基板の処理方法、カラーフィルタの製造方法及び有機ＥＬ装置の製造方法
【課題】従来の基板の処理方法では、隔壁によって囲まれた領域内にわたって膜を形成することが困難である。
【解決手段】有機材料を含む材料で構成された絶縁膜６３が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板４１ａを用意する工程と、液状体に対して絶縁膜６３が有する親液性よりも大きな親液性を、絶縁膜６３の少なくとも一部に付与する親液化工程と、前記親液化工程の後に、基板４１ａを加熱する加熱工程と、を有し、前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で基板４１ａに紫外線を照射することを特徴とする基板の処理方法。
【解決手段】有機材料を含む材料で構成された絶縁膜６３が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板４１ａを用意する工程と、液状体に対して絶縁膜６３が有する親液性よりも大きな親液性を、絶縁膜６３の少なくとも一部に付与する親液化工程と、前記親液化工程の後に、基板４１ａを加熱する加熱工程と、を有し、前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で基板４１ａに紫外線を照射することを特徴とする基板の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理方法、カラーフィルタの製造方法及び有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、平面視で画素形成領域を区画するように設けられた隔壁を有する基板に対する処理として、平面視で隔壁によって囲まれた領域内に親液性を付与し、隔壁の表面に撥液性を付与する処理が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３６９８１３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載された処理では、酸素を含むガス中で基板に紫外線を照射することにより、平面視で隔壁によって囲まれた領域内に親液性が付与される。そして、親液性が付与された基板に、フッ素化合物を含むガス中で紫外線を照射することにより、隔壁に撥液性が付与される。これらの処理によれば、隔壁によって囲まれた領域内に液状体を塗布したときに、液状体は、隔壁によって囲まれた領域内にわたって濡れ広がりやすい。他方で、隔壁表面は、液状体をはじきやすい。このため、液状体は、隔壁を乗り越えにくい。これらの結果、液状体から膜を形成したときに、隔壁によって囲まれた領域内にわたって膜を形成しやすくすることができる。
【０００５】
ところで、隔壁がポジ型の感光性を有する感光物質を含んでいる場合、隔壁に紫外線を照射すると、紫外線が隔壁中の感光物質の光分解を誘発する。この状態で、隔壁によって囲まれた領域内に液状体を塗布すると、隔壁が液状体に溶けやすくなる。この結果、液状体が隔壁を乗り越えやすくなる。
【０００６】
つまり、従来の基板の処理方法では、隔壁によって囲まれた領域内にわたって膜を形成することが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００８】
［適用例１］有機材料を含む材料で構成された隔壁が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板を用意する工程と、液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、を有し、前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とする基板の処理方法。
【０００９】
この適用例の基板の処理方法は、基板を用意する工程と、親液化工程と、加熱工程と、を有している。基板には、画素形成領域を区画する隔壁が設けられている。隔壁は、有機材料を含む材料で構成されている。
親液化工程では、液状体に対して隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、隔壁の少なくとも一部に付与する。親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で基板に紫外線を照射する。加熱工程では、基板を加熱する。
この基板の処理方法によれば、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を塗布したときに、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。このため、液状体から膜を形成するときに、隔壁によって囲まれた画素形成領域内にわたって膜を形成しやすくすることができる。
【００１０】
［適用例２］上記の基板の処理方法であって、前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする基板の処理方法。
【００１１】
この適用例では、加熱工程において基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱する。２８０℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された隔壁に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、５０℃以上であれば、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。
【００１２】
［適用例３］上記の基板の処理方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とする基板の処理方法。
【００１３】
この適用例では、有機材料を含む材料に感光物質が含まれているので、フォトリソグラフィ技術を活用して隔壁を形成することができる。
【００１４】
［適用例４］上記の基板の処理方法であって、前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とする基板の処理方法。
【００１５】
この適用例では、感光物質がポジ型の感光性を有しているので、露光した部位を剥離することによって隔壁を形成することができる。
【００１６】
［適用例５］上記の基板の処理方法であって、前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とする基板の処理方法。
【００１７】
この適用例では、隔壁が、液状体に対して親液化された隔壁よりも、撥液性を有しているので、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を留まらせやすくすることができる。
【００１８】
［適用例６］上記の基板の処理方法であって、前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とする基板の処理方法。
【００１９】
この適用例では、親液化工程の後に、液状体に対して親液化された隔壁よりも大きな撥液性を、隔壁に付与する撥液化工程があるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【００２０】
［適用例７］上記の基板の処理方法であって、前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とする基板の処理方法。
【００２１】
この適用例では、加熱工程の前に撥液化工程があるので、加熱工程の前に隔壁に撥液性を付与することができる。
【００２２】
［適用例８］上記の基板の処理方法であって、前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とする基板の処理方法。
【００２３】
この適用例では、加熱工程の後に撥液化工程があるので、加熱工程の後に隔壁に撥液性を付与することができる。
【００２４】
［適用例９］上記の基板の処理方法であって、前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする基板の処理方法。
【００２５】
この適用例では、撥液化工程において、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、隔壁に撥液性を付与することができる。
【００２６】
［適用例１０］上記の基板の処理方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とする基板の処理方法。
【００２７】
この適用例では、有機材料を含む材料に撥液性を有する物質が含まれているので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【００２８】
［適用例１１］上記の基板の処理方法であって、前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする基板の処理方法。
【００２９】
この適用例では、撥液性を有する物質がフッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【００３０】
［適用例１２］有機材料を含む材料で構成された隔壁が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板を用意する工程と、着色材料が含まれている液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、前記加熱工程の後に、前記隔壁によって囲まれている前記画素形成領域内に、前記液状体を配置する工程と、前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記着色材料で膜を形成する工程と、を有し、前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００３１】
この適用例のカラーフィルタの製造方法は、基板を用意する工程と、親液化工程と、加熱工程と、液状体を配置する工程と、膜を形成する工程と、を有している。
基板には、画素形成領域を区画する隔壁が設けられている。隔壁は、有機材料を含む材料で構成されている。
親液化工程では、液状体に対して隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、隔壁の少なくとも一部に付与する。液状体には、着色材料が含まれている。また、親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で基板に紫外線を照射する。加熱工程では、基板を加熱する。液状体を配置する工程では、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に、液状体を配置する。膜を形成する工程では、液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、着色材料で膜を形成する。
このカラーフィルタの製造方法によれば、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を塗布したときに、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。このため、液状体から膜を形成するときに、隔壁によって囲まれた画素形成領域内にわたって膜を形成しやすくすることができる。
【００３２】
［適用例１３］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００３３】
この適用例では、加熱工程において基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱する。２８０℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された隔壁に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、５０℃以上であれば、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。
【００３４】
［適用例１４］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００３５】
この適用例では、有機材料を含む材料に感光物質が含まれているので、フォトリソグラフィ技術を活用して隔壁を形成することができる。
【００３６】
［適用例１５］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００３７】
この適用例では、感光物質がポジ型の感光性を有しているので、露光した部位を剥離することによって隔壁を形成することができる。
【００３８】
［適用例１６］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００３９】
この適用例では、隔壁が、液状体に対して親液化された隔壁よりも、撥液性を有しているので、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を留まらせやすくすることができる。
【００４０】
［適用例１７］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００４１】
この適用例では、親液化工程の後に、液状体に対して親液化された隔壁よりも大きな撥液性を、隔壁に付与する撥液化工程があるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【００４２】
［適用例１８］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００４３】
この適用例では、加熱工程の前に撥液化工程があるので、加熱工程の前に隔壁に撥液性を付与することができる。
【００４４】
［適用例１９］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００４５】
この適用例では、加熱工程の後に撥液化工程があるので、加熱工程の後に隔壁に撥液性を付与することができる。
【００４６】
［適用例２０］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００４７】
この適用例では、撥液化工程において、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、隔壁に撥液性を付与することができる。
【００４８】
［適用例２１］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００４９】
この適用例では、有機材料を含む材料に撥液性を有する物質が含まれているので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【００５０】
［適用例２２］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００５１】
この適用例では、撥液性を有する物質がフッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【００５２】
［適用例２３］複数の画素の前記画素ごとに、互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極間に介在する有機層と、平面視で前記有機層を囲む隔壁とを有し、前記有機層が複数の層を有している有機ＥＬ装置の製造方法であって、有機材料を含む材料で構成された前記隔壁を有する基板を用意する工程と、前記複数の層のうちの１つの層を構成する材料が含まれている液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、前記加熱工程の後に、前記隔壁によって囲まれている画素形成領域内に、前記液状体を配置する工程と、前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記１つの層を構成する材料で前記１つの層に対応する膜を形成する工程と、を有し、前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００５３】
この適用例の製造方法にかかる有機ＥＬ装置は、複数の画素の画素ごとに、互いに対向する一対の電極と、一対の電極間に介在する有機層と、平面視で有機層を囲む隔壁と、を有している。この有機ＥＬ装置では、有機層が複数の層を有している。
この適用例の製造方法は、基板を用意する工程と、親液化工程と、加熱工程と、液状体を配置する工程と、１つの層を形成する工程と、を有している。
基板には、画素形成領域を区画する隔壁が設けられている。隔壁は、有機材料を含む材料で構成されている。
親液化工程では、液状体に対して隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、隔壁の少なくとも一部に付与する。液状体には、複数の層のうちの１つの層を構成する材料が含まれている。また、親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で基板に紫外線を照射する。加熱工程では、基板を加熱する。液状体を配置する工程では、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に、液状体を配置する。１つの層を形成する工程では、液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、この１つの層を構成する材料で１つの層に対応する膜を形成する。
この有機ＥＬ装置の製造方法によれば、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を塗布したときに、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。このため、液状体から膜を形成するときに、隔壁によって囲まれた画素形成領域内にわたって膜を形成しやすくすることができる。
この結果、複数の画素において、欠陥画素などの発生を低く抑えやすくすることができる。このため、有機ＥＬ装置の表示品位の向上を図りやすくすることができる。
【００５４】
［適用例２４］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００５５】
この適用例では、加熱工程において基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱する。２８０℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された隔壁に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、５０℃以上であれば、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。
【００５６】
［適用例２５］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００５７】
この適用例では、有機材料を含む材料に感光物質が含まれているので、フォトリソグラフィ技術を活用して隔壁を形成することができる。
【００５８】
［適用例２６］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００５９】
この適用例では、感光物質がポジ型の感光性を有しているので、露光した部位を剥離することによって隔壁を形成することができる。
【００６０】
［適用例２７］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００６１】
この適用例では、隔壁が、液状体に対して親液化された隔壁よりも、撥液性を有しているので、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を留まらせやすくすることができる。
【００６２】
［適用例２８］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００６３】
この適用例では、親液化工程の後に、液状体に対して親液化された隔壁よりも大きな撥液性を、隔壁に付与する撥液化工程があるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【００６４】
［適用例２９］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００６５】
この適用例では、加熱工程の前に撥液化工程があるので、加熱工程の前に隔壁に撥液性を付与することができる。
【００６６】
［適用例３０］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００６７】
この適用例では、加熱工程の後に撥液化工程があるので、加熱工程の後に隔壁に撥液性を付与することができる。
【００６８】
［適用例３１］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００６９】
