施される請求項１に記載の回転可能なターゲット。
【請求項３】
前記第１の材料から堆積された被膜スパッタ及び前記第２の材料から堆積された被膜スパッタは、実質的に同一の組成を有する請求項１又は２に記載のスパッタターゲット。
【請求項４】
前記第１の材料の前記第１の元素は、金属を含む請求項１〜３のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項５】
前記金属は、Ｚｎ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｄ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗからなる群から選択される請求項４に記載のスパッタターゲット。
【請求項６】
前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素からなる請求項１〜５のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項７】
前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素の合金を含む請求項１〜６のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項８】
前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素の化合物を含む請求項１〜６のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項９】
前記第２の材料は、前記第１の元素以外の少なくとも１つの元素がドープされた、前記第１の材料の前記第１の元素を含み、又は前記第１の元素以外の少なくとも１つの材料がドープされた、前記第１の材料の前記第１の元素の化合物を含む請求項１〜６のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１０】
前記スパッタターゲットは、反応ガスを用いる反応性スパッタプロセスに用いられる請求項１〜９のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１１】
前記第１の材料は、金属を含み、前記第２の材料は、前記金属と前記反応ガスとの化合物を含む請求項１〜１０のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１２】
前記ターゲット材料は自己支持形である請求項１〜１１のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１３】
前記ターゲット材料は、ターゲット基部に堆積される請求項１〜１２のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１４】
前記第１の材料及び前記第２の材料は、注型、押出、焼結、熱間静水圧成形又は噴霧によって得られる請求項１〜１３のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１５】
前記第２の材料は、溶射によって得られる請求項１〜１４のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１６】
前記第１の材料と前記第２の材料との間に、拡散層が形成される請求項１〜１５のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１７】
前記ターゲット材料は、その全長にわたって均一な厚みを有する請求項１〜１６のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１８】
前記ターゲット材料は、前記ターゲット材料の厚みが前記端区域でより厚いドッグボーン構造を有する請求項１〜１６のいずれかに記載のスパッタターゲット。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれかに記載のスパッタターゲットを製造する方法であって、
第１の材料及び第２の材料を含むターゲット材料を設けるステップであって、前記第２の材料は、前記第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有する、ステップと、
前記ターゲット材料の内部に配置された磁石アレイを設けるステップであって、前記磁石アレイは、前記ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、前記中心区域の各端に端区域を画定する、ステップと
を含み、前記ターゲット材料は、少なくとも前記中心区域において前記第１の材料を含み、少なくとも前記端区域において前記第２の材料を含み、前記第１の材料は、第１の元素を含み、前記第２の材料は、前記第１のものの化合物を含む、方法。
【請求項２０】
前記第１の材料は、前記中心区域及び前記端区域に施され、前記第２の材料は、少なくとも前記端区域において、前記第１の材料の上に施される請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１の材料の前記元素は、金属を含む請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記金属は、Ｚｎ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｄ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗからなる群から選択される請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素からなる請求項１９〜２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素の合金を含む請求項１９〜２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】
前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素の化合物を含む請求項１９〜２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
前記第２の材料は、前記第１の元素以外の少なくとも１つの元素がドープされた、前記第１の材料の前記第１の元素を含み、又は前記第１の元素以外の少なくとも１つの材料がドープされた、前記第１の材料の前記第１の元素の化合物を含む請求項１９〜２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】
前記スパッタターゲットは、反応ガスを用いる反応性スパッタプロセスに用いられる請求項１９〜２６のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】
前記第１の材料は、金属を含み、前記第２の材料は、前記金属と前記反応ガスとの化合物を含む請求項１９〜２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
前記ターゲット材料は自己支持形である請求項１９〜２８のいずれかに記載の方法。
【請求項３０】
前記ターゲット材料は、ターゲット基部に堆積される請求項１９〜２８のいずれかに記載の方法。
【請求項３１】
前記第１の材料及び前記第２の材料は、注型、押出、焼結、熱間静水圧成形又は噴霧によって得られる請求項１９〜３０のいずれかに記載の方法。
【請求項３２】
前記第２の材料は、溶射によって得られる請求項１９〜３１のいずれかに記載の方法。
【請求項３３】
前記第１の材料と前記第２の材料との間に、拡散層が形成される請求項１９〜３２のいずれかに記載の方法。
【請求項３４】
前記ターゲット材料は、その全長にわたって均一な厚みを有する請求項１９〜３３のいずれかに記載の方法。
【請求項３５】
前記ターゲット材料は、前記ターゲット材料の厚みが前記端区域でより厚いドッグボーン構造を有する請求項１９〜３３のいずれかに記載の方法。
【図１】
【公表番号】特表２００９−５３８９８６（Ｐ２００９−５３８９８６Ａ）
【公表日】平成２１年１１月１２日（２００９．１１．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５１２５９４（Ｐ２００９−５１２５９４）
【出願日】平成１９年５月３１日（２００７．５．３１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００７／０５５２８１
【国際公開番号】ＷＯ２００７／１４１１７４
【国際公開日】平成１９年１２月１３日（２００７．１２．１３）
【出願人】（５０５３６０４９８）
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２１年１１月１２日（２００９．１１．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月３１日（２００７．５．３１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００７／０５５２８１
【国際公開番号】ＷＯ２００７／１４１１７４
【国際公開日】平成１９年１２月１３日（２００７．１２．１３）
【出願人】（５０５３６０４９８）
【Ｆターム（参考）】
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