【課題】ＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備及びＩＣの金属シールド膜層を提供する。
【解決手段】ベース３１は、チャンバー３１１を有している。ワーク支持具３２は、チャンバー３１１に内設されており、かつ複数の回転軸と回転自在に接続され、各回転軸は、少なくとも一つのジグを有し、そのジグでは、少なくとも一つのＩＣを取付ける。各中周波マグネトロンターゲット３３及び各多重アークイオンターゲット３４は、それぞれチャンバー３１１に内設され、中周波マグネトロンターゲット３３及び多重アークイオンターゲット３４が、金属材料をＩＣ上にスパッターリングを行うように用いられることによって、ＩＣの表面に少なくとも一つの金属シールド膜層が形成される。 （もっと読む）

【課題】優れた耐摩傷性を備えたトップコート層が、アンダーコート層を介して、樹脂基材の表面に、十分に高い密着性をもって積層形成されてなる樹脂製品を提供する。
【解決手段】ポリカーボネート製の樹脂基材１２の表面に積層されたアンダーコート層１４上に、無機珪素化合物のスパッタ層からなる基層部１８と、無機珪素化合物のプラズマＣＶＤ層からなる表層部２０との複層構造を有するトップコート層１６を更に積層形成して、構成した。 （もっと読む）

【課題】単結晶基板上において、圧電薄膜を良好な単結晶の状態で確実にエピタキシャル成長させて成膜し、圧電特性を確実に向上させる圧電素子と、その製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子１０は、以下の工程によって製造される。単結晶基板１を、振動する振動部１Ａと、振動部１Ａと連結されて振動が生じない非振動部１Ｂとに分けたときに、単結晶基板１上で、非振動部１Ｂ上を含む領域であって、振動部１Ａ上の圧電薄膜３の成膜領域を除く領域に、圧電薄膜３の単結晶での成長を阻害する阻害膜２を成膜する。次に、上記成膜領域となる振動部１Ａ上の少なくとも一部に、圧電薄膜３を単結晶でエピタキシャル成長させて成膜するとともに、阻害膜２上に、圧電薄膜３を非晶質または多結晶で成膜する。その後、阻害膜２上に成膜された圧電薄膜３を除去する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットであるCu₂Oから、単一結晶相からなる有用なCu₂O被膜（堆積膜）又はCuO被膜を選択的に形成できると共に、そのCu₂O被膜の形成に際して、そのCu₂O被膜の膜質制御を簡単に行うことができる被膜形成方法を提供する。
【解決手段】ターゲットとして、Cu₂Oを用い、Ａｒをプラズマ化するための投入電力とＡｒを含む全ガス圧力とを、前記Cu₂Oからのスパッタ粒子をO₂流量比が高まるに伴ってCu₂O,Cu₄O₃,CuOに順次、変化し得るように設定し、その上で、前記投入電力及び前記全圧力の下で、O2流量比を調整する。これにより、的確に、単一結晶相からなる有用なCu₂O被膜又はCuO被膜のいずれかを選択的に形成できるようにする。また、Cu₂O被膜の形成に際しては、O₂流量比調整により広い範囲で抵抗率（キャリア密度）を調整して、Cu₂O被膜の膜質特性の変更を簡単に行えるようにする。 （もっと読む）

【課題】裏面に反射膜を積層したサファイア基板の内部にストリートに沿って改質層を形成することができ、かつ反射膜をストリートに沿って切断することができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の光デバイスが格子状のストリート２２で区画形成されたサファイア基板２０をストリートに沿って分割するサファイア基板の加工方法であって、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光を裏面側から基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ストリートに沿って改質層を形成する工程と、基板の裏面に反射膜２１０を積層する工程と、裏面に積層された反射膜側から反射膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、反射膜をストリートに沿って切断する工程と、基板に外力を付与して基板を変質層が形成されたストリートに沿って破断し、個々の光デバイスに分割する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅからなる膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｕ，Ｉｎ，ＧａおよびＳｅを含有し、さらに、ＮａＦ化合物、Ｎａ_２Ｓ化合物、又はＮａ_２Ｓｅ化合物の少なくとも１種の状態でＮａが、Ｎａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｅ＋Ｎａ）×１００：０．０５〜５原子％の割合で含有され、酸素濃度が、２００〜２０００重量ｐｐｍであり、残部が不可避不純物からなる成分組成を有する。 （もっと読む）