この適用例では、撥液化工程において、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、隔壁に撥液性を付与することができる。
【００７０】
［適用例３２］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００７１】
この適用例では、有機材料を含む材料に撥液性を有する物質が含まれているので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【００７２】
［適用例３３］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００７３】
この適用例では、撥液性を有する物質がフッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】第１実施形態における表示装置を示す平面図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】第１実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】第１実施形態における表示装置の回路構成を示す図。
【図５】図３中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図６】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図７】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図８】第１実施形態でのＵＶオゾン処理に適用されるＵＶオゾン処理装置の一例の概略の構成を示す断面図。
【図９】第１実施形態での酸素プラズマ処理に適用されるプラズマ処理装置の一例の概略の構成を示す断面図。
【図１０】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１１】第２実施形態における表示装置の図３中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図１２】第２実施形態での封止基板の製造工程を説明する図。
【図１３】第２実施形態での封止基板の製造工程を説明する図。
【図１４】本実施形態における表示装置を適用した電子機器の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００７５】
実施形態について、有機ＥＬ装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
第１実施形態における表示装置１は、図１に示すように、表示面３を有している。
【００７６】
ここで、表示装置１には、複数の画素５が設定されている。複数の画素５は、表示領域７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１は、複数の画素５から選択的に表示面３を介して表示装置１の外に光を射出することで、表示面３に画像を表示することができる。なお、表示領域７とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素５が誇張され、且つ画素５の個数が減じられている。
【００７７】
表示装置１は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、素子基板１１と、封止基板１３とを有している。
素子基板１１には、表示面３側すなわち封止基板１３側に、複数の画素５のそれぞれに対応して、後述する有機ＥＬ素子などが設けられている。なお、素子基板１１の表示面３側とは反対側の面１５は、表示装置１の底面として設定されている。以下において、面１５は、底面１５と表記される。
【００７８】
封止基板１３は、素子基板１１よりも表示面３側で素子基板１１に対向した状態で設けられている。素子基板１１と封止基板１３とは、接着剤１６を介して接合されている。表示装置１では、有機ＥＬ素子は、接着剤１６によって表示面３側から覆われている。
また、素子基板１１と封止基板１３との間は、表示装置１の周縁よりも内側で表示領域７を囲むシール材１７によって封止されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子と接着剤１６とが、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されている。
【００７９】
ここで、表示装置１における複数の画素５は、それぞれ、表示面３から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素５は、Ｒの光を射出する画素５ｒと、Ｇの光を射出する画素５ｇと、Ｂの光を射出する画素５ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素５という表記と、画素５ｒ、５ｇ及び５ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００８０】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００８１】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素５が、１つの画素列１８を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素５が、１つの画素行１９を構成している。
１つの画素列１８内の各画素５は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素５ｒがＹ方向に配列した画素列１８ｒと、複数の画素５ｇがＹ方向に配列した画素列１８ｇと、複数の画素５ｂがＹ方向に配列した画素列１８ｂとを有している。そして、表示装置１では、画素列１８ｒ、画素列１８ｇ及び画素列１８ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列１８という表記と、画素列１８ｒ、画素列１８ｇ及び画素列１８ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００８２】
表示装置１は、回路構成を示す図である図４に示すように、画素５ごとに、選択トランジスタ２１と、駆動トランジスタ２３と、容量素子２５と、有機ＥＬ素子２７とを有している。有機ＥＬ素子２７は、画素電極２９と、有機層３１と、共通電極３３とを有している。選択トランジスタ２１及び駆動トランジスタ２３は、それぞれ、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子で構成されており、スイッチング素子としての機能を有する。
また、表示装置１は、走査線駆動回路３４と、データ線駆動回路３５と、複数の走査線ＧＴと、複数のデータ線ＳＩと、複数の電源線ＰＷとを有している。
【００８３】
複数の走査線ＧＴは、それぞれ走査線駆動回路３４につながっており、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
複数のデータ線ＳＩは、それぞれデータ線駆動回路３５につながっており、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態でＹ方向に延びている。
複数の電源線ＰＷは、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各電源線ＰＷと各走査線ＧＴとがＹ方向に間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
【００８４】
各画素５は、各走査線ＧＴと各データ線ＳＩとの交差に対応して設定されている。各走査線ＧＴ及び各電源線ＰＷは、それぞれ、図３に示す各画素行１９に対応している。各データ線ＳＩは、図３に示す各画素列１８に対応している。
図４に示す各選択トランジスタ２１のゲート電極は、対応する各走査線ＧＴに電気的につながっている。各選択トランジスタ２１のソース電極は、対応する各データ線ＳＩに電気的につながっている。各選択トランジスタ２１のドレイン電極は、各駆動トランジスタ２３のゲート電極及び各容量素子２５の一方の電極に電気的につながっている。
【００８５】
容量素子２５の他方の電極と、駆動トランジスタ２３のソース電極は、それぞれ、対応する各電源線ＰＷに電気的につながっている。
各駆動トランジスタ２３のドレイン電極は、各画素電極２９に電気的につながっている。各画素電極２９と共通電極３３とは、画素電極２９を陽極とし、共通電極３３を陰極とする一対の電極を構成している。
ここで、共通電極３３は、マトリクスＭを構成する複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素５間にわたって共通して機能する。
各画素電極２９と共通電極３３との間に介在する有機層３１は、有機材料で構成されており、後述する発光層を含んだ構成を有している。
【００８６】
選択トランジスタ２１は、この選択トランジスタ２１につながる走査線ＧＴに選択信号が供給されるとＯＮ状態となる。このとき、この選択トランジスタ２１につながるデータ線ＳＩからデータ信号が供給され、駆動トランジスタ２３がＯＮ状態になる。駆動トランジスタ２３のゲート電位は、データ信号の電位が容量素子２５に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。これにより、駆動トランジスタ２３のＯＮ状態が一定の期間だけ保持される。なお、各データ信号は、階調表示に応じた電位に生成される。
【００８７】
駆動トランジスタ２３のＯＮ状態が保持されているときに、駆動トランジスタ２３のゲート電位に応じた電流が、電源線ＰＷから画素電極２９と有機層３１を経て共通電極３３に流れる。そして、有機層３１に含まれる発光層が、有機層３１を流れる電流量に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置１では、階調表示が行われ得る。
表示装置１は、有機層３１に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が封止基板１３を介して表示面３から射出されるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の１つである。なお、表示装置１では、表示面３側という表現が上側とも表現され、底面１５側という表現が下側とも表現される。
【００８８】
ここで、素子基板１１及び封止基板１３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板１１は、図３中のＣ−Ｃ線における断面図である図５に示すように、第１基板４１を有している。なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、選択トランジスタ２１、容量素子２５、データ線ＳＩ及び電源線ＰＷが省略されている。
第１基板４１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた第１面４２ａと、底面１５側に向けられた第２面４２ｂとを有している。
【００８９】
第１基板４１の第１面４２ａには、ゲート絶縁膜４３が設けられている。ゲート絶縁膜４３の表示面３側には、絶縁膜４５が設けられている。絶縁膜４５の表示面３側には、絶縁膜４７が設けられている。
また、第１基板４１の第１面４２ａには、各画素５の駆動トランジスタ２３に対応して、半導体層５１が設けられている。半導体層５１は、ゲート絶縁膜４３によって表示面３側から覆われている。なお、ゲート絶縁膜４３の材料としては、例えば酸化シリコンなどの材料が採用され得る。
【００９０】
ゲート絶縁膜４３の表示面３側には、平面視で半導体層５１に重なる領域にゲート電極５３が設けられている。ゲート電極５３の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ゲート電極５３は、絶縁膜４５によって表示面３側から覆われている。
【００９１】
絶縁膜４５の表示面３側には、平面視で半導体層５１のソース領域（図示せず）に重なる領域にソース電極５５が設けられている。ソース電極５５は、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４３に設けられたコンタクトホール５７を介して半導体層５１のソース領域（図示せず）につながっている。ソース電極５５の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ソース電極５５は、絶縁膜４７によって表示面３側から覆われている。
【００９２】
絶縁膜４７の表示面３側には、画素電極２９が設けられている。画素電極２９は、絶縁膜４７、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４３に設けられたコンタクトホール５９を介して半導体層５１のドレイン領域（図示せず）につながっている。画素電極２９の材料としては、例えば、銀、白金、アルミニウム、銅などの光反射性を有する金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
【００９３】
画素電極２９を陽極として機能させる場合には、画素電極２９の材料として、銀、白金などの仕事関数が比較的高い材料を用いることが好ましい。また、画素電極２９の材料としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などを用い、光反射性を有する部材を画素電極２９と第１基板４１との間に設けた構成も採用され得る。本実施形態では、画素電極２９の材料としてＩＴＯが採用されている。
また、絶縁膜４５及び４７の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの材料が採用され得る。
【００９４】
隣り合う画素電極２９同士の間には、各画素５を区画する絶縁膜（第１隔壁）６１が領域６２にわたって設けられている。絶縁膜６１は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料で構成されている。絶縁膜６１は、平面視で、表示領域７にわたって格子状に設けられている。このため、表示領域７は、絶縁膜６１によって複数の画素５の領域に区画されている。１つの画素５に着目すると、絶縁膜６１は、平面視で環状に設けられている。なお、各画素電極２９は、絶縁膜６１によって囲まれた各画素５の領域に平面視で重なっている。本実施形態では、絶縁膜６１の材料として酸化シリコンが採用されている。
【００９５】
絶縁膜６１の表示面３側には、各画素５の領域を囲む絶縁膜（第２隔壁）６３が設けられている。絶縁膜６３は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有するアクリル系の樹脂やポリイミド樹脂などの有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６１に沿って格子状に設けられている。１つの画素５に着目すると、絶縁膜６３は、平面視で各画素５の領域を囲んでいる。このため、絶縁膜６３は、画素５ごとに環状に設けられているとみなされ得る。本実施形態では、絶縁膜６３の材料としてアクリル系の樹脂が採用されている。
画素電極２９の表示面３側には、絶縁膜６３に囲まれた領域（以下、画素形成領域と呼ぶ）内に、有機層３１が設けられている。
【００９６】
有機層３１は、各画素５に対応して設けられており、正孔注入層６５と、正孔輸送層６７と、発光層６９とを有している。
正孔注入層６５は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６３によって囲まれた画素形成領域内で、画素電極２９の表示面３側に設けられている。
正孔注入層６５の有機材料としては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等との混合物が採用され得る。正孔注入層６５の有機材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやこれらの誘導体なども採用され得る。
【００９７】
正孔輸送層６７は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６３によって囲まれた画素形成領域内で、正孔注入層６５の表示面３側に設けられている。
正孔輸送層６７の有機材料としては、例えば、下記化合物１として示されるＴＦＢなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ構成が採用され得る。
【００９８】
【化１】
【００９９】
発光層６９は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６３によって囲まれた画素形成領域内で、正孔輸送層６７の表示面３側に設けられている。
Ｒの画素５ｒに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、下記化合物２として示されるＦ８（ポリジオクチルフルオレン）と、ペリレン染料とを混合したものが採用され得る。
【０１００】
【化２】
【０１０１】
Ｇの画素５ｇに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、下記化合物３として示されるＦ８ＢＴと、上記化合物１として示されるＴＦＢと、上記化合物２として示されるＦ８とを混合したものが採用され得る。
【０１０２】
【化３】
【０１０３】
Ｂの画素５ｂに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、上記化合物２として示されるＦ８が採用され得る。
【０１０４】
有機層３１の表示面３側には、図５に示すように、絶縁膜６３に囲まれた画素形成領域内に、電子注入層７１が設けられている。電子注入層７１の材料としては、例えば、マグネシウムと銀とを含む合金や、カルシウムなどが採用され得る。本実施形態では、電子注入層７１の材料として、マグネシウムと銀とを含む合金が採用されている。
電子注入層７１の表示面３側には、共通電極３３が設けられている。共通電極３３は、例えば、アルミニウム等の金属を薄膜化して光透過性を付与したものなどが採用され得る。また、共通電極３３は、例えば、マグネシウムと銀とを含む合金等を薄膜化して光透過性を付与したものなどによっても構成され得る。本実施形態では、共通電極３３として、アルミニウムの薄膜が採用されている。共通電極３３は、電子注入層７１及び絶縁膜６３を表示面３側から複数の画素５間にわたって覆っている。
【０１０５】
なお、表示装置１では、各画素５において発光する領域は、平面視で画素電極２９と有機層３１と共通電極３３とが重なる領域であると定義され得る。また、画素５ごとに発光する領域を構成する要素の一群が１つの有機ＥＬ素子２７であると定義され得る。表示装置１では、１つの有機ＥＬ素子２７は、１つの画素電極２９と、１つの有機層３１と、１つの電子注入層７１と、１つの画素５に対応する共通電極３３とを含んだ構成を有している。
【０１０６】
封止基板１３は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた外向面１３ａと、底面１５側に向けられた対向面１３ｂとを有している。
上記の構成を有する素子基板１１及び封止基板１３は、素子基板１１の共通電極３３と封止基板１３の対向面１３ｂとの間が、接着剤１６を介して接合されている。
【０１０７】
表示装置１では、図２に示すシール材１７は、図５に示す第１基板４１の第１面４２ａと、封止基板１３の対向面１３ｂとによって挟持されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６が、第１基板４１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されている。なお、シール材１７は、対向面１３ｂ及び共通電極３３の間に設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６は、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されているとみなされ得る。
【０１０８】
ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、素子基板１１を製造する工程と、表示装置１を組み立てる工程とに大別される。
素子基板１１を製造する工程では、図６（ａ）に示すように、まず、第１基板４１の第１面４２ａに駆動素子層８１を形成する。この駆動素子層８１には、前述した選択トランジスタ２１（図４）、駆動トランジスタ２３、容量素子２５（図４）、電源線ＰＷ（図４）、画素電極２９、ゲート絶縁膜４３、絶縁膜４５、絶縁膜４７が含まれている。
【０１０９】
次いで、図６（ｂ）に示すように、平面視で画素電極２９の周縁及び絶縁膜４７に重なる領域（図５に示す領域６２）に絶縁膜６１を形成する。絶縁膜６１の形成では、まず、ＣＶＤ技術などを活用することにより、平面視で画素電極２９及び絶縁膜４７を覆う酸化シリコン膜を形成する。次いで、例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを活用することによって、酸化シリコン膜をパターニングする。これにより、絶縁膜６１が形成され得る。
【０１１０】
次いで、図６（ｃ）に示すように、平面視で絶縁膜６１に重なる領域に絶縁膜６３を形成する。絶縁膜６３の形成では、まず、ポジ型の感光物質を含むアクリル系の樹脂で、平面視で画素電極２９及び絶縁膜６１を覆う樹脂膜を形成する。この樹脂膜の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。次いで、例えばフォトリソグラフィ技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。これにより、絶縁膜６３が形成され得る。
なお、駆動素子層８１から絶縁膜６３までの構成が形成された第１基板４１は、以下において基板４１ａと呼ばれる。
【０１１１】
次いで、図７（ａ）に示すように、基板４１ａにＵＶオゾン処理を施す。これにより、ＵＶオゾン処理前よりも、画素電極２９及び絶縁膜６１に、後述する液状体６５ａ、６７ａ、６９ａに対して親液性が付与される。本実施形態では、処理室内に基板４１ａを収容した状態で、処理室内に酸素を含むガスを導入しながら、処理室内で紫外線を発生させる方法が採用されている。
ここで、本実施形態でのＵＶオゾン処理に適用されるＵＶオゾン処理装置の一例について説明する。ＵＶオゾン処理装置８３は、概略の構成を示す断面図である図８に示すように、チャンバー（処理室）８５と、テーブル８７と、低圧水銀ランプ８９と、導入管９１と、排気管９３と、を有している。
【０１１２】
チャンバー８５には、外部からチャンバー８５内に処理ガスを導く導入管９１と、チャンバー８５内から外部に分解ガスを排出する排気管９３とが接続されている。テーブル８７は、チャンバー８５内に配設されている。低圧水銀ランプ８９は、チャンバー８５内でテーブル８７に対向して設けられている。本実施形態では、低圧水銀ランプ８９は、約２５４ｎｍの波長の紫外線と、約１８５ｎｍの波長の紫外線とを発する。約２５４ｎｍの波長の紫外線と、約１８５ｎｍの波長の紫外線とのエネルギ比は、約４：１に設定されている。
【０１１３】
基板４１ａにＵＶオゾン処理を施す工程では、基板４１ａをテーブル８７に載置した状態で、低圧水銀ランプ８９を点灯させながらチャンバー８５内に処理ガスを導入する。なお、本実施形態では、処理ガスに酸素が含まれている。酸素は、約１８５ｎｍの波長の紫外線によって分解され、オゾンに変化する。これにより、基板４１ａにＵＶオゾン処理が施される。
なお、チャンバー８５内のオゾンは、約２５４ｎｍの波長の紫外線によって分解され、酸素に変化する。オゾンから酸素に変化した分解ガスは、排気管９３を介してチャンバー８５の外側に排出される。
【０１１４】
基板４１ａにＵＶオゾン処理を施す工程に次いで、図７（ｂ）に示すように、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す。これにより、ＣＦ4プラズマ処理前よりも、絶縁膜６３に、後述する液状体６５ａ、６７ａ、６９ａに対して撥液性が付与される。本実施形態では、処理室内を所定の真空度に保った状態で処理室内に処理ガスを導入しながら、処理室内にプラズマを発生させる方法が採用されている。本実施形態では、処理ガスとして、フッ素化合物を含むガスであるＣＦ4ガスが採用されている。
ここで、本実施形態でのＣＦ4プラズマ処理に適用されるプラズマ処理装置の一例について説明する。プラズマ処理装置９５は、概略の構成を示す断面図である図９に示すように、チャンバー（処理室）９７と、テーブル９９と、コイル１０１と、シャワープレート１０３と、を有している。
【０１１５】
チャンバー９７には、外部からチャンバー９７内に処理ガスを導く導入管１０５と、チャンバー９７内から外部にガスを排出する排気管１０７とが接続されている。チャンバー９７の天板部には、誘電体で構成された誘電プレート１０９が設けられている。
テーブル９９は、チャンバー９７内に配設されている。コイル１０１は、チャンバー９７の外側で誘電プレート１０９に対向した状態で設けられている。シャワープレート１０３は、チャンバー９７内で誘電プレート１０９に対向した状態で設けられている。誘電プレート１０９とシャワープレート１０３との間には、隙間が設けられている。
テーブル９９には、整合器１１１を介して高周波バイアス電源１１３が接続されている。コイル１０１の一端には、整合器１１５を介して高周波電源１１７が接続されている。なお、コイル１０１の他端は、接地されている。
【０１１６】
導入管１０５は、チャンバー９７の外側から、誘電プレート１０９とシャワープレート１０３との間の隙間内に至っている。導入管１０５には、チャンバー９７の外側にバルブ１１９が接続されている。処理ガスは、バルブ１１９を経由してから導入管１０５を通って、誘電プレート１０９とシャワープレート１０３との間の隙間内に導かれる。誘電プレート１０９とシャワープレート１０３との間の隙間内に導かれた処理ガスは、シャワープレート１０３を介してチャンバー９７内に導入される。
排気管１０７には、チャンバー９７の外側に真空ポンプ１２１が接続されている。チャンバー９７内は、真空ポンプ１２１で排気管１０７を介してチャンバー９７内のガスをチャンバー９７の外側に排出することによって減圧される。
【０１１７】
基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す工程では、まず、基板４１ａをテーブル９９に載置する。
次いで、真空ポンプ１２１を駆動して、チャンバー９７内の圧力を減圧状態に保つ。
次いで、バルブ１１９を開いてＣＦ4ガスをチャンバー９７内に導入する。
次いで、高周波電源１１７及び高周波バイアス電源１１３を駆動して、コイル１０１に高周波電圧を印加し、テーブル９９にバイアス電圧を印加する。
これにより、チャンバー９７内にＣＦ4プラズマが誘起される。
【０１１８】
本実施形態では、ＣＦ4プラズマ処理の条件として、チャンバー９７内の圧力を約１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）とし、ＣＦ4ガスの導入量を約９００ＳＣＣＭとし、プラズマ照射強度を１Ｗ／ｃｍ2とし、処理時間を３０分間とした。
なお、処理ガスは、ＣＦ4ガスに限定されず、ＳＦ6やＣＨＦ3などのハロゲンガスや、フッ素ガスなども採用され得る。
【０１１９】
基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す工程に次いで、基板４１ａに加熱処理を施す。本実施形態では、加熱処理の方法として、基板４１ａを所定の温度範囲に保たれた環境下に所定の保持時間だけ保持する方法が採用されている。加熱処理の条件としては、本実施形態では、温度範囲を５０℃以上且つ２８０℃未満とし、保持時間を約１０分間とした条件が採用され得る。５０℃未満では、後述する効果が得られるのに要する時間が長期化してしまう。このため、５０℃を下回ることは、効率化の観点から好ましくない。また、２８０℃以上では、有機材料で構成される絶縁膜６３が軟化してしまったり、重量が減少してしまったりすることがある。このため、２８０℃以上は好ましくない。
【０１２０】
基板４１ａに加熱処理を施す工程に次いで、図１０（ａ）に示すように、絶縁膜６３によって囲まれた各画素５の領域（画素形成領域）内に液状体６５ａを配置する。液状体６５ａには、正孔注入層６５を構成する有機材料が含まれている。液状体６５ａの配置には、液滴吐出ヘッド１３１を利用したインクジェット法が活用され得る。
液滴吐出ヘッド１３１から液状体６５ａなどを液滴６５ｂとして吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体６５ａなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の１つである。
【０１２１】
各画素５の領域内に配置された液状体６５ａを減圧乾燥法で乾燥させてから焼成を行うことによって、図１０（ｂ）に示す正孔注入層６５が形成され得る。なお、液状体６５ａには、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの混合物を、溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、ジエチレングリコール、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。なお、減圧乾燥法は、減圧環境下で行う乾燥方法であり、真空乾燥法とも呼ばれる。また、液状体６５ａの焼成条件は、環境温度が約２００℃で、保持時間が約１０分間である。
【０１２２】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、絶縁膜６３によって囲まれた画素形成領域内に液滴吐出ヘッド１３１から液状体６７ａを液滴６７ｂとして吐出することで、絶縁膜６３によって囲まれた画素形成領域内に液状体６７ａを配置する。液状体６７ａには、正孔輸送層６７を構成する有機材料が含まれている。
このとき、正孔注入層６５は、液状体６７ａによって覆われる。なお、液状体６７ａには、ＴＦＢを溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
【０１２３】
次いで、液状体６７ａを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図１０（ｃ）に示す正孔輸送層６７が形成され得る。なお、液状体６７ａの焼成条件は、環境温度が約１３０℃で、保持時間が約１時間である。
【０１２４】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、絶縁膜６３によって囲まれた各領域内に、液状体６９ａを配置する。液状体６９ａには、発光層６９を構成する有機材料が含まれている。液状体６９ａは、液滴吐出ヘッド１３１から液状体６９ａを液滴６９ｂとして吐出することによって配置される。このとき、正孔輸送層６７は、液状体６９ａによって覆われる。なお、液状体６９ａには、画素５ｒ、５ｇ及び５ｂのそれぞれに対応する前述した有機材料を溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
【０１２５】
次いで、液状体６９ａを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図５に示す発光層６９が形成され得る。液状体６９ａの焼成条件は、環境温度が約１３０℃で、保持時間が約１時間である。
【０１２６】
次いで、蒸着技術などを活用してカルシウム等の膜を、絶縁膜６３に囲まれた画素形成領域内に形成することにより、図５に示す電子注入層７１が形成され得る。このとき、電子注入層７１は、絶縁膜６３をマスクで表示面３側から覆った状態で形成され得る。
次いで、マスクを用いた蒸着技術を活用してアルミニウム等の膜を形成することにより、図５に示す共通電極３３が形成され得る。これにより、素子基板１１が製造され得る。
【０１２７】
表示装置１を組み立てる工程では、図２に示すように、素子基板１１及び封止基板１３を、接着剤１６及びシール材１７を介して接合する。
このとき、素子基板１１及び封止基板１３は、図５に示すように、第１基板４１の第１面４２ａと、封止基板１３の対向面１３ｂとが向き合った状態で接合される。これにより、表示装置１が製造され得る。
【０１２８】
本実施形態では、絶縁膜６３が隔壁に対応し、基板４１ａが基板に対応し、各画素５における画素電極２９と共通電極３３とが一対の電極に対応している。
また、基板４１ａに加熱処理を施す工程が、加熱工程に対応している。また、基板４１ａにＵＶオゾン処理を施す工程が、親液化工程に対応している。また、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す工程が、撥液化工程に対応している。
【０１２９】
本実施形態では、ＵＶオゾン処理によって画素電極２９及び絶縁膜６１に親液性が付与される。また、ＣＦ4プラズマ処理によって、絶縁膜６３に撥液性が付与される。このため、基板４１ａにおいて絶縁膜６３によって囲まれている領域内に液状体６５ａを配置したときに、液状体６５ａが画素電極２９及び絶縁膜６１に濡れ広がりやすく、且つ液状体６５ａが絶縁膜６３にはじかれやすい。このため、液状体６５ａが絶縁膜６３を乗り越えにくい。これらの結果、正孔注入層６５を、絶縁膜６１によって囲まれている領域内において画素電極２９及び絶縁膜６１にわたって形成しやすくすることができる。つまり、各画素５において、例えば正孔注入層６５の一部が欠落してしまうという欠陥の発生を低く抑えやすくすることができる。
【０１３０】
また、本実施形態では、ＵＶオゾン処理及びＣＦ4プラズマ処理の後に、基板４１ａに加熱処理が施される。
ここで、絶縁膜６３は、ポジ型の感光性を有する感光物質が含まれた樹脂から形成されている。この樹脂に紫外線が照射されると、感光物質の光分解が誘発されやすくなる。紫外線が照射された樹脂に液状体６５ａ、液状体６７ａ及び液状体６９ａなどが接触すると、液状体６５ａ、液状体６７ａ及び液状体６９ａなどに樹脂が溶け出すことがある。
【０１３１】
ところが、本実施形態では、ＵＶオゾン処理の後に基板４１ａに加熱処理が施される。これによって、絶縁膜６３が液状体６５ａ、液状体６７ａ及び液状体６９ａのそれぞれに溶け出すことを極めて低く抑えることができる。このため、絶縁膜６３の撥液性を、ＣＦ4プラズマ処理後から有機層３１の形成後までの間にわたって維持しやすくすることができる。このため、正孔注入層６５、正孔輸送層６７及び発光層６９のそれぞれを、絶縁膜６３によって囲まれている領域内にわたって形成しやすくすることができる。この結果、複数の画素５において、例えば画素５内で各層の一部が欠落する欠陥画素の発生を低く抑えることができる。このため、表示装置１の表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１３２】
なお、本実施形態では、複数の画素５が設定され、画素５ごとに有機ＥＬ素子２７を有する表示装置１を例に説明したが、実施の形態はこれに限定されない。実施の形態としては、有機ＥＬ素子２７を表示領域７にわたって一連した状態で設けた照明装置などの形態もある。このような照明装置は、例えば液晶表示装置などの光源に好適である。
【０１３３】
また、本実施形態では、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施すことによって絶縁膜６３に撥液性が付与される場合を例に説明したが、撥液性の付与方法はこれに限定されない。絶縁膜６３を、例えばフッ素樹脂で構成することによって、絶縁膜６３に撥液性を付与することができる。これにより、ＣＦ4プラズマ処理を施す工程を省略することができ、製造における効率化が図られる。
【０１３４】
また、絶縁膜６３への撥液性の付与方法は、絶縁膜６３をフッ素樹脂で構成することに限定されない。絶縁膜６３への撥液性の付与は、ポジ型の感光物質を含む樹脂にフッ素化合物を混合することによっても達成され得る。フッ素化合物としては、例えば、フッ素系界面活性剤などが挙げられる。
図６（ｃ）に示す絶縁膜６３の形成では、まず、絶縁膜６３を構成する樹脂で、平面視で画素電極２９及び絶縁膜６１を覆う樹脂膜を形成する。このとき、樹脂膜を構成する樹脂（絶縁膜６３を構成する樹脂）として、ポジ型の感光物質を含むアクリル系の樹脂にフッ素系界面活性剤を混合した樹脂が採用される。
次いで、例えばフォトリソグラフィ技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。これにより、撥液性を有する絶縁膜６３が形成され得る。これにより、ＣＦ４プラズマ処理を施す工程を省略することができ、製造における効率化が図られる。
なお、フッ素系界面活性剤としては、例えば、ＤＩＣ（株）社製のメガファックＢＬ−２０や、ＤＩＣ（株）社製のメガファックＭＣＦ−３５０ＳＦなどが採用され得る。
【０１３５】
ところで、図６（ｃ）に示す画素電極２９及び絶縁膜６１を覆う樹脂膜をパターニングすることによって絶縁膜６３を形成する方法では、画素電極２９や絶縁膜６１に残渣が発生しやすい。
フッ素樹脂やフッ素化合物を含有する樹脂（以下、撥液樹脂と呼ぶ）で形成した樹脂膜（以下、撥液樹脂膜と呼ぶ）をパターニングすることによって絶縁膜６３を形成する方法では、図６（ｃ）に示す画素電極２９や絶縁膜６１に発生する残渣が撥液性を有している。画素電極２９や絶縁膜６１に発生する残渣が撥液性を有していると、例えば、図１０（ａ）に示す液滴６５ｂや液状体６５ａが、画素電極２９や絶縁膜６１上ではじかれやすくなってしまう。この結果、画素５の領域（画素形成領域）内で有機層３１の厚みばらつきが大きくなり、表示品位が損なわれることがある。
これに対し、本実施形態では、絶縁膜６３の形成の後に、基板４１ａにＵＶオゾン処理を施すので、画素電極２９や絶縁膜６１に発生する残渣が除去（アッシング）されやすい。これにより、画素電極２９や絶縁膜６１の液滴６５ｂや液状体６５ａに対する親液性が高められる。この結果、画素５の領域（画素形成領域）内での有機層３１の厚みばらつきを軽減しやすくすることができ、表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１３６】
なお、画素電極２９や絶縁膜６１に発生する残渣の除去方法は、ＵＶオゾン処理に限定されない。画素電極２９や絶縁膜６１に発生する残渣の除去方法としては、例えば、酸素プラズマ処理も採用され得る。
酸素プラズマ処理では、まず、図９に示すプラズマ処理装置９５のテーブル９９に基板４１ａを載置する。
次いで、真空ポンプ１２１を駆動して、チャンバー９７内の圧力を減圧状態に保つ。
次いで、バルブ１１９を開いて酸素ガスをチャンバー９７内に導入する。
次いで、高周波電源１１７及び高周波バイアス電源１１３を駆動して、コイル１０１に高周波電圧を印加し、テーブル９９にバイアス電圧を印加する。
これにより、チャンバー９７内に酸素プラズマが誘起される。
酸素プラズマ処理によっても、画素電極２９や絶縁膜６１における残渣が除去されやすい。これにより、画素電極２９や絶縁膜６１の液滴６５ｂや液状体６５ａに対する親液性が高められる。この結果、画素５の領域（画素形成領域）内での有機層３１の厚みばらつきを軽減しやすくすることができ、表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１３７】
また、本実施形態では、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施した後に、基板４１ａに加熱処理を施す順序が採用されているが、ＣＦ4プラズマ処理と加熱処理との順序はこれに限定されない。ＣＦ4プラズマ処理と加熱処理との順序としては、加熱処理を施した後にＣＦ4プラズマ処理を施す順序も採用され得る。
【０１３８】
また、本実施形態では、正孔輸送層６７を第２層とする構成が採用されているが、構成はこれに限定されない。正孔を発生させ、且つ正孔を発光層６９に送出することができる層が第１層として設けられていれば、発光層６９を第２層とする構成も採用され得る。
【０１３９】
また、本実施形態では、有機層３１からの光を封止基板１３を介して表示面３から射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を例に説明したが、有機ＥＬ装置はこれに限定されない。有機ＥＬ装置は、有機層３１からの光を素子基板１１を介して底面１５から射出するボトムエミッション型も採用され得る。
ボトムエミッション型の場合、有機層３１からの光が底面１５から射出されるので、底面１５側に表示面３が設定される。つまり、ボトムエミッション型では、表示装置１の底面１５と表示面３とが入れ替わる。そして、ボトムエミッション型では、底面１５側が上側に対応し、表示面３側が下側に対応する。
【０１４０】
なお、ボトムエミッション型の場合には、画素電極２９の材料として、ＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物などが採用され得る。また、電子注入層７１の材料として、カルシウムなどが採用され得る。共通電極３３の材料として、アルミニウムなどが採用され得る。
【０１４１】
第２実施形態について説明する。
第２実施形態における表示装置１０は、図３中のＣ−Ｃ線における断面図である図１１に示すように、封止基板２０を有している。表示装置１０は、表示装置１における封止基板１３が封止基板２０に替えられていることを除いては、表示装置１と同様の構成を有している。このため、以下の第２実施形態では、重複した説明を避けるため、第１実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる点のみについて説明する。
【０１４２】
封止基板２０は、第２基板１４１を有している。第２基板１４１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた外向面１４２ａと、底面１５側に向けられた対向面１４２ｂとを有している。
第２基板１４１の対向面１４２ｂには、平面視で領域６２に重なる領域に絶縁膜１４３が設けられている。絶縁膜１４３は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などで構成されており、平面視で領域６２に沿って格子状に設けられている。