【課題】より高い特性を有する膜体を形成する。
【解決手段】被膜部材１０の製造方法は、スパッタリングターゲット部材を用い、スパッタリング処理によって被処理部材１１に膜体１２を形成する形成工程、を含むものである。この形成工程では、１又は複数のスパッタリングターゲット部材を用い、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮの元素を含む膜体１２を被処理部材１１の表面に形成する処理を行う。ここで、スパッタリングターゲット部材は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮの全てが含まれていれば、どのような形態でも構わず、スパッタリングターゲット部材を１種用いるものとしてもよいし、スパッタリングターゲット部材を複数種用いるものとしてもよい。被処理部材１１に形成された膜体１２には、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮが含まれている。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物Ｃ型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 （もっと読む）

【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。ま
た、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し
、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、ａ−ｂ面が膜表面
に概略平行であり、ｃ軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気
伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を
有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気
的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜装置において、成膜中に基板へのイオン照射を十分に行うと共に、良好なイオン化率を得る。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、内側に配備された内極磁石９と、この内極磁石９の外側に配備され且つ内極磁石９より磁力線密度が大きな外極磁石１０とで形成された非平衡磁場形成手段６と、非平衡磁場形成手段６の前面に配備されたターゲット５とからなるスパッタリング蒸発源４を２基有し、２基のスパッタリング蒸発源４を１組として１０ｋＨｚ以上の周波数で極性が切り替わる交流電流を流すことにより、両スパッタリング蒸発源４の間に放電を起こして成膜を行う交流電源８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセスを提供する。
【解決手段】 ドープされた金属酸化物誘電体材料及びこの材料で作られた電子部品が明らかにされている。金属酸化物はＩＩＩ族又はＶ族金属酸化物（たとえば、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５またはＶ_２Ｏ_５）で、金属ドーパントはＩＶ族元素（Ｚｒ、Ｓｉ、ＴｉおよびＨｆ）である。金属酸化物は約０．１重量パーセントないし約３０重量パーセントのドーパントを含む。本発明のドープされた金属酸化物誘電体は、多くの異なる電子部品及びデバイス中で用いられる。たとえば、ドープされた金属酸化物誘電体は、ＭＯＳデバイスのゲート誘電体として用いられる。ドープされた金属酸化物誘電体はまた、フラッシュメモリデバイスのポリ間誘電体材料としても用いられる。 （もっと読む）

【課題】無潤滑または境界潤滑環境下での使用において、DLCなどの従来の非晶質炭素皮膜と同等の低摩擦性を有し、かつ従来の非晶質炭素皮膜よりも優れた耐摩耗性を有する皮膜が形成された摺動部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る摺動部品は、無潤滑または境界潤滑環境下で使用される摺動部品であり、前記摺動部品を構成する基材の摺動面に非晶質硬質皮膜が形成された摺動部品であって、前記非晶質硬質皮膜は、硼素、炭素、窒素および酸素を少なくとも含有し、前記硼素、前記炭素、前記窒素および前記酸素の合計を100原子％とした場合に、前記炭素の含有率が12原子％以上であり、前記窒素の含有率が10原子％以上であり、前記硼素の含有率が前記炭素および前記窒素のそれぞれの含有率よりも高く、前記酸素の含有率が5原子％以上12原子％以下であり、前記非晶質硬質皮膜の厚さが0.08μm以上10μm以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放射線耐性能力をさらに向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の上方に形成された第１絶縁膜１２と、第１絶縁膜１２の上方に形成され、下部電極１７と上部電極１９に挟まれる強誘電体膜１８を有するキャパシタＱと、キャパシタの上に形成される第２絶縁膜２６と、を有し、第１絶縁膜１２と下部電極１７の間に、Ｐｂ又はＢｉが添加された結晶を持つ絶縁材料膜から形成される第３絶縁膜１６、３８と、
を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いたスパッタ法によって、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉを含む誘電体薄膜を成膜する場合でも、圧電特性の高い誘電体薄膜を安定して成膜する。
【解決手段】誘電体薄膜のスパッタによる成膜中に、プラズマの発光分析を行って、上記プラズマの発光スペクトルを取得する。そして、上記発光スペクトルに含まれる、Ｐｂ（４０６ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｐｂ、Ｚｒ（４６８ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｚｒ、Ｔｉ（４５３ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｔｉをそれぞれ求める。Ｉ_Ｐｂ／（Ｉ_Ｚｒ＋Ｉ_Ｔｉ）の値をＰ_１としたとき、０．４＜Ｐ_１＜０．７を満足するように成膜条件を制御しながら、上記誘電体薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで使い勝手が良く、イニシャルコストもランニングコストも安い真空成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ（２）内に、ワークホルダ（１０）と、マグネトロン電極（１５）とを設ける。マグネトロン電極（１５）には、第１のターゲット材料（１６）を設け、これに重ね合わせるように第２のターゲット材料（１７）を設ける。第２のターゲット材料（１７、１７）は第１のターゲット材料（１６）をカバーする位置と、開放する位置の２位置を採ることができるようにする。ワークホルダ（１０）と、第１、２のターゲット材料（１６、１７）との間には、直流電圧と高周波電圧とが選択可能に印加されるようにする。 （もっと読む）