【０１４３】
また、第２基板１４１の対向面１４２ｂには、絶縁膜１４３によって囲まれた各領域を底面１５側から覆うカラーフィルタ１４５が設けられている。
ここで、カラーフィルタ１４５は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ１４５は、画素５ｒ、画素５ｇ及び画素５ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素５ｒに対応するカラーフィルタ１４５は、Ｒの光を透過させることができる。画素５ｇに対応するカラーフィルタ１４５はＧの光を透過させ、画素５ｂに対応するカラーフィルタ１４５はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ１４５に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルタ１４５ｒ、１４５ｇ及び１４５ｂという表記が用いられる。
【０１４４】
絶縁膜１４３及びカラーフィルタ１４５の底面１５側には、オーバーコート層１４７が設けられている。オーバーコート層１４７は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、絶縁膜１４３及びカラーフィルタ１４５を底面１５側から覆っている。
【０１４５】
ここで、表示装置１０の製造方法について説明する。
表示装置１０の製造方法は、素子基板１１を製造する工程と、封止基板２０を製造する工程と、表示装置１０を組み立てる工程とに大別される。
素子基板１１を製造する工程、及び表示装置１０を組み立てる工程は、第１実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【０１４６】
封止基板２０を製造する工程では、図１２（ａ）に示すように、まず、第２基板１４１の対向面１４２ｂに絶縁膜１４３を形成する。絶縁膜１４３の形成では、まず、ポジ型の感光物質を含むアクリル系の樹脂で、対向面１４２ｂに樹脂膜を形成する。この樹脂膜の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。次いで、例えばフォトリソグラフィ技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。これにより、絶縁膜１４３が形成され得る。
なお、絶縁膜１４３が形成された第２基板１４１は、以下において基板１４１ａと呼ばれる。
【０１４７】
次いで、図１２（ｂ）に示すように、基板１４１ａにＵＶオゾン処理を施す。これにより、ＵＶオゾン処理前よりも、後述する液状体１４６ａに対して、対向面１４２ｂに親液性が付与される。本実施形態では、処理室内に基板１４１ａを収容した状態で、処理室内に酸素を含むガスを導入しながら、処理室内で紫外線を発生させる方法が採用されている。また、ＵＶオゾン処理には、前述したＵＶオゾン処理装置８３（図８）が適用され得る。
【０１４８】
次いで、図１２（ｃ）に示すように、基板１４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す。これにより、ＣＦ4プラズマ処理前より、後述する液状体１４６ａに対して、絶縁膜１４３に撥液性が付与される。本実施形態では、処理室内を所定の真空度に保った状態で処理室内に処理ガスを導入しながら、処理室内にプラズマを発生させる方法が採用されている。本実施形態では、処理ガスとして、フッ素化合物を含むガスであるＣＦ4ガスが採用されている。また、ＣＦ4プラズマ処理には、前述したプラズマ処理装置９５（図９）が適用され得る。
【０１４９】
次いで、基板１４１ａに加熱処理を施す。本実施形態では、加熱処理の方法として、基板１４１ａを所定の温度範囲に保たれた環境下に所定の保持時間だけ保持する方法が採用されている。加熱処理の条件としては、本実施形態では、温度範囲を５０℃以上且つ２８０℃未満とし、保持時間を約１０分間とした条件が採用され得る。５０℃未満では、後述する効果が得られるのに要する時間が長期化してしまう。このため、５０℃を下回ることは、効率化の観点から好ましくない。また、２８０℃以上では、有機材料で構成される絶縁膜１４３が軟化してしまったり、重量が減少してしまったりすることがある。このため、２８０℃以上は好ましくない。
【０１５０】
基板１４１ａに加熱処理を施す工程に次いで、図１３（ａ）に示すように、絶縁膜１４３によって囲まれた画素形成領域内に、各カラーフィルタ１４５に対応する着色材が含まれた液状体１４６ａを配置する。液状体１４６ａの配置には、液滴吐出ヘッド１３１が適用され得る。液滴吐出ヘッド１３１から液状体１４６ａを液滴１４６ｂとして吐出させることによって、絶縁膜１４３によって囲まれた画素形成領域内に液状体１４６ａが配置され得る。
次いで、液状体１４６ａを減圧乾燥法で乾燥させることによって、図１３（ｂ）に示すカラーフィルタ１４５が形成され得る。
【０１５１】
次いで、平面視で絶縁膜１４３及びカラーフィルタ１４５を覆うオーバーコート層１４７（図１１）を形成する。オーバーコート層１４７の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。
これにより、図１１に示す封止基板２０が製造され得る。
【０１５２】
第２実施形態では、絶縁膜１４３が隔壁に対応し、基板１４１ａが基板に対応し、カラーフィルタ１４５が膜に対応している。
また、基板１４１ａに加熱処理を施す工程が、加熱工程に対応している。また、基板１４１ａにＵＶオゾン処理を施す工程が、親液化工程に対応している。また、基板１４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す工程が、撥液化工程に対応している。
【０１５３】
第２実施形態における表示装置１０では、封止基板２０がカラーフィルタ１４５を有している。画素５ｒに対応するカラーフィルタ１４５は、Ｒの光を透過させることができる。画素５ｇに対応するカラーフィルタ１４５はＧの光を透過させ、画素５ｂに対応するカラーフィルタ１４５はＢの光を透過させることができる。
これにより、画素５ｒの有機層３１からのＲの光は、カラーフィルタ１４５ｒによって色純度が高められる。同様に、画素５ｇの有機層３１からのＧの光は、カラーフィルタ１４５ｇによって色純度が高められ、画素５ｂの有機層３１からのＢの光は、カラーフィルタ１４５ｂによって色純度が高められる。このため、表示装置１０では、表示における色純度が高められるので、表示品位の向上が図られる。
【０１５４】
また、本実施形態では、ＵＶオゾン処理によって対向面１４２ｂに親液性が付与される。また、ＣＦ4プラズマ処理によって、絶縁膜１４３に撥液性が付与される。このため、基板１４１ａにおいて絶縁膜１４３によって囲まれている領域内に液状体１４６ａを配置したときに、液状体１４６ａが対向面１４２ｂに濡れ広がりやすく、且つ液状体１４６ａが絶縁膜１４３にはじかれやすい。このため、液状体１４６ａが絶縁膜１４３を乗り越えにくい。これらの結果、カラーフィルタ１４５を、絶縁膜１４３によって囲まれている領域内において対向面１４２ｂにわたって形成しやすくすることができる。つまり、各画素５において、例えばカラーフィルタ１４５の一部が欠落してしまうという欠陥の発生を低く抑えやすくすることができる。
【０１５５】
なお、第２実施形態では、画素５ｒにＲの光を発する発光層６９を設け、画素５ｇにＧの光を発する発光層６９を設け、画素５ｂにＧの光を発する発光層６９を設けた構成が採用されているが、発光層６９の構成はこれに限定されない。発光層６９としては、白色光を発する発光層６９も採用され得る。白色光を発する発光層６９を採用すれば、画素５ｒ，５ｇ，５ｂ間で発光層６９の組成を同等にすることができる。このため、表示装置１０の製造において効率化が図られる。なお、白色光を発する発光層６９を採用しても、表示装置１０にはカラーフィルタ１４５ｒ，１４５ｇ，１４５ｂが設けられているので、カラー表示を行うことができる。
【０１５６】
ここで、実施例及び比較例について説明する。
以下に説明する実施例及び比較例では、それぞれ、ガラス基板上に、ポジ型の感光性を有するアクリル樹脂の膜を形成したものを試料とした。同じ条件で膜を形成した５つの試料を準備した。なお、各試料における膜には、露光を施さずに、約８０℃で約２分間のプレベークを施してから、約２３０℃で約３０分間のポストベークを施した。５つの試料は、試料１、試料２、試料３、試料４及び試料５として識別される。
試料１及び試料２に、ＵＶオゾン処理、ＣＦ4プラズマ処理、及び加熱処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
試料３及び試料４に、ＵＶオゾン処理、加熱処理、及びＣＦ4プラズマ処理をこの順に施した。これらの処理の条件は、前述した条件と同等にした。
試料５に、ＵＶオゾン処理及びＣＦ4プラズマ処理だけを施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
【０１５７】
（実施例１）
試料１に対する加熱処理では、温度を２００℃とし、保持時間を１０分とする条件を採用した。
試料１におけるアクリル樹脂の膜の上に、液状体６５ａを塗布して接触角を測定した。なお、接触角の測定には、微小接触角計ＦＴＡ４０００（First Ten Angstroms社製）を使用した。
試料１における接触角は、９０度であった。
【０１５８】
（実施例２）
試料２に対する加熱処理では、温度を１００℃とし、保持時間を１０分とする条件を採用した。
試料２におけるアクリル樹脂の膜の上に、液状体６５ａを塗布して接触角を測定した。
試料２における接触角は、９０度であった。
【０１５９】
（実施例３）
試料３に対する加熱処理では、温度を２００℃とし、保持時間を１０分とする条件を採用した。
試料３におけるアクリル樹脂の膜の上に、液状体６５ａを塗布して接触角を測定した。
試料３における接触角は、９０度であった。
【０１６０】
（実施例４）
試料４に対する加熱処理では、温度を１００℃とし、保持時間を１０分とする条件を採用した。
試料４におけるアクリル樹脂の膜の上に、液状体６５ａを塗布して接触角を測定した。
試料４における接触角は、９０度であった。
【０１６１】
（比較例）
試料５におけるアクリル樹脂の膜の上に、液状体６５ａを塗布して接触角を測定した。
試料５における接触角は、１０度であった。
【０１６２】
実施例１〜実施例４及び比較例の結果を下記表１に示す。
【０１６３】
【表１】
実施例１〜実施例４及び比較例の結果から、ＵＶオゾン処理の後に基板４１ａに加熱処理を施すことが好ましいことが理解される。また、この結果から、ＣＦ4プラズマ処理と加熱処理との順序としては、いずれが先でも後でもかまわないことが理解される。
【０１６４】
実施例１〜実施例４及び比較例における各条件で作成した表示装置１の表示状態を観察した。その結果、実施例１〜実施例４のそれぞれに対応する表示装置１では、比較例に対応する表示装置よりも輝度ムラが軽減していることが確認された。
【０１６５】
上述した表示装置１や表示装置１０は、例えば、図１４に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１又は表示装置１０が適用されているので、表示における表示品位の向上が図られる。
【０１６６】
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
【符号の説明】
【０１６７】
１，１０…表示装置、３…表示面、５…画素、７…表示領域、１１…素子基板、１５…底面、２０…封止基板、２７…有機ＥＬ素子、２９…画素電極、３１…有機層、３３…共通電極、４１…第１基板、４１ａ，１４１ａ…基板、６１…絶縁膜、６２…領域、６３，１４３…絶縁膜、６５…正孔注入層、６５ａ…液状体、６５ｂ…液滴、６７…正孔輸送層、６７ａ…液状体、６７ｂ…液滴、６９…発光層、６９ａ…液状体、６９ｂ…液滴、７１…電子注入層、８１…駆動素子層、８３…ＵＶオゾン処理装置、９５…プラズマ処理装置、１３１…液滴吐出ヘッド、１４１…第２基板、１４５…カラーフィルタ、１４６ａ…液状体、１４６ｂ…液滴、５００…電子機器、５１０…表示部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理方法、カラーフィルタの製造方法及び有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、平面視で画素形成領域を区画するように設けられた隔壁を有する基板に対する処理として、平面視で隔壁によって囲まれた領域内に親液性を付与し、隔壁の表面に撥液性を付与する処理が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３６９８１３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載された処理では、酸素を含むガス中で基板に紫外線を照射することにより、平面視で隔壁によって囲まれた領域内に親液性が付与される。そして、親液性が付与された基板に、フッ素化合物を含むガス中で紫外線を照射することにより、隔壁に撥液性が付与される。これらの処理によれば、隔壁によって囲まれた領域内に液状体を塗布したときに、液状体は、隔壁によって囲まれた領域内にわたって濡れ広がりやすい。他方で、隔壁表面は、液状体をはじきやすい。このため、液状体は、隔壁を乗り越えにくい。これらの結果、液状体から膜を形成したときに、隔壁によって囲まれた領域内にわたって膜を形成しやすくすることができる。
【０００５】
ところで、隔壁がポジ型の感光性を有する感光物質を含んでいる場合、隔壁に紫外線を照射すると、紫外線が隔壁中の感光物質の光分解を誘発する。この状態で、隔壁によって囲まれた領域内に液状体を塗布すると、隔壁が液状体に溶けやすくなる。この結果、液状体が隔壁を乗り越えやすくなる。
【０００６】
つまり、従来の基板の処理方法では、隔壁によって囲まれた領域内にわたって膜を形成することが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００８】
［適用例１］有機材料を含む材料で構成された隔壁が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板を用意する工程と、液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、を有し、前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とする基板の処理方法。
【０００９】
この適用例の基板の処理方法は、基板を用意する工程と、親液化工程と、加熱工程と、を有している。基板には、画素形成領域を区画する隔壁が設けられている。隔壁は、有機材料を含む材料で構成されている。
親液化工程では、液状体に対して隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、隔壁の少なくとも一部に付与する。親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で基板に紫外線を照射する。加熱工程では、基板を加熱する。
この基板の処理方法によれば、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を塗布したときに、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。このため、液状体から膜を形成するときに、隔壁によって囲まれた画素形成領域内にわたって膜を形成しやすくすることができる。
【００１０】
［適用例２］上記の基板の処理方法であって、前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする基板の処理方法。
【００１１】
この適用例では、加熱工程において基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱する。２８０℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された隔壁に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、５０℃以上であれば、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。
【００１２】
［適用例３］上記の基板の処理方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とする基板の処理方法。
【００１３】
この適用例では、有機材料を含む材料に感光物質が含まれているので、フォトリソグラフィ技術を活用して隔壁を形成することができる。
【００１４】
［適用例４］上記の基板の処理方法であって、前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とする基板の処理方法。
【００１５】
この適用例では、感光物質がポジ型の感光性を有しているので、露光した部位を剥離することによって隔壁を形成することができる。
【００１６】
［適用例５］上記の基板の処理方法であって、前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とする基板の処理方法。
【００１７】
この適用例では、隔壁が、液状体に対して親液化された隔壁よりも、撥液性を有しているので、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を留まらせやすくすることができる。
【００１８】
［適用例６］上記の基板の処理方法であって、前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とする基板の処理方法。
【００１９】
この適用例では、親液化工程の後に、液状体に対して親液化された隔壁よりも大きな撥液性を、隔壁に付与する撥液化工程があるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【００２０】
［適用例７］上記の基板の処理方法であって、前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とする基板の処理方法。
【００２１】
この適用例では、加熱工程の前に撥液化工程があるので、加熱工程の前に隔壁に撥液性を付与することができる。
【００２２】
［適用例８］上記の基板の処理方法であって、前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とする基板の処理方法。
【００２３】
この適用例では、加熱工程の後に撥液化工程があるので、加熱工程の後に隔壁に撥液性を付与することができる。
【００２４】
［適用例９］上記の基板の処理方法であって、前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする基板の処理方法。
【００２５】
この適用例では、撥液化工程において、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、隔壁に撥液性を付与することができる。
【００２６】
［適用例１０］上記の基板の処理方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とする基板の処理方法。
【００２７】
この適用例では、有機材料を含む材料に撥液性を有する物質が含まれているので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【００２８】
［適用例１１］上記の基板の処理方法であって、前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする基板の処理方法。
【００２９】
この適用例では、撥液性を有する物質がフッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【００３０】
［適用例１２］有機材料を含む材料で構成された隔壁が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板を用意する工程と、着色材料が含まれている液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、前記加熱工程の後に、前記隔壁によって囲まれている前記画素形成領域内に、前記液状体を配置する工程と、前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記着色材料で膜を形成する工程と、を有し、前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００３１】
この適用例のカラーフィルタの製造方法は、基板を用意する工程と、親液化工程と、加熱工程と、液状体を配置する工程と、膜を形成する工程と、を有している。
基板には、画素形成領域を区画する隔壁が設けられている。隔壁は、有機材料を含む材料で構成されている。
親液化工程では、液状体に対して隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、隔壁の少なくとも一部に付与する。液状体には、着色材料が含まれている。また、親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で基板に紫外線を照射する。加熱工程では、基板を加熱する。液状体を配置する工程では、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に、液状体を配置する。膜を形成する工程では、液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、着色材料で膜を形成する。
このカラーフィルタの製造方法によれば、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を塗布したときに、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。このため、液状体から膜を形成するときに、隔壁によって囲まれた画素形成領域内にわたって膜を形成しやすくすることができる。
【００３２】
［適用例１３］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００３３】
この適用例では、加熱工程において基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱する。２８０℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された隔壁に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、５０℃以上であれば、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。
【００３４】
［適用例１４］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００３５】
この適用例では、有機材料を含む材料に感光物質が含まれているので、フォトリソグラフィ技術を活用して隔壁を形成することができる。
【００３６】
［適用例１５］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００３７】
この適用例では、感光物質がポジ型の感光性を有しているので、露光した部位を剥離することによって隔壁を形成することができる。
【００３８】
［適用例１６］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００３９】
この適用例では、隔壁が、液状体に対して親液化された隔壁よりも、撥液性を有しているので、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を留まらせやすくすることができる。
【００４０】
［適用例１７］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００４１】
この適用例では、親液化工程の後に、液状体に対して親液化された隔壁よりも大きな撥液性を、隔壁に付与する撥液化工程があるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【００４２】
［適用例１８］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００４３】
この適用例では、加熱工程の前に撥液化工程があるので、加熱工程の前に隔壁に撥液性を付与することができる。
【００４４】
［適用例１９］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００４５】
この適用例では、加熱工程の後に撥液化工程があるので、加熱工程の後に隔壁に撥液性を付与することができる。
【００４６】
［適用例２０］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００４７】
この適用例では、撥液化工程において、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、隔壁に撥液性を付与することができる。
【００４８】
［適用例２１］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００４９】
この適用例では、有機材料を含む材料に撥液性を有する物質が含まれているので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【００５０】
［適用例２２］上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【００５１】
この適用例では、撥液性を有する物質がフッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【００５２】
［適用例２３］複数の画素の前記画素ごとに、互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極間に介在する有機層と、平面視で前記有機層を囲む隔壁とを有し、前記有機層が複数の層を有している有機ＥＬ装置の製造方法であって、有機材料を含む材料で構成された前記隔壁を有する基板を用意する工程と、前記複数の層のうちの１つの層を構成する材料が含まれている液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、前記加熱工程の後に、前記隔壁によって囲まれている画素形成領域内に、前記液状体を配置する工程と、前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記１つの層を構成する材料で前記１つの層に対応する膜を形成する工程と、を有し、前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００５３】
この適用例の製造方法にかかる有機ＥＬ装置は、複数の画素の画素ごとに、互いに対向する一対の電極と、一対の電極間に介在する有機層と、平面視で有機層を囲む隔壁と、を有している。この有機ＥＬ装置では、有機層が複数の層を有している。
この適用例の製造方法は、基板を用意する工程と、親液化工程と、加熱工程と、液状体を配置する工程と、１つの層を形成する工程と、を有している。
基板には、画素形成領域を区画する隔壁が設けられている。隔壁は、有機材料を含む材料で構成されている。
親液化工程では、液状体に対して隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、隔壁の少なくとも一部に付与する。液状体には、複数の層のうちの１つの層を構成する材料が含まれている。また、親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で基板に紫外線を照射する。加熱工程では、基板を加熱する。液状体を配置する工程では、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に、液状体を配置する。１つの層を形成する工程では、液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、この１つの層を構成する材料で１つの層に対応する膜を形成する。
この有機ＥＬ装置の製造方法によれば、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を塗布したときに、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。このため、液状体から膜を形成するときに、隔壁によって囲まれた画素形成領域内にわたって膜を形成しやすくすることができる。
この結果、複数の画素において、欠陥画素などの発生を低く抑えやすくすることができる。このため、有機ＥＬ装置の表示品位の向上を図りやすくすることができる。
【００５４】
［適用例２４］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００５５】
この適用例では、加熱工程において基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱する。２８０℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された隔壁に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、５０℃以上であれば、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。
【００５６】
［適用例２５］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００５７】
この適用例では、有機材料を含む材料に感光物質が含まれているので、フォトリソグラフィ技術を活用して隔壁を形成することができる。
【００５８】
［適用例２６］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００５９】
この適用例では、感光物質がポジ型の感光性を有しているので、露光した部位を剥離することによって隔壁を形成することができる。
【００６０】
［適用例２７］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００６１】
この適用例では、隔壁が、液状体に対して親液化された隔壁よりも、撥液性を有しているので、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を留まらせやすくすることができる。
【００６２】
［適用例２８］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００６３】
この適用例では、親液化工程の後に、液状体に対して親液化された隔壁よりも大きな撥液性を、隔壁に付与する撥液化工程があるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【００６４】
［適用例２９］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００６５】
この適用例では、加熱工程の前に撥液化工程があるので、加熱工程の前に隔壁に撥液性を付与することができる。
【００６６】
［適用例３０］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００６７】
この適用例では、加熱工程の後に撥液化工程があるので、加熱工程の後に隔壁に撥液性を付与することができる。
【００６８】
［適用例３１］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００６９】
この適用例では、撥液化工程において、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、隔壁に撥液性を付与することができる。
【００７０】
［適用例３２］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００７１】
この適用例では、有機材料を含む材料に撥液性を有する物質が含まれているので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【００７２】
［適用例３３］上記の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【００７３】
この適用例では、撥液性を有する物質がフッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】第１実施形態における表示装置を示す平面図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】第１実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】第１実施形態における表示装置の回路構成を示す図。
【図５】図３中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図６】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図７】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図８】第１実施形態でのＵＶオゾン処理に適用されるＵＶオゾン処理装置の一例の概略の構成を示す断面図。
【図９】第１実施形態での酸素プラズマ処理に適用されるプラズマ処理装置の一例の概略の構成を示す断面図。
【図１０】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１１】第２実施形態における表示装置の図３中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図１２】第２実施形態での封止基板の製造工程を説明する図。
【図１３】第２実施形態での封止基板の製造工程を説明する図。
【図１４】本実施形態における表示装置を適用した電子機器の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００７５】
実施形態について、有機ＥＬ装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
第１実施形態における表示装置１は、図１に示すように、表示面３を有している。
【００７６】
ここで、表示装置１には、複数の画素５が設定されている。複数の画素５は、表示領域７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１は、複数の画素５から選択的に表示面３を介して表示装置１の外に光を射出することで、表示面３に画像を表示することができる。なお、表示領域７とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素５が誇張され、且つ画素５の個数が減じられている。
【００７７】
表示装置１は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、素子基板１１と、封止基板１３とを有している。
素子基板１１には、表示面３側すなわち封止基板１３側に、複数の画素５のそれぞれに対応して、後述する有機ＥＬ素子などが設けられている。なお、素子基板１１の表示面３側とは反対側の面１５は、表示装置１の底面として設定されている。以下において、面１５は、底面１５と表記される。
【００７８】
封止基板１３は、素子基板１１よりも表示面３側で素子基板１１に対向した状態で設けられている。素子基板１１と封止基板１３とは、接着剤１６を介して接合されている。表示装置１では、有機ＥＬ素子は、接着剤１６によって表示面３側から覆われている。
また、素子基板１１と封止基板１３との間は、表示装置１の周縁よりも内側で表示領域７を囲むシール材１７によって封止されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子と接着剤１６とが、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されている。
【００７９】
ここで、表示装置１における複数の画素５は、それぞれ、表示面３から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素５は、Ｒの光を射出する画素５ｒと、Ｇの光を射出する画素５ｇと、Ｂの光を射出する画素５ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素５という表記と、画素５ｒ、５ｇ及び５ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００８０】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００８１】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素５が、１つの画素列１８を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素５が、１つの画素行１９を構成している。
１つの画素列１８内の各画素５は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素５ｒがＹ方向に配列した画素列１８ｒと、複数の画素５ｇがＹ方向に配列した画素列１８ｇと、複数の画素５ｂがＹ方向に配列した画素列１８ｂとを有している。そして、表示装置１では、画素列１８ｒ、画素列１８ｇ及び画素列１８ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列１８という表記と、画素列１８ｒ、画素列１８ｇ及び画素列１８ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００８２】
表示装置１は、回路構成を示す図である図４に示すように、画素５ごとに、選択トランジスタ２１と、駆動トランジスタ２３と、容量素子２５と、有機ＥＬ素子２７とを有している。有機ＥＬ素子２７は、画素電極２９と、有機層３１と、共通電極３３とを有している。選択トランジスタ２１及び駆動トランジスタ２３は、それぞれ、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子で構成されており、スイッチング素子としての機能を有する。
また、表示装置１は、走査線駆動回路３４と、データ線駆動回路３５と、複数の走査線ＧＴと、複数のデータ線ＳＩと、複数の電源線ＰＷとを有している。
【００８３】
複数の走査線ＧＴは、それぞれ走査線駆動回路３４につながっており、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
複数のデータ線ＳＩは、それぞれデータ線駆動回路３５につながっており、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態でＹ方向に延びている。
複数の電源線ＰＷは、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各電源線ＰＷと各走査線ＧＴとがＹ方向に間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
【００８４】
各画素５は、各走査線ＧＴと各データ線ＳＩとの交差に対応して設定されている。各走査線ＧＴ及び各電源線ＰＷは、それぞれ、図３に示す各画素行１９に対応している。各データ線ＳＩは、図３に示す各画素列１８に対応している。
図４に示す各選択トランジスタ２１のゲート電極は、対応する各走査線ＧＴに電気的につながっている。各選択トランジスタ２１のソース電極は、対応する各データ線ＳＩに電気的につながっている。各選択トランジスタ２１のドレイン電極は、各駆動トランジスタ２３のゲート電極及び各容量素子２５の一方の電極に電気的につながっている。
【００８５】
容量素子２５の他方の電極と、駆動トランジスタ２３のソース電極は、それぞれ、対応する各電源線ＰＷに電気的につながっている。
各駆動トランジスタ２３のドレイン電極は、各画素電極２９に電気的につながっている。各画素電極２９と共通電極３３とは、画素電極２９を陽極とし、共通電極３３を陰極とする一対の電極を構成している。
ここで、共通電極３３は、マトリクスＭを構成する複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素５間にわたって共通して機能する。
各画素電極２９と共通電極３３との間に介在する有機層３１は、有機材料で構成されており、後述する発光層を含んだ構成を有している。
【００８６】
選択トランジスタ２１は、この選択トランジスタ２１につながる走査線ＧＴに選択信号が供給されるとＯＮ状態となる。このとき、この選択トランジスタ２１につながるデータ線ＳＩからデータ信号が供給され、駆動トランジスタ２３がＯＮ状態になる。駆動トランジスタ２３のゲート電位は、データ信号の電位が容量素子２５に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。これにより、駆動トランジスタ２３のＯＮ状態が一定の期間だけ保持される。なお、各データ信号は、階調表示に応じた電位に生成される。
【００８７】
駆動トランジスタ２３のＯＮ状態が保持されているときに、駆動トランジスタ２３のゲート電位に応じた電流が、電源線ＰＷから画素電極２９と有機層３１を経て共通電極３３に流れる。そして、有機層３１に含まれる発光層が、有機層３１を流れる電流量に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置１では、階調表示が行われ得る。
表示装置１は、有機層３１に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が封止基板１３を介して表示面３から射出されるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の１つである。なお、表示装置１では、表示面３側という表現が上側とも表現され、底面１５側という表現が下側とも表現される。