【課題】移動度が高く、Ｓ値の低い電界効果型トランジスタの提供を目的とする。また、低温又は短時間の熱履歴でも高い特性の得られる電界効果型トランジスタの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】Ｉｎ元素及びＺｎ元素と、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｂ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド類からなる群より選択される１以上の元素Ｘを、下記（１）〜（３）の原子比で含む複合酸化物からなる半導体層を有する電界効果型トランジスタ。
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．２〜０．８ （１）
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）＝０．２９〜０．９９ （２）
Ｚｎ／（Ｘ＋Ｚｎ）＝０．２９〜０．９９ （３） （もっと読む）

【課題】亀裂がなく、かつ、抵抗が低いタングステン遮光膜を得ることが可能なタングステン遮光膜の製造方法およびタングステン遮光膜を提供する。
【解決手段】本発明のタングステン遮光膜の製造方法は、基板１１の一面１１ａに窒化タングステン膜を成膜する成膜工程と、窒化タングステン膜が形成された基板１１を熱処理する熱処理工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の成膜時における温度上昇を抑制でき、電極の金属拡散を抑制できる圧電振動片の製造方法と、この方法で製造された圧電振動片を備えた圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】パッシベーション膜成膜工程は、ターゲット７７と、回転可能な回転ドラム７１と、を備えたスパッタリング装置７０を用いて行い、パッシベーション膜成膜工程は、回転ドラム７１の外周面７１ａにウエハＷを取り付けるウエハ取付工程と、ウエハＷがターゲット７７に対向する位置を通過するように回転ドラム７１を回転させてパッシベーション膜を成膜する回転成膜工程と、を備え、回転成膜工程は、ウエハＷがターゲット７７に対向する位置を複数回通過するように回転ドラム７１を回転させることによりパッシベーション膜を成膜することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】複数の圧電体薄膜を積層して形成される圧電体素子における膜の密着性を高めて剥離を防止し、耐久性、信頼性を高めるとともに変位効率（駆動効率）を向上させる圧電体素子を提供する。
【解決手段】基板30上に、第１の電極32が形成され、その上に第１の圧電体膜34が形成される。さらに第１の圧電体膜34の上に拡散ブロック層として機能する金属酸化物膜36が積層され、その上に金属膜38が積層して形成される。金属膜38の上に第２の圧電体膜76が形成され、その上に第２の電極46が積層して形成される。第１の圧電体膜34の分極方向と第２の圧電体膜44の分極方向は互いに異なる。第１の電極32と第２の電極46を接地電位とし、金属膜38を含む中間電極40をドライブ電極とすることができる。各層の圧電体膜を互いに異なる組成で構成することができる。中間層40の厚みと応力値の積は１００Ｎ／ｍ^２未満であることが好ましい。 （もっと読む）