【００８８】
ここで、素子基板１１及び封止基板１３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板１１は、図３中のＣ−Ｃ線における断面図である図５に示すように、第１基板４１を有している。なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、選択トランジスタ２１、容量素子２５、データ線ＳＩ及び電源線ＰＷが省略されている。
第１基板４１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた第１面４２ａと、底面１５側に向けられた第２面４２ｂとを有している。
【００８９】
第１基板４１の第１面４２ａには、ゲート絶縁膜４３が設けられている。ゲート絶縁膜４３の表示面３側には、絶縁膜４５が設けられている。絶縁膜４５の表示面３側には、絶縁膜４７が設けられている。
また、第１基板４１の第１面４２ａには、各画素５の駆動トランジスタ２３に対応して、半導体層５１が設けられている。半導体層５１は、ゲート絶縁膜４３によって表示面３側から覆われている。なお、ゲート絶縁膜４３の材料としては、例えば酸化シリコンなどの材料が採用され得る。
【００９０】
ゲート絶縁膜４３の表示面３側には、平面視で半導体層５１に重なる領域にゲート電極５３が設けられている。ゲート電極５３の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ゲート電極５３は、絶縁膜４５によって表示面３側から覆われている。
【００９１】
絶縁膜４５の表示面３側には、平面視で半導体層５１のソース領域（図示せず）に重なる領域にソース電極５５が設けられている。ソース電極５５は、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４３に設けられたコンタクトホール５７を介して半導体層５１のソース領域（図示せず）につながっている。ソース電極５５の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ソース電極５５は、絶縁膜４７によって表示面３側から覆われている。
【００９２】
絶縁膜４７の表示面３側には、画素電極２９が設けられている。画素電極２９は、絶縁膜４７、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４３に設けられたコンタクトホール５９を介して半導体層５１のドレイン領域（図示せず）につながっている。画素電極２９の材料としては、例えば、銀、白金、アルミニウム、銅などの光反射性を有する金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
【００９３】
画素電極２９を陽極として機能させる場合には、画素電極２９の材料として、銀、白金などの仕事関数が比較的高い材料を用いることが好ましい。また、画素電極２９の材料としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などを用い、光反射性を有する部材を画素電極２９と第１基板４１との間に設けた構成も採用され得る。本実施形態では、画素電極２９の材料としてＩＴＯが採用されている。
また、絶縁膜４５及び４７の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの材料が採用され得る。
【００９４】
隣り合う画素電極２９同士の間には、各画素５を区画する絶縁膜（第１隔壁）６１が領域６２にわたって設けられている。絶縁膜６１は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料で構成されている。絶縁膜６１は、平面視で、表示領域７にわたって格子状に設けられている。このため、表示領域７は、絶縁膜６１によって複数の画素５の領域に区画されている。１つの画素５に着目すると、絶縁膜６１は、平面視で環状に設けられている。なお、各画素電極２９は、絶縁膜６１によって囲まれた各画素５の領域に平面視で重なっている。本実施形態では、絶縁膜６１の材料として酸化シリコンが採用されている。
【００９５】
絶縁膜６１の表示面３側には、各画素５の領域を囲む絶縁膜（第２隔壁）６３が設けられている。絶縁膜６３は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有するアクリル系の樹脂やポリイミド樹脂などの有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６１に沿って格子状に設けられている。１つの画素５に着目すると、絶縁膜６３は、平面視で各画素５の領域を囲んでいる。このため、絶縁膜６３は、画素５ごとに環状に設けられているとみなされ得る。本実施形態では、絶縁膜６３の材料としてアクリル系の樹脂が採用されている。
画素電極２９の表示面３側には、絶縁膜６３に囲まれた領域（以下、画素形成領域と呼ぶ）内に、有機層３１が設けられている。
【００９６】
有機層３１は、各画素５に対応して設けられており、正孔注入層６５と、正孔輸送層６７と、発光層６９とを有している。
正孔注入層６５は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６３によって囲まれた画素形成領域内で、画素電極２９の表示面３側に設けられている。
正孔注入層６５の有機材料としては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等との混合物が採用され得る。正孔注入層６５の有機材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやこれらの誘導体なども採用され得る。
【００９７】
正孔輸送層６７は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６３によって囲まれた画素形成領域内で、正孔注入層６５の表示面３側に設けられている。
正孔輸送層６７の有機材料としては、例えば、下記化合物１として示されるＴＦＢなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ構成が採用され得る。
【００９８】
【化１】
【００９９】
発光層６９は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６３によって囲まれた画素形成領域内で、正孔輸送層６７の表示面３側に設けられている。
Ｒの画素５ｒに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、下記化合物２として示されるＦ８（ポリジオクチルフルオレン）と、ペリレン染料とを混合したものが採用され得る。
【０１００】
【化２】
【０１０１】
Ｇの画素５ｇに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、下記化合物３として示されるＦ８ＢＴと、上記化合物１として示されるＴＦＢと、上記化合物２として示されるＦ８とを混合したものが採用され得る。
【０１０２】
【化３】
【０１０３】
Ｂの画素５ｂに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、上記化合物２として示されるＦ８が採用され得る。
【０１０４】
有機層３１の表示面３側には、図５に示すように、絶縁膜６３に囲まれた画素形成領域内に、電子注入層７１が設けられている。電子注入層７１の材料としては、例えば、マグネシウムと銀とを含む合金や、カルシウムなどが採用され得る。本実施形態では、電子注入層７１の材料として、マグネシウムと銀とを含む合金が採用されている。
電子注入層７１の表示面３側には、共通電極３３が設けられている。共通電極３３は、例えば、アルミニウム等の金属を薄膜化して光透過性を付与したものなどが採用され得る。また、共通電極３３は、例えば、マグネシウムと銀とを含む合金等を薄膜化して光透過性を付与したものなどによっても構成され得る。本実施形態では、共通電極３３として、アルミニウムの薄膜が採用されている。共通電極３３は、電子注入層７１及び絶縁膜６３を表示面３側から複数の画素５間にわたって覆っている。
【０１０５】
なお、表示装置１では、各画素５において発光する領域は、平面視で画素電極２９と有機層３１と共通電極３３とが重なる領域であると定義され得る。また、画素５ごとに発光する領域を構成する要素の一群が１つの有機ＥＬ素子２７であると定義され得る。表示装置１では、１つの有機ＥＬ素子２７は、１つの画素電極２９と、１つの有機層３１と、１つの電子注入層７１と、１つの画素５に対応する共通電極３３とを含んだ構成を有している。
【０１０６】
封止基板１３は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた外向面１３ａと、底面１５側に向けられた対向面１３ｂとを有している。
上記の構成を有する素子基板１１及び封止基板１３は、素子基板１１の共通電極３３と封止基板１３の対向面１３ｂとの間が、接着剤１６を介して接合されている。
【０１０７】
表示装置１では、図２に示すシール材１７は、図５に示す第１基板４１の第１面４２ａと、封止基板１３の対向面１３ｂとによって挟持されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６が、第１基板４１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されている。なお、シール材１７は、対向面１３ｂ及び共通電極３３の間に設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６は、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されているとみなされ得る。
【０１０８】
ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、素子基板１１を製造する工程と、表示装置１を組み立てる工程とに大別される。
素子基板１１を製造する工程では、図６（ａ）に示すように、まず、第１基板４１の第１面４２ａに駆動素子層８１を形成する。この駆動素子層８１には、前述した選択トランジスタ２１（図４）、駆動トランジスタ２３、容量素子２５（図４）、電源線ＰＷ（図４）、画素電極２９、ゲート絶縁膜４３、絶縁膜４５、絶縁膜４７が含まれている。
【０１０９】
次いで、図６（ｂ）に示すように、平面視で画素電極２９の周縁及び絶縁膜４７に重なる領域（図５に示す領域６２）に絶縁膜６１を形成する。絶縁膜６１の形成では、まず、ＣＶＤ技術などを活用することにより、平面視で画素電極２９及び絶縁膜４７を覆う酸化シリコン膜を形成する。次いで、例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを活用することによって、酸化シリコン膜をパターニングする。これにより、絶縁膜６１が形成され得る。
【０１１０】
次いで、図６（ｃ）に示すように、平面視で絶縁膜６１に重なる領域に絶縁膜６３を形成する。絶縁膜６３の形成では、まず、ポジ型の感光物質を含むアクリル系の樹脂で、平面視で画素電極２９及び絶縁膜６１を覆う樹脂膜を形成する。この樹脂膜の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。次いで、例えばフォトリソグラフィ技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。これにより、絶縁膜６３が形成され得る。
なお、駆動素子層８１から絶縁膜６３までの構成が形成された第１基板４１は、以下において基板４１ａと呼ばれる。
【０１１１】
次いで、図７（ａ）に示すように、基板４１ａにＵＶオゾン処理を施す。これにより、ＵＶオゾン処理前よりも、画素電極２９及び絶縁膜６１に、後述する液状体６５ａ、６７ａ、６９ａに対して親液性が付与される。本実施形態では、処理室内に基板４１ａを収容した状態で、処理室内に酸素を含むガスを導入しながら、処理室内で紫外線を発生させる方法が採用されている。
ここで、本実施形態でのＵＶオゾン処理に適用されるＵＶオゾン処理装置の一例について説明する。ＵＶオゾン処理装置８３は、概略の構成を示す断面図である図８に示すように、チャンバー（処理室）８５と、テーブル８７と、低圧水銀ランプ８９と、導入管９１と、排気管９３と、を有している。
【０１１２】
チャンバー８５には、外部からチャンバー８５内に処理ガスを導く導入管９１と、チャンバー８５内から外部に分解ガスを排出する排気管９３とが接続されている。テーブル８７は、チャンバー８５内に配設されている。低圧水銀ランプ８９は、チャンバー８５内でテーブル８７に対向して設けられている。本実施形態では、低圧水銀ランプ８９は、約２５４ｎｍの波長の紫外線と、約１８５ｎｍの波長の紫外線とを発する。約２５４ｎｍの波長の紫外線と、約１８５ｎｍの波長の紫外線とのエネルギ比は、約４：１に設定されている。
【０１１３】
基板４１ａにＵＶオゾン処理を施す工程では、基板４１ａをテーブル８７に載置した状態で、低圧水銀ランプ８９を点灯させながらチャンバー８５内に処理ガスを導入する。なお、本実施形態では、処理ガスに酸素が含まれている。酸素は、約１８５ｎｍの波長の紫外線によって分解され、オゾンに変化する。これにより、基板４１ａにＵＶオゾン処理が施される。
なお、チャンバー８５内のオゾンは、約２５４ｎｍの波長の紫外線によって分解され、酸素に変化する。オゾンから酸素に変化した分解ガスは、排気管９３を介してチャンバー８５の外側に排出される。
【０１１４】
基板４１ａにＵＶオゾン処理を施す工程に次いで、図７（ｂ）に示すように、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す。これにより、ＣＦ4プラズマ処理前よりも、絶縁膜６３に、後述する液状体６５ａ、６７ａ、６９ａに対して撥液性が付与される。本実施形態では、処理室内を所定の真空度に保った状態で処理室内に処理ガスを導入しながら、処理室内にプラズマを発生させる方法が採用されている。本実施形態では、処理ガスとして、フッ素化合物を含むガスであるＣＦ4ガスが採用されている。
ここで、本実施形態でのＣＦ4プラズマ処理に適用されるプラズマ処理装置の一例について説明する。プラズマ処理装置９５は、概略の構成を示す断面図である図９に示すように、チャンバー（処理室）９７と、テーブル９９と、コイル１０１と、シャワープレート１０３と、を有している。
【０１１５】
チャンバー９７には、外部からチャンバー９７内に処理ガスを導く導入管１０５と、チャンバー９７内から外部にガスを排出する排気管１０７とが接続されている。チャンバー９７の天板部には、誘電体で構成された誘電プレート１０９が設けられている。
テーブル９９は、チャンバー９７内に配設されている。コイル１０１は、チャンバー９７の外側で誘電プレート１０９に対向した状態で設けられている。シャワープレート１０３は、チャンバー９７内で誘電プレート１０９に対向した状態で設けられている。誘電プレート１０９とシャワープレート１０３との間には、隙間が設けられている。
テーブル９９には、整合器１１１を介して高周波バイアス電源１１３が接続されている。コイル１０１の一端には、整合器１１５を介して高周波電源１１７が接続されている。なお、コイル１０１の他端は、接地されている。
【０１１６】
導入管１０５は、チャンバー９７の外側から、誘電プレート１０９とシャワープレート１０３との間の隙間内に至っている。導入管１０５には、チャンバー９７の外側にバルブ１１９が接続されている。処理ガスは、バルブ１１９を経由してから導入管１０５を通って、誘電プレート１０９とシャワープレート１０３との間の隙間内に導かれる。誘電プレート１０９とシャワープレート１０３との間の隙間内に導かれた処理ガスは、シャワープレート１０３を介してチャンバー９７内に導入される。
排気管１０７には、チャンバー９７の外側に真空ポンプ１２１が接続されている。チャンバー９７内は、真空ポンプ１２１で排気管１０７を介してチャンバー９７内のガスをチャンバー９７の外側に排出することによって減圧される。
【０１１７】
基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す工程では、まず、基板４１ａをテーブル９９に載置する。
次いで、真空ポンプ１２１を駆動して、チャンバー９７内の圧力を減圧状態に保つ。
次いで、バルブ１１９を開いてＣＦ4ガスをチャンバー９７内に導入する。
次いで、高周波電源１１７及び高周波バイアス電源１１３を駆動して、コイル１０１に高周波電圧を印加し、テーブル９９にバイアス電圧を印加する。
これにより、チャンバー９７内にＣＦ4プラズマが誘起される。
【０１１８】
本実施形態では、ＣＦ4プラズマ処理の条件として、チャンバー９７内の圧力を約１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）とし、ＣＦ4ガスの導入量を約９００ＳＣＣＭとし、プラズマ照射強度を１Ｗ／ｃｍ2とし、処理時間を３０分間とした。
なお、処理ガスは、ＣＦ4ガスに限定されず、ＳＦ6やＣＨＦ3などのハロゲンガスや、フッ素ガスなども採用され得る。
【０１１９】
基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す工程に次いで、基板４１ａに加熱処理を施す。本実施形態では、加熱処理の方法として、基板４１ａを所定の温度範囲に保たれた環境下に所定の保持時間だけ保持する方法が採用されている。加熱処理の条件としては、本実施形態では、温度範囲を５０℃以上且つ２８０℃未満とし、保持時間を約１０分間とした条件が採用され得る。５０℃未満では、後述する効果が得られるのに要する時間が長期化してしまう。このため、５０℃を下回ることは、効率化の観点から好ましくない。また、２８０℃以上では、有機材料で構成される絶縁膜６３が軟化してしまったり、重量が減少してしまったりすることがある。このため、２８０℃以上は好ましくない。
【０１２０】
基板４１ａに加熱処理を施す工程に次いで、図１０（ａ）に示すように、絶縁膜６３によって囲まれた各画素５の領域（画素形成領域）内に液状体６５ａを配置する。液状体６５ａには、正孔注入層６５を構成する有機材料が含まれている。液状体６５ａの配置には、液滴吐出ヘッド１３１を利用したインクジェット法が活用され得る。
液滴吐出ヘッド１３１から液状体６５ａなどを液滴６５ｂとして吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体６５ａなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の１つである。
【０１２１】
各画素５の領域内に配置された液状体６５ａを減圧乾燥法で乾燥させてから焼成を行うことによって、図１０（ｂ）に示す正孔注入層６５が形成され得る。なお、液状体６５ａには、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの混合物を、溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、ジエチレングリコール、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。なお、減圧乾燥法は、減圧環境下で行う乾燥方法であり、真空乾燥法とも呼ばれる。また、液状体６５ａの焼成条件は、環境温度が約２００℃で、保持時間が約１０分間である。
【０１２２】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、絶縁膜６３によって囲まれた画素形成領域内に液滴吐出ヘッド１３１から液状体６７ａを液滴６７ｂとして吐出することで、絶縁膜６３によって囲まれた画素形成領域内に液状体６７ａを配置する。液状体６７ａには、正孔輸送層６７を構成する有機材料が含まれている。
このとき、正孔注入層６５は、液状体６７ａによって覆われる。なお、液状体６７ａには、ＴＦＢを溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
【０１２３】
次いで、液状体６７ａを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図１０（ｃ）に示す正孔輸送層６７が形成され得る。なお、液状体６７ａの焼成条件は、環境温度が約１３０℃で、保持時間が約１時間である。
【０１２４】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、絶縁膜６３によって囲まれた各領域内に、液状体６９ａを配置する。液状体６９ａには、発光層６９を構成する有機材料が含まれている。液状体６９ａは、液滴吐出ヘッド１３１から液状体６９ａを液滴６９ｂとして吐出することによって配置される。このとき、正孔輸送層６７は、液状体６９ａによって覆われる。なお、液状体６９ａには、画素５ｒ、５ｇ及び５ｂのそれぞれに対応する前述した有機材料を溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
【０１２５】
次いで、液状体６９ａを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図５に示す発光層６９が形成され得る。液状体６９ａの焼成条件は、環境温度が約１３０℃で、保持時間が約１時間である。
【０１２６】
次いで、蒸着技術などを活用してカルシウム等の膜を、絶縁膜６３に囲まれた画素形成領域内に形成することにより、図５に示す電子注入層７１が形成され得る。このとき、電子注入層７１は、絶縁膜６３をマスクで表示面３側から覆った状態で形成され得る。
次いで、マスクを用いた蒸着技術を活用してアルミニウム等の膜を形成することにより、図５に示す共通電極３３が形成され得る。これにより、素子基板１１が製造され得る。
【０１２７】
表示装置１を組み立てる工程では、図２に示すように、素子基板１１及び封止基板１３を、接着剤１６及びシール材１７を介して接合する。
このとき、素子基板１１及び封止基板１３は、図５に示すように、第１基板４１の第１面４２ａと、封止基板１３の対向面１３ｂとが向き合った状態で接合される。これにより、表示装置１が製造され得る。
【０１２８】
本実施形態では、絶縁膜６３が隔壁に対応し、基板４１ａが基板に対応し、各画素５における画素電極２９と共通電極３３とが一対の電極に対応している。
また、基板４１ａに加熱処理を施す工程が、加熱工程に対応している。また、基板４１ａにＵＶオゾン処理を施す工程が、親液化工程に対応している。また、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す工程が、撥液化工程に対応している。
【０１２９】
本実施形態では、ＵＶオゾン処理によって画素電極２９及び絶縁膜６１に親液性が付与される。また、ＣＦ4プラズマ処理によって、絶縁膜６３に撥液性が付与される。このため、基板４１ａにおいて絶縁膜６３によって囲まれている領域内に液状体６５ａを配置したときに、液状体６５ａが画素電極２９及び絶縁膜６１に濡れ広がりやすく、且つ液状体６５ａが絶縁膜６３にはじかれやすい。このため、液状体６５ａが絶縁膜６３を乗り越えにくい。これらの結果、正孔注入層６５を、絶縁膜６１によって囲まれている領域内において画素電極２９及び絶縁膜６１にわたって形成しやすくすることができる。つまり、各画素５において、例えば正孔注入層６５の一部が欠落してしまうという欠陥の発生を低く抑えやすくすることができる。
【０１３０】
また、本実施形態では、ＵＶオゾン処理及びＣＦ4プラズマ処理の後に、基板４１ａに加熱処理が施される。
ここで、絶縁膜６３は、ポジ型の感光性を有する感光物質が含まれた樹脂から形成されている。この樹脂に紫外線が照射されると、感光物質の光分解が誘発されやすくなる。紫外線が照射された樹脂に液状体６５ａ、液状体６７ａ及び液状体６９ａなどが接触すると、液状体６５ａ、液状体６７ａ及び液状体６９ａなどに樹脂が溶け出すことがある。
【０１３１】
ところが、本実施形態では、ＵＶオゾン処理の後に基板４１ａに加熱処理が施される。これによって、絶縁膜６３が液状体６５ａ、液状体６７ａ及び液状体６９ａのそれぞれに溶け出すことを極めて低く抑えることができる。このため、絶縁膜６３の撥液性を、ＣＦ4プラズマ処理後から有機層３１の形成後までの間にわたって維持しやすくすることができる。このため、正孔注入層６５、正孔輸送層６７及び発光層６９のそれぞれを、絶縁膜６３によって囲まれている領域内にわたって形成しやすくすることができる。この結果、複数の画素５において、例えば画素５内で各層の一部が欠落する欠陥画素の発生を低く抑えることができる。このため、表示装置１の表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１３２】
なお、本実施形態では、複数の画素５が設定され、画素５ごとに有機ＥＬ素子２７を有する表示装置１を例に説明したが、実施の形態はこれに限定されない。実施の形態としては、有機ＥＬ素子２７を表示領域７にわたって一連した状態で設けた照明装置などの形態もある。このような照明装置は、例えば液晶表示装置などの光源に好適である。
【０１３３】
また、本実施形態では、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施すことによって絶縁膜６３に撥液性が付与される場合を例に説明したが、撥液性の付与方法はこれに限定されない。絶縁膜６３を、例えばフッ素樹脂で構成することによって、絶縁膜６３に撥液性を付与することができる。これにより、ＣＦ4プラズマ処理を施す工程を省略することができ、製造における効率化が図られる。
【０１３４】
また、絶縁膜６３への撥液性の付与方法は、絶縁膜６３をフッ素樹脂で構成することに限定されない。絶縁膜６３への撥液性の付与は、ポジ型の感光物質を含む樹脂にフッ素化合物を混合することによっても達成され得る。フッ素化合物としては、例えば、フッ素系界面活性剤などが挙げられる。
図６（ｃ）に示す絶縁膜６３の形成では、まず、絶縁膜６３を構成する樹脂で、平面視で画素電極２９及び絶縁膜６１を覆う樹脂膜を形成する。このとき、樹脂膜を構成する樹脂（絶縁膜６３を構成する樹脂）として、ポジ型の感光物質を含むアクリル系の樹脂にフッ素系界面活性剤を混合した樹脂が採用される。
次いで、例えばフォトリソグラフィ技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。これにより、撥液性を有する絶縁膜６３が形成され得る。これにより、ＣＦ４プラズマ処理を施す工程を省略することができ、製造における効率化が図られる。
なお、フッ素系界面活性剤としては、例えば、ＤＩＣ（株）社製のメガファックＢＬ−２０や、ＤＩＣ（株）社製のメガファックＭＣＦ−３５０ＳＦなどが採用され得る。
【０１３５】
ところで、図６（ｃ）に示す画素電極２９及び絶縁膜６１を覆う樹脂膜をパターニングすることによって絶縁膜６３を形成する方法では、画素電極２９や絶縁膜６１に残渣が発生しやすい。
フッ素樹脂やフッ素化合物を含有する樹脂（以下、撥液樹脂と呼ぶ）で形成した樹脂膜（以下、撥液樹脂膜と呼ぶ）をパターニングすることによって絶縁膜６３を形成する方法では、図６（ｃ）に示す画素電極２９や絶縁膜６１に発生する残渣が撥液性を有している。画素電極２９や絶縁膜６１に発生する残渣が撥液性を有していると、例えば、図１０（ａ）に示す液滴６５ｂや液状体６５ａが、画素電極２９や絶縁膜６１上ではじかれやすくなってしまう。この結果、画素５の領域（画素形成領域）内で有機層３１の厚みばらつきが大きくなり、表示品位が損なわれることがある。
これに対し、本実施形態では、絶縁膜６３の形成の後に、基板４１ａにＵＶオゾン処理を施すので、画素電極２９や絶縁膜６１に発生する残渣が除去（アッシング）されやすい。これにより、画素電極２９や絶縁膜６１の液滴６５ｂや液状体６５ａに対する親液性が高められる。この結果、画素５の領域（画素形成領域）内での有機層３１の厚みばらつきを軽減しやすくすることができ、表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１３６】
なお、画素電極２９や絶縁膜６１に発生する残渣の除去方法は、ＵＶオゾン処理に限定されない。画素電極２９や絶縁膜６１に発生する残渣の除去方法としては、例えば、酸素プラズマ処理も採用され得る。
酸素プラズマ処理では、まず、図９に示すプラズマ処理装置９５のテーブル９９に基板４１ａを載置する。
次いで、真空ポンプ１２１を駆動して、チャンバー９７内の圧力を減圧状態に保つ。
次いで、バルブ１１９を開いて酸素ガスをチャンバー９７内に導入する。
次いで、高周波電源１１７及び高周波バイアス電源１１３を駆動して、コイル１０１に高周波電圧を印加し、テーブル９９にバイアス電圧を印加する。
これにより、チャンバー９７内に酸素プラズマが誘起される。
酸素プラズマ処理によっても、画素電極２９や絶縁膜６１における残渣が除去されやすい。これにより、画素電極２９や絶縁膜６１の液滴６５ｂや液状体６５ａに対する親液性が高められる。この結果、画素５の領域（画素形成領域）内での有機層３１の厚みばらつきを軽減しやすくすることができ、表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１３７】
また、本実施形態では、基板４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施した後に、基板４１ａに加熱処理を施す順序が採用されているが、ＣＦ4プラズマ処理と加熱処理との順序はこれに限定されない。ＣＦ4プラズマ処理と加熱処理との順序としては、加熱処理を施した後にＣＦ4プラズマ処理を施す順序も採用され得る。
【０１３８】
また、本実施形態では、正孔輸送層６７を第２層とする構成が採用されているが、構成はこれに限定されない。正孔を発生させ、且つ正孔を発光層６９に送出することができる層が第１層として設けられていれば、発光層６９を第２層とする構成も採用され得る。
【０１３９】
また、本実施形態では、有機層３１からの光を封止基板１３を介して表示面３から射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を例に説明したが、有機ＥＬ装置はこれに限定されない。有機ＥＬ装置は、有機層３１からの光を素子基板１１を介して底面１５から射出するボトムエミッション型も採用され得る。
ボトムエミッション型の場合、有機層３１からの光が底面１５から射出されるので、底面１５側に表示面３が設定される。つまり、ボトムエミッション型では、表示装置１の底面１５と表示面３とが入れ替わる。そして、ボトムエミッション型では、底面１５側が上側に対応し、表示面３側が下側に対応する。
【０１４０】
なお、ボトムエミッション型の場合には、画素電極２９の材料として、ＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物などが採用され得る。また、電子注入層７１の材料として、カルシウムなどが採用され得る。共通電極３３の材料として、アルミニウムなどが採用され得る。
【０１４１】
第２実施形態について説明する。
第２実施形態における表示装置１０は、図３中のＣ−Ｃ線における断面図である図１１に示すように、封止基板２０を有している。表示装置１０は、表示装置１における封止基板１３が封止基板２０に替えられていることを除いては、表示装置１と同様の構成を有している。このため、以下の第２実施形態では、重複した説明を避けるため、第１実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第１実施形態と異なる点のみについて説明する。
【０１４２】
封止基板２０は、第２基板１４１を有している。第２基板１４１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた外向面１４２ａと、底面１５側に向けられた対向面１４２ｂとを有している。
第２基板１４１の対向面１４２ｂには、平面視で領域６２に重なる領域に絶縁膜１４３が設けられている。絶縁膜１４３は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などで構成されており、平面視で領域６２に沿って格子状に設けられている。
【０１４３】
また、第２基板１４１の対向面１４２ｂには、絶縁膜１４３によって囲まれた各領域を底面１５側から覆うカラーフィルタ１４５が設けられている。
ここで、カラーフィルタ１４５は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ１４５は、画素５ｒ、画素５ｇ及び画素５ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素５ｒに対応するカラーフィルタ１４５は、Ｒの光を透過させることができる。画素５ｇに対応するカラーフィルタ１４５はＧの光を透過させ、画素５ｂに対応するカラーフィルタ１４５はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ１４５に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルタ１４５ｒ、１４５ｇ及び１４５ｂという表記が用いられる。
【０１４４】
絶縁膜１４３及びカラーフィルタ１４５の底面１５側には、オーバーコート層１４７が設けられている。オーバーコート層１４７は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、絶縁膜１４３及びカラーフィルタ１４５を底面１５側から覆っている。
【０１４５】
ここで、表示装置１０の製造方法について説明する。
表示装置１０の製造方法は、素子基板１１を製造する工程と、封止基板２０を製造する工程と、表示装置１０を組み立てる工程とに大別される。
素子基板１１を製造する工程、及び表示装置１０を組み立てる工程は、第１実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【０１４６】
封止基板２０を製造する工程では、図１２（ａ）に示すように、まず、第２基板１４１の対向面１４２ｂに絶縁膜１４３を形成する。絶縁膜１４３の形成では、まず、ポジ型の感光物質を含むアクリル系の樹脂で、対向面１４２ｂに樹脂膜を形成する。この樹脂膜の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。次いで、例えばフォトリソグラフィ技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。これにより、絶縁膜１４３が形成され得る。
なお、絶縁膜１４３が形成された第２基板１４１は、以下において基板１４１ａと呼ばれる。
【０１４７】
次いで、図１２（ｂ）に示すように、基板１４１ａにＵＶオゾン処理を施す。これにより、ＵＶオゾン処理前よりも、後述する液状体１４６ａに対して、対向面１４２ｂに親液性が付与される。本実施形態では、処理室内に基板１４１ａを収容した状態で、処理室内に酸素を含むガスを導入しながら、処理室内で紫外線を発生させる方法が採用されている。また、ＵＶオゾン処理には、前述したＵＶオゾン処理装置８３（図８）が適用され得る。
【０１４８】
次いで、図１２（ｃ）に示すように、基板１４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す。これにより、ＣＦ4プラズマ処理前より、後述する液状体１４６ａに対して、絶縁膜１４３に撥液性が付与される。本実施形態では、処理室内を所定の真空度に保った状態で処理室内に処理ガスを導入しながら、処理室内にプラズマを発生させる方法が採用されている。本実施形態では、処理ガスとして、フッ素化合物を含むガスであるＣＦ4ガスが採用されている。また、ＣＦ4プラズマ処理には、前述したプラズマ処理装置９５（図９）が適用され得る。
【０１４９】
次いで、基板１４１ａに加熱処理を施す。本実施形態では、加熱処理の方法として、基板１４１ａを所定の温度範囲に保たれた環境下に所定の保持時間だけ保持する方法が採用されている。加熱処理の条件としては、本実施形態では、温度範囲を５０℃以上且つ２８０℃未満とし、保持時間を約１０分間とした条件が採用され得る。５０℃未満では、後述する効果が得られるのに要する時間が長期化してしまう。このため、５０℃を下回ることは、効率化の観点から好ましくない。また、２８０℃以上では、有機材料で構成される絶縁膜１４３が軟化してしまったり、重量が減少してしまったりすることがある。このため、２８０℃以上は好ましくない。
【０１５０】
基板１４１ａに加熱処理を施す工程に次いで、図１３（ａ）に示すように、絶縁膜１４３によって囲まれた画素形成領域内に、各カラーフィルタ１４５に対応する着色材が含まれた液状体１４６ａを配置する。液状体１４６ａの配置には、液滴吐出ヘッド１３１が適用され得る。液滴吐出ヘッド１３１から液状体１４６ａを液滴１４６ｂとして吐出させることによって、絶縁膜１４３によって囲まれた画素形成領域内に液状体１４６ａが配置され得る。
次いで、液状体１４６ａを減圧乾燥法で乾燥させることによって、図１３（ｂ）に示すカラーフィルタ１４５が形成され得る。
【０１５１】
次いで、平面視で絶縁膜１４３及びカラーフィルタ１４５を覆うオーバーコート層１４７（図１１）を形成する。オーバーコート層１４７の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。
これにより、図１１に示す封止基板２０が製造され得る。
【０１５２】
第２実施形態では、絶縁膜１４３が隔壁に対応し、基板１４１ａが基板に対応し、カラーフィルタ１４５が膜に対応している。
また、基板１４１ａに加熱処理を施す工程が、加熱工程に対応している。また、基板１４１ａにＵＶオゾン処理を施す工程が、親液化工程に対応している。また、基板１４１ａにＣＦ4プラズマ処理を施す工程が、撥液化工程に対応している。
【０１５３】
第２実施形態における表示装置１０では、封止基板２０がカラーフィルタ１４５を有している。画素５ｒに対応するカラーフィルタ１４５は、Ｒの光を透過させることができる。画素５ｇに対応するカラーフィルタ１４５はＧの光を透過させ、画素５ｂに対応するカラーフィルタ１４５はＢの光を透過させることができる。
これにより、画素５ｒの有機層３１からのＲの光は、カラーフィルタ１４５ｒによって色純度が高められる。同様に、画素５ｇの有機層３１からのＧの光は、カラーフィルタ１４５ｇによって色純度が高められ、画素５ｂの有機層３１からのＢの光は、カラーフィルタ１４５ｂによって色純度が高められる。このため、表示装置１０では、表示における色純度が高められるので、表示品位の向上が図られる。
【０１５４】
また、本実施形態では、ＵＶオゾン処理によって対向面１４２ｂに親液性が付与される。また、ＣＦ4プラズマ処理によって、絶縁膜１４３に撥液性が付与される。このため、基板１４１ａにおいて絶縁膜１４３によって囲まれている領域内に液状体１４６ａを配置したときに、液状体１４６ａが対向面１４２ｂに濡れ広がりやすく、且つ液状体１４６ａが絶縁膜１４３にはじかれやすい。このため、液状体１４６ａが絶縁膜１４３を乗り越えにくい。これらの結果、カラーフィルタ１４５を、絶縁膜１４３によって囲まれている領域内において対向面１４２ｂにわたって形成しやすくすることができる。つまり、各画素５において、例えばカラーフィルタ１４５の一部が欠落してしまうという欠陥の発生を低く抑えやすくすることができる。
【０１５５】
なお、第２実施形態では、画素５ｒにＲの光を発する発光層６９を設け、画素５ｇにＧの光を発する発光層６９を設け、画素５ｂにＧの光を発する発光層６９を設けた構成が採用されているが、発光層６９の構成はこれに限定されない。発光層６９としては、白色光を発する発光層６９も採用され得る。白色光を発する発光層６９を採用すれば、画素５ｒ，５ｇ，５ｂ間で発光層６９の組成を同等にすることができる。このため、表示装置１０の製造において効率化が図られる。なお、白色光を発する発光層６９を採用しても、表示装置１０にはカラーフィルタ１４５ｒ，１４５ｇ，１４５ｂが設けられているので、カラー表示を行うことができる。
【０１５６】
ここで、実施例及び比較例について説明する。
以下に説明する実施例及び比較例では、それぞれ、ガラス基板上に、ポジ型の感光性を有するアクリル樹脂の膜を形成したものを試料とした。同じ条件で膜を形成した５つの試料を準備した。なお、各試料における膜には、露光を施さずに、約８０℃で約２分間のプレベークを施してから、約２３０℃で約３０分間のポストベークを施した。５つの試料は、試料１、試料２、試料３、試料４及び試料５として識別される。
試料１及び試料２に、ＵＶオゾン処理、ＣＦ4プラズマ処理、及び加熱処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
試料３及び試料４に、ＵＶオゾン処理、加熱処理、及びＣＦ4プラズマ処理をこの順に施した。これらの処理の条件は、前述した条件と同等にした。
試料５に、ＵＶオゾン処理及びＣＦ4プラズマ処理だけを施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
【０１５７】
（実施例１）
試料１に対する加熱処理では、温度を２００℃とし、保持時間を１０分とする条件を採用した。
試料１におけるアクリル樹脂の膜の上に、液状体６５ａを塗布して接触角を測定した。なお、接触角の測定には、微小接触角計ＦＴＡ４０００（First Ten Angstroms社製）を使用した。
試料１における接触角は、９０度であった。
【０１５８】
（実施例２）
試料２に対する加熱処理では、温度を１００℃とし、保持時間を１０分とする条件を採用した。
試料２におけるアクリル樹脂の膜の上に、液状体６５ａを塗布して接触角を測定した。
試料２における接触角は、９０度であった。
【０１５９】
（実施例３）
試料３に対する加熱処理では、温度を２００℃とし、保持時間を１０分とする条件を採用した。
試料３におけるアクリル樹脂の膜の上に、液状体６５ａを塗布して接触角を測定した。
試料３における接触角は、９０度であった。
【０１６０】
（実施例４）
試料４に対する加熱処理では、温度を１００℃とし、保持時間を１０分とする条件を採用した。
試料４におけるアクリル樹脂の膜の上に、液状体６５ａを塗布して接触角を測定した。
試料４における接触角は、９０度であった。
【０１６１】
（比較例）
試料５におけるアクリル樹脂の膜の上に、液状体６５ａを塗布して接触角を測定した。
試料５における接触角は、１０度であった。
【０１６２】
実施例１〜実施例４及び比較例の結果を下記表１に示す。
【０１６３】
【表１】
実施例１〜実施例４及び比較例の結果から、ＵＶオゾン処理の後に基板４１ａに加熱処理を施すことが好ましいことが理解される。また、この結果から、ＣＦ4プラズマ処理と加熱処理との順序としては、いずれが先でも後でもかまわないことが理解される。
【０１６４】
実施例１〜実施例４及び比較例における各条件で作成した表示装置１の表示状態を観察した。その結果、実施例１〜実施例４のそれぞれに対応する表示装置１では、比較例に対応する表示装置よりも輝度ムラが軽減していることが確認された。
【０１６５】
上述した表示装置１や表示装置１０は、例えば、図１４に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１又は表示装置１０が適用されているので、表示における表示品位の向上が図られる。
【０１６６】
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
【符号の説明】
【０１６７】
１，１０…表示装置、３…表示面、５…画素、７…表示領域、１１…素子基板、１５…底面、２０…封止基板、２７…有機ＥＬ素子、２９…画素電極、３１…有機層、３３…共通電極、４１…第１基板、４１ａ，１４１ａ…基板、６１…絶縁膜、６２…領域、６３，１４３…絶縁膜、６５…正孔注入層、６５ａ…液状体、６５ｂ…液滴、６７…正孔輸送層、６７ａ…液状体、６７ｂ…液滴、６９…発光層、６９ａ…液状体、６９ｂ…液滴、７１…電子注入層、８１…駆動素子層、８３…ＵＶオゾン処理装置、９５…プラズマ処理装置、１３１…液滴吐出ヘッド、１４１…第２基板、１４５…カラーフィルタ、１４６ａ…液状体、１４６ｂ…液滴、５００…電子機器、５１０…表示部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機材料を含む材料で構成された隔壁が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板を用意する工程と、
液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、
前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、
を有し、
前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とする基板の処理方法。
【請求項２】
前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項１に記載の基板の処理方法。
【請求項３】
前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板の処理方法。
【請求項４】
前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とする請求項３に記載の基板の処理方法。
【請求項５】
前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項６】
前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項７】
前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項６に記載の基板の処理方法。
【請求項８】
前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項６に記載の基板の処理方法。
【請求項９】
前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項１０】
前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とする請求項５に記載の基板の処理方法。
【請求項１１】
前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする請求項１０に記載の基板の処理方法。
【請求項１２】
有機材料を含む材料で構成された隔壁が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板を用意する工程と、
着色材料が含まれている液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、
前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程の後に、前記隔壁によって囲まれている前記画素形成領域内に、前記液状体を配置する工程と、
前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記着色材料で膜を形成する工程と、
を有し、
前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【請求項１３】
前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項１２に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項１４】
前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とする請求項１２又は１３に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項１５】
前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とする請求項１４に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項１６】
前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項１７】
前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項１８】
前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項１７に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項１９】
前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項１７に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項２０】
前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項１７乃至１９のいずれか一項に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項２１】
前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とする請求項１６に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項２２】
前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする請求項２１に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項２３】
複数の画素の前記画素ごとに、互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極間に介在する有機層と、平面視で前記有機層を囲む隔壁とを有し、前記有機層が複数の層を有している有機ＥＬ装置の製造方法であって、
有機材料を含む材料で構成された前記隔壁を有する基板を用意する工程と、
前記複数の層のうちの１つの層を構成する材料が含まれている液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、
前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程の後に、前記隔壁によって囲まれている画素形成領域内に、前記液状体を配置する工程と、
前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記１つの層を構成する材料で前記１つの層に対応する膜を形成する工程と、
を有し、
前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２４】
前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項２３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２５】
前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とする請求項２３又は２４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２６】
前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とする請求項２５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２７】
前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とする請求項２３乃至２６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２８】
前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とする請求項２３乃至２７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２９】
前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項２８に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３０】
前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項２８に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３１】
前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項２８乃至３０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３２】
前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とする請求項２７に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３３】
前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする請求項３２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１】
有機材料を含む材料で構成された隔壁が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板を用意する工程と、
液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、
前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、
を有し、
前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とする基板の処理方法。
【請求項２】
前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項１に記載の基板の処理方法。
【請求項３】
前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板の処理方法。
【請求項４】
前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とする請求項３に記載の基板の処理方法。
【請求項５】
前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項６】
前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項７】
前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項６に記載の基板の処理方法。
【請求項８】
前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項６に記載の基板の処理方法。
【請求項９】
前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項１０】
前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とする請求項５に記載の基板の処理方法。
【請求項１１】
前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする請求項１０に記載の基板の処理方法。
【請求項１２】
有機材料を含む材料で構成された隔壁が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板を用意する工程と、
着色材料が含まれている液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、
前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程の後に、前記隔壁によって囲まれている前記画素形成領域内に、前記液状体を配置する工程と、
前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記着色材料で膜を形成する工程と、
を有し、
前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【請求項１３】
前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項１２に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項１４】
前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とする請求項１２又は１３に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項１５】
前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とする請求項１４に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項１６】
前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項１７】
前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項１８】
前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項１７に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項１９】
前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項１７に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項２０】
前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項１７乃至１９のいずれか一項に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項２１】
前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とする請求項１６に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項２２】
前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする請求項２１に記載のカラーフィルタの製造方法。
【請求項２３】
複数の画素の前記画素ごとに、互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極間に介在する有機層と、平面視で前記有機層を囲む隔壁とを有し、前記有機層が複数の層を有している有機ＥＬ装置の製造方法であって、
有機材料を含む材料で構成された前記隔壁を有する基板を用意する工程と、
前記複数の層のうちの１つの層を構成する材料が含まれている液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、
前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程の後に、前記隔壁によって囲まれている画素形成領域内に、前記液状体を配置する工程と、
前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記１つの層を構成する材料で前記１つの層に対応する膜を形成する工程と、
を有し、
前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２４】
前記加熱工程では、前記基板を５０℃以上且つ２８０℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項２３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２５】
前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とする請求項２３又は２４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２６】
前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とする請求項２５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２７】
前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とする請求項２３乃至２６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２８】
前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とする請求項２３乃至２７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２９】
前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項２８に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３０】
前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項２８に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３１】
前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項２８乃至３０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３２】
前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とする請求項２７に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３３】
前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする請求項３２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１０−３３０３６（Ｐ２０１０−３３０３６Ａ）
【公開日】平成２２年２月１２日（２０１０．２．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１４５０４４（Ｐ２００９−１４５０４４）
【出願日】平成２１年６月１８日（２００９．６．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年２月１２日（２０１０．２．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年６月１８日（２００９．６．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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